メモリアクセス動作で使用される種々のコンポーネントと関連付けられた種々のレイテンシ、またはそれ以外にメモリアクセス動作の部分と関連付けられた種々のレイテンシによって、メモリアクセス動作を行う際に遅延が生じる場合がある。例えば、メモリセルにアクセスすることに基づいて信号を展開すること(例えば、メモリセルを信号展開コンポーネントと結合することを含む動作)と関連付けられたレイテンシが、センスアンプで出力信号を生成すること(例えば、センスアンプにおける検知またはラッチ動作)と関連付けられたレイテンシより継続時間が長い時、メモリデバイスは、出力信号が基づく基本的な信号展開動作を行うことができるよりも迅速に出力信号を生成可能であってよい。それぞれのセンスアンプ用の単一の信号展開コンポーネント(例えば、信号展開コンポーネントおよびセンスアンプの1:1のマッピング)を有するメモリデバイスについて、メモリデバイスのスループットは、従って、信号展開コンポーネントまたは信号展開動作と関連付けられたレイテンシまたは周期継続時間によって限定される場合があり、これは遅延の影響を受けるアプリケーションに影響し得る。
本明細書に開示される例によると、メモリデバイスは、選択的に、メモリデバイスのセンスアンプと結合され得るまたはこれから切り離され得るキャッシュ要素(例えば、信号記憶素子)のセットを有する信号展開キャッシュを含んでよい。例えば、センスアンプのアレイは選択コンポーネント(例えば、マルチプレクサ(MUX)、トランジスタネットワーク、トランジスタアレイ、交換ネットワーク、切り換えアレイ)と結合されてよく、選択コンポーネントは、それぞれが、メモリデバイスの1つまたは複数のメモリセルと関連付け可能である信号展開キャッシュ要素のセットと結合されてよい。いくつかの例では、セルアクセス信号(例えば、セル読み取り信号、セル書き込み信号)は、信号展開キャッシュ要素のその他と無関係の信号展開キャッシュ要素のそれぞれにおいて(例えば、対応するメモリセルとの結合またはその他のアクセスに少なくとも部分的に基づいて)展開されてよい。
(例えば、読み取り動作における)いくつかの例では、信号展開キャッシュ要素はそれぞれ、重複する時間間隔の間対応するメモリセルまたはアクセス線と結合可能であることで、複数のセルアクセス信号(例えば、対応する信号展開コンポーネントのそれぞれの対応するメモリセルまたはアクセス線と関連付けられた複数のセル読み取り信号)が重複する時間間隔の間生成可能であるようにする。信号展開キャッシュ要素はその後、(例えば、対応するセルアクセス信号と関連付けられた)対応するメモリセルによって記憶された特定の論理状態と関連付け可能である、検知またはラッチ信号(例えば、対応するセルアクセス信号に基づくセンスアンプの出力信号)を生成するために選択コンポーネントを介してセンスアンプと結合可能である。セルアクセス信号が複数の信号展開キャッシュ要素で展開されている例では、複数の信号展開キャッシュ要素は、検知またはラッチ信号を順番に生成するために順番にセンスアンプと結合されてよい。
いくつかの例においては、システム中の1つまたは複数のコンポーネント(例えば、1つまたは複数の信号展開コンポーネント)が読み取りブロードキャスト動作を可能にし得る。読み取りブロードキャストは、メモリアレイ中の1つまたは複数の場所(例えば、1つまたは複数のドメイン)から信号展開コンポーネントのセットの複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリアレイの場所と結合されたアクセス線(例えば、ワード線、ディジット線、プレート線等)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、1つまたは複数のマルチプレクサが作用するようになっていてもよい。例えば、信号展開コンポーネントのセット中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットを1つまたは複数のマルチプレクサと同時に結合させて、メモリアレイからデータパターンを記憶するようにしてもよい。本明細書で使用されるとき、「セット(set)」は、1つまたは複数の要素(例えば、1つの要素、2つの要素、3つの要素等)を含み得る。
上に紹介した開示内容の特徴については、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートするメモリアレイおよびメモリ回路の観点から、図1~図3を参照して詳しく説明する。その後、図4A~図5Bを参照して具体例を説明するが、これらの図は、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする特定の読み取り動作および書き込み動作を示している。上記動作をサポートし得る回路、構成要素、および配置の別の例については、図6~図8を参照して説明する。開示内容の上記および他の特徴については、図9~図11に関して詳しく説明するが、これらの図は、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする装置図、システム図、およびフローチャートを示している。
図1は、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする例示的なメモリデバイス100を示している。メモリデバイス100は電子メモリ装置と称される場合もある。メモリデバイス100は、本明細書では論理状態と称される場合があるメモリ状態などの種々の状態を記憶するようにプログラミング可能であるメモリセル105を含んでよい。場合によっては、メモリセル105は、論理0および論理1と示される2つの論理状態を記憶するようにプログラミング可能であってよい。場合によっては、メモリセル105は3つ以上の論理状態を記憶するようにプログラミング可能であってよい。さらにまたは代替的には、メモリセル105は、メモリ状態が論理0または論理1以外の情報に対応する、(例えば、ニューラルネットワークに関連している)アナログまたはストカスティック演算に基づくメモリ状態を記憶するようにプログラミング可能であってよい。いくつかの例では、メモリセル105は、容量性メモリ素子、強誘電メモリ素子、材料メモリ素子、抵抗素子、自己選択メモリ素子、閾値メモリ素子、またはこれらの任意の組み合わせを含んでよい。
メモリセル105のセットは、(例えば、メモリセル105のアレイを含む)メモリデバイス100のメモリセクション110の一部であってよく、ここで、いくつかの例では、メモリセクション110はメモリセル105の隣接するタイル(例えば、半導体チップの要素の隣接するセット)を指す場合がある。いくつかの例では、メモリセクション110は、アクセス動作でバイアスがかけられてよいメモリセル105の最小セット、または共通ノードを共有するメモリセル105の最小セット(例えば、共通プレート線、共通電圧にバイアスがかけられるプレート線のセット)を指す場合がある。メモリデバイス100の単一メモリセクション110が示されているが、本明細書に開示されるような例によるメモリデバイスのさまざまな例は、メモリセクション110のセットを有してよい。1つの実例では、メモリデバイス100またはこのサブセクション(例えば、マルチコアメモリデバイス100のコア、マルチチップメモリデバイスのチップ)は、32の「バンク」を含んでよく、それぞれのバンクは32のセクションを含んでよい。よって、実例によるメモリデバイス100またはこのサブセクションは、1,024のメモリセクション110を含んでよい。
いくつかの例では、メモリセル105は、プログラミング可能な論理状態を表す電荷を記憶してよい(例えば、コンデンサ、容量性メモリ素子、容量性記憶素子に電荷を記憶する)。1つの例では、充電および非充電コンデンサはそれぞれ、2つの論理状態を表してよい。別の例では、正電荷よび負電荷を持つコンデンサはそれぞれ、2つの論理状態を表してよい。DRAMまたはFeRAMアーキテクチャはこのような設計を使用してよく、用いられるコンデンサは、絶縁体として線形または常誘電分極特性を有する誘電材料を含んでよい。いくつかの例では、コンデンサの充電の種々のレベルは、(例えば、対応するメモリセル105における3つ以上の論理状態をサポートする)種々の論理状態を表してよい。FeRAMアーキテクチャなどのいくつかの例では、メモリセル105は、コンデンサの端子間の絶縁(例えば、非導電)レイヤとしての強誘電材料を有する強誘電コンデンサを含んでよい。強誘電コンデンサの分極の種々のレベルは、(例えば、対応するメモリセル105における2つ以上の論理状態をサポートする)種々の論理状態を表してよい。いくつかの例では、強誘電材料は非線形分極特性を有する。
いくつかの例では、メモリセル105は、メモリ素子、メモリ記憶素子、自己選択メモリ素子、または自己選択メモリ記憶素子と称される場合がある材料部分を含んでよい。材料部分は、種々の論理状態を表す可変の構成可能な電気抵抗またはその他の特性を有してよい。例えば、結晶原子構成またはアモルファス原子構成の形を取ることができる(例えば、メモリデバイス100の動作周囲温度範囲にわたって結晶状態またはアモルファス状態のどちらかを維持することができる)材料は、原子構成に依存する種々の電気抵抗を有してよい。材料の結晶がより多い状態(例えば、単結晶で、実質的に結晶であり得る比較的大きい結晶粒の堆積)は、比較的低い電気抵抗を有する場合があり、かつ代替的には「SET」論理状態と称されてよい。材料のよりアモルファスな状態(例えば、全体的にアモルファス状態で、実質的にアモルファスであり得る比較的小さい結晶粒のある分布)は、比較的高い電気抵抗を有してよく、かつ代替的には「RESET」論理状態と称されてよい。よって、このようなメモリセル105に加えられる電圧は、メモリセル105の材料部分が、結晶がより多い状態またはよりアモルファスな状態であるかどうかに応じて異なる電流が生じ得る。それ故に、読み取り電圧をメモリセル105に加えることにより生じる電流の大きさは、メモリセル105によって記憶された論理状態を判断するために使用されてよい。
いくつかの例では、メモリ素子は、(例えば、対応するメモリセル105における2つ以上の論理状態をサポートする)種々の論理状態を表してよい、中間抵抗をもたらし得る結晶エリアおよびアモルファスエリアのさまざまな比率(例えば、原子秩序および無秩序のさまざまな程度)で構成されてよい。さらに、いくつかの例では、材料またはメモリ素子は、アモルファス構成および2つの異なる結晶構成など、3つ以上の原子構成を有してよい。本明細書では、種々の原子構成の電気抵抗に関して説明されているが、メモリデバイスは、原子構成、または原子構成の組み合わせに対応する記憶された論理状態を判断するためにメモリ素子のその他の特性を使用してよい。
場合によっては、結晶がより多い状態のメモリ素子は、閾値電圧と関連付け可能である。いくつかの例では、電流は、閾値電圧より大きい電圧がメモリ素子全体にわたって加えられる時によりアモルファスな状態のメモリ素子を流れ得る。いくつかの例では、電流は、閾値電圧より小さい電圧がメモリ素子全体にわたって加えられる時によりアモルファスな状態のメモリ素子を流れない場合がある。場合によっては、結晶がより多い状態のメモリ素子は閾値電圧と関連付けられない場合がある(例えば、ゼロの閾値電圧と関連付けられ得る)。いくつかの例では、電流は、メモリ素子全体にわたる非ゼロ電圧に応答して結晶がより多い状態のメモリ素子を流れ得る。
場合によっては、よりアモルファスな状態および結晶がより多い状態両方の材料は、閾値電圧と関連付けられ得る。例えば、自己選択または閾値メモリは、(例えば、種々の組成分布によって)種々のプログラミング状態の間のメモリセルの閾値電圧の差に基づいてよい。このようなメモリ素子を有するメモリセル105の論理状態は、メモリ素子にバイアスをかけるまたはこれを加熱することによって、特定の原子構成、または原子構成の組み合わせを形成することをサポートする、経時的な温度プロファイルに設定されてよい。
メモリデバイス100は3次元(3D)メモリアレイを含んでよく、この場合、複数の2次元(2D)メモリアレイ(例えば、デッキ、レベル)は重なり合って形成される。さまざまな例では、このようなアレイは、メモリセクション110のセットに分類されてよく、ここで、それぞれのメモリセクション110は複数のデッキもしくはレベル、またはこの任意の組み合わせ全体にわたって分布される、デッキまたはレベル内に配置されてよい。このような配置によって、2Dアレイと比較して単一のダイまたは基板上に置かれてまたは作成されてよいメモリセル105の数を増大可能であり、これによってさらに、メモリデバイス100の生産費を低減させもしくは性能を増大させることができ、またはこの両方が可能である。デッキまたはレベルは電気絶縁材料によって分けられてよい。それぞれのデッキまたはレベルは、メモリセル105がそれぞれのデッキ全体にわたって互いにほぼ整合して、メモリセル105のスタックを形成することが可能であるように整合または位置付け可能である。
メモリデバイス100の例では、メモリセクション110のメモリセル105のそれぞれの行は、第1のアクセス線120のセットの1つ(例えば、WL1からWLMのうちの1つなどのワード線(WL))と結合されてよく、メモリセル105のそれぞれの列は、第2のアクセス線130のセットの1つ(例えば、DL1~DLNのうちの1つなどのディジット線(DL))と結合されてよい。いくつかの例では、(示されない)異なるメモリセクション110のメモリセル105の行は、異なる複数の第1のアクセス線120の1つ(例えば、WL1からWLMと異なるワード線)と結合されてよく、異なるメモリセクション110のメモリセル105の列は、異なる複数の第2のアクセス線130の1つ(例えば、DL1~DLNと異なるディジット線)と結合されてよい。場合によっては、第1のアクセス線120および第2のアクセス線130は、(例えば、図1に示されるように、メモリデバイス100のデッキの平面で見ると)メモリデバイス100において互いに略垂直であってよい。ワード線およびビット線、またはこれらの類似物への言及は、理解または動作を損なわずに置き換え可能である。
一般に、1つのメモリセル105は、アクセス線120およびアクセス線130の交点に位置して(例えば、これらと結合されて、これらの間に結合されて)よい。この交点、またはこの交点の指示は、メモリセル105のアドレスと称されてよい。対象のまたは選択されたメモリセル105は、通電したあるいは選択されたアクセス線120、および通電したあるいは選択されたアクセス線130の交点に位置するメモリセル105であってよい。換言すれば、アクセス線120およびアクセス線130は、これらの交点でメモリセル105にアクセスする(読み取る、書き込む、上書きする、リフレッシュする)ために通電してあるいは選択されてよい。同じアクセス線120または130と電子通信している(例えば、これに接続された)他のメモリセル105は、対象外または非選択メモリセル105と称されてよい。
いくつかのアーキテクチャでは、メモリセル105の論理記憶コンポーネント(例えば、容量性メモリ素子、強誘電メモリ素子、抵抗メモリ素子、他のメモリ素子)は、いくつかの例では、切り換えコンポーネントまたはセレクタデバイスと称される場合がある、セル選択コンポーネントによって第2のアクセス線130と電気的に絶縁されてよい。第1のアクセス線120は、(例えば、セル選択コンポーネントの制御ノードまたは端子を介して)セル選択コンポーネントと結合されてよく、かつ、セル選択コンポーネントを制御して、またはメモリセル105と関連付けられてよい。例えば、セル選択コンポーネントはトランジスタであってよく、第1のアクセス線120は(例えば、トランジスタのゲートノードがトランジスタの制御ノードであり得る場合)トランジスタのゲートと結合されてよい。メモリセル105の第1のアクセス線120をアクティブ化することによって、メモリセル105の論理記憶コンポーネントとこの対応する第2のアクセス線130との間の電気接続または閉回路が生じ得る。第2のアクセス線130はさらにまた、メモリセル105に対する読み取りまたは書き込みのためにアクセス可能である。
いくつかの例では、メモリセクション110のメモリセル105は、複数の第3のアクセス線140の1つ(例えば、PL1~PLNのうちの1つなどのプレート線(PL))と結合されてもよい。いくつかの例では、別個の線として示されているが、複数の第3のアクセス線140は、メモリセクション110の共通プレート線、共通プレート、もしくは他の共通ノード(例えば、メモリセクション110におけるメモリセル105のそれぞれに共通のノード)、またはメモリデバイス100の他の共通ノードを表してよい、あるいはこれらと同等の機能を有してよい。いくつかの例では、複数の第3のアクセス線140は、メモリセル105を、本明細書に説明されるものを含むさまざまな検知動作および/または書き込み動作のための1つまたは複数の電圧源と結合することができる。例えば、メモリセル105が論理状態を記憶するためのコンデンサを用いる時、第2のアクセス線130はコンデンサの第1の端子または第1のプレートにアクセスできるようにしてよく、第3のアクセス線140はコンデンサの第2の端子または第2のプレート(例えば、コンデンサの第1の端子と対向するコンデンサの対向プレートと関連付けられた端子、コンデンサの第1の端子からコンデンサの反対側のその他の端子)にアクセスできるようにしてよい。いくつかの例では、(示されない)異なるメモリセクション110のメモリセル105は異なる複数の第3のアクセス線140の1つ(例えば、PL1~PLNと異なるプレート線のセット、異なる共通プレート線、異なる共通プレート、異なる共通ノード)と結合されてよく、これは、示される第3のアクセス線140(例えば、プレート線PL1~PLN)から電気的に絶縁されてよい。
複数の第3のアクセス線140は、複数の第3のアクセス線140の1つまたは複数をアクティブ化する、または複数の第3のアクセス線140の1つまたは複数を電圧源または他の回路要素と選択的に結合するなどのさまざまな動作を制御可能である、プレートコンポーネント145と結合可能である。メモリデバイス100の複数の第3のアクセス線140が複数の第2のアクセス線130と略平行に示されているが、他の例では、複数の第3のアクセス線140は、複数の第1のアクセス線120と略平行であってよい、または任意の他の構成であってよい。
図1を参照して説明されるアクセス線はメモリセル105と結合されたコンポーネントとの間の直線として示されているが、アクセス線は、本明細書で説明されるものを含むアクセス動作をサポートするために使用されてよい、コンデンサ、抵抗器、トランジスタ、アンプ、電圧源、切り換えコンポーネント、選択コンポーネントなどの他の回路要素と関連付けられてよい。いくつかの例では、電極は、メモリセル105およびアクセス線120と(例えば、これらの間で)、またはメモリセル105およびアクセス線130と(例えば、これらの間で)結合されてよい。電極という用語は、導電体、またはコンポーネント間の他の電気的インターフェースを指す場合があり、場合によっては、メモリセル105に対する電気接点として用いられてよい。電極は、メモリデバイス100の要素またはコンポーネントの間の導電経路を提供する、トレース、ワイヤ、導電線、導電レイヤ、または導電性パッドを含んでよい。
読み取り、書き込み、上書き、リフレッシュなどのアクセス動作は、メモリセル105と結合される、第1のアクセス線120、第2のアクセス線130、および/または第3のアクセス線140をアクティブ化するまたは選択することによってメモリセル105上で行われてよく、これは、電圧、電荷、または電流を対応するアクセス線に加えることを含んでよい。アクセス線120、130、および140は、金属(例えば、銅(Cu)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、金(Au)、タングステン(W)、チタン(Ti))、金属合金、炭素、または他の導電材料もしくは半導体材料、合金、または化合物などの導電材料から作られてよい。メモリセル105を選択すると、結果として生じる信号(例えば、セルアクセス信号、セル読み取り信号)は、メモリセル105によって記憶される論理状態を判断するために使用されてよい。例えば、論理状態を記憶する容量性メモリ素子を有するメモリセル105が選択可能であり、結果として生じるアクセス線による電荷の流れ、および/または結果として生じるアクセス線の電圧は、メモリセル105によって記憶されるプログラミングされた論理状態を判断するために、検出、変換、または増幅可能である。
メモリセル105にアクセスすることは、行コンポーネント125(例えば、行デコーダ)、列コンポーネント135(例えば、列デコーダ)、もしくはプレートコンポーネント145(例えば、プレートドライバ)、またはこれらの組み合わせを通して制御されてよい。例えば、行コンポーネント125は、メモリコントローラ170から行アドレスを受信し、かつ受信した行アドレスに基づいて適切な第1のアクセス線120を選択してまたはアクティブ化してよい。同様に、列コンポーネント135は、メモリコントローラ170から列アドレスを受信し、かつ適切な第2のアクセス線130を選択してまたはアクティブ化してよい。よって、いくつかの例では、メモリセル105は、第1のアクセス線120および第2のアクセス線130を選択するまたはアクティブ化することによってアクセス可能である。いくつかの例では、このようなアクセス動作は、メモリセル105、メモリセクション110、またはメモリデバイス100の「プレートを移動させること」と称されてよい、第3のアクセス線140の1つまたは複数にバイアスをかける(例えば、メモリセクション110の第3のアクセス線140の1つにバイアスをかける、メモリセクションの第3のアクセス線140の全てにバイアスをかける、メモリセクション110またはメモリデバイス100の共通プレート線にバイアスをかける、メモリセクション110またはメモリデバイス100の共通ノードにバイアスをかける)プレートコンポーネント145によって達成されてよい。さまざまな例では、行コンポーネント125、列コンポーネント135、またはプレートコンポーネント145の任意の1つまたは複数は、アクセス線ドライバまたはアクセス線デコーダと称されてよいあるいはこれらを含んでよい。
いくつかの例では、メモリコントローラ170は、さまざまなコンポーネント(例えば、行コンポーネント125、列コンポーネント135、プレートコンポーネント145、検知コンポーネント150)を通してメモリセル105の動作(例えば、読み取り動作、書き込み動作、上書き動作、リフレッシュ動作、放電動作、散逸動作、等化動作)を制御してよい。場合によっては、行コンポーネント125、列コンポーネント135、プレートコンポーネント145、および検知コンポーネント150の1つまたは複数は、メモリコントローラ170と共に共同設置されてあるいは含まれてよい。いくつかの例では、行コンポーネント125、列コンポーネント135、またはプレートコンポーネント145の任意の1つまたは複数はまた、メモリデバイス100のアクセス動作を行うためのメモリコントローラまたは回路と称されてよい。いくつかの例では、行コンポーネント125、列コンポーネント135、またはプレートコンポーネント145の任意の1つまたは複数は、メモリデバイス100にアクセスするための動作を制御するもしくは行う、またはメモリデバイス100のメモリセクション110にアクセスするための動作を制御するもしくは行うと説明されてよい。
メモリコントローラ170は、所望のアクセス線120およびアクセス線130をアクティブ化するために行アドレス信号および列アドレス信号を生成してよい。メモリコントローラ170は、メモリデバイス100の動作中に使用されるさまざまな電圧または電流を生成または制御してもよい。単一のメモリコントローラ170が示されているが、メモリデバイス100は複数のメモリコントローラ170(例えば、メモリデバイス100のメモリセクション110のセットのそれぞれに対するメモリコントローラ170、メモリデバイス100のメモリセクション110のいくつかのサブセットのそれぞれに対するメモリコントローラ170、マルチチップメモリデバイス100のチップのセットのそれぞれに対するメモリコントローラ170、マルチバンクメモリデバイス100のバンクのセットのそれぞれに対するメモリコントローラ170、マルチコアメモリデバイス100のそれぞれのコアに対するメモリコントローラ170、またはこれらの任意の組み合わせ)を有してよく、この場合、種々のメモリコントローラ170は同じ機能および/または異なる機能を実行してよい。
単一の行コンポーネント125、単一の列コンポーネント135、および単一のプレートコンポーネント145を含むようなメモリデバイス100が示されているが、メモリデバイス100の他の例は、メモリセクション110またはメモリセクション110のセットを収容するための種々の構成を含んでよい。例えば、さまざまなメモリデバイス100では、行コンポーネント125は(例えば、メモリセクション110のセットの全てに共通するサブコンポーネントを有する、メモリセクション110のセットの各1つに専用のサブコンポーネントを有する)メモリセクション110のセットの間で共有されてよく、または、行コンポーネント125はメモリセクション110のセットの1つのメモリセクション110に専用であってよい。同様に、さまざまなメモリデバイス100では、列コンポーネント135は(例えば、メモリセクション110のセットの全てに共通するサブコンポーネントを有する、メモリセクション110のセットの各1つに専用のサブコンポーネントを有する)メモリセクション110のセットの間で共有されてよく、または、列コンポーネント135はメモリセクション110のセットの1つのメモリセクション110に専用であってよい。さらに、さまざまなメモリデバイス100では、プレートコンポーネント145は(例えば、メモリセクション110のセットの全てに共通するサブコンポーネントを有する、メモリセクション110のセットの各1つに専用のサブコンポーネントを有する)メモリセクション110のセットの間で共有されてよく、または、プレートコンポーネント145はメモリセクション110のセットの1つのメモリセクション110に専用であってよい。
一般に、加えられる電圧、電流、または電荷の振幅、形状、または継続時間は、調節されてまたは変化させてよく、かつメモリデバイス100を動作させる際に論じられるさまざまな動作に対して異なっていてよい。さらに、メモリデバイス100内の1つ、複数、または全てのメモリセル105は、同時にアクセス可能である。例えば、メモリデバイス100の複数のまたは全てのメモリセル105は、全てのメモリセル105またはメモリセル105のグループ(例えば、メモリセクション110のメモリセル105)が単一の論理状態に設定されるリセット動作中に同時にアクセス可能である。
メモリセル105は、(例えば、メモリコントローラ170と協働して)メモリセル105にアクセスしてメモリセル105によって記憶される論理状態を判断する時検知コンポーネント150によって読み取られて(例えば、検知されて)よい。例えば、検知コンポーネント150は、読み取り動作に応答して、メモリセル105を通る電流もしくは電荷、または、検知コンポーネント150または他の介在するコンポーネント(例えば、メモリセル105と検知コンポーネント150との間の信号展開コンポーネント)とメモリセル105を結合することにより生じる電圧を検知するように構成されてよい。検知コンポーネント150は、1つまたは複数のコンポーネントに(例えば、列コンポーネント135、入力/出力コンポーネント160、メモリコントローラ170に)メモリセル105によって記憶される論理状態を指示する(例えば、これに少なくとも部分的に基づいて)出力信号を提供することができる。さまざまなメモリデバイス100では、検知コンポーネント150は、(例えば、メモリセクション110のセットまたはバンクの全てに共通するサブコンポーネントを有する、メモリセクション110のセットまたはバンクの各1つに専用のサブコンポーネントを有する)メモリセクション110のセットまたはバンクの間で共有されてよく、または検知コンポーネント150は、メモリセクション110のセットまたはバンクの1つのメモリセクション110に専用であってよい。
いくつかの例では、メモリセル105にアクセスする間またはアクセスした後、メモリセル105の論理記憶部分は、この対応するアクセス線120、130、または140を介して電荷または電流を放電してよい、あるいは電荷または電流が流れることができるようにしてよい。このような電荷または電流は、メモリデバイス100の1つまたは複数の電圧源もしくは供給(図示せず)からメモリセル105に、バイアスをかけるまたは電圧を加えることにより生じる場合があり、この場合、このような電圧源または供給は、行コンポーネント125、列コンポーネント135、プレートコンポーネント145、検知コンポーネント150、メモリコントローラ170、またはその他のコンポーネント(例えば、バイアスコンポーネント)の一部であってよい。いくつかの例では、メモリセル105の放電は、検知コンポーネント150がメモリセル105の記憶された状態を判断するために基準電圧と比較することができる、アクセス線130の電圧の変化を引き起こし得る。いくつかの例では、電圧は(例えば、対応するアクセス線120およびアクセス線130を使用して)メモリセル105に加えられてよく、結果として生じる電流の存在または大きさは、加えられた電圧、およびメモリセル105のメモリ素子の抵抗状態に依存してよく、これを、検知コンポーネント150はメモリセル105の記憶された状態を判断するために使用することができる。
いくつかの例では、読み取り信号(例えば、読み取りパルス、読み取り電流、読み取り電圧)が第1の論理状態(例えば、結晶がより多い原子構成と関連付けられたSET状態)を記憶する材料メモリ素子を有するメモリセル105全体にわたって加えられる時、メモリセル105は、メモリセル105の閾値電圧を超える読み取りパルスにより電流を伝導する。これに応答してまたは少なくとも部分的に基づいて、検知コンポーネント150は従って、メモリセル105によって記憶される論理状態を判断する一部としてメモリセル105を通る電流を検出することができる。読み取りパルスが、第1の論理状態を記憶するメモリ素子を有するメモリセル105全体にわたって読み取りパルスを加える前または加えた後に発生し得る第2の論理状態(例えば、よりアモルファスな原子構成と関連付けられたRESET状態)を記憶するメモリ素子を有するメモリセル105に加えられる時、メモリセル105は、メモリセル105の閾値電圧を超えない読み取りパルスにより電流を伝導しない場合がある。検知コンポーネント150は従って、記憶された論理状態を判断する一部としてメモリセル105を通る電流をほとんどまたは全く検出しない場合がある。
いくつかの例では、閾値電流はメモリセル105によって記憶された論理状態を検知するように定義されてよい。閾値電流は、メモリセル105が読み取りパルスに応答して閾値処理をしない時、メモリセル105を通過することができる電流以上に設定されてよいが、メモリセル105が読み取りパルスに応答して閾値処理をする時、メモリセル105を通る予想された電流以下に設定されてよい。例えば、閾値電流は、関連付けられたアクセス線120、130、または140の漏洩電流より高くてよい。いくつかの例では、メモリセル105によって記憶された論理状態は、読み取りパルスによって駆動された電流から生じる(例えば、分路抵抗全体にわたる)電圧に少なくとも部分的に基づいて判断されてよい。例えば、結果として生じる電圧は、基準電圧に対して比較されてよく、ここで、結果として生じる電圧は、第1の論理状態に対応する基準電圧より小さく、結果として生じる電圧は、第2の論理状態に対応する基準電圧より大きい。
いくつかの例では、メモリセル105を読み取る時に複数の電圧が加えられてよい(例えば、複数の電圧は読み取り動作の一部分の間に加えられてよい)。例えば、加えられた読み取り電圧が電流をもたらさない場合、1つまたは複数の他の読み取り電圧が(例えば、電流が検知コンポーネント150によって検出されるまで)加えられてよい。電流をもたらした読み取り電圧を評価することに少なくとも部分的に基づいて、メモリセル105の記憶された論理状態は判断されてよい。場合によっては、読み取り電圧は、電流または他の条件が検知コンポーネント150によって検出されるまでランピングし得る(例えば、滑らかに大きくなるように増大する)。他の場合では、所定の読み取り電圧は、電流が検出されるまで加えられてよい(例えば、段階的に大きくなるように増大する読み取り電圧の所定のシーケンスで)。同様に、読み取り電流はメモリセル105に加えられてよく、読み取り電流を生じさせるための電圧の大きさは、メモリセル105の電気抵抗または総閾値電圧に依存してよい。
検知コンポーネント150は、いくつかの例では、検知またはラッチ信号を検知、ラッチ、または生成すると称されてよい、信号を検知する際の差(例えば、読み取り電圧と基準電圧との間の差、読み取り電流と基準電流との間の差、読み取り電荷と基準電荷との間の差)を検出、変換、または増幅するためのさまざまな切り換えコンポーネント、選択コンポーネント、マルチプレクサ、トランジスタ、アンプ、コンデンサ、抵抗器、電圧源、または他のコンポーネントを含んでよい。いくつかの例では、検知コンポーネント150は検知コンポーネント150に接続されるアクセス線130のセットのそれぞれに対して繰り返されるコンポーネントの集まり(例えば、回路要素、回路網)を含んでよい。例えば、検知コンポーネント150は、論理状態がアクセス線130のセットの各1つと結合される対応するメモリセル105に対して別個に検出可能であるように、検知コンポーネント150と結合されたアクセス線130のセットのそれぞれに対する別個の検知回路または回路網(例えば、別個のセンスアンプ、別個の信号展開コンポーネント)を含んでよい。いくつかの例では、基準信号源(例えば、基準コンポーネント)または生成された基準信号は、メモリデバイス100のコンポーネント間で共有されて(例えば、1つまたは複数の検知コンポーネント150の間で共有されて、検知コンポーネント150の別個の検知回路の間で共有されて、メモリセクション110のアクセス線120、130、または140の間で共有されて)よい。
検知コンポーネント150はメモリデバイス100を含むデバイスに含まれてよい。例えば、検知コンポーネント150は、メモリデバイス100とまたはこれに結合されてよいメモリの、他の読み書き回路網、復号回路網、またはレジスタ回路網と共に含まれてよい。いくつかの例では、メモリセル105の検出された論理状態は、出力として列コンポーネント135または入力/出力コンポーネント160を通して出力されてよい。いくつかの例では、検知コンポーネント150は、列コンポーネント135、行コンポーネント125、またはメモリコントローラ170の一部であってよい。いくつかの例では、検知コンポーネント150は、列コンポーネント135、行コンポーネント125、またはメモリコントローラ170に接続されて、あるいはこれらと電子通信していてよい。
単一の検知コンポーネント150が示されているが、メモリデバイス100(例えば、メモリデバイス100のメモリセクション110)は、複数の検知コンポーネント150を含んでよい。例えば、第1の検知コンポーネント150はアクセス線130の第1のサブセットと結合されてよく、第2の検知コンポーネント150は(例えば、アクセス線130の第1のサブセットと異なる)アクセス線130の第2のサブセットと結合されてよい。いくつかの例では、検知コンポーネント150のこのような分類は、複数の検知コンポーネント150の並列(例えば、同時)動作をサポート可能である。いくつかの例では、検知コンポーネント150のこのような分類は、種々の構成または特性を有する検知コンポーネント150を、メモリデバイスのメモリセル105の特定のサブセットにマッチさせることをサポートする(例えば、種々のタイプのメモリセル105をサポートする、メモリセル105のサブセットの種々の特性をサポートする、アクセス線130のサブセットの種々の特性をサポートする)ことができる。
さらにまたは代替的には、2つ以上の検知コンポーネント150は、(例えば、コンポーネント冗長のために)アクセス線130の同じセットと結合(例えば、選択的に結合)可能である。いくつかの例では、このような構成は、冗長的な検知コンポーネント150のうちの1つの動作の故障あるいは不良または劣化を克服するための機能性を維持することをサポートすることができる。いくつかの例では、このような構成は、(例えば、電力消費特性に関連した、特定の検知動作に対するアクセス速度特性に関連した、揮発性モードまたは不揮発性モードにおいてメモリセル105を動作させることに関連した)特定の動作特性に対して冗長的な検知コンポーネント150のうちの1つを選択する能力をサポート可能である。
いくつかのメモリアーキテクチャでは、メモリセル105にアクセスすることは、メモリセクション110の1つまたは複数のメモリセル105によって記憶された論理状態を劣化させるまたは破壊する場合があり、上書き動作またはリフレッシュ動作は、元の論理状態をメモリセル105に返すために行われてよい。DRAMまたはFeRAMでは、例えば、メモリセル105のコンデンサは、検知動作中に部分的にまたは完全に放電または減極されることによって、メモリセル105に記憶された論理状態を破損させる場合がある。PCMでは、例えば、検知動作は、メモリセル105の原子構成の変化を引き起こすことによってメモリセル105の抵抗状態を変化させる場合がある。よって、いくつかの例では、メモリセル105に記憶された論理状態は、アクセス動作後上書き可能である。さらに、単一のアクセス線120、130、または140をアクティブ化することによって、アクティブ化されたアクセス線120、130、または140と結合されたメモリセル105全ての放電が生じ得る。よって、アクセス動作と関連付けられたアクセス線120、130、または140と結合されたいくつかのまたは全てのメモリセル105(例えば、アクセスした行の全てのセル、アクセスした列の全てのセル)は、アクセス動作後上書きされてよい。
いくつかの例では、メモリセル105を読み取ることは非破壊的である場合がある。すなわち、メモリセル105の論理状態は、メモリセル105が読み取られた後に上書きされる必要がない場合がある。例えば、PCMなどの不揮発性メモリでは、メモリセル105にアクセスすることは論理状態を破壊しない場合があるため、メモリセル105はアクセス後の上書きを必要としない場合がある。しかしながら、いくつかの例では、メモリセル105の論理状態をリフレッシュすることは、他のアクセス動作の有無で必要とされる場合もあるし必要とされない場合もある。例えば、メモリセル105によって記憶された論理状態は、記憶された論理状態を維持するために適切な書き込み、リフレッシュ、または等化パルスもしくはバイアスを適用することによって定期的な間隔でリフレッシュ可能である。メモリセル105をリフレッシュすることによって、経時的な、メモリ素子の原子構成における電荷漏洩または変化による読み出しディスターブエラーまたは論理状態破損を低減するまたは排除することが可能である。
メモリセル105は、(例えば、メモリコントローラ170を介して)関連の第1のアクセス線120、第2のアクセス線130、および/または第3のアクセス線140をアクティブ化することによって設定または書き込みまたはリフレッシュされてよい。換言すれば、論理状態は、(例えば、セルアクセス信号を介して、セル書き込み信号を介して)メモリセル105に記憶されてよい。行コンポーネント125、列コンポーネント135、またはプレートコンポーネント145は、例えば、入力/出力コンポーネント160を介して、メモリセル105に書き込まれるデータを受け入れてよい。いくつかの例では、書き込み動作は少なくとも部分的に検知コンポーネント150によって行われてよい、または書き込み動作は検知コンポーネント150をバイパスするように構成されてよい。
容量性メモリ素子の場合、メモリセル105は、電圧をコンデンサに加えた後、コンデンサを分離して(例えば、メモリセル105に書き込むために使用される電圧源からコンデンサを分離して、コンデンサを浮遊させて)所望の論理状態と関連付けられたコンデンサに電荷を記憶することによって、書き込まれてよい。強誘電メモリの場合、メモリセル105の強誘電メモリ素子(例えば、強誘電コンデンサ)は、所望の論理状態と関連付けられた分極によって強誘電メモリ素子を分極させるのに十分高い大きさの電圧を加える(例えば、飽和電圧を加える)ことによって書き込まれてよく、強誘電メモリ素子は分離(例えば、フローティング)されてよい、またはゼロ正味電圧またはバイアスは強誘電メモリ素子全体にわたって加えられてよい(例えば、強誘電メモリ素子全体にわたる、接地、仮想的な接地、または電圧の等化を行う)。PCMの場合、メモリ素子は、(例えば、加熱および冷却によって)メモリ素子に所望の論理状態と関連付けられた原子構成を形成させるプロファイルの電流を加えることによって書き込まれてよい。
検知コンポーネント150は、選択的に、センスアンプのセットの各1つと結合されてまたはこれから切り離されてよい複数の信号展開コンポーネントを含んでよい。例えば、検知コンポーネント150のセンスアンプは、検知コンポーネント150の選択コンポーネントと結合されてよく、選択コンポーネントは、メモリデバイス100の1つもしくは複数のメモリセル105または1つもしくは複数のアクセス線(例えば、1つもしくは複数のアクセス線130)と関連付けられてよい検知コンポーネント150の信号展開コンポーネントのセットと結合されてよい。いくつかの例では、セルアクセス信号は、信号展開コンポーネントのその他と無関係に信号展開コンポーネントのそれぞれにおいて展開されてよい。
いくつかの例では、検知コンポーネント150の信号展開コンポーネントはそれぞれ、重複する時間間隔の間対応するメモリセルと結合されてよく、それによって、複数のセルアクセス信号(例えば、それぞれが対応する信号展開コンポーネントのそれぞれの対応するメモリセルと関連付けられた、セル読み取り信号、セル書き込み信号)が重複する時間間隔の間生成されてよい。セルアクセス信号が複数の信号展開コンポーネントで(例えば、複数のメモリセル105の読み取り動作で、マルチセル読み取り動作で)展開されている例では、複数の信号展開コンポーネントは、(例えば、順番に、段階的に)セルアクセス信号に少なくとも部分的に基づいてセンスアンプの検知またはラッチ信号を生成するために(例えば、順番に、段階的に)センスアンプと結合されてよい。検知またはラッチ信号のシーケンスが(例えば、複数のメモリセル105の書き込み動作またはリフレッシュ動作で、マルチセル書き込みまたはリフレッシュ動作で)メモリセル105のセットを書き込むことまたは上書きすることと関連付けられた例では、複数の信号展開コンポーネントは、(例えば、順番に、段階的に)センスアンプの検知またはラッチ信号に少なくとも部分的に基づいて複数のセルアクセス信号を生成するために(例えば、順番に、段階的に)センスアンプと結合されてよい。いくつかの例では、検知コンポーネント150の多重化信号展開コンポーネントは、信号展開コンポーネントの一部、または異なるレイテンシと関連付けられたアクセス動作の一部分を補償可能であり、これによって、アクセスシリアル化の影響が低減され得る。
いくつかの例において、検知コンポーネント150の信号展開コンポーネントは、読み取りブロードキャスト動作を可能にし得る。読み取りブロードキャストは、メモリセクション110の1つまたは複数の場所(各場所が、1つまたは複数のメモリセル105を含んでいてもよいし、1つまたは複数のメモリセル105と関連付けられていてもよい)から信号展開コンポーネントのセットの複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリセクション110の場所と結合されたアクセス線(例えば、アクセス線120、130、および/または140)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、1つまたは複数のマルチプレクサ(例えば、検知コンポーネント150の選択コンポーネントのマルチプレクサ)が作用するようになっていてもよい。例えば、信号展開コンポーネントのセット中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットを1つまたは複数のマルチプレクサと同時に結合させて、メモリセクション110からデータパターンを記憶するようにしてもよい。
図2は、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする例示的な回路200を示している。回路200は、図1を参照して説明されるメモリセル105および検知コンポーネント150の例とすることができる、メモリセル105-aおよび検知コンポーネント150-aを含んでよい。回路200は、ワード線205、ディジット線210、およびプレート線215も含んでよく、これらは、いくつかの例では、図1を参照して説明されるような、(例えば、メモリセクション110の)第1のアクセス線120、第2のアクセス線130、および第3のアクセス線140にそれぞれ対応し得る。いくつかの例では、プレート線215は、同じメモリセクション110のメモリセル105-aおよび別のメモリセル105(図示せず)に対する共通プレート線、共通プレート、または別の共通ノードを例証するものであってよい。回路200は、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作のための上記技術をサポートし得る回路網を示している。
検知コンポーネント150-aは、第1のノード291および第2のノード292を含んでよいセンスアンプ290(例えば、アンプコンポーネント、入力/出力アンプ、「ラッチ」)を含んでよい。さまざまな例では、第1のノード291および第2のノード292は、回路の異なるアクセス線(例えば、それぞれ、回路200の信号線285および基準線275)と結合されてよい、または(示されない)異なる回路の共通アクセス線と結合されてよい。いくつかの例では、第1のノード291は信号ノードと称されてよく、第2のノード292は基準ノードと称されてよい。センスアンプ290は1つまたは複数の入力/出力(I/O)線(例えば、I/O線295)と関連付けられてよく、これは、図1を参照して説明される入力/出力コンポーネント160を介して列コンポーネント135と結合されるアクセス線を含んでよい。センスアンプ290は単一のI/O線295を有するように示されているが、本明細書に開示される例によるセンスアンプは、複数のI/O線295(例えば、2つのI/O線295)を有してよい。さまざまな例では、アクセス線および/または基準線に対する他の構成および術語は、本明細書に開示されるような例に従って可能である。
メモリセル105-aは、第1のプレートのセルプレート221および第2のプレートのセル底部222を有するコンデンサ220など、論理記憶コンポーネント(例えば、メモリ素子、記憶素子、メモリ記憶素子)を含んでよい。セルプレート221およびセル底部222は、(例えば、DRAM応用で)これらの間に位置付けられる誘電材料を通して容量結合されてよく、または、(例えば、FeRAM応用で)これらの間に位置付けられる強誘電材料を通して容量結合されてよい。回路200に示されるように、セルプレート221は電圧Vplateと関連付けられてよく、セル底部222は電圧Vbottomと関連付けられてよい。セルプレート221およびセル底部222の向きは、メモリセル105-aの動作を変更することなく異なっていて(例えば、反転して)よい。セルプレート221はプレート線215を介してアクセス可能であり、セル底部222はディジット線210を介してアクセス可能である。本明細書に示されるように、さまざまな論理状態は、コンデンサ220を充電、放電、または分極することによって記憶可能である。
コンデンサ220はディジット線210と電子通信していてよく、コンデンサ220の記憶された論理状態は回路200に表されたさまざまな要素を動作させることによって読み取りまたは検知可能である。例えば、メモリセル105-aは、いくつかの例では、アクセス線(例えば、ディジット線210)およびコンデンサ220とまたはこれらの間で結合される切り換えコンポーネントまたはセレクタデバイスと称されてよいセル選択コンポーネント225も含んでよい。いくつかの例では、セル選択コンポーネント225は、メモリセル105-aの例示の境界の外側にあると考えられる場合があり、セル選択コンポーネント225は、アクセス線(例えば、ディジット線210)およびメモリセル105-aとまたはこれらの間で結合される切り換えコンポーネントまたはセレクタデバイスと称されてよい。
コンデンサ220は、セル選択コンポーネント225が(例えば、アクティブになっている論理信号または電圧によって)アクティブ化される時ディジット線210と選択的に結合されてよく、コンデンサ220は、セル選択コンポーネント225が(例えば、非アクティブになっている論理信号および電圧によって)非アクティブ化される時ディジット線210から選択的に分離または切り離し可能である。論理信号または他の選択信号もしくは電圧は、(例えば、ワード線205を介して)セル選択コンポーネント225の制御ノード226(例えば、制御ノード、制御端子、選択ノード、選択端子)に加えられてよい。換言すれば、セル選択コンポーネント225は、ワード線205を介して制御ノード226に加えられる論理信号または電圧に基づいてコンデンサ220(例えば、論理記憶コンポーネント)およびディジット線210を選択的に結合するまたは切り離すように構成されてよい。
セル選択コンポーネント225をアクティブ化することは、いくつかの例では、メモリセル105-aを選択することと称されてよく、セル選択コンポーネント225を非アクティブ化することは、いくつかの例では、メモリセル105-aを非選択にすることと称されてよい。いくつかの例では、セル選択コンポーネント225はトランジスタ(例えば、n型トランジスタ)であり、この動作は、活性化または選択電圧をトランジスタゲート(例えば、制御または選択ノードもしくは端子)に加えることによって制御されてよい。トランジスタをアクティブ化するための電圧(例えば、トランジスタゲート端子とトランジスタソース端子との間の電圧)は、トランジスタの閾値電圧の大きさ(例えば、正の活性化または選択電圧)より大きい電圧であってよい。トランジスタを非アクティブ化するための電圧は、トランジスタの閾値電圧の大きさ(接地または負の非活性化もしくは非選択電圧)より小さい電圧であってよい。
ワード線205は、(例えば、行コンポーネント125によって)セル選択コンポーネント225をアクティブ化するまたは非アクティブ化するために使用されてよい。例えば、ワード線205に加えられる選択電圧(例えば、ワード線論理信号またはワード線電圧)は、コンデンサ220をディジット線210と選択的に接続または結合して(例えば、コンデンサ220とディジット線210との間に導電経路を提供して)よい、セル選択コンポーネント225のトランジスタのゲートに加えられてよい。ワード線205に加えられる非選択または非活性化電圧は、コンデンサ220をディジット線210から選択的に切断、切り離し、または分離可能である、セル選択コンポーネント225のトランジスタのゲートに加えられてよい。いくつかの例では、セル選択コンポーネント225をアクティブ化することは、メモリセル105-aをディジット線210と選択的に結合することと称されてよく、セル選択コンポーネント225を非アクティブ化することは、メモリセル105-aをディジット線210から選択的に切り離すまたは分離することと称されてよい。
他の例では、メモリセル105-aにおけるセル選択コンポーネント225およびコンデンサ220の位置は、セル選択コンポーネント225がプレート線215およびセルプレート221とまたはこれらの間で結合可能であり、かつコンデンサ220がディジット線210およびセル選択コンポーネント225の他の端子とまたはこれらの間で結合可能であるように、切り換えられてよい。このような例では、セル選択コンポーネント225は、コンデンサ220を通してディジット線210と接続(例えば、電子通信)したままであってよい。この構成は、アクセス動作に対する代替的なタイミングおよびバイアスと関連付けられてよい。
強誘電コンデンサ220を用いる例では、コンデンサ220はディジット線210との接続または結合時に完全に放電してもしなくてもよい。さまざまな方式では、強誘電コンデンサ220によって記憶された論理状態を検知するために、プレート線215および/またはディジット線210に電圧が加えられてよく、ワード線205は、メモリセル105-aを選択するために(例えば、ワード線205をアクティブ化することによって)バイアスがかけられてよい。場合によっては、プレート線215および/またはディジット線210は、仮想的に接地された後、仮想接地から分離されてよく、これは、ワード線205をアクティブ化する前の、フローティング状態、アイドル状態、またはスタンドバイ状態と称される場合がある。
セルプレート221の電圧を(例えば、プレート線215を介して)変動させることによるメモリセル105-aの動作は、「セルプレートを移動させる」と称されてよい。プレート線215および/またはディジット線210にバイアスをかけることによって、コンデンサ220全体にわたって電圧差(例えば、ディジット線210の電圧からプレート線215の電圧を差し引く)が生じ得る。電圧差は、コンデンサ220上の蓄積電荷の変化に伴って生じる場合があり、この場合、蓄積電荷の変化の大きさはコンデンサ220の初期状態に(例えば、初期論理状態に論理1または論理0が記憶されたかどうか)に依存し得る。いくつかの方式では、コンデンサ220の蓄積電荷の変化、またはこのような電荷のある一部分は、(例えば、電荷転送検知方式で)メモリセル105-aによって記憶された論理状態を判断するために検知コンポーネント150-aによって使用されてよい。いくつかの方式では、コンデンサ220の蓄積電荷の変化は、ディジット線210の電圧の変化を引き起こす場合があり、これは、メモリセル105-aによって記憶された論理状態を判断するために検知コンポーネント150-aによって使用されてよい。セルアクセス信号は、メモリセル105-aが選択されるまたはアクティブ化される間に(例えば、信号展開コンポーネントと結合される間に)生成される信号を指す場合があり、これには、メモリセル105-aの読み取り動作におけるセル読み取り信号、または、メモリセル105-aの書き込み動作、上書き動作、またはリフレッシュ動作におけるセル書き込み信号が含まれてよい。さまざまな例では、セルアクセス信号は、セル結合信号またはセル電荷共有信号と称される場合がある。
いくつかの例では、ディジット線210は、それぞれが異なるワード線205(図示せず)と結合されてよい、さらなるメモリセル105(図示せず)と結合されてよい。換言すれば、ディジット線210と結合される種々のメモリセル105は、いくつかの例では、種々のワード線論理信号に少なくとも部分的に基づいて選択されてまたはアクティブ化されてよい。
ディジット線210は、(例えば、場合によっては無視できない場合があるピコファラド(pF)と同等の)真性容量230をもたらす性質を有することができ、これによって、ディジット線210を、電圧V0を有する電圧源240-aと結合可能である。電圧源240-aは、共通接地電圧もしくは仮想接地電圧、または(示されない)回路200の隣接するアクセス線の電圧を表してよい。図2に別個の要素として示されているが、真性容量230は、ディジット線210、または回路200の別の一部全体を通して分布した性質と関連付けられてよい。
いくつかの例では、真性容量230は、ディジット線210の導体寸法(例えば、長さ、幅、厚さ)を含む、ディジット線210の物理的特性に依存してよい。真性容量230はまた、隣接したアクセス線または回路部品の特性、このような隣接したアクセス線または回路部品との近さ、または、ディジット線210とこのようなアクセス線または回路部品との間の絶縁特性に依存してよい。よって、メモリセル105-aを選択したまたはアクティブ化した後のディジット線210の電圧の変化は、ディジット線210の(例えば、これと関連付けられた)正味容量に依存してよい。換言すれば、ディジット線210に沿って(例えば、ディジット線210まで、ディジット線210から)流れる電荷として、ある有限電荷は、(例えば、真性容量230において、ディジット線210と結合された別の容量において)ディジット線210に沿って蓄積されてよく、結果として生じるディジット線210の電圧は、ディジット線210の正味容量に依存してよい。
回路200(例えば、検知コンポーネント150-a)は、信号展開コンポーネント250を含んでよく、これは、メモリセル105-aおよびセンスアンプ290とまたはこれらの間で結合される信号展開コンポーネントまたは信号展開回路の一例とすることができる。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250と関連付けられたアクセス線(例えば、信号展開コンポーネント250の入力/出力と結合されるアクセス線、信号展開コンポーネント250およびセンスアンプ290とまたはこれらの間で結合されるアクセス線)は、信号展開線(SDL)(例えば、信号展開線255、「キャッシュライン」(CL))と称される場合がある。信号展開コンポーネント250は、ディジット線210および信号展開線255の信号(例えば、セルアクセス信号)を増幅あるいは変換してよい。例えば、読み取り動作について、信号展開コンポーネント250は、(例えば、センスアンプ290の検知動作の前に)コンデンサ220と結合されることに少なくとも部分的に基づいてセル読み取り信号を生成するあるいは生成することと関連付けられることが可能であり、これには、信号展開コンポーネント250とコンデンサ220との間の電荷共有が含まれてよい。別の例では、書き込み動作、上書き動作、またはリフレッシュ動作について、信号展開コンポーネント250は、(例えば、書き込みコマンド、リフレッシュコマンド、上書きコマンド、または読み取りコマンドに応答して、センスアンプ290と結合されることに少なくとも部分的に基づいて)コンデンサ220に対するセル書き込み信号を生成するあるいは生成することと関連付けられることが可能であり、これには、信号展開コンポーネント250とコンデンサ220との間の電荷共有が含まれてよい。
いくつかの例では、信号展開コンポーネント250は、コンデンサ(例えば、信号展開キャッシュ要素、積分器コンデンサ、場合によっては、代替的には「高速cap」と称される場合があるアンプコンデンサ(AMPCap))などの信号記憶素子、または、メモリセル105に記憶された論理状態と異なる(例えば、メモリセル105-aに記憶された論理状態と異なる)信号または信号状態を記憶するように構成された別のタイプの電荷蓄積素子を含んでよい。さらにまたは代替的には、信号展開コンポーネント250は、トランジスタ、アンプ、カスコード、または任意の他の電荷もしくは電圧変換または増幅コンポーネントを含んでよい。例えば、信号展開コンポーネント250は、いくつかの例では、電圧源と結合されるゲート端子を有するトランジスタを含んでよい、電荷転送センスアンプ(CTSA)を含んでよい。
検知コンポーネント150-aは単一の信号展開コンポーネント250と共に示されているが、検知コンポーネント150-aは、本明細書に開示されるような例に従って信号展開コンポーネント250のセット(例えば、信号展開キャッシュ)を形成するために1つまたは複数のさらなる信号展開コンポーネント250(図示せず)を含んでよい。検知コンポーネント150-aの信号展開コンポーネント250のセットのそれぞれは、メモリセル105-aまたはディジット線210を含んでもよいし含まなくてもよい、1つまたは複数のメモリセル105-aまたは1つまたは複数のディジット線210と関連付けられて(例えば、選択的にこれと結合されるまたはこれから切り離されるように構成されて、これのためのセルアクセス信号を展開するように構成されて)よい。例えば、信号展開コンポーネント250のセットのそれぞれの信号展開コンポーネント250は、メモリアレイのメモリセクション110の1つまたは複数のディジット線210と選択的に結合されてまたはこれから切り離されてよい。信号展開コンポーネント250の各1つが複数のメモリセル105または複数のディジット線210と結合される例では、メモリセル105またはディジット線210のいずれかは、対応する信号展開コンポーネント250と、関連付けられたメモリセル105またはディジット線210との間で選択コンポーネント(例えば、示されない、ディジット線選択コンポーネント、マルチプレクサ、トランジスタネットワーク、トランジスタアレイ、交換ネットワーク、切り換えアレイ)によって対応する信号展開コンポーネント250と選択的に結合されてまたはこれから切り離されてよい。
検知コンポーネント150-aは、信号展開コンポーネント250のセットとまたはこれらの間で(信号展開線255のセットとまたはこれの間で)結合される選択コンポーネント280(例えば、信号展開コンポーネント、選択コンポーネント、マルチプレクサ、トランジスタネットワーク、トランジスタアレイ、交換ネットワーク、切り換えアレイ)、およびセンスアンプ290も含んでよい。選択コンポーネント280は、信号展開コンポーネント250または信号展開線255のセットのいずれかとセンスアンプ290とを選択的に結合するまたは切り離すように構成されてよい。選択コンポーネント280は、選択コンポーネント280とセンスアンプ290との間で信号(例えば、電圧、電荷、電流)を伝えるために、信号線285などのアクセス線と関連付けられてよい。(例えば、読み取り動作における)選択コンポーネント280の出力は、例えば、入力信号(例えば、選択コンポーネント280によって選択された信号展開コンポーネント250から伝えられた信号、選択コンポーネント280によって選択された信号展開線255によって伝えられた信号)に少なくとも部分的に基づく出力信号(例えば、信号線285を介して伝えられた信号)であってよい。いくつかの例では、選択コンポーネント280の出力信号は、選択コンポーネント280の入力信号に等しいまたは実質的に等しいものであってよい(例えば、この場合、Vsig=VSDL)。信号展開線255を介した入力信号および信号線285を介した出力信号の文脈で説明されているが、入力および出力の解釈は、(例えば、書き込み動作、上書き動作、リフレッシュ動作において)回路200を用いるある特定のアクセス動作で逆にしてもよい。
読み取り動作では、メモリセル105-aを選択後の信号線285(例えば、メモリセル105-aまたはディジット線210を信号展開コンポーネント250と結合した後の、選択コンポーネント280における信号展開コンポーネント250を選択後の、セル読み取り信号)の電圧は、メモリセル105-aに記憶された論理状態を判断するために(例えば、検知またはラッチ信号を生成するために)検知コンポーネント150-bによって基準(例えば、基準線275の電圧)と比較可能である。いくつかの例では、基準線275の電圧は基準コンポーネント270によって提供されてよい。他の例では、基準コンポーネント270は省略されてよく、基準電圧は、例えば、(例えば、自己参照アクセス動作において)基準電圧を生成するためにメモリセル105-aまたはディジット線210にアクセスすることによって提供されてよい。他の動作を使用して、メモリセル105-aを選択することおよび/または検知することをサポートしてよい。
いくつかの例では、回路200は、信号展開コンポーネント250、またはメモリセル105-aとセンスアンプ290との間の回路のその他の部分をバイパスすること(例えば、選択的にバイパスすること)を可能にしてよいバイパス線260を含んでよい。いくつかの例では、バイパス線260は、切り換えコンポーネント265によって選択的に有効または無効にされてよい。換言すれば、切り換えコンポーネント255がアクティブ化される時、ディジット線210は、バイパス線260を介して信号展開線255または選択コンポーネント280と結合されてよい(例えば、メモリセル105-aを、選択コンポーネント280、またはメモリセルとセンスアンプ290との間の回路のその他の部分と結合する)。
いくつかの例では、切り換えコンポーネント265がアクティブ化される時、信号展開コンポーネント250は、(例えば、示されない、別の切り換えコンポーネントまたは選択コンポーネントによって)ディジット線210または信号展開線255の1つまたは両方から選択的に分離されてまたは切り離されてよい。切り換えコンポーネント265が非アクティブ化される時、ディジット線210は、信号展開コンポーネント250を介して信号展開線255または選択コンポーネント280と選択的に結合されてよい。他の例では、1つまたは複数のさらなる選択コンポーネント(図示せず)を使用して、メモリセル105-a(例えば、ディジット線210)を、(例えば、信号展開線255を介して)信号展開コンポーネント250またはバイパス線260のうちの1つと選択的に結合してよい。
さらにまたは代替的には、いくつかの例では、切り換えコンポーネントまたは選択コンポーネントを使用して、選択コンポーネント280を、(例えば、信号展開線255を介して)信号展開コンポーネント250またはバイパス線260と選択的に結合してよい。いくつかの例では、選択可能なバイパス線260は、信号展開コンポーネント250を使用することによってメモリセル105-aの論理状態を検出するためのセルアクセス信号(例えば、セル読み取り信号)を生成すること、および、信号展開コンポーネント250をバイパスするメモリセル105-aに論理状態を書き込むためにセルアクセス信号(例えば、セル書き込み信号)を生成することをサポートしてよい。
読み取りブロードキャスト動作をサポートするメモリデバイスのいくつかの例は、同じメモリセル105からの検知信号および基準信号の生成をサポートするため、メモリセル105とセンスアンプ290との間の共通のアクセス線(図示せず)を共有していてもよい。1つの例では、信号展開コンポーネント250とセンスアンプ290との間の共通アクセス線は、「共通線」と称されてよく、共通アクセス線は、回路200に示される、信号線285および基準線275に取って代わってよい。
このような例では、共通アクセス線は、2つの異なるノード(例えば、本明細書に説明されるように、第1のノード291および第2のノード292)でセンスアンプ290に接続されてよい。いくつかの例では、共通アクセス線は、自己参照読み取り動作によって、信号生成動作および基準生成動作両方において、アクセスする、センスアンプ290とメモリセル105との間に存在し得るコンポーネントを共有できるようにしてよい。このような構成は、メモリセル105、アクセス線(例えば、ワード線205、ディジット線210、プレート線215)、信号展開回路(例えば、信号展開コンポーネント250)、トランジスタ、ならびに電圧源293および294など、メモリデバイスにおけるさまざまなコンポーネントの動作変動に対するセンスアンプ290の感度を低減させ得る。
ディジット線210、信号展開線255、および信号線285は別個の線として識別されるが、ディジット線210、信号展開線255、信号線285、およびメモリセル105をセンスアンプ290と接続する任意の他の線は、本明細書に説明されるような例に従って信号アクセス線と称されてよい。このようなアクセス線の構成部分は、さまざまな例示の構成において介在するコンポーネントおよび介在する信号を示す目的で別個に識別されてよい。
センスアンプ290は、検知信号またはラッチ信号を生成することを含んでよいあるいは生成すると称されてよい信号の差を、検出、変換、または増幅するためのさまざまなトランジスタまたはアンプを含んでよい。例えば、センスアンプ290は、第1のノード291における検知信号電圧(例えば、セル読み取り信号Vsig)と、第2のノード292における基準信号電圧(例えば、Vref)とを受信しかつ比較する回路要素を含んでよい。センスアンプ290の出力(例えば、検知またはラッチ信号)は、センスアンプ290における比較に基づいてより高い電圧(例えば、正電圧)またはより低い電圧(例えば、負電圧、接地電圧)に駆動されてよい。
例えば、第1のノード291が第2のノード292より電圧が低い場合、センスアンプ290の出力は、低電圧源293の比較的低い電圧(例えば、V0または負電圧に実質的に等しい接地電圧であってよいVLの電圧)に駆動されてよい。センスアンプ290を含む検知コンポーネント150、またはこのような検知コンポーネント150と結合されるI/Oコンポーネント160は、(例えば、第1のノード291が第2のノード292より電圧が低い時の論理0を検出する)メモリセル105-aに記憶された論理状態を判断するためにセンスアンプ290の出力をラッチしてよい。
第1のノード291が第2のノード292より電圧が高い場合、センスアンプ290の出力は、高電圧源294の電圧(例えば、VHの電圧)に駆動されてよい。センスアンプ290を含む検知コンポーネント150、またはこのような検知コンポーネント150と結合されるI/Oコンポーネント160は、(例えば、第1のノード291が第2のノード292より電圧が高い時の論理1を検出する)メモリセル105-aに記憶された論理状態を判断するためにセンスアンプ290の出力をラッチしてよい。メモリセル105-aの検出された論理状態に対応する、センスアンプ290のラッチされた出力はさらにまた、1つまたは複数の入力/出力(I/O)線(例えば、I/O線295)を介して出力されてよい。
メモリセル105-a上で書き込み動作、上書き動作、またはリフレッシュ動作を行うために、電圧(例えば、セル書き込み信号)は、コンデンサ220全体にわたって加えられてよい。さまざまな方法が使用されてよい。1つの例では、セル選択コンポーネント225は、コンデンサ220をディジット線210に電気的に接続するために(例えば、ワード線205を選択するまたはアクティブ化することによって)ワード線205を通して選択されてまたはアクティブ化されてよい。(例えば、プレート線215を通して)セルプレート221の電圧および(例えば、ディジット線210を通して)セル底部222の電圧を制御することによって、コンデンサ220全体にわたって電圧が加えられてよい。いくつかの例では、書き込み動作、上書き動作、またはリフレッシュ動作は、I/O線295を介して受信された信号(例えば、書き込み信号、リフレッシュ信号)に基づいてよい、またはセンスアンプ290において生成された信号(例えば、上書き信号)に基づいてよい、センスアンプ290における検知またはラッチ信号に少なくとも部分的に基づいてよい。
例えば、論理0を書き込むために、セルプレート221はハイとされてよく(例えば、正電圧をプレート線215に加える)、セル底部222はローとされてよい(例えば、ディジット線210を接地する、ディジット線210を仮想的に接地する、負電圧をディジット線210に加える)。論理1を書き込むために反対のプロセスが行われてよく、この場合、セルプレート221がローとされかつセル底部222がハイとされる。場合によっては、書き込み動作中にコンデンサ220全体にわたって加えられる電圧は、コンデンサ220における強誘電材料の飽和電圧以上の大きさを有してよく、それによって、コンデンサ220は分極されるため、加えられた電圧の大きさが低減される時でも、またはゼロの正味電圧がコンデンサ220全体にわたって加えられる場合に電荷を維持する。いくつかの例では、センスアンプ290または信号展開コンポーネント250は書き込み動作を行うために使用されてよく、該動作は、低電圧源293または高電圧源294をディジット線に結合することを含んでよい。センスアンプ290が書き込み動作を行うために使用される時、信号展開コンポーネント250は、(例えば、バイパス線260を介して書き込み信号を加えることによって)バイパスされてもされなくてもよい。
検知コンポーネント150-a、セル選択コンポーネント225、信号展開コンポーネント250、切り換えコンポーネント265、基準コンポーネント270、選択コンポーネント280、またはセンスアンプ290を含む回路200は、さまざまなタイプのトランジスタを含んでよい。例えば、回路200はn型トランジスタを含んでよく、この場合、n型トランジスタに対する閾値電圧を上回るn型トランジスタのゲートに対応する正電圧を加えること(例えば、加えられた電圧はソース端子に対して閾値電圧以上である正の大きさを有する)は、n型トランジスタの他の端子(例えば、ソース端子およびドレイン端子)の間の導電経路を有効にする。
いくつかの例では、n型トランジスタは切り換えコンポーネントの役割を果たしてよく、この場合、加えられた電圧は、比較的高い論理信号電圧(例えば、正の論理信号電圧供給と関連付けられてよい、論理1状態に対応する電圧)を加えることによってトランジスタを通した伝導を選択的に有効にする、または、比較的低い論理信号電圧(例えば、接地もしくは仮想接地電圧、または負電圧と関連付けられてよい、論理0状態に対応する電圧)を加えることによってトランジスタを通した伝導を選択的に無効にするために使用される論理信号である。n型トランジスタが切り換えコンポーネントとして用いられるいくつかの例では、ゲート端子に加えられる論理信号の電圧は、(例えば、飽和領域におけるまたはアクティブ領域における)特定の作用点でトランジスタを動作させるために選択されてよい。
いくつかの例では、n型トランジスタの挙動は論理切り換えと異なっている(例えば、より複雑である)場合があり、トランジスタ全体にわたる選択的伝導率はまた、変化するソース電圧およびドレイン電圧の関数であってよい。例えば、ゲート端子における加えられた電圧は、ソース端子電圧が一定レベルを下回る(例えば、閾値電圧を差し引いたゲート端子電圧を下回る)時、ソース端子とドレイン端子との間の伝導を有効にするために使用される特定の電圧レベル(例えば、クランプ電圧、制御電圧)を有してよい。ソース端子電圧またはドレイン端子電圧の電圧が一定レベルを上回って上昇する時、n型トランジスタは、ソース端子とドレイン端子との間の導電経路が開放されるように非アクティブ化されてよい。
さらにまたは代替的には、回路200はp型トランジスタを含んでよく、この場合、p型トランジスタに対する閾値電圧を上回るp型トランジスタのゲートに対応する負電圧を加えること(例えば、加えられた電圧はソース端子に対して閾値電圧以上である負の大きさを有する)は、p型トランジスタの他の端子(例えば、ソース端子およびドレイン端子)の間の導電経路を有効にする。
いくつかの例では、p型トランジスタは切り換えコンポーネントの役割を果たすことができ、この場合、加えられた電圧は、比較的低い論理信号電圧(例えば、負の論理信号電圧供給と関連付けられてよい、論理「1」状態に対応する電圧)を加えることによって伝導を選択的に有効にする、または、比較的高い論理信号電圧(例えば、接地もしくは仮想接地電圧、または正電圧と関連付けられてよい、論理「0」状態に対応する電圧)を加えることによって伝導を選択的に無効にするために使用される論理信号である。p型トランジスタが切り換えコンポーネントとして用いられるいくつかの例では、ゲート端子に加えられる論理信号の電圧は、(例えば、飽和領域における、またはアクティブ領域における)特定の作用点でトランジスタを動作させるために選択されてよい。
いくつかの例では、p型トランジスタの挙動はゲート電圧による論理切り換えと異なっている(例えば、より複雑である)場合があり、トランジスタ全体にわたる選択的伝導率はまた、変化するソース電圧およびドレイン電圧の関数であってよい。例えば、ゲート端子における加えられた電圧は、ソース端子電圧が一定レベルを上回る(例えば、閾値電圧を加えたゲート端子電圧を上回る)限り、ソース端子とドレイン端子との間の伝導を有効にするために使用される特定の電圧レベルを有してよい。ソース端子電圧の電圧が一定レベルを下回って下降する時、p型トランジスタは、ソース端子とドレイン端子との間の導電経路が開放されるように非アクティブ化されてよい。
回路200のトランジスタは、MOSFETと称されてよい、金属酸化膜半導体FETを含む電界効果トランジスタ(FET)であってよい。これらのおよび他のタイプのトランジスタは、基板上の材料のドープ領域によって形成されてよい。いくつかの例では、トランジスタは、回路200の特定のコンポーネント専用の基板(例えば、センスアンプ290用の基板、信号展開コンポーネント250用の基板、メモリセル105-a用の基板)上に形成されてよい、または、トランジスタは、回路200の特定のコンポーネントに共通の基板(例えば、センスアンプ290、信号展開コンポーネント250、およびメモリセル105-aに共通の基板)上に形成されてよい。いくつかのFETはアルミニウムまたは他の金属を含む金属部分を有してよいが、いくつかのFETはMOSFETと称されてよいそういったFETを含んで、多結晶シリコンなどの他の非金属材料を実装してよい。さらに、酸化物部分はFETの誘電体部分として使用されてよいが、他の非酸化物材料は、MOSFETと称されてよいそういったFETを含んで、FETにおける誘電体材料において使用されてよい。
いくつかの例では、回路200の種々の部分、または回路200の部分を使用する種々の動作は、種々のレイテンシと関連付けられてよい。例えば、アクセス動作の1つの部分(例えば、第1のサブ動作、サブ動作の第1のセット)において、セルアクセス信号は、(例えば、セル選択コンポーネント225をアクティブ化するまたは選択することに少なくとも部分的に基づいて、別の切り換えコンポーネント、分離コンポーネント、またはメモリセル105-aと信号展開コンポーネント250との間の選択コンポーネントをアクティブ化することに少なくとも部分的に基づいて)メモリセル105-aを信号展開コンポーネント250と結合することによって展開可能である。いくつかの例では、セルアクセス信号は、メモリセル105-a(例えば、コンデンサ220)と信号展開コンポーネント250との間の電荷共有(例えば、コンデンサ220から信号展開コンポーネント250に流れる電荷、信号展開コンポーネント250からコンデンサ220に流れる電荷)に少なくとも部分的に基づいて展開されてよい、あるいはこれと関連付けられてよい。(例えば、読み取り動作における)いくつかの例では、展開されたセルアクセス信号(例えば、セル読み取り信号)または電荷共有は、メモリセル105-aによって記憶された論理状態に少なくとも部分的に基づいてよい。(例えば、書き込み動作、上書き動作、リフレッシュ動作における)いくつかの例では、展開されたセルアクセス信号(例えば、セル書き込み信号)または電荷共有は、(例えば、センスアンプ290における、信号線285における)展開された検知またはラッチ信号に少なくとも部分的に基づいてよい。本明細書に開示されるように、メモリセル105-aと信号展開コンポーネント250との間の電荷共有は、ディジット線210の電圧の変化、または信号展開線255の電圧の変化、またはこの両方と関連付け可能である。
アクセス動作に対するセルアクセス信号の展開はレイテンシと関連付けられてよく、これは、セルアクセス信号を展開するための時間(例えば、継続時間)、セルアクセス信号展開動作を開始することと(例えば、読み取り動作において)アクセス動作の後続の部分に適した閾値レベルにセルアクセス信号が達することとの間の遅延、または、セルアクセス信号展開動作を開始することと(例えば、書き込み動作、上書き動作、またはリフレッシュ動作において)メモリセル105に論理値が書き込まれることとの間の遅延を指す場合がある。(例えば、読み取り動作における)いくつかの例では、継続時間またはレイテンシは「行-列アドレス遅延」と称される場合があり、(例えば、書き込み動作における)いくつかの例では、継続時間またはレイテンシは、行-列アドレス遅延より長くてまたは短くてよい、「行プリチャージ遅延」と称される場合がある。
いくつかの例では、メモリセル105-a、ディジット線210(例えば、真性容量230)、および信号展開コンポーネント250の間の電荷の共有は、時定数的挙動(例えば、電圧VDLの変化の時定数的挙動、電圧VSDLの変化の時定数的挙動)と関連付けられてよい、あるいは、対数的または指数関数的挙動を含んでよい。セルアクセス信号を展開するための継続時間またはレイテンシは、結合またはアクティブ化動作(例えば、セル選択コンポーネント225の選択またはアクティブ化、メモリセル105-aおよび信号展開コンポーネント250を選択的に結合するように構成される別のコンポーネントの選択またはアクティブ化)と、ディジット線210または信号展開線255が定常状態電圧に達すること、または、ディジット線210または信号展開線255が定常状態電圧の閾値比率(例えば、定常状態電圧の95%、定常状態電圧の99%)に達することとの間の継続時間を指す場合がある。
いくつかの例では、セルアクセス信号を展開するための継続時間またはレイテンシは、時定数(例えば、初期電圧と定常状態電圧との間の変化の63%に達する時間)と表されてよい、または時定数の倍数と表されてよい。例えば、セルアクセス信号を展開するための継続時間またはレイテンシは、3の時定数の継続時間、あるいは定常状態値の5%内であるセルアクセス信号と関連付けられた継続時間と表されてよい。別の例では、セルアクセス信号を展開するための継続時間またはレイテンシは、5の時定数の継続時間、あるいは定常状態値の1%内であるセルアクセス信号と関連付けられた継続時間と表されてよい。
いくつかの例では、電荷共有挙動および関連付けられた時定数または他のレイテンシは、メモリセル105-aの静電容量、信号展開コンポーネント250、またはメモリセル105-aと信号展開コンポーネント250との間の他の静電容量(例えば、真性容量230などの真性容量)に少なくとも部分的に基づいてよい。例えば、ディジット線210の比較的高い静電容量(例えば、比較的高い真性容量230)は比較的高いレイテンシ(例えば、セル読み取り信号を展開するための比較的長い継続時間)と関連付けられてよく、ディジット線210の比較的低い静電容量は比較的低いレイテンシ(例えば、セル読み取り信号を展開するための比較的短い継続時間)と関連付けられてよい。別の例では、メモリセル105-a(例えば、コンデンサ220)の比較的高い静電容量は比較的低いレイテンシ(例えば、セル読み取り信号を展開するための比較的短い継続時間)と関連付けられてよく、メモリセル105-aの比較的低い静電容量は比較的高いレイテンシ(例えば、セル読み取り信号を展開するための比較的長い継続時間)と関連付けられてよい。
時定数的挙動に関して説明されているが、セルアクセス信号を展開することと関連付けられた継続時間またはレイテンシは、さらにまたは代替的には、ランピング、階段状、または振動(例えば、不足減衰)の挙動などの他の挙動を含んでよい。いくつかの例では、セルアクセス信号を展開することは、結合動作、分離動作、アクティブ化動作、非アクティブ化動作、選択動作、または非選択動作のセットなどの動作のセットを含んでよく、セルアクセス信号を展開することと関連付けられた継続時間またはレイテンシは、動作のセットのそれぞれの関連の回路挙動を含んでよい。例えば、セルアクセス信号を展開することは、ディジット線210または信号展開線255に沿って切り換えコンポーネントまたは選択コンポーネントをアクティブ化すること、および、ディジット線または信号展開線と、(例えば、(示されない)電圧源を、ディジット線210または信号展開線255と選択的に結合する)別のコンポーネントとの間の切り換えコンポーネントまたは選択コンポーネントをアクティブ化すること、または他の動作もしくは動作の組み合わせを含んでよい。
アクセス動作の別の部分(例えば、第2のサブ動作、サブ動作の第2のセット)では、検知信号(例えば、ラッチ信号、出力信号、入力/出力信号)は、(例えば、信号展開コンポーネント250をセンスアンプ290と選択的に結合することに少なくとも部分的に基づいて、センスアンプを低電圧源293または高電圧源294の1つまたは両方と選択的に結合することに少なくとも部分的に基づいて、)センスアンプ290をアクティブ化することによって展開可能である。いくつかの例では、検知信号は、信号展開コンポーネント250とセンスアンプ290との間の電荷共有に少なくとも部分的に基づいて展開されてよい、あるいはこれと関連付けられてよい。(例えば、読み取り動作における)いくつかの例では、検知信号または電荷共有は、(例えば、信号展開コンポーネント250において、信号展開線255において)展開されたセルアクセス信号に少なくとも部分的に基づいてよい。本明細書に説明されるように、信号展開コンポーネント250とセンスアンプ290との間の電荷共有は、電圧Vsigと電圧Vrefとの間の比較(例えば、VsigがVrefより小さい時のVLの出力、VsigがVrefより大きい時のVHの出力)に少なくとも部分的に基づいてよい、I/O線295の電圧の変化と関連付けられてよい。
アクセス動作のための検知またはラッチ信号の展開はまた、レイテンシと関連付けられてよく、このレイテンシは、検知またはラッチ信号を展開するための時間、または、検知またはラッチ信号生成動作を開始することと、検知またはラッチ信号がアクセス動作の後続の部分に適した閾値レベル(例えば、メモリセル105-aによって記憶された論理状態を指示する出力)に達することとの間の遅延を指す場合がある。例えば、信号展開コンポーネント250とセンスアンプ290との間の電荷の共有はまたは、時定数的挙動(例えば、I/O線295の電圧の変化の時定数的挙動)、または他の対数的または指数関数的挙動と関連付けられてよい。検知またはラッチ信号を展開するための継続時間またはレイテンシは、結合またはアクティブ化動作(例えば、信号展開コンポーネント250をセンスアンプ290と選択的に結合するように構成される、選択コンポーネント280などの、切り換えコンポーネントまたは選択コンポーネントの選択またはアクティブ化、センスアンプ290と低電圧源293または高電圧源294の1つまたは両方との結合)と、I/O線295が定常状態電圧に達すること、またはI/O線295が定常状態電圧の閾値比率(例えば、定常状態電圧の90%、定常状態電圧の95%)に達することとの間の継続時間を指す場合がある。
検知またはラッチ信号を展開するための継続時間またはレイテンシはまた、時定数、または時定数の倍数と表されてよい。時定数的挙動に関して説明されているが、検知またはラッチ信号を展開することに関連付けられた継続時間またはレイテンシは、さらにまたは代替的には、ランピング、階段状、または振動(例えば、不足減衰)の挙動などの他の挙動を含んでよい。いくつかの例では、検知またはラッチ信号を展開することは、結合動作、分離動作、アクティブ化動作、非アクティブ化動作、選択動作、または非選択動作のセットなどの動作のセットを含んでよく、検知またはラッチ信号を展開することと関連付けられた継続時間またはレイテンシは、動作のセットのそれぞれの関連の回路挙動を含んでよい。
回路200のいくつかの例では、セルアクセス信号を展開することと関連付けられたレイテンシは、検知またはラッチ信号を生成することと関連付けられたレイテンシより継続時間が長い場合がある。例えば、信号展開コンポーネント250とメモリセル105-aとの間の電荷共有は、異なる電荷量、または信号展開コンポーネント250とセンスアンプ290との間の電荷共有より遅い電荷の転送と関連付けられてよい。換言すれば、信号展開コンポーネント250またはメモリセル105-aは、回路200の比較的高いレイテンシ部分と関連付けられてあるいはこれとみなされてよく、センスアンプ290は回路200の比較的低いレイテンシ部分と関連付けられてまたはこれとみなされてよい。このような例では、回路200は、信号展開動作を行うよりも迅速に入力または出力動作を行うことをサポートすることができる。
本明細書に開示される例によると、回路200を含むメモリデバイス100は、重複する時間間隔の間に信号展開コンポーネント250のセットのそれぞれを対応するメモリセル105と結合することができ、それによって、(例えば、対応する信号展開コンポーネント250のそれぞれの対応するメモリセル105と関連付けられた)複数のセルアクセス信号は重複する時間間隔の間に生成可能である。信号展開コンポーネント250のセットのそれぞれは、センスアンプ290において検知またはラッチ信号のシーケンスを生成するために(例えば、順番に)選択コンポーネント280を介してセンスアンプ290と選択的に結合されてよく、この逆もまた同様である。例えば、読み取り動作または読み取り動作のセットにおいて、センスアンプ290において生成された検知またはラッチ信号のシーケンスは、対応するメモリセル105によって記憶された特定の論理状態と関連付けられてよい、信号展開コンポーネント250のセットにおいて重複する時間間隔の間の展開された対応するセルアクセス信号(例えば、セル読み取り信号)に基づいてよい。よって、本明細書に開示されるように、回路200を含むメモリデバイス100は、選択コンポーネント280を介して多重化される信号展開コンポーネント250を含んでよく、これは、いくつかの例では、種々のレイテンシと関連付けられるアクセス動作の部分を補償することができる。
いくつかの例において、回路200の1つまたは複数の信号展開コンポーネント250は、読み取りブロードキャスト動作を可能にし得る。読み取りブロードキャストは、メモリアレイ(例えば、1つまたは複数のメモリセクション110を含むメモリアレイ)の1つまたは複数の場所から信号展開コンポーネント250のセットの複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリアレイの場所と結合されたアクセス線(例えば、ワード線205、ディジット線210、プレート線215等)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、(例えば、選択コンポーネント280の)1つまたは複数のマルチプレクサが作用するようになっていてもよい。例えば、信号展開コンポーネント250のセット中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットをマルチプレクサのうちの1つまたは複数と同時に結合させて、メモリアレイからデータパターンを記憶するようにしてもよい。
図3は、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする例示的な回路300を示している。当業者には理解されるであろうが、回路300が単なる1つの実例であり、他の具体的な回路およびトポロジを含む多くの実施例が可能でありながら、本明細書に開示される原理および技法を順守することは、理解されたい。
回路300は、メモリセル105-bのセット(例えば、メモリセル105-b-111~105-b-srm)および検知コンポーネント150-bを含む。メモリセル105-bはコンデンサおよびセル選択コンポーネントを含むように示されているが、本明細書に開示されるような例によるメモリセル105-bは、(例えば、セル選択コンポーネントを有するまたは有さない)さまざまな構成、およびさまざまなタイプのメモリデバイス(例えば、DRAMメモリデバイス、FeRAMメモリデバイス、PCMデバイス、カルコゲニドメモリデバイス)をサポートするためのさまざまなタイプの論理記憶素子(例えば、容量性メモリ素子、強誘電メモリ素子、材料メモリ素子、抵抗メモリ素子、閾値メモリ素子、他のメモリ素子)を含んでよい。回路300は、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作のための上記技術をサポートし得る回路網を示している。
検知コンポーネント150-bは、それぞれがメモリセル105-bの1つまたは複数と関連付けられた、信号展開コンポーネント250-aのセット(例えば、信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-s)を含んでよい。検知コンポーネント150-bはまた、(例えば、信号展開線255-a-1~255-a-sを介して)信号展開コンポーネント250-aのセットと結合される選択コンポーネント280-a(例えば、信号展開コンポーネント、選択コンポーネント、MUX、トランジスタネットワーク、トランジスタアレイ、交換ネットワーク、切り換えアレイ)を含んでよい。選択コンポーネント280-aは、信号展開コンポーネント250-aの選択されたもの(例えば、信号展開線255-aの選択されたもの)を(例えば、信号展開コンポーネント多重(SDCM)信号などの論理または選択信号に応答して、信号線285-aを介して)検知コンポーネント150-bのセンスアンプ290-aと選択的に結合するように構成されてよい。センスアンプ290-aは、I/O線295-aを介してメモリデバイスの他のコンポーネント(例えば、入力/出力コンポーネント160)と入力または出力信号を交換(例えば、通信、受信、送信)してよい。
回路300の例では、メモリセル105-bはドメイン310-aのセット(例えば、ドメイン310-a-1~310-a-s)に従って配置可能である。換言すれば、回路300は、sのドメイン全体にわたって分類されるあるいはこれと関連付けられるメモリセル105-bのセットの一例を示すことができる。回路300の例では、ドメイン310-aのそれぞれは、信号展開コンポーネント250-aのうちの1つと関連付けられて(例えば、結合されて)よい(例えば、ドメイン310-a-1は信号展開コンポーネント250-a-1と関連付けられる)。しかしながら、説明される技法をサポートする回路網のさまざまな例では、ドメイン310は複数の信号展開コンポーネント250と関連付けられてよい、または信号展開コンポーネント250は複数のドメイン310と関連付けられてよい、またはこの両方が可能である。
回路300の例示のドメイン310-aがある特定の特性に関して説明されているが、ドメインの代替的な定義または編成はまた、説明される技法の裏付けとして利用されてよい。1つのこのような例として、あるドメインのメモリセル105またはアクセス線(例えば、ワード線205、ディジット線210、プレート線215)は、回路300において示されるドメイン310-aと異なるやり方で編成または細分されてよい、またはドメインは回路300に示されるドメイン310-aと異なるやり方で定義されてよい(例えば、このコンポーネントはドメインの例示の境界内に含まれる)、または、ドメインは、(例えば、種々の多重化編成または方式、種々の選択コンポーネントと共に)回路300に示されるドメイン310-aと異なるやり方で信号展開コンポーネント250またはセンスアンプ290と結合されてよい。
回路300の例では、ドメイン310-aのそれぞれは、ディジット線210-aのセットのうちの1つおよびプレート線215-aのセットのうちの1つとまたはこれらの間で結合されるメモリセル105-bを含んでよい。例えば、ドメイン310-a-1について、メモリセル105-bのセットのそれぞれ(例えば、メモリセル105-b-111~105-b-1rmのそれぞれ)は、ディジット線210-a-11~210-a-1rのうちの1つと結合されてよく、プレート線215-a-11~215-a-1rのうちの1つと結合されてよい。換言すれば、ドメイン310-aは、rのディジット線210-aまたは「列」全体にわたって分類されるあるいはこれと関連付けられるメモリセル105-bの配置を示すことができる。例示の回路300は別個のプレート線215-aを有すると示されているが、いくつかの例では、プレート線215-aのセット(例えば、プレート線215-a-11~215-a-1rの2つ以上のセット)はドメイン310-a(例えば、ドメイン310-a-1)の共通のプレート線を表してあるいは同等の機能を有してよい、または、ドメイン310-aの一部分(例えば、「サブドメイン」)の共通のプレート線を表してあるいは同等の機能を有してよい、または、プレート線215-aの異なるセット(例えば、プレート線215-a-11~215-a-srの2つ以上のセット)はドメイン310-aのセット(例えば、ドメイン310-a-1~310-a-sのセット)の共通のプレート線を表してあるいはこれと同等の機能を有してよい。
ドメイン310-aはまた、mのワード線205-aまたは「行」全体にわたって分類されるあるいはこれと関連付けられるメモリセル105-bの配置を示すことができる。例えば、ドメイン310-a-1は、ドメイン310-aのディジット線210-aおよび該ドメインのプレート線215-aのそれぞれとまたはこれらの間で結合されるmのメモリセル105-bの各セット(例えば、ディジット線210-a-11およびプレート線215-a-11とまたはこれらの間で結合されるメモリセル105-b-111~105-b-11mのセット)を含んでよい。同ディジット線210-aおよび同プレート線215-aと結合されるメモリセル105-bのセットについて、セットのそれぞれは、関連の論理信号WL(例えば、ドメイン310-aについて、論理信号WL11~WL1mのうちの1つ)に少なくとも部分的に基づいて個々に選択またはアクセス可能である。ドメイン310-aにおけるワード線205-aの共通のセット(例えば、ドメイン310-a-1の列のそれぞれ全体にわたって共有されるワード線205-a-11~205-a-1m)を共有すると示されているが、メモリデバイスの他の例はドメイン310におけるワード線205の異なる配置を有することができる。
回路300の例では、ドメイン310-aのそれぞれはまた、ドメイン310-aのディジット線210-aのセットのそれぞれと結合される選択コンポーネント320-a(例えば、ディジット線選択コンポーネント、MUX、トランジスタネットワーク、トランジスタアレイ、交換ネットワーク、切り換えアレイ)を含んであるいはこれと関連付けられてよい。例えば、ドメイン310-a-1は、ディジット線210-a-11~210-a-1rのそれぞれと結合される選択コンポーネント320-a-1を含んでよい。選択コンポーネント320-a-1は、例えば、ディジット線210-a-11~210-a-1rの選択された1つまたはメモリセル105-b-111~105-b-11mのうちの1つを、(例えば、ディジット線多重化(DLM)信号DLM1などの論理または選択信号に応答して)信号展開コンポーネント250-a-1と選択的に結合するように構成されてよい。それ故に、選択コンポーネント320-a-1~320-a-sのそれぞれは、信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-sの各1つと関連付けられてよい。
回路300の例では、信号展開コンポーネント250-aのそれぞれは、メモリセル105-bの対応するセットまたはディジット線210-aの対応するセットと関連付けられてよい。いくつかの例では、選択コンポーネント320-a-1~320-a-sは、複数の第2の選択コンポーネントの一例であり得、複数の第2の選択コンポーネントのそれぞれの第2の選択コンポーネントは、対応する信号展開コンポーネント250と関連付けられ、かつ任意の1つのメモリセル105-bまたは該セットのディジット線210-aを対応する信号展開コンポーネント250と選択的に結合するように構成される。
実例では、ドメイン310-aのそれぞれは、1,024の一意にアドレス指定された行および1,024の列(例えば、m=1024およびr=1024)に配置された1,048,576のメモリセル105-bを含んでよい。回路300の実例によると、1つの信号展開コンポーネント250-aは特定のドメイン310-aにマッピングされてよいが、他の例では、複数の信号展開コンポーネント250-aのセットは特定のドメイン310-aに(例えば、ドメイン310-aのディジット線210-aの各セットに)マッピングされてよい。いくつかの例では、このようなマッピングは固定されてよく(例えば、ここで、ディジット線210-aの対応するセットはそれぞれのドメイン310-a内の対応する信号展開コンポーネント250-aにマッピングされる)、これによって、いくつかの例では、多重化または選択回路の複雑さが低減され得る。(示されない)さまざまな他の例では、信号展開コンポーネント250は、複数のドメイン310、(例えば、ドメインの)ディジット線210の複数のセット、または他の構成にマッピングされてよい。さらにまたは代替的には、ドメイン310またはディジット線210のセットは、複数の信号展開コンポーネント250にマッピングされてよい。換言すれば、メモリデバイスは、本明細書に記載の読み取りブロードキャスト動作の例をサポートするため、信号展開コンポーネント250のさまざまな構成を含んでいてもよい。
回路300の例では、ディジット線210-aのそれぞれは、(例えば、選択コンポーネント320-a-1の各1つを介して)信号展開コンポーネントの単一のものと関連付けられる(例えば、これと選択的に結合するように構成される)。例えば、ディジット線210-a-11は、信号展開コンポーネント250-a-1と関連付け可能であるが、信号展開コンポーネント250-a-sとは関連付けされなくてよい。しかしながら、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作のための上記技術をサポートする回路網のさまざまな例においては、特定のディジット線210-aが2つ以上の信号展開コンポーネント250-aと関連付けられていてもよく(例えば、選択的に結合されるように構成されていてもよく)、これには、回路300に示す選択コンポーネント320-a-1~320-a-sのセットとは異なる選択コンポーネントを含んでいてもよい。例えば、ディジット線210-a-11は、信号展開コンポーネント250-a-1または信号展開コンポーネント250-a-sのどちらか、または、回路300の任意の他の信号展開コンポーネント250-aと関連付けられて(例えば、これと選択的に結合されるように構成されて)よい。
読み取りブロードキャスト動作のための上記技術をサポートする別の実例においては、別の回路が、一意にアドレス指定される1,024個の行および1,024個の列に配置された1,048,576個のメモリセル105をそれぞれ有する複数のドメインを含んでいてもよく、これは、回路300と異なるコンポーネントの機構を表し得る。他の回路のドメインのそれぞれは、m=1024およびr=1024、ならびにこの他の回路の対応するドメインのディジット線210は、(例えば、多対1のマッピングに従って、多対多のマッピングに従って)64の信号展開コンポーネント250のアレイにまとめてマッピングされ得るように配置可能である。他の回路の1つの例では、信号展開コンポーネント250のそれぞれは、ドメインのディジット線210の対応するサブセットにマッピングされてよい(例えば、1つの信号展開コンポーネント250はそれぞれのドメイン内の1024/64=16のディジット線210にマッピングされてよい)。いくつかの例では、このようなマッピングは固定されてよく(例えば、16のディジット線210のグループまたはサブセットはそれぞれのドメイン内の対応する信号展開コンポーネント250にマッピングされる)、これによって、いくつかの例では、多重化または選択回路の複雑さが低減され得る。
この他の例では、(例えば、他の回路の1つのドメインに及ぶ)1024のメモリセル105の行は、それぞれのドメインにおける単一のワード線205によって選択可能である。換言すれば、1ドメイン当たり64の信号展開コンポーネント250およびr=1024によって、1つのドメインにおけるワード線のアクティブ化および(例えば、他のドメインにおける他の独立したワード線を含む)別のドメインにおける別のワード線のアクティブ化によって、対応する行と関連付けられたメモリセル105が選択され得る。このような回路の1ドメイン当たり64の信号展開コンポーネント250によって、1,024のメモリセル105のセットのうちの64は、(対応する選択コンポーネントを介して対応するディジット線210を64の信号展開コンポーネント250のそれぞれと選択的に結合することによって)それぞれのドメインにおいて一度にアクセス可能である。このようなアクセスの間、他のディジット線210は、対応する信号展開コンポーネント250および同じドメインをインターフェース接続する他の信号展開コンポーネント250から選択的に分離されてよい。さらに、他のディジット線210は本明細書に説明されるように分路またはマスクされてよい。
よって、本明細書に開示される技法による例は、ドメイン内のワード線205、または複数のドメイン全体にわたるワード線205、またはこれらの何らかの組み合わせが独立している(例えば、互いに独立して選択可能である)例を含むことができる。本明細書に開示される技法による例はまた、ドメイン内のワード線205、または複数のドメイン全体にわたるワード線205、またはこれらの何らかの組み合わせが共に(一緒に)選択されるようにロック(ハードワイヤード)される例を含むことができる。ワード線205が独立して選択可能である例では、このようなワード線205がそれにもかかわらず、少なくとも一定の回数でまたはある特定の条件下で(例えば、ロックされたかのように)同期して動作可能であることは理解されたい。さらに、本明細書に開示される技法による例は、多くのディジット線210がドメイン内の多くの信号展開コンポーネント250にマッピングされる例のみならず、多くのディジット線210がドメイン内の1つの信号展開コンポーネント250にマッピングされる(例えば、選択コンポーネント280が多対1または多対多の機能性を有することができる)例を含むことができる。これらのおよび他の例の変形の態様は、図8を参照することを含んで本開示全体を通して説明される。
いくつかの例では、ワード線選択と関連付けられた動作は、データの損失または崩壊を防止するために期限があってよく、これには、セルへのアクセスが進行中の動作の完了を待機することを伴う場合がある。例えば、ドメイン310-aの第1のワード線205-aから同ドメイン310-aの第2のワード線205-aに切り換える時、このような切り換えは、切り換えが行われる前に、ドメイン310-aの(例えば、信号展開コンポーネント250-aの)セルアクセス信号展開が完了されるのを待機する必要がある場合がある。ワード線205-aがドメイン全体にわたって共有される(例えば、ワード線205-aはドメイン310-a-1と310-a-sとの間で共有され、ワード線205-a-11はワード線205-a-s1と同等の機能を有する)例では、第1の共有ワード線205-aから第2の共有ワード線205-aに切り換える時、このような切り換えは、切り換えが行われる前に、ドメイン310-a-1および310-a-sのそれぞれ(例えば、信号展開コンポーネント250-a-1および250-a-sのそれぞれ)のセルアクセス信号展開が完了されるのを待機する必要がある場合がある。
回路300の例では、ドメイン310-aのそれぞれはまた、分路330-aのセット(例えば、ディジット線分路、ディジットプレート分路)を含んでよい、あるいはこれと関連付けられてよい。例えば、ドメイン310-a-1は分路330-a-11~330-a-1rのセットを含んでよい。分路330-aのそれぞれは、ディジット線210-aおよびプレート線215-aとまたはこれらの間で結合されてよい。例えば、ドメイン310-a-1について、分路330-a-11は、ディジット線210-11およびプレート線215-a-11とまたはこれらの間で結合されてよい。分路330-a-11は、例えば、(論理またはスイッチ信号DLS11に応答して)ディジット線210-a-11をプレート線215-a-11と選択的に結合するように構成されてよい。いくつかの例では、分路330-aは、ディジット線210-aとプレート線215-aとの間のバイアスを選択的に等化するように、またはディジット線210-aおよびプレート線215-aとまたはこれらの間で結合される1つまたは複数のメモリセル105-bを等化するように構成されてよい。いくつかの例では、分路330-aは、ディジット線210-aおよびプレート線215-aとまたはこれらの間で結合される1つまたは複数のメモリセル105-bを選択的に放電するように構成されてよい。
いくつかの例では、回路300は分路マスク(shunt mask)に従って動作可能である。例えば、多重化が(例えば、選択コンポーネント320-2を使用して)ドメイン310-aに対して行われる時、マスクされたディジット線210-a(例えば、行われているアクセス動作と関連付けられていないディジット線210-a)の分路330-aは、マスクされたディジット線210-aと関連付けられたメモリセル105-bのデータ損失(例えば、電荷漏洩)を防止または低減するためにプレート線215-aとの選択的な結合をサポートすることができる。換言すれば、分路330-aは、行われているアクセス動作と関連付けられていないマスクされたディジット線210-a上のビット転送をオフにすることができる。
選択コンポーネント280-aおよび選択コンポーネント320-aはコンポーネントのさまざまな構成を含むことができ、それぞれは、マルチプレクサ、トランジスタネットワーク、トランジスタアレイ、交換ネットワーク、または切り換えアレイと称されてよい。1つの例では、選択コンポーネント280-aはそれぞれがセンスアンプ290-aと結合される(例えば、それぞれが信号線285-aと結合される)トランジスタのセットを含むことができる。トランジスタのセットのそれぞれはまた、信号展開コンポーネント250-aの各1つ(例えば、信号展開線255-a-1~255-a-sの各1つ)と結合されてよい。トランジスタのセットのそれぞれは、トランジスタのゲートに提供されるスイッチ信号または論理信号のセットの1つに応答して、信号展開コンポーネント250-aの各1つをセンスアンプ290-aと選択的に結合するように構成されてよい。
いくつかの例では、選択コンポーネント280-aまたは選択コンポーネント320-aは、デコーダ、または他の論理もしくは選択信号変換コンポーネントを含んでよい。選択コンポーネント280-aのデコーダは、例えば、信号バス上で受信されるデジタル信号(例えば、複数のビットを有するあるいは表す信号)であってよい、論理または選択信号(例えば、信号SDCM)を受信することができる。いくつかの例では、デコーダは、スイッチ配置で構成されるトランジスタのセットのゲートに加えられてよい二値信号のセット(例えば、スイッチ信号または論理信号)を生成するための入力としてデジタル信号を受信することができる。例えば、選択コンポーネント280-aのデコーダは、4ビットのデジタル入力信号として選択信号SDCMを受信し、かつ、それぞれがスイッチ配置で構成される16のトランジスタのセットの1つのゲートに加えられる16の二値(例えば、オン/オフ)スイッチ信号を生成することができる。
さまざまな例では、選択コンポーネント280-aは、信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-sのうちの1つがセンスアンプ290-aと一度に結合される(例えば、選択的に結合される)ように構成されてよく、信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-sのその他は、センスアンプ290-aからその時(例えば、信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-sのうちの1つがセンスアンプ290-aと選択的に結合される時)に切り離されて(例えば、選択的に切り離されて)よい。いくつかの例では、選択コンポーネント280-aはまた、信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-sのどれも、センスアンプ290-aと特定の時間に結合されない(例えば、信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-sのそれぞれがセンスアンプ290-aから選択的に分離される)動作をサポートするように構成されてよい。回路300のさまざまな例では、選択コンポーネント320-aは選択コンポーネント280-aと同様の特徴または特徴のセットを含んでよい、または選択コンポーネント320-aは選択コンポーネント280-aと異なる特徴または特徴のセットを含んでよい。
回路300のいくつかの例では、信号展開コンポーネント250-aまたはメモリセル105-bは、回路300の比較的高いレイテンシ部分と関連付けられてあるいはこれとみなされてよく、センスアンプ290-aは、回路300の比較的低いレイテンシ部分と関連付けられてあるいはこれとみなされてよい。本明細書に開示されるような例によると、検知コンポーネント150-bは、メモリセルアクセス回路網を高レイテンシ部(例えば、信号展開コンポーネント250-a)および低レイテンシ部(例えば、センスアンプ290-a)に分類し、かつマルチプレクサ(例えば、選択コンポーネント280-a)を通して高レイテンシ部のセットを低レイテンシ部と結合する一例を示すことができる。
回路300の例では、選択コンポーネント280-aは第1のデータパイプライン化度を提供してよく、これによって、行バッファ衝突によるデータアクセスシリアル化の影響が低減され得る。例えば、選択コンポーネント280-aは、ディジット線210-aの種々のセット(例えば、種々のドメイン310-a)上のデータ転送の重複をサポートすることができる。よって、センスアンプ290-aは、(例えば、信号展開コンポーネント250-aのうちの1つと結合されている間)読み取り動作、書き込み動作、上書き動作、またはリフレッシュ動作を自由にサポートできる一方、(例えば、他の信号展開コンポーネント250-aはディジット線210-aまたはメモリセル105-bと結合されている間)他の信号展開コンポーネント250-aはデータ転送に関与している。
信号展開コンポーネント250-aのセットは、小さな高速ローカルキャッシュ(例えば、信号展開キャッシュ)であると考えられ得、この場合、各信号展開コンポーネント250-aは、メモリセル105-bに記憶された論理状態と異なる信号状態を記憶するように構成されてよい。このような構成は、行バッファ衝突率の低減、内部帯域幅の増大、または他の利益をサポートするようために使用されてよい。いくつかの例では、選択コンポーネント320-aは多重化されたディジット線210-aを介した第2のデータパイプライン化度を提供することによってさらなる利得を提供し得る。よって、本明細書に開示されるような例によると、回路300を含むメモリデバイス100は、選択コンポーネント280-aを介して多重化される信号展開コンポーネント250-a、または1つまたは複数の選択コンポーネント320-aを介して多重化されるディジット線210-aを含んでよく、これによって、種々のレイテンシと関連付けられるアクセス動作の部分またはアクセス回路網の部分が補償可能である。
さまざまなメモリデバイス(例えば、メモリデバイス100)は、回路300のさまざまな配置を含んでよい。例えば、メモリデバイス100は検知コンポーネント150-bのセットを含んでよい、あるいは検知コンポーネント150はセンスアンプ290-aのセット、および多重化信号展開コンポーネント250-aの対応するセットを含んでよい。1つの例では、メモリデバイス100またはこれの部分は、1024のディジット線210-aが多重化された16のセンスアンプ290-aを含んでよく、これは、選択コンポーネント320-aを介した多重化を含んでも含まなくてもよい。いくつかの例では、センスアンプ290-aのセットはセンスアンプ290-aのセットに複合アレイのセンスアンプの単一の「行」としてアクセスする複合アレイに含まれてよい。さまざまな例では、多重化されたディジット線210-aは同じドメイン310-aまたは異なるドメイン310にあってよい。いくつかの例では、ドメイン310-aのそれぞれは、独立して制御可能であってよく、かつ同じ行コンポーネント125または異なる行コンポーネント125を介してアクセス可能である。
いくつかの例において、回路300の1つまたは複数の信号展開コンポーネント250-aは、読み取りブロードキャスト動作を可能にし得る。読み取りブロードキャストは、メモリアレイの1つまたは複数の場所(例えば、1つまたは複数のドメイン310-a)から信号展開コンポーネント250-aのセットの複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリアレイの場所と結合されたアクセス線(例えば、ワード線205-a、ディジット線210-a、プレート線215-a等)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、(例えば、選択コンポーネント280-aの)1つまたは複数のマルチプレクサが作用するようになっていてもよい。例えば、信号展開コンポーネント250-aのセット中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットを1つまたは複数のマルチプレクサと同時に結合させて、メモリアレイからデータパターンを記憶するようにしてもよい。
図4Aは、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする読み取り動作400の一例を示している。読み取り動作400は、メモリセル105にアクセスする時に、セルアクセス信号(例えば、セル読み取り信号、セル書き込み信号)およびラッチ信号を生成することと関連付けられるアクセス動作の部分(例えば、時間間隔)を示すことができる。例えば、読み取り動作400は、読み取り信号展開部分410(例えば、セル読み取り部分)、ラッチ信号生成部分420、および上書き信号展開部分430(例えば、セル上書き部分)に分類可能である。読み取り動作400では、図3を参照して説明した回路300等、読み取りブロードキャスト動作をサポートする回路網を採用するようにしてもよい。実例として、回路300のメモリセル105-b-111によって記憶された論理状態を読み取ることに関する読み取り動作400について説明するが、読み取り動作400は、回路300のメモリセル105-bの任意の1つまたは複数に対して行われてよい動作を例証するものであってよい。
読み取り信号展開部分410は、メモリセル105-b-111(例えば、メモリセル105-b-111、線形コンデンサ、または強誘電コンデンサの容量性記憶素子)、ディジット線210-a-11(例えば、真性容量230)、および信号展開コンポーネント250-a-1の間の電荷共有と関連付けられてよい。読み取り信号展開部分410は、信号展開コンポーネント250-a-1をメモリセル105-b-111と選択的に結合することに少なくとも部分的に基づく信号展開コンポーネント250-a-1における信号(例えば、信号状態、キャッシュ信号)を展開する一例であってよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1において読み取り信号を展開することは、第1のレイテンシ(例えば、比較的高いレイテンシまたは長い継続時間)と関連付けられる。読み取り信号展開部分410の間、信号展開コンポーネント250-a-1はセンスアンプ290-aから選択的に切り離されてよい。
読み取り信号展開部分410のいくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1のアクセス線(例えば、信号展開線255-a-1)は、(例えば、積分器コンデンサなどの信号展開コンポーネント250-a-1の信号記憶コンポーネントにおいて)信号展開コンポーネント250-a-1における比較的高い電圧電荷を蓄積することに関連付け可能である、比較的高い電圧でバイアスがかけられてよい。いくつかの例では、このようなバイアス法は、読み取り信号展開部分410の間、アクセスしているメモリセル105-b-111と関連付けられたプレート線215-a-11がメモリセル105-b-111と関連付けられたディジット線210-a-1より低い電圧(例えば、接地電圧)でバイアスがかけられる「プレート・ロー」読み取り動作と関連付けられてよい。
読み取り信号展開部分410はまた、メモリセル105-b-111を信号展開コンポーネント250-a-1と選択的に結合することを含んでよい。いくつかの例では、読み取り信号展開部分410は、メモリ記憶素子(例えば、コンデンサ220)を(例えば、メモリセル105-b-111のセル選択コンポーネント225を介して)対応するディジット線210-a-11と選択的に結合することができる、読み取られている(例えば、論理信号WL1をアクティブ化している)メモリセル105-b-111と関連付けられるワード線205-a-11をアクティブ化することを含んでよい。いくつかの例では、読み取り信号展開部分410は、(例えば、選択信号DLM1に基づく選択コンポーネント320-a-1、またはその他の切り換えコンポーネントを介して)対応するディジット線210-a-11を信号展開コンポーネント250-a-1と選択的に結合することを含んでよい。それ故に、電荷は、メモリセル105-b-111と信号展開コンポーネント250-a-1との間で共有されてよく、かつ(例えば、時定数的挙動に従って)しばらくした後、メモリセル105-b-111によって記憶された論理状態に少なくとも部分的に基づくディジット線210-a-11および信号展開線255-a-1の電圧変化が変わることで安定し得る。
いくつかの例では、読み取り信号展開部分410は、読み取り信号(例えば、定常状態に達する信号展開コンポーネント250における読み取り信号、信号展開コンポーネント250における最大値に達する読み取り信号)を展開すること、および、(例えば、信号展開コンポーネント250によって維持されるような)展開された読み取り信号をセンスアンプ290に提供することの間の遅延(例えば、遅延部分、遅延継続時間)を含んでよい。換言すれば、いくつかの例では、展開された読み取り信号の減衰(例えば、維持された読み取り信号の減衰)を含んでよい、ラッチ信号生成部分420を開始する前の読み取り信号展開部分410の間の遅延または非アクティビティ期間があってよい。いくつかの例では、回路300は、このような遅延または非アクティビティ期間の継続時間、または展開された読み取り信号の減衰量が、メモリセル105によって記憶された論理状態を依然確実に検出する間に許容可能であるように構成されてよい。いくつかの例では、回路300のこのような機能性は、展開された読み取り信号の減衰を軽減する信号展開コンポーネント250の動作をリフレッシュする(例えば、信号展開コンポーネント250においてキャッシュ信号を維持する)ことによってサポート可能である。これらのおよび他の構成は、回路300において、キャッシング機能(例えば、ある時間の展開された読み取り信号またはキャッシュ信号のキャッシング)を行う信号展開コンポーネント250をサポートすることができる。
いくつかの例では、読み取り信号展開部分410の電荷共有は、破壊的読み取り動作と関連付けられてよく(例えば、この場合、メモリセル105-b-111の最初に記憶された論理状態はメモリセル105-b-111で失われているあるいは劣化している)ため、その後上書き動作が行われてよい(例えば、上書き信号展開部分430)。いくつかの例では、上書き動作は、記憶されたデータが信号展開コンポーネント250に転送され、該データが記憶され、さらに読み取り、書き込み、または修正が行われてよい場合など、読み取り信号展開部分410の直後に行われなくてもよい。さまざまな例では、データは同じメモリセル105または異なるメモリセル105に戻されてよく、これは、信号展開コンポーネント250を他の動作に利用可能にする動作と関連付けられてよい。いくつかの例では、読み取り信号展開部分410の電荷共有は、非破壊的読み取り動作と関連付けられてよく(例えば、この場合、メモリセル105-b-111の最初に記憶された論理状態はメモリセル105-b-111で維持される)、従って、その後上書き動作が行われなくてもよい(例えば、上書き信号展開部分430は省略されてよい)。
読み取り信号展開部分410の電荷共有は、行-列アドレス遅延として既知の遅延またはレイテンシと関連付けられてよい。DRAM応用では、データは電極電荷としてメモリセル105に記憶されてよく、かつ(例えば、比較的低いレイテンシを有して)比較的早く応答可能である。FeRAM応用では、データは、双極子配向または分極の形態のセル状態としてメモリセル105に記憶されてよい。このような双極子の動態は(例えば、比較的高いレイテンシを有して)比較的遅くてよく、これによってFeRAM応用に対する検知時間が長くなる(例えば、DRAM応用よりも長くなる)場合がある。よって、(例えば、FeRAM応用における)いくつかの例では、読み取り信号展開部分410は(例えば、ラッチ信号生成部分420と比較して)比較的高いレイテンシまたは長い継続時間と関連付けられてよい。いくつかのFeRAM応用では、例えば、読み取り信号展開部分410の動作と関連付けられたレイテンシはおよそ50ナノ秒であってよい。
読み取り信号展開部分410のいくつかの例では、(ディジット線210-a-12またはプレート線215-a-12と関連付けられてよい、示されない)分路330-a-12~330-a-1rなど、ドメイン310-a-1の他のメモリセル105-bと関連付けられた分路330-aは、選択されてまたはアクティブ化されてよく、これによって、アクセスしていないメモリセル105-b全体にわたるバイアスが等化可能である(例えば、ディジット線210-a-12とプレート線215-a-12との間のバイアスを等化する、ディジット線210-a-1rとプレート線215-a-1rとの間のバイアスを等化するなど)。FeRAM応用では、例えば、バイアスのこのような等化は、読み取り信号展開部分410の間にアクセスしているメモリセル105-b-111以外のメモリセル105-bの(例えば、電荷漏洩による)データの損失を防止または低減することができる。
ラッチ信号生成部分420は、信号展開コンポーネント250-a-1とセンスアンプ290-aとの間の電荷共有と関連付けられてよい。ラッチ信号生成部分420は、信号展開コンポーネント250-a-1における展開された信号(例えば、セル読み取り信号)に少なくとも部分的に基づいてセンスアンプ290-a(例えば、アンプコンポーネント)の出力信号を生成する一例であってよい。いくつかの例では、センスアンプ290-aにおいてラッチ信号を生成することは、第2のレイテンシ(例えば、比較的低いレイテンシまたは短い継続時間)と関連付けられてよい。読み取り信号展開部分410からラッチ信号生成部分420への移行は、信号展開コンポーネント250-a-1をセンスアンプ290-aと選択的に結合することを含んでよい。
いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1をセンスアンプ290-aと選択的に結合することは、論理選択信号SDCMに基づいて選択コンポーネント280-aによる選択を含んでよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1をセンスアンプ290-aと選択的に結合することは、信号展開コンポーネント250-a-1とセンスアンプ290-aとの間のその他の切り換えコンポーネント(例えば、分離切り換えコンポーネント)による選択的結合を含んでよい。いくつかの例では、ラッチ信号生成部分420の電荷共有は、比較的急速であり得、かつメモリセル105-b-11と信号展開コンポーネント250-a-1との間の電荷共有に関しては、一定の微小な時間がかかる場合がある。換言すれば、ラッチ信号生成部分420は読み取り信号展開部分410より継続時間が短くてよい。いくつかのFeRAM応用では、例えば、ラッチ信号生成部分420の動作と関連付けられたレイテンシはおよそ5~10ナノ秒であってよい。
いくつかの例では、ラッチ信号生成部分420は、センスアンプ290-aを「作動させること」を含んでよく、これは1つまたは複数の電圧源をセンスアンプ290-a(例えば、低電圧源293、高電圧源294)と選択的に結合することを含んでよい。よって、出力信号は、セル読み取り信号に少なくとも部分的に基づく(例えば、メモリセル105-b-111によって記憶された論理状態に少なくとも部分的に基づく)センスアンプ290-aで生成されてよい。出力信号は、I/O線295を介してセンスアンプ290-aからメモリデバイスの別のコンポーネント(例えば、入力/出力コンポーネント160)に渡されて、メモリセル105-b-111によって記憶されたデータの指示を提供することができる。いくつかの例では、生成されたラッチ信号と関連付けられた出力信号またはその他の信号はまた、信号展開コンポーネント250-a-1に再び渡されてあるいはこれと共有されてよく、これによって、いくつかの例では、(例えば、破壊的読み取り動作の後の)上書き動作がサポートされ得る。例えば、生成されたラッチ信号または出力信号に基づいて(例えば、メモリセル105-b-111が論理0または論理1を記憶したかどうかに基づいて)、上書き信号は、ラッチ信号生成部分420の一部として(例えば、信号展開線255-a-1を介して)信号展開コンポーネント250-a-1と共に渡されてあるいは共有されてまたは生成されてよい。いくつかの例では、生成されたラッチ信号または出力信号は、信号展開コンポーネント250-a-1に再び渡されて信号展開コンポーネント250-a-1で維持された電荷または他の信号を増強可能であり、これによって、メモリセル105-b-111に対する上書き動作がサポートされ得る。
ラッチ信号生成部分420のいくつかの例では、(ディジット線210-a-12またはプレート線215-a-12と関連付けられてよい、示されない)分路330-a-12~330-a-1rなど、ドメイン310-a-1の他のメモリセル105-bと関連付けられた分路330-aは、選択されてまたはアクティブ化されてよく、これによって、アクセスしていないメモリセル105-b全体にわたるバイアスが等化可能である(例えば、ディジット線210-a-12とプレート線215-a-12との間のバイアスを等化する、ディジット線210-a-1rとプレート線215-a-1rとの間のバイアスを等化するなど)。FeRAM応用では、例えば、バイアスのこのような等化は、ラッチ信号生成部分420の間にアクセスしているメモリセル105-b-111以外のメモリセル105-bの(例えば、電荷漏洩による)データの損失を防止または低減することができる。
上書き信号展開部分430は、メモリセル105-b-111、ディジット線210-a-11、および信号展開コンポーネント250-a-1の間の電荷共有と関連付けられてよい。上書き信号展開部分430は、信号展開コンポーネント250-a-1でまたはこれを使用してセルアクセス信号(例えば、セル書き込み信号、セル上書き信号)を展開する一例であってよい。場合によっては、信号展開コンポーネント250-a-1でまたはこれを使用してセルアクセス信号(例えば、セル書き込み信号、セル上書き信号)を展開することは、(例えば、ラッチ信号生成部分420の間に生成されるように)センスアンプ290-aのラッチ信号に少なくとも部分的に基づいてよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1でのまたはこれを使用したセルアクセス信号(例えば、セル書き込み信号、セル上書き信号)は、信号展開コンポーネント250-a-1で維持された電荷または電圧に基づいて(例えば、読み取り信号展開部分410に少なくとも部分的に基づいて)よく、この場合、信号展開コンポーネント250-a-1で維持された電荷または電圧は、メモリセル105-b-111によって最初に記憶された論理状態を指示してよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1で維持された電荷または電圧は、センスアンプ290-aにおけるラッチ信号から独立していてよい、または(例えば、ラッチ信号生成部分420の間に増強されるように)センスアンプ290-aにおけるラッチ信号によって増強させてよい。
いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1で上書き信号を展開することは、第1のレイテンシに等しくても等しくなくてもよい第3のレイテンシ(例えば、比較的高いレイテンシまたは長い継続時間)と関連付けられてよい。ラッチ信号生成部分420から上書き信号展開部分430への移行は、(例えば、選択コンポーネント280-aまたは分離切り換えコンポーネントを介して)信号展開コンポーネント250-a-1をセンスアンプ290-aから選択的に切り離すことまたは分離することを含んでよい。上書き信号展開部分430は、読み取り動作で放電、減極、あるいは破壊または劣化されているメモリセル105に論理状態を上書きすることをサポートすることができるが、非破壊的読み取り動作の例においては(例えば、105-b-111が読み取り信号展開部分410の後の記憶された論理状態を維持する時には)、上書き信号展開部分430は省略されてよく、ラッチ信号生成部分420の後に、別のアクセス動作(例えば、読み取り動作、書き込み動作、リフレッシュ動作)が行われてよい。
さまざまな例では、上書き信号展開部分430の間のメモリセル105-b-111の上書きは、上書き信号がセンスアンプ290-aによって生成されるあるいは提供されるかどうかに基づいて、または、上書き信号が信号展開コンポーネント250-aによって生成されるあるいは提供されるかどうかに基づいて、行われてまたは修正されてよい。例えば、上書き信号展開部分430の上書き動作は、信号展開コンポーネント250-aが、メモリセル105-b-111の最初に記憶された論理状態に関連付けられた電荷または他の状態(例えば、キャッシュ状態、信号状態)を、(例えば、上書き動作に関連したローカルキャッシング機能を提供して)メモリセル105-b-111に再び転送するまでローカルに維持するように構成される時など、センスアンプ290-aの上書き信号に頼ることなく行われてよい。換言すれば、読み取り信号展開部分410またはラッチ信号生成部分420は、信号展開コンポーネント250-aがメモリセル105-b-111を上書きするためにセンスアンプ290-aのラッチ信号に頼るかどうかに応じて、信号展開コンポーネント250-aの観点からすれば「破壊的」であってもなくてもよい。(例えば、信号展開コンポーネント250-aがメモリセル105-b-111の最初に記憶された論理状態を指示する電荷または他の状態を維持するように構成される時の)いくつかの例では、メモリセル105-b-111の上書きは、信号展開コンポーネント250-a-1が、このような電荷もしくは他の状態、またはライトバックを実施する制御論理のタイプ(先入れ先出し法(FIFO)または最低使用頻度(LRU)など)を維持するように構成される継続時間に依存する(例えば、上書き信号展開部分430の)ある遅延期間後に生じ得る。
上書き動作のいくつかの例では、回路300は、メモリセル105-b-111を高電圧源(例えば、信号展開コンポーネント250-a-1を介した高電圧レール)と結合するように構成されてよく、これは、プルアップまたはプルダウン回路網(例えば、信号展開コンポーネント250-a-1のトランジスタまたは他の切り換えコンポーネント)による直接結合であってよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1はコンデンサまたは他の電荷蓄積コンポーネントで構成されてよく、ラッチ信号生成部分420または上書き信号展開部分430は、(例えば、上書き信号展開部分430の間)メモリセル105-b-111を上書きするのに十分である電荷でコンデンサまたは他の電荷蓄積素子を充電するまたはリフレッシュすることを含んでよい。よって、さまざまな例では、信号展開コンポーネント250-a-1は論理状態をメモリセル105-b-111に上書きしてよく、これは、信号展開コンポーネント250-a-1がセンスアンプ290-aから選択的に切り離される間に行われてよいことで、センスアンプ290-aは他の信号展開コンポーネント250-aによる動作を自由にサポートする。
上書き信号展開部分430の電荷共有は、行プリチャージ遅延として既知の遅延またはレイテンシと関連付けられてよく、これには、メモリセル105-b-111に最初に記憶された論理状態を完全にまたは部分的に上書きすることが含まれてよい。例えば、論理0を上書きするために、ディジット線210-a-11は正電圧(例えば、1.5V)にバイアスがかけられてよく、プレート線215-a-11は接地または負電圧(例えば、0V)にバイアスがかけられてよい。論理1を上書きするために、ディジット線210-a-11は接地または負電圧(例えば、0V)にバイアスがかけられてよく、プレート線215-a-11は正電圧(例えば、1.5V)にバイアスがかけられてよい。場合によっては、ディジット線210-a-11およびプレート線215-a-11にバイアスをかけることは、(例えば、センスアンプ290-aが信号展開コンポーネント250-a-1から選択的に分離される前に)生成されたラッチ信号に少なくとも部分的に基づいてよい。例えば、上書き信号展開部分430の間、信号展開コンポーネント250-a-1またはセンスアンプ290-aは、ラッチ信号に少なくとも部分的に基づいて、ディジット線210-a-11を正電圧または接地電圧のどちらかにバイアスをかけることができる。場合によっては、このようなバイアスは、(例えば、センスアンプ290-aを使用して生成されるように)生成されたラッチ信号と無関係であってよい、信号展開コンポーネント250-a-1に維持された電荷または他の状態に基づいてよい。
DRAM応用では、データは電極充電としてメモリセル105に書き込まれてよく、かつ比較的早く応答可能である(例えば、比較的低いレイテンシ)。FeRAM応用では、データは、双極子配向または分極の形態のセル状態としてメモリセル105に書き込まれてよい。このような双極子の動態は比較的遅くてよく(例えば、比較的高いレイテンシ)、これによってFeRAM応用に対する書き込み時間が長くなる(例えば、DRAM応用よりも長くなる)場合がある。よって、(例えば、FeRAM応用における)いくつかの例では、上書き信号展開部分430は(例えば、ラッチ信号生成部分420と比較して)比較的高いレイテンシまたは長い継続時間と関連付けられてよい。上書き信号展開部分430の終わりに、ドメイン310-a-1のディジット線210-a-11の全ておよびプレート線215-aの全ては、効果的にはドメイン310-a-11のメモリセル105-bのそれぞれ全体にわたるバイアスを等化するように、接地電圧でバイアスがかけられてよく、これによって、経時的にメモリセル105-bによって記憶された論理状態を維持することがサポート可能である。
いくつかの例では、(ディジット線210-a-12またはプレート線215-a-12と関連付けられてよい、示されない)分路330-a-12~330-a-1rなど、ドメイン310-a-1の他のメモリセル105-bと関連付けられた分路330-aは、上書き信号展開部分430の間選択されてまたはアクティブ化されてよく、これによって、アクセスしていないメモリセル105-b全体にわたるバイアスが等化可能である(例えば、ディジット線210-a-12とプレート線215-a-12との間のバイアスを等化する、ディジット線210-a-1rとプレート線215-a-1rとの間のバイアスを等化するなど)。バイアスのこのような等化は、上書き信号展開部分430の間に上書きされるメモリセル105-b-111以外のメモリセル105-bの(例えば、電荷漏洩による)データの損失を防止または低減することができる。
読み取り動作400は、単一のメモリセル105-b-111を読み取るために、読み取り信号展開部分410、ラッチ信号生成部分420、および上書き信号展開部分430を含む、tA1-tA0の総継続時間を有する単一のメモリセル105-b-11の読み取りと関連付けられてよい。読み取り動作400が多重化信号展開技法(例えば、同じ信号展開コンポーネント250を使用する読み取り動作400のシーケンス)を用いない例では、センスアンプ290-aを用いる後続の読み取り動作は上書き信号展開部分430の後に行われてよい。よって、同じ信号展開コンポーネント250を使用して複数の読み取り動作400を行うこと(例えば、複数のメモリセル105-bを読み取ること)は、継続時間tA1-tA0の整数倍(例えば、2つのメモリセル105-bを読み取るための少なくとも2*(tA1-tA0)を伴ってよい。しかしながら、(例えば、選択コンポーネント280-aを介して)信号展開コンポーネント250-aを多重化することによって、センスアンプ290-aが複数のメモリセル105-bを読み取るために関わる時間が低減され得る。
いくつかの例において、読み取り動作400は、読み取りブロードキャスト動作の一部であってもよい。読み取りブロードキャストは、メモリアレイの1つまたは複数の場所(例えば、1つまたは複数のドメイン310-a)から信号展開コンポーネント250-aのセットの複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリアレイの場所と結合されたアクセス線(例えば、ワード線205-a、ディジット線210-a、プレート線215-a等)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、(例えば、選択コンポーネント280-aの)1つまたは複数のマルチプレクサが作用するようになっていてもよい。例えば、信号展開コンポーネント250-aのセット中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットを1つまたは複数のマルチプレクサと同時に結合させて、メモリアレイからデータパターンを記憶するようにしてもよい。
図4Bは、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする読み取り動作450の一例を示している。読み取り動作450は、(例えば、4つの信号展開コンポーネント250を介して)4つのメモリセル105にアクセスする時にセルアクセス信号(例えば、セル読み取り信号、セル書き込み信号)およびラッチ信号を生成することと関連付けられるアクセス動作(例えば、マルチセルアクセス動作)の部分(例えば、時間間隔)を示すことができる。例えば、読み取り動作450は、メモリセル105-bのセットのそれぞれに対する、読み取り信号展開部分410-a、ラッチ信号生成部分420-a、および上書き信号展開部分430-aに分類されてよく、これは図4Aを参照して説明される対応する部分の例とすることができる。読み取り動作450では、図3を参照して説明した回路300等、読み取りブロードキャスト動作をサポートする回路網を採用するようにしてもよい。読み取り動作450は、メモリデバイスにおけるデータスループットを改善可能である、信号展開動作を入力/出力動作から分ける一例を示す。
実例として、4つの異なるドメイン310-aの4つのメモリセル105-bによって記憶される論理状態を読み取ることに関する読み取り動作450について説明する。この場合、種々のドメインのそれぞれは、センスアンプ290-aが多重化された対応する信号展開コンポーネント250-aと関連付けられる。読み取り信号展開部分410-a-1、ラッチ信号生成部分420-a-1、および上書き信号展開部分430-a-1は、例えば、(例えば、信号展開コンポーネント250-a-1と関連付けられた、ドメイン310-a-1の)メモリセル105-b-111の読み取り動作を指す場合がある。読み取り信号展開部分410-a-2、ラッチ信号生成部分420-a-2、および上書き信号展開部分430-a-2は、例えば、(例えば、信号展開コンポーネント250-a-2と関連付けられてよい、示されないドメイン310-a-2の)メモリセル105-b-211の読み取り動作を指す場合がある。読み取り信号展開部分410-a-3、ラッチ信号生成部分420-a-3、および上書き信号展開部分430-a-3は、例えば、(例えば、信号展開コンポーネント250-a-3と関連付けられてよい、示されないドメイン310-a-3の)メモリセル105-b-311の読み取り動作を指す場合がある。読み取り信号展開部分410-a-4、ラッチ信号生成部分420-a-4、および上書き信号展開部分430-a-4は、例えば、(例えば、信号展開コンポーネント250-a-4と関連付けられてよい、示されないドメイン310-a-4の)メモリセル105-b-411の読み取り動作を指す場合がある。信号展開コンポーネント250-a-1、250-a-2、250-a-3、および250-a-4のそれぞれは、(例えば、論理選択信号SDCMに基づいて)選択コンポーネント280-aを介して同じセンスアンプ290-aと選択的に結合されてよい。
読み取り信号展開部分410-aのそれぞれは、対応するメモリセル105-b、対応するディジット線210-a、および対応する信号展開コンポーネント250-aの間の電荷共有と関連付けられてよく、これは重複する時間間隔の間に生じ得る。読み取り信号展開部分410-aは、信号展開コンポーネント250-aを複数のメモリセル105-bのメモリセル105-bと選択的に結合することに少なくとも部分的に基づいて複数の信号展開コンポーネント250-aの信号展開コンポーネント250-aにおいて信号(例えば、セル読み取り信号、キャッシュ信号、信号状態)を展開する例であってよい。読み取り信号展開部分410-a-1は、(例えば、選択コンポーネント280-aを介して、選択コンポーネント320-a-1を介して)第1の時間間隔の間に(例えば、それに加えて、メモリセル105-b-111にアクセスするように判断することに少なくとも部分的に基づいて)、メモリセル105-b-111(例えば、第1のメモリセル)を信号展開コンポーネント250-a-1(例えば、第1の信号展開コンポーネント)と結合する一例であってよく、読み取り信号展開部分410-a-2は、(例えば、選択コンポーネント280-aを介して、選択コンポーネント320-a-2を介して)第1の時間間隔に重複する第2の時間間隔の間に(例えば、それに加えて、メモリセル105-b-211にアクセスするように判断することに少なくとも部分的に基づいて)、メモリセル105-b-211(例えば、第2のメモリセル)を信号展開コンポーネント250-a-2(例えば、第2の信号展開コンポーネント)と結合する一例であってよい。
電荷は、それ故に、メモリセル105-b-111と信号展開コンポーネント250-a-1との間で、メモリセル105-b-211と信号展開コンポーネント250-a-2との間で、メモリセル105-b-311と信号展開コンポーネント250-a-3との間で、およびメモリセル105-b-411と信号展開コンポーネント250-a-4との間で共有されてよい。換言すれば、電荷は、重複する時間間隔の間に信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-4を介して共有されてよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-4でセル読み取り信号を展開することは、第1のレイテンシ(例えば、比較的高いレイテンシまたは長い継続時間)と関連付けられる。
読み取り信号展開部分410-aのいくつかの例では、対応するドメイン310-aの他のメモリセル105-bと関連付けられた分路330-aは選択されてまたはアクティブ化されてよく、これによって、アクセスしていないメモリセル105-b全体にわたるバイアスが等化され得る。例えば、ドメイン310-a-1について、読み取り信号展開部分410-a-1の間、ディジット線210-a-12とプレート線215-a-12との間のバイアスは分路330-a-12を介して等化されてよく、ディジット線210-a-13とプレート線215-a-13との間のバイアスは分路330-a-13を介して等化されてよく、その他同様に行われてよい。FeRAM応用では、例えば、バイアスのこのような等化は、対応する読み取り信号展開部分410の間にアクセスしているメモリセル105-b以外のメモリセル105-bの(例えば、電荷漏洩による)データの損失を防止または低減することができる。
ラッチ信号生成部分420-aは、信号展開コンポーネント250-a-1の各1つとセンスアンプ290-aの各1つとの間の電荷共有と関連付けられてよく、これは重複しない時間間隔にわたって生じ得る。ラッチ信号生成部分420-aはそれぞれ、(例えば、セル読み取り信号、キャッシュ信号、または信号状態に基づいて)対応する信号展開コンポーネント250-aにおける展開された信号に少なくとも部分的に基づいてセンスアンプ290-aの出力信号を生成する一例であってよい。いくつかの例では、センスアンプ290-aでラッチ信号を生成することは、第2のレイテンシ(例えば、比較的低いレイテンシまたは短い継続時間)と関連付けられる。読み取り信号展開部分410から対応するラッチ信号生成部分420-aへの移行は、対応する信号展開コンポーネント250-aをセンスアンプ290-aと選択的に結合することを含んでよい。
ラッチ信号生成部分420-a-1は、(例えば、選択コンポーネント280-aを介して)第1の時間間隔の後の第3の時間間隔の間に、信号展開コンポーネント250-a-1(例えば、第1の信号展開コンポーネント)をセンスアンプ290-aと結合する一例であってよい。いくつかの例では、第3の時間間隔は第2の時間間隔に少なくとも部分的に重複してよい、または第3の時間間隔は第2の時間間隔内であってよい。ラッチ信号生成部分420-a-2は、(例えば、選択コンポーネント280-aを介して)第2の時間間隔の後の(例えば、それに加えて、第3の時間間隔の後の)第4の時間間隔の間に、信号展開コンポーネント250-a-2(例えば、第2の信号展開コンポーネント)をセンスアンプ290-aと結合する一例であってよい。
ラッチ信号生成部分420-a-1~420-a-4は、選択されたあるいは論理選択信号SDCMによって指示された信号展開コンポーネントのシーケンスに少なくとも部分的に基づいてよいシーケンスに従って行われてよい。いくつかの例では、ラッチ信号生成部分420-aのそれぞれは、ギャップまたは遅延期間(例えば、ラッチ信号生成部分420-a-1とラッチ信号生成部分420-a-2との間の期間)によって分けられてよく、これは、選択コンポーネント280-aのギャップもしくは遅延、論理選択信号SDCMの値を変更することと関連付けられたギャップもしくは遅延、または信号展開コンポーネント250-aがセンスアンプ290-aと結合されない期間と関連付けられてよい。換言すれば、アクセス動作は、1つの信号展開コンポーネント250-aがセンスアンプ290-aから選択的に切り離される時と、別の信号展開コンポーネント250-aがセンスアンプ290-aと選択的に結合される時との間のギャップまたは遅延期間を含んでよい。他の例では、このような切り離しおよび結合は同時に生じるように構成されてよい。
いくつかの例では、ラッチ信号生成部分420-aは、センスアンプ290-aを「作動させること」を含んでよく、これは1つまたは複数の電圧源をセンスアンプ290-a(例えば、低電圧源293、高電圧源294)と選択的に結合することを含んでよい。よって、ラッチ信号生成部分420-a-1~420-a-4のシーケンスによると、出力信号のシーケンスは、セル読み取り信号の対応するシーケンスに少なくとも部分的に基づく(例えば、そのシーケンス、または読み取り信号展開部分410-a-1~410-a-4に従って、アクセスしたメモリセル105-b-111~105-b-411によって記憶された論理状態に少なくとも部分的に基づく)センスアンプ290-aで生成されてよい。
出力信号は、I/O線295を介してセンスアンプ290-aからメモリデバイスの別のコンポーネント(例えば、入力/出力コンポーネント160)に渡されて、メモリセル105-bによって記憶されたデータの指示を提供することができる。いくつかの例では、生成されたラッチ信号と関連付けられた出力信号またはその他の信号はまた、信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-4に再び渡されてあるいはこれと共有されてよく、これによって、いくつかの例では、(例えば、破壊的読み取り動作の後の)上書き動作がサポートされ得る。例えば、生成されたラッチ信号または出力信号に基づいて(例えば、メモリセル105-bが論理0または論理1を記憶したかどうかに基づいて)、ラッチ信号生成部分420の一部として信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-4の各1つと共に渡されてあるいは共有されてよい。
ラッチ信号生成部分420-aのいくつかの例では、対応するドメイン310-aの他のメモリセル105-bと関連付けられた分路330-aは、選択されてまたはアクティブ化されてよく、これによって、アクセスしていないメモリセル105-b全体にわたるバイアスが等化可能である。例えば、ドメイン310-a-1について、ラッチ信号生成部分420-a-1の間、ディジット線210-a-12とプレート線215-a-12との間のバイアスは分路330-a-12を介して等化されてよく、ディジット線210-a-13とプレート線215-a-13との間のバイアスは分路330-a-13を介して等化されてよく、その他同様に行われてよい。FeRAM応用では、例えば、バイアスのこのような等化は、対応するラッチ信号生成部分420の間にアクセスしているメモリセル105-b以外のメモリセル105-bの(例えば、電荷漏洩による)データの損失を防止または低減することができる。
上書き信号展開部分430-aは、メモリセル105-bの各1つ、ディジット線210-aの各1つ、および信号展開コンポーネント250-aの各1つの間の電荷共有と関連付けられてよい。上書き信号展開部分430-aはそれぞれ、センスアンプ290-aのラッチ信号に少なくとも部分的に基づいて信号展開コンポーネント250-aにおけるセルアクセス信号(例えば、セル書き込み信号、セル上書き信号)を展開する一例であってよい、またはセンスアンプ290-aのラッチ信号と無関係であってよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1における上書き信号を展開することは、第1のレイテンシと等しくても等しくなくてもよい第3のレイテンシ(例えば、比較的高いレイテンシまたは長い継続時間)と関連付けられる。ラッチ信号生成部分420-aから対応する上書き信号展開部分430-aへの移行は、対応する信号展開コンポーネント250-aを(例えば、選択コンポーネント280-aまたは別の分離切り換えコンポーネントを介して)センスアンプ290-aから選択的に分離することを含んでよい。上書き信号展開部分430-aは、読み取り動作で放電、減極、あるいは破壊または劣化されている論理状態をメモリセル105に上書きすることをサポートすることができるが、非破壊的読み取り動作の例においては、(例えば、信号展開コンポーネントとメモリセルとの間の電荷共有と関連付けられた)上書き信号展開部分430-aは省略されてよい。
上書き信号展開部分430-aのいくつかの例では、対応するドメイン310-aの他のメモリセル105-bと関連付けられた分路330-aは選択されてまたはアクティブ化されてよく、これによって、アクセスしていないメモリセル105-b全体にわたるバイアスが等化可能である。例えば、ドメイン310-a-1について、上書き信号展開部分430-a-1の間、ディジット線210-a-12とプレート線215-a-12との間のバイアスは分路330-a-12を介して等化されてよく、ディジット線210-a-13とプレート線215-a-13との間のバイアスは分路330-a-13を介して等化されてよく、その他同様に行われてよい。バイアスのこのような等化は、上書き信号展開部分430-aの間にアクセスしているメモリセル105-b以外のメモリセル105-bの(例えば、電荷漏洩による)データの損失を防止または低減することができる。
読み取り動作400と同様に、読み取り動作450はまた、単一のメモリセル105-b-111を読み取るために、読み取り信号展開部分410-a-1、ラッチ信号生成部分420-a-1、および上書き信号展開部分430-a-1を含むことができる、tA1-tA0の総継続時間を有する(例えば、センスアンプ290-aによる)単一のメモリセル105の読み取りと関連付けられてよい。しかしながら、本明細書に開示されるような多重化信号展開を用いることによって、同じセンスアンプ290-aによる複数の読み取り動作を行うことは、tA1-tA0の継続時間の整数倍を要しない場合がある(例えば、この場合、整数倍は並列にアクセスしているメモリセル105-bの数量に対応してよい)。むしろ、重複する時間間隔(例えば、信号展開コンポーネント250-a-2の読み取り信号展開部分410-aまたは上書き信号展開部分430-aの時間間隔と重複する、信号展開コンポーネント250-a-1の読み取り信号展開部分410-aまたは上書き信号展開部分430-aの時間間隔など)においてセルアクセス信号(例えば、キャッシュ信号、信号状態)を生成することによって、複数のメモリセル105-bはこのような整数倍より短い時間で読み取り可能である。換言すれば、多重化信号展開のための説明した技法によると、センスアンプ290-aは、4*(tA1-tA0)より短い(例えば、単一のメモリセル105-bを読み取るための継続時間の対応する整数倍より短い)場合がある継続時間の、tA3-tA2の継続時間で4つのメモリセル105-bを読み取ることをサポート可能である。
1つの例では、読み取りの第1のセットの上書き信号展開部分430-a-1、430-a-2、430-a-3、および430-a-4の後に、読み取りの第2のセットの読み取り信号展開部分410-a-5、410-a-6、410-a-7、および410-a-8がそれぞれ行われてよい。読み取りの第1のセットは第1のディジット線インデックス(例えば、論理選択信号DLM1、DLM2、DSM3、およびDLM4によって指示されるような「1」の値)と関連付けられてよく、読み取りの第2のセットは、第2のディジット線インデックス(例えば、論理選択信号DLM1、DLM2、DSM3、およびDLM4によって指示されるような「2」の値)と関連付けられてよい。または、より一般的には、読み取りの第1のセットおよび読み取りの第2のセットは、読み取り動作の選択されたディジット線210-aに少なくとも部分的に基づいて異なっていてよい。
(例えば、ドメイン310-a全体にわたる選択コンポーネント320-aが独立して制御可能である場合の、ドメイン310-a全体にわたる論理選択信号DLMが独立して制御可能である場合の)いくつかの例では、新たなディジット線210-aは、上書き信号展開部分430が同じ信号展開コンポーネント250に対して完了されるとすぐに、(例えば、選択コンポーネント320-aを介して)信号展開コンポーネント250に対して選択されてよい。換言すれば、動作450の例に示されるように、読み取りの第1のセットの上書き信号展開部分430-aは、同じセンスアンプ290-aが多重化された信号展開コンポーネント250-aに対する読み取りの第2のセットの読み取り信号展開部分410-aと時間が重複する場合がある(例えば、読み取り信号展開部分410-a-5は上書き信号展開部分430-a-4に重複する)。よって、ドメイン310-a-1~310-a-4が独立して制御可能である動作450の例において4つのメモリセル105を読み取るための周期性は、いくつかの例では、時間tA1-tA0、または(例えば、選択コンポーネント320-aを介して新たなディジット線210-aの選択と関連付けられた)ある遅延もしくはギャップ期間をtA1-tA0に加えた時間、または読み取り動作と関連付けられた継続時間全体(例えば、tA1-tA0)に基づくその他の継続時間に等しいまたはほぼ等しい時間tA3-tA2、サブ動作の対応するレイテンシ(例えば、読み取り信号展開部分410、ラッチ信号生成部分420、上書き信号展開部分430の相対的な継続時間)、および多重化度(例えば、センスアンプ290-aが多重化された信号展開コンポーネント250-aの数量)によって示されてよい。
いくつかの例では、後続の読み取りは、先の読み取り動作と異なるディジット線210-aと結合されるが、同じアクティブ化されたワード線205-aと結合されるメモリセル105-b上で行われてよく、これによってレイテンシが低減され得る。例えば、選択されたワード線205-aを維持することによって、ワード線非選択動作および後続のワード線選択動作が排除され得る。このような例は、先の読み取り動作と関連付けられたディジット線210-a(例えば、先に分路されてなかったディジット線210-a)を分路すること、およびその後の読み取り動作と関連付けられたディジット線210-a(例えば、先の書き込み動作の間に分路されたディジット線210-a)を分路しないことによって成し遂げられてよい。
示されない別の例では、読み取りのセットは(例えば、論理ワード線WL11、WL21、WL31、およびWL41が同時にアクティブ化される場合)第1の共通のワード線と関連付けられてよく、読み取りの第2のセットは(例えば、論理ワード線WL12、WL22、WL32、およびWL42が同時にアクティブ化される場合)第2の共通のワード線と関連付けられてよい。または、より一般的には、読み取りの第1のセットおよび読み取りの第2のセットは、読み取り動作の選択された共通のワード線205-aに少なくとも部分的に基づいて異なる場合がある。(例えば、ドメイン310-a全体にわたるワード線205-aが独立して制御可能ではない場合の)いくつかの例では、新たなワード線205-aは、ラッチ信号生成部分420が完了する、または上書き信号展開部分430が(例えば、センスアンプ290-a、または独立して制御可能ではないドメイン310-aの他のセットと関連付けられた)多重化信号展開コンポーネント250-aの全てに対して完了するとすぐに、選択可能である。換言すれば、いくつかの例では、読み取りの第1のセットのラッチ信号生成部分420または上書き信号展開部分430は、同じセンスアンプ290-aが多重化された信号展開コンポーネントに対する読み取りの第2のセットの読み取り信号展開部分410と時間が重複しない場合がある。
例えば、ワード線205-aがドメイン310-a-1~310-a-4全体にわたって独立して制御可能ではない時、読み取り信号展開部分410-a-5は、上書き信号展開部分430-a-4に続いて(follow)よい、あるいはこの後(subsequent)でよい。よって、ドメイン310-aが独立して制御可能ではない例における4つのメモリセル105を読み取るための周期性は、1つの読み取り信号展開部分410-a、多重化信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-4に対するラッチ信号生成部分420-a-1~420-a-4のそれぞれ、および(例えば、新たなワード線205-aの選択、または選択コンポーネント280-aを介した新たな信号展開コンポーネント250-aの選択と関連付けられた)任意の関連した遅延またはギャップ期間を加えた1つの上書き信号展開部分430-aの組み合わせられた時間に等しいまたはほぼ等しい場合がある。それ故に、いくつかの例では、ドメイン310-aが独立して制御可能ではない場合のこのような周期性は時間tA2-tA0によって示される周期性より長い場合がある。
よって、本明細書に開示されるような例によると、説明した信号展開多重化によって提供される利点(例えば、並列に複数のメモリセル105-bにアクセスする時のレイテンシの低減)は、読み取り信号展開部分410、ラッチ信号生成部分420、および上書き信号展開部分430のレイテンシ(例えば、継続時間)の相対的な差に対応することができる。説明した信号展開多重化による利点はまた、ドメイン310-aが独立して制御可能である、または共通のアクセス線または共通の論理信号を介して制御されるように構成されるかどうかに依存し得る。
単一のセンスアンプ290-aに関する読み取り動作450の技法について説明されているが、読み取り動作450の技法は、メモリデバイス100における読み取り動作のさらなるパイプライン化をサポートするために並行して(例えば、並列に、同時またはオフセット開始もしくはトリガで)行われるさまざまな動作を含んで、センスアンプアレイのそれぞれのセンスアンプ290に対して繰り返されてよい。例えば、読み取り動作450、または読み取り動作450と並行して行われるまたはこれからオフセットされる別の読み取り動作は、(例えば、同じセンスアンプアレイの)異なるセンスアンプ290と関連付けられた読み取り信号展開部分410-b-1、410-b-2、410-b-3、および410-b-4(図示せず)を含む信号展開動作を含んでよい。いくつかの例では、読み取り信号展開部分410-b-1は(例えば、行、ドメイン、またはサブドメインの複数のメモリセルの同時アクセスに従って、キャッシュラインとの並列信号交換に従って)読み取り信号展開部分410-a-1と同時に開始されてよい、あるいはこれと並行して行われてよいまたはこれからオフセットされてよい。同様に、読み取り信号展開部分410-b-2は、読み取り信号展開部分410-a-2と同時に開始されてよい、あるいはこれと並行して行われてよいまたはこれからオフセットされてよく、他同様であってよい。
さらに、読み取り動作450、または読み取り動作450と並行して行われる別の読み取り動作は、(例えば、同じセンスアンプアレイの)異なるセンスアンプ290と関連付けられたラッチ信号生成部分420-b-1、420-b-2、420-b-3、および420-b-4(図示せず)を含む入力/出力動作を含んでよい。いくつかの例では、ラッチ信号生成部分420-b-1は、(例えば、センスアンプアレイにおける同時検知に従って、検知コンポーネントまたはI/Oコンポーネントのラッチのセットにおける同時ラッチに従って、キャッシュラインとの並列信号交換に従って)ラッチ信号生成部分420-a-1と同時に開始されてよい、あるいはこれと並行して行われてよいまたはこれからオフセットされてよい。同様に、ラッチ信号生成部分420-b-2は、ラッチ信号生成部分420-a-2と同時に開始されてよい、あるいはこれと並行して行われてよいまたはこれからオフセットされてよく、他同様であってよい。2つの異なるセンスアンプ290と関連付けられた2つの並列読み取りの文脈で説明したが、説明した技法は、並列読み取りの任意の数量に適用されてよい。例えば、64ビットの情報転送方式をサポートするために、64の並列読み取りは、本明細書に開示されるような例に従って64個のセンスアンプ290を使用して行われてよい。
いくつかの例において、読み取り動作450は、読み取りブロードキャスト動作の一部であってもよい。読み取りブロードキャストは、メモリアレイの1つまたは複数の場所(例えば、1つまたは複数のドメイン310-a)から信号展開コンポーネント250-aのセットの複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリアレイの場所と結合されたアクセス線(例えば、ワード線205-a、ディジット線210-a、プレート線215-a等)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、(例えば、選択コンポーネント280-aの)1つまたは複数のマルチプレクサが作用するようになっていてもよい。例えば、信号展開コンポーネント250-aのセット中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットを1つまたは複数のマルチプレクサと同時に結合させて、メモリアレイからデータパターンを記憶するようにしてもよい。
図5Aは、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする書き込み動作500の一例を示している。書き込み動作500は、メモリセル105にアクセスする時にラッチ信号およびセルアクセス信号(例えば、セル書き込み信号)を生成することと関連付けられるアクセス動作の部分(例えば、時間間隔)を示すことができる。例えば、書き込み動作500は、ラッチ信号生成部分510および書き込み信号展開部分520(例えば、セル書き込み部分)に分類されてよい。書き込み動作500では、図3を参照して説明した回路300等、読み取りブロードキャスト動作をサポートする回路網を採用するようにしてもよい。実例として、回路300のメモリセル105-b-111に論理状態を書き込むことに関する書き込み動作500について説明されているが、書き込み動作500は回路300のメモリセル105-bの任意の1つまたは複数に対して行われ得る動作を例証するものであってよい。
ラッチ信号生成部分510は、信号展開コンポーネント250-a-1とセンスアンプ290-aとの間の電荷共有と関連付けられてよい。ラッチ信号生成部分510は、I/O線295-aを介して受信される(例えば、入力/出力コンポーネント160またはメモリコントローラ170からの)書き込みコマンドまたは書き込み信号に少なくとも部分的に基づいてセンスアンプ290-aまたは信号展開コンポーネント250-a-1におけるラッチ信号(例えば、キャッシュ信号、信号状態)を生成する一例であってよい。いくつかの例では、センスアンプ290-aまたは信号展開コンポーネント250-a-1においてラッチ信号を生成することは、読み取り動作400および450を参照して説明されるラッチ信号生成部分420の第2のレイテンシと同じであってまたは異なっていてよい第4のレイテンシ(例えば、比較的低いレイテンシまたは短い継続時間)と関連付けられる。
ラッチ信号生成部分510は、(例えば、ラッチ信号生成部分510の始めに、または、I/O線295-aを介して書き込みコマンドまたは書き込み信号を受信した後など、ラッチ信号生成部分510の他の動作後の別の時間に)信号展開コンポーネント250-a-1をセンスアンプ290-aに選択的に結合することを含んでよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1をセンスアンプ290-aと選択的に結合することは、論理選択信号SDCMに基づく選択コンポーネント280-aを介した選択を含んでよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1をセンスアンプ290-aと選択的に結合することは、信号展開コンポーネント250-a-1とセンスアンプ290-aとの間のその他の切り換えコンポーネント(例えば、分離切り換えコンポーネント)を介した選択的結合を含んでよい。
いくつかの例では、ラッチ信号生成部分510は、センスアンプ290-aを「作動させること」を含んでよく、これは1つまたは複数の電圧源をセンスアンプ290-a(例えば、低電圧源293、高電圧源294)と選択的に結合することを含んでよい。よって、ラッチ信号は、(例えば、I/O線295-aを介して受信された)書き込みコマンドまたは書き込み信号に少なくとも部分的に基づくセンスアンプ290-aで生成されてよい。生成されたラッチ信号、または生成されたラッチ信号と関連付けられたその他の信号は、メモリセル105-b-111の書き込みをサポートするために(例えば、信号展開コンポーネント250-a-1のキャッシュ要素におけるキャッシュ信号または信号状態を記憶する)信号展開コンポーネント250-a-1に渡されて、あるいはこれと共有されてよい。例えば、生成されたラッチ信号に基づいて(例えば、メモリセル105-b-111が論理0または論理1を記憶するかどうかに基づいて)、書き込み信号は、ラッチ信号生成部分510の一部として(例えば、信号展開線255-a-1を介して)信号展開コンポーネント250-a-1と共に渡されてあるいは共有されてまたは生成されてよい。
書き込み信号展開部分520は、メモリセル105-b-111、ディジット線210-a-11、および信号展開コンポーネント250-a-1の間の電荷共有と関連付けられてよい。書き込み信号展開部分520は、センスアンプ290-aのラッチ信号に少なくとも部分的に基づいて信号展開コンポーネント250-a-1においてまたはこれを使用してセルアクセス信号(例えば、セル書き込み信号)を展開する一例であってよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1において書き込み信号を展開することは、読み取り動作400および450を参照して説明される上書き信号展開部分430の第3のレイテンシに等しくても等しくなくてもよい第5のレイテンシ(例えば、比較的高いレイテンシまたは長い継続時間)と関連付けられる。ラッチ信号生成部分510から書き込み信号展開部分520への移行は、(例えば、選択コンポーネント280-aまたは分離切り換えコンポーネントを介して)信号展開コンポーネント250-a-1をセンスアンプ290-aから選択的に切り離すことまたは分離することを含んでよい。
書き込み動作のいくつかの例では、回路300は、メモリセル105-b-111を高電圧源(例えば、信号展開コンポーネント250-a-1を介した高電圧レール)と結合するように構成されてよく、これは、プルアップまたはプルダウン回路網(例えば、トランジスタまたは他の切り換えコンポーネント、信号展開コンポーネント250-a-1)による直接結合であってよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-a-1は、コンデンサまたは他の電荷蓄積コンポーネントによって構成されてよく、ラッチ信号生成部分510または書き込み信号展開部分520は、(例えば、書き込み信号展開部分520の間)メモリセル105-b-111に上書きするのに十分である電荷でコンデンサまたは他の電荷蓄積コンポーネントを充電することまたはリフレッシュすることを含んでよい。よって、さまざまな例では、信号展開コンポーネント250-a-1は論理状態をメモリセル105-b-111に書き込んでよく、これは、信号展開コンポーネント250-a-1がセンスアンプ290-aから選択的に切り離される間に行われてよいため、センスアンプ290-aは他の信号展開コンポーネント250-aによる動作を自由にサポートする。
書き込み信号展開部分520の電荷共有はまた、書き込みコマンドに基づいて論理状態をメモリセル105-b-111に書き込むことを含んでよい、行プリチャージ遅延として既知の遅延またはレイテンシと関連付けられてよい。例えば、論理0を書き込むために、ディジット線210-a-11は正電圧(例えば、1.5V)にバイアスがかけられてよく、プレート線215-a-11は接地または負電圧(例えば、0V)にバイアスがかけられてよい。論理1を書き込むために、ディジット線210-a-11は接地または負電圧(例えば、0V)にバイアスがかけられてよく、プレート線215-a-11は正電圧(例えば、1.5V)にバイアスがかけられてよい。ディジット線210-a-11およびプレート線215-a-11にバイアスをかけることは、(例えば、センスアンプ290-aが信号展開コンポーネント250-a-1から選択的に分離される前に)生成されたラッチ信号に少なくとも部分的に基づいてよい。例えば、書き込み信号展開部分520の間、信号展開コンポーネント250-a-1は、ラッチ信号に少なくとも部分的に基づいて(例えば、書き込みコマンドに少なくとも部分的に基づいて)、ディジット線210-a-11を正電圧または接地電圧のどちらかにバイアスをかけることができる。書き込み信号展開部分520の終わりに、ドメイン310-a-1の、ディジット線210-a-11の全ておよびプレート線215-aの全ては、効果的にはドメイン310-a-11のメモリセル105-bのそれぞれ全体にわたるバイアスを等化するように、接地電圧でバイアスがかけられてよく、これによって、経時的にメモリセル105-bによって記憶された論理状態を維持することがサポート可能である。
いくつかの例では、分路330-a-12~330-a-1rなど、ドメイン310-a-1の他のメモリセル105-bと関連付けられた分路330-aは、書き込み信号展開部分520の間選択されてまたはアクティブ化されてよく、これによって、アクセスしていないメモリセル105-b全体にわたるバイアスが等化され得る(例えば、ディジット線210-a-12とプレート線215-a-12との間のバイアスを等化する、ディジット線210-a-1rとプレート線215-a-1rとの間のバイアスを等化するなど)。バイアスのこのような等化は、書き込み信号展開部分520の間に書き込まれているメモリセル105-b-111以外のメモリセル105-bの(例えば、電荷漏洩による)データの損失を防止または低減することができる。
書き込み動作500は、ラッチ信号生成部分510、および、単一のメモリセル105-b-111に書き込むための書き込み信号展開部分520を含む、tB1-tB0の総継続時間を有する単一のメモリセル105-b-11の書き込みと関連付けられてよい。書き込み動作500が多重化信号展開技法(例えば、同じ信号展開コンポーネント250を使用する書き込み動作500のシーケンス)を用いない例では、センスアンプ290-aを用いる後続の書き込み動作は書き込み信号展開部分520の後に行われてよい。よって、同じ信号展開コンポーネント250を使用して複数の書き込み動作500を行うこと(例えば、複数のメモリセル105-bに書き込むこと)は、継続時間tB1-tB0の整数倍(例えば、2つのメモリセル105-bを読み取るための少なくとも2*(tB1-tB0))を伴ってよい。しかしながら、(例えば、選択コンポーネント280-aを介して)信号展開コンポーネント250-aを多重化することによって、センスアンプ290-aが複数のメモリセル105-bに書き込むために関わる時間が低減され得る。
いくつかの例において、書き込み動作500は、(例えば、読み取り-書き込み動作、読み取り-修正-書き込み動作等の一部として)読み取りブロードキャスト動作に従ったものであってもよく、読み取りブロードキャスト動作に従って、回路300の複数のメモリセル105-bにデータを書き戻すために用いられるようになっていてもよい。読み取りブロードキャストは、メモリアレイの1つまたは複数の場所(例えば、1つまたは複数のドメイン310-a)から信号展開コンポーネント250-aのセットの複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリアレイの場所と結合されたアクセス線(例えば、ワード線205-a、ディジット線210-a、プレート線215-a等)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、(例えば、選択コンポーネント280-aの)1つまたは複数のマルチプレクサが作用するようになっていてもよい。例えば、信号展開コンポーネント250-aのセット中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットを1つまたは複数のマルチプレクサと同時に結合させて、メモリアレイからデータパターンを記憶するようにしてもよい。
図5Bは、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする書き込み動作550の一例を示している。書き込み動作550は、(例えば、4つの信号展開コンポーネント250を介して)4つのメモリセル105にアクセスする時にラッチ信号およびセルアクセス信号(例えば、セル書き込み信号)を生成することと関連付けられるアクセス動作(例えば、マルチセルアクセス動作)の部分(例えば、時間間隔)を示すことができる。例えば、書き込み動作550は、メモリセル105-bのセットのそれぞれに対する、ラッチ信号生成部分510-aおよび書き込み信号展開部分520-aに分類されてよく、これは図5Aを参照して説明される対応する部分の例とすることができる。書き込み動作550では、図3を参照して説明した回路300等、読み取りブロードキャスト動作をサポートする回路網を採用するようにしてもよい。書き込み動作550は、メモリデバイスにおけるデータスループットを改善可能である、信号展開動作を入力/出力動作から分ける一例を示す。
実例として、4つの異なるドメイン310-aの4つのメモリセル105-bに論理状態を書き込むことに関する書き込み動作550について説明する。この場合、異なるドメインのそれぞれは、センスアンプ290-aが多重化された対応する信号展開コンポーネント250-aと関連付けられる。ラッチ信号生成部分510-a-1および書き込み信号展開部分520-a-1は、例えば、(例えば、信号展開コンポーネント250-a-1と関連付けられた、ドメイン310-a-1の)メモリセル105-b-111の書き込み動作を指す場合がある。ラッチ信号生成部分510-a-2および書き込み信号展開部分520-a-2は、例えば、(例えば、信号展開コンポーネント250-a-2と関連付けられた、示されないドメイン310-a-2の)メモリセル105-b-211の書き込み動作を指す場合がある。ラッチ信号生成部分510-a-3および書き込み信号展開部分520-a-3は、例えば、(例えば、信号展開コンポーネント250-a-3と関連付けられた、示されないドメイン310-a-3の)メモリセル105-b-311の書き込み動作を指す場合がある。ラッチ信号生成部分510-a-4および書き込み信号展開部分520-a-4は、例えば、(例えば、信号展開コンポーネント250-a-4と関連付けられた、示されないドメイン310-a-4の)メモリセル105-b-411の書き込み動作を指す場合がある。信号展開コンポーネント250-a-1、250-a-2、250-a-3、および250-a-4のそれぞれは、(例えば、論理選択信号SDCMに基づいて)選択コンポーネント280-aを介して同じセンスアンプ290-aと選択的に結合されてよい。
ラッチ信号生成部分510-aのそれぞれは、信号展開コンポーネント250-a-1の各1つと、センスアンプ290-aの各1つとの間の電荷共有と関連付けられてよく、これは重複しない時間間隔で生じ得る。ラッチ信号生成部分510-aはそれぞれ、信号展開コンポーネント250-aをセンスアンプ290-a(例えば、アンプコンポーネント)と選択的に結合することに少なくとも部分的に基づいて信号展開コンポーネント250-aにおいて信号(例えば、キャッシュ信号、信号状態)を生成する一例であってよい。いくつかの例では、このような信号は、書き込みコマンドまたは書き込み信号に少なくとも部分的に基づいて生成されてよい。いくつかの例では、ラッチ信号、キャッシュ信号、または信号状態を生成することは、第4のレイテンシ(例えば、比較的低いレイテンシまたは短い継続時間)と関連付けられる。
ラッチ信号生成部分510-a-1は、(例えば、選択コンポーネント280-aを介して)第1の時間間隔の間にかつメモリセル105-b-111(例えば、第1のメモリセル)にアクセスするように判断することに少なくとも部分的に基づいて、信号展開コンポーネント250-a-1(例えば、第1の信号展開コンポーネント)をセンスアンプ290-a(例えば、アンプコンポーネント)と結合する一例であってよい。ラッチ信号生成部分510-a-2は、(例えば、選択コンポーネント280-aを介して)第1の時間間隔の後の第2の時間間隔の間にかつメモリセル105-b-211(第2のメモリセル)にアクセスするように判断することに少なくとも部分的に基づいて、信号展開コンポーネント250-a-2(例えば、第2の信号展開コンポーネント)をセンスアンプ290-aと結合する一例であってよい。
ラッチ信号生成部分510-a-1~510-a-4は、(例えば、I/O線295-aを介して受信されるように)メモリセル書き込みコマンドまたは信号のシーケンスに少なくとも部分的に基づいてよいシーケンスに従って行われてよい。このようなシーケンスはまた、論理選択信号SDCMによって選択あるいは指示された信号展開コンポーネント250-aのシーケンスに対応し得る。いくつかの例では、ラッチ信号生成部分510-aのそれぞれは、ギャップまたは遅延期間(例えば、ラッチ信号生成部分510-a-1とラッチ信号生成部分510-a-2との間の期間)によって分けられてよく、この期間は、選択コンポーネント280-aのギャップもしくは遅延、論理選択信号SDCMの値を変更することと関連付けられたギャップもしくは遅延、または、信号展開コンポーネント250-aがセンスアンプ290-aと結合されない期間と関連付けられてよい。換言すれば、アクセス動作は、1つの信号展開コンポーネント250-aがセンスアンプ290-aから選択的に切り離される時と、別の信号展開コンポーネント250-aがセンスアンプ290-aと選択的に切り離される時との間のギャップまたは遅延期間を含んでよい。他の例では、このような切り離しおよび結合は同時に生じるように構成されてよい。
いくつの例では、ラッチ信号生成部分510-aは、センスアンプ290-aを「作動させること」を含んでよく、これは1つまたは複数の電圧源をセンスアンプ290-a(例えば、低電圧源293、高電圧源294)と選択的に結合することを含んでよい。よって、ラッチ信号生成部分510-a-1~510-a-4のシーケンスによると、信号のシーケンスは、書き込みコマンドまたは信号の対応するシーケンスに少なくとも部分的に基づくセンスアンプ290-aまたは信号展開コンポーネント250-aで生成されてよい。
1つまたは複数の信号は、書き込み動作の一部としてまたはこれに関連してセンスアンプ290と信号展開コンポーネント250との間で転送されてよい。例えば、生成されたラッチ信号はまた、各書き込み動作をサポートするために、信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-4に再び渡されてあるいはこれと共有されてよい。例えば、生成されたラッチ信号に基づいて(例えば、メモリセル105-bが論理0または論理1を記憶するかどうかに基づいて)、書き込み信号は、ラッチ信号生成部分510-aの一部として信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-4の各1つと共に渡されてあるいは共有されてよい。
書き込み信号展開部分520-aは、メモリセル105-bの各1つ、ディジット線210-aの各1つ、および信号展開コンポーネント250-aの各1つの間の電荷共有と関連付けられてよい。書き込み信号展開部分520-aはそれぞれ、センスアンプ290-aのラッチ信号に少なくとも部分的に基づいて信号展開コンポーネント250-aにおけるセルアクセス信号(例えば、セル書き込み信号)を展開する一例であってよい。ラッチ信号生成部分510から対応する書き込み信号展開部分520-aへの移行は、対応する信号展開コンポーネント250-aを(例えば、選択コンポーネント280-aまたは別の分離切り換えコンポーネントを介して)センスアンプ290-aから選択的に分離することを含んでよい。書き込み信号展開部分520-a-1は、第1の時間間隔の後の第3の時間間隔の間に、信号展開コンポーネント250-a-1(例えば、第1の信号展開コンポーネント)をメモリセル105-b-111(例えば、第1のメモリセル)と結合する一例であってよい。いくつかの例では、第2の時間間隔は第3の時間間隔内である、またはこれに少なくとも部分的に重複している。書き込み信号展開部分520-a-2は、第3の時間間隔に重複する第2の時間間隔の後の第4の時間間隔の間に、信号展開コンポーネント250-a-2(例えば、第2の信号展開コンポーネント)をメモリセル105-b-211(例えば、第2のメモリセル)と結合する一例であってよい。
書き込み信号展開部分520-aのいくつかの例では、対応するドメイン310-aの他のメモリセル105-bと関連付けられた分路330-aは選択されてまたはアクティブ化されてよく、これによって、アクセスしていないメモリセル105-b全体にわたるバイアスが等化され得る。例えば、ドメイン310-a-1について、書き込み信号展開部分520-a-1の間、ディジット線210-a-12とプレート線215-a-12との間のバイアスは分路330-a-12を介して等化されてよく、ディジット線210-a-13とプレート線215-a-13との間のバイアスは分路330-a-13を介して等化されてよく、その他同様に行われてよい。バイアスのこのような等化は、書き込み信号展開部分520-aの間にアクセスしているメモリセル105-b以外のメモリセル105-bの(例えば、電荷漏洩による)データの損失を防止または低減することができる。
書き込み動作500と同様に、書き込み動作550はまた、ラッチ信号生成部分510-a-1、および、単一のメモリセル105-b-111に書き込むための書き込み信号展開部分520-a-1を含んでよい、tB1-tB0の総継続時間を有する(例えば、センスアンプ290-aによる)単一のメモリセル105の書き込みと関連付けられてよい。しかしながら、本明細書に開示されるような例による多重化信号展開を用いることによって、同じセンスアンプ290-aによる複数の書き込み動作を行うことは、tB1-tB0の継続時間の整数倍を要しない場合がある(例えば、この場合、整数倍は並列に書き込まれているメモリセル105-bの数量に対応してよい)。むしろ、重複する時間間隔(例えば、信号展開コンポーネント250-a-2の書き込み信号展開部分520-a-1の時間間隔と重複する、信号展開コンポーネント250-a-1の書き込み信号展開部分520-aの時間間隔など)においてセルアクセス信号を生成することによって、複数のメモリセル105-bはこのような整数倍より短い時間で書き込み可能である。換言すれば、多重化信号展開のための説明した技法によると、センスアンプ290-aは、4*(tB1-tB0)より短い(例えば、単一のメモリセル105-bを書き込むための継続時間の対応する整数倍より短い)場合がある継続時間の、tB2-tB0の継続時間で4つのメモリセル105-bを書き込むことをサポート可能である。
1つの例では、書き込みの第1のセットの書き込み信号展開部分520-a-1、520-a-2、520-a-3、および520-a-4の後に、書き込みの第2のセットのラッチ信号生成部分510-a-5、510-a-6、510-a-7、および510-a-8がそれぞれ行われてよい。書き込みの第1のセットは第1のディジット線インデックス(例えば、論理選択信号DLM1、DLM2、DLM3、およびDLM4によって指示されるような「1」の値)と関連付けられてよく、書き込みの第2のセットは、第2のディジット線インデックス(例えば、論理選択信号DLM1、DLM2、DLM3、およびDLM4によって指示されるような「2」の値)と関連付けられてよい。または、より一般的には、書き込みの第1のセットおよび書き込みの第2のセットは、書き込み動作の選択されたディジット線210-aに少なくとも部分的に基づいて異なっていてよい。(例えば、ドメイン310-a全体にわたる選択コンポーネント320-aが独立して制御可能である場合の、ドメイン310-a全体にわたる論理選択信号DLMが独立して制御可能である場合の)いくつかの例では、新たなディジット線210-aは、書き込み信号展開部分520-aが同じ信号展開コンポーネント250に対して完了されるとすぐに、(例えば、選択コンポーネント320-aを介して)信号展開コンポーネント250に対して選択されてよい。換言すれば、動作550の例に示されるように、書き込みの第1のセットの書き込み信号展開部分520-aは、同じセンスアンプ290-aが多重化された信号展開コンポーネント250-aに対する書き込みの第2のセットのラッチ信号生成部分510-aと時間が重複する場合がある(例えば、ラッチ信号生成部分510-a-5は書き込み信号展開部分520-a-4に重複する)。よって、ドメイン310-a-1~310-a-4が独立して制御可能である動作550の例において4つのメモリセル105を書き込むための周期性は、書き込み動作と関連付けられた継続時間全体(例えば、tB1-tB0)に基づくことができる時間tB2-tB0、サブ動作の対応するレイテンシ(例えば、ラッチ信号生成部分510-aおよび書き込み信号展開部分520-aの相対的な継続時間)、および多重化度(例えば、センスアンプ290-aが多重化された信号展開コンポーネント250-aの数量)によって示されてよい。
いくつかの例では、後続の書き込みは、先の書き込み動作と異なるディジット線210-aと結合されるが、同じアクティブ化されたワード線205-aと結合されるメモリセル105-b上で行われてよく、これによってレイテンシが低減され得る。例えば、選択されたワード線205-aを維持することによって、ワード線非選択動作および後続のワード線選択動作が排除され得る。このような例は、先の書き込み動作と関連付けられたディジット線210-a(例えば、先に分路されてなかったディジット線210-a)を分路すること、およびその後の書き込み動作と関連付けられたディジット線210-a(例えば、先の書き込み動作の間に分路されたディジット線210-a)を分路しないことによって成し遂げられてよい。
示されない別の例では、書き込みのセットは(例えば、種々のドメインの論理ワード線WL11、WL21、WL31、およびWL41が同時にアクティブ化される場合)第1の共通のワード線と関連付けられてよく、書き込みの第2のセットは(例えば、種々のドメインの論理ワード線WL12、WL22、WL32、およびWL42が同時にアクティブ化される場合)第2の共通のワード線と関連付けられてよい。または、より一般的には、書き込みの第1のセットおよび書き込みの第2のセットは、書き込み動作の選択された共通のワード線205-aに少なくとも部分的に基づいて異なる場合がある。(例えば、ドメイン310-a全体にわたるワード線205-aが独立して制御可能ではない場合の)いくつかの例では、新たなワード線205-aは、書き込み信号展開部分520が(例えば、センスアンプ290-a、または独立して制御可能ではないドメイン310-aの他のセットと関連付けられた)多重化信号展開コンポーネント250-aの全てに対して完了するとすぐに、選択可能である。換言すれば、いくつかの例では、書き込みの第1のセットの書き込み信号展開部分520は、同じセンスアンプ290-aで多重化された信号展開コンポーネント250に対する書き込みの第2のセットのラッチ信号生成部分510と時間が重複しない場合がある。
例えば、ワード線205-aがドメイン310-a-1~310-a-4全体にわたって独立して制御可能ではない時、ラッチ信号生成部分510-a-5は、書き込み信号展開部分520-a-4に続いてよい、あるいはこの後でよい。よって、ドメイン310-aが独立して制御可能ではない例において4つのメモリセル105に書き込むための周期性は、ラッチ信号生成部分510-a-1~510-a-4のそれぞれ、および多重化信号展開コンポーネント250-a-1~250-a-4に対する書き込み信号展開部分520-aの1つの組み合わせられた時間に等しいまたはほぼ等しい場合がある。それ故に、いくつかの例では、ドメイン310-aが独立して制御可能ではない場合のこのような周期性は時間tB2-tB0によって示される周期性より長い場合がある。
よって、本明細書に開示されるようなさまざまな例によると、説明した信号展開多重化によって提供される利点(例えば、並列に複数のメモリセル105-bにアクセスする時のレイテンシの低減)は、ラッチ信号生成部分510および書き込み信号展開部分520のレイテンシ(例えば、継続時間)の相対的な差に対応することができる。説明した信号展開多重化の利点はまた、ドメイン310-aが独立して制御可能であるように構成されるか、または共通のアクセス線または共通の論理信号を介して制御されるかどうかに依存し得る。
単一のセンスアンプ290-aに関する書き込み動作550の技法について説明されているが、書き込み動作550の技法は、メモリデバイス100における書き込み動作のさらなるパイプライン化をサポートするために並行して(例えば、並列に、同時またはオフセット開始もしくはトリガで)行われるさまざまな動作を含んで、センスアンプアレイのそれぞれのセンスアンプ290に対して繰り返されてよい。例えば、書き込み動作550、または書き込み動作550と並行して行われる別の書き込み動作は、(例えば、同じセンスアンプアレイの)異なるセンスアンプと関連付けられたラッチ信号生成部分510-b-1、510-b-2、510-b-3、および510-b-4(図示せず)を含む入力/出力動作を含んでよい。いくつかの例では、ラッチ信号生成部分510-b-1は(例えば、センスアンプアレイにおける同時検知に従って、検知コンポーネントまたはI/Oコンポーネントのラッチのセットにおける同時ラッチに従って、キャッシュラインとの並列信号交換に従って)ラッチ信号生成部分510-a-1と同時に開始されてよい、あるいはこれと並行して行われてよいまたはこれからオフセットされてよい。同様に、ラッチ信号生成部分510-b-2は、ラッチ信号生成部分510-a-2と同時に開始されてよい、あるいはこれと並行して行われてよいまたはこれからオフセットされてよく、他同様であってよい。
さらに、書き込み動作550、または書き込み動作550と並行して行われるまたはオフセットされる別の書き込み動作は、(例えば、同じセンスアンプアレイの)異なるセンスアンプと関連付けられた書き込み信号展開部分520-b-1、520-b-2、520-b-3、および520-b-4(図示せず)を含む信号展開動作を含んでよい。いくつかの例では、書き込み信号展開部分520-b-1は、(例えば、行、ドメイン、またはサブドメインの複数のメモリセルの同時アクセスに従って、キャッシュラインとの並列信号交換に従って)書き込み信号展開部分520-a-1と同時に開始されてよい、あるいはこれと並行して行われてよいまたはこれからオフセットされてよい。同様に、書き込み信号展開部分520-b-2は、書き込み信号展開部分520-a-2と同時に開始されてよい、あるいはこれと並行して行われてよいまたはこれからオフセットされてよく、他同様であってよい。2つの異なるセンスアンプ290と関連付けられた2つの並列書き込みの文脈で説明したが、説明した技法は、並列書き込みの任意の数量に適用されてよい。例えば、64ビットの情報転送方式をサポートするために、64の並列書き込みは、本明細書に開示されるような例に従って64のセンスアンプ290を使用して行われてよい。
いくつかの例において、書き込み動作550は、(例えば、読み取り-書き込み動作、読み取り-修正-書き込み動作等の一部として)読み取りブロードキャスト動作に従ったものであってもよく、読み取りブロードキャスト動作に従って、回路300の複数のメモリセル105-bにデータを書き戻すために用いられるようになっていてもよい。読み取りブロードキャストは、メモリアレイの1つまたは複数の場所(例えば、1つまたは複数のドメイン310-a)から信号展開コンポーネント250-aのセットの複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリアレイの場所と結合されたアクセス線(例えば、ワード線205-a、ディジット線210-a、プレート線215-a等)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、(例えば、選択コンポーネント280-aの)1つまたは複数のマルチプレクサが作用するようになっていてもよい。例えば、信号展開コンポーネント250-aのセット中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットを1つまたは複数のマルチプレクサと同時に結合させて、メモリアレイからデータパターンを記憶するようにしてもよい。
図6は、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする信号展開コンポーネント250-bの一例を示している。信号展開コンポーネント250-bは、図1~図5を参照して説明される信号展開コンポーネント250の一例であってよい。信号展開コンポーネント250-bはディジット線210-bおよび信号展開線255-bとまたはこれらの間で結合されてよい。信号展開コンポーネント250-bは、コンデンサ610(例えば、積分器コンデンサ、記憶素子、キャッシュ要素、キャッシュ記憶素子)、および(例えば、電荷転送センスアンプとして、カスコードとして)アンプ構成で構成されてよいトランジスタ620を含んでよい。
コンデンサ610は、信号展開コンポーネント250-bの信号記憶コンポーネントまたは電荷蓄積コンポーネントの一例であってよい。信号展開コンポーネント250-bの例では、コンデンサ610は、信号展開コンポーネント250-bの線(例えば、信号展開線255-b)および電圧源615(例えば、接地電圧源、コンデンサ610用の基準電圧を有する電圧源)とまたはこれらの間で結合されてよい。コンデンサ610を含むように示されているが、本明細書に開示されるような例による信号展開コンポーネント250は、さらにまたは代替的には、信号展開コンポーネント250における信号記憶コンポーネントまたは電荷蓄積コンポーネントの機能性を与えることができる、特定の状態、ダイオード、または他のコンポーネントを含んであるいは用いてよい。いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-bのセットは、信号展開コンポーネント250-bのセットを含むデバイスにおいて高速でローカルなメモリ内キャッシュを提供可能であるコンデンサ610のセットを含んでよい。
いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-bを含むメモリデバイスは、容量性素子(例えば、DRAM応用における線形コンデンサ、FeRAM応用における強誘電コンデンサ)を含む論理記憶素子を用いるメモリセル105を含んでよい。さまざまな例では、コンデンサ610は、論理記憶素子と同じ容量性素子もしくは技術(例えば、コンデンサ610はDRAM応用における線形コンデンサであってよく、コンデンサ610はFeRAM応用における強誘電コンデンサであってよい)、または、論理記憶素子と異なる容量性素子もしくは技術(例えば、コンデンサ610は、FeRAM応用、PCM応用、またはカルコゲニドメモリ応用における線形コンデンサであってよい)を含んでよい。
トランジスタ620は信号展開コンポーネント250-bのアンプまたは電圧調整器の一例であってよく、かつ、信号展開線255-bの電圧およびディジット線210-bの電圧の1つまたは両方に少なくとも部分的に基づいて、信号展開線255-b(例えば、第1のアクセス線)とディジット線210-b(例えば、第2のアクセス線)との間で電荷を転送するように構成されてよい。例えば、トランジスタ620のゲートノードは電圧源625と結合されてよく、電荷は電圧源625(例えば、V2)とディジット線210-bの電圧との間の関係に少なくとも部分的に基づいてトランジスタ全体にわたって転送させてよい。さまざまな例では、トランジスタ620は、1つまたは複数のディジット線210(例えば、多重化ディジット線210)と関連付けられてよく、かつ(例えば、多重化ディジット線210のセットのそれぞれに対してトランジスタ620を含むメモリデバイスの例において)信号展開コンポーネント250-bの例示の境界の外側に位置してよい。
トランジスタ620は、ディジット線210-bと信号展開線255-bとの間の信号の変換をもたらすことができる。例えば、トランジスタ620は、ディジット線210-bの電圧の低下時に(例えば、メモリセル105の選択時に、選択コンポーネント320を介したディジット線210の選択時に)電圧源625によって供給されるまたは有効にされるように、信号展開線255-bから(例えば、コンデンサ610から)ディジット線210-bへの電荷(例えば、電流)の流れを可能にすることができる。ディジット線210-bへの比較的小さい電荷の流れは、信号展開線255-bの比較的小さい電圧の変化と関連付け可能であるのに対し、ディジット線210-bへの比較的大きい電荷の流れは、信号展開線255-aの比較的大きい電圧の変化と関連付け可能である。(例えば、コンデンサ610を含む)信号展開線255-bの正味容量によると、例えば、信号展開線255-bは、メモリセル105を選択後のトランジスタ620全体にわたる電荷の流れに応じて比較的小さい電圧の変化または比較的大きい電圧の変化が生じ得る。いくつかの例では、トランジスタ620または信号展開コンポーネント250-bは、切り換えコンポーネントまたは選択コンポーネント(例えば、選択コンポーネント320)によってディジット線210-bから分離されてよい。トランジスタ620は、ディジット線210-bの電圧に応答してトランジスタ620が電荷の流れをどのように加減するかに関する「電圧調整器」または「バイアスコンポーネント」と称されてもよい。
いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-bは比較的高い電圧(例えば、電圧源635)との(例えば、信号展開線255-bの)選択的結合をサポートするように構成される回路網を含んでよい。例えば、信号展開コンポーネント250-bは、論理信号SW1に基づいて動作可能である切り換えコンポーネント630を含むことができる。いくつかの例では、電圧源645は、(例えば、セルアクセス信号を展開するために)コンデンサ610を充電することをサポートすることができる比較的高い電圧レールまたは供給と結合されてよい。
いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-bは、基準電圧(例えば、電圧源645)との(例えば、ディジット線210-bの)選択的結合をサポートするように構成される回路網を含んでよい。例えば、信号展開コンポーネント250-bは、論理信号SW2に基づいて動作可能である切り換えコンポーネント640を含むことができる。いくつかの例では、電圧源645は、接地または仮想接地レールもしくは供給と結合されてよい。いくつかの例では、電圧源645は、電圧源615と同じレールまたは供給と結合されてよい(例えば、V1はV4に等しくてよい)。
いくつかの例では、信号展開コンポーネント250-bは、別のコンポーネント(例えば、選択コンポーネント280、センスアンプ290)との(例えば、信号展開線255-bの、信号展開コンポーネント250-bの)選択的結合をサポートするように構成される回路網を含んでよい。例えば、信号展開コンポーネント250-bは、分離切り換えコンポーネントと称されてよい切り換えコンポーネント650を含んでよく、かつ論理信号ISOに基づいて動作可能であってよい。さらにまたは代替的には、分離切り換えコンポーネントは、本明細書に開示されるような例によるセンスアンプ290に含まれてよい。
いくつかの例において、信号展開コンポーネント250-bは、読み取りブロードキャスト動作を可能にし得る。読み取りブロードキャストは、メモリアレイの1つまたは複数の場所(例えば、1つまたは複数のドメイン)から信号展開コンポーネント250-bのセットの複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリアレイの場所と結合されたアクセス線(例えば、ワード線205、ディジット線210、プレート線215等)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、(例えば、選択コンポーネント280の)1つまたは複数のマルチプレクサが作用するようになっていてもよい。例えば、信号展開コンポーネント250-bのセット中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットを1つまたは複数のマルチプレクサと同時に結合させて、メモリアレイからデータパターンを記憶するようにしてもよい。
図7は、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートするセンスアンプ290-bの一例を示している。センスアンプ290-bは図1~図5を参照して説明されるセンスアンプ290の一例であってよい。センスアンプ290-bは、信号線285-bおよび基準線275-bとまたはこれらの間で結合されてよい。センスアンプ290-bはまた、I/O線295-bおよび295-cと関連付けられて(例えば、結合されて)よい。いくつかの例では、センスアンプ290-bはメモリデバイスのアンプコンポーネントと称されてよい。
センスアンプ290-bは対向したアンプ710-aおよび720-bの対を含んでよい。アンプ710として示されるが、センスアンプ290-bは、代替的にはまたは同等に、交差結合されたトランジスタの対(例えば、交差結合されたp型トランジスタの対および交差結合されたn型トランジスタの対)を含んでよい。
いくつかの例では、センスアンプ290-bはセンスアンプ低電圧源および高電圧源(例えば、電圧源293-bおよび294-b)との(例えば、アンプ710-aおよび710-b)選択的結合をサポートするように構成される回路網を含んでよい。例えば、センスアンプ290-bは、論理信号SW3およびSW4に基づいてそれぞれ動作可能であってよい切り換えコンポーネント730-aおよび730-bを含んでよい。いくつかの例では、論理信号SW3およびSW4をアクティブ化することまたは選択することは、センスアンプ290-bをアクティブ化することまたはラッチすることと称されてよい。
いくつの例では、センスアンプ290-bは、別のコンポーネント(例えば、信号展開コンポーネント250、選択コンポーネント280、基準コンポーネント270)との選択的結合またはこれからの選択的切り離しをサポートするように構成される回路網を含んでよい。例えば、センスアンプ290-bは、分離切り換えコンポーネントと称されてよい切り換えコンポーネント720-aおよび720-bを含んでよく、かつ論理信号ISO1およびISO2に基づいて動作可能であってよい。さらにまたは代替的には、分離切り換えコンポーネントは、本明細書に開示されるような例による信号展開コンポーネント250および選択コンポーネント280に含まれてよい。
(例えば、読み取り動作の裏付けとしての)いくつかの例では、センスアンプ290-aは、セル読み取り信号に少なくとも部分的に基づいて出力信号を生成することができる。例えば、信号展開コンポーネント250(例えば、信号展開コンポーネント250のセットの選択されたもの)は、信号線285-bを介して、セルアクセス信号を渡す、あるいは、セルアクセス信号に少なくとも部分的に基づくセンスアンプ290-aと電荷を共有することができる。基準コンポーネント270は、基準信号を渡す、あるいは、基準線275-bを介して、基準信号を渡す、あるいは、センスアンプ290-aと電荷を共有することができる。信号線285-bが基準線275-bより高い電圧を有する時、出力信号は、比較的高くなった電圧(例えば、VH)を有するI/O線295-bおよび比較的低くなった電圧(例えば、VL)を有するI/O線295-cで生成されてよい。基準線275-bが信号線285-bより電圧が高い時、出力信号は、比較的高くなった電圧(例えば、VH)を有するI/O線295-cおよび比較的低くなった電圧(例えば、VL)を有するI/O線295-bで生成されてよい。いくつかの例では、切り換えコンポーネント720-aおよび720-bは、セル読み取り信号またはセル参照信号を受信するために閉鎖された後、センスアンプ290-bをアクティブ化する(例えば、「ラッチする」)時に開放されてよい。
いくつかの例では、生成された検知またはラッチ信号、あるいは生成された出力信号は、(例えば、切り換えコンポーネント720-aを閉鎖した後に)信号線285-bを介して選択された信号展開コンポーネント250に渡された書き込み信号または上書き信号と共有されてあるいは関連付けられてよい。いくつかの例では、書き込みコマンドまたは書き込み信号は、(例えば、I/O線295-bおよび295-cを介して入力/出力コンポーネント160から)センスアンプ290-bにおいて受信されてよく、受信された書き込みコマンドまたは書き込み信号は、ラッチされ、(例えば、信号線285-bを介して)共有され、あるいは選択された信号展開コンポーネント250によって生成されたセル書き込み信号と関連付けられてよい。いくつかの例では、センスアンプ290-bと関連付けられた書き込みコマンドまたは書き込み信号は、信号展開コンポーネント250を(例えば、バイパス線260を介して)バイパスしてよい。
いくつかの例においては、例えばセンスアンプ290-bと関連付けられた読み取りコマンドまたは読み取り信号が読み取りブロードキャスト動作を開始し得る。読み取りブロードキャストは、メモリアレイの1つまたは複数の場所(例えば、1つまたは複数のドメイン310)から信号展開コンポーネント250のセットの複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリアレイの場所と結合されたアクセス線(例えば、ワード線205、ディジット線210、プレート線215等)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、(例えば、選択コンポーネント280の)1つまたは複数のマルチプレクサが作用するようになっていてもよい。例えば、信号展開コンポーネント250のセット中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットを1つまたは複数のマルチプレクサと同時に結合させて、メモリアレイからデータパターンを記憶するようにしてもよい。
図8は、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートするシステム800のブロック図である。システム800は、メモリアレイ805、選択コンポーネント815、信号展開コンポーネントアレイ825、選択コンポーネント835、およびセンスアンプアレイ845を含んでよい。いくつかの例では、これらのおよび他のコンポーネントはシステム800のデータ経路860に含まれてよい。
メモリアレイ805は、図1~図3を参照して説明されるものなどのアクセス線(例えば、ワード線205、ディジット線210、プレート線215)と関連付けられてよいメモリセル105のセットを含むことができる。いくつかの例では、メモリアレイはAの行(例えば、Aはワード線205に独立してアクセス可能である)およびBの列(例えば、Bはディジット線210に独立してアクセス可能である)と関連付けられてよい。1つの例では、メモリアレイ805は1,024のワード線205および1,024のディジット線210に従って配置される1,048,576のメモリセル105と関連付けられてよい。メモリセル105のそれぞれは、代替的にはメモリ状態と称されてよい、対応する論理状態を記憶するように構成されてよい。
いくつかの例では、メモリアレイ805は、図3を参照して説明されるドメイン310と同様であってよいドメインのセットに配置されてよい。1つの例では、メモリアレイ805は4つのドメインの間で分割されてよく、4つのドメインのそれぞれは、プレート制御を有する4つの独立したゾーンを有してよい(例えば、メモリアレイ805のそれぞれのドメインは、バイアスがかけられたプレート線215を共通してまたは個々に有するサブドメインの一例であってよい4つのゾーンを有してよい)。このような例では、メモリアレイ805は、64ビットのデータを選択することと関連付けられてよい16の制御ゾーンに従って配置されてよい。
信号展開コンポーネントアレイ825は、図2~図7を参照して説明される信号展開コンポーネント250の態様を含んでよい、信号展開コンポーネント250のセットを含むことができる。信号展開コンポーネントアレイ825またはこのコンポーネント(例えば、信号展開コンポーネントアレイ825のキャッシュ要素)は、本明細書に開示されるような例による信号展開キャッシュの一例であってよい。いくつかの例において、信号展開コンポーネントアレイ825の信号展開コンポーネント250またはそのキャッシュ要素は、Cの行およびDの列を有するグリッドで配置されていてもよい。いくつかの例においては、Dの列のそれぞれがキャッシュブロックと関連付けられていてもよく、Cの行のそれぞれが各キャッシュブロックにおける位置と関連付けられていてもよい。1つの例では、信号展開コンポーネントアレイ825は、それぞれが64の位置を有する8のキャッシュブロックと関連付けられてよい。キャッシュブロックのそれぞれの位置のそれぞれは、単一の信号展開コンポーネント250、または信号展開コンポーネント250のキャッシュ要素に対応することができる。
選択コンポーネント815は、メモリアレイ805のメモリセル105を信号展開コンポーネントアレイ825の信号展開コンポーネント250とマッピングすることをサポートするさまざまなコンポーネントを含んでよい。例えば、選択コンポーネント815は、本明細書に記載の読み取りブロードキャスト動作のさまざまな例をサポートするため、メモリアレイ805の個々のディジット線210と信号展開コンポーネントアレイ825の信号展開コンポーネント250との選択的結合および切り離しを提供していてもよい。
選択コンポーネント815は、Nの信号経路を有するバス810を介してメモリアレイ805と結合されてよく、選択コンポーネント815は、Mの信号経路を有するバス820を介して信号展開コンポーネントアレイ825と結合されてよい。いくつかの例では、選択コンポーネント815は、メモリアレイ805のディジット線210のそれぞれと結合されてよい(例えば、この場合N=B)。いくつかの例において、バス820は、バス810よりも少ない信号経路を有することができ、ここでMは、信号展開コンポーネントアレイのキャッシュブロックの数量と関連付けられている。例えば、バス810は、N=1,024個の信号経路を有していてもよく、バス820は、M=8個の信号経路を有していてもよいし、M=4個の信号経路を有していてもよいし、その他の数量の信号経路を有していてもよい。
さまざまな例では、メモリアレイ805のそれぞれのディジット線210は、信号展開コンポーネントアレイ825の信号展開コンポーネント250の特定のもの、信号展開コンポーネントアレイ825の信号展開コンポーネント250の特定のセットとの選択的結合のために構成されてよく、または信号展開コンポーネントアレイの信号展開コンポーネント250のいずれか1つとの選択的結合のために構成されてよい。さらにまたは代替的には、信号展開コンポーネントアレイ825の信号展開コンポーネント250は、メモリアレイ805のディジット線210の特定のもの、メモリアレイのディジット線210の特定のセットとの選択的結合のために構成されてよく、またはメモリアレイ805のディジット線210のいずれか1つとの選択的結合のために構成されてよい。換言すれば、説明される技法による、ディジット線210と信号展開コンポーネント250との間のマッピングは、1対多のマッピング、多対1のマッピング、または多対多のマッピングを含んでよい。
センスアンプアレイ845は、図2~図7を参照して説明されるセンスアンプ290の態様を含んでよいセンスアンプ290のセットを含むことができる。いくつかの例では、センスアンプアレイ845のセンスアンプは、ストリップまたは他のグループ化された配置で配置されてよい。選択コンポーネント835は、信号展開コンポーネント250とセンスアンプ290との間のさまざまなマッピングをサポートするために、(例えば、バス830を介した)信号展開コンポーネントアレイ825と(例えば、バス840を介した)センスアンプアレイ845との間で結合されてよい。さまざまな例では、(センスアンプアレイ845の)センスアンプ290は、(例えば、信号展開コンポーネントアレイ825の)キャッシュブロックの間で一体化されてよい、または信号展開コンポーネントキャッシュ領域の外部に(例えば、信号展開コンポーネントアレイ825の外部に)あってよい。いくつかの例では、センスアンプアレイ845はバス850と結合されてもよく、データ経路860の例示の境界内またはこれの外側にあるとみなされてよい、(示されない)I/Oコンポーネントとの情報の通信をサポートすることができる。
いくつかの例では、信号展開コンポーネントアレイ825は、それぞれが独立してアクセス可能であってもよい、(例えば、センスアンプアレイ845の)センスアンプ290のストリップまたは他のグループと結合されてよい。例えば、センスアンプ290のストリップのそれぞれは、信号展開コンポーネントアレイ825の信号展開コンポーネント250の特定のもの、信号展開コンポーネントアレイ825の信号展開コンポーネント250の特定のセットとの選択的結合のために構成されてよく、または信号展開コンポーネントアレイの信号展開コンポーネント250のいずれか1つとの選択的結合のために構成されてよい。さらにまたは代替的には、信号展開コンポーネントアレイ825の信号展開コンポーネント250は、センスアンプのストリップのセンスアンプ290の特定のもの、センスアンプのストリップのセンスアンプの特定のセットとの選択的結合のために構成されてよく、または、センスアンプのストリップのセンスアンプ290のいずれか1つとの選択的結合のために構成されてよい。換言すれば、説明される技法による、信号展開コンポーネントアレイ825の信号展開コンポーネント250とセンスアンプアレイ845のセンスアンプ290との間の(例えば、選択コンポーネント835を介した)マッピングは、1対多のマッピング、多対1のマッピング、または多対多のマッピングを含んでよい。
メモリアレイ805が1,024のディジット線210と関連付けられる実例では、1,024のディジット線210のそれぞれは、(例えば、選択コンポーネント815の)マルチプレクサと結合されてよく、この場合、該ディジット線210は64×4=256のディジット線に低減され得る。これによって(例えば、メモリセル105と信号展開コンポーネント250との間の同時転送に関与する)時間が重複する64のディジット線の4セットの信号転送がサポート可能である。いくつかの例では、これらの4セットのそれぞれは、それぞれのキャッシュブロックが8線×64ビットを含むことができる、(例えば、信号展開コンポーネントアレイ825の)8のキャッシュブロックのいずれかにルーティング可能である。換言すれば、このような信号展開コンポーネントアレイ825と関連付けられた全キャッシュサイズは64×64ビットであってよい。アレイルーティングのこの例によると、メモリアレイからの任意の64ビットのサブ行は、64ビットの信号展開コンポーネントキャッシュラインのいずれかにルーティングされてよい。
別の実例では、システム800は、それぞれが、1,024の一意にアドレス指定された行および1,024の列で配置された1,048,576のメモリセル105を有する(例えば、メモリアレイ805の)いくつかのドメインを含んでよい。システム800のドメインのそれぞれは、(例えば、選択コンポーネント815を介して)(例えば、信号展開コンポーネントアレイ825の)64の信号展開コンポーネントによってマッピングされてよい。換言すれば、64の信号展開コンポーネントは、それぞれのドメイン内の1,024のディジット線210にマッピングされてよい。いくつかの例では、特定の信号展開コンポーネント250は、それぞれのドメイン内の16のディジット線210にマッピングされてよい(例えば、64の信号展開コンポーネント250で除算される1,024のディジット線210)。いくつかの例では、(例えば、16のディジット線210のグループがそれぞれのドメイン内の対応する信号展開コンポーネント250にマッピングされる場合の)このようなマッピングが固定されてよく、これによって、いくつかの例では、多重化または選択回路の複雑さが低減可能である。さまざまな他の例では、信号展開コンポーネント250は、複数のドメイン、(例えば、ドメインの)ディジット線210の複数のセット、または他の構成にマッピングされてよい。さらにまたは代替的には、ディジット線210のドメインまたはセットは、複数の信号展開コンポーネント250にマッピングされてよい。換言すれば、メモリデバイスは、本明細書に記載の読み取りブロードキャスト動作の例をサポートするため、信号展開コンポーネント250のさまざまな構成を含んでいてもよい。
この実例では、(例えば、1つのドメイン310に及ぶ)1024のメモリセル105の行は、それぞれのドメインにおける単一のワード線205によって選択されてよい。1ドメイン当たりの64の信号展開コンポーネント250によって、1,024のメモリセル105のセットの64は、(例えば、対応するディジット線210を、選択コンポーネント815を介して64の信号展開コンポーネント250-aのそれぞれと選択的に結合することによって)それぞれのドメインにおいて一度にアクセス可能である。このようなアクセスの間、他のディジット線210は、同じドメインをインターフェース接続する信号展開コンポーネント250から選択的に分離されてよい。さらに、他のディジット線210は本明細書に説明されるように分路またはマスクされてよい。
システム800は、メモリアレイ805を信号展開コンポーネントアレイ825と選択的に結合するように動作可能な選択コンポーネント815および信号展開コンポーネントアレイ825をセンスアンプアレイ845と選択的に結合するように動作可能な選択コンポーネント835とともに示しているが、メモリアクセスのための上記技術をサポートする他の構成も可能である。例えば、場合により、メモリアレイ805は、信号展開コンポーネントアレイ825またはその構成要素をバイパスするようにセンスアンプアレイ845と選択的に結合されていてもよい。いくつかの例において、メモリアレイ805とセンスアンプアレイ845との間の結合は、図2を参照して説明したバイパス線260等の1つまたは複数のバイパス線によりサポートされていてもよい。いくつかの例において、システム800は、メモリアレイ805をセンスアンプアレイ845と選択的に結合する(例えば、信号展開コンポーネントアレイ825またはその構成要素をバイパスする)ように動作可能な別の選択コンポーネントを具備していてもよく、これは、いくつかある特徴または機能の中でもとりわけ、図2を参照して説明した切り換えコンポーネント265の機能を含んでいてもよいし、あるいはサポートしていてもよい。
より一般的に、システム800は、当該システム800の構成要素の選択的な結合によって、本明細書に開示されるような例に係るさまざまなアクセス技術をサポートするように動作し得るさまざまな選択コンポーネントまたは他の回路網を具備していてもよい。例えば、システム800は、メモリアレイ805またはその構成要素(例えば、メモリアレイ805の複数のアクセス線)を信号展開コンポーネントアレイ825またはその構成要素(例えば、信号展開キャッシュのキャッシュ要素)と選択的に結合するように動作し得るさまざまな選択コンポーネントまたは他の回路網を具備していてもよい。さらにまたは代替的には、システム800は、信号展開コンポーネントアレイ825をセンスアンプアレイ845またはその構成要素(例えば、センスアンプアレイの複数のセンスアンプ)と選択的に結合するように動作し得るさまざまな選択コンポーネントまたは他の回路網を具備していてもよい。さらにまたは代替的には、システム800は、メモリアレイの複数のアクセス線をセンスアンプアレイの複数のセンスアンプと選択的に結合するように動作し得るさまざまな選択コンポーネントまたは他の回路網、あるいはその任意の組み合わせを具備していてもよい。
いくつかの例では、システム800の1つまたは複数のコンポーネントの動作は、メモリコントローラ870などのメモリコントローラによって制御可能である。メモリコントローラ870は、図1を参照して説明されるようなメモリコントローラ170の動作を行うことの一例であってよい、あるいはこれと関連付けられてよい。メモリコントローラ870は、システム800のさまざまなコンポーネントまたは動作を制御するように構成されるコントローラまたは他の回路網を例証するものであってよい。例えば、システム800は、システム800における情報転送の経路に沿った他のコンポーネント(例えば、行コンポーネント125、列コンポーネント135、プレートコンポーネント145、およびI/Oコンポーネント160など)の中で、メモリアレイ805、選択コンポーネント815、信号展開コンポーネントアレイ825、選択コンポーネント835、およびセンスアンプアレイ845を含むことができる、データ経路860のさまざまなコンポーネントまたは回路網を含んでよい。さまざまな例では、メモリコントローラ870は、関連付けられたコンポーネントまたは動作を制御するためにデータ経路860のコンポーネントの任意の1つまたは複数と通信してよい。
メモリコントローラ870は、(例えば、ホストデバイスから受信された1つまたは複数のコマンドによって)システム800のメモリ動作の他の例の中で、1つまたは複数の書き込み動作、読み取り動作、削除動作、またはバイパス動作を行うように構成されてよい。このような動作のさまざまな例では、メモリコントローラ870は、メモリアレイ805の1つもしくは複数の部分、信号展開コンポーネントアレイ825の1つもしくは複数の部分(例えば、信号展開コンポーネントアレイ825のキャッシュブロック)、または、1つまたは複数のメモリ動作によるセンスアンプアレイ845の1つもしくは複数の部分の間でデータを転送するように構成されてよい。
いくつかの例では、メモリコントローラ870は、(例えば、要求されたデータが信号展開コンポーネントアレイ825に記憶される時)データを信号展開コンポーネントアレイ825からセンスアンプアレイ845に転送することを含んでよい、読み取り動作を行うように構成されてよい。いくつかの例では、メモリコントローラ870は、(例えば、要求されたデータが信号展開コンポーネントアレイ825で見出されない時)データをメモリアレイ805から信号展開コンポーネントアレイ825に転送するように構成されてよい。さらにまたは代替的には、メモリコントローラ870は削除動作を行うように構成されてよい。削除動作は、他のデータ(例えば、読み取り動作と関連付けられたデータ)をメモリアレイ805から信号展開コンポーネントアレイ825に転送する前に、信号展開コンポーネントアレイ825に記憶されたデータをメモリアレイ805に転送することを含んでよい。いくつかの例では、メモリコントローラ870は、データを直接メモリアレイ805からセンスアンプアレイ845に転送することを含んでよい、キャッシュバイパス動作を行うように構成されてよく、これによって、一例として、読み取り動作をストリーミングすること(例えば、複数の読み取り動作を並列に行うこと)を容易にすることができる。
いくつかの例では、メモリコントローラは、(例えば、読み取り動作を行った後に)データをセンスアンプアレイ845から信号展開コンポーネントアレイ825に転送することを含んでよい、ライトバック動作を行うように構成されてよい。さらにまたは代替的には、メモリコントローラ870はライトスルー動作を行うように構成されてよい。ライトスルー動作は、書き込みコマンドに従ってデータが信号展開コンポーネントアレイ825に記憶されると判断することに基づいて、データを直接センスアンプアレイ845からメモリアレイ805に転送することを含んでよい。いくつかの例では、メモリコントローラ870はバイパス動作を行うように構成されてよい。例えば、バイパス動作は、書き込みコマンドに従ってデータが信号展開キャッシュに記憶されないと判断することに基づいて、データを直接センスアンプアレイ845からメモリアレイ805に転送することを含んでよい。バイパス動作のこのような例によって、書き込み動作をストリーミングすること(例えば、複数の書き込み動作を並列に行うこと)を容易に行うことができる。場合によっては、本明細書に説明される書き込み動作の1つまたは複数は、削除動作を含んでよい。例えば、メモリコントローラ870は、書き込みコマンド(例えば、ライトバックコマンド)に対応するデータが信号展開コンポーネントアレイ825に現時点で記憶されていないと判断することに基づいて、信号展開コンポーネントアレイ825に記憶されたデータをメモリアレイ805に転送してよい。
システム800は、読み取りブロードキャストのさまざまな例をサポートしていてもよい。読み取りブロードキャストは、メモリアレイ805の1つまたは複数の場所(例えば、1つまたは複数のドメイン310)から信号展開コンポーネントアレイ825の複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリアレイ805の場所と結合されたアクセス線(例えば、ワード線205、ディジット線210、プレート線215等)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、(例えば、選択コンポーネント315の)1つまたは複数のマルチプレクサが作用するようになっていてもよい。例えば、1つまたは複数のマルチプレクサは、例えば検知またはラッチ動作において、メモリアレイ805からのデータを論理状態パターンとして取り込むようにしてもよい。
例えば、信号展開コンポーネントアレイ825中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を(例えば、論理状態パターンに基づいて)所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットを1つまたは複数のマルチプレクサと同時に結合させて、メモリアレイ805からデータパターンを記憶するようにしてもよい。いくつかの例において、1つまたは複数のマルチプレクサは、信号展開コンポーネントアレイ825中の場所のセットとの結合によるデータパターンの記憶のほか、データパターンに対して何らかの処理を実行するようにしてもよい。いくつかの例において、この処理は、シャッフル演算、数学演算、論理演算(例えば、AND、OR、XOR、NOT等の論理演算)を含んでいてもよい。この処理に基づいて、読み取りブロードキャスト動作におけるデータ経路860に沿って、多様なパターニングが実現されるようになっていてもよい。例えば、読み取りブロードキャスト動作は、単一命令/多重データ(SIMD)動作等、中央演算処理装置(CPU)の複数のスレッドで使用されるデータを初期化するようにしてもよい。
いくつかの例において、信号展開コンポーネントアレイ825中の場所にデータを記憶するため、複数のアクセス線(例えば、ワード線205、ディジット線210等)をアクティブ化すると、データが上書きされ得る(例えば、信号展開コンポーネント250は、相互にチャージシェアするようにしてもよい)。従って、いくつかの例においては、マスキング技術の使用によって、データの上書きが抑制または回避されるようになっていてもよく、これには、「シルクスクリーニング」技術と称するマスキング技術を含み得る。いくつかの例示的なマスキング技術において、データパターンを信号展開コンポーネントアレイ825に記憶することは、複数のパスにおいて発生する可能性があり、各パスは、前のパスにおいて信号展開コンポーネントアレイ825に書き込まれたパターンの一部に対する1つまたは複数の修正を含んでいてもよい。いくつかの例においては、複数のパスと関連付けられたパターンがメモリアレイ805、第2のメモリアレイ(図示せず)、もしくはプロセッサ(図示せず)、またはこれらの任意の組み合わせに記憶されるようになっていてもよい。
いくつかの例において、データパターンは、信号展開コンポーネントアレイ825の場所と関連付けられたディジット線(例えば、ディジット線210、信号線等)全体で列毎に記憶されていてもよい。各ディジット線に沿って、それぞれのビットパターンが把握されていてもよい。データパターンは、当該データパターンに基づく書き込み動作によって、上記場所に書き込まれていてもよい。
第1の動作として、第1のワード線のセットがアクティブ化されるようになっていてもよく、第1の論理状態(例えば、論理0等のメモリ状態)を表す信号状態を第1の信号展開コンポーネント250のセットに記憶するため、第1の信号(例えば、第1の電圧またはLow電圧)がディジット線のセット(例えば、信号線のセット)に印加されるようになっていてもよい。
(例えば、第1の動作に続く)第2の動作として、第2のワード線のセットがアクティブ化されるようになっていてもよく、第2の論理状態(例えば、論理1等のメモリ状態)を表す信号状態を第2の信号展開コンポーネント250のセットに記憶するため、第2の信号(例えば、第2の電圧またはHigh電圧)がディジット線のセットに印加されるようになっていてもよい。
いくつかの例においては、第2の動作が開始される前に、第1のワード線のセットが非アクティブ化されるようになっていてもよい。いくつかの例において、データパターンを記憶することは、追加の書き込み動作を含んでいてもよく、それは追加のワード線のセットおよび追加のディジット線のセットのアクティブ化を含むことができる。いくつかの例において、第2のワード線のセットは、第1のワード線のセットの1つまたは複数のワード線を含んでいてもよい。
また、いくつかの例において、メモリアレイ805の上記場所からデータを読み出すため、アクセス線(例えば、ワード線205、ディジット線210、プレート線215等)をアクティブ化すると、(例えば、チャージシェアによって)データが失われ得る。従って、いくつかの例においては、1つまたは複数のマルチプレクサでデータを取り込んだ後、論理状態パターンがメモリアレイ805に書き戻されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、本明細書に記載されるような書き込み動作の使用により、論理状態パターンが書き込まれるようになっていてもよい。
読み取りブロードキャスト動作のいくつかの例において、読み出し対象のデータは、例えばホストデバイスまたはメモリコントローラ870から受信されたコマンドに基づいていてもよい。いくつかの例において、このコマンドは、読み取りコマンド、書き込みコマンド、修正コマンド、別のコマンド、またはこれらの任意の組み合わせを含んでいてもよい。このコマンドは、メモリアレイ805に記憶される論理状態パターンを識別するようにしてもよい。いくつかの例において、論理状態パターンは、信号展開コンポーネントアレイ825の場所のセットで信号状態パターンとして記憶された後、(例えば、選択コンポーネント835を介してセンスアンプアレイ845へと)読み出されるように構成されていてもよい。さらにまたは代替的には、論理状態パターンは、1つまたは複数の論理状態を含んでいてもよく、1つまたは複数の論理状態は、信号展開コンポーネントアレイ825の場所のセットの各場所で1つまたは複数の信号状態として記憶されるように構成されていてもよい。言い換えると、信号展開コンポーネントアレイ825の複数の場所で、データのコピーが記憶されるように構成されていてもよい。
いくつかの例において、システム800は、例えば修正コマンドに基づいて、メモリアレイ805中の論理状態パターンを修正するように構成されていてもよい。アクセス線は、(例えば、選択コンポーネント815およびバス820を介して)信号展開コンポーネントアレイ825と結合されていてもよい。この結合に基づいて、メモリアレイ805中の少なくとも1つの場所から論理状態パターンが読み出されるようになっていてもよい。いくつかの例において、信号状態のセットは、メモリアレイ805から読み出された論理状態パターンに基づいて、信号展開コンポーネントアレイ825に記憶されていてもよい。
いくつかの例において、1つまたは複数のマルチプレクサ(または、選択コンポーネント815もしくは選択コンポーネント835)は、1つまたは複数の信号プロセッサ(例えば、デジタル信号プロセッサ(DSP))を具備していてもよい。1つまたは複数の信号プロセッサは、例えばコマンドに応答して、信号展開コンポーネントアレイ825に記憶された信号状態を処理する信号処理動作を可能にし得る。
図9は、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする信号展開コンポーネントアレイ825-aの一例を示している。信号展開コンポーネントアレイ825-aは、図8を参照して説明した信号展開コンポーネントアレイ825の一例であってもよい。信号展開コンポーネントアレイ825-aは、図2~図7を参照して説明した信号展開コンポーネント250の態様を含み得る信号展開コンポーネントセット250を含んでいてもよい。信号展開コンポーネントアレイ825-aまたはそのコンポーネント(例えば、信号展開コンポーネントアレイ825-aのキャッシュ要素)は、本明細書に開示されるような例に係る、信号展開キャッシュの一例であってもよい。
いくつかの例において、信号展開コンポーネントアレイ825-aは、読み取りブロードキャスト動作を可能にし得る。読み取りブロードキャストは、メモリアレイの1つまたは複数の場所(例えば、1つまたは複数のドメイン)から信号展開コンポーネントアレイ825-aの複数の場所に向かって発生し得る。いくつかの例においては、メモリアレイの場所と結合されたアクセス線(例えば、ワード線、ディジット線、プレート線等)を用いてこれらの場所からデータを転送する分散ルーティング送達装置として、(例えば、選択コンポーネントの)1つまたは複数のマルチプレクサが作用するようになっていてもよい。例えば、信号展開コンポーネントアレイ825-a中の場所のセット(例えば、1つまたは複数のキャッシュブロック)を所望のデータパターンへと初期化するため、この場所のセットを1つまたは複数のマルチプレクサと同時に結合させて、メモリアレイからデータパターンを記憶するようにしてもよい。
いくつかの例において、メモリアレイからの論理状態パターンは、1つまたは複数の論理状態を含んでいてもよく、1つまたは複数の論理状態は、信号展開コンポーネントアレイ825-a-1の複数の場所でパターン905となるように、1つまたは複数の信号状態として記憶された後、読み出されるように構成されていてもよい。言い換えると、例えばパターン905-a、905-b、および905-cとして、信号展開コンポーネントアレイ825-a-1の複数の場所で、データのコピーが記憶されるように構成されていてもよい。
パターン905は、CPUの複数のスレッドで使用する読み取りブロードキャスト動作の一部として初期化されるようになっていてもよい。例えば、CPUマルチ処理において、各プロセスまたはスレッドは、例えば読み取りコマンドまたは書き込みコマンドに基づいて、パターン905のうちの1つを独立して処理するように構成されていてもよい。いくつかの例において、CPUは、信号展開コンポーネントアレイ825-a-1と結合されたセンスアンプを通じて、パターン905を処理するようにしてもよい。
いくつかの例において、メモリアレイからの論理状態パターンは、信号展開コンポーネントアレイ825-a-2の場所のセットで信号状態パターン910として記憶された後、読み出されるように構成されていてもよい。いくつかの例において、パターン910は、シルクスクリーニング技術等のマスキング技術を用いて、信号展開コンポーネントアレイ825-a-2に記憶されていてもよい。例えば、パターン910は、複数のパスにおいて信号展開コンポーネントアレイ825-a-2に記憶されていてもよく、各パスは、前のパスにおいて信号展開コンポーネントアレイ825-a-2に書き込まれたパターンの一部に対する1つまたは複数の修正を含んでいてもよい。最終パスの後、パターン910は、例えば要求側デバイスからの読み取りコマンドに基づいて、信号展開コンポーネントアレイ825-a-2で読み出しに利用可能であってもよい。いくつかの例において、パターン910は、図8を参照して説明した通り、信号展開コンポーネントアレイ825-a-2の場所と関連付けられたディジット線(例えば、ディジット線210、信号線等)全体で列毎に記憶されていてもよい。
図10は、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートするメモリデバイス1005のブロック図1000である。メモリデバイス1005は、図1~図9を参照して説明したようなメモリデバイスの態様の一例であってもよい。メモリデバイス1005は、読み取りデータ管理部1010、アクセス線管理部1015、選択コンポーネント管理部1020、記憶場所管理部1025、信号状態管理部1030、書き込み動作管理部1035、およびコマンド管理部1040を具備していてもよい。これらのモジュールはそれぞれ、(例えば、1つまたは複数のバスを介して)相互に直接的または間接的に通信するようにしてもよい。いくつかの例において、メモリデバイス1005は、読み取りブロードキャスト動作を可能にし得る。読み取りブロードキャストは、例えば1つまたは複数のマルチプレクサを介して、メモリアレイから信号展開キャッシュの複数の場所に向かって発生し得る。
読み取りデータ管理部1010は、メモリデバイスの第2のコンポーネントに記憶された論理状態パターンを識別するようにしてもよい。いくつかの例において、読み取りデータ管理部1010は、第1のコンポーネントを介して、コマンドに基づいて、論理状態パターンと関連付けられたデータを場所のセットの1つまたは複数の場所から検知コンポーネントアレイに転送するようにしてもよい。場合により、第2のコンポーネントは、ドメインまたはサブドメインのセットを含む。場合により、ドメインまたはサブドメインのセットの各ドメインまたはサブドメインは、論理状態パターンの少なくとも一部を記憶した1つまたは複数のメモリセルを含む。場合により、メモリデバイスの第2のコンポーネントは、メモリデバイスの第1のコンポーネントと異なるメモリアレイを含む。
アクセス線管理部1015は、第2のコンポーネントと結合されたアクセス線のセットを選択コンポーネントと結合するようにしてもよい。いくつかの例において、アクセス線管理部1015は、第1のコンポーネントと関連付けられた第1のワード線のセットをアクティブ化するようにしてもよい。いくつかの例において、アクセス線管理部1015は、第1のワード線のセットをアクティブ化した後、第1の論理状態に対応する第1の信号を第1のコンポーネントと結合された信号線のセットに印加するようにしてもよい。いくつかの例において、アクセス線管理部1015は、第1の信号を印加することに基づいて、第1のコンポーネントと関連付けられた第2のワード線のセットをアクティブ化するようにしてもよい。いくつかの例において、アクセス線管理部1015は、第2のワード線のセットをアクティブ化した後、第2の論理状態に対応する第2の信号を信号線のセットに印加するようにしてもよい。
場合により、ドメインまたはサブドメインのセットの各ドメインまたはサブドメインは、第2のコンポーネントと結合されたアクセス線のセットのうち、1つまたは複数のメモリセルと結合された1つまたは複数のアクセス線を含む。場合により、論理状態パターンは、1つまたは複数のアクセス線を選択コンポーネントと結合することに基づいて、選択コンポーネントで取り込まれる。
選択コンポーネント管理部1020は、アクセス線のセットを選択コンポーネントと結合することに基づいて、論理状態パターンを取り込むようにしてもよい。いくつかの例において、選択コンポーネント管理部1020は、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことに基づいて、論理状態パターンを選択コンポーネントで処理するようにしてもよく、論理状態パターンを処理することは、シャッフル演算、数学演算、論理演算、またはこれらの任意の組み合わせを含む。いくつかの例において、選択コンポーネント管理部1020は、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことに基づいて、信号状態パターンを選択コンポーネントで処理するようにしてもよい。場合により、選択コンポーネントは、マルチプレクサ、デジタル信号プロセッサ、またはこれらの任意の組み合わせを具備する。
記憶場所管理部1025は、論理状態パターンを取り込むことに基づいて、選択コンポーネントをメモリデバイスの第1のコンポーネントの場所のセットと結合するようにしてもよい。場合により、メモリデバイスの第1のコンポーネントは、コンデンサアレイ、信号展開キャッシュコンポーネント、またはこれらの任意の組み合わせを具備する。
信号状態管理部1030は、選択コンポーネントを第1のコンポーネントの場所のセットと結合することに基づいて、論理状態パターンと関連付けられた信号状態パターンを第1のコンポーネントの場所のセットに記憶するようにしてもよい。いくつかの例において、信号状態管理部1030は、第1の信号および第2の信号を信号線のセットに印加することに基づいて、信号状態パターンを第1のコンポーネントの場所のセットに記憶するようにしてもよい。いくつかの例において、信号状態管理部1030は、信号状態パターンに基づいて、1つまたは複数の信号状態を第1のコンポーネントの場所のセットの各場所に記憶するようにしてもよい。
書き込み動作管理部1035は、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことに基づいて、書き込み動作の一部として論理状態パターンを第2のコンポーネントに書き込むようにしてもよい。
コマンド管理部1040は、要求側デバイスから、論理状態パターンと関連付けられたコマンドを受信するようにしてもよく、論理状態パターンを決定することは、コマンドを受信することに基づく。場合により、このコマンドは、読み取りコマンド、書き込みコマンド、修正コマンド、またはこれらの任意の組み合わせを含む。
図11は、本明細書に開示されるような例に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする1つまたは複数の方法1100を示したフローチャートである。方法1100の動作は、本明細書に記載されるようなメモリデバイスまたはそのコンポーネントにより実装されていてもよい。例えば、方法1100の動作は、図10を参照して説明されるようなメモリデバイスによって行われてよい。いくつかの例では、メモリデバイスは、説明した機能を実行するためにメモリデバイスの機能要素を制御するための命令のセットを実行してよい。さらにまたは代替的には、メモリデバイスは、専用ハードウェアを使用して説明した機能の態様を実行することができる。いくつかの例において、本明細書に記載のメモリデバイスは、読み取りブロードキャスト動作を可能にし得る。読み取りブロードキャストは、例えば1つまたは複数のマルチプレクサを介して、メモリアレイから信号展開キャッシュの複数の場所に向かって発生し得る。
1105において、メモリデバイスは、当該メモリデバイスの第2のコンポーネントに記憶された論理状態パターンを識別するようにしてもよい。1105の動作は、本明細書に記載の方法に従って実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、図10を参照して説明したような読み取りデータ管理部によって、1105の動作の態様が実行されるようになっていてもよい。
1110において、メモリデバイスは、第2のコンポーネントと結合されたアクセス線のセットを選択コンポーネントと結合するようにしてもよい。1110の動作は、本明細書に記載の方法に従って実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、図10を参照して説明したようなアクセス線管理部によって、1110の動作の態様が実行されるようになっていてもよい。
1115において、メモリデバイスは、アクセス線のセットを選択コンポーネントと結合することに基づいて、論理状態パターンを取り込むようにしてもよい。1115の動作は、本明細書に記載の方法に従って実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、図10を参照して説明したような選択コンポーネント管理部によって、1115の動作の態様が実行されるようになっていてもよい。
1120において、メモリデバイスは、論理状態パターンを取り込むことに基づいて、選択コンポーネントをメモリデバイスの第1のコンポーネントの場所のセットと結合するようにしてもよい。1120の動作は、本明細書に記載の方法に従って実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、図10を参照して説明したような記憶場所管理部によって、1120の動作の態様が実行されるようになっていてもよい。
1125において、メモリデバイスは、選択コンポーネントを第1のコンポーネントの場所のセットと結合することに基づいて、論理状態パターンと関連付けられた信号状態パターンを第1のコンポーネントの場所のセットに記憶するようにしてもよい。1125の動作は、本明細書に記載の方法に従って実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、図10を参照して説明したような信号状態管理部によって、1125の動作の態様が実行されるようになっていてもよい。
いくつかの例においては、本明細書に記載されるような装置が方法1100等の1つまたは複数の方法を実行するようにしてもよい。この装置は、メモリデバイスの第2のコンポーネントに記憶された論理状態パターンを識別し、第2のコンポーネントと結合されたアクセス線のセットを選択コンポーネントと結合し、アクセス線のセットを選択コンポーネントと結合することに基づいて、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込み、論理状態パターンを取り込むことに基づいて、選択コンポーネントをメモリデバイスの第1のコンポーネントの場所のセットと結合し、選択コンポーネントを第1のコンポーネントの場所のセットと結合することに基づいて、論理状態パターンと関連付けられた信号状態パターンを第1のコンポーネントの場所のセットに記憶する特徴、手段、または命令(例えば、プロセッサにより実行可能な命令を記憶した持続性コンピュータ可読媒体)を含んでいてもよい。
方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例は、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことに基づいて、書き込み動作の一部として論理状態パターンをメモリアレイに書き込む動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでいてもよい。
方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例は、第1のコンポーネントと関連付けられた第1のワード線のセットをアクティブ化し、第1のワード線のセットをアクティブ化した後、第1の論理状態に対応する第1の信号を第1のコンポーネントと結合された信号線のセットに印加し、第1の信号を印加することに基づいて、第1のコンポーネントと関連付けられた第2のワード線のセットをアクティブ化し、第2のワード線のセットをアクティブ化した後、第2の論理状態に対応する第2の信号を信号線のセットに印加し、第1の信号および第2の信号を信号線のセットに印加することに基づいて、信号状態パターンを第1のコンポーネントの場所のセットに記憶する動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでいてもよい。
方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例は、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことに基づいて、論理状態パターンを選択コンポーネントで処理する動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでいてもよく、論理状態パターンを処理することは、シャッフル演算、数学演算、論理演算、またはこれらの任意の組み合わせを含む。
方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例は、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことに基づいて、信号状態パターンを選択コンポーネントで処理する動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでいてもよい。
方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例において、信号状態パターンは、1つまたは複数の信号状態を含んでいてもよく、信号状態パターンを第1のコンポーネントの場所のセットに記憶することは、信号状態パターンに基づいて、1つまたは複数の信号状態を第1のコンポーネントの場所のセットの各場所に記憶する動作、特徴、手段、または命令を含んでいてもよい。
方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例は、要求側デバイスから、論理状態パターンと関連付けられたコマンドを受信する動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでいてもよく、論理状態パターンを決定することは、コマンドを受信することに基づいていてもよい。
方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例は、第1のコンポーネントを介して、コマンドに基づいて、論理状態パターンと関連付けられたデータを場所のセットの1つまたは複数の場所から検知コンポーネントアレイに転送する動作、特徴、手段、または命令をさらに含んでいてもよい。
方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例において、コマンドは、読み取りコマンド、書き込みコマンド、修正コマンド、またはこれらの任意の組み合わせを含んでいてもよい。
方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例において、第2のコンポーネントは、ドメインまたはサブドメインのセットを含んでいてもよく、ドメインまたはサブドメインのセットの各ドメインまたはサブドメインは、論理状態パターンの少なくとも一部を記憶した1つまたは複数のメモリセルと、1つまたは複数のメモリセルと結合されたアクセス線のセットの1つまたは複数のアクセス線とを含み、論理状態パターンは、1つまたは複数のアクセス線を選択コンポーネントと結合することに基づいて、選択コンポーネントで取り込まれるようになっていてもよい。
方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例において、メモリデバイスの第1のコンポーネントは、コンデンサアレイ、信号展開キャッシュコンポーネント、またはこれらの任意の組み合わせを備えていてもよい。方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例において、メモリデバイスの第2のコンポーネントは、メモリデバイスの第1のコンポーネントと異なるメモリアレイを備えていてもよい。方法1100および本明細書に記載の装置のいくつかの例において、選択コンポーネントは、マルチプレクサ、デジタル信号プロセッサ、またはこれらの任意の組み合わせを備えていてもよい。
図12は、本開示の態様に係る、メモリデバイスと関連付けられた読み取りブロードキャスト動作をサポートする1つまたは複数の方法1200を示したフローチャートである。方法1200の動作は、本明細書に記載されるようなメモリデバイスまたはそのコンポーネントにより実装されていてもよい。例えば、方法1200の動作は、図10を参照して説明したようなメモリデバイスにより実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、メモリデバイスがその機能的要素を制御する命令のセットを実行して、上記機能を実行するようにしてもよい。さらにまたは代替的に、メモリデバイスが専用ハードウェアの使用により、上記機能の態様を実行するようにしてもよい。いくつかの例において、本明細書に記載のメモリデバイスは、読み取りブロードキャスト動作を可能にし得る。読み取りブロードキャストは、例えば1つまたは複数のマルチプレクサを介して、メモリアレイから信号展開キャッシュの複数の場所に向かって発生し得る。
1205において、メモリデバイスは、当該メモリデバイスの第2のコンポーネントに記憶された論理状態パターンを識別するようにしてもよい。1205の動作は、本明細書に記載の方法に従って実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、図10を参照して説明したような読み取りデータ管理部によって、1205の動作の態様が実行されるようになっていてもよい。
1210において、メモリデバイスは、第2のコンポーネントと結合されたアクセス線のセットを選択コンポーネントと結合するようにしてもよい。1210の動作は、本明細書に記載の方法に従って実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、図10を参照して説明したようなアクセス線管理部によって、1210の動作の態様が実行されるようになっていてもよい。
1215において、メモリデバイスは、アクセス線のセットを選択コンポーネントと結合することに基づいて、論理状態パターンを取り込むようにしてもよい。1215の動作は、本明細書に記載の方法に従って実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、図10を参照して説明したような選択コンポーネント管理部によって、1215の動作の態様が実行されるようになっていてもよい。
1220において、メモリデバイスは、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことに基づいて、論理状態パターンを選択コンポーネントで処理するようにしてもよく、論理状態パターンを処理することは、シャッフル演算、数学演算、論理演算、またはこれらの任意の組み合わせを含む。1220の動作は、本明細書に記載の方法に従って実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、図10を参照して説明したような選択コンポーネント管理部によって、1220の動作の態様が実行されるようになっていてもよい。
1225において、メモリデバイスは、論理状態パターンを取り込むことに基づいて、選択コンポーネントをメモリデバイスの第1のコンポーネントの場所のセットと結合するようにしてもよい。1225の動作は、本明細書に記載の方法に従って実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、図10を参照して説明したような記憶場所管理部によって、1225の動作の態様が実行されるようになっていてもよい。
1230において、メモリデバイスは、選択コンポーネントを第1のコンポーネントの場所のセットと結合することに基づいて、論理状態パターンと関連付けられた信号状態パターンを第1のコンポーネントの場所のセットに記憶するようにしてもよい。1230の動作は、本明細書に記載の方法に従って実行されるようになっていてもよい。いくつかの例においては、図10を参照して説明したような信号状態管理部によって、1230の動作の態様が実行されるようになっていてもよい。
本明細書に記載の方法が考え得る実施態様であり、動作およびステップが再配置あるいは修正可能であり、かつ他の実施態様も可能であることは、留意されるべきである。さらに、これらの方法の2つ以上の部分が組み合わされていてもよい。
装置について説明する。この装置は、論理状態パターンを記憶するように動作可能な第2のコンポーネントと、第2のコンポーネントと結合されたアクセス線のセットと、アクセス線のセットと結合可能であり、アクセス線のセットとの結合に基づいて、論理状態パターンを取り込むように動作可能な選択コンポーネントと、選択コンポーネントと結合可能な場所のセットを含み、選択コンポーネントを場所のセットと結合することに基づいて、論理状態パターンと関連付けられた信号状態パターンを記憶するように動作可能な第1のコンポーネントと、を備えていてもよい。
この装置のいくつかの例は、第1のコンポーネントと関連付けられた第1のワード線のセットおよび第1のコンポーネントと関連付けられた第2のワード線のセットであり、信号状態パターンを第1のコンポーネントの場所のセットに記憶することの一部としてアクティブ化されるように動作可能である、第1のワード線のセットおよび第2のワード線のセットと、場所のセットと結合された信号線のセットと、を含んでいてもよい。
この装置のいくつかの例は、第1のワード線のセットをアクティブ化した後、第1の論理状態に対応する第1の信号を信号線のセットに印加することと、第2のワード線のセットをアクティブ化した後、第2の論理状態に対応する第2の信号を信号線のセットに印加することと、を行うように動作可能な信号源を含んでいてもよい。
いくつかの例において、選択コンポーネントは、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことに基づいて、論理状態パターンを処理するようにさらに動作可能であってもよく、論理状態パターンを処理することは、シャッフル演算、数学演算、論理演算、またはこれらの任意の組み合わせを含む。
いくつかの例において、選択コンポーネントは、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことに基づいて、信号状態パターンを処理するようにさらに動作可能であってもよい。
いくつかの例において、信号状態パターンは、1つまたは複数の信号状態を含んでいてもよく、第1のコンポーネントは、信号状態パターンに基づいて、1つまたは複数の信号状態を場所のセットの各場所に記憶するように動作可能であってもよい。
この装置のいくつかの例は、第1のコンポーネントと結合可能な検知コンポーネントアレイを備えていてもよく、第1のコンポーネントは、読み取りコマンドに基づいて、論理状態パターンと関連付けられたデータを場所のセットの1つまたは複数の場所から検知コンポーネントアレイに転送するようにさらに動作可能であってもよい。
いくつかの例において、第2のコンポーネントは、ドメインまたはサブドメインのセットをさらに含んでいてもよく、ドメインまたはサブドメインのセットの各ドメインまたはサブドメインは、論理状態パターンの少なくとも一部を記憶した1つまたは複数のメモリセルを含む。
別の装置について説明する。この装置は、第1のコンポーネントと、第2のコンポーネントと、第2のコンポーネントに記憶された論理状態パターンを識別することと、第2のコンポーネントと結合されたアクセス線のセットを選択コンポーネントと結合することと、アクセス線のセットを選択コンポーネントと結合することに基づいて、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことと、論理状態パターンを取り込むことに基づいて、選択コンポーネントを当該装置の第1のコンポーネントの場所のセットと結合することと、選択コンポーネントを第1のコンポーネントの場所のセットと結合することに基づいて、論理状態パターンと関連付けられた信号状態パターンを第1のコンポーネントの場所のセットに記憶することと、を当該装置に行わせるように動作可能なコントローラと、を備えていてもよい。
この装置のいくつかの例において、コントローラは、第1のコンポーネントと関連付けられた第1のワード線のセットをアクティブ化することと、第1のワード線のセットをアクティブ化した後、第1の論理状態に対応する第1の信号を第1のコンポーネントと結合された信号線のセットに印加することと、第1の信号を印加することに基づいて、第1のコンポーネントと関連付けられた第2のワード線のセットをアクティブ化することと、第2のワード線のセットをアクティブ化した後、第2の論理状態に対応する第2の信号を信号線のセットに印加することと、第1の信号および第2の信号を信号線のセットに印加することに基づいて、信号状態パターンを第1のコンポーネントの場所のセットに記憶することと、を当該装置に行わせるようにさらに動作可能であってもよい。
この装置のいくつかの例において、コントローラは、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことに基づいて、論理状態パターンを選択コンポーネントで処理することを当該装置に行わせるようにさらに動作可能であってもよく、論理状態パターンを処理することは、シャッフル演算、数学演算、論理演算、またはこれらの任意の組み合わせを含む。この装置のいくつかの例において、コントローラは、論理状態パターンを選択コンポーネントで取り込むことに基づいて、信号状態パターンを選択コンポーネントで処理することを当該装置に行わせるようにさらに動作可能であってもよい。
いくつかの例において、信号状態パターンは、1つまたは複数の信号状態を含んでいてもよく、コントローラは、信号状態パターンに基づいて、1つまたは複数の信号状態を第1のコンポーネントの場所のセットの各場所に記憶することを当該装置に行わせるようにさらに動作可能であってもよい。
この装置のいくつかの例において、コントローラは、要求側デバイスから、論理状態パターンと関連付けられたコマンドを受信することを当該装置に行わせるようにさらに動作可能であってもよく、論理状態パターンを決定することは、コマンドを受信することに基づく。この装置のいくつかの例において、コントローラは、第1のコンポーネントを介して、コマンドに基づいて、論理状態パターンと関連付けられたデータを場所のセットの1つまたは複数の場所から検知コンポーネントアレイに転送することを当該装置に行わせるようにさらに動作可能であってもよい。
本明細書に説明される情報および信号は、さまざまな種々の技術および技法のいずれかを使用して表されてよい。例えば、上記の説明全体を通して言及され得る、データ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場もしくは磁性粒子、光場もしくは光学粒子、またはこれらの任意の組み合わせによって表されてよい。いくつかの図面には信号が単一の信号として示される場合があるが、当業者には理解されるであろうが、信号は信号のバスを表す場合があり、この場合、バスはさまざまなビット幅を有することができる。
用語「電子通信」、「導電接触」、「接続された」、および「結合された」は、コンポーネント間の信号の流れをサポートするコンポーネント間の関係を指すことができる。コンポーネントは、どんな時にも、コンポーネント間の信号の流れをサポートできるコンポーネント間の任意の導電経路がある場合に、互いに電気的に通信している(または、導電接触している、接続している、または結合している)とみなされる。いつでも、互いに電気的に通信している(または、導電接触している、接続している、または結合している)コンポーネント間の導電経路は、接続されたコンポーネントを含むデバイスの動作に基づいて開回路または閉回路であってよい。接続されたコンポーネント間の導電経路は、コンポーネント間の直接導電経路であってよい、または接続されたコンポーネント間の導電経路は、スイッチ、トランジスタ、または他のコンポーネントなどの中間コンポーネントを含んでよい間接導電経路であってよい。いくつかの例では、接続されたコンポーネント間の信号の流れは、例えば、スイッチまたはトランジスタなどの1つまたは複数の中間コンポーネントを使用して一時的に遮断されてよい。
用語「結合する」は、信号が導電経路上でコンポーネント間で現時点で通信可能ではないコンポーネント間の開回路関係から、信号が導電経路にわたってコンポーネント間で通信可能であるコンポーネント間の閉回路関係に移動する状態を指す。コントローラなどのコンポーネントが他のコンポーネントと共に結合する時、コンポーネントは、以前に信号が流れることができないようにした導電経路上の他のコンポーネント間で信号が流れることができるようにする変更を開始する。
用語「分離された」は、信号が現時点でコンポーネント間で流れることができないコンポーネント間の関係を指す。コンポーネントは、これらの間に開回路がある場合、互いに分離されている。例えば、コンポーネント間に位置付けられるスイッチによって分けられる2つのコンポーネントは、スイッチが開放される時互いに分離される。コントローラが2つのコンポーネントを互いに分離する時、コントローラは、以前に信号が流れることができた導電経路を使用して信号がコンポーネント間で流れないようにする変更に影響を及ぼす。
本明細書で使用される用語「レイヤ」または「レベル」は、(例えば、基板に対する)幾何学的構造の層またはシートを指す。それぞれのレイヤまたはレベルは、三次元(例えば、高さ、幅、および深さ)を有することができ、かつ表面の少なくとも一部分を包含することができる。例えば、レイヤまたはレベルは、2つの寸法が3つ目よりも大きい3次元構造体、例えば、薄膜であり得る。レイヤまたはレベルは、種々の要素、コンポーネント、および/または材料を含んでよい。いくつかの例では、1つのレイヤまたはレベルは2つ以上のサブレイヤまたはサブレベルから構成され得る。
本明細書で使用されるとき、用語「実質的に(substantially)」は、修飾された特性(例えば、「実質的に(substantially)」という用語により修飾された動詞または形容詞)が絶対である必要はなく、当該特性の利点を実現するのに十分な近さであることを意味する。
本明細書で使用されるとき、用語「電極」は、導電体を指すことができ、いくつかの例では、メモリセルまたはメモリアレイの他のコンポーネントへの電気接触として用いられ得る。電極は、メモリアレイの要素またはコンポーネント間の導電経路を提供するトレース、ワイヤ、導電線、または導電レイヤなどを含んでよい。
メモリアレイを含む本明細書で論じられるデバイスは、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム合金、ヒ化ガリウム、窒化ガリウムなどの半導体基板上に形成され得る。いくつかの例では、基板は半導体ウエハである。その他の場合では、基板は、シリコンオンガラス(SOG)またはシリコンオンサファイア(SOP)などのシリコンオンインシュレータ(SOI)基板、または別の基板上の半導体材料のエピタキシャルレイヤであり得る。基板または基板の小領域の導電性は、リン、ボロン、またはヒ素を含むがこれらに限定されないさまざまな化学種を使用するドーピングを通して制御されてよい。ドーピングは、イオン注入によって、または任意の他のドーピング手段によって、基板の初期の形成または成長中に行われてよい。
本明細書で論じられる切り換えコンポーネントまたはトランジスタは、電界効果トランジスタ(FET)を表すことができ、かつ、ソース、ドレイン、およびゲートを含む3端子デバイスを含んでよい。端子は、導電材料、例えば金属を通して他の電子的要素に接続されてよい。ソースおよびドレインは、導電性であってよく、かつ、高濃度にドープされた、例えば縮退した、半導体領域を含むことができる。ソースおよびドレインは、低濃度にドープされた半導体領域またはチャネルによって分けられ得る。チャネルがn型(すなわち、大部分のキャリアが電子である)場合、FETはn型FETと称される場合がある。チャネルがp型(すなわち、大部分のキャリアがホールである)場合、FETはp型FETと称される場合がある。チャネルは、絶縁ゲート酸化物によって覆われてよい。チャネルの導電性は、電圧をゲートに加えることによって制御されてよい。例えば、正電圧または負電圧をn型FETまたはp型FETにそれぞれ加えることは、チャネルが導電性になる結果をもたらし得る。トランジスタの閾値電圧以上の電圧がトランジスタのゲートに加えられる時、トランジスタは「オン」または「アクティブ化」にされてよい。トランジスタの閾値電圧未満の電圧がトランジスタのゲートに加えられる時、トランジスタは「オフ」または「非アクティブ化」にされてよい。
添付の図面に関連して本明細書に記載される説明は、例示的構成を記述し、実施され得るまたは特許請求の範囲内にある全ての例を表さない。本明細書で使用される用語「例示」は、「好適」または「他の例に対して有利」ではなく「一例、事例、または実例の役割を果たす」を意味する。詳細な説明は、説明される技法を理解してもらうための具体的な詳細を含む。しかしながら、これらの技法は、これらの具体的な詳細なく実践可能である。いくつかの事例では、説明される例の概念を不明確にすることを回避するために、周知の構造体およびデバイスはブロック図の形式で示される。
添付の図において、同様のコンポーネントまたは特徴は、同じ参照ラベルを有することができる。さらに、同じタイプのさまざまなコンポーネントは、同様のコンポーネントの中で区別するダッシュおよび第2のラベルを参照ラベルに続けることによって区別可能である。単に第1の参照ラベルが本明細書に使用される場合、説明は、第2の参照ラベルに関係なく同じ第1の参照ラベルを有する同様のコンポーネントの任意の1つに適用できる。
本明細書に記載される情報および信号は、さまざまな種々の技術および技法のいずれかを使用して表されてよい。例えば、上記の説明全体を通して言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場もしくは磁性粒子、光場もしくは光学粒子、またはこれらの任意の組み合わせによって表されてよい。
本明細書における開示と関連して説明されるさまざまな例証となるブロックおよびモジュールは、汎用プロセッサ、DSP、ASIC、FPGAもしくは他のプログラム可能論理デバイス、ディスクリートゲートもしくはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェアコンポーネント、または本明細書に説明される機能を実行するように設計されたこれらの任意の組み合わせで実装または実行され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサであってよいが、代わりに、プロセッサは、任意のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態マシンであってよい。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組み合わせ(例えば、DSPおよびマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアと併せた1つもしくは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のこのような構成)として実装されてよい。
本明細書に説明される機能は、ハードウェア、プロセッサにより実行されるソフトウェア、ファームウェア、またはこれらの任意の組み合わせで実装されてよい。プロセッサによって実行されるソフトウェアに実装される場合、機能は、コンピュータ可読媒体上の1つまたは複数の命令もしくはコードとして記憶されてまたはこれに対して送信されてよい。他の例および実施例は、本開示および添付の特許請求の範囲内にある。例えば、ソフトウェアの性質により、上述される機能は、プロセッサによって実行されるソフトウェア、ハードウェア、ファームウェア、配線、またはこれらの任意の組み合わせを使用して実装可能である。機能を実装する特徴はまた、機能の部分が種々の物理的な場所に実装されるように分配されることを含む、さまざまな位置に物理的に位置してよい。また、特許請求の範囲を含んで本明細書で使用されるとき、項目のリスト(例えば、「~の少なくとも1つ」または「~の1つまたは複数」などの句によって前置きされる項目のリスト)に使用されるような「または」は、例えば、A、B、またはCの少なくとも1つのリストがAまたはBまたはCまたはABまたはACまたはBCまたはABC(すなわちAおよびBおよびC)を意味するように包含的リストを指示する。また、本明細書で使用されるとき、句「~に基づいて」は、条件の閉集合への言及として解釈されないものとする。例えば、「条件Aに基づいて」と説明される例示のステップは、本開示の範囲から逸脱することなく、条件Aおよび条件B両方に基づくことができる。換言すれば、本明細書で使用されるとき、句「~に基づいて」は、句「~に少なくとも部分的に基づいて」と同様に解釈されるものとする。
本明細書における説明は、当業者が本開示を製作または使用できるように提供される。本開示へのさまざまな修正は当業者には明らかになるものであり、本明細書に定義される包括的な原理は本開示の範囲から逸脱することなく他の変形に適用され得る。よって、本開示は、本明細書に記載される例および設計に限定されるものではなく、本明細書に開示される原理および新規の特徴と一致する最も広い範囲に適合するものとする。