JP7041713B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
、マニュファクチャ、又は組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。また、本
発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動
方法又はそれらの製造方法に関する。特に、本発明の一態様は、酸化物半導体を含む半導
体装置、表示装置、又は発光装置に関する。
全般を指す。表示装置、電気光学装置、半導体回路及び電子機器は、半導体装置を有する
場合がある。
UHDTV(8K Ultra High Definition Televisio
n)が提案されるなど、表示装置の高精細化及び画素数の増大が要求されている。表示装
置の画素数の増大が進むにつれて、表示画像データ量も増大するため、放送用通信におけ
るデータ送信速度の大幅な向上が必要になる。
技術が注目されている。当該トランジスタは集積回路(IC)や表示装置のような電子デ
バイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体材料として、シリコン系
半導体が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体(OS:Oxide S
emiconductor)が注目されている。
トランジスタを作製する技術が開示されている(特許文献1および特許文献2参照)。
小さいことが知られている。当該オフ電流特性を利用して記憶装置を構成する技術が特許
文献3に開示されている。
伸長処理が必要とされている。これらの処理を行う送信装置または受信装置は、画像デー
タの大容量化に伴い、非常に大規模な演算処理を短時間で行うことが要求されている。
課題の一とする。本発明の一態様は、低消費電力で動作が可能な送信装置もしくは受信装
置を提供することを課題の一とする。
る。本発明の一態様は、低消費電力で動作が可能な放送システムを提供することを課題の
一とする。
数の課題の記載は、互いの課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、
これらの課題の全て解決する必要はない。また、列記した以外の課題が、明細書、図面、
請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、これらの課題も、本発明の一形
態の課題となり得る。
ド線と、第1ビット線と、アナログ回路と、を有する送信装置である。第iワード線(i
は1以上、m以下の整数)は、第iメモリセルに電気的に接続される。第1乃至第mメモ
リセルは、第1ビット線を介して、アナログ回路に電気的に接続される。第1乃至第mメ
モリセルは第1データに対応する電位を保持する機能を有する。第1乃至第mワード線は
第2データに対応する電位が与えられる。アナログ回路は第1データと第2データの積和
演算を行う機能を有する。第1データまたは第2データは画像データを含む。
ログ回路は、第1回路および第2回路を有する。第m+iメモリセルは第iワード線に電
気的に接続される。第1回路は第1ビット線に電気的に接続される。第2回路は、第2ビ
ット線を介して、第m+1乃至第m+mメモリセルに電気的に接続される。第1回路は第
2回路と、カレント・ミラー回路を介して、電気的に接続されている。
スタと、第2トランジスタを有する。容量素子の第1端子は第1トランジスタのゲートに
電気的に接続される。容量素子の第2端子は第iワード線に電気的に接続される。第3ビ
ット線は、第2トランジスタを介して、第1トランジスタのゲートに電気的に接続される
。第1トランジスタのソース又はドレインの一方は第1ビット線に電気的に接続される。
第2トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有する。
ド線と、第1ビット線と、アナログ回路と、を有する受信装置である。第iワード線(i
は1以上、m以下の整数)は、第iメモリセルに電気的に接続される。第1乃至第mメモ
リセルは、第1ビット線を介して、アナログ回路に電気的に接続される。第1乃至第mメ
モリセルは第1データに対応する電位を保持する機能を有する。第1乃至第mワード線は
第2データに対応する電位が与えられる。アナログ回路は第1データと第2データの積和
演算を行う機能を有する。第1データまたは第2データは画像データを含む。
ログ回路は、第1回路および第2回路を有する。第m+iメモリセルは第iワード線に電
気的に接続される。第1回路は第1ビット線に電気的に接続される。第2回路は、第2ビ
ット線を介して、第m+1乃至第m+mメモリセルに電気的に接続される。第1回路は第
2回路と、カレント・ミラー回路を介して、電気的に接続されている。
スタと、第2トランジスタを有する。容量素子の第1端子は第1トランジスタのゲートに
電気的に接続される。容量素子の第2端子は第iワード線に電気的に接続される。第3ビ
ット線は、第2トランジスタを介して、第1トランジスタのゲートに電気的に接続される
。第1トランジスタのソース又はドレインの一方は第1ビット線に電気的に接続される。
第2トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有する。
および操作キーのうちの少なくとも1つと、を有する電子機器である。
と、表示装置と、を有する放送システムである。カメラは撮像データを生成し、送信装置
は、撮像データを圧縮して送信データを生成し、受信装置は、送信データを伸長して映像
データを生成し、表示装置は、映像データを表示する。
とが可能になる。本発明の一態様により、低消費電力で動作が可能な送信装置もしくは受
信装置を提供することが可能になる。
る。本発明の一態様により、低消費電力で動作が可能な放送システムを提供することが可
能になる。
態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、
図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項な
どの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
る態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、
以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
。また、1つの実施の形態や実施例の中に、複数の構成例が示される場合は、互い構成例
を適宜組み合わせることが可能である。
場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を
模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。
ときのドレイン電流をいう。オン状態とは、特に断りがない場合、nチャネル型トランジ
スタでは、ゲートとソースの間の電圧差(Vgs)がしきい値電圧(Vth)以上の状態
、pチャネル型トランジスタでは、VgsがVth以下の状態をいう。例えば、nチャネ
ル型のトランジスタのオン電流とは、VgsがVth以上のときのドレイン電流を言う場
合がある。また、トランジスタのオン電流は、ドレインとソースの間の電圧(Vds)に
依存する場合がある。
ときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、nチャネル型トランジ
スタでは、VgsがVthよりも低い状態、pチャネル型トランジスタでは、VgsがV
thよりも高い状態をいう。例えば、nチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、Vg
sがVthよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。トランジスタのオフ電流は
、Vgsに依存する場合がある。従って、トランジスタのオフ電流が10-21A未満で
ある、とは、トランジスタのオフ電流が10-21A未満となるVgsの値が存在するこ
とを言う場合がある。
フ電流は、特に記載がない場合、Vdsの絶対値が0.1V、0.8V、1V、1.2V
、1.8V,2.5V,3V、3.3V、10V、12V、16V、または20Vにおけ
るオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等におい
て使用されるVdsにおけるオフ電流を表す場合がある。
ル(又はGND)と呼ぶ場合がある。
〈〈放送システム〉〉
本発明の一態様である放送システムの概念図を図1に示す。図1は、放送局61から送信
された電波が、各家庭のテレビ66に届けられるまでの経路を示している。電波67、6
8は、人工衛星62及びアンテナ64を介して、テレビ66に届けられる衛星放送用の電
波を表している。電波69、70は、電波塔63及びアンテナ65を介して、テレビ66
に届けられる地上波放送用の電波を表している。
ellite)、放送衛星(BS:Broadcasting Satellite)な
どが挙げられる。アンテナ64として、例えば、BS・110°CSアンテナ、CSアン
テナなどが挙げられる。アンテナ65として、例えば、UHF(Ultra High
Frequency)アンテナなどが挙げられる。
)が設けられることが好ましい。図1は、テレビ66が受信装置を内蔵している例を示し
ている。また、図2(A)に示すように、受信装置71は、テレビ66の外側に設けられ
てもよい。また、図2(B)に示すように、アンテナ64、65とテレビ66は、無線機
72及び無線機73を介して、データのやり取りを行ってもよい。この場合、無線機72
または無線機73は、受信装置としての機能も有する。また、図2(C)に示すように、
テレビ66は、無線機73を内蔵してもよい。
信装置74は、コネクター部75を有する。受信装置74は携帯性に優れている点で好ま
しい。また、コネクター部75を、表示部を有する装置(例えば、パーソナルコンピュー
タ、携帯電話、タブレット型端末など)に差し込むことで、当該装置を衛星放送または地
上波放送が受信可能な状態にする。
行う。図3に示すフローチャートは、撮像素子11及び画像処理装置12を有するカメラ
10と、エンコーダ21及び変調器22を有する送信装置20と、復調器31及びデコー
ダ33を有する受信装置30と、画像処理装置41と表示素子42を有する表示装置40
と、を有する。以下、データの流れについて順を追って説明を行う。
51を生成し、画像処理装置12が画像処理(ノイズ除去、補間処理など)を施し、撮像
データ52が出力される。
データ52を圧縮(符号化)して、符号化データ53に変換する機能を有する。なお、エ
ンコーダ21における当該変換処理のことをエンコードと呼ぶことがある。データ圧縮の
アルゴリズムは種々提案されているが、一例として、8K UHD放送は、MPEG-H
HEVC規格と呼ばれる方式を採用している。
ダ21において、撮像データ52を圧縮する役割を担う。回路21bは、圧縮されたデー
タに、放送に必要な制御用のデータ(例えば認証用のデータ)の追加、暗号化処理、スク
ランブル処理(スペクトラム拡散のためのデータ並び替え)などを施して、符号化データ
53を生成する機能を有する。
される。ここまでが、放送局の役割になる。
ータ55として受け取る。受信データ55は、復調器31を介して、復調データ56にな
る。デコーダ33は、復調データ56を伸長し、映像データ57に変換する機能を有する
。なお、デコーダ33の当該変換処理のことをデコードと呼ぶことがある。
構成されることが好ましい。
グ/デジタルコンバータ(A/Dコンバータ)としての機能を有する(図4)。回路33
bは、エンコーダ21で施した処理に応じて、A/D変換されたデータに、放送に必要な
制御用のデータ(例えば認証用のデータ)の分離、フレームの分離、復号処理、認証処理
、デスクランブル処理(スクランブル処理されたデータを元に戻す)などを施す機能を有
する(図4)。回路33cは、デコーダ33において、圧縮されたデータを伸長し、映像
データ57を生成する役割を担う。回路33cは、データを並列化する機能を有すること
が好ましい。並列化されたデータは、それぞれ、直交変換(DCT:離散コサイン変換、
DST:離散サイン変換)、フレーム内予測、フレーム間予測、動き補償予測などの処理
が施される(図4)。なお、並列化処理を行う回路は、回路33cの外に存在していても
よい。
係が入れ替わるのみで、等価な演算で実現できる。そのため、離散コサイン変換と逆離散
コサイン変換を含めて離散コサイン変換と呼ぶ場合がある。同様に、離散サイン変換と逆
離散サイン変換を含めて離散サイン変換と呼ぶ場合がある。
LSI(Large Scale Integration)などを用いて作製されるこ
とが好ましい。また、エンコーダ21及びデコーダ33は、FPGA(Field Pr
ogrammable Gate Array)などで構成されてもよい。
マ処理など)され、表示データ58となり、表示素子42(液晶ディスプレイなど)に表
示される。
法として、画面内(フレーム内)予測、画面間(フレーム間)予測、直交変換(DCT:
離散コサイン変換、DST:離散サイン変換)、可変長符号化、などがある。これらのう
ち、直交変換(DCT、DST)について詳述する。DCT(DSTも同様)では、画像
データ(空間座標領域表現)f(k,l)を空間周波数領域表現F(u,v)に変換する
。一般的に、画像データにおいて、高い空間周波数成分の寄与は小さい場合が多いことか
ら、変換後のデータを可変長符号化することで、全体としてデータ量を削減できる。DC
T(8×8)の具体的な変換式は式(1)で表される。
v、k)を算出し、さらに式(2)よりF(u、v)を算出することが可能になる。つま
り、2段階の演算によりDCT(またはDST)が可能になる。
散コサイン変換が用いられる。特に、データに応じてブロックサイズの異なる(4×4、
8×8、16×16、32×32)離散コサイン変換が使われている。
列演算で表すことができる。
DST)を高速に行うことができるため、エンコードを短時間で行うことができる。
T)を高速に行うことができるため、デコードを短時間で行うことができる。
次に、上述の積和演算を実現することが可能な半導体装置の回路構成について、図5乃至
図13を用いて説明を行う。
図5は、図3のエンコーダ又はデコーダに適用可能な半導体装置100の構成例を示すブ
ロック図である。半導体装置100は、メモリセルアレイ121と、行デコーダ123と
、アナログ回路124と、A/D変換回路125と、配線RWと、配線WWと、配線WB
1と、配線SL1と、配線RB1と、配線WB0と、配線SL0と、配線RB0を有する
。
有する。
しての機能を有する。
有する。同様に、配線WB0は、メモリセルMC0に書き込むデータが与えられるビット
線としての機能を有する。
機能を有する。同様に、配線RB0は、メモリセルMC0に書き込まれたデータを読み出
す際のビット線としての機能を有する。
れたメモリセルMC1と、m行1列に配置されたメモリセルMC0を有している。図5に
おいて、メモリセルMC0[i](iは1以上、m以下の整数)は、メモリセルMC1[
i、1]乃至MC1[i、n]に、配線RW[i]または配線WW[i]を介して電気的
に接続されている。
能を有する。同様に、行デコーダ123は、配線RWに、メモリセルMC1、MC0の読
み出し信号を与える機能を有する。行デコーダ123に入力される信号としては、メモリ
セルMC1、MC0の行を指定するためのアドレス信号、上述の読み出し信号などがある
。
回路RC1[j](jは1以上、n以下の整数)は、メモリセルMC1[1、j]乃至M
C1[m、j]に、配線RB1[j]を介して電気的に接続されている。同様に、回路R
C0は、メモリセルMC0[1]乃至MC0[m]に、配線RB0を介して電気的に接続
されている。後述するように、アナログ回路124は、メモリセルMC1に書き込まれた
データと、配線RWに読み出し信号として与えられたデータの積和演算を行い出力する機
能を有する。
機能を有する。なお、A/D変換回路125は、場合によっては省略してもよい。
図6は、半導体装置100における、メモリセルMC1、メモリセルMC0、回路RC1
、回路RC0の回路構成例を示したものである。
N1とを有する。また、メモリセルMC1は、配線RW、配線WB1、配線SL1及び配
線RB1に電気的に接続されている。
容量素子C0の第2端子は、ノードFN1に電気的に接続される。トランジスタM0のゲ
ートは、ノードFN1に電気的に接続される。トランジスタM0のソース又はドレインの
一方は、配線RB1に電気的に接続される。トランジスタM0のソース又はドレインの他
方は、配線SL1に電気的に接続される。スイッチS0は、ノードFN1と、配線WB1
との間の導通状態を制御する機能を有する。
N0とを有する。また、メモリセルMC0は、配線RW、配線WB0、配線SL0及び配
線RB0に電気的に接続されている。
容量素子C0の第2端子は、ノードFN0に電気的に接続される。トランジスタM0のゲ
ートは、ノードFN0に電気的に接続される。トランジスタM0のソース又はドレインの
一方は、配線RB0に電気的に接続される。トランジスタM0のソース又はドレインの他
方は、配線SL0に電気的に接続される。スイッチS0は、ノードFN0と、配線WB0
との間の導通状態を制御する機能を有する。
をノードFN1に書き込む機能を有し、スイッチS0をオフにすることで、ノードFN1
に書き込まれたデータを保持する機能を有する。
たデータをノードFN0に書き込む機能を有し、スイッチS0をオフにすることで、ノー
ドFN0に書き込まれたデータを保持する機能を有する。
トランジスタとしては、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するOSトランジスタや、
チャネル形成領域にワイドバンドギャップ半導体(バンドギャップが2.2eV以上の半
導体、例えば、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ダイヤモンドなど)を用いたトランジスタが
挙げられる。特に、OSトランジスタを用いることが好ましい。OSトランジスタを用い
ることでスイッチS0は、チャネル幅1μmあたりの規格化されたオフ電流(室温、ソー
スとドレインとの間の電圧は3V)を10×10-21A以下にすることができる。
は、少ない電力でデータの書き込みを行うことが可能になる。また、半導体装置100の
電源をオフにした状態でも、メモリセルMC1、MC0は、長期間データを保持すること
が可能になる。また、容量素子C0の容量を小さくできるため、メモリセルMC1、MC
0の占有面積を小さくすることができる。
電流が高いトランジスタをスイッチS0に設けることで、メモリセルMC1、MC0は、
データの書き込みを高速で行うことが可能になる。
、オペアンプ130と、抵抗素子R1と、抵抗素子R2と、配線L1乃至L5と、を有す
る。また、回路RC1[j]は、配線RB1[j]を介して、メモリセルMC1[1、j
]乃至MC1[m、j]に電気的に接続される。
され、トランジスタM3を介して配線L3に電気的に接続され、トランジスタM4を介し
て配線L4に電気的に接続される。
気的に接続され、オペアンプ130の反転入力端子(-)は、トランジスタM3を介して
、配線L3に電気的に接続される。また、オペアンプ130の反転入力端子は、抵抗素子
R1を介して、オペアンプ130の出力端子に電気的に接続され、オペアンプ130の非
反転入力端子は、抵抗素子R2を介して配線L5に電気的に接続される。
C1の第2の端子は、トランジスタM4のソース又はドレインの一方及び配線L4に、電
気的に接続される。
を有する。スイッチS2は、オペアンプ130の非反転入力端子とトランジスタM2との
間の導通又は非導通を制御する機能を有する。スイッチS3は、配線RB1とトランジス
タM3との間の導通又は非導通を制御する機能を有する。スイッチS4は、オペアンプ1
30の反転入力端子とトランジスタM3との間の導通又は非導通を制御する機能を有する
。スイッチS5は、トランジスタM4のソース又はドレインの他方とトランジスタM4の
ゲートとの間の導通又は非導通を制御する機能を有する。
た、回路RC0は、配線RB0を介して、メモリセルMC0[1]乃至MC0[m]に電
気的に接続される。
される。また、スイッチS6、S7は、配線RB0とトランジスタM5との間の導通又は
非導通を制御する機能を有する。
M3及びM5は、カレント・ミラー回路を形成する。
4、L5は低電位(電位VSS)が与えられることが好ましい。また、配線SL0、SL
1は低電位(電位VR)が与えられることが好ましい。
いたトランジスタなど、オフ電流が低いトランジスタを用いてもよい。スイッチS1乃至
S7にオフ電流が低いトランジスタを設けることで、回路RC1及び回路RC0は、消費
電力を低減することが可能になる。
、オン電流が高いトランジスタを用いてもよい。スイッチS1乃至S7にオン電流が高い
トランジスタを設けることで、回路RC1及び回路RC0は、高速動作が可能になる。
0及びM4はnチャネル型トランジスタとして説明を行う。
至M5が飽和領域で動作できるように、各種配線の電位を適宜調整すればよい。
次に、図6に示す半導体装置100の動作方法について、図7乃至図9を用いて説明を行
う。
位VPRが与えられる。メモリセルMC1[i、j]、MC0[i]のスイッチS0をオ
ンにすることで、ノードFN1[i、j]に電位(VPR-VP[i、j])が与えられ
、ノードFN0[i]に電位VPRが与えられえる(図7参照)。
イッチS0をオフにする(図8参照)。ノードFN1[i、j]及びノードFN0[i]
に書き込まれた電位は保持される。なお、配線RW[i]の電位は、任意の基準電位に設
定しておくことが好ましい。以降、当該基準電位を0とし、それ以外の電位は、当該基準
電位からの差とする。
[1、j]乃至MC0[m、j]に対して行う。
タM0に流れる電流I1[i、j]とメモリセルMC0[i]のトランジスタM0に流れ
る電流I0[i]は、以下の式(4)と式(5)で表される。
ある。
いて考える。電流I1[j]は電流I1[1、j]乃至I1[m、j]を足し合わせたも
のであり、電流I0は電流I0[1]乃至I0[m]を足し合わせたものであることから
(図8参照)、電流I0から電流I1[j]を差し引いた差分ΔI[j]は、以下の式(
6)で表される。
の電位を全て0にした状態で、スイッチS3、S5、S7をオンにし、スイッチS0、S
1、S2、S4、S6をオフにする。このとき、配線RB1[j]に電流I1[j]が流
れ、配線RB0及びトランジスタM5に電流I0が流れ、トランジスタM4に電流I2[
j]が流れる。
ンジスタM5に流れる電流I0は、トランジスタM3にも流れる。その結果、電流I1[
j]と電流I2[j]の和が、電流I0に等しくなることがわかる(式(9))。
(10))。
ようにトランジスタM4のゲート電位が充電される。つまり、式(10)より、容量素子
C1が当該電位を保持することで、トランジスタM4は電流I3[j]を供給する電流源
としての機能を有する。
1、S2、S4、S6をオンにし、スイッチS0、S3、S5、S7をオフにする。この
とき、メモリセルMC1[i、j]のトランジスタM0に流れる電流I1[i、j]とメ
モリセルMC0[i]のトランジスタM0に流れる電流I0[i]は、以下の式(11)
と式(12)で表される。
畳されるため、配線RW[i]の電位変化がそのままトランジスタM0のゲート電位の増
加分とはならない。より具体的には、容量素子C0の容量と、トランジスタM0のゲート
容量及び寄生容量より算出できる容量結合係数を、配線RW[i]の電位変化に乗じた電
位変化がトランジスタM0のゲート電位の増加分となる。ここでは、簡単のため、当該容
量結合係数を乗じた電位をVW[i]とするが、実際に配線RW[i]に供給する電位は
、当該容量結合係数を用いることで適宜換算すればよい。
る。
2[j]の和)に等しい電流が、トランジスタM1及びスイッチS1を流れ、トランジス
タM1とカレント・ミラー回路を形成するトランジスタM2にも流れる。また、トランジ
スタM5には電流I0が流れ、トランジスタM5とカレント・ミラー回路を形成するトラ
ンジスタM3にも電流I0が流れる。
[j])が流れる。抵抗素子R1と抵抗素子R2の抵抗値を等しくすると、オペアンプ1
30の出力端子OUT[j]の電位は、I1[j]+I3[j]-I0に比例する。すな
わち、式(14)より、出力端子OUT[j]は、Σi(VW[i]×VP[i、j])
に比例した電位を出力する。
、電位VW[1]乃至VW[m]の積和演算に相当する。
に与えられた電位(VW)との積和演算を行うことができる。
(15)より、出力端子OUT[j]は、ベクトル・マトリクス積演算の結果の第j成分
に比例したデータを出力することがわかる。上述の処理を、出力端子OUT[1]乃至O
UT[n]について行い、得られたデータを適宜規格化することで、ベクトル・マトリク
ス積演算の結果を取得することが可能になる(式(16))。
データをあてはめることで、半導体装置100はDCT(またはDST)を行うことがで
きる。
びM5をnチャネル型トランジスタとし、トランジスタM4をpチャネル型トランジスタ
としてもよい。その場合、配線L1、L2、L3及びL6には電位VSSを与え、配線L
4、L5には電位VDDを与えることが好ましい。
半導体装置100のより具体的な構成例について、図10乃至図12を用いて説明を行う
。図10は、メモリセルMC1、MC0のより具体的な構成例を示し、図11は、回路R
C1、RC0のより具体的な構成例を示している。図12は、図10及び図11に示す半
導体装置100の動作の一例を示すタイミングチャートである
上、(n-1)以下の整数を表す。
を設けた場合の回路図である。配線WWはメモリセルMC1、MC0に、データを書き込
む際のワード線としての機能を有し、配線WW[I]は、メモリセルMC1[I、1]乃
至MC1[I、n]及びMC0[I]に電気的に接続され、配線WW[I+1]は、メモ
リセルMC1[I+1、1]乃至MC1[I+1、n]及びMC0[I+1]に電気的に
接続されている。配線WWは、スイッチS0のオンオフを制御する機能を有する。配線W
WにHレベルの電位を与えることで、スイッチS0はオン状態になり、ノードFN1及び
FN0にデータが書き込まれる。
線OPC及び配線CSCを設けた場合の回路図である。配線OPCはスイッチS1、S2
、S4、S6のオンオフを制御する機能を有し、配線CSCは、スイッチS3、S5、S
7のオンオフを制御する機能を有する。配線OPCにHレベルの電位を与えることで、ス
イッチS1、S2、S4、S6はオン状態になり、配線CSCにHレベルの電位を与える
ことで、スイッチS3、S5、S7はオン状態になる。
。また、スイッチS1乃至S7は相補型MOSスイッチ(CMOSスイッチ、アナログス
イッチ)で構成することも可能である。スイッチS1乃至S7をnチャネル型トランジス
タで構成することで、少ない面積で高速のスイッチを構成することができる。スイッチS
1乃至S7をpチャネル型トランジスタで構成することで、少ない面積でスイッチを構成
することができる。スイッチS1乃至S7をCMOSスイッチで構成することで、広い電
圧範囲の入力信号に対応することができる。
次に図12を用いて、図10及び図11に示す半導体装置100の動作の一例について説
明を行う。図12は、期間P0乃至P12に分割されている。期間P1乃至P3は、メモ
リセルMC1、MC0に、データを格納する動作期間に対応する。期間P5は、アナログ
回路(回路RC1、RC0)に補正電圧を設定する動作期間に対応する。期間P7は、メ
モリセルMC1に格納されたデータと配線RWに与えられたデータの積和演算の結果を取
得する動作期間に対応する。期間P9乃至P11は、メモリセルMC1の各行のデータに
対応したデータを取得する動作期間に対応する。
B1[J]に電位VPR-VP[I,J]、配線WB1[J+1]に電位VPR-VP[
I,J+1]、配線WB0に電位VPRをそれぞれ与える。このとき、ノードFN1[I
、J]の電位はVPR-VP[I,J]、ノードFN1[I,J+1]の電位はVPR-
VP[I,J+1]、ノードFN0[I]の電位はVPRに設定される。
、配線WB1[J]に電位VPR-VP[I+1,J]、配線WB1[J+1]に電位V
PR-VP[I+1,J+1]、配線WB0に電位VPRをそれぞれ与える。このとき、
ノードFN1[I+1、J]の電位はVPR-VP[I+1,J]、ノードFN1[I+
1,J+1]の電位はVPR-VP[I+1,J+1]、ノードFN0[I+1]の電位
はVPRに設定される。
S7はオン状態になり、容量素子C1は電流I2[J]によって充電される。
電位Vw[I+1]が与えられる。また配線OPCにHレベルの電位が与えられ、スイッ
チS1、S2、S4、S6がオン状態になる。その結果、出力端子OUT[J]は、ΣI
(VW[I]×VP[I、J])に比例した電位を出力する。上記の処理を、出力端子O
UT[1]乃至OUT[n]について行うことで、式(16)で表されるベクトル・マト
リクス積演算の結果が取得できる。
線RW[I]に電位VW[I]を与え、それ以外の全ての配線RWに0を与えることで、
メモリセルMC1の第I行のデータを取得することが可能になる。その場合の動作のタイ
ミングチャートを期間P9に示す。
全て0が与えられる。また配線OPCにHレベルの電位が与えられ、スイッチS1、S2
、S4、S6がオン状態になる。その結果、出力端子OUT[J]は、VW[I]×VP
[I、J]に比例した電位を出力し、出力端子OUT[J+1]は、VW[I]×VP[
I、J+1]に比例した電位を出力する。上記の処理を、出力端子OUT[1]乃至OU
T[n]について行うことで、メモリセルMC1の第I行のデータが取得できることがわ
かる(式(17))。
うち、配線RW[I+1]に電位VW[I+1]を与え、それ以外の全ての配線RWに0
を与えることで、メモリセルMC1の第I+1行のデータを取得することが可能になる。
その場合の動作のタイミングチャートを期間P11に示す。
配線RWは全て0が与えられる。また配線OPCにHレベルの電位が与えられ、スイッチ
S1、S2、S4、S6がオン状態になる。その結果、出力端子OUT[J]は、VW[
I+1]×VP[I+1、J]に比例した電位を出力し、出力端子OUT[J+1]は、
VW[I+1]×VP[I+1、J+1]に比例した電位を出力する。上記の処理を、出
力端子OUT[1]乃至OUT[n]について行うことで、式(17)と同様に、メモリ
セルMC1の第I+1行のデータが取得できる。
メモリセルMC1又はメモリセルMC0のその他の構成例について、図13(A)乃至図
13(C)を用いて説明を行う。
路図である。スイッチS0に用いられる第1のゲートと第2のゲートは、半導体層を間に
介して、互いに重なる領域を有することが好ましい。第2のゲートは電位VBGが与えら
れる。スイッチS0は、第2のゲートを有することで、トランジスタの閾値を制御するこ
とが可能になる。
トを有し、第1のゲートと第2のゲートが電気的に接続されている場合の回路図である。
スイッチS0は、図13(B)のような構成とすることで、トランジスタのオン電流を増
大させることが可能になる。
L0の間)にトランジスタM01を設けた場合の回路図である。トランジスタM01のゲ
ートは、新たに設けた配線RW1に電気的に接続されている。図13(C)のような構成
とすることで、配線SL1と配線RB1との間の電流(または、配線SL0と配線RB0
との間の電流)を制御することが可能になる。なお、トランジスタM01は、トランジス
タM0と配線RB1との間(またはトランジスタM0と配線RB0との間)に設けてもよ
い。
または離散サイン変換)を小さな回路規模で行うことが可能になる。また、離散コサイン
変換(または離散サイン変換)を高速で行うことが可能になる。また、離散コサイン変換
(または離散サイン変換)を低消費電力で行うことが可能になる。
が可能になる。また、低消費電力な送信装置を提供することが可能になる。
イン変換(または離散サイン変換)を小さな回路規模で行うことが可能になる。また、離
散コサイン変換(または離散サイン変換)を高速で行うことが可能になる。また、離散コ
サイン変換(または離散サイン変換)を低消費電力で行うことが可能になる。
能になる。また、低消費電力な受信装置を提供することが可能になる。
とが可能になる。低消費電力な放送システムを提供することが可能になる。
本実施の形態では、上記実施の形態に示すスイッチS0に適用可能なOSトランジスタの
構造について説明する。
図14(A)乃至(C)は、トランジスタ400aの上面図および断面図である。図14
(A)は上面図である。図14(B)は、図14(A)に示す一点鎖線A1-A2に対応
する断面図であり、図14(C)は、図14(A)に示す一点鎖線A3-A4に対応する
断面図である。なお、図14(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省い
て図示している。なお、一点鎖線A1-A2をトランジスタ400aのチャネル長方向、
一点鎖線A3-A4をトランジスタ400aのチャネル幅方向と呼ぶ場合がある。なお、
トランジスタのチャネル長方向とは、ソース(ソース領域またはソース電極)及びドレイ
ン(ドレイン領域またはドレイン電極)間において、キャリアが移動する方向を意味し、
チャネル幅方向は、基板と水平な面内において、チャネル長方向に対して垂直の方向を意
味する。
上の導電膜414と、導電膜414を覆うように形成された絶縁膜402と、絶縁膜40
2上の絶縁膜403と、絶縁膜403上の絶縁膜404と、絶縁膜404上に金属酸化物
431、金属酸化物432の順で形成された積層と、金属酸化物432の上面及び側面と
接する導電膜421と、同じく金属酸化物432の上面及び側面と接する導電膜423と
、導電膜421上の導電膜422と、導電膜423上の導電膜424と、導電膜422、
424上の絶縁膜405と、金属酸化物431、432、導電膜421乃至424及び絶
縁膜405と接する金属酸化物433と、金属酸化物433上の絶縁膜406と、絶縁膜
406上の導電膜411と、導電膜411上の導電膜412と、導電膜412上の導電膜
413と、導電膜413を覆うように形成された絶縁膜407と、絶縁膜407上の絶縁
膜408を有する。なお、金属酸化物431、金属酸化物432および金属酸化物433
をまとめて、金属酸化物430と呼称する。
る。
領域441は、導電膜421と、金属酸化物431、432が接する領域の近傍に形成さ
れ、領域442は、導電膜423と、金属酸化物431、432が接する領域の近傍に形
成される。
領域441を有することで、導電膜421との接触抵抗を低減させることが可能になる。
同様に、金属酸化物431、432は、領域442を有することで、導電膜423との接
触抵抗を低減させることが可能になる。
しての機能を有する。導電膜423、424は、トランジスタ400aのソース電極又は
ドレイン電極の他方としての機能を有する。
による導電膜421の導電率の低下を防ぐことが可能になる。
り、酸化による導電膜423の導電率の低下を防ぐことが可能になる。
する。
より、酸化による導電膜412の導電率の低下を防ぐことが可能になる。
与えられてもよい。また導電膜414は、場合によっては省略してもよい。
また、絶縁膜402乃至404は、トランジスタ400aの第2のゲート絶縁膜としての
機能も有する。
しての機能を有する。
上記構成をとることで、導電膜411の電界によって、金属酸化物432を電気的に取り
囲むことができる。ゲート電極の電界によって、半導体を電気的に取り囲むトランジスタ
の構造を、surrounded channel(s-channel)構造とよぶ。
金属酸化物432の全体(バルク)にチャネルが形成されるため、s-channel構
造は、トランジスタのソース-ドレイン間に大電流を流すことができ、トランジスタのオ
ン電流を高くすることができる。
le Integration)など微細化されたトランジスタが要求される半導体装置
に適した構造といえる。トランジスタを微細化できるため、該トランジスタを有する半導
体装置は、集積度の高い、高密度化された半導体装置とすることが可能となる。
形成された開口部を埋めるように自己整合(self align)的に形成される。
に重なる領域を有する。同様に、導電膜411と導電膜424は、絶縁膜を間に介して、
互いに重なる領域を有する。これらの領域は、ゲート電極と、ソース電極又はドレイン電
極との間に生じた寄生容量として機能し、トランジスタ400aの動作速度を低下させる
原因になり得るが、トランジスタ400aは絶縁膜405を設けることで、上述の寄生容
量を低下させることが可能になる。絶縁膜405は、比誘電率の低い材料からなることが
好ましい。
おいて、導電膜411の底面が、絶縁膜406及び金属酸化物433を介して、金属酸化
物432の上面と平行に面する領域の長さを、幅LGとして示す。幅LGは、ゲート電極
の線幅を表す。また、図15(A)において、導電膜421と導電膜423の間の長さを
、幅LSDとして示す。幅LSDは、ソース電極とドレイン電極との間の長さを表す。
、幅LSDよりも小さい。すなわち、トランジスタ400aは、ゲート電極の線幅を、最
小加工寸法より小さくすることが可能になる。具体的には、幅LGは、5nm以上60n
m以下、好ましくは5nm以上30nm以下とすることが可能になる。
3及び導電膜424の厚さの合計を高さHSDと表す。
形成領域全体に印加することが可能になり好ましい。絶縁膜406の厚さは、30nm以
下、好ましくは10nm以下とする。
電膜411の間に形成される寄生容量の値は、絶縁膜405の厚さに反比例する。例えば
、絶縁膜405の厚さを、絶縁膜406の厚さの3倍以上、好ましくは5倍以上とするこ
とで、寄生容量は無視できるほど小さくなり、好ましい。その結果、トランジスタ400
aを高周波数で動作させることが可能になる。
まず、金属酸化物431乃至433に適用可能な金属酸化物について説明を行う。
物432は、例えば、インジウムを含むと、キャリア移動度(電子移動度)が高くなる。
また、金属酸化物432は、元素Mを含むと好ましい。元素Mは、好ましくは、アルミニ
ウム(Al)、ガリウム(Ga)、イットリウム(Y)またはスズ(Sn)などとする。
そのほかの元素Mに適用可能な元素としては、ホウ素(B)、シリコン(Si)、チタン
(Ti)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、ゲルマニウム(Ge)、ジルコニウム(Zr
)、モリブデン(Mo)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、ハ
フニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)などがある。ただし、元素M
として、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。元素Mは、例えば、酸素
との結合エネルギーが高い元素である。例えば、酸素との結合エネルギーがインジウムよ
りも高い元素である。または、元素Mは、例えば、金属酸化物のエネルギーギャップを大
きくする機能を有する元素である。また、金属酸化物432は、亜鉛(Zn)を含むと好
ましい。金属酸化物は、亜鉛を含むと結晶化しやすくなる場合がある。
物432は、例えば、亜鉛スズ酸化物、ガリウムスズ酸化物などの、インジウムを含まず
、亜鉛を含む酸化物半導体、ガリウムを含む酸化物半導体、スズを含む酸化物半導体など
であっても構わない。
酸化物432のエネルギーギャップは、例えば、2.5eV以上4.2eV以下、好まし
くは2.8eV以上3.8eV以下、さらに好ましくは3eV以上3.5eV以下とする
。
以外の元素一種以上、または二種以上から構成される金属酸化物である。金属酸化物43
2を構成する酸素以外の元素一種以上、または二種以上から金属酸化物431および金属
酸化物433が構成されるため、金属酸化物431と金属酸化物432との界面、および
金属酸化物432と金属酸化物433との界面において、界面準位が形成されにくい。
omic%としたとき、好ましくはInが50atomic%未満、Mが50atomi
c%より高く、さらに好ましくはInが25atomic%未満、Mが75atomic
%より高いとする。金属酸化物431をスパッタリング法で成膜する場合、上記の組成を
満たすスパッタリングターゲットを用いることが好ましい。例えば、In:M:Zn=1
:3:2、In:M:Zn=1:3:4などが好ましい。
omic%としたとき、好ましくはInが25atomic%より高く、Mが75ato
mic%未満、さらに好ましくはInが34atomic%より高く、Mが66atom
ic%未満とする。金属酸化物432をスパッタリング法で成膜する場合、上記の組成を
満たすスパッタリングターゲットを用いることが好ましい。例えば、In:M:Zn=1
:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=2:1:3、In:M:
Zn=3:1:2、In:M:Zn=4:2:4.1が好ましい。特に、スパッタリング
ターゲットとして、原子数比がIn:Ga:Zn=4:2:4.1を用いる場合、成膜さ
れる金属酸化物432の原子数比は、In:Ga:Zn=4:2:3近傍となる場合があ
る。
omic%としたとき、好ましくはInが50atomic%未満、Mが50atomi
c%より高く、さらに好ましくはInが25atomic%未満、Mが75atomic
%より高くする。例えば、In:M:Zn=1:3:2、In:M:Zn=1:3:4な
どが好ましい。また、金属酸化物433は、金属酸化物431と同種の金属酸化物を用い
ても構わない。
合がある。例えば、金属酸化物431または金属酸化物433が酸化ガリウムであっても
構わない。
びその効果について、図15(B)に示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図
15(B)は、図15(A)にY1-Y2の鎖線で示した部位のエネルギーバンド構造を
示している。また、図15(B)は、トランジスタ400aのチャネル形成領域とその近
傍のエネルギーバンド構造を示している。
れぞれ、絶縁膜404、金属酸化物431、金属酸化物432、金属酸化物433、絶縁
膜406の伝導帯下端のエネルギーを示している。
空準位と価電子帯上端のエネルギーとの差(イオン化ポテンシャルともいう。)からエネ
ルギーギャップを引いた値となる。なお、エネルギーギャップは、分光エリプソメータを
用いて測定できる。また、真空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光
分析(UPS:Ultraviolet Photoelectron Spectro
scopy)装置を用いて測定できる。
1、Ec432、およびEc433よりも真空準位に近い(電子親和力が小さい)。
い金属酸化物を用いる。例えば、金属酸化物432として、金属酸化物431および金属
酸化物433よりも電子親和力の0.07eV以上1.3eV以下、好ましくは0.1e
V以上0.7eV以下、さらに好ましくは0.15eV以上0.4eV以下大きい金属酸
化物を用いる。なお、電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差である。
433のうち、電子親和力の大きい金属酸化物432にチャネルが形成される。
として移動する。そのため、金属酸化物431と絶縁膜404との界面、あるいは、金属
酸化物433と絶縁膜406との界面に、電子の流れを阻害する界面準位が多く存在した
としても、トランジスタのオン電流にはほとんど影響を与えない。金属酸化物431、4
33は、絶縁膜のように機能する。
との混合領域を有する場合がある。また、金属酸化物432と金属酸化物433との間に
は、金属酸化物432と金属酸化物433との混合領域を有する場合がある。混合領域は
、界面準位密度が低くなる。そのため、金属酸化物431、金属酸化物432および金属
酸化物433の積層体は、それぞれの界面近傍において、エネルギーが連続的に変化する
(連続接合ともいう。)バンド構造となる。
433との界面は、上述したように界面準位密度が小さいため、金属酸化物432中で電
子の移動が阻害されることが少なく、トランジスタのオン電流を高くすることが可能にな
る。
に阻害される。トランジスタのオン電流を高くするためには、例えば、金属酸化物432
の上面または下面(被形成面、ここでは金属酸化物431の上面)の、1μm×1μmの
範囲における二乗平均平方根(RMS:Root Mean Square)粗さが1n
m未満、好ましくは0.6nm未満、さらに好ましくは0.5nm未満、より好ましくは
0.4nm未満とすればよい。また、1μm×1μmの範囲における平均面粗さ(Raと
もいう。)が1nm未満、好ましくは0.6nm未満、さらに好ましくは0.5nm未満
、より好ましくは0.4nm未満とすればよい。また、1μm×1μmの範囲における最
大高低差(P-Vともいう。)が10nm未満、好ましくは9nm未満、さらに好ましく
は8nm未満、より好ましくは7nm未満とすればよい。RMS粗さ、RaおよびP-V
は、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製走査型プローブ顕微鏡システムSPA-
500などを用いて測定することができる。
例えば、金属酸化物432が酸素欠損(VOとも表記。)を有する場合、酸素欠損のサイ
トに水素が入り込むことでドナー準位を形成することがある。以下では酸素欠損のサイト
に水素が入り込んだ状態をVOHと表記する場合がある。VOHは電子を散乱するため、
トランジスタのオン電流を低下させる要因となる。なお、酸素欠損のサイトは、水素が入
るよりも酸素が入る方が安定する。したがって、金属酸化物432中の酸素欠損を低減す
ることで、トランジスタのオン電流を高くすることができる場合がある。
おいて、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass S
pectrometry)で測定される水素濃度は、1×1016atoms/cm3以
上、2×1020atoms/cm3以下、好ましくは1×1016atoms/cm3
以上、5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1016atoms/
cm3以上、1×1019atoms/cm3以下、さらに好ましくは1×1016at
oms/cm3以上、5×1018atoms/cm3以下とする。
素を、金属酸化物431を介して金属酸化物432まで移動させる方法などがある。この
場合、金属酸化物431は、酸素透過性を有する層(酸素を通過または透過させる層)で
あることが好ましい。
チャネルが形成される。したがって、金属酸化物432が厚いほどチャネル領域は大きく
なる。即ち、金属酸化物432が厚いほど、トランジスタのオン電流を高くすることがで
きる。
い。金属酸化物433は、例えば、10nm未満、好ましくは5nm以下、さらに好まし
くは3nm以下の領域を有していればよい。一方、金属酸化物433は、チャネルの形成
される金属酸化物432へ、隣接する絶縁体を構成する酸素以外の元素(水素、シリコン
など)が入り込まないようブロックする機能を有する。そのため、金属酸化物433は、
ある程度の厚さを有することが好ましい。金属酸化物433は、例えば、0.3nm以上
、好ましくは1nm以上、さらに好ましくは2nm以上の厚さの領域を有していればよい
。また、金属酸化物433は、絶縁膜404などから放出される酸素の外方拡散を抑制す
るために、酸素をブロックする性質を有すると好ましい。
とが好ましい。金属酸化物431は、例えば、10nm以上、好ましくは20nm以上、
さらに好ましくは40nm以上、より好ましくは60nm以上の厚さの領域を有していれ
ばよい。金属酸化物431の厚さを、厚くすることで、隣接する絶縁体と金属酸化物43
1との界面からチャネルの形成される金属酸化物432までの距離を離すことができる。
ただし、半導体装置の生産性が低下する場合があるため、金属酸化物431は、例えば、
200nm以下、好ましくは120nm以下、さらに好ましくは80nm以下の厚さの領
域を有していればよい。
、1×1016atoms/cm3以上、1×1019atoms/cm3未満、好まし
くは1×1016atoms/cm3以上、5×1018atoms/cm3未満、さら
に好ましくは1×1016atoms/cm3以上、2×1018atoms/cm3未
満のシリコン濃度となる領域を有する。また、金属酸化物432と金属酸化物433との
間に、SIMSにおいて、1×1016atoms/cm3以上、1×1019atom
s/cm3未満、好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×1018ato
ms/cm3未満、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以上、2×101
8atoms/cm3未満のシリコン濃度となる領域を有する。
物433の水素濃度を低減すると好ましい。金属酸化物431および金属酸化物433は
、SIMSにおいて、1×1016atoms/cm3以上、2×1020atoms/
cm3以下、好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×1019atoms
/cm3以下、より好ましくは1×1016atoms/cm3以上、1×1019at
oms/cm3以下、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×10
18atoms/cm3以下の水素濃度となる領域を有する。また、金属酸化物432の
窒素濃度を低減するために、金属酸化物431および金属酸化物433の窒素濃度を低減
すると好ましい。金属酸化物431および金属酸化物433は、SIMSにおいて、1×
1016atoms/cm3以上、5×1019atoms/cm3未満、好ましくは1
×1016atoms/cm3以上、5×1018atoms/cm3以下、より好まし
くは1×1016atoms/cm3以上、1×1018atoms/cm3以下、さら
に好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×1017atoms/cm3以
下の窒素濃度となる領域を有する。
Vapor Deposition)法、MBE(Molecular Beam Ep
itaxy)法またはPLD(Pulsed Laser Deposition)法、
ALD(Atomic Layer Deposition)法などを用いて行えばよい
。
熱処理は、250℃以上650℃以下、好ましくは450℃以上600℃以下、さらに好
ましくは520℃以上570℃以下で行えばよい。第1の加熱処理は、不活性ガス雰囲気
、または酸化性ガスを10ppm以上、1%以上もしくは10%以上含む雰囲気で行う。
第1の加熱処理は減圧状態で行ってもよい。または、第1の加熱処理は、不活性ガス雰囲
気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを10ppm以上、1%以
上または10%以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。第1の加熱処理によって、金
属酸化物431、432の結晶性を高めることや、水素や水などの不純物を除去すること
が可能になる。
2層構造としても構わない。または、金属酸化物431の上もしくは下、または金属酸化
物433上もしくは下に、金属酸化物431、金属酸化物432または金属酸化物433
として例示した金属酸化物を有する4層構造としても構わない。または、金属酸化物43
1の上、金属酸化物431の下、金属酸化物433の上、金属酸化物433の下のいずれ
か二箇所以上に、金属酸化物431、金属酸化物432または金属酸化物433として例
示した金属酸化物を有するn層構造(nは5以上の整数)としても構わない。
基板450としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板または導電体基板を用いればよい
。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコ
ニア基板(イットリア安定化ジルコニア基板など)、樹脂基板などがある。また、半導体
基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの単体半導体基板、または炭化シリ
コン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウ
ムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域
を有する半導体基板、例えばSOI(Silicon On Insulator)基板
などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板など
がある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さ
らには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または
絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある
。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子
としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
ジスタを設ける方法としては、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トラン
ジスタを剥離し、可とう性基板である基板450に転置する方法もある。その場合には、
非可とう性基板とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。なお、基板450として
、繊維を編みこんだシート、フィルムまたは箔などを用いてもよい。また、基板450が
伸縮性を有してもよい。また、基板450は、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形
状に戻る性質を有してもよい。または、元の形状に戻らない性質を有してもよい。基板4
50の厚さは、例えば、5μm以上700μm以下、好ましくは10μm以上500μm
以下、さらに好ましくは15μm以上300μm以下とする。基板450を薄くすると、
半導体装置を軽量化することができる。また、基板450を薄くすることで、ガラスなど
を用いた場合にも伸縮性を有する場合や、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に
戻る性質を有する場合がある。そのため、落下などによって基板450上の半導体装置に
加わる衝撃などを緩和することができる。即ち、丈夫な半導体装置を提供することができ
る。
たはそれらの繊維などを用いることができる。可とう性基板である基板450は、線膨張
率が低いほど環境による変形が抑制されて好ましい。可とう性基板である基板450とし
ては、例えば、線膨張率が1×10-3/K以下、5×10-5/K以下、または1×1
0-5/K以下である材質を用いればよい。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミドなど)、ポリイミド、ポリカーボネート、
アクリル、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)などがある。特に、アラミドは、線
膨張率が低いため、可とう性基板である基板450として好適である。
絶縁膜401は、基板450と導電膜414を電気的に分離させる機能を有する。
膜を構成する材料には、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、
酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム
、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム
、酸化タンタルなどがある。
cate)若しくはシラン等と、酸素若しくは亜酸化窒素等とを反応させて形成した段差
被覆性の良い酸化シリコンを用いてもよい。
平坦化処理を行ってもよい。
化物材料を含むことが好ましい。好適には、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸
素を含む酸化物を用いることが好ましい。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素
を含む酸化物膜は、加熱により一部の酸素が脱離する。絶縁膜404から脱離した酸素は
金属酸化物430に供給され、金属酸化物430の酸素欠損を低減することが可能となる
。その結果、トランジスタの電気特性の変動を抑制し、信頼性を高めることができる。
ermal Desorption Spectroscopy)分析にて、酸素原子に
換算しての酸素の脱離量が1.0×1018atoms/cm3以上、好ましくは3.0
×1020atoms/cm3以上である酸化物膜である。なお、上記TDS分析時にお
ける膜の表面温度としては100℃以上700℃以下、または100℃以上500℃以下
の範囲が好ましい。
ましい。例えば、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含む材料を用いることが好まし
い。
、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化
窒化ハフニウム等の金属酸化物を用いてもよい。
の成膜を行えばよい。または、成膜後の絶縁膜404に酸素を導入して酸素を過剰に含有
する領域を形成してもよく、双方の手段を組み合わせてもよい。
ンのいずれかを含む)を導入して酸素を過剰に含有する領域を形成する。酸素の導入方法
としては、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、プ
ラズマ処理などを用いることができる。
えば酸素、亜酸化窒素、二酸化窒素、二酸化炭素、一酸化炭素などを用いることができる
。また、酸素導入処理において、酸素を含むガスに希ガスを含ませてもよい。または、水
素等を含ませてもよい。例えば、二酸化炭素、水素及びアルゴンの混合ガスを用いるとよ
い。
平坦化処理を行ってもよい。
き、絶縁膜404に含まれる酸素が減少することを防ぐパッシベーション機能を有する。
きる機能を有する。絶縁膜403を設けることで、金属酸化物430からの酸素の外部へ
の拡散と、外部から金属酸化物430への水素、水等の入り込みを防ぐことができる。
しては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等
がある。なお、窒化物絶縁膜の代わりに、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する
酸化物絶縁膜を設けてもよい。酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アル
ミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム
、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。
ことが可能になる。電荷捕獲層は、絶縁膜402又は絶縁膜403に設けることが好まし
い。例えば、絶縁膜403を酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル、アルミ
ニウムシリケート等で形成することで、電荷捕獲層として機能させることができる。
導電膜411乃至414として、銅(Cu)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)
、金(Au)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、チタン(Ti)、タンタル(
Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、鉛(Pb)、錫(Sn)、鉄(Fe)、コ
バルト(Co)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)、ストロンチ
ウム(Sr)の低抵抗材料からなる単体、合金、またはこれらを主成分とする化合物を含
む導電膜の単層または積層とすることが好ましい。特に、耐熱性と導電性を両立するタン
グステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましい。また、アルミニウムや
銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。さらに、Cu-Mn合金を用いる
と、酸素を含む絶縁体との界面に酸化マンガンを形成し、酸化マンガンがCuの拡散を抑
制する機能を持つので好ましい。
〈ソース電極、ドレイン電極〉
導電膜421乃至424として、銅(Cu)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)
、金(Au)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、チタン(Ti)、タンタル(
Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、鉛(Pb)、錫(Sn)、鉄(Fe)、コ
バルト(Co)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)、ストロンチ
ウム(Sr)の低抵抗材料からなる単体、合金、またはこれらを主成分とする化合物を含
む導電膜の単層または積層とすることが好ましい。特に、耐熱性と導電性を両立するタン
グステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましい。また、アルミニウムや
銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。さらに、Cu-Mn合金を用いる
と、酸素を含む絶縁体との界面に酸化マンガンを形成し、酸化マンガンがCuの拡散を抑
制する機能を持つので好ましい。
領域441、442は、例えば、導電膜421、423が、金属酸化物431、432の
酸素を引き抜くことで形成される。酸素の引き抜きは、高い温度で加熱するほど起こりや
すい。トランジスタの作製工程には、いくつかの加熱工程があることから、領域441、
442には酸素欠損が形成される。また、加熱により該酸素欠損のサイトに水素が入りこ
み、領域441、442に含まれるキャリア濃度が増加する。その結果、領域441、4
42が低抵抗化する。
絶縁膜406は、比誘電率の高い絶縁体を有することが好ましい。例えば、絶縁膜406
は、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化物、ア
ルミニウムおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸
化物、またはシリコンおよびハフニウムを有する酸化窒化物などを有することが好ましい
。
と、の積層構造を有することが好ましい。酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的
に安定であるため、比誘電率の高い絶縁体と組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電
率の高い積層構造とすることができる。例えば、酸化アルミニウム、酸化ガリウムまたは
酸化ハフニウムを金属酸化物433側に有することで、酸化シリコンまたは酸化窒化シリ
コンに含まれるシリコンが、金属酸化物432に混入することを抑制することができる。
で、酸化アルミニウム、酸化ガリウムまたは酸化ハフニウムと、酸化シリコンまたは酸化
窒化シリコンと、の界面にトラップセンターが形成される場合がある。該トラップセンタ
ーは、電子を捕獲することでトランジスタのしきい値電圧をプラス方向に変動させること
ができる場合がある。
絶縁膜405は、比誘電率の低い絶縁体を有することが好ましい。例えば、絶縁膜405
は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンまたは樹脂など
を有することが好ましい。または、絶縁膜405は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコ
ンと、樹脂と、の積層構造を有することが好ましい。酸化シリコンおよび酸化窒化シリコ
ンは、熱的に安定であるため、樹脂と組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の低
い積層構造とすることができる。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン
、ポリアミド(ナイロン、アラミドなど)、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリ
ルなどがある。
きる機能を有する。絶縁膜407を設けることで、金属酸化物430からの酸素の外部へ
の拡散と、外部から金属酸化物430への水素、水等の入り込みを防ぐことができる。
しては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等
がある。なお、窒化物絶縁膜の代わりに、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する
酸化物絶縁膜を設けてもよい。酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アル
ミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム
、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。
せない遮断効果が高いので絶縁膜407に適用するのに好ましい。
ことで、絶縁膜405、406の側面及び表面に、酸素を添加することが可能になる。ま
た、絶縁膜407を成膜した後、何れかのタイミングにおいて、第2の加熱処理を行うこ
とが好ましい。第2の加熱処理によって、絶縁膜405、406に添加された酸素が、絶
縁膜中を拡散し、金属酸化物430に到達し、金属酸化物430の酸素欠損を低減するこ
とが可能になる。
酸素が、第2の加熱処理によって絶縁膜中を拡散し、金属酸化物430に到達する様子を
描いた模式図である。図16(A)は、図14(B)の断面図において、酸素が拡散する
様子を矢印で示している。同様に、図16(B)は、図14(C)の断面図において、酸
素が拡散する様子を矢印で示している。
06の内部を拡散し、金属酸化物430に到達する。また、絶縁膜407と絶縁膜405
の界面近傍に、酸素を過剰に含む領域461、領域462及び領域463が形成される場
合がある。領域461乃至463に含まれる酸素は、絶縁膜405、絶縁膜404を経由
し、金属酸化物430に到達する。絶縁膜405が酸化シリコンを含み、絶縁膜407が
酸化アルミニウムを含む場合、領域461乃至463は、シリコンとアルミニウムと酸素
の混合層が形成される場合がある。
ることを防ぐ。同様に、絶縁膜403は、酸素をブロックする機能を有し、酸素が絶縁膜
403より下方に拡散することを防ぐ。
で拡散する温度で行えばよい。例えば、第1の加熱処理についての記載を参照しても構わ
ない。または、第2の加熱処理は、第1の加熱処理よりも低い温度が好ましい。第1の加
熱処理と第2の加熱処理の温度差は、20℃以上150℃以下、好ましくは40℃以上1
00℃以下とする。これにより、絶縁膜404から余分に酸素が放出することを抑えるこ
とができる。なお、第2の加熱処理は、同等の加熱処理を各層の成膜時の加熱によって兼
ねることができる場合、行わなくてもよい場合がある。
下方向から酸素が供給されることが可能になる。
ることで、絶縁膜405、406に酸素を添加してもよい。
シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲ
ルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化
ハフニウム、酸化タンタルなどから選ばれた一種以上含む絶縁体を用いることができる。
また、絶縁膜408には、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の樹脂を用いることもできる。また、絶縁膜40
8は上記材料の積層であってもよい。
図14に示すトランジスタ400aは、導電膜414及び絶縁膜402、403を省略し
てもよい。その場合の例を図17に示す。
(A)は上面図である。図17(B)は、図17(A)に示す一点鎖線A1-A2に対応
する断面図であり、図17(C)は、図17(A)に示す一点鎖線A3-A4に対応する
断面図である。なお、図17(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省い
て図示している。なお、一点鎖線A1-A2をトランジスタ400bのチャネル長方向、
一点鎖線A3-A4をトランジスタ400bのチャネル幅方向と呼ぶ場合がある。
図14に示すトランジスタ400aにおいて、導電膜421、423は、ゲート電極(導
電膜411乃至413)と重なる部分の膜厚を薄くしてもよい。その場合の例を図18に
示す。
(A)は上面図である。図18(B)は、図18(A)に示す一点鎖線A1-A2に対応
する断面図であり、図18(C)は、図18(A)に示す一点鎖線A3-A4に対応する
断面図である。なお、図18(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省い
て図示している。なお、一点鎖線A1-A2をトランジスタ400cのチャネル長方向、
一点鎖線A3-A4をトランジスタ400cのチャネル幅方向と呼ぶ場合がある。
が薄膜化され、その上を導電膜422が覆っている。同様に、ゲート電極と重なる部分の
導電膜423が薄膜化され、その上を導電膜424が覆っている。
ース電極との間の絶縁膜の膜厚、または、ゲート電極とドレイン電極との間の絶縁膜の膜
厚を厚くすることが可能になり、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間に形成
される寄生容量を低減することが可能になる。その結果、高速動作が可能なトランジスタ
を得ることが可能になる。
図19(A)はトランジスタ500aの上面図である。図19(B)は図19(A)の一
点鎖線A1-A2に対応する断面図である。図19(C)は図19(A)の一点鎖線A3
-A4に対応する断面図である。なお、一点鎖線A1-A2で示す領域では、トランジス
タ500aのチャネル長方向における構造を示しており、一点鎖線A3-A4で示す領域
では、トランジスタ500aのチャネル幅方向における構造を示している。なお、図19
(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ500aの構成要素の一部
を省略して図示している。
06cと、導電膜514と、絶縁膜512と、絶縁膜516と、を有する。金属酸化物5
06bは、金属酸化物506a上に配置され、金属酸化物506cは、金属酸化物506
b上に配置され、絶縁膜512は、金属酸化物506c上に配置され、導電膜514は、
絶縁膜512上に配置される。絶縁膜516は、導電膜514上に配置され、絶縁膜51
6は、金属酸化物506cの上面と接する領域を有し、金属酸化物506bは、金属酸化
物506cおよび絶縁膜512を介して導電膜514と重なる領域を有する。図19(A
)に示すように上面から見たとき、金属酸化物506aの外周が金属酸化物506bの外
周と概略一致し、金属酸化物506cの外周が金属酸化物506a及び金属酸化物506
bの外周よりも外側に位置することが好ましい。
上に形成された絶縁膜501、導電膜502、絶縁膜503及び絶縁膜504と、絶縁膜
504の上に形成された金属酸化物506a、金属酸化物506b及び金属酸化物506
cと、金属酸化物506cの上に形成された絶縁膜512、導電膜514と、導電膜51
4の上に形成された絶縁膜516、絶縁膜518、プラグ508a、プラグ508b、導
電膜509a及び導電膜509bと、を有する。
より外側に位置する形状となっているが、本実施の形態に示すトランジスタはこれに限ら
れるものではない。例えば、金属酸化物506aの外周が金属酸化物506cの外周より
外側に位置してもよいし、金属酸化物506aの側面端部と、金属酸化物506cの側面
端部とが概略一致する形状としてもよい。
及び金属酸化物506cは、領域526a、領域526b及び領域526cが形成されて
おり、領域526b及び領域526cは領域526aと比較してドーパントの濃度が高く
、低抵抗化されている。例えば、領域526aは、領域526bまたは領域526cのド
ーパントの最大濃度に対して、5%以下の濃度の領域、2%以下の濃度の領域、または1
%以下の濃度の領域とすればよい。なお、ドーパントを、ドナー、アクセプター、不純物
または元素と言い換えてもよい。
拡大図を示す。図19(D)に示すように、金属酸化物506a、金属酸化物506b及
び金属酸化物506cにおいて、領域526aは導電膜514と概ね重なる領域であり、
領域526b及び領域526cは、領域526aを除いた領域である。ここで、領域52
6b及び領域526cの一部が、金属酸化物506bの導電膜514と重なる領域(チャ
ネル形成領域)の一部と重なることが好ましい。例えば、領域526b及び領域526c
のチャネル長方向の側面端部は、導電膜514の側面端部より距離dだけ導電膜514の
内側に位置することが好ましい。このとき、距離dは絶縁膜512の膜厚tに対して、0
.25t<d<tを満たすことが好ましい。
電膜514と重なる領域の一部に領域526b及び領域526cが形成される。これによ
り、トランジスタ500aのチャネル形成領域と抵抗化された領域526b及び領域52
6cが接し、領域526bおよび領域526cと、領域526aとの間に、高抵抗のオフ
セット領域が形成されないため、トランジスタ500aのオン電流を増大させることがで
きる。
成すればよい。この場合、金属酸化物506a又は金属酸化物506bに形成される領域
526b及び領域526cの少なくとも一部が導電膜514と重なる領域に形成されるこ
とが好ましい。
ン、窒素、フッ素、リン、塩素、ヒ素、ホウ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン
、チタン、バナジウム、クロム、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウ
ム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ、ランタン、セリウム、ネオ
ジム、ハフニウム、タンタルまたはタングステンなどが挙げられる。これらの元素の中で
も、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、フッ素、リン、塩素、
ヒ素またはホウ素は、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン
インプランテーション法などを用いて比較的容易に添加することができるため、好適であ
る。
との界面近傍(図19(B)では点線で表示)に低抵抗領域507a及び低抵抗領域50
7bが形成されることが好ましい。低抵抗領域507a及び低抵抗領域507bは、絶縁
膜516に含まれる元素の少なくとも一が含まれる。低抵抗領域507a及び低抵抗領域
507bの一部が、金属酸化物506bの導電膜514と重なる領域(チャネル形成領域
)と概略接するか、当該領域の一部と重なることが好ましい。
a及び低抵抗領域507bは金属酸化物506cに形成されやすい。金属酸化物506c
における低抵抗領域507aと低抵抗領域507bは、金属酸化物506cの低抵抗領域
507a及び低抵抗領域507bではない領域(例えば、金属酸化物506cの導電膜5
14と重なる領域)より、絶縁膜516に含まれる元素の濃度が高い。
が形成される。ここで、理想的には、低抵抗領域507a及び低抵抗領域507bは添加
元素濃度が最も高く、領域526b及び領域526cの低抵抗領域507a及び低抵抗領
域507bを除く領域の添加元素濃度が次に高く、領域526aの添加元素濃度が最も低
くなる。ここで、添加元素とは、領域526b及び領域526cを形成するドーパントと
、低抵抗領域507a及び低抵抗領域507bに絶縁膜516から添加される元素を合わ
せたものである。
形成されることにより、プラグ508a又はプラグ508bと金属酸化物506a、金属
酸化物506b又は金属酸化物506cとの接触抵抗を低減することが可能となるのでト
ランジスタ500aのオン電流を増大させることができる。
低抵抗領域507bが形成される構成としているが、本実施の形態に示す半導体装置は、
必ずしもこれに限られるものではない。例えば、領域526b及び領域526cの抵抗が
十分低い場合、低抵抗領域507a及び低抵抗領域507bを形成する必要はない。
の詳細は、図14に示す導電膜411、412及び413の記載を参酌すればよい。
502の詳細は、図14に示す導電膜414の記載を参酌すればよい。
ース電極またはドレイン電極としての機能を有する。プラグ508a、508b及び導電
膜509a、509bの詳細は、図14に示す導電膜421、423の記載を参酌すれば
よい。
12の詳細は、図14に示す絶縁膜406の記載を参酌すればよい。
同様に、金属酸化物506bの詳細は、図14に示す金属酸化物432の記載を参酌すれ
ばよい。同様に、金属酸化物506cの詳細は、図14に示す金属酸化物433の記載を
参酌すればよい。
縁膜401の記載を、絶縁膜503は図14に示す絶縁膜402の記載を、絶縁膜504
は図14に示す絶縁膜404の記載を、絶縁膜516は図14に示す絶縁膜407の記載
を、絶縁膜518は図14に示す絶縁膜408の記載を、それぞれ参酌すればよい。
図20(A)はトランジスタ500bの上面図である。図20(B)は図20(A)の一
点鎖線A1-A2に対応する断面図である。図20(C)は図20(A)の一点鎖線A3
-A4に対応する断面図である。なお、一点鎖線A1-A2で示す領域では、トランジス
タ500bのチャネル長方向における構造を示しており、一点鎖線A3-A4で示す領域
では、トランジスタ500bのチャネル幅方向における構造を示している。なお、図20
(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ500bの構成要素の一部
を省略して図示している。
拡大図を示す。図20(D)に示すように、本実施の形態に示すトランジスタ500bの
、金属酸化物506a、金属酸化物506b及び金属酸化物506cは、領域526a、
領域526b、領域526c、領域526d及び領域526eが形成されている。領域5
26b及び領域526c、領域526d、領域526eは、領域526aと比較してドー
パントの濃度が高く、低抵抗化されている。さらに、領域526b及び領域526cは、
領域526d及び領域526eと比較して水素の濃度が高く、より低抵抗化されている。
例えば、領域526aは、領域526bまたは領域526cのドーパントの最大濃度に対
して、5%以下の濃度の領域、2%以下の濃度の領域、または1%以下の濃度の領域とす
ればよい。なお、ドーパントを、ドナー、アクセプター、不純物または元素と言い換えて
もよい。
06cにおいて、領域526aは導電膜514と概ね重なる領域であり、領域526b、
領域526c、領域526d及び領域526eは、領域526aを除いた領域である。領
域526b及び領域526cにおいては、金属酸化物506cの上面が絶縁膜516と接
する。領域526d及び領域526eにおいては、金属酸化物506cの上面が側壁絶縁
層515又は絶縁膜512と接する。つまり、図20(D)に示すように、領域526b
と領域526dの境界は、絶縁膜516と側壁絶縁層515の側面端部の境界と重なる部
分である。領域526cと領域526eの境界についても同様である。ここで、領域52
6d及び領域526eの一部が、金属酸化物506bの導電膜514と重なる領域(チャ
ネル形成領域)の一部と重なることが好ましい。例えば、領域526d及び領域526e
のチャネル長方向の側面端部は、導電膜514の側面端部より距離dだけ導電膜514の
内側に位置することが好ましい。このとき、距離dは絶縁膜512の膜厚tに対して、0
.25t<d<tを満たすことが好ましい。
電膜514と重なる領域の一部に領域526d及び領域526eが形成される。これによ
り、トランジスタ500bのチャネル形成領域と抵抗化された領域526d及び領域52
6eが接し、領域526dおよび領域526eと、領域526aとの間に、高抵抗のオフ
セット領域が形成されないため、トランジスタ500bのオン電流を増大させることがで
きる。
オンドーピング処理を用いて形成される。この場合、金属酸化物506a又は金属酸化物
506bに形成される領域526d及び領域526eの少なくとも一部が導電膜514と
重なる領域に形成されることが好ましい。
ン、窒素、フッ素、リン、塩素、ヒ素、ホウ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン
、チタン、バナジウム、クロム、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウ
ム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ、ランタン、セリウム、ネオ
ジム、ハフニウム、タンタルまたはタングステンなどが挙げられる。これらの元素の中で
も、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、窒素、フッ素、リン、塩素、
ヒ素またはホウ素は、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン
インプランテーション法などを用いて比較的容易に添加することができるため、好適であ
る。
との界面近傍(図20(B)では点線で表示)に低抵抗領域507a及び低抵抗領域50
7bが形成されることが好ましい。低抵抗領域507a及び低抵抗領域507bは、絶縁
膜516に含まれる元素の少なくとも一が含まれる。低抵抗領域507a及び低抵抗領域
507bの一部が、金属酸化物506bの導電膜514と重なる領域(チャネル形成領域
)と概略接するか、当該領域の一部と重なることが好ましい。
a及び低抵抗領域507bは金属酸化物506cに形成されやすい。金属酸化物506c
における低抵抗領域507aと低抵抗領域507bは、金属酸化物506cの低抵抗領域
507a及び低抵抗領域507bではない領域(例えば、金属酸化物506cの導電膜5
14と重なる領域)より、絶縁膜516に含まれる元素の濃度が高い。
が形成される。ここで、理想的には、低抵抗領域507a及び低抵抗領域507bの添加
元素濃度が最も高く、領域526b、領域526c、領域526d及び領域526eの低
抵抗領域507a及び低抵抗領域507bを除く領域の添加元素濃度が次に高く、領域5
26aの添加元素濃度が最も低くなる。ここで、添加元素とは、領域526b及び領域5
26cを形成するドーパントと、低抵抗領域507a及び低抵抗領域507bに絶縁膜5
16から添加される元素を合わせたものである。
7a及び低抵抗領域507bが形成されることにより、プラグ508a又はプラグ508
bと金属酸化物506a、金属酸化物506b又は金属酸化物506cとの接触抵抗を低
減することが可能となるのでトランジスタ500bのオン電流を増大させることができる
。
低抵抗領域507bが形成される構成としているが、本実施の形態に示す半導体装置は、
必ずしもこれに限られるものではない。例えば、領域526b及び領域526cの抵抗が
十分低い場合、低抵抗領域507a及び低抵抗領域507bを形成する必要はない。
化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、
酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、
酸化タンタルなどを用いて形成すればよい。
記載を参照すればよい。
図21(A)及び図21(B)は、トランジスタ480の上面図および断面図である。図
21(A)は上面図であり、図21(A)に示す一点鎖線A-B方向の断面が図21(B
)に相当する。なお、図21(A)及び図21(B)では、図の明瞭化のために一部の要
素を拡大、縮小、または省略して図示している。また、一点鎖線A-B方向をチャネル長
方向と呼称する場合がある。
、第2のゲートとして機能する導電膜488と、半導体482と、ソース及びドレインと
して機能する導電膜483及び導電膜484と、絶縁膜481と、絶縁膜485と、絶縁
膜486と、絶縁膜487と、を有する。
481を間に挟んで、互いに重なる。また、導電膜488と、半導体482とは、絶縁膜
485、絶縁膜486及び絶縁膜487を間に挟んで、互いに重なる。また、導電膜48
3及び導電膜484は、半導体482に、接続されている。
参照すればよい。
えられてもよい。トランジスタ480は、第2のゲート電極として機能する導電膜488
を設けることで、しきい値を安定化させることが可能になる。なお、導電膜488は、場
合によっては省略してもよい。
半導体482は、一層でも良いし、複数の半導体層の積層でも良い。
参照すればよい。
された絶縁膜485乃至絶縁膜487が設けられている場合を例示しているが、半導体4
82、導電膜483及び導電膜484上に設けられる絶縁膜は、一層でも良いし、複数の
絶縁膜の積層でも良い。
が含まれており、加熱により上記酸素の一部を半導体482に供給する機能を有する絶縁
膜であることが望ましい。ただし、絶縁膜486を半導体482上に直接設けると、絶縁
膜486の形成時に半導体482にダメージが与えられる場合、図21(B)に示すよう
に、絶縁膜485を半導体482と絶縁膜486の間に設けると良い。絶縁膜485は、
その形成時に半導体482に与えるダメージが絶縁膜486の場合よりも小さく、なおか
つ、酸素を透過する機能を有する絶縁膜であることが望ましい。ただし、半導体482に
与えられるダメージを小さく抑えつつ、半導体482上に絶縁膜486を直接形成するこ
とができるのであれば、絶縁膜485は必ずしも設けなくとも良い。
含む材料を用いることが好ましい。または、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、
酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフ
ニウム、酸化窒化ハフニウム等の金属酸化物を用いることもできる。
い。或いは、絶縁膜487は、水素、水の拡散を防ぐブロッキング効果を有することが、
望ましい。
り高いブロッキング効果を示す。酸素、水素、水の拡散を防ぐブロッキング効果を示す絶
縁膜は、例えば、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガ
リウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウ
ム等を用いて、形成することができる。水素、水の拡散を防ぐブロッキング効果を示す絶
縁膜は、例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン等を用いることができる。
脂や、パネルの外部に存在する水、水素などの不純物が、半導体482に侵入するのを防
ぐことができる。半導体482に酸化物半導体を用いる場合、酸化物半導体に侵入した水
または水素の一部は電子供与体(ドナー)となるため、上記ブロッキング効果を有する絶
縁膜487を用いることで、トランジスタ480の閾値電圧がドナーの生成によりシフト
するのを防ぐことができる。
ッキング効果を有することで、酸化物半導体からの酸素が外部に拡散するのを防ぐことが
できる。よって、酸化物半導体中において、ドナーとなる酸素欠損が低減されるので、ト
ランジスタ480の閾値電圧がドナーの生成によりシフトするのを防ぐことができる。
本実施の形態では、実施の形態1に示す半導体装置100に適用可能なデバイスの構成例
について、図22乃至図24を用いて説明を行う。
図22(A)、(B)に示す断面図は半導体装置100が1つのチップに形成された例を
示している。図22(A)は、半導体装置100を構成するトランジスタのチャネル長方
向の断面図を表している。また、図22(B)は、半導体装置100を構成するトランジ
スタのチャネル幅方向の断面図を表している。なお、図22(A)、(B)は、一例とし
て、半導体装置100において、メモリセルMC1を構成する箇所(トランジスタM0、
スイッチS0及び容量素子C0を含む)の断面図を示している。
有している。
01と、プラグ710、711などの複数のプラグを有する。
する。
膜705と、プラグ714、715などの複数のプラグを有する。
容量素子C0は、第1の電極751と、第2の電極752と、絶縁膜753と、を有して
いる。
22(A)、(B)は、スイッチS0に、図18(A)乃至(C)に示すトランジスタ4
00cを適用した例を示している。
図22(A)、(B)では、トランジスタM0にSiトランジスタを適用した例を示して
いる。
基板、シリコンゲルマニウムからなる化合物半導体基板や、SOI基板などを用いること
ができる。
、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルム、などを
用いてもよい。また、ある基板を用いて半導体素子を形成し、その後、別の基板に半導体
素子を転置してもよい。図22(A)、(B)では、一例として、基板700に単結晶シ
リコンウェハを用いた例を示している。
A)はトランジスタM0のチャネル長方向の断面図を示し、図23(B)はトランジスタ
M0のチャネル幅方向の断面図を示している。トランジスタM0は、ウェル792に設け
られたチャネル形成領域793と、低濃度不純物領域794及び高濃度不純物領域795
(これらを合わせて単に不純物領域とも呼ぶ)と、該不純物領域に接して設けられた導電
性領域796と、チャネル形成領域793上に設けられたゲート絶縁膜797と、ゲート
絶縁膜797上に設けられたゲート電極790と、ゲート電極790の側面に設けられた
側壁絶縁層798、799とを有する。なお、導電性領域796には、金属シリサイド等
を用いてもよい。
の側面及び上面に沿ってゲート絶縁膜797及びゲート電極790が設けられている。こ
のような形状を有するトランジスタをFIN型トランジスタと呼ぶ。本実施の形態では、
半導体基板の一部を加工して凸部を形成する場合を示したが、SOI基板を加工して凸形
状を有する半導体層を形成してもよい。
に示すプレーナー型トランジスタを用いてもよい。図24(A)は、トランジスタM0の
チャネル長方向の断面図を示し、図24(B)はトランジスタM0のチャネル幅方向の断
面図を示している。図24の構成要素は、図23の構成要素と同一の符号が与えられてい
る。
よい。絶縁膜703は、実施の形態2の絶縁膜402の記載を参照すればよい。
ング効果を有することが好ましい。水、水素等は酸化物半導体中にキャリアを生成する要
因の一つであるので、水素、水等に対するブロッキング層を設けることにより、トランジ
スタM0の信頼性を向上させることが可能になる。水素、水等に対するブロッキング効果
を有する絶縁物には、例えば、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム
、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化
窒化ハフニウム、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)等がある。
(W)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、
チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、鉛(Pb)、
錫(Sn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)の低抵抗材料からなる単体、もしくは合金、
またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜の単層または積層とすることが好ましい
。特に、耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いる
ことが好ましい。また、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ま
しい。さらに、Cu-Mn合金を用いると、酸素を含む絶縁体との界面に酸化マンガンを
形成し、酸化マンガンがCuの拡散を抑制する機能を持つので好ましい。
されている。上記絶縁体には、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化マグネシ
ウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウ
ム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオ
ジム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどから選ばれた一種以上の材料を含む絶縁体を用
いることができる。また、当該領域には、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹
脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の有機樹脂を用いることもできる
。なお、本明細書において、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い化合物をい
い、窒化酸化物とは、酸素よりも窒素の含有量が多い化合物をいう。
を高集積化することが可能になる。
〈〈撮像素子〉〉
本実施の形態では、実施の形態1に示す放送システムに用いることが可能な撮像素子につ
いて説明を行う。
図25(A)は、撮像素子11の構成例を示す平面図である。撮像素子11は、画素部6
21と、第1の回路260、第2の回路270、第3の回路280、および第4の回路2
90を有する。なお、本明細書等において、第1の回路260乃至第4の回路290など
を「周辺回路」もしくは「駆動回路」と呼ぶ場合がある。例えば、第1の回路260は周
辺回路の一部と言える。
およびqは2以上の自然数)のマトリクス状に配置された複数の画素622(撮像素子)
を有する。なお、図25(B)中のnは1以上p以下の自然数であり、mは1以上q以下
の自然数である。
イビジョン(「2K解像度」、「2K1K」、「2K」などとも言われる。)の解像度で
撮像可能な撮像素子11を実現することができる。また、例えば、画素622を3840
×2160(または、4096×2160)のマトリクス状に配置すると、いわゆるウル
トラハイビジョン(「4K解像度」、「4K2K」、「4K」などとも言われる。)の解
像度で撮像可能な撮像素子11を実現することができる。また、例えば、画素622を7
680×4320(または8192×4320)のマトリクス状に配置すると、いわゆる
スーパーハイビジョン(「8K解像度」、「8K4K」、「8K」などとも言われる。)
の解像度で撮像可能な撮像素子11を実現することができる。画素622を増やすことで
、16Kや32Kの解像度で撮像可能な撮像素子11を実現することも可能である。
22を駆動するための信号を供給する機能を有する。また、第1の回路260は、画素6
22から出力されたアナログ信号を処理する機能を有していてもよい。また、第3の回路
280は、周辺回路の動作タイミングを制御する機能を有していてもよい。例えば、クロ
ック信号を生成する機能を有していてもよい。また、外部から供給されたクロック信号の
周波数を変換する機能を有していてもよい。また、第3の回路280は、参照用電位信号
(例えば、ランプ波信号など)を供給する機能を有していてもよい。
1つを有する。また、周辺回路に用いるトランジスタなどは、後述する画素駆動回路61
0を作製するために形成する半導体の一部を用いて形成してもよい。また、周辺回路の一
部または全部にICチップ等の半導体装置を用いてもよい。
略してもよい。例えば、第1の回路260または第4の回路290の一方の機能を、第1
の回路260または第4の回路290の他方に付加して、第1の回路260または第4の
回路290の一方を省略してもよい。また、例えば、第2の回路270または第3の回路
280の一方の機能を、第2の回路270または第3の回路280の他方に付加して、第
2の回路270または第3の回路280の一方を省略してもよい。また、例えば、第1の
回路260乃至第4の回路290のいずれか1つに、他の周辺回路の機能を付加すること
で、他の周辺回路を省略してもよい。
路290を設けてもよい。また、撮像素子11が有する画素部621において画素622
を傾けて配置してもよい。画素622を傾けて配置することにより、行方向および列方向
の画素間隔(ピッチ)を短くすることができる。これにより、撮像素子11で撮像された
画像の品質をより高めることができる。
い。第1の回路260乃至第4の回路290の上方に重ねて画素部621を設けることで
、撮像素子11の大きさに対する画素部621の占有面積を大きくすることができる。よ
って、撮像素子11の受光感度を向上することができる。また、撮像素子11のダイナミ
ックレンジを向上することができる。また、撮像素子11の解像度を向上することができ
る。また、撮像素子11で撮影した画像の再現性を向上することができる。また、撮像素
子11集積度を向上することができる。
撮像素子11が有する画素622を副画素として用いて、複数の画素622それぞれに異
なる波長域の光を透過するフィルタ(カラーフィルタ)を設けることで、カラー画像表示
を実現するための情報を取得することができる。
27(A)は、赤(R)の波長帯域の光を透過するカラーフィルタが設けられた画素62
2(以下、「画素622R」ともいう)、緑(G)の波長帯域の光を透過するカラーフィ
ルタが設けられた画素622(以下、「画素622G」ともいう)および青(B)の波長
帯域の光を透過するカラーフィルタが設けられた画素622(以下、「画素622B」と
もいう)を有する。画素622R、画素622G、画素622Bをまとめて一つの画素6
23として機能させる。
ず、シアン(C)、黄(Y)およびマゼンダ(M)の光を透過するカラーフィルタを用い
てもよい。1つの画素623に少なくとも3種類の異なる波長域の光を検出する画素62
2を設けることで、フルカラー画像を取得することができる。
ルタが設けられた画素622に加えて、黄(Y)の光を透過するカラーフィルタが設けら
れた画素622を有する画素623を例示している。図27(C)は、それぞれシアン(
C)、黄(Y)およびマゼンダ(M)の光を透過するカラーフィルタが設けられた画素6
22に加えて、青(B)の光を透過するカラーフィルタが設けられた画素622を有する
画素623を例示している。1つの画素623に4種類以上の異なる波長域の光を検出す
る画素622を設けることで、取得した画像の色の再現性をさらに高めることができる。
)は、必ずしも1:1:1である必要は無い。図27(D)に示すように、画素数比(受
光面積比)を赤:緑:青=1:2:1とするBayer配列としてもよい。また、画素数
比(受光面積比)を赤:緑:青=1:6:1としてもよい。
同じ波長域の光を検出する画素622を2つ以上設けることで、冗長性を高め、撮像素子
11の信頼性を高めることができる。
を透過するIR(IR:Infrared)フィルタを用いることで、赤外光を検出する
撮像素子11を実現することができる。また、フィルタとして可視光の波長以上の波長を
有する光を吸収または反射して、紫外光を透過するUV(UV:Ultra Viole
t)フィルタを用いることで、紫外光を検出する撮像素子11を実現することができる。
また、フィルタとして、放射線を紫外光や可視光に変換するシンチレータを用いることで
、撮像素子11をX線やγ線などを検出する放射線検出器として機能させることもできる
。
フィルター)を用いると、光電変換素子(受光素子)に多大な光量の光が入射した時に生
じる、出力が飽和する現象(以下、「出力飽和」ともいう。)を防ぐことができる。減光
量の異なるNDフィルタを組み合わせて用いることで、撮像素子のダイナミックレンジを
大きくすることができる。
断面図を用いて、画素622、フィルタ624、レンズ625の配置例を説明する。レン
ズ625を設けることで、入射光を光電変換素子に効率よく受光させることができる。具
体的には、図28(A)に示すように、画素622に形成したレンズ625、フィルタ6
24(フィルタ624R、フィルタ624G、フィルタ624B)、および画素駆動回路
610等を通して光660を光電変換素子601に入射させる構造とすることができる。
の一部、トランジスタ、および/または容量素子などによって遮光されてしまうことがあ
る。したがって、図28(B)に示すように光電変換素子601側にレンズ625および
フィルタ624を形成して、入射光を光電変換素子601に効率良く受光させる構造とし
てもよい。光電変換素子601側から光660を入射させることで、受光感度の高い撮像
素子11を提供することができる。
0の一例を示す。図29(A)に示す画素駆動回路610は、トランジスタ602、トラ
ンジスタ604、および容量素子606を有し、光電変換素子601に接続されている。
トランジスタ602のソースまたはドレインの一方は光電変換素子601と電気的に接続
され、トランジスタ602のソースまたはドレインの他方はノード607(電荷蓄積部)
を介してトランジスタ604のゲートと電気的に接続されている。
、オフ電流を極めて小さくすることができるため、容量素子606を小さくすることがで
きる。または、図29(B)に示すように、容量素子606を省略することができる。ま
た、トランジスタ602としてOSトランジスタを用いると、ノード607の電位が変動
しにくい。よって、ノイズの影響を受けにくい撮像素子を実現することができる。なお、
トランジスタ604にOSトランジスタを用いてもよい。
イオード素子を用いることができる。または非晶質シリコン膜や微結晶シリコン膜などを
用いたpin型のダイオード素子などを用いてもよい。または、ダイオード接続のトラン
ジスタを用いてもよい。また、光電効果を利用した可変抵抗などをシリコン、ゲルマニウ
ム、セレンなど用いて形成してもよい。
て形成してもよい。放射線を吸収して電荷を発生させることが可能な材料としては、ヨウ
化鉛、ヨウ化水銀、ガリウムヒ素、CdTe、CdZnなどがある。
トランジスタ604、トランジスタ605、および容量素子606を有し、光電変換素子
601に接続されている。なお、図29(C)に示す画素駆動回路610は、光電変換素
子601としてフォトダイオードを用いる場合を示している。トランジスタ602のソー
スまたはドレインの一方は光電変換素子601のカソードと電気的に接続され、他方はノ
ード607と電気的に接続されている。光電変換素子601のアノードは、配線611と
電気的に接続されている。トランジスタ603のソースまたはドレインの一方はノード6
07と電気的に接続され、他方は配線608と電気的に接続されている。トランジスタ6
04のゲートはノード607と電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方は配線6
09と電気的に接続され、他方はトランジスタ605のソースまたはドレインの一方と電
気的に接続されている。トランジスタ605のソースまたはドレインの他方は配線608
と電気的に接続されている。容量素子606の一方の電極はノード607と電気的に接続
され、他方の電極は配線611と電気的に接続される。
には、転送信号TXが供給される。トランジスタ603はリセットトランジスタとして機
能できる。トランジスタ603のゲートには、リセット信号RSTが供給される。トラン
ジスタ604は増幅トランジスタとして機能できる。トランジスタ605は選択トランジ
スタとして機能できる。トランジスタ605のゲートには、選択信号SELが供給される
。また、配線608にVDDが供給され、配線611にはVSSが供給される。
スタ603をオン状態にして、ノード607にVDDを供給する(リセット動作)。その
後、トランジスタ603をオフ状態にすると、ノード607にVDDが保持される。次に
、トランジスタ602をオン状態とすると、光電変換素子601の受光量に応じて、ノー
ド607の電位が変化する(蓄積動作)。その後、トランジスタ602をオフ状態にする
と、ノード607の電位が保持される。次に、トランジスタ605をオン状態とすると、
ノード607の電位に応じた電位が配線609に出力される(選択動作)。配線609の
電位を検出することで、光電変換素子601の受光量を知ることができる。
ましい。前述した通り、OSトランジスタはオフ電流を極めて小さくすることができるた
め、容量素子606を小さくすることができる。または、容量素子606を省略すること
ができる。また、トランジスタ602およびトランジスタ603としてOSトランジスタ
を用いると、ノード607の電位が変動しにくい。よって、ノイズの影響を受けにくい撮
像素子を実現することができる。
2をマトリクス状に配置することで、解像度の高い撮像素子が実現できる。
るフルハイビジョンの解像度で撮像可能な撮像素子を実現することができる。また、例え
ば、画素駆動回路610を3840×2160(または、4096×2160)のマトリ
クス状に配置すると、いわゆるウルトラハイビジョンの解像度で撮像可能な撮像素子を実
現することができる。また、例えば、画素駆動回路610を7680×4320(または
8192×4320)のマトリクス状に配置すると、いわゆるスーパーハイビジョンの解
像度で撮像可能な撮像素子を実現することができる。画素駆動回路610を増やすことで
、16Kや32Kの解像度で撮像可能な撮像素子を実現することも可能である。
〈〈表示装置〉〉
本実施の形態では、実施の形態1に示す放送システムに用いることが可能な表示装置につ
いて説明を行う。
むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、LEDチップ(白色LEDチップ、赤色L
EDチップ、緑色LEDチップ、青色LEDチップなど)、トランジスタ(電流に応じて
発光するトランジスタ)、電子放出素子、カーボンナノチューブを用いた表示素子、液晶
素子、電子インク、エレクトロウェッティング素子、電気泳動素子、MEMS(マイクロ
・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表示素子(例えば、グレーティングライ
トバルブ(GLV)、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・
マイクロ・シャッター)、MIRASOL(登録商標)、IMOD(インターフェアレン
ス・モジュレーション)素子、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEM
S表示素子、圧電セラミックディスプレイなど)、または、量子ドットなどの少なくとも
一つを有している。
射率、透過率などが変化する表示媒体を有していてもよい。例えば、表示装置はプラズマ
ディスプレイ(PDP)であってもよい。
を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ(FED)また
はSED方式平面型ディスプレイ(SED:Surface-conduction E
lectron-emitter Display)などがある。
る。なお、量子ドットは、表示素子としてではなく、液晶表示装置などに用いるバックラ
イトの一部に設けてもよい。量子ドットを用いることにより、色純度の高い表示を行うこ
とができる。
透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液
晶ディスプレイ)などがある。
極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、
画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。
さらに、その場合、反射電極の下に、SRAMなどの記憶回路を設けることも可能である
。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。
ては、電子ペーパーなどがある。
下に、グラフェンやグラファイトを配置してもよい。グラフェンやグラファイトは、複数
の層を重ねて、多層膜としてもよい。このように、グラフェンやグラファイトを設けるこ
とにより、その上に、窒化物半導体、例えば、結晶を有するn型GaN半導体層などを容
易に成膜することができる。さらに、その上に、結晶を有するp型GaN半導体層などを
設けて、LEDチップを構成することができる。なお、グラフェンやグラファイトと、結
晶を有するn型GaN半導体層との間に、AlN層を設けてもよい。なお、LEDチップ
が有するGaN半導体層は、MOCVDで成膜してもよい。ただし、グラフェンを設ける
ことにより、LEDチップが有するGaN半導体層は、スパッタ法で成膜することも可能
である。
表示素子が配置されている素子基板と、素子基板に対向して配置されている対向基板との
間)に、乾燥剤を配置してもよい。乾燥剤を配置することにより、MEMSなどが水分に
よって動きにくくなることや、劣化しやすくなることを防止することができる。
次に、図30を用いて、表示装置のより具体的な構成例について説明する。図30(A)
は、表示装置3100の構成を説明するためのブロック図である。表示装置3100は、
表示領域3131、回路3132、および回路3133を有する。回路3132は、例え
ば走査線駆動回路として機能する。また、回路3133は、例えば信号線駆動回路として
機能する。
が制御されるm本の走査線3135と、各々が略平行に配設され、且つ、回路3133に
よって電位が制御されるn本の信号線3136と、を有する。さらに、表示領域3131
はm行n列のマトリクス状に配設された複数の画素3130を有する。なお、m、nは、
ともに2以上の整数である。
配設されたn個の画素3130と電気的に接続される。また、各信号線3136は、画素
3130のうち、いずれかの列に配設されたm個の画素3130に電気的に接続される。
置に、回路3152を設けてもよい。また、図31(B)に示すように、表示領域313
1を挟んで回路3133と向き合う位置に、回路3153を設けてもよい。図31(A)
および図31(B)では、回路3152を回路3132と同様に走査線3135に接続す
る例を示している。ただし、これに限らず、例えば、走査線3135に接続する回路31
32と回路3152を、数行毎に変えてもよい。図31(B)では、回路3153を回路
3133と同様に信号線3136に接続する例を示している。ただし、これに限らず、例
えば、信号線3136に接続する回路3133と回路3153を、数行毎に変えてもよい
。また、回路3132、回路3133、回路3152および回路3153は、画素313
0を駆動する以外の機能を有していてもよい。
いう場合がある。画素3130は、画素回路3137および表示素子を有する。画素回路
3137は表示素子を駆動する回路である。駆動回路部が有するトランジスタは、画素回
路3137を構成するトランジスタと同時に形成することができる。また、駆動回路部の
一部または全部を他の基板上に形成して、表示装置3100と電気的に接続してもよい。
例えば、駆動回路部の一部または全部を、単結晶基板を用いて形成し、表示装置3100
と電気的に接続してもよい。
きる回路構成を示している。
図30(B)に、発光表示装置に用いることができる画素回路の一例を示す。図30(B
)に示す画素回路3137は、トランジスタ3431と、容量素子3233と、トランジ
スタ3232と、トランジスタ3434と、を有する。また、画素回路3137は、表示
素子として機能できる発光素子3125と電気的に接続されている。
るn列目の信号線3136(以下、信号線DL_nという)に電気的に接続される。さら
に、トランジスタ3431のゲート電極は、ゲート信号が与えられるm行目の走査線31
35(以下、走査線GL_mという)に電気的に接続される。
する。
ノード3437に電気的に接続される。また、トランジスタ3431のソース電極または
ドレイン電極の他方は、ノード3435に電気的に接続される。
機能を有する。
電気的に接続され、他方はノード3437に電気的に接続される。さらに、トランジスタ
3232のゲート電極は、ノード3435に電気的に接続される。
電気的に接続され、他方はノード3437に電気的に接続される。さらに、トランジスタ
3434のゲート電極は、走査線GL_mに電気的に接続される。
続され、他方は、ノード3437に電気的に接続される。
いう)などを用いることができる。ただし、これに限定されず、例えば無機材料からなる
無機EL素子を用いても良い。
bはVSSを供給する機能を有する。また、電位供給線VL_cはVSSを供給する機能
を有する。
く。まず、回路3132により各行の画素回路3137を順次選択し、トランジスタ34
31をオン状態にしてデータ信号(電位)をノード3435に書き込む。次に、トランジ
スタ3434をオン状態にしてノード3437の電位をVSSとする。
号を保持する。次に、トランジスタ3434をオフ状態とする。トランジスタ3232の
ソースとドレインの間に流れる電流量は、ノード3435に書き込まれたデータ信号に応
じて決まる。よって、発光素子3125は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これ
を行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
る波長域の光を発光させることで、カラー画像を表示することができる。例えば、赤の波
長域の光を発する画素3130、緑の波長域の光を発する画素3130、および青の波長
域の光を発する画素3130を1つの画素として用いる。
ゼンダであってもよい。1つの画素に少なくとも3種類の異なる波長域の光を発する副画
素を設けることで、カラー画像を表示することができる。
よい。例えば、赤、緑、および青に加えて、黄の波長域の光を発する副画素を加えてもよ
い。また、シアン、黄、およびマゼンダに赤、緑、青、白などを一種以上追加してもよい
。例えば、シアン、黄、およびマゼンダに加えて、青の波長域の光を発する副画素を加え
てもよい。1つの画素に4種類以上の異なる波長域で発光する副画素を設けることで、表
示する画像の色の再現性をさらに高めることができる。
:1:1である必要は無い。例えば、画素数比(発光面積比)を赤:緑:青=1:1:2
としてもよい。また、画素数比(発光面積比)を赤:緑:青=1:2:3としてもよい。
ー表示を実現することもできる。また、赤、緑、または青の波長域の光を発する副画素そ
れぞれに、赤、緑、または青の波長域の光を透過するカラーフィルタを組み合わせてもよ
い。
装置に適用することもできる。
図30(C)に、液晶表示装置に用いることができる画素回路の一例を示す。図30(C
)に示す画素回路3137は、トランジスタ3431と、容量素子3233と、を有する
。また、画素回路3137は、表示素子として機能できる液晶素子3432と電気的に接
続されている。
定される。液晶素子3432に含まれる液晶は、ノード3436に書き込まれるデータに
より配向状態が設定される。なお、複数の画素回路3137のそれぞれが有する液晶素子
3432の一対の電極の一方に、共通の電位(コモン電位)を与えてもよい。
ASM(Axially Symmetric Aligned Micro-cell
)モード、OCB(Optically Compensated Birefring
ence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid Crysta
l)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crys
tal)モード、MVAモード、PVA(Patterned Vertical Al
ignment)モード、IPSモード、FFSモード、またはTBA(Transve
rse Bend Alignment)モードなどを用いてもよい。また、他の例とし
て、ECB(Electrically Controlled Birefringe
nce)モード、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Cr
ystal)モード、PNLC(Polymer Network Liquid Cr
ystal)モード、ゲストホストモードなどがある。ただし、これに限定されず、様々
なモードを用いることができる。
イン電極の一方は、信号線DL_nに電気的に接続され、他方はノード3436に電気的
に接続される。トランジスタ3431のゲート電極は、走査線GL_mに電気的に接続さ
れる。トランジスタ3431は、ノード3436へのデータ信号の書き込みを制御する機
能を有する。
CL」ともいう。)に電気的に接続され、他方は、ノード3436に電気的に接続される
。また、液晶素子3432の一対の電極の他方はノード3436に電気的に接続される。
なお、容量線CLの電位の値は、画素回路3137の仕様に応じて適宜設定される。容量
素子3233は、ノード3436に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能
を有する。
く。まず、回路3132により各行の画素回路3137を順次選択し、トランジスタ34
31をオン状態にしてノード3436にデータ信号を書き込む。
を保持する。ノード3436に書き込まれたデータ信号に応じて、液晶素子3432の透
過光量が決まる。これを行毎に順次行うことにより、表示領域3131に画像を表示でき
る。
上記実施の形態に示したトランジスタを用いて、トランジスタを含む駆動回路の一部また
は全体を画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる
。上記実施の形態に示したトランジスタを用いることが可能な表示装置の構成例について
、図32および図33を用いて説明する。
表示装置の一例として、液晶素子を用いた表示装置および発光素子を用いた表示装置につ
いて説明する。図32(A)において、第1の基板4001上に設けられた画素部400
2を囲むようにして、シール材4005が設けられ、第2の基板4006によって封止さ
れている。図32(A)においては、第1の基板4001上のシール材4005によって
囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多結晶半
導体で形成された信号線駆動回路4003、及び走査線駆動回路4004が実装されてい
る。また、信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004、または画素部4002に
与えられる各種信号及び電位は、FPC(Flexible printed circ
uit)4018a、FPC4018bから供給されている。
02と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられてい
る。また画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けら
れている。よって画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001
とシール材4005と第2の基板4006とによって、表示素子と共に封止されている。
図32(B)及び図32(C)においては、第1の基板4001上のシール材4005に
よって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体又は多
結晶半導体で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。図32(B)及び図
32(C)においては、信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004、または画素
部4002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
第1の基板4001に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線
駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路
の一部のみを別途形成して実装しても良い。
ィング、COG(Chip On Glass)、TCP(Tape Carrier
Package)、COF(Chip On Film)などを用いることができる。図
32(A)は、COGにより信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004を実装す
る例であり、図32(B)は、COGにより信号線駆動回路4003を実装する例であり
、図32(C)は、TCPにより信号線駆動回路4003を実装する例である。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む場合がある。
おり、上記実施の形態で示したトランジスタを適用することができる。
面構成を示す断面図である。図33(A)及び図33(B)に示す表示装置は電極401
5を有しており、電極4015はFPC4018が有する端子と異方性導電層4019を
介して、電気的に接続されている。また、電極4015は、絶縁層4112、絶縁層41
11、および絶縁層4110に形成された開口において配線4014と電気的に接続され
ている。
ランジスタ4010、およびトランジスタ4011のソース電極およびドレイン電極と同
じ導電層で形成されている。
ランジスタを複数有しており、図33(A)及び図33(B)では、画素部4002に含
まれるトランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれるトランジスタ401
1とを例示している。図33(A)では、トランジスタ4010およびトランジスタ40
11上に、絶縁層4112、絶縁層4111、および絶縁層4110が設けられ、図33
(B)では、絶縁層4112の上に隔壁4510が形成されている。
れている。また、トランジスタ4010およびトランジスタ4011は、絶縁層4102
上に形成された電極4017を有し、電極4017上に絶縁層4103が形成されている
。
電極4017はバックゲート電極として機能することができる。
スタを用いることができる。上記実施の形態で例示したトランジスタは、電気特性変動が
抑制されており、電気的に安定である。よって、図33(A)及び図33(B)で示す本
実施の形態の表示装置を信頼性の高い表示装置とすることができる。
に示したトランジスタ480と同様の構造を有するトランジスタを用いる場合について例
示している。なお、トランジスタ4010、4011として用いることが可能なトランジ
スタはこれに限定されない。例えば、トランジスタ4010、4011として、単結晶シ
リコントランジスタ、多結晶シリコントランジスタ、非晶質シリコントランジスタ、有機
半導体トランジスタなどを用いてもよい。
容量素子4020は、トランジスタ4010のソース電極またはドレイン電極の一方の一
部と、電極4021が絶縁層4103を介して重なる領域を有する。電極4021は、電
極4017と同じ導電層で形成されている。
ーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。容量素子の
容量は、トランジスタのオフ電流等を考慮して設定すればよい。
を、液晶容量に対して1/3以下、もしくは1/5以下とすることができる。OSトラン
ジスタを用いることにより、容量素子の形成を省略することもできる。
3(A)は、表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の一例である。図33(A)
において、表示素子である液晶素子4013は、第1の電極層4030、第2の電極層4
031、及び液晶層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜とし
て機能する絶縁層4032、絶縁層4033が設けられている。第2の電極層4031は
第2の基板4006側に設けられ、第1の電極層4030と第2の電極層4031は液晶
層4008を介して重畳する。
であり、第1の電極層4030と第2の電極層4031との間隔(セルギャップ)を制御
するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これら
の液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイ
ラルネマチック相、等方相等を示す。
ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック
相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現し
ないため、温度範囲を改善するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物
を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が
1msec以下と短く、また、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、且つ、視
野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため
、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液
晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上さ
せることが可能となる。
分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる
方法を用いることができる。
Ω・cm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ω・cm以上である。なお、本明細
書における固有抵抗の値は、20℃で測定した値とする。
くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、
電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少
なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
である。よって、表示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を
提供することができる。また、同一基板上に駆動回路部または画素部を作り分けて作製す
ることが可能となるため、表示装置の部品点数を削減することができる。
防止部材などの光学部材(光学基板)などを適宜設けてもよい。例えば、偏光基板及び位
相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトな
どを用いてもよい。
子(「EL素子」ともいう。)を適用することができる。EL素子は、一対の電極の間に
発光性の化合物を含む層(「EL層」ともいう。)を有する。一対の電極間に、EL素子
の閾値電圧よりも大きい電位差を生じさせると、EL層に陽極側から正孔が注入され、陰
極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はEL層において再結合し、EL層に
含まれる発光物質が発光する。
れ、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれEL層に注入される。そして、それらキャリア(電子および正孔)が再結合す
ることにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る
際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素
子と呼ばれる。
、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ
性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質)などを有していてもよい。
どの方法で形成することができる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
て、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、当該基板とは逆側の面から発光を取り
出す上面射出(トップエミッション)構造や、基板側の面から発光を取り出す下面射出(
ボトムエミッション)構造や、両面から発光を取り出す両面射出(デュアルエミッション
)構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。
いう。)の一例である。表示素子である発光素子4513は、画素部4002に設けられ
たトランジスタ4010と電気的に接続している。なお発光素子4513の構成は、第1
の電極層4030、発光層4511、第2の電極層4031の積層構造であるが、この構
成に限定されない。発光素子4513から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4
513の構成は適宜変えることができる。
材料を用い、第1の電極層4030上に開口部を形成し、その開口部の側面が連続した曲
率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
ていてもどちらでも良い。
4031および隔壁4510上に保護層を形成してもよい。保護層としては、窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、
窒化酸化アルミニウム、DLC(Diamond Like Carbon)などを形成
することができる。また、第1の基板4001、第2の基板4006、及びシール材40
05によって封止された空間には充填材4514が設けられ密封されている。このように
、外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィ
ルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ま
しい。
は熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル樹脂、ポ
リイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA
(エチレンビニルアセテート)などを用いることができる。また、充填材4514に乾燥
剤が含まれていてもよい。
温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることが
できる。また、シール材4005に乾燥剤が含まれていてもよい。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
ができる。また、マイクロキャビティ構造とカラーフィルタを組み合わせることで、映り
込みが低減し、表示画像の視認性を高めることができる。
向電極層などともいう)においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び
電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、インジウム錫酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いるこ
とができる。
(Mo)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(N
b)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタ
ン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)などの金属
、またはその合金、もしくはその金属窒化物から一種以上を用いて形成することができる
。
マーともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子として
は、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンま
たはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、も
しくは、アニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体またはその誘
導体等が挙げられる。
を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
ト型のトランジスタを設けた場合の断面図を示している。同様に、図34(B)は、図3
3(B)に示すトランジスタ4011及び4010に、トップゲート型のトランジスタを
設けた場合の断面図を示している。
ト電極としての機能を有する。また、配線4014は、ソース電極またはドレイン電極と
しての機能を有する。また、絶縁層4103はゲート絶縁膜としての機能を有する。
を有する。半導体層4012として、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン
、酸化物半導体、有機半導体、などを用いればよい。また、必要に応じて、半導体層40
12の導電率を高めるため、または、トランジスタの閾値を制御するために、半導体層4
012に不純物を導入してもよい。
ことができる。また、上記実施の形態で示したトランジスタを用いることで、高精細化や
、大面積化が可能で、表示品質の良い表示装置を提供することができる。また、消費電力
が低減された表示装置を提供することができる。
図35に示す表示モジュール6000は、上部カバー6001と下部カバー6002との
間に、FPC6003に接続されたタッチセンサ6004、FPC6005に接続された
表示パネル6006、バックライトユニット6007、フレーム6009、プリント基板
6010、バッテリ6011を有する。なお、バックライトユニット6007、バッテリ
6011、タッチセンサ6004などは、設けられない場合もある。
どに備えることができる。また、表示パネル6006に前述した表示装置を用いることが
できる。
006などのサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
006に重畳して用いることができる。表示パネル6006にタッチセンサの機能を付加
することも可能である。例えば、表示パネル6006の各画素内にタッチセンサ用電極を
設け、静電容量方式のタッチパネル機能を付加することなども可能である。または、表示
パネル6006の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサの機能を付加するこ
となども可能である。
ユニット6007の端部に設け、光拡散板を用いる構成としてもよい。また、表示パネル
6006に発光表示装置などを用いる場合は、バックライトユニット6007を省略する
ことができる。
発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。また、フレーム6
009は、放熱板としての機能を有していてもよい。
号処理回路などを有する。電源回路に電力を供給する電源としては、バッテリ6011で
あってもよいし、商用電源であってもよい。なお、電源として商用電源を用いる場合には
、バッテリ6011を省略することができる。また、必要に応じて、プリント基板601
0は、本発明の一態様の受信装置を備えてもよい。
して設けてもよい。
上記表示装置を表示部にもつ電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、又
はテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジ
タルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置とも
いう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機
などが挙げられる。特に、上記電子機器は、可撓性を有する場合、家屋やビルの内壁もし
くは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
図36に電気機器の構成例を示す。
のほか、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピーカ7405、マイクロフ
ォン7406などを備えている。携帯電話機7400は、指などで表示部7402に触れ
ることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するな
どのあらゆる操作は、指などで表示部7402に触れることにより行うことができる。ま
た、操作ボタン7403の操作により、電源のON、OFF動作や、表示部7402に表
示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメ
ニュー画面に切り替えることができる。
情報端末7100は、筐体7101、表示部7102、バンド7103、バックル710
4、操作ボタン7105、入出力端子7106などを備える。携帯情報端末7100は、
移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュー
タゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。表示部7102はその
表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、表
示部7102はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作する
ことができる。例えば、表示部7102に表示されたアイコン7107に触れることで、
アプリケーションを起動することができる。
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末7100に組み込まれたオペレーティングシ
ステムにより、操作ボタン7105の機能を自由に設定することもできる。携帯情報端末
7100は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通
信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもでき
る。また、携帯情報端末7100は入出力端子7106を備え、他の情報端末とコネクタ
ーを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子7106を介して
充電を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子7106を介さずに無線給電によ
り行ってもよい。
に示すPC7200は、筐体7221、表示部7222、キーボード7223、ポインテ
ィングデバイス7224等を有する。
7001、表示部7002、支持台7003等を有する。
示部7643、操作キー7644、レンズ7645、接続部7646等を有する。
553、ライト7554等を有する。
場合、上記電子機器は、本発明の一態様である受信装置を有することが好ましい。上記電
子機器が、本発明の一態様である受信装置を有することで、高速且つ低消費電力で映像を
受信し、表示することが可能になる。
本実施の形態では、実施の形態3で示した酸化物半導体トランジスタに適用可能な酸化物
半導体膜の構造について説明する。
配置されている状態をいう。したがって、-5°以上5°以下の場合も含まれる。また、
「略平行」とは、二つの直線が-30°以上30°以下の角度で配置されている状態をい
う。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている
状態をいう。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」と
は、二つの直線が60°以上120°以下の角度で配置されている状態をいう。
。
たは、酸化物半導体は、例えば、結晶性酸化物半導体と非晶質酸化物半導体とに分けられ
る。
Crystalline Oxide Semiconductor)、多結晶酸化物
半導体、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体などがある。また、結晶性酸化物半導
体としては、単結晶酸化物半導体、CAAC-OS、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物
半導体などがある。
scope)によって、CAAC-OS膜の明視野像および回折パターンの複合解析像(
高分解能TEM像ともいう。)を観察することで複数の結晶部を確認することができる。
一方、高分解能TEM像によっても明確な結晶部同士の境界、即ち結晶粒界(グレインバ
ウンダリーともいう。)を確認することができない。そのため、CAAC-OS膜は、結
晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は、
CAAC-OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹凸を反映した
形状であり、CAAC-OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。
ると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認で
きる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
置を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC-OS膜
のout-of-plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属される
ことから、CAAC-OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に略
垂直な方向を向いていることが確認できる。
による解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れ
る場合がある。2θが36°近傍のピークは、CAAC-OS膜中の一部に、c軸配向性
を有さない結晶が含まれることを示している。CAAC-OS膜は、2θが31°近傍に
ピークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
(または分子半径)が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、
当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(
ノーマリーオンともいう。)になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純
度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとな
る。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要す
る時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が
高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定と
なる場合がある。
8×1011/cm3未満、好ましくは1×1011/cm3未満、さらに好ましくは1
×1010/cm3未満であり、1×10-9/cm3以上である。酸化物半導体膜を高
純度真性化することで、トランジスタに安定した電気特性を付与することができる。
の変動が小さい。
域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。微結晶酸化物半導体膜
に含まれる結晶部は、1nm以上100nm以下、または1nm以上10nm以下の大き
さであることが多い。特に、1nm以上10nm以下、または1nm以上3nm以下の微
結晶であるナノ結晶(nc:nanocrystal)を有する酸化物半導体膜を、nc
-OS(nanocrystalline Oxide Semiconductor)
膜と呼ぶ。また、nc-OS膜は、例えば、高分解能TEM像では、結晶粒界を明確に確
認できない場合がある。
3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。また、nc-OS膜は、異なる
結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。し
たがって、nc-OS膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かな
い場合がある。例えば、nc-OS膜に対し、結晶部よりも大きい径のX線を用いるXR
D装置を用いて構造解析を行うと、out-of-plane法による解析では、結晶面
を示すピークが検出されない。また、nc-OS膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ
径(例えば50nm以上)の電子線を用いる電子回折(制限視野電子回折ともいう。)を
行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、nc-OS膜に対し
、結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子
回折を行うと、スポットが観測される。また、nc-OS膜に対しナノビーム電子回折を
行うと、円を描くように(リング状に)輝度の高い領域が観測される場合がある。また、
nc-OS膜に対しナノビーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが
観測される場合がある。
ため、nc-OS膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、
nc-OS膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc-O
S膜は、CAAC-OS膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
物半導体膜である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体膜が一例である。
lane法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物半
導体膜に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物半
導体膜に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが
観測される。
を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体膜を、特に非晶質ライク酸化
物半導体(a-like OS:amorphous-like Oxide Semi
conductor)膜と呼ぶ。
る場合がある。また、高分解能TEM像において、明確に結晶部を確認することのできる
領域と、結晶部を確認することのできない領域と、を有する。a-like OS膜は、
TEMによる観察程度の微量な電子照射によって、結晶化が起こり、結晶部の成長が見ら
れる場合がある。一方、良質なnc-OS膜であれば、TEMによる観察程度の微量な電
子照射による結晶化はほとんど見られない。
EM像を用いて行うことができる。例えば、InGaZnO4の結晶は層状構造を有し、
In-O層の間に、Ga-Zn-O層を2層有する。InGaZnO4の結晶の単位格子
は、In-O層を3層有し、またGa-Zn-O層を6層有する、計9層がc軸方向に層
状に重なった構造を有する。よって、これらの近接する層同士の間隔は、(009)面の
格子面間隔(d値ともいう。)と同程度であり、結晶構造解析からその値は0.29nm
と求められている。そのため、高分解能TEM像における格子縞に着目し、格子縞の間隔
が0.28nm以上0.30nm以下である箇所においては、それぞれの格子縞がInG
aZnO4の結晶のa-b面に対応する。
体膜の組成がわかれば、該組成と同じ組成における単結晶の密度と比較することにより、
その酸化物半導体膜の構造を推定することができる。例えば、単結晶の密度に対し、a-
like OS膜の密度は78.6%以上92.3%未満となる。また、例えば、単結晶
の密度に対し、nc-OS膜の密度およびCAAC-OS膜の密度は92.3%以上10
0%未満となる。なお、単結晶の密度に対し密度が78%未満となる酸化物半導体膜は、
成膜すること自体が困難である。
数比]を満たす酸化物半導体膜において、菱面体晶構造を有する単結晶InGaZnO4
の密度は6.357g/cm3となる。よって、例えば、In:Ga:Zn=1:1:1
[原子数比]を満たす酸化物半導体膜において、a-like OS膜の密度は5.0g
/cm3以上5.9g/cm3未満となる。また、例えば、In:Ga:Zn=1:1:
1[原子数比]を満たす酸化物半導体膜において、nc-OS膜の密度およびCAAC-
OS膜の密度は5.9g/cm3以上6.3g/cm3未満となる。
単結晶を組み合わせることにより、所望の組成の単結晶に相当する密度を算出することが
できる。所望の組成の単結晶の密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して
、加重平均を用いて算出すればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を
組み合わせて算出することが好ましい。
晶酸化物半導体膜、CAAC-OS膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。構成同士の位置関係は、
各構成を描写する方向に応じて適宜変化する。そのため、配置を示す語句は、明細書で説
明した記載に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
ブロックとして示している。しかしながら実際の回路等においては、構成要素を機能毎に
切り分けることが難しく、一つの回路に複数の機能が係わる場合や、複数の回路にわたっ
て一つの機能が関わる場合があり得る。そのため、ブロック図のブロックは、明細書で説
明した構成要素に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
を、「ソースまたはドレインの一方」(又は第1電極、又は第1端子)と表記し、ソース
とドレインとの他方を「ソースまたはドレインの他方」(又は第2電極、又は第2端子)
と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は
動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称につ
いては、ソース(ドレイン)端子や、ソース(ドレイン)電極等、状況に応じて適切に言
い換えることができる。
定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、
その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配
線」が一体となって形成されている場合なども含む。
となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電位(接地電
位)とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも0Vを
意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、配
線等に与える電位を変化させる場合がある。
に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導
電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」とい
う用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。または、ス
イッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。
OSトランジスタなど)、ダイオード(例えば、PNダイオード、PINダイオード、シ
ョットキーダイオード、MIM(Metal Insulator Metal)ダイオ
ード、MIS(Metal Insulator Semiconductor)ダイオ
ード、ダイオード接続のトランジスタなど)、又はこれらを組み合わせた論理回路などが
ある。
ランジスタのソースとドレインが電気的に短絡されているとみなせる状態をいう。また、
トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソースとドレインが電気的に遮断さ
れているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチとして動作させる場
合には、トランジスタの極性(導電型)は特に限定されない。
、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)技術を用いたスイッチがあ
る。そのスイッチは、機械的に動かすことが可能な電極を有し、その電極が動くことによ
って、導通と非導通とを制御して動作する。
合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場
合と、XとYとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものと
する。
、など)であるとする。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に接続されていない場合であ
り、XとYとの電気的な接続を可能とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など)を介さずに
、XとYとが、接続されている場合である。
とする素子(例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オン・オフが制御される機能を有している。つまり、ス
イッチは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流す
か流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択
して切り替える機能を有している。なお、XとYとが電気的に接続されている場合は、X
とYとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
とする回路(例えば、論理回路(インバータ、NAND回路、NOR回路など)、信号変
換回路(DA変換回路、AD変換回路、ガンマ補正回路など)、電位レベル変換回路(電
源回路(昇圧回路、降圧回路など)、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など)
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路(信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など)、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など)が、XとYとの間に1個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、XとYとの間に別の回路を挟んでいても、Xから出力された信号
がYへ伝達される場合は、XとYとは機能的に接続されているものとする。なお、XとY
とが機能的に接続されている場合は、XとYとが直接的に接続されている場合と、XとY
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
が電気的に接続されている場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合)と、XとYとが機能的に接続されている場合(つまり、XとYとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合)と、XとYとが直接接続されている
場合(つまり、XとYとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合)と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
さず)、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z
2を介して(又は介さず)、Yと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
(又は第1の端子など)が、Z1の一部と直接的に接続され、Z1の別の一部がXと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2の一部と直接的
に接続され、Z2の別の一部がYと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
の端子など)とは、互いに電気的に接続されており、X、トランジスタのソース(又は第
1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第
1の端子など)は、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)はYと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トラ
ンジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Xは、トランジスタのソース(又は第1の端子な
ど)とドレイン(又は第2の端子など)とを介して、Yと電気的に接続され、X、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など
)、Yは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
は、少なくとも第1の接続経路を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は
、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース(又は第1の端子など)とトランジスタのドレイン(又は第2の端子な
ど)との間の経路であり、前記第1の接続経路は、Z1を介した経路であり、トランジス
タのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路を介して、Yと電気
的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有しておらず、前記第3の
接続経路は、Z2を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路によって、Z1を介
して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず、
前記第2の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路によって、Z2を介して、Yと電
気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なく
とも第1の電気的パスによって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の電気
的パスは、第2の電気的パスを有しておらず、前記第2の電気的パスは、トランジスタの
ソース(又は第1の端子など)からトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3
の電気的パスによって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の電気的パスは
、第4の電気的パスを有しておらず、前記第4の電気的パスは、トランジスタのドレイン
(又は第2の端子など)からトランジスタのソース(又は第1の端子など)への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端子
など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
、Y、Z1、Z2は、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など)であるとする。
る場合であっても、1つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
C1 容量素子
CSC 配線
FN0 ノード
FN1 ノード
I0‐I3 電流
L1‐L6 配線
M0 トランジスタ
M01 トランジスタ
M1‐M5 トランジスタ
MC0 メモリセル
MC1 メモリセル
OPC 配線
P0‐P12 期間
R1 抵抗素子
R2 抵抗素子
RB0 配線
RB1 配線
RW 配線
RW1 配線
RC0 回路
RC1 回路
S0‐S7 スイッチ
SL0 配線
SL1 配線
WB0 配線
WB1 配線
WW 配線
10 カメラ
11 撮像素子
12 画像処理装置
20 送信装置
21 エンコーダ
21a 回路
21b 回路
22 変調器
30 受信装置
33a 回路
33b 回路
33c 回路
31 復調器
33 デコーダ
40 表示装置
41 画像処理装置
42 表示素子
51 Rawデータ
52 撮像データ
53 符号化データ
54 送信データ
55 受信データ
56 復調データ
57 映像データ
58 表示データ
61 放送局
62 人工衛星
63 電波塔
64 アンテナ
65 アンテナ
66 テレビ
67‐70 電波
71 受信装置
72 無線機
73 無線機
74 受信装置
75 コネクター部
100 半導体装置
121 メモリセルアレイ
123 行デコーダ
124 アナログ回路
125 A/D変換回路
130 オペアンプ
260 回路
270 回路
280 回路
290 回路
400a トランジスタ
400b トランジスタ
400c トランジスタ
401‐408 絶縁膜
411‐414 導電膜
421‐424 導電膜
430‐433 金属酸化物
441 領域
442 領域
450 基板
461 領域
462 領域
463 領域
480 トランジスタ
481 絶縁膜
482 半導体
483 導電膜
484 導電膜
485‐487 絶縁膜
488 導電膜
489 導電膜
500a トランジスタ
500b トランジスタ
501 絶縁膜
502 導電膜
503 絶縁膜
504 絶縁膜
506a‐506c 金属酸化物
507a 低抵抗領域
507b 低抵抗領域
508a プラグ
508b プラグ
509a 導電膜
509b 導電膜
512 絶縁膜
514 導電膜
515 側壁絶縁層
516 絶縁膜
518 絶縁膜
526a‐526e 領域
530 基板
601 光電変換素子
602‐605 トランジスタ
606 容量素子
607 ノード
608 配線
609 配線
610 画素駆動回路
611 配線
621 画素部
622 画素
622B 画素
622G 画素
622R 画素
623 画素
624 フィルタ
624B‐624R フィルタ
625 レンズ
626 配線群
660 光
700 基板
701 素子分離層
702‐705 絶縁膜
710‐717 プラグ
730‐735 配線
751 電極
752 電極
753 絶縁膜
781‐789 層
790 ゲート電極
792 ウェル
793 チャネル形成領域
794 低濃度不純物領域
795 高濃度不純物領域
796 導電性領域
797 ゲート絶縁膜
798 側壁絶縁層
799 側壁絶縁層
3100 表示装置
3125 発光素子
3130 画素
3131 表示領域
3132 回路
3133 回路
3135 走査線
3136 信号線
3137 画素回路
3152 回路
3153 回路
3232 トランジスタ
3233 容量素子
3431 トランジスタ
3432 液晶素子
3434 トランジスタ
3435 ノード
3436 ノード
3437 ノード
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4012 半導体層
4013 液晶素子
4014 配線
4015 電極
4017 電極
4018 FPC
4018b FPC
4019 異方性導電層
4020 容量素子
4021 電極
4030 電極層
4031 電極層
4032 絶縁層
4033 絶縁層
4035 スペーサ
4102 絶縁層
4103 絶縁層
4110 絶縁層
4111 絶縁層
4112 絶縁層
4510 隔壁
4511 発光層
4513 発光素子
4514 充填材
6000 表示モジュール
6001 上部カバー
6002 下部カバー
6003 FPC
6004 タッチセンサ
6005 FPC
6006 表示パネル
6007 バックライトユニット
6008 光源
6009 フレーム
6010 プリント基板
6011 バッテリ
7000 表示装置
7001 筐体
7002 表示部
7003 支持台
7100 携帯情報端末
7101 筐体
7102 表示部
7103 バンド
7104 バックル
7105 操作ボタン
7106 入出力端子
7107 アイコン
7200 PC
7221 筐体
7222 表示部
7223 キーボード
7224 ポインティングデバイス
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイクロフォン
7500 自動車
7551 車体
7552 車輪
7553 ダッシュボード
7554 ライト
7600 ビデオカメラ
7641 筐体
7642 筐体
7643 表示部
7644 操作キー
7645 レンズ
7646 接続部
Claims (1)
- 複数の第1メモリセルと、複数の第2メモリセルと、アナログ回路と、を有する半導体装置であって、
前記アナログ回路は、第1カレントミラー回路と、第2カレントミラー回路と、電流源として機能を有するトランジスタと、容量素子と、オペアンプと、を有し、
前記第1カレントミラー回路の第1端子は、前記複数の第1メモリセル、前記電流源として機能を有するトランジスタ、及び前記容量素子と電気的に接続され、
前記第2カレントミラー回路の第2端子は、前記オペアンプの非反転入力端子と電気的に接続され、
前記第2カレントミラー回路の第1端子は、前記複数の第2メモリセルと電気的に接続され、
前記第2カレントミラー回路の第2端子は、前記複数の第1メモリセル及び前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続され、
前記アナログ回路は、前記複数の第1メモリセルに保持されたデータと前記複数の第1メモリセルのワード線に与えられた電位の積和演算を行う機能を有する半導体装置。
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