JPWO2018110190A1 - 光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 - Google Patents
光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2018110190A1 JPWO2018110190A1 JP2018556517A JP2018556517A JPWO2018110190A1 JP WO2018110190 A1 JPWO2018110190 A1 JP WO2018110190A1 JP 2018556517 A JP2018556517 A JP 2018556517A JP 2018556517 A JP2018556517 A JP 2018556517A JP WO2018110190 A1 JPWO2018110190 A1 JP WO2018110190A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- element according
- package
- transmittance
- structure layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 117
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 53
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 93
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 69
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 41
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 36
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 21
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 15
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 7
- -1 methacryloyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine copper Chemical compound [Cu].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000013538 functional additive Substances 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HAYWJKBZHDIUPU-UHFFFAOYSA-N (2,4,6-tribromophenyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1=C(Br)C=C(Br)C=C1Br HAYWJKBZHDIUPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNLVUQQHXLTOTC-UHFFFAOYSA-N (2,4,6-tribromophenyl) prop-2-enoate Chemical compound BrC1=CC(Br)=C(OC(=O)C=C)C(Br)=C1 CNLVUQQHXLTOTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAEIFBGPFDVHNR-UHFFFAOYSA-N (4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-heptadecafluoro-2-hydroxyundecyl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(O)CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F DAEIFBGPFDVHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEEMGMOJBUUPBY-UHFFFAOYSA-N (4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-tridecafluoro-2-hydroxynonyl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(O)CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F GEEMGMOJBUUPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(C=C)C=C1 LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenoxy)ethane Chemical compound C=COCCOC=C ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOSFJABFAXRZJQ-UHFFFAOYSA-N 1,6-bis(ethenoxy)hexane Chemical compound C=COCCCCCCOC=C JOSFJABFAXRZJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOTSWLOWHSUGIM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-4-[2-(4-ethenoxyphenyl)propan-2-yl]benzene Chemical compound C=1C=C(OC=C)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC=C)C=C1 YOTSWLOWHSUGIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUFSXWBMZQUYOC-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(ethenoxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound C=COCC(CO)(CO)COC=C SUFSXWBMZQUYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMBJXYFIMKHOQE-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6-tribromophenoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound BrC1=CC(Br)=C(OCCOC(=O)C=C)C(Br)=C1 AMBJXYFIMKHOQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOCCOC(=O)C=C FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPBJAVGHACCNRL-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C=C DPBJAVGHACCNRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 2-[2,2-bis(hydroxymethyl)butoxymethyl]-2-ethylpropane-1,3-diol Chemical compound CCC(CO)(CO)COCC(CC)(CO)CO WMYINDVYGQKYMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJRSZGKUUZPHEB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-prop-2-enoyloxypropoxy)propoxy]propyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(C)COC(C)COC(C)COC(=O)C=C LJRSZGKUUZPHEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWWXYLGCHHIKNY-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOC(=O)C=C FWWXYLGCHHIKNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFCUBKYHMMPGBY-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound COCCOC(=O)C=C HFCUBKYHMMPGBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C=C CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVINYQDSSQUKO-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC1=CC=CC=C1 RZVINYQDSSQUKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUKRIOLKOHUUBM-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C QUKRIOLKOHUUBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIAHOPQKBBASOY-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-henicosafluorododecyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C FIAHOPQKBBASOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILRVMZXWYVQUMN-UHFFFAOYSA-N 3-ethenoxy-2,2-bis(ethenoxymethyl)propan-1-ol Chemical compound C=COCC(CO)(COC=C)COC=C ILRVMZXWYVQUMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCCOC(=O)C=C NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)pentan-2-imine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C(C)CC(C)C PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTHZUSWLNCPZLX-UHFFFAOYSA-N 6-fluoro-3-methyl-2h-indazole Chemical compound FC1=CC=C2C(C)=NNC2=C1 JTHZUSWLNCPZLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXPPIEDUBFUSEZ-UHFFFAOYSA-N 6-methylheptyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)CCCCCOC(=O)C=C DXPPIEDUBFUSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017625 MgSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N [2-[2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)butoxymethyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)butyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CC)COCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVXKXDSDYDRTQ-UHFFFAOYSA-N [3,3,4,4,5,6,6,6-octafluoro-5-(trifluoromethyl)hexyl] prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C UXVXKXDSDYDRTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N benzyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005250 beta ray Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- JQRRFDWXQOQICD-UHFFFAOYSA-N biphenylen-1-ylboronic acid Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=C1C=CC=C2B(O)O JQRRFDWXQOQICD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- KBLWLMPSVYBVDK-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC1CCCCC1 KBLWLMPSVYBVDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVMPCBWWBLZKPD-UHFFFAOYSA-N dilithium oxido-[oxido(oxo)silyl]oxy-oxosilane Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si](=O)O[Si]([O-])=O WVMPCBWWBLZKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910052634 enstatite Inorganic materials 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007794 irritation Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N lauryl acrylate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- BBCCCLINBSELLX-UHFFFAOYSA-N magnesium;dihydroxy(oxo)silane Chemical compound [Mg+2].O[Si](O)=O BBCCCLINBSELLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N methyl vinyl ether Chemical group COC=C XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCN INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFENKTCEEGOWLB-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(methylamino)-2-methylidenepentanamide Chemical compound CCCC(=C)C(=O)N(NC)NC DFENKTCEEGOWLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylprop-2-enamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C=C OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088644 n,n-dimethylacrylamide Drugs 0.000 description 1
- YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylprop-2-enamide Chemical compound CN(C)C(=O)C=C YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMTGISUVUCWJIT-UHFFFAOYSA-N n-[3-[3-aminopropoxy(dimethoxy)silyl]propyl]-1-phenylprop-2-en-1-amine;hydrochloride Chemical compound Cl.NCCCO[Si](OC)(OC)CCCNC(C=C)C1=CC=CC=C1 RMTGISUVUCWJIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N n-propan-2-ylprop-2-enamide Chemical compound CC(C)NC(=O)C=C QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N tamibarotene Chemical compound C=1C=C2C(C)(C)CCC(C)(C)C2=CC=1NC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003017 thermal stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3-isocyanatopropyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C=O FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(3-triethoxysilylpropyltetrasulfanyl)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCSSSSCCC[Si](OCC)(OCC)OCC VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 229960000834 vinyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021493 α-cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/118—Anti-reflection coatings having sub-optical wavelength surface structures designed to provide an enhanced transmittance, e.g. moth-eye structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
Description
1 第1の実施形態(撮像素子パッケージの例)
2 第2の実施形態(撮像素子パッケージの例)
3 第3の実施形態(カメラモジュールの例)
4 第4の実施形態(撮像素子パッケージを撮像装置に適用した例)
5 第5の実施形態(撮像素子パッケージを撮像装置に適用した例)
6 第6の実施形態(カメラモジュールを各種の電子機器に適用した例)
[撮像素子パッケージの構成]
本技術の第1の実施形態に係る撮像素子パッケージ(以下「素子パッケージ」という。)10は、図1Aに示すように、撮像素子11と、この撮像素子11を収容するパッケージ12とを備える。
撮像素子11は、例えば、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ素子またはCOMS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ素子などである。撮像素子11は、図1Bに示すように、被写体からの光が入射する素子表面(撮像面)に複数のマイクロレンズ11aを備える。複数のマイクロレンズ11aは、撮像面に所定のパターンで配置されている。
パッケージ12は、基板13と、基板13の一方の面の周縁に設けられた枠体14と、枠体14により周縁部が支持された光学素子20とを備える。撮像素子11は、基板13の一方の面に設けられている。光学素子20は、撮像素子11の撮像面に対向し、かつ撮像面から離すようにして枠体14により支持されている。
光学素子20は、撮像素子パッケージ用のカバー体であり、図1Bに示すように、撮像素子パッケージ用の板状の基材21と、基材21の一方の面に設けられ、反射率を抑制する機能を有する凹凸構造層(以下単に「構造層」という。)22と、基材21と構造層22との間に設けられたシランカップリング剤23と、基材21の他方の面に設けられ、反射率を抑制する機能を有する多層膜24とを備える。光学素子20は、構造層22が撮像素子11に対向するように、すなわち構造層22が素子パッケージ10の内側となるように枠体14により支持されている。
基材21は、少なくとも可視光に対して透明性を有する無機材料により構成されている。本明細書において、可視光は、例えば350nmを超え850nm以下の波長帯域の光である。無機材料は、例えば、ガラス、結晶化ガラスおよび結晶のうちの少なくとも1種である。ガラスは、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラスおよび石英ガラスのうちの少なくとも1種である。結晶化ガラスは、例えば、スピネル系結晶(RAl2O4:RはZn、Mg、Feから選択される1種類以上)、R2TiO4、二珪酸リチウム、エンスタタイト(MgSiO3)、β−石英、α−クリストバライトおよびそれらの固溶体のうちの少なくとも1種を主結晶相として含むものである。結晶は、例えば、サファイア、水晶、シリコン、炭化珪素および窒化ガリウムのうちの少なくとも1種を含む単結晶または多結晶体である。
反射抑制層である構造層22は、いわゆるモスアイ構造層であり、少なくとも可視光に対して反射抑制機能を有する。構造層22は、基材21の表面に設けられた複数の構造体22aと、これらの複数の構造体22aの下部と基材21の表面との間に設けられた中間層(光学層)22bとを備える。
シランカップリング剤23の種類は特に限定されず、公知のシランカップリング剤を用いることができる。シランカップリング剤23の具体例としては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(ビニルベンジル)−2−アミノエチル−3−アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。シランカップリング剤23を用いると、高温かつ高湿な環境下であっても、基材21に対する構造層22の密着性の劣化を抑制することができる。
多層膜24は、反射抑制層の一例であって、屈折率が異なる2層以上の薄膜が積層された構造を有している。薄膜の材料としては、例えば、透明な誘電体材料が用いられるが、これに限定されるものではない。
下記の光学素子20の透過率および反射率は、構造層22側から光学素子20に光を照射して測定されたものである。その測定方法の詳細は、後述の実施例にて説明される通りである。また、下記の各試験前後の透過率の変化量は、波長帯域420nm〜600nmにおける各試験前後の透過率の変化量である。
400nm以上700nm以下の波長帯域における光学素子20の反射率が、1%以下、好ましくは0.8以下である。反射率が1%を超えると、素子パッケージ10により得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。
470nm以上550nm以下の波長帯域における光学素子20の透過率が、90%以上である。透過率が90%未満であると、素子パッケージ10により得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。420nm以上600nm以下の波長帯域における光学素子20の透過率が、90%以上であることが好ましい。上記の透過率が90%以上であると、素子パッケージ10により優れた画像が得られる
150℃、250hの高温環境試験前後における光学素子20の透過率の変化量が、1%以下であり、より好ましくは150℃、1000hの高温環境試験前後における光学素子20の透過率の変化量が、1%以下である。150℃、250hの高温環境試験前後における光学素子20の透過率の変化量が1%を超えると、高温環境に素子パッケージ10を保管した際に、構造層22の変質などにより素子パッケージ10の色再現性が変化し、素子パッケージ10により得られる画像が劣化する虞がある。
245℃、5minの耐熱試験(リフロー試験)前後における透過率の変化量が、1%以下であることが好ましい。上記の透過率の変化量が1%を超えると、素子パッケージ10を回路基板などに搭載するリフロー工程において、構造層22の変質などにより素子パッケージ10の色再現性が変化し、素子パッケージ10により得られる画像が劣化する虞がある。
温度80℃、湿度85%の環境下に250h保持する高温高湿環境試験前後における光学素子20の透過率の変化量が、1%以下であることが好ましく、温度80℃、湿度85%の環境下に1000h保持する高温高湿環境試験前後における光学素子20の透過率の変化量が、1%以下であることがより好ましい。温度80℃、湿度85%の環境下に250h保持する高温高湿環境試験前後における透過率の変化量が1%を超えると、高温高湿環に素子パッケージ10を保管した際に、構造層22の変質などにより素子パッケージ10の色再現性が変化し、素子パッケージ10により得られる画像が劣化する虞がある。
−40℃の環境下に250h保持する低温環境試験前後における光学素子20の透過率の変化量が、1%以下であることが好ましく、−40℃の環境下に1000h保持する低温環境試験前後における光学素子20の透過率の変化量が、1%以下であることがより好ましい。−40℃の環境下に250h保持する低温環境試験前後における光学素子20の透過率の変化量が1%を超えると、低温環境に素子パッケージ10を保管した際に、構造層22の変質などにより素子パッケージ10の色再現性が変化し、素子パッケージ10により得られる画像が劣化する虞がある。
JIS K5600−5−6に準拠したクロスカット試験において基材21と構造層22との密着性は、分類0から2のいずれかであることが好ましい。密着性が分類0から2以外の分類であると、構造層22の一部分が簡単に剥がれてしまう虞がある。構造層22の一部分が剥がれると、その部分の明るさが低下し、素子パッケージ10により得られる画像が劣化してしまう。
次に、本技術の第1の実施形態に係る光学素子20の製造方法の一例について説明する。
まず、成形面を一主面に有する原盤を作製する。成形面には、2次元配列された複数の構造体が設けられている。この成形面に設けられている複数の構造体と、上述の構造層22に設けられている複数の構造体22aとは、ほぼ同一の形状を有し、かつ反転した凹凸関係にある。次に、必要に応じて成形面に剥離処理を施すようにしてもよい。
次に、必要に応じて、コロナ放電、UV照射処理などの表面処理を基材21の一方の面に施すようにしてもよい。続いて、基材21の一方の面をシランカップリング剤23により処理する。
次に、基材21の一方の面に転写材料としてエネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布し、塗布したエネルギー線硬化性樹脂組成物にエネルギー線を照射して硬化させたのち、硬化したエネルギー線硬化性樹脂組成物と一体となった基材21を剥離する。これにより、構造層22を基材21の一方の面に有する光学素子20が得られる。次に、必要に応じて、光学素子20を所望とする大きさに切り出すようにしてもよい。
第1の実施形態に係る素子パッケージ10では、150℃、250hの高温環境試験前後における光学素子20の透過率の変化量が、1%以下である。これにより、素子パッケージ10を高温環境に保持した場合における構造層22の変質などを抑制できる。したがって、素子パッケージ10を高温環境に保持した場合における素子パッケージの10の画像劣化を抑制できる。また、400nm以上700nm以下の波長帯域における光学素子20の反射率が、1%以下であり、470nm以上550nm以下の波長帯域における光学素子20の透過率が、90%以上である。これにより、素子パッケージ10により良好な画像を得ることができる。
(変形例1)
光学素子20が、図2に示すように、基材21の他方の面に、多層膜24に代えて、反射率を抑制する機能を有する構造層25を備えるようにしてもよい。この場合、基材21の他方の面と構造層25との間にシランカップリング剤26が設けられていてもよい。構造層25は、第1の実施形態における構造層22と同様の構成を有する。なお、構造層25および構造層22における構造体22aの配置ピッチP、高さHおよびアスペクト比(H/P)は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
光学素子20は、構造層22が素子パッケージ10の外側となるように枠体14により支持されていてもよい。但し、素子パッケージ10を、レンズを交換可能な一眼レフカメラなどに使用する場合には、光学素子20は、構造層22が素子パッケージ10の内側となるように枠体14により支持されていることが好ましい。構造層22が素子パッケージ10の外側となるように枠体14により支持されていると、レンズ交換可能などの際に、構造体22a間にホコリやゴミなどが入り混み、構造層22の反射抑制機能が低下する虞があるからである。
構造体22aが凹状を有していてもよい。但し、反射抑制機能および透過特性の観点からすると、第1の実施形態のように構造体22aが凸状を有していることが好ましい。
転写材料として熱硬化性樹脂を用いてもよい。この場合には、原盤の成形面と熱硬化性樹脂とを密着させ、ヒータなどの熱源により熱硬化性樹脂を加熱して熱硬化性樹脂を硬化させたのち、硬化した熱硬化性樹脂と一体となった基材21を原盤から剥離することにより、光学素子20が得られる。
光学素子20を発光素子パッケージに適用してもよい。ここで、発光素子パッケージとは、発光素子をパッケージに収容したものをいう。発光素子としては、例えば、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)またはレーザダイオード(LD:Laser Diode)などの半導体発光素子が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[概要]
第1の実施形態に係る素子パッケージ10を撮像装置に適用する場合には、通常、図3Aに示すように、素子パッケージ10上に反射型赤外カットフィルタ31を配置する構成が採用される。しかしながら、この構成を有する撮像装置にて太陽光などの強い光を撮影すると、光源の周囲に赤い玉状の模様(以下「赤玉ゴースト」という。)が発生することがある。この赤玉ゴーストは以下のようにして発生する。すなわち、素子パッケージ10に入射した所定の波長帯域の光Laが、マイクロレンズ11aにより回折される。回折光Lbは、赤外カットフィルタ31にて反射され、撮像素子11に再入射する。この再入射した回折光Lbにより撮像画像に赤玉ゴーストが発生する。
本技術の第2の実施形態に係る素子パッケージ10Aは、図4に示すように、光吸収剤を含む構造層27と、第1、第2の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜28を備える点において、第1の実施形態に係る素子パッケージ10とは異なっている。第2の実施形態において第1の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
構造層27は、複数の構造体27aと中間層(光学層)27bとを備える。構造層27、構造体27aおよび中間層27bは、光吸収剤を含む点以外では、第1の実施形態における構造層22、構造体22a、中間層22bと同様の構成を有している。
図5Aは、市販のIRカットフィルタおよび光学素子20Bの分光特性の一例を示す。ここで、光学素子20Bは、図5Bに示すように、多層膜24が設けられていない点以外では、第1の実施形態に係る光学素子20(図1B参照)と同様の構成を有する。光学素子20Bは、第1、第2の波長帯域の光および上記所定の波長帯域の光の透過率が市販のIRカットフィルタに比して高い。光学素子20Bに対して、反射抑制機能に加えて、市販のIRカットフィルタと同等またはそれに近い機能を付与するためには、光学素子20Bにおいて第1、第2の波長帯域の光および上記所定の波長帯域の光の透過率を低減することが望まれる。
本技術の第1の実施形態に係る光学素子20Aの製造方法は、エネルギー線硬化性樹脂組成物に光吸収剤を添加して転写材料を調製すること、および多層膜24を基材21の他方の面に形成すること以外の点では、第1の実施形態に係る光学素子20の製造方法と同様である。
第2の実施形態に係る素子パッケージ10Aでは、基材21の一方の面に設けれ、光吸収剤を含む構造層27と、基材21の他方の面に設けられ、第1、第2の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜28とを備える。このため、光学素子20Aに対して、反射抑制の機能に加えて、市販のIRカットフィルタと同等またはそれに近い機能を付与できるので、撮像装置の光学系から反射型赤外カットフィルタ31を省くことが可能となる。したがって、反射型赤外カットフィルタ31による回折光Lbの反射が無くなるため、素子パッケージ10Aにて太陽光などの強い光を撮影した場合における、赤玉ゴーストの発生を抑制することができる。また、光学素子20Aが市販のIRカットフィルタの機能を兼ね備えるため、撮像装置の光学系を簡略化できる。
(変形例1)
光学素子20Aが、図6に示すように、基材21の他方の面に、多層膜28に代えて構造層29を備えるようにしてもよい。この場合、基材21の他方の面と構造層29との間にシランカップリング剤26が設けられていてもよい。構造層29は、第1の実施形態における構造層22と同様の構成を有していてもよいし、第2の実施形態における構造層27と同様の構成を有していてもよい。図6では、構造層29が、第1の実施形態における構造層22と同様の構成を有する例が示されている。なお、構造層27の構造体27aと構造層29の構造体22aの配置ピッチP、高さHおよびアスペクト比(H/P)は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
第2の実施形態では、素子パッケージ10Aがマイクロレンズ11aを備える場合について説明したが、撮像素子11がマイクロレンズ11aを備えていないものであってもよい。所定の波長帯域の光Laはマイクロレンズ11a以外の構成部材によっても回折または反射されることがあるため、本技術はマイクロレンズ11aを備えていない素子パッケージに適用しても効果が得られる。但し、マイクロレンズ11aを備える撮像素子11では回折光の光量が多く、赤玉ゴーストが発生しやすいため、本技術はマイクロレンズ11aを備える素子パッケージ10Aに適用することが好ましい。
光学素子20Aは、構造層27が素子パッケージ10Aの外側となるように枠体14により支持されていてもよい。構造体27aが凹状を有していてもよい。転写材料として熱硬化性樹脂を用いてもよい。多層膜28が第1、第2の波長帯域の光をカットする機能を有さず、反射抑制の機能のみを有していてもよい。
図7に示すように、本技術の第3の実施形態に係るカメラモジュール(撮像モジュール)131は、素子パッケージ132と、レンズユニット133とを備える。素子パッケージ132は、撮像素子11と、撮像素子11を収容する素子パッケージ132とを備える。なお、第3の実施形態において、第1の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付す。
第4の実施形態では、上述の第1の実施形態に係る素子パッケージ10を撮像装置に適用した例について説明する。
レンズ111は、被写体からの光Lを素子パッケージ114に向けて集光する。なお、レンズ111に代えてレンズ群が備えられていてもよい。
光量調整装置112は、撮像光学系103の光軸を中心とする絞り用開口の大きさを調整する絞り装置である。光量調整装置112は、例えば、一対の絞り羽根と、光の透過光量を減少させるNDフィルタとを備えている。光量調整装置112の駆動方式としては、例えば、一対の絞り羽根とNDフィルタとを1つのアクチュエータで駆動する方式、一対の絞り羽根とNDフィルタとをそれぞれ独立した2つのアクチュエータで駆動する方式を用いることができるが、これらの方式に特に限定されるものではない。NDフィルタとしては、透過率もしくは濃度が単一のフィルタ、または透過率もしくは濃度がグラデーション状に変化するフィルタを用いることができる。また、NDフィルタの数は1枚に限定されるものではなく、複数枚のNDフィルタを積層して用いるようにしてもよい。
半透過型ミラー113は、入射する光の一部を透過し、残りを反射するミラーである。具体的には、半透過型ミラー113は、レンズ111により集光された光Lの一部をオートフォーカスセンサ115に向けて反射するのに対して、光Lの残りを素子パッケージ114に向けて透過する。
素子パッケージ114は、半透過型ミラー113を透過した光を受光し、受光した光を電気信号に変換し、信号処理回路(図示せず)に出力する。素子パッケージ114としては、第1の実施形態に係る素子パッケージ10が用いられる。なお、素子パッケージ114として、第1の実施形態の変形例に係る素子パッケージ10が用いられてもよいし、第2の実施形態またはその変形例に係る素子パッケージ10Aが用いられてもよい。
オートフォーカスセンサ115は、半透過型ミラー113により反射された光を受光し、受光した光を電気信号に変換し、制御回路(図示せず)に出力する。
フィルタ116は、レンズ鏡筒102の先端、または撮像光学系103内に設けられる。なお、図8では、フィルタ116をレンズ鏡筒102の先端に備える例が示されている。この構成を採用する場合、フィルタ116は、レンズ鏡筒102の先端に対して着脱自在の構成を有していてもよい。
上述の第5の実施形態では、撮像装置としてデジタルカメラ(デジタルスチルカメラ)に本技術を適用する場合を例として説明したが、本技術の適用例はこれに限定されるものではない。本技術の第5の実施形態では、デジタルビデオカメラに本技術を適用した例について説明する。
レンズ第1群L1およびレンズ第3群L3は、固定レンズである。レンズ第2群L2は、ズーム用レンズである。レンズ第4群L4は、フォーカス用レンズである。
素子パッケージ202は、入射された光を電気信号に変換し、図示を省略した信号処理部に供給する。素子パッケージ202としては、第1の実施形態に係る素子パッケージ10が用いられる。なお、素子パッケージ202として、第1の実施形態の変形例に係る素子パッケージ10が用いられてもよいし、第2の実施形態またはその変形例に係る素子パッケージ10Aが用いられてもよい。なお、第2の実施形態またはその変形例に係る素子パッケージ10Aが用いられる場合には、フィルタ204は設けなくてもよい。
ローパスフィルタ203は、例えば、素子パッケージ202の前面、すなわちカバーガラスの光入射面に設けられる。ローパスフィルタ203は、画素ピッチに近い縞模様の像などを撮影した場合に生じる偽信号(モワレ)を抑制するためのものであり、例えば、人工水晶から構成される。
第6の実施形態に係る電子機器は、第3の実施形態に係るカメラモジュール131を備えている。以下に、本技術の第6の実施形態に係る電子機器の例について説明する。
まず、素子パッケージのカバーガラス用のガラス基板を準備し、このガラス基板の一方の面をシランカップリング剤により処理した。次に、多官能ビニル樹脂およびアクリレートを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を、ガラス基板の一方の面に塗布した。続いて、モスアイ原盤の成形面を紫外線硬化性樹脂組成物に押し当てUV光を照射し、紫外線硬化性樹脂組成物を硬化させたのち、硬化した紫外線硬化性樹脂組成物をモスアイ原盤からガラス基板と共に剥離した。これにより、モスアイ構造層が一主面に形成されたガラス基板が得られた。モスアイ構造層を構成するモスアイ構造体の高さHは270nm、配置ピッチPは250nm、アスペクト比H/Pは1.08とした。以上により、目的とするモスアイ構造層付きのガラス基板(以下「モスアイガラス基板」という。)が得られた。
まず、多官能ビニル樹脂およびアクリレートを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物100質量部に対して、光吸収剤(有機色素)としてのフタロシアニンニッケル錯体0.2質量部を加えて溶解させた。次に、この組成物を用いる以外は実施例1と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
アクリル酸エステル類を含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を用いる以外は実施例1と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
アクリル系樹脂を含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を用いる以外は実施例1と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
アクリル酸エステル類および二アクリル酸ヘキサメチレンを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を用いる以外は実施例1と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
まず、多官能ビニル樹脂およびアクリレートを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物100質量部に対して、光吸収剤(有機色素)としてのフタロシアニンバナジウム錯体0.1質量部を加えて溶解させた。次に、この組成物を用いる以外は実施例1と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
上述のようにして得られた実施例1、2、比較例1〜4のモスアイガラス基板について、以下の評価を行った。なお、比較例4では、高温高湿環境試験(1)で良好な結果が得られなかったため、高温高湿環境試験(2)などの評価を実施しなかった。また、実施例2、比較例4では、高温高湿環境試験前後の透過率変化、および低温環境試験前後の透過率変化の評価を実施しなかった。
まず、JIS K5600−5−6に準拠したクロスカット試験をモスアイ構造層に対して実施した。次に、試験後の碁盤目の状態を上記のJIS K5600−5−6に記載の分類1〜5に基づき評価し、その評価結果に基づき以下の基準で密着性を判定した。
○:上記のJIS K5600−5−6に記載の状態の分類0〜2に該当する。
×:上記のJIS K5600−5−6に記載の状態の分類3〜5に該当する。
なお、分類3〜5であると、モスアイ構造層が簡単に剥がれてしまう虞がある。モスアイ構造層の一部分が剥がれると、その部分の明るさが低下し、画像が劣化してしまう。
カバーガラスの初期透過率[%]を以下のようにして評価した。モスアイ構造層が形成された面に光を照射して、モスアイガラス基板の透過スペクトルを、日本分光社製の評価装置(V−550)を用いて測定した。なお、モスアイ構造層の表面に対する照射光の入射角度は90°とした。次に、測定した透過スペクトルから、波長帯域470nm〜550nmにおいて、最低の初期透過率[%]を求めた。次に、求めた最低の初期透過率[%]を以下の基準で判定した。
○:最低の透過率が90%以上である。
×:最低の透過率が90%未満である。
なお、透過率が90%未満であると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、素子パッケージにより得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。
まず、“初期透過特性(1)の評価”と同様にして測定した透過スペクトルから、波長帯域420nm〜600nmにおいて、最低の初期透過率[%]を求めた。次に、求めた最低の初期透過率[%]を“初期透過特性(1)の評価”と同様の基準で判定した。
まず、上記の“初期透過特性の評価”と同様にしてモスアイガラス基板の透過スペクトルを取得した。次に、モスアイガラス基板にリフロー試験(245℃の環境下にモスアイガラス基板を5min保持する試験)を行ったのち、上記の“初期透過特性の評価”と同様にしてモスアイガラス基板の透過スペクトルを再度取得した。続いて、リフロー試験前後の透過スペクトルから、波長帯域420nm〜600nmにおける透過率の最大変化量ΔTmax[%](=(リフロー試験後の透過率[%])−(リフロー試験前の透過率[%]))を求めたのち、その最大変化量ΔTmaxに基づき以下の基準で透過率変化を判定した。なお、上記の式におけるリフロー試験前後の透過率[%]の差は、同一波長におけるリフロー試験前後の透過率[%]の差を意味している。
○:透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%以内である
×:透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%を超える
なお、リフロー試験前後において透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、素子パッケージを回路基板などに搭載するリフロー工程において、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
まず、リフロー試験に代えて、高温環境試験(1)(モスアイガラス基板を150℃の環境下に250h保持する試験)を行う以外は、上記の“リフロー試験前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域420nm〜600nmにおける透過率の最大変化量ΔTmaxを求めた。次に、求めた最大変化量ΔTmaxに基づき以下の基準で透過率変化を判定した。
○:透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%以内である
×:透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%を超える
なお、高環境試験前後において透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、以下のような不具合が生じる虞がある。すなわち、高温環境に素子パッケージを保管した際に、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
まず、高温環境試験(2)(モスアイガラス基板を150℃の環境下に1000h保持する試験)を行う以外は、上記の“高温環境試験(1)前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域420nm〜600nmにおける透過率の最大変化量ΔTmaxを求めた。次に、上記の“高温環境試験(1)前後の透過率変化の評価”と同様の基準で透過率変化を判定した。
まず、リフロー試験に代えて、高温高湿環境試験(モスアイガラス基板を温度80℃、湿度85%の環境下に1000h保持する試験)を行う以外は、上記の“リフロー試験前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域420nm〜600nmにおける透過率の最大変化量ΔTmaxと求めた。次に、その最大変化量ΔTmaxに基づき以下の基準で判定した。
○:透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%以内である
×:透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%を超える
なお、高温高湿環境試験前後において透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、以下のような不具合が生じる虞がある。すなわち、高温高湿環境に素子パッケージを保管した際に、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
まず、リフロー試験に代えて、低温環境試験(モスアイガラス基板を−40℃の環境下に1000h保持する試験)を行う以外は、上記の“リフロー試験前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域420nm〜600nmにおける透過率の最大変化量を求めた。次に、その最大変化量ΔTmaxに基づき以下の基準で透過率変化を判定した。
○:透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%以内である
×:透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%を超える
なお、低温環境試験前後において透過率の最大変化量ΔTmaxが±1%を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、以下のような不具合が生じる虞がある。すなわち、低温環境に素子パッケージを保管した際に、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
モスアイガラス基板の反射率[%]を以下のようにして評価した。まず、モスアイガラス基板の裏面(モスアイ構造層とは反対側の面)にブラックテープを貼り合わせた。次に、モスアイ構造面が形成された面に光を照射して、モスアイガラス基板の反射スペクトルを、日本分光社製の評価装置(V−550)を用いて測定した。なお、モスアイ構造層の表面に対する照射光の入射角度は90°とした。次に、測定した反射スペクトルから、波長帯域400nm〜700nmにおいて、最大の反射率[%]を求めた。次に、求めた最大の反射率[%]を以下の基準で判定した。
○:最大の反射率が1%以下である。
×:最大の反射率が1%を超える。
なお、反射率が1%を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、素子パッケージにより得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。
(1)
基材と、
前記基材の一方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層と
を備え、
400nm以上700nm以下の波長帯域における反射率が、1%以下であり、
470nm以上550nm以下の波長帯域における透過率が、90%以上であり、
150℃、250hの高温環境試験前後における透過率の変化量が、1%以下である光学素子。
(2)
150℃、1000hの高温環境試験前後における透過率の変化量が、1%以下である(1)に記載の光学素子。
(3)
245℃、5minの耐熱試験前後における透過率の変化量が、1%以下である(1)または(2)に記載の光学素子。
(4)
420nm以上600nm以下の波長帯域における透過率が、90%以上である(1)から(3)のいずれかに記載の光学素子。
(5)
前記凹凸構造層は、有機樹脂を含み、
前記基材は、ガラス、結晶化ガラスおよび結晶のうちの少なくとも1種を含む請求項(1)から(4)のいずれかに記載の光学素子。
(6)
前記有機樹脂は、紫外線硬化性樹脂組成物の硬化物である(5)に記載の光学素子。
(7)
前記紫外線硬化性樹脂組成物は、ビニル基を有する第1化合物と(メタ)アクリロイル基を有する第2化合物とを含む第1組成物、およびビニル基と(メタ)アクリロイル基とを有する第3化合物を含む第2組成物のうちの少なくとも1種である(6)に記載の光学素子。
(8)
前記紫外線硬化性樹脂組成物は、無溶剤型である(6)または(7)に記載の光学素子。
(9)
前記凹凸構造層は、複数の構造体を含み、
前記構造体のアスペクト比が、1以上である(1)から(8)のいずれかに記載の光学素子。
(10)
前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する多層膜をさらに備える(1)から(9)のいずれかに記載の光学素子。
(11)
前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備える請求項(1)から(9)のいずれかに記載の光学素子。
(12)
前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層をさらに備える(1)から(9)のいずれかに記載の光学素子。
(13)
前記凹凸構造層は、光吸収剤を含む請求項(1)から(12)のいずれかに記載の光学素子。
(14)
前記光吸収剤は、フタロシアニンニッケル錯体を含む(13)に記載の光学素子。
(15)
前記基材と前記凹凸構造層との間にシランカップリング剤が設けられている(1)から(14)のいずれかに記載の光学素子。
(16)
JIS K5600−5−6に準拠したクロスカット試験において前記基材と前記凹凸構造層との密着性は、分類0から2のいずれかである(1)から(15)のいずれかに記載の光学素子。
(17)
撮像素子パッケージ用である(1)から(16)のいずれかに記載の光学素子。
(18)
(1)から(17)のいずれかに記載の光学素子を有するパッケージと、
前記パッケージに収容された撮像素子と
を備える撮像素子パッケージ。
(19)
前記凹凸構造層が、前記撮像素子に対向する(18)に記載の撮像素子パッケージ。
(20)
前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備え、
前記凹凸構造層が、光吸収剤を含む(18)または(19)に記載の撮像素子パッケージ。
(21)
前記撮像素子の表面にマイクロレンズが設けられている(18)から(19)のいずれかに記載の撮像素子パッケージ。
(22)
(18)から(21)のいずれかに記載の撮像素子パッケージを備える撮像装置。
(23)
(18)から(21)のいずれかに記載の撮像素子パッケージを備える電子機器。
11 撮像素子
12 パッケージ
13 基板
14 枠体
20、20A、20B 光学素子
21 基材
22、25、27 凹凸構造層
22a、27a 構造体
22b、27b 中間層
23、26 シランカップリング剤
24、28 多層膜
Claims (23)
- 基材と、
前記基材の一方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層と
を備え、
400nm以上700nm以下の波長帯域における反射率が、1%以下であり、
470nm以上550nm以下の波長帯域における透過率が、90%以上であり、
150℃、250hの高温環境試験前後における透過率の変化量が、1%以下である光学素子。 - 150℃、1000hの高温環境試験前後における透過率の変化量が、1%以下である請求項1に記載の光学素子。
- 245℃、5minの耐熱試験前後における透過率の変化量が、1%以下である請求項1に記載の光学素子。
- 420nm以上600nm以下の波長帯域における透過率が、90%以上である請求項1に記載の光学素子。
- 前記凹凸構造層は、有機樹脂を含み、
前記基材は、ガラス、結晶化ガラスおよび結晶のうちの少なくとも1種を含む請求項1に記載の光学素子。 - 前記有機樹脂は、紫外線硬化性樹脂組成物の硬化物である請求項5に記載の光学素子。
- 前記紫外線硬化性樹脂組成物は、ビニル基を有する第1化合物と(メタ)アクリロイル基を有する第2化合物とを含む第1組成物、およびビニル基と(メタ)アクリロイル基とを有する第3化合物を含む第2組成物のうちの少なくとも1種である請求項6に記載の光学素子。
- 前記紫外線硬化性樹脂組成物は、無溶剤型である請求項6に記載の光学素子。
- 前記凹凸構造層は、複数の構造体を含み、
前記構造体のアスペクト比が、1以上である請求項1に記載の光学素子。 - 前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する多層膜をさらに備える請求項1に記載の光学素子。
- 前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備える請求項1に記載の光学素子。
- 前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層をさらに備える請求項1に記載の光学素子。
- 前記凹凸構造層は、光吸収剤を含む請求項1に記載の光学素子。
- 前記光吸収剤は、フタロシアニンニッケル錯体を含む請求項13に記載の光学素子。
- 前記基材と前記凹凸構造層との間にシランカップリング剤が設けられている請求項1に記載の光学素子。
- JIS K5600−5−6に準拠したクロスカット試験において前記基材と前記凹凸構造層との密着性は、分類0から2のいずれかである請求項1に記載の光学素子。
- 撮像素子パッケージ用である請求項1に記載の光学素子。
- 請求項1に記載の光学素子を有するパッケージと、
前記パッケージに収容された撮像素子と
を備える撮像素子パッケージ。 - 前記凹凸構造層が、前記撮像素子に対向する請求項18に記載の撮像素子パッケージ。
- 前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備え、
前記凹凸構造層が、光吸収剤を含む請求項18に記載の撮像素子パッケージ。 - 前記撮像素子の表面にマイクロレンズが設けられている請求項20に記載の撮像素子パッケージ。
- 請求項18に記載の撮像素子パッケージを備える撮像装置。
- 請求項18に記載の撮像素子パッケージを備える電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016244747 | 2016-12-16 | ||
JP2016244747 | 2016-12-16 | ||
PCT/JP2017/041114 WO2018110190A1 (ja) | 2016-12-16 | 2017-11-15 | 光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018110190A1 true JPWO2018110190A1 (ja) | 2019-10-24 |
JP7006617B2 JP7006617B2 (ja) | 2022-01-24 |
Family
ID=62558725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018556517A Active JP7006617B2 (ja) | 2016-12-16 | 2017-11-15 | 光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10872916B2 (ja) |
JP (1) | JP7006617B2 (ja) |
CN (1) | CN110073247B (ja) |
WO (1) | WO2018110190A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6835920B2 (ja) * | 2019-08-23 | 2021-02-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
CN114019592A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-02-08 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种减反射结构体及其制作方法、光学器件 |
TW202403349A (zh) * | 2022-07-07 | 2024-01-16 | 大根光學工業股份有限公司 | 電子感光元件、成像鏡頭模組與電子裝置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005062674A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状光学部品 |
JP2009015076A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Hoya Corp | 光学ローパスフィルタ及びそれを具備する撮像装置 |
JP2010256546A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Canon Electronics Inc | 光学素子 |
JP2012227190A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Nippon Shokubai Co Ltd | ナノインプリント用硬化性樹脂組成物 |
WO2013005767A1 (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Dic株式会社 | ガスバリア性多層フィルム、接着剤、及びコーティング材 |
JP2013083871A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Tamron Co Ltd | 反射防止膜及び反射防止膜の製造方法 |
JP2015068853A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-13 | ソニー株式会社 | 積層体、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 |
JP2016126066A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 大日本印刷株式会社 | 反射防止物品、及び画像表示装置 |
WO2016159290A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止膜及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010243596A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 画像記録媒体、画像記録媒体の再利用装置、これを備えた画像形成装置、及び画像記録媒体の再利用方法 |
KR101580029B1 (ko) | 2011-07-05 | 2015-12-23 | 미쯔비시 레이온 가부시끼가이샤 | 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품 및 이것을 구비한 영상 표시 장치 |
JP5356612B2 (ja) * | 2011-08-16 | 2013-12-04 | 三菱レイヨン株式会社 | 保護フィルム付き微細凹凸構造体およびその製造方法 |
WO2017119021A1 (ja) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光学デバイス及び配光機能付き窓 |
WO2017122245A1 (ja) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光学デバイス及び配光機能付き窓 |
-
2017
- 2017-11-15 JP JP2018556517A patent/JP7006617B2/ja active Active
- 2017-11-15 WO PCT/JP2017/041114 patent/WO2018110190A1/ja active Application Filing
- 2017-11-15 CN CN201780075631.1A patent/CN110073247B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2017-11-15 US US16/470,080 patent/US10872916B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005062674A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状光学部品 |
JP2009015076A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Hoya Corp | 光学ローパスフィルタ及びそれを具備する撮像装置 |
JP2010256546A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Canon Electronics Inc | 光学素子 |
JP2012227190A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Nippon Shokubai Co Ltd | ナノインプリント用硬化性樹脂組成物 |
WO2013005767A1 (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Dic株式会社 | ガスバリア性多層フィルム、接着剤、及びコーティング材 |
JP2013083871A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Tamron Co Ltd | 反射防止膜及び反射防止膜の製造方法 |
JP2015068853A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-13 | ソニー株式会社 | 積層体、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 |
JP2016126066A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 大日本印刷株式会社 | 反射防止物品、及び画像表示装置 |
WO2016159290A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止膜及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110073247B (zh) | 2021-07-13 |
WO2018110190A1 (ja) | 2018-06-21 |
US10872916B2 (en) | 2020-12-22 |
CN110073247A (zh) | 2019-07-30 |
JP7006617B2 (ja) | 2022-01-24 |
US20190319053A1 (en) | 2019-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6087464B1 (ja) | 赤外線カットフィルタ及び撮像光学系 | |
JP6317954B2 (ja) | レンズユニット、撮像モジュール、及び電子機器 | |
JP6595610B2 (ja) | 近赤外線カットフィルタ、近赤外線カットフィルタの製造方法、および固体撮像素子 | |
US6965191B2 (en) | Display filter, display apparatus, and method for production of the same | |
US8124324B2 (en) | Laminated diffractive optical element and resin composition therefor | |
WO2016125792A1 (ja) | 光選択透過型ガラスおよび積層基板 | |
JP5693949B2 (ja) | 光学フィルタ | |
WO2017104735A1 (ja) | 近赤外線吸収組成物、近赤外線カットフィルタ、近赤外線カットフィルタの製造方法、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置 | |
JP7006617B2 (ja) | 光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 | |
WO2013161767A1 (ja) | 光学素子 | |
WO2016035245A1 (ja) | 積層体、ならびに撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 | |
JP6602396B2 (ja) | 近赤外線吸収組成物、近赤外線カットフィルタの製造方法、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュール、赤外線センサおよび赤外線吸収剤 | |
JP2015068853A (ja) | 積層体、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 | |
WO2018030247A1 (ja) | 近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置 | |
JP2012137646A (ja) | 光学フィルタ | |
JP2006058896A (ja) | プラズマディスプレイ用フィルタ、表示装置およびその製造方法 | |
TWI753299B (zh) | 光學濾波器及其用途 | |
JP6136661B2 (ja) | 近赤外線カットフィルタ | |
KR20210033914A (ko) | 광학 부재 및 카메라 모듈 | |
JP2004045887A (ja) | 光学フィルター | |
US9709706B2 (en) | Optical unit, imaging device, electronic apparatus, and master | |
CN104020515B (zh) | 传递模以及结构制造方法 | |
JP6955343B2 (ja) | 赤外線カットフィルタ及び撮像光学系 | |
JP2011237472A (ja) | 撮像用レンズ | |
JP2018180430A (ja) | 光学フィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201002 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211220 |