JP7347410B2 - 新規な液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 - Google Patents
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Description
従来、液晶表示素子の高精細化に伴い、液晶表示素子のコントラスト低下の抑制や残像現象の低減といった要求から、液晶配向膜においては、優れた液晶配向性や安定したプレチルト角の発現に加えて、高い電圧保持率、交流駆動により発生する残像の抑制、直流電圧を印加した際の少ない残留電荷、及び/又は直流電圧による蓄積した残留電荷の早い緩和といった特性が次第に重要となっている。
上記のような要求にこたえるために、ポリイミド系の液晶配向膜では、種々の提案がなされてきている。例えば、直流電圧によって発生する残像が消えるまでの時間が短い液晶配向膜として、ポリアミド酸やイミド基含有ポリアミド酸に加えて特定構造の3級アミンを含有する液晶配向剤を使用したもの(例えば、特許文献1参照)や、ピリジン骨格などを有する特定ジアミン化合物を原料に使用した可溶性ポリイミドを含有する液晶配向剤を使用したもの(例えば、特許文献2参照)などが提案されている。また、電圧保持率が高く、かつ直流電圧によって発生した残像が消えるまでの時間が短い液晶配向膜として、ポリアミド酸やそのイミド化重合体などに加えて分子内に1個のカルボン酸基を含有する化合物、分子内に1個のカルボン酸無水物基を含有する化合物及び分子内に1個の3級アミノ基を含有する化合物からなる群から選ばれる化合物を極少量含有する液晶配向剤を使用したもの(例えば、特許文献3参照)が提案されている。
(1)下記式(I-1)又は式(I-2)で表される部分構造を有する重合体(P)を含有することを特徴とする液晶配向剤。
(2)前記重合体(P)が、更に、熱脱離性基で保護されたアミノ基を有する上記(1)に記載の液晶配向剤。
(3)前記重合体(P)が、ポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の重合体である上記(1)又は(2)に記載の液晶配向剤。
(4)前記ポリイミド前駆体が、前記式(I-1)又は(I-2)で表される部分構造、及び熱脱離性基で保護されたアミノ基を有するジアミンを用いて得られる重合体である上記(1)~(3)のいずれかに記載の液晶配向剤。
(5)前記ジアミンが、下記式(II-1)~(II-3)で表されるジアミンから選ばれる少なくとも1種である上記(4)に記載の液晶配向剤。
(6)前記式(II-1)~(II-3)中、L、Mが、炭素数1~11を有するアルキレン基、2価の脂肪族環構造又は2価の芳香族環構造を表す。アルキレン基の任意の-CH2-はそれぞれが隣り合わない組み合わせで-O-、-COO-又は-Si-O-Si-で置換されていてもよい。下記に示す環構造に置換されていてもよい。R2は炭素原1~5の炭化水素基を表す。
(8)前記熱脱離性基が、150~300℃で水素原子に置き換わる基である上記(1)~(7)のいずれかに記載の液晶配向剤。
(9)前記熱脱離性基が、t-ブトキシカルボニル基である上記(1)~(8)のいずれかに記載の液晶配向剤。
(10)上記(1)~(9)のいずれかに記載の液晶配向剤から形成された液晶配向膜。
(11)上記(10)に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。
本発明の液晶配向剤は、下記式(I-1)又は式(I-2)で表される部分構造を有する重合体(本発明では、重合体(P)ともいう。)を含有する。
かかるアミノ基を保護する熱脱離性基は、熱により脱離して水素に置き換わる熱脱離性基であり、なかでも、好ましくは150~300℃、特に好ましくは180~250℃で水素に置き換わる熱脱離性基が好ましい。その好ましい具体例は、上記した水酸基を保護する熱脱離性基と同じものが挙げられる。
なかでも、熱による脱離性が高い点で、P1は、t-ブトキシカルボニル基(Boc基)、ベンジルオキシカルボニル基、9-フルオレニルメチルオキシカルボニル基、又はアリルオキシカルボニル基が好ましく、より好ましくはt-ブトキシカルボニル基、又は9-フルオレニルメチルオキシカルボニル基である。
上記重合体(P)である、ポリイミド前駆体及び/又はポリイミドは、上記式(I-1)又は(I-2)で表される部分構造、及び好ましくは熱脱離性基で保護されたアミノ基を有するジアミン(本発明では、特定ジアミンともいう。)を用いて得られる。
本発明において、特定ジアミンを用いることにより、過酷な素子の製造過程でも安定したプレチルト角を発現する高い垂直配向能を持った液晶配向膜がえられるが、そのメカニズムは明確ではない。しかし、特定ジアミンは加熱により脱保護し、ヒドロキシ基が生成することが想定される。一般的にヒドロキシ基はポリイミド中に存在するカルボン酸と架橋反応を起こすことが知られており、この反応は実際の架橋剤等にも広く用いられている。本発明の特定ジアミンを用いることで、加熱による脱保護反応からポリイミド系重合体の架橋反応が進行し、ポリマーや垂直配向能を有する側鎖構造が安定化するため、過酷な焼成条件においても垂直配向性が低下しにくくなるのではないかと考えられる。
上記L、Mは、なかでも、それぞれ独立して、炭素数1~11を有するアルキレン基、2価の脂肪族環構造又は2価の芳香族環構造を表す。上記アルキレン基の任意の-CH2-は、それぞれが隣り合わない組み合わせで-O-、-COO-又は-Si-O-Si-で置換されていてもよい。す、下記に示す環構造に置換されていてもよい。R2は炭素原1~5の炭化水素基を表す。
重合体(P)としてのポリイミド前駆体であるポリアミック酸は、上記特定ジアミンと、テトラカルボン酸成分とを重縮合反応させることにより得ることができる。
上記テトラカルボン酸成分の例としては、テトラカルボン酸、テトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸ジハライド、テトラカルボン酸ジアルキルエステル又はテトラカルボン酸ジアルキルエステルジハライドが挙げられる。
[2]脂環式テトラカルボン酸二無水物として、例えば、下記式(X1-1)~(X1-13)などの酸二無水物。
上記重合体(P)の製造に使用するジアミンとしては、上記特定ジアミンのほか、下記式[S1]~[S3]で表される群から選ばれる側鎖構造(以下、特定側鎖構造ともいう。)を有するジアミン;光照射により重合若しくはラジカルを発生する機能を有するジアミン;国際公開公報WO2015/046374の段落0169に記載のジアミン、段落0171~0172に記載のカルボキシル基や水酸基を有するジアミン、段落0173~0188に記載の窒素含有複素環を有するジアミンや日本特開2016-218149号公報の段落0050に記載の窒素含有構造を有するジアミン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(4-アミノブチル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンなどのオルガノシロキサン含有ジアミンを挙げることができる。特定側鎖構造を有するジアミンを原料の少なくとも一部に用いた重合体によれば、液晶配向膜の耐熱性を高める観点で好適である。また、カルボキシル基含有ジアミンを原料の少なくとも一部に用いた重合体によれば、液晶配向剤の塗布性(印刷性)の改善効果を高くできる点で好適である。
特定側鎖構造を有するジアミンは、特定ジアミンに対して1モル%以上が好ましく、2モル%以上がより好ましい。また、好ましくは90モル%以下であり、より好ましくは85モル%以下である。
R10は、上記式[p1]~[p7]から選ばれる構造を表す。光反応性の観点から、[p1]、[p2]、[p4]が好ましい。
即ち、Arはフェニレン、ナフチレン、及びビフェニレンから選ばれる芳香族炭化水素基を示し、それらには有機基が置換していても良く、水素原子はハロゲン原子に置換していても良い。R1、R2はそれぞれ独立して炭素原子数1~10のアルキル基もしくはアルコキシ基である。
T1、T2はそれぞれ独立して、単結合又は-O-、-COO-、-OCO-、-NHCO-、-CONH-、-NH-、-CH2O-、-N(CH3)-、-CON(CH3)-、-N(CH3)CO-の結合基である。
Qは下記式[q-1]~[q-4]から選ばれる構造(Rは水素原子又は炭素原子数1~4のアルキル基を表し、R3は-CH2-、-NR-、-O-、又は-S-を表す。)を表す。
また、R1、R2は、それぞれ独立して炭素原子数1~10のアルキル基、アルコキシ基、ベンジル基、又はフェネチル基であり、アルキル基やアルコキシ基の場合、R1、R2で環を形成していてもよい。
Qはより好ましくはヒドロキシル基又はアルコキシル基である。
具体的には、合成の容易さ、汎用性の高さ、特性などの点から、下記式[R-1]~[R-4]で表される構造が最も好ましい。なお、式中、nは2~8の整数である。
ポリアミック酸の製造は、通常、ジアミンとテトラカルボン酸化合物とを溶媒中で行う。上記溶媒としては、生成した重合体が溶解するものであれば特に限定されない。
重合体(P)の重合反応においては、ジアミンの合計モル数とテトラカルボン酸化合物の合計モル数の比は0.8~1.2であることが好ましい。通常の重縮合反応同様、このモル比が1.0に近いほど生成する特定重合体の分子量は大きくなる。
ポリイミド前駆体であるポリアミック酸エステルは、例えば、[I]上記合成反応により得られたポリアミック酸とエステル化剤とを反応させる方法、[II]テトラカルボン酸ジエステルとジアミンとを反応させる方法、[III]テトラカルボン酸ジエステルジハロゲン化物とジアミンとを反応させる方法、などの公知の方法によって得ることができる。
ポリイミドは上記ポリイミド前駆体を閉環させて得られるポリイミドであり、このポリイミドにおいては、アミック酸基の閉環率(イミド化率ともいう)は必ずしも100%である必要はなく、用途や目的に応じて任意に調整することができる。
ポリイミド前駆体をイミド化させる方法としては、ポリイミド前駆体の溶液をそのまま加熱する熱イミド化ポリイミド前駆体の溶液に触媒を添加する触媒イミド化が挙げられる。
ポリイミド前駆体を溶液中で熱イミド化させる場合の温度は、100℃~400℃、好ましくは120℃~250℃であり、イミド化反応により生成する水を系外に除きながら行う方が好ましい。
本発明の液晶配向剤は、重合体(P)及び必要に応じて使用されるその他の成分が、好ましくは適当な溶媒中に分散又は溶解してなる液状の組成物として調製される。
本発明の液晶配向剤は、基板上に塗布、焼成した後、ラビング処理や光照射などで配向処理をして、液晶配向膜として用いることができる。また、垂直配向用途などの場合では配向処理なしでも液晶配向膜として用いることができる。この際に用いる基板としては、透明性の高い基板であれば特に限定されず、ガラス基板の他、アクリル基板やポリカーボネート基板などのプラスチック基板なども用いることができる。プロセスの簡素化の観点からは、液晶駆動のためのITO電極などが形成された基板を用いることが好ましい。また、反射型の液晶表示素子では、片側の基板のみにならばシリコンウェハなどの不透明な基板も使用でき、この場合の電極としてはアルミなどの光を反射する材料も使用できる。
焼成後の液晶配向膜の厚みは、厚すぎると液晶表示素子の消費電力の面で不利となり、薄すぎると液晶表示素子の信頼性が低下する場合があるので、好ましくは5~300nm、より好ましくは10~100nmである。
上記の液晶表示素子は、PSA(Polymer Sustained Alignment)方式により、液晶分子のプレチルトを制御するものである。PSA方式では、液晶材料中に少量の光重合性化合物、例えば光重合性モノマーを混入しておき、液晶セルを組み立てた後、液晶層に所定の電圧を印加した状態で光重合性化合物に紫外線などを照射し、生成した重合体によって液晶分子のプレチルトを制御する。重合体が生成するときの液晶分子の配向状態が電圧を取り去った後においても記憶されるので、液晶層に形成される電界などを制御することにより、液晶分子のプレチルトを調整することができる。また、PSA方式では、ラビング処理を必要としないので、ラビング処理によってプレチルトを制御することが難しい垂直配向型の液晶層の形成に適している。
液晶セルの作製方法としては、液晶配向膜の形成された一対の基板を用意し、片方の基板の液晶配向膜上にスペーサを散布し、液晶配向膜面が内側になるようにして、もう片方の基板を貼り合わせ、液晶を減圧注入して封止する方法、スペーサを散布した液晶配向膜面に液晶を滴下した後に基板を貼り合わせて封止を行う方法などが例示できる。
NMP:N-メチル-2-ピロリドン、 BCS:ブチルセロソルブ
BODA:ビシクロ[3,3,0]オクタン-2,4,6,8-テトラカルボン酸二無水物(下記式「BODA」で示される化合物)
CBDA:1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物(下記式「CBDA」で示される化合物)
TCA:2,3,5-トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物(下記式「TCA」で示される化合物)
PMDA:ピロメリット酸無水物(下記式「PMDA」で示される化合物)
DA-3:1,3-ジアミノ-4-[4-(トランス-4-n-ヘプチルシクロヘキシル)フェノキシ]ベンゼン
DA-4:下記式で表される特定側鎖構造を有するジアミン
DA-5:下記式で表される特定側鎖構造を有するジアミン
DA-6:下記式で表される特定側鎖構造を有するジアミン
常温ゲル浸透クロマトグラフィー装置(GPC、センシュー科学社製、SSC-7200)とShodex社製カラム(KD-803、KD-805)を用いて、溶離液をN,N’-ジメチルホルムアミド(臭化リチウム-水和物(LiBr・H2O)を30mmol/L、リン酸・無水結晶(o-リン酸)を30mmol/L、テトラヒドロフランを10ml/Lの濃度で含む)、流速を1.0ml/分、カラム温度を50℃、東ソー社製TSK標準ポリエチレンオキシド(分子量約9000,000、150,000、100,000、30,000)及びポリマーラボラトリー社製ポリエチレングリコール(分子量 約12,000、4,000、1,000)を標準溶液として測定した。
ポリイミド粉末20mgをNMRサンプル管(草野科学社製 NMRサンプリングチューブスタンダード φ5)に入れ、重水素化ジメチルスルホキシド(DMSO-d6、0.05%TMS混合品)1.0mlを添加し、超音波をかけて完全に溶解させた。この溶液を日本電子データム社製NMR測定器(JNW-ECA500)にて500MHzのプロトンNMRを測定した。イミド化率は、イミド化前後で変化しない構造に由来するプロトンを基準プロトンとして決め、このプロトンのピーク積算値と、9.5~10.0ppm付近に現れるアミック酸のNH基に由来するプロトンピーク積算値とを用い以下の式によって求めた。
イミド化率(%)=(1-α・x/y)×100
(式中、xはアミック酸のNH基由来のプロトンピーク積算値、yは基準プロトンのピーク積算値、αはポリアミック酸(イミド化率が0%)の場合におけるアミック酸のNH基のプロトン1個に対する基準プロトンの個数割合である。
BODA(3.38g、13.5mmol)、DA-1(6.13g、12.6mmol)、DA-3(2.06g、5.4mmol)をNMP(46.2g)中で溶解し、80℃で5時間反応させたのち、CBDA(0.830g、4.23mmol)とNMP(3.11g)を加え、40℃で11時間反応させポリアミック酸溶液を得た。
このポリアミック酸溶液(40g)にNMPを加え6.5質量%に希釈した後、イミド化触媒として無水酢酸(5.9g)、およびピリジン(1.8g)を加え、100℃で3時間反応させた。この反応溶液をメタノール(560ml)に投入し、得られた沈殿物を濾別した。この沈殿物をメタノールで洗浄し、100℃で減圧乾燥しポリイミド粉末(A)を得た。このポリイミドのイミド化率は72%であり、Mnは17,000、Mwは132,000であった。
使用したジアミンDA-1の変わりにDA-2を用いた以外は合成実施例1と同様に実施することにより、ポリイミド粉末(B)を得た。このポリイミドのイミド化率は74%であり、Mnは14,000、Mwは56,000であった。
合成実施例1と同様に実施することにより、各種テトラカルボン酸成分とジアミン成分を用いてポリアミック酸溶液およびポリイミド粉末を得た。表1に合成したポリマーの組成を示す。
[実施例1]
上記得られたポリイミド粉末(A)(6.0g)にNMP(44.0g)を加え、80℃にて17時間攪拌して溶解させた。この溶液に、3AMPの6質量%NMP希釈溶液(1.0g)、NMP(9.0g)、BCS(40.0g)を加え、室温で5時間攪拌することにより液晶配向剤(A1)を得た。
上記で得られた液晶配向剤(A1)を用いて下記に示す手順で液晶表示素子の作製を行った。液晶配向剤(A1)を、画素サイズが100μm×300μmでライン/スペースがそれぞれ5μmのITO電極パターンが形成されているITO電極基板のITO面にスピンコートし、80℃のホットプレートで90秒間乾燥した後、230℃の赤外線加熱炉で20分間焼成を行い、膜厚100nmの液晶配向膜を形成した。
また液晶配向膜の垂直配向性評価の過酷条件として、230℃の赤外線加熱炉で60分間焼成を行い膜厚100nmの液晶配向膜を形成した。
上記で得られた液晶表示素子を用い、60℃の熱風循環オーブン中で1Vの電圧を60マイクロ秒の印加時間で印加した後、印加解除から1667ミリ秒後の電圧保持率を測定した。この値を電圧保持率(VHRBF)とした。尚、測定装置としては、東陽テクニカ社製、VHR-1を使用した。VHRBFが高いほど良好とした。
上記の液晶表示素子を温度85℃、湿度85%の状態にした恒温恒湿器(エスペック社製PR-2KP)内に8日間静置した後、電圧保持率の測定を行った。この値を電圧保持率(VHRAF)とした。電圧保持率の減少量ΔVHR(%)を下記数式から求め、高温高湿耐性として評価した。ΔVHRが少ないほど良好とした。結果を表1に示す。
ΔVHR=VHRBF-VHRAF
密着性評価のサンプルは、以下に示す手順により作製した。30mm×40mmのITO基板に、スピンコート塗布にて液晶配向剤を塗布した。80℃のホットプレート上で90秒間乾燥させた後、230℃の赤外線加熱炉で20分間焼成を行い、膜厚100nmの塗膜を形成させた。このようにして得られた2枚の基板を用意し、一方の基板の液晶配向膜面上に孔径4μmビーズスペーサーを塗布した後、シール剤(UV硬化型タイプ)を滴下した。次いで、もう一方の基板の液晶配向膜が形成された側の面を内側にして、先の基板と貼り合せた後、シール剤を硬化させて空セルを作製した。その際、貼り合わせ後のシール剤の直径が3mmとなるようにシール剤滴下量を調整した。貼り合わせた2枚の基板をクリップにて固定した後、120℃1時間熱硬化させて、密着性評価用のサンプルを作製した。
その後、サンプル基板を島津製作所社製の卓上形精密万能試験機AGS-X 500Nにて、上下基板の端の部分を固定した後、基板中央部の上部から押し込みを行い、剥離する際の圧力(N)を測定した。基板に残った剥離痕の直径をノギスで測定し、剥離した際の圧力(N)を剥離痕の直径で割った値(単位長さ辺りの剥離強度)を密着性として評価した。得られた結果を表2に示す。
LCDアナライザー(名菱テクニカ社製LCA-LUV42A)を使用して、上記で作製した液晶表示素子のプレチルト角を測定した。通常の焼成条件(20min)と過酷条件(60min)でのプレチルト角の差(通常条件-過酷条件=Δプレチルト)を算出した。Δプレチルトが小さいほど液晶配向膜の垂直配向性が良好とした。結果を表2に示す。
上記得られたポリイミド粉末(B)についても、実施例1と同様に実施することにより液晶配向剤(B1)を得た。
また、得られた液晶配向剤(B1)を用いて、実施例1と同様の操作で(1)~(4)の評価を実施した。
実施例1と同様に実施することにより、液晶配向剤(C1)~(I1)を得た。
また液晶配向剤(E1)(3.0g)と液晶配向剤(I1)(7.0g)を混合し、3時間攪拌することで液晶配向剤(E2)を調製した。
一方で、DA-2を適用した液晶配向剤では高温高湿耐性に優れるもののプレチルト角の安定性に課題が有ることがわかる(比較例1)。
また、一般的にチルト角の安定性を高める目的で、より大きな環構造を有する側鎖構造の導入がなされるが、疎水性の高い側鎖構造はシール剤やガラス基板との密着性を弱くする傾向がある(比較例2)。
さらに、シール密着性においてはポリアミック酸の材料設計とすることで改善が見込まれるが、従来のポリアミック酸は湿度や熱などの刺激に対し不安定であるため、高温高湿耐性に劣ることがわかる(比較例4)。
なお、2018年3月30日に出願された日本特許出願2018-068720号の明細書、特許請求の範囲、図面、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (10)
- 前記重合体(P)が、ポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体をイミド化したポリイミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の重合体である請求項1に記載の液晶配向剤。
- 前記ポリイミド前駆体が、前記式(I-1)又は(I-2)で表される部分構造、及び熱脱離性基で保護されたアミノ基を有するジアミンを用いて得られる重合体である請求項2に記載の液晶配向剤。
- 前記ポリイミド前駆体が、さらに、下記式[S1]~[S3]で表される群から選ばれる側鎖構造を有するジアミンを用いて得られる重合体である請求項3~5のいずれか1項に記載の液晶配向剤。
- 前記P 1 及び前記熱脱離性基が、150~300℃の温度で水素原子に置き換わる基である請求項1~6のいずれか1項に記載の液晶配向剤。
- 前記P 1 及び前記熱脱離性基が、t-ブトキシカルボニル基である請求項1~7のいずれか1項に記載の液晶配向剤。
- 請求項1~8のいずれか一項に記載の液晶配向剤から形成された液晶配向膜。
- 請求項9に記載の液晶配向膜を具備する液晶表示素子。
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