JP7153559B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明者らは、「背景技術」の欄において記載した半導体装置に関し、以下の問題が生じることを見出した。
第1実施形態に係る半導体装置について、一例として横型PチャネルMOSトランジスタの平面図およびその要部拡大図をそれぞれ図1(A)、(B)に示す。
第1実施形態では、平面視において、横型PチャネルMOSトランジスタのSTI領域11の内周を示す第1端線、n型ボディ領域4の外周を示す第2端線、p型ドリフト領域5内周を示す第3端線の4隅を頂角135°とする直線でつなぐ構造としたが、この部分は直線に限定されるものではなく曲線を用いて円弧状としても構わない。円弧状にした場合の平面図を図5(A)、(B)に示す。
2 埋め込み絶縁層
3 n型半導体層
4 n型ボディ領域
5 p型ドリフト領域
6 n型埋め込み領域
7 p+型ドレイン領域
8 p+ドレイン領域
9 p+ソース領域
10 n+ボディ・コンタクト拡散領域
11 絶縁体領域
12 ゲート絶縁膜
13 ゲート電極
14 サイドウォールスペーサ
15 絶縁膜
16 ソース電極
17 ドレイン電極
Claims (13)
- 半導体基板の一主面側の上部に埋め込み絶縁膜を介して形成された半導体層と、
前記半導体層の上部に形成された第1導電型のボディ領域と、
前記半導体層の上部に、前記ボディ領域から離間して形成された第2導電型のドレイン領域と、
前記ボディ領域の表面に形成された第2導電型のソース領域と、
前記半導体層内における前記ドレイン領域と前記ボディ領域との間に形成された第2導電型のドリフト領域と、
前記半導体層の表面における前記ボディ領域と前記ドレイン領域との間に前記ドリフト領域上と重なるように形成された絶縁体領域と、
前記半導体層の表面における前記ボディ領域上の一部から前記絶縁体領域の端部まで形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上と前記絶縁体領域上に跨って形成されたゲート電極と、
前記ソース領域上および前記ドレイン領域上にそれぞれ形成された電極とを備え、
平面視において、前記ソース領域と前記ドレイン領域は対向する長さが最も長い方向である長手方向に沿って伸長して、前記長手方向と直交する方向である短手方向に並んで配置されており、
平面視において、前記ボディ領域は前記長手方向に伸長して前記ドリフト領域および前記絶縁体領域によって包囲されるように配置されており、
前記ボディ領域の前記長手方向の中央部から終端部に向かうに従い、前記絶縁体領域と前記ボディ領域との前記短手方向の間隔が狭くなる半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
平面視において、前記ボディ領域の前記長手方向の中央部から終端部に向かうに従い、前記絶縁体領域と前記ボディ領域との前記短手方向の間隔が狭くなってゆく先において、前記絶縁体領域と前記ボディ領域とが接触する半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
平面視において、前記ボディ領域の前記長手方向の中央部から終端部に向かうに従い、前記絶縁体領域が開口している領域の前記短手方向の幅が狭くなることにより、前記絶縁体領域と前記ボディ領域との前記短手方向の間隔が狭くなる半導体装置。 - 半導体基板の一主面側の上部に埋め込み絶縁膜を介して形成された半導体層と、
前記半導体層の上部に形成された第1導電型のボディ領域と、
前記半導体層の上部に、前記ボディ領域から離間して形成された第2導電型のドレイン領域と、
前記ボディ領域の表面に形成された第2導電型のソース領域と、
前記半導体層内における前記ドレイン領域と前記ボディ領域との間に形成された第2導電型のドリフト領域と、
前記半導体層の表面における前記ボディ領域と前記ドレイン領域との間に形成された絶縁体領域と、
前記半導体層の表面における前記ボディ領域上の一部から前記絶縁体領域の端部まで形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上と前記絶縁体領域上に跨って形成されたゲート電極と、
前記ソース領域上および前記ドレイン領域上にそれぞれ形成された電極とを備え、
平面視において、前記ソース領域と前記ドレイン領域は対向する長さが最も長い方向である長手方向に沿って伸長して、前記長手方向と直交する方向である短手方向に並んで配置されており、
平面視において、前記ボディ領域と前記絶縁体領域とは前記長手方向に伸長して一方が他方の周囲を取り囲む配置をなすと共に、それぞれの領域端を示す端線は前記ゲート電極下方を通過する前記絶縁体領域の第1端線と前記ボディ領域の第2端線を有し、
前記第2端線は前記ボディ領域から前記半導体層との間で不純物濃度もしくは導電型が異なる境界線を形成し、
平面視において、前記第1端線と前記第2端線は共に前記長手方向に沿って対向する直線部と、前記長手方向の直線部の終端間を鈍角の頂角で曲がる折れ線もしくは円弧で結ぶ曲線部を有し、
前記直線部では、前記ボディ領域の前記第2端線は前記絶縁体領域の前記第1端線よりも前記短手方向において前記ソース領域側に位置する部分を有し、
前記曲線部では、前記絶縁体領域の前記第1端線は前記ボディ領域の前記第2端線よりも前記長手方向において前記ソース領域側に位置する部分を有し、
前記第1端線と前記第2端線は交差点を有しており、
前記交差点において、前記長手方向へ向かうに従い間隔が狭くなる前記第1端線と前記第2端線によって挟まる角度は鋭角である半導体装置。 - 半導体基板の一主面側の上部に埋め込み絶縁膜を介して形成された第1導電型の半導体層と、
前記半導体層の上部に形成された第1導電型のボディ領域と、
前記半導体層の上部に、前記ボディ領域から離間して形成された第2導電型のドレイン領域と、
前記ボディ領域の表面に形成された第2導電型のソース領域と、
前記半導体層内における前記ドレイン領域と前記ボディ領域との間に形成された第2導電型のドリフト領域と、
前記半導体層の表面における前記ボディ領域と前記ドレイン領域との間に形成された絶縁体領域と、
前記半導体層の表面における前記ボディ領域上の一部から前記絶縁体領域の端部まで形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上と前記絶縁体領域上に跨って形成されたゲート電極と、
前記ソース領域上および前記ドレイン領域上にそれぞれ形成された電極とを備え、
平面視において、前記ソース領域と前記ドレイン領域は対向する長さが最も長い方向である長手方向に沿って伸長して、前記長手方向と直交する方向である短手方向に並んで配置されており、
平面視において、前記ドリフト領域と前記絶縁体領域とは前記長手方向に伸長して、前記ボディ領域とは一方が他方の周囲を取り囲む配置をなすと共に、それぞれの領域端を示す端線は前記ゲート電極下方を通過する前記絶縁体領域の第1端線と前記ドリフト領域の第3端線を有し、
前記第3端線は前記ドリフト領域と前記半導体層との間で導電型が異なる境界線を形成し、
平面視において、前記第1端線と前記第3端線は共に前記長手方向に沿って対向する直線部と、前記長手方向の直線部の終端間を鈍角の頂角で曲がる折れ線もしくは円弧で結ぶ曲線部を有し、
前記直線部では、前記ドリフト領域の前記第3端線は前記絶縁体領域の前記第1端線よりも前記短手方向において前記ソース領域側に位置する部分を有し、
前記曲線部では、前記絶縁体領域の前記第1端線は前記ドリフト領域の前記第3端線よりも前記長手方向において前記ソース領域側に位置する部分を有し、
前記第1端線と前記第3端線は交差点を有しており、
前記交差点において、前記長手方向へ向かうに従い間隔が狭くなる前記第1端線と前記第3端線によって挟まる角度は鋭角である半導体装置。 - 請求項4又は5に記載の半導体装置において、
平面視において、前記交差点における前記鋭角の角度は30°以上かつ60°以下である半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
平面視において、前記ボディ領域と前記ゲート電極とが重畳する間隔は、前記ボディ領域の第2端線の前記曲線部における前記長手方向の間隔の方が、前記ボディ領域の第2端線の前記直線部における前記短手方向の間隔よりも広い半導体装置。 - 請求項4~7のいずれか1項に記載の半導体装置において、
平面視において、前記ゲート絶縁膜上における前記ゲート電極端から前記絶縁体領域端までの間隔は、前記絶縁体領域の第1端線の前記曲線部における前記長手方向の寸法が、前記絶縁体領域の第1端線の前記直線部における前記短手方向の寸法より狭い半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
平面視において、前記ボディ領域の前記第2端線と前記絶縁体領域の前記第1端線に関し、前記直線部の前記短手方向の幅が太い方の端線の方が、前記長手方向における前記直線部の終端の前記長手方向の位置がソース領域側である半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
平面視において、前記ボディ領域の前記第2端線における前記直線部の前記短手方向の幅と、前記絶縁体領域の前記第1端線における前記直線部の前記短手方向の幅の寸法差の半分以上、前記長手方向における前記直線部の終端の前記長手方向の位置が前記ソース領域側である半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
平面視において、前記ボディ領域の前記第2端線と前記絶縁体領域の前記第1端線との間隔に関し、前記絶縁体領域の前記第1端線の前記曲線部における前記長手方向の間隔の方が、前記絶縁体領域の前記第1端線の前記直線部における前記短手方向の間隔よりも狭い半導体装置。 - 請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体装置において、
平面視において、リング状の前記ゲート電極の幅寸法に関し、前記長手方向の幅寸法が前記短手方向の幅寸法よりも狭い半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
平面視において、前記ゲート電極における前記ボディ領域の上方を覆わない領域の寸法に関して、前記ボディ領域の第2端線の前記曲線部における前記長手方向の寸法が、前記ボディ領域の第2端線の前記直線部における前記短手方向の寸法よりも狭い半導体装置。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3509552B2 (ja) * | 1998-04-30 | 2004-03-22 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US6985051B2 (en) * | 2002-12-17 | 2006-01-10 | The Regents Of The University Of Michigan | Micromechanical resonator device and method of making a micromechanical device |
JP2005093696A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 横型mosトランジスタ |
JP4387291B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2009-12-16 | パナソニック株式会社 | 横型半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP5261927B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
US7990232B1 (en) * | 2007-06-06 | 2011-08-02 | Rf Micro Devices, Inc. | Anchor/support design for MEMS resonators |
JP5487852B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-05-14 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP5504187B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2014-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5456147B2 (ja) | 2012-11-30 | 2014-03-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP6244177B2 (ja) * | 2013-11-12 | 2017-12-06 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置 |
JP6369173B2 (ja) * | 2014-04-17 | 2018-08-08 | 富士電機株式会社 | 縦型半導体装置およびその製造方法 |
US9905688B2 (en) * | 2016-01-28 | 2018-02-27 | Texas Instruments Incorporated | SOI power LDMOS device |
CN106129118B (zh) * | 2016-08-25 | 2019-04-26 | 电子科技大学 | 横向高压功率器件的结终端结构 |
-
2018
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-
2019
- 2019-02-12 US US16/273,398 patent/US10756172B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110970A (ja) | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2011204924A (ja) | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
WO2012107998A1 (ja) | 2011-02-08 | 2012-08-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
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