CN112135822B - 具有低lumo能量的n-杂芳亚基化合物 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种根据式(1)所述的化合物:其适合用作电子器件的层材料，还涉及包含至少一种根据式(1)所述的化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件，和它们的制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及适合用作电子器件的层材料的具有低LUMO能量的N-杂芳亚基化合物，特别是具有苯并呋喃基或苯并噻吩基的N-杂芳亚基化合物，并且本发明还涉及包含至少一种所述化合物的有机半导体层以及包含至少一个有机半导体层的有机电子器件和它们的制造方法。
背景技术
有机电子器件例如作为自发光器件的有机发光二极管OLED具有广视角、出色的对比度、快速响应、高亮度、出色的工作电压特性和色彩再现。典型的OLED包括阳极、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和阴极，它们被顺序堆叠在基底上。就此而言，所述HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
当向所述阳极和阴极施加电压时，从所述阳极注入的空穴通过所述HTL向所述EML移动，从所述阴极注入的电子通过所述ETL向所述EML移动。所述空穴和电子在所述EML中复合，以产生激子。当所述激子从激发态下降到基态时，发出光。空穴和电子的注入和流动应该是平衡的，使得具有上述结构的OLED具有出色的效率和/或长寿命。
有机发光二极管的性能可受到所述有机半导体层的特性的影响，尤其是可受到所述有机半导体层的有机材料的特性的影响。
具体地，需要开发能够提高电子迁移率并同时提高电化学稳定性的有机材料，从而可以将所述有机电子器件例如有机发光二极管应用于大尺寸平板显示器。
此外，需要开发能够在较高电流密度下并因此在较高亮度下具有延长的寿命的有机材料。
对改进有机半导体层、有机半导体材料及其有机电子器件的性能，特别是通过改进其中包含的化合物的特性以在较高电流密度下实现更长寿命并具有较高效率，仍存在着需求。
对在较高电流密度下具有延长的寿命和/或在低工作电压下具有改进的效率的替代有机半导体材料和有机半导体层以及有机电子器件，存在着需求。
具体地，对在较高电流密度下具有延长的寿命以及提高的效率，并在同时保持工作电压并因此保持低功耗以提供长电池寿命以用于例如移动电子器件的替代化合物，存在着需求。
此外，对具有低LUMO能量并在相对低的蒸发温度(Tev)下具有高玻璃化转变温度(Tg)的替代化合物，存在着需求。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种式1的化合物：
其中
X是O或S；
R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自H、取代或未取代的C6至C38芳基、取代或未取代的C3至C36杂芳基或C1至C16烷基，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
m是选自0、1、2或3的整数；
n是选自0、1、2、3或4的整数；
Y是CR”或N，其中R”是H、取代或未取代的C6至C38芳基、取代或未取代的C3至C36杂芳基、或C1至C16烷基，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Ar1选自取代或未取代的C6至C38芳基、取代或未取代的C3至C36杂芳基、或C1至C16烷基，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Ar2选自取代或未取代的C6至C38芳亚基或式2，
其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Z选自O、S、Se、CR”’或NR”’，其中R”’选自C1至C16烷基或C6至C18芳基；
Ar3选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶、嘧啶、三嗪、喹啉、喹喔啉、苯并吖啶、二苯并吖啶、菲咯啉、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Ar4选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶、嘧啶、三嗪、喹啉、喹喔啉、苯并吖啶、二苯并吖啶、菲咯啉、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
并且其中当Ar2选择式2时，Ar4是H。
除非另有陈述，否则H可以表示氢或氘。
除非另有陈述，否则取代基可以选自C1至C12烷基，C1至C12烷氧基，C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中R’可以独立地选自烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中R”可以独立地选自H、取代或未取代的C6至C38芳基、取代或未取代的C3至C36杂芳基、或C1至C16烷基。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中R”’可以独立地选自C1至C16烷基或C6至C18芳基。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物可以包含至少一个6元杂芳环，所述杂芳环包含2个N原子至3个N原子，优选为3个N原子。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物可以包含至少两个6元杂芳环，所述杂芳环包含2个N原子至3个N原子，优选为3个N原子。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物可以包含至少三个6元杂芳环，所述杂芳环包含2个N原子至3个N原子，优选为3个N原子。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物可以包含至少四个6元杂芳环，所述杂芳环包含2个N原子至3个N原子，优选为3个N原子。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物可以包含至少一个5元杂芳环，所述杂芳环包含O作为杂原子。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物可以包含至少一个5元杂芳环，所述杂芳环包含S作为杂原子。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物可以包含至少一个5元杂芳环，所述杂芳环包含Se作为杂原子。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物可以包含至少两个5元杂芳环，所述杂芳环包含O作为杂原子。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物可以包含至少两个5元杂芳环，所述杂芳环包含S作为杂原子。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物可以包含至少两个5元杂芳环，所述杂芳环包含Se作为杂原子。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物可以包含至少2至12个6元非杂芳基/芳亚基环，优选地至少3至10个6元非杂芳基/芳亚基环，还优选地4至8个6元非杂芳基/芳亚基环，另外优选地5至6个6元非杂芳基环。
根据所述式1的化合物的一个实施方式：
其中
X是O；
R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自H、取代或未取代的C6至C38芳基、取代或未取代的C3至C36杂芳基或C1至C16烷基，其中
所述取代基可以选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
m是选自0、1、2或3的整数，优选为0；
n是选自0、1、2、3或4的整数，优选为0；
Y是N或CH；
Ar1可以选自取代或未取代的C6至C38芳基、取代或未取代的C3至C36杂芳基、或C1至C16烷基，其中
所述取代基可以选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Ar2可以选自取代或未取代的C6至C38芳亚基或式2，
其中
所述取代基可以选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Z可以选自O、S、Se、CR”’或NR”’，其中R”’选自C1至C16烷基或C6至C18芳基；
Ar3可以选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶、嘧啶、三嗪、喹啉、喹喔啉、苯并吖啶、二苯并吖啶、菲咯啉、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩，其中
所述取代基可以选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Ar4可以选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶、嘧啶、三嗪、喹啉、喹喔啉、苯并吖啶、二苯并吖啶、菲咯啉、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩，其中
所述取代基可以选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
并且其中当Ar2可以选择式2时，Ar4是H。
根据所述式1的化合物的一个实施方式：
其中
X是O；并且其中当Ar2可以选择式2时，Ar4是H。
根据所述式1的化合物的一个实施方式：
其中
X是S；并且其中当Ar2可以选择式2时，Ar4是H。
根据所述式1的化合物的一个实施方式：
其中
R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自H、取代或未取代的C6至C12芳基、取代或未取代的C3至C11杂芳基或C1至C3烷基，其中
所述取代基可以选自C6至C12芳基，C3至C11杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、C1至C16烷基、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基。
根据所述式1的化合物的一个实施方式：
其中
R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自H、未取代的C6至C12芳基、未取代的C3至C11杂芳基或C1至C3烷基。
根据所述式1的化合物的一个实施方式：
其中
R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自H和未取代的C6芳基，优选为H。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中m是选自0、1或2的整数。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中m是选自0或1的整数。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中m是0。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中n是选自0、1、2或3的整数。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中n是选自0、1或2的整数。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中n是选自0或1的整数。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中n是0。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物由式1a和/或1b表示：
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物由式1a表示：
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物由式1b表示：
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中
X是O或S；
R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自H、苯基、萘基或联苯基；
m是0；
n是0；
Y是N或CH，优选为N；
Ar1可以选自苯基、萘基、联苯基、菲基、三苯基或蒽基；
Ar2可以选自二价苯亚基、萘亚基、联苯亚基、菲亚基、三苯亚基或蒽亚基；
Z可以选自O、S、Se、CR”’或NR”’，其中R”’选自C1至C16烷基或C6至C18芳基；
Ar3可以选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶、嘧啶、三嗪、喹啉、喹喔啉、苯并吖啶、二苯并吖啶、菲咯啉、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩；
Ar4可以选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶、嘧啶、三嗪、喹啉、喹喔啉、菲咯啉、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中
Ar2选自式2；并且
Z选自O、S、Se、CR”’或NR”’，其中R”’选自C1至C16烷基或C6至C18芳基，并且Z更优选为CR”’，其中R”’选自C1至C16烷基或C6至C18芳基。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中
Ar2选自式2；并且
Z选自O、S、Se和CR”’，其中R”’选自C1至C16烷基或C6至C18芳基。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中
Ar2选自式2；并且
Z选自O、S和Se。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中
X是O或S；
R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自H、苯基、萘基或联苯基；
m是0；
n是0；
Y是N或CH，优选为N；
Ar1可以选自苯基、萘基、联苯基、菲基、三苯基或蒽基；
Ar2可以选自二价苯亚基、萘亚基、联苯亚基、菲亚基、三苯亚基或蒽亚基；
Z可以选自O、S、Se、CR”’或NR”’，其中R”’选自C1至C16烷基或C6至C18芳基；
Ar3可以选自H、未取代的芳基、未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶、嘧啶、三嗪、喹啉、喹喔啉、苯并吖啶、二苯并吖啶、菲咯啉、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩；
Ar4可以选自H、未取代的芳基、未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶、嘧啶、三嗪、喹啉、喹喔啉、苯并吖啶、二苯并吖啶、菲咯啉、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中所述式1的化合物包含：
-至少约1个非杂苯环至约12个非杂苯环，优选地至少约2个苯环至约7个苯环；和/或
-至少约1至4个、优选地1至3个、还优选地1或2个、更优选地1个杂芳族6元环，和至少约1至2个、优选地1个杂芳族5元环。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中Ar1和Ar3和/或Ar4独立地选自取代或未取代的C6至C18芳基、或取代或未取代的C5至C18杂芳基，其中所述取代的C6至C18芳基或取代的C5至C18杂芳基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、部分或全氟代C1至C12烷基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C12烷基、部分或全氘代C1至C16烷氧基、C6至C18芳基、C3至C25杂芳基、D、F或CN，优选地选自C1至C12烷基。
根据所述式1的化合物的一个实施方式，其中Ar2选自取代或未取代的C6至C18芳亚基或取代、或未取代的C5至C18杂芳亚基，其中所述取代的C6至C18芳基或取代的C5至C18杂芳基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、部分或全氟代C1至C12烷基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C12烷基、部分或全氘代C1至C16烷氧基、C6至C18芳基、C3至C25杂芳基、D、F或CN，优选地选自C1至C12烷基。
根据所述式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自：
-包含至少约3个苯环至约20个苯环的取代或未取代的芳香族基团，或
-包含至少约2个苯环至约20个苯环和至少1个杂芳环至约4个杂芳环的取代或未取代的芳香族基团。
根据所述式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自：
-包含至少约3个苯环至约20个苯环的取代或未取代的芳香族基团，或
-包含至少约2个苯环至约20个苯环和至少1个杂芳环至约4个杂芳环的取代或未取代的芳香族基团，其中所述杂芳环具有2至6个碳原子、优选地4至5个碳原子，并且所述杂芳环是5或7元环，优选为6元环。
根据所述式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自：
-包含至少约4个苯环至约7个苯环的取代或未取代的芳香族基团，或
-包含至少约4个苯环至约7个苯环和至少约2个杂芳环至约3个杂芳环的取代或未取代的芳香族基团，其中所述杂芳环具有2至6个碳原子、优选地4至5个碳原子，并且所述杂芳环是5或7元环，优选为6元环。
根据所述式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自：
-取代或未取代的芳香族基团，其包含至少约3个取代或未取代的苯环至约12个取代或未取代的苯环，优选地至少约4个取代或未取代的苯环至约10个取代或未取代的苯环，还优选地至少约4个取代或未取代的苯环至约6个取代或未取代的苯环，其中所述取代的苯环的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、部分或全氟代C1至C12烷基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C12烷基、部分或全氘代C1至C16烷氧基、C6至C18芳基、C3至C25杂芳基、D、F或CN，优选地选自C1至C12烷基；或
-取代或未取代的芳香族基团，其包含至少约2个取代或未取代的苯环至约12个取代或未取代的苯环，优选地至少约4个取代或未取代的苯环至约7个取代或未取代的苯环，和至少1个取代或未取代的杂芳环至约4个取代或未取代的杂芳环，优选地至少约2个取代或未取代的杂芳环至约3个取代或未取代的杂芳环，其中所述杂芳环具有2至6个碳原子、优选地4至5个碳原子，并且所述杂芳环是5或7元环，优选为6元环，并且其中所述取代的苯环和取代的杂芳环的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、部分或全氟代C1至C12烷基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C12烷基、部分或全氘代C1至C16烷氧基、C6至C18芳基、C3至C25杂芳基、D、F或CN，优选地选自C1至C12烷基。
根据所述式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自：
-取代或未取代的芳香族基团，其包含至少约2个取代或未取代的苯环至约12个取代或未取代的苯环，优选地至少约4个取代或未取代的苯环至约7个取代或未取代的苯环，其中是取代的苯基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、部分或全氟代C1至C12烷基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C12烷基、部分或全氘代C1至C16烷氧基、C6至C18芳基、C3至C25杂芳基、D、F或CN，优选地选自C1至C12烷基。
根据所述式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自：
-取代或未取代的芳香族基团，其包含至少1个取代或未取代的杂芳环至约4个取代或未取代的杂芳环，优选地至少约2个取代或未取代的杂芳环至约3个取代或未取代的杂芳环，其中所述杂芳环具有2至6个碳原子、优选地4至5个碳原子，并且所述杂芳环是5或7元环，优选为6元环，并且其中所述取代的杂芳基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、部分或全氟代C1至C12烷基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C12烷基、部分或全氘代C1至C16烷氧基、C6至C18芳基、C3至C25杂芳基、D、F或CN，优选地选自C1至C12烷基。
根据所述式1的化合物的另一个实施方式，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自：
-取代或未取代的芳香族基团，其包含至少约2个取代或未取代的苯环至约12个取代或未取代的苯环，优选地至少约4个取代或未取代的苯环至约7个取代或未取代的苯环，其中所述取代的苯基的取代基独立地选自C6至C18芳基。
根据本发明，所述式1的化合物包含：
-至少3个取代或未取代的苯环，其通过一个或多个单键、通过乙亚基相连和/或是稠合环系统的一部分；或
-至少2个或至少3个或至少4个取代或未取代的苯环，其通过一个或多个单键、通过乙亚基相连和/或是稠合环系统的一部分。
根据本发明，所述式1的化合物可以包含至少3个取代或未取代的苯环，其中的第一苯环和/或第二苯环通过单键连接到第三苯环。
根据本发明，所述式1的化合物可以包含至少3个取代或未取代的苯环，其中第一苯环、第二苯环和第三苯环中的至少两者或三者通过乙亚基连接。
根据本发明，所述式1的化合物可以包含至少3个取代或未取代的苯环，其中第一苯环、第二苯环和第三苯环中的至少两者或三者是稠合环系统的一部分。
根据本发明，所述式1的化合物可以包含至少3个取代或未取代的芳香族基团，其中第一苯环和/或第二苯环通过单键连接到第三杂芳环。
根据本发明，所述式1的化合物可以包含至少3个取代或未取代的芳香族基团，其中第一苯环、第二苯环和第三杂芳环中的至少两者或三者通过乙亚基相连。
根据本发明，所述式1的化合物可以包含至少3个取代或未取代的芳香族基团，其中第一苯环、第二苯环和第三杂芳环中的至少两者或三者是稠合环系统的一部分。
如果所述芳香族基团的所述至少3个苯环、或所述至少2个苯环和至少1个杂芳环是稠合环系统的一部分，则两个或更多个苯环、或两个或更多个苯环与杂芳环可以共享至少两个碳原子，和/或苯环和/或杂芳环可以与5元环稠合。
如果所述至少3个苯环是稠合环系统的一部分，则至少两个或三个苯环可以共享至少两个碳原子。
如果所述芳香族基团的所述至少2个苯环和至少1个杂芳环是稠合环系统的一部分，则至少2个环或3个环可以共享至少两个碳原子。
如果所述至少2个苯环和1个杂芳环是稠合环系统的一部分，则两个或更多个苯环和/或杂芳环可以共享至少两个碳原子，和/或可以与5元环稠合。
根据一个实施方式，所述式1的化合物可以包含：
-包含至少约3个取代或未取代的苯环的取代或未取代的芳香族基团，其中至少3个苯环通过单键连接或者是稠合环系统的一部分；或
-包含至少约2个取代或未取代的苯环和约1个取代或未取代的杂芳环的取代或未取代的芳香族基团，其中至少2个苯环和1个杂芳环通过单键连接或者是稠合环系统的一部分。
根据所述式1的化合物的另一个实施方式，其中Ar1可以选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、三苯基、蒽基。
根据所述式1的化合物另一个实施方式，其中
-Ar1可以选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、三苯基、蒽基，并且优选地选自C1至C8：
-Ar2选自苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基、萘亚基、菲亚基、三苯亚基、蒽亚基，并且优选地选自D1至D13：
-Ar3可以独立地选自E1至E28：
-Ar4可以独立地选自F1至F9：
星号“*”表示Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的取代基在根据式1所述的化合物中键合的成键位置。
根据所述式1的化合物的另一个实施方式，其中所述式1的化合物可以选自G1至G70：
根据一个方面，所述式1的化合物可以用作掺杂剂材料的基质材料。
根据一个实施方式，所述有机半导体层可以包含至少一种式1的化合物。
根据一个方面，所述层材料可以是用于有机电子器件的有机半导体层。例如，所述有机电子器件可以是OLED等。
所述由式1表示的化合物具有强电子传输特性以提高电荷迁移率和/或稳定性，并因此改进发光效率、电压特性和/或寿命特性。
所述由式1表示的化合物具有高电子迁移率和低工作电压。
在本说明书中，表述“发光层”、“辅助ETL”和“第一ETL”同义使用。ETL意味着电子传输层。
所述由式1表示的化合物和包含式1的化合物或由其构成的有机半导体层可以是不发光的。
在本说明书的上下文中，术语“基本上不发光”或“不发光”意味着所述化合物或层对来自于所述器件的可见发光光谱的贡献相对于所述可见发光光谱低于10％，优选地低于5％。所述可见发光光谱是具有约≥380nm至约≤780nm的波长的发光光谱。
优选地，包含所述式1的化合物的有机半导体层是基本上不发光的或不发光的。
术语“不含”、“不含有”、“不包含”不排除在沉积之前可能存在于所述化合物中的杂质。杂质对通过本发明实现的目的而言没有技术影响。
工作电压，也被称为U，在10毫安培/平方厘米(mA/cm2)下以伏特(V)为单位测量。
坎德拉/安培效率，也被称为cd/A效率，在10毫安培/平方厘米(mA/cm2)下以坎德拉/安培为单位测量。
色彩空间通过坐标CIE-x和CIE-y(国际照明委员会1931)来描述。对于蓝光发射来说，CIE-y是特别重要的。更小的CIE-y表示更深的蓝色。
也被称为HOMO的最高占据分子轨道和也被称为LUMO的最低未占分子轨道，以电子伏特(eV)为单位度量。
标准起始温度是以℃为单位度量，并且描述了在低于10-5mbar的压力下化合物开始可测量的蒸发时的VTE源温度。
术语“OLED”、“有机发光二极管”、“有机发光器件”、“有机光电子器件”和“有机发光二极管“被同时使用并具有相同含义。
术语“过渡金属”意指并包含在元素周期表的d-区中的任何元素，所述d-区包含元素周期表上的第3至12族元素。
术语“第III至VI族金属”意指并包含元素周期表的第III至VI族中的任何金属。
当在本文中使用时，“重量百分数”、“wt.-％”、“以重量计的百分数”、“重量％”及其变化形式是指将组合物、组分、物质或试剂表示为相应的电子传输层的该组合物、组分、物质或试剂的重量除以其组合物的总重量，并乘以100。应该理解，选择相应电子传输层的所有组分、物质或试剂的总重量百分数的量，使其不超过100wt.-％。
当在本文中使用时，“体积百分数”、“vol.-％”、“以体积计的百分数”、“体积％”及其变化形式是指将元素金属、组合物、组分、物质或试剂表示为相应的电子传输层的该元素金属、组分、物质或试剂的体积除以所述相应电子传输层的总体积，并乘以100。应该理解，选择相应阴极电极层的所有元素金属、组分、物质或试剂的总体积百分数的量，使其不超过100vol.-％。
本文中的所有数值均被假定用术语“约”修饰，不论是否明确指示。当在本文中使用时，术语“约”是指数值量可以发生的变动。
不论是否用术语“约”修饰，权利要求包括等于所述量的等同量。
应该指出，当在本说明书和权利要求书中使用时，单数形式“一个”、“一种”、“该”和“所述”包括复数个指称物，除非内容明确陈述不是如此。
应该指出，当在本说明书和权利要求书中使用时，如果没有另外定义，则“*”指示化学键合位置。
所述阳极电极和阴极电极可以被描述为阳极/阴极或阳极电极/阴极电极或阳极电极层/阴极电极层。
根据另一方面，有机光电子器件包含彼此面对的阳极层和阴极层和在所述阳极层与阴极层之间的至少一个有机半导体层，其中所述有机半导体层包含所述式1的化合物或由所述式1的化合物构成。
根据另一方面，提供了一种显示装置，其包含所述有机电子器件，所述器件可以是有机光电子器件。
在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基”可以是指脂族烃基。烷基可以是指没有任何双键或叁键的“饱和烷基”。烷基可以是直链、环状或支链烷基。
术语“烷基”包括C1至C16烷基、C3至C16支链烷基和C3至C16环状烷基。
所述烷基可以是C1至C16烷基或优选为C1至C12烷基。更具体地，所述烷基可以是C1至C14烷基或优选为C1至C10烷基或C1至C6烷基。例如，C1至C4烷基在烷基链中包含1至4个碳，并且可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
所述烷基的具体实例可以是甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。
在本说明书中，如果没有另外定义，“芳亚基”可以是指以下基团，所述基团包含至少一个芳香族烃类组成部分，并且所述芳香族烃类组成部分的所有元素可以具有形成共轭的p-轨道，例如苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、芴基等。
如果没有另外定义，术语“杂芳亚基”，也被称为“杂芳环”，可以是指具有至少一个杂原子的芳香族杂环，并且所述杂芳族烃类组成部分的所有元素可以具有形成共轭的p-轨道。所述杂原子可以选自N、O、S、B、Si、P、Se，优选地选自N、O和S。如果没有另外定义，所述杂原子可以优选地选自N。
杂芳亚基环可以包含至少1至3个杂原子。优选地，杂芳亚基环可以包含至少1至3个各自选自N、S和/或O的杂原子。更优选地，杂芳亚基环可以包含至少1至3个杂原子，所述杂原子可以是N。
还优选地，除了式1的嘧啶或三嗪基团之外，至少一个另外的杂芳基/杂芳亚基环可以包含至少1至3个N原子或至少1至2个N原子或至少1个N原子。
根据另一个优选实施方式，根据式1所述的化合物可以包含：
-至少6至25个芳香环，优选地至少7至22个芳香环，还优选地至少8至20个芳香环，此外优选地至少9至15个芳香环，更优选地至少10至14个芳香环；其中
-至少1至4个、优选地1至4个或2至3个是杂芳环。
根据一个实施方式，根据式1所述的化合物：
-包含至少约6个至约20个芳香环，优选地至少约7个至约18个芳香环，还优选地至少约9个至约16个芳香环，此外优选地至少约10个至约15个芳香环，更优选地至少约11个至约14个芳香环；和/或
-所述式1的化合物可以包含至少约2个至约6个、优选地约3个至约5个或约2个至约4个杂芳环，其中所述杂原子可以选自N、O、S；和/或
-包含至少一个芴环和至少一个杂芴环，其中
所述杂原子可以选自N、O、S。
根据另一个优选实施方式，所述式1的化合物可以包含至少2至7个、优选地2至5个或2至3个杂芳环。
根据另一个优选实施方式，所述式1的化合物可以包含至少2至7个、优选地2至5个或2至3个杂芳环，其中至少一个所述芳香环是5元杂芳环。
根据另一个优选实施方式，所述式1的化合物可以包含至少3至7个、优选地3至6个或3至5个杂芳环，其中至少两个所述杂芳环是5元杂芳环。
根据一个实施方式，根据式1所述的化合物可以包含至少6至12个非杂芳环和2至3个杂芳环。
根据一个优选实施方式，根据式1所述的化合物可以包含至少7至12个非杂芳环和2至5个杂芳环。
根据一个优选实施方式，根据式1所述的化合物可以包含至少7至11个非杂芳环和2至3个杂芳环。
熔点
熔点(mp)被确定为来自于上述TGA-DSC测量的DSC曲线或来自于单独的DSC测量的峰值温度(Mettler Toledo DSC822e，将样品在纯氮气流下，以10K/min的加热速率从室温加热至完全熔融。将量为4至6mg的样品置于40μL带盖的Mettler Toledo铝盘中，在盖上刺穿一个<1mm的孔)。
根据另一个实施方式，所述式1的化合物可以具有约≥250℃至约≤380℃，优选地约≥260℃至约≤370℃，还优选地约≥270℃至约≤360℃的熔点。
玻璃化转变温度
玻璃化转变温度是在氮气下并使用10K/min的加热速率，在Mettler Toledo DSC822e差示扫描量热器中，如在2010年3月发布的DIN EN ISO 11357中所述来测量。
根据另一个实施方式，所述式1的化合物可以具有约≥115℃至约≤380℃，优选地约≥130℃至约≤350℃，还优选地约≥145℃至约≤320℃，另外优选地约≥160℃至约≤220℃的玻璃化转变温度Tg。
标准起始温度
标准起始温度如下确定：将100mg化合物装入VTE源中。作为VTE源，使用例如由Kurt J.Lesker公司(www.lesker.com)或CreaPhys GmbH(http://www.creaphys.com)供应的用于有机材料的点状源。将所述VTE源在低于10-5mbar的压力下以15K/min的恒定速率加热，并使用热电偶测量源内部的温度。化合物的蒸发使用QCM检测器来检测，所述检测器检测所述化合物在检测器的石英晶体上的沉积。在所述石英晶体上的沉积速率以埃/秒为单位度量。为了确定标准起始温度，将沉积速率针对VTE源温度作图。标准起始是在QCM检测器上发生可察觉的沉积时的温度。为了获得准确结果，将VTE源加热并冷却三次，并且仅将第二和第三次运行的结果用于确定标准起始温度。
为了获得对有机化合物的蒸发速率的良好控制，所述标准起始温度可以在200℃至260℃的范围内。如果标准起始温度低于200℃，蒸发可能过快并因此难以控制。如果标准起始温度高于260℃，蒸发速率可能过低，这可能引起单件工时缩短，并且由于长期接触高温，可能发生所述有机化合物在VTE源中的分解。
所述标准起始温度是化合物挥发性的间接度量。标准起始温度越高，化合物的挥发性越低。
根据另一个实施方式，所述式1的化合物可以具有约≥200℃至约≤350℃，优选地约≥220℃至约≤350℃，还优选地约≥240℃至约≤320℃的标准起始温度TRO。
偶极矩
含有N个原子的分子的偶极矩由下述公式给出：
其中qi和是原子i在所述分子中的部分电荷和位置。
偶极矩通过半经验分子轨道方法来确定。使用在TURBOMOLE V6.5程序包(TURBOMOLE GmbH，Litzenhardtstrasse 19，76135 Karlsruhe，德国)中执行的，在气相中使用杂化泛函B3LYP和6-31G*基集来优化分子结构的几何形状。如果超过一种构象是可行的，则可以选择具有最低总能量的构象来确定分子的键长。
根据一个实施方式，根据式1所述的化合物可以具有约≥0.1至约≤1.50、优选地约≥0.15至约≤1范围内的偶极矩(德拜)。
计算的HOMO和LUMO
HOMO和LUMO使用程序包TURBOMOLE V6.5来计算。分子结构的优化的几何形状以及HOMO和LUMO能级是通过在气相中使用杂化泛函B3LYP和6-31G*基集来确定。如果超过一种构象是可行的，则可以选择具有最低总能量的构象。
根据一个实施方式，根据式1所述的化合物可以具有约–2.30eV至约–1.70eV、优选地约–1.8eV至约–2.2eV范围内的LUMO能级(eV)。
摩尔质量
化合物的以g/mol为单位的摩尔质量由形成所述化合物的原子的标准原子量(即标准相对原子质量)之和乘以摩尔质量常数Mu给出。Mu是1×10-3kg/mol＝1g/mol。
根据一个实施方式，根据式1所述的化合物可以具有约450g/mol至约1800g/mol、优选地约500g/mol至约1600g/mol、还优选地约600g/mol至约1400g/mol范围内的摩尔质量(g/mol)。
技术效果
令人吃惊的是，发现所述式1的化合物和本发明的有机电子器件，通过特别是在也被称为电流效率的cd/A效率和寿命方面优于本领域中已知的有机电致发光器件和化合物，解决了本发明的根本问题。同时，工作电压保持在相近或甚至改进的水平下，这对于降低例如移动显示装置的功耗和提高电池寿命来说是重要的。高cd/A效率对于移动装置例如移动显示装置的高效率以及因此长电池寿命来说是重要的。在高电流密度下的长寿命对于以高亮度运行的装置的寿命来说是重要的。
高玻璃化转变温度可在高温应用中提供技术益处，因为有机半导体层的形态不太可能劣化。令人吃惊的是，发现标准起始温度仍然在适合于大规模生产的范围之内。
此外已发现，尽管玻璃化转变温度高，所述式1的化合物仍提供低的蒸发温度，这在大规模生产应用中可以提供超过现有技术的技术优势。
本发明人令人吃惊地发现，当使用所述有机电致发光器件作为蓝色荧光器件时，可以获得特别好的性能。
发现在本文中作为优选而提到的特定布置是特别有利的。
同样地，已令人吃惊地发现，落于本发明的最宽泛的定义范围之内的某些化合物在所提到的cd/A效率和/或寿命性质方面表现特别好。这些化合物作为特别优选的化合物在本文中讨论。
此外，可以实现具有高效率和/或长寿命的有机光电子器件。
阳极
用于所述阳极的材料可以是金属或金属氧化物或有机材料，优选为具有高于约4.8eV、更优选地高于约5.1eV、最优选地高于约5.3eV的逸出功的材料。优选的金属是贵金属如Pt、Au或Ag，优选的金属氧化物是透明金属氧化物如ITO或IZO，它们可以有利地用于具有反射性阴极的底部发光OLED中。
在包含透明金属氧化物阳极或反射性金属阳极的器件中，所述阳极可以具有约50nm至约100nm的厚度，然而半透明金属阳极可以薄至约5nm至约15nm，并且不透明金属阳极可以具有约15nm至约150nm的厚度。
空穴注入层(HIL)
所述空穴注入层可以改善阳极与用于空穴传输层的有机材料之间的界面性质，并被施用在未平面化的阳极上，因此可以使所述阳极的表面平面化。例如，所述空穴注入层可以包括以下材料，所述材料的最高占据分子轨道(HOMO)能级的中位数值在所述阳极材料的逸出功与所述空穴传输层的HOMO能级之间，以便调整所述阳极的逸出功与所述空穴传输层的HOMO能级之间的差异。
当空穴传输区域包含空穴注入层36时，所述空穴注入层可以通过各种不同方法例如真空沉积、旋涂、浇注、Langmuir-Blodgett(LB)方法等中的任一者形成在所述阳极上。
当空穴注入层使用真空沉积来形成时，真空沉积条件可根据用于形成所述空穴注入层的材料以及所述待形成的空穴注入层的所需结构和热学性质而变化，并且例如，真空沉积可以在约100℃至约500℃的温度、约10-6Pa至约10-1Pa的压力和约0.1至约10nm/sec的沉积速率下进行，但沉积条件不限于此。
当所述空穴注入层使用旋涂来形成时，所述涂布条件可根据用于形成所述空穴注入层的材料以及所述待形成的空穴注入层的所需结构和热学性质而变化。例如，涂布速率可以在约2000rpm至约5000rpm的范围内，并且在涂布后进行热处理以除去溶剂的温度可以在约80℃至约200℃的范围内，但涂布条件不限于此。
所述空穴注入层还可以包含p-掺杂剂以改进传导性和/或从所述阳极的空穴注入。
p-掺杂剂
另一方面，所述p-掺杂剂可以被均匀地分散在所述空穴注入层中。
另一方面，所述p-掺杂剂可以存在于所述空穴注入层中，并且在更靠近阳极处浓度更高，更靠近阴极处浓度更低。
所述p-掺杂剂可以是醌衍生物或轴烯化合物中的一者，但不限于此。p-掺杂剂的非限制性实例是醌衍生物例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯并醌二甲烷(F4-TCNQ)、4,4',4”-((1E,1'E,1”E)-环丙烷-1,2,3-三基亚基三(氰基甲基亚基))-三(2,3,5,6-四氟苯甲腈)。
根据另一个实施方式，所述包含式1的化合物的器件还可以包含含有轴烯化合物和/或醌二甲烷化合物的层。
在另一个实施方式中，所述轴烯化合物和/或醌二甲烷化合物可以被一个或多个卤素原子和/或一个或多个吸电子基团取代。吸电子基团可以选自腈基、卤代烷基，可选地选自全卤代烷基，可选地选自全氟代烷基。吸电子基团的其他实例可以是酰基、磺酰基或磷酰基。
可选地，酰基、磺酰基和/或磷酰基可以包含卤代和/或全卤代烃基。在一个实施方式中，所述全卤代烃基可以是全氟代烃基。全氟代烃基的实例可以是全氟代甲基、全氟代乙基、全氟代丙基、全氟代异丙基、全氟代丁基、全氟代苯基、全氟代甲苯基；包含卤代烃基的磺酰基的实例可以是三氟甲基磺酰基、五氟乙基磺酰基、五氟苯基磺酰基、七氟丙基磺酰基、九氟丁基磺酰基等。
在一个实施方式中，所述轴烯和/或醌二甲烷化合物可以被包含在空穴注入、空穴传输和/或空穴产生层中。
在一个实施方式中，所述轴烯化合物可以具有式(XX)和/或所述醌二甲烷化合物可以具有式(XXIa)或(XXIb)：
其中R1”、R2”、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R11、R12、R15、R16、R20、R21独立地选自吸电子基团，并且R9、R10、R13、R14、R17、R18、R19、R22、R23和R24独立地选自H、卤素和吸电子基团。可以适合地使用的吸电子基团在上文提到。
空穴传输层(HTL)
用于形成所述空穴传输层和电子阻挡层的条件可以在上述用于空穴注入层的形成条件的基础上确定。
所述电荷传输区域的空穴传输部分的厚度可以是约10nm至约1000nm，例如约10nm至约100nm。当所述电荷传输区域的空穴传输部分包含空穴注入层和空穴传输层时，所述空穴注入层的厚度可以是约10nm至约1000nm，例如约10nm至约100nm，并且所述空穴传输层的厚度可以是约5nm至约200nm，例如约10nm至约150nm。当所述电荷传输区域的空穴传输部分、所述HIL和所述HTL的厚度在这些范围之内时，可以在没有工作电压的实质性提高的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
对在所述空穴传输区域中使用的空穴传输基质材料没有特别限制。优选的是包含至少6个离域电子的共轭体系的共价化合物，优选为包含至少一个芳香环的有机化合物，更优选为包含至少两个芳香环的有机化合物，甚至更优选为包含至少三个芳香环的有机化合物，最优选为包含至少四个芳香环的有机化合物。广泛使用在空穴传输层中的空穴传输基质材料的典型实例是多环芳香族烃类、三芳亚基胺化合物和杂环芳香族化合物。在空穴传输区域的各个不同层中有用的空穴传输基质的前沿轨道能级的适合范围是公知的。就氧化还原对HTL基质/HTL基质的阳离子自由基的氧化还原电势而言，优选的值(如果例如通过循环伏安法针对作为参比的二茂铁/二茂铁氧化还原对来测量的话)可以在0.0–1.0V的范围内，更优选地在0.2–0.7V的范围内，甚至更优选地在0.3–0.5V的范围内。
缓冲层
所述电荷传输区域的空穴传输部分还可以包括缓冲层。
可以适合地使用的缓冲层公开在US 6 140 763、US 6 614 176和US2016/248022中。
所述缓冲层可以根据从所述EML发射的光的波长来补偿光的光学共振距离，因此可以提高效率。
发光层(EML)
所述发光层可以使用真空沉积、旋涂、浇注、LB方法等形成在所述空穴传输区域上。当所述发光层使用真空沉积或旋涂来形成时，用于沉积和涂布的条件可以与用于形成所述空穴注入层的条件相似，但是所述用于沉积和涂布的条件可以根据用于形成所述发光层的材料而变化。所述发光层可以包括发光体主体(EML主体)和发光体掺杂剂(另外的仅仅是发光体)。
所述发光层的厚度可以是约至约例如约至约当所述发光层的厚度在这些范围之内时，所述发光层可以在不实质性提高工作电压的情况下具有改进的发光特性。
发光体主体
根据另一个实施方式，所述发光层包含式1的化合物作为发光体主体。
所述发光体主体化合物具有至少三个芳香环，它们独立地选自碳环和杂环。
可用作发光体主体的其他化合物是由下面的式400表示的蒽基质化合物：
在式400中，Ar111和Ar112可以各自独立地是取代或未取代的C6-C60芳亚基；Ar113至Ar116可以各自独立地是取代或未取代的C1-C10烷基或取代或未取代的C6-C60芳亚基；并且g、h、i和j可以各自独立地是0至4的整数。
在某些实施方式中，式400中的Ar111和Ar112可以各自独立地是下述之一：苯亚基、萘亚基、菲亚基或芘亚基；或
各自被苯基、萘基或蒽基中的至少一者取代的苯亚基、萘亚基、菲亚基、芴基或芘亚基。
在式400中，g、h、i和j可以各自独立地是0、1或2的整数。
在式400中，Ar113至Ar116可以各自独立地是下述之一：
-被苯基、萘基或蒽基中的至少一者取代的C1-C10烷基；
-苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基或芴基；
-苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基或芴基，其各自被氘原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其盐中的至少一者取代；
-磺酸基团或其盐，磷酸基团或其盐；
-C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基或
-芴基，
-式7或8
其中在式7和8中，X可以选自氧原子和硫原子，但本发明的实施方式不限于此。
在所述式7中，R11至R14中的任一者被用于键合到Ar111。不被用于键合到Ar111的R11至R14和R15至R20与R1至R8相同。
在所述式8中，R21至R24中的任一者被用于键合到Ar111。不被用于键合到Ar111的R21至R24和R25至R30与R1至R8相同。
优选地，所述EML主体包含1至3个之间的选自N、O或S的杂原子。更优选地，所述EML主体包含一个选自S或O的杂原子。
发光体掺杂剂
所述掺杂剂以少量混合以引起发光，并且通常可以是通过多次激发成为三重态或更多重态而发光的材料，例如金属络合物。所述掺杂剂可以是例如无机、有机或有机/无机化合物，并且可以使用其中的一种或多种。
所述发光体可以是红光、绿光或蓝光发光体。
所述掺杂剂可以是荧光掺杂剂例如三联芴，其结构在下文中示出。4.4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBI)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)和下面的化合物8是蓝色荧光掺杂剂的实例。
所述掺杂剂可以是磷光掺杂剂，并且磷光掺杂剂的实例可以是包含Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或其组合物的有机金属化合物。所述磷光掺杂剂可以是例如由式Z表示的化合物，但不限于此：
J2MX (Z)。
在式Z中，M是金属，并且J和X相同或不同，并且是与M形成络合化合物的配体。
所述M可以是例如Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或其组合物，并且所述J和X可以是例如二齿配体。
可以将一个或多个发光层布置在所述阳极与阴极之间。为了提高总体性能，可以存在两个或更多个发光层。
电荷产生层
电荷产生层(也被称为CGL)可以布置在所述第一与第二发光层之间、以及所述第二与第三发光层(如果存在第三发光层的话)之间。通常，所述CGL包含n-型电荷产生层(也被称为n-CGL或电子产生层)和p-型电荷产生层(也被称为p-CGL或空穴产生层)。可以将中间层布置在所述n-型CGL与p-型CGL之间。
一方面，所述n-型CGL可以包含式1的化合物。所述n-型CGL还包含金属、金属盐或有机金属络合物，优选为金属。所述金属可以选自碱金属、碱土金属或稀土金属。
所述p-型CGL可以包含二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉、醌化合物或轴烯化合物，优选为二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈或如上所述的式(XX)的化合物和/或式(XXIa)或(XXIb)的化合物。
另一方面，所述n-型和p-型CGL直接相接触。
电子传输层(ETL)
根据另一个实施方式，所述包含式1的化合物的有机半导体层是电子传输层。在另一个实施方式中，所述电子传输层可以由式1的化合物构成。
例如，根据本发明的实施方式所述的有机发光二极管包含至少一个电子传输层，并且在这种情况，所述电子传输层包含至少一种式1的化合物，或优选地包含式G1至G70的至少一种化合物，优选为G1、G11、G29或G45。
在另一个实施方式中，所述有机电子器件包含由两个或更多个电子传输层形成的有机层叠层结构的的电子传输区域，其中至少一个电子传输层包含式1的化合物。
所述电子传输层可以包括一种或两种或更多种不同的电子传输化合物。
根据另一个实施方式，第一电子传输层包含至少一种根据本发明所述的式1的化合物，并且第二电子传输层包含基质化合物，其可以被选择成不同于根据本发明所述的式1的化合物，并且可以选自：
-基于蒽的化合物或基于杂取代的蒽的化合物，优选为2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑和/或N4,N4”-二(萘-1-基)-N4,N4”-二苯基-[1,1':4',1”-三联苯]-4,4”-二胺，和/或
-基于三嗪的化合物，优选为包含芳基和/或杂芳基取代基、优选为芳基取代基的基于三嗪的化合物，和/或
-基于氧化膦的化合物，优选为(3-(二苯并[c,h]吖啶-7-基)苯基)二苯基氧化膦和/或苯基双(3-(芘-1-基)苯基)氧化膦和/或3-苯基-3H-苯并[b]二萘并[2,1-d:1′,2′-f]磷杂环庚熳-3-氧化物；或
-取代的菲咯啉化合物，优选为2,4,7,9-四苯基-1,10-菲咯啉或2,9-二(联苯-4-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉。
根据另一个实施方式，第一电子传输层包含至少一种根据本发明所述的式1的化合物，并且第二电子传输层包含基质化合物，其可以被选择成不同于根据本发明所述的式1的化合物，并且可以选自基于氧化膦的化合物，优选为(3-(二苯并[c,h]吖啶-7-基)苯基)二苯基氧化膦和/或苯基双(3-(芘-1-基)苯基)氧化膦和/或3-苯基-3H-苯并[b]二萘并[2,1-d:1′,2′-f]磷杂环庚熳-3-氧化物。
所述第一电子传输层也可以被描述为辅助电子传输层或空穴阻挡层。
根据另一个实施方式，第一和第二电子传输层包含式1的化合物，其中所述式1的化合物不选择成相同的。
所述电子传输层的厚度可以是约0.5nm至约100nm，例如约2nm至约40nm，优选为2至10nm。所述第一电子传输层的厚度可以是约0.5nm至约100nm，例如约2nm至约40nm，优选为2至10nm。
任选的第二电子传输层的厚度可以是约1nm至约100nm，例如约2nm至约50nm，优选为10至40nm。当所述电子传输层的厚度在这些范围之内时，所述电子传输层可以在不实质性提高工作电压的情况下具有令人满意的电子传输能力。
所述电子传输层还可以包含单价或二价金属卤化物或有机单价或二价金属络合物，优选为碱金属卤化物和/或有机碱金属络合物。
根据另一个实施方式，所述第一和第二电子传输层包含式1的化合物，其中所述第二电子传输层还包含碱金属卤化物和/或有机碱金属络合物。
碱金属卤化物
碱金属卤化物是具有化学式MX的无机化合物家族，其中M是碱金属并且X是卤素。
M可以选自Li、Na、钾、铷和铯。
X可以选自F、Cl、Br和J。
根据本发明的各种不同实施方式，锂卤化物可以是优选的。所述锂卤化物可以选自LiF、LiCl、LiBr和LiJ。然而，最优选的是LiF。
所述碱金属卤化物是基本上不发光的或不发光的。
有机碱金属络合物
所述有机碱金属络合物包含碱金属和至少一种有机配体。所述碱金属优选地选自锂。
根据本发明的各种不同实施方式，所述有机锂络合物的有机配体是喹啉盐根、硼酸盐根、酚盐根、吡啶醇盐根或席夫碱配体；
-优选地，所述喹啉锂络合物具有式III、IV或V：
其中
A1至A6相同或独立地选自CH、CR、N和O；
R相同或独立地选自氢、卤素、具有1至20个碳原子的烷基或芳亚基或杂芳亚基；并且更优选地A1至A6是CH；
-优选地，所述基于硼酸盐根的有机配体是四(1H-吡唑-1-基)硼酸盐根；
-优选地，所述酚盐根是2-(吡啶-2-基)酚盐根、2-(二苯基磷酰基)酚盐根、咪唑酚盐根或2-(吡啶-2-基)酚盐根，更优选为2-(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)酚盐根；
-优选地，所述吡啶醇盐根是2-(二苯基磷酰基)吡啶-3-醇盐根。
根据本发明的各种不同实施方式，所述有机碱金属络合物、优选为有机锂络合物的有机配体可以是喹啉盐根。可以适合地使用的喹啉盐根公开在WO 2013079217 A1中，并通过参考并入本文。
根据本发明的各种不同实施方式，所述有机锂络合物的有机配体可以是基于硼酸盐根的有机配体。优选地，所述有机锂络合物是四(1H-吡唑-1-基)硼酸锂。可以适合地使用的基于硼酸盐根的有机配体公开在WO 2013079676 A1中，并通过参考并入本文。
根据本发明的各种不同实施方式，所述有机锂络合物的有机配体可以是酚盐根配体。优选地，所述有机锂络合物是2-(二苯基磷酰基)酚锂。可以适合地使用的酚盐根配体公开在WO 2013079678 A1中，并通过参考并入本文。
此外，酚盐根配体可以选自吡啶醇盐根，优选为2-(二苯基磷酰基)吡啶-3-醇盐根。可以适合地使用的吡啶酚盐根配体公开在JP 2008195623中，并通过参考并入本文。
此外，酚盐根配体可以选自咪唑酚盐根，优选为2-(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)酚盐根。可以适合地使用的咪唑酚盐根配体公开在JP 2001291593中，并通过参考并入本文。
此外，酚盐根配体可以选自唑酚盐根，优选为2-(苯并[d]唑-2-基)酚盐根。可以适合地使用的唑酚盐根配体公开在US 20030165711中，并通过参考并入本文。
所述有机碱金属络合物可以是基本上不发光的。
电子注入层(EIL)
根据本发明的另一方面，所述有机电致发光器件还可以包含在所述电子传输层(第一ETL)与阴极之间的电子注入层。
所述电子注入层(EIL)可以促进电子从所述阴极的注入。
根据本发明的另一方面，所述电子注入层包含：
(i)电正性金属，其选自基本上元素形式的碱金属、碱土金属和稀土金属，优选地选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Eu和Yb，更优选地选自Li、Na、Mg、Ca、Sr和Yb，甚至更优选地选自Li和Yb，最优选为Yb；和/或
(ii)碱金属络合物和/或碱金属盐，优选为Li络合物和/或盐，更优选为喹啉锂，甚至更优选为8-羟基喹啉锂，最优选地所述第二电子传输层(第二ETL)的碱金属盐和/或络合物与所述注入层的碱金属盐和/或络合物相同。
所述电子注入层可以包括选自LiF、NaCl、CsF、Li2O和BaO的至少一者。
所述EIL的厚度可以是约0.1nm至约10nm或约0.3nm至约9nm。当所述电子注入层的厚度在这些范围之内时，所述电子注入层可以在不实质性提高工作电压的情况下具有令人满意的电子注入能力。
所述电子注入层可以包含式1的化合物。
阴极
用于所述阴极的材料可以是具有低逸出功的金属、合金或导电化合物，或其组合。用于阴极的材料的实例可以是锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、银(Ag)等。为了制造具有沉积在基底上的反射性阳极的顶部发射型发光器件，所述阴极可以作为透光电极从例如氧化锡铟(ITO)、氧化铟锌(IZO)或银(Ag)形成。
在包含透明金属氧化物阴极或反射性金属阴极的器件中，所述阴极可以具有约50nm至约100nm的厚度，而半透明金属阴极可以薄至约5nm至约15nm。
基底
基底可以被进一步配置在所述阳极下方或所述阴极上方。基底可以是在普通有机发光二极管中使用的基底，并且可以是具有强的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、操作便利性和耐水性的玻璃基底或透明塑料基底。
在后文中，参考实施例更详细说明所述实施方式。然而，本公开不限于下述实施例。
附图说明
从下面的示例性实施方式的描述并结合附图，本发明的这些和/或其他方面和优点将变得清楚并且更容易理解，在所述附图中：
图1是根据本发明的一个示例性实施方式所述的具有发光层、一个电子传输层和电子注入层的有机发光二极管(OLED)的示意性剖视图；
图2是根据本发明的一个示例性实施方式所述的具有发光层和两个电子传输层的有机发光二极管(OLED)的示意性剖视图；
图3是根据本发明的一个示例性实施方式所述的具有发光层和三个电子传输层的OLED的示意性剖视图；
图4是根据本发明的一个示例性实施方式所述的具有发光层和一个电子传输层的有机发光二极管(OLED)的示意性剖视图；
图5是根据本发明的一个示例性实施方式所述的具有发光层和两个电子传输层的有机发光二极管(OLED)的示意性剖视图；
图6是根据本发明的一个示例性实施方式所述的具有发光层和三个电子传输层的OLED的示意性剖视图。
现在将详细参考示例性方面，其实例在附图中示出，其中在所有图中相同的附图标记指称相同的元件。为了解释本发明的各个方面，下面参考附图描述所述示例性实施方式。
在本文中，当第一元件被称为是形成或配置在第二元件“上”时，所述第一元件可以被直接配置在所述第二元件上，或者可以在它们之间配置一个或多个其他元件。当第一元件被称为是“直接”形成或配置在第二元件“上”时，在它们之间没有配置其他元件。
术语“接触夹入”是指三个层的布置方式，其中在中间的层与两个相邻层直接接触。
根据本发明的一个实施方式所述的有机发光二极管可以包含空穴传输区域、发光层和包含根据式1所述的化合物的第一电子传输层。
图1是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性剖视图。OLED 100包含发光层150、包含式1的化合物的电子传输层(ETL)161和电子注入层180，其中第一电子传输层161被直接配置在发光层150上，并且电子注入层180被直接配置在第一电子传输层161上。
图2是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性剖视图。OLED 100包含发光层150和电子传输层叠层结构(ETL)160，所述叠层结构包含含有式1的化合物的第一电子传输层(ETL1)161和第二电子传输层(ETL2)162，其中第二电子传输层162被直接配置在第一电子传输层161上。可选地，电子传输层叠层结构(ETL)160包含第一电子传输层161和含有式1的化合物的第二电子传输层162，其中第二电子传输层162被直接配置在第一电子传输层161上。
图3是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性剖视图。OLED 100包含发光层150和电子传输层叠层结构(ETL)160，所述叠层结构包含含有式1的化合物的第一电子传输层(ETL1)161、含有式1的化合物但不同于所述第一电子传输层中的化合物的第二电子传输层(ETL2)162以及第三电子传输层(ETL3)163，其中第二电子传输层162被直接配置在第一电子传输层161上，并且第三电子传输层163被直接配置在第一电子传输层162上。
图4是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性剖视图。OLED 100包含基底110、第一阳极电极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、发光层(EML)150、一个第一电子传输层(ETL1)161、电子注入层(EIL)180和阴极电极190。第一电子传输层(ETL1)161包含式1的化合物和任选的碱金属卤化物或有机碱金属络合物。电子传输层(ETL1)161被直接形成在EML 150上。
图5是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性剖视图。OLED 100包含基底110、第一阳极电极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、发光层(EML)150、电子传输层叠层结构(ETL)160、电子注入层(EIL)180和阴极电极190。电子传输层(ETL)160包含第一电子传输层161和第二电子传输层162，其中所述第一电子传输层被布置成靠近阳极(120)，并且所述第二电子传输层被布置成靠近阴极(190)。所述第一和/或第二电子传输层包含式1的化合物和任选的碱金属卤化物或有机碱金属络合物。
图6是根据本发明的一个示例性实施方式的有机发光二极管100的示意性剖视图。OLED 100包含基底110、第一阳极电极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、发光层(EML)150、电子传输层叠层结构(ETL)160、电子注入层(EIL)180和第二阴极电极190。电子传输层叠层结构(ETL)160包含第一电子传输层(ETL1)161、第二电子传输层(ETL2)162和第三电子传输层(ETL3)163。第一电子传输层161被直接形成在发光层(EML)150上。所述第一、第二和/或第三电子传输层每层包含不同的式1的化合物和任选的碱金属卤化物或有机碱金属络合物。
有机半导体层
根据另一方面，有机半导体层可以包含至少一种式1和/或式1a或式1b的化合物。
根据一个实施方式，所述有机半导体层可以包含至少一种式1的化合物，并且还包含金属、金属盐或有机碱金属络合物，优选为碱金属络合物，更优选为LiQ或碱金属硼酸盐。
根据一个实施方式，所述有机半导体层可以包含至少一种式1的化合物，并且还包含金属、金属盐或有机金属络合物，优选为有机单价或二价金属络合物，更优选为LiQ或碱金属硼酸盐。
根据一个实施方式，所述有机半导体层可以包含至少一种式1的化合物和LiQ。
根据一个实施方式，所述有机半导体层可以包含至少一种式1的化合物和碱金属硼酸盐。
根据一个实施方式，其中至少一个有机半导体层被布置在所述发光层与阴极之间，优选地在所述电子注入层与阴极之间。
在另一个实施方式中，所述有机半导体层是第一电子传输层，并且它被布置在所述发光层与第二电子传输层之间。
根据一个实施方式，所述有机半导体层被布置在所述第一与第二发光层之间。所述有机半导体层可以是电子传输层、发光层、空穴阻挡层、电荷产生层和/或电子注入层，优选为电子传输层或电荷产生层，更优选为电子传输层。
根据一个实施方式，所述有机半导体层可以被布置在光活性层与阴极层之间，优选地在发光层或光吸收层与阴极层之间，优选地所述有机半导体层是电子传输层。
根据一个实施方式，所述有机半导体层可以包含至少一种碱金属卤化物或有机碱金属络合物。
包含根据式1、1a或1b所述的化合物的有机半导体层是基本上不发光的或不发光的。
有机电子器件
根据本发明所述的有机电子器件包含至少一个有机半导体层，其中至少一个有机半导体层包含根据式1所述的化合物。
根据一个实施方式所述的有机电子器件包含至少一个含有根据式1所述的化合物的有机半导体层，其中该层是基本上不发光的或不发光的。
根据一个实施方式，所述有机电子器件可以包含至少一个包含式1的化合物的有机半导体层，其是电子传输层、发光层、空穴阻挡层、电荷产生层和/或电子注入层，优选为电子传输层或电荷产生层，更优选为电子传输层。
根据一个实施方式所述的有机电子器件可以包括基底、阳极层、包含式1的化合物的有机半导体层和阴极层。
根据一个实施方式所述的有机电子器件可以包含至少一个有机半导体层，其中所述包含式1的化合物的有机半导体层被布置在光活性层与阴极层之间，优选地在发光层或光吸收层与阴极层之间，优选地所述有机半导体层是电子传输层。
根据一个实施方式所述的有机电子器件可以包含至少一个含有式1的化合物的有机半导体层，其中所述至少一个有机半导体层还包含至少一种碱金属卤化物或有机碱金属络合物。
根据一个实施方式所述的有机电子器件包含至少一个含有至少一种式1的化合物的有机半导体层、至少一个阳极层、至少一个阴极层和至少一个发光层，其中所述包含至少一种式1的化合物的有机半导体层优选被布置在所述发光层与阴极层之间。
根据一个实施方式所述的有机电子器件包含至少一个含有至少一种式1的化合物的有机半导体层，并且还包含至少一种碱金属卤化物或有机碱金属络合物。
根据一个实施方式所述的有机电子器件包含至少一个有机半导体层、至少一个阳极层、至少一个阴极层和至少一个发光层，其中所述包含至少一种式1的化合物的有机半导体层优选被布置在所述发光层与阴极层之间。优选地，所述至少一个有机半导体层是电子传输层。
根据本发明所述的有机发光二极管(OLED)可以包括阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、包含至少一种式1的化合物的电子传输层(ETL)和阴极，它们被顺序层叠在基底上。就此而言，所述HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
根据一个实施方式所述的有机电子器件可以是发光器件、薄膜晶体管、电池组、显示装置或光伏电池，并且优选为发光器件。发光器件可以是OLED。
根据一个实施方式，所述OLED可以具有下述层结构，其中所述层具有下述次序：
阳极层，空穴注入层，任选的第一空穴传输层，任选的第二空穴传输层，发光层，包含根据本发明所述的式1的化合物的电子传输层，电子注入层，和阴极层。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机电子器件的方法，所述方法使用：
-至少一个沉积源，优选地两个沉积源，更优选地至少三个沉积源。
可以适合地使用的沉积方法包括：
-通过真空热蒸发的沉积；
-通过溶液加工的沉积，优选地所述加工可以选自旋涂、印刷、浇注；和/或
-狭缝式模头涂布。
根据本发明的各种不同实施方式，提供了一种方法，所述方法使用：
-第一沉积源，以释放根据本发明所述的式1的化合物，和
-第二沉积源，以释放所述碱金属卤化物或有机碱金属络合物，优选为锂卤化物或有机锂络合物；
所述方法包括形成所述电子传输层叠层结构的步骤；其中对于有机发光二极管(OLED)来说：
-所述第一电子传输层是通过从所述第一沉积源释放根据本发明所述的式1的化合物并从所述第二沉积源释放所述碱金属卤化物或有机碱金属络合物、优选为锂卤化物或有机锂络合物来形成。
根据本发明的各种不同实施方式，所述方法还可以包括在所述阳极电极上形成发光层，和选自以下的至少一个层：在所述阳极电极与第一电子传输层之间形成空穴注入层、形成空穴传输层或形成空穴阻挡层。
根据本发明的各种不同实施方式，所述方法还可以包括形成有机发光二极管(OLED)的步骤，其中：
-在基底上形成第一阳极电极，
-在所述第一阳极电极上形成发光层，
-在所述发光层上形成电子传输层叠层结构，优选地在所述发光层上形成第一电子传输层，并在所述第一电子传输层上形成第二电子传输层，并且所述第二电子传输层包含式1的化合物，
-并且最后形成阴极电极，
-在所述第一阳极电极与发光层之间依次形成任选的空穴注入层、空穴传输层和空穴阻挡层，
-在所述电子传输层叠层结构与阴极电极之间形成任选的电子注入层。
根据本发明的各种不同实施方式，所述方法还可以包括在第一电子传输层上形成电子注入层。然而，根据本发明的OLED的各种不同实施方式，所述OLED可以不含电子注入层。
根据各种不同实施方式，所述OLED可具有下述层结构，其中所述层具有下述顺序：
阳极，第一空穴传输层，第二空穴传输层，发光层，任选的第二电子传输层，包含根据本发明所述的式1的化合物的第一电子传输层，任选的第二电子传输层，任选的电子注入层，和阴极。
根据本发明的另一方面，提供了一种电子器件，其包含至少一个根据整个本申请中描述的任何实施方式所述的有机发光器件，优选地，所述电子器件包含在整个本申请中描述的实施方式之一中的有机发光二极管。更优选地，所述电子器件是显示装置。
下面将参考实施例更详细地说明所述实施方式。然而，本公开不限于下述实施例。现在将详细参考示例性方面。
式1的化合物的制备
式1的化合物可以如WO2016171358、WO2017135510和下文中所述来制备。
其中m是1、2或3的式(1)的化合物可以使用下述化合物作为起始原料来合成：
2-(苯并[b]噻吩-2-基)-4-氯-6-苯基-1,3,5-三嗪的制备
将烧瓶用氮气吹扫并装入2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪(79g，351mmol)、苯并[b]噻吩-2-基硼酸(50g，281mmol)、Pd(PPh3)4(20g，17.6mmol)和K2CO3(121g，877mmol)。添加脱气甲苯/THF/水(1:1:1，960mL)的混合物，并将所述反应混合物在氮气气氛下加热到40℃持续4h。在冷却到室温后，通过吸滤收集形成的沉淀并用水和甲苯洗涤。将得到的固体溶解在热氯仿中，并通过Florisil垫过滤。在用另外的氯仿冲洗后，将滤液在减压下浓缩并添加正己烷。通过吸滤收集得到的沉淀并用正己烷洗涤。在干燥后，得到64g(70％)化合物。
其中m是1、2或3的式(1)的化合物可以如上所述来合成，但使用下述化合物作为起始原料：
用于制备式1的化合物的通用程序1
将烧瓶用氮气吹扫并装入2-(苯并[b]噻吩-2-基)-4-氯-6-苯基-1,3,5-三嗪(15.5g，48.1mmol)、2-(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷(20.5g，80.6mmol)、Pd(dppf)Cl2(1g，1.4mmol)和K2CO3(16.6g，120mmol)。添加脱气THF/水(4:1，250mL)的混合物，并将所述反应混合物在氮气气氛下加热至回流持续24h。在冷却到室温后，通过吸滤收集形成的沉淀，并用THF和水洗涤。将得到的固体溶解在二氯甲烷中，并通过Florisil垫过滤。在用另外的二氯甲烷冲洗后，将滤液蒸发至干并添加甲苯。将得到的悬液用正己烷稀释，通过吸滤收集沉淀并用正己烷洗涤。在干燥后，得到17.9g(60％)化合物。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝606([M+H]+)。
化合物2-(苯并[b]噻吩-2-基)-4-苯基-6-(3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基)-1,3,5-三嗪(G45)可以如上述方案中所示，通过2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪与2-(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷的反应来制备。
2-氯-4-苯基-6-(3',4',5'-三苯基-[1,1':2',1”-三联苯]-4-基)-1,3,5-三嗪的制备
将烧瓶用氮气吹扫并装入2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪(29g，128mmol)、4,4,5,5-四甲基-2-(3',4',5'-三苯基-[1,1':2',1”-三联苯]-4-基)-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷(60g，103mmol)、Pd(dppf)Cl2(4.7g，6.4mmol)和K2CO3(44g，320mmol)。添加脱气甲苯/THF/水(1:1:1，1050mL)的混合物，并将所述反应混合物在氮气气氛下加热到65℃持续22h。在冷却到室温后，蒸发掉溶剂，并将固体溶解在氯仿和水中。将有机相用水洗涤四次，用MgSO4干燥并通过硅胶垫过滤。将滤液在减压下浓缩并添加正己烷。进一步的纯化通过柱层析(硅胶，甲苯/正己烷3:1)和升华来实现，得到8g(11％)化合物。
用于制备式1的化合物的通用程序2
将烧瓶用氮气吹扫并装入2-氯-4-苯基-6-(3',4',5'-三苯基-[1,1':2',1”-三联苯]-4-基)-1,3,5-三嗪(8g，12.3mmol)、苯并[b]噻吩-2-基硼酸(2.6g，14.8mmol)、Pd(dppf)Cl2(0.18g，0.25mmol)和K2CO3(3.4g，25mmol)。添加脱气THF/水(4:1，200mL)的混合物，并将所述反应混合物在氮气气氛下加热至回流持续70h。在冷却到室温后，通过吸滤收集形成的沉淀，溶解在氯仿中并用水洗涤三次。用MgSO4干燥后，将有机相通过硅胶垫过滤并将滤液蒸发至干。将得到的固体用二氯甲烷/正己烷研磨。随后，将所述粗产物溶解在氯仿中，并通过硅胶和Florisil垫过滤。在用另外的氯仿冲洗后，将滤液蒸发，得到4.2g(45％)化合物。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝746([M+H]+)。
2-(苯并[b]噻吩-2-基)-4-(3-氯苯基)-6-苯基-1,3,5-三嗪的制备
将烧瓶用氮气吹扫并装入2-氯-4-(3-氯苯基)-6-苯基-1,3,5-三嗪(50g，165.5mmol)、苯并[b]噻吩-2-基硼酸(30.9g，173.8mmol)、Pd(PPh3)4(5.7g，4.9mmol)和K2CO3(68.5g，496mmol)。添加脱气THF/水(4:1，1.25L)的混合物，并将所述反应混合物在氮气气氛下加热至70℃持续两天。在冷却到室温后，蒸发掉溶剂，将固体用水洗涤并干燥。将所述粗产物溶解在热氯苯中并通过硅胶塞过滤。将有机相浓缩，并将得到的残留物用甲醇研磨。在干燥后，得到59.5g(90％)化合物。
用于制备式1的化合物的通用程序3
将烧瓶用氮气吹扫并装入2-(苯并[b]噻吩-2-基)-4-(3-氯苯基)-6-苯基-1,3,5-三嗪(10g，25mmol)、2,4-二苯基-6-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)-1,3,5-三嗪(13.1g，30mmol)、氯(巴豆基)(2-二环己基膦基-2’,6’-二甲氧基联苯基)钯(II)(0.3g，0.5mmol)和K3PO4(10.6g，50mmol)。添加脱气THF/水(10:1，385mL)的混合物，并将所述反应混合物在氮气气氛下加热至45℃持续18h。在冷却到室温后，通过吸滤收集形成的沉淀，并用THF、水和己烷洗涤。将所述粗产物溶解在热氯苯中，并通过硅胶垫过滤。在用另外的热氯苯冲洗后，将合并的滤液在真空中浓缩，通过吸滤分离得到的沉淀，并用正己烷和乙醇洗涤。将所述使用热氯苯的过滤步骤再重复一次。然后将得到的固体从THF重结晶并干燥，得到6.6g(39％)化合物。HPLC/ESI-MS：100％，m/z＝673([M+H]+)。
2-(苯并[b]噻吩-2-基)-4-苯基-6-(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)-1,3,5-三嗪的制备
将烧瓶用氮气吹扫并装入2-(苯并-[b]噻吩-2-基)-4-(4-氯苯基)-6-苯基-1,3,5-三嗪(20g，50mmol)、4,4,4',4',5,5,5',5'-八甲基-2,2'-联(1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷)(15.2g，60mmol)、Pd2(dba)3(1.14g，1.25mmol)、XPhos(1.2g，2.5mmol)和乙酸钾(14.7g，150mmol)。添加无水且脱气的1,4-二烷(300mL)，并将所述反应混合物在氮气气氛下加热至回流持续18h。随后，在减压下除去所有挥发物，并将残留物溶解在氯仿和水中。将有机相用水洗涤五次，用MgSO4干燥并通过硅胶垫过滤。将滤液在减压下浓缩至极小量，并添加正己烷。通过吸滤收集得到的沉淀并干燥，得到22.3g(91％)化合物。
用于制备式1的化合物的通用程序4
将烧瓶用氮气吹扫并装入2-(苯并[b]噻吩-2-基)-4-苯基-6-(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)苯基)-1,3,5-三嗪(11g，22.4mmol)、2-溴-9,9-二苯基-9H-芴(9.8g，24.6mmol)、Pd(PPh3)4(0.52g，0.45mmol)和K2CO3(6.2g，45mmol)。添加脱气1,4-二烷/水(5:1，155mL)的混合物，并将所述反应混合物在氮气气氛下加热到90℃持续70h。在冷却到室温后，通过吸滤收集形成的沉淀并用水洗涤。将得到的固体溶解在氯仿中并用水洗涤四次。用MgSO4干燥后，将有机相通过硅胶垫过滤。将滤液在减压下浓缩至极小量，并添加正己烷。通过吸滤收集得到的沉淀并将其从甲苯重结晶，得到9.9g(65％)化合物。HPLC/ESI-MS：99.9％，m/z＝682([M+H]+)。
用于制备式1的化合物的通用程序5
4-(苯并[b]噻吩-2-基)-6-氯-2-苯基嘧啶的制备
将烧瓶用氮气吹扫并装入4,6-二氯-2-苯基嘧啶(30.0g，133.3mmol)、苯并[b]噻吩-2-基硼酸(19.0g，106.6mmol)、碳酸钾(46.0g，333.2mmol)和四(三苯基膦)钯(0)(7.7g，6.7mmol)。添加脱气THF/甲苯/水(1:1:1，540mL)的混合物，并将所述反应混合物在氮气气氛下加热至65℃持续4小时。在冷却到室温后，在减压下除去溶剂。将残留物溶解在二氯甲烷(300mL)中，并用水(3×100mL)洗涤。将水性相用二氯甲烷萃取，并将合并的有机相首先用MgSO4干燥，然后用硅胶垫过滤。在用另外的二氯甲烷(1.5L)冲洗后，将滤液在减压下浓缩至极小体积并添加正己烷(100mL)。将得到的悬液在室温搅拌，通过吸滤收集沉淀并在环己烷(600mL)中研磨，得到20.2g(58％)4-(苯并[b]噻吩-2-基)-6-氯-2-苯基嘧啶，其不需进一步纯化而用于下一步骤中。
2-(3'-(6-(苯并[b]噻吩-2-基)-2-苯基嘧啶-4-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪的制备
将烧瓶用氮气吹扫并装入4-(苯并[b]噻吩-2-基)-6-氯-2-苯基嘧啶(10.0g，28.3mmol)、2,4-二苯基-6-(3'-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-1,3,5-三嗪(14.6g，28.3mmol)、碳酸钾(7.8g，56.6mmol)和[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯化钯(II)(414mg,0.57mmol)。添加脱气THF/水(4:1，140mL)的混合物，并将所述反应混合物在氮气气氛下加热至65℃过夜。在冷却到室温后，在减压下除去溶剂。将残留物溶解在二氯甲烷(300mL)中并用水(3×150mL)洗涤。将水性相用二氯甲烷萃取，并将合并的有机相首先用MgSO4干燥，然后在减压下除去溶剂。将固体残留物溶解在氯苯(300mL)中，并用硅胶垫过滤。在用另外的氯苯(2.0L)冲洗后，将滤液浓缩，并将悬液留在室温下搅拌过夜。通过吸滤收集沉淀并将其在氯苯(3×150-200mL)中重结晶，得到13.0g(68％)2-(3'-(6-(苯并[b]噻吩-2-基)-2-苯基嘧啶-4-基)-[1,1'-联苯]-3-基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪。最终纯化通过升华来实现。HPLC：99.8％，HPLC/ESI-MS：m/z＝672([M+H]+)。
实施例1至12的式1的化合物和C1的比较例1的化学结构、摩尔质量、计算的HOMO、LUMO、偶极矩、熔点、玻璃化转变温度和标准起始温度示出在表1中。
表1
比较例1的化合物和实施例1至实施例12的式1的化合物的性质
用于制造OLED的通用程序
对于顶部发光器件，实施例1至4的化合物G29、G1、G45和G11和比较例C1来说，将玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇超声清洁5分钟，然后用纯水超声清洁5分钟，并用UV臭氧再次清洁30分钟。将100nm Ag在10-5至10-7mbar的压力下作为阳极沉积在所述玻璃基底上，以形成阳极。
然后，将92vol.-％的联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺(CAS 1242056-42-3)和8vol.-％的2,2',2”-(环丙烷-1,2,3-三基亚基)三(2-(对氰基四氟苯基)乙腈)真空沉积在所述阳极上，以形成厚度为10nm的空穴注入层(HIL)。然后，将联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺真空沉积在所述HIL上，以形成厚度为118nm的空穴传输层(HTL)。
然后，将N,N-双(4-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-[1,1':4',1”-三联苯]-4-胺(CAS 1198399-61-9)真空沉积在所述HTL上，以形成厚度为5nm的电子阻挡层(EBL)。
然后将97vol.-％的作为EML主体的ABH113(Sun Fine Chemicals)和3vol.-％的作为蓝色荧光掺杂剂的NUBD370(Sun Fine Chemicals)沉积在所述EBL上，以形成厚度为20nm的发射蓝光的EML。
然后，通过将2,4-二苯基-6-(4',5',6'-三苯基-[1,1':2',1”:3”,1”':3”',1””-五苯基]-3””-基)-1,3,5-三嗪以5nm的厚度沉积在所述发光层上，在所述EML上形成厚度为5nm的第一电子传输层(ETL1)，参见表2。
然后，通过沉积50vol.-％的作为基质化合物的选自G29、G1、G45和G11的式1的化合物和50vol.-％的有机碱金属络合物LiQ，将第二电子传输层(ETL2)以31nm的厚度形成在所述第一电子传输层上，参见表2；并且对于比较例来说，通过沉积50vol.-％的作为基质化合物的比较例C1的化合物和50vol.-％的有机碱金属络合物LiQ，将第二电子传输层以31nm的厚度形成在所述第一电子传输层上，参见表2。
表2
包含第一电子传输层和含有式1的化合物以及C1的化合物的第二电子传输层的有机电致发光器件的性能
然后，通过沉积厚度为2nm的Yb，在所述电子传输层上形成电子注入层。
将Ag在10-7mbar下以0.01至的速率蒸发，形成厚度为11nm的阴极。
在所述阴极上形成厚度为75nm的联苯-4-基(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-胺的覆盖层。
通过用载玻片封装所述器件，保护所述OLED叠层结构免受周围环境的影响。由此形成空腔，所述空腔包含用于进一步保护的吸气剂材料。
为了评估本发明的实施例与现有技术相比的性能，在20℃下测量电流效率。使用Keithley 2635源测量装置，通过施加以V为单位的电压并测量流过被测试器件的以mA为单位的电流，来确定电流-电压特性。将施加到所述器件的电压以0.1V的步长在0V至10V之间的范围内改变。同样，通过使用Instrument Systems CAS-140CT阵列光谱仪为每个电压值测量以cd/m2为单位的亮度，来确定亮度-电压特性和CIE坐标。
通过分别将亮度-电压和电流-电压特性内插，来确定在10mA/cm2下的cd/A效率。
所述器件的寿命LT是在环境条件(20℃)和30mA/cm2下，使用Keithley 2400源表来测量，并以小时为单位报告。
所述器件的亮度使用校准的光电二极管测量。寿命LT被定义为直至所述器件的亮度降低到其初始值的97％为止的时间。
本发明的技术效果
正如可以在表2中看到的，本发明的实施例1至4的式1的化合物与比较例1相比具有低的蒸发温度。
与包含本领域中已知的化合物C1的有机电子器件相比，包含所述式1的化合物的有机电子器件的寿命得以改善；参见实施例1至4。
尽管本发明已结合目前被认为是实用的示例性实施方式进行了描述，但应该理解，本发明不限于所述公开的实施方式，而是相反，意欲涵盖在权利要求书的主旨和范围之内包含的各种不同修改和等同的布置。因此，上述实施方式应该被理解为是示例性的，而不是以任何方式限制本发明。
Claims (25)
1.一种根据式1所述的化合物：
其中
烷基基团被限定为直链、环状或支链的烷基基团；
X是O或S
R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自H、取代或未取代的C6至C38芳基、取代或未取代的C3至C36杂芳基或C1至C16烷基，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
m是选自0或1的整数；
n是选自0的整数；
Y是CR”或N，其中R”是H、取代或未取代的C6至C38芳基、取代或未取代的C3至C36杂芳基、或C1至C16烷基，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Ar1选自取代或未取代的C6至C38芳基或者取代或未取代的C3至C36杂芳基其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Ar2选自取代或未取代的C6至C38芳亚基或式2，
其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Z选自O、S、Se、CR”’或NR”’，其中R”’选自C1至C16烷基或C6至C18芳基；
Ar3选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基或者所述杂芳基选自吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基、苯并吖啶基、二苯并吖啶基、菲咯啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Ar4选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基、苯并吖啶基、二苯并吖啶基、菲咯啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
并且其中当Ar2选择式2时，Ar4是H；
根据式1的所述化合物具有450g/mol至1800g/mol范围内的摩尔质量；
其中排除如下的化合物：
2.根据权利要求1所述的式1的化合物，其中
X是O；
R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自H、取代或未取代的C6至C38芳基、取代或未取代的C3至C36杂芳基或C1至C16烷基，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
m是选自0或1的整数；
n是选自0的整数；
Y是N或CH；
Ar1选自取代或未取代的C6至C38芳基或者取代或未取代的C3至C36杂芳基，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Ar2选自取代或未取代的C6至C38芳亚基或式2，
其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Z选自O、S、Se、CR”’或NR”’，其中R”’选自C1至C16烷基或C6至C18芳基；
Ar3选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基、苯并吖啶基、二苯并吖啶基、菲咯啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基；
Ar4选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基、苯并吖啶基、二苯并吖啶基、菲咯啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，其中
所述取代基选自C6至C18芳基，C3至C25杂芳基，-PO(R’)2，其中R’是烷基、芳基或杂芳基、D、F或CN、部分或全氟代C1至C16烷基、部分或全氘代C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C16烷氧基。
3.根据权利要求1或2所述的式1的化合物，其中在R’的定义中限定的烷基是C1至C16烷基。
4.根据权利要求1所述的式1的化合物，其中所述式1的化合物由式1a和/或1b表示：
5.根据权利要求1所述的式1的化合物，其中
X是O或S；
R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地选自H、苯基、萘基或联苯基；
m是0；
n是0；
Y是N或CH；
Ar1选自苯基、萘基、联苯基、菲基、三苯基或蒽基；
Ar2选自二价苯亚基、萘亚基、联苯亚基、菲亚基、三苯亚基或蒽亚基；
Z选自O、S、Se、CR”’或NR”’，其中R”’选自C1至C16烷基或C6至C18芳基；
Ar3选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基、苯并吖啶基、二苯并吖啶基、菲咯啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基；
Ar4选自H、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，所述杂芳基选自吡啶基、喹啉基、喹喔啉基、菲咯啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
6.根据权利要求1所述的式1的化合物，其中
Ar2选自式2；并且
Z选自O、S、Se、CR”’或NR”’，其中R”’选自C1至C16烷基或C6至C18芳基。
7.根据权利要求1所述的式1的化合物，其中所述式1的化合物包含至少1个非杂苯环至12个非杂苯环。
8.根据权利要求7所述的式1的化合物，其中所述式1的化合物包含至少2个苯环至7个苯环。
9.根据权利要求1所述的式1的化合物，其中所述式1的化合物包含至少1个至4个杂芳族6元环以及至少1个杂芳族5元环。
10.根据权利要求9所述的式1的化合物，其中所述式1的化合物包含1至3个杂芳族6元环。
11.根据权利要求9所述的式1的化合物，其中所述式1的化合物包含1或2个杂芳族6元环。
12.根据权利要求9所述的式1的化合物，其中所述式1的化合物包含1个杂芳族6元环。
13.根据权利要求9所述的式1的化合物，其中所述式1的化合物包含至少2个杂芳族5元环。
14.根据权利要求1所述的式1的化合物，其中Ar1、Ar3和Ar4独立地选自取代或未取代的C6至C18芳基、或取代或未取代的C5至C18杂芳基，其中在Ar3和Ar4是取代或未取代的C5至C18杂芳基时，所述C5至C18杂芳基选自吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基、苯并吖啶基、二苯并吖啶基、菲咯啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，并且Ar2独立地选自取代或未取代的C6至C18芳亚基、或取代或未取代的C5至C18杂芳亚基，其中
所述取代的C6至C18芳基、取代的C5至C18杂芳基、取代的C6至C18芳亚基或取代的C5至C18杂芳亚基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、部分或全氟代C1至C12烷基、部分或全氟代C1至C16烷氧基、部分或全氘代C1至C12烷基、部分或全氘代C1至C16烷氧基、C6至C18芳基、C3至C25杂芳基、D、F或CN。
15.根据权利要求1所述的式1的化合物，其中
-Ar1选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、三苯基、蒽基；和/或
-Ar2选自苯亚基、联苯亚基、三联苯亚基、萘亚基、菲亚基、三苯亚基、蒽亚基；
-Ar3独立地选自E1至E28：
-Ar4独立地选自F1至F9：
16.根据权利要求15所述的式1的化合物，其中
-Ar1选自C1至C9：
17.根据权利要求15所述的式1的化合物，其中
-Ar2选自D1至D13：
18.根据权利要求1所述的式1的化合物，其中所述式1的化合物选自G1至G70：
19.一种有机半导体层，所述有机半导体层包含至少一种根据权利要求1所述的式1的化合物。
20.根据权利要求19所述的有机半导体层，其中所述有机半导体层还包含金属、金属盐或有机金属络合物。
21.根据权利要求20所述的有机半导体层，其中所述有机金属络合物是有机单价金属络合物或有机二价金属络合物。
22.根据权利要求20所述的有机半导体层，其中所述有机金属络合物是LiQ。
23.根据权利要求20所述的有机半导体层，其中所述金属盐是碱金属硼酸盐。
24.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含至少一个根据权利要求19所述的有机半导体层，其中所述至少一个有机半导体层包含根据权利要求1所述的式1的化合物。
25.根据权利要求24所述的有机电子器件，其中所述电子器件是发光器件、薄膜晶体管、电池组、显示装置或光伏电池。
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|---|---|---|---|
| EP18171304.1A EP3567039B1 (en) | 2018-05-08 | 2018-05-08 | N-heteroarylene compounds with low lumo energies |
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| WO2014208755A1 (ja) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 東ソー株式会社 | 環状アジン化合物、その製造方法、及びそれを用いた有機電界発光素子 |
| KR20160005944A (ko) * | 2014-07-08 | 2016-01-18 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| CN108191842A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-06-22 | 中节能万润股份有限公司 | 一种三嗪类oled材料、及其制备方法和应用 |
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014208755A1 (ja) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 東ソー株式会社 | 環状アジン化合物、その製造方法、及びそれを用いた有機電界発光素子 |
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|---|---|---|---|
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