TWI821355B - 高頻電路基板 - Google Patents

高頻電路基板 Download PDF

Info

Publication number
TWI821355B
TWI821355B TW108127838A TW108127838A TWI821355B TW I821355 B TWI821355 B TW I821355B TW 108127838 A TW108127838 A TW 108127838A TW 108127838 A TW108127838 A TW 108127838A TW I821355 B TWI821355 B TW I821355B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin film
ether ketone
polyether ether
less
ghz
Prior art date
Application number
TW108127838A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202033064A (zh
Inventor
権田貴司
後藤大輔
Original Assignee
日商信越聚合物股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商信越聚合物股份有限公司 filed Critical 日商信越聚合物股份有限公司
Publication of TW202033064A publication Critical patent/TW202033064A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI821355B publication Critical patent/TWI821355B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)

Abstract

本發明提供使相對介電係數與損耗正切之值降低，機械強度與耐熱性優異，容易實現活用由MHz帶域到GHz帶域之大容量/高速通訊的高頻電路基板。 係具有聚醚醚酮樹脂膜(1)之高頻電路基板，特徵為：聚醚醚酮樹脂膜(1)在頻率800MHz以上100GHz以下的範圍之相對介電係數為3.5以下而損耗正切(loss tangent)為0.007以下，聚醚醚酮樹脂膜(1)的結晶度為15%以上，聚醚醚酮樹脂膜(1)的最大拉伸強度為80N/mm2 以上，且斷裂伸長度為80%以上，聚醚醚酮樹脂膜(1)的拉伸彈性率為3000N/mm2 以上，聚醚醚酮樹脂膜(1)的焊錫耐熱性為在288℃焊錫浴終使聚醚醚酮樹脂膜(1)漂浮10秒鐘也不會變形。

Description

高頻電路基板
本發明係關於在MHz帶域到GHz帶域使用的高頻電路基板，更詳細地說，是關於在800MHz到100GHz以下的帶域使用的高頻電路基板之發明。
近年來，需求急速擴大的多機能行動電話、平板終端等移動資訊通訊機器、次世代電視等電子機器，要求使更大容量的資料更高速地送受訊，伴此檢討著電氣訊號的高頻化。例如，在移動資訊通訊領域，第五世代移動通訊系統(5G)的檢討在整個世界上推進著(參照專利文獻1,2)。此第五世代移動通訊系統的通訊速度是前一世代的數十倍以上，為了實現此技術，檢討著電氣訊號使用10GHz以上的高頻帶域。此外，於汽車領域，作為車載雷達系統，研究著稱為毫米波的60GHz以上的高頻帶域的訊號之利用。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特表2017‐507620號公報 [專利文獻2] 日本特開2015‐210271號公報
然而，從前的電路基板，並未以活用高頻帶域之大容量/高速通訊為前提而設計/開發，所以通常形式的相對介電係數之值高達4.3程度，通常形式的損耗正切也為高達0.018程度之值。大容量/高速通訊用的電路基板，要求相對介電係數或損耗正切等介電特性要低，耐熱性或機械強度等特性優異的材料。在此，所謂相對介電係數，是顯示介電質內的分極程度之參數，相對介電係數越高，電氣訊號的傳送遲延越大。亦即，要提高電氣訊號的傳送速度，使高速演算成為可能，相對介電係數是越低越好。
此外，損耗正切(也稱為tanδ)，是顯示介電質內傳送的電氣訊號被變換為熱而損失之量的參數，損耗正切越低，訊號的損失越少，電氣訊號的傳達率提高。相對介電係數高的話，電氣訊號的傳送速度變慢，損耗正切越高的話，電氣訊號的傳達率越低。此外，損耗正切，在高頻帶域，會伴隨著頻率的增加而增大，所以為了減少損失，有必要使用損耗正切的值較小的材料。亦即，在由MHz帶域到GHz帶域等高頻帶域使用的電路基板，強烈期待相對介電係數與損耗正切低的材料。
本發明係有鑑於前述問題而完成者，目的在於提供使相對介電係數與損耗正切之值降低，機械強度與耐熱性優異，可容易實現活用由MHz帶域到GHz帶域之大容量/高速通訊的高頻電路基板。
於本發明，為了解決前述課題，提供含樹脂膜之高頻電路基板，其中，樹脂膜為聚醚醚酮樹脂膜，此聚醚醚酮樹脂膜在頻率800MHz以上100GHz以下的範圍之相對介電係數為3.5以下，同時損耗正切(loss tangent)為0.007以下，聚醚醚酮樹脂膜的結晶度為15%以上，聚醚醚酮樹脂膜的最大拉伸強度為80N/mm2以上，且斷裂伸長度為80%以上，聚醚醚酮樹脂膜的拉伸彈性率為3000N/mm2以上，聚醚醚酮樹脂膜的焊錫耐熱性為在288℃焊錫浴中使聚醚醚酮樹脂膜漂浮10秒鐘也不會變形。
又，可以包含藉由濺鍍法被層積於聚醚醚酮樹脂膜的晶種層，與藉由熱熔接法被層積於此晶種層的導體層。
此外，樹脂膜為藉由聚醚醚酮樹脂被壓出成型的聚醚醚酮樹脂膜，聚醚醚酮樹脂的表觀剪切黏度，可以是在溫度390℃之表觀剪切速度為1×102sec-1的場合為5.0×101Pa．s以上5.0×103Pa．s以下的範圍內。
此外，聚醚醚酮樹脂膜的頻率1GHz附近之相對介電係數可為3.5以下，同時損耗正切亦可為0.007以 下。
此外，聚醚醚酮樹脂膜的頻率25GHz附近之相對介電係數可為3.5以下，同時損耗正切可為0.007以下。
此外，聚醚醚酮樹脂膜的頻率28GHz附近之相對介電係數可為3.5以下，同時損耗正切可為0.007以下。
此外，聚醚醚酮樹脂膜的頻率60GHz附近之相對介電係數可為3.5以下，同時損耗正切可為0.007以下。
進而，聚醚醚酮樹脂膜的頻率76.5GHz附近之相對介電係數可為3.5以下，同時損耗正切亦可為0.007以下。
在此，申請專利範圍之聚醚醚酮樹脂膜，並不特別限定是透明、不透明、半透明、無延伸膜、單軸延伸膜、雙軸延伸膜。此外，晶種層，因應需要，被層積於聚醚醚酮樹脂膜的單面，或者被層積於雙面。進而，相關於本發明的高頻電路基板，以在800MHz至100GHz以下之頻率帶域使用為佳。
根據本發明，高頻電路基板之聚醚醚酮樹脂膜的頻率800MHz至100GHz以下的範圍之相對介電係數為3.5以下，且損耗正切為0.007以下，所以可降低相對介電係數與損耗正切之值。亦即，可以使電氣訊號的傳送速度增快，增大訊號傳達率。結果，可以實現活用800MHz以上100GHz以下的MHz帶域到GHz帶域之大容量/高速通訊。
根據本發明，聚醚醚酮樹脂膜的頻率800MHz以上100GHz以下的範圍之相對介電係數為3.5以下，同時損耗正切為0.007以下，所以降低相對介電係數與損耗正切之值，具有可以容易實現活用了高頻帶域的大容量/高速通訊的效果。此外，使聚醚醚酮樹脂膜的結晶度為15%以上，可以確保優異的耐熱性。
此外，聚醚醚酮樹脂膜的機械特性，具體而言，最大拉伸強度為80N/mm2 以上，且斷裂伸長度為80%以上，所以聚醚醚酮樹脂膜韌性優異，可以防止聚醚醚酮樹脂膜的斷裂或破裂等。進而，拉伸彈性率為3000N/mm2 以上，所以可以對聚醚醚酮樹脂膜賦予高剛性，提高高頻電路基板製作時之操作性。
根據請求項第2項所記載之發明，藉由濺鍍法層積晶種層，所以聚醚醚酮樹脂膜與導體層可以體裁良好地密接，可以使這些的密接強度安定。此外，不使用接著劑而熱熔接導體層，所以接著劑的接著成分對高頻電路基板造成的不良影響很少。
根據請求項第3至5項記載之發明，可以活用800MHz以上100GHz以下的高頻帶實現高速通訊，藉由此實現，可以滿足通訊機器的高速大容量化的要求或條件。
以下，參照圖式說明本發明之較佳的實施型態的話，本實施型態之高頻電路基板，如圖1所示，係具有聚醚醚酮樹脂膜1之電路基板，特徵為：聚醚醚酮樹脂膜1在頻率800MHz以上100GHz以下的範圍之相對介電係數為3.5以下，同時損耗正切(loss tangent)為0.007以下，聚醚醚酮樹脂膜1的結晶度為15%以上，聚醚醚酮樹脂膜1的最大拉伸強度為80N/mm2 以上，且斷裂伸長度為80%以上，聚醚醚酮樹脂膜1的拉伸彈性率為3000N/mm2 以上，而且，聚醚醚酮樹脂膜1的焊錫耐熱性為在288℃焊錫浴終使聚醚醚酮樹脂膜漂浮10秒鐘也不會變形。
聚醚醚酮樹脂膜1，藉由至少為熱塑性樹脂之聚醚醚酮樹脂被製膜，成形為厚度1μm以上的樹脂膜。聚醚醚酮樹脂，沒有特別限定，但為具有以下的反覆單位之結晶性樹脂，玻璃轉移點通常為130℃以上160℃以下(測定方法為示差掃描熱量計)，較佳為135℃以上155℃以下，更佳為140℃以上150℃以下。此外，融點通常為320℃以上360℃以下(測定方法為示差掃描熱量計)，較佳為330℃以上350℃以下，更佳為335℃以上345℃以下，通常以粉狀、粒狀、顆粒狀、錠狀等適於成形加工的形式使用。
[化學式1]
聚醚醚酮樹脂的構造式之n，由機械特性的觀點來看，為10以上，較佳為20以上。此聚醚醚酮樹脂，亦可為僅由[化學式1]的反覆單位構成的同元聚合物(homopolymer)，亦可具有[化學式1]以外的反覆單位。聚醚醚酮樹脂中，[化學式1]的化學構造的比例，相對於構成聚醚醚酮樹脂的所有反覆單位的合計，為50莫耳%(莫耳百分比，以下同)以上，較佳為70莫耳%以上，更佳為80莫耳%以上為最適切。
作為聚醚醚酮樹脂的具體例，可以舉出VICTREX™公司製造的商品名：Victex Powder系列，Victrex Granules系列，Daicel-Evonik公司製造的商品名：VESTAKEEP系列，Solvay Specialty Polymers公司製造的商品名：Keta Spire®聚醚醚酮系列。作為聚醚醚酮樹脂的製造方法，例如可以舉出日本特開昭50-27897號公報、特開昭5l-119797號公報、特開昭52-38000號公報、特開昭54-90296號公報、特公昭55-23574號公報、特公昭56-2091號公報等所記載之方法。
又，聚醚醚酮樹脂，在不損及本發明的效果的範圍，也可以使用與其他的可共聚合單體構成之塊狀共聚合物、隨機共聚合物、或者是變性體。
聚醚醚酮樹脂膜1，除了聚醚醚酮樹脂以外，可以因應需要而添加聚醯亞胺(PI)樹脂、聚醯胺亞醯胺(PAI)樹脂、聚醚亞醯胺(PEI)樹脂等聚醯亞胺樹脂、聚醯胺4T(PA4T)樹脂、聚醯胺6T(PA6T)樹脂、變性聚醯胺6T(PA6T)樹脂、聚醯胺9T(PA9T)樹脂、聚醯胺10T(PA10T)樹脂、聚醯胺11T(PA11T)樹脂、聚醯胺6(PA6)樹脂、聚醯胺66(PA66)樹脂、聚醯胺46(PA46)樹脂等聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂等聚酯樹脂、聚醚酮(PEK)樹脂、聚醚醚酮(PEEK)樹脂、聚醚酮酮(PEKK)樹脂、聚醚醚酮酮(PEEKK)樹脂、聚醚酮醚酮酮(PEKEKK)樹脂等聚芳族醚酮樹脂、聚碸(PSU)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚苯基碸(PPSU)樹脂等聚碸樹脂、聚苯硫醚(PPS)樹脂、聚苯硫醚酮樹脂、聚苯硫醚碸樹脂、聚苯硫醚酮碸樹脂等聚芳族碸樹脂、聚四氟乙烯(PTFE)樹脂、聚四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚合物(PFA)樹脂、四氟乙烯-六氟丙烯共聚合物(FEP)樹脂、四氟乙烯-乙烯共聚合物(ETFE)樹脂、聚氯三氟乙烯(PCTFE)樹脂、聚偏氟乙烯(PVDF)樹脂、氟乙烯･四氟乙烯･六氟丙烯共聚合物樹脂等氟樹脂、液晶高分子(LCP)、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚芳酯(PAR)樹脂等。
於聚醚醚酮樹脂膜1，在不損及本發明的特性的範圍內除了前述樹脂以外，可以選擇性添加防氧化劑、光安定劑、著色劑、紫外線吸收劑、可塑劑、防帶電劑、增耐熱劑、難燃劑、無機化合物、有機化合物、樹脂改質劑等。
聚醚醚酮樹脂膜1的厚度，只要是1μm以上1000μm以下即可，沒有特別限定，由充分確保高頻電路基板的厚度、操作性或薄型化的觀點來看，較佳為10μm以上800μm以下，更佳為20μm以上500μm以下，進而更佳為25μm以上250μm以下。
聚醚醚酮樹脂膜1在頻率800MHz以上100GHz以下，較佳為1GHz以上90GHz以下，更佳為20GHz以上85GHz以下，進而又更佳為25GHz以上80GHz以下的範圍之相對介電係數，由實現活用高頻帶域的高速通訊的觀點來看，為3.5以下，較佳為3.2以下，更佳為3.1以下，進而更佳為3.0以下。此相對介電係數的下限沒有特別限定，實用上為1.5以上。
具體而言，聚醚醚酮樹脂膜1的頻率1GHz附近之相對介電係數為3.0，頻率25GHz附近之相對介電係數為3.0以下，頻率28GHz附近之相對介電係數為3.0以下為較佳。此外，頻率60GHz附近之相對介電係數為3.0以下，頻率76.5GHz附近之相對介電係數為3.0以下為較佳。這是因為在聚醚醚酮樹脂膜1的頻率800MHz以上100GHz以下的範圍之相對介電係數超過3.5的場合，電氣訊號的傳送速度降低，會產生不適於高速通訊的問題的緣故。
聚醚醚酮樹脂膜1在頻率800MHz以上100GHz以下，較佳為10GHz以上90GHz以下，更佳為20GHz以上85GHz以下，進而又更佳為25GHz以上80GHz以下的範圍之損耗正切，為了實現活用高頻帶域的高速通訊，為0.007以下，較佳為0.0065以下，更佳為0.0061以下。此損耗正切的下限沒有特別限定，實用上為0.0001以上。
具體而言，聚醚醚酮樹脂膜1的頻率1GHz附近之損耗正切為0.003以下，頻率25GHz附近之損耗正切為0.004以下，頻率28GHz附近之損耗正切為0.0045以下為較佳。此外，頻率60GHz附近之損耗正切為0.006以下，頻率76.5GHz附近之損耗正切為0.007以下為較佳。這是因為在頻率800MHz以上100GHz以下的範圍之損耗正切超過0.007的場合，損失變大，訊號傳達率降低，所以不適於大容量通訊的緣故。
這些相對介電係數與損耗正切之測定方法沒有特別限定，可以舉出同軸探針法、同軸S參數法、導波管S參數法、自由空間S參數法等反射/傳送(S參數)法，使用帶線(strip line)(環狀)共振腔之測定法、空孔共振腔擾動法，使用分離介電質共振腔(split-post dielectric resonator)之測定法、使用圓筒形(分裂圓柱)空孔共振腔之測定法、使用多頻平衡型圓板共振腔之測定法、使用遮斷圓筒導波管空孔共振腔之測定法、使用法布立-培若共振腔之開放型共振腔法等等利用共振腔法之方法。
此外，還可以舉出藉由使用干涉計開放型的法布立-培若法、空孔共振腔擾動法求出高頻的相對介電係數及損耗正切的方法，根據相互感應橋式電路之3端子測定法等。這些之中，以高分解性優異的法布立-培若法最適合選用。
聚醚醚酮樹脂膜1的結晶度為15%以上，較佳為20%以上，更佳為23%以上，進而更佳為25%以上。這是因為聚醚醚酮樹脂膜1的結晶度未滿15%的場合，樹脂膜的焊錫耐熱性會產生問題。相反的，結晶度15%以上的場合，可以期待可確保作為高頻電路基板使用的機械強度的緣故。
聚醚醚酮樹脂膜1的結晶度上限沒有特別限定，以50%以下為適切。理由根據是聚醚醚酮樹脂膜1的結晶度超過50%的場合，必須要長時間的熱處理，在生產性上產生問題。
關於聚醚醚酮樹脂膜的機械特性，能夠以23℃之最大拉伸強度，斷裂伸長度、及拉伸彈性率來評估。最大拉伸強度為80N/mm2 以上，較佳為90N/mm2 以上，更佳為100N/mm2 以上。此外，斷裂伸長度為80%以上，較佳為90%以上，更佳為100%以上。這是因為最大拉伸強度未滿80N/mm2 且斷裂伸長度未滿80%的場合，聚醚醚酮樹脂膜1不具有充分的韌性，所以會有在高頻電路基板的加工中產生破斷或破裂等問題之虞。
聚醚醚酮樹脂膜1之23℃的拉伸彈性率在3000N/mm2 以上5000N/mm2 以下的範圍，較佳為3300N/mm2 以上4700N/mm2 以下的範圍，更佳為3500N/mm2 以上4500N/mm2 以下的範圍最為適切。這是因為拉伸彈性率未滿3000N/mm2 的場合，聚醚醚酮樹脂膜1剛性很差，所以在高頻電路基板加工中的操作性降低所致。相反的，超過5000N/mm2 的場合，聚醚醚酮樹脂膜1的成形需要長時間達成，無法期待成本上的削減所致。
聚醚醚酮樹脂膜1的耐熱性以焊錫耐熱性來評估。具體而言，依據日本工業標準規格C 5016之試驗法，使聚醚醚酮樹脂膜1漂浮於288℃的焊錫浴10秒鐘，確認聚醚醚酮樹脂膜1發生變形或皺紋的場合，評估為耐熱性有問題。
製造這樣的聚醚醚酮樹脂膜1的場合，可以使用含有聚醚醚酮樹脂的成形材料，採用熔融壓出成形法、輪壓成形、或鑄造成形法等公知的製造方法。這些製造方法之中，由聚醚醚酮樹脂膜1的厚度精度、生產性、操作性的提高，設備的簡化等觀點來看，藉由使用T擠壓模之熔融壓出成形法進行連續壓出成形為較佳。
在此，所謂熔融壓出成形法，是使用熔融壓出成形機，熔融混練含有聚醚醚酮樹脂的成形材料，由熔融壓出成形機的T擠壓模連續地把聚醚醚酮樹脂膜1壓出的成形方法。熔融壓出成形機，例如可以使用單軸壓出成形機或二軸壓出成形機等，沒有特別限制。
以熔融壓出成形機熔融混練的成形材料，藉由熔融壓出成形機的先端部的T擠壓模連續地壓出成形為帶形的聚醚醚酮樹脂膜1，此連續的聚醚醚酮樹脂膜1被挾於下方的複數輥間被冷卻後，被捲取機捲取而製造。
製造此聚醚醚酮樹脂膜1時，聚醚醚酮樹脂的表觀剪切黏度在溫度390℃之表觀剪切速度為1.0×102 sec-1 的場合為5.0×101 Pa･s以上5.0×103 Pa･s以下的範圍內，較佳為1.0×102 Pa･s以上3.0×103 Pa･s以下，更佳為3.0×102 Pa･s以上1.5×103 Pa･s以下，進而詳細地說是5.0×102 Pa･s以上1.0×103 Pa･s以下之範圍內。
這是因為溫度390℃的表觀剪切黏度未滿5.0×101 Pa･s的場合，由T擠壓模先端部壓出的聚醚醚酮樹脂膜1的熔融張力小，所以急劇地往輥方向拉下的話，聚醚醚酮樹脂膜1會破斷的緣故。相對於此，在表觀剪切黏度超過5.0×103 Pa･s的場合，表觀剪切黏度過高，無法由T擠壓模壓出的緣故。此聚醚醚酮樹脂的表觀剪切黏度，可以藉由市售的剪切黏度/伸長黏度測定裝置來測定。
製造了聚醚醚酮樹脂膜1之後，於此聚醚醚酮樹脂膜1上形成導電層4，進而形成導電電路的配線圖案的話，可以製作高頻電路基板。導電層4，被形成於聚醚醚酮樹脂膜1的表背兩面、或表面、背面之任一面，之後形成導電電路的配線圖案。作為用於此導電層4的導電體，通常可以使用例如銅、金、銀、鉻、鐵、鋁、鎳、錫等金屬，或者由這些金屬構成的合金。
導電層4的形成方法，可以舉出(1)熱熔接聚醚醚酮樹脂膜1與金屬箔形成導電層4的方法，(2)以接著劑接著聚醚醚酮樹脂膜1與金屬箔而形成導電層4的方法，(3)於聚醚醚酮樹脂膜1形成晶種層2，同時於此晶種層2層積形成金屬層3，形成由這些晶種層2與金屬層3構成的導電層4的方法等。
(1)之方法，為把聚醚醚酮樹脂膜1與金屬箔挾在壓製成型機或是輥間，進行加熱/加壓而形成導電層4的方法。此方法的場合，金屬箔的厚度，為1μm以上100μm以下，較佳為5μm以上80μm以下，更佳為10μm以上70μm以下的範圍內。
聚醚醚酮樹脂膜1或是金屬箔的表面，為了提高熔接強度，可以形成細微的凹凸。此外，聚醚醚酮樹脂膜1或金屬箔的表面亦可進行電暈照射處理、紫外線照射處理、電漿照射處理、火焰照射處理、ITRO處理(矽烷火焰表面處理)、氧化處理、髮絲加工、噴砂加工等表面處理。此外，聚醚醚酮樹脂膜或者金屬箔的表面也可以藉矽烷耦合劑、矽烷劑、鈦酸鹽耦合劑、或者鋁酸鹽耦合劑進行處理。
(2)之方法，為在聚醚醚酮樹脂膜1與導電層4的金屬箔間配置環氧樹脂系接著劑、酚醛樹脂系接著劑、矽氧烷變性聚醯胺醯亞胺樹脂系接著劑，被挾在壓製成型機或是輥間，進行加熱/加壓而於聚醚醚酮樹脂膜1上形成金屬箔的方法。金屬箔的厚度，為1μm以上100μm以下，較佳為5μm以上80μm以下，更佳為10μm以上70μm以下的範圍內。
聚醚醚酮樹脂膜1或是金屬箔的表面，與前述同樣，由提高接著強度的觀點來看，可以形成細微的凹凸。此外，聚醚醚酮樹脂膜1或金屬箔的表面亦可施以電暈照射處理、紫外線照射處理、電漿照射處理、火焰照射處理、ITRO處理(矽烷火焰表面處理)、氧化處理、髮絲加工、噴砂加工等表面處理。此外，聚醚醚酮樹脂膜或者金屬箔的表面也與前述同樣，可以藉矽烷耦合劑、矽烷劑、鈦酸鹽耦合劑、或者鋁酸鹽耦合劑進行處理。
(3)的方法，係於聚醚醚酮樹脂膜1上藉由濺鍍法、蒸鍍法、或無電解電鍍法等方法形成接著用晶種層2，於此晶種層2上藉由熱熔接法或蒸鍍法、電鍍法形成金屬層3，將這些晶種層2與金屬層3形成導電層4之方法。晶種層2，例如可以使用銅、金、銀、鉻、鐵、鋁、鎳、錫、鋅等金屬或者由這些金屬構成的合金。此晶種層2的厚度，通常在0.1μm以上2μm以下之範圍。
於聚醚醚酮樹脂膜1上形成晶種層2時，可以為了改良這些的接著強度而形成錨層。此錨層，可以舉出鎳或鉻等金屬，但以環境性優異的鎳最為適切。
金屬層3，例如可以使用銅、金、銀、鉻、鐵、鋁、鎳、錫、鋅等金屬或者由這些金屬構成的合金。此金屬層3，亦可為1種金屬構成的單層，亦可為2種以上金屬構成的複層或多層。金屬層3的厚度，並無特別限定，但以0.1μm以上50μm以下為佳，較佳為1μm以上30μm以下。
晶種層2與金屬層3所構成的導電層4，為0.2μm以上50μm以下，較佳為1μm以上30μm以下，更佳為5μm以上20μm以下，進而更佳為5μm以上10μm以下的範圍內。晶種層2與金屬層3，可以是相同金屬，亦可為不同的金屬。此外，於導電層4的表面上，為了防止表面的腐蝕，亦可以金或鎳等金屬形成金屬層3。
這些導電層4的形成方法之中，以容易形成10μm以下的薄膜金屬層3的(3)的方法最為適切。此(3)的方法之晶種層2，例如藉由使用銅、金、銀、鎳、鉻等的濺鍍法、蒸鍍法、無電解電鍍法等，在聚醚醚酮樹脂膜1的表面被層積形成，使聚醚醚酮樹脂膜1與金屬層3密接，發揮使密接強度安定化的機能。
層積形成晶種層2時，可以採用濺鍍法、蒸鍍法、無電解電鍍法等，但採用濺鍍法的話，可以使用種種金屬作為晶種層2，而且可得高的密接強度。此外，金屬層3，在晶種層2上藉由熱熔接法或蒸鍍法、電鍍法來形成，以採用可省略接著劑的熱熔接法最為適切。
配線圖案，可以藉由蝕刻法、電鍍法或印刷法等形成必要數量。此配線圖案之形成方法，使過切(undercut)或配線過細的發生抑制在最小限度，可以使用可形成良好配線的硫酸-過氧化氫系、氯化鐵之蝕刻劑等。形成這樣的特定形狀的配線圖案的話，可以製造低介電性優異，可以抑制訊號損失的高頻電路基板。
根據前述，高頻電路基板以活用高頻帶之高速通訊為前提進行設計/開發，聚醚醚酮樹脂膜1的頻率800MHz以上100GHz以下的範圍之相對介電係數為3.5以下，且損耗正切為0.007以下，所以可使相對介電係數與損耗正切之值比從前更低。亦即，可以得到能夠以高速收送訊大容量高頻訊號之高頻電路基板。此外，藉由此高頻電路基板的使用，可以對於第五世代移動通訊系統的實現作出大幅貢獻。
此外，使耐熱性優異的結晶度15%以上的聚醚醚酮樹脂膜1用於基板材料，可以得到優異的焊錫耐熱特性。此外，因為使用散熱特性優異的聚醚醚酮樹脂膜1，所以可減少損失，使聚醚醚酮樹脂膜1的長期使用成為可能，活用高頻帶的高速通訊的實現變得非常容易。此外，不使用聚醯亞胺樹脂膜而使用聚醚醚酮樹脂膜1，所以可以簡易地使高頻基板多層化。
其次，圖2係顯示本發明之第2實施型態者，在此場合，聚醚醚酮樹脂膜1的表背兩面藉由濺鍍法分別層積接著用的薄的晶種層2，於各晶種層2藉由熱熔接法層積配線圖案用的金屬層3，藉由這些晶種層2與金屬層3形成導電層4亦可。其他部分，與前述實施型態相同，所以省略說明。 於本實施型態也可以期待與前述實施型態相同的作用效果，而且顯然高頻基板的配線的高密度化或高頻基板的多層化變得容易。
又，在前述實施型態，聚醚醚酮樹脂膜1的表面藉由濺鍍法層積形成晶種層2，但並不限定於此，藉由蒸鍍法或無電解電鍍法層積形成亦可。此外，亦可把高頻電路基板用於汽車防撞毫米波雷達裝置、先進駕駛支援系統(ADAS)、人工智能(AI)等。 [實施例]
以下，與比較例一起說明相關於本發明的高頻電路基板之實施例。 [實施例1] 首先，準備市售的聚醚醚酮樹脂[Solvay Specialty Polymers公司製造的商品名：Keta Spire®聚醚醚酮 KT-851NL SP(以下簡稱為「KT-851NL SP」)]，將此聚醚醚酮樹脂以加熱至150℃的除濕乾燥機乾燥12小時。
如此進行使聚醚醚酮樹脂乾燥之後，將此聚醚醚酮樹脂設置於具備寬幅900mm的T擠壓模的ϕ40mm壓出成形機而熔融混練，使此熔融混練的聚醚醚酮樹脂由單軸壓出成形機的T擠壓模連續壓出，之後，藉由以加熱至210℃的金屬輥冷卻，製作了厚度12.5μm的高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜。在此，ϕ40mm單軸壓出成形機的溫度為380℃～420℃，T擠壓模的溫度為400℃。
得到聚醚醚酮樹脂膜之後，評估此聚醚醚酮樹脂膜的結晶度、介電特性、機械特性及耐熱性，結果記載於表1。介電特性藉由相對介電係數與損耗正切來評估，機械特性藉由最大拉伸強度、斷裂伸長度、及拉伸彈性率來評估。此外，耐熱性藉由焊錫耐熱性來評估。
･聚醚醚酮樹脂膜的結晶度 聚醚醚酮樹脂膜的結晶度，由聚醚醚酮樹脂膜秤量約5mg的測定試樣，使用示差掃描熱量計[SII Technology公司製造的高感度型示差掃描熱量計 X-DSC7000]以10℃/分鐘的升溫速度加熱，使用此時得到的結晶熔解峰值的熱量(J/g)、再結晶化峰值的熱量(J/g)用以下之式算出。
此處，ΔHm為聚醚醚酮樹脂膜的10℃/分鐘的升溫條件下的結晶熔解峰值的熱量(J/g)、ΔHc為聚醚醚酮樹脂膜的10℃/分鐘的升溫條件下之再結晶化峰值的熱量(J/g)、ΔHx為100%結晶化的聚醚醚酮樹脂膜的熔解能的理論值，為130J/g。
･聚醚醚酮樹脂膜的介電特性[頻率：1GHz] 聚醚醚酮樹脂膜的頻率：1GHz之介電特性，使用網路分析儀[Agilent Technology公司製造 PNA-L網路分析儀 N5230A]，藉由空孔共振腔擾動法進行了測定。1GHz之介電特性的測定，除了把空孔共振腔變更為空孔共振腔1GHz[關東電子應用開發公司製造 型式：CP431]以外，依據ASTMD2520實施了測定。介電特性的測定在溫度：23℃±1℃、濕度50%RH±5%RH環境下實施。
･聚醚醚酮樹脂膜的介電特性[頻率：25GHz附近、28GHz附近、60GHz附近、76.5GHz附近] 聚醚醚酮樹脂膜的頻率：25GHz附近、28GHz附近、60GHz附近、76.5GHz附近的介電特性，使用向量網路分析儀，藉由開放型共振腔法的一種之法布立-培若法進行了測定。共振腔，使用開放型共振腔[Keycom公司製造：法布立-培若共振腔 Model No.DPS03]。
測定時，於開放型共振腔治具的試樣台上載置聚醚醚酮樹脂膜，使用向量網路分析儀以開放型共振腔法的一種之法布立-培若法進行了測定。具體而言，藉由利用在試樣台上未載置聚醚醚酮樹脂膜的狀態，以及載置聚醚醚酮樹脂膜的狀態的共振頻率的差之共振法，測定了相對介電係數與損耗正切。用於介電特性測定的具體頻率如表2所示。
介電特性的測定，具體而言在25GHz附近的介電特性，是在溫度：26℃、濕度30%的環境下，28GHz附近、60GHz附近及76.5GHz附近的介電特性是在溫度：24℃、濕度45%的環境下測定。作為特定的測定裝置，在25GHz附近、28GHz附近與60GHz附近，使用的是向量網路分析儀E8361A[Agilent Technology公司製造：製品名]。在76.5GHz附近使用的是向量網路分析儀N5227A[Agilent Technology公司製造：製品名]。
･聚醚醚酮樹脂膜的機械特性 聚醚醚酮樹脂膜的機械特性，以23℃之最大拉伸強度、斷裂伸長度、及拉伸彈性率來評估。機械特性針對樹脂膜的壓出方向與寬幅方向(壓出方向的直角方向)進行了測定。測定依據JIS K7127，以拉伸速度50mm/分鐘，溫度23℃的條件實施。
･聚醚醚酮樹脂膜的焊錫耐熱性 聚醚醚酮樹脂膜的焊錫耐熱性，依據JIS C 5016之試驗法，使樹脂膜在288℃的焊錫浴漂浮10秒鐘，冷卻至室溫後，藉由目視觀察樹脂膜有無變形或皺紋的發生。 ○：樹脂膜確認沒有變形或皺紋的發生的場合 ×：樹脂膜確認有變形或皺紋的發生的場合
[實施例2] 基本上與實施例1相同，但在實施例2把聚醚醚酮樹脂膜的厚度變更為25μm製造了高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜。 得到高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜之後，藉由與實施例1同樣的方法測定此聚醚醚酮樹脂膜的結晶度、介電特性、機械特性及耐熱性，結果記載於表1。
[實施例3] 基本上與實施例1相同，但在實施例3把聚醚醚酮樹脂膜的厚度變更為50μm製造了高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜。 得到高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜之後，藉由與實施例1同樣的方法測定此聚醚醚酮樹脂膜的結晶度、介電特性、機械特性及耐熱性，結果記載於表1。
[實施例4] 基本上與實施例1相同，但把聚醚醚酮樹脂變更為Victrex Granules 450G[VICTREX™公司 製品名(以下簡稱為「450G」)，使聚醚醚酮樹脂依照實施例1的製法，製造了厚度25μm的高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜。其中，在實施例1金屬輥溫度為210℃，在本實施例變更為230℃。
得到高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜之後，藉由與實施例1同樣的方法測定此聚醚醚酮樹脂膜的結晶度、介電特性、機械特性及耐熱性，結果記載於表3。
[實施例5] 基本上與實施例4相同，但在實施例5把聚醚醚酮樹脂膜的厚度變更為50μm，與實施例1同樣製造了高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜。 得到高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜之後，藉由與實施例1同樣的方法測定此聚醚醚酮樹脂膜的結晶度、介電特性、機械特性及耐熱性，結果整理於表3。
[實施例6] 基本上與實施例4相同，但在實施例6把聚醚醚酮樹脂膜的厚度變更為100μm，與實施例1同樣製造了高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜。 得到高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜之後，藉由與實施例1同樣的方法測定此聚醚醚酮樹脂膜的結晶度、介電特性、機械特性及耐熱性，結果整理於表3。
[比較例1] 基本上與實施例1相同使用聚醚醚酮樹脂，依照實施例1的製法，製造了厚度25μm的高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜。其中，在實施例1金屬輥溫度為210℃，在比較例1為130℃。 得到聚醚醚酮樹脂膜之後，藉由與實施例1同樣的方法測定此聚醚醚酮樹脂膜的結晶度、介電特性、機械特性及耐熱性，結果顯示於表4。
[比較例2] 基本上與實施例4相同使用聚醚醚酮樹脂，依照實施例4的製法，製造了厚度100μm的高頻電路基板用的聚醚醚酮樹脂膜。其中，在實施例4金屬輥溫度為230℃，在比較例2變更為130℃。
得到聚醚醚酮樹脂膜之後，藉由與實施例1同樣的方法測定此聚醚醚酮樹脂膜的結晶度、介電特性、機械特性及耐熱性，結果顯示於表4。
[結果] 實施例之結晶度為20%以上的聚醚醚酮樹脂膜，相對介電係數為3.08以下，損耗正切為0.007以下。此外，機械性質為最大拉伸強度為100N/mm2 以上，斷裂伸長度為100%以上，具有優異的韌性。而且，拉伸彈性率為3500N/mm2 以上具有高剛性，所以作為高頻電路基板組裝時之操作性優異。進而，耐熱性方面，在288℃的焊錫浴漂浮10秒鐘，也完全沒有變形或皺紋的發生，具有可做為高頻電路基板使用的耐熱性。
對此，比較例之結晶度未滿20%的聚醚醚酮樹脂膜，關於耐熱性在288℃的焊錫浴漂浮10秒鐘時，確認有變形或皺紋的發生，在高頻電路基板用的耐熱性上有重大問題。 由這些測定結果，查明了聚醚醚酮樹脂膜介電特性優異，最適合在MHz帶域到GHz帶域的高頻帶域使用的高頻電路基板。 [產業上利用可能性]
相關於本發明的高頻電路基板，在資訊通訊或汽車機器等領域使用。
1:聚醚醚酮樹脂膜 2:晶種層 3:金屬層 4:導電層
圖1係模式顯示相關於本發明的高頻電路基板的實施型態之剖面說明圖。 圖2係模式顯示相關於本發明的高頻電路基板的第2實施形態之剖面說明圖。
1:聚醚醚酮樹脂膜
2:晶種層
3:金屬層
4:導電層

Claims (5)

  1. 一種高頻電路基板，係含樹脂膜之高頻電路基板，其中，樹脂膜為聚醚醚酮樹脂膜，此聚醚醚酮樹脂膜在頻率800MHz以上100GHz以下的範圍之相對介電係數為3.5以下，同時損耗正切(loss tangent)為0.007以下，聚醚醚酮樹脂膜的結晶度為15%以上，聚醚醚酮樹脂膜的最大拉伸強度為80N/mm2以上，且斷裂伸長度為80%以上，聚醚醚酮樹脂膜的拉伸彈性率為3000N/mm2以上，聚醚醚酮樹脂膜的焊錫耐熱性為在288℃焊錫浴中使聚醚醚酮樹脂膜漂浮10秒鐘也不會變形。
  2. 如申請專利範圍第1項之高頻電路基板，其中包含藉由濺鍍法被層積於聚醚醚酮樹脂膜的晶種層，與藉由熱熔接法被層積於此晶種層的導體層。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之高頻電路基板，其中聚醚醚酮樹脂膜的頻率28GHz附近之相對介電係數為3.5以下，同時損耗正切為0.007以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之高頻電路基板，其中聚醚醚酮樹脂膜的頻率60GHz附近之相對介電係數為3.5以下，同時損耗正切為0.007以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之高頻電路基板，其中聚醚醚酮樹脂膜的頻率76.5GHz附近之相對介電係數為3.5以下，同時損耗正切為0.007以下。
TW108127838A 2018-08-07 2019-08-06 高頻電路基板 TWI821355B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018148493A JP7141275B2 (ja) 2018-08-07 2018-08-07 高周波回路基板
JP2018-148493 2018-08-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202033064A TW202033064A (zh) 2020-09-01
TWI821355B true TWI821355B (zh) 2023-11-11

Family

ID=69414854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108127838A TWI821355B (zh) 2018-08-07 2019-08-06 高頻電路基板

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7141275B2 (zh)
KR (1) KR20210040414A (zh)
CN (1) CN215581900U (zh)
TW (1) TWI821355B (zh)
WO (1) WO2020032020A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7176543B2 (ja) 2020-02-18 2022-11-22 株式会社デンソー 異常診断システム、異常診断方法およびコンピュータプログラム
JP7497219B2 (ja) * 2020-06-04 2024-06-10 旭化成株式会社 誘電特性評価方法及び品質管理方法
JP7057012B1 (ja) * 2021-06-30 2022-04-19 尾池工業株式会社 高周波回路基板用導電性フィルム及び高周波回路基板
US11596066B1 (en) * 2022-03-22 2023-02-28 Thintronics. Inc. Materials for printed circuit boards

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003082125A (ja) * 2001-09-14 2003-03-19 Du Pont Toray Co Ltd ２軸配向ポリエーテルケトンケトンフィルムおよびそれを用いた可撓性印刷回路基板
JP2015067683A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 倉敷紡績株式会社 プラスチックフィルムおよびその製造方法
US20180002485A1 (en) * 2015-01-13 2018-01-04 Hitachi Chemical Company, Ltd. Resin composition, support with resin layer, prepreg, laminate, multilayered printed wiring board, and printed wiring board for millimeter-wave radar
TW201809130A (zh) * 2016-05-20 2018-03-16 新日鐵住金化學股份有限公司 環氧樹脂組合物及其硬化物
US20180134920A1 (en) * 2015-05-26 2018-05-17 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Shielding film and shielded printed wiring board
TW201821547A (zh) * 2016-06-28 2018-06-16 住友電木股份有限公司 熱硬化性樹脂組成物、附載體樹脂膜、印刷配線基板及半導體裝置
TW201827508A (zh) * 2016-10-17 2018-08-01 日商松下知識產權經營股份有限公司 樹脂組成物、樹脂組成物之製造方法、預浸體、附樹脂之薄膜、附樹脂之金屬箔、覆金屬積層板及配線板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2897104B2 (ja) 1994-06-03 1999-05-31 古河電池株式会社 密閉型アルカリ蓄電池の製造方法
JP4094211B2 (ja) * 2000-08-10 2008-06-04 三菱樹脂株式会社 金属箔積層板の製造方法
JP2003082123A (ja) * 2001-09-14 2003-03-19 Du Pont Toray Co Ltd ポリアリールケトンフィルムおよびそれを用いた可撓性印刷回路基板
KR100507620B1 (ko) 2003-03-25 2005-08-10 엘에스전선 주식회사 광신호 전송 및 전력 공급을 위한 복합케이블
JP2007152799A (ja) 2005-12-06 2007-06-21 Sumitomo Chemical Co Ltd 積層体
WO2014162606A1 (ja) 2013-04-05 2014-10-09 倉敷紡績株式会社 プラスチックフィルムおよびその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003082125A (ja) * 2001-09-14 2003-03-19 Du Pont Toray Co Ltd ２軸配向ポリエーテルケトンケトンフィルムおよびそれを用いた可撓性印刷回路基板
JP2015067683A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 倉敷紡績株式会社 プラスチックフィルムおよびその製造方法
US20180002485A1 (en) * 2015-01-13 2018-01-04 Hitachi Chemical Company, Ltd. Resin composition, support with resin layer, prepreg, laminate, multilayered printed wiring board, and printed wiring board for millimeter-wave radar
US20180134920A1 (en) * 2015-05-26 2018-05-17 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Shielding film and shielded printed wiring board
TW201809130A (zh) * 2016-05-20 2018-03-16 新日鐵住金化學股份有限公司 環氧樹脂組合物及其硬化物
TW201821547A (zh) * 2016-06-28 2018-06-16 住友電木股份有限公司 熱硬化性樹脂組成物、附載體樹脂膜、印刷配線基板及半導體裝置
TW201827508A (zh) * 2016-10-17 2018-08-01 日商松下知識產權經營股份有限公司 樹脂組成物、樹脂組成物之製造方法、預浸體、附樹脂之薄膜、附樹脂之金屬箔、覆金屬積層板及配線板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020032020A1 (ja) 2020-02-13
CN215581900U (zh) 2022-01-18
KR20210040414A (ko) 2021-04-13
JP7141275B2 (ja) 2022-09-22
TW202033064A (zh) 2020-09-01
JP2020025007A (ja) 2020-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI821355B (zh) 高頻電路基板
JP6590568B2 (ja) 絶縁性フィルム、絶縁性フィルムの製造方法、および金属張積層板の製造方法
US9850401B2 (en) Multilayered polyimide film having a low dielectric constant, laminate structure including the same and manufacture thereof
US10244619B2 (en) Circuit board
JPWO2017154811A1 (ja) 金属張積層板の製造方法および金属張積層板
US11426976B2 (en) Copper-clad laminate
JPWO2017150678A1 (ja) 金属張積層板およびその製造方法
CN111902280B (zh) 多层膜及金属层叠板
JP2014060449A (ja) 高周波回路基板
TW200536628A (en) Flexible copper-cladlaminate and method for making the same
TWI584707B (zh) A method for manufacturing a flexible copper wiring board, and a method for manufacturing a flexible copper clad sheet
JP4598408B2 (ja) 接着シート
JP5308295B2 (ja) 伝送線路用熱可塑性液晶ポリマーフィルムおよび伝送線路
JP2020177987A (ja) 高周波回路基板及びその製造方法
JP2011216598A (ja) 高周波回路基板
WO2023145135A1 (ja) 積層体、及び該積層体を有する金属張積層板
JP2007254530A (ja) 積層接着シート、金属層付き積層接着シートおよび回路基板
JP7320412B2 (ja) 高周波回路基板用樹脂フィルム及びその製造方法、並びに高周波回路基板
TWI818527B (zh) 高頻電路板用導電性膜片及高頻電路板
JP2001270032A (ja) 易放熱性回路基板
TWI809265B (zh) 樹脂薄膜、高頻率迴路基板及其之製造方法
TW202212469A (zh) 樹脂薄膜及其製造方法、印刷配線板、覆蓋膜，以及層合體
JP2022115620A (ja) 積層体及びその製造方法