JP7439240B2 - 積層コンデンサ - Google Patents

Description

本発明は、誘電体層と、その間に配置された電極とを含む、セラミック系の積層コンデンサに関する。

積層コンデンサの例は、従来技術から当業者に知られている。

圧電特性を有するセラミック系の積層コンデンサでは、一般に、コンデンサ電圧が印加されると、電気セラミック材料の変形が生じる。

周期的な変形は、材料疲労につながり、その結果、セラミック材料の破損につながる可能性がある。

更に、既知の積層コンデンサは、使用において、種々の更なる技術的課題を有している。

したがって、本発明の課題は、改善された材料特性、及び、改善された幾何学的形状を有する積層コンデンサを提供することである。

当該課題は、少なくとも部分的に、請求項１で開示された積層コンデンサによって解決される。

更なる実施形態は、更なる請求項から見て取ることができる。

少なくとも２つのセグメントを有するコンデンサ素子を含む積層コンデンサが開示される。セグメントは、セラミックから成る誘電体層と、その間に配置された電極層とを有し、それらは層順で重なり合って配置されている。この場合、電極層は、少なくとも第１及び第２の電極を含む異なる電極を含む。

異なる電極、すなわち例えば第１及び第２の電極は、アクティブ領域においてオーバーラップしている。異なる電極がオーバーラップしない領域は、パッシブ領域と呼ばれる。

パッシブ領域では、例えば、同じ種類の電極のみが、すなわち、第１の電極のみ若しくは第２の電極のみ、又は、任意の他の統一された種類の電極のみが、オーバーラップしている。

付加的に又は代替的に、パッシブ領域は、電極が配置されていないコンデンサ素子の領域であることができる。そのような領域は、例えば、コンデンサ素子の外面に隣接する周縁領域であることができる。これは、電極が、大抵の場合、コンデンサ素子の幅全体に亘っては延びていないためである。

コンデンサ素子の内部には、複数のセグメントが積層方向に重なり合って配置されており、２つのセグメントの最も外側の誘電体層は、結合領域を形成しており、当該結合領域において、セグメントは、層平面に対して平行に互いに強固に結合されている。結合領域は、例えば、上側セグメントの最も下の誘電体層と、下側セグメントの最も上の誘電体層とによって形成される。

２つの誘電体層は、例えば焼結によって互いに強固に結合されている。重なり合って配置されたセグメントを共に焼結することにより、隣接する誘電体層が、物理的に及び化学的に互いに結合される。

任意の数のセグメントを互いに結合することができる。その場合、それぞれ２つのセグメントの間に、１つの結合領域が形成されている。

結合領域は、電極に対して平行な平面内に配置された応力緩和領域を含む。応力緩和領域は、少なくともコンデンサのパッシブ領域全体を占める。

応力緩和領域では、セグメントの結合は弱められるか又は中断されている。応力緩和領域により、積層コンデンサ内の機械的な応力が小さく保たれる。その場合、セグメントの厚さは、好ましくは、セグメント内の機械な応力がコンデンサ内の亀裂の発生をもたらさない程度に小さい。

好ましくは、この弱化は、コンデンサの磁界方向に対応する積層方向において、顕著である。弱化は、間隙を形成することによって、又は、異なる弾性率の材料、好ましくはより小さな弾性率値の材料を使用することによって、達成することができる。代替的に、弱化は、セラミックと比較してより硬い又はより脆い材料を挿入することによって、達成することができる。荷重が負荷された場合、この材料は破損する可能性がある。

このような機械的な応力は、例えば、コンデンサ電圧が印加された場合に生じる。特に、アクティブ領域とパッシブ領域との間の機械的な応力が予想され得る。なぜなら、これらは、異なる態様で電気的に負荷を受けるからである。コンデンサの内部に応力緩和領域が設けられていない場合、そのような電圧は、妨害されることなくコンデンサ全体に亘って加算されるであろう。

セグメントの結合の弱化又は中断により、特にパッシブ領域において、機械的な応力が、コンデンサ内に破損又は亀裂が生じるような態様で加算されることが回避される。

一実施形態において、応力緩和領域は、セグメントの間の層平面に対して平行な領域として形成されており、当該層平面内において、セグメントは、互いに強固に結合されていない。

これにより、セグメント間の結合の上述した弱化を、容易に達成することができる。

一実施形態において、応力緩和領域は構造化されている。特に、応力緩和領域は、少なくとも１つの凹部を有することができる。例えば、この凹部の内部には結合領域が形成されており、当該結合領域において、セグメントが、互いに強固に結合、特に互いに強固に焼結されている。

一実施形態において、応力緩和領域は、セグメント間の間隙として形成されている。

特に、異なるセグメントの誘電体層は、応力緩和領域において、互いに隔てられていることができる。誘電体層は、応力緩和領域において、互いに隣接しており、互いに結合されていないか、又は、部分的にのみ結合されているか、又は、低減された付着強度でのみ結合されていることができる。

少なくとも１つの実施形態において、セグメント間の間隙の幅は、誘電体層の厚さよりも小さい。コンデンサ素子の個々の層平面は、通常、それぞれ同じ層厚を有する。

積層コンデンサの一実施形態において、応力緩和領域は、その弾性率が誘電体層の弾性率とは異なる材料を含む。

積層コンデンサを製造するために、グリーンシート、特にセラミック製グリーンシートが、誘電体層を形成するために準備される。後にセグメントの外側の誘電体層を形成する少なくとも１つのグリーンシートの上に、例えば有機又は無機材料を含む第１のペーストが、塗布され、例えば印刷される。第１のペーストは、好ましくは、応力緩和領域が設けられる部位にのみ塗布される。

後にセグメントの内側の誘電体層を形成する別のグリーンシートの上に、電極材料のための第２の金属ペーストが印刷される。印刷及び層形成は、積層体内の電極が交互に互いに僅かにオフセットして塗布されるように行うことができ、それにより、これらの電極は、後に、櫛状に、それぞれの出口面の一方の側において、接触させることができる。

グリーンシートは、積層体を形成するように配置され、当該積層体は焼結される。好ましくは、第１のペーストは、当該第１のペーストが塗布される部位で誘電体層の共焼結が完全に又は部分的に妨げられるように形成されており、その結果、ここに応力緩和領域が形成される。

層形成されプレスされた積層体は、続いて、大量生産プロセスの場合、個々のコンデンサへと細分することができる。

切断の後、バラバラにされたコンデンサから、先ずバインダが焼き出される（脱バインダ）。その後、焼成プロセス（焼結）が行われる。その場合、セラミック粉末は、好ましくは９００℃～１２００℃の温度で焼結され、その最終的な、主に結晶状の構造を得る。個々の誘電体層は、プロセス中に結合して、モノリシック構造を形成する。重なり合って配置されたセグメントの誘電体層も、互いに強固に結合される。

この焼成プロセスによって初めて、セラミックは、その所望の誘電特性を得る。焼成プロセスの後に、洗浄ステップが続き、少なくとも１つの実施形態においては、外部接点の塗布が続く。

一実施形態において、応力緩和領域は、少なくともコンデンサ素子の外面に隣接する全ての領域に形成されている。

一実施形態において、応力緩和領域が外面からコンデンサ素子内へ達する深さは、応力緩和領域に隣接するセグメントの積層高さにほぼ等しい、又は、隣接するセグメント内の最も上及び最も下の電極の間の寸法である。隣接するセグメントは、通常、それぞれ同じ積層高さを有する。

更なる実施形態において、コンデンサの外面のパッシブ領域の深さは、隣接するセグメントの積層高さにほぼ等しい。

応力緩和領域が外面からコンデンサ素子内へ達する深さは、一実施形態において、コンデンサの外面のパッシブ領域の深さの２倍に相当する。したがって、応力緩和領域の深さは、パッシブ領域の深さに依存する。

応力緩和領域のそのような寸法により、亀裂又は類似した疲労現象がコンデンサ内に生じるような態様で機械的な応力が加算されることが、回避される。

付加的に又は代替的に、応力緩和領域は、一実施形態において、コンデンサ素子の外面に直に形成されない更なるセクションを含むことができる。応力緩和領域の寸法は、ここでも、少なくとも、前の段落で述べた寸法に対応すべきである。

一実施形態において、応力緩和領域は、少なくとも部分的に、異なる電極がオーバーラップする領域に配置されている。すなわち、応力緩和領域は、少なくとも部分的に、コンデンサ素子のアクティブ領域に形成されている。

この実施形態における応力緩和領域は、更に、コンデンサ素子のパッシブ領域に配置されている結合領域の全ての領域を含む。

そのようにして拡大された応力緩和領域は、個々のセグメントの間の機械的な応力を更に低減する。

一実施形態において、応力緩和領域は、コンデンサ素子の外面に隣接しない少なくとも１つのセクションを有する。

一実施形態において、結合領域は、互いに境界付けられた複数の応力緩和領域を含む。

一実施形態において、結合領域は、少なくとも部分的にコンデンサ素子の外面に隣接しない、互いに境界付けられた複数の応力緩和領域を含む。

最後に述べた３つの実施形態は、とりわけ、コンデンサ直径が大きい場合に有利である。

そのようにして拡大された応力緩和領域又は結合領域内の複数の応力緩和領域は、個々のセグメントの間の機械的な応力を更に低減する。

積層コンデンサの一実施形態において、第１及び第２の電極は、少なくとも部分的にオーバーラップしている。

そのオーバーラップ領域において、第１及び第２の電極はアクティブ領域を形成し、当該アクティブ領域においては、電界が作用し、したがって機械的な応力が誘電体層の内部で生成される。

一実施形態において、電極は、銅、銀、ニッケル、白金及びパラジウムから成る群のうちの１つ又は複数を含む。これらの金属は、とりわけ、それらの高い導電率の故に適している。

容易かつ安価な製造のためには、上述したように、積層コンデンサ全体を１つのステップで焼結することが好ましい。したがって、焼結プロセスは、個々の層が積層された後に行われる。

そのような方法を可能にするために、誘電体層に使用されるセラミックの焼結温度は、電極に使用される金属の溶融温度を超えてはならない。これは、適切な電極金属又は適切なセラミックを選択することにより、達成することができる。

少なくとも１つの実施形態において、その上でコンデンサ素子から電極が出る、コンデンサ素子の外面の上の出口面の上に、第１及び第２の電極の接触のための２つの別個の外部接点が塗布されている。

外部接点は、好ましくは、積層コンデンサの反対側の外面に塗布されている。

あり得る第３の又は更なる電極は、それに反して、外部接点によって接触されない。

積層コンデンサの一実施形態において、各セグメントは、少なくとも３つの異なる種類の電極層を含み、第１の電極層内には、第１及び第２の電極が対向して形成されていると共に、誘電性のセクションによって隔てられており、第２の電極層内には、第１の電極のみが形成されており、第３の電極層内には、第２の電極のみが形成されており、第１の電極層は、それぞれ、各セグメントの積層方向において最も外側の電極層を形成している。

第１及び第２の電極は、第１の電極層内で、積層コンデンサの積層方向に対して垂直な方向において対向している。電極層の間には、それぞれ、誘電体層が形成されている。

上述した実施形態の利点は、セグメントの外側セクション又は２つのセグメントの間に電界が生成されないことである。これは、第１及び第２の電極が、それぞれ、隣接する外部接点と同じ電気分極を有するためである。

更に、第１の電極層の電極は、セグメントの内部においても、部分的に、同じ電気分極の電極に隣接している。したがって、比較的大きな領域に、電界が形成されない。したがって、セグメントのアクティブ領域の内部の個々の層も、電界を有さない。

したがって、外部からコンデンサの内部への帯電粒子の望ましくない移動を回避することができる。これは、湿気によって誘発される材料変化に対するより高い安定性という利点を有する。

一実施形態において、積層コンデンサは、外部接点のうちのいずれとも接触していない少なくとも１つの第３の電極を含み、当該第３の電極層は、第１及び第２の電極とオーバーラップしている。

このような電極は「浮遊」電極（ドイツ語で「schwebende」電極）とも呼ばれる。

一実施形態において、積層コンデンサは、コンデンサ素子の外面のうちのいずれとも隣接していない少なくとも１つの第３の電極を含む。

好ましくは、積層コンデンサ、特に積層コンデンサの各セグメントは、多数の第１の電極と、多数の第２の電極と、多数の第３の電極とを有する。

一実施形態において、コンデンサは、２つのキャパシタンスの少なくとも１つの直列接続を有する。特に、第１のキャパシタンスは、少なくとも１つの第１の電極と少なくとも１つの第３の電極とのオーバーラップによって、第２のキャパシタンスは、少なくとも１つの第２の電極と少なくとも１つの第３の電極とのオーバーラップによって、それぞれ形成することができる。

一実施形態において、積層コンデンサは、コンデンサのパッシブ領域に配置されていると共に、異なる極性の電極とはオーバーラップしていない、更なる電極を含む。

したがって、これらの電極間に電界は生成されない。そのような電極は、パッシブ電極又はダミー電極と呼ばれる。

そのようなダミー電極により、典型的には、コンデンサ素子の内部で、電極を有する領域と電極を有さない領域との間に生じる機械的な応力が、低減される。

したがって、ダミー電極及び応力緩和領域を組み合わせて使用することにより、積層コンデンサ内の機械的な応力を最小限に抑え、コンデンサのロバスト性を向上させることができる。それにより、積層コンデンサの熱機械的及び電気的な負荷能力を最適化することができる。

更なる実施形態において、外部接点は、複層のスパッタ層を含み、当該スパッタ層は、クロム、ニッケル、及び、銀又は金のうち少なくとも１つから成る層を含み、当該層は、この順序で、出口面の上に塗布されている。

出口面の上に直に塗布されているクロム層は、スパッタ層の出口面への高い付着を可能にする。銀又は金から成る層は、高い導電率を有し、したがって、主に電極相互間の電気的接触のために機能する。上述したスパッタ層により、１つの種類の全ての電極が、電気的に互いに接続され、したがって並列に接続されることができる。

ニッケルから成る中間層は、拡散バリアとして機能する。

例えば、全てが同じ第１の面でコンデンサ素子から出る第１の電極の全ては、第１のスパッタ層を介して、電気的に互いに接続されることができる。更に、全てが第２の面で出る第２の電極の全ては、更なる第２のスパッタ層を介して電気的に接続されるか又は並列に接続されることができ、その結果、例えば、全ての第１の電極及び全ての第２の電極を含む積層体全体が、単一の積層コンデンサを形成する。

一実施形態において、外部接点は、更に、スパッタ層の上に塗布された目の細かい銅グリッドを含む。

銅グリッドは、スパッタ層全体を覆う。したがって、銅グリッドは、コンデンサ素子の機械的な変形の場合に、スパッタ層内での亀裂の形成又はスパッタ層の剥落さえも回避することができる。

一実施形態において、外部接点は、更に金属シートを含み、当該金属シートを介して、コンデンサ素子は外部へと接触される。金属シートは、スパッタ層の上に装着されている。

一実施形態において、金属シートは、はんだ付け接続によってスパッタ層の上に装着されている。

更なる実施形態において、金属シートは、焼結された銀層によってスパッタ層の上に塗布されている。

上述したスパッタ層は、通常、ナノメートル領域の厚さを有するが、銀層は、マイクロメートル領域の厚さを有する。スパッタ層全体を覆うそのような焼結された銀層は、コンデンサ素子が変形した場合にスパッタ層を束ね、例えばスパッタ層の剥落を防止する。

銀層は、更に、金属シートをスパッタ層に固定する。したがって、更なるはんだ付け接続は不要である。このために、銀がスパッタ層の上に塗布され、金属シートがその直ぐ上に配置される。金属シートが配置された後に初めて、銀層が可能な限り低い圧力で焼結される。

少なくとも１つの実施形態において、銀層は、約３５％の残留気孔率が達成されるような低圧で焼結される。

そのような気孔率は、銀の導電率及び熱伝導率を僅かしか低下させないのに十分に小さい。その高い導電率及び熱伝導率の故に、銀層は、更に、金属シートのスパッタ層への良好な電気的接続を可能にする。しかしながら、それに加えて、上述した気孔率を有する銀は、熱機械的な応力緩和を確実にするのに十分に高い延性を有する。

更に、焼結された銀層は、例えば、はんだ付けされた層と比較して、機械的な又は熱機械的な荷重が負荷された場合に、より少ない材料疲労を示す。

焼結の場合のプロセス温度は、一般に、はんだ付けの場合よりも低いので、更に、発生する熱機械的な応力はより低くなり、当該プロセスは、比較的容易かつ安価に実施することができる。

純銀の場合の最大９６２℃の焼結された銀の高い融点は、銀層の高い温度安定性を保証し、これは、高温での更なるプロセスステップを可能にする。

一実施形態において、金属シートは、２つの銅層と、その間に配置されたインバー層とを含む。

銅は、特に良好な導電率及び熱伝導率を有する。

約１／３のニッケル及び２／３の鉄を有する鉄－ニッケル合金を、インバーと呼ぶ。この材料は、特に小さな熱膨張係数を有する。特に、熱膨張係数はセラミックの膨張係数に近い。銅との組み合わせにより、インバーの低い導電率にもかかわらず、接続接点の十分な導電率が保証され得る。

インバーに代えて、別の鉄－ニッケル合金又は鉄－ニッケル－コバルト合金を使用することもできる。

上述した金属シートを製造するために、例えば、銅層がインバーシートの上に敷き延ばされる。

銅層の外表面は、銅と焼結された銀層との間の接続を改善するために、銀メッキされてもよい。銀メッキは、一実施形態において、電気メッキによって塗布されている。

一実施形態において、外部接点の金属シートは、蛇行した幾何学的形状を有する銅層を含む。

銅層は、銀層の直ぐ上に塗布されている。銅層は、好ましくは、蛇行した格子状の幾何学的形状を有する。銅層は、銀メッキすることもできる。銀メッキは、好ましくは、電気メッキによって実施されている。銅層は、直接的に銀層と共に焼結されることができる。

銅は、その卓越した熱伝導率及び導電率の故に、好ましくは、コンデンサの外部接触のために使用される。

一実施形態において、積層コンデンサは、接触面に任意に組み付け及び分解され得る分離可能なコンデンサ素子を含み、接触面は、層平面及び外部接点に対して垂直に配置されている。

したがって、任意の大きさの積層コンデンサを柔軟に構築することができる。上述したコンデンサ素子は、画一的なサイズで大量生産され、その後、要求に応じて組み立てられることができる。

個々のコンデンサ素子の固定は、例えば、外面に装着された焼結された銀層を介して行うことができ、当該銀層は、全てのコンデンサ素子の外面に亘って延び、したがって、それらを束ねる。

一実施形態において、セラミックは反強誘電体である。

誘電体層は、圧電性の又は電歪性の挙動を示すことができ、その結果、電圧が積層コンデンサに印加される際、層の変形が発生する。

一実施形態において、セラミックは、チタン酸ジルコン酸鉛を含む。これは通常、ペロブスカイト構造で結晶化する。そのようなセラミックは、有利には上述した積層コンデンサで使用することができる反強誘電体である。

一実施形態において、セラミックは、以下の組成を有し、当該組成は、コンデンサで使用される場合に有利な特性を有する：
Pb_{(y-1.5a-0.5b+c+0.5d-0.5e-f)}Ca_aA_b(Zr_1-xTi_x)_(1-c-d-e-f)E_cFe_dNb_eW_fO₃
ここで、Aは、Na、K及びAgから成る群から選択され；Eは、Cu、Ni、Hf、Si及びMnから成る群から選択され；並びに、
0.05≦x≦0.3；
0<a<0.14；
0≦b≦0.12；
0≦c≦0.12；
0≦d≦0.12；
0≦e≦0.12；
0≦f≦0.12；
0.9≦y≦1.5、及び
0.001<b+c+d+e+f
が成り立つ。

上述したセラミックは、９００℃～１２００℃の低い焼結温度を有する。更に、セラミックは、高い安定性及び少ない材料疲労を特徴とする。

一実施形態において、セラミックは、以下の組成を有し、当該組成は、コンデンサで使用される場合に類似した有利な特性を有する：
Pb_{(1-1.5a-0.5b+1.5d+e+0.5f)}A_aE_b(Zr_1-xTi_x)_(1-c-d-e-f)Li_dG_eFe_fSi_cO₃+ y PbO
ここで、
Aは、La、Nd、Y、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er及びYbから成る群から選択され、
Eは、Na、K及びAgから成る群から選択され、
Gは、Cu、Ni、Co及びMnから成る群から選択されており、
並びに、
0.1≦x≦0.3；
0<a≦0.12；
0≦b≦0.12；
0≦c≦0.12；
0≦d≦0.12；
0<e≦0.12；
0≦f≦0.12；
0≦y≦1、及び
0<b+d+e+f
が成り立つ。

更なる実施形態において、セラミックは、以下の組成を有し、当該組成は、コンデンサで使用される場合に類似した有利な特性を有する：
Pb_(1-1.5a+e)A_a(Zr_1-xTi_x)_(1-c-e)E_eSi_cO₃+ y PbO
ここで、
Aは、La、Nd、Y、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er及びYbから成る群から選択され、
Eは、Cu及びNiから成る群から選択され、
並びに、
0.05≦x≦0.3；
0<a≦0.12；
0≦c≦0.12；
0.001≦e≦0.12、及び
0≦y<1
が成り立つ。

更なる実施形態において、セラミックは、チタン酸ストロンチウムナトリウム含む。そのようなセラミックも、有利には上述した積層コンデンサで使用することができる反強誘電体である。

一実施形態において、セラミックは、以下の組成を有し、当該組成は、コンデンサで使用される場合に有利な特性を有する：
[Pb_(1-r)(Ba_xSr_yCa_z)_r]_{(1-1.5a-1.5b-0.5c)}(X_aY_b)A_c(Zr_1-dTi_d)O₃
ここで、X及びYは、それぞれ、La、Nd、Y、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er及び／又はYbから成る群から選択された希土類金属を表し；Aは、１価イオンを表し；
x+y+z=1
0≦x；
0≦y；
0≦z；
0<r≦0.3；
0<d≦1；
0<a≦0.2；
0≦b≦0.2、及び
0<c≦0.2
が成り立つ。

更なる実施形態において、セラミックは、以下の組成を有し、当該組成は、同様に、コンデンサで使用される場合に有利な特性を有する：
(Bi_aNa_bSr_c)(Mg_dTi_1-d)O₃
ここで、
0.10≦a≦0.65；
0<b≦0.45；
0<c≦0.85；
0<d<0.20、及び
0.95≦a+b+c≦1.05
が成り立つ。

更なる実施形態において、セラミックは、以下の組成を有し、当該組成は、同様に、コンデンサで使用される場合に有利な特性を有する：
(Bi_aNa_bSr_c)(Zn_dTi_1-d)O₃
ここで、
0.09≦a≦0.58、
0.09≦b≦0.42、
0.05≦c≦0.84；
0<d<0.08、及び
0.95≦a+b+c≦1.05
が成り立つ。

上述した組成に加えて、明示的に記述されない更なる組成が可能である。

上記の特性を有するコンデンサは、ＤＣリンクコンデンサ又はスナバコンデンサとしての使用に適している。

コンデンサの特性の故に、ＤＣリンクコンデンサとして使用される場合に追加のスナバコンデンサを省略することが、いくつかの用途において可能である。

上述したコンデンサの更なる用途は、フィルタコンデンサとしての使用である。その高周波特性により、干渉信号は、ＭＨｚ領域に至るまで、十分に減衰され、フィルタリングされ得る。

以下において、本発明が、実施例に基づいて詳細に説明される。本発明は、記載された例に限定されない。

１つのセグメントに第１及び第２の電極を含む、積層コンデンサの本発明によるものではない第１の実施形態の概略側面図である。 ２つのセグメントに第１及び第２の電極を含む、積層コンデンサの第２の実施例の概略側面図である。 ２つのセグメントに第１及び第２の電極を含む、積層コンデンサの第２の実施例の概略上面図である。 ２つのセグメントに第１及び第２の電極を含む、積層コンデンサの第３の実施例の概略側面図である。 ２つのセグメントに第１及び第２の電極を含む、積層コンデンサの第３の実施例の概略上面図である。 ２つのセグメントに第１、第２及び第３の電極を含む、積層コンデンサの第４の実施例の概略側面図である。 ２つのセグメントに第１、第２及び第３の電極を含む、積層コンデンサの第４の実施例の概略上面図である。 ２つのセグメントに第１及び第２の電極を含む、積層コンデンサの第５の実施例の概略側面図である。 ２つのセグメントに第１及び第２の電極を含む、積層コンデンサの第５の実施例の概略上面図である。 ２つのセグメントに第１及び第２の電極を含む、積層コンデンサの第６の実施例の概略側面図である。 ２つのセグメントに第１及び第２の電極を含む、積層コンデンサの第６の実施例の概略上面図である。 ２つのセグメントに第１～第６の電極を含む、積層コンデンサの第７の実施例の概略側面図である。 ２つのセグメントに第１～第６の電極を含む、積層コンデンサの第７の実施例の概略上面図である。 ２つのセグメントに第１及び第２並びに第４及び第５の電極を含む、積層コンデンサの第８の実施例の概略側面図である。 ２つのセグメントに第１及び第２並びに第４及び第５の電極を含む、積層コンデンサの第８の実施例の概略上面図である。 外部接点を含む、積層コンデンサの第９の実施例の概略側面図である。 積層コンデンサの第９の実施例の外部接点の金属シートの概略側面図である。

図１は、積層コンデンサ１の第１の実施例を示す。図は、実質的にコンデンサ素子２の描写に限定されている。外部接点のような更なる構成要素は、図１には示されていない。

図示されたコンデンサ１は、積層コンデンサの本発明による例と同様に構築されているが、結合領域及び応力緩和領域を含まない。

コンデンサ素子２は、３つの第１の電極３と、３つの第２の電極４と、これらの電極の間又は周囲に配置された誘電体層５とを含む積層体を含んでいる。層は、規定された積層方向において、重なり合って配置されている。

第１の電極３及び第２の電極４は、２つの対向する側面において、直方体形状のコンデンサ素子２から出ている。これらの面は、第１及び第２の出口面６／７と呼ばれる。出口面６／７は、積層方向に対して垂直に配置されている。

出口面６／７において、それぞれ対を成す電極は、導電性の外部接点８を介して、互いに接続されている。外部接点８は、それぞれ出口面６／７の大部分を覆っている。他の実施例において、外部接点８は、出口面６／７のより小さな部分又は出口面６／７の全体を覆うこともできる。

電極３／４は、それぞれ対向する出口面７／６までは達していないので、結果的に積層コンデンサ１内には、区別し得る２つの領域が生じる。コンデンサ素子２の中央の領域では、第１及び第２の電極３／４がオーバーラップしている。これらの領域は、アクティブ領域９Ａと呼ばれる。出口面に接する領域には、それぞれ第１の電極３のみ又は第２の電極４のみが存在する。これらの領域は、パッシブ領域９Ｂと呼ばれる。

出口面６／７に対して垂直かつ積層方向に対して垂直なコンデンサ素子２の２つの側面には、それぞれ電極のない領域が隣接している。これらの領域は、同様にパッシブ領域９Ｂと呼ばれる（図３参照）。

オーバーラップした電極３／４は、外部接点８を介して電圧が印加されると、コンデンサとして機能する。第１及び第２の電極３／４間の電圧により、積層コンデンサ１のアクティブ領域９Ａには電界が作用する。

ここで、アクティブ領域９Ａにおいても、積層高さ全体に亘って電界が存在する必要はないことに留意されたい。むしろ、電界は、異なる電気分極の電極間においてのみ、すなわち例えば第１及び第２の電極３／４間に配置された誘電体層５内で、作用する。内部電極と外部接点との間にも、電気分極が異なる場合には、電界が生成される。

本積層コンデンサ１の誘電体層５は、反強誘電性セラミック材料から成る。電界中では、セラミックの結晶構造のドメインの分極が引き起こされる。

電極は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は白金のような導電性材料から成る。

分極は、セラミック中に格子変形を引き起こす。格子変形に起因して、積層コンデンサ１の内部で機械的な応力が発生する。積層高さが小さいために、これらの機械的な応力は、第１の例では無視することができる。

実施例のセラミック材料は、ペロブスカイト型セラミックである。ペロブスカイト型セラミックは、通常、反強誘電特性を有する。請求項１７～２４のいずれか１つに対応するセラミックの組成により、更に、高い機械的な安定性及び長い耐用年数のような、コンデンサにとって有利な特性を達成することができる。

図２ａ及び２ｂに示された積層コンデンサ１は、実質的に第１の例の積層コンデンサ１に対応する。

図３の上面図では、出口面６／７に対して垂直かつ積層方向に対して垂直な、コンデンサ素子２の先に導入された側面１０／１１も、描写されている。

図１に示されたコンデンサに加えて、図２及び３のコンデンサは、第２のセグメントを有し、これらのセグメントは、積層方向において重なり合って配置されている。第２の実施例の個々のセグメントは、第１の例のセグメントに対応する。

セグメントは、結合領域１２を介して結合されている。結合領域１２の内部には、応力緩和領域１３が存在する。したがって、第２の実施例は、クレームされた発明の実施形態である。第１の例の積層コンデンサ１に対応する第２の例の特徴及び特性については、改めて説明しない。

結合領域１２は、コンデンサ素子２のセグメント２Ａ及び２Ｂの誘電体層と同じ誘電性セラミック材料を含む。

結合領域１２は、積層方向に重なり合って配置された、第１のセグメント２Ａの最も下の誘電体層と、第２のセグメント２Ｂの最も上の誘電体層とを含む。結合領域１２の内部に、電極はない。

結合領域の縁部には、コンデンサ素子２の外周全体に沿って、連続した応力緩和領域１３がある。応力緩和領域１３は、第１のセグメント２Ａの最も下の誘電体層と第２のセグメント２Ｂの最も上の誘電体層との間に配置されている。

コンデンサ素子２の外面からコンデンサ素子２の最も内側の部位まで測った応力緩和領域１３の深さは、好ましくは、セグメントの積層高さに対応する。

したがって、電界内におけるセラミックの変形に起因する機械的な応力がセグメントを越えて加算され、例えば材料内の亀裂をもたらすことがないことが、保障され得る。

応力緩和領域１３は、積層コンデンサ１の全てのパッシブ領域９Ｂを含む。すなわち、応力緩和領域１３は、結合領域１２の内部において、１種類の電極のみを含むか又は電極を含まないセグメント内の全てのセクションに対して平行に配置されている。更に、応力緩和領域１３は、部分的に、コンデンサ素子２のアクティブ領域９Ａ内へ延びている。

積層方向から見ると、図３に示されているように、アクティブ領域９Ａは長方形の形状を有している。パッシブ領域９Ｂは、アクティブ領域９Ａを取り囲む長方形の枠を形成している。応力緩和領域１３は、パッシブ領域９Ｂを取り囲み、更に部分的にアクティブ領域９Ａとオーバーラップする長方形の枠を形成している。

応力緩和領域１３は、積み重ねられた誘電体層５が、強固にではなく部分的にのみ互いに結合されている領域である。

第２の実施例によるそのような積層コンデンサ１を製造するために、誘電体層５を形成するための、ペロブスカイト型材料を含むセラミックグリーンシートが準備される。第２のセグメント２Ｂの最も上のグリーンシートの上に、有機材料を含む第１のペーストが印刷される。

更なるグリーンシートの上の所望の領域に、電極を形成するための第２の金属ペーストが印刷される。グリーンシートは１つの積層体を成すように配置され、当該積層体は焼結される。

第１の有機ペーストは、当該第１のペーストが塗布される部位において、誘電体層５の共焼結が完全に又は部分的に阻止されるように形成されており、その結果、ここに応力緩和領域１３が形成される。

図４及び５は、積層コンデンサ１の本発明による更なる実施例を示す。

実施例３の本質的な特徴は、実施例２のものに対応する。これらの特徴については、改めて説明しない。

応力緩和領域１３は、本例では、コンデンサ素子２の外周に沿った外側セクション１３Ａに加えて、コンデンサ素子２の出口面６／７に対して平行な外面の間を延びる内側セクション１３Ｂを含む。この内側セクションの幅は、任意に変化させることができる。本実施例では、内側セクションの幅が外側セクションの幅を上回っている。

応力緩和領域１３の内側セクションは、積層コンデンサ１のアクティブ領域９Ａに対して完全に平行に配置されている。

応力緩和領域１３のそのような付加的な内側セクションにより、コンデンサ１内に生じる機械的な応力の加算は、個々の層の寸法が大きく又は積層高さが高い場合であっても、効果的に回避され得る。

応力緩和領域１３は、ここでは、積層方向に見た場合に、その長辺がクロスビームによって連結された長方形の枠の形状を有している。クロスビームは、応力緩和領域１３の内側セクションに対応する。

コンデンサ１の第３の実施例の図示された構造においては、外部からコンデンサの内部への帯電粒子の望ましくない移動が生じ得ることに、留意すべきである。帯電粒子は、例えば、湿気に起因してコンデンサ１の外表面に存在する陽子であり得る。これは、最も上の第２の電極４Ａと第１の外部接点との間で、コンデンサ１の最も外側の誘電体層５Ａ内に電界が形成され得るためである。この効果は、外部接点が例えば塗布の際の誤差に起因してコンデンサ１の上面１Ａの一部をも覆う場合に、更に強められ得る。

図６及び７には、積層コンデンサ１の第４の実施例が示され、その特徴は、部分的に前述の実施例の特徴と一致している。これらの特徴については、改めて説明しない。

前述の実施例とは異なり、第４の実施形態における積層コンデンサ１は、第１及び第２の電極に加えて、更に第３の電極１４を含んでいる。第３の電極１４は、コンデンサ素子２の外面に隣接しない、内側のいわゆる浮遊電極である。したがって、第３の電極１４が外部から接触されることはない。

前述の実施例とは異なり、第１及び第２の電極３／４は、それぞれ同じ層平面内に配置されているが、更に誘電体セクションによって分離されている。

第１及び第２の電極を含む層平面の間に、第３の電極１４を含む層平面が配置されている。

そのようにして、直列に接続された２つのコンデンサを含む積層コンデンサ１が形成される。第１及び第３の電極の間に形成される第１のコンデンサ１Ｂと、第３及び第２の電極の間に形成される第２のコンデンサ１Ｃである。

コンデンサ１Ｂ及び１Ｃの２つのアクティブ領域９Ａの間にはパッシブ領域９Ｂが存在し、当該パッシブ領域には第３の電極１４のみが存在し、したがって、異なる種類の電極がオーバーラップすることはない。

応力緩和領域１３は、本実施例では、第３の実施例と同様に具現されている。したがって、応力緩和領域１３は、コンデンサ素子２の外周に沿った外側セクションと、内側セクションとを含む。

付加的な内側セクションにより、更に、コンデンサ素子２のパッシブ領域９Ｂ全体が応力緩和領域１３によって覆われる。更に、応力緩和領域１３は、コンデンサ１Ｂ及び１Ｃの２つのアクティブ領域９Ａの外側の領域へも延びている。

上述した第４の実施形態において有利なのは、更に、コンデンサ１の各セグメント２Ａ／２Ｂの最も外側の第１又は第２の電極３Ａ／４Ａと、隣接する外部接点との間に、電界が生成されないことであり、これは、これらがそれぞれ同じ電気分極を有するためである。したがって、アクティブ領域９Ａの内部の個々の層も、電界を有さない。

したがって、外部からコンデンサ１の内部への帯電粒子の望ましくない移動を回避することができる。そのような帯電粒子は、例えば、湿気に起因してコンデンサ１の外面に存在し得る陽子であり得る。

図８及び９は、積層コンデンサ１の第５の例を示す。前述の実施形態に対応する特徴については、改めて説明しない。

図示された積層コンデンサ１は、やはり第１及び第２の電極のみを含む。しかしながら、電極は異なる寸法を有する。第１の層平面内で、第１及び第２の電極が互いに対向して形成されており、それらは誘電性のセクションによって隔てられている。これらの第１の層平面は、第４の実施形態と同様に具現されている。

第１の層平面は、それぞれ、各セグメントの最初及び最後の層平面を形成する。第１及び第２の電極３Ｂ、４Ｂは、それぞれ、隣接する外部接点と同じ電気分極を有するので、ここでは、セグメント２Ａ／２Ｂの外側セクション又は２つのセグメントの間に、電界は生成されない。

更に、電極３Ｂ及び４Ｂは、電極３Ａ及び４Ａとは異なり、コンデンサ１内においても、逆の電気分極の電極に隣接していない。したがって、比較的大きな領域に、電界が形成されない。したがって、アクティブ領域９Ａの内部の個々の層も、電界を有さない。

上述した実施形態において有利なのは、やはり、コンデンサ１の各セグメント２Ａ／２Ｂの最も外側の第１又は第２の電極３Ａ／４Ａ／３Ｂ／４Ｂと、隣接する外部接点との間に、電界が生成されないことであり、これは、これらがそれぞれ同じ電気分極を有するためである。したがって、外部からコンデンサ１の内部への帯電粒子の望ましくない移動を回避することができる。

これは、湿気によって誘発される材料変化に対するより大きな安定性という利点を有する。

第１の層平面における第１及び第２の電極の間の間隔は、少なくとも積層方向における誘電体層５の厚さに相当する。好ましくは、間隔は、この厚さの１.５～３倍である。これにより、例えば、第１の電極３Ｂから対向する第２の電極４Ａへの直接的な電流を回避することができる。

この間隔により、第１の層平面における電極の最大寸法が設定されている。同じ電極の最小寸法は、コンデンサの外周に沿ったパッシブ領域９Ｂの深さに相当する。好ましくは、電極の深さは、この深さの少なくとも２倍に相当する。

それに加えて、第１の電極３のみが存在する第２の層平面と、第２の電極４のみが存在する第３の層平面とが存在する。これらの層平面において、それぞれの電極は、ほぼ反対側の出口面まで延びている。電極の反対側の出口面までの距離は、層平面の外周に沿ったパッシブ領域の深さに相当する。これらの層平面は、第３の実施形態と同様に製作されている。

第２及び第３の層平面は、交互に重なり合って配置されている。その間に、それぞれ誘電体層５がある。

結合領域１２及び応力緩和領域１３は、前述の例と同様に具現されている。応力緩和領域１３は、外側のフレーム状のセクションと、内側のクロスビーム状のセクションとを含む。

外側のパッシブ領域９Ｂ及び内側のアクティブ領域９Ａの一部は、図５に図示されているように、応力緩和領域１３によって覆われる。

第４の実施例とは異なり、ここでは、コンデンサ素子２の中央にパッシブ領域９Ｂは存在しない。

図１０及び１１は、積層コンデンサ１の第６の実施例を示す。個々のセグメントは、第４の実施例と同様に具現されている。しかしながら、第６の実施例は、応力緩和領域１３の形態において、第４の実施例とは異なる。

第４の実施例では、応力緩和領域１３Ａの外側セクションに加えて、コンデンサの内部に応力緩和領域１３Ｂの単一のセクションのみが存在するが、第６の実施例は、内部に多数の異なるセクション１３Ｂを有する。これらのセクション１３Ｂの全ては、互いに又は応力緩和領域の外側セクション１３Ａに、接続されている。それらは、好ましくは、機械的な応力の均等な緩和が可能となるように、具現されている。応力緩和領域の内側セクション１３Ｂは、互いに平行に配置されるか又は交差することができる。セクションの数並びにそれらの形状及び寸法は、任意に変化させることができる。

図１２及び１３は、積層コンデンサ１の更なる実施例を示す。実施例７は、実質的に実施例４に対応する。それは、第１、第２及び第３の電極３、４及び１４を含む。

第４の実施例とは異なり、第７の実施例においては、更に、第４、第５及び第６の電極１５、１６及び１７が形成されている。これらは、それ自体でアクティブ領域９Ａを形成することなくパッシブ領域９Ｂを満たすダミー電極である。

第４及び第５の電極１５及び１６は、コンデンサ素子２の外側のパッシブ領域に配置されている。それらは、外部接点の近くに配置されており、それらに接触することができる。第４及び第５の電極は、同じ極性の電極とのみオーバーラップしているので、電界を生成しない。

第１の外部接点と接触している第４の電極１５は、まさにその第４の電極１５又は第１の電極３とのみオーバーラップする。

第２の外部接点と接触している第５の電極１６は、まさにその第５の電極１６又は第２の電極４とのみオーバーラップする。

第６の電極１７は、第１及び第２の電極３及び４の間のコンデンサ素子２の中央で、第１及び第２の電極と同じ層平面内に配置されている。第６の電極１７は、更なる第６の電極１７及び第３の電極１４とのみオーバーラップする。したがって、この領域では、異なる極性の異なる電極のオーバーラップが存在しないので、これもコンデンサ素子２のパッシブ領域９Ｂである。本実施例では、第６の電極は、積層方向にぴったりと重なり合って配置されている。

ダミー電極のアクティブ電極までの距離は、電界方向に対して垂直に、少なくとも誘電体層５の厚さに、好ましくは誘電体層５の厚さの１.５～３倍に相当する。

ダミー電極を使用することにより、典型的には電極を有する領域と電極を有さない領域との間に生じる機械的な応力及び機械的な歪み（Pressverzug）が、低減される。

したがって、ダミー電極及び応力緩和領域を使用することにより、積層コンデンサ１内の機械的な応力を最小限に抑え、コンデンサのロバスト性を向上させることができる。それにより、積層コンデンサ１の熱機械的及び電気的な負荷能力を最適化することができる。

図１４及び１５は、積層コンデンサ１の第８の実施例を示しており、それは、実質的に第５及び第７の実施例の組み合わせに相当する。

第１及び第２の電極３及び４に加えて、本実施例では、電極層の外周に沿って第４及び第５の電極１５及び１６が設けられている。第４及び第５の電極１５及び１６は、やはり第１及び第２の電極３及び４と同じ層にある。

第４及び第５の電極１５、１６は、実施例７と同様に、ダミー電極として形成されている。それらは、それぞれ、同じ極性の電極とのみオーバーラップしている。第４及び第５の電極１５、１６のアクティブ電極までの距離は、アクティブ電極とこれに対向するダミー電極との間の電流を回避するために、好ましくは、誘電体層５の厚さの１.５～３倍に相当するが、少なくとも誘電体層５の厚さに相当する。

したがって、それぞれ最も外側のセグメント層の電極１５Ａ及び１６Ｂは、第５の実施例の電極３Ａ及び４Ｂと同じ目的を果たすが、最小の適切な深さで具現されている。

第１及び第４の電極又は第２及び第５の電極を含む層は、常に同じ電極形状を有するか、あるいは、電極はそれぞれ鏡映配置されているのみなので、電極層を印刷するために毎回同じステンシルを使用することができる。

図１６は、積層コンデンサ１の第９の実施例を示す。コンデンサ素子２は、前述の例のうちの１つに相応して具現することができる。

電極６及び７の出口面の上には、更に、外部接点８が塗布されている。外部接点８は、複数の層を含む。出口面６／７の直ぐ上には、出口面６／７全体を覆うスパッタ層８Ａが塗布されている。スパッタ層８Ａは、クロム、ニッケル及び銀から成る３つの層を含む。

上述したスパッタ層８Ａにより、それぞれ全ての第１の電極又は全ての第２の電極は、電気的に互いに接続され、したがって並列に接続されることができる。

スパッタ層８Ａの上には、外部接触のための金属シート１８が、焼結された銀層１９によって塗布されている。

スパッタ層８Ａ全体を覆う焼結された銀層１９は、コンデンサ素子２が変形した場合にスパッタ層８Ａを束ね、例えばスパッタ層８Ａの剥落を防止する。

銀層１９は、本実施例では、約２０μｍ～３０μｍの厚さを有する。層中の銀の気孔率は、３５％である。

銀層１９は、更に、金属シート１８をスパッタ層８Ａに固定する。したがって、はんだ付け接続は不要である。このために、銀がスパッタ層の上に塗布され、金属シート１８が直ぐその上に配置される。金属シート１８が配置された後に初めて、銀層１９が焼結される。

その高い導電率の故に、銀層１９は、更に、金属シート１８のスパッタ層８Ａへの良好な電気的接続を可能にする。

金属シート１８の銀層１９への付着を改善するために、金属シート１８の表面は、本実施例では、銀メッキされている。好ましくは、表面は、電気的に銀メッキされている。したがって、金属シート１８の表面の上には、金属シート１８と銀層１９との間に配置された電気メッキ銀層２０が形成されている。電気メッキ銀層２０の厚さは、５μｍ～１０μｍである。

外部接点の金属シート１８は、本実施形態では、図１７の詳細図に示されているように、２つの銅層１８Ｂと、その間に配置されたインバー層１８Ａとを含む。インバーの代わりに、中間の層は、他の鉄－ニッケル合金又は鉄－ニッケル－コバルト合金を含むこともできる。

中央のインバー層により、金属シート１８は、必要な機械的強度を有する。インバーの小さな熱膨張により、温度変化の際の機械的な応力の生成を回避することができる。したがって、コンデンサの外部接点又はセラミックにおける亀裂形成を、十分に防止することができる。

インバー層１８Ａの上には、外側の銅層１８Ｂが塗布され、好ましくは、ローラで敷き延ばされる。銅層１８Ｂは、高い熱伝導率及び高い導電率を有する。したがって、一方では小さな熱膨張係数を、したがって高い機械的な安定性を有し、他方では高い熱伝導率及び導電率を有する外部接点を、提供することができる。

銅層１８Ｂは、等しい層厚で、インバー層１８Ａの両面の上に塗布される。両面に銅を均等に塗布することにより、この用途にとって不利な特性を有するバイメタルストリップの形成が回避される。銅－インバー－銅の層厚の比は、好ましくは１：３：１である。本例では、０.１５ｍｍの合計厚さを有する金属シートが使用される。インバー層１８Ａの厚さは９０μｍであり、銅層１８Ｂの厚さはそれぞれ３０μｍである。

外部接点の上述した層構造において実質的に銀及び銅を使用することにより、高い導電率及び熱伝導率を有する外部接点が達成される。

上述した層構造により、更に、熱膨張係数を適合させ、熱機械的な負荷能力、したがって耐久性を高め、最大通電容量を改善することができる。これは、動作中の最適化された耐故障性をもたらす。

上記の特性を有するコンデンサは、ＤＣリンクコンデンサ又はスナバコンデンサとしての使用に適している。小さな寄生容量、特に低い等価直列インダクタンス、及び、コンデンサを半導体の近くに装着できることにより、整流回路を小さく保つことができる。それにより、スイッチオフプロセス中、誘導された過電圧が良好に減衰され得る。コンデンサの特性の故に、ＤＣリンクコンデンサとして使用される場合に追加のスナバコンデンサを省略することが、いくつかの用途において可能である。

上述したコンデンサの更なる用途は、フィルタコンデンサとしての使用である。その高周波特性により、干渉信号は、電力変換器の動作周波数を遥かに超えてＭＨｚ領域に至るまで、良好に減衰され、フィルタリングされ得る。

図示されていない更なる実施例では、金属シート１８の代わりに銅層が、銀層１９の上に塗布されている。銅層は、この例では、蛇行した格子状の幾何学的形状を有する。銅層は、ここでも銀メッキされている。銀メッキは、電メッキによって実施される。銅層は、直接的に銀層と共に焼結される。

１ 積層コンデンサ
１Ａ コンデンサの上面
１Ｂ 第１のコンデンサ
１Ｃ 第２のコンデンサ
２ コンデンサ素子
２Ａ，２Ｂ セグメント
３，３Ａ，３Ｂ 第１の電極
４，４Ａ，４Ｂ 第２の電極
５ 誘電体層
６ 第１の出口面
７ 第２の出口面
８ 外部接点
８Ａ スパッタ層
９Ａ アクティブ領域
９Ｂ パッシブ領域
１０，１１ 側面
１２ 結合領域
１３ 応力緩和領域
１３Ａ 応力緩和領域の外側セクション
１３Ｂ 応力緩和領域の内側セクション
１４ 第３の電極
１５Ａ，１５Ｂ 第４の電極
１６Ａ，１６Ｂ 第５の電極
１７ 第６の電極
１８ 金属シート
１８Ａ インバー層
１８Ｂ 銅層
１９ 銀層
２０ 電気メッキ銀層

Claims (26)

1. 積層コンデンサ（１）であって、少なくとも２つのセグメント（２Ａ、２Ｂ）を有するコンデンサ素子（２）を含み、各セグメントは、セラミックから成る誘電体層（５）と、その間に配置された電極層とを含むと共に、層順で重なり合って配置された複数の層平面を含み、前記電極層は、少なくとも第１及び第２の電極（３，４）を含む異なる電極を含み、前記異なる電極は、アクティブ領域（９Ａ）においてはオーバーラップしており、前記異なる電極は、パッシブ領域（９Ｂ）においてはオーバーラップしておらず、複数のセグメントは、積層方向において重なり合って配置されており、２つのセグメントのうち最も外側の誘電体層は、結合領域（１２）を形成し、当該結合領域（１２）では、前記セグメントが前記層平面に対して平行に互いに強固に結合されており、前記結合領域は、応力緩和領域（１３）を含み、前記応力緩和領域は、少なくとも前記積層コンデンサの前記パッシブ領域に対して平行な領域の全体を占め、各セグメントは、少なくとも３つの異なる種類の電極層を含み、第１の電極層内には、前記第１及び第２の電極（３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ）が対向して形成されていると共に、誘電性のセクションによって隔てられており、第２の電極層内には、第１の電極（３）のみが形成されており、第３の電極層内には、第２の電極（４）のみが形成されており、前記第１の電極層は、それぞれ、各セグメントの積層方向において最も外側の電極層を形成している、積層コンデンサ。
2. 前記応力緩和領域は、前記セグメントの間の前記層平面に対して平行な領域として形成されており、前記層平面内において、前記セグメントは、互いに強固に結合されていない、請求項１に記載の積層コンデンサ。
3. 前記応力緩和領域は、前記セグメントの間の間隙として形成されている、請求項１又は２に記載の積層コンデンサ。
4. 前記応力緩和領域は、その弾性率が前記誘電体層の弾性率とは異なる材料を含む、請求項１又は２に記載の積層コンデンサ。
5. 前記応力緩和領域は、少なくとも、前記コンデンサ素子の外面に隣接する領域（１３Ａ）の全てにおいて形成されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
6. 前記応力緩和領域は、少なくとも部分的に、アクティブ領域に形成されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
7. 前記応力緩和領域は、前記コンデンサ素子の前記外面に隣接しない少なくとも１つのセクション（１３Ｂ）を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
8. 前記結合領域は、互いに境界付けられた複数の応力緩和領域を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
9. 互いに境界付けられた前記応力緩和領域は、少なくとも部分的に、前記コンデンサ素子の前記外面に隣接しない、請求項８に記載の積層コンデンサ。
10. 前記第１及び第２の電極は、少なくとも部分的にオーバーラップしている、請求項１～９のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
11. 前記電極は、銅又は銀を含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
12. 更なる電極（１５，１６，１７）を含み、前記更なる電極は、前記積層コンデンサの前記パッシブ領域に配置されていると共に、異なる極性の電極とはオーバーラップしていない、請求項１～１１のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
13. その上で前記コンデンサ素子から電極が出る、前記コンデンサ素子の前記外面の上の出口面（６，７）の上に、前記第１及び第２の電極の接触のための２つの別個の外部接点（８）が塗布されている、請求項１～１２のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
14. 前記外部接点のうちのいずれとも接触していない少なくとも１つの第３の電極（１４）を含み、前記第３の電極は、前記第１及び第２の電極とオーバーラップしている、請求項１３に記載の積層コンデンサ。
15. 前記外部接点は、複層のスパッタ層（８Ａ）を含み、前記スパッタ層（８Ａ）は、クロム、ニッケル、及び、銀又は金のうち少なくとも１つから成る層を含み、前記層は、この順序で、前記出口面の上に塗布されている、請求項１３又は１４に記載の積層コンデンサ。
16. 前記外部接点は、はんだ付け接続によって前記スパッタ層の上に装着された金属シート（１８）を含む、請求項１５に記載の積層コンデンサ。
17. 前記外部接点は、焼結された銀層（１９）によって前記スパッタ層の上に装着された金属シート（１８）を含む、請求項１５に記載の積層コンデンサ。
18. 前記金属シートは、２つの銅層（１８Ｂ）と、その間に配置されたインバー層（１８Ａ）とを含む、請求項１６又は１７に記載の積層コンデンサ。
19. 前記金属シートは、蛇行した幾何学的形状を有する銅層を含む、請求項１６～１８のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
20. 接触面（１０，１１）を介して互いに固定された複数のコンデンサ素子を含み、前記接触面は、前記層平面及び前記外部接点に対して垂直に配置されている、請求項１３～１９のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
21. 前記セラミックは、反強誘電体である、請求項１～２０のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
22. 前記セラミックは、チタン酸ジルコン酸鉛を含む、請求項１～２１のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
23. 前記セラミックは、チタン酸ストロンチウムナトリウムを含む、請求項１～２２のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
24. 前記積層コンデンサは、ＤＣリンクコンデンサ及び／又はスナバコンデンサ及び／又はフィルタコンデンサとして使用される、請求項１～２３のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
25. 前記結合領域（１２）は、少なくとも部分的に前記コンデンサ素子（２）の外面に隣接せず交差する複数の応力緩和領域（１３Ｂ）を含む、請求項１～２４のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。
26. 前記第１及び第２の電極（３，４）と同じ層平面内に、異なる極性の電極とはオーバーラップしないダミー電極（１５，１６，１７）が、前記パッシブ領域（９Ｂ）内に配置されている、請求項１～２５のいずれか１項に記載の積層コンデンサ。

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