JP2005075901A - 熱硬化性樹脂 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子部品の高密度実装が求められる電子部品内蔵基板の製造において層間絶縁材として好適に使用される、電子部品の埋め込み性が充分にあり、かつ耐熱性にも優れ、また、高速信号処理が求められる配線回路基板の製造において接着剤として好適に使用される、誘電率の低い熱硬化性樹脂を提供すること。
【解決手段】硬化後引張り弾性率が35℃において0.001〜1GPaであり、硬化前において、150℃、2.94×10−1MPaの加熱加圧時における樹脂流動率が5〜50%である熱硬化性樹脂。
【選択図】なし
【解決手段】硬化後引張り弾性率が35℃において0.001〜1GPaであり、硬化前において、150℃、2.94×10−1MPaの加熱加圧時における樹脂流動率が5〜50%である熱硬化性樹脂。
【選択図】なし
Description
本発明は、電子部品内蔵基板用の絶縁材、配線回路基板用の接着剤などに用いられる熱硬化性樹脂に関する。
近年の電子機器の小型軽量化、高性能化に伴い、半導体素子の電子部品の高密度実装への要求が高まっている。特に携帯機器分野などに代表される小型軽量化は今後さらに進むと考えられ、電子部品は回路基板の両面への実装、または3次元方向への実装技術の開発が求められている。
これに対応する技術の一つとして、熱硬化性樹脂を層間絶縁層に用いた、半導体素子を内蔵してなる電子部品内蔵基板が提案されている。しかし、従来、絶縁材として使用されてきたエポキシ樹脂、イミド樹脂などの熱硬化性樹脂を層間絶縁層に使用する場合、電子部品の良好な埋め込み性を確保することは難しい。このため、電子部品埋め込み時の加熱加圧処理による電子部品へのダメージを低減し、また電子部品が内蔵された基板の平滑性を確保し、良好な埋め込み性を確保するため、電子部品が内蔵される部分の層間絶縁層にあらかじめ空隙部を設ける方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。しかし、層間絶縁層にこのような空隙部を形成するために製造工程が煩雑になるなどの問題がある。
そこで、熱可塑性樹脂を層間絶縁層に用いた、半導体素子を内蔵してなる電子部品内蔵基板が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
また、これらの電子機器においては高機能化を図るため高速信号処理化が求められており、特に高周波領域において、電子機器を構成する各部材間の接着層には低誘電率化が求められている。例えば、このような電子機器に使用されるフレキシブル配線回路基板には一般にポリイミドからなるベース絶縁層あるいはカバー絶縁層が接着剤を介して、銅からなる導体層に積層されているが、接着剤の更なる低誘電率化が求められている。
接着剤に微小空気泡を充填し接着層の誘電率を低下させる方法が記載されている(例えば、特許文献3参照)。しかし、このような方法では微小空気泡の高充填化に限界があり、接着層の低誘電率化には限界がある。
また、接着剤となる材料自体の誘電率を下げるための開発も行われており、接着剤にポリカルボジイミド樹脂を用いた例が示されている(例えば、特許文献4参照)。
しかし、熱可塑性の樹脂を層間絶縁層として使用する場合、電子部品の埋め込み性は充分確保できるものの、その耐熱性に劣るという問題がある。また、高周波領域において、電子機器を構成する各部材間の接着層の低誘電率化が求められているが、現在のところその低誘電率化は充分ではない。
従って、本発明の目的は、電子部品の高密度実装が求められる電子部品内蔵基板の製造において層間絶縁材として好適に使用される、電子部品の埋め込み性が充分にあり、かつ耐熱性にも優れ、また、高速信号処理が求められる配線回路基板の製造において接着剤として好適に使用される、誘電率の低い熱硬化性樹脂を提供することにある。
すなわち、本発明は、
(1)硬化後引張り弾性率が35℃において0.001〜1GPaであり、硬化前において、150℃、2.94×10−1MPaの加熱加圧時における樹脂流動率が5〜50%である熱硬化性樹脂、
(2)一般式I:
(1)硬化後引張り弾性率が35℃において0.001〜1GPaであり、硬化前において、150℃、2.94×10−1MPaの加熱加圧時における樹脂流動率が5〜50%である熱硬化性樹脂、
(2)一般式I:
(式中、a、b、cは、それぞれ0〜200の整数である、ただしa、b、cの全てが0の場合を除く、Xは単結合または炭素数1〜5のアルキレン基を表す)
にて表される構造単位をn1個、
一般式II:
にて表される構造単位をn1個、
一般式II:
(式中、d、e、fは、それぞれ0〜200の整数である、ただしd、e、fの全てが0の場合を除く、Xは単結合または炭素数1〜5のアルキレン基を表す)
にて表される構造単位をn2個、および
一般式III:
にて表される構造単位をn2個、および
一般式III:
(式中、Rは炭素数4〜40の2価の有機基を表す)
にて表される構造単位をn3個と、
両末端にモノイソシアナートを反応させて得られる末端構造単位とを有してなり、n1+n2が2以上の整数、n3が1以上の整数、n1+n2+n3が3〜1500、(n1+n2)/(n1+n2+n3)が1/100〜1/3であるポリカルボジイミドからなる(1)記載の樹脂、
(3)(1)または(2)記載の樹脂を含む電子部品内蔵基板用絶縁材、ならびに
(4)(2)記載の樹脂を含む配線回路基板用接着剤
に関する。
にて表される構造単位をn3個と、
両末端にモノイソシアナートを反応させて得られる末端構造単位とを有してなり、n1+n2が2以上の整数、n3が1以上の整数、n1+n2+n3が3〜1500、(n1+n2)/(n1+n2+n3)が1/100〜1/3であるポリカルボジイミドからなる(1)記載の樹脂、
(3)(1)または(2)記載の樹脂を含む電子部品内蔵基板用絶縁材、ならびに
(4)(2)記載の樹脂を含む配線回路基板用接着剤
に関する。
本発明によれば、電子部品の埋め込み性が充分にあり、かつ耐熱性にも優れた電子部品内蔵基板用の絶縁材、ならびに、誘電率の低い、高速信号処理が求められる配線回路基板用の接着剤が得られる。
本発明の熱硬化性樹脂(以下、単に樹脂という場合がある)は、35℃において0.001〜1GPa、好ましくは0.003〜0.6GPaの硬化後引張り弾性率を有する。硬化後引張り弾性率が0.001GPa未満であると、電子部品内蔵基板の材料により生じる内部応力により層の形状を保持することができない。硬化後引張り弾性率が1GPaを越えると、電子部品内蔵基板の材料により生じる内部応力を緩和できず、例えば、該基板の反りおよび膨れが発生する。
なお、本明細書における硬化後引張り弾性率は、樹脂をキュア炉などの加熱装置において硬化させた後に、例えば、動的粘弾性測定装置(セイコー電子工業社製:DES210)により、35℃にて測定される。
本発明の熱硬化性樹脂は、150℃、2.94×10−1MPaの加熱加圧時において5〜50%、好ましくは5〜25%の樹脂流動率を有する。樹脂流動率が5%未満であると、埋め込み時にかかるストレスが電子部品に集中することになり充分な埋め込み性を発揮できない。樹脂流動率が50%を越えると、樹脂の流出が起こり、ボイドが発生する。
なお、本明細書において、樹脂流動率とは、樹脂からなる試験片を一定時間にわたり加熱加圧状態で保持した後の該試験片の初期面積からの面積増加率をいう。具体的には、厚さ40μm、直径3mmの円形の試験片の面積(S)を算出する(S=7.07mm2)。次に、150℃に熱したガラス板上で該試験片を2.94×10−1MPaの圧力で、例えば、ペアダイ実装機(澁谷工業社製:DB−100)を用いて30秒間加熱加圧し、加熱加圧後の試験片の直径を、例えば、測長顕微鏡(OLYMPUS社製:T021)で測定する。測定された直径により加熱加圧後の試験片の面積(S’)(mm2)を算出する。得られた値を以下の式:
に当てはめて樹脂流動率を計算する。
本発明の熱硬化性樹脂の耐熱性の指標はガラス転移点(Tg)とし、Tgは150℃以上、好ましくは200℃以上である。
本発明の樹脂としては、前記物性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、一般式I:
(式中、a、b、cはそれぞれ0〜200の整数である、ただしa、b、cの全てが0の場合を除く、Xは単結合または炭素数1〜5のアルキレン基を表す)
にて表される構造単位をn1個、
にて表される構造単位をn1個、
一般式II:
(式中、d、e、fはそれぞれ0〜200の整数である、ただしd、e、fの全てが0の場合を除く、Xは単結合または炭素数1〜5のアルキレン基を表す)
にて表される構造単位をn2個、および
にて表される構造単位をn2個、および
一般式III:
(式中、Rは炭素数4〜40の2価の有機基を表す)
にて表される構造単位をn3個と、
両末端にモノイソシアナートを反応させて得られる末端構造単位とを有し、n1+n2が2以上の整数、n3が1以上の整数、n1+n2+n3が3〜1500、(n1+n2)/(n1+n2+n3)が1/100〜1/3であるポリカルボジイミドからなる樹脂が好適である。
にて表される構造単位をn3個と、
両末端にモノイソシアナートを反応させて得られる末端構造単位とを有し、n1+n2が2以上の整数、n3が1以上の整数、n1+n2+n3が3〜1500、(n1+n2)/(n1+n2+n3)が1/100〜1/3であるポリカルボジイミドからなる樹脂が好適である。
a、bおよびcは、それぞれ、硬化後引張り弾性率および加熱加圧時における樹脂流動率を前記範囲に調整するためには、好ましくは0〜150であり、より好ましくは、0〜100である。d、eおよびfは、それぞれ、硬化後引張り弾性率および加熱加圧時における樹脂流動率を前記範囲に調整するためには、好ましくは0〜150であり、より好ましくは、0〜100である。
Xは、単結合または炭素数1〜5のアルキレン基を表す。炭素数1〜5のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、プロピレン基が挙げられる。
Rは、炭素数4〜40の2価の有機基を表し、例えば、炭素数4〜40のアルキレン基またはアリール基を表す。炭素数4〜40のアルキレン基としては、例えば、ヘキサメチレン基、4,4’−ジシクロヘキシルメタン基、イソホロン基などが挙げられ、炭素数4〜40のアリール基としては、例えば、トリル基、4,4’−ジフェニルメタン基などが挙げられる。
硬化後引張り弾性率および加熱加圧時における樹脂流動率を前記範囲に調整するためには、n1+n2は、好ましくは2〜1000の整数であり、より好ましくは2〜100の整数であり、特に好ましくは2〜10の整数であり、n3は、より好ましくは1〜500の整数であり、特に好ましくは1〜300の整数であり、より好ましくは1〜10の整数であり、n1+n2+n3は、好ましくは3〜20の整数であり、(n1+n2)/(n1+n2+n3)は、好ましくは1/11〜1/3である。
モノイソシアナートを反応させて得られる末端構造単位としては、例えば、置換もしくは非置換のアリール基またはアルキル基が挙げられる。置換のアリール基としては、例えば、トリル基、イソプロピルフェニル基、メトキシフェニル基、クロロフェニル基などが挙げられる。非置換のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。置換のアルキル基としては、例えば、2,2,4−トリメチルヘキサメチレン基が挙げられる。非置換のアルキル基としては、例えば、n−ブチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基などの炭素数1〜10のアルキル基が挙げられる。
本発明において、前記ポリカルボジイミドは、一般式I’:
(式中、a、b、cはそれぞれ0〜200の整数である、ただしa、b、cの全てが0の場合を除く、Xは単結合または炭素数1〜5のアルキレン基を表す)
および/または、式II’:
および/または、式II’:
(式中、d、e、fはそれぞれ0〜200の整数である、ただしd、e、fの全てが0の場合を除く、Xは単結合または炭素数1〜5のアルキレン基を表す)
で表される2官能液状ゴム(本明細書において、単に2官能液状ゴムという場合がある)と、1種または2種以上のジイソシアナートとを縮合反応させ、モノイソシアナートで末端封鎖することにより得られる。
で表される2官能液状ゴム(本明細書において、単に2官能液状ゴムという場合がある)と、1種または2種以上のジイソシアナートとを縮合反応させ、モノイソシアナートで末端封鎖することにより得られる。
前記一般式I’で表される2官能液状ゴムとしては、例えば、液状ポリブタジエン(例えば、宇部興産社製Hycar CTB(登録商標)や日本曹達社製C−1000)、液状ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体(例えば、宇部興産社製Hycar CTBN(登録商標))が挙げられる。前記一般式II’で表される2官能液状ゴムとしては、例えば、液状水素化ポリブタジエン(例えば、日本曹達社製CI−1000)などが挙げられる。各2官能液状ゴムは、単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。
原料であるジイソシアナートとしては、例えば、芳香族ジイソシアナートおよび脂肪族ジイソシアナートが挙げられる。これらは、単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。
芳香族ジイソシアナートとしては、一般式IV:
(式中、X1は炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシル基またはハロゲン原子を表す)
にて表される化合物、例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、6−メトキシ−2,4−フェニレンジイソシアナート、5−ブロモ−2,4−トリレンジイソシアナートが挙げられる。
にて表される化合物、例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、6−メトキシ−2,4−フェニレンジイソシアナート、5−ブロモ−2,4−トリレンジイソシアナートが挙げられる。
芳香族ジイソシアナートとしては、さらに一般式V:
(式中、X2は単結合または炭素数1〜5のアルキレン基、オキシ基、スルホ基またはスルホキシル基であり、X3、X4は炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシル基またはハロゲン原子を表す)
にて表される化合物、例えば、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート、3,3’,5,5’−テトラエチル−4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート、4,4’−ジフェニルイソプロピリデンジイソシアナート、4,4’−ジフェニルエーテルジイソシアナート、4,4’−ジフェニルスルフィドジイソシアナート、4,4’−ジフェニルスルホキシドジイソシアナート、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ビフェニルジイソシアナート、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ビフェニルジイソシアナート、3,3’−ジブロモ−4,4’−ビフェニルジイソシアナートが挙げられる。
にて表される化合物、例えば、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート、3,3’,5,5’−テトラエチル−4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナート、4,4’−ジフェニルイソプロピリデンジイソシアナート、4,4’−ジフェニルエーテルジイソシアナート、4,4’−ジフェニルスルフィドジイソシアナート、4,4’−ジフェニルスルホキシドジイソシアナート、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ビフェニルジイソシアナート、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ビフェニルジイソシアナート、3,3’−ジブロモ−4,4’−ビフェニルジイソシアナートが挙げられる。
脂肪族ジイソシアナートとしては、一般式VI:
(式中、X5およびX6は単結合または炭素数1〜5のアルキレン基を表し、X7は炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基を表す)
にて表される化合物、例えば、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアナート、ノルボルナンジイソシアナート、4,4’−シクロヘキサンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、メチルシクロヘキサン−2,4−ジイソシアナート、2,4−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサンが挙げられる。
にて表される化合物、例えば、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアナート、ノルボルナンジイソシアナート、4,4’−シクロヘキサンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、メチルシクロヘキサン−2,4−ジイソシアナート、2,4−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサンが挙げられる。
脂肪族ジイソシアナートとしてはまた、一般式VII:
(式中、X8は炭素数1〜18のアルキレン基を表す)
にて表される化合物、例えば、ヘキサメチレンジイソシアナート、2,2,4,−トリメチルヘキサメチレンジイソシアナート、オクタメチレンジイソシアナート、ドデカメチレンジイソシアナートが挙げられる。
にて表される化合物、例えば、ヘキサメチレンジイソシアナート、2,2,4,−トリメチルヘキサメチレンジイソシアナート、オクタメチレンジイソシアナート、ドデカメチレンジイソシアナートが挙げられる。
脂肪族ジイソシアナートとしては、さらに一般式VIII:
(式中、X9およびX10は単結合または炭素数1〜5のアルキレン基を表す)
にて表される化合物、例えば、キシリレンジシソシアナート、α,α,α’,α’−テトラメチルキシリレンジシソシアナート、4−イソシアナトメチル−フェニルイソシアナートが挙げられる。
にて表される化合物、例えば、キシリレンジシソシアナート、α,α,α’,α’−テトラメチルキシリレンジシソシアナート、4−イソシアナトメチル−フェニルイソシアナートが挙げられる。
前記一般式I’およびII’で表される各2官能液状ゴムは、それぞれ、n1およびn2の値を満たし得るモル量で用いられる。両者が併用される場合のモル比、すなわちn1とn2の比(n1/n2)は特に限定されるものではない。また、かかる2官能液状ゴムのジイソシアナートに対するモル比(2官能液状ゴム/ジイソシアナート)は、1/99〜1/2が好ましく、1/10〜1/2がより好ましい。
また、ジイソシアナートとして芳香族ジイソシアナートと脂肪族ジイソシアナートとが併用される場合、芳香族ジイソシアナートの脂肪族ジイソシアナートに対するモル比(芳香族ジイソシアナート/脂肪族ジイソシアナート)は、3/2〜99/1が好ましく、4/1〜99/1がより好ましい。
原料であるモノイソシアナートとしては、例えば、フェニルイソシアナート、ナフチルイソシアナート、トリルイソシアナート、イソプロピルフェニルイソシアナート、メトキシフェニルイソシアナート、クロロフェニルイソシアナートなどの置換または非置換のアリール基を有するイソシアナート;n−ブチルイソシアナート、n−ヘキシルイソシアナート、n−オクチルイソシアナートなどの炭素数1〜10のアルキルイソシアナートなどが挙げられる。これらは、単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。
モノイソシアナートは、使用するジイソシアナート成分100モルに対して1〜40モルを用いるのが好ましい。ジイソシアナート成分100モルに対してモノイソシアナート成分を1モル以上で用いると、得られるポリカルボジイミドの分子量が大きくなりすぎたり架橋反応が生ずることがなく、例えば、得られるポリカルボジイミド溶液の粘度の上昇ないし当該溶液の固化が生じたり、当該溶液の保存安定性の低下が生ずることがないので好ましい。また、ジイソシアナート成分100モルに対してモノイソシアナート成分を40モル以下で用いると、ポリカルボジイミド溶液の粘度が適度であり、例えば、当該溶液の塗布乾燥によるフィルム成型において良好な成膜を行うことができるので好ましい。モノイソシアナートをジイソシアナート成分に対して前記範囲で用いて末端封鎖して得られたポリカルボジイミド溶液は、特に保存安定性に優れる。
各成分をそれぞれ、上記のとおりの組成で用いることにより、n1、n2、n3が前記範囲を持たす値を有するポリカルボジイミドを得ることができる。
前記ポリカルボジイミドの製造は、具体的には、非プロトン性溶媒中、原料としての2官能液状ゴムとジイソシアナートとを反応させた後、カルボジイミド化触媒の存在下、縮合反応によりカルボジイミド化させ、モノイソシアナートにより末端封鎖することにより行う。
前記ポリカルボジイミドの製造は、好ましくは、トルエン溶媒中で2官能液状ゴムを70重量部およびトリレンジイソシアナートを30重量部を混合し、この混合物を50℃で1時間撹拌した後にトリレンジイソシアナート100モルに対して1−ナフチルイソシアナートを2モル混合し、混合物中にカルボジイミド化触媒を添加し、温度を100℃に昇温してこの温度で2時間程度カルボジイミド化反応を行うことにより行う。なお、反応時間は、カルボジイミド化反応の終点を、例えば、後述する方法により決定することができる。
2官能液状ゴムとジイソシアナートとの反応温度としては、反応時間短縮および液状ゴムの熱劣化防止の観点から、10〜50℃が好ましく、30〜50℃がより好ましい。また、反応時間は、30分〜2時間程度、通常、1時間程度である。なお、反応の終点は2官能液状ゴム末端のカルボキシル基のOH伸縮振動(3000cm−1)の吸収の消失により確認する。
カルボジイミド化の反応温度としては、10〜150℃が好ましく、40〜110℃がより好ましい。カルボジイミド化の反応温度が10℃以上であると、反応時間が遅くなりすぎず、ポリカルボジイミド溶液中にイソシアナート官能基が残存することがなく、例えば、ポリカルボジイミド溶液の保存安定性が向上するので好ましい。150℃以下であると、反応時間が速すぎず、副反応によるゲル化が生ずることがなく、例えば、ポリカルボジイミド溶液の保存安定性が向上するので好ましい。
カルボジイミド化触媒としては、例えば、3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−1−オキシド、1−フェニル−2−ホスホレン−1−オキシド、1−フェニル−2−ホスホレン−1−スルフィド、1−エチル−3−メチル−2−ホスホレン−1−オキシド、3−メチル−1−フェニル−1−ホスファ−3−シクロペンテン−1−オキシド、2,5−ジヒドロ−3−メチル−1−フェニルホスホール−1−オキシド、これらの3−ホスホレン異性体が挙げられる。また、トリフェニルホスフィンオキシド、トリトリルホスフィンオキシド、ビス(オキサジフェニホスフィノ)エタンなどのホスフィンオキシド類も使用できる。これらは、単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。
カルボジイミド化触媒は、使用する全イソシアナート成分100モルに対して0.001〜5モルの範囲で用いるのが好ましい。0.001モル以上であると、反応時間が遅くなりすぎないので好ましい。5モル以下であると、反応時間が速すぎることによるゲル化が生ずることがなく、例えば、ポリカルボジイミド溶液の保存安定性が向上するので好ましい。
モノイソシアナートによる末端封鎖は、カルボジイミド化の初期、中期、末期または全般にわたり、モノイソシアナートを反応溶液中に加えることにより行うことができる。
ポリカルボジイミドの製造に用いられる非プロトン性溶媒としては、トルエン、キシレン、炭素数3〜5のアルキルトルエン、ベンゼン、炭素数3〜36のアルキルベンゼン、ナフタレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アセトン、ブタノン、シクロヘキサノン、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどが挙げられる。これらは、単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。
非プロトン性溶媒は、ポリカルボジイミド溶液中のポリカルボジイミドの濃度が1〜90重量%の範囲となるように用いるのが好ましい。1重量%以上であると、得られたポリカルボジイミドの成型時に溶媒を除去しやすいので好ましい。90重量%以下であると、ポリカルボジイミド溶液の粘度が適度であり、該溶液の保存安定性が向上するので好ましい。
カルボジイミド化反応の終点は、赤外分光分析(IR測定)による、生成したポリカルボジイミド中の原子団N=C=N伸縮振動(2135cm−1)の吸収の観測、イソシアナート中の原子団N=C=O伸縮振動(2270cm−1)の吸収の消失および2官能液状ゴムとジイソシアナートとの結合部分のアミド基のC=O伸縮振動(1695cm−1)の吸収の観察により確認することができる。
カルボジイミド化反応の終了後、通常、ポリカルボジイミドは溶液として得られるが、さらにメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサンなどの貧溶媒に得られた溶液を投入し、ポリカルボジイミドを沈殿として析出させ、未反応のモノマーや触媒を取り除いてもよい。
また、一旦、沈殿として回収されたポリカルボジイミドの溶液を調製するには、当該沈殿を所定の操作により洗浄し、乾燥を行い、再度非プロトン性溶媒に溶解する。このような操作を行うことにより、ポリカルボジイミド溶液の保存安定性を向上させることができる。
さらに、ポリカルボジイミド溶液中に副生成物が含まれる場合には、例えば、適当な吸着剤を用い、副生成物を吸着除去して、精製してもよい。吸着剤としては、例えば、アルミナゲル、シリカゲル、活性炭、ゼオライト、活性酸化マグネシウム、活性ボーキサイト、フラースアース、活性白土、分子ふるいカーボンなどが挙げられる。これらは、単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。
かくして得られたポリカルボジイミドからなる樹脂は、硬化後引張り弾性率が35℃において0.001〜1GPaであり、硬化前において、150℃、2.94×10−1MPaの加熱加圧時における樹脂流動率が5〜50%であり、エポキシ樹脂などの他の熱硬化性樹脂と比較しても、高いTg(ガラス転移点)を示し、耐熱性に優れている。
本発明の絶縁材は、本発明の前記熱硬化性樹脂、例えば前記ポリカルボジイミドからなる樹脂を含むことに1つの特徴を有する。該樹脂は、通常、10〜100重量%、好ましくは30〜100重量%含まれる。
該絶縁材は、特に限定されるものではないが、絶縁フィルムとして用いるのが好適である。該フィルムは、上記ポリカルボジイミドからなる樹脂をトルエン、シクロヘキサノンなどの前記非プロトン性溶媒に溶解させた溶液を、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなどの公知の方法により、支持体の上に塗布し、加熱乾燥させて製膜することにより得られる。該溶液の塗布は、得られるフィルムの厚さが10〜200μmとなるように行うのが好ましい。
支持体としては、耐熱性や耐薬品性を有するフィルムであればよく、例えば、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレートなどのフィルムが挙げられる。これらは、単独で使用されてもよく、また2種以上併用されてもよい。また、支持体として使用されるフィルムは、例えば、フッ素化シリコーンなどの剥離剤で処理されたものが好ましい。
支持体上に塗布したポリカルボジイミド溶液の加熱乾燥は、ポリカルボジイミドの硬化反応をあまり進行させずに乾燥させるよう、溶媒の除去が可能な程度の温度、時間で行うことが好ましい。具体的な加熱乾燥の温度としては、30〜200℃が好ましく、50〜175℃がより好ましく、70〜150℃が特に好ましい。加熱乾燥の温度が30℃以上であると、絶縁フィルム中の溶媒の残存がなく、絶縁フィルムの信頼性が高いので好ましい。200℃以下であると、絶縁フィルムの熱硬化を抑えて充分に乾燥させることができるので好ましい。また、時間は、30秒間〜30分間が好ましく、1〜10分間がより好ましく、2〜5分間が特に好ましい。30秒間以上であると、絶縁フィルム中の溶媒の残存がなく、信頼性が高いので好ましい。30分間以下であると、絶縁フィルムの熱硬化を抑えて充分に乾燥させることができるので好ましい。
絶縁フィルムを製造する際には、弾性率の調整などを図るために、例えば、アルミナ、シリカ、マグネシア、窒化ケイ素などのセラミックなどの種々の非導電性の無機粉末を必要に応じて、1種または2種以上を配合してもよい。
さらに、絶縁フィルムには、無機充填剤が層の加工性、耐熱性を損なわない範囲で適宜配合されていてもよい。また表面平滑性を出すための平滑剤、脱泡剤、接着力を向上させるシランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系添加剤などの各種添加剤が、必要に応じて添加されていてもよい。これらの添加剤の配合量は、ポリカルボジイミド100重量部に対して、0.1〜100重量部が好ましく、0.2〜50重量部がより好ましい。
本発明の絶縁材、例えば、絶縁フィルムは、埋め込み時にかかるストレスを電子部品に集中させず、樹脂の流出が起こりにくいのでボイドが発生せず、電子部品内蔵基板の材料により生じる内部応力にかかわらず層の形状を保持することができ、さらに、電子部品内蔵基板の材料により生じる内部応力を充分に緩和できるので基板の反りおよび膨れを防止できることから、電子部品内蔵基板の層間絶縁層に好適に用いることができる。
本発明の絶縁材を用いた電子部品内蔵基板の製造方法を説明する。
例えば、電子部品が装着された基板を用意し、その電子部品装着側に本発明の絶縁材として絶縁フィルムを設置して、熱プレスなどの装置により、加熱圧着することにより、電子部品内蔵基板が得られる。加熱温度は、50〜250℃が好ましく、100℃〜200℃がより好ましい。加熱時間は、1秒間〜30分間が好ましく、1秒間〜1分間がより好ましい。圧着時の圧力は、9.8×10−3MPa〜2.94×10−1MPaが好ましい。
次いで、絶縁フィルムに含まれるポリカルボジイミドを完全に硬化させるため、さらに、120〜200℃程度で1〜5時間程度加熱することが好ましい。
本発明の接着剤は、本発明の前記熱硬化性樹脂、例えば、前記ポリカルボジイミドからなる樹脂を含むことに1つの特徴を有する。該樹脂は、通常、10〜100重量%、好ましくは30〜100重量%含まれる。
さらに、接着剤には、無機充填剤が誘電率の低下を妨げない範囲で適宜配合されていてもよい。また表面平滑性を出すための平滑剤、脱泡剤、接着力を向上させるシランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系添加剤などの各種添加剤が、必要に応じて添加されていてもよい。これらの添加剤の配合量は、ポリカルボジイミド100重量部に対して、0.1〜100重量部が好ましく、0.2〜50重量部がより好ましい。
本発明の接着剤は、特定の構造を有するポリカルボジイミドを含んでいるので、誘電率が低いことから、本発明の接着剤は、フレキシブル配線回路基板において、配線回路基板と絶縁層との接着に好適に用いることができる。
本発明の接着剤を用いたフレキシブル配線回路基板の製造方法を説明する。
上記ポリカルボジイミドからなる樹脂をトルエン、シクロヘキサノンなどの前記非プロトン性溶媒に溶解させた溶液を、カバー絶縁層(例えば、ポリイミドフィルム)上にキャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなど公知の方法により、塗布する。該溶液の塗布は、得られる厚さが10〜50μmとなるように行うのが好ましい。また、前記絶縁フィルムの作製方法に準じて、接着剤を接着フィルムとして得てもよい。
ベース絶縁層(例えば、ポリイミドフィルム)上に所定の銅配線パターンを形成した配線回路基板を用意し、上記接着剤が塗布されたもしくは接着フィルムを付したカバー絶縁層を、配線回路基板のパターン面に設置して熱プレス、熱ロールラミネーターなどの装置を使用して、カバー絶縁層と配線回路基板とを加熱接着する。加熱温度は、通常、50〜250℃、好ましくは100℃〜200℃である。加熱時間は、1秒間〜30分間が好ましく、1秒間〜1分間がより好ましい。かかる加熱により、接着剤に含まれるポリカルボジイミドが硬化して接着が行われる。次いで、接着剤に含まれるポリカルボジイミドを完全に硬化させるため、さらに、120〜200℃程度で1〜5時間程度加熱することが好ましい。
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は当該実施例のみに限定されるものではない。
なお、以下において、合成反応は全て窒素気流下で行った。IR測定は、FT/IR−230(日本電子社製)を用いて行った。
実施例1
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコに4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを70.57g(282mmol)、Hycar CTB2000X162(B.F.Goodrich社製)を27.34g(5.70mmol)、NISSO−PB CI−1000(日本曹達社製)を54.68g(39.06mmol)、シクロヘキサノンを217.96g入れ、40℃で1時間攪拌した。
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコに4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを70.57g(282mmol)、Hycar CTB2000X162(B.F.Goodrich社製)を27.34g(5.70mmol)、NISSO−PB CI−1000(日本曹達社製)を54.68g(39.06mmol)、シクロヘキサノンを217.96g入れ、40℃で1時間攪拌した。
さらに、p−イソプロピルフェニルイソシアナートを10.91g(67.68mmol)と3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−2−オキシドを0.54g(2.82mmol)添加して攪拌しながら100℃に昇温し、さらに2時間保持した。
反応の進行はIR測定により確認した。具体的にはイソシアナート中の原子団N=C=O伸縮振動(2270cm−1)の吸収の減少とポリカルボジイミド中の原子団N=C=N伸縮運動(2135cm−1)の吸収の増加を観測した。また、2官能液状ゴムとジイソシアナートとの結合部分のアミド基のC=O伸縮振動(1695cm−1)の吸収を観測した。IR測定にて反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することによってポリカルボジイミド溶液を得た。
なお、得られたポリカルボジイミドにおいて、n1+n2=3〜5、n3=71〜91、n1+n2+n3=74〜96、(n1+n2)/(n1+n2+n3)=5/74〜3/96であった。
実施例2
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコに4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを53.30g(213mmol)、Hycar CTB2000X162(B.F.Goodrich社製)を32.01g(6.67mmol)、NISSO−PB CI−1000(日本曹達社製)を64.02g(45.73mmol)、シクロヘキサノンを287.71g入れ、40℃で1時間攪拌した。
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコに4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを53.30g(213mmol)、Hycar CTB2000X162(B.F.Goodrich社製)を32.01g(6.67mmol)、NISSO−PB CI−1000(日本曹達社製)を64.02g(45.73mmol)、シクロヘキサノンを287.71g入れ、40℃で1時間攪拌した。
次いでp−イソプロピルフェニルイソシアナートを10.30g(63.9mmol)と3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−2−オキシドを0.41g(2.13mmol)添加して攪拌しながら100℃に昇温し、さらに2時間保持した。
実施例1と同様にしてIR測定により反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することによってポリカルボジイミド溶液を得た。
なお、得られたポリカルボジイミドにおいて、n1+n2=6〜8、n3=76〜97、n1+n2+n3=82〜105、(n1+n2)/(n1+n2+n3)=8/82〜6/105であった。
実施例3
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコに4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを62.81g(251mmol)、Hycar CTB2000X162(B.F.Goodrich社製)を28.29g(5.89mmol)、NISSO−PB CI−1000(日本曹達社製)を84.87g(60.62mmol)、シクロヘキサノンを279.28g入れ、40℃で1時間攪拌した。
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコに4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを62.81g(251mmol)、Hycar CTB2000X162(B.F.Goodrich社製)を28.29g(5.89mmol)、NISSO−PB CI−1000(日本曹達社製)を84.87g(60.62mmol)、シクロヘキサノンを279.28g入れ、40℃で1時間攪拌した。
次いでp−イソプロピルフェニルイソシアナートを12.14g(75.3mmol)と3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−2−オキシドを0.48g(2.51mmol)添加して攪拌しながら100℃に昇温し、さらに2時間保持した。
実施例1と同様にしてIR測定により反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することによってポリカルボジイミド溶液を得た。
なお、得られたポリカルボジイミドにおいて、n1+n2=3〜5、n3=40〜58、n1+n2+n3=43〜63、(n1+n2)/(n1+n2+n3)=5/43〜3/63であった。
実施例4
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコにTDI(2,4−トリレンジイソシアナート80mol%、2,6−トリレンジイソシアナート20mol%の混合物、三井武田ケミカル社製)を13.93g(80mmol)、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを60.06g(240mmol)、Hycar CTBN1300X13(B.F.Goodrich社製)を34.79g(9.94mmol)、NISSO−PB CI−1000(日本曹達社製)を52.18g(37.27mmol)、トルエンを259.74g入れ、40℃で1時間攪拌した。
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコにTDI(2,4−トリレンジイソシアナート80mol%、2,6−トリレンジイソシアナート20mol%の混合物、三井武田ケミカル社製)を13.93g(80mmol)、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを60.06g(240mmol)、Hycar CTBN1300X13(B.F.Goodrich社製)を34.79g(9.94mmol)、NISSO−PB CI−1000(日本曹達社製)を52.18g(37.27mmol)、トルエンを259.74g入れ、40℃で1時間攪拌した。
次いでp−イソプロピルフェニルイソシアナートを12.38g(76.8mmol)と3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−2−オキシドを0.62g(3.2mmol)添加して攪拌しながら100℃に昇温し、さらに2時間保持した。
実施例1と同様にしてIR測定により反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することによってポリカルボジイミド溶液を得た。
なお、得られたポリカルボジイミドにおいて、n1+n2=5〜7、n3=171〜195、n1+n2+n3=176〜202、(n1+n2)/(n1+n2+n3)=7/176〜5/202であった。
比較例1
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコにTDI(2,4−トリレンジイソシアナート80mol%、2,6−トリレンジイソシアナート20mol%の混合物、三井武田ケミカル社製)を74.89g(430mmol)、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを107.61g(430mmol)、1−ナフチルイソシアナートを14.55g(86mmol)、3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−2−オキシドを1.65g(8.6mmol)、トルエンを177.34g入れ、攪拌しながら100℃に昇温し、2時間保持した。
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコにTDI(2,4−トリレンジイソシアナート80mol%、2,6−トリレンジイソシアナート20mol%の混合物、三井武田ケミカル社製)を74.89g(430mmol)、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを107.61g(430mmol)、1−ナフチルイソシアナートを14.55g(86mmol)、3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−2−オキシドを1.65g(8.6mmol)、トルエンを177.34g入れ、攪拌しながら100℃に昇温し、2時間保持した。
実施例1と同様にしてIR測定により反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することによってポリカルボジイミド溶液を得た。
次いで、ポリカルボジイミドの固形分60重量部に対しアクリルゴム(日本ゼオン社製:Nipol AR71)40重量部を添加して、30℃にて30分間攪拌混合した。
なお、得られたポリカルボジイミドにおいて、n1+n2=0、n3=129〜153、n1+n2+n3=129〜153、(n1+n2)/(n1+n2+n3)=0であった。
比較例2
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコに4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを111.26g(444.6mmol)、ナフタレンジイソシアナートを31.15g(148.2mmol)、ノルボルナンジイソシアナートを26.41g(148.2mmol)、トルエンを206.54g入れ、混合した。
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコに4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを111.26g(444.6mmol)、ナフタレンジイソシアナートを31.15g(148.2mmol)、ノルボルナンジイソシアナートを26.41g(148.2mmol)、トルエンを206.54g入れ、混合した。
さらに、1−ナフチルイソシアナートを7.52g(44.46mmol)と3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−2−オキシドを0.71g(3.705mmol)を添加し、25℃で2時間攪拌した後、攪拌しながら100℃に昇温し、2時間保持した。
実施例1と同様にしてIR測定により反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することによってポリカルボジイミド溶液を得た。
なお、得られたポリカルボジイミドにおいて、n1+n2=0、n3=119〜141、n1+n2+n3=119〜141、(n1+n2)/(n1+n2+n3)=0であった。
比較例3
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ社製、エピコート♯828とエピコート♯1001の混合物、エポキシ当量:320g/eq)100重量部、硬化剤としてイミダゾール系硬化剤(四国化成工業社製:1M2EZ)4重量部、NBR(日本合成ゴム社製:PNR−IH)40重量部をメチルエチルケトンで溶解、混合してエポキシ樹脂溶液を得た。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ社製、エピコート♯828とエピコート♯1001の混合物、エポキシ当量:320g/eq)100重量部、硬化剤としてイミダゾール系硬化剤(四国化成工業社製:1M2EZ)4重量部、NBR(日本合成ゴム社製:PNR−IH)40重量部をメチルエチルケトンで溶解、混合してエポキシ樹脂溶液を得た。
比較例4
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコにTDI(2,4−トリレンジイソシアナート80mol%、2,6−トリレンジイソシアナート20mol%の混合物、三井武田ケミカル社製)を74.89g(430mmol)、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを107.61g(430mmol)、1−ナフチルイソシアナートを14.55g(86mmol)、3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−2−オキシドを1.65g(8.6mmol)、トルエンを177.34g入れ、攪拌しながら100℃に昇温し、2時間保持した。
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた500mLの四つ口フラスコにTDI(2,4−トリレンジイソシアナート80mol%、2,6−トリレンジイソシアナート20mol%の混合物、三井武田ケミカル社製)を74.89g(430mmol)、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアナートを107.61g(430mmol)、1−ナフチルイソシアナートを14.55g(86mmol)、3−メチル−1−フェニル−2−ホスホレン−2−オキシドを1.65g(8.6mmol)、トルエンを177.34g入れ、攪拌しながら100℃に昇温し、2時間保持した。
実施例1と同様にしてIR測定により反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することによってポリカルボジイミド溶液を得た。
なお、得られたポリカルボジイミドにおいて、n1+n2=0、n3=129〜153、n1+n2+n3=129〜153、(n1+n2)/(n1+n2+n3)=0であった。
試験例1
実施例1、2、3および4ならびに比較例1および2で得られた各ポリカルボジイミド溶液を、剥離剤(フッ素化シリコーン)で処理したポリエチレンテレフタレートフィルムからなるセパレータ(厚さ50μm)(三菱化学ポリエステルフィルム社製)の上に得られる絶縁フィルムの厚さが40μmとなるようにロールコーターを用いて塗布した。これを130℃にて1分間加熱した後、150℃にて1分間加熱し、セパレータ付きの絶縁フィルム1〜6を得た。
実施例1、2、3および4ならびに比較例1および2で得られた各ポリカルボジイミド溶液を、剥離剤(フッ素化シリコーン)で処理したポリエチレンテレフタレートフィルムからなるセパレータ(厚さ50μm)(三菱化学ポリエステルフィルム社製)の上に得られる絶縁フィルムの厚さが40μmとなるようにロールコーターを用いて塗布した。これを130℃にて1分間加熱した後、150℃にて1分間加熱し、セパレータ付きの絶縁フィルム1〜6を得た。
得られた絶縁フィルムについて、以下の測定方法に従ってガラス転移点、硬化前の樹脂流動率および硬化後引張り弾性率を測定した。なお、測定はセパレータをはがして行った。その結果を表1に示す。
(ガラス転移点)
動的粘弾性測定装置(セイコー電子工業社製:DES210)にて、引っ張りモードで周波数50Hz、昇温速度10℃/分で弾性率を測定し、弾性率の変曲点より求めた。
動的粘弾性測定装置(セイコー電子工業社製:DES210)にて、引っ張りモードで周波数50Hz、昇温速度10℃/分で弾性率を測定し、弾性率の変曲点より求めた。
(硬化前の樹脂流動率)
厚さ40μmの絶縁フィルムを、直径3mmのステンレス製ポンチを用いて3mmφの円形に打ち抜き、これを試験片(面積:S=7.07mm2)とした。ペアダイ実装機(澁谷工業社製:DB−100)の加熱機構付きのステージ上に14cm×14cmのガラス板をセットし、ガラス板の温度が150℃になるようにステージを加熱した。このガラス板上で該試験片を2.94×10−1MPaの圧力で30秒間加熱加圧し、加熱加圧後のガラス板上の試験片の直径を測長顕微鏡(OLYMPUS社製:T021)で測定した。測定した直径に基づいて加熱加圧後の試験片の面積(S’)を算出し、以下の式:
厚さ40μmの絶縁フィルムを、直径3mmのステンレス製ポンチを用いて3mmφの円形に打ち抜き、これを試験片(面積:S=7.07mm2)とした。ペアダイ実装機(澁谷工業社製:DB−100)の加熱機構付きのステージ上に14cm×14cmのガラス板をセットし、ガラス板の温度が150℃になるようにステージを加熱した。このガラス板上で該試験片を2.94×10−1MPaの圧力で30秒間加熱加圧し、加熱加圧後のガラス板上の試験片の直径を測長顕微鏡(OLYMPUS社製:T021)で測定した。測定した直径に基づいて加熱加圧後の試験片の面積(S’)を算出し、以下の式:
に当てはめて樹脂流動率を計算した。
(硬化後引張り弾性率)
厚さ40μmの絶縁フィルムを175℃で5時間精密恒温機(ヤマト科学社製:セ−フティ−ファインオ−ブンDH−62Z)で加熱し、絶縁フィルムの硬化を行った。絶縁フィルムの硬化後、硬化後引張り弾性率を35℃、周波数50Hzの条件下で動的粘弾性測定装置(セイコー電子工業社製:DES210)にて測定した。
厚さ40μmの絶縁フィルムを175℃で5時間精密恒温機(ヤマト科学社製:セ−フティ−ファインオ−ブンDH−62Z)で加熱し、絶縁フィルムの硬化を行った。絶縁フィルムの硬化後、硬化後引張り弾性率を35℃、周波数50Hzの条件下で動的粘弾性測定装置(セイコー電子工業社製:DES210)にて測定した。
表1の結果より、比較例1の絶縁フィルムは、ガラス転移点が100℃以下と非常に低い。比較例1のポリカルボジイミド溶液を用いて作製した絶縁フィルム5は、実施例1〜4のポリカルボジイミド溶液を用いて作製した絶縁フィルム1〜4と比較して樹脂流動率が非常に高いことがわかる。絶縁フィルム5は、加熱圧着時、非常に樹脂が流動しやすく、また、35℃において完全に伸びきってしまい、その形状を保つことができず、硬化後引張り弾性率を測定することができなかった。比較例2のポリカルボジイミド溶液を用いて作製した絶縁フィルム6は、ガラス転移点は高いが、実施例1〜4のポリカルボジイミド溶液を用いて作製した絶縁フィルム1〜4と比較して樹脂流動率が低く、加熱圧着時、非常に樹脂が流動しにくく、また、高い硬化後引張り弾性率を有することがわかる。
試験例2
ポリイミドと銅箔からなる銅張二層基材を出発材料とし、回路パターン作製を行った回路基板に厚さ150μmのシリコンチップを実装した。この回路基板の回路パターン面に実施例と同様にして作製した絶縁フィルム(厚さ200μm)を設置して、セパレ−タ−を除去し、真空プレス機(北川精機社製:VH1−572)を用いて、2660Paの真空下、150℃、2.94×10−1MPaにて30秒間加熱加圧を行い、絶縁フィルムへのシリコンチップの埋め込みを行った。次いで、加熱加圧後の基板を175℃にて5時間加熱して該絶縁フィルムからなる絶縁層の硬化を行い、電子部品内蔵基板1〜6を得た。
ポリイミドと銅箔からなる銅張二層基材を出発材料とし、回路パターン作製を行った回路基板に厚さ150μmのシリコンチップを実装した。この回路基板の回路パターン面に実施例と同様にして作製した絶縁フィルム(厚さ200μm)を設置して、セパレ−タ−を除去し、真空プレス機(北川精機社製:VH1−572)を用いて、2660Paの真空下、150℃、2.94×10−1MPaにて30秒間加熱加圧を行い、絶縁フィルムへのシリコンチップの埋め込みを行った。次いで、加熱加圧後の基板を175℃にて5時間加熱して該絶縁フィルムからなる絶縁層の硬化を行い、電子部品内蔵基板1〜6を得た。
得られた電子部品内蔵基板について、以下の評価方法に従ってチップ埋め込み性、ボイドおよび基板の反りを評価した。その結果を表2に示す。
(チップ埋め込み性)
電子部品内蔵基板を、シリコンチップを横切るように研磨装置(丸本ストルアス社製:Labopol−5)を使用して研磨した。次いで、その研磨面を観察し、シリコンチップの端部の空隙の有無を確認した。
[評価基準]
空隙がない:○
空隙がある:×
電子部品内蔵基板を、シリコンチップを横切るように研磨装置(丸本ストルアス社製:Labopol−5)を使用して研磨した。次いで、その研磨面を観察し、シリコンチップの端部の空隙の有無を確認した。
[評価基準]
空隙がない:○
空隙がある:×
(ボイド)
上記の切断面を観察し、絶縁層中のボイドの有無を確認した。
[評価基準]
ボイドがない:○
ボイドがある:×
上記の切断面を観察し、絶縁層中のボイドの有無を確認した。
[評価基準]
ボイドがない:○
ボイドがある:×
(基板の反り)
電子部品内蔵基板を平面上におき、その最大反り部を定規により測定し、以下の評価基準に従って評価した。
〔評価基準〕
反り量が1mm未満:○
反り量が1mm以上:×
電子部品内蔵基板を平面上におき、その最大反り部を定規により測定し、以下の評価基準に従って評価した。
〔評価基準〕
反り量が1mm未満:○
反り量が1mm以上:×
表2の結果より、実施例1〜4のポリカルボジイミド溶液を用いて作製した絶縁フィルム1〜4を使用した電子部品内蔵基板1〜4では、チップ端部に追従して絶縁材が充填されており、良好な埋め込み性を示し、また、ボイドや該基板の反りは見られないことがわかる。
一方、比較例1のポリカルボジイミド溶液を用いて作製した絶縁フィルム5を使用した電子部品内蔵基板5では、絶縁層の内部にボイドが確認され、比較例2のポリカルボジイミド溶液を用いて作製した絶縁フィルム6を使用した電子部品内蔵基板6では、埋め込み性が悪く、また、該基板に大きな反りが発生することがわかる。電子部品内蔵基板6では、シリコンチップの埋め込みの際、絶縁フィルムにおいてチップ上部に大きな盛り上がりが認められた。これは、絶縁フィルム6のチップ埋め込み性が悪いことによるものと考えられる。
試験例3
実施例1、2、3および4ならびに比較例4で得られた各ポリカルボジイミド溶液を、剥離剤(フッ素化シリコーン)で処理したポリエチレンテレフタレートフィルムからなるセパレータ(厚さ50μm)(三菱化学ポリエステルフィルム社製)の上に得られる接着フィルムの厚さが25μmとなるようにロールコーターを用いて塗布した。これを、130℃にて1分間加熱した後、150℃で1分間加熱して、セパレータ付きの接着フィルム(厚さ25μm)1〜4および6を得た。比較例3で得られたエポキシ樹脂溶液を、剥離剤(フッ素化シリコーン)で処理したポリエチレンテレフタレートフィルムからなるセパレータ(厚さ50μm)(三菱化学ポリエステルフィルム社製)の上に得られる接着フィルムの厚さが25μmとなるようにロールコーターを用いて塗布した。これを、120℃にて3分間加熱して、セパレータ付きの接着フィルム(厚さ25μm)5を得た。
実施例1、2、3および4ならびに比較例4で得られた各ポリカルボジイミド溶液を、剥離剤(フッ素化シリコーン)で処理したポリエチレンテレフタレートフィルムからなるセパレータ(厚さ50μm)(三菱化学ポリエステルフィルム社製)の上に得られる接着フィルムの厚さが25μmとなるようにロールコーターを用いて塗布した。これを、130℃にて1分間加熱した後、150℃で1分間加熱して、セパレータ付きの接着フィルム(厚さ25μm)1〜4および6を得た。比較例3で得られたエポキシ樹脂溶液を、剥離剤(フッ素化シリコーン)で処理したポリエチレンテレフタレートフィルムからなるセパレータ(厚さ50μm)(三菱化学ポリエステルフィルム社製)の上に得られる接着フィルムの厚さが25μmとなるようにロールコーターを用いて塗布した。これを、120℃にて3分間加熱して、セパレータ付きの接着フィルム(厚さ25μm)5を得た。
得られたセパレータ付きの接着フィルムを接着フィルム1〜4および6については175℃にて5時間、接着フィルム5については150℃にて3時間、加熱して接着フィルムの硬化を行い、測定サンプルとした。
上記硬化後の接着フィルム1〜6について、以下の測定方法に従って誘電率および誘電正接を測定した。なお、測定はセパレータをはがして行った。その結果を表3に示す。
(誘電率)
測定サンプルの誘電率を、空洞共振器摂動法複素誘電率評価装置(関東電子応用開発社製)を用いて10GHzの周波数で測定した。
測定サンプルの誘電率を、空洞共振器摂動法複素誘電率評価装置(関東電子応用開発社製)を用いて10GHzの周波数で測定した。
(誘電正接)
測定サンプルの誘電正接を、空洞共振器摂動法複素誘電率評価装置(関東電子応用開発社製)を用いて10GHzの周波数で測定した。
測定サンプルの誘電正接を、空洞共振器摂動法複素誘電率評価装置(関東電子応用開発社製)を用いて10GHzの周波数で測定した。
表3の結果より、実施例1〜4のポリカルボジイミド溶液を用いて作製した接着フィルム1〜4と比較例3および4のポリカルボジイミド溶液を用いて作製した接着フィルム5および6とを比較すると、接着フィルム5は誘電率および誘電正接が高く、接着フィルム6は誘電率が高いことから、誘電損失が極めて高いことがわかる。よって、配線回路基板を接着フィルム5または6を用いて構成した場合、高周波でデータを高速、大量、かつ高密度で伝送できないと考えられる。
本発明のカルボジイミドからなる樹脂は、良好な電子部品埋め込み性を有するので、電子部品の高密度実装が求められる電子部品内蔵基板の製造に使用でき、さらに、低い誘電率を有しているので、高速信号処理が求められる配線回路基板の製造に使用できる。
Claims (4)
- 硬化後引張り弾性率が35℃において0.001〜1GPaであり、硬化前において、150℃、2.94×10−1MPaの加熱加圧時における樹脂流動率が5〜50%である熱硬化性樹脂。
- 一般式I:
にて表される構造単位をn1個、
一般式II:
にて表される構造単位をn2個、および
一般式III:
にて表される構造単位をn3個と、
両末端にモノイソシアナートを反応させて得られる末端構造単位とを有してなり、n1+n2が2以上の整数、n3が1以上の整数、n1+n2+n3が3〜1500、(n1+n2)/(n1+n2+n3)が1/100〜1/3であるポリカルボジイミドからなる請求項1記載の樹脂。 - 請求項1または2記載の樹脂を含む電子部品内蔵基板用絶縁材。
- 請求項2記載の樹脂を含む配線回路基板用接着剤。
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