JP7395470B2 - 有機半導体層を含む有機電子デバイス - Google Patents

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Description

発明の詳細な説明
［技術分野］
本発明は、電子デバイスの層材料として使用される化合物、上記層材料を含む有機電子デバイス、および上記有機電子デバイスの製造方法に関する。
［背景技術］
自己発光型デバイスである有機電子デバイス（例えば、有機発光ダイオードＯＬＥＤ）は、視野角が広く、コントラストが良好で、応答が速く、高輝度であり、動作電圧特性に優れ、色再現性を有する。典型的なＯＬＥＤは、アノード、正孔輸送層（ＨＴＬ：hole transport layer）、発光層（ＥＭＬ：emission layer）、電子輸送層（ＥＴＬ：electron transport layer）、およびカソードを含み、これらは基板上に順番に積層されている。なお、ＨＴＬ、ＥＭＬおよびＥＴＬは、有機化合物から形成されている薄膜である。
アノードおよびカソードに電圧を印加すると、アノードから注入された正孔はＨＴＬを経由してＥＭＬに移動する。また、カソードから注入された電子は、ＥＴＬを経由してＥＭＬに移動する。正孔および電子は、ＥＭＬ中で再結合して励起子を生成する。励起子が励起状態から基底状態に遷移すると、光が放出される。上記構造を有するＯＬＥＤが優れた効率および／または長寿命を有するように、正孔および電子の注入と流量はバランスをとるべきである。
有機発光ダイオードの性能は、有機半導体層の特性に影響され、中でも、有機半導体層の有機材料の特性に影響され得る。
特に、有機電子デバイス（例えば、有機発光ダイオード）を大型のフラットパネルディスプレイに適用できるように、電子の移動度を高めると同時に電子の化学的安定性も高めることができる有機材料の開発が求められている。
有機半導体層、有機半導体材料および有機電子デバイスの性能を向上させること、とりわけ、それらに含まれている化合物の特性を向上させることによって、高効率を実現する必要性が、依然としてある。
特に、低動作電圧において高効率である、代替的な有機半導体材料および有機半導体層、ならびに有機電子デバイスが求められている。
動作電圧を維持しつつ高効率であり、それによって、例えば携帯電子デバイスの消費電力が低くなり長い電池寿命をもたらす、代替的な化合物が求められている。
［開示］
本発明の一態様は、式Ｉの化合物を提供する。
Figure 0007395470000001
式中、Ｘ１～Ｘ２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＸ１～Ｘ５、Ｘ６～Ｘ１０、Ｘ１１～Ｘ１５、Ｘ１６～Ｘ２０の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、
Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択され；
Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－２４アリールおよびＣ２－２０ヘテロアリールから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000002
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ６０アリールおよびＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、Ｃ６～Ｃ６０アリールまたはＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、
式Ｉ（但し、Ｘ１～Ｘ２０がＣ－Ｚではない場合を除く）、および、
置換または非置換のＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、
上記Ｃ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル；直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ；直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され、
但し、Ａｒ２基は３～８つの非ヘテロ芳香族六員環を含み；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ１～Ｃ２０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、環状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｎは１または２であり；
ｍは１、２または３から選択され；
芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはいずれも、単結合によってトリアジン環と結合しておらず；
式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２、－ＣＮから選択されるヘテロ原子を少なくとも１つ含み；
式Ｉの化合物は少なくとも８～１４の芳香環を含み；
Ａｒ１のヘテロアリーレンのヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅから選択され；
鏡像と重ね合わせることができる式Ｉの化合物は任意で除く。
式Ｉの化合物は例えば、有機電子デバイスの層材料として使用し得る。
一実施形態によれば、Ａｒ２基は、３～８つの非ヘテロ芳香族六員環、好ましくは３～７つの非ヘテロ芳香族六員環、さらに好ましくは３～５つの非ヘテロ芳香族六員環または４～８つの非ヘテロ芳香族六員環を含む。
別の一態様によれば、有機電子デバイスの層材料として使用される化合物は式Ｉの化合物である。
Figure 0007395470000003
式中、Ｘ１～Ｘ２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＸ１～Ｘ５、Ｘ６～Ｘ１０、Ｘ１１～Ｘ１５、Ｘ１６～Ｘ２０の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、
Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択され；
Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－２４アリールおよびＣ２－２０ヘテロアリールから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000004
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ６０アリールおよびＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、Ｃ６～Ｃ６０アリールまたはＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、
式Ｉ（但し、Ｘ１～Ｘ２０がＣ－Ｚではない場合を除く）、および、
置換または非置換のＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、
上記Ｃ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル；直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ；直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され、
但し、Ａｒ２基は３～８つの非ヘテロ芳香族六員環、好ましくは３～７つの非ヘテロ芳香族六員環、さらに好ましくは３～５つの非ヘテロ芳香族六員環または４～８つの非ヘテロ芳香族六員環を含み；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ１～Ｃ２０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、環状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｎは１または２であり；
ｍは１、２または３から選択され；
芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはいずれも、単結合によってトリアジン環と結合しておらず；
式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２、－ＣＮから選択されるヘテロ原子を少なくとも１つ含み；
式Ｉの化合物は少なくとも８～１４の芳香環を含み；
Ａｒ１のヘテロアリーレンのヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅから選択され；
Ａｒ１は単結合によってＡｒ２と結合し；
鏡像と重ね合わせることができる式Ｉの化合物は任意で除く。
別の一態様によれば、有機電子デバイスの層材料として使用される化合物は式Ｉの化合物である。
Figure 0007395470000005
式中、Ｘ１～Ｘ２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＸ１～Ｘ５、Ｘ６～Ｘ１０、Ｘ１１～Ｘ１５、Ｘ１６～Ｘ２０の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、
Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択され；
Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－２４アリールおよびＣ２－２０ヘテロアリールから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000006
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ６０アリールおよびＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、Ｃ６～Ｃ６０アリールまたはＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、
式Ｉ（但し、Ｘ１～Ｘ２０がＣ－Ｚではない場合を除く）、および、
置換または非置換のＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、
上記Ｃ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル；直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ；直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され、
但し、Ａｒ２基は３～８つの非ヘテロ芳香族六員環、好ましくは３～７つの非ヘテロ芳香族六員環、さらに好ましくは３～５つの非ヘテロ芳香族六員環または４～８つの非ヘテロ芳香族六員環、好ましくは４～７つの非ヘテロ芳香族六員環を含み；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ１～Ｃ２０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、環状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｎは１または２であり；
ｍは１、２または３から選択され；
芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはいずれも、単結合によってトリアジン環と結合しておらず；
式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２、－ＣＮから選択されるヘテロ原子を少なくとも１つ含み；
式Ｉの化合物は少なくとも８～１４の芳香環を含み；
Ａｒ１のヘテロアリーレンのヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅから選択され；
Ａｒ１は単結合によってＡｒ２と結合し；
テトラアリールエチレン基は単結合によって非ヘテロ芳香族六員環またはヘテロ芳香族六員環、好ましくは非ヘテロ芳香族六員環に結合し；
単結合によって別のテトラアリールエチレン基と結合するテトラアリールエチレン基を有する式Ｉの化合物は除き；
鏡像と重ね合わせることができる式Ｉの化合物は任意で除く。
一実施形態によれば、芳香環Ａ、Ｂ、Ｃおよび／またはＤはいずれも、互いに直接架橋して、縮合芳香環または縮合ヘテロ芳香環を形成していない。
本明細書において、ｍ＝１は、Ａｒ１が１つのＡｒ２置換基で置換されていることを意味している。
本明細書において、ｍ＝２は、Ａｒ１が２つのＡｒ２置換基で置換されていることを意味している。
本明細書において、ｍ＝３は、Ａｒ１が３つのＡｒ２置換基で置換されていることを意味している。
一実施形態によれば、有機電子デバイスの層材料として使用される化合物は式Ｉの化合物であってよい。
Figure 0007395470000007
式中、Ｘ１～Ｘ２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＸ１～Ｘ５、Ｘ６～Ｘ１０、Ｘ１１～Ｘ１５、Ｘ１６～Ｘ２０の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、
Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000008
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ６０アリールおよびＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、Ｃ６～Ｃ６０アリールまたはＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、
式Ｉ（但し、Ｘ１～Ｘ２０がＣ－Ｚではない場合を除く）、および、
置換または非置換のＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、
上記Ｃ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル；直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ；直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され、
但し、Ａｒ２基は３～８つの非ヘテロ芳香族六員環、好ましくは３～７つの非ヘテロ芳香族六員環、さらに好ましくは３～５つの非ヘテロ芳香族六員環または４～８つの非ヘテロ芳香族六員環を含み；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ１～Ｃ２０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、環状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｎは１または２であり；
ｍは１、２または３から選択され；
芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはいずれも、単結合によってトリアジン環と結合しておらず；
式Ｉの化合物は少なくとも８～１４の芳香環を含み；
Ａｒ１のヘテロアリーレンのヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅから選択され；
式Ｉの化合物はテトラアリールエチレン基を１つのみ含み；
鏡像と重ね合わせることができる式Ｉの化合物は任意で除く。
別の一態様によれば、層材料は有機半導体層であり得、有機電子デバイスに用いられる。例えば、当該有機電子デバイスはＯＬＥＤ等でよい。
一実施形態によれば、有機電子デバイスの層材料として使用される化合物は式Ｉの化合物である。
Figure 0007395470000009
式中、Ｘ１～Ｘ２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＸ１～Ｘ５、Ｘ６～Ｘ１０、Ｘ１１～Ｘ１５、Ｘ１６～Ｘ２０の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、
Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択され；
Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－２４アリールおよびＣ２－２０ヘテロアリールから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000010
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ６０アリールおよびＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、Ｃ６～Ｃ６０アリールまたはＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、
式Ｉ（但し、Ｘ１～Ｘ２０がＣ－Ｚではない場合を除く）、および、
置換または非置換のＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、
上記Ｃ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル；直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ；直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され、
但し、Ａｒ２基は３～８つの非ヘテロ芳香族六員環、好ましくは３～７つの非ヘテロ芳香族六員環、さらに好ましくは３～５つの非ヘテロ芳香族六員環または４～８つの非ヘテロ芳香族六員環を含み；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ１～Ｃ２０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、環状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｎは１または２であり；
ｍは１、２または３から選択され；
芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはいずれも、単結合によってトリアジン環と結合しておらず；
式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２、－ＣＮから選択されるヘテロ原子を少なくとも１つ含み；
式Ｉの化合物は少なくとも８～１４の芳香環を含み；
Ａｒ１のヘテロアリーレンのヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅから選択され；
鏡像と重ね合わせることができる式Ｉの化合物は任意で除く。
一実施形態によれば、有機電子デバイスの層材料として使用される化合物は式Ｉの化合物である。
Figure 0007395470000011
式中、Ｘ１～Ｘ２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＸ１～Ｘ５、Ｘ６～Ｘ１０、Ｘ１１～Ｘ１５、Ｘ１６～Ｘ２０の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、
Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択され；
Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－２４アリールおよびＣ２－２０ヘテロアリールから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000012
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ６０アリールおよびＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、Ｃ６～Ｃ６０アリールまたはＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、
式Ｉ（但し、Ｘ１～Ｘ２０がＣ－Ｚではない場合を除く）、および、
置換または非置換のＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、
上記Ｃ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル；直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ；直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され、
但し、Ａｒ２基は３～８つの非ヘテロ芳香族六員環、好ましくは３～７つの非ヘテロ芳香族六員環、さらに好ましくは３～５つの非ヘテロ芳香族六員環または４～８つの非ヘテロ芳香族六員環を含み；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ１～Ｃ２０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、環状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｎは１または２であり；
ｍは１、２または３から選択され；
芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはいずれも、単結合によってトリアジン環と結合しておらず；
式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２、－ＣＮから選択されるヘテロ原子を少なくとも１つ含み；
式Ｉの化合物は少なくとも８～１４の芳香環を含み；
Ａｒ１のヘテロアリーレンのヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅから選択され；
Ａｒ１とＡｒ２が同一である式Ｉの化合物は除き、
鏡像と重ね合わせることができる式Ｉの化合物は任意で除く。
一実施形態によれば、有機電子デバイスの層材料として使用される化合物は式Ｉの化合物である。
Figure 0007395470000013
式中、Ｘ１～Ｘ２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＸ１～Ｘ５、Ｘ６～Ｘ１０、Ｘ１１～Ｘ１５、Ｘ１６～Ｘ２０の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、
Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択され；
Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－２４アリールおよびＣ２－２０ヘテロアリールから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000014
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ６０アリールおよびＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、Ｃ６～Ｃ６０アリールまたはＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、
式Ｉ（但し、Ｘ１～Ｘ２０がＣ－Ｚではない場合を除く）、および、
置換または非置換のＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、
上記Ｃ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル；直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ；直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され、
但し、Ａｒ２基は３～８つの非ヘテロ芳香族六員環、好ましくは３～７つの非ヘテロ芳香族六員環、さらに好ましくは３～５つの非ヘテロ芳香族六員環または４～８つの非ヘテロ芳香族六員環を含み；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ１～Ｃ２０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、環状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｎは１または２であり；
ｍは１、２または３から選択され；
芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはいずれも、単結合によってトリアジン環と結合しておらず；
式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２、－ＣＮから選択されるヘテロ原子を少なくとも１つ含み；
式Ｉの化合物は少なくとも８～１４の芳香環を含み；
Ａｒ１のヘテロアリーレンのヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅから選択され；
Ａｒ１とＡｒ２が同一である式Ｉの化合物は除き；
Ｚは少なくとも４つのＣ６アリール環、好ましくは少なくとも４つのＣ６アリール環および少なくとも１つの六員環Ｎ－ヘテロアリール環を含み；
鏡像と重ね合わせることができる式Ｉの化合物は任意で除く。
別の一態様によれば、式Ｉ中、Ｘ１～Ｘ２０はＣ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択され；
Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－１６アリールおよびＣ２－１２ヘテロアリールから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000015
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ１８アリールおよび置換または非置換のＣ４～Ｃ１７ヘテロアリールから選択され、
当該置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ１０～Ｃ５９ヘテロアリールから選択され、
置換Ｃ１０～Ｃ５９ヘテロアリールの置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
但し、Ａｒ２基は３～８つの非ヘテロ芳香族六員環を含み；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、直鎖状のＣ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｎは１または２から選択され；
ｍは１、２または３から選択され、好ましくは１であり；
芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはいずれも、単結合によってトリアジン環と結合しておらず；
式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２、－ＣＮから選択されるヘテロ原子を少なくとも１つ含み；
式Ｉの化合物は少なくとも８～１４の芳香環を含み；
Ａｒ１のヘテロアリーレンのヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅから選択され；
鏡像と重ね合わせることができる式Ｉの化合物は任意で除く。
別の実施形態によれば、式Ｉの化合物は、Ｓ原子を含まない。
別の実施形態によれば、式Ｉの化合物は、Ｓ原子およびＢ原子を含まない。
別の実施形態によれば、式Ｉの化合物は、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅおよび／またはＳ原子、好ましくは、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、ＳｅおよびＳ原子を含まない。
別の実施形態によれば、式Ｉの化合物は、２つのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を含まない。当該テトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は単結合によって互いに直接結合している。
別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも５つのＣ６アリール環を含む。好ましくは、Ｚは少なくとも５つのＣ６アリール環、および、少なくとも１つの六員環Ｎ－ヘテロアリール環を含む。
別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも６つのＣ６アリール環を含む。好ましくは、Ｚは少なくとも６つのＣ６アリール環、および、少なくとも１つの六員環Ｎ－ヘテロアリール環を含む。
別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも７つのＣ６アリール環を含む。好ましくは、Ｚは少なくとも７つのＣ６アリール環、および、少なくとも１つの六員環Ｎ－ヘテロアリール環を含む。
別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも８つのＣ６アリール環を含む。好ましくは、Ｚは少なくとも８つのＣ６アリール環、および、少なくとも１つの六員環Ｎ－ヘテロアリール環を含む。
別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも９つのＣ６アリール環を含む。好ましくは、Ｚは少なくとも９つのＣ６アリール環、および、少なくとも１つの六員環Ｎ－ヘテロアリール環を含む。
別の実施形態によれば、Ｚは少なくとも１０のＣ６アリール環を含む。好ましくは、Ｚは少なくとも１０のＣ６アリール環、および、少なくとも１つの六員環Ｎ－ヘテロアリール環を含む。
一態様によれば、層材料は有機半導体層であり得、有機電子デバイスに用いられる。例えば、当該有機電子デバイスはＯＬＥＤ等でよい。
式Ｉの一実施形態によれば、非置換または置換のＡ、Ｂ、ＣおよびＤのアリーレン環および／またはヘテロアリーレン環（Ａ、Ｂ、ＣおよびＤのアリーレン環の少なくとも１つがＣ－Ｚに置換されている）は、単結合によってエチレン基と互いに結合し、式Ｉの置換テトラアリールエチレン（ＴＡＥ）化合物を形成する。
式Ｉの一実施形態によれば、式１の化合物はテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を１つのみ含む。
式Ｉの一実施形態によれば、式１の化合物はテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を２つのみ含む。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ１はテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を含まない。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ２はテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を含まない。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ１およびＡｒ２はテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を含まない。
式Ｉの一実施形態によれば、テトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、単結合によって別のテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基と結合していない。
式Ｉの一実施形態によれば、テトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、単結合によってＡｒ１の非ヘテロ芳香族六員環と結合している。
式Ｉの一実施形態によれば、テトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、単結合によってＡｒ１の非ヘテロ芳香族六員環と結合し、Ａｒ１はテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を含まない。
式Ｉの一実施形態によれば、テトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、単結合によってＡｒ１のヘテロ芳香族六員環と結合している。
式Ｉの一実施形態によれば、テトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、単結合によってＡｒ１のヘテロ芳香族六員環と結合し、Ａｒ１はテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を含まない。
式Ｉの一実施形態によれば、テトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、単結合によってＡｒ１のヘテロ芳香族六員環と結合している。
式Ｉの一実施形態によれば、テトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、単結合によってＡｒ２のヘテロ芳香族六員環と結合している。
式Ｉの一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、単結合によって直接結合する２つのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を含まない。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ１およびＡｒ２は単結合によって結合している。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ１は独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ１８アリールおよび置換または非置換のＣ４～Ｃ１７ヘテロアリールから選択され、上記置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択される。
式１で表される化合物は、電子輸送特性が強く、電荷移動度および／または安定性が増強する。それによって、蛍光効率、電圧特性および／または長寿命特性が向上する。
式１で表される化合物は、電子移動度が高く、動作電圧が低い。
有機半導体層は、非発光性でよい。
本明細書の文脈において、「実質的に非発光性」または「非発光」という用語は、その化合物または層の、デバイスからの可視発光スペクトルに対する寄与が、当該可視発光スペクトルに対して１０％未満、好ましくは５％未満であることを意味する。可視発光スペクトルとは、波長が約３８０ｎｍ以上、約７８０ｎｍ以下の発光スペクトルである。
好ましくは、式１の化合物を含む有機半導体層は、実質的に非発光性または非発光である。
「有さない（free of）」、「含まない（does not contain）」、「備えない（does not comprise）」という記載は、堆積前の化合物に存在し得る不純物を排除しない。不純物は、本発明によって達成される目的に対して技術的な効果を有さない。
動作電圧（Ｕとも呼ばれる）は、平方センチ当たり１０ミリアンペア（ｍＡ／ｃｍ２）で、ボルト（Ｖ）で測定される。
アンペア効率当たりのカンデラ（ｃｄ／Ａ効率とも呼ばれる）は、平方センチメートル当たり１０ミリアンペア（ｍＡ／ｃｍ２）で、アンペア当たりのカンデラで測定される。
外部量子効率（ＥＱＥとも呼ばれる）は、パーセント（％）で測定される。
色空間については、座標ＣＩＥ－ｘおよびＣＩＥ－ｙ（国際照明委員会、１９３１年）によって示される。青色発光には、ＣＩＥ－ｙは特に重要である。ＣＩＥ－ｙが小さいほど青色が濃くなる。
最高被占分子軌道（ＨＯＭＯとも呼ばれる）および最低空軌道（ＬＵＭＯとも呼ばれる）は、電子ボルト（ｅＶ）で算出される。
「ＯＬＥＤ」、「有機発光ダイオード（organic light emitting diode）」、「有機発光デバイス」、「有機光電子デバイス」、および「有機発光ダイオード（organic light-emitting diode）」という語は同時に用いられ、同じ意味を持つ。
「遷移金属」という語は、周期表のｄブロック中の任意の元素を意味し、かつ包含している。ｄブロックは、周期表上で３族から１２族の元素を含む。
「ＩＩＩ～ＶＩ族金属」という語は、周期表のＩＩＩ～ＶＩ族中の任意の金属を意味し、かつ包含している。
「寿命（life-span）」および「寿命（有効期間、lifetime）」という語は同時に用いられ、同じ意味を持つ。
本明細書において、「重量パーセント（weight percent）」、「重量％（wt.-%）」、「重量パーセント（percent by weight）」、「重量％（% by weight）」、およびそれらの変形は、それぞれの電子輸送層の組成物、成分、物質、または剤の重量を、該電子輸送層の組成の総重量で割り、かつ１００倍したときの、組成物、成分、物質、または剤を指す。それぞれの電子輸送層のすべての組成物、成分、物質、または剤の重量パーセントの合計は、１００重量％を超えないように選択される。
本明細書において、「体積パーセント（volume percent）」、「体積％（vol.-%）」、「体積パーセント（percent by volume）」、「体積％（% by volume）」およびそれらの変形は、それぞれの電子輸送層の元素金属、組成物、成分、物質、または剤の体積を、該それぞれ電子輸送層の組成の総体積で割り、かつ１００倍したときの、元素金属、組成物、成分、物質、または剤を指す。それぞれのカソード電極層のすべての元素金属、組成物、成分、物質、または剤の体積パーセントの合計は、１００体積％を超えないように選択される。
本明細書において、数値はすべて、明示の有無を問わず、「約」という語によって修飾されていると見なされる。本明細書において、「約」という語は、数量において起こり得る変動を意味する。
「約」という語による修飾の有無を問わず、本願請求項は上記量に対する均等物を含む。
本明細書および添付の請求項において、単数形「a」、「an」、「the」は、明確な断りがない限り、複数の対象を含むことに留意されたい。
アノード電極およびカソード電極は、アノード電極／カソード電極、またはアノード電極／カソード電極、またはアノード電極層／カソード電極層と記載してよい。
別の一態様によれば、有機光電子デバイスは、互いに対向するアノード層およびカソード層、ならびに該アノード層およびカソード層の間にある少なくとも１つの有機半導体層を含んでおり、該有機半導体層は式Ｉの化合物を含むまたは式Ｉの化合物からなる。
さらに別の一態様によれば、有機電子デバイス（有機光電子デバイスであり得る）を備える表示デバイスが提供される。
本明細書において、他に定義されていない場合、「アルキル基」は脂肪族炭化水素基を意味し得る。アルキル基は、二重結合または三重結合を有しない「飽和アルキル基」を意味し得る。
アルキル基は、Ｃ１～Ｃ２０アルキル基、または好ましくはＣ１～Ｃ１２アルキル基でよい。より具体的には、アルキル基はＣ１～Ｃ２０アルキル基、または好ましくはＣ１～Ｃ１０アルキル基もしくはＣ１～Ｃ６アルキル基でよい。例えば、Ｃ１～Ｃ４アルキル基は、アルキル鎖に１～４つの炭素を含み、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチルおよびｔ－ブチルから選択されてもよい。
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられる。
本明細書において、他に定義されていない場合、Ｒは、独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ１～Ｃ２０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、環状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択される。Ｒは、同じであっても異なっていてもよい。
好ましくは、Ｒは、独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキル、Ｃ１～Ｃ１０アルコキシ、Ｃ１～Ｃ１０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルキル、環状のＣ３～Ｃ１０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ１０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１０チオアルキル、環状のＣ３～Ｃ１０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ１８アリール、およびＣ３～Ｃ１８ヘテロアリールから選択してもよい。Ｒは、同じであっても異なっていてもよい。
より好ましくは、Ｒは、独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ３アルキル、Ｃ６～Ｃ１８アリールおよびＣ３～Ｃ１８ヘテロアリールから選択してもよい。Ｒは、同じであっても異なっていてもよい。
本明細書において、「アリーレン基」は、少なくとも１つの炭化水素芳香族部分を含む基を指し得、該炭化水素芳香族部分のすべての元素はｐ軌道を有し、該ｐ軌道は共役を形成する。例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、フルオレニル基等である。
アリーレン基は、単環、多環、または縮合環多環（つまり、炭素原子の対を共有する、隣接する環）の官能基を含んでもよい。
「ヘテロアリーレン」という語は、少なくとも１つのヘテロ原子を有する芳香族ヘテロ環を指し得、炭化水素ヘテロ芳香族部分のすべての元素はｐ軌道を有し、該ｐ軌道は共役を形成する。ヘテロ原子は、他に定義されていない場合、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅ、好ましくはＮ、ＯおよびＳから選択されてよい。
Ａｒ２のヘテロ原子は、他に定義されていない場合、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅ、好ましくはＮ、ＯおよびＳから選択されてよい。
Ａｒ１のヘテロアリーレンのヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅから選択される。
ヘテロアリーレン環は少なくとも１～３つのヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロアリーレン環は、好ましくは、Ｎ、Ｓ、および／またはＯから独立して選択される少なくとも１～３つのヘテロ原子を含んでいてもよい。
より好ましくは、少なくとも１つのヘテロアリーレン環は、少なくとも１～３つのＮ原子、または少なくとも１～２つのＮ原子、または少なくとも１つのＮ原子を含んでいてもよい。
本明細書において、「ヘテロアリーレン」という語は、ピリジン、キノリン、キナゾリン、ピリジン、トリアジン、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾ［４，５］チエノ［３，２－ｄ］ピリミジン、カルバゾール、キサンテン、フェノキサジン、ベンゾアクリジン、ジベンゾアクリジン等を含む。
本明細書において、単結合とは直接結合を指す。
本明細書において、他に定義されていない場合、Ｘ１～Ｘ２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択される、および／または、Ｘ１～Ｘ５、Ｘ６～Ｘ１０、Ｘ１１～Ｘ１５、Ｘ１６～Ｘ２０（化学結合によって互いに結合している）の少なくとも２つが架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択される。
より好ましくは、Ｘ１～Ｘ２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択される、および／または、Ｘ１～Ｘ５、Ｘ６～Ｘ１０、Ｘ１１～Ｘ１５、Ｘ１６～Ｘ２０（化学結合によって互いに結合している）の少なくとも２つが架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、Ｘ１～Ｘ２０の１つがＣ－Ｚであってもよい。
さらに好ましくは、Ｘ１～Ｘ２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つがＣ－Ｚであってもよい。
また好ましくは、Ｘ１～Ｘ２０はＣ－Ｈ、Ｃ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つがＣ－Ｚであってもよい。
本明細書において、他に定義されていない場合、Ｒ１は、－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－２４アリールまたはＣ２－２０ヘテロアリールから選択される。
さらに好ましくは、式ＩのＸ１～Ｘ２０はＣ－Ｒ１を有さない。
本明細書において、他に定義されていない場合、Ａｒ１は、独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ６０アリールまたはＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールから選択される。Ｃ６～Ｃ６０アリールまたはＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ＯＲおよびＳＲから選択される。
好ましくは、Ａｒ１は独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１８アリールまたはＣ４～Ｃ１７ヘテロアリールから選択される。Ｃ６～Ｃ１８アリールまたはＣ４～Ｃ１７ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ１０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ＯＲおよびＳＲから選択される。
より好ましくは、Ａｒ１は独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ１２アリールまたはＣ４～Ｃ１１ヘテロアリールから選択される。Ｃ６～Ｃ１２アリールまたはＣ４～Ｃ１１ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ３アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ５アルキル、ＯＲおよびＳＲから選択される。
さらに好ましくは、Ａｒ１は独立して、非置換のＣ６～Ｃ１２アリールまたはＣ４～Ｃ１１ヘテロアリールから選択される。
本明細書において、他に定義されていない場合、Ａｒ２は、独立して以下から選択される。
・式Ｉ（但し、Ｘ１～Ｘ２０がＣ－Ｚではない場合を除く）
・置換または非置換のＣ２～Ｃ６０ヘテロアリールであって、
Ｃ２～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ２０アルキル；直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ；直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ１～Ｃ１２フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ１２フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され、
但し、Ａｒ２基は３～８つの非ヘテロ芳香族六員環を含む。
好ましくは、Ａｒ２は、独立して以下から選択される。
・式Ｉ（但し、Ｘ１～Ｘ２０がＣ－Ｚではない場合を除く）
・置換または非置換のＣ３～Ｃ６０ヘテロアリールであって、
Ｃ１２～Ｃ６０アリールおよびＣ３～Ｃ６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ１０アルキル；直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルコキシ；直鎖状のＣ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ３～Ｃ６フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ６フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択される。
より好ましくは、Ａｒ２は、独立して以下から選択される。
・式Ｉ（但し、Ｘ１～Ｘ２０がＣ－Ｚではない場合を除く）
・置換または非置換のＣ３～Ｃ１７ヘテロアリールであって、
Ｃ３～Ｃ１７ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ１０アルキル；直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルコキシ；直鎖状のＣ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ３～Ｃ６フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ６フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択される。
さらに好ましくは、Ａｒ２は、独立して以下から選択される。
・式Ｉ（Ｘ１～Ｘ２０は独立してＮおよびＣ－Ｈから選択され、好ましくはＣ－Ｈである）
・置換または非置換のＣ３～Ｃ１１ヘテロアリールであって、
Ｃ３～Ｃ１１ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルキルまたは環状のＣ３～Ｃ１０アルキル；直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルコキシ；直鎖状のＣ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ３～Ｃ６フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ６フッ素化アルキル、環状のＣ３～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択される。
また好ましくは、Ａｒ２は、独立して以下から選択される。
・式Ｉ（Ｘ１～Ｘ２０は独立してＮおよびＣ－Ｈから選択され、好ましくはＣ－Ｈである）
・置換または非置換のＣ３～Ｃ１１ヘテロアリールであって、
Ｃ３～Ｃ１１ヘテロアリールの置換基は独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択される。
本明細書において、他に定義されていない場合、ｎは１または２であり、より好ましくはｎが１であってもよい。
本明細書において、他に定義されていない場合、ｍは１、２または３から選択される。より好ましくはｍが１または２であってもよく、さらに好ましくはｍ＝１である。
一実施形態によれば、芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも１つは、１つのＮ原子を含んでいてもよい。
一実施形態によれば、芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも１つは、２つのＮ原子を含んでいてもよい。
一実施形態によれば、芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも１つは、３つのＮ原子を含んでいてもよい。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ２は、１つのＮ原子を有する少なくとも１つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ２は、２つのＮ原子を有する少なくとも１つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ２は、３つのＮ原子を有する少なくとも１つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ２は、トリアジンである少なくとも１つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ２は、１つのＮ原子を有する少なくとも２つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ２は、２つのＮ原子を有する少なくとも２つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ２は、３つのＮ原子を有する少なくとも２つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。
式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ２は、トリアジンである少なくとも２つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。
一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも１～５つ、好ましくは２～４つもしくは２～３つのヘテロ芳香環を含み；および／または
少なくとも１つの芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤを含み、当該少なくとも１つの芳香環の置換基は異なり、さらに好ましくは式Ｉの芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも２つの置換基が異なり；および／または
鏡像と重ね合わせることができず；および／または
ヘテロ原子であるＮ、Ｏ、Ｓを少なくとも１つ、および／または、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２、－ＣＮの置換基、好ましくは少なくとも１つ、２つもしくは３つのヘテロ原子であるＮ、さらに好ましくは少なくとも１つのヘテロ原子であるＮおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２もしくは－ＣＮから選択される少なくとも１つの置換基を含み；および／または
少なくとも１つのトリアジン環を含み；および／または
非ヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を１つのみおよび／またはヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を１つのみ含む。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも８～１４の芳香環、好ましくは少なくとも９～１４の芳香環、さらに好ましくは少なくとも９～１３の芳香環、より好ましくは少なくとも１０～１２の芳香環を含んでいてもよい。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも８～１４の芳香族六員環、好ましくは少なくとも９～１４の芳香族六員環、さらに好ましくは少なくとも９～１３の芳香族六員環、より好ましくは少なくとも１０～１２の芳香族六員環を含んでいてもよい。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも１～５つの芳香族五員環、好ましくは少なくとも２～４つの芳香族五員環、さらに好ましくは少なくとも１～３つの芳香族五員環を含んでいてもよい。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも８～１３の芳香族六員環および少なくとも１つの芳香族五員環、さらに好ましくは少なくとも９～１３の芳香族六員環および少なくとも２つの芳香族五員環、より好ましくは少なくとも１０～１２の芳香族六員環および少なくとも１つの芳香族五員環を含んでいてもよい。
芳香族五員環はヘテロ環または非ヘテロ環であってもよい。好ましくは、少なくとも１つの芳香族五員環がヘテロ環であってもよい。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも１～５つ、好ましくは２～４つまたは２～３つのヘテロ芳香環を含む。好ましくは、ヘテロ芳香環は六員環、または、六員環および少なくとも１つの五員環である。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、
少なくとも８～１４の芳香環、好ましくは少なくとも９～１３の芳香環、さらに好ましくは少なくとも１０～１２の芳香環、また好ましくは少なくとも８～１３の芳香環、より好ましくは少なくとも９～１２の芳香環；および
少なくとも１～５つ、好ましくは２～４つまたは２～３つのヘテロ芳香環（好ましくは、ヘテロ芳香環は六員環、または、六員環および少なくとも１つの五員環である）
を含んでいてもよい。
一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも６～１２の非ヘテロ芳香環および１～３つのヘテロ芳香環を含んでいてもよい。好ましくは、芳香環は六員環、または、六員環および少なくとも１つの五員環である。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも７～１２の非ヘテロ芳香環および１～３つのヘテロ芳香環を含んでいてもよい。好ましくは、芳香環は六員環、または、六員環および少なくとも１つの五員環である。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも７～１１の非ヘテロ芳香環および１～２つのヘテロ芳香環を含んでいてもよい。好ましくは、芳香環は六員環、または、六員環および少なくとも１つの五員環である。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも８～１２の非ヘテロ芳香環と、少なくとも１～３つのヘテロ芳香環と、少なくとも１～３つの置換基と、を含んでいてもよい。当該置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、好ましくは、ニトリルまたはジアルキルホスフィンオキシドから選択される。好ましくは、芳香環は六員環、または、六員環および少なくとも１つの五員環である。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも７～１１の非ヘテロ芳香環と、少なくとも１つのヘテロ芳香環と、少なくとも１つの置換基と、を含んでいてもよい。当該置換基は、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシから選択される。好ましくは、芳香環は六員環、または、六員環および少なくとも１つの五員環である。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも７～１１の非ヘテロ芳香環と、少なくとも１つのヘテロ芳香環と、ニトリルまたはジアルキルホスフィンオキシドから選択される少なくとも１つの置換基と、を含んでいてもよい。好ましくは、芳香環は六員環、または、六員環および少なくとも１つの五員環である。
好ましい一実施形態によれば、
式ＩＩのＡｒ１基は１～３つの芳香族六員環、好ましくは１～２つの芳香族六員環を含み、Ａｒ１基の少なくとも１つの芳香族六員環は１つのＮ原子を任意で含み；および／または
式ＩＩのＡｒ２基は１～９つの非ヘテロ芳香族六員環、好ましくは２～８つの非ヘテロ芳香族六員環、より好ましくは３～６つの非ヘテロ芳香族六員環、さらに好ましくは４～５つの非ヘテロ芳香族六員環を含み；および／または
少なくとも１つのＣ６～Ｃ１８アリーレン、好ましくは少なくとも１つのＣ６またはＣ１２アリーレンは、式（Ｉ）の芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも１つと環形成（環生成）する。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも１つの芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤを含み、当該少なくとも１つの芳香環の置換基は異なり、さらに好ましくは式Ｉの芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも２つの置換基が異なる。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、鏡像と重ね合わせることができない。
鏡像と重ね合わせることができる化合物の例として、対称面を描くことができる分子式を有する化合物が挙げられる。対称面は、分子を半分（互いの鏡像である）に二等分する仮想面である。対称面の例を、化合物の構造式Ｓ１およびＳ２において、破線で示す。
Figure 0007395470000016
Figure 0007395470000017
一実施形態によれば、化合物Ｓ１～Ｓ６２は、式Ｉには含まれない。
Figure 0007395470000018
Figure 0007395470000019
Figure 0007395470000020
Figure 0007395470000021
Figure 0007395470000022
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を含んでいてもよく、好ましくは、少なくとも１つのＮ、２つまたは３つのＮ原子を含んでいてもよい。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択される少なくとも１つの置換基を含んでいてもよい。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される少なくとも１つのヘテロ原子、ならびに、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択される少なくとも１つの置換基を含んでいてもよい。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも１つのＮを含み、さらに、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される少なくとも１つのヘテロ原子、ならびに、ニトリルおよび／または（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択される少なくとも１つの置換基を含んでいてもよい。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、トリアジン環を少なくとも１つ含んでいてもよい。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、非ヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ：tetraarylethylene）基を１つのみおよび／またはヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を１つのみ含んでいてもよい。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、非ヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を少なくとも２つ含んでいてもよい。
非ヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、エチレンにおけるアリール基がヘテロ原子（炭素または水素とは異なる原子である）を含まないことを意味する。
ヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、エチレンにおける少なくとも１つのアリール基が少なくとも１つのヘテロ原子（炭素または水素とは異なる原資である）を含むことを意味する。
「Ｃ６－アリーレン環」という語は、単一のＣ６－アリーレン環、および、縮合環系を形成するＣ６－アリーレン環を意味する。例えば、ナフタレン基は２つのＣ６－アリーレン環として数えられる。
他の実施形態によれば、式Ｉの化合物のＡｒ２の少なくとも１つのヘテロアリーレン基は、トリアジン、キナゾリン、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾ［４，５］チエノ［３，２－ｄ］ピリミジン、ピリミジンおよびピリジンが選択され、好ましくはトリアジンおよびピリミジンから選択される。
他の実施形態によれば、式１の化合物の双極子モーメントは約０デバイ以上、約３デバイ以下であり、好ましくは約０デバイ以上、約２デバイ以下である。
式Ｉの化合物の双極子モーメントは、好ましくは０デバイ以上、１デバイ以下、より好ましくは０デバイ以上、０．８デバイ以下であり、また好ましくは０デバイ以上、０．４デバイ以下から選択してもよい。
驚くべきことに、式Ｉの化合物の双極子モーメントが上記範囲から選択されるときに、式Ｉの化合物を含む有機半導体層は特に、高伝導性および低動作電圧であることを見出した。
Ｎ原子を含む分子の双極子モーメント
Figure 0007395470000023
は、以下の式によって与えられる。
Figure 0007395470000024
式中、
Figure 0007395470000025
は、分子における部分電荷および原子の位置である。
双極子モーメントは、半経験的な分子軌道法によって求められる。
気相における部分電荷および原子の位置は、プログラムパッケージTURBOMOLE V6.5で実行されるhybrid functional B3LYP with the 6-31G* basis setを適用することによって得られる。複数の配座が可能な場合、もっとも低い全エネルギーを有する配座を選択して双極子モーメントを求める。
他の実施形態によれば、式Ｉの化合物の還元電位は、テトラヒドロフランにおけるＦｃ／Ｆｃ＋に対して測定した場合、－１．９Ｖよりも負であり、－２．６Ｖよりも正であり、好ましくは、－２Ｖよりも負であり、－２．５Ｖよりも正である。
還元電位は、定電位装置Metrohm PGSTAT30およびソフトウェアMetrohm Autolab GPESを用いて、室温でのサイクリックボルタンメトリーによって測定する。酸化還元電位は、式Ｉの化合物の０．１ＭのＴＨＦ溶液（アルゴンにより脱気してある、無水）中で、アルゴン雰囲気下にて測定した。支持電解質として、０．１Ｍのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートを使用した。白金製作用電極間にて、塩化銀で被覆されている銀ワイヤーからなるＡｇ／ＡｇＣｌ疑似基準電極（Metrohm銀製棒電極）を用いて測定した。測定溶液に直接浸漬し、スキャン速度は１００ｍＶ／ｓとした。１回目の測定は、作用電極間に最も広い範囲の電位を設定し、その後の測定に際して、当該範囲を適宜調整した。最後の３回の測定は、標準としてフェロセン（濃度：０．１Ｍ）を添加して行った。化合物のカソードのピークおよびアノードのピークに対応する電位の平均は、Ｆｃ＋／Ｆｃ標準酸化還元対について測定したカソード電位およびアノード電位の平均を差し引いて得られる。
特に、還元電位が上記範囲から選択されるとき、エミッション層への良好な電子注入および／または電子輸送、および／または安定性を達成し得る。
他の実施形態によれば、式Ｉの化合物のガラス転移温度Ｔｇは、約１０５℃以上、約３８０℃以下、好ましくは約１１０℃以上、約３５０℃以下、さらに好ましくは約１５０℃以上、約３２０℃以下であってもよい。
他の実施形態によれば、式Ｉの化合物のガラス転移温度Ｔｇは、約１０５℃以上、約１５０℃以下であってもよい。
ガラス転移温度は窒素下で測定され、当該測定は、示差走査熱量計Mettler Toledo DSC 822eを用いて１０Ｋ／分の加熱速度で行われる。当該測定については、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ １１３５７（２０１０年３月公開）を参照されたい。
他の実施形態によれば、式Ｉの化合物の、レート開始温度ＴＲＯ（rate onset temperature）は、約１５０℃以上、約４００℃以下、好ましくは約１８０℃以上、約３８０℃以下であってもよい。
ＴＧＡ（熱重量分析）における重量損失カーブは、Mettler Toledo TGA-DSC 1 systemによって測定される。純窒素を流しながら、加熱速度１０Ｋ／分で室温から６００℃に試料を加熱する。９～１１ｍｇの試料を、蓋が無い１００μＬのMettler Toledo アルミニウムパンに入れる。０．５重量％の重量損失が発生したときに温度を測定する。
室温（周囲温度とも称する）は２３℃である。
気相への遷移に対するレート開始温度は、１００ｍｇの化合物をＶＴＥ源へ入れることで測定した。ＶＴＥ源として、Kurt J. Lesker Company (www.lesker.com)またはCreaPhys GmbH (http://www.creaphys.com)によって提供されている、有機材料の点源を使用する。ＶＴＥ（真空熱蒸着、vacuum thermal evaporation）源の温度は、ＶＴＥ源中の化合物と直接接触するサーモカップルによって測定する。
ＶＴＥ源は、真空チャンバ内で１０－７ｍｂａｒ～１０－８ｍｂａｒの圧力下において、１５Ｋ／分の一定の割合で加熱し、サーモカップルを用いてＶＴＥ源の内部温度を測定する。化合物の蒸着を、ＱＣＭ検出器を用いて検出する。当該検出器は、検出器の石英結晶上に積層された化合物を検出する。石英結晶上への積層速度は、１秒間当たりのオングストロームで測定する。レート開始温度を測定するために、ＶＴＥ源の温度に対する積層速度（対数スケール）をプロットする。レート開始温度は、ＱＣＭ検出器上に顕著な蒸着が起こるときの温度である（０．０２Å／秒の速度で定義される）。ＶＴＥ源を３回加熱冷却し、２回目および３回目のみの実施から得られた結果を、レート開始温度の測定に使用した。
レート開始温度は、化合物の揮発性の間接的な尺度である。レート開始温度が高いほど、化合物の揮発性が低い。
驚くべきことに、式１の化合物および本発明の有機電子デバイスは、従来技術で知られている有機エレクトロルミネセントデバイスおよび化合物に比べて、とりわけｃｄ／Ａ効率（電流効率とも称する）に関して優れており、それにより、本発明の課題を解決することがわかった。同時に、動作電圧は、同様の、またはさらに向上したレベルに保たれる。これは、例えば、携帯表示デバイスの電力消費を抑え、電池寿命を延ばすのに重要である。高いｃｄ／Ａ効率は高効率を達成するために重要であり、これにより、携帯デバイス（例えば携帯表示デバイス）の電池寿命が増す。
有機エレクトロルミネセントデバイスを青色蛍光デバイスとして使用したときに、特に良好な性能が実現されることを発明者らは驚くべきことに発見した。
本明細書に記載の、好ましい特定の構成が特に有益であることが分かった。
同様に、本発明の最も広い定義の範囲に含まれるいくつかの化合物は、驚くべきことに、上述したｃｄ／Ａ効率の特性に関して特に良好な性能を示すことが分かった。本明細書において説明するこれらの化合物は特に好適である。
さらに、高効率および／または長寿命の有機光電子デバイスを実現可能である。
以下、一実施形態に係る有機光電子デバイス用の化合物について説明する。
一実施形態に係る有機光電子デバイス用の化合物は、本発明の式１で表される。
本発明の式１の化合物は、電子の注入もしくは輸送を促し、または、化合物のガラス転移温度を上昇させる。従って、分子間相互作用の抑制によって蛍光効率が上昇し、化合物の分子量に対する蒸着温度が低くなり得る。
従って、式１で表される有機光電子デバイス用の化合物によってフィルムまたは層を形成するとき、式１の化合物の特異的な立体形状によって、正孔または電子の注入および輸送、ならびに、デバイスのフィルムまたは層の耐久性が最適化される。従って、電荷輸送基の良好な分子間配置が達成し得る。
よって、式１の化合物を有機光電子デバイスに使用するとき、当該化合物によって、エミッション層への迅速な注入がもたらされ、蛍光効率が上昇し得る。一方、当該化合物を、正孔注入または輸送特性が優れている材料と混合してエミッション層を形成すると、当該化合物によって、効率的な電荷注入および励起子の発生がもたらされ、優れた蛍光効率を得ることができる。
さらに、式１で表される有機光電子デバイス用の化合物は、優れた電子注入および輸送特性を有し得る。さらに、優れた正孔特性を有する化合物との混合物として電子注入補助層またはエミッション層の形成に使用されるときでさえ、式１の化合物は優れた電子注入および輸送特性を維持し得る。
一実施形態によれば、式Ｉの化合物は以下のとおりである。
Ａｒ１基は、１～３つの芳香族六員環、好ましくは１～２つの芳香族六員環を含み、Ａｒ１基の少なくとも１つの芳香族六員環は１つのＮ原子を任意で含み；および／または
Ａｒ２基は１～１０の非ヘテロ芳香族六員環、好ましくは２～８つの非ヘテロ芳香族六員環、より好ましくは３～６つの非ヘテロ芳香族六員環、さらに好ましくは４～５つの非ヘテロ芳香族六員環を含み；および／または
少なくとも１つのＣ６～Ｃ１８アリーレン、好ましくは少なくとも１つのＣ６またはＣ１２アリーレンは、式（Ｉ）の芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも１つと環形成する。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ１～Ｘ２０はＣ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択され；
Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－１６アリールおよびＣ２－１２ヘテロアリールから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000026
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ１８アリールおよび置換または非置換のＣ４～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、
当該置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ１０～Ｃ５９ヘテロアリールから選択され、
置換Ｃ１０～Ｃ５９ヘテロアリールの置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、直鎖状のＣ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｎは１または２から選択され；
ｍは１、２または３から選択され、好ましくは１である。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ１～Ｘ２０はＣ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択され；
Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－１６アリールおよびＣ２－１２ヘテロアリールから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000027
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ１８アリールおよび置換または非置換のＣ４～Ｃ６０ヘテロアリールから選択され、
当該置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ１０～Ｃ５９ヘテロアリールから選択され、
置換Ｃ１０～Ｃ５９ヘテロアリールの置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、直鎖状のＣ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｎは１であり；
ｍは１または２から選択され、好ましくは１である。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ１～Ｘ２０はＣ－ＨおよびＣ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000028
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ１８アリールおよび置換または非置換のＣ４～Ｃ１７ヘテロアリールから選択され、
当該置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ３～Ｃ５１ヘテロアリールから選択され、
置換Ｃ３～Ｃ５１ヘテロアリールの置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルコキシ、直鎖状のＣ１～Ｃ１０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ１２アリール、およびＣ３～Ｃ１１ヘテロアリールから選択され；
ｎは１または２から選択され；
ｍは１または２から選択され、好ましくは１である。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ１～Ｘ２０はＣ－ＨおよびＣ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の１つはＣ－Ｚから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000029
式中、Ａｒ１は、独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ１８アリールおよび置換または非置換のＣ４～Ｃ１７ヘテロアリールから選択され、
当該置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ３～Ｃ５１ヘテロアリールから選択され、
置換Ｃ３～Ｃ５１ヘテロアリールの置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルコキシ、直鎖状のＣ１～Ｃ１０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ１２アリール、およびＣ３～Ｃ１１ヘテロアリールから選択され；
ｎは１または２から選択され；
ｍは１または２から選択され、好ましくは１である。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ１～Ｘ２０はＣ－ＨおよびＣ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の１つはＣ－Ｚから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000030
式中、Ａｒ１は、独立して、非置換のＣ６～Ｃ１８アリールおよび非置換のＣ４～Ｃ１７ヘテロアリールから選択され、
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ３～Ｃ５１ヘテロアリールから選択され、
置換Ｃ３～Ｃ５１ヘテロアリールの置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルコキシ、直鎖状のＣ１～Ｃ１０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ１２アリール、およびＣ３～Ｃ１１ヘテロアリールから選択され；
ｎは１から選択され；
ｍは１または２から選択され、好ましくは１である。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ１～Ｘ２０はＣ－ＨおよびＣ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の１つはＣ－Ｚから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000031
式中、Ａｒ１は、独立して、非置換のＣ６～Ｃ１８アリールから選択され、
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ３～Ｃ５１ヘテロアリールから選択され、
置換Ｃ３～Ｃ５１ヘテロアリールの置換基は独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキル、Ｃ６～Ｃ１２アリール、およびＣ３～Ｃ１１ヘテロアリールから選択され；
ｎは１から選択され；
ｍは１または２から選択され、好ましくは１である。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ１～Ｘ２０はＣ－ＨおよびＣ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の１つはＣ－Ｚから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000032
式中、Ａｒ１は、独立して、非置換のＣ６～Ｃ１８アリールから選択され、
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ１２～Ｃ４８アリールおよび少なくとも１つの置換または非置換のＣ３～Ｃ１７ヘテロアリールから選択され、
当該置換基は独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキル、Ｃ６～Ｃ１２アリール、およびＣ３～Ｃ１１ヘテロアリールから選択され；
ｎは１から選択され；
ｍは１または２から選択され、好ましくは１である。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ１～Ｘ２０はＣ－ＨおよびＣ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の１つはＣ－Ｚから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000033
式中、Ａｒ１は、独立して、非置換のＣ６～Ｃ１８アリールから選択され、
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ１２～Ｃ４８アリールおよび少なくとも１つの置換または非置換のＣ３～Ｃ１７ヘテロアリールから選択され、
当該置換基は独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキルから選択され；
ｎは１から選択され；
ｍは１または２から選択され、好ましくは１である。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ１～Ｘ２０はＣ－ＨおよびＣ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の１つはＣ－Ｚから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000034
式中、Ａｒ１は、独立して、非置換のＣ６～Ｃ１８アリールから選択され、
Ａｒ２は、独立して、非置換のＣ１２～Ｃ４８アリールおよび少なくとも１つの非置換のＣ３～Ｃ１７ヘテロアリールから選択され、
当該置換基は独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキルから選択され；
ｎは１から選択され；
ｍは１または２から選択され、好ましくは１である。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ｘ１～Ｘ２０はＣ－ＨおよびＣ－Ｚから独立して選択され、Ｘ１～Ｘ２０の１つはＣ－Ｚから選択される。
Ｚは式ＩＩの置換基である。
Figure 0007395470000035
式中、Ａｒ１は、独立して、非置換のＣ６～Ｃ１８アリールから選択され、
Ａｒ２は、独立して、置換Ｃ１２～Ｃ４８アリールおよび少なくとも１つの非置換のＣ３～Ｃ１７ヘテロアリールから選択され、
当該置換基は独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキルから選択され；
ｎは１から選択され；
ｍは１または２から選択され、好ましくは１である。
別の実施形態によれば、式ＩのＺはＥ１～Ｅ９から選択されてもよい。
Figure 0007395470000036
式中、Ｚ１～Ｚ１５は独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１から選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＺ１～Ｚ５、Ｚ６～Ｚ１０、Ｚ１１～Ｚ１５の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し；
Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－１６アリールおよびＣ２－１２ヘテロアリールから選択され；
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ２～Ｃ６０ヘテロアリール、好ましくは置換または非置換のＣ５～Ｃ５３ヘテロアリール、より好ましくは置換または非置換のＣ１１～Ｃ４７ヘテロアリール、さらに好ましくは置換または非置換のＣ１７～Ｃ４１ヘテロアリールから選択され、
置換Ｃ２～Ｃ６０ヘテロアリール（好ましくは置換または非置換のＣ５～Ｃ５３ヘテロアリール、より好ましくは置換または非置換のＣ１１～Ｃ４７ヘテロアリール、さらに好ましくは置換または非置換のＣ１７～Ｃ４１ヘテロアリール）の置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、直鎖状のＣ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｍは１、２または３から選択される。
別の実施形態によれば、式ＩのＺはＥ１～Ｅ９から選択されてもよい。
Figure 0007395470000037
式中、Ｚ１～Ｚ１５は独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈから選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＺ１～Ｚ５、Ｚ６～Ｚ１０、Ｚ１１～Ｚ１５の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し；
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ２～Ｃ５９ヘテロアリール、好ましくは置換または非置換のＣ５～Ｃ５３ヘテロアリール、より好ましくは置換または非置換のＣ１１～Ｃ４７ヘテロアリール、さらに好ましくは置換または非置換のＣ１７～Ｃ４１ヘテロアリールから選択され、
置換Ｃ２～Ｃ５９ヘテロアリール（好ましくは置換または非置換のＣ５～Ｃ５３ヘテロアリール、より好ましくは置換または非置換のＣ１１～Ｃ４７ヘテロアリール、さらに好ましくは置換または非置換のＣ１７～Ｃ４１ヘテロアリール）の置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、直鎖状のＣ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｍは１、２または３から選択される。
別の実施形態によれば、式ＩのＺはＥ１～Ｅ９から選択されてもよい。
Figure 0007395470000038
式中、Ｚ１～Ｚ１５は独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈから選択され、好ましくはＣ－Ｈであり；
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ２～Ｃ５９ヘテロアリール、好ましくは置換または非置換のＣ５～Ｃ５３ヘテロアリール、より好ましくは置換または非置換のＣ１１～Ｃ４７ヘテロアリール、さらに好ましくは置換または非置換のＣ１７～Ｃ４１ヘテロアリールから選択され、
置換Ｃ２～Ｃ５９ヘテロアリール（好ましくは置換または非置換のＣ５～Ｃ５３ヘテロアリール、より好ましくは置換または非置換のＣ１１～Ｃ４７ヘテロアリール、さらに好ましくは置換または非置換のＣ１７～Ｃ４１ヘテロアリール）の置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、直鎖状のＣ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ２０アリール、およびＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
ｍは１または２から選択される。
別の実施形態によれば、式ＩのＺはＥ１～Ｅ９から選択されてもよい。
Figure 0007395470000039
式中、Ｚ１～Ｚ１５は独立して、Ｃ－Ｈから選択され；
Ａｒ２は、独立して、置換または非置換のＣ２～Ｃ５９ヘテロアリール、好ましくは非置換のＣ２～Ｃ５９ヘテロアリール、好ましくは置換または非置換のＣ５～Ｃ５３ヘテロアリール、より好ましくは置換または非置換のＣ１１～Ｃ４７ヘテロアリール、さらに好ましくは置換または非置換のＣ１７～Ｃ４１ヘテロアリールから選択され、
置換Ｃ２～Ｃ５９ヘテロアリール（好ましくは置換または非置換のＣ５～Ｃ５３ヘテロアリール、より好ましくは置換または非置換のＣ１１～Ｃ４７ヘテロアリール、さらに好ましくは置換または非置換のＣ１７～Ｃ４１ヘテロアリール）の置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
Ｒは独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ１０アルコキシ、直鎖状のＣ１～Ｃ１０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ１０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ１０チオアルキル、Ｃ６～Ｃ１２アリール、およびＣ３～Ｃ１１ヘテロアリールから選択され；
ｍは１または２から選択される。
一実施形態によれば、式ＩＩのＡｒ２は式Ｆ１～Ｆ２６から選択される。
Figure 0007395470000040
Figure 0007395470000041
Figure 0007395470000042
Figure 0007395470000043
Figure 0007395470000044
Figure 0007395470000045
式Ｆ１中、Ｙ１～Ｙ５は独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ３から選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＹ１～Ｙ５の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、但し、Ｆ１は少なくとも１つのヘテロ原子を含み；
Ｒ３は独立して、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルキル、直鎖状のＣ１～Ｃ２０アルコキシ、直鎖状のＣ１～Ｃ２０チオアルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルキル、分岐状のＣ３～Ｃ２０アルコキシ、分岐状のＣ３～Ｃ２０チオアルキル、置換または非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、および置換または非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
当該置換基は独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ２～Ｃ１６ヘテロアリール、Ｃ１～Ｃ６フッ素化アルキルまたはＣ１～Ｃ６フッ素化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ２、ＳｉＲ３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択され；
式Ｆ８中、Ｒ＝ナフチル、ｐ－ビフェニルまたはｏ－ビフェニルである。
一実施形態によれば、式ＩのＡｒ２は式Ｆ１から選択される。
Figure 0007395470000046
式Ｆ１中、Ｙ１～Ｙ５は独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ３から選択され、および／または、化学結合によって互いに結合しているＹ１～Ｙ５の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、但し、Ｆ１は少なくとも１つのヘテロ原子を含み；
Ｒ３は独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、および置換または非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリールから選択され；
当該置換基は独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ２から選択される。
一実施形態によれば、式ＩのＺは式Ｅ１～Ｅ９から選択してもよい。好ましくは、Ｚは式Ｅ１～Ｅ９から選択され、かつ、単結合によってＡｒ２のトリアジン環に結合し、さらに好ましくは、Ｚは式Ｅ１またはＥ５から選択され、かつ、単結合によってＡｒ２のトリアジン環に結合している。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、
Ａｒ２はピリジン、ピリミジンもしくはトリアジン環、好ましくはトリアジン環の少なくとも１つ含んでもよく；および／または
Ａｒ２は置換もしくは非置換のベンゾチアゾール基を少なくとも１つ含んでもよく；および／または
Ａｒ２はニトリルおよび／またはホスフィンオキシド置換基を少なくとも１つ含んでもよく；
あるいは、
Ａｒ２はピリジン、ピリミジンもしくはトリアジン環を含んでいなくてもよく；および／または
Ａｒ２は置換もしくは非置換のベンゾチアゾール基であってもよい。
一実施形態によれば、式Ｉにおいて、Ａｒ２は置換または非置換の１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基、好ましくは非置換の１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基を少なくとも１つ含み、
ａ）当該１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基は、ピリジン、ピリミジンもしくはトリアジン環、好ましくはトリアジン環と単結合によって結合している；または
ｂ）当該１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基は、フェニル基と単結合によって結合し、当該フェニル基は、ピリジン、ピリミジンもしくはトリアジン環、好ましくはトリアジン環と単結合によって結合している。
さらなる実施形態によれば、式Ｉにおいて、Ａｒ２は置換または非置換の１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基、好ましくは非置換の１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基を少なくとも１つ含み、
ａ）当該１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基は、ピリジン、ピリミジンもしくはトリアジン環、好ましくはトリアジン環と単結合によって結合している；または
ｂ）当該１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基は、フェニル基と単結合によって結合し、当該フェニル基は、ピリジン、ピリミジンもしくはトリアジン環、好ましくはトリアジン環と単結合によって結合している。
好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物はＧ１～Ｇ４９から選択され得る。Ｇ６中、Ｒ＝ナフチル、ｐ－ビフェニルまたはｏ－ビフェニルである。
Figure 0007395470000047
Figure 0007395470000048
Figure 0007395470000049
Figure 0007395470000050
Figure 0007395470000051
Figure 0007395470000052
Figure 0007395470000053
Figure 0007395470000054
Figure 0007395470000055
Figure 0007395470000056
Figure 0007395470000057
Figure 0007395470000058
Figure 0007395470000059
Figure 0007395470000060
Figure 0007395470000061
式１の化合物を上記化合物から選択すると、特に良好な性能特性が得られる。
＜アノード＞
アノード用の材料は、金属もしくは金属酸化物、または有機材料であってよく、好ましくは約４．８ｅＶを超える、より好ましくは約５．１ｅＶを超える、最も好ましくは約５．３ｅＶを超える仕事関数を有する材料であってもよい。好ましい金属は、Ｐｔ、ＡｕまたはＡｇのような貴金属であり、好ましい金属酸化物は、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明な金属酸化物であり、これは、反射カソードを有する底部発光ＯＬＥＤにおいて有利に使用され得る。
透明金属酸化物アノードまたは反射性金属アノードを含むデバイスでは、アノードが約５０ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有していてよく、半透明金属アノードは、約５ｎｍ～約１５ｎｍの薄さであってもよく、非透明金属アノードは、約１５ｎｍ～約１５０ｎｍの厚さを有していてよい。
＜正孔注入層（ＨＩＬ）＞
正孔注入層は、正孔輸送層に使用されるアノードと有機材料との間の界面特性を改善することができ、非平坦化アノード上に適用され、従って、アノードの表面を平坦化することができる。例えば、正孔注入層は、アノードの仕事関数と正孔輸送層のＨＯＭＯのエネルギー準位との差を調整するために、アノード材料の仕事関数と正孔輸送層のＨＯＭＯのエネルギー準位との間のその最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の中央値を有する材料を含むことができる。
正孔輸送領域が正孔注入層３６を含む場合、正孔注入層は、例えば、真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、ラングミュア・ブロジェット法（Langmuir Blodgett、ＬＢ）法等の種々の方法のいずれかによって、アノード上に形成されてもよい。
真空蒸着法を用いて正孔注入層を形成する場合、正孔注入層を形成するのに用いられる材料、ならびに、形成する正孔注入層の所望の構造および熱特性、に応じて真空蒸着条件を変えることができ、例えば、１００℃～５００℃程度の温度、１０－６Ｐａ～１０－１Ｐａ程度の圧力、０．１～１０ｎｍ／ｓｅｃ程度の蒸着速度で真空蒸着を行うことができるが、蒸着条件はこれに限定されない。
スピンコーティングを用いて正孔注入層を形成する場合、正孔注入層を形成するために使用される材料、および形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性によって、コーティング条件が変わり得る。例えば、塗布速度は約２０００ｒｐｍ～約５０００ｒｐｍの範囲であり、塗布後に溶媒を除去するために加熱処理を行う温度は約８０℃～約２００℃の範囲であるが、塗布条件はこれに限定されない。
正孔注入層は、導電率および／またはアノードからの正孔注入を改善するためにｐ－ドーパントをさらに含んでいてもよい。
正孔注入層は、式１の化合物を含んでいてもよい。
別の実施形態では、正孔注入層が式１の化合物からなってもよい。
＜ｐ－ドーパント＞
別の態様では、ｐ－ドーパントを、正孔注入層中に均一に分散させていてもよい。
別の態様では、ｐ－ドーパントを、正孔注入層中に、アノードにより近い高濃度で、カソードにより近い低濃度で存在させていてもよい。
ｐ－ドーパントは、キノン誘導体またはラジアレン化合物のうちの１つであってもよいが、これらに限定されない。ｐ－ドーパントの非限定的な例は、テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３，５，６－テトラフルオロ－テトラシアノ－１，４－ベンゾキノンジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、４，４’，４''－（（１Ｅ，１’Ｅ，１''Ｅ）－シクロプロパン－１，２，３－トリイリデネトリス（シアノメタニリデン））－トリス（２，３，５，６－テトラフルオロベンゾニトリル）等のキノン誘導体である。
＜正孔輸送層（ＨＴＬ）＞
正孔輸送層および電子阻止層を形成するための条件は、正孔注入層について上述した形成条件に基づいて定められてもよい。
電荷輸送領域の正孔輸送部の厚さは、約１０ｎｍ～約１０００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約１００ｎｍであってもよい。電荷輸送領域の正孔輸送部が正孔注入層および正孔輸送層を含む場合、正孔注入層の厚さは、約１０ｎｍ～約１０００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約１００ｎｍであってもよく、正孔輸送層の厚さは、約５ｎｍ～約２００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約１５０ｎｍであってもよい。電荷輸送領域の正孔輸送部、ＨＩＬ、およびＨＴＬの厚さがこれらの範囲内にあるとき、動作電圧の大幅な増加なしに満足な正孔輸送特性が得られる可能性がある。
正孔輸送領域で使用される正孔輸送マトリックス材料は、特に限定されない。好ましいのは、少なくとも６個の非局在化電子の共役系を含む共有結合化合物であり、好ましくは少なくとも１個の芳香環を含む有機化合物であり、より好ましくは少なくとも２個の芳香環を含む有機化合物であり、さらにより好ましくは少なくとも３個の芳香環を含む有機化合物であり、最も好ましくは少なくとも４個の芳香環を含む有機化合物である。正孔輸送層に広く使用されている正孔輸送マトリックス材料の典型例は、多環式芳香族炭化水素、トリアリーレンアミン化合物および複素環式芳香族化合物である。正孔輸送領域の種々の層で有用な正孔輸送行列のフロンティア軌道エネルギー準位の適切な範囲はよく知られている。ＨＴＬマトリックスのレドックス対ＨＴＬマトリックス／カチオンラジカルのレドックス電位に関して、好ましい値（例えば、参照としてフェロセン／フェロセニウムレドックス対に対するサイクリックボルタンメトリーによって測定される場合）は、０．０～１．０Ｖの範囲、より好ましくは０．２～０．７Ｖの範囲、さらにより好ましくは０．３～０．５Ｖの範囲であり得る。
正孔輸送層は、式１の化合物を含んでいてもよい。
別の実施形態では、正孔輸送層が式１の化合物からなってもよい。
＜バッファ層＞
電荷輸送領域の正孔輸送部は、バッファ層をさらに含んでいてもよい。
適切に使用することができるバッファ層は、ＵＳ６１４０７６３、ＵＳ６６１４１７６およびＵＳ２０１６／２４８０２２に開示されている。
バッファ層は、ＥＭＬから放射される光の波長に従って、光の光共鳴距離を補償することができ、従って、効率を高めることができる。バッファ層は、式１の化合物を含んでいてもよい。
別の実施形態では、バッファ層が式１の化合物からなってもよい。
＜発光層（ＥＭＬ）＞
発光層を真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、ＬＢ法等を用いることにより、正孔輸送領域上に形成させてもよい。真空蒸着またはスピンコーティングを用いて発光層を形成する場合、蒸着およびコーティングのための条件は、正孔注入層の形成のための条件と同様であり得るが、蒸着およびコーティングのための条件は、発光層を形成するために使用される材料に基づいて変化し得る。発光層は、エミッタホスト（ＥＭＬホスト）およびエミッタドーパント（さらなるエミッタのみ）を含んでもよい。
＜エミッタホスト＞
別の実施形態によれば、発光層は、エミッタホストとして式１の化合物を含む。
エミッタホスト化合物は、炭素環および複素環から独立して選択される少なくとも３つの芳香環を有する。
エミッタホストとして使用することができる他の化合物は、下記の式４００で表されるアントラセンマトリックス化合物である：
Figure 0007395470000062
式４００において、Ａｒ１１１およびＡｒ１１２は各々独立して、置換または非置換のＣ６～Ｃ６０アリーレン基であってもよく、Ａｒ１１３～Ａｒ１１６は各々独立して、置換または非置換のＣ１～Ｃ１０アルキル基または置換または非置換のＣ６～Ｃ６０アリーレン基であってもよく、そしてｇ、ｈ、ｉおよびｊは各々独立して、０～４までの整数であってもよい。
いくつかの実施形態では、式４００中のＡｒ１１１およびＡｒ１１２は各々独立して、フェニレン基、ナフタレン基、フェナントレニレン基、またはピレニレン基；または、各々がフェニル基、ナフチル基、またはアントリル基のうちの少なくとも１つで置換されているフェニレン基、ナフタレン基、フェナントレニレン基、フルオレニル基、またはピレニレン基のうちの１つであってよい。
式４００において、ｇ、ｈ、ｉ、およびｊは、それぞれ独立して、０、１、または２の整数であり得る。
式４００において、Ａｒ１１３～Ａｒ１１６は、それぞれ独立して、下記のうちの１つであってもよいが、本発明の実施形態はこれらに限定されない：
フェニル基、ナフチル基、もしくはアントリル基の少なくとも１つで置換されたＣ１～Ｃ１０アルキル基；
フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、もしくはフルオレニル基；
各々が重水素原子、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシル基もしくはこれらの塩の少なくとも１つで置換されているフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、またはフルオレニル基；
スルホン酸基もしくはその塩、リン酸基もしくはその塩
Ｃ１～Ｃ６０アルキル基、Ｃ２～Ｃ６０アルケニル基、Ｃ２～Ｃ６０アルキニル基、Ｃ１～Ｃ６０アルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、または、
フルオレニル基、
Figure 0007395470000063
または、式７もしくは式８であってもよい。
Figure 0007395470000064
式７および式８において、Ｘは酸素原子および硫黄原子から選択される。
式７において、Ｒ１１～Ｒ１４のいずれか１つは、Ａｒ１１１への結合に使用される。Ａｒ１１１への結合に使用されないＲ１１～Ｒ１４およびＲ１５～Ｒ２０は、Ｒ１～Ｒ８と同じである。
式８において、Ｒ２１～Ｒ２４のいずれか１つは、Ａｒ１１１への結合に使用される。Ａｒ１１１への結合に使用されないＲ２１～Ｒ２４およびＲ２５～Ｒ３０は、Ｒ１～Ｒ８と同じである。
好ましくは、ＥＭＬホストは、Ｎ、ＯまたはＳからなる群から選択される１～３個のヘテロ原子を含む。より好ましくは、ＥＭＬホストは、ＳまたはＯから選択される１個のヘテロ原子を含む。
エミッタホスト化合物は、約０デバイ以上から約２．０デバイ以下の範囲の双極子モーメントを有していてよい。
好ましくは、ＥＭＬホストの双極子モーメントは、０．２デバイ以上および１．４５デバイ以下、好ましくは０．４デバイ以上および１．２デバイ以下、また好ましくは０．６デバイ以上および１．１デバイ以下に選択される。
双極子モーメントは、プログラムパッケージTURBOMOLE V6.5に実装されているような６－３１Ｇ＊基底関数系を有するハイブリッド関数のＢ３ＬＹＰを用いる最適化を用いて算出される。２つ以上のコンホメーションが実行可能である場合、最低の総エネルギーを有するコンホメーションが、分子の双極子モーメントを決定するために選択される。この方法を用いて、２－（１０－フェニル－９－アントラセニル）－ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン（ＣＡＳ １６２７９１６－４８－６）は０．８８デバイの双極子を有し、２－（６－（１０－フェニルアントラセン－９－イル）ナフタレン－２－イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（ＣＡＳ １８３８６０４－６２－８）は０．８９デバイ、２－（６－（１０－フェニルアントラセン－９－イル）ナフタレン－２－イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ＣＡＳ １８４２３５４－８９－５）は０．６９デバイ、２－（７－（フェナントレン－９－イル）テトラフェン－１２－イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ＣＡＳ １９６５３３８－９５－７）は０．６４デバイ、４－（４－（７－（ナフタレン－１－イル）テトラフェン－１２－イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ＣＡＳ １９６５３３８－９６－８）は１．０１デバイである。
＜エミッタドーパント＞
ドーパントは発光させるために少量混合されるものであり、通常、多重励起により発光して三重項以上となる金属錯体等の材料であればよい。ドーパントとしては、例えば、無機、有機、有機／無機化合物であってよく、それらの１種以上を用いることができる。
エミッタは、赤、緑、または青色のエミッタであってよい。
ドーパントは、蛍光ドーパント、例えば、ｔｅｒ－フルオレンであってもよく、構造を以下に示す。４，４’－ビス（４－ジフェニルアミオスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢＩ）、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）、および以下の化合物８は、蛍光青色ドーパントの例である。
Figure 0007395470000065
ドーパントは、燐光ドーパントであってもよく、燐光ドーパントの例は、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、またはこれらのそれらの組み合わせを含む有機金属化合物であってもよい。燐光性ドーパントは、例えば、式Ｚで表される化合物であってもよいが、これに限定されない：
Ｊ２ＭＸ （Ｚ）
式Ｚにおいて、Ｍは金属であり、ＪおよびＸは同一または異なり、Ｍと錯体化合物を形成する配位子である。
Ｍは、例えば、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄまたはそれらの組み合わせであってもよく、ＪおよびＸは例えば、二座配位子であってもよい。
＜電子輸送層（ＥＴＬ）＞
別の実施形態によれば、式１の化合物を含む有機半導体層は、電子輸送層である。別の実施形態では、電子輸送層が式１の化合物からなってもよい。
例えば、本発明の一実施形態による有機発光ダイオードは、少なくとも１つの電子輸送層を含み、この場合、電子輸送層は、式１の化合物、または好ましくは式Ｇ１～Ｇ５０の少なくとも１つの化合物を含む。
別の実施形態では、有機電子デバイスは、２つ以上の電子輸送層によって形成された有機層の積み重なりの電子輸送領域を含み、少なくとも１つの電子輸送層は式１の化合物を含む。
電子輸送層は、１つまたは２つ以上の異なる電子輸送化合物を含んでいてもよい。
別の実施形態によれば、第２の電子輸送層は、本発明の式１の化合物を少なくとも１つ含み、第１の電子輸送層はマトリクス化合物を含む。当該マトリクス化合物は、本発明の式１の化合物とは異なるように選択され、以下から選択されてもよい：
アントラセン系化合物またはヘテロ置換アントラセン系化合物、好ましくは２－（４－（９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン－２－イル）フェニル）－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾールおよび／またはＮ４，Ｎ４''－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ４，Ｎ４''－ジフェニル－［１，１’：４’，１''－テルフェニル］－４，４''－ジアミン。
別の実施形態によれば、第１の電子輸送層は、本発明の式１の化合物を少なくとも１つ含む。第２の電子輸送層はマトリクス化合物を含む。当該マトリクス化合物は、本発明の式１の化合物とは異なるように選択され、以下から選択されてもよい：
酸化ホスフィン系化合物、好ましくは（３－（ジベンゾ［ｃ，ｈ］アクリジン－７－イル）フェニル）ジフェニルホスフィンオキシドおよび／またはフェニルビス（３－（ピレン－１－イル）フェニル）ホスフィンオキシドおよび／または３－フェニル－３Ｈ－ベンゾ［ｂ］ジナフト［２，１－ｄ：１’，２’－ｆ］ホスフェピン－３－オキシド；または
置換フェナントロリン化合物、好ましくは２，４，７，９－テトラフェニル－１，１０－フェナントロリンまたは２，９－ジ（ビフェニル－４－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン。
別の実施形態によれば、第１の電子輸送層は、本発明の式１の化合物を少なくとも１つ含み、第２の電子輸送層は、本発明の式１の化合物とは異なるように選択され、ホスフィンオキシド系化合物、好ましくは（３－（ジベンゾ［ｃ，ｈ］アクリジン－７－イル）フェニル）ジフェニルホスフィンオキシドおよび／またはフェニルビス（３－（ピレン－１－イル）フェニル）ホスフィンオキシドおよび／または３－フェニル－３Ｈ－ベンゾ［ｂ］ジナフト［２，１－ｄ：１’，２’－ｆ］ホスフェピン－３－オキシドから選択されてもよいマトリックス化合物を含む。
別の実施形態によれば、第１および第２の電子輸送層は、式１の化合物を含み、当該式１の化合物は、同じものが選択されない。
第１の電子輸送層の厚さは、約０．５ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば約２ｎｍ～約４０ｎｍであってもよい。第一の電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、第一の電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された電子輸送能力を有することができる。
任意の第２の電子輸送層の厚さは、約１ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば約２ｎｍ～約２０ｎｍであってもよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子輸送能力を有し得る。
電子輸送層は、ハロゲン化アルカリおよび／またはアルカリ有機錯体をさらに含んでもよい。
別の実施形態によれば、第１および第２の電子輸送層は、式１の化合物を含み、当該第２の電子輸送層は、ハロゲン化アルカリおよび／または有機アルカリ錯体をさらに含む。
＜ハロゲン化アルカリ＞
アルカリ金属ハロゲン化物としても知られるハロゲン化アルカリは、化学式ＭＸを有する無機化合物に含まれ、Ｍはアルカリ金属であり、Ｘはハロゲンである。
Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、カリウム、ルビジウムおよびセシウムから選択することができる。
Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択することができる。
本発明の様々な実施形態によれば、ハロゲン化リチウムが好ましい場合がある。ハロゲン化リチウムは、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒおよびＬｉＩを含む群から選択することができる。しかしながら、最も好ましいのはＬｉＦである。
ハロゲン化アルカリは、本質的に非発光性か、または非発光性である。
＜アルカリ有機錯体＞
本発明の様々な実施形態によれば、リチウム有機錯体の有機配位子は、キノラート、ホウ酸塩、フェノラート、ピリジノラート、またはシッフ塩基配位子である。好ましくは、リチウムキノラート錯体は、式ＩＩＩ、ＩＶまたはＶを有する：
Figure 0007395470000066
式中、Ａ１～Ａ６は、ＣＨ、ＣＲ、Ｎ、Ｏから同一にまたは独立して選択され；
Ｒは、水素、ハロゲン、１～２０個の炭素原子を有するアルキルまたはアリーレンまたはヘテロアリーレンから同一にまたは独立して選択され、より好ましくはＡ１～Ａ６がＣＨであり；
好ましくは、ホウ酸塩系有機配位子がテトラ（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）ホウ酸塩であり；
好ましくは、フェノラートが、２－（ピリジン－２－イル）フェノラート、２－（ジフェニルホスホリル）フェノラート、イミダゾールフェノラート、または２－（ピリジン－２－イル）フェノラートであり、より好ましくは２－（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェノラートであり；
好ましくは、ピリジノラートが、２－（ジフェニルホスホリル）ピリジン－３－オラートである。
本発明の種々の実施形態によれば、アルカリ有機錯体、好ましくはリチウム有機錯体の有機配位子は、キノラートであり得る。使用するのに適し得るキノラートは、ＷＯ２０１３０７９２１７Ａ１に開示され、参考文献として組み込まれている。
本発明の様々な実施形態によれば、リチウム有機錯体の有機配位子は、ホウ酸塩系の有機配位子であることができ、好ましくは、リチウム有機錯体は、テトラ（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）ホウ酸リチウムである。好適に用いることができるホウ酸塩系有機配位子は、ＷＯ２０１３０７９６７６Ａ１に開示され、参考文献として組み込まれている。
本発明の様々な実施形態によれば、リチウム有機錯体の有機配位子は、フェノラート配位子であることができ、好ましくは、リチウム有機錯体が、リチウム２－（ジフェニルホスホリル）フェノラートである。好適に用いることができるフェノラート配位子は、ＷＯ２０１３０７９６７８Ａ１に開示され、参考文献として組み込まれている。
さらに、フェノラート配位子は、ピリジノラートの群から選択することができ、好ましくは２－（ジフェニルホスホリル）ピリジン－３－オラートである。好適に用いることができるピリジンフェノラート配位子は、特開２００８１９５６２３号公報に開示され、参考文献として組み込まれている。
さらに、フェノラート配位子は、イミダゾールフェノラートの群から選択することができ、好ましくは２－（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェノラートである。適当に用いることができるイミダゾールフェノラート配位子は、特開２００１２９１５９３号公報に開示され、参考文献として組み込まれている。
また、フェノラート配位子は、オキサゾールフェノラートの群から選択することができ、好ましくは２－（ベンゾ［ｄ］オキサゾール－２－イル）フェノラートである。好適に用いることができるオキサゾールフェノラート配位子は、ＵＳ２００３０１６５７１１に開示され、参考文献として組み込まれている。
アルカリ有機錯体は、本質的に非発光性であってもよい。
＜ｎ－ドーパント＞
様々な実施形態によれば、式１の化合物を含む有機半導体層は、ｎ－ドーパントをさらに含んでいてもよい。
ｎ－ドーパントとして適切な電気的に中性の金属錯体は、例えば低酸化状態のいくつかの遷移金属の強い還元性錯体であってもよい。特に強いｎ－ドーパントは、ＷＯ２００５／０８６２５１により詳細に記載されているように、例えばＣｒ（ＩＩ）、Ｍｏ（ＩＩ）および／またはＷ２（ｈｐｐ）４等のＷ（ＩＩ）グアニジン酸塩錯体から選択することができる。
ｎ－ドーパントとして適切な電気的に中性の有機ラジカルは、例えば、ＥＰ１８３７９２６Ｂ１、ＷＯ２００７／１０７３０６、またはＷＯ２００７／１０７３５６により詳細に記載されているように、それらの安定なダイマー、オリゴマー、または高分子からの追加のエネルギーの供給によって生成される有機ラジカルであってもよい。このような適切なラジカルの具体例は、ジアゾリルラジカル、オキサゾリルラジカルおよび／またはチアゾリルラジカルであり得る。
別の実施形態では、有機半導体層は、元素金属をさらに含むことができる。元素金属とは、その元素形態の金属の状態にある金属、金属合金、または金属クラスターである。金属相から、例えばバルク金属から真空熱蒸発によって蒸着された金属は、それらの元素形態で気化することとされている。さらに、気化した元素金属が共有結合マトリックスと一緒に堆積される場合、金属原子および／またはクラスターが共有結合マトリックスに埋め込まれるとされている。言い換えれば、真空熱蒸発によって調製される任意の金属ドープ共有結合材料は、金属を少なくとも部分的にその元素形態で含有するとされている。
家庭用電化製品での使用には、放射性崩壊の非常に長いハーフトーン時間を有する核種または安定な核種を含有する金属のみが適用可能であろう。許容可能なレベルの原子安定性として、天然カリウムの原子安定性を採用することができる。
一実施形態では、ｎ－ドーパントは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属および第１遷移期間の金属、Ｔｉ、Ｖ、ＣｒおよびＭｎから選択される正電荷を有する金属から選択される。好ましくはｎ－ドーパントは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂから選択され、より好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＭｇおよびＹｂから選択され、さらに好ましくはＬｉ、Ｎａ、ＣｓおよびＹｂから選択され、最も好ましくはＬｉ、ＮａおよびＹｂから選択される。
ｎ－ドーパントは、本質的に非発光性であってもよい。
＜電子注入層（ＥＩＬ）＞
本発明の別の態様によれば、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、電子輸送層（第１－ＥＴＬ）とカソードとの間に電子注入層をさらに含むことができる。
電子注入層（ＥＩＬ）は、カソードからの電子の注入を容易にすることができる。
本発明の別の態様によれば、電子注入層は下記を含む：
（ｉ）実質的に元素の形態におけるアルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類金属から選択され、好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＥｕおよびＹｂから選択され、より好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＹｂから選択され、さらにより好ましくはＬｉおよびＹｂから選択され、最も好ましくはＹｂから選択される正電荷を有する金属、および／または、
（ｉｉ）アルカリ金属錯体および／またはアルカリ金属塩、好ましくはＬｉ錯体および／または塩、より好ましくはＬｉキノリノラート、さらにより好ましくはリチウム８－ヒドロキシキノリノラート、最も好ましくは第２の電子輸送層（第２－ＥＴＬ）のアルカリ金属塩および／または錯体の少なくともいずれかであって、注入層のアルカリ金属塩および／または錯体と同一であるアルカリ金属錯体および／またはアルカリ金属塩。
電子注入層は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２ＯおよびＢａＯから選択された少なくとも１つを含んでいてもよい。
ＥＩＬの厚さは、約０．１ｎｍ～約１０ｎｍ、または約０．３ｎｍ～約９ｎｍとすることができる。電子注入層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子注入層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子注入能力を有することができる。
電子注入層は、式１の化合物を含んでいてもよい。
＜カソード＞
カソードの材料としては、仕事関数の小さい金属、合金、導電性化合物、またはそれらの組み合わせであってもよい。カソードの材料の具体例は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、銀（Ａｇ）等であり得る。基板上に堆積された反射アノードを有するトップエミッション発光装置を製造するために、カソードは、光透過性電極として、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、または銀（Ａｇ）から形成されてもよい。
透明金属酸化物カソードまたは反射金属カソードを含む装置では、カソードは、約５０ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有してもよく、一方、半透明金属カソードは、約５ｎｍ～約１５ｎｍの薄さであってもよい。
基板は、アノードの下またはカソードの上にさらに配置されてもよい。基板は、一般的な有機発光ダイオードに用いられる基板であってもよく、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い易さおよび耐水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板であってもよい。
正孔注入層は、アノードとしてのＩＴＯと正孔輸送層に使用される有機材料との間の界面特性を改善することができ、非平坦化ＩＴＯ上に適用することができ、従って、ＩＴＯの表面を平坦化することができる。
正孔注入層は、例えば真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、Langmuir-Blodgett（ＬＢ）法等の様々な方法のいずれかによってアノード上に形成されてもよい。
正孔注入層が真空蒸着を用いて形成される場合、真空蒸着条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに、形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変化し得、例えば、真空蒸着は、約１００℃～約５００℃の温度、約１０－８ｔｏｒｒ～約１０－３Ｔｏｒｒの圧力、および約０．０１～約１００Å／秒の蒸着速度で実施され得るが、蒸着条件はこれに限定されない。
スピンコーティングを用いて正孔注入層を形成する場合、コーティング条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに、形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変わり得る。例えば、塗布速度は、約２０００ｒｐｍ～約５０００ｒｐｍの範囲であってよく、塗布後に溶媒を除去するために加熱処理を行うときの温度は、約８０℃～約２００℃の範囲であってよいが、コーティング条件はこれに限定されない。
正孔輸送層および電子阻止層を形成するための条件は、正孔注入層について上述した形成条件に基づいて規定することができる。
正孔輸送領域の厚さは、約１００Å～約１００００Åであってよく、例えば、約１００Å～約１０００Åであってよい。正孔輸送領域が正孔注入層および正孔輸送層を含む場合、正孔注入層の厚さは、約１００Å～約１０，０００Åであってよく、例えば、約１００Å～約１０００Åであってよく、そして、正孔輸送層の厚さは、約５０Å～約２，０００Åであってよく、例えば、約１００Å～約１５００Åであってよい。正孔輸送領域、ＨＩＬ、およびＨＴＬの厚さがこれらの範囲内にあるとき、動作電圧の大幅な増加なしに満足な正孔輸送特性が得られる可能性がある。
発光層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば約２００Å～約６００Åであり得る。発光層の厚さがこれらの範囲内にある場合、発光層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された発光特性を有し得る。
次に、電子輸送領域を発光層上に配置する。
電子輸送領域は、電子輸送層および電子注入層の少なくとも一方を含んでいてもよい。
電子輸送層の厚さは、約２０Å～約１０００Åであってよく、例えば約３０Å～約３００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された電子輸送補助能力を有し得る。
電子輸送層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば約１５０Å～約５００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子輸送能力を有し得る。
また、電子輸送領域は、アノードからの電子の注入を容易にすることができる電子注入層（ＥＩＬ）を含んでいてもよい。
電子注入層は、電子輸送層上に配置され、カソードからの電子注入を容易にし、最終的には電力効率を向上させる役割を果たすことができ、例えばＬｉＦ、Ｌｉｑ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｙｂ等の特に限定されない関連技術で用いられているいずれの材料を用いて形成され得る。
電子注入層膜は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２ＯおよびＢａＯから選択された少なくとも１つを含むことができる。
ＥＩＬの厚さは、約１Å～約１００Åであってよく、または約３Å～約９０Åであってもよい。電子注入層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子注入層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子注入能力を有することができる。
第２の電極は、有機層上に配置されてもよい。第２の電極の材料は、仕事関数の小さい金属、合金、導電性化合物、またはそれらの組み合わせであってよい。第２の電極の材料の具体例は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、銀（Ａｇ）等であり得る。トップエミッション型の発光デバイスを製造するために、第２の電極は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）から、光透過性電極として形成されてもよい。第２の電極は、カソードであってもよい。
本発明の別の態様によれば、アノード電極上に、正孔注入層、正孔輸送層、任意の電子阻止層、発光層、任意の正孔阻止層、第１の電子輸送層、任意の第２の電子輸送層、電子注入層、およびカソードの他の層がその順序で堆積されるか、またはカソードから始まって、反対方向に堆積される、有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法が提供される。
以下、実施例を参照して実施形態をより詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施例に限定されない。
［図面の説明］
本発明のこれらおよび／または他の態様および利点は添付の図面と併せて、例示的な実施形態の以下の説明から明らかになり、より容易に理解されるのであろう：
図１は、発光層、１つの電子輸送層、および電子注入層を有する、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図２は、発光層および２つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図３は、発光層および３つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である；
図４は、発光層および１つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図５は、発光層および２つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図６は、発光層および３つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である。
例示的な態様を詳細に参照し、その例を添付の図面に示し、全体を通して、同様の参照番号は同様の要素を指す。例示的な実施形態は図を参照することによって、その態様を説明するために、以下に記載される。
本明細書において、第１の要素が第２の要素「上に」形成されるか、または配置されると言う場合、第１の要素は、第２の要素上に直接配置されてもよく、または１つ以上の他の要素がそれらの間に配置されてもよい。第１の要素が第２の要素「直上に」形成されるか、または配置されると言う場合、それらの間に他の要素は配置されない。
用語「接触して挟まれる」は、中間の層が２つの隣接する層と直接接触する３つの層の配置を指す。
本発明の一実施形態による有機発光ダイオードは、正孔輸送領域と、発光層と、式Ｉによる化合物を含む第１の電子輸送層とを備えていてもよい。
図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、発光層１５０、式Ｉの化合物を含む電子輸送層（ＥＴＬ）１６１および電子注入層１８０を備え、第１の電子輸送層１６１は、発光層１５０直上に配置され、電子注入層１８０は、第１の電子輸送層１６１直上に配置されている。
図２は、本発明の一実施形態による有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、発光層１５０、ならびに式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層１６１および第２の電子輸送層１６２を含む電子輸送層積層体（ＥＴＬ）１６０を含み、第２の電子輸送層１６２は、第１の電子輸送層１６１直上に配置されている。
図３は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、発光層１５０、ならびに、式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層１６１、式Ｉの化合物を含むが第１の電子輸送層の化合物とは異なる第２の電子輸送層１６２、および第３の電子輸送層１６３を含む電子輸送層積層体（ＥＴＬ）１６０を含み、第２の電子輸送層１６２は、第１の電子輸送層１６１直上に配置され、第３の電子輸送層１６３は、第１の電子輸送層１６２直上に配置されている。
図４は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、基板１１０、第１のアノード電極１２０、正孔注入層（ＨＩＬ）１３０、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４０、発光層（ＥＭＬ）１５０、１つの第１の電子輸送層（ＥＴＬ）１６１、電子注入層（ＥＩＬ）１８０、およびカソード電極１９０を含む。第１の電子輸送層（ＥＴＬ）１６１は、式Ｉの化合物を、そして場合によってはハロゲン化アルカリまたはアルカリ有機錯体を含む。電子輸送層（ＥＴＬ）１６１は、ＥＭＬ１５０直上に形成されている。
図５は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、基板１１０、第１のアノード電極１２０、正孔注入層（ＨＩＬ）１３０、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４０、発光層（ＥＭＬ）１５０、電子輸送層積層体（ＥＴＬ）１６０、電子注入層（ＥＩＬ）１８０、およびカソード電極１９０を含む。電子輸送層（ＥＴＬ）１６０は、第１電子輸送層１６１および第２電子輸送層１６２を含み、第１電子輸送層は、アノード（１２０）の近くに配置され、第２電子輸送層はカソード（１９０）の近くに配置されている。第１および／または第２の電子輸送層は、式Ｉの化合物を、そして場合によりハロゲン化アルカリまたはアルカリ有機錯体を含む。
図６は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、基板１１０、第１のアノード電極１２０、正孔注入層（ＨＩＬ）１３０、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４０、発光層（ＥＭＬ）１５０、電子輸送層積層体（ＥＴＬ）１６０、電子注入層（ＥＩＬ）１８０、および第２のカソード電極１９０を含む。電子輸送層積層体（ＥＴＬ）１６０は、第一の電子輸送層１６１、第二の電子輸送層１６２および第三の電子輸送層１６３を含む。第一電子輸送層１６１は、発光層（ＥＭＬ）１５０直上に形成されている。第１、第２および／または第３の電子輸送層は、各層について異なる式Ｉの化合物を、そして場合によりハロゲン化アルカリまたはアルカリ有機錯体を含む。
基板は、アノード１２０の下またはカソード１９０の上にさらに配置されてもよい。基板は、一般的な有機発光ダイオードに用いられる基板であってよく、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い易さおよび耐水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板であってもよい。
正孔注入層１３０は、アノードとしてのＩＴＯと正孔輸送層１４０に使用される有機材料との間の界面特性を改善することができ、非平坦化ＩＴＯ上に適用することができ、従って、ＩＴＯの表面を平坦化することができる。例えば、正孔注入層１３０は、アノードとしてのＩＴＯの仕事関数と正孔輸送層１４０のＨＯＭＯとの差を調整するために、ＩＴＯの仕事関数および正孔輸送層１４０のＨＯＭＯの間に特に望ましい導電率を有する材料を含んでもよい。
正孔輸送領域が正孔注入層１３０を含む場合、正孔注入層は、例えば真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、Langmuir-Blodgett（ＬＢ）法等の種々の方法のいずれかによって、アノード１２０上に形成されてもよい。
正孔注入層が真空蒸着を用いて形成される場合、真空蒸着条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変化し得、例えば、真空蒸着は、約１００℃～約５００℃の温度、約１０－８ｔｏｒｒ～約１０－３Ｔｏｒｒの圧力、および約０．０１～約１００Å／秒の蒸着速度で実施され得るが、蒸着条件はこれに限定されない。
スピンコーティングを用いて正孔注入層を形成する場合、コーティング条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変わり得る。例えば、塗布速度は約２０００ｒｐｍ～約５０００ｒｐｍの範囲であってよく、塗布後に溶媒を除去するために行われる加熱処理での温度は約８０℃～約２００℃の範囲であってよいが、コーティング条件はこれに限定されない。
正孔輸送層および電子阻止層を形成するための条件は、正孔注入層について上述した形成条件に基づいて規定することができる。
正孔輸送領域の厚さは、約１００Å～約１００００Åであってよく、例えば、約１００Å～約１０００Åであってよい。正孔輸送領域が正孔注入層および正孔輸送層を含む場合、正孔注入層の厚さは、約１００Å～約１０，０００Åであってよく、例えば、約１００Å～約１０００Åであってよく、正孔輸送層の厚さは約５０Å～約２，０００Åであってよく、例えば、約１００Å～約１５００Åであってよい。正孔輸送領域、ＨＩＬ、およびＨＴＬの厚さがこれらの範囲内にあるとき、動作電圧の大幅な増加なしに満足な正孔輸送特性が得られ得る。
発光層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば、約２００Å～約６００Åであってよい。発光層の厚さがこれらの範囲内にある場合、発光層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された発光特性を有し得る。
次に、電子輸送領域は、発光層上に配置される。
電子輸送領域は、第２の電子輸送層、式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層、および電子注入層のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
電子輸送層の厚さは、約２０Å～約１０００Åであってよく、例えば、約３０Å～約３００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された電子輸送補助能力を有し得る。
電子輸送層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば、約１５０Å～約５００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子輸送能力を有し得る。
また、電子輸送領域は、アノードからの電子の注入を容易にすることができる電子注入層（ＥＩＬ）を含んでいてもよい。
電子注入層は、電子輸送層上に配置されてよく、カソードからの電子注入を容易にし、最終的には電力効率を向上させる役割を果たすことができ、例えばＬｉＦ、Ｌｉｑ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｙｂ等の、関連技術で用いられている、特に限定されないいかなる材料を用いて形成することができる。
電子注入層は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２ＯおよびＢａＯから選択された少なくとも１つを含んでいてもよい。
ＥＩＬの厚さは、約１Å～約１００Åであってよく、または約３Å～約９０Åであってもよい。電子注入層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子注入層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子注入能力を有することができる。
アノードは、有機層上に配置することができる。アノードの材料は、仕事関数の小さい金属、合金、導電性化合物、またはそれらの組み合わせであってよい。アノード１２０の材料の具体例は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、銀（Ａｇ）等であってよい。トップエミッション型の発光デバイスを製造するために、アノード１２０は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）から光透過性電極として形成されてもよい。
本発明の別の態様によれば、アノード電極（１２０）上に、正孔注入層（１３０）、正孔輸送層（１４０）、任意の電子阻止層、発光層（１３０）、式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層（１６１）、第２の電子輸送層（１６２）、電子注入層（１８０）、およびカソード（１９０）の他の層がこの順序で堆積されるか、または層がカソード（１９０）から始まって、他の方法で堆積される、有機エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法が提供される。
＜有機半導体層＞
本発明の有機電子デバイスは、有機半導体層を含んでいてもよく、少なくとも１つの有機半導体層は、式Ｉの化合物を含む。
本発明の有機電子デバイスの有機半導体層は、本質的に非発光性または非発光性である。
有機半導体層は、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子阻止層、正孔阻止層または電子注入層、好ましくは電子輸送層または発光層、より好ましくは電子輸送層であり得る。
一実施形態によれば、有機半導体層は、光活性層とカソード層との間、好ましくは発光層または光吸収層とカソード層との間に配置することができ、好ましくは、有機半導体層は電子輸送層である。
一実施形態によれば、有機半導体層は、少なくとも１つのハロゲン化アルカリまたはアルカリ有機錯体を含んでいてもよい。
＜有機電子デバイス＞
本発明の有機電子デバイスは、式Ｉによる化合物を含む有機半導体層を含む。
一実施形態に係る有機電子デバイスは、基板、アノード層、式１の化合物を含む有機半導体層、およびカソード層を含んでいてもよい。
一実施形態に係る有機電子デバイスは、式Ｉの少なくとも１つの化合物を含む少なくとも１つの有機半導体層、少なくとも１つのアノード層、少なくとも１つのカソード層、および少なくとも１つの発光層を含み、有機半導体層は、好ましくは発光層とカソード層との間に配置される。
本発明の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、基板上に順次積層されたアノード、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、少なくとも１つの式１の化合物を含む電子輸送層（ＥＴＬ）、およびカソードを含むことができる。なお、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬは、有機化合物からなる薄膜である。
一実施形態に係る有機電子デバイスは、発光デバイス、薄膜トランジスタ、電池、表示装置または光発電電池、および好ましくは発光デバイスであり得る。
一実施形態によれば、ＯＬＥＤは、以下の層状構造を有することができ、当該層は、以下の順序を有する：
アノード層、正孔注入層、任意の第一の正孔輸送層、任意の第二の正孔輸送層、発光層、本発明の式１の化合物を含む電子輸送層、電子注入層、およびカソード層。
本発明の別の態様によれば、有機電子デバイスの製造方法が提供され、当該方法は、少なくとも１つの蒸着源、好ましくは２つの蒸着源、およびより好ましくは少なくとも３つの蒸着源を用いる。
適切であり得る堆積方法は：
真空熱蒸発による堆積；
溶液処理による堆積、好ましくは当該処理がスピンコーティング、印刷、キャスティングから選択され、および／または
スロットダイコーティング、を含む。
本発明の様々な実施形態によれば、以下を使用する方法が提供される：
本発明の式１の化合物を放出するための第１の蒸着源、および
ハロゲン化アルカリまたはアルカリ有機錯体、好ましくはハロゲン化リチウムまたはリチウム有機錯体を放出するための第２の蒸着源；
当該方法は、電子輸送層積層体を形成する工程を含み、それによって有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を形成する：
第１の電子輸送層は、第１の堆積源から本発明の式１の化合物を放出することによって形成され、第２の堆積源からハロゲン化アルカリまたはアルカリ有機錯体、好ましくはハロゲン化リチウムまたはリチウム有機錯体を放出することによって形成される。
本発明の様々な実施形態によれば、上記方法は、アノード電極上に、発光層、および、上記アノード電極と上記第１の電子輸送層との間に、正孔注入層を形成すること、正孔輸送層を形成すること、または正孔阻止層を形成すること、からなる群から選択される少なくとも１つの層を形成することをさらに含んでいてもよい。
本発明の種々の実施形態によれば、上記方法は、さらに、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を形成する工程を含んでもよく、
基板上に第１のアノード電極が形成され、
上記第１のアノード電極上に発光層が形成され、
上記発光層上に電子輸送層積層体が形成され、好ましくは第１の電子輸送層が発光層上に形成され、そして任意の第２の電子輸送層が形成され、
そして最後にカソード電極が形成され、
任意の正孔注入層、正孔輸送層および正孔阻止層が、第１のアノード電極と上記発光層との間にその順で形成され、上記任意の電子注入層が電子輸送層およびカソード電極の間に形成される。
本発明の様々な実施形態によれば、上記方法は、第１の電子輸送層上に電子注入層を形成するステップをさらに含んでいてもよい。しかしながら、本発明のＯＬＥＤの様々な実施形態によれば、ＯＬＥＤは、電子注入層を含まなくてもよい。
様々な実施形態によれば、ＯＬＥＤは、以下の層状構造を有していてもよく、当該層は、以下の順序を有する：
アノード、第一の正孔輸送層、第二の正孔輸送層、発光層、任意の第二の電子輸送層、本発明の式１の化合物を含む第一の電子輸送層、任意の電子注入層、およびカソード。
本発明の別の態様によれば、本出願全体にわたって記載される任意の実施形態に係る少なくとも１つの有機発光デバイスを含む電子デバイスが提供され、好ましくは、電子デバイスは、本出願全体にわたって記載される実施形態のうちの１つにおいて有機発光ダイオードを含む。より好ましくは、電子デバイスは表示装置である。
以下、実施例を参照して実施形態をより詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施例に限定されない。ここで、例示的な態様を詳細に参照する。
＜式１の化合物の調製＞
式１の化合物は、以下の記載のように調製してもよいし、Huangらによって開示されるChemical Communications (Cambridge, United Kingdom) (2012), 48(77), 9586-9588に記載のように調製してもよい。
［鈴木カップリング（Suzuki coupling）の一般的手順］
Figure 0007395470000067
セットアップは不活性雰囲気下で行われる。フラスコに、窒素向流下で、上記Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤを充填する。水（蒸留水）をＮ２（撹拌下）で約３０分間脱気する。溶媒混合物を添加し、混合物を撹拌しながら加熱する（ＴＬＣコントロール）。
［式１の化合物の合成］
７－（３’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）ジベンゾ［ｃ，ｈ］アクリジンの合成
Figure 0007395470000068
試薬および反応条件：（２－（３－ブロモフェニル）エテン－１，１，２－トリイル）トリベンゼン（１．０当量）、７－（３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル）ジベンゾ［ｃ，ｈ］アクリジン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（３．０当量）。９５℃において１８時間（１１２ｍＬ、グライム／Ｈ２Ｏ ２．５／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、沈殿物を濾過し、水で洗浄した。次に、洗浄した濾過物をジクロロメタンに溶解し、フロリジルのパッドで濾過して濃縮した。ヘキサンを添加して、沈殿が生じた。粗生成物をトルエンに溶解し、フロリジルのパッドで濾過した。溶媒を蒸発させ、残渣をジクロロメタンに溶解し、ヘキサンを加えて沈殿させた。５．２ｇ（収率３７％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：６８６（Ｍ＋Ｈ）。
２－（５－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－３’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）ベンゾ［ｄ］チアゾールの合成
Figure 0007395470000069
試薬および反応条件：２－クロロ－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、２－（５－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－３’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）ベンゾ［ｄ］チアゾール（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。（１３０ｍＬ、ジオキサン／Ｈ２Ｏ ３／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、沈殿物を濾過し、水およびメタノールで洗浄し、熱トルエンに溶解し、シリカゲルのパッドで濾過した。溶媒を蒸発させ、固体をクロロベンゼン中で再結晶させた。８．６ｇ（収率６０％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：７７３（Ｍ＋Ｈ）。
２－（［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－４－フェニル－６－（３’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000070
試薬および反応条件：２－（［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－４－（４－クロロフェニル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、クロロ（クロチル）（２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ－１７２）（０．０２当量）、リン酸カリウム（２．０当量）。５０℃において２０時間（２５０ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ４／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、沈殿物を濾過し、ジクロロメタンに溶解し、水で洗浄した。有機相をフロリジルのパッドで濾過して濃縮し、沈殿を誘導した。次に、固体をジクロロメタン中で粉砕した。１１．０ｇ（収率６７％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：７１６（Ｍ＋Ｈ）。
２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－４－フェニル－６－（３’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000071
試薬および反応条件：２－（４－クロロフェニル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－２－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、クロロ（クロチル）（２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ－１７２）（０．０２当量）、リン酸カリウム（２．０当量）。４５℃において１７時間（２５０ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ４／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、５℃に冷却した。沈殿物を濾過し、クロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をフロリジルのパッドで濾過して濃縮した。ヘキサンを添加して沈殿物が生じ、濾過し、トルエン中でさらに再結晶させた。１５．７ｇ（収率９３％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：７３０（Ｍ＋Ｈ）。
２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－４－フェニル－６－（３’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000072
試薬および反応条件：２－（３－クロロフェニル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、クロロ（クロチル）（２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ－１７２）（０．０２当量）、リン酸カリウム（２．０当量）。１００℃において１時間（２２２ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ４／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、沈殿物を濾過し、クロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をシリカゲルのパッドで濾過し、溶媒を蒸発させた。固体をメタノール中で粉砕した。１４．８ｇ（収率８９％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：７４６（Ｍ＋Ｈ）。
２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－４－フェニル－６－（３’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000073
試薬および反応条件：２－（３－クロロフェニル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、２－（３－クロロフェニル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、クロロ（クロチル）（２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ－１７２）（０．０５当量）、リン酸カリウム（５．０当量）。７５℃において１３８時間（１６０ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ４／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、沈殿物を濾過し、ジクロロメタンに溶解し、水で洗浄した。有機相をフロリジルのパッドで濾過し、溶媒を蒸発させた。粗固体をトルエン中で粉砕した。８．２ｇ（収率７０％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：７３０（Ｍ＋Ｈ）、７５２（Ｍ＋Ｎａ）。
２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－４－フェニル－６－（４’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000074
試薬および反応条件：２－（４－クロロフェニル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、クロロ（クロチル）（２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ－１７２）（０．０２当量）、リン酸カリウム（２．０当量）。５０℃において６５時間（２５０ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ４／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、沈殿物を濾過し、クロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をシリカゲルのパッドで濾過し、溶媒を蒸発させた。粗固体をヘキサン中で粉砕した。１４．８ｇ（収率８８％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：７３０。
２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－４－フェニル－６－（４’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000075
試薬および反応条件：２－（３－クロロフェニル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、クロロ（クロチル）（２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ－１７２）（０．０５当量）、リン酸カリウム（５．０当量）。１００℃において２時間および４５℃において１時間（３００ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ４／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を室温まで冷却し、沈殿物を濾過し、クロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をシリカゲルのパッドで濾過し、溶媒を蒸発させた。次いで、粗固体をジクロロメタンに溶解し、ヘキサンを添加して沈殿を生じた。沈殿物を濾過した。７．８ｇ（収率８１％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：７３０（Ｍ＋Ｈ）。
２－フェニル－４，６－ビス（３’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000076
試薬および反応条件：２，４－ビス（４－クロロフェニル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、クロロ（クロチル）（２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ－１７２）（０．０２当量）、リン酸カリウム（２．０当量）。５０℃において１８時間（１００ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ４／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を５℃に冷却した。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。固体をクロロベンゼンに溶解し、フロリジルのパッドで濾過し、溶媒を蒸発させた。粘着性の固体をヘキサン中で撹拌して濾過した。５．８ｇ（収率５７％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：９７０（Ｍ＋Ｈ）。
［中間体の合成］
Chemical Communications, 48(77), 9586-9588; 2012に従った、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン、４，４，５，５－テトラメチル－２－（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン、（２－（３－ブロモフェニル）エテン－１，１，２－トリイル）トリベンゼンおよび（２－（４－ブロモフェニル）エテン－１，１，２－トリイル）トリベンゼンの合成。
Figure 0007395470000077
Angewandte Chemie International Edition, 54(50), 15284-15288; 2015に従った、２－（３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル）ピリジンの合成。
Figure 0007395470000078
米国特許公開公報２０１３０２４８８３０（２０１３年９月２６日）に従った、２－クロロ－４，６－ジ（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジンの合成。
Figure 0007395470000079
Repub. Korean Kongkae Taeho Kongbo, 2014094408（２０１４年６月３０日）に従った、２，４－ジクロロ－６－（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジンの合成。
Figure 0007395470000080
ＰＣＴ国際出願（２０１６２０４３７５、２０１６年１２月２２日）に従った、２－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－４，６－ジクロロ－１，３，５－トリアジンの合成。
Figure 0007395470000081
ナフチル類似体である２，４－ジクロロ－６－（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジンについて報告されている手順と同じ手順に従ってグリニャール反応によって、２，４－ジクロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジンを合成した。
Figure 0007395470000082
２－（４－ブロモフェニル）ベンゾ［ｄ］チアゾール（欧州特許出願１７４６０９６、２００７年１月２４日）の合成と同じ手順に従って、３－ブロモ－５－クロロ安息香酸を出発物質として、２－（３－ブロモ－５－クロロフェニル）ベンゾ［ｄ］チアゾールを合成した。
Figure 0007395470000083
７－（３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル）ジベンゾ［ｃ，ｈ］アクリジンの合成は、ＰＣＴ国際出願（２０１３０７９２１７、２０１３年６月６日）に従って実行した。
Figure 0007395470000084
２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロランの合成は、ＰＣＴ国際出願（２０１５１６５８２６、２０１５年１１月５日）に従って実行した。
Figure 0007395470000085
２－クロロ－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000086
試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。６５℃において４時間（２７０ｍＬ ＴＨＦ／トルエン／Ｈ２Ｏ １／１／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、溶媒を蒸発させた。粗混合物をトルエンに溶解し、水で洗浄した。有機相をフロリジルのパッドで濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。ヘキサンを添加すると、沈殿が観察された。次いで、固体を濾過し、トルエン中で再結晶させた。１２．６ｇ（収率３７％）。ＧＣ－ＭＳ：３７３。
２－クロロ－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000087
試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イルボロン酸（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。１００℃において１時間（１１１０ｍＬ ＴＨＦ／トルエン／Ｈ２Ｏ １／１／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を５℃に冷却した。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。固体を６０℃でクロロホルムに溶解し、シリカゲルのパッドで濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。ヘキサンを添加すると沈殿物が生じた。固体を濾過し、昇華によってさらに精製した。６３ｇ（収率４１％）。ＧＣ－ＭＳ：３５７。
２－クロロ－４－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000088
試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、２－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。９５℃において７時間（９００ｍＬ ＴＨＦ／トルエン／Ｈ２Ｏ １／１／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、水相を分離し、有機相を水で洗浄した。一部の有機溶媒を蒸発させ、アセトニトリルを添加すると、沈殿が観察された。次いで、固体を濾過し、カラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン １／２）によりさらに精製した。１４．５ｇ（収率４２％）。ＥＳＩ－ＭＳ：５０８（Ｍ＋Ｈ）。
２－クロロ－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000089
試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イルボロン酸（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。９０℃において２時間（２５５０ｍＬ、ＴＨＦ／トルエン／Ｈ２Ｏ １／１／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を室温まで冷却した。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。固体を熱クロロベンゼンに溶解し、シリカゲルのパッドで濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。固体を濾過し、酢酸エチル中で粉砕し、昇華によってさらに精製した。１３０．８ｇ（収率４１％）。ＥＳＩ－ＭＳ：４０８（Ｍ＋Ｈ）。
２－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－４－クロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000090
試薬および反応条件：２－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－４，６－ジクロロ－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イルボロン酸（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）、６５℃において４時間（２４００ｍＬ ＴＨＦ／トルエン／Ｈ２Ｏ １／１／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を室温まで冷却した。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。固体を熱トルエンに溶解し、シリカゲルのパッドで熱濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。固体を濾過した。６０ｇ（収率２７％）。ＥＳＩ－ＭＳ：４３４（Ｍ＋Ｈ）。
２－（［１，１’－ビフェニル］－２－イル）－４－クロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000091
試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、［１，１’－ビフェニル］－２－イルボロン酸（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０５当量）、炭酸カリウム（２．５当量）。６５℃において１１時間（５７０ｍＬ ＴＨＦ／トルエン／Ｈ２Ｏ １／１／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、溶媒を蒸発させた。粗混合物をクロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をシリカゲルのパッドで濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。ヘキサンを添加すると、沈殿が観察された。次に固体を濾過し、ジクロロメタン中で撹拌し、再び濾過した。１２．８ｇ（収率３９％）。ＧＣ－ＭＳ：４３３。
２－（［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－４－（４－クロロフェニル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000092
試薬および反応条件：２－（［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－４－クロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、（３－クロロフェニル）ボロン酸（１．１当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。７５℃において１７時間（２２０ｍＬ ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ １／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を室温まで冷却した。沈殿物を濾過し、水およびメタノールで洗浄した。固体をジクロロメタンに溶解し、シリカゲルのパッドで濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。ヘキサンを添加すると、沈殿が生じた。固体を濾過した。１９．６ｇ（収率５３％）。ＧＣ－ＭＳ：４１９。
２－（４－クロロフェニル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000093
試薬および反応条件：２－クロロ－４－（４－クロロフェニル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イルボロン酸（１．１当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。７５℃において５時間（４０５ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ２／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を５℃に冷却した。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。固体をトルエン中で粉砕した。３４．３ｇ（収率９２％）。ＧＣ－ＭＳ：４３３。
２－（３－クロロフェニル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000094
試薬および反応条件：２－クロロ－４－（３－クロロフェニル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（１．１当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。９０℃において１５時間（４５０ｍＬ ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ２／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を室温まで冷却した。沈殿物を濾過し、水およびメタノールで洗浄した。固体をジクロロメタンに溶解し、シリカゲルのパッドで濾過し、一部の溶媒を蒸発させて沈殿を誘導した。固体を濾過した。３１．４ｇ（収率７０％）。ＥＳＩ－ＭＳ：４４９（Ｍ＋Ｈ）。
２－（３－クロロフェニル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000095
試薬および反応条件：２－クロロ－４－（３－クロロフェニル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イルボロン酸（１．１当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。９０℃において１９時間（１５０ｍＬ ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ２／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を室温まで冷却した。沈殿物を濾過し、水およびメタノールで洗浄した。固体をトルエン中で粉砕し、濾過した。１２．２ｇ（収率８５％）。ＥＳＩ－ＭＳ：４３４（Ｍ＋Ｈ）。
２－（４－クロロフェニル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジンの合成
Figure 0007395470000096
試薬および反応条件：２－クロロ－４－（４－クロロフェニル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イルボロン酸（１．１当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。７５℃において５時間（４００ｍＬ ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ２／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を５℃に冷却した。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。固体をトルエン中で粉砕し、濾過した。３４．３ｇ（収率９２％）。ＥＳＩ－ＭＳ：４３４（Ｍ＋Ｈ）。
２，４－ビス（４－クロロフェニル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン ＢＶ１８１５８の合成
Figure 0007395470000097
試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、（４－クロロフェニル）ボロン酸（１．１当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。９０℃において１３時間（８００ｍＬ ＴＨＦ／Ｈ２Ｏ ２／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を５℃に冷却した。沈殿物を濾過し、水およびメタノールで洗浄した。固体を熱クロロホルムに溶解し、シリカゲルのパッドで熱濾過し、一部の溶媒を蒸発させて沈殿を誘導した。固体を濾過した。４．０ｇ（収率１２．２％）。ＧＣ－ＭＳ：３７７。
２－（５－クロロ－３’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）ベンゾ［ｄ］チアゾールの合成
Figure 0007395470000098
試薬および反応条件：２－（３－ブロモ－５－クロロフェニル）ベンゾ［ｄ］チアゾール（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。６５℃において１１時間（１７５ｍＬ、ジオキサン／Ｈ２Ｏ ４／１）。
ＴＬＣによる反応完了後、溶媒を蒸発させた。粗混合物をクロロホルムに溶解し、水で洗浄した。溶媒を蒸発させ、残渣をＭＴＢＥに溶解し、イソプロパノールを添加すると、沈殿が観察された。次に固体を濾過した。１５．５ｇ（収率８７％）。化合物を次の工程で直接使用した。
２－（５－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－３’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）ベンゾ［ｄ］チアゾールの合成
Figure 0007395470000099
フラスコを真空下で乾燥させ、窒素を流した。窒素の向流下において、フラスコに２－（５－クロロ－３’－（１，２，２－トリフェニルビニル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）ベンゾ［ｄ］チアゾール（１．０当量）、４，４，４’，４’，５，５，５’，５’－オクタメチル－２，２’－ビ（１，３，２－ジオキサボロラン）（１．３当量）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（０．０２５当量）、酢酸カリウム（３．０当量）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（０．０５当量）、およびジオキサン（２６５ｍＬ、無水）を充填した。反応物を室温において１２時間撹拌した。ＴＬＣによる反応完了後、反応物を室温まで冷却し、沈殿物を濾過した。反応物から溶媒を蒸発させ、得られた油をヘキサンに溶解した。形成された沈殿物を濾過し、ジクロロメタンに溶解した。ヘキサンおよびアセトニトリルを添加すると、沈殿が観察された。固体を濾過した。１５．５ｇ（収率８８％）。ＥＳＩ－ＭＳ：６６８（Ｍ＋Ｈ）。
９－ブロモ－１０－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）アントラセンの合成
Figure 0007395470000100
９－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）アントラセン（１．０当量）およびＮＢＳ（１．２当量）をフラスコに入れ、ＣＨＣｌ３（６００ｍＬ）に溶解させた。得られた溶液を４０℃において４日間加熱し、次いで室温に冷却した。沈殿物を濾過し、クロロホルム中で粉砕した。３１．３ｇ（収率７６％）。化合物を次の工程で直接使用した。
９－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）アントラセンの合成
Figure 0007395470000101
試薬および反応条件：（２－（３－ブロモフェニル）エテン－１，１，２－トリイル）トリベンゼン（１．０当量）、アントラセン－９－イルボロン酸（１．７当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（０．０２当量）＋［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２）（０．０２当量）、炭酸カリウム（３．０当量）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（０．０５当量）。９０℃において７日間（５２５ｍＬ、グライム／水 ２．５／１．０）。
ＴＬＣによる反応完了後、反応物を室温まで冷却した。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。固体を熱トルエンに溶解し、シリカゲルのパッドで熱濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。固体を濾過し、ジクロロメタン中で粉砕し（熱濾過）、トルエン中で再結晶させた。３６．１ｇ（収率７１％）。ＥＳＩ－ＭＳ：５０８（Ｍ）。
＜有機電子デバイスの製造の一般的手順＞
一般的な有機電子デバイスとしては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：organic light-emitting diode）、有機太陽電池（ＯＳＣ：organic photovoltaic cell）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：organic field-effect transistor）または有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ：organic light emitting transistor）が挙げられる。
有機電子デバイスの任意の機能層は、式１の化合物を含んでもよく、または、式１の化合物から構成されていてもよい。
ＯＬＥＤを個々の機能層から構成させて、上部電極を介して発光するトップエミッション型ＯＬＥＤを形成してもよい。ここで、個々の機能層の順序は、以下のようであってよい：不透明アノード層（下部電極）／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／透明カソード層（上部電極）。「／」は、個々の層間の接触面を示す。各層自体は、数層のサブ層（sub-layer）によって構成されていてもよい。
ＯＬＥＤを個々の機能層から構成させて、下部電極を介して発光するボトムエミッション型ＯＬＥＤを形成してもよい。ここで、個々の機能層の順序は、以下のようであってよい：透明アノード層（下部電極）／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／不透明カソード層（上部電極）。「／」は、個々の層間の接触面を示す。各層自体は、数層のサブ層によって構成されていてもよい。
有機電子デバイスにおいて式１の化合物を利用する技術的利点を実証するために、トップエミッション型ＯＬＥＤデバイスを作製した。
＜トップエミッション型デバイスの製造＞
トップエミッション型デバイスについて、実施例１～７および比較例１～３では、ガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍの大きさに切った。イソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄した後、純水で５分間超音波洗浄し、その後ＵＶオゾンで３０分間再度洗浄し、第１電極を作製した。１００ｎｍのＡｇを１０－５ｍｂａｒ～１０－７ｍｂａｒの圧力で蒸着させて、アノードを形成した。次に、９２体積％のビフェニル－４－イル（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－アミン（ＣＡＳ １２４２０５６－４２－３）および８体積％の４，４’，４''－（（１Ｅ，１’Ｅ，１''Ｅ）－シクロプロパン－１，２，３－トリイリデントリス（シアノメタニルイリデン））トリス（２，３，５，６－テトラフルオロベンゾニトリル）をＡｇ電極に真空蒸着させて、１０ｎｍの厚さを有するＨＩＬを形成した。次に、ビフェニル－４－イル（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－アミン（ＣＡＳ １２４２０５６－４２－３）をＨＩＬに真空蒸着させて、１１８ｎｍの厚さを有するＨＴＬを形成した。次に、Ｎ，Ｎ－ビス（４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）フェニル）－［１，１’：４’，１''－テルフェニル］－４－アミン（ＣＡＳ １１９８３９９－６１－９）をＨＴＬに真空蒸着させて、５ｎｍの厚さを有する電子ブロッキング層（ＥＢＬ）を形成した。
トップエミッション型デバイスに関し、９７体積％のＨ０９（Sun Fine Chemicals）をＥＭＬホストとして、３体積％のＢＤ２００（Sun Fine Chemicals）を蛍光青ドーパントとして、ＥＢＬ上に蒸着し、厚さ２０ｎｍの青色発光ＥＭＬを形成した。次に、２，４－ジフェニル－６－（４’，５’，６’－トリフェニル－［１，１’：２’，１''：３''，１'''：３'''，１''''－キンキフェニル］－３''''－イル）－１，３，５－トリアジンを、発光層に蒸着させて、５ｎｍの厚さを有する正孔ブロッキング層を形成した。次に、実施例１～７および比較例１～３に従って、正孔ブロッキング層上に、電子輸送層を３１ｎｍの厚さで形成した。電子輸送層は、５０重量％の式１の化合物（または比較化合物）および５０重量％の８－ヒドロキシキノリノラート－リチウム（ＬｉＱ）を含む。
次に、厚さ２ｎｍのＹｂを蒸着して、電子注入層を電子輸送層上に形成した。Ａｇを、１０－７ｍｂａｒにおいて０．０１～１Å／ｓの割合で蒸着して、厚さ１１ｎｍのカソードを形成した。ビフェニル－４－イル（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－アミンのキャップ層を厚さ７５ｎｍのカソード上に形成した。
ＯＬＥＤ積層体は、ガラススライドを用いてデバイスを封入することにより、周囲環境から保護されている。これにより、さらなる保護のためのゲッター材料を含んだ空洞が形成される。
先行技術と比較した本発明の実施例の性能を評価するために、トップエミッション型ＯＬＥＤの光出力を周囲条件下（２０℃）において測定する。Keithley 2400のソースメータを用いて電流電圧の測定を行い、「Ｖ」として記録する。トップエミッション型デバイスについて、１０ｍＡ／ｃｍ２におけるＣＩＥ座標および輝度（単位：カンデラ）を、Instrument Systems製の分光計ＣＡＳ１４０ ＣＴ（Deutsche Akkreditierungsstelle (DAkkS)によって較正されている）を用いて測定する。電流効率Ｃｅｆｆは、１０ｍＡ／ｃｍ２（ｃｄ／Ａ）で測定する。
トップエミッション型デバイスにおいて、発光は前方に向けられ、非ランバート反射によるものであり、また、微小空洞に大きく依存する。従って、外部量子効率（ＥＱＥ）および出力効率（ｌｍ／Ｗ）は、ボトムエミッション型デバイスと比べて高い。
＜使用した化合物＞
Figure 0007395470000102
Figure 0007395470000103
Figure 0007395470000104
＜融点＞
融点（Ｔｍ）は、上述のＴＧＡ－ＤＳＣ測定のＤＳＣ曲線から、または、個別のＤＳＣ測定から、ピーク温度として測定される（Mettler Toledo DSC 822e、サンプルを、室温から溶融の完了まで、純窒素を流しながら、１０Ｋ／分の加熱速度で加熱する。４～６ｍｇのサンプル量を、蓋付きの４０μＬのMettler Toledo アルミニウムパンに入れる。蓋には１ｍｍ未満の孔が開けられている）。
＜ガラス転移温度＞
ガラス転移温度（Ｔｇ）は窒素下で測定され、当該測定は、示差走査熱量計Mettler Toledo DSC 822eを用いて１０Ｋ／分の加熱速度で行われる。当該測定については、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ １１３５７（２０１０年３月公開）を参照されたい。
＜レート開始温度（rate onset temperature）＞
気相への遷移に対するレート開始温度は、１００ｍｇの化合物をＶＴＥ源へ入れることで測定した。ＶＴＥ源として、Kurt J. Lesker Company (www.lesker.com)またはCreaPhys GmbH (http://www.creaphys.com)によって提供されている、有機材料の点源を使用する。ＶＴＥ（真空熱蒸着、vacuum thermal evaporation）源の温度は、ＶＴＥ源中の化合物と直接接触するサーモカップルによって測定する。
ＶＴＥ源は、真空チャンバ内で１０－７ｍｂａｒ～１０－８ｍｂａｒの圧力下において、１５Ｋ／分の一定の割合で加熱し、サーモカップルを用いてＶＴＥ源の内部温度を測定する。化合物の蒸着を、ＱＣＭ検出器を用いて検出する。当該検出器は、検出器の石英結晶上に積層された化合物を検出する。石英結晶上への積層速度は、１秒間当たりのオングストロームで測定する。レート開始温度を測定するために、ＶＴＥ源の温度に対する積層速度（対数スケール）をプロットする。レート開始温度は、ＱＣＭ検出器上に顕著な蒸着が起こるときの温度である（０．０２Å／秒の速度で定義される）。ＶＴＥ源を３回加熱冷却し、２回目および３回目のみの実施から得られた結果を、レート開始温度の測定に使用した。レート開始温度は、化合物の揮発性の間接的な尺度である。レート開始温度が高いほど、化合物の揮発性が低い。
＜本発明の技術的効果＞
まとめると、固有の分子構造である式１の化合物を含む有機電デバイスの電子効率は高い。ガラス転移温度およびレート開始温度は、有機半導体層の大量生産に許容し得る範囲内である。
Figure 0007395470000105
Figure 0007395470000106
Figure 0007395470000107
表１には、比較化合物のガラス転移温度、溶融温度、レート開始温度を示す。
表２には、式１の化合物のガラス転移温度、溶融温度、レート開始温度を示す。
Figure 0007395470000108
本発明は、実用的な実施形態の例として現在考えられるものと関連させて説明したが、本発明は開示された実施形態に限定されるものではなく、反対に、添付されている特許請求の範囲の技術思想および範囲内に含まれる様々な変更および等価な構成を包含するものとして理解されるべきである。従って、上述の実施形態は、例示的であり、本発明をなんら限定しないと理解されるべきである。
発光層、１つの電子輸送層、および電子注入層を有する、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。 発光層および２つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。 発光層および３つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である。 発光層および１つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。 発光層および２つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。 発光層および３つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である。

Claims (13)

  1. 式Ｉの化合物：

    式中、
    Ｘ１～Ｘ２０はＣ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１、Ｃ－Ｚから独立して選択され、または、Ｘ １ ～Ｘ ２０ はＣ－Ｈ、Ｃ－Ｒ １ 、Ｃ－Ｚから独立して選択されかつ化学結合によって互いに結合しているＸ１～Ｘ５、Ｘ６～Ｘ１０、Ｘ１１～Ｘ１５、Ｘ１６～Ｘ２０の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環を形成し、
    Ｘ１～Ｘ２０の少なくとも１つはＣ－Ｚから選択され；
    Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
    Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－２４アリールおよびＣ２－２０ヘテロアリールから選択され；
    Ｚは式Ｅ１～Ｅ９から選択され、

    式中、
    Ｚ１～Ｚ１５は独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ１から選択され、または、Ｚ １ ～Ｚ １５ は独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ １ から選択されかつ化学結合によって互いに結合しているＺ１～Ｚ５、Ｚ６～Ｚ１０、Ｚ１１～Ｚ１５の少なくとも２つは架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し；
    Ｒ１は－ＮＲ２Ｒ３または－ＢＲ２Ｒ３から選択され；
    Ｒ２およびＲ３は独立して、Ｃ６－１６アリールおよびＣ２－１２ヘテロアリールから選択され；
    Ａｒ２は、少なくとも１つのトリアジン環を含み、式Ｆ５～Ｆ１０、Ｆ１６、Ｆ１７およびＦ２１～Ｆ２４から選択され、



    式Ｆ８中、
    Ｒ＝ナフチル、ｐ－ビフェニルまたはｏ－ビフェニルであり、
    ｍは１、２または３から選択され；
    式Ｉの化合物は、芳香族環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄから構成されるテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）を１つのみ含む。
  2. 少なくとも１～５つのヘテロ芳香環を含む、請求項１に記載の化合物。
  3. 式Ｉの化合物は、芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの全てを含み、前記芳香族環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのうちの少なくとも１つの芳香族環は、前記芳香族環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのうち、当該少なくとも１つの芳香族環以外の芳香族環の置換基とは異なる置換基によって置換されている、請求項１に記載の化合物。
  4. 少なくとも１つのＣ６～Ｃ１８アリーレンが、式（Ｉ）の芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも１つと環形成する、請求項１に記載の化合物。
  5. Ｚが、式Ｅ１またはＥ５から選択される、請求項１に記載の化合物。
  6. Ａｒ２はピリジンを含む、請求項１に記載の化合物。
  7. Ａｒ２はニトリルを含む、請求項１に記載の化合物。
  8. Ｇ１～Ｇ７、Ｇ１２、Ｇ１３、Ｇ２１、Ｇ２８、Ｇ２９、Ｇ３１～Ｇ３３、Ｇ３５、Ｇ３６～Ｇ３８、Ｇ４０、Ｇ４２、Ｇ４３、Ｇ４５、Ｇ４６およびＧ４８から選択され、










    式Ｇ６中、Ｒ＝ナフチル、ｐ－ビフェニルまたはｏ－ビフェニルである、請求項１に記載の化合物。
  9. 有機半導体層を含む有機電子デバイスであって、
    少なくとも１つの有機半導体層は請求項１に記載の化合物を含む、有機電子デバイス。
  10. 上記有機半導体層は光活性層とカソード層との間に配置される、請求項９に記載の有機電子デバイス。
  11. 少なくとも１つの有機半導体層はさらに、少なくとも１つのハロゲン化アルカリまたはアルカリ有機錯体を含む、請求項９に記載の有機電子デバイス。
  12. 少なくとも１つの有機半導体層と、少なくとも１つのアノード層と、少なくとも１つのカソード層と、少なくとも１つの発光層とを含む、請求項９に記載の有機電子デバイス。
  13. 発光デバイス、薄膜トランジスタ、電池、表示デバイス、または光電池を含む群から選択される、請求項９に記載の有機電子デバイス。
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