JP7344789B2 - 高周波回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ＭＨｚ帯域からＧＨｚ帯域にかけて使用される高周波回路基板及びその製造方法に関し、より詳しくは、８００ＭＨｚから１００ＧＨｚ以下の帯域で使用される高周波回路基板及びその製造方法に関するものである。

近年、需要が急速に拡大している多機能携帯電話やタブレット端末等の移動体情報通信機器、次世代テレビ等の電子機器には、より大容量のデータを高速で送受信することが求められており、この要望に伴い、電気信号の高周波数化が検討されている。例えば、移動体情報通信分野では、第五世代移動通信システム（５Ｇ）の検討が世界的に進められている（特許文献１、２参照）。この第五世代移動通信システムの通信速度は前世代の数十倍以上であり、これを実現するため、電気信号は１０ＧＨｚ以上の高周波数帯域が検討されている。また、自動車分野においては、車載レーダシステムとして、ミリ波と呼ばれる６０ＧＨｚ以上の高周波数帯域の信号の利用が研究されている。

特表２０１７‐５０２５９５号公報 特公平６‐２７００２号公報

しかしながら、従来における回路基板は、主に低周波数帯域を活用した通信を前提に設計・開発され、高周波数帯域を活用した大容量・高速通信を前提に設計・開発されてはいないので、比誘電率の値が通常タイプの４．３程度と高く、誘電正接も０．０１８程度と低くない値である。これに対し、大容量・高速通信用の回路基板は、比誘電率や誘電正接等の誘電特性が低く、しかも、耐熱性や機械的強度等の特性に優れる材料が要求される。

この点について詳しく説明すると、比誘電率は、誘電体内の分極の程度を示すパラメータであり、値が高い程、電気信号の伝搬遅延が大きくなる。したがって、電気信号の伝搬速度を高め、高速演算を可能にするためには、比誘電率は低いほうが好ましい。また、誘電正接（ｔａｎδともいう）は、誘電体内の伝搬する電気信号が熱に変換されて失われる量を示すパラメータであり、値が低い程、信号の損失が減少し、電気信号の伝達率が向上する。さらに、誘電正接は、高周波数帯域では、周波数の増加に伴って増大してしまうので、損失を少しでも抑制するためには、値を小さくすることのできる材料を用いる必要がある。

以上のことから、ＭＨｚ帯域からＧＨｚ帯域等の高周波数帯域で使用される回路基板は、大容量・高速通信を実現するため、従来よりも比誘電率と誘電正接の低い材料により、製造されることが強く望まれる。この点を踏まえ、比誘電率と誘電正接の低い材料が鋭意検討されているが、その結果、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂が提案され、注目されている。

熱可塑性ポリイミド樹脂は、電気絶縁性質、機械的性質、耐熱性、耐薬品性、耐加水分解性、低吸水性、リサイクル性等に優れる熱可塑性の結晶性樹脂である。この優れた性質に鑑み、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂は、自動車分野、エネルギー分野、電気・電子分野、航空・宇宙分等の広範囲な分野で使用が提案され、利用されている。

この結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂により、樹脂フィルムを製造すれば、樹脂フィルムの周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の範囲における比誘電率が４．０以下、誘電正接が０．０１０以下となり、優れた低誘電特性を得ることができる。さらに、この樹脂フィルムによれば、２８８℃のはんだ浴に１０秒間浮かべても変形しないという優れた耐熱性を得ることができる。

しかしながら、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂製の樹脂フィルムは、優れた低誘電特性と耐熱性とを得られるものの、加熱寸法安定性に劣るため、高周波回路基板上に電子部品を実装する際、実装前後で寸法変化が起こり、この寸法変化により、はんだにクラックが生じたり、接続不良が生じる。また、導電層が積層された場合、導電層との加熱寸法特性が大きく異なるため、積層体がカールしたり、変形するという大きな問題が新たに生じることとなる。

本発明は上記に鑑みなされたもので、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂により製造した樹脂フィルムの低誘電特性と耐熱性を低下させることなく、加熱寸法安定性を向上させることのできる高周波回路基板及びその製造方法を提供することを目的としている。

本発明者は、鋭意研究した結果、熱可塑性樹脂の材料中、耐熱性が最も高く、低誘電特性に優れた結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と板状無機化合物に着目し、これらを用いて本発明を完成させた。

すなわち、本発明においては上記課題を解決するため、厚さが１０μｍ以上８００μｍ以下の樹脂フィルムと、この樹脂フィルムに熱融着して積層される導電層とを含み、周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の帯域で使用されるものであって、
樹脂フィルムは、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と、アスペクト比が１０以上９０以下の非膨潤性の板状無機化合物を含有した成形材料により成形されるとともに、この成形材料の組成体積比率が熱可塑性ポリイミド樹脂７０体積％以上９９体積％以下、板状無機化合物１体積％以上３０体積％以下であり、相対結晶化度が９０％以上、周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の範囲における比誘電率が１．５以上４．０以下で、かつ誘電正接が０．０００１以上０．０１０以下、線膨張係数が熱機械分析装置を用いた引張モードにより測定した場合に１ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、２８８℃のはんだ浴に１０秒間浮かべた場合に変形しないものであることを特徴としている。

なお、成形材料の板状無機化合物は、タルク、マイカ、窒化ホウ素、シリカ、及びガラスの少なくともいずれかであることが好ましい。
また、成形材料の板状無機化合物の平均粒子径は、０．１μｍ以上５０μｍ以下であると良い。

また、本発明においては上記課題を解決するため、周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の帯域で使用される請求項１、２、又は３に記載した高周波回路基板の製造方法であって、
成形材料に結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂とアスペクト比が１０以上９０以下の非膨潤性の板状無機化合物とを含有してその組成体積比率を熱可塑性ポリイミド樹脂７０体積％以上９９体積％以下、板状無機化合物１体積％以上３０体積％以下とし、
成形材料を溶融混練して押出成形機のダイスにより樹脂フィルムに押出成形するとともに、この樹脂フィルムを冷却ロールに接触させて冷却することにより、樹脂フィルムの厚さを１０μｍ以上８００μｍ以下、樹脂フィルムの相対結晶化度を９０％以上、樹脂フィルムの周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の範囲における比誘電率を１．５以上４．０以下で、かつ誘電正接を０．０００１以上０．０１０以下、樹脂フィルムの線膨張係数を熱機械分析装置を用いた引張モードにより測定した場合に１ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、樹脂フィルムを２８８℃のはんだ浴に１０秒間浮かべた場合に変形しないものとし、
樹脂フィルムに導電層を熱融着して積層することを特徴としている。

ここで、特許請求の範囲における樹脂フィルムには、樹脂フィルムの他、樹脂シートが含まれる。この樹脂フィルムは、透明、不透明、半透明、無延伸フィルム、一軸延伸フィルム、二軸延伸フィルムを特に問うものではない。また、成形材料の結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と非膨潤性の板状無機化合物とは、押出成形機に投入する前に一体化していても良いし、そうでなくとも良い。導電層は、必要に応じ、樹脂フィルムの片面に金属薄膜等が積層されたり、両面に金属薄膜等が積層される。

本発明によれば、樹脂フィルムを、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂含有の成形材料により成形するので、樹脂フィルムの周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の範囲における比誘電率が１．５以上４．０以下で、かつ誘電正接が０．０００１以上０．０１０以下となり、比誘電率と誘電正接の値を従来よりも低くすることができる。また、成形材料に、非膨潤性や寸法安定性に資する板状無機化合物を添加するので、樹脂フィルムの線膨張係数を低下させ、樹脂フィルムの加熱寸法安定性の向上を図ることができる。

本発明によれば、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂で製造した樹脂フィルムの低誘電特性と耐熱性を低下させることなく、加熱寸法安定性を向上させることができるという効果がある。また、大容量の高周波信号を高速で送受信可能な高周波回路基板を得ることができるので、この高周波回路基板の使用により、第五世代移動通信システムの実現に寄与することができる。また、樹脂フィルムと導電層とを接着剤で接着するのではなく、熱融着して積層するので、高周波回路基板に接着剤による悪影響が及ぶのを防ぐことができる。また、樹脂フィルムの厚さが１０μｍ以上８００μｍ以下なので、高周波回路基板の厚さを充分に確保したり、ハンドリング性の向上が期待できる。
また、板状無機化合物のアスペクト比が１０以上９０以下なので、加熱寸法安定性を向上させ、機械的特性や加熱寸法安定性の異方性が大きくなるのを防止することが可能となる。加えて、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と非膨潤性の板状無機化合物の混合物より得られる樹脂フィルムの靱性低下を防止することが可能となる。また、樹脂フィルムの周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の範囲における比誘電率が１．５以上４．０以下で、かつ誘電正接が０．０００１以上０．０１０以下なので、電気信号の伝搬速度の低下防止が期待できる。さらに、２８８℃のはんだ浴に樹脂フィルムを１０秒間浮かべても変形しないので、優れた耐熱性を得ることが可能となる。

請求項２記載の発明によれば、非膨潤性の板状無機化合物を、タルク、マイカ、窒化ホウ素、シリカ、あるいはガラスの少なくともいずれかとするので、優れた加熱寸法安定性や耐熱性等を得ることができる。
請求項３記載の発明によれば、板状無機化合物の平均粒子径が０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲なので、板状無機化合物が凝集しにくくなり、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂中における均一分散性が低下するのを防止することができる。

請求項４記載の発明によれば、樹脂フィルムを溶融押出成形法により成形するので、樹脂フィルムの厚さ精度、生産性、ハンドリング性を向上させたり、製造設備の簡略化が期待できる。

本発明に係る高周波回路基板の実施形態を模式的に示す断面説明図である。 本発明に係る高周波回路基板及びその製造方法の実施形態を模式的に示す全体説明図である。 本発明に係る高周波回路基板の第２の実施形態を模式的に示す断面説明図である。

以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態における高周波回路基板１は、図１や図２に示すように、薄い樹脂フィルム２と、この樹脂フィルム２に積層される導電層４とを積層構造に備えた第五世代移動通信システム（５Ｇ）用の回路基板であり、樹脂フィルム２が、熱可塑性ポリイミド樹脂と板状無機化合物を含有した成形材料３により成形されるとともに、この成形材料３の組成体積比率が熱可塑性ポリイミド樹脂７０体積％以上９９体積％以下、板状無機化合物１体積％以上３０体積％以下とされる。

樹脂フィルム２は、少なくとも結晶性の熱可塑性ポリイミド（ＰＩ）樹脂と、電気絶縁性等に優れる非膨潤性の板状無機化合物とを含有した成形材料３を用いた成形法により、２μｍ以上１０００μｍ以下の厚さのフィルムに押出成形される。この成形材料３は、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を組成体積比率で７０体積％以上９９体積％以下、非膨潤性の板状無機化合物を組成体積比率で１体積％以上３０体積％以下含有することにより、調製される。成形材料３には、本発明の特性を損なわない範囲で上記樹脂や無機化合物の他、酸化防止剤、光安定剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、難燃剤、帯電防止剤、耐熱向上剤、無機化合物、有機化合物等が選択的に添加される。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂は、テトラカルボン酸成分と、ジアミン成分との重合により得られる。この結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂のテトラカルボン酸成分としては、シクロブタン－１，２，３，４－テトラカルボン酸、シクロペンタン－１，２，３，４－テトラカルボン酸、シクロヘキサン－１，２，４，５－テトラカルボン酸等の脂環族テトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ナフタレン－１，４，５，８－テトラカルボン酸、ピロメリット酸等があげられる。また、これらのアルキルエステル体も使用することが可能である。

これらの中でも、テトラカルボン酸成分のうち、５０モル％を越える成分がピロメリット酸であることが好ましい。これは、テトラカルボン酸成分がピロメリット酸を主成分とすれば、高周波回路基板１の耐熱性、二次加工性、及び低吸水性が向上するからである。係る観点から、テトラカルボン酸成分のうち、ピロメリット酸は、６０モル％以上が好ましく、より好ましくは８０モル％以上、さらに好ましくは９０モル％以上が良い。とりわけ、テトラカルボン酸成分の全て（１００モル％）がピロメリット酸であるのが最適である。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂のジアミン成分は、脂肪族ジアミン（脂環族ジアミンをも含む）を主成分とすることが重要である。すなわち、ジアミン成分のうち５０モル％を越える成分が脂肪族ジアミンであることが重要であり、６０モル％以上であることが好ましく、８０モル％以上であることがより好ましく、９０モル％以上であることが特に好ましい。とりわけ、ジアミン成分の全て（１００モル％）が脂肪族ジアミンであるのが最適である。この主成分が脂肪族ジアミンであることにより、高周波回路基板１に優れた耐熱性、低吸水性、成形性、及び二次加工性を付与することができる。

ジアミン成分に含まれる脂肪族ジアミンとしては、炭化水素基の両末端にアミン基を有するジアミン成分であれば、特に限定されるものではないが、耐熱性を重視する場合には、環状炭化水素の両末端にアミン基を有する脂環族ジアミンを含むことが好ましい。脂環族ジアミンの具体例としては、１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，４－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、４，４’－ジアミノジシクロヘキシルメタン、４，４’－メチレンビス（２－メチルシクロヘキシルアミン）、イソフォロンジアミン、ノルボルナンジアミン、ビス（アミノメチル）トリシクロデカン等があげられる。これらの中では、耐熱性と成形性、二次加工性を両立できるという観点から、１，３－ビス（アミノメチル）シクロヘキサンが最適である。

高周波回路基板１の成形性や二次加工性を重視する場合には、ジアミン成分に含まれる脂肪族ジアミンとして、直鎖状炭化水素の両末端にアミン基を有する直鎖状脂肪族ジアミンを含むことが好ましい。直鎖状脂肪族ジアミンとしては、アルキル基の両末端にアミン基を有するジアミン成分であれば特に制限はないが、具体例としては、エチレンジアミン（炭素数２）、プロピレンジアミン（炭素数３）、ブタンジアミン（炭素数４）、ペンタンジアミン（炭素数５）、ヘキサンジアミン（炭素数６）、ヘプタンジアミン（炭素数７）、オクタンジアミン（炭素数８）、ノナンジアミン（炭素数９）、デカンジアミン（炭素数１０）、ウンデカンジアミン（炭素数１１）、ドデカンジアミン（炭素数１２）、トリデカンジアミン（炭素数１３）、テトラデカンジアミン（炭素数１４）、ペンタデカンジアミン（炭素数１５）、ヘキサデカンジアミン（炭素数１６）、ヘプタデカンジアミン（炭素数１７）、オクタデカンジアミン（炭素数１８）、ノナデカンジアミン（炭素数１９）、エイコサン（炭素数２０）、トリアコンタン（炭素数３０）、テトラコンタン（炭素数４０）、ペンタコンタン（炭素数５０）等があげられる。

これらの中では、成形性や二次加工性、低吸湿性に優れるという観点から、炭素数４～１２の直鎖状脂肪族ジアミンが最適である。これら直鎖状脂肪族ジアミンは、炭素数１～１０の枝分かれ構造を有するものでも良い。

ジアミン成分に含まれる脂肪族ジアミン以外の成分としては、他のジアミン成分を含んでいても良い。具体的には、１，４－フェニレンジアミン、１，３－フェニレンジアミン、２，４－トルエンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、α,α’－ビス（４－アミノフェニル）１，４’－ジイソプロピルベンゼン、α,α’-ビス（３－アミノフェニル）－１，４－ジイソプロピルベンゼン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，６－ジアミノナフタレン、１，５－ジアミノナフタレン、ｐ－キシリレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン等の芳香族ジアミン成分、ポリエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、ポリプロピレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル等のエーテルジアミン成分、シロキサンジアミン類等が該当する。

ジアミン成分は、脂環族ジアミンと直鎖状脂肪族ジアミンのいずれか、又は両方を含んでも良いが、耐熱性と成形性のバランスに優れることから、脂環族ジアミンと直鎖状脂肪族ジアミンの両方を含むことが好ましい。脂環族ジアミンと直鎖状脂肪族ジアミンを両方含む場合、それぞれの含有量は、脂環族ジアミン：直鎖状脂肪族ジアミン＝９９：１～１：９９モル％の範囲であることが好ましく、９０：１０～１０：９０モル％であることがより好ましく、８０：２０～２０：８０モル％であることがさらに好ましく、７０：３０～３０：７０モル％であることが特に好ましく、６０：４０～４０：６０モル％が最適である。ジアミン成分に含まれる脂環族ジアミンと直鎖状脂肪族ジアミンの割合が係る範囲であれば、高周波回路基板１の耐熱性と成形性のバランスを向上させることができる。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の融点（融解温度ともいう）は、２８０℃以上３７０℃以下であり、好ましくは３００℃以上３５０℃以下、より好ましくは３１０℃以上３３０℃以下が良い。これは、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の融点が２８０℃未満の場合には、耐熱性を有する高周波回路基板１用の樹脂フィルム２を得ることができないからである。これに対し、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の融点が３７０℃を越える場合には、高周波回路基板１の製造温度が４００℃を越えてしまうため、高周波回路基板１の製造が困難となり、しかも、使用可能な溶融押出成形機１０が制限されてしまう等の問題が生じるからである。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移点は、１６０℃以上２４０℃以下、好ましくは１７０℃以上２１０℃以下、より好ましくは１７０℃以上１９０℃以下が良い。これは、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移点が１６０℃未満の場合には、耐熱性を有する高周波回路基板１を得ることができないからである。これに対し、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂のガラス転移点が２４０℃を越える場合には、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の融点が３７０℃を越えるので、高周波回路基板１用の樹脂フィルム２の製造温度が４００℃を越えて樹脂フィルム２の製造に支障を来したり、使用可能な溶融押出成形機１０の制限を招くからである。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の見掛けの剪断粘度は、温度３５０℃における見掛けの剪断速度１×１０^２ｓｅｃ^－１の場合に、１×１０^２Ｐａ・ｓ以上１×１０^４Ｐａ・ｓ以下の範囲内、好ましくは５×１０^２Ｐａ・ｓ以上５×１０^３Ｐａ・ｓ以下の範囲内、より好ましくは７×１０^２Ｐａ・ｓ以上１×１０^３Ｐａ・ｓ以下の範囲内が良い。これは、温度３５０℃、見掛けの剪断速度１×１０^２ｓｅｃ^－１における結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の見掛けの剪断粘度が１×１０^２Ｐａ・ｓ以上１×１０^４Ｐａ・ｓ以下の範囲内であれば、良好な溶融押出成形が可能になるという理由に基づく。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂は、本発明の効果を損なわない範囲で他の共重合可能な単量体とのランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体、あるいは変性体も使用することができる。また、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の形状は、粉状、フレーク状、ペレット状、塊状等、いかなる形状でも良い。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂は特に限定されるものではないが、好ましくは特許第５３６５７６２号公報、特許第６０２４８５９号公報、特許第６０３７０８８号公報記載、あるいは特許第６３９４６６２号公報記載の熱可塑性を有するポリイミド樹脂、より好ましくは特許第６０２４８５９号公報、特許第６０３７０８８号公報記載、あるいは特許第６３９４６６２号公報に記載された熱可塑性のポリイミド樹脂が好適である。この熱可塑性ポリイミド樹脂の具体例としては、高強度、高耐熱性、高耐溶剤性、結晶性、フィルム成形性に優れるサープリムシリーズ〔三菱瓦斯化学社製：製品名〕があげられる。

非膨潤性の板状無機化合物は、寸法安定性等に優れる非膨潤性のタルク、マイカ（雲母ともいう）、窒化ホウ素、シリカあるいはガラス等が該当する。これら非膨潤性の板状無機化合物は、単独で使用しても良いし、２種類以上を混合して使用しても構わない。これらの中では、タルクあるいはマイカがコストあるいは新モース硬度が低く、溶融押出成形機１０の摩耗を抑制できる点で好ましい。より好ましくは、電気絶縁性に優れるマイカが好適である。このマイカは、自然界で産出される天然マイカ（白雲母、黒雲母、金雲母等）と、タルクを主原料として人工的に製造される合成マイカの２種類に分類され、工業的に優れた電気絶縁材料として広く用いられている。

天然マイカは、その産地により組成や構造が異なり、加えて不純物を多く含むため、品質の安定した高周波回路基板１用の樹脂フィルム２の製造には不適切である。また、天然マイカは、水酸基〔ＯＨ基〕有しているため、耐熱性に問題がある。これに対し、合成マイカは、人工的に製造されたマイカで、組成や構造が一定であり、不純物も少ないため、加熱寸法安定性等に安定した高品質の樹脂フィルム２の製造に好適である。加えて、合成マイカは、水酸基が全てフッ素〔Ｆ基〕で置換されているので、天然マイカより耐熱性に優れる。したがって、マイカは、天然マイカより合成マイカが好ましい。

合成マイカは、水に対する挙動の違いにより、非膨潤性マイカと、膨潤性マイカとに分類される。非膨潤マイカは、水と接触しても寸法安定性等に変化を起こさないタイプの合成マイカである。これに対し、膨潤性マイカは、空気中の水分等を吸収して膨潤し、劈開してしまう性質の合成マイカである。膨潤性マイカを使用した場合、膨潤性マイカが水分を含むため、高周波回路基板１用の樹脂フィルム２が成形中に発泡してしまうおそれがある。このため、本発明で使用可能な合成マイカは、加熱寸法安定性や耐水性に優れる非膨潤性マイカが好ましく、より好ましくは６００℃以上で熱処理を施された合成マイカが最適である。

非膨潤性の合成マイカとしては、特に限定されないが下記一般式で示される合成マイカが好適に使用される。
一般式：Ｘ_{１／３～１.０}Ｙ_２～３（Ｚ_４Ｏ_１０）Ｆ_{１．５～２．０}
ここで、Ｘは配位数１２の層間をしめる陽イオン、Ｙは配位数６の八面体席をしめる陽イオン、Ｚは配位数４の四面体をしめる陽イオンであり、それぞれ以下の１種または２種以上のイオンで置換される〔Ｘ：Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｌｉ^＋、Ｒｂ^＋、Ｃａ^２＋、Ｂａ２^＋及びＳｒ^２＋、Ｙ：Ｍｇ^２＋、Ｆｅ^２＋、Ｎｉ^２＋、Ｍｎ^２＋、Ｃｏ^２＋、Ｚｎ^２＋、Ｔｉ^２＋、Ａｌ^３＋、Ｃｒ^３＋、Ｆｅ^３＋、Ｌｉ^＋、Ｚ：Ａｌ^３＋、Ｆｅ^３＋、Ｓｉ^４＋、Ｇｅ^４＋、Ｂ^３＋〕。

非膨潤性の合成マイカとしては、例えばフッ素金雲母（ＫＭｇ_３（ＡｌＳｉ_３Ｏ_１０）Ｆ_２）、フッ素四ケイ素雲母（カリウム四ケイ素雲母ともいう。ＫＭｇ_２．５（Ｓｉ_４Ｏ_１０）Ｆ_２）、カリウムテニオライト（ＫＭｇ_２Ｌｉ（Ｓｉ_４Ｏ_１０）Ｆ_２）があげられる。これらの中では、非膨潤性のフッ素四ケイ素雲母、フッ素金雲母が最適である。この合成マイカの具体例としては、耐熱性に優れる高純度で微粉末の片倉アグリコープ社製のフッ素四ケイ素雲母〔製品名：ミクロマイカＭＫシリーズ〕、トピー工業社製のフッ素金雲母〔ＰＤＭシリーズ〕、トピー工業社製のカリウム四ケイ素雲母〔ＰＤＭシリーズ〕等があげられる。

合成マイカの製造方法としては、（１）溶融法、（２）固相反応法、（３）インターカレーション法等の方法があげられる。（１）の溶融法は、シリカ、酸化マグネシウム、アルミナ、フッ化物、長石、カラン岩、それに各種金属の酸化物や炭素塩等の原料を組み合わせて混合し、１３００℃の以上の高温で溶融して徐冷する製造法である。（２）の固相反応法は、タルクを主原料とし、このタルクに、フッ化アルカリ、ケイフッ化アルカリ、さらに遷移金属を含む各種金属の酸化物や炭酸塩等を加えて混合し、１０００℃前後で反応させる製造法である。（３）のインターカレーション法は、タルクを主原料とするインターカレーション法により製造する製造法である。

非膨潤性の板状無機化合物の平均粒子径は、０．１μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下３０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下が良い。これは、非膨潤性の板状無機化合物の平均粒子径が０．１μｍ未満の場合には、板状無機化合物が凝集しやすく、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂中における均一分散性が低下するという理由に基づく。

これに対し、非膨潤性の板状無機化合物の平均粒子径が５０μｍを越える場合には、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と非膨潤性の板状無機化合物の混合物より得られる高周波回路基板１用の樹脂フィルム２の靱性が低下するという理由に基づく。また、非膨潤性の板状無機化合物が樹脂フィルム２の表面から突き出し、樹脂フィルム２の表面が粗れて伝送特性に支障を来すからである。

非膨潤性の板状無機化合物のアスペクト比は、３以上１００以下が良い。ここで、アスペクト比は、合成マイカが鱗片状粉末の場合、粒子の径を厚みで割った値をいう。合成マイカの具体的なアスペクト比は、３以上１００以下、好ましくは１０以上９０以下、より好ましくは２０以上８０以下、さらに好ましくは３０以上５０以下が良い。

これは、アスペクト比が３未満の場合には、加熱寸法安定性の改良効果が低く、しかも、樹脂フィルム２の押出方向と幅方向の機械的特性、及び加熱寸法安定性の異方性が大きくなり、不適切であるからである。これに対し、アスペクト比が１００を越える場合には、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と板状無機化合物の混合物より得られる樹脂フィルム２の靱性低下を招くからである。板状無機化合物のアスペクト比は、例えば動的画像解析法やレーザー回析散乱法等により求めることができる。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と非膨潤性の板状無機化合物の組成体積比率としては、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の組成体積比率が７０体積％以上９９体積％以下、非膨潤性の板状無機化合物の組成体積比率が１体積％以上３０体積％以下であるが、好ましくは結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の組成体積比率が７５体積％以上９５体積％以下、非膨潤性の板状無機化合物の組成体積比率が５体積％以上２５体積％以下、より好ましくは結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の組成体積比率が７５体積％以上９０体積％以下、非膨潤性の板状無機化合物の組成体積％が１０体積％以上２０体積％以下の範囲である。

これは、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の組成体積％が９９体積％を越える場合には、高周波回路基板１用の樹脂フィルム２の加熱寸法安定性の調製効果が不十分となるからである。これに対し、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の組成体積％が７０体積％未満の場合には、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と非膨潤性の板状無機化合物よりなる成形材料３の調製中、著しく発熱し、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂が熱分解するおそれがあるからである。また、この成形材料３より得られる樹脂フィルム２の靱性が失われて著しく脆くなり、樹脂フィルム２が成形中に損傷するおそれがあるからである。さらに、非膨潤性の板状無機化合物の組成体積比率が多くなるため、比誘電率や誘電正接が必要以上に著しく上昇してしまうという理由に基づく。

非膨潤性の板状無機化合物は、高周波回路基板１用の樹脂フィルム２の特性を損なわない範囲において、例えば、シランカップリング剤〔ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３‐グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ－スチルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３‐メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３‐メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトシキシラン、Ｎ－２（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトシキシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、３‐トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（ビニルベンジル）－２－アミノエチル－３－アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、３-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、トリス－（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等〕、シラン剤〔メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、１，６－ビス（トリメトキシシリルシラン）ヘキサン、トリフルオロプロピルメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、イミダゾールシラン等〕、チタネート系カップリング剤〔イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ－アミノエチル－アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジートリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２－ジアリルオキシ－１－ブチル）ビス（ジートリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等〕、アルミネート系カップリング剤〔アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート等〕等からなる各種カップリング剤で処理を施すことができる。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と非膨潤性の板状無機化合物とは、所定の時間溶融混練されて樹脂フィルム２用の成形材料３となるが、この成形材料３を調製する方法として、（１）結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と微粉末の非膨潤性の板状無機化合物とを撹拌混合することなく、溶融した結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂中に非膨潤性の板状無機化合物を添加し、これらを溶融混練して成形材料３を調製する方法、（２）結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と微粉末の非膨潤性の板状無機化合物とを室温（０℃以上５０℃以下程度の温度）で撹拌混合させた後に溶融混練し、成形材料３を調製する方法があげられる。これら（１）、（２）の方法は、いずれでも良いが、分散性や作業性の観点からすると、（１）の方法が好ましい。

（１）の方法について具体的に説明すると、成形材料３を調製するには、先ず、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂をミキシングロール、加圧ニーダー、バンバリーミキサー単軸押出機、多軸押出機（二軸押出機、三軸押出機、四軸押出機等）等の溶融混練機で溶融し、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂に非膨潤性の板状無機化合物を添加して溶融混練分散させることにより、成形材料３を調製する。

溶融混練機の調製時の温度は、溶融混練分散が可能で結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂が分解しない温度であれば、特に制限されないが、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の融点以上熱分解温度未満の範囲である。具体的には、２８０℃以上４００℃以下、好ましくは３００℃以上３８０℃以下、さらに好ましくは３２０℃以上３６０℃以下の範囲が良い。

これは、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の融点未満の場合には、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂が溶融しないので、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂含有の成形材料３を溶融押出成形することができず、逆に熱分解温度を越える場合には、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂が激しく分解するおそれがあるという理由に基づく。調製された成形材料３は、通常は塊状、ストランド状、シート状、棒状に押し出された後、粉砕機あるいは裁断機で塊状、顆粒状、ペレット状等の成形加工に適した形態で使用される。

次に（２）の方法について具体的に説明すると、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と非膨潤性の板状無機化合物とを攪拌混合して攪拌混合物を得るには、タンブラーミキサー、ヘンシルミキサー、Ｖ型混合機、ナウターミキサー、リボンブレンダー、あるいは万能攪拌ミキサー等を使用する。結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の形状は、合成マイカとより均一に分散可能な粉体状であるのが好ましい。粉体に粉砕する方法としては、例えばせん断粉砕法、衝撃粉砕法、衝突粉砕法、冷凍粉砕法、溶液粉砕法等があげられる。

成形材料３は、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と非膨潤性の板状無機化合物の攪拌混合物をミキシングロール、加圧ニーダー、バンバリーミキサー、単軸押出機、多軸押出機（二軸押出機、三軸押出機、四軸押出機等）等の溶融混練機で溶融混練し、分散させることで調製される。

この調製時における溶融混練機の温度は、溶融混練分散が可能で結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂が分解しない温度であれば、特に制限はないが、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の融点以上熱分解温度未満の範囲である。具体的には、（１）の方法の場合と同様の理由から、２８０℃以上４００℃以下、好ましくは３００℃以上３８０℃以下、より好ましくは３２０℃以上３６０℃以下の範囲が良い。調製された成形材料３は、通常は塊状、ストランド状、シート状、棒状に押し出された後、粉砕機あるいは裁断機で塊状、顆粒状、ペレット状等の成形加工に適した形態で使用される。

成形材料３は、溶融押出成形法、カレンダー成形法、あるいはキャスティング成形法等の各種成形法により樹脂フィルム２に成形される。これらの成形法の中では、ハンドリング性の向上や設備の簡略化の観点から、溶融押出成形法が最適である。この溶融押出成形法は、図２に示すように、単軸押出成形機や二軸押出成形機等からなる溶融押出成形機１０で成形材料３を溶融混練し、溶融押出成形機１０のＴダイス１３から複数の冷却ロール１６と一対の圧着ロール１７方向に帯形の樹脂フィルム２を連続的に押出成形する方法である。

溶融押出成形機１０は、図２に示すように、例えば単軸押出成形機や二軸押出成形機等からなり、投入された成形材料３を溶融混練するように機能する。この溶融押出成形機１０の上流側の上部後方には、成形材料３用の原料投入口１１が設置され、この原料投入口１１には、へリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、窒素ガス、二酸化炭素ガス等の不活性ガスを必要に応じて供給する不活性ガス供給管１２が接続されており、この不活性ガス供給管１２による不活性ガスの流入により、成形材料３中の結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の酸化劣化や酸素架橋が有効に防止される。

溶融押出成形機１０の温度は、樹脂フィルム２の成形が可能で、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂が分解しない温度であれば、特に制限されるものでないが、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の融点以上熱分解温度未満の範囲が良い。具体的には、２８０℃以上４００℃以下、好ましくは３００℃以上３８０℃以下、より好ましくは３２０℃以上３６０℃以下に調整される。これは、溶融押出成形機１０の温度が結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の融点未満の場合には、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂が溶融せずに樹脂フィルム２の成形が困難となり、逆に熱分解温度以上の場合には、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂が激しく分解するからである。

Ｔダイス１３は、溶融押出成形機１０の先端部に連結管１４を介して装着され、帯形の樹脂フィルム２を連続的に下方に押し出すよう機能する。このＴダイス１３の押出時の温度は、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の融点以上熱分解温度未満の範囲である。具体的には、２８０℃以上４００℃以下、好ましくは３００℃以上３８０℃以下、さらに好ましくは３２０℃以上３６０℃以下に調整される。これは、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の融点未満の場合には、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂含有の成形材料３の溶融押出成形に支障を来し、逆に熱分解温度を越える場合には、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂が激しく分解するおそれがあるという理由に基づく。

Ｔダイス１３の上流の連結管１４には、ギアポンプ１５が装着されることが好ましい。このギアポンプ１５は、溶融押出成形機１０により溶融混練された成形材料３を一定の流量で、かつ高精度にＴダイス１３に移送する。

複数の冷却ロール１６は、例えば圧着ロール１７よりも拡径の回転可能な金属ロールからなり、Ｔダイス１３の下方からその下流方向に一列に配列軸支されており、押し出された樹脂フィルム２を隣接する圧着ロール１７や冷却ロール１６との間に狭持し、圧着ロール１７と共に樹脂フィルム２を冷却しながらその厚さを所定の範囲内に制御する。各冷却ロール１６は、圧着ロール１７と同様、５０℃以上２６０℃以下、好ましくは１００℃以上２４０℃以下、より好ましくは１３０℃以上２２０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上２００℃以下の温度に調整され、樹脂フィルム２に摺接する。

冷却ロール１６が５０℃以上２６０℃以下の温度に調整されるのは、冷却ロール１６の温度が２６０℃を越える場合には、製造中の高周波回路基板１用の樹脂フィルム２が冷却ロール１６に密着して樹脂フィルム２の破断を招いたり、あるいはゴム層が被覆形成された圧着ロール１７の場合、圧着ロール１７のゴム層が熱分解するおそれがあるからである。これに対し、冷却ロール１６の温度が５０℃未満の場合には、冷却ロール１６の結露を招き、好ましくないからである。冷却ロール１６の温度調整や冷却方法は、空気、水、オイル等の熱媒体による方法、あるいは電気ヒーターや誘導加熱等があげられる。

一対の圧着ロール１７は、溶融押出成形機１０のＴダイス１３下方からその下流方向に一対が回転可能に軸支され、一列に並んだ複数の冷却ロール１６を挟持し、冷却ロール１６に樹脂フィルム２を圧接する。この一対の圧着ロール１７は、下流側に位置する圧着ロール１７のさらに下流に、樹脂フィルム２用の巻取機１８が設置され、この巻取機１８の巻取管１９との間には、樹脂フィルム２の側部にスリットを形成するスリット刃２０が少なくとも昇降可能に配置されており、このスリット刃２０と巻取機１８の巻取管１９との間には、樹脂フィルム２にテンションを作用させて円滑に巻き取るためのテンションロール２１が回転可能に必要数軸支される。

各圧着ロール１７の周面には、樹脂フィルム２と冷却ロール１６との密着性を向上させるため、少なくとも天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、ノルボルネンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ニトリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム等のゴム層が必要に応じて被覆形成され、このゴム層には、シリカやアルミナ等の無機化合物が選択的に添加される。これらの中では、耐熱性に優れるシリコーンゴムやフッ素ゴムの採用が好ましい。

各圧着ロール１７は、表面が金属の金属弾性ロールが必要に応じて使用され、この金属弾性ロールが使用される場合には、表面が平滑性に優れる結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂フィルム２の成形が可能となる。この金属弾性ロールの具体例としては、金属スリーブロール、エアーロール〔ディムコ社製：製品名〕、ＵＦロール〔日立造船社製：製品名〕等が該当する。

このような圧着ロール１７は、５０℃以上２６０℃以下、好ましくは１００℃以上２４０℃以下、より好ましくは１３０℃以上２２０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上２００℃以下の温度に調整され、熱可塑性ポリイミド樹脂製のフィルムに摺接してこれを冷却ロール１６に圧接する。圧着ロール１７の温度が係る範囲なのは、圧着ロール１７の温度が２６０℃を越える場合には、製造中のフィルムが圧着ロール１７に貼り付き、高周波回路基板１用の樹脂フィルム２が破断するか、あるいは圧着ロール１７に被覆形成されたゴム層が熱分解するおそれがあるからである。

逆に、圧着ロール１７の温度が５０℃未満の場合には、圧着ロール１７が結露するため、好ましくないという理由に基づく。圧着ロール１７の温度調整や冷却方法としては、空気、水、オイル等の熱媒体による方法、あるいは電気ヒーターや誘電加熱ロール等があげられる。

上記構成において、高周波回路基板１用の樹脂フィルム２を製造する場合には図２に示すように、先ず、溶融押出成形機１０の原料投入口１１に、成形材料３を同図に矢印で示す不活性ガスを供給しながら投入し、溶融押出成形機１０により成形材料３の結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と板状無機化合物とを溶融混練し、Ｔダイス１３から樹脂フィルム２を連続的に帯形に押し出す。

この際、成形材料３の溶融押出前における含水率は、２０００ｐｐｍ以下、好ましくは１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下に調整される。これは、含水率が２０００ｐｐｍを越える場合には、Ｔダイス１３から押し出された直後、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂が発泡するおそれがあるからである。

樹脂フィルム２を押し出したら、複数の冷却ロール１６、一対の圧着ロール１７、テンションロール２１、巻取機１８の巻取管１９に順次巻架し、樹脂フィルム２を冷却ロール１６により冷却した後、樹脂フィルム２の両側部をスリット刃２０でそれぞれカットするとともに、巻取機１８の巻取管１９に順次巻き取れば、高周波回路基板１用の樹脂フィルム２を製造することができる。この樹脂フィルム２製造の際、樹脂フィルム２の表面には、本発明の効果を失わない範囲で微細な凹凸を形成し、樹脂フィルム２表面の摩擦係数を低下させることができる。

樹脂フィルム２の厚さは、２μｍ以上１０００μｍ以下であれば特に限定されるものではないが、高周波回路基板１の厚さの充分な確保、ハンドリング性や薄型化の観点からすると、好ましくは１０μｍ以上８００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上５００μｍ以下、さらに好ましくは７５μｍ以上２５０μｍ以下が良い。

樹脂フィルム２の周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下、好ましくは１ＧＨｚ以上９０ＧＨｚ以下、より好ましくは１０ＧＨｚ以上８５ＧＨｚ以下、さらに好ましくは２５ＧＨｚ以上８０ＧＨｚ以下の範囲における比誘電率は、高周波数帯を活用した高速通信の実現の観点から、４．０以下、好ましくは３．７以下、より好ましくは３．５以下、さらに好ましくは３．３以下が良い。この比誘電率の下限は、特に制約されるものではないが、実用上１．５以上である。

具体的には、樹脂フィルム２の周波数１ＧＨｚにおける比誘電率が３．６以下、周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率が３．７以下、周波数２８ＧＨｚ付近における比誘電率が３．７以下、周波数７６．５ＧＨｚにおける比誘電率が３．７以下が好ましい。これは、樹脂フィルム２の周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の範囲における比誘電率が４．０を越えると、電気信号の伝搬速度が低下するため、高速通信に不適であるという問題が生じるからである。

樹脂フィルム２の周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下、好ましくは１ＧＨｚ以上９０ＧＨｚ以下、より好ましくは１０ＧＨｚ以上８５ＧＨｚ以下、さらに好ましくは２５ＧＨｚ以上８０ＧＨｚ以下の範囲における誘電正接は、高周波数帯を活用した高速通信を実現するため、０．０１０以下、好ましくは０．００８以下、より好ましくは０．００７下、さらに好ましくは０．００６以下が良い。この誘電正接の下限は、特に限定されるものではないが、実用上０．０００１以上である。

具体的には、樹脂フィルム２の周波数１ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下、周波数１０ＧＨｚ付近における誘電正接が０．００７以下が望ましい。また、周波数２８ＧＨｚ付近における誘電正接が０．００７以下、周波数７６．５ＧＨｚにおける比誘電率が０．００８以下が良い。これらは、周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の範囲における誘電正接が０．０１０を越える場合は、損失が大きく、信号伝達率が低下するため、大容量通信には不適切であるという理由に基づく。

これら比誘電率と誘電正接の測定方法としては、特に制約されるものではないが、同軸プローブ法、同軸Ｓパラメータ法、導波管Ｓパラメータ法、フリースペースＳパラメータ法等の反射・伝送（Ｓパラメータ）法、ストリップライン（リング）共振器を用いた測定法、空洞共振器摂動法、スプリットポスト誘電体共振器を用いた測定法、円筒型（スプリットシリンダー）空洞共振器を用いた測定法、マルチ周波数平衡形円板共振器を用いた測定法、遮断円筒導波管空洞共振器を用いた測定法、ファブリペロー共振器を用いた開放型共振器法等の共振器法等の方法があげられる。

また、干渉計開放型を使用するファブリペロー法、空洞共振器摂動法により高周波数の比誘電率及び誘電正接を求める方法、相互誘導ブリッジ回路による３端子測定法等があげられる。これらの中では、高分解性に優れるファブリペロー法や空洞共振器摂動法の選択が最適である。

樹脂フィルム２の相対結晶化度は、８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上、さらに好ましくは１００％が良い。これは、樹脂フィルム２の相対結晶化度が８０％未満の場合には、樹脂フィルム２のはんだ耐熱性に問題が生じるからである。また、相対結晶化度が８０％以上であれば、高周波回路基板１として使用可能な加熱寸法安定性の確保が期待できるからである。

樹脂フィルム２の結晶化度は、相対結晶化度により表すことができる。この樹脂フィルム２の相対結晶化度は、示差走査熱量計を用いて１０℃／分の昇温速度で測定した熱分析結果に基づき、以下の式により算出される。
相対結晶化度（％）＝｛１－（ΔＨｃ／ΔＨｍ）｝×１００
ΔＨｃ：再結晶化ピークの熱量（Ｊ／ｇ）
ΔＨｍ：融解ピークの熱量（Ｊ／ｇ）

樹脂フィルム２の加熱寸法安定性は、線膨張係数により表すことができる。この線膨張係数は、熱機械分析装置を用いた引張モードにより測定した場合に、樹脂フィルム２の押出方向と幅方向（押出方向と直角方向）共に１ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは３ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは５ｐｐｍ／℃以上３５ｐｐｍ／℃以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下が良い。

これは、線膨張係数が１ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下の範囲から逸脱すると、樹脂フィルム２と導電層４との積層時にカールや反りが生じやすくなり、しかも、樹脂フィルム２と導電層４とが剥離してしまうおそれがあるからである。また、高周波回路基板１上に電子部品を実装する際、実装前後で寸法変化が起こり、はんだにクラックが生じたり、接続不良が生じるおそれがあるからである。

樹脂フィルム２の機械的特性は、２３℃における引張弾性率で評価することができる。樹脂フィルム２の２３℃における引張弾性率は、２０００Ｎ／ｍｍ^２以上５０００Ｎ／ｍｍ^２以下、好ましくは２１００Ｎ／ｍｍ^２以上４０００Ｎ／ｍｍ^２以下、より好ましくは２３００Ｎ／ｍｍ^２以上３０００Ｎ／ｍｍ^２以下の範囲が最適である。これは、引張弾性率が２０００Ｎ／ｍｍ^２未満の場合には、樹脂フィルム２が剛性に劣るため、高周波回路基板１の製造中に樹脂フィルム２にシワが生じたり、樹脂フィルム２の変形を招くおそれがあるからである。逆に、５０００Ｎ／ｍｍ^２を越える場合には、樹脂フィルム２の成形に長時間を要し、コストの削減が期待できないという理由に基づく。

樹脂フィルム２の耐熱性は、高周波回路基板１の製造の便宜を考慮すると、はんだ耐熱性で評価されるのが望ましい。具体的には、ＪＩＳ規格 Ｃ ５０１６の試験法に準拠し、樹脂フィルム２を２８８℃のはんだ浴に１０秒間浮かべ、樹脂フィルム２に変形やシワの発生が認められた場合には、耐熱性に問題有と評価され、樹脂フィルム２に変形やシワの発生が認められない場合には、耐熱性に問題無と評価される。

次に、高周波回路基板１を製造する場合には、製造した樹脂フィルム２上に導電層４を形成し、その後、導電層４に導電回路の配線パターンを形成すれば、高周波回路基板１を製造することができる。導電層４は、樹脂フィルム２の表裏両面、表面、裏面のいずれかの面に形成され、後から導電回路の配線パターンが形成される。この導電層４に用いられる導電体としては、通常、例えば銅、金、銀、クロム、鉄、アルミニウム、ニッケル、スズ等の金属、あるいはこれら金属からなる合金があげられる。

導電層４の形成方法としては、（１）樹脂フィルム２と金属箔５とを熱融着して導電層４を形成する方法、（２）樹脂フィルム２と金属箔５とを接着剤で接着することにより、導電層４を形成する方法、（３）樹脂フィルム２上にシード層を形成するとともに、このシード層上に金属層を積層形成し、これらシード層と金属層とから導電層４を形成する方法等があげられる。

（１）の方法は、樹脂フィルム２と金属層である金属箔５とをプレス成形機あるいはロール間に挟み、加熱・加圧して導電層４を形成する方法である。この方法の場合、金属箔５の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上８０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上７０μｍ以下の範囲内が良い。

樹脂フィルム２あるいは金属箔５の表面は、熱融着時の融着強度を向上させるため、微細な凹凸を形成することができる。また、樹脂フィルム２あるいは金属箔５の表面をコロナ照射処理、紫外線照射処理、プラズマ照射処理、フレーム照射処理、イトロ照射処理、酸化処理、ヘアライン加工、サンドマット加工等で表面処理しても良い。また、樹脂フィルム２あるいは金属箔５の表面をシランカップリング剤、シラン剤、チタンネート系カップリング剤、あるいはアルミネート系カップリング剤で処理することもできる。

（２）の方法は、樹脂フィルム２と金属箔５の間にエポキシ樹脂系接着剤、フェノール樹脂系接着剤、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂系接着剤等の接着剤を配置し、プレス成形機あるいはロール間に挟んだ後、加熱・加圧して金属箔５を樹脂フィルム２上に形成する方法である。この方法の場合、金属箔５の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上８０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上７０μｍ以下の範囲内が良い。

樹脂フィルム２あるいは金属箔５の表面は、上記同様、接着強度を向上させる観点から、微細な凹凸を形成することができる。また、樹脂フィルム２あるいは金属箔５の表面をコロナ照射処理、紫外線照射処理、プラズマ照射処理、フレーム照射処理、イトロ照射処理、酸化処理、ヘアライン加工、サンドマット加工等で表面処理を施しても構わない。また、樹脂フィルム２あるいは金属箔５の表面を上記同様、シランカップリング剤、シラン剤、チタンネート系カップリング剤、あるいはアルミネート系カップリング剤で処理することも可能である。

（３）の方法は、樹脂フィルム２上にスパッタリング法、蒸着法、あるいはめっき法等の方法により接着用のシード層を形成し、このシード層上に熱融着法や蒸着法、めっき法により金属箔５等の金属層を形成し、これらシード層と金属層とを導電層４に形成する方法である。シード層としては、例えば銅、金、銀、クロム、鉄、アルミニウム、ニッケル、スズ、亜鉛等の金属、あるいはこれら金属からなる合金を使用することができる。シード層の厚さは、通常、０．１μｍ以上２μｍ以下の範囲である。

樹脂フィルム２上にシード層を形成する際、これらの接着強度を改良する目的でアンカー層を形成することが可能である。このアンカー層は、ニッケルあるいはクロム等の金属があげられるが、好ましくは環境性に優れるニッケルが最適である。

金属層としては、例えば銅、金、銀、クロム、鉄、アルミニウム、ニッケル、スズ、亜鉛等の金属あるいはこれら金属からなる合金を使用することができる。この金属層は、１種類の金属からなる単層でも良いし、２種類以上の金属からなる複層や多層でも良い。金属層の厚さは、特に限定されるものではないが、０．１μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上３０μｍ以下が良い。

シード層と金属層からなる導電層４は、０．２μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下の範囲内が良い。シード層と金属層は、同じ金属でも良いし、異なる金属でも良い。また、金属層の表面上には、表面の腐食を防止するため、金やニッケル等の金属保護層を被覆形成しても良い。

これらの導電層４の形成方法の中では、樹脂フィルム２と金属箔５とを熱融着する（１）の方法が最適である。これは、（２）の方法の場合には、樹脂フィルム２と金属箔５とを接着剤で接着する必要があるので、接着剤の誘電特性が反映され、高周波回路基板１の比誘電率や誘電正接が上昇してしまうという事態が生じるからである。また、（３）の方法の場合には、導電層４の形成工程が煩雑となり、コスト高を招くという理由に基づく。

導電回路の配線パターンは、エッチング法、めっき法、あるいは印刷法等により必要数形成することができる。この配線パターンの形成方法には、アンダーカットや配線細りの発生を最小限に止め、良好な配線形成を可能とする硫酸‐過酸化水素系、塩化鉄のエッチング剤等の使用が可能である。このような所定形状の配線パターンを形成すれば、低誘電性に優れ、信号の損失を抑制することのできる高周波回路基板１を製造することができる。

上記によれば、樹脂フィルム２を、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の他、非膨潤性の板状無機化合物含有の成形材料３により成形するので、線膨張係数を低下させることができる。したがって、樹脂フィルム２の加熱寸法安定性を向上させ、金属箔５等からなる導電層４との加熱寸法特性の相違を抑制することができ、導電層４を積層して高周波回路基板１を製造する場合に、高周波回路基板１がカールしたり、変形するのを防止することができる。

また、樹脂フィルム２を、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂含有の成形材料３により成形するので、樹脂フィルム２の周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の範囲における比誘電率が３．５以下で、かつ誘電正接が０．００７以下となり、比誘電率と誘電正接の値を従来よりも低くすることができる。したがって、大容量の高周波信号を高速で送受信可能な高周波回路基板１を得ることが可能となる。また、この高周波回路基板１の使用により、第五世代移動通信システムの実現に大いに寄与することが可能となる。

また、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の使用により、損失が減少し、しかも、高周波回路基板１用の樹脂フィルム２の長期使用が可能となり、高周波数帯を活用した高速通信の実現が非常に容易となる。また、単なるポリイミド樹脂ではなく、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を用いるので、高周波回路基板１を簡易に多層化することが可能となる。また、耐熱性に優れる相対結晶化度８０％以上の樹脂フィルム２を基板材料に用いるので、優れたはんだ耐熱性を得ることができる。さらに、金属箔５等の金属層をそのまま導電層４とすれば、製造コストの削減が大いに期待できる。

次に、図３は本発明の第２の実施形態を示すもので、この場合には、樹脂フィルム２の表裏両面に配線パターン用の金属箔５を熱融着法によりそれぞれ積層し、この一対の金属箔５により導電層４を形成するようにしている。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、樹脂フィルム２の両面に導電層４をそれぞれ形成するので、高周波回路基板１の配線の高密度化や高周波回路基板１の多層化が容易となるのは明らかである。

なお、上記実施形態では非膨潤性の板状無機化合物を１種類単独で使用したが、２種以上を併用しても良い。また、一枚の樹脂フィルム２に導電層４を積層したが、何らこれに限定されるものではなく、積層構造の複数枚の樹脂フィルム２に導電層４を新たに積層しても良い。また、樹脂フィルム２の表面に金属箔５を熱融着法により積層し、導電層４を積層形成したが、何らこれに限定されるものではなく、蒸着法やめっき法により積層形成しても良い。さらに、高周波回路基板１を、自動車の衝突防止ミリ波レーダ装置、先進運転支援システム（ＡＤＡＳ）、人工知能（ＡＩ）等に用いることもできる。

以下、本発明に係る高周波回路基板及びその製造方法の実施例を比較例と共に説明する。
〔実施例１〕
先ず、高周波回路基板用の樹脂フィルムを製造するため、市販されている結晶性の熱可塑性ポリイミド（ＰＩ）樹脂〔三菱瓦斯化学社製 製品名：サープリムＴＯ－６５〕を用意し、この熱可塑性ポリイミド樹脂を１６０℃に加熱した除湿熱風乾燥器で１２時間以上乾燥させた。

こうして熱可塑性ポリイミド樹脂を乾燥させたら、この熱可塑性ポリイミド樹脂を、同方向回転二軸押出機〔φ２５ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝４１、パーカーコーポレーション社製 製品名：ＨＫ２５Ｄ〕のスクリュー根元付近に設けられた第一供給口であるホッパーに投入した。また、非膨潤性の板状無機化合物として、合成マイカを使用した。合成マイカは、同方向回転二軸押出機の大気圧に開放されたベント口のすぐ隣のサイドフィーダーの第二供給口より強制圧入した。この合成マイカについては、フッ素四珪素雲母〔片倉コープアグリ社製、製品名：ミクロマイカ ＭＫ－３００、平均粒子径：１２．２μｍ〕を採用した。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を投入し、非膨潤性の合成マイカを圧入したら、これらを同方向回転二軸押出機のバレルの温度：２００℃～３５０℃、スクリューの回転数：１５０ｒｐｍ、時間当たりの吐出量：５．８ｋｇ／ｈｒの条件下で溶融混練し、ストランド状に押出した。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂の溶融状態は、同方向回転二軸押出機のベント口から目視により観察した。この結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と合成マイカとは、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と合成マイカが組成体積比率で結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂８９．３体積％、合成マイカ１０．７体積％となるように添加した。同方向回転二軸押出機よりストランド状の押出成形物を押し出したら、この押出成形物を空冷固化した後、ペレット状にカッティングして成形材料を作製した。

次いで、得られた成形材料を幅１５０ｍｍのＴダイス付きの単軸押出機に投入して溶融混練し、この溶融混練した成形材料をＴダイスから連続的に押し出して高周波回路基板用の樹脂フィルムを厚さ５０μｍの帯形に押出成形した。単軸押出成形機は、φ２０ｍｍ、スクリュー：フルフライトスクリュー（Ｌ／Ｄ＝２５、圧縮比：２．５）タイプとした。また、単軸押出成形機の温度は３４０～３５０℃、Ｔダイスの温度３５０℃、単軸押出成形機とＴダイスとを連結する連結管の温度はそれぞれ３５０℃に調整した。溶融した成形材料の温度については、Ｔダイス入口の樹脂温度を測定することとし、測定したところ３５３℃であった。

こうして高周波回路基板用の樹脂フィルムを押出成形したら、この高周波回路基板用の樹脂フィルムを、図２に示すようなシリコーンゴム製の一対の圧着ロール、１５０℃の冷却ロールである複数の金属ロール、及びこれらの下流に位置する巻取機の３インチの巻取管に順次巻架するとともに、圧着ロールと金属ロールとに挟持させ、連続した樹脂フィルムの両側部をスリット刃で裁断して巻取管に順次巻き取ることにより、長さ１０ｍ、幅１３０ｍｍの高周波回路基板用の樹脂フィルムを製造した。

高周波回路基板用の樹脂フィルムを製造したら、この樹脂フィルムのフィルム厚、相対結晶化度、機械的特性、誘電特性、加熱寸法安定性、及び耐熱性を評価し、その結果を表１に記載した。機械的特性は引張弾性率で評価し、誘電特性は比誘電率と誘電正接とにより評価した。また、加熱寸法安定性は線膨張係数により評価した。耐熱性については、はんだ耐熱性により、高周波回路基板用の樹脂フィルムのカール、及びフィルムの変形で評価した。

・高周波回路基板用の樹脂フィルムのフィルム厚
高周波回路基板用の樹脂フィルムのフィルム厚さについては、マイクロメータ〔ミツトヨ社製 製品名：クーラントプルーフマイクロメータ 符号ＭＤＣ－２５ＰＪ〕を使用して測定した。測定に際しては、樹脂フィルムの幅方向（押出方向の直角方向）の任意の５箇所を測定し、その平均値をフィルム厚とした。

・高周波回路基板用の樹脂フィルムの相対結晶化度
高周波回路基板用の樹脂フィルムの相対結晶化度については、樹脂フィルムから測定試料約５ｍｇを秤量し、示差走査熱量計〔エスアイアイ・ナノテクノロジーズ社製 製品名：ＥＸＳＴＡＲ７０００シリーズ Ｘ－ＤＳＣ７０００〕を使用して昇温速度１０℃／分、測定温度範囲２０℃から３８０℃まで測定した。このときに得られる融解ピークの熱量（Ｊ／ｇ）、再結晶化ピークの熱量（Ｊ／ｇ）から以下の式を用いて算出した。

相対結晶化度（％）＝｛１－（ΔＨｃ／ΔＨｍ）｝×１００
ここで、ΔＨｃは樹脂フィルムの１０℃／分の昇温条件下での再結晶化ピークの熱量（Ｊ／ｇ）を表し、ΔＨｍは樹脂フィルムの１０℃／分の昇温条件下での融解ピークの熱量（Ｊ／ｇ）を表す。

・高周波回路基板用の樹脂フィルムの機械的性質
高周波回路基板用の樹脂フィルムの機械的性質は、２３℃における引張弾性率で評価した。機械的性質は、押出方向と幅方向（押出方向の直角方向）について測定した。測定は、ＪＩＳ Ｋ ７１２７に準拠し、引張速度５０ｍｍ／分、温度２３℃±２℃、相対湿度５０ＲＨ±５％ＲＨの条件で測定した。また、引張弾性率については、５回測定してその平均値を引張弾性率とした。

・高周波回路基板用の樹脂フィルムの誘電特性〔周波数：１ＧＨz、１０ＧＨｚ〕
高周波回路基板用の樹脂フィルムの周波数：１ＧＨｚ、１０ＧＨｚにおける誘電特性は、ベクトル・ネットワーク・アナライザー〔アンリツ社製 ＭＳ４６１２２Ｂ＋０４０＋００２〕を用い、空洞共振器摂動法により測定した。１ＧＨｚにおける誘電特性の測定は、空洞共振器を空洞共振器１ＧＨｚ〔キーコム社製 型式；１ＧＨz近辺用〕、空洞共振器１０ＧＨｚ〔キーコム社製 型式；１０ＧＨｚ近辺用〕に変更した以外は、ＡＳＴＭＤ２５２０に準拠して実施した。誘電特性の測定は、温度：２３℃±１℃、湿度５０％ＲＨ±５％ＲＨ環境下で実施した。

・高周波回路基板用の樹脂フィルムの誘電特性〔周波数：２８ＧＨｚ、７６．５ＧＨｚ〕
高周波回路基板用の樹脂フィルムの周波数：２８ＧＨｚ、７６．５ＧＨｚの誘電特性は、ベクトル・ネットワーク・アナライザーを用い、開放型共振器法の一種であるファブリペロー法により測定した。共振器は、開放型共振器〔キーコム社製：ファブリペロー共振器〕を使用した。

測定に際しては、開放型共振器冶具の試料台上に高周波回路基板用の樹脂フィルムを載せ、ベクトル・ネットワーク・アナライザー用いて開放型共振器法の一種であるファブリペロー法で測定した。具体的には、試料台の上に樹脂フィルムを載せない状態と、樹脂フィルムを載せた状態の共振周波数の差を利用する共振法により、比誘電率と誘電正接とを測定した。

誘電特性の測定、具体的には２８ＧＨｚの誘電特性は、温度：２５℃、湿度４５％環境下で所定の測定装置により測定した。所定の測定装置としては、２８ＧＨｚはベクトル・ネットワーク・アナライザーＥ８３６１Ａ〔アジレント・テクノロジー社製：製品名〕を使用した。７６．５ＧＨｚ付近では、ベクトル・ネットワーク・アナライザーＮ５２２７Ａ〔アジレント・テクノロジー社製：製品名〕を用いた。

・高周波回路基板用の樹脂フィルムの線膨張係数
高周波回路基板用の樹脂フィルムの線膨張係数は、樹脂フィルムの押出方向と幅方向（押出方向の直角方向）について測定した。具体的には、樹脂フィルムの押出方向の線膨張係数を測定する場合には、押出方向２０ｍｍ×幅方向４ｍｍ、幅方向の線膨張係数を測定する場合には、押出方向４ｍｍ×幅方向２０ｍｍの大きさに切り出して測定した。線膨張係数の測定に際しては、熱機械分析装置〔日立ハイテクサイエンス社製 製品名：ＳＩＩ／／ＳＳ７１００〕を用いた引張モードにより、荷重：５０ｍＮ、昇温速度：５℃／ｍｉｎ．の割合で２５℃から２５０℃まで昇温速度：５℃／ｍｉｎの割合で昇温し、寸法の温度変化を測定し、２５℃から１２５℃までの範囲の傾きにより線膨張係数を求めた。

・高周波回路基板用の樹脂フィルムのはんだ耐熱性
高周波回路基板用の樹脂フィルムのはんだ耐熱性は、ＪＩＳ Ｃ ５０１６の試験法に準拠し、樹脂フィルムを２８８℃のはんだ浴に１０秒間浮かべ、室温まで冷却した後、樹脂フィルムの変形やシワの発生の有無を目視により観察した。
○：樹脂フィルムに変形やシワの発生が認められない場合
×：樹脂フィルムに変形やシワの発生が認められた場合

〔実施例２〕
先ず、高周波回路基板用の樹脂フィルムを製造するため、結晶性の熱可塑性ポリイミドとして、実施例１で使用した市販の結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を用意し、この結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を１６０℃に加熱した除湿熱風乾燥器で１２時間以上乾燥させた。また、非膨潤性の板状無機化合物として、合成マイカを使用した。この合成マイカについては、市販のフッ素四ケイ素雲母〔片倉コーブアグリ社製、製品名：ミクロマイカＭＫ－１００、平均粒子径：４．８μｍ〕を使用した。

次いで、結晶性の熱可塑性ポリイミドと合成マイカとを実施例１と同様の方法により、高周波回路基板用の樹脂フィルムの成形材料に調製した。結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と合成マイカとは、組成体積比率で結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂８２．１体積％、合成マイカ１７．９体積％となるように添加した。成形材料を調製したら、この成形材料を使用して実施例１と同様の方法により、高周波回路基板用の樹脂フィルムを厚さ２５μｍの帯形に押出成形した。樹脂フィルムを押出成形したら、この樹脂フィルムの厚さ、相対結晶化度、機械的性質、誘電特性、加熱寸法安定性及び耐熱性をそれぞれ実施例１と同様の方法により評価し、表１にまとめた。

〔実施例３〕
先ず、高周波回路基板用の樹脂フィルムを製造するため、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂として、実施例１で使用した市販の結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を用意し、この結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を１６０℃に加熱した除湿熱風乾燥器で１２時間以上乾燥させた。非膨潤性の板状無機化合物としては、市販の合成マイカを使用した。この合成マイカについては、実施例２と同じフッ素四ケイ素雲母〔片倉コーブアグリ社製、製品名：ミクロマイカ ＭＫ－１００、平均粒子径：４．８μｍ〕を使用した。

次いで、結晶性の熱可塑性ポリイミドと合成マイカとを実施例１と同様の方法により、高周波回路基板用の樹脂フィルムの成形材料に調製した。結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と合成マイカとは、組成体積比率で結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂８２．１体積％、合成マイカ１７．９体積％となるように添加した。成形材料を調製したら、この成形材料を使用して実施例１と同様の方法により、高周波回路基板用の樹脂フィルムを厚さ１００μｍの帯形に押出成形した。樹脂フィルムを押出成形したら、樹脂フィルムの厚さ、相対結晶化度、機械的性質、誘電特性、加熱寸法安定性、及び耐熱性をそれぞれ実施例１と同様の方法で評価し、表１にまとめた。

〔実施例４〕
高周波回路基板用の樹脂フィルムを製造するため、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂として、市販の実施例１で使用した市販の結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を用意し、この結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を１６０℃に加熱した除湿熱風乾燥器で１２時間以上乾燥させた。非膨潤性の板状無機化合物としては、合成マイカを採用した。この合成マイカについては、市販のフッ素四ケイ素雲母〔片倉コーブアグリ社製、製品名：ミクロマイカＭＫ－１００ＤＳ、平均粒子径：２．９μｍ〕を用いた。

次いで、結晶性の熱可塑性ポリイミドと合成マイカとを実施例１と同様の方法により、高周波回路基板用の樹脂フィルムの成形材料に調製した。結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と合成マイカとは、組成体積比率で結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂７４．９体積％、合成マイカ２５．１体積％となるように添加した。成形材料を調製したら、この成形材料を使用して実施例１と同様の方法で高周波回路基板用の樹脂フィルムを厚さ７５μｍの帯形に押出成形した。樹脂フィルムを押出成形したら、この樹脂フィルムの厚さ、相対結晶化度、機械的性質、誘電特性、加熱寸法安定性、及び耐熱性をそれぞれ実施例１と同様の方法で評価し、表１にまとめた。

〔実施例５〕
高周波回路基板用の樹脂フィルムを製造するため、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂として、市販の実施例１で使用した市販の結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を用意し、この結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を１６０℃に加熱した除湿熱風乾燥器で１２時間以上乾燥させた。非膨潤性の板状無機化合物としては、市販のタルクを採用した。このタルクについては、ミクロエースＰ－８〔製品名、日本タルク社製、平均粒子径：３．３μｍ〕を使用した。

次いで、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂とタルクとを実施例１と同様の方法で高周波回路基板用の樹脂フィルムの成形材料に製造した。結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂とタルクとは、組成体積比率で結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂８２．１体積％、タルク１７．９体積％となるように添加した。成形材料を調製後、この成形材料を使用して実施例１と同様の方法で高周波回路基板用の樹脂フィルムを厚さ５０μｍの帯形に押出成形した。樹脂フィルムを押出成形したら、この樹脂フィルムの厚さ、相対結晶化度、機械的性質、誘電特性、加熱寸法安定性、及び耐熱性をそれぞれ実施例１と同様の方法で評価して表２にまとめた。

〔実施例６〕
高周波回路基板用の樹脂フィルムを製造するため、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂として、市販の実施例１で用いた市販の結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を用意し、この結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を１６０℃に加熱した除湿熱風乾燥器で１２時間以上乾燥させた。非膨潤性の板状無機化合物としては、市販の窒化ホウ素を採用した。この窒化ホウ素については、デンカＢＮ ＳＰ－２〔製品名、デンカ社製、平均粒子径：４．０μｍ〕を使用した

次いで、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と窒化ホウ素とを実施例１と同様の方法で高周波回路基板用の樹脂フィルムの成形材料に製造した。結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と窒化ホウ素は、組成体積比率で結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂８３．３体積％、窒化ホウ素１６．７体積％となるように添加した。成形材料を調製後、この成形材料を使用して実施例１と同様の方法で高周波回路基板用の樹脂フィルムを厚さ５５μｍの帯形に押出成形した。樹脂フィルムを押出成形したら、この樹脂フィルムの厚さ、相対結晶化度、機械的性質、誘電特性、加熱寸法安定性、及び耐熱性をそれぞれ実施例１と同様の方法により評価して表２にまとめた。

〔比較例１〕
実施例１で使用した結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂のみを用意し、この結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を１６０℃に加熱した除湿乾燥機で１２時間以上乾燥させた。結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を乾燥させたら、この熱可塑性ポリイミド樹脂を実施例１で使用した幅１５０ｍｍのＴダイスを備えたφ２０ｍｍ押出成形機にセットして溶融混練し、この溶融混練した熱可塑性ポリイミド樹脂を単軸押出成形機のＴダイスから連続的に押し出し、高周波回路基板用の樹脂フィルムを厚さ５０μｍの帯形に押出成形した。φ２０ｍｍ単軸押出成形機の温度は３４０℃～３５０℃（確認）、Ｔダイスの温度は３５０℃とした。

こうして結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂フィルムを押出成形したら、この熱可塑性ポリイミド樹脂フィルムを、図１に示すようなシリコーンゴム製の一対の圧着ロール、１５０℃の冷却ロールである金属ロール、及びこれらの下流に位置する巻取機の３インチの巻取管に順次巻架するとともに、圧着ロールと金属ロールとに挟持させ、連続した高周波回路基板用樹脂フィルムの両側部をスリット刃で裁断して巻取管に順次巻き取ることにより、長さ１０ｍ、幅１３０ｍｍの高周波回路基板用樹脂フィルムを製造した。

高周波回路基板用樹脂フィルムを製造したら、この高周波基板用樹脂フィルムのフィルム厚、相対結晶化度、機械的性質、誘電特性、加熱寸法安定性及び耐熱性を実施例１と同様の方法により評価して表３に記載した。

〔比較例２〕
実施例１で使用した結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を用意し、この熱可塑性ポリイミド樹脂を１６０℃に加熱した除湿乾燥機で１２時間以上乾燥させた。こうして熱可塑性ポリイミド樹脂を１２時間以上乾燥させた。また、非膨潤性の板状無機化合物として、合成マイカを用意した。この合成マイカについては、実施例２で使用したフッ素四ケイ素雲母〔片倉コープアグリ社製、製品名：ミクロマイカ ＭＫ－１００平均粒子径：４．８μｍ〕を使用した。

次いで、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と合成マイカとを実施例１と同様の方法で高周波回路基板用の樹脂フィルムの成形材料に製造した。結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と合成マイカとは、組成体積比率で結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂６７．４体積％、合成マイカ３２．６体積％となるように添加した。

成形材料を調製したら、この成形材料を使用して実施例１と同様の方法で高周波回路基板用の樹脂フィルムを押出成形を試みた。しかしながら、押出成形した樹脂フィルムを３インチの巻取管に巻き取る際、樹脂フィルムが割れてしまい、樹脂フィルムを得ることができなかった。樹脂フィルムを得ることができなかったので、樹脂フィルムの厚さ、相対結晶化度、機械的性質、誘電特性、加熱寸法安定性、及び耐熱性を測定しなかった。

〔比較例３〕
実施例１で使用した結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を用意し、この熱可塑性ポリイミド樹脂を１６０℃に加熱した除湿乾燥機で１２時間以上乾燥させた。この熱可塑性ポリイミド樹脂を１２時間以上乾燥させたら、この熱可塑性ポリイミド樹脂と形状が真球状の非晶質シリカ〔アドマテックス社製、製品名：ＳＣ５５００－ＳＱ、平均粒子径：１．４μｍ〕とを、実施例１と同様の方法により、高周波回路基板用の樹脂フィルムの成形材料に調製した。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と非晶質シリカとについては、組成体積比率で結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂８１．２体積％、合成マイカ１８．８体積％となるように添加した。

成形材料を調製したら、この成形材料を使用して実施例１と同様の方法により、高周波回路基板用の樹脂フィルムを厚さ７５μｍの帯形に押出成形した。樹脂フィルムが得られたら、この樹脂フィルムの厚さ、相対結晶化度、機械的性質、誘電特性、加熱寸法安定性、及び耐熱性をそれぞれ実施例と同様の方法により評価し、表３に記載した。

〔比較例４〕
実施例１で使用した結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂を用意し、この熱可塑性ポリイミド樹脂を１６０℃に加熱した除湿乾燥機で１２時間以上乾燥させた。こうして熱可塑性ポリイミド樹脂を１２時間以上乾燥させたら、この熱可塑性ポリイミド樹脂と形状が不定形の炭酸カルシウム〔東洋ファインケミカル社製、製品名：ホワイトンＰ－１０、平均粒子径：２．５μｍ〕とを実施例１と同様の方法により、高周波回路基板用の樹脂フィルムの成形材料に調製した。

結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と炭酸カルシウムとは、組成体積比率で結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂８１．９体積％、合成マイカ１８．１体積％となるように添加した。

次いで、成形材料を使用して実施例１と同様の方法により、高周回路基板用の樹脂フィルムを押出成形した。樹脂フィルムを押出成形したら、この樹脂フィルムの厚さ、相対結晶化度、機械的性質、加熱寸法安定性、誘電特性、耐熱性をそれぞれ実施例１と同様の方法により評価し、表３にまとめた。

〔結 果〕
各実施例の場合、高周波回路基板用の樹脂フィルムは、比誘電率が３．５以下であり、誘電正接が０．００６以下であった。また、機械的特性は、引張弾性率が２０００Ｎ／ｍｍ^２以上で高い剛性を有しているため、高周波回路基板の組み立て時のハンドリング性に優れていた。加熱寸法安定性は、線膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以下となり、従来よりも優れた結果を得た。さらに、樹脂フィルムの耐熱性に関し、２８８℃のはんだ浴に１０秒間浮かべても、全く変形やシワの発生が認められず、高周波回路基板として使用可能な耐熱性を有していた。

これに対して、比較例１の場合、成形材料に板状無機化合物を添加しなかったので、高周波回路基板用の樹脂フィルムの線膨張係数が６８ｐｐｍ／℃以上となり、十分な結果を得ることができなかった。また、比較例２の場合、合成マイカを３２．６体積％添加したので、樹脂フィルムに靱性が無く、巻取機の巻取管に巻き取る際、樹脂フィルムが割れてしまった。

比較例３の場合、成形材料の無機化合物に形状が真球状の非晶質シリカを使用したので、樹脂フィルムの線膨張係数が６０ｐｐｍ／℃以上となり、十分な加熱寸法安定性を得ることができなかった。さらに、比較例４の場合、成形材料の無機化合物に形状が不定形の炭酸カルシウムを使用したので、比較例３と同様、樹脂フィルムの線膨張係数が６０ｐｐｍ／℃以上となり、加熱寸法安定性が不十分な結果となった。

これらの測定結果から、各実施例の樹脂フィルムは、誘電特性と加熱寸法安定性に優れ、ＭＨｚ帯域からＧＨｚ帯域の高周波帯域で用いられる高周波回路基板に最適であるのが判明した。

本発明に係る高周波回路基板及びその製造方法は、情報通信や自動車機器等の分野で使用される。

１ 高周波回路基板
２ 樹脂フィルム
３ 成形材料
４ 導電層
５ 金属箔
１０ 溶融押出成形機（押出成形機）
１３ Ｔダイス（ダイス）
１６ 冷却ロール
１７ 圧着ロール

Claims (4)

1. 厚さが１０μｍ以上８００μｍ以下の樹脂フィルムと、この樹脂フィルムに熱融着して積層される導電層とを含み、周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の帯域で使用される高周波回路基板であって、
   樹脂フィルムは、結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂と、アスペクト比が１０以上９０以下の非膨潤性の板状無機化合物を含有した成形材料により成形されるとともに、この成形材料の組成体積比率が熱可塑性ポリイミド樹脂７０体積％以上９９体積％以下、板状無機化合物１体積％以上３０体積％以下であり、相対結晶化度が９０％以上、周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の範囲における比誘電率が１．５以上４．０以下で、かつ誘電正接が０．０００１以上０．０１０以下、線膨張係数が熱機械分析装置を用いた引張モードにより測定した場合に１ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、２８８℃のはんだ浴に１０秒間浮かべた場合に変形しないものであることを特徴とする高周波回路基板。
2. 成形材料の板状無機化合物は、タルク、マイカ、窒化ホウ素、シリカ、及びガラスの少なくともいずれかである請求項１記載の高周波回路基板。
3. 成形材料の板状無機化合物の平均粒子径は、０．１μｍ以上５０μｍ以下である請求項１又は２記載の高周波回路基板。
4. 周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の帯域で使用される請求項１、２、又は３に記載した高周波回路基板の製造方法であって、
   成形材料に結晶性の熱可塑性ポリイミド樹脂とアスペクト比が１０以上９０以下の非膨潤性の板状無機化合物とを含有してその組成体積比率を熱可塑性ポリイミド樹脂７０体積％以上９９体積％以下、板状無機化合物１体積％以上３０体積％以下とし、
   成形材料を溶融混練して押出成形機のダイスにより樹脂フィルムに押出成形するとともに、この樹脂フィルムを冷却ロールに接触させて冷却することにより、樹脂フィルムの厚さを１０μｍ以上８００μｍ以下、樹脂フィルムの相対結晶化度を９０％以上、樹脂フィルムの周波数８００ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下の範囲における比誘電率を１．５以上４．０以下で、かつ誘電正接を０．０００１以上０．０１０以下、樹脂フィルムの線膨張係数を熱機械分析装置を用いた引張モードにより測定した場合に１ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下、樹脂フィルムを２８８℃のはんだ浴に１０秒間浮かべた場合に変形しないものとし、
   樹脂フィルムに導電層を熱融着して積層することを特徴とする高周波回路基板の製造方法。

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