JP7406508B2 - 抵抗加熱により加熱した水蒸気改質 - Google Patents

Description

本発明の態様は、炭化水素を含むフィードガスの水蒸気改質を行うための反応器設備及び方法であって、吸熱性反応のための熱が抵抗加熱によって提供される、反応器設備及び方法に関する。

水蒸気改質反応には、多くの場合に、反応器ユニット内の触媒床の反応域に如何に効率よく熱を伝達できるかという課題がある。対流加熱、伝導加熱及び／または放射加熱による慣用の伝熱は、速度が遅くなる場合があり、そして多くの場合に、多数の構成において大きな抵抗にあう。この課題は、水蒸気改質プラント中の管状改質器を用いて例示でき、これは、プラクチスの面では、律速段階として伝熱を有する大きな熱交換器として考えることができる。管状改質器の管の最内部分の温度は、管の壁を通る際の伝熱速度の故に及び管内の触媒の故に並びに水蒸気改質反応の吸熱性の性質の故に、管の外側の温度よりも若干低い。

触媒を収容する管の外側ではなく触媒内に熱を供給する一つの方法は、電気抵抗加熱による方法である。ＤＥ１０２０１３２２６１２６（特許文献１）は、物理的エネルギー再生を用いたアロサーマルメタン改質のための方法を記載しており、この方法では、メタンは、二酸化炭素によって、一酸化炭素及び水素からなる合成ガスに改質される。原料ガスであるＣＨ_４及びＣＯ_２は、電気伝導性の触媒粒子からなる固定床反応器中に導かれ、この触媒粒子は約１０００Ｋの温度まで電気加熱される。前記反応体ガスの転化及び生成した合成ガスの発熱は、前記固定床反応器中で起こる。

ＤＥ１０２０１３２２６１２６

Ｘｕ及びＦｒｏｍｅｎｔ（Ｊ．Ｘｕ及びＧ．Ｆ．Ｆｒｏｍｅｎｔ，Ｍｅｔｈａｎｅ ｓｔｅａｍ ｒｅｆｏｒｍｉｎｇ，ｍｅｔｈａｎａｔｉｏｎ ａｎｄ ｗａｔｅｒ－ｇａｓ ｓｈｉｆｔ：Ｉ．ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｋｉｎｅｔｉｃｓ．Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ Ｊｏｕｒｎａｌ，３５：８８－９６，１９８９ "Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｇａｓ ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｆｏｒ ＦＴ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ"；Ｃｈａｐｔｅｒ ４，ｐ．２５８－３５２，２００４ Ｃｙｂｕｌｓｋｉ，Ａ．，ａｎｄ Ｍｏｕｌｉｊｎ，Ｊ．Ａ．，Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ ｃａｔａｌｙｓｔｓ ａｎｄ ｒｅａｃｔｏｒｓ，Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ，Ｉｎｃ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９８，Ｃｈａｐｔｅｒ ３

本発明の課題の一つは、水蒸気改質を行うための電気加熱式反応器設備の代替的な構成を提供することである。

本発明の他の課題の一つは、熱の供給と触媒とが統合された反応器設備を提供することである。

本発明の他の課題の一つは、水蒸気改質によって合成ガスを製造するための反応器設備及び方法であって、工業規模の水蒸気改質のためのリファレンスである外部加熱式反応器、例えば側面燃焼式または上面燃焼式水蒸気メタン改質器（ＳＭＲ）を用いた設備よりも、全体的なエネルギー消費が低減される反応器設備及び方法を提供する。電気加熱を利用することによって、燃焼式ＳＭＲの高温煙道ガスが避けられ、それ故、電気加熱式反応器の改質セクションに必要なエネルギーが少なくなる。

本発明の他の課題の一つは、水蒸気蒸留によって合成ガスを製造するための反応器設備及び方法であって、触媒の量及び反応器設備の大きさがＳＭＲと比べて減少、縮小されている反応器設備及び方法に関する。更に、本発明は、改質反応の反応の前線を制御しつつも、触媒活性材料の量を調整、それ故、減少させる可能性を提供する。

本発明の他の課題の一つは、水蒸気改質により合成ガスを製造するための反応器設備及び方法であって、単一の圧力シェル中で製造される合成ガスの量が、既知の管状水蒸気改質器と比べてかなり増加される反応器設備及び方法を提供することである。

本発明の更に別の課題は、水蒸気改質反応器設備を使用して合成ガスを製造するための方法であって、水蒸気改質反応器設備からの合成ガス生産物が比較的高い温度及び比較的高い圧力を有する前記方法を提供することである。特に、水蒸気改質反応器設備からの合成ガス生産物の温度が約９００℃と１１００℃との間または更には１３００℃までの間である場合、及び水蒸気改質反応器設備からの合成ガス生産物の圧力が約３０ｂａｒと約１００ｂａｒとの間である場合に望ましい。本発明は、水蒸気改質反応器設備からの合成ガス生産物の温度の正確な制御を可能にする。

本発明の利点の一つは、二酸化炭素及び気候に対して有害な他の放出物の全体的な放出量を、特に反応器設備で使用される電力が、再生可能なエネルギー源に由来するものである場合に、かなり減少させることができる点である。

本発明の態様は、一般的に、炭化水素を含むフィードガスの水蒸気改質を行うための反応器設備であって、
－炭水化物を含むフィードガスの水蒸気改質を触媒するために配置された構造化触媒；ここで前記構造化触媒は、電気伝導性材料のマクロ構造を含み、前記マクロ構造物は、セラミックコーティングを支持し、この際、前記セラミックコーティングは触媒活性材料を担持し、ここで、圧力シェルは、フィードガスを導入するための入口と、生成物ガスを排出するための出口とを含み、ここで前記入口は、フィードガスが構造化触媒の第一の端部において構造化触媒に入り、そして生成物ガスは構造化触媒の第二の端部から構造化触媒を出るように配置されており；
－構造化触媒を収容する圧力シェル；
－構造化触媒と圧力シェルとの間の熱絶縁層；
－構造化触媒に及び圧力シェルの外側に配置された電力供給源に電気的に接続された少なくとも二つの導体；ここで、前記電力供給源は、構造化触媒中に電流を流すことによって、構造化触媒の少なくとも一部を少なくとも５００℃の温度に加熱するように寸法決めされており、ここで、前記少なくとも二つの導体は、前記構造化触媒の第二の端部に対してよりも前記構造化触媒の第一の端部の方に近い構造化触媒上の位置において構造化触媒に接続されており、及び構造化触媒は、一つの導体から実質的に構造化触媒の第二の端部に電流を流し、そして前記の少なくとも二つの導体のうちの第二の導体に電流を戻すように導くために構成されている、
反応器設備に関する。

該反応器設備のレイアウトは、加圧されたフィードガスを入口で反応器設備に供給し、そしてこのガスを反応器設備の圧力シェル中に導くことを可能にする。圧力シェル内では、熱絶縁層及び不活性材料の構成が、フィードガスを構造化触媒の流路中に導くように配置され、ここで、フィードガスは、セラミックコーティングと、及びこのセラミックコーティング上に担持された触媒活性材料と接触し、ここで前記触媒活性材料は、水蒸気改質反応を促進する。追加的に、構造化触媒の加熱は、吸熱反応のために必要な熱を供給する。構造化触媒からの生成物ガスは、反応器設備の出口に案内される。

「構造化触媒の第一の端部」という記載は、フィードガスが構造化触媒に入るところの構造化触媒の端部を指すことを意図しており、「構造化触媒の第二の端部」という記載は、ガスが構造化触媒を出るところの構造化触媒の端部を指すことを意図している。更に、「前記少なくとも二つの導体は、前記構造化触媒の第二の端部に対してよりも前記構造化触媒の第一の端部の方に近い構造化触媒上の位置において構造化触媒に接続されており」という記載は、前記少なくとも二つの導体の両方／全てが、第二の端部に対してよりも構造化触媒の第一の端部の方に近くなるように接続されていることを指すことを意図する点を留意すべきである。好ましくは、前記少なくとも二つの導体は、構造化触媒の第一の端部に接続されるか、またはマクロ構造物の長さの四分の一内で第一の端部に最も近いところに接続される。

触媒活性材料とマクロ構造物との近接は、抵抗加熱されたマクロ構造物からの固形材料熱伝導によって触媒活性材料の効果的な加熱を可能にする。それ故、抵抗加熱プロセスの一つの重要な特徴は、熱伝導、熱対流及び放射を介して外部熱源から供給されるのではなく、エネルギーが物体それ自体内部で供給される点にある。更に、反応器設備の最も高温の部分は、反応器設備の圧力シェル内となる。好ましくは、電力供給源及び構造化触媒は、構造化触媒の少なくとも一部は、８５０℃、好ましくは９００℃、より好ましくは１０００℃、更により好ましくは１１００℃の温度に達するように寸法決めされる。触媒活性材料の量及び組成は、所与の稼働温度での水蒸気反応に合わせて調節することができる。マクロ構造物の表面積、セラミックコーティングでコーティングされたマクロ構造物の割合、セラミックコーティングのタイプ及び構造、及び触媒活性触媒材料の量及び組成は、所与の稼働条件での水蒸気改質反応に合わせて調節することができる。しかし、マクロ構造物の有利には実質的に全ての表面がセラミックコーティングでコーティングされており、好ましくは、セラミックコーティングの全てまたは殆どが触媒活性材料を担持する点に留意すべきである。好ましくは、導体に接続された部分のマクロコーティングだけには、セラミックコーティングは供されない。触媒活性材料を担持するセラミックコーティングは、次の反応による炭素形成のリスクを低下させるかまたは防止する。

触媒活性材料を担持するセラミックコーティングによる金属製構造物の被覆は、マクロ構造物の金属相が、炭素形成反応を起こす可能性が比較的小さい凝集性の酸化物層によって覆われることを保証する。更に、酸化物相の触媒活性材料は、水蒸気改質反応を触媒し、そして反応体ガスを、熱力学的平衡の方に向けるかまたは近づけさえもする。これは、水素の分圧を高めそしてメタンの分圧を低めて、上記の反応（Ａ）による炭素形成の熱力学的ポテンシャルを低下させるかまたは多くの場合に排除する。

圧力シェルがプロセスガスを導入するための入口及び生成物ガスを導出するための出口を含む場合は、前記入口は、フィードガスが、構造化触媒の第一の端部で構造化触媒に入りそして生成物ガスが構造化触媒の第二の端部から構造化触媒を出るように配置され、そして少なくとも二つの導体の両方が、前記出口よりも前記入口に近いところの構造化触媒上の位置で構造化触媒に接続される場合は、これらの少なくとも二つの導体は、反応器設備の比較的低温の部分に配置することができる。構造化触媒の第一の端部は、次の理由のために構造化触媒の第二の端部よりも低い温度を有する：
－入口を介して供給されたフィードガスは、構造化触媒中を通るガスの経路に更に沿う間に構造化触媒によって加熱される前に、前記の少なくとも二つの導体を冷却し得る；
－構造化触媒の第一の端部へのフィードガスの入口は、構造化触媒に電気的に供給される熱の故に、構造化触媒の第二の端部から去る生成物ガスよりも低い温度を有する；
－水蒸気改質反応の吸熱性の性質が熱を吸収する；
－構造化触媒は、実質的に一方の導体から構造化触媒の第二の端部に電流を流しそして前記の少なくとも二つの導体のうちの第二の導体に電流を戻すように構成されている。

それ故、構造化触媒の温度プロフィルは、構造化触媒中を通るフィードガスの経路に沿った実質的に連続して上昇する温度に相当する。これは、フィードガス中のメタンから水素及び一酸化炭素への実質的に上昇する転化率に相当する。

それにより、電流は、マクロ構造物の比較的低温の第一の端部に配置された導体を介して、マクロ構造物中に導入されそしてマクロ構造物から導出される。マクロ構造物を除いた全ての電気伝導性要素の温度が、導体と構造化触媒との間の接続を保護するために低く維持される点が利点である。マクロ構造物は除いて導体及び他の電気伝導性要素の温度が比較的低い場合は、マクロ構造物は除いて導体及び他の電気伝導性要素に適した材料への要件は少なくなる。電気伝導性要素の温度が高まると、それの抵抗は大きくなり；それ故、反応器設備内のマクロ構造以外の他の全ての部分の不必要な加熱は避けるのが望ましい。

更に、熱絶縁とマクロ構造物の第一の比較的低温の末端への導体の接続との組み合わせは、圧力シェルの圧力を５ｂａｒ超まで高めることを可能にする。

「マクロ構造物は除いた電気伝導性要素」という記載は、電力源を構造化触媒に接続するために配置された関連する電気伝導性要素、及びマクロ構造物または構造化触媒間の電位接続を含むことを意図している。

構造化触媒中を通るフィードガスの経路に沿った構造化触媒の実質的に連続的に上昇する温度プロフィルと、構造化触媒からの制御可能な熱流束との組み合わせは、化学反応の反応前線の制御が達成可能である。

ここで使用する場合、「マクロ構造物」という用語は、拡大用デバイスを使用せずに、裸眼で見るのに十分に大きな構造物を指すことを意図している。マクロ構造物の寸法は、典型的には、数１０センチメータまたは数１０メータの範囲である。マクロ構造物は、熱絶縁層及び導体のための空間をとっておくために、構造化触媒を収容する圧力シェルの内部寸法に少なくとも部分的に一致するように寸法決めされるのが有利である。０．５ｍ、１ｍ、２ｍまたは５ｍなどのメータ範囲の外法寸法の少なくとも一つを有するマクロ構造物の配列を供するために、二つ以上のマクロ構造物を接続することができる。このような二つ以上のマクロ構造物は、「マクロ構造物の配列」と称する場合もある。この場合、マクロ構造物の配列は、（熱絶縁層のための空間をとっておくため）構造化触媒を収容する圧力シェルの内部寸法に少なくとも部分的に一致するように寸法決めすることが有利である。マクロ構造物の考え得る配列は、０．１～１０ｍ^３の体積または更にはそれを超える体積であることができる。「構造化触媒」は、単一のマクロ構造物をまたは複数のマクロ構造物の配列を含むことができ、ここでマクロ構造物（複数可）は、触媒活性材料を担持するセラミックコーティングを支持する。構造化触媒が、マクロ構造物の配列を含む場合には、これらのマクロ構造物は互いに電気的に接続されてよく；しかし、代替的に、これらのマクロ構造物は互いに電気的に接続されていない。それ故、構造化触媒は、互いに隣接して配置された二つ以上のマクロ構造物を含んでよい。マクロ構造物（複数可）は、押出しかつ焼結された構造物であってよい。マクロ構造物（複数可）は、代替的に、３Ｄ印刷かつ焼結されていてよい。

マクロ構造物の物理的寸法は、任意の適当な寸法であってよく；例えば、高さがマクロ構造物の幅より短いかまたはその反対であってよい。

マクロ構造物はセラミックコーティングを支持し、セラミックコーティングは触媒活性材料を担持する。「セラミックコーティングを支持するマクロ構造物」という記載は、マクロ構造物が、それの表面の少なくとも一部においてセラミックコーティングでコーティングされていることを指すことを意図している。それ故、上記記載は、マクロ構造物の表面全てが、セラミックコーティングでコーティングされていることを示唆するものではなく；特に、少なくとも導体に電気的に接続された部分のマクロ構造物は、そこにコーティングを持たない。コーティングは、それの上にまたは内部に触媒活性材料を担持することを可能にする孔を構造中に有するセラミック材料である。有利には、触媒活性材料は、約５ｎｍ～約２５０ｎｍの範囲のサイズを有する触媒活性粒子を含む。

好ましくは、マクロ構造物は、粉末状金属粒子とバインダーとの混合物を押出しして、押出構造物とし、次いでこの押出構造物を焼結して、単位体積あたり高い幾何学的表面積を有する材料を供することによって製造されたものである。代替的に、マクロ構造物は３Ｄ印刷されている。好ましくは、押出しまたは３Ｄ印刷された構造物は還元性雰囲気中で焼結してマクロ構造物を供する。触媒活性材料を含んでいてもよいセラミックコーティングは、酸化性雰囲気中での第二の焼結の前にマクロ構造物上に供される。これは、セラミックコーティングとマクロ構造物との間に化学結合を形成するためである。代替的に、触媒活性材料を、第二の焼結の後にセラミックコーティング上に含浸させてもよい。セラミックコーティングとマクロ構造物との間に化学結合が形成される場合は、電気的に加熱されたマクロ構造物と、セラミックコーティングに担持された触媒活性材料との間の特に高い熱伝導が可能となり、熱源と、構造化触媒の触媒活性材料との間の近いほぼ直接的な接触を与える。熱源と触媒活性材料とが近接しているため、伝熱が効果的であり、その結果、構造化触媒を非常に効率よく加熱することができる。それ故、反応器設備単位体積あたりでのガス処理の観点で小型の反応器設備が可能であり、よって、該構造化触媒を収容する反応器設備は小型のものとすることができる。

ここで使用する場合、「３Ｄ印刷」という記載は、金属付加製造プロセスを指すことを意図している。このような金属付加製造プロセスは、コンピュータ制御の下に材料を構造体に結合して三次元物体を生成する３Ｄ印刷法を包含し、この場合、構造体は、該マクロ構造体を供するために、例えば焼結によって固化されるべきである。更に、このような金属付加製造プロセスは、引き続く焼結を必要としない３Ｄ印刷法、例えば粉末床溶融法または指向性エネルギー堆積法を包含する。このような粉末床溶融法または指向性エネルギー堆積法の例は、レーザービーム、電子ビームまたはプラズマ３Ｄ印刷法である。

本発明の反応器設備は炉を必要とせず、これは、全体的な反応器サイズを大幅に縮小させる。更に、単一の圧力シェル内で製造された合成ガスの量は、既知の管状水蒸気改質器と比べてかなり増加することが利点である。標準的な管状水蒸気改質器では、管状水蒸気改質器の一つの管中で製造される合成ガスの量はせいぜい５００Ｎｍ^３／ｈである。対照的に、本発明の反応器設備は、一つの圧力シェル内で２０００Ｎｍ^３／ｈまでまたはそれ超、例えば更には１００００Ｎｍ^３／ｈまでまたはそれ超までの製造のために配置される。これは、フィードガス中のＯ_２の存在無しに及び製造される合成ガス中のメタン含有率が１０％未満で行うことができる。一つの圧力シェルが、１００００Ｎｍ^３／ｈまでの合成ガスを製造するための触媒を収容する場合は、複数の圧力シェルを提供することまたは複数のこのような別個の圧力シェルにフィードガスを分配するための手段はもはや必要ではない。

該反応器設備の他の利点の一つは、反応器設備内で構造化触媒中の流れは、マクロ構造物を含む構造化触媒の故に上昇流であることができる点である。代替的に、構造化触媒中の流れは、水平方向または任意の他の適当な方向であることができる。これは、反応器がペレットを含む場合には、ペレットが流動化、粉砕または吹き飛ばされるリスクがあるので、より困難である。それによって、実質的な量の配管を避けることができ、そうしてプラントコストが減少する。更に、上昇流も水平流も可能ということは、プラントデザインのフレキシビリティを高める。

好ましくは、該マクロ構造物は、Ｆｅ、Ｃｒ、Ａｌまたはそれらの合金を含む。このような合金、更に別の元素、例えばＳｉ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｃ、Ｃｏまたはこれらの組み合わせを含んでよい。触媒活性材料は、例えば、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、白金、コバルトまたはそれらの組み合わせを含むことができる。それ故、一つの可能な触媒活性材料は、ニッケルとロジウムとの組み合わせ、及びニッケルとイリジウムとの他の組み合わせである。セラミックコーティングは、例えば、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃｅ及び／またはＣａを含む酸化物であってよい。例示的なコーティングは、アルミン酸カルシウムまたはマグネシウムアルミニウムスピネルである。このようなセラミックコーティングは、更に別の元素、例えばＬａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｋまたはそれらの組み合わせを含んでよい。好ましくは、導体及びマクロ構造物は、マクロ構造物とは異なる材料で製造される。導体は、例えば鉄、ニッケル、アルミニウム、銅、銀またはこれらの合金製であることができる。セラミックコーティングは電気絶縁材料であり、そして典型的には約１００μｍの範囲、例えば１０～５００μｍの範囲の厚さを有する。

マクロ構造物は、有利には、マクロ構造物全体にわたる電気伝導性を達成し、それによって構造化触媒全体にわたる熱伝導性を達成し、そして特に、マクロ構造物によって支持された触媒活性材料の加熱を供するために、一体の（ｃｏｈｅｒｅｎｔ）または強く内部接続した材料である。一体のまたは強く内部接続された材料によって、マクロ構造物内の電流の均一な分布、それ故、構造化触媒内の熱の均一な分布を保証することができる。本明細書全体を通じて、「一体の」（ｃｏｈｅｒｅｎｔ）という記載は、「凝集性」（ｃｏｈｅｓｉｖｅ）の同義語として意図しており、強く内部接続または強く結合した材料を指すことを意図している。一体のまたは強く内部接続した材料である構造化触媒の効果は、構造化触媒の材料内の接続性、それ故、マクロ構造物の伝導性についての制御が得られる点にある。マクロ構造物の更なる変更、例えばマクロ構造物の一部内へのスリットの提供またはマクロ構造物内への絶縁材料の装備などが行われた場合であっても、マクロ構造物はなおも、凝集性または強く内部接続された材料と称される点に留意すべきである。

図面に示す通り、構造化触媒中のガス流は、構造化触媒の長さまたはｚ軸と同または共軸方向である。図面は、構造化触媒のｚ軸は垂直であることを示しているが、反応器は任意の適当な方向で配置でき、そのため構造化触媒及びそれを通るガス流は、例えば水平、図面とは上下逆に、または水平に対して（例えば４５°で）角度付けされていることができる。

これに関連して、「炭化水素ガス」という用語は、一種以上の炭化水素、場合により及び他の成分を含むガスを指すことを意図している。それ故、炭化水素ガスは、典型的には、ＣＨ_４、任意に及び少量の他のガスの加えて比較的少量の高級炭化水素も含む。高級炭化水素は、二つ以上の炭素原子を有する成分、例えばエタン及びプロパンである。「炭化水素ガス」の例は、天然ガス、都市ガス、ナフサ、またはメタンと高級炭化水素との混合物であってよい。炭化水素は、炭素及び水素以外の原子を有する成分、例えば含酸素化合物（オキシジェネート）であってもよい。「炭化水素を含むフィードガス」という記載は、水蒸気、水素、場合によっては及び他の成分、例えば一酸化炭素、二酸化炭素、場合によっては及び若干の窒素及びアルゴンと混合された一種以上の炭化水素を含む炭化水素ガスを含むフィードガスを指すことを意図している。典型的には、反応器設備中に導入されるフィードガスは、炭化水素ガス、水蒸気及び水素、場合により及び二酸化炭素の所定の比率を有する。

更に、「水蒸気改質」という用語は、以下の反応の一つ以上に従う改質反応を指すことを意図している：

反応（ｉ）及び（ｉｉ）は、水蒸気メタン改質反応であり、他方で、反応（ｉｉｉ）はドライメタン改質反応である。

高級炭化水素、すなわちＣ_ｎＨ_ｍ（ｎ≧２、ｍ≧４）では、等式（ｉ）は次のように一般化される：

典型的には、水蒸気改質には、水性ガスシフト反応（ｖ）が伴う：

「水蒸気メタン改質」という用語は、反応（ｉ）及び（ｉｉ）を包含することを意図しており、「水蒸気改質」という用語は、反応（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｖ）を包含することを意図しており、他方で、「メタン化」という用語は、反応（ｉ）の逆反応を包含することを意図している。多くの場合に、これらの反応（ｉ）～（ｖ）の全てが、反応器設備からの出口において平衡にあるかまたは平衡に近い。

「予改質」という用語は、反応（ｉｖ）に従う高級炭化水素の触媒転化を包含するためにしばしば使用される。予改質には、典型的には、水蒸気改質及び／またはメタン化（これらは、ガス組成及び稼働条件に依存する）及び水性ガスシフト反応が伴う。予改質は、多くの場合に断熱式反応器で行われるが、加熱した反応器内で行ってもよい。

水蒸気改質反応は高吸熱性である。供給物中のメタンの許容可能な転化率に達するためには、典型的には８００～８５０℃を超える高温が必要である。ＳＭＲは、炉内部に置かれた触媒ペレットで充填された複数の管からなる。これらの管は、長さが典型的には１０～１３メートルであり、そして典型的には、８０ｍｍと１６０ｍｍとの間の内径を有する。炉内に配置されたバーナーは、燃料ガスの燃焼によって反応に必要な熱を提供する。内部管表面積ｍ^２あたり８００００～９００００の最大平均熱流束は珍しくない。得ることができる熱流束には機械的拘束の故に一般的な限界があり、そのため、容量は、管の数及び炉のサイズを大きくすることによって高められる。ＳＭＲ型反応器設備についてのより詳細は、当技術分野に、例えば“Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｇａｓ ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｆｏｒ ＦＴ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ”；Ｃｈａｐｔｅｒ ４，ｐ．２５８－３５２，２００４（非特許文献２）に記載されている。ここで使用する場合、「ＳＭＲ」という略語は、上述したように外部燃焼型管状水蒸気メタン改質器を指すことを意図している。

典型的には、フィードガスは、反応器設備中に導入される前に、それに含まれる硫黄を除去し、それによってプロセス中の触媒の失活を避けるために脱硫処理を受けている。

任意選択的に、炭化水素ガスは、水蒸気と及び場合によっては水素及び／または他の成分、例えば二酸化炭素とも一緒に、プロセスの初期ステップとして高級炭化水素を転化するために約３５０～５５０℃の温度範囲で反応（ｉｖ）に従う予改質も受けており、これは、通常は、前記脱硫ステップの下流で行われる。これは、次のプロセスステップにおいて触媒上に高級炭化水素から炭素が形成する危険を排除する。任意選択的に、二酸化炭素または他の成分を予改質ステップを去るガスと混合して、フィードガスを形成することもできる。

典型的には、反応器設備に入るフィードガスは予熱されている。しかし、構造化触媒によって提供できる熱流束の故に、反応器設備に入るフィードガスは比較的低温であることができる。それ故、約２００℃～約４５０℃の間の温度にフィードガスを予熱すれば十分であろう。

「電気伝導性」という用語は、電気抵抗が２０℃で１０^－５～１０^－８Ω・ｍである材料を指すことを意図している。それ故、電気伝導性の材料は、例えば、銅、銀、アルミニウム、クロム、鉄、ニッケルまたは金属の合金などの金属である。更に、「電気絶縁」という用語は、電気的抵抗が２０℃で１０Ω・ｍ超、例えば２０℃で１０^９～１０^２５Ω・ｍである材料を指すことを意図している。

反応器設備が、構造化触媒と圧力シェルとの間に熱絶縁層を含む場合には、構造化触媒と圧力シェルとの間の適当な熱及び電気絶縁が得られる。圧力シェルと構造化触媒との間の熱絶縁層の存在は、圧力シェルの過剰の加熱の回避を助け、及び周囲への熱損失の減少を助ける。構造化触媒の温度は、それの少なくとも一部において約１３００℃にまで到達し得るが、構造化触媒と圧力シェルとの間に熱絶縁層を使用することによって、圧力シェルの温度は、少なくとも５００℃または更には２００℃のかなりより低い温度に維持することができ、これは、典型的な構造用スチール材料は、典型的には、１０００℃を超える温度では加圧用途には適していないために有利である。更に、圧力シェルと構造化触媒との間の熱絶縁層は、熱絶縁層は電気絶縁性でもあるので、反応器設備内の電流の制御を助ける。熱絶縁層は、セラミック、不活性材料、耐火材料またはガスバリアあるいはこれらの組み合わせなどの固形材料の一つ以上の層であることができる。それ故、パージガスまたは閉じ込めたガスが、熱絶縁層の一部を構成または形成することも考えられる。

更に、「熱絶縁層」という用語は、１０ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１またはそれ未満の熱伝導性を有する材料を指すことを意図している。熱絶縁材料の例は、セラミック、耐火材料、アルミナをベースとする材料、ジルコニアをベースとする材料及び類似物である。

有利には、構造化触媒、熱絶縁層、圧力シェル、及び／または反応器設備内の他の部材の間の関連する任意のギャップは、例えば不活性ペレットの形の不活性材料で充填される。このようなギャップは、例えば、構造化触媒の下側と圧力シェルの底面との間のギャップ、及び構造化触媒の両側と圧力シェルの内側を覆う絶縁層との間のギャップである。不活性材料は、例えば、ペレットまたはタイルの形のセラミック材料であってよい。不活性材料は、反応器設備中のガス分布の制御、及び構造化触媒中のガスの流れの制御を助ける。更に、不活性材料は、典型的には熱絶縁効果を有する。

一つの態様では、圧力シェルは、５ｂａｒと３０ｂａｒとの間の設計圧力を有する。約５～１５ｂａｒの設計圧力を有する圧力シェルは、例えば、小規模の構成によく適している。反応器設備の最も高温の部分は、熱絶縁層によって囲まれており及び反応器設備の圧力シェル内にある構造化触媒であるため、圧力シェルの温度は、最大プロセス温度よりもかなり低く保つことができる。これは、構造化触媒上で９００℃または更には１１００℃または更には１３００℃までの最大プロセス温度を有することを可能にしつつ、例えば７００℃または５００℃あるいは好ましくは３００℃または２００℃の圧力シェルの相対的な低い設計温度を有することを可能にする。材料強度は、（上記の圧力シェルの設計温度に相当する）これらの温度が低い程に高くなり、これは、上面燃焼式または側面燃焼式ＳＭＲなどの外部加熱された水蒸気メタン改質反応器とは異なり、本反応器設備は、（より）高い圧力稼働のために設計できることを意味する。ＳＭＲでは、最大管壁温度は約１０００℃に制限され得る。他の利点の一つは、ＳＭＲと比べてより低い設計温度は、場合によっては、圧力シェルの厚さを薄くでき、コスト節約になることを意味する点である。

一つの態様では、圧力シェルは、３０ｂａｒと２００ｂａｒとの間、好ましくは８０ｂａｒと１８０ｂａｒとの間の設計圧力を有する。

本発明の反応器設備は、水素プラントなどのプラントの一部であることができる。このようなプラントは、有利には、本発明の反応器設備の上流に一つ以上のコンプレッサ及び／またはポンプを含んでよい。これらのコンプレッサ／ポンプは、反応器設備の上流で供給物を３０ｂａｒと２００ｂａｒとの間の圧力に圧縮するために配置される。供給物の成分、すなわち水蒸気、水素及び炭化水素フィードガスは個別に圧縮し、そして個別に本発明の反応器設備に供給することができる。供給物が本発明の反応器設備の上流で加圧され、そして該反応器設備が、３０ｂａｒと２００ｂａｒとの間の設計圧力を有する圧力シェルを含む場合は、本発明の反応器設備の下流の圧縮はより簡素化できるかまたは完全に省くことができる。水素化処理のために水素生成物が使用される精製プラント中に統合された水素プラントでは、水素化処理器への水素コンプレッサは、該反応器設備からの生成物ガスが約１５０～２００ｂａｒの出口圧力を有する場合には省くことができる。

一つの態様では、マクロ構造物の抵抗は１０^－５Ω・ｍと１０^－７Ω・ｍとの間である。この範囲内の抵抗を有する材料は、電力源から通電された場合に構造化触媒の効率のよい加熱を提供する。グラファイトは、２０℃で約１０^－５Ω・ｍの抵抗を有し、カンタル（Ｋａｎｔｈａｌ）は２０℃で約１０^－６Ω・ｍの抵抗を有し、他方で、ステンレススチールは２０℃で約１０^－７Ω・ｍの抵抗を有する。カンタルは、鉄－クロム－アルミニウム（ＦｅＣｒＡｌ）合金のファミリーの商標である。該マクロ構造物は、例えば、２０℃で約１．５・１０^－６Ω・ｍの抵抗を有するＦｅＣｒ合金から製造してよい。

本発明の設備は、任意の適当な数の電力源、及び電力源（複数可）と構造化触媒のマクロ構造物（複数可）を接続する任意の適当な数の導体を含んでよい点に留意すべきである。

該反応器設備の一態様によれば、前記の少なくとも二つの導体のそれぞれが継手中で圧力シェルを貫通して、前記少なくとも二つの導体が圧力シェルから電気的に絶縁されている。該継手は、部分的に、プラスチック材料及び／またはセラミック材料からなることができる。「継手」という用語は、加圧構造物においてハードウェアの二つの部品を機械的に接続することを可能にするデバイスを指すことが意図される。それによって、前記の少なくとも二つの導体が圧力シェルを貫通していても、圧力シェル内の圧力は維持され得る。継手の非限定的な例は、電気絶縁性継手、誘電性継手、パワーコンプレッションシール、圧縮継手またはフランジであることができる。圧力シェルは、典型的には、側壁、端部壁、フランジ、場合により及び更に別の部分を含む。「圧力シェル」という用語は、これらのコンポネントの任意のものを包含することを意図している。

継手は、マクロ構造物の第一の端部と接続して配置される。例えば、継手は、フィードガスの方向で見てマクロ構造物の第一の端部の上流に配置される。それによって、継手自体の温度は、比較的低温に維持される。圧力シェルの比較的低温の端部における熱絶縁と継手との組み合わせは、継手が圧力シェルの壁を貫通しているにもかかわらず及び構造化触媒の最大温度が約９５０℃に達し得るにもかかわらず、圧力シェル内で５ｂａｒ超の圧力を供することを可能にする。継手が比較的低温に維持されない場合には、変形などの機械的エラーのリスクがあるであろうし、また圧力シェルからのガスの漏洩が起こるかもしれない。更に、前記の少なくとも二つの導体と圧力シェルとの間の電気的接続は避けるべきである。このためには、継手の過度の温度を避けることが重要である。一例として、継手は、ポリマー並びに圧縮継手を含んでよい。

一つの態様では、圧力シェルは、前記圧力シェル内において少なくとも一つの導体上に、その周りに、それの近くにまたはそれの内部に冷却ガスを流すことができるように、継手のうちの少なくとも一つの近くにまたはそれと組み合わせて一つ以上の入口を更に含む。それよって、導体が冷却され、それ故、継手が受ける温度が低く保たれる。冷却ガスが使用されない場合、導体が、反応器設備へのフィードガスによって、供給された電流による導体の抵抗加熱によって及び／または構造化触媒からの熱伝導によって加熱される虞がある。冷却ガスは、例えば水素、窒素、水蒸気、二酸化炭素、またはこれらの混合物であることができる。圧力シェル中への導入時の冷却ガスの温度は、例えば約１００℃または２００℃または２５０℃であってよい。一つの態様では、導体（複数可）は中空であり、そうして冷却ガスが導体（複数可）中を流れて、それ（ら）を中から冷却し得る。継手の温度を低く（例えば約１００～２００℃に）維持することによって、漏れのない構成とすることがより簡単となる。一つの態様では、フィードガスの一部、例えば二酸化炭素及び／または水蒸気は、冷却ガスとして圧力シェルに供給される。他の態様の一つでは、フィードガスの一部またはフィードガスと同じ組成のガスが冷却ガスとして使用される。

一つの態様では、該反応器設備は、構造化触媒と熱交換関係にある内部管を更に含み、但し、前記内部管は、内部管（複数可）中を流れる生成物ガスが構造化触媒中を流れるガスと熱交換関係になるように構造化触媒から生成物ガスを回収するように適合されているが、構造化触媒からは電気的に分離されている。これは、本明細書でバヨネット型反応器設備と称されるレイアウトである。このレイアウトでは、内部管内の生成物ガスは、構造化触媒中を流れるプロセスガスの加熱を助ける。内部管と構造化触媒との間の電気絶縁材は、内部管と構造化触媒との間または内部管の周りに充填された不活性材料と構造化触媒との間のギャップまたは間隔の形のガスであることができる。このガスは、上昇流または下降流方向で構造化触媒中を通過することができる。内部間と構造化触媒との間の電気絶縁は熱絶縁も供するものの、このような熱絶縁効果は決して完全ではなく、若干の熱伝導が電気絶縁材にわたって起こる。

一つの態様では、構造化触媒と前記の少なくとも二つの導体との間の接続は機械的接続、溶接接続、ろう付け接続またはこれらの組み合わせである。構造化触媒のマクロ構造物と前記の少なくとも二つの導体との間の電気的接続を容易にするために、構造化触媒は、これに物理的にかつ電気的に接続された端子を含んでよい。「機械的接続」という用語は、二つの部材が、例えばネジ接続によってまたは型締によって結合され、そうして電流がこれらの部材間を流れ得ることを指すことを意図している。

一つの態様では、マクロ構造物の配列中のマクロ構造物は、互いに電気的に接続されていてよい。前記二つ以上のマクロ構造物間の接続は、機械的接続、型締、ハンダ付け、溶接またはこれらの接続法の任意の組み合わせによるものであってよい。各々のマクロ構造物は、電気的接続を容易にするために端子を含んでよい。前記の二つ以上のマクロ構造物は、直列式または並列式接続で電極供給源に接続させることができる。前記の二つ以上のマクロ構造物間の電気的接続は一体的であり、かつ前記の二つ以上のマクロ構造物間の接続表面に沿って均一であるため、前記の二つ以上のマクロ構造物は、単一の一体のまたは強く内部接続した材料として働き；それによって、前記二つ以上のマクロ構造物全体にわたる均一な電気伝導性が促進される。代替的にまたは追加的に、構造化触媒は、互いに電気的に接続されていないマクロ構造物の配列を含むことができる。その代わりに、二つ以上のマクロ構造物は圧力シェル内に一緒に配置されるが、互いに電気的には接続されない。それ故、この場合、構造化触媒は、電極供給源に並列に接続されたマクロ構造物を含む。

触媒活性材料を含むかまたは含まないセラミックコーティングは、ウォッシュコーティングによって、金属表面に直接施与し得る。金属表面のウォッシュコーティングは、周知の方法であり；例えばＣｙｂｕｌｓｋｉ，Ａ．，ａｎｄ Ｍｏｕｌｉｊｎ，Ｊ．Ａ．，Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ ｃａｔａｌｙｓｔｓ ａｎｄ ｒｅａｃｔｏｒｓ，Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ，Ｉｎｃ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９８，Ｃｈａｐｔｅｒ ３（非特許文献３）及びそこで引用されている文献に説明がある。該セラミックコーティングは、マクロ構造物の表面に施与することができ、次いで触媒活性材料を施与でき；代替的に、触媒活性材料を含むセラミックコートをマクロ構造物に施与する。

マクロ構造物の押出し及び焼結、または３Ｄ印刷及び焼結は、均一にかつ一体として形成されたマクロ構造物を与え、これをその後、セラミックコーティングでコーティングすることができる。

このマクロ構造物及びセラミックコーティングは、セラミックコーティングとマクロ構造物との間の化学結合を形成するために、酸化性雰囲気中で焼結されていてよく；これは、マクロ構造物と、セラミックコーティングによって担持された触媒活性材料との間の特に高い熱伝導性を供する。それによって、構造化触媒は、活性触媒部位への伝熱に関してコンパクトであり、そして構造化触媒を収容する反応器設備はコンパクトであることができ、そして主として化学反応の速度によって制限され得る。当技術分野で使用されるＳＭＲでは、管壁を介したこれらの管内の触媒へは熱伝導がないのと同様に、圧力シェルの外側から構造化触媒への熱伝導はない。

一つの態様では、構造化触媒は、導体間の電流経路を、構造化触媒の最も大きな寸法を超える長さに長めるために配置された少なくとも一つの電気絶縁部分を有する。構造化触媒の最も大きな寸法よりも長い各導体間の電流経路は、各導体間に配置された電気絶縁部分（複数可）を提供して、電流が構造化触媒の一部を流れることを防ぐことによって提供できる。このような電気絶縁部分は、電流経路を長くし、そうして構造化触媒中の抵抗を増強するために配置される。それによって、構造化触媒中を通る電流経路を、構造化触媒の最も大きい寸法よりも、例えば５０％超、１００％超、２００％超、１０００％超または更には１００００％超長くすることができる。

更に、このような電気絶縁部分は、電流を構造化触媒の第二の端部よりも第一の端部の方に近い一つの導体から、構造化触媒の第二の端部の方に向けて案内し、そして構造化触媒の第二の端部よりも第一の端部の方に近い第二の導体に戻すように配置される。好ましくは、電流は、構造化触媒の第一の端部から第二の端部に流れそして第一の端部に戻るようにアレンジされる。図面に見られるように、構造化触媒の第一の端部は、それの先端にある。図５～７に矢印で示される「ｚ」は、構造化触媒の長さに沿ったｚ軸を示す。構造化触媒全体中の主たる電流経路は、電流経路の長さの殆どに沿って、随伴する電流密度ベクトルのｚ座標の正または負の値を有する。主たる電流経路とは、最も高い電流密度で構造化触媒のマクロ構造物中を通る電子の経路を意味する。主たる電流経路は、構造化触媒のマクロ構造物中を通る最小の距離を有する経路とも理解することができる。幾何学的に見ると、主たる電流経路は、マクロ構造物の一体的断面（ｃｏｈｅｒｅｎｔ ｓｅｃｔｉｏｎ）のガス流方向に対して垂直な平面内の最も大きい電流密度ベクトルとして定量化することができる。構造化触媒の底部では、図面に示されるように電流は方向を変え、そしてそこで、付随の電流密度ベクトルのｚ座標はゼロになる。

ここで使用される場合、一体的断面という用語は、一体的断面の全ての壁が、同じ平面内でこの一体的断面の一つ以上の他の壁に幾何学的に接続している、マクロ構造物の断面領域を指すことを意図している。

一つの態様では、前記構造化触媒は、前記構造化触媒の長さの少なくとも７０％においては、主たる電流経路の電流密度ベクトルが前記構造化触媒の長さに平行なノン－ゼロ成分値を有することを保証するために構造化触媒中に電流を導くために配置された少なくとも一つの電気絶縁部分を有する。それ故、構造化触媒の長さの少なくとも７０％では、電流密度ベクトルは、構造化触媒の長さに平行な正または負の成分値を有する。それ故、構造化触媒の長さ、すなわち図５～１０に見られる構造化触媒のｚ軸に沿った構造化触媒の長さの少なくとも７０％、例えば９０％または９５％では、主たる電流経路の電流密度ベクトルは、ｚ軸に沿って正または負の値を有する。これは、電流が、構造化触媒の第一の端部から第二の端部に向けて、次いで再び第一の端部に誘導されることを意味する。構造化触媒の第一の端部に入るガスの温度、及び構造化触媒上で起こる吸熱性水蒸気改質反応は、構造化触媒から熱を吸収する。この理由のため、構造化触媒の第一の端部は、第二の端部よりも低温のままになり、そして主たる電流経路の電流密度ベクトルが、上記構造化触媒の流れに平行なノンゼロ成分値を有することを保証することによって、これは、実質的に連続して上昇する温度プロフィルを持って起こり、これは、制御可能な反応前線を与える。一つの態様では、この電流密度ベクトルは、上記構造化触媒の長さの７０％、好ましくは８０％、より好ましくは９０％、更により好ましくは９５％において上記構造化触媒の長さに平行なノンゼロ成分値を有する。「構造化触媒の長さ」という記載は、ガス流の方向での構造化触媒の寸法を指すことを意図している点に留意すべきである。図面に示した構造化触媒では、長さは長手方向、すなわちそれの最大寸法である。これは、一部の図面では矢印が示すｚによって表される。

絶縁部分の非限定的な例は、構造物中の切れ目、スリットまたは穴である。任意選択的に、構造物中の切れ目またはスリット中の固体絶縁性材料、例えばセラミックを使用することができる。固体絶縁性材料が多孔性セラミック材料である場合は、触媒活性材料を、例えば含浸によって、それらの孔中に有利に組み込んでよい。切れ目またはスリット内の固体絶縁材料は、切れ目またはスリットの両側の部分の構造化触媒を互いに分かれた状態にするのに役立つ。ここで使用する場合、「構造化触媒の最も大きな寸法」という記載は、構造化触媒がとる幾何学的形状の最も大きな内部寸法を指すことを意図している。構造化触媒が箱型である場合には、最も大きな寸法は、一つの角から最も遠いコーナーまでの対角線（体対角線とも称される）であろう。

構造化触媒中の電流経路は、電流経路を長くするために配置された電気絶縁部分によって構造化触媒中を曲がりくねるようにアレンジし得るものの、反応器設備中を通過するガスは、反応器設備の一方の端部に導入され、構造化触媒中を一回通過し、その後に反応器設備から排出される点に留意すべきである。反応器設備内のガスが、構造化触媒中を及びそれに担持されている触媒活性材料を通過することを保証するために、不活性材料が、構造化触媒と反応器設備の残部との間の関連するギャップ中に存在することが有利である。

一つの態様では、構造化触媒中のガスの移動の長さは、一方の導体から構造化触媒を通過してそして次の導体までの電流の移動の長さよりも短い。電流の移動の長さに対するガスの移動の長さの比率は、０．６未満、もしくは０．３未満、０．１未満、または更には０．００２まででさえあることができる。

一つの態様では、構造化触媒は、構造化触媒中を通る電流経路をジグザグの経路とするために配置された少なくとも一つの電気絶縁部分を含む。ここで、「ジグザグの経路」及び「ジグザグのルート」という記載は、一方の導体から他方の導体までの経路をたどる可変の角度の曲がり角を有する経路を指すことを意図したものである。ジグザグの経路は、例えば、上向き、変向そして次いで下向きになる経路である。経路をジグザグの経路とするためには一回の変向点でも十分であるものの、ジグザグの経路は、構造化触媒中を何度も上昇及び次いで下降する数多くの変向点を有してもよい。

電流経路を長くするために配置される絶縁部分は、必ずしも、マクロ構造物上のセラミックコーティングには関連しない点に留意すべきである；このセラミックコーティングも電気絶縁性と考えられるものの、これは、マクロ構造物に接続された各導体間の電流経路の長さを変化させない。

一つの態様では、マクロ構造物は、複数のほぼ平行なまたは平行な流路、複数の非平行な流路、及び／または複数の迷路状流路を有し、ここでこれらの流路は、流路を画定する壁を有する。それによって、ガスに暴露される構造化触媒の表面積が可能な限り大きければ、幾つかの異なる形態のマクロ構造物を使用できる。好ましい態様の一つでは、マクロ構造物は平行な流路を有する。というのも、このような平行な流路は、非常に小さな圧力低下を有する構造化触媒を与えるためである。好ましい態様の一つでは、平行な長手方向の流路が、マクロ構造物の長手方向において傾斜している。このようにして、マクロ構造物中を流れるガスの分子の殆どが、壁と接触することなく流路中を単に真っ直ぐ流れる代わりに、流路内で壁に衝突し易くなる。流路の寸法は、十分な抵抗を有するマクロ構造物を提供する目的で妥当なものであるべきである。例えば、流路は、（流路に垂直な断面として見て）正方形であることができ、そして正方形の側辺の長さが１ｍｍと３ｍｍとの間であることができ；しかし、断面の最大長が約４ｃｍまでの流路も考えられる。更に、壁の厚さは、比較的大きな電気的抵抗を供するのに十分に薄くかつ十分な機械的強度を供するのに十分に厚いものであるべきである。壁は、例えば、０．２ｍｍと２ｍｍとの間の厚さ、例えば約０．５ｍｍの厚さを有することができ、そしてこれらの壁に支持されているセラミックコーティングは、１０μｍと５００μｍとの間の厚さ、例えば５０μｍと２００μｍとの間の厚さ、例えば１００μｍの厚さを有する。他の態様の一つでは、構造化触媒のマクロ構造物は交差波形（ｃｒｏｓｓ－ｃｏｒｒｕｇａｔｅｄ）である。

一般的に、マクロ構造物が平行な流路を有する場合は、反応器設備の入口から出口までの圧力低下を、触媒材料が、標準的なＳＭＲなどようにペレットの形態である反応器と比べて、大きく減少させることができる。

一つの態様では、該反応器設備は、圧力シェル内で、構造化触媒の上流に第二の触媒材料の床を更に含む。ここで、「上流」という用語は、フィードガスの流動方向から見たものである。それ故、ここで「上流」という用語は、フィードガスが、構造化触媒に達する前に、第二の触媒材料の床中に導かれることを指すことを意図したものである。これは、第二の触媒材料をフィードガスの（上記の反応（ｉｖ）による）予改質のために配置することができ、その結果、反応器設備が、一つの圧力シェル内で予改質及び水蒸気改質を提供するという状況を提供する。またこれは、フィードガス中の炭化水素が、（例えば上記の反応（ｉ）～（ｖ）に従って）第二の触媒材料上で水蒸気及び／またはＣＯ_２と反応し、及び構造化触媒へのプロセスガスが、第二の触媒材料へのフィードガスより低い炭化水素含有率を有するという状況をも提供し得る。上記の第二の触媒は、代替的にまたは追加的に、フィードガス中の硫黄化合物を捕捉するためにも配置された触媒であることができる。第二の触媒材料の床には特定の加熱を供する必要はない；しかし、第二の触媒材料の床は、これが構造化触媒に近接する場合には、間接的に加熱され得る。代替的に、第二の触媒材料は加熱してよい。

一つの態様では、該反応器設備は、構造化触媒の流路に充填された触媒ペレット、押出物またはグラニュールの形の第三の触媒材料を更に含む。この態様では、該反応器設備は、マクロ構造物のコーティング中に触媒活性材料を、並びに構造化触媒の流路内に触媒ペレット、押出物またはグラニュールの形の第三の触媒材料を有する。これは、構造化触媒の流路またはこれらのセグメント内での触媒反応性を高めることを可能にする。ここで使用される用語を明らかにするために、「構造化触媒」という用語は、これを第二及び／または第三及び／または第四の触媒材料から区別するために、「第一の触媒材料」とも表し得ることを記載しておく。

前記のペレットは、例えば、互いの上に積み重ねられたペレットの単一のストリングをマクロ構造物の流路内に形成するために流路のサイズと緩く整合する寸法で製造される。代替的に、ペレット、押出物またはグラニュールは、各々の流路内に充填床を形成するために流路サイズよりもかなり小さい寸法で製造し得る。ここで使用する場合、「ペレット」という用語は、ミリメータまたはセンチメータの範囲の最大外法寸法を有する明確に定義された構造物を指すことを意図しており、他方で、「押出物」及び「グラニュール」は、或る範囲内に定義された最大外法寸法を有する触媒を定義することを意図したものである。

一つの態様では、第四の触媒材料の床が圧力シェル内にかつ構造化触媒の下流に配置される。このような第四の触媒材料は、触媒ペレット、押出物またはグラニュールの形であってよい。これは、水蒸気改質反応の疑似断熱平衡化を作ることによって、構造化触媒を去るガスの平衡までのアプローチ温度を低下させるために第四の触媒材料を配置できる状況を供する。

一つの態様では、第二、第三及び第四の触媒材料は、水蒸気改質反応、予改質反応または水性ガスシフト反応に適した触媒材料である。関連するこのような触媒の例は、Ｎｉ／ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、Ｎｉ／ＣａＡｌ_２Ｏ_４、Ｎｉ／Ａｌ_２Ｏ_４及びＣｕ／Ｚｎ／Ａｌ_２Ｏ_３である。第二、第三及び第四の触媒の組み合わせが該反応器設備内に含まれる構成では、各々の触媒材料の触媒は異なることができる。

一つの態様では、マクロ構造物の材料は、材料の抵抗加熱によって５００Ｗ／ｍ^２～５００００Ｗ／ｍ^２の熱流束を供するために配置された材料として選択される。好ましくは、該材料の抵抗加熱は、５Ｗ／ｍ^２と１２Ｗ／ｍ^２との間、例えば８Ｗ／ｍ^２と１０Ｗ／ｍ^２との間の熱流束を提供する。熱流束は、ガスに曝された表面の単位幾何学的表面積あたりの熱として与えられる。

一つの態様では、マクロ構造物の幾何学的表面積は、１００ｍ^２／ｍ^３と３０００ｍ^２／ｍ^３との間、例えば５００ｍ^２／ｍ^３と１１００ｍ^２／ｍ^３との間である。材料からの熱流束は、触媒活性材料の反応性と適合するように選択することが有利である。

一つの態様では、構造化触媒は、第一の熱流束を発生させるために配置された第一の部分、及び第二の熱流束を発生させるための第二の部分を含み、但し、第一の熱流束は第二の熱流束よりも小さく、及び第一の部分は第二の部分よりも上流にある。ここで、「第一の部分が第二の部分の上流にある」という記載は、反応器設備中に供給されたガスが、ガスが第二の部分に達する前に第一の部分に達することを指すことを意図したものである。構造化触媒の第一の部分及び第二の部分は、触媒活性材料を担持するセラミックコーティングを支持する二つの異なるマクロ構造物であってよく、ここで、これらの二つの異なるマクロ構造物は、所与の電流及び電圧において異なる熱流束を発生させるために配置し得る。例えば、構造化触媒の第一の部分は大きな表面積を有してよく、他方、構造化触媒の第二の部分は比較的小さな表面積を有する。これは、第一の部分の断面積よりも小さな断面積を有する第二の部分において構造化触媒を提供することによって成し遂げることができる。代替的に、構造化触媒の第一の部分中の電流経路は、構造化触媒の第二の部分中の電流経路よりも比較的直線的であり、そうやって、構造化触媒の第一の部分中よりも、第二の部分中で電流を曲がりくねるようにすることができ、その際、電流は、構造化触媒の第一の部分におけるよりも、第二の部分においてより多くの熱を発生するようになる。先に述べた通り、マクロ構造物中のスリットまたは切れ目は、電流経路をマクロ構造物中でジグザグにすることができる。構造化触媒の第一及び第二の部分は、異なる熱流束を提供できるようにするために、異なる電流及び電圧を受け得る点に留意すべきである。しかし、第一及び第二の部分の異なる熱流束は、先に示した通り第一及び第二の部分が異なる物理的性質を有するために、第一及び第二の部分中を／またはにわたって同じ電流及び電圧を供給することによっても達成できる。

一つの態様では、該反応器設備は、圧力シェルを出るガスの温度が所定の範囲内にあることを保証するために及び／またはフィードガス中の炭化水素の転化率が所望の範囲中にあることを保証するために及び／またはメタンの乾燥モル濃度が所定の範囲内にあることを保証するために及び／または水蒸気改質反応の平衡までのアプローチ温度が所定の範囲内にあることを保証するために電力供給を制御するために配置された制御システムを更に含む。

典型的には、ガスの最大温度は、５００℃と１０００℃との間、例えば８５０℃と１０００℃との間にあり、例えば約９５０℃であるが、更により高い温度、例えば１３００℃までの温度も考えられる。しかし、反応器設備を出るガスの最大温度は、例えば反応器設備がバヨネット型である場合は、５００℃までも低くすることができる。ガスの最大温度は、フィードガスの流動方向で見て構造化触媒の最も下流の部分に近いところで達成される。しかし、バヨネット型レイアウトが使用される場合は、反応器設備を出るガスの最大温度は、フィードガスとの熱交換の故に若干比較的低くなることができる；本発明によるバヨネット型反応器設備を出るガスの最大温度は５００℃と９００℃との間であることができる。電力供給源の制御は、電力供給源からの電気出力の制御である。電力供給源の制御は、例えば、電力供給源のスイッチを入れるかまたは切るかまたはそれらの組み合わせとしての制御として、電極供給源からの電圧及び／または電流の制御として行ってよい。構造化触媒に供給される電力は、交流または直流の形であることができる。

前記の少なくとも二つの導体間の電圧は、所望の熱流束を提供するためにアレンジされた適当な電圧であることができる。電圧が低すぎる場合には、熱流束が小さくなりすぎてしまい、そして電圧が高すぎる場合には、電気アークのリスクが高まる。例示的な値は、例えば５０Ｖと４０００Ｖとの間の電圧、例えば１００Ｖと１０００Ｖとの間である。このような値は、該マクロ構造物の、それ故、該反応器設備の小型さを可能にする。更に、マクロ構造物中を通って導体間を流れる電流は、選択された電圧と一緒に所望の熱流束を供する任意の適当な電流であることができる。電流は、例えば１００Ａと２０００Ａとの間、例えば２００Ａと１５００Ａとの間であってよい。

圧力シェル／反応器設備を出るガスの所定の温度範囲は、好ましくは５００～１３００℃の範囲、好ましくは８００℃～１１５０℃の範囲、例えば９００℃～１０００℃である。好ましくは、水蒸気メタン改質反応の平衡までのアプローチ温度の範囲は１℃と６０℃との間、より好ましくは５℃と３０℃との間、または最も好ましくは５℃と２０℃との間である。

反応の温度を制御するためには、反応器設備に加えられる／除かれる熱は、化学反応によって消費／生成される熱に対してバランスを取る必要がある。熱の付加／除去は、反応速度及び特にβによって定義される平衡までのアプローチ温度に対してバランスを取る必要があり、ここでβは反応商と反応の平衡定数との間の比率である。１に近いβの値は、反応混合物が平衡に近いことを意味し、そして０に近い値は、反応混合物が平衡から遠いことを意味する。一般的に、できるだけ速い反応速度とすることが望ましく、これは、平行して、加えられるエネルギーのバランスを取ることによって温度を十分に制御できる限りは、低いβにおいて達成される。

吸熱性水蒸気メタン改質反応の場合は、反応が進行し続けることを保証するために熱を加える必要がある。というのも、さもなければ、反応が平衡し、β値が１に近づいていき、そして反応が遅くなっていくからである。しかし、他方で、反応速度が追従できるよりも速く温度が上昇することは望ましくない、というのも、未反応の炭化水素を高温に曝すことは、炭素形成を結果としてまねく虞があるからである。この挙動を追うための良好な方法は、平衡までのアプローチ温度によるものである。水蒸気改質反応の平衡までのアプローチ温度は、先ず、以下のように所与のガスの反応商（Ｑ）を計算することによって確認される。

ここで、ｙ_ｊは化合物_ｊのモル分率であり、そしてＰはｂａｒの全圧である。これは、所与の反応商が平衡定数と等しくなる平衡温度（Ｔ_ｅｑ）を決定するために使用される：

ここでＫ_ＳＭＲは、水蒸気メタン改質反応の熱力学的平衡定数である。水蒸気メタン改質（ΔＴ_{ａｐｐ、ＳＭＲ}）反応の平衡までのアプローチ温度は次のように定義される：

ここで、Ｔは、構造化触媒などの使用する触媒材料を取り囲むガスのバルク温度である。

水蒸気改質触媒の良好な性能を保証するためには、触媒が、（ΔＴ_{ａｐｐ、ＳＭＲ}）減少するように連続的に作用することが望ましい。従来は、大規模な工業的ＳＭＲは、それの出口で５～２０℃の平衡までのアプローチ温度を得るために設計されてきた。

本発明では、熱流束を制御し、そしてこれを構造化触媒の動的性能に対して直接適合させることができる、というのも、これらはある程度独立しているからである。

一つの態様では、前記反応器設備内の構造化触媒において、構造化触媒の水平断面の面積相当径と構造化触媒との高さとの間の比率は０．１～２．０の範囲である。反応器設備の断面の面積相当径は、断面の面積としての相当面積の円の直径と定義される。面積相当径と構造化触媒の高さとの間の比率が０．１と２．０との間である場合、構造化触媒を収容する圧力シェルは、現在のＳＭＲと比べて比較的小さくすることができる。各々の反応器設備は、ＳＭＲの一つの管で可能なものよりも、より多量のフィードガスを処理し得る。それによって、反応器設備への外部の配管の量を、現在のＳＭＲと比べて減らすことができ、それによって、このような配管のコストが減少される。典型的には、ガスは、上昇流または下降流方向で反応器設備中を流れるため、ガスは、構造化触媒中でそれの高さに沿って流路中を流れる。構造化触媒が、複数のまたは一つの配列のマクロ構造物を含む場合は、この配列内の個々のマクロ構造物は、並べて、または積み重ねて、またはそれらの組み合わせで配置することができる。構造化触媒が、一つ超のマクロ構造物を含む場合は、構造化触媒の寸法は、この一つ超の構造物の寸法である点が強調される。それ故、一例として、構造化触媒が、互いに積み重ねられた、それぞれ高さｈを有する二つのマクロ構造物を含む場合は、構造化触媒の高さは２ｈである。

構造化触媒の体積は、それぞれ所望の平衡までのアプローチ温度及び／または温度及び／または炭化水素転化率及び／または生成物ガス中での炭化水素の乾燥モル濃度及び／またはマクロ構造物の発熱能力に相互関連した反応器設備から出る温度及び／または生成物ガス中の炭化水素の乾燥モル濃度が所定の範囲あることを保証すること及び／または水蒸気メタン改質反応（反応（ｉ））の平衡までのアプローチ温度が所定の範囲あることを保証することを考慮して選択される。

一つの態様では、反応器設備の高さは０．５ｍと７ｍとの間、より好ましくは０．５ｍと３ｍとの間である。反応器設備の高さの例示的な値は、５メータ未満、好ましくは２ｍ未満、更には１ｍ未満の高さである。反応器設備の及び該反応器設備内の構造化触媒の寸法は相互に関連する；当然ながら、圧力シェル及び熱絶縁層は、反応器設備を、構造化触媒自体よりも若干大きなものにする。比較として、工業規模のＳＭＲは、典型的には、管の外表面積を最大化するために、１０ｍ以上の長さを有する触媒管から構成される。本発明は、反応器設備のデザインにおけるこのような拘束が余分である点で有利である。

ここで使用される場合、「構造化触媒を含む反応器設備」という記載は、単一のマクロ構造物を備えた反応器設備に制限することは意図していない。その代わりに、この記載は、一つのマクロ構造物、セラミックコーティング及び触媒活性材料を、並びにこのようなマクロ構造物の配列を備えた構造化触媒の両方を含むことを意図している。

本発明の他の観点の一つは、炭化水素を含むフィードガスの水蒸気改質を触媒するために配置された構造化触媒を収容する圧力シェルを含む反応器設備において、炭化水素を含むフィードガスの水蒸気改質を行うための方法に関する。電気伝導性材料のマクロ構造物を含む構造化触媒、及び前記マクロ構造物はセラミックコーティングを支持する。前記セラミックコーティングは触媒活性材料を担持し、そして反応器設備には、構造化触媒と圧力シェルとの間の熱絶縁材が提供される。該反応器設備には、構造化触媒と圧力シェルとの間の熱絶縁材が提供される。当該方法は、次のステップ：
－炭化水素を含むフィードガスを少なくとも５ｂａｒの圧力に加圧するステップ、
－加圧されたフィードガスを反応器設備に供給するステップ、
－フィードガスを、構造化触媒上で水蒸気改質反応させ、そして反応器設備から生成物ガスを導出するステップ、及び
－圧力シェルの外部に配置された電力供給源を構造化触媒に接続する電導体を介して電力を供給して、マクロ構造物中に電流を流し、それによって構造化触媒の少なくとの一部を少なくとも５００℃の温度に加熱するステップ、
を含む。

該方法は、該反応器設備について概要したものと同様の利点を供する。生成物ガスは合成ガスである。合成ガスは、一酸化炭素及び水素、並びに水蒸気、二酸化炭素及びメタンなどの他の成分を含むガスである。しかし、該方法は、本発明の反応器設備の下流に生成物ガスについて行われる更なるステップ、例えば精製、加圧、加熱、冷却、水性ガスシフト反応などを、用途のための最終の生成物ガスを供するために含んでよい。

フィードガスが、個々のフィードガス、例えば水蒸気、炭化水素ガス、二酸化炭素及び水素を含んでよいこと、及びフィードガスを加圧するステップは、個々のフィードガスを個別に加圧することを含んでよいことを留意すべきである。更に、該方法の各ステップが記載された順番は、二つ以上のステップを同時に行い得るかまたは順番が先に示したものとは異なってもよい点で、方法ステップが行われる順番では必ずしもないことを留意すべきである。

一つの態様では、該方法は、圧力シェルの上流でガスを少なくとも５ｂａｒまでの圧力に加圧するステップを含む。５ｂａｒと１５ｂａｒとの間の設計圧力を有する圧力シェルは、小規模の構成によく適している。より大きな規模の構成のためには、該圧力シェルは、例えば１５ｂａｒ、３０ｂａｒまたは更には５０ｂａｒまでの設計圧を有し得る。１５０ｂａｒまたは２００ｂａｒまでの設計圧力さえも考え得る。

本発明による方法の一つの態様では、反応器設備中に導入されるフィードガスの温度は２００℃と７００℃との間である。外部加熱型ＳＭＲでは、フィードガスの温度は、通常は４５０℃と６５０℃との間の温度に加熱される；しかし、本方法で使用される反応器設備は内部加熱型反応器設備であるので、フィードガスの温度は２００℃までも低くすることができる。しかし、全ての態様において、フィードガスの温度及び圧力は、フィードガスが曇点超となることを保証するために調節される。

本発明の方法の一つの態様では、構造化触媒は、構造化触媒の最大温度が５００℃と１３００℃との間となるように加熱される。好ましくは、構造化触媒の最大温度は７００℃と１１００℃との間、例えば９００℃と１０００℃との間にある。構造化触媒の最大温度は、マクロ構造物の材料に依存する；そのため、マクロ構造物が、（実際の合金に依存して）１３８０℃と１５９０℃との間の温度で溶融するＦｅＣｒ合金製である場合には、最大温度は、融点よりも若干低い温度であるべきであり、例えば、マクロ構造物の融点が約１４００℃である場合には約１３００℃であるのがよい、というのも、融点に近づくと材料が軟質及び延性になるためである。最大温度は、追加的に、コーティング及び触媒活性材料の延性によって制限され得る。

一つの態様では、本発明の方法は、少なくとも一つの導体及び／または継手上に冷却ガスを流すために、圧力シェル中に入口を介して冷却ガスを導入するステップを更に含む。この冷却ガスは、有利には、水素、窒素、水蒸気、二酸化炭素、または少なくとも一つの導体の周りのエリアまたはゾーンを冷却するのに適した任意の他のガスであってよい。フィードガスの一部、例えば二酸化炭素及び／または水蒸気は、冷却ガスとして圧力シェルに供給してよい。

本方法の一つの態様では、構造化触媒の幾何学的表面積に対するガスの流量として評価したガスの空間速度は、０．６Ｎｍ^３／ｍ^２／ｈと６０Ｎｍ^３／ｍ^２／ｈとの間、例えば３Ｎｍ^３／ｍ^２／ｈと１７Ｎｍ^３／ｍ^２／ｈとの間、または９Ｎｍ^３／ｍ^２／ｈと１４Ｎｍ^３／ｍ^２／ｈとの間である。構造化触媒の占有体積に対しては、空間速度は、７００Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈと７００００Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈとの間、例えば３５００Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈと２００００Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈとの間、または１１０００Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈと１６０００Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈとの間である。活性触媒の体積、すなわちセラミックコートの体積に対する空間速度としては、これは６０００Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈと１２０００００Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈとの間である。空間速度のこれらの範囲内での稼働は、望ましい転化率を可能とする。ガスの空間速度は、反応器設備に入るガス、すなわちフィードガス及び冷却ガスの両方の空間速度を指すことを意図したものである点に留意すべきである。

本発明による一つの態様では、該方法は、少なくとも一つの導体及び／または継手上に冷却ガスを流すために、圧力シェル中に入口を介して冷却ガスを導入するステップを更に含む。冷却ガスは任意の適当なガスであってよく；このようなガスの例は水素、窒素、水蒸気、二酸化炭素、またはこれらの混合物である。冷却ガスは、導体（複数可）中を流れそしてそ（れ）らを中から冷却し得る；この場合、こ（れ）らの導体は、そ（れ）らの中を流れる冷却ガスを収容するように中空である必要がある。フィードガスの一部、またはフィードガスと同じ組成のガスを、冷却ガスとして使用してよい。

以下は、添付の図面に示した本発明の態様の詳細な説明である。これらの態様は例であり、本発明を明確に説明するように詳述したものである。しかし、記載の詳細さは、態様の予期されるバリエーションを制限することを意図したものではなく；それとは反対に、添付の特許請求の範囲に定義される本発明の趣旨及び範囲内に該当する全ての変更、等価及び代替を包含することが意図される。

図１ａは、マクロ構造物の配列を含む構造化触媒を備えた本発明の反応器設備の態様の断面を示す。 図１ｂは、圧力シェル及び熱絶縁層の一部を省いた図１ａの反応器設備を示す。 図２は、反応器設備の一部の拡大図である。 図３ａは、構造化触媒を含む本発明の反応器設備の一態様の概略的な横断面を示す。 図３ｂは、構造化触媒を含む本発明の反応器設備の一態様の概略的な横断面を示す。 図４は、上から見た場合のマクロ構造物の配列を備えた構造化触媒の一態様を示す。 図５は、横から見た場合のマクロ構造物の配列を備えた構造化触媒の一態様を示す。 図６は、本発明の反応器設備に使用される構造化触媒の一態様を示す。 図７は、コネクタを備えた構造化触媒の態様を示す。 図８は、コネクタを備えた構造化触媒の態様を示す。 図９ａは、本発明の反応器設備に使用される構造化触媒の一態様を示す。 図９ｂは、構造化触媒に伝達された電気的効果の関数としての、図９ａに示される構造化触媒の電流密度を示す。 図１０ａは、電気絶縁部分を備えた構造化触媒の断面の概略図を示す。 図１１ａは、構造化触媒に伝達された電気的効果の関数としての、温度及び転化率プロフィルを示す。 図１１ｂは、構造化触媒に伝達された電気的効果の関数としての、温度及び転化率プロフィルを示す。 図１２ａは、構造化触媒の長さに沿った温度及びガス組成についてのシミュレーション結果を示す。 図１２ｂは、構造化触媒の長さに沿った温度及びガス組成についてのシミュレーション結果を示す。 図１３は、圧力の関数としての、本発明の反応器設備内の必要最大温度を示す。 図１４は、構造化触媒上での異なるガス流量についての、水蒸気メタン改質反応の平衡までのアプローチ温度（ΔＴ_{ａｐｐ、ＳＭＲ}）のグラフである。

［図面の詳細な説明］
図面全体を通して、同じ参照番号は同じ要素を示す。

図１ａは、本発明による反応器設備１００の一態様の横断面を示す。反応器設備１００は、マクロ構造物５の配列として配置された構造化触媒１０を含む。該配列中の各々のマクロ構造物５は、触媒活性材料で含浸されたセラミックコーティングでコーティングされている。更に、反応器設備１００は、導体４０、４０’を含む、これらは（図示されていない）電力供給源に及び構造化触媒１０に、すなわちマクロ構造物の配列に接続されている。導体４０、４０’は、継手５０を介して、構造化触媒を収容する圧力シェル２０の壁及び圧力シェルの内側上の絶縁材料３０を貫通している。導体４０’は、導体接点レール４１によってマクロ構造物５の配列に接続されている。

一つの態様では、電力供給源は、７０Ｖの電圧及び８００Ａの電流を供給する。他の態様の態様の一つでは、電力供給源は、１７０Ｖの電圧及び２０００Ａの電流を供給する。電流は、電導体４０、４０’を通って導体接触レール４１に導かれ、そしてこの電流は、構造化触媒１０中を通って、一方の導体接点レール４１、例えば図１ａの左側に見える導体接点レールから、他方の導体接点レール４１、例えば図１ａの右側に見える導体接点レールへと流れる。この電流は、交流電流（例えば両方向に交互に流れる）または直流電流（二つの方向のいずれに流れる）のどちらであってもよい。

マクロ構造物５は、電気伝導性材料から作られている。特に好ましいものは、アルミニウム、鉄及びクロムからなるカンタル合金である。構造化触媒５にコーティングされるセラミックコーティング、例えば酸化物は、触媒活性材料で含浸されている。導体４０、４０’は、鉄、アルミニウム、ニッケル、銅、またはそれらの合金などの材料で造られている。

稼働中、フィードガスは、矢印１１に示されるように上方から反応器設備１００中に入り、そして矢印１２によって示されるように反応器設備をそれの底面から出る。

図１ｂは、圧力シェル２０及び熱絶縁層３０の一部を取り除いた図１ａの反応器設備１００を示し、そして図２は、反応器設備１００の一部の拡大図である。図１ｂ及び２では、導体４０’と導体接点レール４１との間の接続が、図１ａの場合よりもより鮮明に示されている。更に、導体４０が、継手５０中で、圧力シェルの壁を貫通していること、及び一方の導体４０が、圧力シェル内で三つの導体４０’に分岐していることが分かる。導体４０’の数は、任意の適当な数、例えば三つよりも少ない数または三つよりも多い数であってよいことに注意すべきである。

図１ａ、１ｂ及び２に示される反応器設備では、導体４０、４０’は、継手５０を介して、構造化触媒を収容する圧力シェル２０の壁と、圧力シェルの内側上の絶縁材料３０を貫通している。水蒸気改質のためのフィードガスは、矢印１１に示されるように反応器設備１００の上側にある入口を介して反応器設備１００中に導入され、そして改質ガスは、矢印１２に示されるように反応器設備１００の底にある出口を介して反応器設備１００を出る。更に、一つ以上の追加的な入口（図１ａ～２には図示せず）が、継手５０の近くにまたは継手５０との組み合わせで有利に存在する。このような追加的な入口は、冷却ガスを、圧力シェル内で少なくとも一方の導体の上を、その周りを、それの近くをまたはそれの内部に流して、継手の加熱を低減することを可能にする。冷却ガスは、例えば、水素、窒素、水蒸気、二酸化炭素またはそれらの混合物であることができる。圧力シェル中に入る時の冷却ガスの温度は例えば１００℃であってよい。

図１ａ～２に示される反応器設備１００では、不活性材料（図１ａ～２では図示なし）が、有利に、構造化触媒１０の下側と、圧力シェルの底との間に存在する。更に、不活性材料が、有利に、マクロ構造物５の構造化触媒１０の外側と、絶縁材料３０との間に存在する。それ故、絶縁材料３０の片側は、圧力シェル２０の内側と面し、そして絶縁材料３０の他方の側は不活材料と面する。この不活性材料は、例えばセラミック材料であり、そしてペレットの形であってよい。該不活性材料は、反応器設備１００にわたっての圧力低下を制御し及び反応器設備１００を通るガスの流れを制御して、ガスが、構造化触媒１０の表面全体に流れることを助ける。

図３ａ及び３ｂは、構造化触媒１０ａを含む本発明による反応器設備１００’、１００’’の一態様の概略的横断面図を示す。この構造化触媒１０ａは、触媒活性材料を担持するセラミックコーティングを備えた単一のマクロ構造物からなることができるか、または二つまたはそれ超のマクロ構造物を含むことできる。反応器設備１００’、１００’’のそれぞれは、圧力シェル２０、及び構造化触媒１０ａと圧力シェル２０との間の熱絶縁層８０を含む。図３ａ及び３ｂでは、不活性材料９０は線陰によって示されている。不活性材料９０は、構造化触媒１０ａと熱絶縁層または圧力シェル２０との間のギャップを埋めるために使用できる。図３ａ及び３ｂでは、不活性材料９０は、点画領域によって示されており；不活性材料９０は任意の適当な形態、例えば不活性ペレットの形であることができ、そして例えばセラミック材料製である。不活性材料９０は、反応器設備中の圧力低下を制御することを助け、及び反応器設備中のガスの流れを制御することを助ける。更に、該不活性材料は、典型的には、熱絶縁効果を有する。

図３ａ及び３ｂからは、反応器設備１００’、１００’’は、更に、構造化触媒１０ａと熱交換関係にある内部管１５を含む。内管１５は、構造化触媒１０ａから生成物ガスを回収し、一つのまたは複数の内管中を流れる生成物ガスが、構造化触媒中を流れるガスと熱交換関係にあるように適合され；しかし、内管１５は、熱絶縁材８０、不活性材料９０、ギャップまたは組み合わせによって構造化触媒１０ａから電気的に絶縁されている。これは、バヨネット型反応器と称されるレイアウトである。このレイアウトでは、内管中の生成物ガスは、マクロ構造物上を流れるプロセスガスを加熱するのを助ける。図３ａ及び３ｂに示されるレイアウトでは、フィードガスが、矢印１１によって示されるように、入口を介して反応器設備１００’、１００’’に入り、そして矢印１３によって示されるように、構造化触媒１０ａ中にそれの第一の端部１０１ａを介して進入する。フィードガスが構造化触媒１０ａ中を通過する際に、これは水蒸気改質反応を受ける。構造化触媒１０ａの第二の端部１０２ａから出るガスは、少なくとも部分的に改質されている。構造化触媒１０ａの第二の端部１０２ａから出る少なくとも部分的に改質されたガス流は、矢印１４によって示されるように内管１５中に進入し、そして矢印１２によって示されるように圧力シェルの出口を通って内管を出る。不活性材料８０が内管１５と構造化触媒１０ａとの間に存在するものの、幾らかの伝熱は、内管１５内のガス及び構造化触媒１０ａ内のガスからまたは構造化触媒１０ａの上流で起こる。図３ａ及び３ｂに示される態様では、フィードガスは、構造化触媒１０ａ中を、構造化触媒の第一の端部１０１ａからそれの第二の端部１０２ａに向かって下方に流れ、次いで内管１５を通って上方に流れるが、構成を上下逆にして、フィードガスが、構造化触媒１０ａ中を上方に流れ、そして内管１５中を下方に流れるようにすることも考えられ得る。この場合、構造化触媒の下端が第一の端部に、そして構造化触媒の上端が第二の端部となる。

図４及び５は、それぞれ上からまたは横から見た時の、マクロ構造物の配列を含む構造化触媒の一態様を示す。図４は、上から見た時の、すなわち図１ａ及び１ｂ中の矢印１１から見た時の、マクロ構造物５の配列を含む構造化触媒１０を示す。この配列は、六つの列、すなわち五つのマクロ構造物５の１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ及び１ｆを有する。各々の列中のマクロ構造物５は、同じ列中のそれの隣のマクロ構造物（複数可）に接続されており、そして各々の列中の二つの最も外側にあるマクロ構造物は、導体接点レール４１に接続されている。マクロ構造体の一つの列中の隣り合うマクロ構造物５は、接続部品３によって互いに接続されている。

図５は、横から見た時の図４のマクロ構造物５の配列を有する構造化触媒１０を示す。図５からは、各々のマクロ構造物５が、図４に見られる横断面に対し垂直に長手方向に延びていることが分かる。各々のマクロ構造物５は、それに切り込まれたスリット６０を、その長手方向に沿って有する（図５参照）。それ故、電力源からエネルギーが供給されると、電流が、導体接点レール４１を介してマクロ構造物５の配列に入り、第一のマクロ構造物５から、スリット６０の下端に至るまで下方に流れ、次いで接続部品３まで上方に向けて流れる。電流は、配列１０中のマクロ構造物５の各々の列１ａ～１ｆ中のそれぞれのマクロ構造物５を通って、下方、上方に対応するジグザグの進路を介して案内される。この構成は、有利に、構造化触媒１０の全体の抵抗を増加させる。

図６は、本発明による構造化触媒１０’の斜視図を示す。構造化触媒１０’は、触媒活性材料で含浸されたセラミックコーティングでコーティングされたマクロ構造物を含む。構造化触媒内には、マクロ構造物５の長手方向（図６において矢印「ｈ」によって示される方向）に沿って延びる流路７０があり；これらの流路は、壁７５によって画定される。図６に示される態様では、壁７５は、矢印１２によって示される流れ方向から見た場合には、複数の平行な正方形の流路７０を画定する。構造化触媒１０’は、上から見た場合には、縁長ｅ１及びｅ２よって画定される、実質的に正方形の周囲を有する。しかし、その周囲は、円形でも他の形状であることもできる。

構造化触媒１０’の壁７５は、マクロ構造体上にコーティングされたセラミックコーティング、例えば酸化物でコーティングされた押出材料からなる。これらの図面では、セラミックコーティングは示されていない。セラミックコーティングは、触媒活性材料で含浸されている。セラミックコーティング、それ故及び触媒活性材料は、構造化触媒１０’内の全ての壁上に存在し、稼働中、これらの壁上をガス流が流れ、そして構造化触媒及び触媒活性材料の加熱された表面と相互作用する。

それ故、水蒸気改質のための反応器設備で使用する間、炭化水素フィードガスは、流路７０中を流れ、そして構造化された触媒の加熱された表面と及びセラミックコーティングによって担持された触媒活性材料と相互作用する。

図６に示される構造化触媒１０’では、スリット６０が、構造化触媒１０’中に切り込まれている。このスリット６０は、この例ではマクロ構造内で下方に次いで上方に、ジグザグのルートを電流に取らせ、それによって、電流の経路を長くし、それ故、抵抗を高めそしてその結果として、マクロ構造物内で消費される熱を増やすものである。マクロ構造物内のスリット６０には、電流が、スリット６０の横方向に流れないことを保証するために、埋設された絶縁材料を供してもよい。

構造化触媒５中の流路７０は、両方の端部で開口している。反応器設備内での構造化触媒の使用では、炭化水素フィードガスが、図１ａ及び１ｂにおいて矢印１１及び１２によって示される方向でユニット内を流れ、そして流路７０の壁７５との接触を介して及び熱放射によって加熱される。この熱は、所望の水蒸気改質プロセスを開始させる。流路７０の壁７５は、例えば０．５ｍｍの厚さを有し、そして壁７５上にコーティングされたセラミックコーティングは、例えば０．１ｍｍの厚さを有する。矢印１１及び１２（図１ａ及び１ｂ）は、炭化水素フィードガスの流れが下方流であることを示しているが、反対の流れ方向、すなわち上方流も考えられる。

図７は、図１ａ及び１ｂの構造化触媒５を、コネクタ７が取り付けられた状態で、傾斜図で示す。コネクタ７はそれぞれ、構造化触媒１０’の一部を導体４０に接続する。導体４０は両方とも電力供給源（図示せず）に接続されている。コネクタ７はそれぞれ、構造化触媒の上部に接続されている。コネクタ４０を電力供給源に接続すると、電流が導体を介して対応するコネクタ７に導かれ、そして構造化触媒１０’中を流れる。スリット６０は、構造化触媒１０’の高さｈに沿ってその長さにわたって横方向（図７の水平方向）の電流の流れを妨げる。それ故、電流は、図７に見られるように下方に、スリット６０に沿った構造化触媒の部分中を流れ、次いで図７に見られるようにスリット６０の下で、長手方向に対し横方向に流れ、そして最後に、電流は、構造化触媒の長手方向で上方に他のコネクタ７へと流れる。図７中のコネクタ７は、中でもスクリュー及びボルトなどの機械的な留め具によって、構造化触媒に機械的固定される。しかし、追加的なまたは代替的な固定手段も考え得る。一つの態様では、電力供給源は、３Ｖの電圧及び４００Ａの電流を供給する。

コネクタ７は、例えば、鉄、アルミニウム、ニッケル、銅、またはこれらの合金などの材料で作られている。

上述の通り、構造化触媒１０’は、触媒活性材料を担持する酸化物などのセラミックコーティングでコーティングされている。しかし、コネクタ７に接続している部分では構造化触媒１０’は、酸化物でコーティングされていないのがよい。その代わりに、構造化触媒のマクロ構造物は、マクロ構造物とコネクタとの間の良好な電気的接続を得るために、コネクタ７に直接接触または接続されているのがよい。

コネクタ７、それ故及び導体４０が、構造化触媒５の同じ端部に、すなわち図７に見られるように上端に接続される場合には、構造化触媒１０’を収容する反応器設備中に入るガスは、コネクタ７及び導体４０を冷却することができるであろう。例えば、このような反応器設備に入る炭化水素ガスは、４００℃または５００℃の温度を有し、それ故、コネクタ７及び導体４０が、この温度よりもかなり高い温度には到達しないようにするであろう。

図８は、コネクタ’’’を備えた構造化触媒１０’の他の態様を示す。構造化触媒１０’は、例えば、図６に示すような構造化触媒である。各コネクタ７’’’は、導体（図示せず）と接続するために、それの上部側に三つの穴を有する。一枚の電気絶縁性材料６１が、構造触媒１０’のスリット６０（図６参照）内にある。

図９ａは、本発明の反応器設備に使用するための構造化触媒１０’’の一態様を示す。図９ａは、構造化触媒１０’’の斜視図を示す。構造化触媒１０’’が、図９ａに示されるように触媒１０’’の長手軸に沿って一つの垂直スリット６０を有することを見て取ることができる。この一つの垂直スリット６０は、構造化触媒の長さの約９０％に沿って、構造化触媒１０’’の頂部からそれの底部まで延びる。この一つの垂直スリット６０は、構造触媒１０’’を半分ずつ二つに分けていると見ることができる。これらの二つの半分はそれぞれ五つの水平スリット６５を有する。垂直スリット６０及び水平スリット６５は、構造化触媒を通るジグザグ経路に電流を導くように機能する。

図９ｂは、構造化触媒１０’’に伝達される電気的効果の関数として、図９ａに示す構造化触媒１０’’の電流密度を示す。図９ｂは、図９ａの構造物の電流分布の、Ｃｏｍｓｏｌソフトウェアでのマルチフィジックス・コンピューテーショナル流体力学シミュレーションの結果である。図９ｂでは、構造化触媒１０’’は横から見ている。二つの導体（図９ｂには図示せず）は、構造化触媒１０’’の左側の上端に接続されている。図９ｂの右部のスケールに記載の電流密度の強度によって示されるように、電力源が構造化触媒１０’’に接続されると、電流は、水平スリットの故にジグザグの形で、それの上端から構造化触媒１０’’の底部への流れ、そしてその裏面に、すなわち図９ｂに見られるようにその紙中に、次いで第二の導体に向けてジグザグ型に上方に流れる。構造化触媒１０’’の温度は、構造化触媒１０’’の端から端まで全体中の電流密度に依存する。電流密度は、構造化触媒１０’’中の水平スリット６５の終点のところで最大となることが図９ｂに見て取ることができる。これらの点は、電流経路が方向を変える点、すなわち構造化触媒１０’’中を流れる電流が、他の方向に向けられるまたは導かれる点である。更に、主な電流経路の電流密度ベクトルは、構造物の８０％超について、前記構造化触媒の長さに平行なノンゼロ成分値を持つことが推論できる。結果として、図９ｂからは、主たる電流経路は、構造化触媒において制御できることが明らかである。この特徴は、構造化触媒内部の温度プロフィルの制御を可能とする。

図１０ａは、電気絶縁部分を備えた構造化触媒の断面の概略図である。図１０は、電気絶縁部分６１’を備えた、本発明の構造化触媒１０’’’の断面の概略図である。電気絶縁部分は、図１０において線陰部として示されている。図１０に示される態様では、電気絶縁部分６１’の三つのピースが、それの長手方向の殆どで構造化触媒１０’’’を横断している。導体７は、図１０に見られるように構造化触媒１０’’’の上側に接続されている。構造化触媒１０’’’の使用の間は、導体７は電力供給源に接続し、そして炭化水素フィードガスを構造化触媒１０’’’と接触させる。それ故、電流は、第一の導体から構造化触媒１０’’’を通ってジグザグ方向に、すなわち第一の導体から下方にそして第一の電気絶縁部分６１’の下側を周って、次いで上方にそして中央の電気絶縁部分６１’の上側を周って、次いで再び下方にそして第三の電気絶縁部分６１’の下側を周って、そして最後に、上方に向かって第二の導体７に流れる。任意の数の電気絶縁部分６１’を考え得ることに注意すべきである。電気絶縁部分６１’は固形の電気絶縁材料、例えばガラスであり、そしてこれらは、マクロ構造物中のカットまたはスリット中に供給される。電気絶縁部分６１’は、電気絶縁部分６１’の両側のマクロ構造物の部分が互いから隔離されることを保証する。この態様では、本発明の全ての態様と同様に、ガスの流れ方向は、構造化触媒中を通る電流の方向と同じであってよいか、または異なっていてもよいことに留意すべきである。図１０の態様では、ガスの流れ方向は、例えば、構造化触媒１０’’’の上側から構造化触媒１０’’’の底部に向かい；それ故、電流の流れは、構造化触媒１０’’’の一部でのみ、ガスの流れ方向と同じであり、電流の流れは一部ではガスの流れ方向に対して横方向であり、そして一部では反対（上方）である。

図１１ａ及び１１ｂは、構造化触媒に伝達された電気的効果の関数としての温度及び転化プロフィルを示す。図１１ａは、外側の壁／側面によって画定される構造化触媒の長さが１２ｃｍ及び容積が１０８ｃｍ^３であり及び図６に示す構成を有するベンチスケール反応器設備であって、Ｃｕ導体が、第一の端部において対向する側でモノリスの最初の２ｃｍに溶接されたベンチスケール反応器設備の実験室試験の結果である。圧力シェルの圧力は３．５ｂａｒであり、反応器設備へのフィードガス入口の温度は約２００℃であった。フィードガスの組成は３１．８％ＣＨ_４、２．４％Ｈ_２、６５．８％Ｈ_２Ｏであり、そして全ガス流量は１０２．２Ｎｌ／ｈであった。この比較的小さな規模での高いエネルギー損失のために、図１１ａのグラフが基づく小さい規模の実験条件よりも、エネルギーバランスは大きな規模でのほうが実質的に良好である点に留意するべきである。しかし、電力を高めると、メタンの転化率及び温度の両方が高まることは図１１ａから明らかである。温度は９００℃超に達し、そしてメタン転化率は９８％超に達する。

図１１ｂは、先に記載したものと類似するが、２１ｂａｒの圧力で行った実験を示す。この場合もまた、電力を高めると、メタンの転化率及び温度の両方が高まることは図１１ｂから明らかである。温度は１０６０℃超に達し、そしてメタン転化率は９５％超に達する。

図１２ａ及び１２ｂは、構造化触媒の長さに沿った温度及びガス組成のシミュレーション結果を示す。構造化触媒の単一の流路がシミュレートされる。このシミュレーションの、それ故、単一の流路の構造化触媒の長さは１０ｃｍである。圧力シェル／構造化触媒／流路内の条件は次の通りである：
・圧力：２９ｂａｒｇ
・Ｔ入口：４６６℃
・全流量：３０Ｎｌ／ｈ
・反応器／流路中へのフィードガス入口の組成：３１．８％メタン、８．８％水素、２．３％二酸化炭素、及び５７．１％水蒸気。

図１２ａでは、流路の壁の温度はＴｗによって示され、そして流路の中央における温度はＴｃによって示される。Ｔｗ及びＴｃは、グラフの右側のスケールから読み取られる。メタン転化率はＣｃによって示され、そしてグラフの左側のスケールから読み取られる。

図１２ａからは、構造化触媒中の流路の壁の温度が、構造化触媒の長さのほぼ全てに沿って連続的に高まることが分かる。温度は構造化触媒の第一の端部（ｚ＝０ｃｍ）では約４８０℃であり、構造化触媒の第二の端部（ｚ＝１０ｃｍ）では約１０２０℃である。温度の上昇は、構造化触媒の最初の１０％で最も急激であり、そして構造化触媒の長さの最後の数パーセントにおいてのみ、温度がそれほど変化しなくなる。それ故、電流が、図１～９ａにおいて構造化触媒の第二の端部で下方への流れから上方への流れへと転向すると、構造化触媒の流路の壁の温度は、ｚ値を大きくしても実質的に変化しない。しかし、図１２ａは、流路の中央の温度が、構造化触媒の全長に沿って高まり続けることも示している。ただし、流路の中央の温度は、構造化触媒の長さの最初の５～７％では実質的に一定であることに留意すべきである。これは、構造化触媒中へのガス入口は、構造化触媒の第一の端部の付近で構造化触媒を冷却するため及び壁から流路の中央への熱エネルギーの伝達の遅れのためである。

図１２ａには、構造化触媒の流路の中央でのメタンの転化率も示されている。流路の長さの最初の１０～１２％では転化率はゼロに近いこと、及び転化率が次いで単調に増加しそして約８５％の値に達することを見て取ることができる。先に記載した通り、小規模の反応器及びそれのシミュレーションは最善ではなく、実際の規模の反応器設備ではかなりより高い転化率を達成できる。しかし、シミュレーションは、構造化触媒全体中の転化速度及び温度の傾向についての情報を提供する。

図１２ｂは、図１２ａの構造化触媒の流路内の主たる活性ガスの分圧を示す。図１２ｂからは、水蒸気及びメタンの分圧は、構造化触媒の流路の長さに沿ってかなり低下し、他方で、水素及び一酸化炭素の分圧はかなり増加することが明らかである。更に、二酸化炭素の分圧は、構造化触媒の長さに沿って僅かに増加するが、逆水性ガスシフト反応が熱力学的に優勢する最高温度に近づくと減少する。

図１３は、３０．０８％ＣＨ_４、６９．１８％Ｈ_２Ｏ、０．０９％Ｈ_２、０．４５％ＣＯ_２、０．０３％Ａｒ、０．０２％ＣＯ、０．１５％Ｎ_２からなるフィードガスを、水蒸気メタン改質平衡のアプローチ温度１０℃で、８８％のメタン転化率まで水蒸気改質する間の、約３０ｂａｒ～約１７０ｂａｒの圧力について圧力の関数としての本発明の反応器設備内の必要最大温度を示す。必要最大温度は、ルシャトリエの原理の故に圧力と共に高まる。これは、本発明で使用できる高温が、慣用のＳＭＲ、すなわち管の外部加熱が約９５０℃を超える温度を妨げるＳＭＲで使用される圧力よりもかなり高い圧力を使用することを可能にすることを示す。９５０℃の温度は、図１３において２７ｂａｒｇに相当する。本発明の反応器設備では、例えば１１５０℃の最大温度を使用でき、これは、先に示したものと同じメタン転化率で１４６ｂａｒｇまでの圧力を可能にする。

図１４は、構造化触媒を通る異なるガス流量について、水蒸気メタン改質反応の平衡までのアプローチ温度（ΔＴ_{ａｐｐ、ＳＭＲ}）のグラフである。図１４は、構造化触媒を通る所与のガス流量では、フィードガスが平衡から遠いために、構造化触媒を収容する反応器設備中に入る時の平衡までのアプローチ温度が１６０～１７５℃の範囲であることを示す。炭化水素ガスが構造化触媒中を流れるとき、平衡までのアプローチ温度は、触媒反応のために低下する。図１４は、１００００Ｎｍ^３／ｈ～２０００００Ｎｍ^３／ｈのガス流量について、平衡までのアプローチ温度（ΔＴ_{ａｐｐ、ＳＭＲ}）を示す。最も低いガス流速である１００００Ｎｍ^３／ｈでは、平衡までのアプローチ温度は、反応器設備の長さの約１３％で１０℃未満となる。ここで、反応器設備の長さは、流れの方向における構造化触媒の外側の高さと見られるため、構造化触媒１０の反応器設備の長さは図６の態様では約１ｈである。より速いガス流速では、平衡までのアプローチ温度は、ガス流速が速ければ速いほど高くなり、そのため、２０００００Ｎｍ^３／ｈのガス流速では、平衡までのアプローチ温度は、８０℃の直ぐ下の最小値に達する。

図１４における全ての曲線の一般的な傾向は、構造化触媒に入るところから、加えられた熱と消費された熱とがおおよそ互いに等しくなる擬似的な平衡に達するまで、平衡までのアプローチ温度が連続的に低くなっていく点にある。このステージからの平衡までのアプローチ温度は実質的に一定であるか、または反応器設備の全体的な上昇する温度の故に僅かに上昇する展開を見せる。例えば１５００００Ｎｍ^３／ｈの流速では、平衡までのアプローチ温度は、反応器設備の長さの約８０％で６０℃未満になるが、その後、約６０℃まで連続的に上昇する。

これらの図面に示される構造化触媒は、ｚ軸に対して垂直に見ると正方形の断面の流路を有するものとして示されているが、これらの流路の断面には任意の形状が考え得ることに留意すべきである。それ故、構造化触媒の流路は、代替的に、例えば三角形、六角形、八角形または円形であることもでき、この場合、三角形、正方形及び六角形の平常が好ましい。

本発明を、様々な態様及び例を記載することで説明し、これらの態様及び例はかなり詳細に記載したが、添付の特許請求の範囲をこのような詳細な記載に減縮または如何様にも限定することは本出願人の意図ではない。追加の利点及び変更は当業者には明らかであろう。それ故、本発明は、その広範な観点では、記載の具体的なディテール、代表的な方法及び実例には限定されない。応じて、本出願の一般的な発明的思想の趣旨または範囲から外れることなく、このようなディテールからの逸脱が可能である。

以下に記載の全ての例は、小型の反応器設備に関連する。これは、該反応器設備が、電力源により電力が供給された時に高い熱流束を有する小型のマクロ支持体の形の小型の構造化触媒を含む故に可能である。更に、構造化触媒の寸法は比較的自由に選択でき、そのため構造化触媒は、外形がほぼ立方形であってよく、または高さよりも幅広であってよい。

以下の例は全て、２８ｂａｒ～１８２ｂａｒの範囲の高圧の稼働条件を記載する。このような高圧は、該反応器設備の構成によって可能になる、というのも、該反応器設備内の構造化触媒は、電力源により電力が供給された時に高い熱流束を有し、ある程度は圧力シェルから熱絶縁され、そして構造化触媒を通した圧力低下は、ＳＭＲと比べて非常に低いからである。構造化触媒は、該反応器設備内で最も高い温度を得、他方、圧力シェルは、構造化触媒と圧力シェルとの間の熱絶縁の故にかなりより低い温度を有する。理想的には、圧力シェルの温度は５００℃を超えない。３０ｂａｒ以上の高圧を有する生成物ガスが必要な場合には、反応器設備を出る生成物ガスは、多くの場合に、コンプレッサを使用せずに直接使用することができる。これは、本発明の反応器設備の上流でフィードガスを加圧し得る故である。フィードガスの加圧は、生成物ガスの加圧よりも必要なエネルギーが少ない、というのも、水蒸気改質反応が分子を正味で製造するために、供給物の体積は、生成物ガスよりも小さいからである。追加的に、フィードガス成分のうちの一つは、ポンプ輸送してよく、これは、ガス圧縮と比べてエネルギー必要量がかなり少ない。

以下に記載の全ての例において、フィードガスは反応器設備に入り、そしてそれに収容されている構造化触媒中を流れる。反応器設備の熱絶縁層が熱絶縁材料である場合は、この熱絶縁材料は、典型的には、構造化触媒と圧力シェルとの間の、圧力シェルの壁に沿った空間の殆どを占めており、そうして、フィードガスが、途中で圧力シェルを通ってマクロ構造物の壁に沿って流れるようになる。

以下の例（比較例は除く）は全て、構造化触媒を備えた反応器設備に関係する。これらの例に記載の構造化触媒は、一つ以上のマクロ構造物を含む。以下の例の一つ以上のマクロ構造物は、全て、触媒活性材料を担持するセラミックコーティングを支持している。有利には、該マクロ構造物の実質的に全ての表面が、触媒活性材料を担持するセラミックコーティングを支持するが；接続点、例えば二つの隣接するマクロ構造物間の接続点またはマクロ構造物と導体との間の接続点では、導体とマクロ構造物との間の接続を容易にするために、マクロ構造物はセラミックコーティングを持たなくてもよい。

例１：
本発明の方法の例示的な計算を以下の表１に示す。フィードガスを本発明の反応器設備に供給する。反応器設備に入るこのフィードガスは、２８ｋｇ／ｃｍ^２・ｇの圧力まで加圧され、そして５００℃の温度を有する。反応器設備内部では、正方形の断面を有する９個のマクロ構造物を備えた構造化触媒が一つの配列として設置されており、そして各々のマクロ構造物は０．５３×０．５３×２．３メートルのサイズを有する。各々のマクロ構造物は追加的に、０．３２ｃｍの辺長または縁長を有する正方形の断面を有する１７７７８個の流路を有する。各々のマクロ構造物は、それの長手方向に平行なスリットを有し、そうして、５×５流路のクラスターが形成される。これらのクラスターは、端部は除いて、隣のクラスターから個々に絶縁されており、それ故、マクロ構造物中を通る電流の経路はジグザグの経路である。構造化触媒を、それ故、及び構造化触媒中を流れるガスを加熱するために、２００Ａの電流及び約５．５ｋＶの電圧を、本発明の反応器設備中の各々のマクロ構造物に供する。これは、構造化された触媒への９８９９ｋＷの電力の供給に相当する。

この構成における反応器設備は、球形の頭部を有するシリンダ型の反応器設備として作られている場合には、全体的な内径が３．２ｍ、全内高が５．５ｍであることができる。この特定の構成では、マクロ構造物は、２．３ｍの対角線長を有する正方形配位（ｓｑｕａｒｅ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）で設置される。比較例は除くここに記載の全ての例において、圧力シェルに隣接する絶縁材料までのギャップを閉じるために不活性材料が構造化触媒の周りに配置される。例１の絶縁材料は、内径２．５ｍ及び厚さ０．３５ｍのシリンダ状の形を持つ。

フィードガスが反応器設備中を流れる間、このフィードガスは構造化触媒によって加熱され、そして水蒸気改質されて、９６３℃の出口温度を有する生成物ガスを与える。

例２：
本発明の方法の例示的な計算を以下の表２に示す。フィードガスを本発明の反応器設備に供給する。反応器設備に入るこのフィードガスは、２８ｋｇ／ｃｍ^２・ｇの圧力まで加圧され、そして５００℃の温度を有する。反応器設備内部では、正方形の断面を有する一つのマクロ構造物の形の構造化触媒が設置されており、そしてこのマクロ構造物は０．４×０．４×０．３５メートルのサイズを有する。マクロ構造物は追加的に、０．３２ｃｍの辺長または縁長を有する正方形の断面を有する１００００個の流路を有する。マクロ構造物は、それの長手方向に平行なスリットを有し、そうして、５×５流路のクラスターが形成される。これらのクラスターは、端部は除いて、隣のクラスターから個々に絶縁されており、それ故、マクロ構造物中を通る電流の経路はジグザグの経路である。構造化触媒を、それ故、及び構造化触媒中を流れるガスを加熱するために、２００Ａの電流及び約５００Ｖの電圧を、本発明の反応器設備中のマクロ構造物に供する。これは、構造化された触媒への９９ｋＷの電力の付与に相当する。

この構成における反応器設備は、球形の頭部を有するシリンダ型の反応器設備として作られている場合には、全体的な内径が１．２ｍ、全内高が１．５ｍであることができる。この具体的な構成では、構造化触媒は０．６ｍの対角線長を有する。０．６ｍの内径及び０．３ｍの厚さを有する絶縁材料までのギャップを閉じるために、不活性材料が構造化触媒の周りに配置される。

フィードガスが反応器設備中を流れる間、このフィードガスは構造化触媒によって加熱され、そして水蒸気改質されて、９６３℃の出口温度を有する生成物ガスを与える。

例３：
本発明の方法の例示的な計算を以下の表３に示す。フィードガスを本発明の反応器設備に供給する。反応器設備に入るフィードガスは、９７ｂａｒに、すなわち９７ｋｇ／ｃｍ^２の圧力に加圧され、そして５００℃の温度を有する。

反応器設備内には、正方形の断面を有する９個のマクロ構造体を含む構造化触媒が、一つの配列として設置されており、そして各々のマクロ構造体は０．５３×０．５３×２．３メータのサイズを有する。各々のマクロ構造物は追加的に、０．３２ｃｍの辺長または縁長を有する正方形の断面を有する１７７７８個の流路を有する。各々のマクロ構造物は、それの長手方向に平行なスリットを有し、そうして、５×５流路のクラスターが形成される。これらのクラスターは、端部は除いて、隣のクラスターから個々に絶縁されており、それ故、マクロ構造物中を通る電流の経路はジグザグの経路である。構造化触媒を、それ故、及び構造化触媒中を流れるガスを加熱するために、２００Ａの電流及び約５．５ｋＶの電圧を、本発明の反応器設備中の各々のマクロ構造物に供する。これは、構造化された触媒への９８９９ｋＷの電力の付与に相当する。

この構成における反応器設備は、球形の頭部を有するシリンダ型の反応器設備として作られている場合には、全体的な内径が３．２ｍ、全内高が５．５ｍであることができる。この具体的な構成では、マクロ構造物は、２．３ｍの対角線長を有する正方形配位に設置されている。２．５ｍの内径及び０．３５ｍの厚さを有する絶縁材料までのギャップを閉じるために、不活性材料が構造化触媒の周りに配置される。

フィードガスが反応器設備中を流れる間に、フィードガスは構造化触媒によって加熱され、そして水蒸気改質されて、１１１５℃の出口温度を有する生成物ガスを与える。表３からは、フィードガス及び生成物ガスの全流量が、例１と比べると例３においてより少ないことが分かる。

反応器設備を出る生成物ガスは９７ｂａｒまで加圧されるので、高圧生成物ガスが必要な場合には、反応器設備の下流においてコンプレッサは必要とされない。これは、本発明の反応器設備を備えるプラントの全体的なコストを低下させる。

例４：
本発明の方法の例示的な計算を以下の表３に示す。フィードガスを本発明の反応器設備に供給する。反応器設備に入るフィードガスは、２８ｂａｒに、すなわち２８ｋｇ／ｃｍ^２の圧力に加圧され、そして５００℃の温度を有する。

反応器設備内には、正方形の断面を有する２５個のマクロ構造物を含む構造化触媒が、一つの配列として設置されており、そして各々のマクロ構造物は０．２４×０．２４×０．９メータのサイズを有する。追加的に、各々のマクロ構造物は、長さが０．３３ｃｍの辺長または縁長を有する正方形の断面を有する３６００個の流路を有する。各々のマクロ構造物は、それの長手方向に対して平行なスリットを有し、１０×１０流路のクラスターが形成されている。これらのクラスターは、端部は除いて、隣のクラスターから個々に絶縁されており、それ故、マクロ構造物中を通る電流の経路はジグザグの経路である。構造化触媒を、それ故、及び構造化触媒中を流れるガスを加熱するために、１５００Ａの電流及び約２６０Ｖの電圧を、本発明の反応器設備中の各々のマクロ構造物に供する。これは、構造化された触媒への９８９９ｋＷの電力の付与に相当する。

この構成における反応器設備は、球形の頭部を有するシリンダ型の反応器設備として作られている場合には、全体的な内径が２．３ｍ、全内高が３．２ｍであることができる。この具体的な構成では、マクロ構造物は、１．７ｍの対角線長を有する正方形配位に設置されている。１．８ｍの内径及び０．２５ｍの厚さを有する絶縁材料までのギャップを閉じるために、不活性材料が構造化触媒の周りに配置される。

フィードガスが反応器設備中を流れる間に、フィードガスは構造化触媒によって加熱され、そして水蒸気改質されて、９６３℃の出口温度を有する生成物ガスを与える。表４からは、例４の構造化触媒は、より多い電流の故に、例１及び３で使用されるものよりも、若干小さいことが分かる。フィードガス及び生成物ガスの全流量は例１の流量に相当する。

例５：
本発明の方法の例示的な計算を以下の表４に示す。フィードガスを本発明の反応器設備に供給する。反応器設備に入るフィードガスは、１８２ｂａｒに加圧され、そして５００℃の温度を有する。

反応器設備内には、正方形の断面を有する９個のマクロ構造物を含む構造化触媒が、一つの配列として設置されており、そして各々のマクロ構造体は０．５３×０．５３×２．３メータのサイズを有する。各々のマクロ構造物は追加的に、０．３２ｃｍの辺長または縁長を有する正方形の断面を有する１７７７８個の流路を有する。各々のマクロ構造物は、それの長手方向に平行なスリットを有し、そうして、５×５流路のクラスターが形成される。これらのクラスターは、端部は除いて、隣のクラスターから個々に絶縁されており、それ故、マクロ構造物中を通る電流の経路はジグザグの経路を有する。構造化触媒を、それ故、及び構造化触媒中を流れるガスを加熱するために、２００Ａの電流及び約５．５ｋＶの電圧を、本発明の反応器設備中の各々のマクロ構造物に供する。これは、構造化された触媒への９８９９ｋＷの電力の付与に相当する。

この構成における反応器設備は、球形の頭部を有するシリンダ型の反応器設備として作られている場合には、全体的な内径が３．２ｍ、全内高が５．５ｍであることができる。この具体的な構成では、マクロ構造物は、２．３ｍの対角線長を有する正方形配位に設置されている。２．５ｍの内径及び０．３５ｍの厚さを有する絶縁材料までのギャップを閉じるために、不活性材料が構造化触媒の周りに配置される。

フィードガスが反応器設備中を流れる間に、フィードガスは構造化触媒によって加熱され、そして水蒸気改質されて、１２３６℃の出口温度を有する生成物ガスを与える。フィードガス及び生成物ガスの全流量は、例１及び４におけるガスの全流量よりも少ない。

反応器設備を出る生成物ガスは既に１８１ｂａｒの圧力に加圧されるので、これは、更に加工することなく、例えば精製プラントの水素化処理装置に導入するのに適している。それ故、該反応器設備と精製プラントの水素化処理装置との間にコンプレッサは必要とされない。これは、本発明の反応器設備を備えるプラントの全体的なコストを低下させる。

例６
例６は、断面における一つの流路の全壁長がそれぞれ０．００６２８ｍ、長さが２ｍの合計で７８５４０個の流路を有し、それ故、触媒表面の全表面積が９８７ｍ^２である構造化触媒の形の構造化触媒を含む反応器設備に関連する。この構造化触媒を備えた反応器設備について、構造化触媒を通る様々なガス流量を用いたシミュレーションを行った。ここで、全ての計算においてガス組成は、８．８％Ｈ_２、５６．８％Ｈ_２Ｏ、０．２％Ｎ_２、０．１％ＣＯ、２．３％ＣＯ_２、及び３１．８％ＣＨ_４であった。各々のシミュレーションにおいて、水蒸気改質及び水性ガスシフトのための動力学モデルを使用し、そして電気加熱された構造化触媒からのエネルギーの表面フラックス（Ｑ）を、構造化触媒を収容する反応器設備からの生成物ガスの出口温度が９２０℃に調節されるように変化させた。使用した動力学モデルは、Ｘｕ及びＦｒｏｍｅｎｔ（Ｊ．Ｘｕ及びＧ．Ｆ．Ｆｒｏｍｅｎｔ，Ｍｅｔｈａｎｅ ｓｔｅａｍ ｒｅｆｏｒｍｉｎｇ，ｍｅｔｈａｎａｔｉｏｎ ａｎｄ ｗａｔｅｒ－ｇａｓ ｓｈｉｆｔ：Ｉ．ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｋｉｎｅｔｉｃｓ．Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ Ｊｏｕｒｎａｌ，３５：８８－９６，１９８９（非特許文献１））によって使用されたアプローチと類似するものであった。図１４は、様々な全流量での、反応器設備長に沿った平衡までのアプローチ温度を示す。この図は、少ない流量（１００００Ｎｍ^３／ｈ）では、反応器設備の出口での平衡までのアプローチ温度は５℃未満であり、これは結果として７７％の炭化水素転化率となり、他方、多い流量（１５００００Ｎｍ^３／ｈ）では、平衡までのアプローチ温度は６０℃超であり、これは僅か６４％の炭化水素転化率に相当し、それ故、炭化水素は低い効率で使用される。それ故、本発明における熱流束の緻密な制御は、反応器設備の長さに沿って平衡までのアプローチ温度を緻密に制御することを可能にする。図１４における全ての曲線の一般的な傾向は、加えられた熱と消費された熱とがおおよそ互いに等しくなる擬似的な平衡に達するまで、平衡までのアプローチ温度が連続的に低くなっていく点にある。このステージからの平衡までのアプローチ温度は実質的に一定であるか、または反応器設備の全体的に上昇する温度の故に僅かに上昇する展開を見せる。

例７（比較例）
複数の同じ管を備えたＳＭＲを用意する。各々の管は、１０ｃｍの内径及び１３ｍの長さを有する。ＳＭＲ管への全熱流束は、（管の内面の表面積に基づいて）９０，０００ｋｃａｌ／ｈ／ｍ^２の平均熱流束に調節し、これは、約１０５ｋＷ／ｍ^２に相当する。各々の管には触媒ペレットが充填されている。これらの触媒ペレットの寸法は、６０％の空隙率が得られるように調節される。このような構成は、フィードガスが８．８％の水素、５６．８％の水、０．２％の窒素、０．１％の一酸化炭素、２．３％の二酸化炭素及び３１．８％のメタンの組成を有する場合には、ＳＭＲ中の一つの管あたりで約４１０Ｎｍ^３／ｈのプロセスガスを処理すること可能にする。

その結果、次のようになる：
・全内部管容積（管の内表面及び管の高さによって規定される容積）：０．１０２１ｍ^３
・触媒材料によって占められる内部管容積：０．０４０８ｍ^３
・内部反応器設備単位容積あたりの触媒材料で占められた内部管容積の全量：０．４ｍ^３／ｍ^３
・管内部に供給されるエネルギーの全量：４２７．４ｋＷ
・単位管内部容積あたりの管の内部に供給されるエネルギー量：４１８６ｋＷ／ｍ^３
・反応器触媒体積あたりの被処理ガス：４０１５Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈ

例８
本発明による反応器設備を用意する。幾何学的表面積が８００ｍ^２／ｍ^３である構造化触媒を用意する。この表面積の９５％は、触媒活性材料を有するセラミックコーティングで覆われている。このセラミックコーティングは０．１ｍｍの厚さを有する。構造化された触媒の表面積ｍ^２あたり９ｋＷの電力を供給する。このような反応器は、フィードガスが８．８％の水素、５６．８％の水、０．２％の窒素、０．１％の一酸化炭素、２．３％の二酸化炭素及び３１．８％のメタンの組成を有する場合には、構造化触媒の体積に対して約７７００Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈを処理できる。

その結果、次のようになる：
・構造化触媒体積あたりの構造化触媒に供給されるエネルギー量：７２００ ｋＷ／ｍ^３
・内部反応器設備単位容積あたりの触媒で占められた内部反応器設備容積の全量：０．０７６ｍ^３／ｍ^３
・反応器触媒体積あたりの被処理ガス：１０１３１５Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈ
例７と比較することによって、内部反応器設備容積を、かなりよりコンパクトにできることが分かる。加えて、本発明による反応器設備では、炉は必要ではないため、反応器の大きさが実質的に小さくなる。

更に、触媒活性材料の量は、従来技術と比べると、かなり減少される。
本願は特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、本願の開示は以下も包含する：
１． 炭化水素を含むフィードガスの水蒸気改質を行うための反応器設備であって、
－炭化水素を含む上記フィードガスの水蒸気改質を触媒するために配置された構造化触媒、但し、前記構造化触媒は、電気伝導性材料のマクロ構造物を含み、前記マクロ構造物はセラミックコーティングを支持し、ここで前記セラミックコーティングは触媒活性材料を担持し；
－前記構造化触媒を収容する圧力シェル、但し、前記圧力シェルは、前記フィードガスを導入するための入口及び生成物ガスを導出するための出口を含み、ここで前記入口は、前記フィードガスが前記構造化触媒の第一の端部において前記構造化触媒に入り、そして前記生成物ガスが前記構造化触媒の第二の端部から前記構造化触媒を出るように、配置されており；
－前記構造化触媒と前記圧力シェルとの間の熱絶縁層；及び
－前記構造化触媒と、前記圧力シェルの外側に配置された電力供給源とに電気的に接続された少なくとも二つの導体、但し、前記電力供給源は、前記マクロ構造物中に電流を流すことによって、前記構造化触媒の少なくとも一部を少なくとも５００℃の温度に加熱するように寸法決めされており、ここで、前記の少なくとも二つの導体は、前記構造化触媒の前記第二の端部に対してよりも前記構造化触媒の前記第一の端部の方に近い構造化触媒上の位置において構造化触媒に接続されており、及び構造化触媒は、一つの導体から実質的に構造化触媒の第二の端部に電流を流し、そして前記の少なくとも二つの導体のうちの第二の導体に電流が戻るように構成されている、
前記反応器設備。
２． 圧力シェルが５ｂａｒと３０ｂａｒとの間の設計圧力を有する、前記１．に記載の反応器設備。
３． 圧力シェルが３０ｂａｒと２００ｂａｒとの間、好ましくは８０ｂａｒと１８０ｂａｒとの間の設計圧力を有する、前記１．に記載の反応器設備。
４． マクロ構造物の抵抗が１０ ^－５ Ω・ｍと１０ ^－７ Ω・ｍとの間である、前記１．～３．のいずれか一つに記載の反応器設備。
５． 前記少なくとも二つの導体が圧力シェルから電気的に絶縁されるように、前記少なくとも二つの導体のそれぞれが継手中で圧力シェルを貫通している、前記１．～４．のいずれか一つに記載の反応器設備。
６． 前記圧力シェル内において少なくとも一つの導体上に、その周りに、それの近くにまたはそれの内部に冷却ガスを流すことができるように、前記圧力シェルが、少なくとも一つの継手の近くにまたはそれと組み合わせて一つ以上の入口を更に含む、前記５．に記載の反応器設備。
７． 構造化触媒と熱交換関係にあるが、但しそれから電気的に絶縁されている内部管を更に含み、但し、前記内部管は、内部管中を流れる生成物ガスが構造化触媒中を流れるガスと熱交換関係にあるように、構造化触媒から生成物ガスを回収するように適合されている、前記１．～６．のいずれか一つに記載の反応器設備。
８． 構造化触媒と前記の少なくとも二つの導体との間の接続が、機械的接続、溶接接続、ろう付け接続またはこれらの組み合わせである、前記１．～７．のいずれか一つに記載の反応器設備。
９． マクロ構造物が、押出及び焼結された構造物であるか、または３Ｄ印刷及び焼結された構造物である、前記１．～８．のいずれか一つに記載の反応器設備。
１０． 構造化触媒が、互いに電気的に接続されたマクロ構造物の配列を含む、前記１．～９．のいずれか一つに記載の反応器設備。
１１． 前記構造化触媒が、前記の少なくとも二つの導体の間の主たる電流経路を構造化触媒の最も大きな寸法を超える長さに延長するために配置された電気絶縁部分を有する、前記１．～１０．のいずれか一つに記載の反応器設備。
１２． 前記構造化触媒が、前記構造化触媒の長さの少なくとも７０％においては、主たる電流経路の電流密度ベクトルが前記構造化触媒の長さに平行なノン－ゼロ成分値を有することを保証するために前記構造化触媒中に電流を導くために配置された少なくとも一つの電気絶縁部分を有する、前記１．～１１．のいずれか一つに記載の反応器設備。
１３． 前記マクロ構造物が、複数の平行な流路、複数の非平行な流路、及び／または複数の迷路状流路を有する、前記１．～１２．のいずれか一つに記載の反応器設備。
１４． 前記圧力シェル内で前記構造化触媒の上流に第二の触媒材料の床を更に含む、前記１．～１３．のいずれか一つに記載の反応器設備。
１５． 前記構造化触媒の流路中に充填された触媒ペレット、押出物またはグラニュールの形の第三の触媒材料を更に含む、前記１２．～１４．のいずれか一つに記載の反応器設備。
１６． 圧力シェル内にかつ構造化触媒の下流に配置された第四の触媒材料の床を更に含む、前記１．～１５．のいずれか一つに記載の反応器設備。
１７． マクロ構造物の材料が、材料の抵抗加熱によって５００～５００００Ｗ／ｍ ^２ の熱流束を発生するように配置された材料として選択される、前記１．～１６．のいずれか一つに記載の反応器設備。
１８． 構造化触媒が、第一の熱流束を発生させるために配置された第一の部分、及び第二の熱流束を発生させるために配置された第二の部分を含み、但し、第一の熱流束は第二の熱流束よりも小さく、及び第一の部分は第二の部分よりも上流にある、前記１．～１７．のいずれか一つに記載の反応器設備。
１９． 圧力シェルを出るガスの温度が所定の範囲内にあることを保証するために及び／またはフィードガス中の炭化水素の転化率が所望の範囲内にあることを保証さるために及び／またはメタンの乾燥モル濃度が所定の範囲内にあることを保証するために及び／または水蒸気改質反応の平衡までのアプローチ温度が所定の範囲内にあることを保証するために電力供給を制御するように配置された制御システムを更に含む、前記１．～１８．のいずれか一つに記載の反応器設備。
２０． 前記反応器設備内の構造化触媒において、構造化触媒の水平断面の面積相当径と構造化触媒の高さとの間の比率が０．１～２．０の範囲である、前記１．～１９．のいずれか一つに記載の反応器設備。
２１． 反応器設備の高さが０．５ｍと７ｍとの間、より好ましくは０．５ｍと３ｍとの間である、前記１．～２０．のいずれか一つに記載の反応器設備。
２２． 反応器設備中で、炭化水素を含むフィードガスの水蒸気改質を行うための方法において、但し、前記反応器設備は、炭化水素を含むフィードガスの水蒸気改質を触媒するために配置された構造化触媒を収容する圧力シェルを含み、前記構造化触媒は、電気伝導性材料のマクロ構造物を含み、前記マクロ構造物はセラミックコーティングを支持しており、ここで、前記セラミックコーティングは触媒活性材料を担持し及び前記反応器設備には、前記構造化触媒と前記圧力シェルとの間に熱絶縁材が供されている方法であって、次のステップ：
－炭化水素を含むフィードガスを少なくとも５ｂａｒの圧力に加圧するステップ、
－前記フィードガスが、上記構造化触媒の第一の端部において前記構造化触媒に入るように配置された入口を介して、前記加圧されたフィードガスを前記圧力シェルに供給して、構造化触媒上でフィードガスに水蒸気改質反応を起こさせ、及び生成物ガスを前記圧力シェルから導出させ、但し、前記生成物ガスは、前記構造化触媒の第二の端部から前記構造化触媒を出るステップ、
－前記圧力シェルの外側に配置された電力供給源を前記構造化触媒と接続する少なくとも二つの電導体を介して電力を供給して、電流を前記マクロ構造物中に流し、それによって構造化触媒の少なくとも一部を少なくとも５００℃の温度に加熱し、但し、前記少なくとも二つの導体は、前記構造化触媒の前記第二の端部に対してよりも前記構造化触媒の前記第一の端部の方に近い構造化触媒上の位置において構造化触媒に接続されており、及び構造化触媒は、一つの導体から実質的に構造化触媒の第二の端部に電流を流し、そして前記の少なくとも二つの導体のうちの第二の導体に電流が戻るように構成されている、ステップ、
を含む、前記方法。
２３． フィードガスを圧力シェルの上流で５ｂａｒと３０ｂａｒとの間の圧力に加圧するステップを更に含む、前記２２．に記載の方法。
２４． 前記フィードガスを、前記圧力シェルの上流で３０ｂａｒと２００ｂａｒとの間、好ましくは８０ｂａｒと１８０ｂａｒとの間の圧力に加圧するステップを更に含む、前記２２．または２３．に記載の方法。
２５． 反応器設備中に導入されるフィードガスの温度が２００℃と７００℃との間である、前記２２．～２４．のいずれか一つに記載の方法。
２６． マクロ構造物の最大温度が５００℃と１３００℃との間になるようにマクロ構造物が加熱される、前記２２．～２５．のいずれか一つに記載の方法。
２７． 前記圧力シェル内で少なくとも一つの導体上に、その周りに、その近くにまたはその内部に冷却ガスを流すために少なくとも一つの継手の近くでまたはそれとの組み合わせで、冷却ガスを、入口を介して圧力シェル中に導入するステップを更に含む、前記２２．～２６．のいずれか一つに記載の方法。
２８． 構造化触媒の幾何学的表面積に対するガスの流量として評価した空間速度が、０．６Ｎｍ ^３ ／ｍ ^２ ／ｈと６０Ｎｍ ^３ ／ｍ ^２ ／ｈとの間であり、及び構造化触媒の占有体積に対するガスの流量として評価した空間速度が、７００Ｎｍ ^３ ／ｍ ^３ ／ｈと７００００Ｎｍ ^３ ／ｍ ^３ ／ｈとの間である、前記２２．～２７．のいずれか一つに記載の方法。

Claims (28)

1. 炭化水素を含むフィードガスの水蒸気改質を行うための反応器設備であって、
   －炭化水素を含む上記フィードガスの水蒸気改質を触媒するために配置された構造化触媒、但し、前記構造化触媒は、電気伝導性材料のマクロ構造物を含み、前記マクロ構造物はセラミックコーティングを支持し、ここで前記セラミックコーティングは触媒活性材料を担持し；
   －前記構造化触媒を収容する圧力シェル、但し、前記圧力シェルは、前記フィードガスを導入するための入口及び生成物ガスを導出するための出口を含み、ここで前記入口は、前記フィードガスが前記構造化触媒の第一の端部において前記構造化触媒に入り、そして前記生成物ガスが前記構造化触媒の第二の端部から前記構造化触媒を出るように、配置されており；
   －前記構造化触媒と前記圧力シェルとの間の熱絶縁層；及び
   －前記構造化触媒と、前記圧力シェルの外側に配置された電力供給源とに電気的に接続された少なくとも二つの電導体、但し、前記電力供給源は、前記マクロ構造物中に電流を流すことによって、前記構造化触媒の少なくとも一部を少なくとも５００℃の温度に加熱するように寸法決めされており、ここで、前記の少なくとも二つの電導体は、前記構造化触媒の前記第二の端部に対してよりも前記構造化触媒の前記第一の端部の方に近い構造化触媒上の位置において構造化触媒に接続されており、及び構造化触媒は、一つの電導体から実質的に構造化触媒の第二の端部に電流を流し、そして前記の少なくとも二つの電導体のうちの第二の電導体に電流が戻るように構成されている、
   前記反応器設備。
2. 圧力シェルが５ｂａｒと３０ｂａｒとの間の設計圧力を有する、請求項１に記載の反応器設備。
3. 圧力シェルが３０ｂａｒと２００ｂａｒとの間の設計圧力を有する、請求項１に記載の反応器設備。
4. マクロ構造物の抵抗が１０^－５Ω・ｍと１０^－７Ω・ｍとの間である、請求項１～３のいずれか一つに記載の反応器設備。
5. 前記少なくとも二つの電導体が圧力シェルから電気的に絶縁されるように、前記少なくとも二つの電導体のそれぞれが継手中で圧力シェルを貫通している、請求項１～４のいずれか一つに記載の反応器設備。
6. 前記圧力シェル内において少なくとも一つの電導体上に、その周りに、それの近くにまたはそれの内部に冷却ガスを流すことができるように、前記圧力シェルが、少なくとも一つの継手の近くにまたはそれと組み合わせて一つ以上の入口を更に含む、請求項５に記載の反応器設備。
7. 構造化触媒と熱交換関係にあるが、但しそれから電気的に絶縁されている内部管を更に含み、但し、前記内部管は、内部管中を流れる生成物ガスが構造化触媒中を流れるガスと熱交換関係にあるように、構造化触媒から生成物ガスを回収するように適合されている、請求項１～６のいずれか一つに記載の反応器設備。
8. 構造化触媒と前記の少なくとも二つの電導体との間の接続が、機械的接続、溶接接続、ろう付け接続またはこれらの組み合わせである、請求項１～７のいずれか一つに記載の反応器設備。
9. マクロ構造物が、押出及び焼結された構造物であるか、または３Ｄ印刷及び焼結された構造物である、請求項１～８のいずれか一つに記載の反応器設備。
10. 構造化触媒が、互いに電気的に接続されたマクロ構造物の配列を含む、請求項１～９のいずれか一つに記載の反応器設備。
11. 前記構造化触媒が、前記の少なくとも二つの電導体の間の主たる電流経路を構造化触媒の最も大きな寸法を超える長さに延長するために配置された電気絶縁部分を有する、請求項１～１０のいずれか一つに記載の反応器設備。
12. 前記構造化触媒が、前記構造化触媒の長さの少なくとも７０％においては、主たる電流経路の電流密度ベクトルが前記構造化触媒の長さに平行なノン－ゼロ成分値を有することを保証するために前記構造化触媒中に電流を導くために配置された少なくとも一つの電気絶縁部分を有する、請求項１～１１のいずれか一つに記載の反応器設備。
13. 前記マクロ構造物が、複数の平行な流路、複数の非平行な流路、及び／または複数の迷路状流路を有する、請求項１～１２のいずれか一つに記載の反応器設備。
14. 前記圧力シェル内で前記構造化触媒の上流に第二の触媒材料の床を更に含む、請求項１～１３のいずれか一つに記載の反応器設備。
15. 前記構造化触媒の流路中に充填された触媒ペレット、押出物またはグラニュールの形の第三の触媒材料を更に含む、請求項１２～１４のいずれか一つに記載の反応器設備。
16. 圧力シェル内にかつ構造化触媒の下流に配置された第四の触媒材料の床を更に含む、請求項１～１５のいずれか一つに記載の反応器設備。
17. マクロ構造物の材料が、材料の抵抗加熱によって５００～５００００Ｗ／ｍ^２の熱流束を発生するように配置された材料として選択される、請求項１～１６のいずれか一つに記載の反応器設備。
18. 構造化触媒が、第一の熱流束を発生させるために配置された第一の部分、及び第二の熱流束を発生させるために配置された第二の部分を含み、但し、第一の熱流束は第二の熱流束よりも小さく、及び第一の部分は第二の部分よりも上流にある、請求項１～１７のいずれか一つに記載の反応器設備。
19. 圧力シェルを出るガスの温度が所定の範囲内にあることを保証するために及び／またはフィードガス中の炭化水素の転化率が所望の範囲内にあることを保証さるために及び／またはメタンの乾燥モル濃度が所定の範囲内にあることを保証するために及び／または水蒸気改質反応の平衡までのアプローチ温度が所定の範囲内にあることを保証するために電力供給を制御するように配置された制御システムを更に含む、請求項１～１８のいずれか一つに記載の反応器設備。
20. 前記反応器設備内の構造化触媒において、構造化触媒の水平断面の面積相当径と構造化触媒の高さとの間の比率が０．１～２．０の範囲である、請求項１～１９のいずれか一つに記載の反応器設備。
21. 反応器設備の高さが０．５ｍと７ｍとの間である、請求項１～２０のいずれか一つに記載の反応器設備。
22. 反応器設備中で、炭化水素を含むフィードガスの水蒸気改質を行うための方法において、但し、前記反応器設備は、炭化水素を含むフィードガスの水蒸気改質を触媒するために配置された構造化触媒を収容する圧力シェルを含み、前記構造化触媒は、電気伝導性材料のマクロ構造物を含み、前記マクロ構造物はセラミックコーティングを支持しており、ここで、前記セラミックコーティングは触媒活性材料を担持し及び前記反応器設備には、前記構造化触媒と前記圧力シェルとの間に熱絶縁材が供されている方法であって、次のステップ：
    －炭化水素を含むフィードガスを少なくとも５ｂａｒの圧力に加圧するステップ、
    －前記フィードガスが、上記構造化触媒の第一の端部において前記構造化触媒に入るように配置された入口を介して、前記加圧されたフィードガスを前記圧力シェルに供給して、構造化触媒上でフィードガスに水蒸気改質反応を起こさせ、及び生成物ガスを前記圧力シェルから導出させ、但し、前記生成物ガスは、前記構造化触媒の第二の端部から前記構造化触媒を出るステップ、
    －前記圧力シェルの外側に配置された電力供給源を前記構造化触媒と接続する少なくとも二つの電導体を介して電力を供給して、電流を前記マクロ構造物中に流し、それによって構造化触媒の少なくとも一部を少なくとも５００℃の温度に加熱し、但し、前記少なくとも二つの電導体は、前記構造化触媒の前記第二の端部に対してよりも前記構造化触媒の前記第一の端部の方に近い構造化触媒上の位置において構造化触媒に接続されており、及び構造化触媒は、一つの電導体から実質的に構造化触媒の第二の端部に電流を流し、そして前記の少なくとも二つの電導体のうちの第二の電導体に電流が戻るように構成されている、ステップ、
    を含む、前記方法。
23. フィードガスを圧力シェルの上流で５ｂａｒと３０ｂａｒとの間の圧力に加圧するステップを更に含む、請求項２２に記載の方法。
24. 前記フィードガスを、前記圧力シェルの上流で３０ｂａｒと２００ｂａｒとの間の圧力に加圧するステップを更に含む、請求項２２または２３に記載の方法。
25. 反応器設備中に導入されるフィードガスの温度が２００℃と７００℃との間である、請求項２２～２４のいずれか一つに記載の方法。
26. マクロ構造物の最大温度が５００℃と１３００℃との間になるようにマクロ構造物が加熱される、請求項２２～２５のいずれか一つに記載の方法。
27. 前記圧力シェル内で少なくとも一つの電導体上に、その周りに、その近くにまたはその内部に冷却ガスを流すために少なくとも一つの継手の近くでまたはそれとの組み合わせで、冷却ガスを、入口を介して圧力シェル中に導入するステップを更に含む、請求項２２～２６のいずれか一つに記載の方法。
28. 構造化触媒の幾何学的表面積に対するガスの流量として評価した空間速度が、０．６Ｎｍ^３／ｍ ^２ ／ｈと６０Ｎｍ^３／ｍ ^２ ／ｈとの間であり、及び構造化触媒の占有体積に対するガスの流量として評価した空間速度が７００Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈと７００００Ｎｍ^３／ｍ^３／ｈとの間である、請求項２２～２７のいずれか一つに記載の方法。

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