JP7341132B2 - 有機半導体層を含む有機電子素子 - Google Patents

Description

発明の詳細な説明

技術分野
本発明は、電子素子用の層材料としての使用のための化合物、およびその層材料を含む有機電子素子、ならびにその製造方法に関する。

従来の技術
自己発光素子である有機発光ダイオードＯＬＥＤのような有機電子素子は、広い視野角、優れたコントラスト、迅速な応答性、高輝度、優れた動作電圧特性、および色再現性を有する。典型的なＯＬＥＤは、アノード、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ、およびカソードを含み、これらは基板上に順次積層される。なお、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬは、有機化合物からなる薄膜である。

アノードとカソードに電圧が印加されると、アノードから注入された正孔は、ＨＴＬを介してＥＭＬに移動し、カソードから注入された電子は、ＥＴＬを介してＥＭＬに移動する。正孔および電子は、ＥＭＬ内で再結合して励起子を生成する。励起子が励起状態から基底状態に落ちると、光が放出される。正孔と電子の注入と流量は、このような構造を有するＯＬＥＤが優れた効率および／または長い寿命を有するように、バランスを取らさなければならない。

有機発光ダイオードの性能は、有機半導体層の特性に影響される可能性があり、中でも有機半導体層の有機材料の特性に影響される可能性がある。

特に、電子移動度を高め、同時に電気化学的安定性を高めることが可能な有機材料のための開発は、有機発光ダイオードのような有機電子素子が大型フラットパネルディスプレイに適用され得るために、必要である。

有機半導体層、有機半導体材料、ならびにその有機電子素子の性能を改善すること、特に、その中に含まれる化合物の特性を改善することによってより高い効率を達成することが必要とされている。

特に、代替の有機半導体材料および有機半導体層、ならびに低動作電圧で改善された効率を有する有機電子素子が必要とされている。

高められた効率を有するとともに、同時に動作電圧を、それによって電力消費を低く抑えて、例えばモバイル電子素子のための長い電池寿命をもたらす代替化合物が必要とされている。

［発明を実施するための形態］
発明の開示
本発明の一態様は、有機電子素子の層材料として使用するための、式Ｉによる化合物を提供する：

ここで、
Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから選択され、および／または化学結合によって互いに接続されているＸ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０の少なくとも二つが架橋してアネレート化された芳香族環またはアネレート化されたヘテロ芳香族環を形成し、かつ、
少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり；または少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり、かつ少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｒ^１であり；
Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３または－ＢＲ^２Ｒ^３から選択され；
Ｒ^２およびＲ^３は、独立して選択されたＣ_６－２４のアリールおよびＣ_２－２０のヘテロアリールであり；
Ｚは式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１は、置換または非置換トリアジン環であり、
置換トリアジン環の置換基は、独立して、Ｃ_１－２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３－２０の分枝状のアルキルまたはＣ_３－２０のシクロアルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルキル、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２または、Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式１、から選択され；
Ａｒ^２は、独立して
Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉ、
置換または非置換のＣ_６－６０のアリールおよび置換または非置換のＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリール；
から選択され：
置換または非置換のＣ_６－６０のアリールおよびＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリールは、独立して、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ；Ｃ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルキル、またはＣ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルコキシ；Ｃ_３～Ｃ_１２の分枝状のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルコキシ；ニトリル；ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２；から選択され；
Ｒは、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_２０のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロチオアルキル、Ｃ_６～Ｃ_２０のアリール、およびＣ_３～Ｃ_２０のヘテロアリールであり；
ｍは、１、２または３から選択される。

一実施形態によれば、芳香環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも一つは、単結合を介してトリアジン環に連結されていてもよい。

一実施形態によれば、芳香環Ａ、Ｂ、Ｃおよび／またはＤのいずれも、互いに直接架橋していなくてもよく、アネレート化された芳香環またはアネレート化されたヘテロ芳香環を形成しなくてもよい。

ここで使用されるように、ｍ＝１は、Ａｒ^１が一つのＡｒ^２置換基で置換されていることを意味する。

ここで使用されるように、ｍ＝２は、Ａｒ^１が二つのＡｒ^２置換基で置換されていることを意味する。

ここで使用されるように、ｍ＝３は、Ａｒ^１が三つのＡｒ^２置換基で置換されていることを意味する。

別の態様によれば、層材料は、有機電子素子に使用される有機半導体層とすることができる。例えば、有機電子素子は、ＯＬＥＤ等であってもよい。

別の実施形態によれば、Ｚは、少なくとも５個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは、少なくとも５個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

別の実施形態によれば、Ｚは、少なくとも６個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは、少なくとも６個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

別の実施形態によれば、Ｚは、少なくとも７個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは、少なくとも７個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

別の実施形態によれば、Ｚは、少なくとも８個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは、少なくとも８個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

別の実施形態によれば、Ｚは、少なくとも９個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは、少なくとも９個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

別の実施形態によれば、Ｚは、少なくとも１０個のＣ_６アリール環を含み、または好ましくは、Ｚは、少なくとも１０個のＣ_６アリール環および少なくとも１個の６員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

一態様によれば、層材料は、有機電子素子に使用される有機半導体層とすることができる。例えば、有機電子素子は、ＯＬＥＤ等であってもよい。

式Ｉの一実施形態によれば、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤアリーレン環の少なくとも一つはＣ－Ｚによって置換されている、非置換または置換のＡ、Ｂ、ＣおよびＤアリーレン環および／またはヘテロアリーレン環は、式Ｉの置換テトラアリールエチレン化合物（ＴＡＥ）を形成するエチレン基に、単結合を介して各々結合している。

式ＩＩの一実施形態によれば、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、単結合を介して結合される。

式１で表される化合物は、電荷移動度および／または安定性を高めることにより、輝度効率、電圧特性、および／または寿命特性を向上させる強い電子輸送特性を有する。

式Ｉで表される化合物は、電子移動度が高く、動作電圧が低い。

有機半導体層は、非発光性であってもよい。

本明細書の文脈において、「本質的に非発光」または「非発光」との用語は、素子からの可視発光スペクトルに対する化合物または層の寄与が可視発光スペクトルに対して１０％未満、好ましくは５％未満であることを意味する。可視発光スペクトルは、約３８０ｎｍ以上、７８０ｎｍ以下の波長を有する発光スペクトルである。

好ましくは、式Ｉの化合物を含む有機半導体層は、本質的に非発光性または非発光性である。

「有さない（free of）」、「含まない（does not contain）」、「備えない（does not comprise）」という記載は、堆積前の化合物に存在し得る不純物を排除しない。不純物は、本発明によって達成される目的に対して技術的な効果を有さない。

動作電圧は、同じくＵと命名され、１０ミリアンペア／平方センチメートル（ｍＡ／ｃｍ^２）で、ボルト（Ｖ）で測定される。

アンペア当たりのカンデラ効率は、ｃｄ／Ａ効率とも名付けられ、１０ミリアンペア／平方センチメートル（ｍＡ／ｃｍ^２）におけるアンペア当たりのカンデラで測定される。

外部量子効率は、ＥＱＥとも命名され、パーセント（％）で測定される。

色空間は、座標ＣＩＥ－ｘおよびＣＩＥ－ｙ（International Commission on Illumination 1931）によって記述される。青色発光については、ＣＩＥ－ｙが特に重要である。より小さいＣＩＥ－ｙは、より深い青色を示す。

ＨＯＭＯとも命名される最高占有分子軌道、および、ＬＵＭＯとも命名される最低非占有分子軌道は、電子ボルト（ｅＶ）で測定される。

用語「ＯＬＥＤ」、「有機発光ダイオード」、「有機発光素子」、「有機光電子素子」および「有機発光ダイオード」は、同時に使用され、同じ意味を有する。

「遷移金属」という用語は、周期律表の３～１２族元素を含む、周期律表のｄ－ブロック中の任意の元素を意味し、含む。

「第ＩＩＩ族～第ＶＩ族金属」という用語は、周期律表の第ＩＩＩ族～第ＶＩ族の任意の金属を意味し、含む。

「寿命（life-span）」および「寿命（有効期間、lifetime）」という語は同時に用いられ、同じ意味を持つ。

ここでいう「重量パーセント」、「ｗｔ％」、「重量でのパーセント」、「重量での％」およびそれらの変形は、それぞれの電子輸送層の組成、組成物、物質または剤の重量をその組成の総重量で除し、１００を掛けたものをいう。それぞれの電子輸送層のすべての成分、物質または薬剤の総重量パーセント量は、１００ｗｔ％を超えないように選択されることが理解される。

ここでいう「体積パーセント」、「ｖｏｌ．－％」、「体積でのパーセント」、「体積での％」およびその変形は、元素金属、組成物、成分、物質または剤を、その元素金属、成分、物質または剤、成分または剤の体積を、それぞれの電子輸送層の総体積で除し、１００を乗じたものをいう。それぞれのカソード電極層のすべての元素金属、成分、物質または薬剤の総体積パーセント量は、１００ｖｏｌ％を超えないように選択されることが理解される。

本明細書において、数値はすべて、明示の有無を問わず、「約」という語によって修飾されていると見なされる。本明細書において、「約」という語は、数量において起こり得る変動を意味する。

「約」という語による修飾の有無を問わず、本願請求項は前記量に対する均等物を含む。

本明細書および添付の請求項において、単数形「a」、「an」、「the」は、明確な断りがない限り、複数の対象を含むことに留意されたい。

アノード電極およびカソード電極は、アノード電極／カソード電極、またはアノード電極／カソード電極、またはアノード電極層／カソード電極層と記載してよい。

別の一態様によれば、有機光電子素子は、互いに対向するアノード層およびカソード層、ならびに該アノード層およびカソード層の間にある少なくとも一つの有機半導体層を含んでおり、該有機半導体層は式Ｉの化合物を含むまたは式Ｉの化合物からなる。

さらに別の一態様によれば、有機電子素子（有機光電子素子であり得る）を備える表示素子が提供される。

本明細書において、他に定義されていない場合、「アルキル基」は脂肪族炭化水素基を意味し得る。アルキル基は、二重結合または三重結合を有しない「飽和アルキル基」を意味し得る。

アルキル基は、Ｃ_１～Ｃ_２０アルキル基、または好ましくはＣ_１～Ｃ_１２アルキル基でよい。より具体的には、アルキル基はＣ_１～Ｃ_２０アルキル基、または好ましくはＣ_１～Ｃ_１０アルキル基もしくはＣ_１～Ｃ_６アルキル基でよい。例えば、Ｃ_１～Ｃ_４アルキル基は、アルキル鎖に一つ～四つの炭素を含み、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチルおよびｔ－ブチルから選択されてもよい。

アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられる。

本明細書において、他に定義されていない場合、Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０アルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_２０チオアルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_２０アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_２０アルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_２０アルコキシ、環状のＣ_３～Ｃ_２０アルコキシ、分岐状のＣ_３～Ｃ_２０チオアルキル、環状のＣ_３～Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_６～Ｃ_２０アリール、およびＣ_３～Ｃ_２０ヘテロアリールから選択される。

好ましくは、Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０アルキル、Ｃ_１～Ｃ_１０アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_１０チオアルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_１０アルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０アルコキシ、環状のＣ_３～Ｃ_１０アルコキシ、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０チオアルキル、環状のＣ_３～Ｃ_１０チオアルキル、Ｃ_６～Ｃ_１８アリール、およびＣ_３～Ｃ_１８ヘテロアリールから選択してもよい。

より好ましくは、Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_３アルキル、Ｃ_６～Ｃ_１８アリールおよびＣ_３～Ｃ_１８ヘテロアリールから選択してもよい。

本明細書において、「アリーレン基」は、少なくとも一つの炭化水素芳香族部分を含む基を指し得、該炭化水素芳香族部分のすべての元素はｐ軌道を有し、該ｐ軌道は共役を形成する。例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、フルオレニル基等である。

アリーレン基は、単環、多環、または縮合環多環（つまり、炭素原子の対を共有する、隣接する環）の官能基を含んでもよい。

「ヘテロアリーレン」という用語は、少なくとも一つのヘテロ原子を有する芳香族ヘテロ環を指し得、炭化水素ヘテロ芳香族部分のすべての元素はｐ軌道を有し、該ｐ軌道は共役を形成する。ヘテロ原子は、他に定義されていない場合、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓｅ、好ましくはＮ、ＯおよびＳから選択されてよい。

ヘテロアリーレン環は少なくとも一つ～三つのヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロアリーレン環は、好ましくは、Ｎ、Ｓ、および／またはＯから独立して選択される少なくとも一つ～三つのヘテロ原子を含んでいてもよい。

より好ましくは、少なくとも一つのヘテロアリーレン環は、少なくとも１～三つのＮ原子、または少なくとも一つ～二つのＮ原子、または少なくとも一つのＮ原子を含んでいてもよい。

本明細書において、「ヘテロアリーレン」という語は、ピリジン、キノリン、キナゾリン、ピリジン、トリアジン、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾ［４，５］チエノ［３，２－ｄ］ピリミジン、カルバゾール、キサンテン、フェノキサジン、ベンゾアクリジン、ジベンゾアクリジン等を含む。

本明細書において、単結合とは直接結合を指す。

本明細書において、他に定義されていない場合、Ｘ^１～Ｘ^２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから独立して選択される、および／または、Ｘ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０（化学結合によって互いに結合している）の少なくとも二つが架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、Ｘ^１～Ｘ^２０の少なくとも一つはＣ－Ｚから選択される。

より好ましくは、Ｘ^１～Ｘ^２０は、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから独立して選択される、および／または、Ｘ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０（化学結合によって互いに結合している）の少なくとも二つが架橋して縮合芳香環もしくは縮合ヘテロ芳香環を形成し、Ｘ^１～Ｘ^２０の一つがＣ－Ｚであってもよい。

さらに好ましくは、Ｘ^１～Ｘ^２０はＮ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｚから独立して選択され、Ｘ^１～Ｘ^２０の少なくとも一つがＣ－Ｚであってもよい。

また好ましくは、Ｘ^１～Ｘ^２０はＣ－Ｈ、Ｃ－Ｚから独立して選択され、Ｘ^１～Ｘ^２０の少なくとも一つがＣ－Ｚであってもよい。

本明細書において、他に定義されていない場合、Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３または－ＢＲ^２Ｒ^３から選択され；Ｒ^２およびＲ^３は独立して選択されるＣ_６－２４アリールまたはＣ_２－２０ヘテロアリールである。

さらに好ましくは、式ＩのＸ^１～Ｘ^２０はＣ－Ｒ^１を有さなくてよい。

本明細書において、他に定義されていない場合、ＡＲ^１は、独立して、置換または非置換のＣ_６～Ｃ_６０アリールまたはＣ_２～Ｃ_６０ヘテロアリールから選択される。Ｃ_６～Ｃ_６０アリールまたはＣ_２～Ｃ_６０ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０アルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_２０アルキルまたは環状のＣ_３～Ｃ_２０アルキル、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１２フッ素化アルキル、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１２フッ素化アルコキシ、分岐状のＣ_３～Ｃ_１２フッ素化アルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_１２フッ素化アルコキシ、環状のＣ_３～Ｃ_１２フッ素化アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_１２フッ素化アルコキシ、ＯＲおよびＳＲから選択される。

好ましくは、Ａｒ^１は独立して、置換または非置換のＣ_６～Ｃ_１８アリールまたはＣ_４～Ｃ_１７ヘテロアリールから選択される。Ｃ_６～Ｃ_１８アリールまたはＣ_４～Ｃ_１７ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０アルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０アルキルまたは環状のＣ_３～Ｃ_１０アルキル、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１２フッ素化アルキル、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１２フッ素化アルコキシ、分岐状のＣ_３～Ｃ_１２フッ素化アルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_１２フッ素化アルコキシ、環状のＣ_３～Ｃ_１２フッ素化アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_１２フッ素化アルコキシ、ＯＲおよびＳＲから選択される。

より好ましくは、Ａｒ^１は独立して、置換または非置換のＣ_６～Ｃ_１２アリールまたはＣ_４～Ｃ_１１ヘテロアリールから選択される。Ｃ_６～Ｃ_１２アリールまたはＣ_４～Ｃ_１１ヘテロアリールの置換基は独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_３アルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_５アルキル、ＯＲおよびＳＲから選択される。

さらに好ましくは、Ａｒ^１は、非置換のトリアジン環である。

本明細書において、他に定義されていない場合、ＡＲ^２は、独立して以下から選択される。
・式Ｉ、但し、Ｘ^１～Ｘ^２０はＣ－Ｚではない、
・置換または未置換のＣ_６～Ｃ_６０アリール、または、置換または未置換のＣ_２～Ｃ_６０ヘテロアリールであって；Ｃ_６～Ｃ_６０アリールおよびＣ_２～Ｃ_６０ヘテロアリールの置換基は、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０アルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_２０アルキルまたは環状のＣ_３～Ｃ_２０アルキル；直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０アルコキシ、分岐状のＣ_３～Ｃ_２０アルコキシ；直鎖状のＣ_１～Ｃ_１２フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ_３～Ｃ_１２フッ素化アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_１２フッ素化アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_１２フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される。

好ましくは、ＡＲ^２は、独立して以下から選択される：
・式Ｉ、但し、Ｘ^１～Ｘ^２０はＣ－Ｚではない、
・置換または未置換のＣ_１２～Ｃ_６０アリール、あるいは、置換または未置換のＣ_３～Ｃ_６０ヘテロアリールであって；
Ｃ_１２～Ｃ_６０アリールおよびＣ_３～Ｃ_６０ヘテロアリールの置換基は、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０アルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０アルキルまたは環状のＣ_３～Ｃ_１０アルキル；直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０アルコキシ、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０アルコキシ；直鎖状のＣ_１～Ｃ_６フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ_１～Ｃ_６フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ_３～Ｃ_６フッ素化アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_６フッ素化アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_６フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される。

より好ましくは、ＡＲ^２は、独立して以下から選択される。
・式Ｉ、但し、Ｘ^１～Ｘ^２０はＣ－Ｚではない、
・置換または未置換のＣ_１８～Ｃ_６０アリール、あるいは、置換または未置換のＣ_３～Ｃ_１７ヘテロアリールであって；
Ｃ_１８～Ｃ_６０アリールおよびＣ_３～Ｃ_１７ヘテロアリールの置換基は、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０アルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０アルキルまたは環状のＣ_３～Ｃ_１０アルキル；直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０アルコキシ、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０アルコキシ；直鎖状のＣ_１～Ｃ_６フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ_１～Ｃ_６フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ_３～Ｃ_６フッ素化アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_６フッ素化アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_６フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される。

さらに好ましくは、ＡＲ^２は、独立して以下から選択される。
・式Ｉ、Ｘ^１～Ｘ^２０は独立してＮおよびＣ－Ｈから選択され、好ましくはＣ－Ｈである、
・置換または未置換のＣ_２４～Ｃ_６０アリールおよび置換または未置換のＣ_３～Ｃ_１１ヘテロアリールであって；
置換または未置換のＣ_２４～Ｃ_６０アリールおよびＣ_３～Ｃ_１１ヘテロアリールの置換基は、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０アルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０アルキルまたは環状のＣ_３～Ｃ_１０アルキル；直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０アルコキシ、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０アルコキシ；直鎖状のＣ_１～Ｃ_６フッ素化アルキルまたは直鎖状のＣ_１～Ｃ_６フッ素化アルコキシ；分岐状および環状のＣ_３～Ｃ_６フッ素化アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_６フッ素化アルキル、環状のＣ_３～Ｃ_６フッ素化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される。

また好ましくは、ＡＲ^２は、独立して以下から選択される。
・式Ｉ、Ｘ^１～Ｘ^２０は独立してＮおよびＣ－Ｈから選択され、好ましくはＣ－Ｈである、
・置換または未置換のＣ_２４～Ｃ_６０アリールおよび置換または未置換のＣ_３～Ｃ_１１ヘテロアリールであって、
Ｃ_２４～Ｃ_６０アリールおよびＣ_３～Ｃ_１１ヘテロアリールの置換基は、独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される。

本明細書において、他に定義されていない場合、ｍは１、２または３である。より好ましくはｍが１または２であってよい。

一実施形態によれば、芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも一つは、一つのＮ原子を含んでいてもよい。

一実施形態によれば、芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも一つは、二つのＮ原子を含んでいてもよい。

一実施形態によれば、芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも一つは、三つのＮ原子を含んでいてもよい。

一実施形態によれば、Ａｒ^２は、一つのＮ原子を有する少なくとも一つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。

一実施形態によれば、Ａｒ^２は、二つのＮ原子を有する少なくとも一つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。

一実施形態によれば、Ａｒ^２は、三つのＮ原子を有する少なくとも一つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。

一実施形態によれば、Ａｒ^２は、トリアジンである少なくとも一つのヘテロアリール六員環を含んでいてもよい。

一実施形態によれば、式Ｉの化合物は：
少なくとも５～２０個の芳香族環、好ましくは少なくとも６～１８個の芳香族環、さらに好ましくは少なくとも７～１６個の芳香族環、より一層好ましくは少なくとも８～１５個の芳香族環、およびより好ましくは少なくとも８～１４個の芳香族環を含み；および／または、式Ｉの化合物は、少なくとも１～５個、好ましくは２～４個または２～３個のヘテロ芳香族環を含み；および／または
芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも１個を含み、その少なくとも１個は、異なって置換されており、さらに好ましくは式Ｉの芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも２個が異なって置換されており；および／または
その鏡像上に重なり合わず；および／または
少なくとも１個のヘテロ原子Ｎ、Ｏ、Ｓおよび／または置換基（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２、－ＣＮ、好ましくは少なくとも１個のヘテロ原子Ｎ、２個または３個のヘテロ原子Ｎ、さらに好ましくは少なくとも１個のヘテロＮおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２または－ＣＮから選択される少なくとも１個の置換基を含み；および／または
少なくとも二つのトリアジン環を含み、および／または
一つの非ヘテロテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）のみおよび／または一つのヘテロテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）のみを含む。

一つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、少なくとも５～２０個の芳香族環および少なくとも１個のトリアジン環；好ましくは少なくとも６～１８個の芳香族環および少なくとも１個のトリアジン環；さらに好ましくは少なくとも７～１６個の芳香族環および少なくとも１個のトリアジン環；より一層好ましくは少なくとも８～１５個の芳香族環および少なくとも１個のトリアジン環；より好ましくは少なくとも８～１４個の芳香族環および少なくとも１個のトリアジン環を含み得る。

一つの好ましい実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも１～５個、好ましくは２～４個または２～３個のヘテロ芳香族環を含み、ここで、少なくとも１個のヘテロ芳香族環はトリアジン環である。

一つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は：
少なくとも５～２０個の芳香族環、好ましくは少なくとも６～１８個の芳香族環、さらに好ましくは少なくとも７～１６個の芳香族環、より一層好ましくは少なくとも８～１５個の芳香族環、さらに一層好ましくは少なくとも８～１４個の芳香族環；ならびに
少なくとも１～５個、好ましくは２～４個または２～３個のヘテロ芳香族環であって、少なくとも１個のヘテロ芳香族環がトリアジン環；
を含んでもよい。

一実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、少なくとも６～１２個の非ヘテロ芳香族環および１～３個のヘテロ芳香族環を含むことができ、ここで、少なくとも１個のヘテロ芳香族環はトリアジン環である。

一つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、少なくとも６～１２個の非ヘテロ芳香族環および１～３個の非ヘテロ芳香族環を含むことができ、ここで、少なくとも１個のヘテロ芳香族環はトリアジン環である。

一つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、少なくとも７～１１個の非ヘテロ芳香族環および１～２個のヘテロ芳香族環を含むことができ、ここで、少なくとも１個のヘテロ芳香族環はトリアジン環である。

一つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、少なくとも６～１２個の非置換または置換の非ヘテロ芳香族環および少なくとも１～３個の非置換または置換のヘテロ芳香族環を含み得、ここで、少なくとも１個のヘテロ芳香族環はトリアジン環であり、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ_２～Ｃ_１６のヘテロアリール、フッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルキルまたはフッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルコキシ、好ましくはニトリルまたはジアルキルホスフィンオキシドから選択される少なくとも１～３個の置換基である。

一つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、少なくとも７～１１個の非置換または置換の非ヘテロ芳香族環と、トリアジン環である少なくとも１個のヘテロ芳香族環と、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ_２～Ｃ_１６のヘテロアリール、フッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルキルまたはフッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルコキシから選択される少なくとも１個の置換基とを含むことができ、少なくとも１個の非ヘテロ芳香族環が置換されている。

一つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、少なくとも７～１１個の非置換または置換の非ヘテロ芳香族環と、少なくとも１個のヘテロ芳香族環と、ニトリルおよび／またはジアルキルホスフィンオキシドから選択される少なくとも１個の置換基とを含むことができ；少なくとも１個の非ヘテロ芳香族環が置換されている。

一つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、少なくとも一つの芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤを含むことができ、その少なくとも一つの芳香環は異なって置換されており、さらに好ましくは式Ｉの芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも二つが異なって置換されている。

一つの好ましい実施形態によれば、式Ｉによる化合物は、その鏡像上に重ね合わせることができない。

好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される少なくとも一つのヘテロ原子を含んでいてもよく、好ましくは、少なくとも一つのＮ、二つまたは三つのＮ原子を含んでいてもよい。

好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される少なくとも一つの置換基を含んでいてもよい。

好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される少なくとも一つのヘテロ原子、ならびに、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される少なくとも一つの置換基を含んでいてもよい。

好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも一つのＮを含み、さらに、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される少なくとも一つのヘテロ原子、ならびに、ニトリルおよび／または（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択される少なくとも一つの置換基を含んでいてもよい。

好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、少なくとも二つのトリアジン環を含んでいてもよい。

好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、非ヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ：tetraarylethylene）基を一つのみおよび／またはヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を一つのみ含んでいてもよい。

好ましい一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、非ヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基を少なくとも二つ含んでいてもよい。

非ヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、エチレンにおけるアリール置換基がヘテロ原子、炭素または水素とは異なる原子、を含まないことを意味する。

ヘテロのテトラアリールエチレン（ＴＡＥ）基は、エチレンにおける少なくとも一つのアリール置換基が少なくとも一つのヘテロ原子、炭素または水素とは異なる原子、を含むことを意味する。

「Ｃ_６－アリーレン環」という用語は、単一のＣ_６－アリーレン環、および、縮合環系を形成するＣ_６－アリーレン環を意味する。例えば、ナフタレン基は、二つのＣ_６－アリーレン環として数えられる。

式Ｉの他の実施形態によれば、Ａｒ_２の少なくとも一つのヘテロアリーレン基は、トリアジン、キナゾリン、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾ［４，５］チエノ［３，２－ｄ］ピリミジン、ピリミジンおよびピリジンが選択され、好ましくはトリアジンおよびピリミジンから選択される。

他の実施形態によれば、式１の化合物の双極子モーメントは、約０デバイ以上、約３デバイ以下であってよく、好ましくは約０デバイ以上、約２デバイ以下であってよい。

好ましくは、式Ｉの化合物の双極子モーメントは、０デバイ以上、１デバイ以下、より好ましくは０デバイ以上、０．８デバイ以下、さらに好ましくは０デバイ以上、０．４デバイ以下を選択され得る。

驚くべきことに、式Ｉの化合物の双極子モーメントがこの範囲から選択されるときに、特に高伝導性および低動作電圧の、式Ｉの化合物を含む有機半導体層が得られ得ることが見出された。

Ｎ原子を含む分子の双極子モーメント

は、以下の式によって与えられる。

式中、

および

は、分子における部分電荷および原子の位置である。

双極子モーメントは、半経験的な分子軌道法によって求められる。

気相における部分電荷および原子の位置は、プログラムパッケージTURBOMOLE V6.5で実行されるhybrid functional B3LYP with the 6-31G* basis set を用いることによって得られる。複数の配座が可能な場合、もっとも低い全エネルギーを有する配座を選択して双極子モーメントを求める。

他の実施形態によれば、式Ｉの化合物の還元電位は、テトラヒドロフランにおけるＦｃ／Ｆｃ^＋に対して測定した場合、－１．９Ｖよりも負であって－２．６Ｖよりも正であってよく、好ましくは、－２Ｖよりも負であって－２．５Ｖよりも正であってよい。

還元電位は、定電位装置Metrohm PGSTAT30およびソフトウェアMetrohm Autolab GPESを用いて、室温でのサイクリックボルタンメトリーによって測定することができる。酸化還元電位は、式Ｉの化合物の、アルゴンにより脱気してある、無水の０．１ＭのＴＨＦ溶液中で、アルゴン雰囲気下にて、支持電解質として０．１Ｍのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートを使用した。白金製作用電極間にて、塩化銀で被覆されている銀ワイヤーからなるＡｇ／ＡｇＣｌ疑似基準電極（Metrohm銀製棒電極）を用い、測定溶液に直接浸漬し、スキャン速度を１００ｍＶ／ｓとして測定される。１回目の測定は、作用電極間に最も広い範囲の電位を設定して行われ、その後、当該範囲は、適宜に調整される。最後の３回の測定は、標準としてフェロセン（濃度：０．１Ｍ）を添加して行われる。化合物のカソードのピークおよびアノードのピークに対応する電位の平均は、Ｆｃ^＋／Ｆｃ標準酸化還元対について測定されるカソード電位およびアノード電位の平均を差し引いて得られる。

特に、還元電位がこの範囲から選択されるとき、発光層への良好な電子注入および／もしくは電子輸送、および／または安定性が達成され得る。

他の実施形態によれば、式Ｉの化合物のガラス転移温度Ｔｇは、約１０５℃以上、約３８０℃以下、好ましくは約１１０℃以上、約３５０℃以下、さらに好ましくは約１５０℃以上、約３２０℃以下であってもよい。

他の実施形態によれば、式Ｉの化合物のガラス転移温度Ｔｇは、約１０５℃以上、約１７０℃以下であってもよい。

ガラス転移温度は窒素下で測定され、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ １１３５７（２０１０年３月公開）に記載されているように、当該測定は、示差走査熱量計Mettler Toledo DSC 822eを用いて１０Ｋ／分の加熱速度で行われる。

他の実施形態によれば、式Ｉの化合物の、レート開始温度Ｔ_ＲＯ（rate onset temperature）は、約１５０℃以上、約４００℃以下、好ましくは約１８０℃以上、約３８０℃以下であってもよい。

ＴＧＡ（熱重量分析）における重量損失カーブは、Mettler Toledo TGA-DSC 1 systemによって、純窒素を流しながら、加熱速度１０Ｋ／分で室温から６００℃に試料を加熱して測定される。９～１１ｍｇの試料が、蓋が無い１００μＬのMettler Toledo アルミニウムパンに収容される。０．５重量％の重量損失が発生したときに温度が測定される。

室温（周囲温度とも称する）は２３℃である。

気相への遷移に対するレート開始温度は、１００ｍｇの化合物をＶＴＥ源へ入れることで測定される。ＶＴＥ源として、Kurt J. Lesker Company (www.lesker.com)またはCreaPhys GmbH (http://www.creaphys.com)によって提供されている、有機材料の点源を使用する。ＶＴＥ（真空熱蒸着）源の温度は、ＶＴＥ源中の化合物と直接接触するサーモカップルによって測定される。

ＶＴＥ源は、真空チャンバ内で１０^－７ｍｂａｒ～１０^－８ｍｂａｒの圧力下において、１５Ｋ／分の一定の割合で加熱され、サーモカップルを用いてＶＴＥ源の内部温度が測定される。化合物の蒸着は、ＱＣＭ検出器を用いて検出する。当該検出器は、検出器の石英結晶上における化合物の積層を検出する。石英結晶上への積層速度は、１秒間当たりのオングストロームで測定される。レート開始温度を測定するために、ＶＴＥ源の温度に対する積層速度を対数スケール上にプロットする。レート開始温度は、ＱＣＭ検出器上に顕著な蒸着が起こるときの温度である（０．０２Å／秒の速度で定義される）。ＶＴＥ源は、３回加熱冷却し、２回目および３回目のみの結果が、レート開始温度を測定するのに使用される。

レート開始温度は、測定によって、化合物の揮発性を間接的な尺度である。レート開始温度が高いほど、化合物の揮発性が低い。

驚くべきことに、式１の化合物および本発明の有機電子素子は、従来技術で知られている有機エレクトロルミネセント素子および化合物に比べて、とりわけｃｄ／Ａ効率（電流効率とも称する）に関して優れており、それにより、本発明の課題を解決することがわかった。同時に、動作電圧は、同様の、またはさらに向上したレベルに保たれる。これは、例えば、携帯表示素子の電力消費を抑え、電池寿命を延ばすのに重要である。高いｃｄ／Ａ効率は高効率を達成するために重要であり、これにより、携帯素子（例えば携帯表示素子）の電池寿命が増す。

有機エレクトロルミネセント素子を青色蛍光素子として使用したときに、特に良好な性能が実現され得ることを発明者らは驚くべきことに発見した。

本明細書に記載の、好ましい特定の構成が特に有益であることが分かった。

同様に、本発明の最も広い定義の範囲に含まれるいくつかの化合物は、驚くべきことに、上述したｃｄ／Ａ効率の特性に関して特に良好な性能を示すことが分かった。本明細書において説明するこれらの化合物は特に好適である。

さらに、高効率および／または長寿命の有機光電子素子を実現可能である。

以下、一実施形態に係る有機光電子素子用の化合物について説明する。

一実施形態に係る有機光電子素子用の化合物は、本発明の式１で表される。

本発明の式１の化合物は、電子の注入もしくは輸送を促し、または、化合物のガラス転移温度を上昇させ得る。従って、分子間相互作用の抑制によって蛍光効率が上昇し、化合物の分子量に対する蒸着温度が低くなり得る。

従って、式１で表される有機光電子素子用の化合物がフィルムまたは層を形成するとき、当該化合物は、式１の化合物の特異的な立体形状によって、正孔または電子の注入および輸送、ならびに、素子におけるフィルムまたは層の耐久性を最適化することができる。従って、電荷輸送基の良好な分子間配置が達成され得る。

よって、式１の化合物が有機光電子素子に使用されるとき、当該化合物は、発光層への電子の迅速な注入によって蛍光効率を上昇することができる。一方、当該化合物が正孔注入または輸送特性が優れている材料と混合されて発光層を形成すると、当該化合物は、効率的な電荷注入および励起子の発生により、優れた蛍光効率を得ることができる。

さらに、式１で表される有機光電子素子用の化合物の優れた電子注入および輸送特性が得られ得る。さらに、優れた正孔特性を有する化合物との混合物として電子注入補助層または発光層の形成に使用されるときでさえ、式１の化合物は、優れた電子注入および輸送特性を維持し得る。

一実施形態によれば、有機電子素子の層材料として使用するための、式Ｉによる化合物が提供される：

Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから選択され、および／または化学結合によって互いに接続されているＸ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０の少なくとも二つが架橋してアネレート化された芳香族環またはアネレート化されたヘテロ芳香族環を形成し、かつ、
少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり
Ｚは、式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１は、置換または非置換トリアジン環であり、
置換トリアジン環の置換基は、独立して、Ｃ_１－２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３－２０の分枝状のアルキルまたはＣ_３－２０のシクロアルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルキル、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２または、Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式１、から選択され；
Ａｒ^２は、独立して
Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉ、
置換または非置換のＣ_６－６０のアリールおよび置換または非置換のＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリール；
から選択され：
Ｃ_６－６０のアリールおよびＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリールの置換基は、独立して、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ；Ｃ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルキル、またはＣ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルコキシ；Ｃ_３～Ｃ_１２の分枝状のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルコキシ；ニトリル；ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２；から選択され；
Ｒは、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_２０のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロチオアルキル、Ｃ_６～Ｃ_２０のアリール、およびＣ_３～Ｃ_２０のヘテロアリールであり；
ｍは、１、２または３から選択される。

一実施形態によれば、有機電子素子の層材料として使用するための、式Ｉによる化合物が提供される：

Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから選択され、および／または化学結合によって互いに接続されているＸ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０の少なくとも二つが架橋してアネレート化された芳香族環またはアネレート化されたヘテロ芳香族環を形成し、かつ、
少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり；
Ｚは式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１は、置換または非置換トリアジン環であり、
置換トリアジン環の置換基は、独立して、Ｃ_１－２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３－２０の分枝状のアルキルまたはＣ_３－２０のシクロアルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルキル、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２または、Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式１、から選択され；
Ａｒ^２は、独立して
Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉ、
置換または非置換のＣ_６－６０のアリールおよび置換または非置換のＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリール；
から選択され：
Ｃ_６－６０のアリールおよびＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリールの置換基は、独立して、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ；Ｃ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルキル、またはＣ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルコキシ；Ｃ_３～Ｃ_１２の分枝状のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルコキシ；ニトリル；ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２；から選択され；
Ｒは、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_２０のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロチオアルキル、Ｃ_６～Ｃ_２０のアリール、およびＣ_３～Ｃ_２０のヘテロアリールであり；
ｍは、１、２または３から選択され；
芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも１個は、単結合を介してトリアジン環に連結し；かつ式Ｉの化合物は、その鏡像上に重なり合わない。

一実施形態によれば、有機電子素子の層材料として使用するための、式Ｉによる化合物が提供される：

Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから選択され、および／または化学結合によって互いに接続されているＸ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０の少なくとも二つが架橋してアネレート化された芳香族環またはアネレート化されたヘテロ芳香族環を形成し、かつ、
少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり；または任意の少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり、かつ少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｒ^１であり；
Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３または－ＢＲ^２Ｒ^３から選択され；
Ｒ^２およびＲ^３は、独立して選択されたＣ_６－２４のアリールおよびＣ_２－２０のヘテロアリールであり；
Ｚは、式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１は、置換または非置換トリアジン環であり、
置換トリアジン環の置換基は、独立して、Ｃ_１－２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３－２０の分枝状のアルキルまたはＣ_３－２０のシクロアルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルキル、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２または、Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式１、から選択され、；
Ａｒ^２は、独立して
Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉ、
置換または非置換のＣ_６－６０のアリールおよび置換または非置換のＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリール；
から選択され：
Ｃ_６－６０のアリールおよびＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリールの置換基は、独立して、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ；Ｃ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルキル、またはＣ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルコキシ；Ｃ_３～Ｃ_１２の分枝状のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルコキシ；ニトリル；ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２；から選択され；
Ｒは、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_２０のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロチオアルキル、Ｃ_６～Ｃ_２０のアリール、およびＣ_３～Ｃ_２０のヘテロアリールであり；
ｍは、１または２から選択され；
芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤ少なくとも一つは、単結合を介してトリアジン環と連結されている。

一実施形態によれば、有機電子素子の層材料として使用するための、式Ｉによる化合物が提供される：

Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから選択され、および／または化学結合によって互いに接続されているＸ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０の少なくとも二つが架橋してアネレート化された芳香族環またはアネレート化されたヘテロ芳香族環を形成し、かつ、
少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり；または少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり、かつ任意の少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｒ^１であり；
Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３または－ＢＲ^２Ｒ^３から選択され；
Ｒ^２およびＲ^３は、独立して選択されたＣ_６－２４のアリールおよびＣ_２－２０のヘテロアリールであり；
Ｚは式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１は、置換または非置換トリアジン環であり、置換基は、独立して、Ｃ_１－２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３－２０の分枝状のアルキルまたはＣ_３－２０のシクロアルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルキル、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ａｒ^２は、独立して
Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉ、
置換または非置換のＣ_６－６０のアリールおよび置換または非置換のＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリール；
から選択され：
置換または非置換のＣ_６－６０のアリールおよびＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリールは、独立して、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ；Ｃ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルキル、またはＣ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルコキシ；Ｃ_３～Ｃ_１２の分枝状のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルコキシ；ニトリル；ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２；から選択され；
Ｒは、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_２０のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロチオアルキル、Ｃ_６～Ｃ_２０のアリール、およびＣ_３～Ｃ_２０のヘテロアリールであり；
ｍは、１、２または３から選択され；
芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも一つは、単結合を介してトリアジン環に連結されている。

一実施形態によれば、有機電子素子の層材料として使用するための、式Ｉによる化合物が提供される：

Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから選択され、および／または化学結合によって互いに接続されているＸ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０の少なくとも二つが架橋してアネレート化された芳香族環またはアネレート化されたヘテロ芳香族環を形成し、かつ、
少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり；または任意の少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり、かつ少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｒ^１であり；
Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３または－ＢＲ^２Ｒ^３から選択され；
Ｒ^２およびＲ^３は、独立して選択されたＣ_６－２４のアリールおよびＣ_２－２０のヘテロアリールであり；
Ｚは式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１は、置換または非置換トリアジン環であり、Ｃ_６－６０のアリールまたはＣ_２－６０のヘテロアリールの置換基は、独立して、Ｃ_１－２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３－２０の分枝状のアルキルまたはＣ_３－２０のシクロアルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルキル、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ａｒ^２は、独立して
Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉ、
置換または非置換のＣ_６－６０のアリールおよび置換または非置換のＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリール；
から選択され：
Ｃ_６－６０のアリールおよびＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリールの置換基は、独立して、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ；Ｃ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルキル、またはＣ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルコキシ；Ｃ_３～Ｃ_１２の分枝状のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルコキシ；ニトリル；ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２；から選択され；
Ｒは、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_２０のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロチオアルキル、Ｃ_６～Ｃ_２０のアリール、およびＣ_３～Ｃ_２０のヘテロアリールであり；
ｍは、１、２または３から選択され；
少なくとも一つの芳香族環Ａ、Ｂ、Ｃおよびのいずれもが単結合を介してトリアジン環に結合しておらず、式Ｉの化合物は、その鏡像上に重なり合わらず、かつ、式Ｉの化合物のＡｒ^１およびＡｒ^２は同一ではない。

一実施形態によれば、有機電子素子の層材料として使用するための、式Ｉによる化合物が提供される：

Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから選択され、および／または化学結合によって互いに接続されているＸ^１～Ｘ^５、Ｘ^６～Ｘ^１０、Ｘ^１１～Ｘ^１５、Ｘ^１６～Ｘ^２０の少なくとも二つが架橋してアネレート化された芳香族環またはアネレート化されたヘテロ芳香族環を形成し、かつ、
少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり；または任意の少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり、かつ少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｒ^１であり；
Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３または－ＢＲ^２Ｒ^３から選択され；
Ｒ^２およびＲ^３は、独立して選択されたＣ_６－２４のアリールおよびＣ_２－２０のヘテロアリールであり；
Ｚは式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１は、置換または非置換トリアジン環であり、Ｃ_６－６０のアリールまたはＣ_２－６０のヘテロアリールの置換基は、独立して、Ｃ_１－２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３－２０の分枝状のアルキルまたはＣ_３－２０のシクロアルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルキル、Ｃ_１－１２の直鎖状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルキル、Ｃ_３－１２の分枝状のフッ化アルコキシ、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３－１２のシクロフッ化アルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ａｒ^２は、独立して
Ｘ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚではないことを除く式Ｉ、
置換または非置換のＣ_６－６０のアリールおよび置換または非置換のＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリール；
から選択され：
Ｃ_６－６０のアリールおよびＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリールの置換基は、独立して、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキルまたはＣ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ；Ｃ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルキル、またはＣ_１～Ｃ_１２の直鎖状のフッ化アルコキシ；Ｃ_３～Ｃ_１２の分枝状のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルコキシ；ニトリル；ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２；から選択され；
Ｒは、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_２０のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロチオアルキル、Ｃ_６～Ｃ_２０のアリール、およびＣ_３～Ｃ_２０のヘテロアリールであり；
ｍは、１、２または３から選択され；
芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも一つは、単結合を介してトリアジン環に連結されており；式Ｉの化合物は、その鏡像上に重なり合わらず、式Ｉの化合物のＡｒ^１およびＡｒ^２は同一ではなく；かつ、Ｚは、少なくとも四つのＣ_６アリール環を含み、または、好ましくは、Ｚは、少なくとも四つのＣ_６アリール環および少なくとも一つの六員Ｎ－ヘテロアリール環を含む。

式Ｉの化合物の一実施形態によれば：
Ａｒ^１基は、トリアジン環であり、
Ａｒ^２基は、１～１０個の非ヘテロ芳香族６員環、好ましくは２～８個の非ヘテロ芳香族６員環、さらに好ましくは３～６個の非ヘテロ芳香族６員環；さらに好ましくは４または５個の非ヘテロ芳香族６員環を含んでいてよく；および／または
少なくとも１個のＣ_６～Ｃ_１８のアリーレン、好ましくは少なくとも１個のＣ_６～Ｃ_１２のアリーレンが少なくとも式（Ｉ）の芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤ上にアネレート化されている。

一つの実施形態によれば、式Ｉにおいて：
Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから選択され、少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｚから選択され；
Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３または－ＢＲ^２Ｒ^３から選択され；
Ｒ^２およびＲ^３は、独立して選択されるＣ_６－１６のアリールまたはＣ_２－１２のヘテロアリールであり；
Ｚは、式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１は、トリアジン環であり；
Ａｒ^２は、独立して、置換または未置換のＣ_{１２－６０}のアリール、または、置換または未置換のＣ_１０～Ｃ_５９のヘテロアリールから選択され；
置換基は、独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ_２～Ｃ_１６のヘテロアリール、フッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルキルまたはフッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルコキシから選択され、
置換基は、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、直鎖状のフッ素化されたＣ_１～Ｃ_１２のアルキル、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、分枝状のＣ_１～Ｃ_１２のフッ化アルキル、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルキル、分枝状のＣ_１～Ｃ_１２のフッ化アルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_１２のシクロフッ化アルコキシ、ニトリル、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２、から選択され、
Ｒは、Ｃ_１～Ｃ_２０の直鎖状のアルキル、Ｃ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_２０のチオアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状アルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロアルコキシ、Ｃ_３～Ｃ_２０の分枝状のチオアルキル、Ｃ_３～Ｃ_２０のシクロチオアルキル、Ｃ_６～Ｃ_２０のアリール、およびＣ_３～Ｃ_２０のヘテロアリールであり；
ｍは、１、２または３から選択され、好ましくは１である。

一つの実施形態によれば、式Ｉにおいて：
Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｃ－ＨおよびＣ－Ｚから、および任意のＣ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１およびＣ－Ｚから選択され；
少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｚから選択され；
Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３または－ＢＲ^２Ｒ^３から選択され；
Ｒ^２およびＲ^３は、独立して選択されるＣ_６－１６のアリールまたはＣ_２－１２のヘテロアリールであり；
Ｚは、式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１はトリアジン環であり；
Ａｒ^２は、独立して、置換または未置換のＣ_{１２－６０}のアリール、または、置換または未置換のＣ_１０～Ｃ_５９のヘテロアリールから選択され；
置換基は、独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ_２～Ｃ_１６のヘテロアリール、フッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルキルまたはフッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０のアルキル、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０のチオアルキル、分枝状のＣ_３～Ｃ_２０のアルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_２０のアルコキシ、分枝状のＣ_３～Ｃ_２０チオアルキル、Ｃ_６－２０のアリール、およびＣ_３～Ｃ_２０のヘテロアリール、から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

一つの実施形態によれば、式Ｉにおいて：
Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｃ－ＨおよびＣ－Ｚから選択され；
少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１はトリアジン環であり；
Ａｒ^２は、独立して、置換または未置換のＣ_{１２－５２}のアリール、または、置換または未置換のＣ_３～Ｃ_５１のヘテロアリールから選択され；
置換基は、独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ_２～Ｃ_１６のヘテロアリール、フッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルキルまたはフッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のアルキル、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のアルコキシ、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のチオアルキル、分枝状のＣ_３～Ｃ_１０のアルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０のアルコキシ、分枝状のＣ_３～Ｃ_１０チオアルキル、Ｃ_６－１２のアリールおよびＣ_３～Ｃ_１１のヘテロアリール、から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

一つの実施形態によれば、式Ｉにおいて：
Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｃ－ＨおよびＣ－Ｚから選択され；
少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１はトリアジン環であり；
Ａｒ^２は、独立して、置換または未置換のＣ_{１２－５２}のアリール、または、置換または未置換のＣ_３～Ｃ_５１のヘテロアリールから選択され；
置換基は、独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ_２～Ｃ_１６のヘテロアリール、フッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルキルまたはフッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のアルキル、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のアルコキシ、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のチオアルキル、分枝状のＣ_３～Ｃ_１０のアルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０のアルコキシ、分枝状のＣ_３～Ｃ_１０チオアルキル、Ｃ_６－１２のアリールおよびＣ_３～Ｃ_１１のヘテロアリール、から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

一つの実施形態によれば、式Ｉにおいて：
Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｃ－ＨおよびＣ－Ｚから選択され；
一つのＸ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１はトリアジン環であり；
Ａｒ^２は、独立して、置換または未置換のＣ_{１２－５２}のアリール、または、置換または未置換のＣ_３～Ｃ_５１のヘテロアリールから選択され；
置換基は、独立して、ニトリル、ジアルキルホスフィンオキシド、ジアリールホスフィンオキシド、Ｃ_２～Ｃ_１６のヘテロアリール、フッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルキルまたはフッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のアルキル、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のアルコキシ、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のチオアルキル、分枝状のＣ_３～Ｃ_１０のアルキル、分岐状のＣ_３～Ｃ_１０のアルコキシ、分枝状のＣ_３～Ｃ_１０チオアルキル、Ｃ_６－１２のアリールおよびＣ_３～Ｃ_１１のヘテロアリール、から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

一つの実施形態によれば、式Ｉにおいて：
Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｃ－ＨおよびＣ－Ｚから選択され；
一つのＸ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１はトリアジン環であり；
Ａｒ^２は、独立して、置換または未置換のＣ_{１２－５２}のアリール、または、置換または未置換のＣ_３～Ｃ_５１のヘテロアリールから選択され；
置換基は、独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のアルキル、Ｃ_６－２０のアリールおよびＣ_３～Ｃ_１１のヘテロアリール、から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

一つの実施形態によれば、式Ｉにおいて：
Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｃ－ＨおよびＣ－Ｚから選択され；
一つのＸ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１はトリアジン環であり；
Ａｒ^２は、独立して、置換または未置換のＣ_{１２－４８}のアリール、または、少なくとも一つの置換または未置換のＣ_３～Ｃ_１７のヘテロアリールから選択され；
置換基は、独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のアルキル、Ｃ_６－１２のアリール、およびＣ_３～Ｃ_１１のヘテロアリール、から選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

一つの実施形態によれば、式Ｉにおいて：
式Ｉにおいて：
Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｃ－ＨおよびＣ－Ｚから選択され；
一つのＸ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１はトリアジン環であり；
Ａｒ^２は、独立して、置換または未置換のＣ_{１２－４８}のアリール、または、少なくとも一つの置換または未置換のＣ_３～Ｃ_１７のヘテロアリールから選択され；
置換基は、独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のアルキルから選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

一実施形態によれば、式Ｉの化合物は：
Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｃ－ＨおよびＣ－Ｚから選択され；
一つのＸ^１～Ｘ^２０は、Ｃ－Ｚから選択され；
Ｚは、式ＩＩの置換基であり：

Ａｒ^１はトリアジン環であり；
Ａｒ^２は、独立して、未置換のＣ_{１２－４８}のアリール、および、少なくとも一つの未置換のＣ_３～Ｃ_１７のヘテロアリールから選択され；
置換基は、独立して、ニトリルおよび（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_１０のアルキルから選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１であってよい。

式Ｉの化合物の一実施形態によれば、Ｚは、式ＩＩＩを有していてもよく：

Ａｒ^２は、独立して、置換または未置換のＣ_６－６０アリールまたはＣ_２～Ｃ_６０のヘテロアリールから選択され；
置換基は、独立して、ニトリル、Ｃ_１～Ｃ_２０のジアルキルホスフィンオキシド、Ｃ_６－２０のジアリールホスフィンオキシド、Ｃ_２～Ｃ_３６のヘテロアリール、フッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルキルまたはフッ素化されたＣ_１～Ｃ_６のアルコキシ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２から選択され；
Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０のアルキル、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０のチオアルキル、分枝状のＣ_３～Ｃ_２０のアルキル、分枝状のＣ_３～Ｃ_２０のアルコキシ、分枝状のＣ_３～Ｃ_２０のチオアルキル、Ｃ_６－２０のアリールおよびＣ_３～Ｃ_２０のヘテロアリールから選択され；
ｍは、１または２から選択され、好ましくは１である。

式Ｉの化合物の一実施形態によれば、Ａｒ^２は、式Ｆ１～Ｆ１６から選択することができ：

Ｙ^１～Ｙ^５は、独立して、Ｎ、ＯＲ、ＳＲ、（Ｃ＝Ｏ）Ｒ、（Ｃ＝Ｏ）ＮＲ_２、ＳｉＲ_３、（Ｓ＝Ｏ）Ｒ、（Ｓ＝Ｏ）_２Ｒ、（Ｐ＝Ｏ）Ｒ_２、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒから選択され、および／または、化学結合によって互いに接続されているＹ^１～Ｙ^５の少なくとも二つは、架橋されてアネレート化された芳香族環またはアネレート化されたヘテロ芳香族環を形成し、
Ｒは、独立して、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０のアルキル、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０のアルコキシ、直鎖状のＣ_１～Ｃ_２０のチオアルキル、分枝状のＣ_３～Ｃ_２０のアルキル、分枝状のＣ_３～Ｃ_２０のアルコキシ、分枝状のＣ_３～Ｃ_２０のチオアルキル、Ｃ_６－２０のアリール、およびＣ_３～Ｃ_２０のヘテロアリールから選択される；

一実施形態によれば、式Ｉの化合物、
Ａｒ^２は、少なくとも一つのピリジン、ピリミジンまたはトリアジン環、好ましくはトリアジン環を含み；および／または
Ａｒ^２は、少なくとも１個の置換または非置換ベンゾチアゾール基を含み；および／または
Ａｒ^２は、少なくとも一つのニトリルおよび／またはホスフィンオキシド置換基を含む；か、あるいは
Ａｒ^２は、ピリジン、ピリミジンまたはトリアジン環を含まない；および／または
Ａｒ^２は、置換または非置換ベンゾチアゾール基を含まない。

一実施形態によれば、Ａｒ^２が少なくとも１個の置換または非置換の１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基、好ましくは非置換の１，１，２，２－テトラフェニルエチレン基を含んでいてもよい式Ｉによる化合物は：
ａ）ピリジン、ピリミジンまたはトリアジン環、好ましくはトリアジン環に単結合を介して結合していてよく；または
ｂ）フェニル基に単結合を介して結合しており、フェニル基は、ピリジン、ピリミジンまたはトリアジン環、好ましくはトリアジン環、に単結合を介して結合していてよい。

一実施形態によれば、式Ｉの化合物は、Ｇ１～Ｇ２８から選択することができる：

この選択から式１の化合物を選択すると、特に良好な性能特性が得られる。

［アノード］
アノードのための材料は、金属または金属酸化物、または有機材料であってよく、好ましくは約４．８ｅＶを超える、より好ましくは約５．１ｅＶを超える、最も好ましくは約５．３ｅＶを超える仕事関数を有する材料であってもよい。好ましい金属は、Ｐｔ、ＡｕまたはＡｇのような貴金属であり、好ましい金属酸化物は、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明な金属酸化物であり、これは、反射カソードを有する底部発光ＯＬＥＤにおいて有利に使用され得る。

透明金属酸化物アノードまたは反射性金属アノードを含む素子では、アノードが約５０ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有していてよく、半透明金属アノードは、約５ｎｍ～約１５ｎｍの薄さであってもよく、非透明金属アノードは、約１５ｎｍ～約１５０ｎｍの厚さを有していてよい。

［正孔注入層（ＨＩＬ）］
正孔注入層は、正孔輸送層に使用されるアノードと有機材料との間の界面特性を改善することができ、非平坦化アノード上に適用され、従って、アノードの表面を平坦化することができる。例えば、正孔注入層は、アノードの仕事関数と正孔輸送層のＨＯＭＯのエネルギー準位との差を調整するために、アノード材料の仕事関数と正孔輸送層のＨＯＭＯのエネルギー準位との間のその最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位の中央値を有する材料を含むことができる。

正孔輸送領域が正孔注入層３６を含む場合、正孔注入層は、例えば、真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、Langmuir-Blodgett（ＬＢ）法等の種々の方法のいずれかによって、アノード上に形成されてもよい。

真空蒸着法を用いて正孔注入層を形成する場合、正孔注入層を形成するのに用いられる材料、ならびに、形成する正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて真空蒸着条件を変えることができ、例えば、１００℃～５００℃程度の温度、１０^－６Ｐａ～１０^－１Ｐａ程度の圧力、０．１～１０ｎｍ／ｓｅｃ程度の蒸着速度で真空蒸着を行うことができるが、蒸着条件はこれに限定されない。

スピンコーティングを用いて正孔注入層を形成する場合、正孔注入層を形成するために使用される材料、および形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性によって、コーティング条件が変わり得る。例えば、塗布速度は約２０００ｒｐｍ～約５０００ｒｐｍの範囲であり、塗布後に溶媒を除去するために加熱処理を行う温度は約８０℃～約２００℃の範囲であるが、塗布条件はこれに限定されない。

正孔注入層は、導電率および／またはアノードからの正孔注入を改善するためにｐ－ドーパントをさらに含んでもよい。

正孔注入層は、式１の化合物を含むことができる。

別の実施形態では、正孔注入層が式１の化合物からなってもよい。

［ｐドーパント］
別の態様では、ｐ－ドーパントは、正孔注入層中に均一に分散させることができる。

別の態様では、ｐ－ドーパントは、正孔注入層中に、アノードにより近い高濃度で、カソードにより近い低濃度で存在することができる。

ｐ－ドーパントは、キノン誘導体またはラジアレン化合物のうちの一つであってもよいが、これらに限定されない。ｐ－ドーパントの非限定的な例は、テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３，５，６－テトラフルオロ－テトラシアノ－１，４－ベンゾキノンジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、４，４’，４''－（（１Ｅ，１’Ｅ，１''Ｅ）－シクロプロパン－１，２，３－トリイリデネトリス（シアノメタニリデン））－トリス（２，３，５，６－テトラフルオロベンゾニトリル）等のキノン誘導体である。

［正孔輸送層（ＨＴＬ）］
正孔輸送層および電子阻止層を形成するための条件は、正孔注入層について上述した形成条件に基づいて規定することができる。

電荷輸送領域の正孔輸送部の厚さは、約１０ｎｍ～約１０００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約１００ｎｍとすることができる。電荷輸送領域の正孔輸送部が正孔注入層および正孔輸送層を含む場合、正孔注入層の厚さは、約１０ｎｍ～約１０００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約１００ｎｍとすることができ、正孔輸送層の厚さは、約５ｎｍ～約２００ｎｍ、例えば、約１０ｎｍ～約１５０ｎｍとすることができる。電荷輸送領域の正孔輸送部、ＨＩＬ、およびＨＴＬの厚さがこれらの範囲内にあるとき、動作電圧の大幅な増加なしに満足な正孔輸送特性が得られる可能性がある。

正孔輸送領域で使用される正孔輸送マトリックス材料は、特に限定されない。好ましいのは、少なくとも６個の非局在化電子の共役系を含む共有結合化合物であり、好ましくは少なくとも１個の芳香環を含む有機化合物であり、より好ましくは少なくとも２個の芳香環を含む有機化合物であり、さらにより好ましくは少なくとも３個の芳香環を含む有機化合物であり、最も好ましくは少なくとも４個の芳香環を含む有機化合物である。正孔輸送層に広く使用されている正孔輸送マトリックス材料の典型例は、多環式芳香族炭化水素、トリアリーレンアミン化合物および複素環式芳香族化合物である。正孔輸送領域の種々の層で有用な正孔輸送行列のフロンティア軌道エネルギー準位の適切な範囲はよく知られている。ＨＴＬマトリックスのレドックス対ＨＴＬマトリックス／カチオンラジカルのレドックス電位に関して、好ましい値（例えば、参照としてフェロセン／フェロセニウムレドックス対に対するサイクリックボルタンメトリーによって測定される場合）は、０．０～１．０Ｖの範囲、より好ましくは０．２～０．７Ｖの範囲、さらにより好ましくは０．３～０．５Ｖの範囲であり得る。

正孔輸送層は、式１の化合物を含むことができる。

別の実施形態では、正孔輸送層が式１の化合物からなってもよい。

［バッファ層］
電荷輸送領域の正孔輸送部は、バッファ層をさらに含んでいてもよい。

適切に使用することができるバッファ層は、ＵＳ６１４０７６３、ＵＳ６６１４１７６およびＵＳ２０１６／２４８０２２に開示されている。

バッファ層は、ＥＭＬから放射される光の波長に従って、光の光共鳴距離を補償することができ、従って、効率を高めることができる。バッファ層は、式１の化合物を含むことができる。

別の実施形態では、緩衝層が式１の化合物からなってもよい。

［発光層（ＥＭＬ）］
発光層は真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、ＬＢ法等を用いることにより、正孔輸送領域上に形成することができる。真空蒸着またはスピンコーティングを用いて発光層を形成する場合、蒸着およびコーティングのための条件は、正孔注入層の形成のための条件と同様であり得るが、蒸着およびコーティングのための条件は、発光層を形成するために使用される材料に基づいて変化し得る。発光層は、エミッタホスト（ＥＭＬホスト）およびエミッタドーパント（さらなるエミッタのみ）を含んでもよい。

［エミッタホスト］
別の実施形態によれば、発光層は、エミッタホストとして式１の化合物を含む。

エミッタホスト化合物は、炭素環および複素環から独立して選択される少なくとも三つの芳香環を有する。

エミッタホストとして使用することができる他の化合物は、下記の式４００で表されるアントラセンマトリックス化合物である：

式４００において、Ａｒ_１１１およびＡｒ_１１２は各々独立して、置換または未置換のＣ_６～Ｃ_６０アリーレン・グループであってもよく、Ａｒ_１１３～Ａｒ_１１６は各々独立して、置換または未置換のＣ_１～Ｃ_１０のアルキル・グループまたは置換または未置換のＣ_６～Ｃ_６０のアリーレン・グループであってもよく、そしてｇ、ｈ、ｉおよびｊは各々独立して、０から４までの整数であってもよい。

いくつかの実施形態では、式４００中のＡｒ_１１１およびＡｒ_１１２は各々独立して、フェニレン基、ナフタレン基、フェナントレニレン基、またはピレニレン基；または、各々がフェニル基、ナフチル基、またはアントリル基のうちの少なくとも一つで置換されているフェニレン基、ナフタレン基、フェナントレニレン基、フルオレニル基、またはピレニレン基、のうちの一つであってよい。

式４００において、ｇ、ｈ、ｉ、およびｊは、それぞれ独立して、０、１、または２の整数であり得る。

式４００において、Ａｒ_１１３～Ａｒ_１１６は、それぞれ独立して、
フェニル基、ナフチル基、またはアントリル基の少なくとも一つで置換されたＣ_１～Ｃ_１０アルキル基；
フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、またはフルオレニル基；
各々が重水素原子、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシル基またはこれらの塩の少なくとも一つで置換されているフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、またはフルオレニル基
スルホン酸基またはその塩、リン酸基またはその塩
Ｃ_１～Ｃ_６０のアルキル基、Ｃ_２～Ｃ_６０のアルケニル基、Ｃ_２～Ｃ_６０のアルキニル基、Ｃ_１～Ｃ_６０のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、
またはフルオレニル基

あるいは式７または式８

であってよい。

式７および式８において、Ｘは酸素原子および硫黄原子から選択されるが、本発明の実施形態はこれらに限定されない。

式７において、Ｒ_１１～Ｒ_１４のいずれか一つは、Ａｒ_１１１への結合に使用される。Ａｒ_１１１への結合に使用されないＲ_１１～Ｒ_１４およびＲ_１５～Ｒ_２０は、Ｒ_１～Ｒ_８と同じである。

式８において、Ｒ_２１～Ｒ_２４のいずれか一つは、Ａｒ_１１１への結合に使用される。Ａｒ_１１１への結合に使用されないＲ_２１～Ｒ_２４およびＲ_２５～Ｒ_３０は、Ｒ_１～Ｒ_８と同じである。

好ましくは、ＥＭＬホストは、Ｎ、ＯまたはＳからなる群から選択される１～３個のヘテロ原子を含む。より好ましくは、ＥＭＬホストは、ＳまたはＯから選択される１個のヘテロ原子を含む。

エミッタホスト化合物は、約０デバイ以上、約２．０デバイ以下の範囲の双極子モーメントを有していてよい。

好ましくは、ＥＭＬホストの双極子モーメントは、０．２デバイ以上および１．４５デバイ以下、好ましくは０．４デバイ以上および１．２デバイ以下、また好ましくは０．６デバイ以上および１．１デバイ以下に選択される。

双極子モーメントは、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５に実装されているような６－３１Ｇ^＊基底関数系を有するハイブリッド関数のＢ３ＬＹＰを用いる最適化を用いて算出される。二つ以上のコンホメーションが実行可能である場合、最低の総エネルギーを有するコンホメーションが、分子の双極子モーメントを決定するために選択される。この方法を用いて、２－（１０－フェニル－９－アントラセニル）－ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン（ＣＡＳ １６２７９１６－４８－６）は０．８８デバイの双極子を有し、２－（６－（１０－フェニルアントラセン－９－イル）ナフタレン－２－イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（ＣＡＳ １８３８６０４－６２－８）は０．８９デバイ、２－（６－（１０－フェニルアントラセン－９－イル）ナフタレン－２－イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ＣＡＳ １８４２３５４－８９－５）は０．６９デバイ、２－（７－（フェナントレン－９－イル）テトラフェン－１２－イル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ＣＡＳ １９６５３３８－９５－７）は０．６４デバイ、４－（４－（７－（ナフタレン－１－イル）テトラフェン－１２－イル）フェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（ＣＡＳ １９６５３３８－９６－８）は１．０１デバイである。

［エミッタドーパント］
ドーパントは発光させるために少量混合されるものであり、通常、多重励起により発光して三重項以上となる金属錯体等の材料であればよい。ドーパントとしては、例えば、無機、有機、有機／無機化合物であってよく、それらの１種以上を用いることができる。

エミッタは、赤、緑、または青色のエミッタであってよい。

ドーパントは、蛍光ドーパント、例えば、ｔｅｒ－フルオレンであってもよく、構造を以下に示す。４．４’－ビス（４－ジフェニルアミオスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢＩ）、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）、および以下の化合物８は、蛍光青色ドーパントの例である。

ドーパントは、燐光ドーパントであってもよく、燐光ドーパントの例は、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、またはこれらのそれらの組み合わせを含む有機金属化合物であってもよい。燐光性ドーパントは、例えば、式Ｚで表される化合物であってもよいが、これに限定されない：
Ｊ_２ＭＸ （Ｚ）
式Ｚにおいて、Ｍは金属であり、ＪおよびＸは同一または異なり、Ｍと錯化合物を形成するリガンドである。

Ｍは、例えば、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄまたはそれらの組み合わせであってもよく、ＪおよびＸは例えば、二座配位しであってもよい。

［電子輸送層（ＥＴＬ）］
別の実施形態によれば、式１の化合物を含む有機半導体層は、電子輸送層である。別の実施形態では、電子輸送層が式１の化合物からなってもよい。

例えば、本発明の一実施形態による有機発光ダイオードは、少なくとも一つの電子輸送層を含み、この場合、電子輸送層は、式１の化合物、または好ましくは式Ｇ１～Ｇ５０の少なくとも一つの化合物を含む。

別の実施形態では、有機電子素子は、二つ以上の電子輸送層によって形成された有機層の積み重なりの電子輸送領域を含み、少なくとも一つの電子輸送層は式１の化合物を含む。

電子輸送層は、一つまたは二つ以上の異なる電子輸送化合物を含むことができる。

別の実施形態によれば、第２の電子輸送層は、本発明による式１の化合物を少なくとも一つ含み、第１の電子輸送層は、本発明による式１の化合物とは異なるように選択され、：
アントラセン系化合物またはヘテロ置換アントラセン系化合物、好ましくは２－（４－（９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン－２－イル）フェニル）－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾールおよび／またはＮ４，Ｎ４''－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ４，Ｎ４''－ジフェニル－［１，１’：４’，１''－テルフェニル］－４，４''－ジアミンから選ばれてもよいマトリックス化合物を含む。

別の実施形態によれば、第１の電子輸送層は、本発明による式１の化合物を少なくとも一つ含み、第２の電子輸送層は、本発明による式１の化合物とは異なるように選択されから選択され、：
酸化ホスフィン系化合物、好ましくは（３－（ジベンゾ［ｃ，ｈ］アクリジン－７－イル）フェニル）ジフェニルホスフィンオキシドおよび／またはフェニルビス（３－（ピレン－１－イル）フェニル）ホスフィンオキシドおよび／または３－フェニル－３Ｈ－ベンゾ［ｂ］ジナフト［２，１－ｄ：１’，２’－ｆ］ホスフェピン－３－オキシド；または
置換フェナントロリン化合物、好ましくは２，４，７，９－テトラフェニル－１，１０－フェナントロリンまたは２，９－ジ（ビフェニル－４－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリンから選択されてもよいマトリックス化合物を含む。

別の実施形態によれば、第１の電子輸送層は、本発明による式１の化合物を少なくとも一つ含み、第２の電子輸送層は、本発明による式１の化合物とは異なるように選択され、ホスフィンオキシド系化合物、好ましくは（３－（ジベンゾ［ｃ，ｈ］アクリジン－７－イル）フェニル）ジフェニルホスフィンオキシドおよび／またはフェニルビス（３－（ピレン－１－イル）フェニル）ホスフィンオキシドおよび／または３－フェニル－３Ｈ－ベンゾ［ｂ］ジナフト［２，１－ｄ：１’，２’－ｆ］ホスフェピン－３－オキシドから選択されてもよいマトリックス化合物を含む。

別の実施形態によれば、第１および第２の電子輸送層は、式１の化合物を含み、当該式１の化合物は、同じものが選択されない。

第１の電子輸送層の厚さは、約０．５ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば約２ｎｍ～約４０ｎｍとすることができる。第一の電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、第一の電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された電子輸送能力を有することができる。

任意の第２の電子輸送層の厚さは、約１ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば約２ｎｍ～約２０ｎｍとすることができる。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子輸送能力を有し得る。

電子輸送層は、アルカリハロゲン化物および／またはアルカリ有機錯体をさらに含んでもよい。

別の実施形態によれば、第１および第２の電子輸送層は、式１の化合物を含み、当該第２の電子輸送層は、アルカリハロゲン化物および／または有機アルカリ錯体をさらに含む。

［アルカリハロゲン化物］
アルカリ金属ハロゲン化物としても知られるハロゲン化アルカリは、化学式ＭＸを有する無機化合物に含まれ、Ｍはアルカリ金属であり、Ｘはハロゲンである。

Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、カリウム、ルビジウムおよびセシウムから選択することができる。

Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択することができる。

本発明の様々な実施形態によれば、ハロゲン化リチウムが好ましい場合がある。ハロゲン化リチウムは、ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒおよびＬｉＩを含む群から選択することができる。しかしながら、最も好ましいのはＬｉＦである。

アルカリハロゲン化物は、本質的に非発光性か、または非発光性である。

［アルカリ有機錯体］
本発明の様々な実施形態によれば、リチウム有機錯体の有機配位子は、キノラート、ホウ酸塩、フェノラート、ピリジノラート、またはシッフ塩基配位子である；
好ましくは、リチウムキノラート錯体は、式ＩＩＩ、ＩＶまたはＶを有する：

ここで、
Ａ_１～Ａ_６は、ＣＨ、ＣＲ、Ｎ、Ｏから同一にまたは独立して選択され；
Ｒは、水素、ハロゲン、１～２０個の炭素原子を有するアルキルまたはアリーレンまたはヘテロアリーレンから同一にまたは独立して選択され、より好ましくはＡ_１～Ａ_６がＣＨであり；
好ましくは、ホウ酸塩系有機配位子がテトラ（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）ホウ酸塩であり；
好ましくは、フェノラートが、２－（ピリジン－２－イル）フェノラート、２－（ジフェニルホスホリル）フェノラート、イミダゾールフェノラート、または２－（ピリジン－２－イル）フェノラートであり、より好ましくは２－（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェノラートであり；
好ましくは、ピリジノラートが、２－（ジフェニルホスホリル）ピリジン－３－オラートである。

本発明の種々の実施形態によれば、アルカリ有機錯体、好ましくはリチウム有機錯体の有機配位子は、キノラートであり得る。使用するのに適し得るキノラートは、ＷＯ ２０１３０７９２１７ Ａ１に開示され、参考文献として組み込まれている。

本発明の様々な実施形態によれば、リチウム有機錯体の有機配位子は、ホウ酸塩系の有機配位子であることができ、好ましくは、リチウム有機錯体は、テトラ（１Ｈ－ピラゾール－１－イル）ホウ酸リチウムである。好適に用いることができるホウ酸塩系有機配位子は、ＷＯ ２０１３０７９６７６ Ａ１に開示され、参考文献として組み込まれている。

本発明の様々な実施形態によれば、リチウム有機錯体の有機配位子は、フェノラート配位子であることができ、好ましくは、リチウム有機錯体が、リチウム２－（ジフェニルホスホリル）フェノラートである。好適に用いることができるフェノール酸塩リガンドは、ＷＯ ２０１３０７９６７８ Ａ１に開示され、参考文献として組み込まれている。

さらに、フェノラートリガンドは、ピリジノラートの群から選択することができ、好ましくは２－（ジフェニルホスホリル）ピリジン－３－オラートである。好適に用いることができるピリジンフェノラートリガンドは、特開２００８１９５６２３号公報に開示され、参考文献として組み込まれている。

さらに、フェノラート配位子は、イミダゾールフェノラートの群から選択することができ、好ましくは２－（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェノラートである。適当に用いることができるイミダゾルフェノラートリガンドは、特開２００１２９１５９３号公報に開示され、参考文献として組み込まれている。

また、フェノラート配位子は、オキサゾールフェノラートの群から選択することができ、好ましくは２－（ベンゾ［ｄ］オキサゾール－２－イル）フェノラートである。好適に用いることができるオキサゾールフェノラートリガンドは、ＵＳ２００３０１６５７１１に開示され、参考文献として組み込まれている。

アルカリ有機錯体は、本質的に非発光性であってもよい。

［ｎ－ドーパント］
様々な実施形態によれば、式１の化合物を含む有機半導体層は、ｎ－ドーパントをさらに含むことができる。

ｎ－ドーパントとして適切な電気的に中性の金属錯体は、例えば低酸化状態のいくつかの遷移金属の強い還元性錯体であってもよい。特に強いｎ－ドーパントは、ＷＯ２００５／０８６２５１により詳細に記載されているように、例えばＣｒ（ＩＩ）、Ｍｏ（ＩＩ）および／またはＷ_２（ｈｐｐ）_４等のＷ（ＩＩ）グアニジン酸塩錯体、から選択することができる。

ｎ－ドーパントとして適切な電気的に中性の有機ラジカルは、例えば、ＥＰ １ ８３７ ９２６ Ｂ１、ＷＯ２００７／１０７３０６、またはＷＯ２００７／１０７３５６により詳細に記載されているように、それらの安定なダイマー、オリゴマー、または高分子からの追加のエネルギーの供給によって生成される有機ラジカルであってもよい。このような適切なラジカルの具体例は、ジアゾリルラジカル、オキサゾリルラジカルおよび／またはチアゾリルラジカルであり得る。

別の実施形態では、有機半導体層は、元素金属をさらに含むことができる。元素金属とは、その元素形態の金属の状態にある金属、金属合金、または金属クラスタである。金属相から、例えばバルク金属から真空熱蒸発によって蒸着された金属は、それらの元素形態で気化することとされている。さらに、気化した元素金属が共有結合マトリックスと一緒に堆積される場合、金属原子および／またはクラスタが共有結合マトリックスに埋め込まれるとされている。言い換えれば、真空熱蒸発によって調製される任意の金属ドープ共有結合材料は、金属を少なくとも部分的にその元素形態で含有するとされている。

家庭用電化製品での使用には、放射性崩壊の非常に長いハーフトーン時間を有する核種または安定な核種を含有する金属のみが適用可能であろう。許容可能なレベルの原子安定性として、天然カリウムの原子安定性を採用することができる。

一実施形態では、ｎ－ドーパントは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属および第１遷移期間の金属、Ｔｉ、Ｖ、ＣｒおよびＭｎから選択される正電荷を有する金属から選択される。好ましくは、ｎ－ドーパントは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂから選択され、より好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＭｇおよびＹｂから選択され、さらに好ましくはＬｉ、Ｎａ、ＣｓおよびＹｂから選択され、最も好ましくはＬｉ、ＮａおよびＹｂから選択される。

ｎ－ドーパントは、本質的に非発光性であってもよい。

［電子注入層（ＥＩＬ）］
本発明の別の態様によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子は、電子輸送層（第１－ＥＴＬ）とカソードとの間に電子注入層をさらに含むことができる。

電子注入層（ＥＩＬ）は、カソードからの電子の注入を容易にすることができる。

本発明の別の態様によれば、電子注入層は：
（ｉ）実質的に元素の形態におけるアルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類金属から選択され、好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＥｕおよびＹｂから選択され、より好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＹｂから選択され、さらにより好ましくはＬｉおよびＹｂから選択され、最も好ましくはＹｂから選択される正電荷を有する金属、および／または、
（ｉｉ）アルカリ金属錯体および／またはアルカリ金属塩、好ましくはＬｉ錯体および／または塩、より好ましくはＬｉキノリノラート、さらにより好ましくはリチウム８－ヒドロキシキノリノラート、最も好ましくは第２の電子輸送層（第２－ＥＴＬ）のアルカリ金属塩および／または錯体は、注入層のアルカリ金属塩および／または錯体と同一である、を含む。

電子注入層膜は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２ＯおよびＢａＯから選択された少なくとも一つを含むことができる。

ＥＩＬの厚さは、約０．１ｎｍ～約１０ｎｍ、または約０．３ｎｍ～約９ｎｍとすることができる。電子注入層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子注入層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子注入能力を有することができる。

電子注入層は、式１の化合物を含むことができる。

［カソード］
カソードの材料としては、仕事関数の小さい金属、合金、導電性化合物、またはそれらの組み合わせを用いることができる。カソードの材料の具体例は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、銀（Ａｇ）等であり得る。基板上に堆積された反射アノードを有するトップエミッション発光装置を製造するために、カソードは、光透過性電極として、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、または銀（Ａｇ）から形成されてもよい。

透明金属酸化物カソードまたは反射金属カソードを含む装置では、カソードは、約５０ｎｍから約１００ｎｍの厚さを有してもよく、一方、半透明金属カソードは、約５ｎｍから約１５ｎｍの薄さであってもよい。

基板は、アノードの下またはカソード上にさらに配置されてもよい。基板は、一般的な有機発光ダイオードに用いられる基板であってもよく、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い易さおよび耐水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板であってもよい。

正孔注入層は、アノードとしてのＩＴＯと正孔輸送層に使用される有機材料との間の界面特性を改善することができ、非平坦化ＩＴＯ上に適用することができ、従って、ＩＴＯの表面を平坦化することができる。

正孔注入層は、例えば真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、Langmuir-Blodgett（ＬＢ）法等の様々な方法のいずれかによってアノード上に形成されてもよい。

正孔注入層が真空蒸着を用いて形成される場合、真空蒸着条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに、形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変化し得、例えば、真空蒸着は、約１００℃～約５００℃の温度、約１０^－８ｔｏｒｒ～約１０^－３Ｔｏｒｒの圧力、および約０．０１～約１００Å／秒の蒸着速度で実施され得るが、蒸着条件はこれに限定されない。

スピンコーティングを用いて正孔注入層を形成する場合、コーティング条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに、形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変わり得る。例えば、塗布速度は、約２０００ｒｐｍ～約５０００ｒｐｍの範囲であってよく、塗布後に溶媒を除去するために加熱処理を行うときの温度は約８０℃～約２００℃の範囲であってよいが、コーティング条件はこれに限定されない。

正孔輸送層および電子阻止層を形成するための条件は、正孔注入層について上述した形成条件に基づいて規定することができる。

正孔輸送領域の厚さは、約１００Å～約１００００Åであってよく、例えば約１００Å～約１０００Åであってよい。正孔輸送領域が正孔注入層および正孔輸送層を含む場合、正孔注入層の厚さは、約１００Å～約１０，０００Åであってよく、例えば約１００Å～約１０００Åであってよく、そして、正孔輸送層の厚さは、約５０Å～約２，０００Åであってよく、例えば約１００Å～約１５００Åであってよい。正孔輸送領域、ＨＩＬ、およびＨＴＬの厚さがこれらの範囲内にあるとき、動作電圧の大幅な増加なしに満足な正孔輸送特性が得られる可能性がある。

発光層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば約２００Å～約６００Åであり得る。発光層の厚さがこれらの範囲内にある場合、発光層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された発光特性を有し得る。

次に、電子輸送領域を発光層上に配置する。

電子輸送領域は、電子輸送層および電子注入層の少なくとも一方を含むことができる。

電子輸送層の厚さは、約２０Å～約１０００Åであってよく、例えば約３０Å～約３００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された電子輸送補助能力を有し得る。

電子輸送層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば約１５０Å～約５００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子輸送能力を有し得る。

また、電子輸送領域は、アノードからの電子の注入を容易にすることができる電子注入層（ＥＩＬ）を含むことができる。

電子注入層は、電子輸送層上に配置され、カソードからの電子注入を容易にし、最終的には電力効率を向上させる役割を果たすことができ、例えばＬｉＦ、Ｌｉｑ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、Ｙｂ等の特に限定されない関連技術で用いられているいずれの材料を用いて形成され得る。

電子注入層膜は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２ＯおよびＢａＯから選択された少なくとも一つを含むことができる。

ＥＩＬの厚さは、約１Å～約１００Åであってよく、または約３Å～約９０Åであってもよい。電子注入層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子注入層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子注入能力を有することができる。

第２の電極は、有機層上に配置されてもよい。第２の電極の材料は、仕事関数の小さい金属、合金、導電性化合物、またはそれらの組み合わせであってよい。第２の電極の材料の具体例は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、銀（Ａｇ）等であり得る。トップエミッション型の発光素子を製造するために、第２の電極は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）から、光透過性電極として形成されてもよい。第２の電極は、カソードであってもよい。

本発明の別の態様によれば、アノード電極上に、正孔注入層、正孔輸送層、任意の電子阻止層、発光層、任意の正孔阻止層、第１の電子輸送層、任意の第２の電子輸送層、電子注入層、およびカソードの他の層がその順序で堆積されるか、またはカソードから始まって、反対方向に堆積される、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法が提供される。

以下、実施例を参照して実施形態をより詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施例に限定されない。

図面の説明
本発明のこれらおよび／または他の態様および利点は添付の図面と併せて、例示的な実施形態の以下の説明から明らかになり、より容易に理解されるのであろう：
図１は、発光層、一つの電子輸送層、および電子注入層を有する、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図２は、発光層および二つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図３は、発光層および三つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である；
図４は、発光層および一つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図５は、発光層および二つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である；
図６は、発光層および三つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である。

ここで、例示的な態様を詳細に参照し、その例を添付の図面に示し、全体を通して、同様の参照番号は同様の要素を指す。例示的な実施形態は図を参照することによって、その態様を説明するために、以下に記載される。

ここで、第１の要素が第２の要素「上に」形成されるか、または配置されると言う場合、第１の要素は、第２の要素上に直接配置されてもよく、または一つ以上の他の要素がそれらの間に配置されてもよい。第１の要素が第２の要素「直上に」形成されるか、または配置されると言う場合、それらの間に他の要素は配置されない。

用語「接触して挟まれて」は、中間の層が二つの隣接する層と直接接触する三つの層の配置を指す。

本発明の一実施形態による有機発光ダイオードは、正孔輸送領域と、発光層と、式Ｉによる化合物を含む第１の電子輸送層とを含むことができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、発光層１５０、式Ｉの化合物を含む電子輸送層（ＥＴＬ）１６１および電子注入層１８０を備え、第１の電子輸送層１６１は、発光層１５０直上に配置され、電子注入層１８０は、第１の電子輸送層１６１直上に配置されている。

図２は、本発明の一実施形態による有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、発光層１５０、ならびに式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層１６１および第２の電子輸送層１６２を含む電子輸送層スタック（ＥＴＬ）１６０を含み、第２の電子輸送層１６２は、第１の電子輸送層１６１直上に配置されている。

図３は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、発光層１５０、ならびに、式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層１６１、式Ｉの化合物を含むが第１の電子輸送層の化合物とは異なる第２の電子輸送層１６２、および第３の電子輸送層１６３を含む電子輸送層スタック（ＥＴＬ）１６０を含み、第２の電子輸送層１６２は、第１の電子輸送層１６１直上に配置され、第３の電子輸送層１６３は、第１の電子輸送層１６２直上に配置されている。

図４は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、基板１１０、第１のアノード電極１２０、正孔注入層（ＨＩＬ）１３０、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４０、発光層（ＥＭＬ）１５０、一つの第１の電子輸送層（ＥＴＬ）１６１、電子注入層（ＥＩＬ）１８０、およびカソード電極１９０を含む。第１の電子輸送層（ＥＴＬ）１６１は、式Ｉの化合物を、そして場合によってはアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体を含む。電子輸送層（ＥＴＬ）１６１は、ＥＭＬ１５０直上に形成されている。

図５は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、基板１１０、第１のアノード電極１２０、正孔注入層（ＨＩＬ）１３０、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４０、発光層（ＥＭＬ）１５０、電子輸送層スタック（ＥＴＬ）１６０、電子注入層（ＥＩＬ）１８０、およびカソード電極１９０を含む。電子輸送層（ＥＴＬ）１６０は、第１電子輸送層１６１および第２電子輸送層１６２を含み、第１電子輸送層は、アノード（１２０）の近くに配置され、第２電子輸送層はカソード（１９０）の近くに配置されている。第１および／または第２の電子輸送層は、式Ｉの化合物を、そして場合によりアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体を含む。

図６は、本発明の一実施形態に係る有機発光ダイオード１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、基板１１０、第１のアノード電極１２０、正孔注入層（ＨＩＬ）１３０、正孔輸送層（ＨＴＬ）１４０、発光層（ＥＭＬ）１５０、電子輸送層スタック（ＥＴＬ）１６０、電子注入層（ＥＩＬ）１８０、および第２のカソード電極１９０を含む。電子輸送層スタック（ＥＴＬ）１６０は、第一の電子輸送層１６１、第二の電子輸送層１６２および第三の電子輸送層１６３を含む。第一電子輸送層１６１は、発光層（ＥＭＬ）１５０直上に形成されている。第１、第２および／または第３の電子輸送層は、各層について異なる式Ｉの化合物を、そして場合によりアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体を含む。

基板は、アノード１２０の下またはカソード１９０の上にさらに配置されてもよい。基板は、一般的な有機発光ダイオードに用いられる基板であってよく、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い易さおよび耐水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板であってもよい。

正孔注入層１３０は、アノードとしてのＩＴＯと正孔輸送層１４０に使用される有機材料との間の界面特性を改善することができ、非平坦化ＩＴＯ上に適用することができ、従って、ＩＴＯの表面を平坦化することができる。例えば、正孔注入層１３０は、アノードとしてのＩＴＯの仕事関数と正孔輸送層１４０のＨＯＭＯとの差を調整するために、ＩＴＯの仕事関数および正孔輸送層１４０のＨＯＭＯの間に特に望ましい導電率を有する材料を含んでもよい。

正孔輸送領域が正孔注入層１３０を含む場合、正孔注入層は、例えば真空蒸着、スピンコーティング、キャスティング、Langmuir-Blodgett（ＬＢ）法等の種々の方法のいずれかによって、アノード１２０上に形成されてもよい。

正孔注入層が真空蒸着を用いて形成される場合、真空蒸着条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変化し得、例えば、真空蒸着は、約１００℃～約５００℃の温度、約１０^－８ｔｏｒｒ～約１０^－３Ｔｏｒｒの圧力、および約０．０１～約１００Å／秒の蒸着速度で実施され得るが、蒸着条件はこれに限定されない。

スピンコーティングを用いて正孔注入層を形成する場合、コーティング条件は、正孔注入層を形成するために使用される材料、ならびに形成される正孔注入層の所望の構造および熱特性に応じて変わり得る。例えば、塗布速度は、約２０００ｒｐｍ～約５０００ｒｐｍの範囲であってよく、塗布後に溶媒を除去するために行われる加熱処理での温度は、約８０℃～約２００℃の範囲であってよいが、コーティング条件はこれに限定されない。

正孔輸送層および電子阻止層を形成するための条件は、正孔注入層について上述した形成条件に基づいて規定することができる。

正孔輸送領域の厚さは、約１００Å～約１００００Åであってよく、例えば約１００Å～約１０００Åであってよい。正孔輸送領域が正孔注入層および正孔輸送層を含む場合、正孔注入層の厚さは、約１００Å～約１０，０００Åであってよく、例えば約１００Å～約１０００Åであってよく、正孔輸送層の厚さは約５０Å～約２，０００Åであってよく、例えば約１００Å～約１５００Åであってよい。正孔輸送領域、ＨＩＬ、およびＨＴＬの厚さがこれらの範囲内にあるとき、動作電圧の大幅な増加なしに満足な正孔輸送特性が得られ得る。

発光層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば、約２００Å～約６００Åであってよい。発光層の厚さがこれらの範囲内にある場合、発光層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された発光特性を有し得る。

次に、電子輸送領域は、発光層上に配置される。

電子輸送領域は、第２の電子輸送層、式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層、および電子注入層のうちの少なくとも一つを含むことができる。

電子輸送層の厚さは、約２０Å～約１０００Åであってよく、例えば、約３０Å～約３００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、改善された電子輸送補助能力を有し得る。

電子輸送層の厚さは、約１００Å～約１０００Åであってよく、例えば、約１５０Å～約５００Åであってよい。電子輸送層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子輸送層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子輸送能力を有し得る。

また、電子輸送領域は、アノードからの電子の注入を容易にすることができる電子注入層（ＥＩＬ）を含むことができる。

電子注入層は、電子輸送層上に配置されてよく、カソードからの電子注入を容易にし、最終的には電力効率を向上させる役割を果たすことができ、例えばＬｉＦ、Ｌｉｑ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、Ｙｂ等の、関連技術で用いられている、特に限定されないいかなる材料を用いて形成することができる。

電子注入層膜は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ_２ＯおよびＢａＯから選択された少なくとも一つを含むことができる。

ＥＩＬの厚さは、約１Å～約１００Åであってよく、または約３Å～約９０Åであってもよい。電子注入層の厚さがこれらの範囲内にあるとき、電子注入層は、動作電圧の大幅な増加なしに、満足な電子注入能力を有することができる。

アノードは、有機層上に配置することができる。アノードの材料は、仕事関数の小さい金属、合金、導電性化合物、またはそれらの組み合わせであってよい。アノード１２０の材料の具体例は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）、銀（Ａｇ）等であってよい。トップエミッション型の発光素子を製造するために、アノード１２０は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）から光透過性電極として形成されてもよい。

本発明の別の態様によれば、アノード電極（１２０）上に、正孔注入層（１３０）、正孔輸送層（１４０）、任意の電子阻止層、発光層（１３０）、式Ｉの化合物を含む第１の電子輸送層（１６１）、第２の電子輸送層（１６２）、電子注入層（１８０）、およびカソード（１９０）の他の層がこの順序で堆積されるか、または層がカソード（１９０）から始まって、他の方法で堆積される、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法が提供される。

［有機半導体層］
本発明に係る有機電子素子は、有機半導体層を含むことができ、少なくとも一つの有機半導体層は、式Ｉの化合物を含む。

本発明に係る有機電子素子の有機半導体層は、本質的に非発光性または非発光性である。

有機半導体層は、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子阻止層、正孔阻止層または電子注入層、好ましくは電子輸送層または発光層、より好ましくは電子輸送層、であり得る。

一実施形態によれば、有機半導体層は、光活性層とカソード層との間、好ましくは発光層または光吸収層とカソード層との間に配置することができ、好ましくは、有機半導体層は電子輸送層である。

一実施形態によれば、有機半導体層は、少なくとも一つのアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体を含んでいてもよい。

［有機電子素子］
本発明に係る有機電子素子は、式Ｉによる化合物を含む有機半導体層を含む。

一実施形態に係る有機電子素子は、基板、アノード層、式１の化合物を含む有機半導体層、およびカソード層を含むことができる。

一実施形態に係る有機電子素子は、式Ｉの少なくとも一つの化合物を含む少なくとも一つの有機半導体層、少なくとも一つのアノード層、少なくとも一つのカソード層、および少なくとも一つの発光層を含み、有機半導体層は、好ましくは発光層とカソード層との間に配置される。

本発明に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、基板上に順次積層されたアノード、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、少なくとも一つの式１の化合物を含む電子輸送層（ＥＴＬ）、およびカソードを含むことができる。なお、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬは、有機化合物からなる薄膜である。

一実施形態に係る有機電子素子は、発光素子、薄膜トランジスタ、電池、表示装置または光発電電池、および好ましくは発光素子であり得る。

一実施形態によれば、ＯＬＥＤは、以下の層状構造を有することができ、当該層は、以下の順序を有する：
アノード層、正孔注入層、任意の第一の正孔輸送層、任意の第二の正孔輸送層、発光層、本発明に係る式１の化合物を含む電子輸送層、電子注入層、およびカソード層。

本発明の別の態様によれば、有機電子素子の製造方法が提供され、当該方法は：
少なくとも一つの蒸着源、好ましくは二つの蒸着源およびより好ましくは少なくとも三つの蒸着源を用いる。

適切であり得る堆積方法は：
真空熱蒸発による堆積；
溶液処理による堆積、好ましくは当該処理がスピンコーティング、印刷、キャスティングから選択され、および／または
スロットダイコーティング
を含む。

本発明の様々な実施形態によれば、以下を使用する方法が提供され：
本発明に係る式１の化合物を放出するための第１の蒸着源、および
アルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体、好ましくはハロゲン化リチウムまたはリチウム有機錯体を放出するための第２の蒸着源；
当該方法は、電子輸送層積層体を形成する工程を含み、それによって有機発光ダイオード（ＯＬＤＥ）を形成する：
第１の電子輸送層は、第１の堆積源から本発明に係る式１の化合物を放出することによって形成され、第２の堆積源からアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体、好ましくはハロゲン化リチウムまたはリチウム有機錯体を放出することによって形成される。

本発明の様々な実施形態によれば、前記方法は、アノード電極上に、発光層、および、前記アノード電極と前記第１の電子輸送層との間に、正孔注入層を形成すること、正孔輸送層を形成すること、または正孔阻止層を形成すること、からなる群から選択される少なくとも一つの層を形成することをさらに含むことができる。

本発明の種々の実施形態によれば、前記方法は、さらに、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を形成する工程を含んでもよく、
基板上に第１のアノード電極が形成され、
前記第１のアノード電極上に発光層が形成され、
前記発光層上に電子輸送層スタックが形成され、好ましくは第１の電子輸送層が発光層上に形成され、そして任意の第２の電子輸送層が形成され、
そして最後にカソード電極が形成され、
任意の正孔注入層、正孔輸送層および正孔阻止層が、第１のアノード電極と前記発光層との間にその順で形成され、前記任意の電子注入層が電子輸送層およびカソード電極の間に形成される。

本発明の様々な実施形態によれば、前記方法は、第１の電子輸送層上に電子注入層を形成するステップをさらに含むことができる。しかしながら、本発明のＯＬＥＤの様々な実施形態によれば、ＯＬＥＤは、電子注入層を含まなくてもよい。

様々な実施形態によれば、ＯＬＥＤは、以下の層状構造を有することができ、当該層は、以下の順序を有する：
アノード、第一の正孔輸送層、第二の正孔輸送層、発光層、任意の第二の電子輸送層、本発明に係る式１の化合物を含む第一の電子輸送層、任意の電子注入層、およびカソード。

本発明の別の態様によれば、本出願全体にわたって記載される任意の実施形態に係る少なくとも一つの有機発光素子を含む電子素子が提供され、好ましくは、電子素子は、本出願全体にわたって記載される実施形態のうちの一つにおいて有機発光ダイオードを含む。より好ましくは、電子素子は表示装置である。

以下、実施例を参照して実施形態をより詳細に説明する。

ただし、本開示は以下の実施例に限定されない。ここで、例示的な態様を詳細に参照する。

［式１の化合物の調製］
式１の化合物は、以下の記載のように調製してもよいし、HuangらのChemical Communications (Cambridge, United Kingdom) (2012), 48(77), 9586-9588によって開示されているように調製してもよい。

鈴木カップリングの一般的手順

セットアップは不活性雰囲気下で行われる。フラスコに、窒素向流下で、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤを充填する。水（蒸留水）をＮ_２（撹拌下）で３０分間以下脱気する。溶媒混合物を添加し、混合物を撹拌しながら加熱する（ＴＬＣ対照）。

式１の化合物の合成
２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－４－フェニル－６－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２－クロロ－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。７５℃にて２１時間（２１０ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ ２／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、５℃に冷却した。沈殿物を濾過し、ジクロロメタンに溶解し、そして水で洗浄した。フロリジルのパッドで有機相を濾過し、次いで濃縮した。ヘキサンを添加して、沈殿を形成し、濾過し、さらにトルエン中で再結晶した。１５．６ｇ（収率６９％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：６７０（Ｍ＋Ｈ）。

２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－４－フェニル－６－（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２－クロロ－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。７５℃にて６６時間（１８０ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ ２／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、５℃まで冷却した。沈殿物を濾過し、ジクロロメタンに溶解し、そして水で洗浄した。フロリジルのパッドで有機相を濾過し、次いで濃縮した。ヘキサンを添加して十分な沈殿を形成し、濾過し、そしてトルエンで再結晶した。１６．０ｇ（収率８７％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：６５４（Ｍ＋Ｈ）。

２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－４－フェニル－６－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２－クロロ－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。９０℃にて２１時間（１５０ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ ２／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、沈殿物を濾過し、水およびメタノールで洗浄し、そしてメタノール中で洗浄した。次いで、固体を熱クロロホルムに溶解し、シリカゲルのパッドで濾過した。溶媒を蒸発させた。次いで固体をヘキサン中で洗浄した。１５．３ｇ（収率８４％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：６７０（Ｍ＋Ｈ）。

２，４－ジ（ナフタレン－２－イル）－６－（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２－クロロ－４，６－ジ（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。７５℃において６４時間（１８０ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ ２／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、５℃に冷却した。沈殿物を濾過し、クロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をフロリジルのパッドで濾過し、次いで濃縮した。ヘキサンを添加して十分な沈殿物を形成し、濾過し、トルエン中でさらに洗浄した。１６．３ｇ（収率９０％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：６６４（Ｍ＋Ｈ）。

２－（［１，１’－ビフェニル］－２－イル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－（３－（１，２，２－トリフェニル－ビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２－（［１，１’－ビフェニル］－２－イル）－４－クロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。７５℃において２１時間（７５ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ ２／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、溶液を減圧蒸留した。粗固形物をクロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をフロリジルのパッドで濾過し、溶媒を蒸発させた。固体をジクロロメタンに溶解し、アセトニトリルを添加して析出させた。９．８ｇ（収率９２％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：７３０（Ｍ＋Ｈ）。

２，４－ジ（ナフタレン－２－イル）－６－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２－クロロ－４，６－ジ（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０４当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。７５℃において２１時間（１７５ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ ２／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、溶媒を蒸発させた。粗固形物をクロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をシリカゲルのパッドで濾過した。溶媒を一部減圧留去させ、析出物を濾過した。１２．０ｇ（収率６７％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：６６４（Ｍ＋Ｈ）。

２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－４－（ナフタレン－２－イル）－６－（３－（１，２，２－トリフェニル－ビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２－（４－クロロフェニル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。９０℃にて１７時間（１６０ｍＬ、ジオキサン／Ｈ_２Ｏ ４／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、５℃に冷却した。析出物を濾過し、水で洗浄した。次いで、クロロホルムに溶解し、フロリジルのパッドで濾過し、そして溶媒を蒸発させた。固体をｏ－キシレンで再結晶した。３．５ｇ（収率２０％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：７０４。

２－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－（３－（１，２，２－トリフェニル－ビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－４－クロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。７５℃にて２４時間（１２５ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ ４／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、反応物を室温まで冷却し、沈殿物を濾過し、クロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をフロリジルのパッドで濾過し、次いで溶媒を蒸発させた。９．６ｇ（収率７８％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：７３０（Ｍ＋Ｈ）。

２－フェニル－４－（４－（ピリジン－２－イル）フェニル）－６－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２－クロロ－４－フェニル－６－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、２－（３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル）ピリジン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。７５℃において２１時間（９０ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ ２／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、溶媒を蒸発させた。粗固形分をジクロロメタンに溶解し、水で洗浄した。有機相をフロリジルのパッドで濾過し、溶媒を蒸発させた。粗固形分をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／ジクロロメタン ３／１からヘキサン／ジクロロメタン ２／１）によって精製した。集められた固形分をジクロロメタンに溶解し、メタノールの添加により析出させた。６．２ｇ（収率４６％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：６４０（Ｍ＋Ｈ）。

２－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－４－フェニル－６－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２－クロロ－４－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（１．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。１００℃にて１８時間（６００ｍＬ、トルエン／エタノール／Ｈ_２Ｏ ４／１／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、溶媒を蒸発させた。粗混合物をクロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をシリカゲルのパッドで濾過し、溶媒を蒸発させた。生じたオイルを、ヘキサン／ジクロロメタンの混合液中で一晩撹拌した。固形分を濾過し、シクロヘキサンとトルエンの熱混合液に溶解した。少量の不溶な副生物を濾別した。溶液を室温まで冷却し、析出物を濾過した。１０．５ｇ（収率４０％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：８０４（Ｍ＋Ｈ）。

２－フェニル－４，６－ビス（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（２．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０４当量）、炭酸カリウム（４．０当量）。９０℃にて１７時間（１２６ｍＬ、ジオキサン／Ｈ_２Ｏ ２／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、反応を室温まで冷却し、溶媒を蒸発させた。粗化合物をクロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をシリカゲルのパッドで濾過し、次いで溶媒を蒸発させた。粗固形物を、まずトルエン中で、次いでクロロベンゼン中で再結晶した。５．５ｇ（収率４９％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：８１８（Ｍ＋Ｈ）。

２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－４，６－ビス（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（２．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０４当量）、炭酸カリウム（４．０当量）。９０℃にて１７時間（１１２ｍＬ、ジオキサン／Ｈ_２Ｏ ２／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、反応を室温まで冷却し、溶媒を蒸発させた。粗化合物をクロロホルムに溶解し、水で洗浄した。析出物を濾過し、水で洗浄した。次いで、それをジクロロメタンに溶解し、フロリジルのパッドで濾過し、次いで濃縮して析出物を発生せた。シクロヘキサンの添加により析出物を生じさせ、固体を濾過し、トルエンで再結晶した。４．１ｇ（収率３６％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：９０８（Ｍ＋Ｈ）。

２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－４，６－ビス（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（２．２当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０４当量）、炭酸カリウム（４．０当量）。１００℃にて１９時間（１５０ｍＬ、ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ ２／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、溶媒を蒸発させた。粗混合物をクロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をシリカゲルのパッドで濾過し、溶媒を蒸発させた。生じたオイルをヘキサン／ジクロロメタンの混合液中で一晩撹拌した。次いで固形物を濾過し、クロロホルムに溶解し、ヘキサンの添加により析出させた。最後にジクロロメタンに溶解し、シクロヘキサノンの添加により析出させた。６．２ｇ（収率３６％）。ＭＳ（ＥＳＩ）：９０８（Ｍ＋Ｈ）。

中間体の合成
Chemical Communications, 48(77), 9586-9588; 2012に従った、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン、４，４，５，５－テトラメチル－２－（４－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン、（２－（３－ブロモフェニル）エテン－１，１，２－トリイル）トリベンゼンおよび（２－（４－ブロモフェニル）エテン－１，１，２－トリイル）トリベンゼンの合成。

Angewandte Chemie International Edition, 54(50), 15284-15288; 2015に従った、２－（３－（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル）ピリジンの合成。

米国特許公開公報２０１３０２４８８３０（２０１３年９月２６日）に従った、２－クロロ－４，６－ジ（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジンの合成。

Repub. Korean Kongkae Taeho Kongbo, 2014094408（２０１４年６月３０日）に従った、２，４－ジクロロ－６－（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジンの合成。

ＰＣＴ国際出願（２０１６２０４３７５、２０１６年１２月２２日）に従った、２－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－４，６－ジクロロ－１，３，５－トリアジンの合成。

２，４－ジクロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジンの合成は、ナフチル類似体である２，４－ジクロロ－６－（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジンについて報告されている手順と同じ手順に従ってグリニャール反応によって合成した。

２－（３－ブロモ－５－クロロフェニル）ベンゾ［ｄ］チアゾールの合成は、２－（４－ブロモフェニル）ベンゾ［ｄ］チアゾール（欧州特許出願１７４６０９６、２００７年１月２４日より）の合成と同じ手順に従って、３－ブロモ－５－クロロ安息香酸を出発物質として合成した。

２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロランの合成は、ＰＣＴ国際出願（２０１５１６５８２６、２０１５年１１月５日）に従って実行した。

２－クロロ－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、２－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－３－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。６５℃において４時間（２７０ｍＬ ＴＨＦ／トルエン／Ｈ_２Ｏ １／１／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、溶媒を蒸発させた。粗混合物をトルエンに溶解し、水で洗浄した。有機相をフロリジルのパッドで濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。ヘキサンを添加すると、沈殿が観察された。次いで、固体を濾過し、トルエン中で再結晶させた。１２．６ｇ（収率３７％）。ＧＣ－ＭＳ：３７３。

２－クロロ－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イルボロン酸（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。１００℃において１時間（１１１０ｍＬ ＴＨＦ／トルエン／Ｈ_２Ｏ １／１／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、反応物を５℃に冷却した。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。固体を６０℃でクロロホルムに溶解し、シリカゲルのパッドで濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。ヘキサンを添加すると沈殿物が生じた。固体を濾過し、昇華によってさらに精製した。６３ｇ（収率４１％）。ＧＣ－ＭＳ：３５７。

２－クロロ－４－フェニル－６－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、４，４，５，５－テトラメチル－２－（３－（１，２，２－トリフェニルビニル）フェニル）－１，３，２－ジオキサボロラン（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）＋Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２（０．０５当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。６５℃において１３時間（４５０ｍＬ ＴＨＦ／トルエン／Ｈ_２Ｏ １／１／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、水相を分離した。有機相を水で抽出した。溶媒を蒸発させ、粗生成物をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／ジクロロメタン ４／１）によって精製し、そのようにして直接使用した。１１．５ｇ（収率２５％）。ＧＣ－ＭＳ：５２１。

２－クロロ－４－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、２－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。９５℃において７時間（９００ｍＬ ＴＨＦ／トルエン／Ｈ_２Ｏ １／１／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、水相を分離し、有機相を水で洗浄した。一部の有機溶媒を蒸発させ、アセトニトリルを添加すると、沈殿が観察された。次いで、固体を濾過し、カラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン １／２）によりさらに精製した。１４．５ｇ（収率４２％）。ＥＳＩ－ＭＳ：５０８（Ｍ＋Ｈ）。

２－クロロ－４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－６－（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－（ナフタレン－２－イル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イルボロン酸（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）。９０℃において２時間（２５５０ｍＬ、ＴＨＦ／トルエン／Ｈ_２Ｏ １／１／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、反応を室温まで冷却した。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。固体を熱クロロベンゼンに溶解し、シリカゲルのパッドで濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。固体を濾過し、酢酸エチルで洗浄し、昇華によってさらに精製した。１３０．８ｇ（収率４１％）。ＥＳＩ－ＭＳ：４０８（Ｍ＋Ｈ）。

２－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－４－クロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－４，６－ジクロロ－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イルボロン酸（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０２当量）、炭酸カリウム（２．０当量）、６５℃において４時間（２４００ｍＬ ＴＨＦ／トルエン／Ｈ_２Ｏ １／１／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、反応を室温まで冷却した。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。固体を熱トルエンに溶解し、シリカゲルのパッドで熱濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。固体を濾過した。６０ｇ（収率２７％）。ＥＳＩ－ＭＳ：４３４（Ｍ＋Ｈ）。

２－（［１，１’－ビフェニル］－２－イル）－４－クロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジンの合成

試薬および反応条件：２，４－ジクロロ－６－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－３－イル）－１，３，５－トリアジン（１．０当量）、［１，１’－ビフェニル］－２－イルボロン酸（０．８当量）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．０５当量）、炭酸カリウム（２．５当量）。６５℃において１１時間（５７０ｍＬ ＴＨＦ／トルエン／Ｈ_２Ｏ １／１／１）。

ＴＬＣによる反応完了後、溶媒を蒸発させた。粗混合物をクロロホルムに溶解し、水で洗浄した。有機相をシリカゲルのパッドで濾過し、一部の溶媒を蒸発させた。ヘキサンを添加すると、沈殿が観察された。次に固体を濾過し、ジクロロメタン中で撹拌し、再び濾過した。１２．８ｇ（収率３９％）。ＧＣ－ＭＳ：４３３。

［有機電子素子の製造の一般的手順］
一般的な有機電子素子としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：organic light-emitting diode）、有機光電池（ＯＳＣ：organic photovoltaic cell）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：organic field-effect transistor）または有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ：organic light emitting transistor）が挙げられる。

有機電子素子の任意の機能層は、式１の化合物を含んでもよく、または、式１の化合物から構成されていてもよい。

ＯＬＥＤは、個々の機能層から構成させて、上部電極を介して発光するトップエミッション型ＯＬＥＤを形成してもよい。ここで、個々の機能層の順序は、以下のようであってよい：不透明アノード層（下部電極）／正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／透明カソード層（上部電極）。「／」は、個々の層間の接触面を示す。各層自体は、数層のサブ層（sub-layer）によって構成されていてもよい。

ＯＬＥＤは、個々の機能層から構成させて、下部電極を介して発光するボトムエミッション型ＯＬＥＤを形成してもよい。ここで、個々の機能層の順序は、以下のようであってよい：透明アノード層（下部電極）／正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／不透明カソード層（上部電極）。「／」は、個々の層間の接触面を示す。各層自体は、数層のサブ層によって構成されていてもよい。

有機電子素子において式１の化合物を利用する技術的利点を実証するために、トップエミッション型ＯＬＥＤ素子を作製した。

［トップエミッション型素子の製造］
トップエミッション型素子について、実施例１～８および比較例１では、ガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍの大きさに切った。イソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄した後、純水で５分間超音波洗浄し、その後ＵＶオゾンで３０分間再度洗浄し、第１電極を作製した。１００ｎｍのＡｇを１０^－５ｍｂａｒ～１０^－７ｍｂａｒの圧力で蒸着させて、アノードを形成した。次に、９２体積％のビフェニル－４－イル（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－アミン（ＣＡＳ １２４２０５６－４２－３）および８体積％の４，４’，４''－（（１Ｅ，１’Ｅ，１''Ｅ）－シクロプロパン－１，２，３－トリイリデントリス（シアノメタニルイリデン））トリス（２，３，５，６－テトラフルオロベンゾニトリル）をＡｇ電極に真空蒸着させて、１０ｎｍの厚さを有するＨＩＬを形成した。次に、ビフェニル－４－イル（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－アミン（ＣＡＳ １２４２０５６－４２－３）をＨＩＬに真空蒸着させて、１１８ｎｍの厚さを有するＨＴＬを形成した。次に、Ｎ，Ｎ－ビス（４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）フェニル）－［１，１’：４’，１''－テルフェニル］－４－アミン（ＣＡＳ １１９８３９９－６１－９）をＨＴＬに真空蒸着させて、５ｎｍの厚さを有する電子阻止層（ＥＢＬ）を形成した。

トップエミッション型素子に関し、９７体積％のＨ０９（Sun Fine Chemicals）をＥＭＬホストとして、３体積％のＢＤ２００（Sun Fine Chemicals）を蛍光青ドーパントとして、ＥＢＬ上に蒸着し、厚さ２０ｎｍの青色発光ＥＭＬを形成した。次に、２，４－ジフェニル－６－（４’，５’，６’－トリフェニル－［１，１’：２’，１''：３''，１'''：３'''，１''''－キンキフェニル］－３''''－イル）－１，３，５－トリアジンを、発光層に蒸着させて、５ｎｍの厚さを有する正孔阻止層を形成した。次に、実施例ＬＬ～ＭＭおよび比較例ＮＮに従って、正孔阻止層上に、電子輸送層を３１ｎｍの厚さで形成した。電子輸送層は、５０重量％の式１の化合物（または比較化合物）および５０重量％の８－ヒドロキシキノリノラート－リチウム（ＬｉＱ）を含む。

次に、厚さ２ｎｍのＹｂを蒸着して、電子注入層を電子輸送層上に形成した。Ａｇを、１０^－７ｍｂａｒにおいて０．０１～１Å／ｓの速度で蒸着して、厚さ１１ｎｍのカソードを形成した。ビフェニル－４－イル（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－アミンのキャップ層を厚さ７５ｎｍのカソード上に形成した。

ＯＬＥＤ積層体は、ガラススライドを用いて素子を封入することにより、周囲環境から保護されている。これにより、さらなる保護のためのゲッター材料を含んだ空洞が形成される。

先行技術と比較した本発明の実施例の性能を評価するために、トップエミッション型ＯＬＥＤの光出力を周囲条件下（２０℃）において測定する。Keithley 2400のソースメータを用いて電流電圧の測定を行い、「Ｖ」として記録する。トップエミッション型素子について、１０ｍＡ／ｃｍ^２におけるＣＩＥ座標および輝度（単位：カンデラ）を、Instrument Systems製の分光計ＣＡＳ１４０ ＣＴ（Deutsche Akkreditierungsstelle (DAkkS)によって較正されている）を用いて測定する。電流効率Ｃｅｆｆは、１０ｍＡ／ｃｍ^２で、ｃｄ／Ａで測定する。

トップエミッション型素子において、発光は前方に向けられ、非ランバート反射によるものであり、また、微小空洞に大きく依存する。従って、外部量子効率（ＥＱＥ）および出力効率（ｌｍ／Ｗ）は、ボトムエミッション型素子と比べて高い。

［融点］
融点（Ｔｍ）は、上述のＴＧＡ－ＤＳＣ測定のＤＳＣ曲線から、または、個別のＤＳＣ測定から、ピーク温度として測定される（Mettler Toledo DSC 822e、サンプルを、室温から溶融の完了まで、純窒素を流しながら、１０Ｋ／分の加熱速度で加熱する。４～６ｍｇのサンプル量を、蓋付きの４０μＬのMettler Toledo アルミニウムパンに入れる。蓋には１ｍｍ未満の孔が開けられている）。

［ガラス転移温度］
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ １１３５７（２０１０年３月公開）に記載されているように、窒素下で、そして示差走査熱量計Mettler Toledo DSC 822eにおける１０Ｋ／分の加熱速度で測定される。

［レート開始温度］
気相への遷移に対するレート開始温度（Ｔ_ＲＯ）は、１００ｍｇの化合物をＶＴＥ源へ入れることで測定される。ＶＴＥ源として、Kurt J. Lesker Company (www.lesker.com)またはCreaPhys GmbH (http://www.creaphys.com)によって提供されている、有機材料の点源を使用する。ＶＴＥ（真空熱蒸着、vacuum thermal evaporation）源の温度は、ＶＴＥ源中の化合物と直接接触する熱電対によって測定する。

ＶＴＥ源は、真空チャンバ内で１０^－７ｍｂａｒ～１０^－８ｍｂａｒの圧力下において、１５Ｋ／分の一定の速度で加熱され、ＶＴＥ源内部の温度は熱電対で測定した。化合物の蒸着を、ＱＣＭ検出器を用いて検出する。当該検出器は、検出器の石英結晶上に積層された化合物を検出する。石英結晶上への積層速度は、１秒間当たりのオングストロームで測定される。レート開始温度を測定するために、ＶＴＥ源の温度に対して対数目盛上の積層速度をプロットする。レート開始は、ＱＣＭ検出器上に顕著な蒸着が起こるときの温度である（０．０２Å／秒の速度で定義される）。ＶＴＥ源を３回加熱冷却し、２回目および３回目のみの実施から得られた結果を、レート開始温度の測定に使用する。レート開始温度の測定によって、化合物の揮発性の間接的な尺度である。レート開始温度が高いほど、化合物の揮発性が低い。

［本発明の技術的効果］
まとめると、固有の分子構造である式１の化合物を含む有機電素子は、高い電子効率を有する。ガラス転移温度およびレート開始温度は、有機半導体層の大量生産に許容し得る範囲内である。

表１：比較化合物の構造式、ガラス転移温度、融点、レート開始速度

表２：発明化合物の構造式、ガラス転移温度、融点、レート開始温度

表１には、比較化合物のガラス転移温度、溶融温度、レート開始温度を示す。

表２には、式１の化合物のガラス転移温度、溶融温度、レート開始温度を示す。

表３：式Ｉの化合物と比較化合物およびアルカリ有機錯体を含む電子輸送層を含むトップエミッション型ＯＬＥＤ素子の性能データ。発明実施例は増加されたｃｄ／Ａ効率を示す。

本発明は、実用的な実施形態の例として現在考えられるものと関連させて説明したが、本発明は開示された実施形態に限定されるものではなく、反対に、添付されている特許請求の範囲の技術思想および範囲内に含まれる様々な変更および等価な構成を包含するものとして理解されるべきである。従って、上述の実施形態は、例示的であり、本発明をなんら限定しないと理解されるべきである。

発光層、一つの電子輸送層、および電子注入層を有する、本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。 発光層および二つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。 発光層および三つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である。 発光層および一つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。 発光層および二つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係る有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の概略断面図である。 発光層および三つの電子輸送層を有する本発明の例示的な実施形態に係るＯＬＥＤの概略断面図である。

Claims (14)

1. 有機電子素子のための層材料として使用するための、式Ｉによる化合物：
   
   Ｘ^１～Ｘ^２０は、独立して、Ｎ、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ^１、Ｃ－Ｚから選択され、
   少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり；または少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｚであり、かつ少なくとも一つのＸ^１～Ｘ^２０がＣ－Ｒ^１であり；
   Ｒ^１は、－ＮＲ^２Ｒ^３または－ＢＲ^２Ｒ^３から選択され；
   Ｒ^２およびＲ^３は、独立して選択されるＣ_６－２４のアリールまたはＣ_２－２０のヘテロアリールであり；
   Ｚは式ＩＩＩを有し：
   
   Ａｒ^２は、式Ｆ２～Ｆ１６から選択され：
   
   
   ｍは、１、２または３から選択される。
2. 式Ｉの化合物は、少なくとも５～２０個の芳香族環を含む、請求項１に記載の化合物。
3. 式Ｉの化合物は、芳香族環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの全てを含み、前記芳香族環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのうちの少なくとも１つの芳香族環は、前記芳香族環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのうち、当該少なくとも１つの芳香族環以外の芳香族環の置換基とは異なる置換基によって置換されている、請求項１に記載の化合物。
4. 式Ｉの化合物は、その鏡像上に重なり合わない、請求項１に記載の化合物。
5. 式Ｉの化合物は、芳香族環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄから構成されるテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）であって、Ｘ ^１ ～Ｘ ^２０ は、独立して、Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｒ ^１ 、Ｃ－Ｚから選択されるテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）を１個含む、請求項１に記載の化合物。
6. 式Ｉの化合物は、芳香族環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄから構成されるテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）であって、Ｘ ^１ ～Ｘ ^２０ の少なくとも一つがＮであるテトラアリールエチレン基（ＴＡＥ）を１個含む、請求項１に記載の化合物。
7. 有機電子素子のための層材料として使用するための、Ｇ１～Ｇ２８から選択される、化合物。
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
8. 有機半導体層を含む有機電子素子であって、少なくとも一つの有機半導体層が、請求項
   １に記載の式Ｉの化合物を含む、有機電子素子。
9. 前記有機半導体層において、前記有機電子素子からの可視発光スペクトルに対する前記化合物または前記有機半導体層の寄与が可視発光スペクトルに対して１０％未満であり、前記可視発光スペクトルは、３８０ｎｍ以上、７８０ｎｍ以下の波長を有する発光スペクトルである、請求項８に記載の有機電子素子。
10. 前記有機半導体層は、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子阻止層、正孔阻止層または電子注入層である、請求項８に記載の有機電子素子。
11. 前記有機半導体層は、光活性層とカソード層との間に配置される、請求項８に記載の有機電子素子。
12. 前記少なくとも一つの有機半導体層が、少なくとも一つのアルカリハロゲン化物またはアルカリ有機錯体をさらに含む、請求項８に記載の有機電子素子。
13. 前記電子素子は、少なくとも一つの有機半導体層と、少なくとも一つのアノード層と、少なくとも一つのカソード層と、少なくとも一つの発光層とを含む、請求項８に記載の有機電子素子。
14. 前記電子素子は、発光素子、薄膜トランジスタ、バッテリー、表示素子または光電池である、請求項８に記載の有機電子素子。

Images