JP7006617B2 - 光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 - Google Patents

光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 Download PDF

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Description

本技術は、光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器に関する。
光学素子の表面に光の波長以下の微細な凹凸構造を形成することで、光学素子の表面に反射抑制の機能を付与する技術が知られており、その微細な凹凸構造は一般的にモスアイ構造と呼ばれている。
近年では、モスアイ構造を種々の光学素子に適用することが検討されている。例えば、撮像素子パッケージのカバーガラスにモスアイ構造を適用することが検討されている。なお、本明細書では、撮像素子をパッケージに収容したものを撮像素子パッケージという。
特開２０１５－６８８５３号公報
しかしながら、モスアイ構造を上記カバーガラスに適用した場合、以下のような不具合が生じる虞がある。すなわち、撮像素子パッケージを高温環境に保持した場合に、撮像素子パッケージの画像が劣化してしまう虞がある。
本技術の目的は、撮像素子パッケージを高温環境に保持した場合における、撮像素子パッケージの画像の劣化を抑制できる光学素子、それを備える撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器を提供することにある。
上述の課題を解決するために、第１の技術は、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層とを備え、凹凸構造層は、フタロシアニンニッケル錯体を含み、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域における反射率が、１％以下であり、４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域における透過率が、９０％以上であり、１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における透過率の変化量が、１％以下である光学素子である。
第２の技術は、第１の技術の光学素子を備える撮像素子パッケージである。
第３の技術は、第２の技術の撮像素子パッケージを備える撮像装置である。
第４の技術は、第２の技術の撮像素子パッケージを備える電子機器である。
本技術によれば、撮像素子パッケージを高温環境に保持した場合における、撮像素子パッケージの画像の劣化を抑制できる。
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る撮像素子パッケージの構成の一例を示す断面図である。図１Ｂは、図１Ａの一部を拡大して表す断面図である。図１Ｃは、光学素子の構成の一例を示す平面図である。 図２は、本技術の第１の実施形態の変形例１に係る撮像素子パッケージの構成の一例を示す断面図である。 図３Ａ、図３Ｂはそれぞれ、本技術の第２の実施形態の撮像素子パッケージの概要を説明するための断面図である。 図４は、本技術の第２の実施形態に係る撮像素子パッケージの構成の一例を示す断面図である。 図５Ａは、ＩＲカットフィルタおよび光学素子の分光特性を説明するためのグラフである。図５Ｂは、図５Ａに分光特性を示した光学素子の構成の一例を示す断面図である。 図６は、本技術の第２の実施形態の変形例１に係る撮像素子パッケージの構成の一例を示す断面図である。 図７は、本技術の第３の実施形態に係るカメラモジュールの構成の一例を示す断面図である。 図８は、本技術の第４の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。 図９は、本技術の第５の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。 図１０は、本技術の第６の実施形態に係る第１の電子機器の外観の一例を示す斜視図である。 図１１Ａは、本技術の第６の実施形態に係る第２の電子機器の前面側の外観の一例を示す斜視図である。図１１Ｂは、本技術の第６の実施形態に係る第２の電子機器の背面側の外観の一例を示す斜視図である。 図１２Ａは、本技術の第６の実施形態に係る第３の電子機器の前面側の外観の一例を示す斜視図である。図１２Ｂは、本技術の第６の実施形態に係る第３の電子機器の背面側の外観の一例を示す斜視図である。
本技術の実施形態について、以下の順序で説明する。
１ 第１の実施形態（撮像素子パッケージの例）
２ 第２の実施形態（撮像素子パッケージの例）
３ 第３の実施形態（カメラモジュールの例）
４ 第４の実施形態（撮像素子パッケージを撮像装置に適用した例）
５ 第５の実施形態（撮像素子パッケージを撮像装置に適用した例）
６ 第６の実施形態（カメラモジュールを各種の電子機器に適用した例）
＜１．第１の実施形態＞
［撮像素子パッケージの構成］
本技術の第１の実施形態に係る撮像素子パッケージ（以下「素子パッケージ」という。）１０は、図１Ａに示すように、撮像素子１１と、この撮像素子１１を収容するパッケージ１２とを備える。
（撮像素子）
撮像素子１１は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサ素子またはＣＯＭＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ素子などである。撮像素子１１は、図１Ｂに示すように、被写体からの光が入射する素子表面（撮像面）に複数のマイクロレンズ１１ａを備える。複数のマイクロレンズ１１ａは、撮像面に所定のパターンで配置されている。
（パッケージ）
パッケージ１２は、基板１３と、基板１３の一方の面の周縁に設けられた枠体１４と、枠体１４により周縁部が支持された光学素子２０とを備える。撮像素子１１は、基板１３の一方の面に設けられている。光学素子２０は、撮像素子１１の撮像面に対向し、かつ撮像面から離すようにして枠体１４により支持されている。
（光学素子）
光学素子２０は、撮像素子パッケージ用のカバー体であり、図１Ｂに示すように、撮像素子パッケージ用の板状の基材２１と、基材２１の一方の面に設けられ、反射率を抑制する機能を有する凹凸構造層（以下単に「構造層」という。）２２と、基材２１と構造層２２との間に設けられたシランカップリング剤２３と、基材２１の他方の面に設けられ、反射率を抑制する機能を有する多層膜２４とを備える。光学素子２０は、構造層２２が撮像素子１１に対向するように、すなわち構造層２２が素子パッケージ１０の内側となるように枠体１４により支持されている。
ここで、構造層２２において“反射率を抑制する機能”とは、基材２１の一方の面に入射する光の反射率を抑制する機能のことをいい、この機能により少なくとも可視光の反射が抑制される。一方、多層膜２４において“反射率を抑制する機能“とは、基材２１の他方の面に入射する光の反射率を抑制する機能のことをいい、この機能により少なくとも可視光の反射が抑制される。
なお、シランカップリング剤２３は必要に応じて備えられるものであり、なくてもよい。但し、基材２１に対する構造層２２の密着性の劣化を抑制する観点からすると、シランカップリング剤２３が備えられていることが好ましい。また、多層膜２４は必要に応じて備えられるものであり、なくてもよい。但し、基材２１の他方の面における光の反射を抑制する観点からすすると、多層膜２４が備えられていることが好ましい。光学素子２０が、基材２１と多層膜２４との間に設けられたシランカップリング剤（図示せず）をさらに備えるようにしてもよい。ここでは、基材２１の表面の面内において直交する２方向をそれぞれＸ軸方向（第１方向）、Ｙ軸方向（第２方向）と称し、その表面（ＸＹ平面）に垂直な方向をＺ軸方向（第３方向）と称する。
以下、光学素子２０に備えられる基材２１、構造層２２、シランカップリング剤２３および多層膜２４について順次説明する。
（基材）
基材２１は、少なくとも可視光に対して透明性を有する無機材料により構成されている。本明細書において、可視光は、例えば３５０ｎｍを超え８５０ｎｍ以下の波長帯域の光である。無機材料は、例えば、ガラス、結晶化ガラスおよび結晶のうちの少なくとも１種である。ガラスは、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラスおよび石英ガラスのうちの少なくとも１種である。結晶化ガラスは、例えば、スピネル系結晶（ＲＡｌ2Ｏ4：ＲはＺｎ、Ｍｇ、Ｆｅから選択される１種類以上）、Ｒ2ＴｉＯ4、二珪酸リチウム、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3）、β－石英、α－クリストバライトおよびそれらの固溶体のうちの少なくとも１種を主結晶相として含むものである。結晶は、例えば、サファイア、水晶、シリコン、炭化珪素および窒化ガリウムのうちの少なくとも１種を含む単結晶または多結晶体である。
（構造層）
反射抑制層である構造層２２は、いわゆるモスアイ構造層であり、少なくとも可視光に対して反射抑制機能を有する。構造層２２は、基材２１の表面に設けられた複数の構造体２２ａと、これらの複数の構造体２２ａの下部と基材２１の表面との間に設けられた中間層（光学層）２２ｂとを備える。
構造体２２ａは、いわゆるサブ波長構造体である。構造体２２ａは、基材２１の表面に対して凸状を有する。複数の構造体２２ａは、図１Ｃに示すように、反射の抑制を目的とする可視光の波長帯域以下（例えば３５０ｎｍ以下）の配置ピッチＰで配置されている。構造体２２ａの高さＨは、例えば２３６ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲内に設定されるが、これに限定されるものではない。
構造体２２ａのアスペクト比は、好ましくは１以上である。アスペクト比が１以上であると、優れた反射抑制機能および透過特性が得られるからである。構造体２２ａのアスペクト比の上限値は、好ましくは２以下、より好ましくは１．４６以下である。アスペクト比が２以下であると、構造層２２の形成時に原盤を構造層２２から容易に剥離することが可能となるからである。ここで、構造体２２ａのアスペクト比とは、構造体２２ａの配置ピッチＰに対する構造体２２ａの高さＨの割合（Ｈ／Ｐ）を意味する。
上記の構造体２２ａの配置ピッチＰ、高さＨおよびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、以下のようにして求められたものである。まず、光学素子２０を構造体２２ａの頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体２２ａの高さＨおよび配置ピッチＰを求める。そして、上記のようにして求めた高さＨおよび配置ピッチＰからアスペクト比（Ｈ／Ｐ）を求める。
複数の構造体２２ａが、例えば、基材２１の表面において複数の列をなすように配列されている。その列は、直線状または曲線状を有している。基材２１の表面に直線状の列と曲線状の列とが混在していてもよい。曲線としては、周期的または非周期的に蛇行する曲線が挙げられる。このような曲線の具体例としては、サイン波、三角波などの波形を挙げることができるが、これに限定されるものではない。
基材２１の表面における複数の構造体２２ａの配置は、規則的配置および不規則的配置のいずれであってもよい。規則的配置としては、四方格子、準四方格子、六方格子、準六方格子などの格子状の配置が好ましい。なお、図１Ｃでは、複数の構造体２２ａを六方格子状に配置した例が示されている。ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、四方格子を歪ませたものをいう。六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、六方格子を歪ませたものをいう。
構造体２２ａの具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球体状、半楕円体状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状（いわゆる錐台形状）、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。頂部に凸状の曲面を有する錐体形状としては、例えば、放物面状などの２次曲面状などが挙げられる。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。
基材２１の表面に設けられた複数の構造体２２ａはすべて、同一の大きさ、形状および高さを有していてもよいし、複数の構造体２２ａが、異なる大きさ、形状または高さを有するものを含んでいてもよい。また、複数の構造体２２ａが、下部同士を重ね合うようにして繋がっているものを含んでいてもよい。
中間層２２ｂは、構造体２２ａの下部側に構造体２２ａと一体成形される層であり、構造体２２ａと同様の材料により構成されている。なお、中間層２２ｂは必要に応じて備えられるものであり、なくてもよい。
中間層２２ｂの厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以上２５μｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以上１０μｍ以下の範囲内である。５０μｍを超えると、エネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化させて中間層２２ｂを形成する際に、エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化収縮により中間層２２ｂと基材２１との間の界面に密着性不良が発生する虞がある。また、透過率の低下も懸念される。一方、１０ｎｍ未満であると、構造体２２ａに応力が加わった際に、その応力が構造体２２ａの下方の中間層２２ｂに逃げることができず、構造体２２ａが折れるなど、光学素子２０の機械特性が低下する虞がある。
構造層２２は、有機材料を含んでいる。有機材料は、エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化物（重合体）である。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。構造層２２が、赤外線吸収剤をさらに含んでいることが好ましい。構造層２２に赤外線吸収性を付与して、撮像素子１１に到達する赤外線の量を低減できるからである。構造層２２が、必要に応じてフィラー、赤外線吸収剤以外の機能性添加剤、およびエネルギー線硬化性樹脂組成物以外の樹脂のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
紫外線硬化性樹脂組成物は、溶剤型および無溶剤型のいずれであってもよいが、無溶剤型が好ましい。無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物は、溶剤を揮発させるための乾燥工程を必要とせず、また溶剤の揮発がないため、低臭気で、身体への刺激が低いという利点があるからである。
紫外線硬化性樹脂組成物は、重合性化合物と開始剤とを含んでいる。重合性はラジカル重合性およびカチオン重合性の少なくとも１種である。重合性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する第１化合物とビニル基を有する第２化合物との両方を含む第１組成物、および（メタ）アクリロイル基およびビニル基を有する化合物を含む第２組成物のうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらの重合性化合物の重合体を構造層２２含むことで、リフロー工程における構造層２２の変質、ならびに高温環境および低温環境における構造層２２の変質などを抑制できる。したがって、リフロー工程による素子パッケージ１０の画像劣化、ならびに高温環境および低温環境における素子パッケージ１０の画像劣化を抑制できる。また、優れた透明性を得ることもできる。
ここで、（メタ）アクリロイル基は、アクリロイル基またはメタアクリロイル基を意味する。（メタ）アクリロイル基を有する第１化合物としては、１または２以上の（メタ）アクリル基を有するモノマー、１または２以上の（メタ）アクリル基を有するオリゴマーを単独で用いてもよいし、それらを２種混合して用いてもよい。ビニル基を有する第２化合物としては、１または２以上のビニル基を有するモノマー、１または２以上のビニル基を有するオリゴマーを単独で用いてもよいし、それらを２種混合して用いてもよい。（メタ）アクリロイル基およびビニル基を有する化合物としては、１または２以上の（メタ）アクリロイル基および１または２以上のビニル基を有するモノマー、１または２以上の（メタ）アクリロイル基および１または２以上のビニル基を有するオリゴマーを単独で用いてもよいし、それらを２種混合して用いてもよい。
（メタ）アクリロイル基を有する化合物としては、例えば、単官能モノマー、二官能モノマーおよび多官能モノマーのうちの少なくとも１種を用いることができる。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、４－ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ－ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２－メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２－エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、２－（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３－パーフルオロヘキシル－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、３－パーフルオロオクチルー２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２－（パーフルオロー３－メチルブチル）エチルアクリレート、２，４，６－トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６－トリブロモフェノールメタクリレート、２－（２，４，６－トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート）などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ、ヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
ビニル基を有する化合物としては、例えば、Ｎ－ビニルピロリドン、エチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジビニルエーテル、トリメチロールプロパンジビニルエーテル、エチレンオキサイド変性ヒドロキノンジビニルエーテル、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、ジトリメチロールプロパンポリビニルエーテルなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
（メタ）アクリロイル基およびビニル基を有する化合物としては、例えば、上記の（メタ）アクリロイル基を有する化合物にビニル基を導入したもの、および上記のビニル基を有する化合物に（メタ）アクリロイル基を導入したもののうちの少なくとも１種を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、１－ヒドロキシ－シクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オンなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。赤外線吸収剤以外の機能性添加剤としては、例えば、色調補正色素、帯電防止剤、熱安定剤、酸化防止剤、分散剤、難燃剤、滑剤、可塑剤、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。エネルギー線硬化性樹脂組成物以外の樹脂は、例えば、熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂のうちの少なくとも１種である。
（シランカップリング剤）
シランカップリング剤２３の種類は特に限定されず、公知のシランカップリング剤を用いることができる。シランカップリング剤２３の具体例としては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（ビニルベンジル）－２－アミノエチル－３－アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。シランカップリング剤２３を用いると、高温かつ高湿な環境下であっても、基材２１に対する構造層２２の密着性の劣化を抑制することができる。
（反射抑制層）
多層膜２４は、反射抑制層の一例であって、屈折率が異なる２層以上の薄膜が積層された構造を有している。薄膜の材料としては、例えば、透明な誘電体材料が用いられるが、これに限定されるものではない。
［光学素子の光学特性］
下記の光学素子２０の透過率および反射率は、構造層２２側から光学素子２０に光を照射して測定されたものである。その測定方法の詳細は、後述の実施例にて説明される通りである。また、下記の各試験前後の透過率の変化量は、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける各試験前後の透過率の変化量である。
（４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域の反射率）
４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域における光学素子２０の反射率が、１％以下、好ましくは０．８以下である。反射率が１％を超えると、素子パッケージ１０により得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。
（４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域の透過率）
４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域における光学素子２０の透過率が、９０％以上である。透過率が９０％未満であると、素子パッケージ１０により得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。４２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長帯域における光学素子２０の透過率が、９０％以上であることが好ましい。上記の透過率が９０％以上であると、素子パッケージ１０により優れた画像が得られる
（高温環境試験前後における透過率の変化量）
１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下であり、より好ましくは１５０℃、１０００ｈの高温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下である。１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が１％を超えると、高温環境に素子パッケージ１０を保管した際に、構造層２２の変質などにより素子パッケージ１０の色再現性が変化し、素子パッケージ１０により得られる画像が劣化する虞がある。
（耐熱試験前後における透過率の変化量）
２４５℃、５ｍｉｎの耐熱試験（リフロー試験）前後における透過率の変化量が、１％以下であることが好ましい。上記の透過率の変化量が１％を超えると、素子パッケージ１０を回路基板などに搭載するリフロー工程において、構造層２２の変質などにより素子パッケージ１０の色再現性が変化し、素子パッケージ１０により得られる画像が劣化する虞がある。
（高温高湿環境試験前後における透過率の変化量）
温度８０℃、湿度８５％の環境下に２５０ｈ保持する高温高湿環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下であることが好ましく、温度８０℃、湿度８５％の環境下に１０００ｈ保持する高温高湿環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下であることがより好ましい。温度８０℃、湿度８５％の環境下に２５０ｈ保持する高温高湿環境試験前後における透過率の変化量が１％を超えると、高温高湿環に素子パッケージ１０を保管した際に、構造層２２の変質などにより素子パッケージ１０の色再現性が変化し、素子パッケージ１０により得られる画像が劣化する虞がある。
（低温環境試験前後における透過率の変化量）
－４０℃の環境下に２５０ｈ保持する低温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下であることが好ましく、－４０℃の環境下に１０００ｈ保持する低温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下であることがより好ましい。－４０℃の環境下に２５０ｈ保持する低温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が１％を超えると、低温環境に素子パッケージ１０を保管した際に、構造層２２の変質などにより素子パッケージ１０の色再現性が変化し、素子パッケージ１０により得られる画像が劣化する虞がある。
［構造層の密着性］
ＪＩＳ Ｋ５６００－５－６に準拠したクロスカット試験において基材２１と構造層２２との密着性は、分類０から２のいずれかであることが好ましい。密着性が分類０から２以外の分類であると、構造層２２の一部分が簡単に剥がれてしまう虞がある。構造層２２の一部分が剥がれると、その部分の明るさが低下し、素子パッケージ１０により得られる画像が劣化してしまう。
［光学素子の製造方法］
次に、本技術の第１の実施形態に係る光学素子２０の製造方法の一例について説明する。
（原盤の作製工程）
まず、成形面を一主面に有する原盤を作製する。成形面には、２次元配列された複数の構造体が設けられている。この成形面に設けられている複数の構造体と、上述の構造層２２に設けられている複数の構造体２２ａとは、ほぼ同一の形状を有し、かつ反転した凹凸関係にある。次に、必要に応じて成形面に剥離処理を施すようにしてもよい。
原盤の材料としては、例えばシリコン、ガラス、金属などを用いることができるが、これらの材料に特に限定されるものではない。原盤の作製方法としては、フォトリソグラフィ、フォトリソグラフィプロセスとエッチングプロセスとを組み合わせた方法、陽極酸化、光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法（例えば特開２０１０－１５６８４４号公報参照）などを用いることができる。また、原盤から電鋳により複製原盤を作製して使用してもよい。
（表面処理の工程）
次に、必要に応じて、コロナ放電、ＵＶ照射処理などの表面処理を基材２１の一方の面に施すようにしてもよい。続いて、基材２１の一方の面をシランカップリング剤２３により処理する。
（転写工程）
次に、基材２１の一方の面に転写材料としてエネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布し、塗布したエネルギー線硬化性樹脂組成物にエネルギー線を照射して硬化させたのち、硬化したエネルギー線硬化性樹脂組成物と一体となった基材２１を剥離する。これにより、構造層２２を基材２１の一方の面に有する光学素子２０が得られる。次に、必要に応じて、光学素子２０を所望とする大きさに切り出すようにしてもよい。
エネルギー線としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザ光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を用いることができるが、特にこれに限定されるものではない。
［効果］
第１の実施形態に係る素子パッケージ１０では、１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下である。これにより、素子パッケージ１０を高温環境に保持した場合における構造層２２の変質などを抑制できる。したがって、素子パッケージ１０を高温環境に保持した場合における素子パッケージの１０の画像劣化を抑制できる。また、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域における光学素子２０の反射率が、１％以下であり、４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域における光学素子２０の透過率が、９０％以上である。これにより、素子パッケージ１０により良好な画像を得ることができる。
［変形例］
（変形例１）
光学素子２０が、図２に示すように、基材２１の他方の面に、多層膜２４に代えて、反射率を抑制する機能を有する構造層２５を備えるようにしてもよい。この場合、基材２１の他方の面と構造層２５との間にシランカップリング剤２６が設けられていてもよい。構造層２５は、第１の実施形態における構造層２２と同様の構成を有する。なお、構造層２５および構造層２２における構造体２２ａの配置ピッチＰ、高さＨおよびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
（変形例２）
光学素子２０は、構造層２２が素子パッケージ１０の外側となるように枠体１４により支持されていてもよい。但し、素子パッケージ１０を、レンズを交換可能な一眼レフカメラなどに使用する場合には、光学素子２０は、構造層２２が素子パッケージ１０の内側となるように枠体１４により支持されていることが好ましい。構造層２２が素子パッケージ１０の外側となるように枠体１４により支持されていると、レンズ交換可能などの際に、構造体２２ａ間にホコリやゴミなどが入り混み、構造層２２の反射抑制機能が低下する虞があるからである。
（変形例３）
構造体２２ａが凹状を有していてもよい。但し、反射抑制機能および透過特性の観点からすると、第１の実施形態のように構造体２２ａが凸状を有していることが好ましい。
（変形例４）
転写材料として熱硬化性樹脂を用いてもよい。この場合には、原盤の成形面と熱硬化性樹脂とを密着させ、ヒータなどの熱源により熱硬化性樹脂を加熱して熱硬化性樹脂を硬化させたのち、硬化した熱硬化性樹脂と一体となった基材２１を原盤から剥離することにより、光学素子２０が得られる。
（変形例５）
光学素子２０を発光素子パッケージに適用してもよい。ここで、発光素子パッケージとは、発光素子をパッケージに収容したものをいう。発光素子としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）またはレーザダイオード（ＬＤ：Laser Diode）などの半導体発光素子が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
＜第２の実施形態＞
［概要］
第１の実施形態に係る素子パッケージ１０を撮像装置に適用する場合には、通常、図３Ａに示すように、素子パッケージ１０上に反射型赤外カットフィルタ３１を配置する構成が採用される。しかしながら、この構成を有する撮像装置にて太陽光などの強い光を撮影すると、光源の周囲に赤い玉状の模様（以下「赤玉ゴースト」という。）が発生することがある。この赤玉ゴーストは以下のようにして発生する。すなわち、素子パッケージ１０に入射した所定の波長帯域の光Ｌａが、マイクロレンズ１１ａにより回折される。回折光Ｌｂは、赤外カットフィルタ３１にて反射され、撮像素子１１に再入射する。この再入射した回折光Ｌｂにより撮像画像に赤玉ゴーストが発生する。
そこで、本発明者らは赤玉ゴーストの発生を抑制すべく、鋭意検討を行った。その結果、撮像装置に赤外カットフィルタ３１を設ける代わりに、図３Ｂに示すように、所定の波長帯域の光を吸収する光吸収剤を含む構造層２７を光学素子２０Ａに設け、回折光Ｌｂを透過させる構成を見出すに至った。第２の実施形態では、このような構造層２７を備える素子パッケージ１０Ａについて説明する。
［素子パッケージの構成］
本技術の第２の実施形態に係る素子パッケージ１０Ａは、図４に示すように、光吸収剤を含む構造層２７と、第１、第２の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜２８を備える点において、第１の実施形態に係る素子パッケージ１０とは異なっている。第２の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
（構造層）
構造層２７は、複数の構造体２７ａと中間層（光学層）２７ｂとを備える。構造層２７、構造体２７ａおよび中間層２７ｂは、光吸収剤を含む点以外では、第１の実施形態における構造層２２、構造体２２ａ、中間層２２ｂと同様の構成を有している。
光吸収剤は、構造層２７に入射する光のうち、少なくとも所定の波長帯域の光を吸収する。ここで、所定の波長帯域は、５５０ｎｍ以上、５７５ｎｍ以上または６００ｎｍ以上の波長帯域である。所定の波長帯域の上限値は特に限定されるものではないが、例えば第２の波長帯域の下限値以下である。具体的には例えば６９０ｎｍ以下、７００ｎｍ以下、７１０ｎｍ以下、７２０ｎｍ以下または７３０ｎｍ以下である。
光吸収剤としては、例えば、有機色素、金属酸化物ナノ粒子および有機金属錯体のうちの少なくとも１種を用いることができ、エネルギー線硬化性樹脂組成物に対する溶解性の観点からすると、有機色素が好ましい。有機色素としては、フタロシアニンニッケル錯体およびフタロシアニン銅錯体のうちの少なくとも１種が好ましく、フタロシアニンニッケル錯体が特に好ましい。フタロシアニンニッケル錯体およびフタロシアニン銅錯体は、エネルギー線硬化性樹脂組成物に溶解可能であることに加えて、上記所定の波長帯域の光に対して良好な吸収性を有し、かつ良好な耐熱性を有する。フタロシアニンニッケル錯体およびフタロシアニン銅錯体のうちでも、フタロシアニンニッケル錯体は特に良好な耐熱性を有している。
（多層膜）
図５Ａは、市販のＩＲカットフィルタおよび光学素子２０Ｂの分光特性の一例を示す。ここで、光学素子２０Ｂは、図５Ｂに示すように、多層膜２４が設けられていない点以外では、第１の実施形態に係る光学素子２０（図１Ｂ参照）と同様の構成を有する。光学素子２０Ｂは、第１、第２の波長帯域の光および上記所定の波長帯域の光の透過率が市販のＩＲカットフィルタに比して高い。光学素子２０Ｂに対して、反射抑制機能に加えて、市販のＩＲカットフィルタと同等またはそれに近い機能を付与するためには、光学素子２０Ｂにおいて第１、第２の波長帯域の光および上記所定の波長帯域の光の透過率を低減することが望まれる。
そこで、第２の実施形態では、上述のように上記所定の波長帯域の光を吸収する光吸収剤を含む構造層２７を基材２１の一方の面に設けると共に、第１、第２の波長帯域（規定の波長帯域）の光（例えば可視光以外の波長帯域の光）をカットする機能を有する多層膜２８を基材２１の他方の面に設けている。なお、第１、第２の波長帯域の光の透過率は、１％以下であることが好ましい。
ここで、第１の波長帯域は、少なくとも紫外光の波長帯域を含む帯域であり、具体的には例えば４３０ｎｍ以下、４２０ｎｍ以下、４１０ｎｍ以下、４００ｎｍ以下または３９０ｎｍ以下である。第１の波長帯域の下限は特に限定されるものではないが、例えば、３１５ｎｍ以上、２８０ｎｍ以上または２００ｎｍ以上である。第２の波長帯域は、少なくとも赤外光の波長帯域を含む帯域であり、具体的には例えば６９０ｎｍ以上、７００ｎｍ以上、７１０ｎｍ以上、７２０ｎｍ以上または７３０ｎｍ以上である。第２の波長帯域の上限は特に限定されるものではないが、例えば、１１００ｎｍ以下、１４００ｎｍ以下または１６００ｎｍ以下である。なお、構造層２７に含まれる光吸収剤が第２の波長帯域の光も吸収する場合には、多層膜２４は、第１、第２の波長帯域の光のうち、第１の波長帯域の光のみをカットする機能を有していてもよい。
［光学素子の製造方法］
本技術の第１の実施形態に係る光学素子２０Ａの製造方法は、エネルギー線硬化性樹脂組成物に光吸収剤を添加して転写材料を調製すること、および多層膜２４を基材２１の他方の面に形成すること以外の点では、第１の実施形態に係る光学素子２０の製造方法と同様である。
［効果］
第２の実施形態に係る素子パッケージ１０Ａでは、基材２１の一方の面に設けれ、光吸収剤を含む構造層２７と、基材２１の他方の面に設けられ、第１、第２の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜２８とを備える。このため、光学素子２０Ａに対して、反射抑制の機能に加えて、市販のＩＲカットフィルタと同等またはそれに近い機能を付与できるので、撮像装置の光学系から反射型赤外カットフィルタ３１を省くことが可能となる。したがって、反射型赤外カットフィルタ３１による回折光Ｌｂの反射が無くなるため、素子パッケージ１０Ａにて太陽光などの強い光を撮影した場合における、赤玉ゴーストの発生を抑制することができる。また、光学素子２０Ａが市販のＩＲカットフィルタの機能を兼ね備えるため、撮像装置の光学系を簡略化できる。
［変形例］
（変形例１）
光学素子２０Ａが、図６に示すように、基材２１の他方の面に、多層膜２８に代えて構造層２９を備えるようにしてもよい。この場合、基材２１の他方の面と構造層２９との間にシランカップリング剤２６が設けられていてもよい。構造層２９は、第１の実施形態における構造層２２と同様の構成を有していてもよいし、第２の実施形態における構造層２７と同様の構成を有していてもよい。図６では、構造層２９が、第１の実施形態における構造層２２と同様の構成を有する例が示されている。なお、構造層２７の構造体２７ａと構造層２９の構造体２２ａの配置ピッチＰ、高さＨおよびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
（変形例２）
第２の実施形態では、素子パッケージ１０Ａがマイクロレンズ１１ａを備える場合について説明したが、撮像素子１１がマイクロレンズ１１ａを備えていないものであってもよい。所定の波長帯域の光Ｌａはマイクロレンズ１１ａ以外の構成部材によっても回折または反射されることがあるため、本技術はマイクロレンズ１１ａを備えていない素子パッケージに適用しても効果が得られる。但し、マイクロレンズ１１ａを備える撮像素子１１では回折光の光量が多く、赤玉ゴーストが発生しやすいため、本技術はマイクロレンズ１１ａを備える素子パッケージ１０Ａに適用することが好ましい。
（その他）
光学素子２０Ａは、構造層２７が素子パッケージ１０Ａの外側となるように枠体１４により支持されていてもよい。構造体２７ａが凹状を有していてもよい。転写材料として熱硬化性樹脂を用いてもよい。多層膜２８が第１、第２の波長帯域の光をカットする機能を有さず、反射抑制の機能のみを有していてもよい。
＜３．第３の実施形態＞
図７に示すように、本技術の第３の実施形態に係るカメラモジュール（撮像モジュール）１３１は、素子パッケージ１３２と、レンズユニット１３３とを備える。素子パッケージ１３２は、撮像素子１１と、撮像素子１１を収容する素子パッケージ１３２とを備える。なお、第３の実施形態において、第１の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付す。
素子パッケージ１３２は、回路基板１３４と、回路基板１３４の一方の主面の所定位置に設けられた枠体１３５と、枠体１３５により周縁部が支持された光学素子２０とを備える。撮像素子１１は回路基板１３４の一方の面に設けられ、光学素子２０は、撮像素子１１の撮像面に対向し、かつ撮像面から離すようにして枠体１３５により支持されている。
レンズユニット１３３は、枠体１３５上に固定されている。レンズユニット１３３は、レンズ１３６と、レンズ１３６の周縁部を保持するレンジ保持部としての筐体１３７とを備える。カメラモジュール１３１は、パーソナルコンピュータ、タブレット型コンピュータ、携帯電話などの電子機器に適用して好適なものである。
第３の実施形態に係るカメラモジュール１３１において、第１の実施形態の変形例の光学素子２０を採用してもよいし、第２の実施形態またはその変形例の光学素子２０Ａを採用してもよい。
＜４ 第４の実施形態＞
第４の実施形態では、上述の第１の実施形態に係る素子パッケージ１０を撮像装置に適用した例について説明する。
図８は、本技術の第４の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。図８に示すように、第４の実施形態に係る撮像装置１００は、いわゆるデジタルカメラ（デジタルスチルカメラ）であって、筐体１０１と、レンズ鏡筒１０２と、筐体１０１およびレンズ鏡筒１０２内に設けられた撮像光学系１０３とを備える。筐体１０１とレンズ鏡筒１０２とが着脱自在に構成されていてもよい。
撮像光学系１０３は、レンズ１１１と、光量調整装置１１２と、半透過型ミラー１１３と、素子パッケージ１１４と、オートフォーカスセンサ１１５とを備える。レンズ１１１、光量調整装置１１２、半透過型ミラー１１３は、レンズ鏡筒１０２の先端から素子パッケージ１１４に向かってこの順序で設けられている。オートフォーカスセンサ１１５は、半透過型ミラー１１３により反射された光Ｌを受光可能な位置に設けられている。撮像装置１００が、必要に応じてフィルタ１１６をさらに備えるようにしてもよい。以下、撮像装置１００の各構成要素について順次説明する。
（レンズ）
レンズ１１１は、被写体からの光Ｌを素子パッケージ１１４に向けて集光する。なお、レンズ１１１に代えてレンズ群が備えられていてもよい。
（光量調整装置）
光量調整装置１１２は、撮像光学系１０３の光軸を中心とする絞り用開口の大きさを調整する絞り装置である。光量調整装置１１２は、例えば、一対の絞り羽根と、光の透過光量を減少させるＮＤフィルタとを備えている。光量調整装置１１２の駆動方式としては、例えば、一対の絞り羽根とＮＤフィルタとを１つのアクチュエータで駆動する方式、一対の絞り羽根とＮＤフィルタとをそれぞれ独立した２つのアクチュエータで駆動する方式を用いることができるが、これらの方式に特に限定されるものではない。ＮＤフィルタとしては、透過率もしくは濃度が単一のフィルタ、または透過率もしくは濃度がグラデーション状に変化するフィルタを用いることができる。また、ＮＤフィルタの数は１枚に限定されるものではなく、複数枚のＮＤフィルタを積層して用いるようにしてもよい。
（半透過型ミラー）
半透過型ミラー１１３は、入射する光の一部を透過し、残りを反射するミラーである。具体的には、半透過型ミラー１１３は、レンズ１１１により集光された光Ｌの一部をオートフォーカスセンサ１１５に向けて反射するのに対して、光Ｌの残りを素子パッケージ１１４に向けて透過する。
（素子パッケージ）
素子パッケージ１１４は、半透過型ミラー１１３を透過した光を受光し、受光した光を電気信号に変換し、信号処理回路（図示せず）に出力する。素子パッケージ１１４としては、第１の実施形態に係る素子パッケージ１０が用いられる。なお、素子パッケージ１１４として、第１の実施形態の変形例に係る素子パッケージ１０が用いられてもよいし、第２の実施形態またはその変形例に係る素子パッケージ１０Ａが用いられてもよい。
（オートフォーカスセンサ）
オートフォーカスセンサ１１５は、半透過型ミラー１１３により反射された光を受光し、受光した光を電気信号に変換し、制御回路（図示せず）に出力する。
（フィルタ）
フィルタ１１６は、レンズ鏡筒１０２の先端、または撮像光学系１０３内に設けられる。なお、図８では、フィルタ１１６をレンズ鏡筒１０２の先端に備える例が示されている。この構成を採用する場合、フィルタ１１６は、レンズ鏡筒１０２の先端に対して着脱自在の構成を有していてもよい。
フィルタ１１６としては、レンズ鏡筒１０２の先端、または撮像光学系１０３内に一般的に設けられるものが用いられ、特に限定されるものではない。例示するならば、偏光（ＰＬ）フィルタ、シャープカット（ＳＣ）フィルタ、色彩強調および効果用フィルタ、減光（ＮＤ）フィルタ、色温度変換（ＬＢ）フィルタ、色補正（ＣＣ）フィルタ、ホワイトバランス取得用フィルタ、レンズ保護用フィルタなどが挙げられる。
＜５ 第５の実施形態＞
上述の第５の実施形態では、撮像装置としてデジタルカメラ（デジタルスチルカメラ）に本技術を適用する場合を例として説明したが、本技術の適用例はこれに限定されるものではない。本技術の第５の実施形態では、デジタルビデオカメラに本技術を適用した例について説明する。
図９は、本技術の第５の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。図９に示すように、第５の実施形態に係る撮像装置２０１は、いわゆるデジタルビデオカメラであって、レンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、素子パッケージ２０２、ローパスフィルタ２０３、フィルタ２０４、モータ２０５、アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７を備える。この撮像装置２０１では、レンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、素子パッケージ２０２、ローパスフィルタ２０３、フィルタ２０４、アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７により撮像光学系が構成される。アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７により光学調整装置が構成される。以下、撮像装置２０１の各構成要素について順次説明する。
（レンズ群）
レンズ第１群Ｌ１およびレンズ第３群Ｌ３は、固定レンズである。レンズ第２群Ｌ２は、ズーム用レンズである。レンズ第４群Ｌ４は、フォーカス用レンズである。
（素子パッケージ）
素子パッケージ２０２は、入射された光を電気信号に変換し、図示を省略した信号処理部に供給する。素子パッケージ２０２としては、第１の実施形態に係る素子パッケージ１０が用いられる。なお、素子パッケージ２０２として、第１の実施形態の変形例に係る素子パッケージ１０が用いられてもよいし、第２の実施形態またはその変形例に係る素子パッケージ１０Ａが用いられてもよい。なお、第２の実施形態またはその変形例に係る素子パッケージ１０Ａが用いられる場合には、フィルタ２０４は設けなくてもよい。
（ローパスフィルタ）
ローパスフィルタ２０３は、例えば、素子パッケージ２０２の前面、すなわちカバーガラスの光入射面に設けられる。ローパスフィルタ２０３は、画素ピッチに近い縞模様の像などを撮影した場合に生じる偽信号（モワレ）を抑制するためのものであり、例えば、人工水晶から構成される。
フィルタ２０４は、例えば、素子パッケージ２０２に入射する光の赤外域をカットするとともに、近赤外域（６３０ｎｍ～７００ｎｍ）の分光の浮きを抑え、可視域帯（４００ｎｍ～７００ｎｍ）の光強度を一様にするためのものである。このフィルタ２０４は、例えば、赤外光カットフィルタ（以下、ＩＲカットフィルタ）２０４ａと、このＩＲカットフィルタ２０４ａ上にＩＲカットコートを積層させて形成されたＩＲカットコート層２０４ｂとから構成される。ここで、ＩＲカットコート層２０４ｂは、例えば、ＩＲカットフィルタ２０４ａの被写体側の面およびＩＲカットフィルタ２０４ａの素子パッケージ２０２側の面の少なくとも一方に形成される。図９では、ＩＲカットフィルタ２０４ａの被写体側の面にＩＲカットコート層２０４ｂが形成される例が示されている。
モータ２０５は、図示を省略した制御部から供給された制御信号に基づき、レンズ第４群Ｌ４を移動する。アイリス羽根２０６は、素子パッケージ２０２に入射する光量を調整するためのものであり、図示を省略したモータにより駆動される。
電気調光素子２０７は、素子パッケージ２０２に入射する光量を調整するためのものである。この電気調光素子２０７は、少なくとも染料系色素を含んだ液晶からなる電気調光素子であり、例えば、２色性ＧＨ液晶からなる電気調光素子である。
＜６ 第６の実施形態＞
第６の実施形態に係る電子機器は、第３の実施形態に係るカメラモジュール１３１を備えている。以下に、本技術の第６の実施形態に係る電子機器の例について説明する。
図１０を参照して、電子機器がノート型パーソナルコンピュータ３０１である例について説明する。ノート型パーソナルコンピュータ３０１は、コンピュータ本体３０２と、ディスプレイ３０３とを備える。コンピュータ本体３０２は、筐体３１１と、この筐体３１１に収容されたキーボード３１２およびタッチパッド３１３を備える。ディスプレイ３０３は、筐体３２１と、この筐体３２１に収容された表示素子３２２およびカメラモジュール１３１とを備える。
図１１Ａ、図１１Ｂを参照して、電子機器が携帯電話３３１である例について説明する。携帯電話３３１は、いわゆるスマートフォンであり、筐体３３２と、この筐体３３２に収容されたタッチパネル付き表示素子３３３およびカメラモジュール１３１とを備える。タッチパネル付き表示素子３３３は携帯電話３３１の前面側に設けられ、カメラモジュール１３１は携帯電話３３１の背面側に設けられる。
図１２Ａ、図１２Ｂを参照して、電子機器がタブレット型コンピュータ３４１である例について説明する。タブレット型コンピュータ３４１は、筐体３４２と、この筐体３４２に収容されたタッチパネル付き表示素子３４３およびカメラモジュール１３１とを備える。タッチパネル付き表示素子３４３はタブレット型コンピュータ３４１の前面側に設けられ、カメラモジュール１３１はタブレット型コンピュータ３４１の背面側に設けられる。
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
本実施例において、モスアイ構造体の高さＨ、配置ピッチＰおよびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、第１の実施形態において説明した方法により求められた値である。
［実施例１］
まず、素子パッケージのカバーガラス用のガラス基板を準備し、このガラス基板の一方の面をシランカップリング剤により処理した。次に、多官能ビニル樹脂およびアクリレートを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を、ガラス基板の一方の面に塗布した。続いて、モスアイ原盤の成形面を紫外線硬化性樹脂組成物に押し当てＵＶ光を照射し、紫外線硬化性樹脂組成物を硬化させたのち、硬化した紫外線硬化性樹脂組成物をモスアイ原盤からガラス基板と共に剥離した。これにより、モスアイ構造層が一主面に形成されたガラス基板が得られた。モスアイ構造層を構成するモスアイ構造体の高さＨは２７０ｎｍ、配置ピッチＰは２５０ｎｍ、アスペクト比Ｈ／Ｐは１．０８とした。以上により、目的とするモスアイ構造層付きのガラス基板（以下「モスアイガラス基板」という。）が得られた。
［実施例２］
まず、多官能ビニル樹脂およびアクリレートを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物１００質量部に対して、光吸収剤（有機色素）としてのフタロシアニンニッケル錯体０．２質量部を加えて溶解させた。次に、この組成物を用いる以外は実施例１と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
［比較例１］
アクリル酸エステル類を含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を用いる以外は実施例１と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
［比較例２］
アクリル系樹脂を含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を用いる以外は実施例１と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
［比較例３］
アクリル酸エステル類および二アクリル酸ヘキサメチレンを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を用いる以外は実施例１と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
［比較例４］
まず、多官能ビニル樹脂およびアクリレートを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物１００質量部に対して、光吸収剤（有機色素）としてのフタロシアニンバナジウム錯体０．１質量部を加えて溶解させた。次に、この組成物を用いる以外は実施例１と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
（評価）
上述のようにして得られた実施例１、２、比較例１～４のモスアイガラス基板について、以下の評価を行った。なお、比較例４では、高温高湿環境試験（１）で良好な結果が得られなかったため、高温高湿環境試験（２）などの評価を実施しなかった。また、実施例２、比較例４では、高温高湿環境試験前後の透過率変化、および低温環境試験前後の透過率変化の評価を実施しなかった。
（密着性）
まず、ＪＩＳ Ｋ５６００－５－６に準拠したクロスカット試験をモスアイ構造層に対して実施した。次に、試験後の碁盤目の状態を上記のＪＩＳ Ｋ５６００－５－６に記載の分類１～５に基づき評価し、その評価結果に基づき以下の基準で密着性を判定した。
○：上記のＪＩＳ Ｋ５６００－５－６に記載の状態の分類０～２に該当する。
×：上記のＪＩＳ Ｋ５６００－５－６に記載の状態の分類３～５に該当する。
なお、分類３～５であると、モスアイ構造層が簡単に剥がれてしまう虞がある。モスアイ構造層の一部分が剥がれると、その部分の明るさが低下し、画像が劣化してしまう。
（初期透過特性（１）の評価）
カバーガラスの初期透過率［％］を以下のようにして評価した。モスアイ構造層が形成された面に光を照射して、モスアイガラス基板の透過スペクトルを、日本分光社製の評価装置（Ｖ－５５０）を用いて測定した。なお、モスアイ構造層の表面に対する照射光の入射角度は９０°とした。次に、測定した透過スペクトルから、波長帯域４７０ｎｍ～５５０ｎｍにおいて、最低の初期透過率［％］を求めた。次に、求めた最低の初期透過率［％］を以下の基準で判定した。
○：最低の透過率が９０％以上である。
×：最低の透過率が９０％未満である。
なお、透過率が９０％未満であると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、素子パッケージにより得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。
（初期透過特性（２）の評価）
まず、“初期透過特性（１）の評価”と同様にして測定した透過スペクトルから、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおいて、最低の初期透過率［％］を求めた。次に、求めた最低の初期透過率［％］を“初期透過特性（１）の評価”と同様の基準で判定した。
（リフロー試験前後の透過率変化の評価）
まず、上記の“初期透過特性の評価”と同様にしてモスアイガラス基板の透過スペクトルを取得した。次に、モスアイガラス基板にリフロー試験（２４５℃の環境下にモスアイガラス基板を５ｍｉｎ保持する試験）を行ったのち、上記の“初期透過特性の評価”と同様にしてモスアイガラス基板の透過スペクトルを再度取得した。続いて、リフロー試験前後の透過スペクトルから、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける透過率の最大変化量ΔＴmax［％］（＝（リフロー試験後の透過率［％］）－（リフロー試験前の透過率［％］））を求めたのち、その最大変化量ΔＴmaxに基づき以下の基準で透過率変化を判定した。なお、上記の式におけるリフロー試験前後の透過率［％］の差は、同一波長におけるリフロー試験前後の透過率［％］の差を意味している。
○：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％以内である
×：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超える
なお、リフロー試験前後において透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、素子パッケージを回路基板などに搭載するリフロー工程において、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
（高温環境試験（１）前後の透過率変化の評価）
まず、リフロー試験に代えて、高温環境試験（１）（モスアイガラス基板を１５０℃の環境下に２５０ｈ保持する試験）を行う以外は、上記の“リフロー試験前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける透過率の最大変化量ΔＴmaxを求めた。次に、求めた最大変化量ΔＴmaxに基づき以下の基準で透過率変化を判定した。
○：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％以内である
×：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超える
なお、高環境試験前後において透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、以下のような不具合が生じる虞がある。すなわち、高温環境に素子パッケージを保管した際に、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
（高温環境試験（２）前後の透過率変化の評価）
まず、高温環境試験（２）（モスアイガラス基板を１５０℃の環境下に１０００ｈ保持する試験）を行う以外は、上記の“高温環境試験（１）前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける透過率の最大変化量ΔＴmaxを求めた。次に、上記の“高温環境試験（１）前後の透過率変化の評価”と同様の基準で透過率変化を判定した。
（高温高湿環境試験前後の透過率変化の評価）
まず、リフロー試験に代えて、高温高湿環境試験（モスアイガラス基板を温度８０℃、湿度８５％の環境下に１０００ｈ保持する試験）を行う以外は、上記の“リフロー試験前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける透過率の最大変化量ΔＴmaxと求めた。次に、その最大変化量ΔＴmaxに基づき以下の基準で判定した。
○：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％以内である
×：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超える
なお、高温高湿環境試験前後において透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、以下のような不具合が生じる虞がある。すなわち、高温高湿環境に素子パッケージを保管した際に、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
（低温環境試験前後の透過率変化の評価）
まず、リフロー試験に代えて、低温環境試験（モスアイガラス基板を－４０℃の環境下に１０００ｈ保持する試験）を行う以外は、上記の“リフロー試験前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける透過率の最大変化量を求めた。次に、その最大変化量ΔＴmaxに基づき以下の基準で透過率変化を判定した。
○：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％以内である
×：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超える
なお、低温環境試験前後において透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、以下のような不具合が生じる虞がある。すなわち、低温環境に素子パッケージを保管した際に、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
（反射率）
モスアイガラス基板の反射率［％］を以下のようにして評価した。まず、モスアイガラス基板の裏面（モスアイ構造層とは反対側の面）にブラックテープを貼り合わせた。次に、モスアイ構造面が形成された面に光を照射して、モスアイガラス基板の反射スペクトルを、日本分光社製の評価装置（Ｖ－５５０）を用いて測定した。なお、モスアイ構造層の表面に対する照射光の入射角度は９０°とした。次に、測定した反射スペクトルから、波長帯域４００ｎｍ～７００ｎｍにおいて、最大の反射率［％］を求めた。次に、求めた最大の反射率［％］を以下の基準で判定した。
○：最大の反射率が１％以下である。
×：最大の反射率が１％を超える。
なお、反射率が１％を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、素子パッケージにより得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。
表１、表２は、実施例１、２、比較例１～４のモスアイガラス基板の評価結果を示す。
Figure 0007006617000001
Figure 0007006617000002
なお、表１において、初期透過特性の欄における括弧内の数値は、初期透過率［％］を示している。また、表２において、透過率変化の欄における括弧内の数値は、最大変化量ΔＴmaxを示している。
表１、表２から以下のことがわかる。多官能ビニル樹脂およびアクリレートを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を用いた実施例１では、上記の全ての評価で良好な結果が得られている。一方、上記の紫外線硬化性樹脂組成物を用いていない比較例１～３では、上記の評価のうち少なくとも１つで良好な結果が得られていない。
上記の紫外線硬化性樹脂組成物にフタロシアニンニッケル錯体を添加した実施例２では、初期透過特性（２）の評価で良好な結果が得られないが、それ以外の高温環境試験（１）前後の透過率変化の評価などでは良好な結果が得られている。一方、上記の紫外線硬化性樹脂組成物にフタロシアニンバナジウム錯体を添加した比較例４では、高温環境試験（１）前後の透過率変化の評価で良好な結果が得られていない。
以上、本技術の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
また、上述の実施形態および実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
基材と、
前記基材の一方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層と
を備え、
４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域における反射率が、１％以下であり、
４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域における透過率が、９０％以上であり、
１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における透過率の変化量が、１％以下である光学素子。
（２）
１５０℃、１０００ｈの高温環境試験前後における透過率の変化量が、１％以下である（１）に記載の光学素子。
（３）
２４５℃、５ｍｉｎの耐熱試験前後における透過率の変化量が、１％以下である（１）または（２）に記載の光学素子。
（４）
４２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長帯域における透過率が、９０％以上である（１）から（３）のいずれかに記載の光学素子。
（５）
前記凹凸構造層は、有機樹脂を含み、
前記基材は、ガラス、結晶化ガラスおよび結晶のうちの少なくとも１種を含む請求項（１）から（４）のいずれかに記載の光学素子。
（６）
前記有機樹脂は、紫外線硬化性樹脂組成物の硬化物である（５）に記載の光学素子。
（７）
前記紫外線硬化性樹脂組成物は、ビニル基を有する第１化合物と（メタ）アクリロイル基を有する第２化合物とを含む第１組成物、およびビニル基と（メタ）アクリロイル基とを有する第３化合物を含む第２組成物のうちの少なくとも１種である（６）に記載の光学素子。
（８）
前記紫外線硬化性樹脂組成物は、無溶剤型である（６）または（７）に記載の光学素子。
（９）
前記凹凸構造層は、複数の構造体を含み、
前記構造体のアスペクト比が、１以上である（１）から（８）のいずれかに記載の光学素子。
（１０）
前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する多層膜をさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載の光学素子。
（１１）
前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備える請求項（１）から（９）のいずれかに記載の光学素子。
（１２）
前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層をさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載の光学素子。
（１３）
前記凹凸構造層は、光吸収剤を含む請求項（１）から（１２）のいずれかに記載の光学素子。
（１４）
前記光吸収剤は、フタロシアニンニッケル錯体を含む（１３）に記載の光学素子。
（１５）
前記基材と前記凹凸構造層との間にシランカップリング剤が設けられている（１）から（１４）のいずれかに記載の光学素子。
（１６）
ＪＩＳ Ｋ５６００－５－６に準拠したクロスカット試験において前記基材と前記凹凸構造層との密着性は、分類０から２のいずれかである（１）から（１５）のいずれかに記載の光学素子。
（１７）
撮像素子パッケージ用である（１）から（１６）のいずれかに記載の光学素子。
（１８）
（１）から（１７）のいずれかに記載の光学素子を有するパッケージと、
前記パッケージに収容された撮像素子と
を備える撮像素子パッケージ。
（１９）
前記凹凸構造層が、前記撮像素子に対向する（１８）に記載の撮像素子パッケージ。
（２０）
前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備え、
前記凹凸構造層が、光吸収剤を含む（１８）または（１９）に記載の撮像素子パッケージ。
（２１）
前記撮像素子の表面にマイクロレンズが設けられている（１８）から（１９）のいずれかに記載の撮像素子パッケージ。
（２２）
（１８）から（２１）のいずれかに記載の撮像素子パッケージを備える撮像装置。
（２３）
（１８）から（２１）のいずれかに記載の撮像素子パッケージを備える電子機器。
１０、１０Ａ 撮像素子パッケージ
１１ 撮像素子
１２ パッケージ
１３ 基板
１４ 枠体
２０、２０Ａ、２０Ｂ 光学素子
２１ 基材
２２、２５、２７ 凹凸構造層
２２ａ、２７ａ 構造体
２２ｂ、２７ｂ 中間層
２３、２６ シランカップリング剤
２４、２８ 多層膜

Claims (21)

  1. 基材と、
    前記基材の一方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層と
    を備え、
    前記凹凸構造層は、フタロシアニンニッケル錯体を含み、
    ４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域における反射率が、１％以下であり、
    ４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域における透過率が、９０％以上であり、
    １５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における透過率の変化量が、１％以下である光学素子。
  2. １５０℃、１０００ｈの高温環境試験前後における透過率の変化量が、１％以下である請求項１に記載の光学素子。
  3. ２４５℃、５ｍｉｎの耐熱試験前後における透過率の変化量が、１％以下である請求項１に記載の光学素子。
  4. ４２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長帯域における透過率が、９０％以上である請求項１に記載の光学素子。
  5. 前記凹凸構造層は、有機樹脂を含み、
    前記基材は、ガラス、結晶化ガラスおよび結晶のうちの少なくとも１種を含む請求項１に記載の光学素子。
  6. 前記有機樹脂は、紫外線硬化性樹脂組成物の硬化物である請求項５に記載の光学素子。
  7. 前記紫外線硬化性樹脂組成物は、ビニル基を有する第１化合物と（メタ）アクリロイル基を有する第２化合物とを含む第１組成物、およびビニル基と（メタ）アクリロイル基とを有する第３化合物を含む第２組成物のうちの少なくとも１種である請求項６に記載の光学素子。
  8. 前記紫外線硬化性樹脂組成物は、無溶剤型である請求項６に記載の光学素子。
  9. 前記凹凸構造層は、複数の構造体を含み、
    前記構造体のアスペクト比が、１以上である請求項１に記載の光学素子。
  10. 前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する多層膜をさらに備える請求項１に記載の光学素子。
  11. 前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備える請求項１に記載の光学素子。
  12. 前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層をさらに備える請求項１に記載の光学素子。
  13. 前記基材と前記凹凸構造層との間にシランカップリング剤が設けられている請求項１に記載の光学素子。
  14. ＪＩＳ Ｋ５６００－５－６に準拠したクロスカット試験において前記基材と前記凹凸構造層との密着性は、分類０から２のいずれかである請求項１に記載の光学素子。
  15. 撮像素子パッケージ用である請求項１に記載の光学素子。
  16. 請求項１に記載の光学素子を有するパッケージと、
    前記パッケージに収容された撮像素子と
    を備える撮像素子パッケージ。
  17. 前記凹凸構造層が、前記撮像素子に対向する請求項１６に記載の撮像素子パッケージ。
  18. 前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備える請求項１６に記載の撮像素子パッケージ。
  19. 前記撮像素子の表面にマイクロレンズが設けられている請求項１８に記載の撮像素子パッケージ。
  20. 請求項１６に記載の撮像素子パッケージを備える撮像装置。
  21. 請求項１６に記載の撮像素子パッケージを備える電子機器。
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