JP7265102B1 - プリント回路基板用材料 - Google Patents

Abstract

本願に記載されるのは、誘電体ポリマーフィルムと、少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムを含む、多層プリント回路基板および高密度相互接続プリント回路基板のようなプリント回路基板である。【選択図】なし

Description

両面基板、多層基板、フレキシブル基板、および高密度相互接続プリント回路基板（ＨＤＩ－ＰＣＢ）などのプリント回路基板は一般に、プリント回路基板（ＰＣＢ）の異なる層同士を相互接続するためのビアを含んでいる。多層ＰＣＢやＨＤＩ－ＰＣＢが使用される多くのシステムについて望ましいのは、ＰＣＢの面積を縮小しつつ、その機能性を増大させることである。このような進歩は一般に、部品の小型化によって引き起こされ、モバイル・コンピューティング、４Ｇおよび５Ｇのアプリケーション、アビオニクス、および軍事用アプリケーションによって引き起こされる。これらの目標を達成するために、多層ＰＣＢおよびＨＤＩ－ＰＣＢは何世代にもわたって薄く、より薄い誘電材料を使用してきており、そしてＨＤＩまたはシーケンシャル積層構築物の場合にはレーザードリルによってマイクロビアを形成している。

ＰＣＢにおけるビアには２つの主要な故障モードがある：（１）過大応力および（２）低サイクル疲労である。過大応力はリフロープロセスに際して発現しうるものであり、その場合のアセンブリの温度は典型的には約２５０℃である。リフローのためには一般に複数回のパスが必要とされ、過大応力および／またはサイクル疲労の組み合わせがマイクロビアの故障を生じさせうる。２つ目の故障モードは使用条件によって生ずる低サイクル疲労（１,０００～１０,０００サイクル未満）であり、使用条件は極端な場合には、－５５℃から１３５℃まで変動する場合がある。いずれの故障モードにおいても、低い信頼性の主たる因子は、銅と誘電材料との間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の差が大きいことである。ＰＣＢにおいて、誘電材料は一般にガラスクロスと樹脂の複合材料であり、Ｚ軸方向のＣＴＥがＸ軸およびＹ軸方向におけるよりもずっと大きいという著しい異方性を有するが、これは誘電材料がＸおよびＹ方向（または軸）において拘束されているためである。誘電材料によって相互接続されている銅に与えられる応力は、ＣＴＥ差、誘電材料のモジュラス、および相互接続が受ける温度行程の関数である。これまでに先端技術において、強化された誘電材料に用いられているポリマー／樹脂に、ＣＴＥを低減させおよび／または架橋密度を増大させるのに役立つ充填剤を添加することによって、ＣＴＥ差を低減させるというアプローチが開発されている。したがってＣＴＥは低下するのであるが、応力を完全に低減させるだけ十分に低いものではなく、その一方で高いガラス転移温度Ｔｇおよび高いモジュラスといった、望ましくない結果がもたらされている。加えて、使用される誘電材料（プリプレグおよびラミネート）は織布または不織布で強化されていることから、誘電材料は本質的に異方性である。典型的には、Ｚ軸方向のＣＴＥは、Ｘ軸およびＹ軸方向よりもずっと高い。Ｚ軸方向のモジュラスは樹脂によって定まり、ガラス織布のような強化材料によって定まるＸ軸およびＹ軸方向のモジュラスと比べてずっと低い。異方性はＴｇにおいて増大するが、このときＸ軸およびＹ軸におけるＣＴＥは大きく低下し、そしてＺ軸におけるＣＴＥは等方性の材料において生ずるよりもずっと大きく、著しく増大する。強化材料の存在によって、誘電材料はＺ軸方向において非常に剛直なままである。これに対して等方性フィルムは、これらの影響を受けない。現状の先端技術によるアプローチは高い架橋密度と高い充填剤添加量を用い、それによってモジュラスとＴｇを増大させている。正味の影響として、応力は余り低減されない。応力および結果としての相互接続に対するひずみを最小限とするためには、Ｔｇと行程の下限との間の差を乗じた誘電材料のモジュラスとＣＴＥの差との積によって与えられる量を最小限にする必要がある。現状の先端技術はＣＴＥにおける差分を低減させることのみに取り組んでいるが、これは望ましくない高いモジュラスとＴｇをもたらすアプローチである。そこで、相互接続に対する応力を低減するのに役立つ、低モジュラスおよび低Ｔｇのシステムに対するニーズがある。

また、２８Ｇｂｐｓよりも大きなデータ転送速度（例えば、５６、１１２、または２２４Ｇｂｐｓ／チャネル）をサポート可能なデータチャネル（例えば、伝送路）をもたらすプリント回路基板に対するニーズも存在している。しかしながら、そうしたデータ転送速度を高い基本周波数（例えば、８～５６ＧＨｚの基本周波数）において達成することに対する１つの障壁は、伝送路を形成し分離するために用いられる導体（例えば、銅）および誘電材料に起因する、従来の伝送路のチャネル損失である。現在、差動信号は異方性および不均一な誘電特性の問題を有する強化積層材料について使用されている。このアプローチは、ファイバーウィーブ（織目）効果によって各々の伝送路が遭遇する実効誘電率が異なることから、スキューをもたらす。細い導体幅（相対的に高い誘電率の結果である）によって与えられる帯域幅の制限および強化材料に基づくスキューは、先端技術でより高いデータ転送速度を得るにあたり、重大で克服できない可能性のある問題点を導く。

データ伝送に使用されている現状の先端技術のストリップラインは３.５～５ミルの厚みの誘電材料の範囲にあり、銅の厚みは１８～３５マイクロメートルである。材料の誘電率（Ｄｋ）は織布材料について、よくても３.０を下回らない。これは低Ｄｋのガラスを使用することによって促進される。しかしながら、より低いＤｋの樹脂を使用することを通じてＤｋを下げようと試みると、スキューが増大することになる。複合材料の誘電率は低下するが、しかし強化材料のそれは同じままで樹脂のそれが低下することによって、樹脂のＤｋと強化材料のＤｋの間のギャップが増大し、それによってスキューが増大する。

したがって、これらの制約を克服することのできる、高信頼性の誘電材料およびそれを含むプリント回路基板に対するニーズがある。

本願に記載されるのは、部分的には、誘電体層および誘電体フィルム、並びにアンテナ基板、リジッドフレキシブル基板、フレキシブル基板、在来のプリント回路基板、および高密度相互接続（ＨＤＩ）プリント回路基板（ＰＣＢ）といった、プリント回路基板におけるそれらの使用である。本開示の誘電体フィルムは例えば、ガラスクロスで強化されていてよく、または強化されていなくてよい。幾つかの実施形態において、誘電体層および誘電体フィルムのそれぞれは低いＴｇ、低いモジュラス（例えば、ヤングモジュラス、引張モジュラス、または弾性モジュラス）、および／または低い誘電率を有する。幾つかの実施形態において、誘電体層および誘電体フィルムは低い散逸率を有していてよい。

多層プリント回路基板およびＨＤＩ－ＰＣＢに用いるための構築層用の材料においては、誘電率が比較的高いことが、先端技術において知られている。本開示は部分的には、ＰＣＢ層のための低誘電率材料、特に約２.８に等しいかそれ未満の誘電率を有する誘電体ポリマーフィルムが、同じ誘電体厚みのフィルムについて幅広の伝送路を得ることを可能にし、それによって回路基板における挿入損失が低減されることを明らかにする。

さらにまた、本願に記載される誘電体ポリマーフィルムまたは層におけるガラス転移温度Ｔｇは、機械的な降伏点に対するある類似物でありうる。例えば、誘電体フィルムのＣＴＥおよびモジュラスは、Ｔｇを超えると大きく変化しうる。低いＴｇはしばしば、誘電体フィルムの低い降伏強度に関連している。かくして、ＰＣＢの相互接続（例えば、主として銅）に対する応力は、フィルム材料がそのＴｇに達すると、降伏強度（例えば、銅の）未満へと大幅に低下しうる。さらにまた、低い誘電率および／または低い散逸率の熱硬化性フィルムを使用すると、２５０℃未満の温度において硬化およびＣステージ化を実行することが可能になる。

本開示の誘電体ポリマーフィルムはまた、比較的低いＴｇおよび実質的に等方性の比較的低いモジュラス（例えば、６ＧＰａまたは５ＧＰａ未満の実質的に等方性のヤングモジュラス）によっても特徴付けられ、これらは合わせて、フィルムのＣＴＥの異方性の低下および銅の相互接続に対するより小さな応力によって示されるような、過大応力の低減および低いサイクル疲労を含めて、本願に記載のプリント回路基板の信頼性を改善することが示されている。好ましい実施形態においては、本願に記載の誘電体フィルムのＴｇは１２０℃未満（例えば、１００℃未満）である。好ましい実施形態においては、本願に記載の誘電体フィルムのモジュラスは５ＧＰａ未満である。さらにまた、本開示の誘電体ポリマーフィルムは幾つかの実施形態において、低い散逸率（例えば、０.００５またはそれ未満）を有していてよく、これは誘電損失を低減させることが有利に見出されており、それによって挿入損失を低減させる。誘電損失は、誘電率および散逸率および動作周波数の平方根に正比例している。

低い誘電率と散逸率を有する材料は、したがって誘電体層および誘電体フィルムとしてプリント回路基板内に組み込まれた場合、挿入損失を低減させることが本開示により考慮されており、それによって信号品質（シグナルインテグリティ）を向上させる。低い誘電率の付加的な利点は、それが所定の設計インピーダンスに要求される線幅を増大させることである。これは挿入損失に対する付加的な利点をもたらす。さらにまた、導体損失は線幅に対して反比例している。線幅が広ければ挿入損失は低い。低いＤｋおよびＤｆはしたがって、誘電損失だけではなく、導体損失を低減させるのを助ける。本願においてはまた、広い線幅を使用することが低い誘電率に起因して、プロセス収率を改善するのを助けることも考慮されているが、これはより細い線幅でプリント回路基板を作成する場合にはプロセス収率に対して悪影響があるからである。結果的に、本開示のポリマーフィルムは、上述したように比較的低い誘電率、Ｔｇ、モジュラス、および／または散逸率を有していてよく、そして上述したように、各々の特性に関連した利点をもたらす。他の実施形態においては、本開示のポリマーフィルムは、上述したように比較的低い誘電率、Ｔｇ、モジュラス、および散逸率を有していてよく、そしてそれにより、低いモジュラスとＴｇの直接的な結果としてのビアおよびマイクロビアのような相互接続に対する低減された応力、フィルムの低いＤｋおよび低いＤｆに基づく低い誘電損失、低い誘電率に基づき広い線幅が可能とされることに基づく低減された導体損失、そしてフィルムの低い誘電率により可能となる高いプロセス収率によって、改善された信頼性という利点がもたらされてよい。これらの特性は、高密度相互接続回路基板、およびプリント回路基板における極超短波動作および超高速データ転送速度を可能にする。フィルムの等方的な性質は、プリント回路基板に強化誘電材料が使用されている現在の先端技術とは異なり、スキューの問題を回避するのを助ける。別の実施形態において、本開示のプリント回路基板はまた、低い挿入損失、増大した信頼性、および増大した相互接続密度に基づいて、より高速なデータ転送速度およびより高い動作周波数を可能にすることが考慮されている。かくして本開示は、ひとつの実施形態において、全体的に低減された厚みでもって、大きなファイバーウィーブ（織目）スキューなしに通信チャネルの帯域幅を広げる幅広のトレースを使用することを許容する、低誘電率の非強化フィルムの独特の構成を使用することで、本願に記載した問題点を克服する新規な伝送路を記載している。

１つの実施態様においては、本願に記載されるのは少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムを含む誘電体層を含むプリント回路基板であり、少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムは：（ｉ）約１３０℃に等しいかそれ未満のガラス転移温度；（ｉｉ）約２.８に等しいかそれ未満の誘電率；および（ｉｉｉ）少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムの平均温度がガラス転移温度未満である場合に約６ＧＰａに等しいかそれ未満の実質的に等方性の弾性モジュラスを有している。

幾つかの実施形態において、少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムの散逸率は約０.００１から約０.００５である。

幾つかの実施形態において、誘電率は約１.１から約２.５である。

幾つかの実施形態において、ガラス転移温度は約２５℃から約１１０℃である。

幾つかの実施形態において、少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムの平均温度がガラス転移温度未満である場合に、弾性モジュラスは約４ＧＰａに等しいかそれ未満である。

幾つかの実施形態において、少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムはプリント回路基板の伝送路構造の一部を形成する。

幾つかの実施形態において、伝送路の散逸率は５ＧＨｚにおいて約０.００２５に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、伝送路の散逸率は１０ＧＨｚにおいて約０.００２５に等しいかそれ未満である。

幾つかの実施形態において、伝送路の幅はから約５ミルに等しいかより大きい。

幾つかの実施形態において、伝送路第１の伝送路であり、少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムがプリント回路基板の第２の伝送路を形成し、そして第１の伝送路と第２の伝送路の間の誘電体層の厚みは０.１ミルと４ミルの間にある。

幾つかの実施形態において、回路基板は、パルス振幅変調（ＰＡＭ）を用いて伝送路を介して信号を伝達するよう構成された少なくとも１つの部品を含んでいる。

幾つかの実施形態において、パルス振幅変調において用いられるパルス振幅レベルの数は２と１６の間にある。

幾つかの実施形態において、回路基板は、約１０Ｇｂｐｓに等しいかより大きなデータ転送速度において伝送路を介してデータを伝達するよう構成された少なくとも１つの部品を含んでいる。

幾つかの実施形態において、伝送路は、誘電体ポリマーフィルムから形成された複数の伝送路の１つであり、プリント回路基板の１つまたはより多くの部品は、複数の伝送路の各々の伝送路を介して約１０Ｇｂｐｓに等しいかより大きなデータ転送速度においてデータを伝達するよう構成されている。

幾つかの実施形態において、回路基板は計算デバイスまたはネットワークデバイスの部品である。

幾つかの実施形態において、計算デバイスはデスクトップコンピュータ、ラップトップ（ノート型）コンピュータ、サーバー、タブレット、アクセラレータ、スーパーコンピュータ、または携帯電話である。

幾つかの実施形態において、ネットワークデバイスはスイッチ、ルーター、アクセスポイント、またはモデムである。

幾つかの実施形態において、誘電体層または少なくとも１つのポリマーフィルムの熱伝導率は４ｗ／ｍｋまでである。

幾つかの実施形態において、誘電体ポリマーフィルムは両面、または多層アンテナを製造するために使用される。

幾つかの実施形態において、誘電体ポリマーフィルムは連続溶媒流延法を用いてフィルムに製造される。

幾つかの実施形態において、回路基板は多層プリント回路基板または高密度相互接続プリント回路基板である。

幾つかの実施形態において、誘電体ポリマーフィルムの熱膨張係数はＴｇより上で２００ｐｐｍ／℃未満である。

幾つかの実施形態において、誘電体ポリマーフィルムの熱膨張係数はＴｇより上で２００ｐｐｍ／℃超である。

幾つかの実施形態において、誘電体ポリマーフィルムは架橋したポリマー組成物を含んでいる。

別の実施態様においては、本願に記載されるのはプリント回路基板であり：コア層；コア層の第１の側に配置された誘電体層であって、少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムを含み、この少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムが：（ｉ）約１３０℃に等しいかそれ未満のガラス転移温度；（ｉｉ）約２.８に等しいかそれ未満の誘電率；および（ｉｉｉ）少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムの平均温度がガラス転移温度未満である場合に約６ＧＰａに等しいかそれ未満の実質的に等方性の弾性モジュラスを有する誘電体層；および誘電体層を貫通し、誘電体層の両側に配置された導電性トレースの１つまたはより多くの対のそれぞれを接続する１つまたはより多くのマイクロビアを含んでいる。

幾つかの実施形態において、誘電体層は、高密度相互接続プリント回路基板が誘電体層を欠いている場合と比較して、低サイクル疲労または過大応力に起因する１つまたはより多くのマイクロビアの故障リスクを低減させる。

幾つかの実施形態において、コア層はガラス繊維を基礎とする誘電体または積層物である。

幾つかの実施形態において、誘電体層は第１の誘電体層であり、高密度相互接続プリント回路基板はさらに、少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムを含む第２の誘電体層を含む。

幾つかの実施形態において、回路基板はさらに、第２の誘電体層を貫通し、第２の誘電体層の両側に配置された導電性トレースの１つまたはより多くの対のそれぞれを接続する１つまたはより多くのマイクロビアを含んでいる。

幾つかの実施形態において、第２の誘電体層はコア層の第２の側に配置される。

幾つかの実施形態において、本願の回路基板はさらに：第１の誘電体層上に配置され、少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムを含む第３の誘電体層；および第２の誘電体層上に配置され、少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムを含む第４の誘電体層を含む。

幾つかの実施形態において、第２の誘電体層は第１の誘電体層上に配置される。

幾つかの実施形態において、回路基板は多層プリント回路基板または高密度相互接続プリント回路基板である。

本願はさまざまな発行された特許、公開された特許出願、学術論文、および他の刊行物を参照しているが、参照することによってそれらはすべて、本願に取り入れられる。取り入れられた何れかの参照物と本件明細書の間に矛盾がある場合には、明細書の記載が優先する。

誘電材料およびフィルム
本開示の実施形態における誘電材料は一般に、ポリマー組成物を含んでいる。本開示の誘電材料は本願で記載するように誘電体フィルム、誘電体層、または誘電体シートを含んでいるが、これらに限定されるものではない。

本願に記載の誘電体層は幾つかの実施形態において、本願で記載のように１つまたはより多くの誘電体ポリマーフィルムを含んでいてよい。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体層は本願に記載の誘電体ポリマーフィルムを１枚、２枚、３枚、４枚、または５枚含んでいてよい。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体層は本願に記載の誘電体ポリマーフィルムを５枚またはより多く含んでいてよい。

幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体層の平均厚みは約０.１ミルから約６.０ミル（例えば、約０.１ミルから約１.０ミル、約０.１ミルから約２.０ミル 、約０.１ミルから約３.０ミル、約０.１ミルから約４.０ミル、または約０.１ミルから約５.０ミル）である。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体層の平均厚みは約０.２５ミルから約２.５ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体層の平均厚みは約０.５ミルから約２.０ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体層の平均厚みは約０.５ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体層の平均厚みは約１ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体層の平均厚みは約５ミルから約１２５ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体層の平均厚みは約０.１ミル、０.２ミル、０.３ミル、０.４ミル、０.５ミル、０.６ミル、０.７ミル、０.８ミル、０.９ミル、１.０ミル、１.１ミル、１.２ミル、１.３ミル、１.４ミル、１.５ミル、１.６ミル、１.７ミル、１.８ミル、１.９ミル、２.０ミル、３.０ミル、３.３ミル、３.５ミル、４.０ミル、５.０ミル、または６.０ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体層の平均厚みは約５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、または１２５ミルである。

本願に記載の誘電材料は、限定するものではないが、ガラス転移温度（Ｔｇ）、熱膨張係数（ＣＴＥ）、誘電率、ヤングモジュラス、フィルム厚み、および熱伝導率といった特性が変化してよい。本開示によって考慮されている誘電材料の例示的な特性は以下の通りである：

幾つかの実施形態において、本開示の誘電体フィルムは銅箔またはＰＥＴのような基材上に担持されることができる。こうした銅箔は約３から約３５マイクロメートルの厚みを有することができる。幾つかの実施形態において、誘電体フィルムは０.５～５.０マイクロメートルの厚みの、例えば物理的蒸着プロセスによってスパッタリングされた銅で被覆することができる。幾つかの実施形態において本開示は、本願で記載のように誘電体フィルムで被覆された銅箔を積層し、次いでプラテンプレスを用いたバッチプロセスで熱ロール圧縮積層することを通じてそれらを一緒に圧縮することによって作成された積層物を含んでいる。

本開示の例示的なポリマー
本開示のひとつの実施形態において、本願に記載の誘電体ポリマーフィルムは架橋されたポリマー組成物を含んでいる。幾つかの実施形態において、架橋されたポリマー組成物は誘電体ポリマーフィルム中に、フィルムの合計重量に基づいて約５０重量％、５５重量％、６０重量％、６５重量％、７０重量％、７５重量％、８０重量％、８５重量％、９０重量％、９５重量％、または９９重量％の量で存在する。本願に記載の前記架橋されたポリマー組成物は、幾つかの実施形態において、熱硬化性樹脂の架橋生成物を含んでいてよい。前記の熱硬化性ポリマーは、他の反応性基と架橋して架橋したポリマー組成物を生成することのできる、１つまたはより多くの官能基を含んでいる。

幾つかの実施形態において、この官能基は硬化剤と反応性のある基である。幾つかの実施形態において、この官能基はビニル基である。幾つかの実施形態において、この官能基は熱硬化性樹脂の主鎖内にある（例えば、ポリブタジエンの主鎖内のアルケニル基）。幾つかの実施形態において、この官能基は熱硬化性ポリマーからのグラフト鎖である。幾つかの実施形態において、硬化剤は過酸化剤である。幾つかの実施形態において、熱硬化性ポリマーと硬化剤は触媒の存在下に反応して架橋されたポリマー組成物を形成する。幾つかの実施形態において、熱硬化性ポリマーと硬化剤は触媒の必要性なしに反応して、架橋されたポリマー組成物を形成する。幾つかの実施形態において、熱硬化性ポリマーと硬化剤の反応は温熱条件下において生ずる。

本開示の硬化剤は、関連するポリマーの硬化を開始するのに有用なものを含むが、それらに限定されるものではない。例にはアジド、ペルオキシド、ジアゾ化合物、硫黄、および硫黄誘導体が含まれるが、これらの限定されるものではない。フリーラジカル剤は特に、硬化開始剤として望ましい。フリーラジカル剤の例にはペルオキシド、ヒドロペルオキシド、および非過酸化物の開始剤が含まれ、これは限定するものではないが、例えば２,３－ジメチル－２,３－ジフェニルブタンである。過酸化物硬化剤の例には、ジクミルペルオキシド、アルファアルファ－ジ（ｔ－ブチルペルオキシ）－ｍ,ｐ－ジイソプロピルベンゼン、２,５－ジメチル－２,５－ジ（ｔ－ブチルペルオキシ）ヘキサン－３、および２,５－ジメチル－２,５－ジ（ｔ－ブチルペルオキシ）ヘキシン－３、および前述の硬化開始剤の１つまたはより多くを含む混合物が含まれる。硬化開始剤は使用される場合、典型的には硬化される熱硬化性ポリマーの合計重量に基づいて約０.２５重量％から約１５重量％の量で存在する。

幾つかの実施形態において、熱硬化性ポリマーは高ビニル含量の樹脂（例えば、７０％、８０％、または９０％を超えるその構成単位がビニル基を有するポリマー樹脂）である。幾つかの実施形態において、熱硬化性ポリマーは低ビニル含量の樹脂（例えば、７０％、６０％、５０％、４０％、または３０％未満のその構成単位がビニル基を有するポリマー樹脂）である。

架橋することのできる官能基を含む熱硬化性ポリマーの例は、限定するものではないが、ポリアルキレン（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソプレン、ポリノルボルネン、ポリアルキレンテレフタレート（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなど））、ポリブタジエンのようなポリアルケニレン、およびスチレン（例えば、耐衝撃性改良ポリスチレン、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン、スチレン－アクリロニトリル）、またはそれらのグラフト誘導体（例えば、無水マレイン酸がグラフトしたポリエチレン）を含んでいる。

幾つかの実施形態において、熱硬化性ポリマーは架橋剤なしに別の熱硬化性ポリマーと架橋可能であり、架橋されたポリマー組成物が生成される。他のポリマーと架橋する熱硬化性ポリマーの例には、ポリアルケニレン（例えば、ポリブタジエン）およびポリアルキニレン、およびこれらの誘導体（例えば、ケイ素変性物）が含まれる。

架橋剤と架橋可能な官能基を含む熱硬化性ポリマーの例には、限定するものではないが、ポリアルキレン（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアルキレンテレフタレート（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなど））、ポリブタジエンのようなポリアルケニレン、およびスチレン（例えば、耐衝撃性改良ポリスチレン、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン、スチレン－アクリロニトリル）が含まれる。

誘電体ポリマーフィルムはまた、幾つかの実施形態において、架橋ユニット、ポリマーとの架橋に由来するラジカル受容体材料を含んでいてよい。受容体材料は、硬化状態または未硬化状態の誘電材料の機械的、物理的、または電気的特性、例えば、脆性、流動特性、ＣＴＥ、接着性、または誘電体フィルム（例えば、アクリレート、マレイミド、ビニルモノマー）の他の所望とする性質を変性するために、配合中に取り入れることができる。幾つかの実施形態において、受容体材料はビニル含有エポキシ化合物である。幾つかの実施形態において、受容体材料はアクリレートまたはメタクリレートモノマーである。幾つかの実施形態において、受容体材料はビスアクリレートまたはビスメタクリレートである。幾つかの実施形態において、受容体材料はポリアクリレートまたはポリメタクリレートである。幾つかの実施形態において、受容体材料はビスマレイミドまたはポリマレイミドである。幾つかの実施形態において、受容体材料はＳＡ９０００（アクリレートで末端封止されたポリフェニレンエーテル）である。

幾つかの実施形態において、本願に記載の熱硬化性ポリマー組成物はさらに、ポリ（アリーレンエーテル）を含んでいる。本開示の例示的なポリ（アリーレンエーテル）には、限定するものではないが、ポリ（２,６－ジメチル－１,４－フェニレンエーテル）、ポリ（２,６－ジエチル－１,４－フェニレンエーテル）、ポリ（２,６－ジプロピル－１,４－フェニレンエーテル）、ポリ（２－メチル－６－アリル－１,４－フェニレンエーテル）、ポリ（ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－ジメトキシ－１,４－フェニレンエーテル）、ポリ（２,６－ジクロロメチル－１,４－フェニレンエーテル、ポリ（２,６－ジブロモメチル－１,４－フェニレンエーテル）、ポリ（２,６－ジ（２－クロロエチル）－１,４－フェニレンエーテル）、ポリ（２,６－ジトリル－１,４－フェニレンエーテル）、ポリ（２,６－ジクロロ－１,４－フェニレンエーテル）、ポリ（２,６－ジフェニル－１,４－フェニレンエーテル）、およびポリ（２,５－ジメチル－１,４－フェニレンエーテル）が含まれる。

ポリマーフィルムはさらに、ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマーを含む。本願で使用するところでは「ポリブタジエンまたはポリイソプレンポリマー」はブタジエンから誘導されたホモポリマー、イソプレンから誘導されたホモポリマー、およびブタジエンおよび／またはイソプレンから誘導されたコポリマー、および／またはモノマーの５０重量パーセント（ｗｔ％）未満がブタジエンおよび／またはイソプレンと共架橋可能なコポリマーを含んでいる。ブタジエンおよび／またはイソプレンと共架橋可能な適切なモノマーには、モノエチレン性不飽和化合物、例えばアクリロニトリル、エタクリロニトリル、メタクリロニトリル、アルファ－クロロアクリロニトリル、ベータ－クロロアクリロニトリル、アルファ－ブロモアクリロニトリル、Ｃ_１－６アルキル（メタ）アクリレート（例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、およびイソプロピル（メタ）アクリレート）、アクリルアミド、メタクリルアミド、マレイミド、Ｎ－メチルマレイミド、Ｎ－エチルマレイミド、イタコン酸、（メタ）アクリル酸、以下に記載するアルケニル芳香族化合物、およびこれらのモノエチレン性不飽和モノマーの少なくとも１つを含む組み合わせが含まれる。

本願に記載のポリマーはホモポリマー（例えば、ポリアルキレンまたはポリ（アリーレンエーテル）ホモポリマー）またはコポリマーであってよく、グラフトコポリマーまたはブロックコポリマーも含まれる。幾つかの実施形態において、コポリマーは交互コポリマーである。幾つかの実施形態において、コポリマーはブロックコポリマーである。

幾つかの実施形態において、ブロックコポリマーはアルケニル芳香族化合物から誘導されたブロック（Ａ）と、共役ジエンから誘導されたブロック（Ｂ）を含んでいる。ブロック（Ａ）と（Ｂ）の配置は線状構造およびグラフト構造を含んでおり、分岐鎖を有するラジアルテレブロック構造を含む。線状構造の例にはジブロック（Ａ－Ｂ）構造、トリブロック（Ａ－Ｂ－ＡまたはＢ－Ａ－Ｂ）構造、テトラブロック（Ａ－Ｂ－Ａ－Ｂ）構造、およびペンタブロック（Ａ－Ｂ－Ａ－Ｂ－ＡまたはＢ－Ａ－Ｂ－Ａ－Ｂ）構造、並びにＡおよびＢの合計で６またはより多くのブロックを含む線状構造が含まれる。具体的なブロックコポリマーには、ジブロック構造、トリブロック構造、およびテトラブロック構造が含まれ、特定的にはＡ－Ｂジブロック構造およびＡ－Ｂ－Ａトリブロック構造が含まれる。

幾つかの実施形態において、ブロック（Ａ）をもたらすために使用される化合物は例えば、参照することによって本願に取り入れる米国特許第９,２６５,１６０号に開示されたようなアルケニル芳香族化合物である。幾つかの実施形態において、アルケニル芳香族化合物はスチレンである。

幾つかの実施形態において、ブロック（Ｂ）をもたらすために使用される共役ジエンには、１,３－ブタジエン、２－メチル－１,３－ブタジエン（イソプレン）、２,３－ジメチル－１,３－ブタジエン、および１,３－ペンタジエン、特に１,３－ブタジエンとイソプレンが含まれる。共役ジエンの組み合わせも使用可能である。共役ジエンから誘導されたブロック（Ｂ）は任意選択的に、部分的または完全に水素化される。

アルケニル芳香族化合物から誘導されたブロック（Ａ）と共役ジエンから誘導されたブロック（Ｂ）を含む例示的なブロックコポリマーには、スチレン－ブタジエンジブロックコポリマー（ＳＢ）、スチレン－ブタジエン－スチレントリブロックコポリマーコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン－イソプレンジブロックコポリマー（ＳＩ）、スチレン－イソプレン－スチレントリブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン－（エチレン－ブチレン）－スチレントリブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン－（エチレン－プロピレン）－スチレントリブロックコポリマー（ＳＥＰＳ）、およびスチレン－（エチレン－ブチレン）ジブロックコポリマー（ＳＥＢ）が含まれる。こうしたポリマーは商業的に、例えばシェルケミカル社からＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１０１、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１０２、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１０７、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１１１、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１１６、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１１７、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１１８、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１１９、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１２２、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１３５Ｘ、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１８４、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１１４４Ｘ、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－１３００Ｘ、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－４１４１、ＫＲＡＴＯＮ Ｄ－４１５８、ＫＲＡＴＯＮ Ｇ１７２６、およびＫＲＡＴＯＮ Ｇ－１６５２という商品名の下に入手可能である。

本願に記載の誘電体フィルムに使用されてよい他の例示的なポリマーは米国特許第６,８９０,６３５号および米国特許第９,２６５,１６０号に開示されており、これらはそれぞれ参照することによって本願に取り入れられる。

フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）
幾つかの実施形態において、誘電材料のガラス転移温度Ｔｇは、約５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００、１０５、１１０、１１５、１２０、１２５、または１３０℃までである。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約１３０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約１２０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約１１０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約１００℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約９０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約８０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約７０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約６０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約５０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約４０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約３０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約２５℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約２０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約１０℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約５℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約９０℃から１３０℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約９０℃から１２０℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約８０℃から１１０℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約７０℃から１００℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約６０℃から９０℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約５０℃から８０℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約４０℃から７０℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約３０℃から６０℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約２５℃から５０℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約２０℃から５０℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約１０℃から４０℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＴｇは約５℃から４０℃である。

フィルムの熱膨張係数（ＣＴＥ）
幾つかの実施形態において、誘電材料の５０から２５０℃の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、約５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０、２７０、２８０、２９０または３００ｐｐｍ／℃までである。幾つかの実施形態において、ＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で約２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０、２７０、２８０、２９０または３００ｐｐｍ／℃までである。幾つかの実施形態において、ＣＴＥは誘電材料のＴｇ超で約８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２４０、２５０、２６０、２７０、２８０、２９０または３００ｐｐｍ／℃までである。幾つかの実施形態において、ＣＴＥは約５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０、２７０、２８０、２９０または３００ｐｐｍ／℃までである。幾つかの実施形態において、ＣＴＥは硬化した熱硬化性組成物のＴｇ未満で約２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０、２７０、２８０、２９０または３００ｐｐｍ／℃までである。幾つかの実施形態において、熱膨張係数は硬化した熱硬化性組成物のＴｇ超で約８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０、２７０、２８０、２９０または３００ｐｐｍ／℃までである。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で２２０ｐｐｍ／℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で２００ｐｐｍ／℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で１８０ｐｐｍ／℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で１６０ｐｐｍ／℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で１４０ｐｐｍ／℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で１２０ｐｐｍ／℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で１００ｐｐｍ／℃に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で約９０から約１２０ｐｐｍ／℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で約１２０から約１５０ｐｐｍ／℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で約７０から約１００ｐｐｍ／℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で約６０から約９０ｐｐｍ／℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で約２０から約６０ｐｐｍ／℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは誘電材料のＴｇ未満で約１０から約５０ｐｐｍ／℃である。幾つかの実施形態において、誘電材料のＣＴＥは実質的に等方性である。

フィルムの誘電率（Ｄｋ）
幾つかの実施形態において、誘電体層または誘電体フィルムのような本願に記載の誘電材料の誘電率は、約１.１、１.２、１.３、１.４、１.５、１.６、１.７、１.８、１.９、２、２.１、２.２、２.３、２.４、２.５、２.６、２.７、または２.８である。幾つかの実施形態において、本願で開示する実施形態の硬化した熱硬化性組成物の誘電率は約１、１.１、１.２、１.３、１.４、１.５、１.６、１.７、１.８、１.９、２、２.１、２.２、２.３、２.４、２.５、２.６、２.７、または２.８である。幾つかの実施形態において、誘電率は２.８に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は２.７に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は２.６に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は２.５に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は２.４に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は２.３に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は２.２に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は２.１に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は２に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は１.９に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は１.８に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は１.７に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は１.６に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は１.５に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は１.４に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は１.３に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は１.２に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電率は１.１に等しいかそれ未満である。

幾つかの実施形態において、誘電率は約１.１から約２.８である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２から約２.８である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.１から約２.８である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.２から約２.８である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.３から約２.８である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.４から約２.８である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.５から約２.８である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.６から約２.８である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.７から約２.８である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.１から約２.７である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.１から約２.６である。

幾つかの実施形態において、誘電率は約２から約２.５である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.１から約２.５である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.２から約２.５である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.３から約２.５である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.４から約２.５である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２から約２.４である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.１から約２.４である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.２から約２.４である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.３から約２.４である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２から約２.３である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.１から約２.３である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.２から約２.３である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２から約２.２である。幾つかの実施形態において、誘電率は約２.１から約２.２である。

幾つかの実施形態において、本開示における誘電材料はガラス微小球で充填されて、誘電率を１.８～２.５へとさらに低減させることができる。

幾つかの実施形態において、誘電材料の誘電率は実質的に等方性である。幾つかの実施形態において、誘電材料の誘電率は約１、５、または１０ＧＨｚにおいて測定される。好ましい実施形態においては、誘電材料の誘電率は約５ＧＨｚにおいて測定される。

フィルムの散逸率（またはＤＦ）
幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は約０.０１、０.００９、０.００８、０.００７、０.００６、０.００５、０.００４、０.００５、０.００４、０.００３、０.００２、または０.００１までである。幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は０.００５に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は０.００４に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は０.００３に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は０.００２に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は０.００１に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は約０.００１から約０.００５である。幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は約０.００１５から約０.００２５である。幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は約０.００２から約０.００５である。幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は約０.００３から約０.００５である。幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は約０.００４から約０.００５である。

幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は実質的に等方性である。幾つかの実施形態において、誘電材料の散逸率は約１、５、または１０ＧＨｚにおいて測定される。好ましい実施形態においては、誘電材料の散逸率は約５ＧＨｚにおいて測定される。

フィルムのヤングモジュラス（または弾性モジュラス）
幾つかの実施形態において、誘電材料および／またはポリマー組成物のヤングモジュラス（引張モジュラスまたは弾性モジュラスともいう）は約０.１、０.２、０.３、０.４、０.５、０.６、０.７、０.８、０.９、１、１.５、２、３、４、５、または６ＧＰａである。幾つかの実施形態において、本願で開示される実施形態における硬化した熱硬化性組成物のヤングモジュラスは約０.１、０.２、０.３、０.４、０.５、０.６、０.７、０.８、０.９、１、１.５、２、３、４、５、または６ＧＰａである。幾つかの実施形態において、ヤングモジュラスは約６ＧＰａに等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、ヤングモジュラスは約５ＧＰａに等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、ヤングモジュラスは約４ＧＰａに等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、ヤングモジュラスは約３ＧＰａに等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、ヤングモジュラスは約２ＧＰａに等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、ヤングモジュラスは約１ＧＰａに等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、ヤングモジュラスは約０.１ＧＰａから約６ＧＰａである。幾つかの実施形態において、ヤングモジュラスは約０.１ＧＰａから約５ＧＰａである。幾つかの実施形態において、ヤングモジュラスは約０.１ＧＰａから約３ＧＰａである。幾つかの実施形態において、ヤングモジュラスは約０.１ＧＰａから約２ＧＰａである。幾つかの実施形態において、誘電材料のヤングモジュラスは実質的に等方性である。

幾つかの実施形態において、誘電材料は誘電体フィルムであり、誘電体フィルムの厚みは約千分の０.２５インチ（Ｍｉｌ）から約１２５ミルである。幾つかの実施形態において、この厚みは１マイクロメートル（μｍ）に等しいかより大きい。幾つかの実施形態において、誘電材料および／またはポリマー組成物の個々のフィルムまたはシートは積み重ねられ（スタックされ）圧縮されて、約１０ミルから約１２５ミルの厚みが達成される。

幾つかの実施形態において、誘電材料は約１％、２％、３％、４％、５％、６％、７％、８％、９％、または１０％までの厚みの変動を含む。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約１０％に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約９％に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約８％に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約７％に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約６％に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約５％に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約４％に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約３％に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約２％に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約１％に等しいかそれ未満である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約１％から約１０％である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約２％から約９％である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約３％から約８％である。幾つかの実施形態において、厚みの変動は約４％から約７％である。

充填剤
幾つかの実施形態において、少なくとも１つの誘電体層はさらに充填剤を含んでいる。幾つかの実施形態において、充填剤は、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、カオリン、タルク、ハイドロタルサイト、ケイ酸カルシウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、ガラスパウダー、シリカパウダー、ホウ酸亜鉛、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、カーボランダム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、ムライト、酸化チタン、チタン酸カリウム、中空ガラスマイクロビーズ、チタン酸カリウム繊維、カーボランダム単結晶フィラメント、窒化ケイ素繊維、アルミナ単結晶繊維、ガラス短繊維、ポリテトラフルオロエチレンパウダー、ポリフェニレンサルファイドパウダー、ポリスチレンパウダー、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される。幾つかの実施形態において、誘電体層はさらに難燃性添加剤を含む。幾つかの実施形態において、難燃性添加剤は非ハロゲン化難燃性添加剤である。幾つかの実施形態において、非ハロゲン化難燃剤は、リン系難燃性添加剤、無機系難燃性添加剤、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される。幾つかの実施形態において、少なくとも１つの誘電体層はさらに、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、ラジカル安定剤、帯電防止剤、防腐剤、接着促進剤、強化剤、ゴム粒子、顔料、染料、潤滑剤、離型剤、発泡剤、殺菌剤、可塑剤、加工助剤、酸捕捉剤、染料、顔料、安定剤、発泡剤、核剤、ナノチューブ、湿潤剤、分散剤、共力剤、鉱物充填剤、補強剤、ウィスカー、無機充填剤、発煙抑制剤、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される助剤を含む。幾つかの実施形態において、少なくとも１つの誘電体層はさらに、誘電体層を貫通する１つまたはより多くの金属充填マイクロビアを含む。

本開示における誘電体フィルムは、幾つかの実施形態において、サビック社から入手可能なＳＡ９０００のような官能化されたＰＰＥ、エボニック社から入手可能なトリアリルイソシアヌレート、エボニック社および他の製造者から入手可能なトリアリルシアヌレート、シアネートエステルおよび大和化成工業株式会社から入手可能なＢＭＩ５１００、シンエーティーアンドシー社（韓国）から入手可能なＧＭＩ２３００のようなビスマレイミド樹脂、シンエーティーアンドシー社（韓国）から入手可能なＸＡＤ－６２０のような材料の組み合わせを使用して作成することができる。幾つかの実施形態において、高耐衝撃性ポリスチレン、ＰＴＦＥパウダーのような有機充填剤、または溶融シリカ、二酸化チタン、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素のような無機充填剤が誘電体フィルムに添加されて、ＣＴＥ、熱伝導率、および／または他の性質が改善される。中空球形充填剤を含む、球形または非球形の充填剤（例えば、球状シリカ）もまた、使用してよい。クラリアント社から入手可能なアルミニウムポリホスフィネートＥｘｏｌｉｔ（登録商標）ＯＰ９３５またはＥｘｏｌｉｔ（登録商標）ＯＰ９４５、大塚化学株式会社から入手可能なＳＰＢ１００またはホスファゼンのような難燃化剤もまた、非ハロゲン用途について難燃剤として使用することができる。アルベマール社のＡｌｔｅｘｉａまたはチンイーケミカル社のＰＱ６０のような他のリン含有化合物もまた、単独でまたは他の難燃剤と組み合わせて使用してよい。アルベマール社のＳａｙｔｅｘ８０１０、エチレン－１,２－ビス（ペンタブロモフェニル）またはＢＴ９３のようなハロゲン化難燃剤を使用することができる。トータルグループから入手可能なＲｉｃｏｎ１００、Ｒｉｃｏｎ１８４、Ｒｉｃｏｎ２５７のようなブタジエンとスチレンのコポリマー、およびＲｉｃｏｎ３００、Ｒｉｃｏｎ１３０、Ｒｉｃｏｎ１３１、Ｒｉｃｏｎ１３４、Ｒｉｃｏｎ１５４、Ｒｉｃｏｎ１５６、およびＲｉｃｏｎ１５７のようなブタジエンポリマーを使用して誘電体フィルムを架橋し、または誘電体フィルムの主鎖として使用することができる。幾つかの実施形態において、過酸化物硬化剤を効果プロセスにおいて使用することができる。

幾つかの実施形態において、本開示の充填剤は誘電体フィルム中に：誘電体フィルムの重量に基づいて０から０.１重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて０から０.５重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて０から１重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて０から５重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて１から５重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて１から６重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて１から７重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて１から８重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて１から９重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて１から１０重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて１０から２０重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて２０から３０重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて３０から４０重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて４０から５０重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて５０％から６０重量％、誘電体フィルムの重量に基づいて６０％から７０重量％、または誘電体フィルムの重量に基づいて７０重量％まで存在してよい。幾つかの実施形態において、本開示の充填剤は本開示の誘電体フィルム中に、誘電体フィルムの重量に基づいて０、０.０００１、０.００１、０.０１、０.０２、０.０３、０.０４、０.０５、０.１、０.２、０.３、０.４、０.５、０.６、０.７、０.８、０.９、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、または６０重量％の量で存在してよい。

フィルム厚み
幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体ポリマーフィルムの平均厚みは約０.１ミルから約６.０ミル（例えば、約０.１ミルから約１.０ミル、約０.１ミルから約２.０ミル、約０.１ミルから約３.０ミル、約０.１ミルから約４.０ミル、または約０.１ミルから約５.０ミル）である。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体ポリマーフィルムの平均厚みは約０.２５ミルから約２.５ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体ポリマーフィルムの平均厚みは約０.５ミルから約２.０ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体ポリマーフィルムの平均厚みは約３.０ミルから約５.０ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体ポリマーフィルムの平均厚みは約０.５ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体ポリマーフィルムの平均厚みは約１ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体ポリマーフィルムの平均厚みは約１.５ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体ポリマーフィルムの平均厚みは約５ミルから約１２５ミルである。幾つかの実施形態において、本願に記載の誘電体ポリマーフィルムの平均厚みは約０.１ミル、０.２ミル、０.３ミル、０.４ミル、０.５ミル、０.６ミル、０.７ミル、０.８ミル、０.９ミル、１.０ミル、１.１ミル、１.２ミル、１.３ミル、１.４ミル、１.５ミル、１.６ミル、１.７ミル、１.８ミル、１.９ミル、２.０ミル、３.０ミル、３.３ミル、３.５ミル、４.０ミル、５.０ミル、または６.０ミルである。

剥離強度
幾つかの実施形態において、接着表面上（例えば、金属積層物上）のフィルムの平均剥離強度は約１～１０ｌｂ／ｉｎ（ポンド／インチ）、２～１０ｌｂ／ｉｎ、３～１０、４～１０、５～１０、６～１０、７～１０、８～１０、または９～１０ｌｂ／ｉｎである。幾つかの実施形態において、接着表面上（例えば、金属積層物上）のフィルムの平均剥離強度は約３～６ｌｂ／ｉｎ、４～６ｌｂ／ｉｎ、または５～６ｌｂ／ｉｎである。

誘電材料の製造方法
ここに提示されるのは、上述した誘電材料の製造方法である。ここに提示される幾つかの実施形態は、誘電材料のシートまたはフィルムを製造するための方法である。幾つかの実施形態において、本願に記載のシートおよびフィルムを作成するための方法は、溶媒（溶液）流延法、溶融押し出し法、積層法、およびコーティング法を含んでいる。溶媒流延法、溶融押し出し法、積層法、およびコーティング法の非限定的な例は、例えば米国特許出願公開第ＵＳ２００９／００５０８４２号、第ＵＳ２００９／００５４６３８号、および第ＵＳ２００９／００９６９６２号に見出すことができ、それらの内容はこの参照によって本願に取り入れられる。フイルムを形成するための溶媒流延法、溶融押し出し法、積層法、およびコーティング法のさらなる例、例えば米国特許第４,５９２,８８５号および第７,１７２,７１３号、並びに米国特許出願公開第ＵＳ２００５／０１３３９５３号および第ＵＳ２０１０／００５５３５６号に見出すことができ、それらの内容はこの参照によって本願に取り入れられる。

連続溶媒流延法は、本願に記載の誘電材料の薄いフィルムを提供するための好ましい方法である。溶媒流延法は、極めて高品質で均一な厚みの組成物を提供することができる。典型的な溶媒流延法は、１）成分（例えば、ポリマー、架橋剤、充填剤、難燃剤、その他）を溶媒中に溶解および／または分散してワニスを生成し；２）ワニスを基材（例えば、銅箔）または流延フィルム（例えば、ＰＥＴ）上に被覆し；そして３）乾燥（例えば、乾燥オーブンでの乾燥）を通じて溶媒を蒸発／除去して基材または担持フィルム上にポリマー組成物のフィルムを生成することを包含している。フイルムの最終的な厚みは、例えばワニスをスロットダイに通過させることによって制御することができる。この流延プロセスで高品質のフィルムを生成するためには、ポリマーがワニス溶媒に溶解していることが重要である。乾燥オーブンの滞留時間と温度プロファイルが、フイルム内に保持される残留溶媒の量、およびフィルムが架橋ポリマー組成物であるかまたは混合状態に留まるか（例えば、熱可塑的性質を有するか）といった因子を決定づける。幾つかの実施形態において、フィルムの流延および乾燥プロセスの後に、ポリマー組成物は熱可塑性ポリマー（または熱硬化性）組成物である。幾つかの実施形態において、フィルムの流延および乾燥プロセスの後に、ポリマー組成物は架橋した熱可塑性組成物である。

幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは、限定するものではないが、ＰＥＴ、剥離処理したＰＥＴ、二軸延伸ポリプロピレン、および他の一般的な担持用または剥離利用ライナーのような担持フィルム、すなわち剥離フィルム上に設けられる。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは銅箔上に設けられる。幾つかの実施形態において、ポリマー組成物のフィルムは指触非粘着性である。幾つかの実施形態において、ポリマーフィルム組成物は十分な可塑性を有し、担持フィルムから剥離してオブジェクト上に置くことができる。幾つかの実施形態において、担持フィルム上の組成物は基材上に置いてロールラミネータを通過させ、次いで担持フィルムを剥離して、ポリマー組成物を新たな基材上に残すことができる。幾つかの実施形態において、積層される基材は銅箔または銅シートである。幾つかの実施形態において、積層される基材は銅被覆（エッチング、部分エッチング、またはエッチングなし）の、または銅被覆なしのガラス繊維コアである。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは金属（例えば、銅）で被覆されまたは被覆されない。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは非強化（例えば、強化されず、織布または不織布のガラスクロス、有機織布または不織布を含まない）である。

幾つかの実施形態において、ポリマー組成物は溶媒中に分散されてワニス組成物として提供される。幾つかの実施形態において、ワニス組成物は（例えば、ポリマーと架橋剤の架橋に基づいてワニスがゲル化するまで）何日間か安定である。幾つかの実施形態において、ワニス組成物はゲル化が生ずるまで何週間か安定である。幾つかの実施形態において、ワニス組成物はゲル化が生ずるまで何ヶ月間か安定である。幾つかの実施形態においてワニス組成物は、担持フィルム上に流延される。幾つかの実施形態において、担持フィルムはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、またはＰＥＴポリマー組成物の剥離をさらに促進するように処理されたＰＥＴである。幾つかの実施形態において、ワニス組成物は銅箔上に流延される。

好ましい実施形態においては、本開示における誘電体フィルムは、銅箔またはＰＥＴのような基材上に担持することができる。こうした銅箔は、約３から約３５マイクロメートルの厚みを有することができる。幾つかの実施形態において、誘電体フィルムは、例えば物理蒸着プロセスを通じて０.５～５.０マイクロメートルの厚さのスパッタリングされた銅で被覆することができる。幾つかの実施形態において、本開示は、本願に記載のように誘電体フィルムで被覆された銅箔を積層し、次いでプラテンプレスを用いたバッチプロセスで熱ロール圧縮積層することを通じてそれらを一緒に圧縮することによって作成された積層物を含む。

誘電体ポリマーフィルムから形成された伝送路を含むプリント回路基板
本願に提示されるひとつの実施形態は、本願に記載の組成物（例えば、誘電体ポリマーフィルム）で形成された１つまたはより多くの伝送路を含むプリント回路基板である。

伝送路は任意の種類の導電性（例えば、高速導電線）として使用してよい。幾つかの例では、伝送路の少なくとも１つはＰＣＢの外側層内またはその上に形成される（例えば、マイクロストリップ伝送路のマイクロストリップとして）。幾つかの例では、伝送路の少なくとも１つはＰＣＢの内側層内またはその上に形成される（例えば、ストリップラインとして）。伝送路はシングルエンドまたは差動であってよい。

１０ＧＨｚの信号周波数（例えば、信号伝送速度）において、伝送路の少なくとも１つの散逸率は０.００１０、０.００１５、０.００２０、０.００２１、０.００２２、０.００２３、０.００２４、０.００２５、０.００２６、０.００２７、０.００２８、０.００２９、０.００３０、０.００３５、または０.００４０であってよい。

伝送路の少なくとも１つの幅は、１ミルと４ミルの間、４ミルと６ミルの間（例えば、４.０、４.１、４.２、４.３、４.４、４.５、４.６、４.７、４.８、４.９、５.０、５.１、５.２、５.３、５.４、５.５、５.６、５.７、５.８、５.９または６.０ミル）、または６ミル超（例えば、６ミルと２０ミルの間）であってよい。単位「Ｍｉｌ」または「ミル」は１インチの１／１０００を示している。

幾つかの例では、伝送路（例えば、第１の伝送路および第２の伝送路）はＰＣＢの垂直方向に隣接する層に形成されてよい。そうした例においては、第１の伝送路と第２の伝送路の間の誘電体層の厚みは３ミル未満（例えば、０.１ミルと３ミルの間）、３ミルと５ミルの間（例えば、３.０、３.１、３.２、３.３.、３.４、３.５、３.６、３.７、３.８、３.９、４.０、４.１、４.２、４.３、４.４、４.５、４.６、４.７、４.８、４.９、または５.０ミル）、または５ミル超（例えば、５ミルと２０ミルの間）であってよい。

幾つかの例では、伝送路は、限定するものではないが、パルス振幅変調（ＰＡＭ）を含む任意の変調方式を使用して変調された信号を伝達することができる。パルス振幅変調方式において使用されるパルス振幅レベルの数は、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、または１６であってよい。

幾つかの例では、伝送路は、２８Ｇｂｐｓと２２４Ｇｂｐｓの間のデータ転送速度（例えば、２８、５６、１１２、または２２４Ｇｂｐｓ）でデータを伝送することができる。

幾つかの実施形態において、本願に記載の組成物で形成された１つまたはより多くの伝送路を含むＰＣＢは可撓性（フレキシブル）であってよい。フレキシブルＰＣＢは幾つかの実施形態において、０.０１ＧＰａと６ＧＰａの間（例えば、１ＧＰａ、２ＧＰａ、３ＧＰａ、４ＧＰａ、または５ＧＰａ）の弾性モジュラスを有していてよい。フレキシブルＰＣＢは幾つかの実施形態において、６ＧＰａに等しいかそれ未満（例えば、１ＧＰａに等しいかそれ未満、２ＧＰａに等しいかそれ未満、３ＧＰａに等しいかそれ未満、４ＧＰａに等しいかそれ未満、または５ＧＰａに等しいかそれ未満）の弾性モジュラスを有していてよい。幾つかの例において、フレキシブルＰＣＢの部品は１つまたはより多くのセンサーデバイス（例えば、ウェアラブルセンサー）を含んでいてよい。幾つかの実施形態において、本願に記載の組成物で形成された１つまたはより多くの伝送路を含むＰＣＢは、アンテナを生成するために使用されてよい。例えば、少なくとも１つの誘電体ポリマーフィルムは両面、または多層アンテナを製造するために使用されてよい。

幾つかの例では、ＰＣＢは計算デバイス（例えば、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、サーバー、タブレット、アクセラレータ、スーパーコンピュータ、携帯電話、その他）またはネットワークデバイス（例えば、スイッチ、ルーター、アクセスポイント、モデム、その他）の部品である。こうした計算デバイスまたはネットワークデバイスは、任意の適切なワイヤレス通信技術または標準（例えば、４Ｇ、５Ｇ、６Ｇ、その他）を使用して遠隔のデバイスと通信するためにＰＣＢを使用するよう構成されてよい。

誘電体ポリマーフィルムで形成された１つまたはより多くの伝送路を含むＰＣＢの製造プロセスにおいて使用するために、フィルムはボンディングシートまたは硬化形態（例えば、Ｃステージのコア積層体の形態）で提供されてよい。

誘電材料を含むプリント回路基板
本願に提示されるひとつの実施形態は、１つまたはより多くの絶縁層（本願ではまた「誘電体層」、「誘電材料」、または「誘電体フィルム」ともいう）を含むプリント回路基板であり、そこにおいて絶縁層は本願に記載の組成物を含む。

先進的なＰＣＢは、基板に埋め込まれた部品（例えば、コンデンサ、抵抗、または能動素子）を含んでいてよい。ＰＣＢは片面（１つの銅層）、両面（２つの銅層）または高い部品密度を許容する多層（例えば、誘電材料によって分離された複数の銅層）であることができる。多層ＰＣＢは、一般には強化樹脂と銅箔の一連の層を含む複合的な混合構造である。異なる層上にある導体は、「ビア」すなわちメッキされた貫通孔で接続されてよい。ＰＣＢ用途の積層体は、プリプレグ（事前含浸）化として知られているプロセスを通じて製造される。

幾つかの実施形態において、プリント回路基板はハイブリッド設計を含んでおり、そこにおいて中央のコアはガラス繊維系の誘電体（または積層体）であり、そして外側絶縁層の少なくとも１つ、または複数が、誘電体フィルムを含んでいる。幾つかの実施形態において、このハイブリッド設計は１つよりも多いガラス繊維系誘電体と、そして他の絶縁層の少なくとも１つ、または複数が、ポリマー誘電体フィルムを含んでいる。幾つかの実施形態において、プリント回路基板は多層、両面、または片面基板である。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは連続的構築プロセスにおいて使用される。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは連続的構築プロセスにおいて使用され、中央のコアはガラス繊維積層体である。

本願に記載のプリント回路基板（例えば、ＨＤＩ－ＰＣＢ）は、本願に記載の１つまたはより多くの誘電材料（例えば、１つまたはより多くの誘電体フィルム）および１つまたはより多くの銅層を含んでいてよい。

幾つかの実施形態において、１つまたはより多くの誘電体フィルムの少なくとも１つのＴｇ未満での応力は１５から３０ＭＰａ、または１５から２０ＭＰａである。

幾つかの実施形態において、１つまたはより多くの誘電体フィルムの少なくとも１つのＴｇ超での応力は１から３ＭＰａ（例えば、約１.５ＭＰａ）である。

ＰＣＢの組み立ての間に銅に対して負荷される（過大応力故障モードにおけるような）引張応力は：

によって与えられ、式中σ_Ｃｕはｚ軸方向における銅に対する引張応力、α_Ｅｑおよびα_Ｃｕは等価な材料（誘電体と銅を合わせた）および純銅のそれぞれについてのｚ軸方向の熱膨張係数、Ｔ_{ａｓｓｅｍ}およびＴ_ａｍｂはそれぞれ組立温度および雰囲気温度、そしてＥ_Ｃｕはｚ軸方向における銅についてのヤングモジュラスである。

誘電材料および銅に等価な係数は混合則により：

として与えられ、式中Ｅ_Ｄｉ、Ｅ_ＣｕおよびＥ_Ｅｑは誘電材料、銅、および等価材料のそれぞれについてのｚ軸方向におけるモジュラスであり、α_Ｄｉ、α_Ｃｕおよびα_Ｅｑは誘電材料、銅、および等価材料のそれぞれについてのｚ軸方向における熱膨張係数であり、そしてＶ_ＤｉおよびＶ_Ｃｕは回路基板において影響を受ける領域における誘電材料および銅のそれぞれについての体積分率である。

上記の数式はまた、量を適宜置き換えることにより、誘電材料のガラス転移温度Ｔｇ超においても計算に使用することができる。

Ｔｇ未満およびＴｇ超での熱膨張係数、並びにｚ軸方向におけるモジュラスは定数として近似することができるから、数式（１）は：

と書き換えることができ、式中下付き文字ｂはＴｇ未満を表し、下付き文字ａはＴｇ超を表し、下付き文字ｅは弾性を示し、下付き文字ｐは可塑性を示し、そしてＴ_{ｙｉｅｌｄ}は銅の応力が銅の降伏応力を超える温度である。

熱サイクルの間の応力／ひずみおよび動作条件
動作条件の間に銅に負荷される引張応力は：

によって与えられ、式中Ｔ_ＬＢおよびＴ_ＵＢは動作範囲の下限温度および上限温度のそれぞれである。

Ｔｇ未満およびＴｇ超での熱膨張係数、並びにｚ軸方向におけるモジュラスは定数として近似することができるから、数式（５）は次のように書き換えることができる：
ａ）上限がＴ_{ｙｉｅｌｄ}超であるがＴｇ未満であるとき：

ｂ）動作条件の上限がＴ_{ｙｅｉｌｄ}未満であるとき：

銅に対するひずみの合計は、弾性ひずみおよび塑性ひずみの合計である。
ａ）ひずみが塑性ひずみであるとき：

式中ε_Ｃｕは銅のひずみでありσ_Ｙ,Ｃｕは銅についての降伏応力である。
ｂ）ひずみが弾性ひずみであるとき：

数式（９）が適用可能である場合、銅のひずみは降伏応力未満であることを意味し、故障モードは高サイクル疲労へと変化するが、これはデバイスの使用の文脈において寿命がほぼ無限であるようなものである。

本願に記載の誘電材料は、例えばプリント回路基板産業において使用可能である。例えば、構築層における低Ｔｇ、低モジュラス、および／または低ＣＴＥの誘電体フィルム（ガラスクロスで強化されていない）は、例えば高密度相互接続（ＨＤＩ）プリント回路基板に使用して、高い信頼性と増大した相互接続密度を得ることができる。他の実施形態においては、誘電体フィルムは、組み立てで損傷されず所望とする動作条件の下で高い疲労寿命を有するスタックビアを使用することを可能にする。

利点には、より等方的な性質、均質性、および２５マイクロメートル未満で絶縁厚みに達する性能、改善された絶縁間隔、銅のような金属を含む材料に対する向上した接着性、増大されたマイクロビア信頼性、マトリクスの強化、および織成ファブリックで強化された複合体にとっての懸案でありプリント回路基板上での高速デジタル伝送にスキューやタイミングの問題を生じさせる織目効果の除去が含まれる。チップパッケージング、標準的な両面基板および片面基板、マザーボード、連続積層基板、高多層化基板および標準層数基板、フレキシブル基板に加えて、ＩＯＴデバイス、カメラモジュール、インフォテイメントシステム、携帯電話、タブレットおよび他のコンシューマーデバイスに使用される高密度相互接続基板は、この新たな技術を使用することによって多大な利点を受ける。さらに、ガラスを欠いていることによるレーザー加工性の改善およびスループットの向上、誘電材料の厚みの制限を取り除く性能、基板の厚みの２０～３０％を低減する可能性、プリント回路基板の重量の低減、銅メッキされたビアに対する応力を減少させる性能、Ｚ軸方向の拡張を低減するマイクロビアの信頼性の向上、厚みの制御および改善されたクラック抵抗は、この技術から予想される利点の幾つかである。こうした金属被覆されたまたは被覆なしのフィルムまたはシートはまた、フィルムにおける均質な等方的性質または非強化（織成強化物がない）に基づいて、差動スキューの問題をも解決するのを助ける。

幾つかの実施形態において、誘電材料のシートまたはフィルムは、限定するものではないが、ＰＥＴ、処理または表面変性したＰＥＴ、二軸延伸ポリプロピレン、および他の一般的な担持用または剥離利用ライナーのような担持フィルム、すなわち剥離フィルム上に設けられる。幾つかの実施形態において、ポリマー組成物は十分な可塑性を有しており、フィルムとして担体から剥離してオブジェクト上に置くことができる。幾つかの実施形態において、担持フィルム上の組成物は基材上に置いてラミネータを通過させ、次いで担持フィルムを剥離して、ポリマー組成物を新たな基材上に残すことができる。幾つかの実施形態において、積層される基材は銅箔または銅シートである。幾つかの実施形態において、積層される基材は銅箔または銅シートである。幾つかの実施形態において、積層される基材は銅被覆（エッチング、部分エッチング、またはエッチングなし）の、または銅被覆なしのガラス繊維コアである。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは金属（例えば、銅）で被覆されまたは被覆されない。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは非強化（例えば、強化されず、織布または不織布のガラスクロス、有機織布または不織布（例えば、マイクロサイズまたはナノサイズの無機または有機充填剤）を含まない）である。

誘電材料を含むＰＣＢの製造方法
ひとつの実施形態において、プリント回路基板のための積層物を形成するための手順は次のような操作を包含する：

Ａ.電気的な積層物が望ましい場合、１つまたはより多くのプリプレグシートを銅箔のような１つまたはより多くの導電性材料のシートと交互の層にスタックまたは積み重ねる。

Ｂ.積み重ねたシートを高められた温度および圧力において、プリプレグ組成物を完全に接着し積層物を形成するのに十分な時間にわたって圧縮する。この積層工程における温度は通常、１００℃と２３０℃の間である。この積層工程は通常、１分間から２００分間、最も多くは１０分間から９０分間の時間にわたって行われる。この積層工程は任意選択的に、より高い温度においてより短い時間にわたって（連続積層プロセスにおけるように）、またはより長時間にわたりより低い温度で（低エネルギー圧縮プロセスにおけるように）行ってよい。

Ｃ.任意選択的に、得られた積層物、例えば銅被覆積層物は、より高い温度および雰囲気圧力において所定時間にわたり後処理されてよい。この後処理の温度は通常、１２０℃と２５０℃の間である。この後処理は通常、３０分間から１２時間の間である。

本願に提示されるひとつの実施形態は、プリント回路基板の作成または組み立てのための方法であり、本願に記載のシートまたはフィルムの取り込みを含んでいる。幾つかの実施形態において、この基板は高密度相互接続基板（ＨＤＩ基板）である。幾つかの実施形態において、この基板は半導体チップのパッケージング用途に使用される。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは差動ライン相互の間におけるスキューを除去する目的に役立つ。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは上部の銅シートの下側に配置されて、鉛フリー半田での組み立てに際してのパッドのクレーター状破壊を排除する。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは重い（＞３オンス／平方フィート）銅層を充填するために使用される。幾つかの実施形態において、フィルムはＬＥＤまたは他の高出力デバイスをパッケージングする用途について熱伝導率を向上させるために使用され、また一般にはプリント回路基板における熱伝導率を改善するために使用される。幾つかの実施形態において、両面を被覆されたシートまたはフィルムは埋設コンデンサ層のために使用される。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは２.５Ｄチップパッケージングの用途または他の埋設部品のパッケージングにおいて、シリコンまたは他のインターポーザ材料を埋め込むために使用される。

幾つかの実施形態において、プリント回路基板は高密度相互接続（ＨＤＩ）プリント回路基板である。ＨＤＩプリント回路基板は他のＰＣＢとは、ＨＤＩ－ＰＣＢが構築技術を使用しており、プロセス工程数がずっと少ない従来の多層プロセスとは違い基板が層ごとに連続的に積み上げられるという意味において異なっている。ＨＤＩは、サイズの小さな回路基板が好ましい用途について幅広く使用されてる。ＨＤＩ－ＰＣＢが使用される多くのシステムについて望ましいのは、ＰＣＢの機能性を増大させながら面積を低減させることである。こうした進歩は一般に、部品の小型化によって引き起こされ、モバイル・コンピューティング、４Ｇおよび５Ｇのアプリケーション、アビオニクス、および軍事用アプリケーションによって引き起こされる。これらの目標を達成するために、ＨＤＩ－ＰＣＢは何世代にもわたって薄く、より薄い誘電材料を一般に使用してきており、そしてレーザードリルによってマイクロビアを形成している。

幾つかの実施形態において、プリント回路基板は１＋ｎ＋１のタイプであり、ここでｎ個の層は複数層のサブアセンブリであることができ、殆どの場合にｎの最小値は２であって両面のコア積層物であることを意味している。こうした実施形態について各々の側にある１つの構築層は、ポリマーを含むフィルムで作成される。幾つかの実施形態において、プリント回路基板は多数層の両面基板または片面基板である。幾つかの実施形態において、シートまたはフィルムは連続的な構築プロセスにおいて使用される。幾つかの実施形態において、プリント回路基板は高密度相互接続（ＨＤＩ）プリント回路基板である。幾つかの実施形態において、ポリマー誘電体フィルムを含む構築層を使用した高密度相互接続プリント回路基板はｉ＋ｎ＋ｉ構造であり、ここでｉは２に等しいかより大きい。幾つかの実施形態において、１＋ｎ＋１構造またはｉ＋ｎ＋ｉ構造であってｉが２に等しいかより大きいＨＤＩの構築層は、０.２５ミルと４ミルの間の厚さのポリマー誘電体フィルムを使用する。幾つかの実施形態において、ポリマーを含む構築層は任意の数層のＨＤＩ基板について使用され、０.２５～４ミルの間の厚みを有する。幾つかの実施形態において、１＋ｎ＋１構造またはｉ＋ｎ＋ｉ構造であってｉが２に等しいかより大きいＨＤＩの構築層、または任意の層数のＨＤＩの構築層は、サブトラクティブエッチング技術で製造される。幾つかの実施形態において、１＋ｎ＋１構造またはｉ＋ｎ＋ｉ構造であってｉが２に等しいかより大きいＨＤＩの構築層、または任意の層数のＨＤＩの構築層は、修正セミアディティブ技術（ｍＳＡＰ）またはフルアディティブ技術によって製造される。幾つかの実施形態において、ポリマー誘電体フィルムを含む構築層は、銅の薄層がスパッタリングされている。幾つかの実施形態において、構築層はその表面の片側上に銅のナノ層を有している。

また、Ｂステージのエポキシが溶融され強化基材に圧入されるホットメルト法のような、ＰＣＢ用途のためのプリプレグおよび積層物を作成するために使用される他の方法が存在する。

ＰＣＢの誘電体層はビア孔を含んでいてよい。幾つかの実施形態において、孔部、トレース間のギャップを含めて、またはトレースを封入するために、充填を必要とする領域上にシートまたはフィルムを配置することによって、ビア孔はシートまたはフィルムで充填されてよい。これは他の手段による樹脂充填が困難である、銅に関連する使用（例えば厚銅）を含んでいる。この樹脂充填は、基板の全体にわたって実行可能であり、またはごく小さな領域に集中して実行可能である。

幾つかの実施形態においては、ポリマー組成物の薄層（例えば、非常に薄い層）が、金属（例えば、銅）と、金属が接合される熱硬化性または熱可塑性材料との間に使用される。幾つかの実施形態においては、ポリマー組成物の薄層（例えば、非常に薄い層）が、プリント回路基板の上部の金属層と、金属が接合される熱硬化性または熱可塑性材料との間にある。

定義
別途定義しない限り、本願で使用されるすべての技術的および科学的な用語は、本開示が属する技術分野の当業者によって通常理解されるのと同じ意味を有している。

冠詞「ひとつの」および「ある」は本願において、その冠詞の文法的な対象物が１つまたは１つより多い（すなわち少なくとも１つ）ことを示すために用いられてよい。例示すると「ある類似物」は１つの類似物または１つよりも多い類似物を意味する。

本願で参照するすべての範囲は、２つの値の「間」の範囲を示す端点などの端点を含む。

本願で用いるところでは、「約」は当業者によって理解される通りであり、それが使用される文脈に応じて幾分か変化する。仮にこの用語の使用が、それが使用される文脈を見ても当業者にとって明確でない場合には、「約」はその項のプラスマイナス１０％までを意味する。

本願で用いるところでは、「熱可塑性」または「熱可塑性ポリマー組成物」は、特定の温度を超えると柔軟または成形可能となり、冷却すると固化するプラスチック材料またはポリマーを意味することが理解される。

本願で用いるところでは、「熱硬化」、「熱硬化性」、「熱硬化性材料」または「熱硬化性ポリマー組成物」は、硬化によって不溶性ポリマーネットワークへと不可逆的に変化し、いったん硬化すると液状に戻るように再加熱して溶融することができない、軟質固体または粘稠状態のポリマーまたは樹脂を意味する。

本願で用いるところでは、「プリント回路基板」は、電子的、光学的および／または光電的部品の機械的支持および電気的接続システムを示している。例えば、プリント回路は、基板の片側上または両側上に薄層銅箔ラミネーションを備えた一次絶縁基板（例えば、ＦＲ－４ガラスエポキシ）であることができる。本願で用いるところでは、「プリント回路基板部品またはパーツ」は、ＰＣＢの電子的、光学的および／または光電的部品を指している（例えば、導電性トラック、パッド、または非導電性基板上に積層された銅シートからエッチングされてよい他の特徴を介して接続された電子的、光学的および／または光電的部品）。

本願で用いるところでは、用語「マイクロビア」はＰＣＢの単層を貫通するビアを指していてよい。

本願で用いるところでは、「積層物」は、任意選択的に１つまたはより多くの側が金属（例えば銅）箔で被覆されていてよいプリプレグの１つまたはより多くの層を含む複合体を指しており、熱および圧力を適用することによって最終生成物へと形成される。本願に記載の積層物は、硬化または未硬化であってよい。

本願で用いるところでは、「プリプレグ」は強化されまたは強化されていない誘電材料の接合層を指している。本願に記載のポリマー組成物は、積層物を製造するためにプリプレグとして使用されてよい。熱可塑性ポリマーは、繊維による強化なしに使用される。プリプレグはまた一般に、接合シートとも呼ばれている。

本願で用いるところでは、用語「実質的に」は、高度の近似（例えば、定量可能な性質の＋／－１０％）を意味しているが、絶対的な精度や完全な一致を要求するものではない。

本願で用いるところでは、「Ｔｇ」および「ガラス転移温度」という用語は本願において互換的に使用されている。

以下の実施例は本願に記載の実施形態を例によって示すために提供されたものであり、いかなる意味においても実施形態の範囲を限定するように解釈されるものではない。

略語：ＤＫ：誘電率；ＤＦ：散逸率；ＣＴＥ：熱膨張係数

実施例１－誘電体フィルムの製造および性質
低Ｔｇ、低モジュラス、低誘電率、および低散逸率が組み合わさった誘電体フィルムの具体例およびそれらの幾つかの性質が表１に示されている。組成物は、１）成分を溶融ミキサー装置で混ぜ合わせること（すなわち、無溶媒法）；または２）高速回転ミキサーで溶媒中で混ぜ合わせ均一に分散させてワニスとすることの何れかによって得られ；次いでバーを用いてワニスを２ミルのＰＥＴフィルム上にゆっくりと流下させ、そして保持溶媒が＜１％のレベルまでオーブン中で乾燥して、組成物を約１～３ミル厚みのフィルムとして生成する。物理的および電気的なデータは、誘電体フィルムの層をスタックし、６×６インチの水圧プレスを２５０Ｐｓｉの圧力で使用して強固化し、続いて華氏３３０度（１６６℃）で３０分間硬化して０.６ｍｍの厚みを有するフィルムを形成することによって得た。Ｒｉｃｏｎ２５７は、トータルグループ（米国）によって製造されている低分子量、高ビニル含量のブタジエン－スチレンコポリマーである。Ｒｉｃｏｎ１５４はトータルグループ（米国）によって製造されている低分子量、高ビニル含量のポリブタジエン樹脂である。ＫＲ０５はイネオス社（ドイツ国）によって製造されている高分子量の、主として１,４－付加のスチレンブタジエンコポリマーである。ＳＲ８９８３はライオンエラストマー社（米国）によって製造されている高分子量の、主として１,４－付加のスチレンブタジエンコポリマーである。ＳＡ９０００はサビック社（米国）によって製造されているメタクリレート末端ポリフェニレンエーテルである。ＧＭＩ５１００はシンエーティーアンドシー社（韓国）によって製造されているビスマレイミドである。充填剤およびリン系難燃剤ＯＰ９３５はクラリアント社（欧州）によって製造されているＥｘｏｌｉｔ（登録商標）である。ＧＢはスリーエム社（米国）によって製造されているガラス微小球である。溶融シリカはイメリスリフラクトリーミネラルズ（米国）によって製造されているｔｅｃｏ－ｓｉｌ－１０である。ＰＴＦＥパウダーはシャムロックテクノロジーズ（米国）によって製造されているＳＳＴ－４ＭＧである。ＡＧＥはシグマアルドリッチ社（米国）からのアリルグリシジルエーテルである。Ｄｉｃｕｐ－Ｒ（登録商標）はアルケマ社（米国）によって製造されている過酸化物触媒である。報告されているＤｋ（誘電率）およびＤｆ（散逸率）の値は、５ＧＨｚにおいてスプリットポスト誘電体共振器により得られている。報告されているＣＴＥ値は、熱機械分析器（ＴＭＡ）を使用して得られている。報告されているヤングモジュラスおよびＴｇの値は、動的機械分析器（ＤＭＡ）を使用して得られている。剥離強度の測定値は、１オンスの銅の重量値に相当する。

実施例２－本開示の誘電体フィルムの性質
表２は本技術分野で公知のフィルムと比較して、改善されたＰＣＢ挙動をもたらす、本願に開示の実施形態における誘電体フィルムの改良された性質を示している。改良された性質には、以下でさらに詳細に説明するように、挿入損失（表２における「１６ＧＨｚでの挿入損失ｄＢ／インチ」）の低減および誘電率（表２における「Ｄｋ」）の低減が含まれる。改良された性質にはまた、ビアに対する応力（表２における「塑性応力」）の低減、したがってＰＣＢの信頼性の向上が含まれる。

誘電率、散逸率、およびスキューに基づく計算
表２における速度データは、アビシュテック社のＧａｕｓｓ２ＤおよびＧａｕｓｓＳｔａｃｋのような市販の電子設計自動化ソフトウェアを使用して生成した（例えば、計算により）。

挿入損失α_ｃは以下の数式によって計算した：

式中Ｒ_ｍ＝√（ωμ／２σ）であり、ωは角周波数、μは透磁率（例えば、銅については４π×１０^－７Ｈ／ｍに等しい）、σは導電率（銅については５.８８×１０^７Ｓ／ｍに等しい）、ｗは線幅、Ｚ_０は特性インピーダンス、そしてεは材料の誘電率である。

比較するための現在の先端技術は、３.５ミルの厚さの誘電材料と０.５オンスの銅を含んでいた。この先端技術で使用される誘電材料についての誘電率は、表２に示すように少なくとも３.２（例えば、３.２または３.４）であってよい。この先端技術で使用される誘電材料についての挿入損失は、表２に示すように少なくとも１.２４であってよい。伝送路はインピーダンスが８５～１００オーム前後の差動対として設けられた。先端技術は低誘電率（表２における「Ｄｋ」）のガラスで強化した織成ガラスクロスを用いていてよく、ここで表２において「Ｄｋ」は少なくとも３.２の値であり、Ｔｇは少なくとも１７０℃である。ガラスと樹脂の誘電率は全く非類似であるから、これはスキューの問題を導き得るが、ローテーションまたはリタイマのようなハードウェアによってある程度は緩和することができる。

対照的に、やはり表２に示されているように、本開示の実施形態における誘電体フィルム（例えば、実施例１、実施例２、および実施例４～実施例１１）は、誘電率が２.８に等しいかそれ未満（例えば、２.８、２.６、２.４、または２.１）の非ファイバーウィーブ（織目）強化フィルムを含んでおり、スキューなしに低減された挿入損失でもって幅広のラインを得ることが可能となり、また長距離にわたって高速で伝送を行うことが可能になる。

Ｔｇ／モジュラスに基づく計算
銅充填ビアを備えたＨＤＩプリント回路基板について想定した銅の性質および寸法を表３に提示する。

表３に提示したパラメータおよび表１において実験的に導出した誘電材料の物理的性質に基づいて、サンプル計算を行った。表４は、典型的な既存の材料をＴｇが１７０℃のプリプレグと共に使用して製造したＰＣＢと、表１の実施例９の低Ｄｋ、低ＤＦ、低モジュラス、および低Ｔｇの誘電材料で作成したＰＣＢの比較を示している。

本開示の実質的に等方性で低Ｔｇおよび低モジュラス、低Ｄｋで低Ｄｆのフィルムの使用は、銅の応力が降伏強度未満に維持されることを示すデータを実証したが、これに対して先端技術における既存の高Ｔｇ材料については応力が降伏強度を超過し、早期の－場合によっては組み立て自体に際しての－故障をもたらす永久的な変形が導かれる。例えば、実施例９の誘電体フィルムを使用して計算される応力は銅の降伏強度よりも小さいから、銅は弾性的に振る舞って低サイクル疲労を受けず、非常に高い信頼性が示される。対照的に、先端技術において現在使用されている典型的な既存の材料（この場合には１７０℃のＴｇの材料のプリプレグ）は、より大きな応力を生ずる結果になる。こうした結果は、現状の材料の組み合わせが使用された場合には、過大応力に起因する故障および塑性ひずみに起因する疲労の可能性があることを示している。

表１に記載した他の誘電体フィルムについて応力を計算した。表２に示すように、それらの実質的に等方性で、低Ｔｇ、低モジュラス、低Ｄｋおよび低Ｄｆの材料は、先端技術の高Ｔｇ材料と比較したとき、ゼロの塑性ひずみ、または実質的に低い塑性ひずみのいずれかを有している。加えて、表２に示すように、この開示は低い挿入損失をもたらす。よって、本開示を用いることにより、高い信頼性があり且つ高速なＰＣＢを製造可能であることが実証されている。

均等
当業者は、単に型通りの実験を用いることによって、本願に具体的に記載された特定の実施形態に対する多くの均等物を認識し、または確認可能である。そうした均等物は、以下の特許請求の範囲に包含されることが意図されている。

Claims (9)

1. プリント回路基板において基材層として構成される誘電体熱硬化性フィルムであって、前記誘電体熱硬化性フィルムが：
   （ｉ）１３５℃未満のガラス転移温度；
   （ｉｉ）２.８未満の誘電率；および
   （ｉｉｉ）前記誘電体熱硬化性フィルムの平均温度が前記誘電体熱硬化性フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）未満である場合に３ＧＰａに等しいかそれ未満の引張モジュラスを有し；前記引張モジュラスが実質的に等方性である、誘電体熱硬化性フィルム。
2. 前記誘電体熱硬化性フィルムが約０.０１未満の散逸率を有する、請求項１の誘電体熱硬化性フィルム。
3. 前記誘電体熱硬化性フィルムが約０.００６未満の散逸率を有する、請求項１の誘電体熱硬化性フィルム。
4. 前記誘電体熱硬化性フィルムの前記ガラス転移温度が約１３０℃未満である、請求項１の誘電体熱硬化性フィルム。
5. 前記誘電体熱硬化性フィルムの平均温度が前記誘電体熱硬化性フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）未満である場合に引張モジュラスが２ＧＰａ未満である、請求項１の誘電体熱硬化性フィルム。
6. アルケン含有ポリマーを含む、請求項１の誘電体熱硬化性フィルム。
7. 請求項１の誘電体熱硬化性フィルムを含むプリント回路基板。
8. プリント回路基板であって：
   （ｉ）コア層；
   （ｉｉ）前記コア層の第１の側上に配置された請求項１の誘電体熱硬化性フィルム；および
   （ｉｉｉ）前記誘電体熱硬化性フィルムを貫通する１つまたはより多くのビアを含む、プリント回路基板。
9. 前記コア層がガラス繊維を基礎とするコア層である、請求項８のプリント回路基板。