JP7447537B2 - タンタル酸リチウム基板の製造方法とタンタル酸リチウム基板 - Google Patents
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Description
タンタル酸リチウム結晶を用いてタンタル酸リチウム基板を製造する方法であって、容器内に充填されたアルミニウム粉末と酸化アルミニウム粉末との混合粉中に基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム結晶(以下、「基板形状のタンタル酸リチウム結晶」とし、熱処理後の「タンタル酸リチウム基板」と区別する)を埋め込み、かつ、大気圧雰囲気下の加熱炉内に上記容器を配置した後、上記加熱炉内に不活性ガスを連続的に給排しながらタンタル酸リチウム結晶のキュリー温度未満の温度で熱処理してタンタル酸リチウム基板を製造する方法において、
上記混合粉中に複数枚埋め込まれる基板形状のタンタル酸リチウム結晶間の距離をL(mm)とし、基板形状のタンタル酸リチウム結晶外周縁部と上記容器の内壁間との距離をL1(mm)とした場合、
L1/Lが、1.5を超え3.5以下の範囲を満たすように設定し、
体積抵抗率が1×10 10 Ω・cm~1×10 11 Ω・cm、中央部の波長600nmにおける透過率が40%~60%かつ外周部の波長600nmにおける透過率が中央部の上記透過率より5%以上低いタンタル酸リチウム基板を製造することを特徴とする。
第1の発明に記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法において、
上記L1/Lが2以上3以下の範囲を満たすことを特徴とする。
第1の発明または第2の発明に記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法において、
上記混合粉中に複数枚埋め込まれる基板形状のタンタル酸リチウム基板間の距離Lが、0.5mm~10mmの範囲を満たすことを特徴とする。
第1の発明~第3の発明のいずれかに記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法において、
上記不活性ガスがアルゴンガスで、かつ、加熱炉内に連続的に給排されるアルゴンガスの流量が0.5~5L/minの範囲を満たすことを特徴とする。
タンタル酸リチウム基板において、
素子材料として使用される中央部の波長600nmにおける透過率が40%~60%の範囲で、外周部の波長600nmにおける透過率が中央部の上記透過率より5%以上低いことを特徴とする。
アルミニウム粉末と酸化アルミニウム粉末との混合粉中に複数枚埋め込まれる基板形状のタンタル酸リチウム結晶間の距離をL(mm)とし、基板形状のタンタル酸リチウム結晶外周縁部と容器の内壁間との距離をL1(mm)とした場合、L1/Lが、1.5を超え3.5以下の範囲を満たす条件でタンタル酸リチウム結晶が上記混合粉中に埋め込まれている。
ところで、図2に示すステンレス製容器1の内径サイズを変更することにより、LT結晶3の外周縁部における還元条件を適宜調整することができる。
次に、Al粉とAl2O3粉との混合粉2中に複数枚埋め込まれる基板形状のLT結晶3間の距離L(mm)については、LT結晶間に充填される混合粉の均一性および生産性の観点から0.5mm~10mmがよい。LT結晶間の距離Lが10mmを超えた場合、混合粉中に埋め込まれるLT結晶の枚数が減少するため生産性に劣る不都合があり、また、上記LT結晶間の距離Lが0.5mm未満の場合、混合粉中にLT結晶を埋め込む際、均一に混合粉を均せなくなるため条件のバラツキを生ずる不都合がある。このため、混合粉中に埋め込まれるLT結晶間の距離L(mm)は0.5mm~10mmがよく、好ましくは1.5mm~5mmがよく、より好ましくは2~3mmである。
実施例1~2と比較例で用いられる加熱炉には給気口と排気口が設けられている。また、加熱炉内に配置されるステンレス製容器にはアルミニウム粉末(Al粉)と酸化アルミニウム粉末(Al2O3粉)との混合粉が充填され、かつ、一般的に市販されているアルゴンガス(酸素分圧は1×10-6atm程度)が給気口を介し加熱炉内に連続的に供給されると共に、排気口を介してアルゴンガス(不活性ガス)が加熱炉外へ連続的に排気されて、加熱炉内は大気圧雰囲気下に調整されている。尚、加熱炉内に給排されるアルゴンガスの流量は2L/minに設定されている。
コングルエント組成の原料を用い、チョクラルスキー法により、直径4インチであるLT単結晶の育成を行った。育成雰囲気は、酸素濃度約3%の窒素-酸素混合ガスである。得られたLT結晶のインゴットは、透明な淡黄色であった。尚、本実施形態に係るLT基板の製造方法に用いるLT結晶の育成方法については、上記チョクラルスキー法に限定されず、他の公知の育成方法、例えば、引き下げ法を用いてもよい。
内径が112mmφのステンレス製円筒容器に充填された10重量%のアルミニウム粉末(Al粉)と90重量%の酸化アルミニウム粉末(Al2O3粉)との混合粉中に、基板の状態に加工された直径100mmφ、厚さ280μmのLT結晶を3mmの間隔で25枚埋め込み、かつ、LT結晶が埋め込まれたステンレス製円筒容器を上記加熱炉内に配置した後、給気口を介し市販されている上記アルゴンガス(酸素分圧は1×10-6atm程度)を加熱炉内に供給した。
上記ステンレス製円筒容器の内径が118mmφである以外は、実施例1と同一の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理)を行った。
上記ステンレス製円筒容器の内径が106mmφである以外は、実施例1と同一の条件によりLT結晶の熱処理(還元処理)を行った。
(1)実施例1
(1-1)LT結晶外周縁部と容器内壁間距離L1(mm)が6.0mmに設定されている実施例1では、比率(L1/L)=6.0/3.0=2.0となり、本発明の「1.5を超え3.5以下」なる条件を満たしている。
(2-1)LT結晶外周縁部と容器内壁間距離L1(mm)が9.0mmに設定されている実施例2でも、比率(L1/L)=9.0/3.0=3.0となり、本発明の「1.5を超え3.5以下」なる条件を満たしている。
(3-1)LT結晶外周縁部と容器内壁間距離L1(mm)が3.0mmに設定されている比較例では、比率(L1/L)=3.0/3.0=1.0となり、本発明の「1.5を超え3.5以下」なる条件を満たしていない。
2 混合粉
3 基板形状のLT結晶
4 大型容器
Claims (5)
- タンタル酸リチウム結晶を用いてタンタル酸リチウム基板を製造する方法であって、容器内に充填されたアルミニウム粉末と酸化アルミニウム粉末との混合粉中に基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム結晶(以下、「基板形状のタンタル酸リチウム結晶」とし、熱処理後の「タンタル酸リチウム基板」と区別する)を埋め込み、かつ、大気圧雰囲気下の加熱炉内に上記容器を配置した後、上記加熱炉内に不活性ガスを連続的に給排しながらタンタル酸リチウム結晶のキュリー温度未満の温度で熱処理してタンタル酸リチウム基板を製造する方法において、
上記混合粉中に複数枚埋め込まれる基板形状のタンタル酸リチウム結晶間の距離をL(mm)とし、基板形状のタンタル酸リチウム結晶外周縁部と上記容器の内壁間との距離をL1(mm)とした場合、
L1/Lが、1.5を超え3.5以下の範囲を満たすように設定し、
体積抵抗率が1×10 10 Ω・cm~1×10 11 Ω・cm、中央部の波長600nmにおける透過率が40%~60%かつ外周部の波長600nmにおける透過率が中央部の上記透過率より5%以上低いタンタル酸リチウム基板を製造することを特徴とするタンタル酸リチウム基板の製造方法。 - 上記L1/Lが2~3の範囲を満たすことを特徴とする請求項1に記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法。
- 上記混合粉中に複数枚埋め込まれる基板形状のタンタル酸リチウム基板間の距離Lが、0.5mm~10mmの範囲を満たすことを特徴とする請求項1または2に記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法。
- 上記不活性ガスがアルゴンガスで、かつ、加熱炉内に連続的に給排されるアルゴンガスの流量が0.5~5L/minの範囲を満たすことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法。
- 素子材料として使用される中央部の波長600nmにおける透過率が40%~60%の範囲で、外周部の波長600nmにおける透過率が中央部の上記透過率より5%以上低いことを特徴とするタンタル酸リチウム基板。
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