JP7141275B2 - 高周波回路基板 - Google Patents
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Description
樹脂フィルムがポリエーテルエーテルケトン樹脂からなる厚さ10μm以上800μm以下のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムであり、このポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周波数800MHz以上100GHz以下の範囲における比誘電率が1.5以上3.1以下であるとともに、誘電正接が0.0001以上0.007以下であり、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの結晶化度が15%以上50%以下、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの引張最大強度が80N/mm2以上144N/mm 2 以下、かつ引張破断伸びが80%以上260%以下、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの引張弾性率が3000N/mm2以上5000N/mm 2 以下であり、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムのはんだ耐熱性が、288℃のはんだ浴にポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムを10秒間浮かべても変形しないことを特徴としている。
また、樹脂フィルムがポリエーテルエーテルケトン樹脂により押出成形されたポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムであり、ポリエーテルエーテルケトン樹脂の見かけのせん断粘度を、温度390℃における見かけのせん断速度1×102sec-1の場合に5.0×101Pa・s以上5.0×103Pa・s以下の範囲内とすることができる。
また、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周波数25GHz付近における比誘電率が1.5以上3.1以下であるとともに、誘電正接が0.0001以上0.007以下とすることが可能である。
また、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周波数28GHz付近における比誘電率が1.5以上3.1以下であるとともに、誘電正接が0.0001以上0.007以下とすることが可能である。
また、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周波数76.5GHz付近における比誘電率が1.5以上3.1以下であるとともに、誘電正接が0.0001以上0.007以下とすることもできる。
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、高周波基板の配線の高密度化や高周波基板の多層化が容易となるのは明らかである。
〔実施例1〕
先ず、市販のポリエーテルエーテルケトン樹脂〔ソルベイスペシャルティポリマーズ社製 製品名:キータスパイアポリエーテルエーテルケトン KT-851NL SP(以下、「KT-851NL SP」と略す〕を用意し、このポリエーテルエーテルケトン樹脂を150℃に加熱した除湿乾燥機で12時間乾燥させた。
ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの結晶化度については、ポリエーテルエーテル樹脂フィルムから測定試料を約5mg秤量し、示差走査熱量計〔エスアイアイ・ナノテクノロジーズ社製:高感度型示差走査熱量計 X-DSC7000〕を使用して10℃/分の昇温速度で加熱し、このときに得られる結晶融解ピークの熱量(J/g)、再結晶化ピークの熱量(J/g)から以下の式を用いて算出した。
ここで、ΔHmはポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの10℃/分の昇温条件下での結晶融解ピークの熱量(J/g)、ΔHcはポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの10℃/分の昇温条件下での再結晶化ピークの熱量(J/g)、ΔHxは100%結晶化したポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの融解エネルギーの理論値であり、130J/gである。
ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周波数:1GHzにおける誘電特性は、ネットワーク・アナライザー〔アジレント・テクノロジー社製 PNA-Lネットワークアナライザー N5230A〕を用い、空洞共振器摂動法により測定した。1GHzにおける誘電特性の測定は、空洞共振器を空洞共振器1GHz〔関東電子応用開発社製 型式;CP431〕に変更した以外は、ASTMD2520に準拠して実施した。誘電特性の測定は、温度:23℃±1℃、湿度50%RH±5%RH環境下で実施した。
ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周波数:25GHz付近、28GHz付近、60GHz付近、76.5GHz付近の誘電特性は、ベクトルネットワークアナライザーを用い、開放型共振器法の一種であるファブリペロー法により測定した。共振器は、開放型共振器〔キーコム社製:ファブリペロー共振器 Model No.DPS03〕を使用した。
ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの機械的特性は、23℃における引張最大強度、引張破断時伸び、及び引張弾性率で評価した。機械的特性は、樹脂フィルムの押出方向と幅方向(押出方向の直角方向)について測定した。測定は、JIS K7127に準拠し、引張速度50mm/分、温度23℃の条件で実施した。
ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムのはんだ耐熱性は、JIS C 5016の試験法に準拠し、樹脂フィルムを288℃のはんだ浴に10秒間浮かべ、室温まで冷却した後、樹脂フィルムの変形やシワの発生の有無を目視により観察した。
○:樹脂フィルムに変形やシワの発生が認められない場合
×:樹脂フィルムに変形やシワの発生が認められた場合
基本的には実施例1と同様だが、実施例2ではポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの厚さを25μmに変更して高周波回路基板用のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムを製造した。
高周波回路基板用のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムが得られたら、このポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの結晶化度、誘電特性、機械的特性、及び耐熱性を実施例1と同様の方法により測定し、結果を表1に記載した。
基本的には実施例1と同様だが、実施例3ではポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの厚さを50μmに変更して高周波回路基板用のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムを製造した。
高周波回路基板用のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムが得られたら、このポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの結晶化度、誘電特性、機械的特性、及び耐熱性を実施例1と同様の方法により測定し、結果を表1に記載した。
基本的には実施例1と同様だが、ポリエーテルエーテルケトン樹脂を、Victrex Granules 450G〔ビクトレックス社;製品名(以下、「450G」と略す〕に変更し、このポリエーテルエーテルケトン樹脂を実施例1の製法にしたがい、厚さ25μmの高周波回路基板用のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムを作製した。但し、実施例1では金属ロール温度を210℃としたが、本実施例では230℃に変更した。
基本的には実施例4と同様だが、実施例5ではポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの厚さを50μmに変更し、実施例1と同様に高周波回路基板用のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムを製造した。
高周波回路基板用のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムが得られたら、このポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの結晶化度、誘電特性、機械的特性及び耐熱性を実施例1と同様の方法により測定し、結果を表3にまとめた。
基本的には実施例4と同様だが、実施例6ではポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの厚さを100μmに変更し、実施例1と同様に高周波回路基板用のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムを製造した。
高周波回路基板用のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムが得られたら、このポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの結晶化度、誘電特性、機械的特性、及び耐熱性を実施例1と同様の方法により測定し、結果を表3にまとめた。
基本的には実施例1と同じポリエーテルエーテルケトン樹脂を用い、実施例1の製法にしたがい、厚さ25μmの高周波回路基板用のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムを作製した。但し、実施例1では金属ロールの温度210℃としたが、比較例1では130℃とした。
ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムが得られたら、このポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの結晶化度、誘電特性、機械的特性、及び耐熱性を実施例1と同様の方法により測定し、結果を表4に示した。
基本的には実施例4と同じポリエーテルエーテルケトン樹脂を用い、実施例4の製法にしたがい、厚さ100μmの高周波回路基板用のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムを作製した。但し、実施例4では金属ロールの温度230℃としたが、比較例2では130℃に変更した。
実施例の結晶化度が20%以上のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムは、比誘電率が3.08以下であり、誘電正接が0.007以下であった。また、機械的性質は、引張最大強度が100N/mm2以上、引張破断時伸びが100%以上で優れた靭性を有していた。加えて、引張弾性率が3500N/mm2以上で高い剛性を有しているため、高周波回路基板としての組み立て時のハンドリング性に優れていた。さらに、耐熱性についても、288℃のはんだ浴に10秒間浮かべても、全く変形やシワの発生が認められず、高周波回路基板として使用可能な耐熱性を有していた。
これらの測定結果から、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムが誘電特性に優れ、MHz帯域からGHz帯域の高周波帯域で用いられる高周波回路基板に最適であるのが判明した。
2 シード層
3 金属層
4 導電層
Claims (5)
- 樹脂フィルムを含み、MHz帯域からGHz帯域にかけての帯域で使用される高周波回路基板であって、
樹脂フィルムがポリエーテルエーテルケトン樹脂からなる厚さ10μm以上800μm以下のポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムであり、このポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周波数800MHz以上100GHz以下の範囲における比誘電率が1.5以上3.1以下であるとともに、誘電正接が0.0001以上0.007以下であり、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの結晶化度が15%以上50%以下、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの引張最大強度が80N/mm2以上144N/mm 2 以下、かつ引張破断伸びが80%以上260%以下、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの引張弾性率が3000N/mm2以上5000N/mm 2 以下であり、ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムのはんだ耐熱性が、288℃のはんだ浴にポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムを10秒間浮かべても変形しないことを特徴とする高周波回路基板。 - ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムにスパッタリング法により積層されるシード層と、このシード層に電気めっき法により積層される導体層とを含んでなる請求項1記載の高周波回路基板。
- ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周波数28GHz付近における比誘電率が1.5以上3.1以下であるとともに、誘電正接が0.0001以上0.007以下である請求項1又は2記載の高周波回路基板。
- ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周波数60GHz付近における比誘電率が1.5以上3.1以下であるとともに、誘電正接が0.0001以上0.007以下である請求項1又は2記載の高周波回路基板。
- ポリエーテルエーテルケトン樹脂フィルムの周波数76.5GHz付近における比誘電率が1.5以上3.1以下であるとともに、誘電正接が0.0001以上0.007以下である請求項1又は2記載の高周波回路基板。
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