JP7225094B2 - アクセプター基とドナー基を有する化合物 - Google Patents

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Description

本発明は、とりわけ電子デバイスに用いるためのアクセプター基とドナー基を有する化合物を記載する。本発明はさらに、本発明の化合物を調製する方法、およびこれらの化合物を含む電子デバイスに関する。
発光電子部品は、光源として益々日常で使用されるようになっている。その利点は、エネルギー消費の少なさ、コンパクトなデザイン、および従来の照明手段と比較して極めて長寿命であることである。無機発光ダイオードが照明手段として初めて使用された頃、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）も、日常使用される物品、たとえば携帯電話用のディスプレイへの使用が増加していた。無機同等物に対するＯＬＥＤの利点は、加工が容易な点にある。ＯＬＥＤに使用される材料は、適切な溶媒に溶解させることができる。部品の個々の層は、たとえば印刷法によって基板に適用することができる。したがって、曲面ディスプレイを製造することが比較的容易である。層は結晶形態にないため、ＯＬＥＤは無機化合物に基づくＬＥＤと比較して柔軟であり、したがって、柔軟なスクリーンの製造のために柔軟な基板に適用することもできる。ＯＬＥＤは、それ自体が光を発するため、たとえば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の場合に必要とされるようなバックライトを何ら必要としない。したがって、ＯＬＥＤに基づくスクリーンは、非常に薄くすることが可能である。ＯＬＥＤに基づくディスプレイが呈するさらなる利点は、非常に高いコントラストである。それは、励起されていないＯＬＥＤは、全く光を発しない、即ち、完全に黒色であるからである。光収率に関しては、大きな進歩が達成されており、そのため、現在では、ＯＬＥＤの電子状態を誘起するために使用されるエネルギーを事実上完全に光に変換することが可能である。
ＯＬＥＤは、複数の層から形成されている。まず第一に、アノードが基板に適用され、基板は好ましくは透明であり、たとえばガラス板または透明ポリマー膜である。ここでは、透明なアノードを得るために、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が通常使用される。次いで、正孔輸送層（ＨＴＬ）がアノードに適用される。アノードから正孔輸送層への正孔の輸送を容易にするため、即ち、正孔に対する注入障壁を低減するため、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリスチレンスルホナートをドープしたポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン））で構成される中間層が、多くの場合まずアノードに適用され、次いで正孔輸送層が適用される。次いで、正孔輸送層に続いて、たとえば重量で５％～１０％の割合で染料を含有するか、または染料に基づく発光層（ＥＬ）が適用される。後者には、次いで電子輸送層（ＥＴＬ）を適用してもよい。最後に、高真空下、低い電子仕事関数を有する金属または合金、たとえばカルシウム、アルミニウム、バリウム、ルテニウム、マグネシウム／銀合金からなるカソードが、蒸着によって適用される。保護層として、かつ電子に対する注入障壁を低減するため、フッ化リチウム、フッ化セシウム、または銀の非常に薄い層をカソードとＥＴＬとの間に適用することも可能である。したがって、ＯＬＥＤの構造は比較的複雑であり、複数の操作工程を伴う。さらに、使用される材料は、湿度と酸素に敏感であり、そのため、ＯＬＥＤが長期にわたり機能することを確実にするには、構造体を封入する必要がある。
電荷担体として、電子がカソードから、正孔がアノードから層構造に注入される。電子と正孔は、互いに向かって運ばれ、発光層中で励起子と呼ばれる束縛状態を形成する。電荷担体の再結合において、一重項および三重項励起子が１：３の比で形成される。励起子の崩壊は、染料分子の励起のためのエネルギーを供給する。励起状態は次いで、基底状態へと戻ることができ、その際光子を放出する。蛍光と呼ばれる一重項状態からの発光の場合、生成される励起子の最大で２５％しか発光に繋がらず、一方、三重項状態から進行する無放射遷移は、熱の形態で失われる。三重項状態Ｔ１から一重項状態Ｓ０への遷移は、高次のスピン禁制遷移であり、したがって、発光のために利用することができない。
リン光と呼ばれる三重項発光の場合、三重項捕獲によって全ての励起子を利用し、それらを光として放出させることが理論的には可能である。この場合、三重項状態よりエネルギーの高い追加的に誘起された一重項状態が、項間交差により三重項状態へと完全に緩和される。
使用される三重項発光体は通常、金属が第３周期の遷移元素のから選択される、例えばイリジウム、白金または金である遷移金属錯体である。中心貴金属イオンの高度なスピン軌道相互作用の結果として、光遷移の場合には強く禁制される三重項－一重項遷移が許容され、ＯＬＥＤにおける使用に適する数μｓの発光寿命が達成される。しかしながら、電流密度の増大およびその結果として生じる発光体分子の大部分または全ての三重項状態Ｔ１の占有に伴い、飽和効果が生じ、結果として、電荷担体流は、励起状態の占有のためにもはや十分に利用できなくなり、それは、抵抗損が生じ、発光体の効率が低下することを意味する（「ロールオフ」特性）。
一重項発光体は、ナノ秒の範囲の遙かに短い発光寿命を有し、そのため、ロールオフ効果は、発生するとしても遙かに低い程度である。発光体の効率または量子収率は、三重項状態を光の放出のためにも利用することにより上げることができる。しかしながら、この目的のため、三重項状態Ｔ１からの一重項状態Ｓ１の熱的再占有が、室温で可能となるように、最高被占三重項状態Ｔ１と最低励起一重項状態Ｓ１との間のエネルギー差を小さくする必要がある。さらに、項間交差がスピン禁制Ｔ１→Ｓ１遷移を可能にするように、強いスピン軌道相互作用を可能にする必要がある。この遷移の場合の発光寿命は、１μｓ未満の範囲、たとえば約１００～６００ｎｓでなければならない。
したがって、一重項捕獲においては、三重項捕獲の場合と同様、占有されているのは最低励起一重項状態である。しかしながら、発光は、最低三重項状態Ｔ１からではなく、最低励起一重項状態Ｓ１からの熱的再占有を介したものであり、そうでなければ失われる励起エネルギーがほぼ完全に光の放出のために三重項状態に利用可能となっている。
このプロセスは、熱活性化型遅延蛍光（ＴＡＤＦ）と呼ばれ、例えば、Ｂ．Ｈ．Ｕｏｙａｍａら、Ｎａｔｕｒｅ２０１２、Ｖｏｌ．４９２，２３４に記載されている。このプロセスを可能にするためには、例えば約２０００ｃｍ－１未満の比較的小さな一重項－三重項分離ΔＥ（Ｓ１－Ｔ１）が発光体に必要である。原理上はスピン禁制されているＴ１→Ｓ１遷移を開放するため、発光体に加えて、項間交差が、空間的近接とその結果分子間に可能となる相互作用、または発光体中に存在する金属原子によって生成されるスピン軌道相互作用によって可能となるように、マトリックスに強いスピン軌道相互作用を有するさらなる化合物を提供することが考えられる。
適する発光体は、特に高い電荷輸送特性を呈する分子、たとえば銅化合物である。したがって、１０６ｓ－１を超える比較的速い崩壊速度と結びついた非常に小さい分離ΔＥ（Ｓ１－Ｔ１）を有するように、熱活性化型遅延蛍光を呈する高発光性化合物を構成し、光の放出のない競合崩壊経路の減少が生じるようにする必要がある。
開発されてきたさらなる発光電子部品は、有機発光セル（ＯＬＥＣ、ＬＥＣまたはＬＥＥＣとも呼ばれる）である。ＯＬＥＣは、Ｏｕｉｂｉｎｇ Ｐｅｉら、Ｓｃｉｅｎｃｅ、１９９５、２９６、１０８６－１０８８により初めて記載され、そこには、基本的な原理も説明されている。
ＯＬＥＤと比較すると、ＯＬＥＣは、より単純な構造を有し、製造もより簡単である。例えば、ＯＬＥＣは、ＯＬＥＤと比較して、層の数を少なくすることができる。加えて、ＯＬＥＣでは活性層をより厚くすることができ、そのため、活性発光層の生成のためにより単純な方法を使用することが可能である。ＯＬＥＣの活性発光層は、数ミクロンから数十ミクロンの厚さを有することができる。したがって、活性層の適用は、インクジェット印刷、スクリーン印刷またはスプレーコーティングなどの方法を使用して達成でき、これらは、安価な大量生産にも適している。ＯＬＥＤと比較すると、ＯＬＥＣは、基板表面の凹凸および活性層の欠陥に対してより低い感度を呈する。したがって、ＯＬＥＣは、大面積の発光デバイスの製造により適している。
ＯＬＥＣは、２つの電極と、カソードとアノードの間に配置された活性層を含む。活性層は、発光有機半導体と、可動イオンを供給する電解質を含む。光が出られるようにするため、電極のうちの少なくとも一方は、透明とすべきである。
使用される発光有機半導体は、たとえばＯＬＥＤにも使用されるような共役コポリマーまたはイオン性遷移金属錯体であってもよい。例示的な遷移金属錯体は、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）またはトリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）である。小分子は、適切な溶媒により容易に溶解させることができるため、処理が容易であるという利点がある。ただし、これらの溶液の処理では、膜形成能が乏しいという困難が生じる。
有機半導体の光を発する能力は、最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）および最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギーと、これらの相対位置によって決まる。ただし、有機半導体の場合、ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯは、分子に側鎖を導入するか、異なる有機半導体からコポリマーを調製して、異なる有機半導体がコポリマー鎖中に存在するようにすることにより、それらのエネルギーに関して調整可能である。こうして、有機半導体の溶解性およびその膜形成能に影響を与えることも可能である。しかしながら、エネルギー状態の位置が決定される軌道間の相互作用も、ポリマーの形状寸法と他の分子に対する相対位置に影響される。したがって、溶液から生成される膜の場合、溶媒の変化がＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの位置に影響し、有機発光成分の発光が、膜の非結晶質特性のために比較的広いスペクトルを有するようになる可能性がある。
ほとんどの金属は、比較的高い仕事関数を有し、それが、電極材料から有機半導体へと電子を注入するために電極でエネルギーの多量消費が起こる理由である。アルカリ金属またはアルカリ土類金属を使用する場合、これらの金属は、仕事関数が低く、カソードと有機半導体のＬＵＭＯとの間のエネルギー差を低下させる。しかしながら、これらの金属は酸素および水との反応性が非常に高く、そのため、電子部品の製造は複雑となる。
有機発光電気化学セルの場合、電極から活性層への電荷の輸送を可能にするために可動イオンが利用される。カソードとアノードの間に電圧を印加すると、陽イオンがカソードに蓄積し、陰イオンがアノードに蓄積して、電気二重層が形成されるようになる。電気二重層は非常に薄く、それは、活性層の層厚に関わらず、電極との界面に高電場勾配が生じることを意味する。電極間に十分に大きな電位差があれば、電気二重層は、有機半導体のＨＯＭＯまたはＬＵＭＯへの電荷担体の効率的な注入を可能とする。電荷担体の注入は、荷電イオンの反対方向への動きによって補償される。したがって、カソードでの電子の注入は、陽イオンの蓄積をもたらし、そのため、ｎドーピングを引き起こす。これに対応して、アノードでの電子の抽出またはアノードでの正孔の注入は、負に荷電したイオンによって補償され、ｐドーピングを引き起こす。この電気化学的ドーピングは、有機半導体内での電子または正孔の輸送を促進する。したがって、より大きな電極分離を生じるより厚い活性層の場合でも、小さな電位差で効果的な電荷輸送を生じさせることが可能である。
電気化学的にドーピングされた領域は、最終的には接触するまで互いに向かって成長し、非常に薄い非ドープ層においてｐｎ再結合が生じる。しかしながら、ＯＬＥＣとＯＬＥＤにおける電荷輸送のメカニズムには、決定的な違いがある。ＯＬＥＣ中の電荷は、可動イオンの助けにより輸送され、ＯＬＥＤでは、電荷は、ほぼ動かない分子からの電子／正孔のホッピングにより輸送される。加えて、ＯＬＥＤは多くの場合、異なる材料を有するさらなる層（たとえば電子および正孔輸送層）を含有する。ＯＬＥＣは、対照的に、電子および正孔輸送のための層は、電極間に電位差を印加した後に活性層中に自動的に形成されるため、製造時、単一の均質な活性層の供給のみを必要とする。したがって、ＯＬＥＤと比較すると、ＯＬＥＣの機能は電極の仕事関数に依存しない。したがって、両電極を同じ材料で製造することができる。したがって、金属を全く含まないＯＬＥＣを製造することも可能である。
ＯＬＥＤは、電荷輸送の順および逆方向を有するダイオードであり、それは、電流－電圧曲線が非対称であることを意味する。ＯＬＥＣは本質的に、電解質セルである。電位差を印加した後、電解質はアノードで酸化され、カソードで還元される。
ＯＬＥＣは、典型的には発光および電荷輸送性共役ポリマー、たとえばポリフェニレン－ビニレンポリマー、ポリチオフェンポリマーまたはポリフルオレンポリマーと、可動イオン性ドーパント、たとえばリチウムトリフラート、および電解質を形成する化合物、たとえばポリエチレンオキシドを含む電解質系とを含む単一の溶液を用いて製造される。
発光電気化学セルは、たとえばＷＯ２０１３／１７３８４５により公知である。
一重項発光体を染料として使用する場合、ＯＬＥＤに関して上記したプロセスと同様に、三重項遷移において放出されるエネルギーは、熱の形態で失われる。電荷担体の再結合の約２５％しか一重項励起子にもたらされないため、これは、活性層に注入される全電荷担体の７５％が失われ、光の生成には使われないことを意味する。したがって、光収率に関する効率は、この種のＬＥＣでは満足のいくものではない。先行技術では、寿命と効率に関しては、ＯＬＥＤがＯＬＥＣよりも際だって優れていることは公知である。
したがって、本発明が対処する１つの課題は、使用した電気エネルギーに対して高い光収率を達成し、先行技術で公知の欠点を克服する有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）または有機発光電気化学セル（ＯＬＥＣ）を提供するという課題であった。
本発明が対処するさらなる課題は、有機電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセントデバイスまたは有機電気化学セルへの使用に適し、このデバイスに使用した場合、良好なデバイス特性をもたらす化合物を提供するという課題、および対応する電子デバイスを提供するという課題である。
より詳細には、本発明が対処する課題は、長寿命、高効率および低動作電圧につながる化合物を提供するという課題である。特に、マトリックス材料の特性も、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの寿命および効率に対し本質的に影響する。
本発明が対処するさらなる課題は、リン光または蛍光ＯＬＥＤにおいて、とりわけマトリックス材料としての使用に好適な化合物を提供するという課題であると考えることができる。本発明の特定の目的は、赤色、黄色、および緑色リン光発光性ＯＬＥＤに適し、場合により青色リン光発光性ＯＬＥＤにも適するマトリックス材料を提供することである。
さらに、化合物は、非常に単純な方法で加工できるものであり、とりわけ良好な溶解性および膜形成性を呈するものでなければならない。たとえば、化合物は、向上した酸化安定性と改善されたガラス転移温度を呈するものでなければならない。
さらなる目的は、優れた性能を有する電子デバイスを非常に安価に、かつ一定品質で提供するという目的であると考えることができる。
さらに、電子デバイスを多くの目的に使用または適用することが可能でなければならない。より詳細には、電子デバイスの性能は、広い温度範囲に亘って維持されなければならない。
驚くべきことに、以下に詳細に記載する特定の化合物が、これらの課題を解決し、先行技術の欠点を解消することが発見されている。この化合物を使用すると、とりわけ寿命、効率および動作電圧に関し、有機電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイスの特性が非常に良好なものとなる。したがって、本発明は、この種の化合物を含む電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセントデバイスまたは有機発光電気化学セルと、対応する好ましい態様を提供する。
したがって、本発明は、下記式（Ｉ）：
Figure 0007225094000001
（式中、使用した記号は、下記の通りである：
Ｑは、５～６０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい芳香族またはヘテロ芳香族環系を含むアクセプター基であり；
ＨＬは、ドナー基であり；
Ａｒａ、Ａｒｂは、同じであるかまたは異なり、５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい芳香族またはヘテロ芳香族環系であり；
Ｒａ、Ｒｂは、同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＲ１）２、ＣＨＯ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１、ＣＲ１＝Ｃ（Ｒ１）２、ＣＮ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ１、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ１）２、Ｓｉ（Ｒ１）３、Ｎ（Ｒ１）２、ＮＯ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１）２、ＯＳＯ２Ｒ１、ＯＲ１、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ１、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ１、１～４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３～４０個の炭素原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ２基は、－Ｒ１Ｃ＝ＣＲ１－、－Ｃ≡Ｃ－、Ｓｉ（Ｒ１）２、Ｇｅ（Ｒ１）２、Ｓｎ（Ｒ１）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１、ＮＲ１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１）、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ１－、－Ｏ－、－Ｓ－、ＳＯもしくはＳＯ２により置きかえられていてもよく、１個以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２により置きかえられていてもよい）、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいアラルキルもしくはヘテロアラルキル基、または１０～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基；またはこれらの系の組合せであり；同時に、ＲａおよびＲｂが一緒になって、またはＡｒａもしくはＡｒｂ基と共に、単環または多環式の脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ１は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＲ２）２、ＣＨＯ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、ＣＲ２＝Ｃ（Ｒ２）２、ＣＮ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ２、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ２）２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｎ（Ｒ２）２、ＮＯ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）２、ＯＳＯ２Ｒ２、ＯＲ２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２、１～４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３～４０個の炭素原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ２基は、－Ｒ２Ｃ＝ＣＲ２－、－Ｃ≡Ｃ－、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２、ＮＲ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ２－、－Ｏ－、－Ｓ－、ＳＯもしくはＳＯ２により置きかえられていてもよく、１個以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２により置きかえられていてもよい）、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよい芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいアラルキルもしくはヘテロアラルキル基、または１０～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基；またはこれらの系の組合せであり；同時に、２つ以上の、好ましくは隣接するＲ１ラジカルが一緒になって単環または多環式の脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ２は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＲ３）２、ＣＨＯ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ３、ＣＲ３＝Ｃ（Ｒ３）２、ＣＮ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ３、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ３）２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｎ（Ｒ３）２、ＮＯ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）２、ＯＳＯ２Ｒ３、ＯＲ３、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ３、１～４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３～４０個の炭素原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ３ラジカルにより置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ２基は、－Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３－、－Ｃ≡Ｃ－、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ３－、－Ｏ－、－Ｓ－、ＳＯもしくはＳＯ２により置きかえられていてもよく、１個以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２により置きかえられていてもよい）、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ３ラジカルにより置換されていてもよい芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ３ラジカルにより置換されていてもよいアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ３ラジカルにより置換されていてもよいアラルキルもしくはヘテロアラルキル基、または１０～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ３ラジカルにより置換されていてもよいジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基、またはこれらの系の組合せであり；同時に、２つ以上の、好ましくは隣接するＲ２置換基が一緒になって単環または多環式の脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ３は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１～２０個の炭素原子を有する脂肪族、芳香族および／またはヘテロ芳香族ヒドロカルビルラジカルであり（水素原子はＦにより置きかえられていてもよい）；同時に、２つ以上の、好ましくは隣接するＲ３置換基が一緒になって単環または多環式の脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよい）
の少なくとも１つの構造を含む化合物を提供する。
本発明の文脈における隣接する炭素原子は、互いに直接結合している炭素原子である。加えて、ラジカルの定義における「隣接するラジカル」は、これらのラジカルが同じ炭素原子または隣接する炭素原子に結合していることを意味する。これに対応し、これらの定義は、とりわけ「隣接する基」および「隣接する置換基」という用語にも当てはまる。
本明細書の文脈における、２つ以上のラジカルが一緒になって環を形成してもよいという表現は、とりわけその２つのラジカルが２個の水素原子のホルマール脱離を伴う化学結合により互いに結合していることを意味すると当然に理解される。これは、下記のスキームによって説明される：
Figure 0007225094000002
ただし、これに加えて、上記の表現は、２つのラジカルの一方が水素である場合、第２のラジカルは、水素原子が結合した位置に結合して環を形成することも意味すると当然に理解される。これは、下記のスキームによって説明される：
Figure 0007225094000003
本発明の文脈における縮合アリール基、縮合芳香族環系、または縮合ヘテロ芳香族環系は、たとえばナフタレンにおけるように、たとえば２つの炭素原子が少なくとも２つの芳香族またはヘテロ芳香族環に属するように、２つ以上の芳香族基が共通の縁に沿って互いに縮合、即ち縮環した基である。これに対し、たとえばフルオレンは、フルオレン中の２つの芳香族基が共通の縁を持たないことから、本発明の文脈における縮合アリール基ではない。対応する定義は、ヘテロアリール基、およびヘテロ原子を含有していてもよいが、必ずしも含有する必要はない縮合環系にも当てはまる。
本発明の文脈におけるアリール基は、６～６０個の炭素原子、好ましくは６～４０個の炭素原子を含有し；本発明の文脈におけるヘテロアリール基は、２～６０個の炭素原子、好ましくは２～４０個の炭素原子と、少なくとも１個のヘテロ原子を含有し、ただし、炭素原子とヘテロ原子の合計は、少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくはＮ、Ｏおよび／またはＳから選択される。アリール基またはヘテロアリール基は、ここでは、単純な芳香族環、即ちベンゼン、もしくは単純なヘテロ芳香族環、たとえばピリジン、ピリミジン、チオフェンなど、または縮合アリールもしくはヘテロアリール基、たとえばナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリンなどの何れかを意味するものと理解される。
本発明の文脈における芳香族環系は、環系中に６～６０個、好ましくは６～４０個の炭素原子を含有する。本発明の文脈におけるヘテロ芳香族環系は、環系中に１～６０個、好ましくは１～４０個の炭素原子と少なくとも１個のヘテロ原子を含有し、ただし炭素原子とヘテロ原子の合計は、少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。本発明の文脈における芳香族またはヘテロ芳香族環系は、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基のみを含有するとは限らないが、２つ以上のアリールまたはヘテロアリール基が非芳香族単位（好ましくは、Ｈ以外の原子の１０％未満）、たとえば炭素、窒素もしくは酸素原子またはカルボニル基によって中断されることもあり得る系を意味すると当然に理解される。そのため、たとえば９，９’－スピロビフルオレン、９，９－ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベンなどの系も、本発明の文脈における芳香族環系とみなされ、２つ以上のアリール基がたとえば直鎖状もしくは環状アルキル基またはシリル基により中断されている系も同様である。加えて、２つ以上アリールまたはヘテロアリール基が互いに直接結合した系、たとえばビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニルまたはビピリジンも同様に、芳香族またはヘテロ芳香族環系とみなされる。
本発明の文脈における環状アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基は、単環式、二環式または多環式の基を意味するものと理解される。
本発明の文脈における、個々の水素原子またはＣＨ２基は、上記の基により置きかえられていてもよいＣ１～Ｃ２０アルキル基は、たとえばメチル、エチル、ｎ－プロピル、ｉ－プロピル、シクロプロピル、ｎ－ブチル、ｉ－ブチル、ｓ－ブチル、ｔ－ブチル、シクロブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、ｔ－ペンチル、２－ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ｎ－ヘキシル、ｓ－ヘキシル、ｔ－ヘキシル、２－ヘキシル、３－ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、１－メチルシクロペンチル、２－メチルペンチル、ｎ－ヘプチル、２－ヘプチル、３－ヘプチル、４－ヘプチル、シクロヘプチル、１－メチルシクロヘキシル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、シクロオクチル、１－ビシクロ［２．２．２］オクチル、２－ビシクロ［２．２．２］オクチル、２－（２，６－ジメチル）オクチル、３－（３，７－ジメチル）オクチル、アダマンチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、２，２，２－トリフルオロエチル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘプタ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－デカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ドデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－テトラデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサデカ－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘプタ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－デカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ドデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－テトラデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサデカ－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタデカ－１－イル、１－（ｎ－プロピル）シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－ブチル）シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－ヘキシル）シクロヘキサ－１－イル、１－（ｎ－オクチル）シクロヘキサ－１－イル、および１－（ｎ－デシル）シクロヘキサ－１－イルラジカルを意味するものと理解される。アルケニル基は、たとえばエテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、またはシクロオクタジエニルを意味するものと理解される。アルキニル基は、たとえばエチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、またはオクチニルを意味するものと理解される。Ｃ１～Ｃ４０アルコキシ基は、たとえばメトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、ｉ－プロポキシ、ｎ－ブトキシ、ｉ－ブトキシ、ｓ－ブトキシ、ｔ－ブトキシ、または２－メチルブトキシを意味するものと理解される。
５～６０個、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、各場合において上記のラジカルにより置換されていてもよく、任意所望の位置を介して芳香族またはヘテロ芳香族系に結合していてもよい芳香族またはヘテロ芳香族環系は、たとえば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、ｃｉｓ－またはｔｒａｎｓ－インデノフルオレン、ｃｉｓ－またはｔｒａｎｓ－モノベンゾインデノフルオレン、ｃｉｓ－またはｔｒａｎｓ－ジベンゾインデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ－５，６－キノリン、ベンゾ－６，７－キノリン、ベンゾ－７，８－キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２－チアゾール、１，３－チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５－ジアザアントラセン、２，７－ジアザピレン、２，３－ジアザピレン、１，６－ジアザピレン、１，８－ジアザピレン、４，５－ジアザピレン、４，５，９，１０－テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３－オキサジアゾール、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジアゾール、１，３，４－オキサジアゾール、１，２，３－チアジアゾール、１，２，４－チアジアゾール、１，２，５－チアジアゾール、１，３，４－チアジアゾール、１，３，５－トリアジン、１，２，４－トリアジン、１，２，３－トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５－テトラジン、１，２，３，４－テトラジン、１，２，３，５－テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン、およびベンゾチアジアゾールに由来する基を意味するものと理解される。
好ましい構成において、本発明の化合物は、式（Ｉ）の構造で表すことができる。好ましくは、式（Ｉ）の構造を含む化合物は、５０００ｇ／ｍｏｌ以下、好ましくは４０００ｇ／ｍｏｌ以下、特に好ましくは３０００ｇ／ｍｏｌ以下、とりわけ好ましくは２０００ｇ／ｍｏｌ以下、最も好ましくは１２００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。
加えて、本発明の好ましい化合物の特徴は、昇華性であることである。これらの化合物は一般に、約１２００ｇ／ｍｏｌ未満のモル質量を有する。
ＨＬ基は、ドナー基を表し、この概念は、とりわけＴＡＤＦ材料に関する専門家分野では公知である。
本発明の場合におけるドナー基Ｄ（ドナー置換基とも呼ばれる）は、電子ドナー基である基を意味するものと理解される。ドナー基が意味するものは、当業者には周知である。ドナー基が、正の誘起効果（＋Ｉ）および／または正のメソメリー効果（＋Ｍ）を有する場合が好ましい。ハメット則を援用したパラメータの決定が、当業者には周知である。適するドナー置換基はとりわけ、ジアリールまたはヘテロアリールアミノ基、およびカルバゾール基またはカルバゾール誘導体、たとえばインデノカルバゾールまたはインドロカルバゾールである。これらの基は、さらなる置換を有していてもよい。
さらなる態様において、ドナー基は、アリールアミノ基、好ましくはジまたはトリアリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、好ましくはジまたはトリヘテロアリールアミノ基、カルバゾール基から選択され、カルバゾール基が好ましい。
好ましくは、ドナー基ＨＬが基を含み、好ましくは式（Ｈ－１）～（Ｈ－３）
Figure 0007225094000004
（式中、点線で示される結合は結合位置を示し、
Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４は、それぞれ独立して６～４０個の炭素原子を有するアリール基または３～４０個の炭素原子を有するヘテロアリール基であり、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよく；
ｐは、０、１、２、３、４、５または６、好ましくは０、１、２または３、より好ましくは０、１または２であり、
Ｚは、ＣＲ１ ２、ＳｉＲ１ ２、Ｃ＝Ｏ、Ｎ－Ａｒ１、ＢＲ１、ＰＲ１、ＰＯＲ１、ＳＯ、ＳＯ２、Ｓｅ、ＯまたはＳ、好ましくはＣＲ１ ２、Ｎ－Ａｒ１、ＯまたはＳであり、ここで、Ｒ１ラジカルは、請求項１に記載の定義を有し、Ａｒ１は、５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいアリールオキシ基、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいアラルキル基を表し、ここで、２つ以上の、好ましくは隣接するＲ１置換基が、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよい単環または多環式の脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成することが任意に可能である）
から選択される基であるようにしてもよい。
さらに、ドナー基ＨＬが基を含み、好ましくは式（Ｈ－４）～（Ｈ－２６）
Figure 0007225094000005
Figure 0007225094000006
Figure 0007225094000007
（式中、Ｙ１は、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ１）２またはＮＡｒ１を表し、点線で示される結合は結合位置を示し、ｅは、０、１または２であり、ｊは、０、１、２または３であり、ｈは、０、１、２、３または４であり、ｐは、０、１、２、３、４、５または６、好ましくは０、１、２または３、より好ましくは０、１または２であり、Ａｒ１およびＡｒ２は、とりわけ式（Ｈ－１）または（Ｈ－２）に関して先に示した定義を有し、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に示した定義を有する）
から選択される基であるようにしてもよい。
基（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）の中で、カルバゾール基、とりわけ基（Ｈ－４）～（Ｈ－２６）が好ましい。
好ましくは、式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）中のＡｒ２基は、式（ＬＡｒ－１）
Figure 0007225094000008
（式中、Ｘは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、ＮまたはＣＲ１、好ましくはＣＲ１であるか、基がＸに結合している場合はＣであり；点線で示される結合は結合位置を示し、ｓは、０、１、２、３、４、５または６、好ましくは０、１、２または３、より好ましくは０、１または２、とりわけ好ましくは０または１であり、ここで、Ｒ１ラジカルは、とりわけ式（Ｉ）に関して先に示した定義を有する）
の連結構造であってもよい。好ましくは、式（ＬＡｒ－１）に示す基の２つの結合位置は、パラ位である。さらに好ましいのは、式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）中の添え字ｐが１であり、式（ＬＡｒ－１）中の添え字ｓが０、１、２、３、４、５または６、好ましくは０、１、２または３、より好ましくは０、１または２、とりわけ好ましくは０または１である。
好ましくは、式（ＬＡｒ－１）中１環当たり２つ以下のＸ基がＮである。より好ましくは、式（ＬＡｒ－１）の連結構造は、２個以下の窒素原子、より好ましくは１個以下の窒素原子を含み、とりわけ好ましくは窒素原子を含まない。さらに、式（ＬＡｒ－１）において、１環当たり少なくとも４つのＸ、好ましくは全てのＸがＣＲ１であり、ここで、Ｘが表すＣＲ１基のうちの、好ましくは４つ以下、より好ましくは３つ以下、とりわけ好ましくは２つ以下がＣＨ基ではないことを特徴とする化合物が好ましい。より好ましくは、式（ＬＡｒ－１）の連結構造は、Ｈではない２つ以下のＲ１ラジカルを含み、より好ましくは１つ以下であり、とりわけ全く含まない。
式（Ｉ）中のＱ基は、５～６０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい芳香族またはヘテロ芳香族環系を含むアクセプター基を表す。この特性を有するアクセプター基は、とりわけＴＡＤＦ材料に関する専門家分野では広く公知である。アクセプター基が、負の誘起効果（－Ｉ）および／または負のメソメリー効果（－Ｍ）を有する場合が好ましい。ハメット則を援用したパラメータの決定が、当業者には周知である。適するアクセプター置換基はとりわけ、電子求引性置換基により置換されている電子不足ヘテロアリール基およびアリール基であり、ここで、これらの基は、さらなる置換を有していてもよい。好ましい電子不足ヘテロアリール基の例は、トリアジン、ピリミジン、ホスフィンオキシド、およびケトンからなる群から選択される。
さらに、少なくとも１つの式（Ｉ）の構造またはその好ましい態様を含む化合物により驚くべき利点が示され、ここで、アクセプター基Ｑは、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、キナゾリン、キノキサリン、キノリン、イソキノリン、イミダゾールおよび／またはベンゾイミダゾールの群から選択される少なくとも１つの構造を含み、特にピリミジン、トリアジンおよびキナゾリンが好ましい。
本発明の好ましい構成において、アクセプター基が、式（ＱＬ）
Figure 0007225094000009
（式中、Ｌ１は、結合、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい芳香族もしくはヘテロ芳香族環系を表し、Ｑ１は、電子求引基であり、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に示した定義を有する）
で表すことができる基であるようにしてもよい。
好ましくは、Ｌ１基は、式（ＬＡｒ－２）
Figure 0007225094000010
（式中、Ｘは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、ＮまたはＣＲ１、好ましくはＣＲ１であるか、基がＸに結合している場合はＣであり；
点線で示される結合は結合位置を示し、ｔは、０、１、２、３、４、５または６、好ましくは０、１、２または３、より好ましくは０、１または２、とりわけ好ましくは０または１であり、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して上記した定義を有する）
の連結構造である。好ましくは、式（ＬＡｒ－２）に示す連結構造の２つの結合位置は、パラ位である。
好ましくは、式（ＬＡｒ－２）中１環当たり２つ以下のＸ基がＮである。より好ましくは、式（ＬＡｒ－２）の連結構造は、２個以下の窒素原子、より好ましくは１個以下の窒素原子を含み、とりわけ好ましくは窒素原子を含まない。さらに、式（ＬＡｒ－２）において、１環当たり少なくとも４つのＸ、好ましくは全てのＸがＣＲ１であり、ここで、Ｘが表すＣＲ１基のうちの好ましくは４つ以下、より好ましくは３つ以下、とりわけ好ましくは２つ以下がＣＨ基ではないことを特徴とする化合物が好ましい。より好ましくは、式（ＬＡｒ－２）の連結構造は、Ｈではない２つ以下のＲ１ラジカルを含み、より好ましくは１つ以下であり、とりわけ全く含まない。
さらに、式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）の添え字ｐが０、１または２であり、式（ＬＡｒ－２）中の添え字ｔが０、１または２であるようにしてもよい。好ましくは、式（ＬＡｒ－１）中の添え字ｓは０、１または２であり、式（ＬＡｒ－２）中の添え字ｔは０、１または２であってもよい。さらに、式（ＬＡｒ－１）中の添え字ｓと式（ＬＡｒ－２）中の添え字ｔとの差が２以下、好ましくは１以下、とりわけ好ましくは０であるようにしてもよい。
式（Ｉ）の好ましい化合物は、Ａｒ２基が、式（ＬＡｒ－１）の連結構造である式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）の少なくとも１つのドナー基と、Ｌ１が、式（ＬＡｒ－２）の連結構造によって表すことができる式（ＱＬ）の少なくとも１つのアクセプター基を含み、ここで、式（ＬＡｒ－１）中の添え字ｓおよび式（ＬＡｒ－２）中の添え字ｔは、下記の値を有する：
Figure 0007225094000011
さらなる構成において、とりわけ式（Ｉ）において詳述したＱ基、または電子求引性Ｑ１基が、ヘテロ芳香族環系を表すようにしてもよく、ここで、環原子は１～４個の窒素原子を含み、環系は、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換であり、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に詳述した定義を有する。
さらに、式（Ｉ）中のアクセプター基Ｑ、または電子求引性Ｑ１基が、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である少なくとも２つの縮合環を有するヘテロ芳香族環系であることを特徴とする化合物が好ましく、ここで、少なくとも２つの縮合環の環原子は、少なくとも１個の窒素原子、好ましくは少なくとも２個の窒素原子を含み、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して上記した定義を有する。
さらに、とりわけ前記式において詳述したＱ基、または電子求引性Ｑ１基が、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい９～１４個、好ましくは１０個の環原子を有するヘテロ芳香族環系を表すようにしてもよく、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に詳述した定義を有するが、好ましくは無置換である。
好ましくは、とりわけ式（Ｉ）に詳述したＱ基、または式（ＱＬ）に詳述したＱ１基は、式（Ｑ－１）、（Ｑ－２）、（Ｑ－３）、（Ｑ－４）、（Ｑ－５）、（Ｑ－６）、（Ｑ－７）、（Ｑ－８）、（Ｑ－９）および／または（Ｑ－１０）
Figure 0007225094000012
（式中、点線で示される結合は結合位置を示し、
Ｑ’は、各場合において同じであるかまたは異なり、ＣＲ１またはＮを表し、
Ｑ”は、ＮＲ１、ＯまたはＳを表し；
ここで、少なくとも１つのＱ’はＮであり、および／または少なくとも１つのＱ”は、ＮＲ１であり、
Ｒ１は、請求項１に定義する通りである）
の構造から選択されてもよい。
好ましくは、式（Ｉ）中のＱ、または式（ＱＬ）において詳述したＱ１基は、式（Ｑ－１１）、（Ｑ－１２）、（Ｑ－１３）、（Ｑ－１４）および／または（Ｑ－１５）
Figure 0007225094000013
（式中、記号Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して記載した定義を有し、Ｘは、ＮまたはＣＲ１であり、点線で示される結合は結合位置を示し、ここで、Ｘは好ましくは窒素原子を表す）
の構造から選択される。
さらなる態様において、とりわけ式（Ｉ）において詳述したＱ基、またはとりわけ式（ＱＬ）において詳述したＱ１基は、式（Ｑ－１６）、（Ｑ－１７）、（Ｑ－１８）、（Ｑ－１９）、（Ｑ－２０）、（Ｑ－２１）および／または（Ｑ－２２）
Figure 0007225094000014
（式中、記号Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に詳述した定義を有し、点線で示される結合は結合位置を示し、ｍは、０、１、２、３または４、好ましくは０、１または２であり、ｎは、０、１、２または３、好ましくは０、１または２であり、ｏは、０、１または２、好ましくは１または２である）
の構造から選択される。ここで、式（Ｑ－１６）、（Ｑ－１７）、（Ｑ－１８）および（Ｑ－１９）の構造が好ましい。
さらなる態様において、とりわけ式（Ｉ）において詳述したＱ基、またはとりわけ式（ＱＬ）に詳述したＱ１基は、式（Ｑ－２３）、（Ｑ－２４）および／または（Ｑ－２５）
Figure 0007225094000015
（式中、記号Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して上記した定義を有し、点線で示される結合は結合位置を示す）
の構造から選択されてもよい。
さらなる態様において、とりわけ式（Ｉ）において詳述したＱ基、またはとりわけ式（ＱＬ）に詳述したＱ１基は、式（Ｑ－２６）、（Ｑ－２７）、（Ｑ－２８）、（Ｑ－２９）および／または（Ｑ－３０）
Figure 0007225094000016
（式中、Ｘは、ＮまたはＣＲ１であり、記号Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に示した定義を有し、点線で示される結合は結合位置を示し、ここで、Ｘは好ましくは窒素原子を表し、Ａｒ１は、５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいアリールオキシ基、または５～６０個の芳香族、好ましくは５～４０個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいアラルキル基を表し、ここで、２つ以上の、好ましくは隣接するＲ１置換基が、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよい単環または多環式の脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系、好ましくは単環または多環式の脂肪族環系を形成することが任意に可能である）
の構造から選択されてもよい。
好ましくは、とりわけ式（Ｉ）において詳述したＱ基、またはとりわけ式（ＱＬ）において詳述したＱ１基は、式（Ｑ－３１）、（Ｑ－３２）、（Ｑ－３３）、（Ｑ－３４）、（Ｑ－３５）、（Ｑ－３６）、（Ｑ－３７）、（Ｑ－３８）、（Ｑ－３９）、（Ｑ－４０）、（Ｑ－４１）、（Ｑ－４２）、（Ｑ－４３）および／または（Ｑ－４４）
Figure 0007225094000017
Figure 0007225094000018
Figure 0007225094000019
（式中、記号Ａｒ１は、とりわけ式（Ｑ－２６）、（Ｑ－２７）、（Ｑ－２８）、（Ｑ－２９）または（Ｑ－３０）に関して上記した定義を有し、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して上記した定義を有し、点線で示される結合は結合位置を表し、ｍは、０、１、２、３または４、好ましくは０、１または２であり、ｎは、０、１、２または３、好ましくは０または１であり、ｌは、０、１、２、３、４または５、好ましくは０、１または２である）
の構造から選択されてもよい。
好ましくは、記号Ａｒ１は、芳香族またはヘテロ芳香族環系の芳香族またはヘテロ芳香族基が直接、即ち芳香族またはヘテロ芳香族基の原子を介してさらなる基のそれぞれの原子、例えば先に示す（Ｑ－２６）～（Ｑ－４２）基の炭素または窒素原子に結合しているような、アリールまたはヘテロアリールラジカルを表す。
本発明のさらなる好ましい態様において、Ａｒ１は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、６～２４個の芳香族環原子、好ましくは６～１８個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系であり、より好ましくは、６～１２個の芳香族環原子を有する芳香族環系、または６～１３個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換であるヘテロ芳香族環系であり、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）において先に示した定義を有してもよい。
有利には、式（Ｑ－２６）～（Ｑ－４２）中のＡｒ１は、６～１２個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である芳香族環系を表し、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に詳述した定義を有してもよい。
好ましくは、式（Ｑ－１）～（Ｑ－４４）中のＲ１ラジカルは、Ｒ１ラジカルが結合しているヘテロアリール基の環原子と一緒になって縮合環系を形成しない。これは、Ｒ１ラジカルに結合していてもよい可能性のあるＲ２、Ｒ３置換基と一緒になって縮合環系を形成することを含む。
好ましくは、Ｒ２ラジカルは、式（Ｑ－２６）～（Ｑ－４２）中のＲ２ラジカルが結合していてもよいアリール基またはヘテロアリール基Ａｒ１の環原子と一緒になって縮合環系を形成しない。これは、Ｒ２ラジカルに結合していてもよい可能性のあるＲ３置換基と一緒になって縮合環系を形成することを含む。
好ましい態様において、電子求引性Ｑ１基が、５～６０個、好ましくは５～４０個、より好ましくは６～２４個の芳香族環原子を有し、とりわけ好ましくは６～１８個の芳香族環原子を有し、１つ以上の電子求引性置換基を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系であるようにしてもよい。好ましくは、電子求引性置換基は、０以上のハメット定数σを有する。非常に好ましくは、電子求引性置換基のハメット定数は０．２以上、より好ましくは０．４以上、最も好ましくは０．５５以上である。ハメット定数の定義および判定に関するさらなる詳細は、有機化学の基礎から当業者には周知であり、標準的な教科書に開示されている。本発明の目的のためのハメット定数とその判定は、Ｊｅｒｒｙ Ｍａｒｃｈ、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ、Ｆｏｕｒｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ、１９９２のｃｈａｐｔｅｒ ６に定義されている通りである。
１つ以上の電子求引性置換基を有する、適する芳香族またはヘテロ芳香族環系の例は、フェニル、オルト、メタまたはパラビフェニル、テルフェニル、とりわけ分枝テルフェニル、クアテルフェニル、とりわけ分枝クアテルフェニル、１－、２－、３－または４－フルオレニル、１－、２－、３－または４－スピロビフルオレニル、ピリジル、ピリミジニル、１－、２－、３－または４－ジベンゾフラニル、１－、２－、３－または４－ジベンゾチエニル、ピレニル、トリアジニル、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１－または２－ナフチル、アントラセニル、（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよい）からなる群から選択され、スピロビフルオレン、フルオレン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アントラセン、フェナントレン、トリフェニレン基が特に好ましい。言及した基の中で、１つ以上の電子求引性置換基を有するフェニルラジカルがとりわけ好ましい。
好ましい電子求引性置換基は、Ｆ、フッ素化アルキル基、ＣＦ３、ＣｎＦ２ｎ＋１、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ１、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ１）２、Ｂ（ＯＲ１）２、ＮＯ２、ＣＨＯ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１）２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ１、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ１および／またはＣＮを含み、ＣＦ３、ＣｎＦ２ｎ＋１、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ１、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ１）２、ＮＯ２、ＣＨＯ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ１、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ１および／またはＣＮが好ましく、ＣＮ、Ｆ、フッ素化アルキル基、ＣＦ３、ＣｎＦ２ｎ＋１が特に好ましい。電子求引性Ｑ１基は、好ましくは２つ以上の電子求引性置換基を有していてもよく、ここで、それらは同じあっても異なってもよい。
好ましくは、記号Ａｒａおよび／またはＡｒｂは、芳香族またはヘテロ芳香族環系の芳香族またはヘテロ芳香族基が直接、即ち芳香族またはヘテロ芳香族基の原子を介してさらなる基のそれぞれの原子に結合しているような、アリールまたはヘテロアリールラジカルを表す。
本発明のさらなる好ましい態様において、記号Ａｒａおよび／またはＡｒｂは、同じであるかまたは異なり、６～２４個の芳香族環原子、好ましくは６～１８個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系であり、より好ましくは、６～１２個の芳香族環原子を有する芳香族環系、または６～１３個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換であるヘテロ芳香族環系であり、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）において先に示した定義を有する。
有利には、式（Ｉ）中の各記号Ａｒａおよび／またはＡｒｂは、６～１２個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である芳香族環系を独立して表し、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に詳述した定義を有してもよい。とりわけ好ましくは、式（Ｉ）中のＡｒａおよび／またはＡｒｂのそれぞれは、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換であるフェニル環を表す。
とりわけ好ましくは、式（Ｉ）中のＡｒａおよび／またはＡｒｂ基は、記号ＨＬによるドナー基とは異なる。加えて、式（Ｉ）中のＡｒａ基が、記号ＨＬによるドナー基とは異なるようにしてもよい。さらに、式（Ｉ）中のＡｒｂ基が、記号ＨＬによるドナー基とは異なるようにしてもよい。特に好ましくは、式（Ｉ）中のＡｒａとＡｒｂ基の両方が、記号ＨＬによるドナー基とは異なる。
とりわけ好ましくは、式（Ｉ）中のＡｒａおよび／またはＡｒｂ基は、記号Ｑによるアクセプター基とは異なる。加えて、式（Ｉ）中のＡｒａ基が、記号Ｑによるアクセプター基とは異なるようにしてもよい。さらに、式（Ｉ）中のＡｒｂ基が、記号Ｑによるアクセプター基とは異なるようにしてもよい。特に好ましくは、式（Ｉ）中のＡｒａとＡｒｂ基の両方が、記号Ｑによるアクセプター基とは異なる。
好ましくは、式（Ｉ）中のＲａ、Ｒｂ置換基は、Ｆ、ＣＮ、Ｎ（Ａｒ１）２、Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ１、Ｐ（＝Ｏ）（Ａｒ１）２、１～１０個の炭素原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、または３～１０個の炭素原子を有する分枝もしくは環状アルキルもしくはアルコキシ基、または２～１０個の炭素原子を有するアルケニル基（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ２基は、Ｏにより置きかえられていてもよく、１個以上の水素原子は、ＤまたはＦにより置きかえられていてもよい）、５～４０個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、または５～２５個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいアラルキルもしくはヘテロアラルキル基からなる群から選択され；同時に、同じ炭素原子または隣接する炭素原子に結合している２つのＲ１置換基が、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい単環または多環式の脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成することが任意に可能であり；ここで、Ａｒ１は、式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）または／および式（Ｑ－２６）、（Ｑ－２７）、（Ｑ－２８）、（Ｑ－２９）もしくは（Ｑ－３０）に関して上記した定義を有してもよく、ここで記載した優先傾向が、この定義にも適用できる。好ましくは、Ａｒ１は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、５～２４個、好ましくは５～１２個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換であるアリールまたはヘテロアリール基を表す。
好ましくは、記号Ｒａおよび／またはＲｂは、芳香族またはヘテロ芳香族環系の芳香族またはヘテロ芳香族基が直接、即ち芳香族またはヘテロ芳香族基の原子を介してさらなる基のそれぞれの原子に結合しているような、アリールまたはヘテロアリールラジカルを表す。
本発明のさらなる好ましい態様において、記号Ｒａおよび／またはＲｂは、各場合において独立して５～２４個の芳香族環原子、好ましくは６～１８個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系であり、より好ましくは、６～１２個の芳香族環原子を有する芳香族環系、または５～１３個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換であるヘテロ芳香族環系であり、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）において先に示した定義を有する。
有利には、式（Ｉ）中の各記号Ｒａおよび／またはＲｂは、６～１２個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である芳香族環系を独立して表し、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に詳述した定義を有してもよい。とりわけ好ましくは、式（Ｉ）中のＡｒａおよび／またはＡｒｂのそれぞれは、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換であるフェニル環を表す。
とりわけ好ましくは、式（Ｉ）中のＲａおよび／またはＲｂ基は、記号ＨＬによるドナー基とは異なる。加えて、式（Ｉ）中のＲａ基が、記号ＨＬによるドナー基とは異なるようにしてもよい。さらに、式（Ｉ）中のＲｂ基が、記号ＨＬによるドナー基とは異なるようにしてもよい。特に好ましくは、式（Ｉ）中のＲａとＲｂ基の両方が、記号ＨＬによるドナー基とは異なる。
とりわけ好ましくは、式（Ｉ）中のＲａおよび／またはＲｂ基は、記号Ｑによるアクセプター基とは異なる。加えて、式（Ｉ）中のＲａ基が、記号Ｑによるアクセプター基とは異なるようにしてもよい。さらに、式（Ｉ）中のＲｂ基が、記号Ｑによるアクセプター基とは異なるようにしてもよい。特に好ましくは、式（Ｉ）中のＲａとＲｂ基の両方が、記号Ｑによるアクセプター基とは異なる。
より好ましくは、式（Ｉ）中の記号Ａｒａ、Ａｒｂ、ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して好ましくは５～２４個の芳香族環原子、より好ましくは６～１８個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系であり、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である。より好ましくは、式（Ｉ）中の記号Ａｒａ、Ａｒｂ、ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立して６～１２個の芳香族環原子を有する芳香族環系、または５～１３個のヘテロ芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系であり、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換であり、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）において詳述した定義を有してもよい。とりわけ好ましくは、式（Ｉ）中の記号Ａｒａ、Ａｒｂ、ＲａおよびＲｂはそれぞれ、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換であるフェニル環を表す。
ここで、式（Ｉ）中の記号Ａｒａ、Ａｒｂ、Ｒａおよび／またはＲｂのうちの２つ以上が閉環によって結合することが可能であり、ここで、結合は、より好ましくは式（Ｉ）中のそれぞれのＡｒａ、Ａｒｂ、Ｒａおよび／またはＲｂ基間の結合によって達成することができる。
ＸがＣＲ１である場合、または芳香族および／またはヘテロ芳香族基がＲ１置換基により置換されている場合、これらのＲ１置換基は、好ましくは、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、Ｎ（Ａｒ１）２、Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ１、Ｐ（＝Ｏ）（Ａｒ１）２、１～１０個の炭素原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、または３～１０個の炭素原子を有する分枝もしくは環状アルキルもしくはアルコキシ基、または２～１０個の炭素原子を有するアルケニル基（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ２基は、Ｏにより置きかえられていてもよく、１個以上の水素原子は、ＤまたはＦにより置きかえられていてもよい）、５～２４個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、または５～２５個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいアラルキルもしくはヘテロアラルキル基からなる群から選択され；同時に、同じ炭素原子または隣接する炭素原子に結合している２つのＲ１置換基が、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい単環または多環式の脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成することが任意に可能であり；ここで、Ａｒ１は、式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）または／および式（Ｑ－２６）、（Ｑ－２７）、（Ｑ－２８）、（Ｑ－２９）もしくは（Ｑ－３０）に関して上記した定義を有してもよく、ここで記載した優先傾向が、この定義にも適用できる。
より好ましくは、これらのＲ１置換基は、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、Ｎ（Ａｒ１）２、１～８個の炭素原子を有する、好ましくは１、２、３もしくは４個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、または３～８個の炭素原子を有する、好ましくは３もしくは４個の炭素原子を有する分枝もしくは環状アルキル基、または２～８個の炭素原子を有する、好ましくは２、３もしくは４個の炭素原子を有するアルケニル基（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である）、６～２４個の芳香族環原子、好ましくは６～１８個の芳香族環原子、より好ましくは６～１３個の芳香族環原子を有し、各場合において、１つ以上の非芳香族Ｒ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である芳香族またはヘテロ芳香族環系からなる群から選択され；同時に、同じ炭素原子または隣接する炭素原子に結合している２つのＲ１置換基が、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である単環または多環式脂肪族環系を形成することが任意に可能であり、ここで、Ａｒ１は、先に記載した定義を有してもよい。
最も好ましくは、Ｒ１置換基は、Ｈ、および６～１８個の芳香族環原子、好ましくは６～１３個の芳香族環原子を有し、各場合において、１つ以上の非芳香族Ｒ２ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である芳香族またはヘテロ芳香族環系からなる群から選択される。
好ましくは、Ｒ１ラジカルは、Ｒ１ラジカルが結合しているアリール基またはヘテロアリール基の環原子と一緒になって縮合環系を形成しない。これは、これは、Ｒ１ラジカルに結合していてもよい可能性のあるＲ２、Ｒ３置換基と一緒になって縮合環系を形成することを含む。
好ましくは、式（Ｉ）、（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）、（ＬＡｒ－１）、（ＬＡｒ－２）および／または（Ｑ－１）～（Ｑ－４４）の構造中のＡｒａ、Ａｒｂ、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ｒａ、Ｒｂおよび／またはＲ１基が、フェニル、オルト、メタまたはパラビフェニル、テルフェニル、とりわけ分枝テルフェニル、クアテルフェニル、とりわけ分枝クアテルフェニル、１－、２－、３－または４－フルオレニル、１－、２－、３－または４－スピロビフルオレニル、ピリジル、ピリミジニル、１－、２－、３－または４－ジベンゾフラニル、１－、２－、３－または４－ジベンゾチエニル、ピレニル、トリアジニル、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１－、２－、３－または４－カルバゾリル、１－または２－ナフチル、アントラセニル、好ましくは９－アントラセニル、フェナントレニルおよび／またはトリフェニレニル（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である）からなる群から選択されるようにしてもよく、フェニル、スピロビフルオレン、フルオレン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アントラセン、フェナントレン、トリフェニレン基が特に好ましい。
さらに、式（Ｉ）、（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）、（ＬＡｒ－１）、（ＬＡｒ－２）および／または（Ｑ－１）～（Ｑ－４４）の構造において、少なくとも１つのＡｒａ、Ａｒｂ、Ａｒ１、Ａｒ３、Ａｒ４、Ｒａ、Ｒｂおよび／またはＲ１ラジカルが基を含み、好ましくは式（Ｒ１－１）～（Ｒ１－８６）：
Figure 0007225094000020
Figure 0007225094000021
Figure 0007225094000022
Figure 0007225094000023
Figure 0007225094000024
Figure 0007225094000025
Figure 0007225094000026
（式中、使用した記号は、下記の通りである：
Ｙは、Ｏ、ＳまたはＮＲ２、好ましくはＯまたはＳであり；
それぞれの場合のｉは、独立して０、１または２であり；
それぞれの場合のｊは、独立して０、１、２または３であり；
それぞれの場合のｈは、独立して０、１、２、３または４であり；
それぞれの場合のｇは、独立して０、１、２、３、４または５であり；
Ｒ２は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に示した定義を有してもよく、
点線で示される結合は結合位置を示す）
から選択される基であるようにしてもよい。ここで、式Ｒ１－１～Ｒ１－５４の基が好ましく、式Ｒ１－１、Ｒ１－３、Ｒ１－５、Ｒ１－６、Ｒ１－１５、Ｒ１－２９、Ｒ１－３４、Ｒ１－３５、Ｒ１－４５、Ｒ１－４６、Ｒ１－４７および／またはＲ１－４８の基が特に好ましい。
好ましくは、式（Ｒ１－１）～（Ｒ１－８６）の構造における添え字ｉ、ｊ、ｈおよびｇの合計が、各場合において３以下、好ましくは２以下、より好ましくは１以下であるようにしてもよい。
好ましくは、式（Ｒ１－１）～（Ｒ１－８６）中のＲ２ラジカルは、Ｒ２ラジカルが結合しているアリール基またはヘテロアリール基の環原子と一緒になって縮合芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成せず、好ましくは縮合環系を何ら形成しない。これは、Ｒ２ラジカルに結合していてもよい可能性のあるＲ３置換基と一緒になって縮合環系を形成することを含む。
好ましくは、Ｌ１基は、Ｑ１基および式（Ｉ）または（ＱＬ）のＬ１基が結合している芳香族ラジカルと一緒になってスルー共役（through－conjugation）を形成してもよい。芳香族またはヘテロ芳香族系のスルー共役は、隣接する芳香族またはヘテロ芳香族環の間に直接結合が形成されるとすぐに形成される。先に言及した共役基間の、たとえば硫黄、窒素もしくは酸素原子またはカルボニル基を介したさらなる結合は、共役に悪影響を及ぼすものではない。フルオレン系の場合、２つの芳香族環が直接結合しており、そこでは９位のｓｐ３混成炭素原子がこれらの環の縮合を妨げるが、共役は可能であり、それは、この９位のｓｐ３混成炭素原子が必ずしもＱ１基と式（Ｉ）または（ＱＬ）のＬ１基が結合している芳香族ラジカルとの間に位置するとは限らないからである。これに対し、第２のスピロビフルオレン構造の場合、Ｑ１基と式（Ｉ）の芳香族ラジカルの間の結合が、スピロビフルオレン構造中の同じフェニル基を介したものであるか、またはスピロビフルオレン構造中の互いに直接結合し同一平面内にあるフェニル基を介したものである場合は、スルー共役が形成される可能性がある。Ｑ１基と式（Ｉ）の芳香族ラジカルの間の結合が、９位のｓｐ３混成炭素原子を介して結合している第２のスピロビフルオレン構造中の異なるフェニル基を介したものである場合は、共役は中断される。好ましくは、たとえば式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）中のＡｒ２ラジカルも、Ａｒ２ラジカルが結合している基と一緒になってスルー共役を形成する。加えて、式（ＬＡｒ－１）および／または（ＬＡｒ－２）の連結構造が、式（ＬＡｒ－１）および／または（ＬＡｒ－２）の連結構造が結合している基と一緒になってスルー共役を形成する。
本発明のさらなる好ましい態様において、Ｌ１またはＡｒ２基は、５～１４個の芳香族もしくはヘテロ芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、好ましくは６～１２個の炭素原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である芳香族環系であり、ここで、Ｒ１は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に示した定義を有してもよい。より好ましくは、Ｌ１またはＡｒ２基は、６～１０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、または６～１３個のヘテロ芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系であり、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換であり、ここで、Ｒ２は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に示した定義を有してもよい。
さらに好ましくは、とりわけ式（ＱＬ）の構造において詳述した式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）において詳述した記号Ｌ１またはＡｒ２基は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、結合、または芳香族もしくはヘテロ芳香族環系の芳香族もしくはヘテロ芳香族基が直接、即ち芳香族もしくはヘテロ芳香族基の原子を介してさらなる基のそれぞれの原子に結合しているような、５～２４個の環原子、好ましくは６～１３個の環原子、より好ましくは６～１０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリールラジカルである。
加えて、とりわけ式（ＱＬ）の構造において詳述した記号Ｌ１、または式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）において詳述したＡｒ２基が、２つ以下の縮合芳香族および／またはヘテロ芳香族環を有し、好ましくは縮合芳香族またはヘテロ芳香族環系を全く有しない芳香族環系を含むようにしてもよい。したがって、ナフチル構造がアントラセン構造より好ましい。加えて、フルオレニル、スピロビフルオレニル、ジベンゾフラニルおよび／またはジベンゾチエニル構造が、ナフチル構造より好ましい。
縮合を有しない構造、たとえば、フェニル、ビフェニル、テルフェニルおよび／またはクアテルフェニル構造が特に好ましい。
適する芳香族またはヘテロ芳香族環系Ｌ１またはＡｒ２の例は、フェニル、オルト、メタまたはパラビフェニル、テルフェニル、とりわけ分枝テルフェニル、クアテルフェニル、とりわけ分枝クアテルフェニル、１－、２－、３－または４－フルオレニル、１－、２－、３－または４－スピロビフルオレニル、ピリジル、ピリミジニル、１－、２－、３－または４－ジベンゾフラニル、１－、２－、３－または４－ジベンゾチエニル、ピレニル、トリアジニル、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１－、２－、３－または４－カルバゾリル、１－または２－ナフチル、アントラセニル、好ましくは９－アントラセニル、フェナントレニルおよび／またはトリフェニレニル（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいが、好ましくは無置換である）からなる群から選択され、フェニル、スピロビフルオレン、フルオレン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アントラセン、フェナントレン、トリフェニレン基が特に好ましい。
さらに、式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）の構造中のＡｒ２基および／または式（ＱＬ）中のＬ１基が、結合、もしくは式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－１０８）から選択される基であり、または式（ＬＡｒ－１）または（ＬＡｒ－２）の構造が、結合を表すか、式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－１０８）
Figure 0007225094000027
Figure 0007225094000028
Figure 0007225094000029
Figure 0007225094000030
Figure 0007225094000031
Figure 0007225094000032
Figure 0007225094000033
Figure 0007225094000034
Figure 0007225094000035
（式中、点線で示される結合は、それぞれの場合において結合位置を示し、それぞれの場合の添え字ｋは、独立して０または１であり、それぞれの場合の添え字ｌは、独立して０、１または２であり、それぞれの場合の添え字ｊは、独立して０、１、２または３であり；それぞれの場合の添え字ｈは、独立して０、１、２、３または４であり、それぞれの場合の添え字ｇは、独立して０、１、２、３、４または５であり；記号Ｙは、Ｏ、ＳまたはＮＲ２、好ましくはＯまたはＳであり；記号Ｒ２は、とりわけ式（Ｉ）に関して先に示した定義を有する）
から選択される基を形成するようにしてもよい。
好ましくは、式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－１０８）の構造における添え字ｋ、ｌ、ｇ、ｈおよびｊの合計が、各場合において３以下、好ましくは２以下、より好ましくは１以下であるようにしてもよい。
本発明による好ましい化合物は、結合を表すか、式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－７８）および／または（Ｌ１－９２）～（Ｌ１－１０８）、好ましくは式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－５４）および／または（Ｌ１－９２）～（Ｌ１－１０８）、とりわけ好ましくは式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－２９）および／または（Ｌ１－９２）～（Ｌ１－１０３）のうちの１つから選択されるＬ１またはＡｒ２基を含む。有利には、式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－７８）および／または（Ｌ１－９２）～（Ｌ１－１０８）、好ましくは式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－５４）および／または（Ｌ１－９２）～（Ｌ１－１０８）、とりわけ好ましくは式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－２９）および／または（Ｌ１－９２）～（Ｌ１－１０３）の構造における添え字ｋ、ｌ、ｇ、ｈおよびｊの合計は、各場合において３以下、好ましくは２以下、より好ましくは１以下であってもよい。
好ましくは、式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－１０８）中のＲ２ラジカルは、Ｒ２ラジカルが結合しているアリール基またはヘテロアリール基の環原子と一緒になって縮合芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成せず、好ましくは縮合環系を何ら形成しない。これは、Ｒ２ラジカルに結合していてもよい可能性のあるＲ３置換基と一緒になって縮合環系を形成することを含む。
本発明のさらなる好ましい態様において、たとえば式（Ｉ）の構造およびこの構造の好ましい態様またはこれらの式を参照する構造におけるＲ２は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、１～１０個の炭素原子を有する、好ましくは１、２、３または４個の炭素原子を有する脂肪族ヒドロカルビルラジカル、または５～３０個の芳香族環原子、好ましくは５～２４個の芳香族環原子、より好ましくは５～１３個の芳香族環原子を有し、それぞれ１～４個の炭素原子を有する１つ以上のアルキル基により置換されていてもよいが、好ましくは無置換である芳香族もしくはヘテロ芳香族環系からなる群から選択される。
本発明のさらなる好ましい態様において、たとえば式（Ｉ）の構造およびこの構造の好ましい態様またはこれらの式を参照する構造におけるＲ３は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、１～１０個の炭素原子を有する、好ましくは１、２、３または４個の炭素原子を有する脂肪族ヒドロカルビルラジカル、または５～３０個の芳香族環原子、好ましくは５～２４個の芳香族環原子、より好ましくは５～１３個の芳香族環原子を有し、それぞれ１～４個の炭素原子を有する１つ以上のアルキル基により置換されていてもよいが、好ましくは無置換である芳香族もしくはヘテロ芳香族環系からなる群から選択される。
本発明の化合物が芳香族またはヘテロ芳香族Ｒ１またはＲ２基により置換されている場合、これらが互いに直接縮合した３つ以上の芳香族６員環を有するアリールまたはヘテロアリール基を有しないことが好ましい。より好ましくは、置換基は、互いに直接縮合した６員環を有するアリールまたはヘテロアリール基を全く有していない。これが好ましい理由は、こうした構造の低い三重項エネルギーである。互いに直接縮合した３つ以上の芳香族６員環を有するが、それでも本発明に従い好適な縮合アリール基は、フェナントレンおよびトリフェニレンであり、それは、これらが高い三重項準位も有するからである。
下記の特性を有する本発明の化合物が特に好ましい：
Figure 0007225094000036
Ａｒ２基が式（ＬＡｒ－１）の連結構造である式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）の少なくとも１つのドナー基と、Ｌ１が式（ＬＡｒ－２）の連結構造によって表すことができる式（ＱＬ）の少なくとも１つのアクセプター基とを含み、下記の追加の特性を満たす、本発明の化合物が特に好ましい。
Figure 0007225094000037
上記表において、ＡｒａおよびＡｒｂがＲ１－１～Ｒ１－８６であるという割り当ては、Ａｒａ基とＡｒｂ基の両方が、先に詳述した式Ｒ１－１～Ｒ１－８６のラジカルから選択され、好ましくはＲ１－１であることを意味する。ＲａおよびＲｂの割り当ては、Ｒａ基とＲｂ基の両方が、先に詳述した式Ｒ１－１～Ｒ１－８６のラジカルから選択され、好ましくはＲ１－１であることを意味する。さらなる割り当ては、これに応じて適用される。
本発明の好適な化合物の例は、以下に示す下記式１～５１の構造である：
Figure 0007225094000038
Figure 0007225094000039
Figure 0007225094000040
Figure 0007225094000041
Figure 0007225094000042
本発明の化合物の好ましい態様を具体的に実施例に記載するが、これらの化合物は、本発明の全ての目的のために単独で、またはさらなる化合物と組み合わせて使用可能である。
請求項１に規定する条件が満たされている場合に限り、上記の好ましい態様は、必要に応じて互いに組み合わせることができる。本発明の特に好ましい態様において、上記の好ましい態様は、同時に成立する。
本発明の化合物は、原理上は様々な方法により調製可能である。ただし、以下に記載する方法が特に好適であることが見出されている。
したがって、本発明は、式（Ｉ）の少なくとも１つの構造を含む化合物を調製する方法をさらに提供し、ここで、少なくとも１つのドナー基を含む化合物が、カップリング反応においてアクセプター基に結合される。
ドナー基を有する好適な化合物は、多くの場合市販されており、実施例において詳述する出発化合物は、公知の方法により得ることができるため、それを参照する。
好ましくは、シクロペンタジエノン誘導体をアルキン誘導体と反応させることができ、これは、ディールス－アルダー反応において実施することができる。ディールス－アルダー生成物は次いで、ＣＯの脱離を伴う反応を起こし、本発明の化合物が得られる。この反応は、Ａｒａ、Ａｒｂ、ＲａおよびＲｂ基が、アリールまたはヘテロアリール基を表す場合にとりわけ有利である。
ここで、好ましくはドナー基および／またはアクセプター基を含む化合物の対応するアルキン誘導体を、対応する反応基を含有する化合物と、芳香族またはヘテロ芳香族アルキン化合物との反応により得ることが可能である。この目的に適するカップリング反応、たとえばスズキカップリングは、一般的な知識であり、ソノガシラ反応として公知の反応が、この目的に特に有用であることが見出されている。スズキカップリングまたはソノガシラ反応のための反応条件は、本技術分野において広く公知であり、例がこれに関連する有益な指針を与える
スズキカップリングまたはソノガシラ反応のための反応物質に使用される反応性反応物質化合物は、たとえば、公知のアリールまたはヘテロアリール化合物から公知のハロゲン化、好ましくは臭素化により得ることができる。
これらの化合物は、公知のカップリング反応によりさらなるアリール化合物と反応させることができ、この目的のために必要な条件は、当業者には公知であり、実施例における詳細な仕様は、これらの反応を行う際に当業者を支援する。
Ｃ－Ｃ結合形成および／またはＣ－Ｎ結合形成につながる特に好適な好ましいカップリング反応は全て、ＢＵＣＨＷＡＬＤ、ＳＵＺＵＫＩ、ＹＡＭＡＭＯＴＯ、ＳＴＩＬＬＥ、ＨＥＣＫ、ＮＥＧＩＳＨＩ、ＳＯＮＯＧＡＳＨＩＲＡ、およびＨＩＹＡＭＡによるものである。これらの反応は広く知られており、実施例は、さらなる示唆を当業者に提供する。
必要であれば続いて精製、たとえば再結晶化または昇華が行われるこれらの方法により、式（Ｉ）の構造を含む本発明の化合物を高純度、好ましくは９９％を超える純度（１Ｈ ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣによって判定される）で得ることが可能である。
本発明の化合物は、好適な置換基、たとえば、比較的長いアルキル基（約４～２０個の炭素原子）、とりわけ分枝アルキル基、または任意に置換されたアリール基、たとえばキシリル、メシチルもしくは分枝テルフェニルもしくはクアテルフェニル基を有してもよく、これらは、溶液から化合物を処理できるようにするために標準的な有機溶媒、たとえばトルエンまたはキシレンに室温で十分な濃度での溶解度をもたらす。これらの可溶性化合物は、たとえば印刷法による溶液からの処理に特に良好な適合性を有する。加えて、強調すべきことであるが、少なくとも１つの式（Ｉ）の構造を含む本発明の化合物は、これらの溶媒に既に高い溶解度を有している。
本発明の化合物は、ポリマーと混合してもよい。これらの化合物を共有結合的にポリマーに組み込むことも同様に可能である。これは、反応性脱離基、たとえば臭素、ヨウ素、塩素、ボロン酸もしくはボロン酸エステルによって、または反応性重合性基、たとえばオレフィンもしくはオキセタンにより置換された化合物の場合にとりわけ可能である。これらは、対応するオリゴマー、デンドリマーまたはポリマーを製造するためのモノマーとしての用途を見出すことができる。オリゴマー化または重合は、好ましくはハロゲン官能基もしくはボロン酸官能基を介して、または重合性基を介して行われる。加えて、この種の基を介してポリマーを架橋することが可能である。本発明の化合物およびポリマーは、架橋層または非架橋層の形態で使用してもよい
したがって、本発明は、先に詳述した式（Ｉ）の構造のうちの１つ以上または本発明の化合物を含有するオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーであって、ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーに対する本発明の化合物または式（Ｉ）の構造の１つ以上の結合が存在する、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーをさらに提供する。式（Ｉ）の構造または化合物の結合により、これらは結果としてオリゴマーまたはポリマーの側鎖を形成するか、主鎖内に結合される。ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーは、共役、部分共役、または非共役であってもよい。オリゴマーまたはポリマーは、直鎖状、分枝または樹枝状であってもよい。オリゴマー、デンドリマーおよびポリマーにおける本発明の化合物の反復単位については、上記と同じ優先傾向が当てはまる。
オリゴマーまたはポリマーを調製するには、本発明のモノマーを単独重合させるか、さらなるモノマーと共重合させる。式（Ｉ）の単位または上記もしくは下記の好ましい態様が０．０１～９９．９ｍｏｌ％、好ましくは５～９０ｍｏｌ％、より好ましくは２０～８０ｍｏｌ％の範囲で存在するコポリマーが好ましい。ポリマー基本骨格を形成する好適な好ましいコモノマーは、フルオレン（たとえばＥＰ８４２２０８またはＷＯ２０００／０２２０２６による）、スピロビフルオレン（たとえばＥＰ７０７０２０、ＥＰ８９４１０７またはＷＯ２００６／０６１１８１による）、パラフェニレン（たとえばＷＯ９２／１８５５２による）、カルバゾール（たとえばＷＯ２００４／０７０７７２またはＷＯ２００４／１１３４６８による）、チオフェン（たとえばＥＰ１０２８１３６による）、ジヒドロフェナントレン（たとえばＷＯ２００５／０１４６８９による）、ｃｉｓ－およびｔｒａｎｓ－インデノフルオレン（たとえばＷＯ２００４／０４１９０１またはＷＯ２００４／１１３４１２による）、ケトン（たとえばＷＯ２００５／０４０３０２による）、フェナントレン（たとえばＷＯ２００５／１０４２６４またはＷＯ２００７／０１７０６６による）、または複数のこれらの単位から選ばれる。ポリマー、オリゴマーおよびデンドリマーは、さらなる別の単位、たとえば、正孔輸送単位、とりわけトリアリールアミンに基づくもの、および／または電子輸送単位を含有してもよい。
加えて、特に興味深いのは、高いガラス転移温度を特徴とする本発明の化合物である。これに関連して、ＤＩＮ５１００５（２００５－０８版）に従い判定される少なくとも７０℃、より好ましくは少なくとも１１０℃、さらにより好ましくは少なくとも１２５℃、とりわけ好ましくは少なくとも１５０℃のガラス転移温度を有する一般式（Ｉ）の構造または上記もしくは下記の好ましい態様を含む本発明の化合物がとりわけ好ましい。
液相から、たとえばスピンコーティングまたは印刷法により本発明の化合物を処理するため、本発明の化合物の調合物が必要である。これらの調合物は、たとえば溶液、分散物またはエマルションであってもよい。この目的のため、２種以上の溶媒の混合物を使用することが好ましいことがある。好適な好ましい溶媒は、たとえばトルエン、アニソール、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－キシレン、安息香酸メチル、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、ＴＨＦ、メチル－ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、とりわけ３－フェノキシトルエン、（－）－フェンコン、１，２，３，５－テトラメチルベンゼン、１，２，４，５－テトラメチルベンゼン、１－メチルナフタレン、２－メチルベンゾチアゾール、２－フェノキシエタノール、２－ピロリジノン、３－メチルアニソール、４－メチルアニソール、３，４－ジメチルアニソール、３，５－ジメチルアニソール、アセトフェノン、α－テルピネオール、ベンゾチアゾール、安息香酸ブチル、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、安息香酸エチル、インダン、安息香酸メチル、ＮＭＰ、ｐ－シメン、フェネトール、１，４－ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、２－イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、１，１－ビス（３，４－ジメチルフェニル）エタン、ヘキサメチルインダン、またはこれらの溶媒の混合物である。
したがって、本発明は、本発明の化合物と、少なくとも１種のさらなる化合物を含む調合物をさらに提供する。さらなる化合物は、たとえば溶媒、とりわけ上記の溶媒のうちの１種またはこれらの溶媒の混合物であってもよい。あるいは、さらなる化合物は、同様に電子デバイスに使用される少なくとも１種のさらなる有機または無機化合物、たとえば発光化合物、とりわけリン光ドーパント、および／またはさらなるマトリックス材料であってもよい。このさらなる化合物は、高分子であってもよい。
したがって、本発明は、本発明の化合物と、少なくとも１種のさらなる有機機能材料を含む組成物をなおさらに提供する。機能材料は一般に、アノードとカソードの間に導入される有機または無機材料である。好ましくは、有機機能材料は、蛍光発光体、リン光発光体、ホスト材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、電子阻止材料、正孔阻止材料、ワイドバンドギャップ材料、およびｎ－ドーパントからなる群から選択される。
したがって、本発明はまた、式（Ｉ）の構造または上記もしくは下記の好ましい態様を含む少なくとも１種の化合物と、少なくとも１種のマトリックス材料を含む組成物に関する。マトリックス材料は、ホスト材料とも呼ばれる。この文脈において、本発明の化合物は、マトリックス材料または発光体の特性を有していてもよい。式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を含む化合物がマトリックス材料として使用される場合、本発明の化合物以外のホスト材料は、ここでは、とりわけさらなるマトリックス材料としても使用される。本発明の特定の側面によると、さらなるマトリックス材料は、正孔輸送特性を有する。
マトリックス材料はとりわけ、電子デバイスの性質、とりわけ本発明の化合物の使用法の性質に応じて選択されてもよい。本発明の化合物が、たとえば有機エレクトロルミネッセントデバイスまたは有機発光電気化学セルにおいて例えば発光体として使用される場合、ホスト材料は、好ましくは本発明に従い蛍光ＴＡＤＦ材料として使用される式（Ｉ）の構造を含む化合物よりも大きなエネルギーギャップを有する。
好ましくは、ホスト材料は、電子もしくは正孔伝導体、または複合電子／正孔伝導体として作用する。
一態様において、蛍光ＴＡＤＦ材料として使用される本発明の化合物の吸収スペクトルは、少なくとも１種のホスト材料のフォトルミネッセンススペクトルと重なり、本発明の化合物と少なくとも１種のホスト材料との間でエネルギー遷移が可能なようになっている。原理上は、ＯＬＥＣまたはＯＬＥＤに利用することが公知または慣習となっているように、ホスト材料を使用することが可能である。
一態様において、ホスト材料は、正孔または電子輸送材料である。
一態様において、ホスト材料は、荷電していない有機発光性化合物の最低三重項状態Ｔ１のエネルギーよりも高いエネルギーを有する最低三重項状態Ｔ１ Ｈを有する。
適するホスト材料は、たとえばアントラセン、ベンゾアントラセン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、デヒドロフェナントレン、デヒドロフルオレン、チオフェン、トリアジン、カルバゾール、インデノカルバゾール、インドロカルバゾール、ピリミジン、ラクタム、ベンゾフェノン、トリアリールアミン、キナゾリン、およびイミダゾールから選択される。
非常に好ましいホスト材料は、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、デヒドロフェナントレン、デヒドロフルオレン、チオフェン、トリアジン、カルバゾール、インデノカルバゾール、インドロカルバゾール、ピリミジン、ラクタム、ベンゾフェノン、トリアリールアミン、キナゾリン、およびイミダゾールから選択される。
一態様において、組成物は、４種以下のホスト材料を含み、さらなる態様において、３種以下のホスト材料を含み、さらなる態様において、１または２種のホスト材料を含む。
特に好ましいホスト材料は、オリゴアリーレン、たとえばＥＰ６７６４６１に記載の２，２’，７，７’－テトラフェニルスピロビフルオレン、またはジナフチルアントラセンの群から選択される。縮合芳香族基を含むオリゴアリーレン、たとえばフェナントレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレン、スピロフルオレン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、デカシクレン、ルブレン、オリゴアリーレンビニレン、たとえばＥＰ６７６４６１に記載されているような４，４’－ビス（２，２－ジフェニルエテニル）－１，１’－ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）または４，４－ビス－２，２－ジフェニルビニル－１，１－スピロビフェニル（スピロ－ＤＰＶＢｉ）が好ましい。
さらなる適するホスト材料は、たとえばＷＯ２００４／０８１０１７に記載されているようなポリポダル金属錯体、たとえば８－ヒドロキシキノリンとの金属錯体、たとえばアルミニウム（ＩＩＩ）トリス（８－ヒドロキシキノリン）（Ａｌｑ３）、もしくはビス－（２－メチル－８－キノリノラト）－４－（フェニルフェノリノラト）アルミニウム、ＵＳ２００７／００９２７５３Ａ１に記載されているようなイミダゾールキレート化合物と、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、たとえばＷＯ２００４／０５８９１１に記載されているような正孔輸送材料、たとえばＷＯ２００５／０８４０８１およびＷＯ２００５／０８４０８に記載されているような電子輸送材料、とりわけケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、ＷＯ２００６／０４８２６８に記載されているようなアトロプ異性体、例えばＷＯ２００６／１１７０５２に記載されているようなボロン酸誘導体、またはＤＥ１０２００７０２４８５０に記載されているようなベンゾアントラセンである。
さらなる適するホスト材料は、オリゴアリーレン、たとえばナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセン、およびピレンと、これらの化合物のアトロプ異性体、ケトン、ホスフィンオキシドおよびスルホキシドである。好ましくは、ホスト材料は、オリゴアリーレンのクラス、とりわけナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセンおよびピレンから選択される。本発明に関するオリゴアリール化合物は、互いに結合している少なくとも３つのアリールまたはアリーレン基を含む化合物を意味するものと理解される。
さらなる適するホスト材料は、式（ＨＭ－１）：
Figure 0007225094000043
（式中：
Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、５～３０個の芳香族環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基であり、これは、一置換または多置換であってもよく、
ｐ＝１、２または３であり；
ここで、Ａｒ５、Ａｒ６、Ａｒ７基中のπ電子の合計は、ｐ＝１の場合少なくとも３０であり、ｐ＝２の場合少なくとも３６であり、ｐ＝３の場合少なくとも４２である）
の化合物から選択される。
式（ＨＭ－１）のホスト材料の中で、Ａｒ６は、好ましくは１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよいアントラセンであり、ここで、さらなる態様において、Ａｒ５およびＡｒ７基は、９および１０位で結合している。より好ましくは、Ａｒ５とＡｒ７基の少なくとも一方は、好ましくは１－もしくは２－ナフチル、２－、３－もしくは９－フェナントレニル、または２－、３－、４－、５－、６－もしくは７－ベンゾアントラセニルの群から選択される縮合アリール基であり、これらのそれぞれは、Ｒ１により一置換または多置換されていてもよい。ここで、Ｒ１は、先に定義した通りである。
適するアントラセン化合物は、たとえばＵＳ２００７／００９２７５３Ａ１およびＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１に記載されており、たとえば２－（４－メチルフェニル）－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン、９－（２－ナフチル）－１０－（１，１’－ビフェニル）アントラセンおよび９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルエテニル）フェニル］アントラセン、９，１０－ジフェニルアントラセン、９，１０－ビス（フェニルエチニル）アントラセン、ならびに１，４－ビス（９’－エチニルアントラセニル）ベンゼンである。少なくとも２つのアントラセン基を有するホスト材料（ＵＳ２００８／０１９３７９６Ａ１）、たとえば１０，１０’－ビス［１，１’，４’，１”］テルフェニル－２－イル－９，９’－ビスアントラセニルも好ましい。
さらなる適するホスト材料は、アリールアミン、スチリルアミン、フルオレセイン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、シクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾオキサゾリン、オキサゾン、ピリジン、ピラジン、イミン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾールの誘導体（ＵＳ２００７／００９２７５３Ａ１）、たとえば２，２’，２”－（１，３，５－フェニレン）トリス［１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール］、アルダジン、スチルベン、スチリルアリーレン誘導体、たとえば９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルエテニル）フェニル］アントラセン、およびジスチリルアリーレン誘導体（ＵＳ５１２１０２９）、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ジケトピロロピロール、ポリメチン、メロシアニン、アクリドン、キナクリドン、ケイ皮酸エステル、ならびに蛍光染料である。
好ましい態様において、アリールアミンおよびスチリルアミン誘導体がホスト材料として使用され、たとえば４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（２－ナフチル）アミノ］ビフェニル（ＴＮＢ）である。
ホスト材料として適するオリゴアリーレンは、例えばＵＳ２００３／００２７０１６Ａ１、ＵＳ７３２６３７１Ｂ２、ＵＳ２００６／０４３８５８Ａ、ＵＳ７３２６３７１Ｂ２、ＵＳ２００３／００２７０１６Ａ１、ＷＯ２００７／１１４３５８、ＷＯ２００８／１４５２３９、ＪＰ３１４８１７６Ｂ２、ＥＰ１００９０４４、ＵＳ２００４／０１８３８３、ＷＯ２００５／０６１６５６Ａ１、ＥＰ０６８１０１９Ｂ１、ＷＯ２００４／０１３０７３Ａ１、ＵＳ５０７７１４２、ＷＯ２００７／０６５６７８、およびＵＳ２００７／０２０５４１２Ａ１に記載されている。
ホスト材料として特に好ましい化合物を、下記式（ＨＭ－２）～（ＨＭ－８）に示す：
Figure 0007225094000044
さらなる適するホスト材料は、スピロビフルオレンとその誘導体、たとえばＥＰ０６７６４６１に記載のスピロ－ＤＰＶＢｉ、またはＵＳ６５６２４８５に記載のインデノフルオレンである。
特に本願の導入部に記載されているような先行技術から公知のように、ＯＬＥＣにおける発光層を形成するために先に言及したホスト材料と共に発光体またはＴＡＤＦ材料として使用される本発明の化合物の組合せに、可動イオンを供給する電解質を配合することができる。
本発明は、少なくとも式（Ｉ）の１つの構造または上記もしくは下記の好ましい態様を含む少なくとも１種の化合物と、少なくとも１種のワイドバンドギャップ材料を含む組成物をさらに提供する。ワイドバンドギャップ材料は、ＵＳ７，２９４，８４９の開示の意味での材料を意味するものと理解される。これらの系は、エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、特に有利な性能データを示す。
好ましくは、追加の化合物は、２．５ｅＶ以上、好ましくは３．０ｅＶ以上、非常に好ましくは３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有してもよい。バンドギャップを計算する一方法は、最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位によるものである。
分子軌道、とりわけ最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）、それらのエネルギー準位、および材料の最低三重項状態Ｔ１のエネルギーと最低励起一重項状態Ｓ１のエネルギーが、量子化学計算によって決定される。金属を含まない有機物質の計算には、まず、「基底状態／半経験的／デフォルトスピン／ＡＭ１／電荷０／スピン一重項」法により構造最適化が行われる。続いて、最適化された構造に基づきエネルギー計算が行われる。「６－３１Ｇ（ｄ）」基底集合（電荷０、スピン一重項）を伴う「ＴＤ－ＳＣＦ／ＤＦＴ／デフォルトスピン／Ｂ３ＰＷ９１」法がここでは用いられる。金属含有化合物の場合、構造は「基底状態／ハートリーフォック／デフォルトスピン／ＬａｎＬ２ＭＢ／電荷０／スピン一重項」法により最適化される。エネルギー計算は、有機物質の場合の上記の方法と同様に行われるが、金属原子の場合は「ＬａｎＬ２ＤＺ」基底集合が用いられ、配位子の場合は「６－３１Ｇ（ｄ）」基底集合が用いられるという違いがある。エネルギー計算から、ＨＯＭＯエネルギー準位ＨＥｈまたはＬＵＭＯエネルギー準位ＬＥｈがハートリー単位で得られる。これを使用して、サイクリックボルタンメトリ測定により較正された電子ボルト単位のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギー準位が、下記のように決定される：
ＨＯＭＯ（ｅＶ）＝（（ＨＥｈ＊２７．２１２）－０．９８９９）／１．１２０６
ＬＵＭＯ（ｅＶ）＝（（ＬＥｈ＊２７．２１２）－２．００４１）／１．３８５
本願の文脈において、これらの値を材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギー準位とみなすこととする。
最低三重項状態Ｔ１は、最低エネルギーを有する三重項状態のエネルギーと定義され、これは、記載の量子化学計算から明らかである。
最低励起一重項状態Ｓ１は、最低エネルギーを有する励起一重項状態のエネルギーと定義され、これは、記載の量子化学計算から明らかである。
ここで記載される方法は、使用されるソフトウェアパッケージから独立しており、常に同じ結果を与える。この目的のために頻繁に使用されるプログラムの例は、「Ｇａｕｓｓｉａｎ０９Ｗ」（Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．）とＱ－Ｃｈｅｍ４．１（Ｑ－Ｃｈｅｍ，Ｉｎｃ．）である。
加えて、本発明の化合物は、発光体と組み合わせてマトリックス材料として使用することができる
したがって、本発明はさらに、式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を有する少なくとも１種の化合物と、少なくとも１種の蛍光発光体を含む組成物に関し、「蛍光発光体」という用語は、蛍光ドーパントを意味するものとも理解される。好ましくは、本発明による化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーに対する蛍光発光体の重量比が、重量で０．１％～５０％、重量で１％～２０％、および重量で３％～１５％の範囲であるようにしてもよい。
本発明はさらに、式（Ｉ）の構造または上記および下記に記載する好ましい態様を含む少なくとも１種の化合物と、少なくとも１種のリン光発光体を含む組成物に関し、「リン光発光体」という用語は、リン光ドーパントを意味するものとも理解される。
マトリックス材料とドーパントを含む系中のドーパントは、混合物中の割合が低い方の成分を意味するものと理解される。これに対応して、マトリックス材料とドーパントを含む系中のマトリックス材料は、混合物中の割合が高い方の成分を意味するものと理解される。
マトリックス系、好ましくは混合マトリックス系に使用する好ましいリン光ドーパントは、以下に規定する好ましいリン光ドーパントである。
「リン光ドーパント」という用語は、発光が、スピン禁制遷移、たとえば励起三重項状態またはより高いスピン量子数を有する状態、たとえば五重項状態からの遷移により生じる化合物を典型的には包含する。
好適なリン光化合物（＝三重項発光体）はとりわけ、適切に励起されると、好ましくは可視領域で発光する化合物であり、原子番号が２０より大きい、好ましくは３８より大きく８４未満、より好ましくは５６より大きく８０未満の少なくとも１種の原子、とりわけこの原子番号を有する金属をさらに含有する。使用される好ましいリン光発光体は、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウムを含有する化合物、とりわけイリジウムまたは白金を含有する化合物である。本発明の文脈において、上記の金属を含有する発光性化合物は全て、リン光化合物とみなされる。
上記の発光体の例は、出願ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ２００１／４１５１２、ＷＯ２００２／０２７１４、ＷＯ２００２／１５６４５、ＥＰ１１９１６１３、ＥＰ１１９１６１２、ＥＰ１１９１６１４、ＷＯ０５／０３３２４４、ＷＯ０５／０１９３７３、ＵＳ２００５／０２５８７４２、ＷＯ２００９／１４６７７０、ＷＯ２０１０／０１５３０７、ＷＯ２０１０／０３１４８５、ＷＯ２０１０／０５４７３１、ＷＯ２０１０／０５４７２８、ＷＯ２０１０／０８６０８９、ＷＯ２０１０／０９９８５２、ＷＯ２０１０／１０２７０９、ＷＯ２０１１／０３２６２６、ＷＯ２０１１／０６６８９８、ＷＯ２０１１／１５７３３９、ＷＯ２０１２／００７０８６、ＷＯ２０１４／００８９８２、ＷＯ２０１４／０２３３７７、ＷＯ２０１４／０９４９６１、ＷＯ２０１４／０９４９６０、ＷＯ２０１６／１２４３０４、ＷＯ２０１６／０１５８１５、ＷＯ２０１６／０００８０３、ＷＯ２０１５／１１７７１８、ＷＯ２０１５／１０４０４５およびＷＯ２０１５／０３６０７４に見出すことができる。一般に、先行技術によるリン光ＯＬＥＤに使用され、有機エレクトロルミネッセンスの分野の当業者に公知のリン光錯体は全て好適であり、当業者は、独創的な技術を用いることなく、さらなるリン光錯体を使用することができる。
リン光ドーパントの明確な例が、下記の表に提示される：
Figure 0007225094000045
Figure 0007225094000046
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Figure 0007225094000054
Figure 0007225094000055
式（Ｉ）の構造または先に詳述した好ましい態様を含む上記化合物は、好ましくは、電子デバイスにおいて活性成分として使用することができる。電子デバイスは、アノード、カソード、およびアノードとカソードの間の少なくとも１つの層を含む任意のデバイスを意味するものと理解され、前記層は、少なくとも１種の有機または有機金属化合物を含む。したがって、本発明の電子デバイスは、アノード、カソード、および式（Ｉ）の構造を含む少なくとも１種の化合物を含有する少なくとも１つの介在層を含む。ここで、好ましい電子デバイスは、有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ－ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ－ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ－ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ－ＬＥＴ）、有機ソーラーセル（Ｏ－ＳＣ）、有機光学検出器、有機光受容器、有機電場消光デバイス（Ｏ－ＦＱＤ）、有機電気センサ、発光電気化学セル（ＬＥＣ）、好ましくは有機発光電気化学セル（ＯＬＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ－レーザー）、および有機プラズモン発光デバイス（Ｄ．Ｍ．Ｋｏｌｌｅｒら、Ｎａｔｕｒｅ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ ２００８、１－４）からなる群から選択され、好ましくは有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）または有機発光電気化学セル（ＯＬＥＣ）であり、とりわけ式（Ｉ）の構造を含む少なくとも１種の化合物を少なくとも１層に含有するリン光ＯＬＥＤまたは有機発光電気化学セルＯＬＥＣである。有機エレクトロルミネッセンスデバイスが特に好ましい。活性成分は一般に、アノードとカソードの間に導入される有機または無機材料であり、たとえば電荷注入、電荷輸送または電荷阻止材料であるが、とりわけ発光材料およびマトリックス材料である。
本発明の好ましい態様は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスである。有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、カソード、アノード、および少なくとも１つの発光層を含む。これらの層の他に、さらなる別の層、たとえば各場合において、１つ以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、励起子阻止層、電子阻止層、電荷生成層、および／または有機または無機ｐ／ｎ接合を含んでもよい。同時に、１つ以上の正孔輸送層をたとえば金属酸化物、たとえばＭｏＯ３またはＷＯ３で、または（過）フッ素化電子不足芳香族系をｐドープすること、および／または１つ以上の電子輸送層をｎドープすることが可能である。たとえば励起子阻止機能を有する、および／またはエレクトロルミネッセンスデバイスにおける電荷バランスを制御する中間層を２つの発光層の間に導入することも同様に可能である。ただし、指摘すべきことであるが、これらの層のそれぞれは、必ずしも存在する必要があるとは限らない。
この場合、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、発光層を含有する、または複数の発光層を含有することが可能である。複数の発光層が存在する場合、これらは好ましくは全体として３８０ｎｍ乃至７５０ｎｍに幾つかの発光極大を有し、全体として白色発光を生じるものである。換言すれば、蛍光またはリン光を発することができる様々な発光化合物が発光層に使用される。３層が青色、緑色およびオレンジ色または赤色発光を呈する３層系（基本構造については、たとえばＷＯ２００５／０１１０１３参照）、または４つ以上の発光層を有する系がとりわけ好ましい。系は、１つ以上の層が蛍光を発し、１つ以上の他の層がリン光を発するハイブリッド系であってもよい。
本発明の好ましい態様において、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、式（Ｉ）の構造または先に詳述した好ましい態様を含む本発明の化合物をマトリックス材料として、好ましくは電子伝導マトリックス材料として、１つ以上の発光層に、好ましくはさらなるマトリックス材料と、好ましくは正孔伝導マトリックス材料と組み合わせて含有する。本発明のさらなる好ましい態様において、さらなるマトリックス材料は、電子輸送化合物である。別のさらなる好ましい態様において、さらなるマトリックス材料は、層における正孔および電子輸送に関与するとしても顕著な程度には関与しない大きなバンドギャップを有する化合物である。発光層は、少なくとも１種の発光化合物を含む。
式（Ｉ）の化合物と組み合わせて、または好ましい態様に従い使用することができる好適なマトリックス材料は、たとえばＷＯ２００４／０１３０８０、ＷＯ２００４／０９３２０７、ＷＯ２００６／００５６２７またはＷＯ２０１０／００６６８０による芳香族ケトン、芳香族ホスフィンオキシド、または芳香族スルホキシドもしくはスルホン、たとえばＷＯ２０１４／０１５９３５によるトリアリールアミン、とりわけモノアミン、カルバゾール誘導体、たとえばＣＢＰ（Ｎ，Ｎ－ビスカルバゾリルビフェニル）、またはＷＯ２００５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７もしくはＷＯ２００８／０８６８５１に開示のカルバゾール誘導体、たとえばＷＯ２００７／０６３７５４またはＷＯ２００８／０５６７４６によるインドロカルバゾール誘導体、たとえばＷＯ２０１０／１３６１０９およびＷＯ２０１１／０００４５５によるインデノカルバゾール誘導体、たとえばＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０によるアザカルバゾール誘導体、たとえばＷＯ２００７／１３７７２５による双極性マトリックス材料、たとえばＷＯ２００５／１１１１７２によるシラン、たとえばＷＯ２００６／１１７０５２によるアザボロールまたはボロン酸エステル、たとえばＷＯ２０１０／０１５３０６、ＷＯ２００７／０６３７５４またはＷＯ２００８／０５６７４６によるトリアジン誘導体、たとえばＥＰ６５２２７３またはＷＯ２００９／０６２５７８による亜鉛錯体、たとえばＷＯ２０１０／０５４７２９によるジアザシロールまたはテトラアザシロール誘導体、たとえばＷＯ２０１０／０５４７３０によるジアザホスホール誘導体、たとえばＵＳ２００９／０１３６７７９、ＷＯ２０１０／０５０７７８、ＷＯ２０１１／０４２１０７、ＷＯ２０１１／０８８８７７またはＷＯ２０１２／１４３０８０による架橋カルバゾール誘導体、たとえばＷＯ２０１２／０４８７８１によるトリフェニレン誘導体、たとえばＷＯ２０１１／１１６８６５、ＷＯ２０１１／１３７９５１またはＷＯ２０１３／０６４２０６によるラクタム、あるいは、たとえばＷＯ２０１４／０９４９６３または未公開出願ＥＰ１４００２１０４．９による４－スピロカルバゾール誘導体である。実際の発光体より短波長で発光するさらなるリン光発光体が混合物中にコホストとして存在することも同様に可能である。
好ましいコホスト材料は、トリアリールアミン誘導体、とりわけモノアミン、インデノカルバゾール誘導体、４－スピロカルバゾール誘導体、ラクタム、およびカルバゾール誘導体である。
複数の異なるマトリックス材料、とりわけ少なくとも１種の電子伝導マトリックス材料と少なくとも１種の正孔伝導マトリックス材料を混合物として使用することが好ましいこともある。たとえばＷＯ２０１０／１０８５７９に記載されているような、電荷輸送マトリックス材料と、電荷輸送には関与するとしても顕著な程度には関与しない電気的に不活性のマトリックス材料の混合物の使用も同様に好ましい。
マトリックスと共に２種以上の三重項発光体の混合物を使用することがさらに好ましい。この場合、短波長発光スペクトルを有する三重項発光体は、より長波長の発光スペクトルを有する三重項発光体のためのコマトリックスとして機能する。
より好ましくは、好ましい態様において、式（Ｉ）の構造を含む本発明の化合物を有機電子デバイスとりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイス、たとえばＯＬＥＤまたはＯＬＥＣの発光層に、マトリックス材料として使用することが可能である。この場合、式（Ｉ）の構造または上記もしくは下記の好ましい態様を含む化合物を含有するマトリックス材料が、電子デバイス中に１種以上のドーパント、好ましくはリン光ドーパントと組み合わせて存在する。
この場合、発光層中のマトリックス材料の割合は、蛍光発光層の場合体積で５０．０％乃至９９．９％、好ましくは体積で８０．０％乃至９９．５％、より好ましくは体積で９２．０％乃至９９．５％であり、リン光発光層の場合体積で８５．０％乃至９７．０％である。
これに対応し、ドーパントの割合は、蛍光発光層の場合体積で０．１％乃至５０．０％、好ましくは体積で０．５％乃至２０．０％、より好ましくは体積で０．５％乃至８．０％であり、リン光発光層の場合体積で３．０％乃至１５．０％である。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発光層は、複数のマトリックス材料を含む系（混合マトリックス系）および／または複数のドーパントを含んでもよい。この場合も、ドーパントは一般に、系中での割合が低い方の材料であり、マトリックス材料は、系中での割合が高い方の材料である。ただし、個々の場合、系中での単一のマトリックス材料の割合は、単一のドーパントの割合より低くてもよい。
本発明のさらなる好ましい態様において、式（Ｉ）の構造または上記もしくは下記の好ましい態様を含む化合物は、混合マトリックス系の成分として使用してもよい。混合マトリックス系は、好ましくは２または３種の異なるマトリックス材料、より好ましくは２種の異なるマトリックス材料を含む。この場合、好ましくは、２種の材料の一方は、正孔輸送特性を有する材料であり、他方の材料は、電子輸送特性を有する材料である。ただし、混合マトリックス成分の所望の電子輸送および正孔輸送特性は、単一の混合マトリックス成分が主として、あるいは完全に併せ持っていてもよく、この場合、さらなる混合マトリックス成分（複数可）は、他の機能を果たす。２種の異なるマトリックス材料は、１：５０～１：１、好ましくは１：２０～１：１、より好ましくは１：１０～１：１、最も好ましくは１：４～１：１の比で存在してもよい。リン光有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいては混合マトリックス系を使用することが好ましい。混合マトリックス系に関するさらなる詳細な情報源の１つは、たとえば出願ＷＯ２０１０／１０８５７９である。
本発明は、本発明の１種以上の化合物、および／または本発明の少なくとも１種のオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを、１つ以上の発光層にマトリックス材料として含む電子デバイス、好ましくは有機エレクトロルミネッセントデバイスまたは有機電気化学セルをさらに提供する。
加えて、本発明は、本発明の１種以上の化合物、および／または本発明の少なくとも１種のオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを、１つ以上の発光層に発光体材料として含む電子デバイス、好ましくは有機エレクトロルミネッセントデバイスまたは有機電気化学セルを提供する。
好ましいカソードは、低い仕事関数を有する金属、金属合金、様々な金属、たとえばアルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属もしくはランタノイド（たとえば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍなど）で構成される多層構造である。これに加え、好適なのは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属と銀で構成される合金、たとえばマグネシウムと銀で構成される合金である。多層構造の場合、記載した金属に加えて、比較的高い仕事関数を有するさらなる金属、たとえばＡｇを使用することも可能であり、この場合、金属の組合せ、たとえばＭｇ／Ａｇ、Ｃａ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇなどが一般に使用される。高誘電率を有する材料の薄い中間層を金属製カソードと有機半導体の間に導入することが好ましいこともある。この目的に有用な材料の例は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物に加え、対応する酸化物または炭酸塩（たとえばＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ２ＣＯ３など）である。この目的に同様に有用なのは、有機アルカリ金属錯体、たとえばＬｉｑ（キノリン酸リチウム）である。この層の層厚は、好ましくは０．５乃至５ｎｍである。
好ましいアノードは、高い仕事関数を有する材料である。好ましくは、アノードは対真空で４．５ｅＶを超える仕事関数を有する。第一に、高い酸化還元電位を有する金属がこの目的に好適であり、たとえばＡｇ、ＰｔまたはＡｕである。第二に、金属／金属酸化物電極（たとえば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯｘ、Ａｌ／ＰｔＯｘ）が好ましいこともある。用途によっては、電極の少なくとも一方は、有機材料の放射（Ｏ－ＳＣ）または発光（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ－レーザー）の何れかを可能とするため、透明または部分的に透明でなければならない。ここでの好ましいアノード材料は、導電性混合金属酸化物である。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が特に好ましい。さらに、導電性のドープされた有機材料、とりわけ導電性のドープされたポリマー、たとえばＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩまたはこれらのポリマーの誘導体が好ましい。ｐドープされた正孔輸送材料を正孔注入層としてアノードに適用することがさらに好ましく、この場合、好適なｐドーパントは、金属酸化物、たとえばＭｏＯ３もしくはＷＯ３、または（過）フッ素化電子不足芳香族系である。さらなる好適なｐ－ドーパントは、ＨＡＴ－ＣＮ（ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン）またはＮｏｖａｌｅｄ製の化合物ＮＰＤ９である。こうした層は、低いＨＯＭＯ、即ち、強度に関して高いＨＯＭＯを有する材料への正孔注入を単純化する。
さらなる層においては、層に対して先行技術に従い使用されるような任意の材料を使用することが一般に可能であり、当業者は、独創的な技術を用いることなく、電子デバイスにおいてこれらの材料のうちの任意の材料を本発明の材料と組み合わせることができる。
これに対応し、デバイスは、（本願に従い）構築され、接点が接続され、こうしたデバイスの寿命は水および／または空気の存在下では大幅に短くなるため、最終的に密閉される。
加えて、好ましいのは、１つ以上の層が、昇華プロセスによりコーティングされることを特徴とする電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイスである。この場合、材料は、真空昇華系において、典型的には１０－５ｍｂａｒ未満、好ましくは１０－６ｍｂａｒ未満の初期圧力で蒸着により適用される。初期の圧力をこれよりもさらに高くまたはさらに低く、たとえば１０－７ｍｂａｒ未満とすることも可能である。
同様に、１つ以上の層がＯＶＰＤ（有機気相堆積）法により、または担体ガス昇華を援用してコーティングされることを特徴とする電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイスが好ましい。この場合、材料は、１０－５ｍｂａｒ乃至１ｂａｒの圧力で適用される。この方法の特殊なケースが、ＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）法であり、この方法では、材料がノズルにより直接適用され、したがって構造化される（たとえば、Ｍ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。
加えて、１つ以上の層が、溶液から、たとえばスピンコーティングにより、または任意の印刷法、たとえばスクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷もしくはノズル印刷であるが、より好ましくはＬＩＴＩ（光誘起熱イメージング、熱転写印刷）もしくはインクジェット印刷により生成されることを特徴とする電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイスが好ましい。この目的のためには可溶性化合物が必要であり、これは、たとえば好適な置換によって得られる。
電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、１つ以上の層を溶液から適用し、１つ以上の他の層を蒸着により適用することにより、ハイブリッド系として製造することもできる。たとえば、式（Ｉ）の構造を含む本発明の化合物とマトリックス材料を含む発光層を溶液から適用し、それに正孔阻止層および／または電子輸送層を減圧下での蒸着により適用することが可能である。
これらの方法は一般論として当業者に公知であり、式（Ｉ）の構造または先に詳述した好ましい態様を含む本発明の化合物を含む電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイスに困難なく適用することができる。
本発明の電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、先行技術に対する下記の驚くべき利点の１つ以上のために注目に値する。
１．式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを、とりわけ電子伝導材料として含む電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセントデバイス、およびことさら特に有機発光ダイオードまたは有機発光電気化学セルは、非常に良好な寿命を有する。
２．式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーを電子伝導材料、電子注入材料および／またはホスト材料として含む電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイス、およびことさら特に有機発光ダイオードまたは有機発光電気化学セルは、優れた効率を有する。より詳細には、効率は、式（Ｉ）の構造単位を含有しない類似の化合物と比較して遙かに高い。この文脈において、式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を有する本発明の化合物、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーは、電子デバイスに使用された場合、低動作電圧をもたらす。この文脈において、これらの化合物はとりわけ、低ロールオフ、即ち高輝度でのデバイスの電力効率の低下をほとんどもたらさない。
３．式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を有する本発明の化合物、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーは、非常に高い安定性（たとえば酸化還元安定性、熱安定性、および光化学的安定性）を呈し、非常に長い寿命を有する化合物をもたらす。
４．式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーを用いることにより、電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイス、およびことさら特に有機発光ダイオードまたは有機発光電気化学セルにおける光学損失経路の形成を回避することが可能である。結果として、これらのデバイスは、発光体の高ＰＬ効率、したがって高ＥＬ効率と、マトリックスのドーパントへの優れたエネルギー伝達を特徴とする。
５．式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーを電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイス、およびことさら特に有機発光ダイオードまたは有機発光電気化学セルの層に使用すると、電子伝導体構造の高い移動性が得られる。
６．式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーは、優れた熱安定性を特徴とし、約１２００ｇ／ｍｏｌ未満のモル質量を有する化合物は、良好な昇華性を有する。
７．式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーは、優れたガラス膜形成性を有する。
８．式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーは、溶液から非常に良好な膜を形成する。
９．式（Ｉ）の構造または上記および下記の好ましい態様を含む化合物、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーは、驚くべきことに、高い三重項準位Ｔ１を有し、これは、特に電子伝導材料として使用される化合物について言える。
これら上記の利点は、さらなる電子的特性の低下を伴わない。
本発明の化合物および混合物は、電子デバイスへの使用に好適である。電子デバイスは、少なくとも１種の有機化合物を含有する少なくとも１つの層を含有するデバイスを意味するものと理解される。構成要素は、無機材料、または完全に無機材料で形成された他の層を含んでもよい。
したがって、本発明は、電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける本発明の化合物または混合物の使用をさらに提供する。
本発明はまた、本発明の化合物、および／または本発明のオリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーの、電子デバイスにおけるＴＡＤＦ材料、ホスト材料、正孔伝導体材料、電子注入材料および／または電子輸送材料としての、好ましくはＴＡＤＦ材料、ホスト材料、正孔伝導体材料および／または電子輸送材料としての使用をさらに提供する。
本発明はまた、先に詳述した本発明の化合物または混合物の少なくとも１種を含む電子デバイスをさらに提供する。この場合、先に詳述した化合物に関する優先傾向は、電子デバイスにも当てはまる。有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ－ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ－ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ－ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ－ＬＥＴ）、有機ソーラーセル（Ｏ－ＳＣ）、有機光学検出器、有機光受容器、有機電場消光デバイス（Ｏ－ＦＱＤ）、有機電気センサ、発光電気化学セル（ＬＥＣ）、好ましくは有機発光電気化学セル（ＯＬＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ－レーザー）、および有機プラズモン発光デバイス（Ｄ．Ｍ．Ｋｏｌｌｅｒら、Ｎａｔｕｒｅ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ ２００８、１－４）からなる群から選択される電子デバイスが特に好ましく、好ましくは有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）または有機発光電気化学セル（ＯＬＥＣ）、とりわけリン光もしくは蛍光ＯＬＥＤまたは蛍光ＯＬＥＣである。
本発明のさらなる態様において、本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、別個の正孔注入層および／または正孔輸送層および／または正孔阻止層および／または電子輸送層を含有せず、それは、たとえばＷＯ２００５／０５３０５１に記載されているように、発光層が正孔注入層またはアノードに直接隣接する、および／または発光層が電子輸送層または電子注入層またはカソードに直接隣接することを意味する。加えて、たとえばＷＯ２００９／０３０９８１に記載されているように、発光層中の金属錯体と同一または類似の金属錯体を発光層に直接隣接する正孔輸送または正孔注入材料として使用することも可能である。
加えて、本発明の化合物を電子輸送層に使用することも可能である。
本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスのさらなる層において、典型的には先行技術に従い使用されるような任意の材料を使用することが可能である。したがって、当業者は、独創的な技術を用いることなく、有機エレクトロルミネッセンスデバイスについて公知の任意の材料を、式（Ｉ）または好ましい態様による本発明の化合物と組み合わせて使用することができる。
本発明の化合物は一般に、有機エレクトロルミネッセンスデバイスに使用されると、非常に良好な特性を有する。とりわけ、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて本発明の化合物を使用した場合、先行技術による類似の化合物と比較して、寿命が著しく良好となる。同時に、有機エレクトロルミネッセンスデバイスのさらなる特性、とりわけ効率および電圧が、同様に改善するか、少なくとも同等となる。
指摘すべきことであるが、本発明に記載の態様の変形は、本発明の範囲内に含まれる。本発明において開示される特徴は何れも、明確に排除されない限り、同じ目的、または同等もしくは類似の目的を果たす代替的特徴により置きかえてもよい。したがって、本発明において開示されるそれぞれの特徴は何れも、特に断らない限り、包括的シリーズの一例、または同等もしくは類似の特徴とみなすべきである。
本発明の特徴は全て、特定の特徴および／または工程が相互に排他的でない限り、任意の方法で互いに組み合わせてもよい。これはとりわけ、本発明の好ましい特徴について言える。同様に、必須ではない組合せの特徴は、個別に（かつ組み合わせることなく）使用してもよい。
さらに指摘すべきことであるが、多くの特徴、とりわけ本発明の好ましい態様の特徴は、それ自体進歩性があり、本発明の態様の一部分に過ぎないとみなすべきではない。これらの特徴について、本発明で請求されているそれぞれの発明に加えて、あるいはその代替として、独立した保護を求めることができる。
本発明により開示される技術的教示を抽出し、他の例と組み合わせてもよい。
本発明を以下に続く例により詳細に例示するが、それにより本発明を限定する意図はない。
当業者は、与えられた詳細を使用して、独創的な技術を用いることなく、本発明のさらなる電子デバイスを製造することができ、したがって、請求された範囲全体を通じて本発明を実施することができる。
［例］
以下に続く合成は、特に断らない限り、乾燥溶媒中、保護ガス雰囲気下で行われる。金属錯体は、遮光して、または黄色光下で追加的な処理をする。溶媒および試薬は、たとえばＳｉｇｍａ－ＡＬＤＲＩＣＨまたはＡＢＣＲから購入することができる。角括弧内のそれぞれの数字、または個々の化合物について引用された数字は、文献から公知の化合物のＣＡＳ番号である。
シントンの合成
例Ｓ１：
Figure 0007225094000056
Ａ．Ｓａｇａｄｅｖａｎら、Ｇｒｅｅｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、１７（２）、１１１３－１１１９；２０１５に類似の手順。１６．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）のカルバゾール［８６－７４－８］、３４．６ｇ（２５０ｍｍｏｌ）の炭酸カリウム、２．５ｇ（１０ｍｍｏｌ）の硫酸銅（ＩＩ）五水和物［７７５８－９９－８］、３．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）のフェナントロリン、３００ｍｌのトルエン、および５０ｇのガラスビーズの十分撹拌した混合物に、３３．８ｇ（１３０ｍｍｏｌ）の１－ブロモ－４－（２－ブロモエチニル）ベンゼン［９３４－９４－１］を添加し、次いで混合物を８０℃で１６時間撹拌する。冷却後、混合物をセライト床を通してろ過し、後者を洗浄し、ろ液を濃縮乾固する。残渣をフラッシュクロマトグラフィー（Ａｘｅｌ Ｓｅｍｒａｕ製ＣｏｍｂｉＦｌａｓｈ Ｔｏｒｒｅｎｔ）により精製する。収率：２３．２ｇ（６７ｍｍｏｌ）、６７％；純度：１Ｈ ＮＭＲにより９５％。
例Ｓ１００：
Figure 0007225094000057
３４．６ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ１、３８．５ｇ（１００ｍｍｏｌ）の２，３，４，５－テトラフェニル－２，４－シクロペンタジエン－１－オン［４７９－３３－４］、および１３０ｍｌのジフェニルエーテルの混合物を２６５℃に２４時間加熱する。冷却しジフェニルエーテルを減圧下で除去した後、残渣を３００ｍｌのエタノールと共に沸騰させることにより抽出し、固体を吸引しながらろ過し、毎回１００ｍｌのＥｔＯＨで３回洗浄し、減圧下で乾燥させる。残渣をフラッシュクロマトグラフィー（Ａｘｅｌ Ｓｅｍｒａｕ製ＣｏｍｂｉＦｌａｓｈ Ｔｏｒｒｅｎｔ）により精製する。収率：５１．４ｇ（７３ｍｍｏｌ）、７３％；純度：１Ｈ ＮＭＲにより９８％。
同様の方法で、Ｓ１、即ち１－ブロモ－４－［２－（４－クロロフェニル）エチニル］ベンゼン［８３２７４４－２８－２］をジエノフィルとして使用して、下記の化合物を調製することが可能である：
Figure 0007225094000058
Figure 0007225094000059
Figure 0007225094000060
Figure 0007225094000061
Figure 0007225094000062
Figure 0007225094000063
Figure 0007225094000064
Figure 0007225094000065
Figure 0007225094000066
Figure 0007225094000067
例Ｓ２００：ブッフバルトカップリング
Figure 0007225094000068
５４．６ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ１０４、１６．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）のカルバゾール［８６－７４－８］、４１．５ｇ（３００ｍｍｏｌ）の炭酸カリウム、５０ｇのガラスビーズ、７００ｍｌのトルエン、４０５ｍｇ（２ｍｍｏｌ）のトリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン、および２２５ｍｇ（１ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウムの混合物を還流下でよく撹拌しながら２４時間加熱する。冷却後、吸引しながら塩をトルエンスラリーの形態でセライト床を通してろ過し、床を毎回１００ｍｌの温めたトルエンで３回洗浄し、ろ液を５００ｍｌの水で１回、３００ｍｌの塩化ナトリウム溶液で１回洗浄し、硫酸マグネシウム上で脱水する。乾燥剤をろ過し溶媒を除去した後に得られる固体をクロマトグラフにかけ（シリカゲル、ジクロロメタン）、次いで、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）から再結晶化させる。収率：４６．１ｇ（７３ｍｍｏｌ）、７３％；純度：１Ｈ ＮＭＲにより９７％。
同様の方法で、炭酸カリウムカルボナートの代わりに１２０ｍｍｏｌのナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシドを第２級アミンとのカップリングに使用して、下記の化合物を調製することが可能である：
Figure 0007225094000069
Figure 0007225094000070
Figure 0007225094000071
Figure 0007225094000072
Figure 0007225094000073
Figure 0007225094000074
Figure 0007225094000075
Figure 0007225094000076
Figure 0007225094000077
Figure 0007225094000078
Figure 0007225094000079
Figure 0007225094000080
例Ｓ３００：ホウ素化
Figure 0007225094000081
７０．３ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ１００、２６．７ｇ（１０５ｍｍｏｌ）の４，４，４’，４’，５，５，５’，５’－オクタメチル－２，２’－ビ（１，３，２－ジオキサボロラン）［７３１８３－３４－３］、２９．５ｇ（３００ｍｍｏｌ）の無水酢酸カリウム、５０ｇのガラスビーズ（直径３ｍｍ）、および７００ｍｌのジオキサンの混合物に、５４３ｍｇ（１．３ｍｍｏｌ）のＳ－Ｐｈｏｓ［６５７４０８－０７－６］と２２５ｍｇ（１ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を添加し、混合物をよく撹拌しながら９０℃に１６時間加熱する。冷却後、混合物をジオキサンスラリーの形態でセライト床を通してろ過し、床を３００ｍｌのジオキサンで洗浄し、ろ液を濃縮乾固し、残渣を５００ｍｌのトルエンに取り、溶液を毎回１００ｍｌの水で３回、２００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄し、次いで硫酸マグネシウム上で脱水する。乾燥剤をろ過し溶媒を除去した後に得られる泡状体を酢酸エチル／メタノールから再結晶化させる。収率：６５．２ｇ（８７ｍｍｏｌ）、８７％；純度：１Ｈ ＮＭＲにより９５％。
同様の方法で、下記の化合物を調製することが可能である：
Figure 0007225094000082
Figure 0007225094000083
Figure 0007225094000084
Figure 0007225094000085
Figure 0007225094000086
Figure 0007225094000087
Figure 0007225094000088
Figure 0007225094000089
Figure 0007225094000090
Figure 0007225094000091
Figure 0007225094000092
Figure 0007225094000093
Figure 0007225094000094
例Ｐ１：スズキカップリング
Figure 0007225094000095
７５．０ｇ（１００ｍｍｏｌ）のＳ３００、２８．１ｇ（１０５ｍｍｏｌ）の１－クロロ－３，５－ジフェニルトリアジン［３８４２－５５－５］、６３．７ｇ（３００ｍｍｏｌ）のリン酸三カリウム、５００ｍｌのトルエン、３００ｍｌのジオキサン、５００ｍｌの水の十分撹拌した混合物に、１．２ｇ（３ｍｍｏｌ）のＳ－Ｐｈｏｓ［６５７４０８－０７－６］と４９８ｍｇ（２ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を添加し、次いで混合物を還流下１６時間加熱する。冷却後、有機相を取り出し、毎回３００ｍｌの水で２回、３００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄し、次いで硫酸マグネシウム上で脱水する。乾燥剤をトルエンスラリーの形態でセライト床を通してろ過し、床を３００ｍｌのトルエンで洗い流し、ろ液を濃縮乾固し、残渣をジメチルアセトアミドから２回結晶化させる。酢酸ｎ－ブチルを用いた高温抽出を繰り返すことと、その後の分別昇華（ｐ約１０－５ｍｂａｒ、Ｔ約３３０℃）によりさらなる精製を実施する。収率：４７．９ｇ（５６ｍｍｏｌ）、５６％；純度：１Ｈ ＮＭＲにより９９．９％。
同様の方法で、典型的には高真空下での加熱により残留溶媒が除去された１２００ｇ／ｍｏｌを超えるモル質量の生成量で下記の化合物を調製することが可能である：
Figure 0007225094000096
Figure 0007225094000097
Figure 0007225094000098
Figure 0007225094000099
Figure 0007225094000100
Figure 0007225094000101
Figure 0007225094000102
Figure 0007225094000103
Figure 0007225094000104
Figure 0007225094000105
Figure 0007225094000106
Figure 0007225094000107
Figure 0007225094000108
Figure 0007225094000109
例：ＯＬＥＤの製造
１）真空処理されたデバイス：
本発明のＯＬＥＤと先行技術によるＯＬＥＤを、ＷＯ２００４／０５８９１１による一般的な方法によって製造するが、方法は、ここに記載する環境（層厚の変更、使用する材料）に適合させてある。
以下に続く例では、様々なＯＬＥＤに関する結果を提示する。構造化されたＩＴＯ（５０ｎｍ、インジウムスズ酸化物）を有するガラスプラークが、ＯＬＥＤが適用される基板を形成する。ＯＬＥＤは基本的に、下記の層構造を有する：基板／５％のＮＤＰ－９（Ｎｏｖａｌｅｄが市販）をドープしたＨＴＭからなる正孔輸送層１（ＨＴＬ１）、２０ｎｍ／正孔輸送層２（ＨＴＬ２）／任意の電子阻止層（ＥＢＬ）／発光層（ＥＭＬ）／任意の正孔阻止層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／任意の電子注入層（ＥＩＬ）、および最後にカソード。カソードは、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層によって形成される。
まず第一に、真空処理されたＯＬＥＤを記載する。この目的のため、材料は全て、真空チャンバにて熱蒸着により適用される。この場合、発光層は常に、少なくとも１種のマトリックス材料（ホスト材料）と、共蒸発により特定の体積割合でマトリックス材料（複数可）に添加される発光ドーパント（発光体）からなる。Ｍ３：Ｍ２：Ｉｒ（Ｌ２）（５５％：３５％：１０％）のような形式で与えられる詳細は、ここでは、層中に材料Ｍ３が体積で５５％の割合で、Ｍ２が３５％の割合で、Ｉｒ（Ｌ２）が１０％の割合で存在することを意味する。同様に、電子輸送層も、２種の材料の混合物からなっていてもよい。ＯＬＥＤの正確な構造は、表１に見出すことができる。ＯＬＥＤの製造に使用した材料を、表４に示す。
ＯＬＥＤは、標準的な方法で特徴決定される。この目的のため、エレクトロルミネッセンススペクトル、電力効率（ｃｄ／Ａ単位で測定）、および電圧（１０００ｃｄ／ｍ２にてＶ単位で測定）を、電流－電圧－明るさ特性（ＩＵＬ特性）から判定する。一部の実験について、寿命を判定する。寿命は、輝度が特定の初期輝度から特定の割合に低下するまでの時間と定義される。数値ＬＤ５０は、特定された寿命が、輝度が初期輝度の５０％に低下した、即ち、例えば１０００ｃｄ／ｍ２から５００ｃｄ／ｍ２に低下した時点であることを意味する。発光色に応じ、異なる初期明るさを選択した。寿命の値は、当業者に公知の変換式を援用して他の初期輝度に変換することができる。この文脈において、１０００ｃｄ／ｍ２の初期輝度の場合の寿命が標準的な数値である。
本発明の化合物のリン光ＯＬＥＤにおける発光体材料としての使用
本発明の化合物の１つの使用は、ＯＬＥＤの発光層における発光体材料（ＴＡＤＦ）としてのものである。
化合物は、リン光発光体用のマトリックス／ホスト材料としても使用可能である。表４による化合物が、先行技術による比較として使用される。ＯＬＥＤに関する結果を表２にまとめた。
Figure 0007225094000110
Figure 0007225094000111
溶液処理されたデバイス：
低分子量の可溶性機能材料から
本発明のイリジウム錯体は、溶液から処理することもでき、真空処理されたＯＬＥＤと比較して処理技術に関して遙かに単純であるにもかかわらず、良好な特性を有するＯＬＥＤが得られる。このような部品の製造は、既に何度も文献（たとえばＷＯ２００４／０３７８８７）に記載されているポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）の製造に基づくものである。構造は、基板／ＩＴＯ／正孔注入層（６０ｎｍ）／中間層（２０ｎｍ）／発光層（６０ｎｍ）／正孔阻止層（１０ｎｍ）／電子輸送層（４０ｎｍ）／カソードで構成される。この目的のため、Ｔｅｃｈｎｏｐｒｉｎｔ製の基板（ソーダ石灰ガラス）を使用し、これにＩＴＯ構造（インジウムスズ酸化物、透明な導電性アノード）を適用する。基板を、クリーンルームにおいてＤＩ水および洗浄剤（Ｄｅｃｏｎｅｘ １５ＰＦ）を用いて清浄にし、次いで、ＵＶ／オゾンプラズマ処理によって活性化させる。その後、同様にクリーンルームにおいて、２０ｎｍの正孔注入層をスピンコーティングにより適用する。必要なスピン速度は、希釈度および具体的なスピンコーターの形状寸法に依存する。層から残留水を除去するために、基板を、２００℃のホットプレート上で３０分間加熱する。使用する中間層は、正孔注入用として機能し；この場合、Ｍｅｒｃｋ製のＨＬ－Ｘを使用する。あるいは、中間層は、１つ以上の層により置きかえられていてもよく、これらは、その後の溶液からのＥＭＬ堆積の処理工程によって再び剥離しないという条件を満たすだけでよい。発光層を製造するために、本発明の三重項発光体を、マトリックス材料と共にトルエンまたはクロロベンゼンに溶解させる。この場合のように、デバイスに特有な層厚６０ｎｍをスピンコーティングによって達成すべき場合、このような溶液の典型的な固形分は１６乃至２５ｇ／ｌである。溶液処理された緑色タイプ１デバイスは、Ｐ：Ｍ：ＩｒＲｅｆ２（Ｘ％：Ｙ％：Ｚ％）で構成される発光層を含有し；赤色タイプ２デバイスは、Ｐ：Ｍ：ＩｒＲｅｆ２：ＩｒＲｅｆ３（Ｘ％：Ｙ％：Ｚ％：５％）で構成される発光層を含有し；換言すると、これらは、２種の異なるＩｒ錯体を含有する。発光層を不活性ガス雰囲気、本発明の場合はアルゴン中でスピンオンし、１６０℃で１０分間焼成する。後者の上に、正孔阻止層（１０ｎｍＥＴＭ１）と電子輸送層（４０ｎｍＥＴＭ１（５０％）／ＥＴＭ２（５０％））を蒸着（Ｌｅｓｋｅｒ製の蒸着システムまたは同様のもの、典型的な蒸着圧力は、５×１０－６ｍｂａｒである）する。最後に、アルミニウムのカソード（１００ｎｍ）（Ａｌｄｒｉｃｈ製高純度金属）を蒸着により適用する。空気と空気の湿気からデバイスを保護するために、最後にデバイスを封入し、次いでその特性を決定する。引用したＯＬＥＤの例は、まだ最適化されていないが、得られたデータを表３に要約する。
Figure 0007225094000112
Figure 0007225094000113
Figure 0007225094000114
Figure 0007225094000115

Claims (10)

  1. 式（Ｉ）：
    Figure 0007225094000116
     （式中、使用した記号は、下記の通りである：
    Ｑは、式（ＱＬ）で表されるアクセプター基であり；
    Figure 0007225094000117
     （式中、Ｌ１は、６～１２個の炭素原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系を表し、
    Ｑ１は、式（Ｑ－２３）および（Ｑ－２４）の構造から選択される電子求引基であり；
    Figure 0007225094000118
     ここで、点線で示される結合は結合位置を示し；
    ＨＬは、式（Ｈ－１）～（Ｈ－２６）から選択される基を含むドナー基であり；
    Figure 0007225094000119
    Figure 0007225094000120
    Figure 0007225094000121
    Figure 0007225094000122
     （式中、点線で示される結合は結合位置を示し、
    Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４は、それぞれ独立して６～４０個の炭素原子を有するアリール基であり、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよく；
    ｐは、０、１または２であり；
    Ｚは、ＣＲ１ ２、Ｎ－Ａｒ１、ＯまたはＳであり；
    Ｙ１は、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ１）２またはＮＡｒ１を表し、点線で示される結合は結合位置を示し、ｅは、０、１または２であり、ｊは、０、１、２または３であり、ｈは、０、１、２、３または４であり；
    Ａｒ１は、６～２４個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり；
    Ａｒａ、Ａｒｂは、同じであるかまたは異なり、６～１８個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ１ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系であり；
    Ｒａ、Ｒｂは、独立して６～１８個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ １ ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系であり；
    Ｒ１は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＲ２）２、ＣＨＯ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、ＣＲ２＝Ｃ（Ｒ２）２、ＣＮ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ２、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ２）２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｎ（Ｒ２）２、ＮＯ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）２、ＯＳＯ２Ｒ２、ＯＲ２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２、１～４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３～４０個の炭素原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ２基は、－Ｒ２Ｃ＝ＣＲ２－、－Ｃ≡Ｃ－、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２、ＮＲ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ２－、－Ｏ－、－Ｓ－、ＳＯもしくはＳＯ２により置きかえられていてもよく、１個以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２により置きかえられていてもよい）、または５～６０個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよい芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、または５～６０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、または５～６０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいアラルキルもしくはヘテロアラルキル基、または１０～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ２ラジカルにより置換されていてもよいジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基；またはこれらの系の組合せであり；同時に、２つ以上のＲ１ラジカルが一緒になって単環または多環式の脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
    Ｒ２は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＲ３）２、ＣＨＯ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ３、ＣＲ３＝Ｃ（Ｒ３）２、ＣＮ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ３、Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ３）２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｎ（Ｒ３）２、ＮＯ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）２、ＯＳＯ２Ｒ３、ＯＲ３、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ３、１～４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３～４０個の炭素原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１つ以上のＲ３ラジカルにより置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ２基は、－Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３－、－Ｃ≡Ｃ－、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ３－、－Ｏ－、－Ｓ－、ＳＯもしくはＳＯ２により置きかえられていてもよく、１個以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２により置きかえられていてもよい）、または５～６０個の芳香族環原子を有し、各場合において１つ以上のＲ３ラジカルにより置換されていてもよい芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、または５～６０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ３ラジカルにより置換されていてもよいアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、または５～６０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ３ラジカルにより置換されていてもよいアラルキルもしくはヘテロアラルキル基、または１０～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ３ラジカルにより置換されていてもよいジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基、またはこれらの系の組合せであり；同時に、２つ以上のＲ２置換基が一緒になって単環または多環式の脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよく；
    Ｒ３は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１～２０個の炭素原子を有する脂肪族、芳香族および／またはヘテロ芳香族ヒドロカルビルラジカルであり（水素原子はＦにより置きかえられていてもよい）；同時に、２つ以上のＲ３置換基が一緒になって単環または多環式の脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族環系を形成していてもよい）
    の少なくとも１つの構造を含む化合物。
  2. 式（Ｉ）中の前記Ａｒａおよび／またはＡｒｂ基が、記号ＨＬによるドナー基とは異なることを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
  3. 前記Ａｒ２基が、式（ＬＡｒ－１）
    Figure 0007225094000123
     （式中、Ｘは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、ＣＲ１であるか、基がＸに結合している場合はＣであり；
    点線で示される結合は結合位置を示し、ｓは、０、１または２であり、ここで、前記Ｒ１ラジカルは、請求項１に記載の定義を有する）
    の連結構造であることを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物。
  4. 前記Ｌ１基が、式（ＬＡｒ－２）
    Figure 0007225094000124
     （式中、Ｘは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、ＣＲ１であるか、基がＸに結合している場合はＣであり；
    点線で示される結合は結合位置を示し、ｔは、０、１または２であり、ここで、前記Ｒ１ラジカルは、請求項１に記載の定義を有する）
    の連結構造であることを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物。
  5. 請求項１～４の何れか１項に記載の１種以上の化合物を含有するオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーであって、水素原子または置換基に代わり、前記ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーに対する前記化合物の１つ以上の結合が存在する、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマー。
  6. 請求項１～４の何れか１項に記載の少なくとも１種の化合物、または請求項５に記載オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーと、蛍光発光体、リン光発光体、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、電子阻止材料、および正孔阻止材料からなる群から選択される少なくとも１種のさらなる化合物を含む、組成物。
  7. 請求項１～４の何れか１項に記載の少なくとも１種の化合物、または請求項５に記載のオリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマー、または請求項６に記載の組成物と、少なくとも１種の溶媒を含む、調合物。
  8. 請求項１～４の何れか１項に記載の化合物、請求項５に記載のオリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマー、または請求項６に記載の組成物の、電子デバイスにおけるＴＡＤＦ材料、ホスト材料、電子輸送材料または正孔伝導材料としての使用。
  9. 請求項１～４の何れか１項に記載の化合物、または請求項５に記載のオリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーを製造する方法であって、少なくとも１つのドナー基を含む化合物が、カップリング反応においてアクセプター基に結合されることを特徴とする、方法。
  10. 請求項１～４の何れか１項に記載の少なくとも１種の化合物、請求項５に記載のオリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマー、または請求項６に記載の組成物を含む電子デバイス。
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