CN104020515B - 传递模以及结构制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及传递模以及结构制造方法。该传递模包括主体、第一层以及第二层。所述主体具有凸凹表面。所述第一层包含无机材料并且设置在所述主体的凸凹表面上。所述第二层包含氟并且设置在所述第一层的表面上。在其上设置所述第一和第二层的凸凹表面的硬度值的平均值为30Hv或更高。

Description

传递模以及结构制造方法

交叉引用相关申请

本申请要求于2013年3月1日提交的日本优先权专利申请JP2013-041075的权益，该案之全文并入本文中，以作参考。

技术领域

本技术涉及一种传递模（transfer mold）以及一种结构制造方法，并且更尤其地涉及一种具有凸凹表面的传递模。

背景技术

迄今为止，在压印模中，为了提高在模具与工件之间的可释放性，使用了一种技术，该技术通过在模具的表面中应用氟化合物或硅油来减少表面能量。

已经提出了以下技术，用于提高模具的可传递性。

Willson等人已经提出了以下技术。使用作为包含氯氟碳树脂聚合物的硅烷偶联剂的十三氟-1,1,2,2-四氢辛基三氯硅烷，对具有非常细微的结构的石英模具进行表面处理，以便形成氟碳树脂聚合物化学吸附膜。在该技术中，通过形成在模具的表面上的化学吸附膜，减少表面能量，从而提高模具的可释放性（参考M.Colburn,S.Johnson,M.Stewart,S.Damle,T.Bailey,B.Choi.M.Wedlake,T.Michaelson,S.V.Sreenivasan,J.Ekerdt andC.G.Willson,Proc.of SPIE3676,(1999)378,and T.Bailey,B.J.Choi,M.Colburn,M.Meissl,S.Shaya,J.G.Ekerdt,S.V.Screenivasan,C.G.Willson；“Step and FlashImprint Lithography:Template Surface Treatment and Defect Analysis”，J.Vac.Sci.Technol.B,18(6),3572-3577(2000)）。

日本未经审查的专利申请公开号2012-044019公开了一种技术，用于在模具的传递形状或传递基底上形成润湿性变化层。该润湿性变化层能够通过应用具有第一波长的光以及具有第二波长的光，来相对于水可逆地改变接触角度。该公开描述了通过该技术获得以下优点。可控制湿润性变化层的湿润性，以便可提高在模具的传递形状内的工件的荷电率。还可控制湿润性变化层的湿润性，以便可保证硬化工件的模具的可释放性。通过这些优点，可稳定地形成具有高精度的图案。此外，甚至在重复使用模具的工序中，实现稳定的图案形成。

日本未经审查的专利申请公开号2011-207221公开了一种技术，用于通过将树脂模具的表面的氟元素浓度（Es）设为高于在形成树脂模具的树脂内的平均氟元素浓度（Es），来提高在树脂模具与传递材料树脂之间的可释放性。

发明内容

因此，可取地提供了一种具有优异的可传递性的传递模以及一种结构制造方法。

根据本技术的一个实施方式，提供了一种传递模，包括：主体，其具有凸凹表面；第一层，其包含无机材料，设置在所述主体的凸凹表面上；以及第二层，其包含氟，设置在所述第一层的表面上。在其上设置第一和第二层的凸凹表面的硬度值的平均值为30Hv或更高。

根据本技术的一个实施方式，提供了一种结构制造方法。该制造方法包括：通过将传递模的形状传递给传递材料，来形成光学单元。传递模包括：主体，其具有凸凹表面；第一层，其包含无机材料，设置在所述主体的凸凹表面上；以及第二层，其包含氟，设置在所述第一层的表面上。在其上设置第一和第二层的凸凹表面的硬度值的平均值为30Hv或以上。

根据本技术的一个实施方式，能够提供具有优异的可传递性的传递模。

附图说明

图1A为示出根据本技术的第一实施方式的光学单元的配置的一个实例的平面图；

图1B为在图1A中所示的光学单元的表面的一部分的放大透视图；

图2A为在图1A中所示的光学单元的表面的一部分的放大平面图；

图2B为沿着图2A的线IIB-IIB截取的剖视图；

图2C为沿着图2A的线IIC-IIC截取的剖视图；

图3为在图2B中所示的光学单元的表面的一部分的放大剖视图；

图4为示出光学单元的波面的横截面的面积S相对于波面的幅度A的变化的示图；

图5A为根据本技术的第一实施方式的复制母版（master）的配置的一个实例的平面图；

图5B为在图5A中所示的复制母版的表面的一部分的放大透视图；

图6A为在图5A中所示的复制母版的表面的一部分的放大平面图；

图6B为沿着图6A的线VIB-VIB截取的剖视图；

图6C为沿着图6A的线VIC-VIC截取的剖视图；

图7为在图6B中所示的复制母版的表面的一部分的放大剖视图；

图8为示出复制母版的波面的横截面的面积S相对于波面的幅度A的变化的示图；

图9A为滚轴母版的配置的一个实例的透视图；

图9B为在图9A中所示的滚轴母版的一部分的放大平面图；

图9C为沿着图9B的线IXC-IXC截取的剖视图；

图9D为沿着图9B的线IXD-IXD截取的剖视图；

图10为示出用于形成滚轴母版的滚轴母版曝光装置的配置的一个实例的示意图；

图11A到图11C示出了根据本技术的第一实施方式的光学单元的制造方法的一个实例；

图12A到图12C示出了根据本技术的第一实施方式的光学单元的制造方法的一个实例；

图13A到图13E示出了根据本技术的第一实施方式的光学单元的制造方法的一个实例；

图14A为示出根据第一修改例的光学单元的配置的一个实例的剖视图；

图14B为示出根据第一修改例的复制母版的配置的一个实例的剖视图；

图15为示出根据第二修改例的光学单元的配置的一个实例的平面图；

图16A为根据第五修改例的光学单元的波面的一部分的放大透视图；

图16B为根据第五修改例的光学单元的一部分的放大剖视图；

图17A为根据第五修改例的复制母版的表面的一部分的放大透视图；

图17B为根据第五修改例的复制母版的一部分的放大剖视图；

图18A为示出根据第六修改例的光学单元的配置的一个实例的透视图；

图18B为沿着图18A的线XVIIIB-XVIIIB截取的剖视图；

图19为示出根据本技术的第二实施方式的成像装置的配置的一个实例的示意图；

图20为示出根据本技术的第三实施方式的成像装置的配置的一个实例的示意图；

图21为示出根据本技术的第四实施方式的显示装置的配置的一个实例的透视图；

图22A为示出根据本技术的第五实施方式的显示装置的配置的一个实例的透视图；

图22B为示出根据一个修改例的显示装置的配置的一个实例的分解透视图；

图23A为示出根据本技术的第六实施方式的电视机的一个实例的外观图；

图23B为示出根据本技术的第六实施方式的笔记本式个人计算机的一个实例的外观图；

图24A为示出根据本技术的第六实施方式的蜂窝电话的一个实例的外观图；

图24B为示出根据本技术的第六实施方式的平板电脑的一个实例的外观图；

图25示出了在每个复制母版的ITO层的厚度与参考实例1-1到1-4、2、3-1到3-5以及4的每个光学薄片的平均反射比之间的关系；以及

图26示出了参考实例1-1、1-2、5以及6的每个光学薄片的反射光谱。

具体实施方式

下面，按照以下顺序描述本技术的实施方式。

1、第一实施方式（光学单元和复制母版（master）的实例）

2、第二实施方式（成像装置的实例）

3、第三实施方式（成像装置的实例）

4、第四实施方式（显示装置的实例）

5、第五实施方式（显示装置的实例）

6、第六实施方式（电子设备的实例）

1、第一实施方式

【光学单元的配置】

图1A为示出根据本技术的第一实施方式的光学单元1的配置的一个实例的平面图。图1B为在图1A中所示的光学单元1的表面的一部分的放大透视图。图2A为在图1A中所示的光学单元1的表面的一部分的放大平面图。图2B为沿着图2A的线IIB-IIB截取的剖视图。图2C为沿着图2A的线IIC-IIC截取的剖视图。在本说明书中，在光学单元1的表面上的平面内彼此垂直的两个方向称为“X轴方向”和“Y轴方向”，并且与光学单元1的该表面垂直的方向称为“Z轴方向”。在光学单元1的平面（XY平面）内，相对于X轴方向形成预定角度θ的方向称为“θ方向”。

作为具有防反射功能的光学单元（微观结构）的光学单元1适当地用于光照射（imping）的表面中。更具体而言，光学单元1适当地用于光学元件、光学系统、光学仪器、成像装置以及电子设备的表面中。光学元件的实例是透镜、滤波器、半透反射镜、调光器元件、棱镜以及偏振元件，然而，光学元件不限于此。成像装置的实例是照相机和摄像机，然而，成像装置不限于此。光学仪器的实例是望远镜、显微镜、曝光装置、测量装置、检查装置以及分析装置，然而，光学仪器不限于此。电子设备的实例是数码相机、数字摄像机、触控面板（输入装置）、显示装置、电视机、个人电脑（PC）、蜂窝电话以及平板电脑，然而，电子设备不限于此。

光学单元1在光学单元1的至少一个表面上具有波面Sw。在图2B和2C中，通过实例显示了光学单元1在一个表面上具有波面Sw的配置。光学单元1包括形状层3。必要时，光学单元1还可包括基底构件2，在这种情况下，形状层3可设置在基底构件2的至少一个表面上。如果光学单元1仅仅由形状层3构成，那么形状层3最好直接设置在光学元件（例如，透镜或滤波器）的表面上。光学单元1优选地具有可挠性，这是因为这更容易将光学单元1应用表面中，例如，显示表面或输入表面。如果光学单元1仅仅在其一个表面上具有波面Sw，那么还可在与波面Sw相反的另一个表面（在后文中，这种表面称为“背面”）上具有涂层。通过这种配置，可为光学单元1的背面提供耐磨性。硬涂层可用作这种涂层。

（基底构件）

基底构件2例如为透明构件。有机材料（例如，塑料材料）或无机材料（例如，玻璃）可用作基底构件2的材料。在耐光性方面，优选地使用无机材料，例如，玻璃。

钠钙玻璃、铅玻璃、硬质玻璃、石英玻璃或液晶玻璃（参看由日本化学会编辑的“Handbook of Chemistry”基础版（Kagaku Binran kiso-hen）、P.I-537）用作玻璃。作为塑料材料，在光学特性（例如，透明度、折射率以及漫射）以及各种其他特性（例如，抗冲击性、耐热性以及耐久性）方面，优选地利用：（甲基）丙烯酸树脂，例如，聚甲基丙烯酸甲酯或甲基丙烯酸甲酯和另一个烷基（甲基）丙烯酸脂或乙烯基单体（例如，苯乙烯）的共聚物；聚碳酸酯树脂，例如，聚碳酸酯或二甘醇二烯丙基碳酸酯（CR-39）；热塑性（甲基）丙烯酸树脂，例如，（溴化）双酚A二（甲基）丙烯酸脂的均聚物或共聚物或（溴化）双酚A单（甲基）丙烯酸脂的聚氨酯改性单体的聚合物或共聚物；聚酯（尤其是聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯以及不饱和聚酯）、丙烯腈苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚氨酯、环氧树脂、聚芳酯、聚醚砜、聚醚酮、环烯聚合物（商标名：ARTON和Zeonor）以及环烯共聚物。或者，在耐热性方面，可使用芳纶树脂。

如果塑料材料用作基底构件2，以便进一步提高塑料表面上的表面能量、应用性能、滑动性能以及平坦度，涂底层可设置为基底构件2的表面处理。有机烷氧基甲硅烷基金属化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯或聚氨酯可用作涂底层。或者，在基底构件2的表面上可进行电晕放电或紫外线（UV）照射，在这种情况下，可实现与提供涂底层所获得的那些优点相似的优点。

例如，基底构件2可形成为例如薄膜型、薄片型或方框型形状。然而，基底构件2不特别限于这些形状。假设薄膜型形状包括薄片型形状。基底构件2的厚度例如大约为25到500μm。如果基底构件2由塑料膜制成，那么拉伸上述树脂，或者使用溶剂稀释上述树脂，并且将树脂形成为薄膜型形状并且使其干燥，从而可获得该基底构件。基底构件2可为形成应用光学单元1的构件或装置的元件。

基底构件2的表面配置不限于平面，但是可为凸凹面、多边形表面、曲面或其组合。曲面的实例为部分球面、部分椭圆形表面、部分抛物面以及自由曲面。部分球面、部分椭圆形表面以及部分抛物面分别是球面、椭圆形表面以及抛物面的局部表面。

（形状层）

形状层3例如为透明层。形状层3包括选自由辐射固化树脂成分、热固性树脂成分以及热塑性树脂成分构成的组的至少一个成分。必要时，形状层3还可包含添加剂，例如，聚合引发剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、催化剂、抗静电剂、助滑添加剂、均化剂、防沫剂、聚合加速剂、抗氧化剂、阻燃剂、红外吸收剂、表面活性剂、表面改性剂、触变剂以及可塑剂。

形状层3具有三维波面Sw。由于提供了该波面Sw，所以为光学单元1的表面提供防反射功能。在图2B和2C中，通过实例显示了光学单元1在光学单元1的一个表面上具有波面Sw的配置。

波面Sw例如在光学单元1的平面内方向（XY平面内方向）具有周期性特征。在图2A到2C中所示的实例中，波面Sw例如在两个方向（例如，X轴方向和θ方向）具有周期性特征。波面Sw的波长λ在光学单元1的平面内方向（XY平面内方向）可具有各向异性特征。在图2A到2C中所示的实例中，波面Sw的波长λ在两个方向（例如，X轴方向和θ方向）具有各向异性特征，并且在X轴方向的波长λ是λ1，而在θ方向的波长λ是λ2。在X轴方向的波长λ1和在θ方向的波长λ2满足例如由λ1>λ2表示的关系。波面Sw的幅度a在光学单元1的平面内方向（XY平面内方向）可具有各向异性特征。在图2B和2C中所示的实例中，波面Sw的幅度a在两个方向（例如，X轴方向和θ方向）具有各向异性特征，并且在X轴方向的幅度a是a1，而在θ方向的幅度a是a2。在X轴方向的幅度a1和在θ方向的幅度a2满足例如由a1<a2表示的关系。

波面Sw的波长λ优选地为与可见光的波长相等或者比其短的波长。如果波面Sw的波长λ与可见光的波长相等或者比其短，那么可为光学单元1的表面提供可见光的防反射功能。如果波面Sw的波长λ具有各向异性特征，那么假设波面Sw的最长波长是波面Sw的波长λ。如图2A到2C中所示，如果在X轴方向的波长λ是λ1并且在θ方向的波长λ是λ2（<λ1），那么假设在X轴方向的波长λ1（是波面Sw的最长波长）是波面Sw的波长λ。可见光的波长λ是包含在360到830nm的波长范围内的波长。

波面Sw的波长λ优选地为130nm或更长。如果波面Sw的波长λ为130nm或更长，那么形状层3可形成为具有精确的形状，从而获得高防反射功能。如果波面Sw的波长λ具有各向异性特征，那么假设波面Sw的最短波长是波面Sw的波长λ。如图2A到2C中所示，如果在X轴方向的波长λ是λ1并且在θ方向的波长λ是λ2（<λ1），那么假设在θ方向的波长λ2（是波面Sw的最短波长）是波面Sw的波长λ。

波面Sw的幅度a优选地为130nm或更长。如果波面Sw的幅度a为130nm或更长，那么形状层3可形成为具有精确的形状，从而获得高防反射功能。如果波面Sw的幅度a具有各向异性特征，那么假设波面Sw的最短幅度是波面Sw的幅度a。如图2B和2C中所示，如果在X轴方向的幅度a是a1并且在θ方向的幅度a是a2（>a1），那么假设在θ方向的幅度a1（是波面Sw的最短幅度）是波面Sw的幅度a。

波面Sw的幅度a优选地为10000nm或更短。如果波面Sw的幅度a为10000nm或更短，那么可获得防止可见光和红外光范围反射的防反射功能。如果波面Sw的幅度a具有各向异性特征，那么假设波面Sw的最长幅度是波面Sw的幅度a。如图2B和2C中所示，如果在X轴方向的幅度a是a1并且在θ方向的幅度a是a2（>a1），那么假设在θ方向的幅度a2（是波面Sw的最长幅度）是波面Sw的幅度a。

图3为在图2B中所示的光学单元1的表面的一部分的放大剖视图。波面Sw具有曲面c，该曲面在顶端Pt与底部Pb之间相对于光学单元1的表面弯曲成凹入形状。曲面c优选地从顶端Pt朝着底部Pb略微倾斜。曲面c的梯度是横截面（即，横截面剖面）的形状的梯度，通过在与波面Sw的振动方向（Z轴方向）平行的平面内包含其底部点，切过波面Sw，从而获得该横截面。

图4为示出光学单元1的波面Sw的横截面的面积S相对于波面Sw的幅度A的变化的示图。在图4中，波面Sw的振动的最小位置P_min设为参考值0，并且波面Sw的振动的最大位置P_max设为+a。波面Sw的振动的最大位置P_max指的是波面Sw提升到光学单元1的表面上（在XY平面内）的最高位置的位置。波面Sw的振动的最小位置P_min表示波面Sw降低到光学单元1的表面上（在XY平面内）的最低位置的位置。

如图3中所示，通过在与波面Sw的振动方向垂直的平面内切过波面Sw来获得的横截面的面积限定为面积S。如图4中所示，拐点Pi指示相对于波面Sw的振动方向的表示面积S的曲线方向的变化。面积S的拐点Pi从波面Sw的振动中心朝着波面Sw的底部Pb。通过这种配置，即使波面Sw具有在顶端Pt与底部Pb之间弯曲成凹入形状的曲面c，但是可提高防反射特征。波面Sw的振动中心位于朝着+Z轴方向与波面Sw的振动的最小位置P_min相距a/2距离的位置。波面Sw的振动方向是与XY平面垂直的Z轴方向。

在从波面Sw的振动的最大位置P_max到朝着-Z轴方向相距a/10距离（a是波面Sw的幅度）的位置的范围内的波面Sw的元件的体积由va表示，并且在从波面Sw的振动的最小位置P_min到朝着+Z轴方向相距a/10距离的位置的范围内的波面Sw的元件的体积由vb表示。在这种情况下，va和vb优选地满足由va<vb表示的关系。通过这种关系，可提高防反射特征。在这种情况下，从在其上形成波面Sw的表面来看，假设远离波面Sw的方向是+Z轴方向，并且假设更靠近波面Sw的方向是-Z轴方向。

如果在从波面Sw的振动的最小位置P_min到最大位置P_max的范围内的波面Sw的元件的体积限定为体积V，那么体积va与体积V的比率R（R=(va/V)×100）优选地为10%或更小。通过这样的比率R，可提高防反射特征。

如图1B中所示，使用与可见光的波长相等或比其更短的间距，二维地设置多个凹点4，从而形成波面Sw。如果光学单元1包括基底构件2，那么中间层5可设置在凹点4与基底构件2之间。如图2A中所示，凹点4设置为使多行轨道T1、T2、T3等（在后文中也可统称为“轨道T”）形成在光学单元1的表面上。在该说明书中，轨道由其中连续地设置凹点4的直线构成。列方向是与轨道在基底构件2的表面（在XY平面内）上延伸的方向（X轴方向）垂直的方向。

凹点4设置为使这些凹点在两个相邻的轨道T之间彼此相距半个间距。更具体而言，在设置在一个轨道T（例如，T1）内的凹点4的中间位置，定位设置在相邻的轨道T（例如，T2）内的凹点4的端部，以便设置在相邻的轨道内的凹点4彼此相距半个间距。结果，如图2A中所示，凹点4设置为形成六角晶格图案或类六角晶格图案，其中，在三个相邻的轨道T1到T3之中，凹点4的中心位于点a1到a7上。六角晶格是具有等边六边形的形状的晶格。类六角晶格是具有变形六边形的形状的晶格，与具有等边六边形的形状的晶格不同。例如，如果线性设置凹点4，那么类六角晶格是通过在凹点4的设置的线性方向（轨道方向）延伸具有等边六边形的形状的晶格从而变形的六角晶格。如果凹点4设置为曲折的形状，那么类六角晶格是通过根据凹点4的曲折设置使具有等边六边形的形状的晶格变形从而获得的六角晶格或者通过在凹点4的设置的线性方向（轨道方向）延伸具有等边六边形的形状的晶格并且通过根据凹点4的曲折设置使具有该晶格变形从而获得的六角晶格。

如果如图2A中所示，凹点4设置为形成类六角晶格图案，那么在相同的轨道（例如，T1）内的凹点4的设置中的间距p1（在a1和a2之间）可比在两个相邻的轨道（例如，T1和T2）之间的凹点4的设置中的间距更长，其中，相邻的轨道之间的间距即，相对于轨道的延伸方向（X轴方向）在±θ方向设置的凹点4的间距p2（例如，在a1和a7或者a2和a7之间）。

为了容易成型，凹点4优选地具有锥形或通过在轨道方向延伸或收缩锥形从而获得的锥形。凹点4优选地具有轴对称的锥形或通过在轨道方向延伸或收缩轴对称的锥形从而获得的轴对称的锥形。

为了使用后面讨论的制造方法来形成光学单元1，凹点4优选地具有锥形，该锥形具有基底，在该基底中，在轨道的延伸方向（X轴方向）的长度比在与规定的延伸方向垂直的列方向（Y轴方向）的宽度更长。更具体而言，凹点4优选地具有椭圆金字塔形状，其中，基底具有椭圆圆形、长圆形或具有长轴和短轴的椭圆形，并且顶点具有曲面。

虽然在图1A到2C中，凹点4形成为具有相同的形状，但是也可形成为具有不同的形状。例如，具有两个或多个不同形状的凹点4可设置在基底构件2的表面上。

在光学单元1的平面内方向（XY平面内方向），例如，在预定的方向，以预定的间距设置凹点4。在图2A到2C中所示的实例中，在X轴方向并且在θ方向，以预定的间距设置凹点4。在凹点4的设置中的间距p在光学单元1的平面内方向（XY平面内方向）可具有各向异性特征。在图2A到2C中所示的实例中，在凹点4之间的间距p在X轴方向并且在θ方向具有各向异性特征。在X轴方向的间距由间距p1表示，而在θ方向的间距由间距p2表示。在这种情况下，间距p1和p2满足例如由p1>p2表示的关系。凹点4的深度d在光学单元1的平面内方向（XY平面内方向）可具有各向异性特征。在图2B到2C中所示的实例中，凹点4的深度d在X轴方向并且在θ方向具有各向异性特征。在X轴方向的凹点4的深度d由d1表示，而在θ方向的凹点4的深度d由d2表示。在这种情况下，凹点4的深度d1和d2满足例如由d1<d2表示的关系。

在凹点4的设置中的间距p优选地具有与可见光的波长相等或者比其短的波长。如果凹点4的间距p与可见光的波长相等或者比其短，那么可为光学单元1的表面提供防止可见光反射的防反射功能。如果在凹点4的设置中的间距p具有各向异性特征，那么假设在凹点4的设置中的最大间距p是在凹点4的设置中的间距p。如图2A到2C中所示，如果在X轴方向的间距p是p1并且在θ方向的间距p是p2（<p1），那么假设X轴方向的间距p（在凹点4的设置中的最大间距p）是在凹点4的设置中的间距p。

在凹点4的设置中的间距p优选地为130nm或更大。如果在凹点4的设置中的间距p为130nm或更大，那么形状层3可形成为具有精确的形状，从而获得高防反射功能。如果在凹点4的设置中的间距p具有各向异性特征，那么假设在凹点4的设置中的最小间距是在凹点4的设置中的间距p。如图2A到2C中所示，如果在X轴方向的间距p是p1并且在θ方向的间距p是p2（<p1），那么假设在θ方向的间距p2（是在凹点4的设置中的最小间距p）是在凹点4的设置中的间距p。

凹点4的深度d优选地为130nm或更大。如果凹点4的深度d为130nm或更大，那么形状层3可形成为具有精确的形状，从而获得高防反射功能。如果凹点4的深度d具有各向异性特征，那么假设凹点4的最小深度d是凹点4的深度d。如图2B和2C中所示，如果在X轴方向的凹点4的深度d是d1并且在θ方向的凹点4的深度d是d2（>d1），那么假设在X方向的深度d1（是凹点4的最小深度d）是凹点4的深度d。

凹点4的深度d优选地为10000nm或更小。如果凹点4的深度d为10000nm或更小，那么可获得防止可见光和红外光反射的防反射功能。如果凹点4的深度d具有各向异性特征，那么假设凹点4的最大深度d是凹点4的深度d。如图2B和2C中所示，如果在X轴方向的深度d是d1并且在θ方向的深度d是d2（>d1），那么假设在θ方向的深度d2（是凹点4的最大深度d）是凹点4的深度d。

凹点4的深度d不必相同，相反，凹点4可具有某个深度分布。深度分布表示在基底构件2的表面上形成具有两个或多个深度d的凹点4。即，具有参考深度d的凹点4和具有与该参考深度d不同的深度d的凹点4设置在基底构件2的表面上。具有与该参考深度d不同的深度d的凹点4例如规则地或任意地设置在基底构件2的表面上。在轨道的延伸方向（X轴方向）或在列方向（Y轴方向），可规则地设置这种凹点4。

相邻凹点4的开口的端部部分可彼此连接。例如，在轨道方向（X轴方向）、在θ方向或者在轨道方向和θ方向，凹点4的开口的端部部分可彼此连接。

【复制母版的配置】

图5A为根据本技术的第一实施方式的复制母版11的配置的一个实例的平面图。图5B为在图5A中所示的复制母版11的表面的一部分的放大透视图。图6A为在图5A中所示的复制母版11的表面的一部分的放大平面图。图6B为沿着图6A的线VIB-VIB截取的剖视图。图6C为沿着图6A的线VIC-VIC截取的剖视图。在本说明书中，在复制母版11的表面上的平面内彼此垂直的两个方向称为“X轴方向”和“Y轴方向”，并且与复制母版11的该表面垂直的方向称为“Z轴方向”。在复制母版11的平面（XY平面）内，相对于X轴方向形成预定角度θ的方向称为“θ方向”。

作为传递模的复制母版11是用于形成如上所述进行配置的光学单元1的母版，并且更具体而言，是用于在上述光学单元1的表面上形成波面Sw的母版。复制母版11形成为例如薄膜型、薄片型或方框型形状，并且复制母版11的表面用作成型表面，用于在光学单元1的表面上形成波面Sw。在该成型表面上形成作为凸凹表面的三维波面Sw2。波面Sw2的波长λ优选地为与可见光的波长相等或比其更短的波长。

波面Sw2的硬度值的平均值为30Hv或更高，优选地在从37.1Hv到7000Hv的范围内。如果硬度值的平均值低于30Hv，那么可能减小可传递性。另一方面，如果硬度值的平均值超过7000Hv，那么也可能减小可传递性。复制母版11还可包括涂层，该涂层设置在与波面Sw2相反的另一个表面上（在后文中，这种表面称为“背面”）。通过该配置，可为复制母版11的背面提供耐磨性。硬涂层可用作这种涂层。

在进行形状传递时要应用的能量辐射（energy radiation）（例如，波长等于可见光的波长或者比其短的光）的反射比优选地为4%或更小。其原因在于，能够促进将能量辐射用于复制母版11的背面中并且固化传递材料。能量辐射的反射比指的是从波面Sw2的侧边在波面Sw2上垂直地照射能量辐射时的能量辐射的反射比，该波面是凸凹表面。为了减少在进行形状传递时应用的能量辐射的反射量，波面Sw2优选地具有与能量辐射（例如，可见光）的波长相等或比其更短的波长。

复制母版11具有波面（第一波面）Sw1和设置在第一波面Sw1上的波面（第二波面）Sw2。波面Sw2的幅度a优选地比波面Sw1的幅度更长。通过这种配置，可提高防反射特征。

复制母版11在复制母版11的一个表面上具有波面Sw2。复制母版11包括表面形状层13。必要时，复制母版11还可包括基底构件12，在这种情况下，表面形状层13可设置在基底构件12的一个表面上。为了在曲面上进行形状传递，复制母版11优选地具有可挠性。更具体而言，复制母版11优选地具有可弯曲和/弯成曲线的配置。

（基底构件）

基底构件12与光学单元1的基底构件2相似。基底构件12的厚度优选地在从0.5×10^-6到2.0×10^-4m的范围内。如果基底构件12的厚度小于0.5×10^-6m，那么可损害可传递性。另一方面，由于能量辐射的透射率降低，所以难以为复制母版11的背面应用能量辐射，并且难以固化传递材料。

（表面形状层）

表面形状层13包括基底形状层14、设置在基底形状层14的表面上的第一层15a以及设置在第一层15a的表面上的第二层15b。如果复制母版11也包括基底构件12，那么基底形状层14设置在基底构件12的表面上。如果复制母版11仅仅由表面形状层13构成，那么基底形状层14用作复制母版11的主体。如果复制母版11也包括基底构件12，那么基底构件12和基底形状层14用作复制母版11的主体。为了提高在基底构件12和基底形状层14之间的粘合性，粘合层可设置在基底构件12和基底形状层14之间。

基底形状层14例如对能量辐射透明或不透明。基底形状层14包括无机材料和有机材料中的至少一个。作为有机材料，基底形状层14包括选自由辐射固化树脂成分、热固性树脂成分以及热塑性树脂成分构成的组中的至少一个成分。必要时，基底形状层14还可包含添加剂，例如，聚合引发剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、催化剂、着色剂、抗静电剂、助滑添加剂、均化剂、防沫剂、聚合加速剂、抗氧化剂、阻燃剂、红外吸收剂、表面活性剂、表面改性剂、触变剂以及可塑剂。

第一和第二层15a和15b对能量辐射透明或不透明。为了为复制母版11的背面应用能量辐射并且固化传递材料，第一和第二层15a和15b优选地对能量辐射透明。

第一层15a包括例如无机材料。例如，介电质、半导体或金属可用作无机材料。在透明度方面，优选地使用介电质或透明氧化物半导体。

例如，氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物或其混合物可用作介电质。氧化物的实例是选自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi以及Mg构成的组中的至少一个元素的氧化物。氮化物的实例是选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta以及Zn构成的组中的至少一个元素的氮化物，并且优选地是选自由Si、Ge以及Ti构成的组中的至少一个元素的氮化物。硫化物的实例是硫化锌。碳化物的实例是选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta以及W构成的组中的至少一个元素的碳化物，并且优选地是选自由Si、Ti以及W构成的组中的至少一个元素的碳化物。氟化物的实例是选自由Si、Al、Mg、Ca以及La构成的组中的至少一个元素的氟化物。这种化合物的混合物的实例是ZnS-SiO₂、SiO₂-Cr₂O₃-ZrO₂(SCZ)、In₂O₃-SnO₂(ITO)、In₂O₃-CeO₂(ICO)、In₂O₃-Ga₂O₃(IGO)、Sn₂O₃-Ta₂O₅(TTO)以及TiO₂-SiO₂。

透明氧化物半导体优选地用作半导体。例如，二元化合物（例如，SnO₂、InO₂、ZnO以及CdO）、包含Sn、In、Zn以及Cd（是形成二元化合物的元素）中的至少一个元素的三元化合物或多元（复合）氧化物可用作透明氧化物半导体。透明氧化物半导体的特定实例是铟锡氧化物（ITO）、氧化锌（ZnO）、铝掺杂氧化锌（AZO（Al₂O₃、ZnO））、SZO、氟掺杂氧化锡（FTO）、二氧化锡（SnO₂）、镓掺杂氧化锌（GZO）以及氧化铟锌（IZO（In₂O₃、ZnO））。尤其地，在高可靠性和低电阻方面，优选地使用铟锡氧化物（ITO）。透明氧化物半导体的状态的实例是非晶态、晶态以及非晶-多晶混合物状态。

例如，过渡金属可用作金属。过渡金属的实例是Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru以及Ag。

第二层15b优选地为包括含氟化合物的层。例如，包含全氟聚醚组、全氟烃基组或作为终端的六氟丙烯组的硅烷偶联剂、硅烷低聚物、乙醇、乙醚、胺、酯、酸酐、乙缩醛、酸、磷酸或乙烯基可用作含氟化合物。或者，可使用通过混合由有机改性烷氧基硅烷或四烷氧硅烷的水解作用合成的低聚物和上述化合物来获得的材料。

现在，假设在波面Sw2的振动的最大位置P_max的第一层15a的厚度由D1表示，在波面Sw2的斜面上的第一层15a的厚度由D2表示，并且在波面Sw2的振动的最小位置P_mim的第一层15a的厚度由D3表示。在这种情况下，厚度D1、D2和D3优选地满足由D1>D3表示的关系，并且更优选地满足由D1>D3>D2表示的关系。

第一层15a的厚度优选地在从1.0×10^-10到2.0×10^-7m的范围内。如果第一层15a的厚度小于1.0×10^-10m，那么在通过真空涂覆来形成时，第一层15a可形成为岛型形状，以使得可能不获得预期为第一层15a的特征。另一方面，如果第一层15a的厚度超过2.0×10^-7m，那么可能降低透射率。第一层15a的厚度指的是在波面Sw2的振动的最大位置P_max的第一层15a的厚度。

在第二层15b的表面上提供波面Sw2。通过设置第一和第二层15a和15b，来形成波面Sw2，以与波面Sw1的形状相似。更具体而言，波面Sw2由二维设置的多个表面结构16b构成。表面结构16b相对于复制母版11的表面形成为凸出形状。表面结构16b均包括基底结构16a和第一和第二层15a和15b。第一和第二层15a和15b设置在基底结构16a的表面上，以与基底结构16a的形状相似。

在基底形状层14的表面上提供波面Sw1。波面Sw1由二维设置的多个基底结构16a构成。基底结构16a相对于复制母版11的表面形成为凸出形状。必要时，基底形状层14可包括在基底构件12与基底结构16a之间的中间层17。中间层17在基底结构16a的底部与基底结构16a一体地形成，并且由与基底结构16a的材料相同的材料制成。

基底形状层14的厚度优选地在从0.5×10^-7到1.0×10^-4m的范围内。如果基底形状层14的厚度小于0.5×10^-7m，那么难以为基底形状层14提供形状。另一方面，如果基底形状层14的厚度超过1.0×10^-4m，那么基底形状层14可能退化。基底形状层14的厚度指的是在波面Sw1的振动的最大位置P_max的基底形状层14的厚度。

复制母版11的波面Sw2的凸出部分和凹入部分分别具有光学单元1的波面Sw的凸出部分和凹入部分的倒转形状（即，波面Sw2和波面Sw具有倒转关系）。即，复制母版11的波长λ和幅度a与光学单元1的波长和幅度相似。

在复制母版11的成型表面上形成的多个表面结构16b的凸出部分和凹入部分分别具有在光学单元1的表面上形成的多个凹点4的凸出部分和凹入部分的倒转形状（即，表面结构16b和凹点4具有倒转关系）。即，复制母版11的表面结构16b的设置、尺寸、形状、间距p以及高度h与光学单元1的凹点4的设置、尺寸、形状、间距以及高度相似。然而，在这种情况下，复制母版11的表面结构16b的高度h与光学单元1的凹点4的深度d对应。

图7为在图6B中所示的复制母版11的表面的一部分的放大剖视图。波面Sw2具有曲面c，该曲面在顶端Pt与底部Pb之间相对于复制母版11的表面弯曲成凸出形状。曲面c优选地从顶端Pt朝着底部Pb更大幅地逐渐倾斜。曲面c的梯度是横截面（即，横截面剖面）的形状的梯度，通过在与波面Sw2的振动方向（Z轴方向）平行的平面内包含其顶点，切过波面Sw2，从而获得该横截面。

图8为示出复制母版11的波面Sw2的横截面的面积S相对于波面Sw2的幅度A的变化的示图。在图8中，波面Sw2的振动的最小位置P_min设为参考值0，并且波面Sw2的振动的最大位置P_max设为+a。波面Sw2的振动的最大位置P_max指的是波面Sw2提升到复制母版11的表面上（在XY平面内）的最高位置的位置。波面Sw2的振动的最小位置P_min表示波面Sw2降低到复制母版11的表面上（在XY平面内）的最低位置的位置。

如图7中所示，通过在与波面Sw2的振动方向垂直的平面内切过波面Sw2来获得的横截面的面积限定为面积S。如图8中所示，拐点Pi表示相对于波面Sw2的振动方向的表示面积S的曲线方向的变化。面积S的拐点Pi从波面Sw2的振动中心朝着波面Sw2的顶端Pt。波面Sw2的振动中心位于朝着+Z轴方向与波面Sw2的振动的最小位置P_min相距a/2距离的位置。波面Sw2的振动方向是与XY平面垂直的Z轴方向。

【滚轴母版的配置】

图9A为示出滚轴母版21的配置的一个实例的透视图。图9B为在图9A中所示的滚轴母版21的一部分的放大平面图。图9C为沿着图9B的线IXC-IXC截取的剖视图。图9D为沿着图9B的线IXD-IXD截取的剖视图。在本说明书中，在滚轴母版21的表面上的平面内彼此垂直的两个方向称为“X轴方向”和“Y轴方向”，并且与滚轴母版21的该表面垂直的方向称为“Z轴方向”。在滚轴母版21的平面（XY平面）内，相对于X轴方向形成预定角度θ的方向称为“θ方向”。

滚轴母版21是用于形成如上所述进行配置的复制母版11的母版，并且更具体而言，是用于在上述复制母版11的基底形状层14的表面上形成波面Sw1的母版。滚轴母版21具有圆柱形或管状形状，并且滚轴母版21的圆柱形或管状形状用作成型表面，用于在复制母版11的基底形状层14的表面上形成波面Sw1。在该成型表面上形成波面Sw3。波面Sw3由例如二维设置的多个凹点22构成。凹点22相对于成型表面形成为凹入形状。例如，玻璃可用作滚轴母版21的材料。然而，滚轴母版21的材料不限于玻璃。

滚轴母版21的波面Sw3的凸出部分和凹入部分分别具有复制母版11的波面Sw1的凹入部分和凸出部分的倒转形状（即，波面Sw3和波面Sw1具有倒转关系）。即，滚轴母版21的波面Sw3的波长λ和幅度a与复制母版11的波面Sw1的波长和幅度相似。

在滚轴母版21的成型表面上形成凹点22的凸出部分和凹入部分分别具有在复制母版11的表面上形成的多个表面结构16b的凹入部分和凸出部分的倒转形状（即，凹点22和表面结构16b具有倒转关系）。即，滚轴母版21的凹点22的设置、尺寸、形状、间距p以及深度d与复制母版11的基底结构16a的设置、尺寸、形状、间距以及深度相似。然而，在这种情况下，滚轴母版21的凹点22的深度d与复制母版11的基底结构16a的高度h对应。

（曝光装置的配置）

图10为示出用于形成滚轴母版21的滚轴母版曝光装置的配置的一个实例的示意图。在图10中所示的滚轴母版曝光装置的配置基于光学磁盘记录器。

激光光源31发射用于抗蚀层中的光，该抗蚀层在用作记录介质的滚轴母版21的表面上沉积。激光光源31发射波长λ例如为266nm的记录激光24。从激光光源31中发射的激光在作为准直光束的直线上前进，并且照射电光调制器（EOM）32。通过EOM32的激光24由反射镜33反射，并且输出到调制光学系统35中。

反射镜33由偏振光束分光器构成并且具有反射一个偏振分量并透射另一个偏振分量的功能。通过反射镜33的偏振分量由光电二极管34接收，并且根据表示由光电二极管34接收的偏振分量的信号，控制EOM32，从而在激光24上进行相位调制。

在调制光学系统35中，激光24由聚光透镜36聚集在由例如玻璃（SiO₂）制成的声光调制器（AOM）37上。然后，激光24通过AOM37进行强度调制并且发散。然后，激光24由透镜36形成为准直光束。然后，从调制光学系统35中输出的激光24由反射镜42反射，并且作为准直光束，水平地输出到便携式光学台43中。

便携式光学台43包括扩束器44和物镜45。输出到便携式光学台43中的激光24由扩束器44形成为期望的光束形状，然后，通过物镜45应用于在滚轴母版21上的抗蚀层中。将滚轴母版21放置在与主轴电机46连接的转盘47上。然后，在滚轴母版21正在旋转时，并且通过在图10中由箭头R表示的方向移动便携式光学台43，从而沿着滚轴母版21的高度移动激光24时，激光24间断地用于抗蚀层中，从而形成潜像。通过这种方式，执行将抗蚀层暴露到激光24中的步骤。潜像形成为在圆周方向具有长轴的大致椭圆形。

滚轴母版曝光装置包括控制机构41。控制机构41进行控制，以便可在抗蚀层上形成与滚轴母版21的凹点22的二维图案对应的潜像。控制机构41包括格式化器39和驱动器40。格式化器39包括极性变换器，该极性变换器控制将激光24用于抗蚀层的定时。驱动器40从极性变换器中接收输出并且控制AOM37。

在该滚轴母版曝光装置中，通过使极性变换格式化器信号与旋转控制器同步，为凹点22的二维图案的每个轨道生成信号，以便可在空间上链接二维图案。然后，根据所生成的信号，激光24通过AOM37进行强度调制。以恒定角速度（CAV）、适当的调制频率以及适当的导孔间距，通过适当的旋转速度进行图案化，可记录二维图案，例如，六角晶格图案。

【光学单元的制造方法】

图11A到11C示出了根据本技术的第一实施方式的光学单元1的制造方法的一个实例。

（抗蚀剂形成步骤）

首先，如图11A中所示，制备圆柱形或管状滚轴母版21。滚轴母版21例如为玻璃母版。然后，如图11B中所示，在滚轴母版21的表面上形成抗蚀层23。例如，有机抗蚀剂或无机抗蚀剂中的任一个可用作抗蚀层23的材料。例如，酚醛抗蚀剂或化学放大抗蚀剂可用作有机抗蚀剂。例如，金属化合物可用作无机抗蚀剂。

（曝光步骤）

然后，如图11C中所示，激光（曝光光束）24用于在滚轴母版21的表面上形成的抗蚀层23中。更具体而言，将滚轴母版21放置在图10中所示的滚轴母版曝光装置的转盘47上，然后，在滚轴母版21旋转时，激光（曝光光束）24用于抗蚀层23中。在这种情况下，激光24在沿着滚轴母版21的高度移动（在与圆柱形或管状滚轴母版21的中心轴平行的方向）时，该激光间断地施加于抗蚀层23中。通过这种方式，抗蚀层23的整个表面可暴露到激光24中。结果，在抗蚀层23的整个表面上形成根据激光24的路径的潜像25。

形成潜像25，以便构成多行轨道T并且在滚轴母版21的表面上形成预定晶格图案。潜像25具有圆形或椭圆形。如果潜像25具有椭圆形，那么椭圆形优选地在轨道T的延伸方向具有长轴。

（显影步骤）

然后，在滚轴母版21旋转时，在抗蚀层23上滴入显影剂，从而使抗蚀层23显影。在该显影步骤之后，在抗蚀层23上形成多个开口26，如图12A中所示。如果抗蚀层23是正性抗蚀剂，那么暴露到激光24中的一部分抗蚀层23比未暴露到激光24中的一部分更可溶。因此，在抗蚀层23上形成基于潜像（曝光部分）25的图案。开口26的图案例如为预定的晶格图案。

（蚀刻步骤）

然后，将在滚轴母版21的表面上形成的抗蚀层23的图案（抗蚀剂图案）用作掩膜，蚀刻滚轴母版21的表面。结果，如图12B中所示，可获得具有例如锥形的凹点22。锥形优选地为椭圆锥形或在轨道T的延伸方向具有长轴的椭圆截头锥形。作为蚀刻处理，例如，可进行干法刻蚀或湿法蚀刻。在这种情况下，通过交替地进行蚀刻和灰化，例如，可形成具有锥形的凹点22的图案。由于执行上述步骤，所以形成滚轴母版21。

（复制母版形成步骤）

然后，如图12C中所示，在滚轴母版21旋转时，滚轴母版21和用于基底构件12的表面中的传递材料27彼此密切接触，并且能量辐射（例如，紫外线辐射）也从能量辐射源28中施加于传递材料27中，从而固化传递材料27。然后，在滚轴母版21保持旋转时，从滚轴母版21的成型表面中松开与固化的传递材料27结合的基底构件12。然后，如图13A中所示，在基底构件12的表面上形成包括多个基底结构16a的基底形状层14。即，在基底构件12的表面上形成具有波面Sw1的基底形状层14。在这种情况下，必要时，在基底结构16a与基底构件12之间可形成中间层17。

不特别限制能量辐射源28的类型，并且可使用可发射能量辐射的任何辐射源，例如，电子束、紫外线辐射、红外线辐射、激光辐射、可见光辐射、电离辐射（例如，X射线、α辐射、β辐射以及γ辐射）、微波或射频。

辐射固化树脂成分优选地用作传递材料27。更优选地，使用紫外线可固化树脂成分。必要时，辐射固化树脂成分可包含填充剂或多功能添加剂。

紫外线可固化树脂成分包含例如丙烯酸脂和引发剂。紫外线可固化树脂成分包含例如单功能单体、双功能单体或多功能单体。更具体而言，可单独地使用以下材料，或者可使用这种材料的混合物。

单功能单体的实例是羧酸（例如，丙烯酸）、羟基单体（2-丙烯酸羟乙酯、2-羟丙基丙烯酸酯以及4-羟基丁基丙烯酸酯）、烷基、脂环族单体（丙烯酸异丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸异辛基、丙烯酸月桂基、丙烯酸十八酯、丙烯酸异冰片酯以及丙烯酸环己酯）、其他功能单体（2-丙烯酸甲氧乙基、丙烯酸甲氧基乙二醇、乙酸-2-乙氧基乙氧基乙酯、丙烯酸四氢呋喃酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸乙基卡必醇、丙烯酸苯氧乙基、N,N-丙烯酸二甲胺基乙酯、N,N-二甲胺基丙基丙烯酰胺、N,N-二甲基丙烯酰胺、过硫酸甲、N-异丙基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯吡咯烷酮、2-（全氟辛基）丙烯酸乙酯、3-全氟己基-2-羟丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羟丙基丙烯酸酯、2-（全氟癸基）丙烯酸乙酯、2-（全氟-3-甲基丁基）丙烯酸乙酯）、2,4,6-丙烯酸三溴苯酯、2,4,6-三溴苯酯甲基丙烯酸酯、2-(2,4,6-三溴苯氧基)、丙烯酸乙酯以及2-丙烯酸乙基己酯。

双功能单体的实例是三（丙二醇）二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷己二烯醚以及聚氨酯丙烯酸酯。

多功能单体的实例是三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、双季戊四醇五丙烯酸酯、双季戊四醇六丙烯酸酯以及一缩二三羟甲基丙烷四丙烯酸酯。

引发剂的实例是2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮、1-羟基苯基酮以及2-羟基-2-甲基-1-苯基丙醇-1-酮。

无机细微颗粒或有机细微颗粒中的任一个可用作填充剂。包含金属氧化物的细微颗粒可用作无机颗粒。选自由二氧化硅（SiO₂）、二氧化钛（TiO₂）、二氧化锆（ZrO₂）、二氧化锡（SnO₂）以及三氧化二铝（Al₂O₃）构成的组中的至少一个氧化物可用作金属氧化物。

功能添加剂的实例是均化剂（leveling agent）、表面改性剂以及防沫剂。基底构件12的材料的实例是异丁烯酸甲酯（共）聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯（共）聚合物、异丁烯酸甲酯和苯乙烯的（共）聚合物、二醋酸纤维素、三乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇缩醛、聚醚酮、聚氨酯以及玻璃。

不特别限制基底构件12的成型方法，并且可使用注射成型、挤出成形以及铸塑成型。必要时，在基底构件12的表面上可进行表面处理，例如，电晕处理。

为了提高复制母版11的可释放性，氟添加剂或硅添加剂优选地加入传递材料27中。

然后，如图13B中所示，在基底形状层14的波面Sw1上形成第一层15a。在这种情况下，优选地形成第一层15a，以与基底形状层14的波面Sw1的形状相似。为了获得高等级的表面硬度，真空镀膜（例如，溅射）优选地用作第一层15a的形成方法。

然后，如图13C中所示，在第一层15a的表面上形成第二层15b。在这种情况下，优选地形成第二层15b，以与第一层15a的表面的形状相似。通过形成第一和第二层15a和15b，调整基底形状层14的波面Sw1的轮廓，从而形成波面Sw2，作为复制母版11的最顶部表面。作为第二层15b的形成方法，可使用涂层，例如，可使用微凹涂层、线锭涂层、直接凹面涂层、模具涂层、浸渍涂层、喷涂、逆转辊涂布、淋涂、逗号涂层、刮刀涂层或旋转涂布。然而，第二层15b的形成方法不限于这些方法。由于执行上述步骤，形成复制母版11。

（光学单元形成步骤）

然后，如图13D和13E中所示，将复制母版11的波面Sw2的形状传递给传递材料29，从而形成光学单元1。更具体而言，如图13D所示，复制母版11和用于基底构件2的表面的传递材料29彼此密切接触，而且，能量辐射（例如，紫外线辐射）从能量辐射源中施加于传递材料29中，从而固化传递材料29。然后，从复制母版11的成型表面中释放与固化的传递材料29结合的基底构件2。然后，如图13E中所示，在基底构件2的表面上形成包括多个凹点4的形状层3。在这种情况下，必要时，在凹点4与基底构件2之间可形成中间层5。由于执行上述步骤，所以形成光学单元1。

【优点】

根据第一实施方式，作为传递模具的复制母版11包括第一波面Sw1，该波面是凸凹表面。在第一波面Sw1上堆叠第一和第二层15a和15b，然后，形成第二波面Sw2，作为复制母版11的最高表面。第二波面Sw2的硬度值的平均值为30Hv或更高。因此，能够提供具有优异的可传递性的复制母版11。

在根据相关技术减少表面能量的技术中，如果将具有模具的光学功能的结构传递给具有曲率的光学单元，那么模具的可释放性的稳定性不固定。相反，在第一实施方式的复制母版11中，在第一波面Sw1上堆叠第一和第二层15a和15b。因此，即使将具有模具的光学功能的结构传递给具有曲率的光学单元，模具的可释放性的稳定性也可固定。此外，还可获得优异的可传递性。

在光学单元1中，通过在与波面Sw的振动方向垂直的平面内，切过波面Sw来获得的面积S的拐点Pi从波面Sw的振动中心朝着波面Sw的底部Pb。在这种情况下，即使波面Sw具有在顶端Pt与底部Pb之间弯曲成凹形的曲面，也可获得高防反射特征。

在第一实施方式中，通过在光学单元1的表面上提供波面Sw，获得防反射效应。因此，能够通过使用与形成多层膜不同的技术，来获得防反射效应。

迄今为止，光刻技术和蚀刻技术用作滚轴母版的形成方法。然而，在这些技术中，难以调整波面（其为滚轴母版的成型表面）的轮廓。因此，难以增大防反射波长的范围。然而，在第一实施方式中，通过使用根据光刻技术和蚀刻技术形成的滚轴母版21，形成复制母版11，并且通过利用薄膜选择性生长的特征，在该复制母版11的波面（成型表面）Sw1上形成第一层15a。因此，可调整复制母版11的波面Sw的轮廓。即，可调整复制母版11的波面Sw的横截面的面积S的拐点Pi的位置。结果，防反射波长范围可增大。

相对于380到780nm的波长，由相关技术的多层堆叠技术形成的防反射（AR）薄膜的平均反射比大约为3%。相对于380到780nm的波长，通过二维设置高度大约为200nm的抛物线结构来形成的波面的平均反射比是0.4%。相反，在第一实施方式中，通过将复制母版11的第一层15a的厚度调整为预定的范围，波面Sw的平均反射比为0.35%或以下。

（修改例）

（第一修改例）

图14A为示出根据第一修改例的光学单元1的配置的一个实例的剖视图。在上述第一实施方式中，光学单元1包括形状层3，并且必要时，包括基底构件2，在形状层3上提供波面Sw。然而，可直接在基底构件2的表面上提供波面Sw。

图14B为示出根据第一修改例的复制母版11的配置的一个实例的剖视图。在上述第一实施方式中，复制母版11包括基底形状层14和第一和第二层15a和15b，并且必要时，包括基底构件12，在基底形状层14上提供波面Sw1。然而，可在基底构件12的表面上直接提供波面Sw1。在这种情况下，基底构件12用作复制母版11的主体。

（第二修改例）

图15为示出根据第二修改例的光学单元1的配置的一个实例的平面图。第二修改例的光学单元1与第一实施方式的光学单元的不同之处在于，设置多个凹点4，以在三个相邻的轨道T之中形成正方晶格图案或类正方晶格图案。

正方晶格是具有方形的晶格。类正方晶格是具有变形方形的形状的晶格，与具有方形形状的晶格不同。例如，如果线性设置凹点4，那么类正方晶格是通过在凹点4的设置的线性方向（轨道方向）延伸具有方形形状的晶格从而变形的正方晶格。如果凹点4设为曲折的形状，那么类正方晶格是通过根据凹点4的曲折设置使具有方形形状的晶格变形来获得的正方晶格或者是通过在凹点4的设置的线性方向（轨道方向）延伸具有方形形状的晶格并且根据凹点4的曲折设置使该晶格变形从而获得的正方晶格。

如果正方晶格在光学单元1的凹点4的设置中用作图案，那么正方晶格或类正方晶格在复制母版11的表面结构16b的设置以及滚轴母版21的凹点22的设置中也用作图案。光学单元1的晶格图案不限于上述六方晶格图案、类六方晶格图案、正方晶格图案或类正方晶格图案，并且可使用其他晶格图案。

（第三修改例）

在上述第一实施方式中，波面Sw的波长λ等于可见光的波长范围或比其更短。然而，波面Sw的波长λ的范围不限于可见光的波长。可设为波长λ，该波长等于希望减少其反射的光的波长范围或者比其更短。希望减少其反射的光的波长范围例如是紫外线辐射、可见光或红外线辐射的波长范围。紫外线的波长范围是10到360nm，可见光的波长范围是360到830nm并且红外线辐射的波长范围是830nm到1mm。

（第四修改例）

在上述第一实施方式中，辐射固化数值用于形成复制母版11的基底形状层14以及光学单元1的形状层3。然而，热固性树脂或热塑性树脂可用于形成复制母版11的基底形状层14以及光学单元1的形状层3。

如果热固性树脂用于形成复制母版11的基底形状层14以及光学单元1的形状层3，那么通过以下方式进行形状传递。对着热固性树脂按压复制母版11或滚轴母版12，并且复制母版11或滚轴母版12使热固性树脂加热到固化温度，并且固化该热固性树脂，从而将复制母版11或滚轴母版12的成型表面的形状传递给热固性树脂。

如果热塑性树脂用于形成复制母版11的基底形状层14以及光学单元1的形状层3，那么通过以下方式进行形状传递。对着热塑性树脂按压复制母版11或滚轴母版12，以便可彼此密切接触。然后，将热塑性树脂加热到或大约到其玻璃转变点（glass transitionpoint），或者加热为高于其玻璃转变点，然后，该热塑性树脂固化，从而将复制母版11或滚轴母版12的成型表面的形状传递给热塑性树脂。

上述复制母版11在与成型表面相反的表面上包括热源，例如，加热器，以便可加热与复制母版11的成型表面密切接触的热固性树脂或热塑性树脂。在滚轴母版21内包含热源（例如，加热器），以便可加热与复制母版11的成型表面密切接触的热固性树脂或热塑性树脂。

（第五修改例）

（光学单元的配置）

图16A为根据第五修改例的光学单元的波面Sw的一部分的放大透视图。图16B为根据第五修改例的光学单元的一部分的放大剖视图。波面Sw由多个二维结构54构成。结构54相对于光学单元的表面形成为凸形。

【复制母版的配置】

图17A为根据第五修改例的复制母版的表面的一部分的放大透视图。图17B为根据第五修改例的复制母版的一部分的放大剖视图。波面Sw2可由二维设置的多个基底凹点66a构成。在这种情况下，波面SW1由二维设置的多个基底凹点66a构成。表面凹点66b和基底凹点66a相对于复制母版形成为凹形。

（第六修改例）

图18A为示出根据第六修改例的光学单元的配置的一个实例的透视图。图18B为沿着图18A的线XVIIIB-XVIIIB截取的剖视图。波面Sw可由在一个方向或两个方向延伸的多个结构74构成。图18A示出了一个实例，其中，波面Sw可由在一个方向延伸的多个结构74构成。

结构74的形状的实例是棱镜、具有圆形边缘、透镜形状、环形线圈、双曲柱面、椭圆形柱体、多边形柱体以及自由曲面的棱镜。透镜形状是在与结构74的凸出部分的边缘垂直的横截面内的圆弧、大致圆弧、椭圆圆弧、大致椭圆圆弧、抛物线或大致抛物线部分的形状。因此，透镜形状包括圆柱形。

波面Sw可由在一个或两个方向延伸的凹槽构成。凹槽的形状可与结构74的上述形状相似。

复制母版的配置与第一实施方式的复制母版11的配置相似，除了该修改例的复制母版的波面Sw2的凸出部分和凹入部分分别具有该修改例的光学单元的波面Sw的凹入部分和凸出部分的倒转形状（即，波面Sw2和波面Sw1具有倒转关系）以外。

2、第二实施方式

【成像装置的配置】

图19为示出根据本技术的第二实施方式的成像装置（电子设备）100的配置的一个实例的示意图。

如图19中所示，第二实施方式的成像装置100是所谓的数码相机（数位相机），并且包括外壳101和位于外壳101内的成像光学系统102。

成像光学系统102包括透镜111、半透反射镜112、成像元件113以及自动对焦传感器114。成像光学系统102在这些元件的至少一个的表面上包括具有防反射功能的光学单元。第一实施方式及其修改例中的一个的光学单元1用作这种光学单元。在其上具有光学单元1的表面是由对象反射的光L照射的入射平面和穿过入射平面的光L出射的出射平面中的至少一个。然而，在入射平面上最好提供光学单元。

透镜111朝着成像元件113聚集由对象反射的光L。半透反射镜112朝着自动对焦传感器114反射由透镜111聚集的一部分光L，并且朝着成像元件113传输光L的剩余分量。在接收穿过半透反射镜112的光L时，成像元件113将所接收的光转换成电信号并且将电信号输出给信号处理单元。在接收由半透反射镜112反射的光L时，自动对焦传感器114将所接收的光转换成电信号并且将电信号输出给控制电路。

【优点】

根据第二实施方式，在形成成像光学系统102的元件的表面上，提供具有防反射功能的光学单元，从而能够在提供光学单元的元件的表面上减少光的反射。因此，在利用由对象反射的光L时，能够提高效率。

3、第三实施方式

在上述第二实施方式中，已经讨论了将本技术用于作为成像装置的数码相机（数位相机）中的一个实例。然而，本技术的应用不限于该实例。在第三实施方式中，下面描述将本技术用于数码摄像机中的一个实例。

图20为示出根据本技术的第三实施方式的成像装置201的配置的一个实例的示意图。

如图20中所示，第三实施方式的成像装置（电子设备）201是所谓的数码摄像机，并且包括第一透镜系统L1、第二透镜系统L2、第三透镜系统L3、第四透镜系统L4、固态成像元件202、低通滤波器203、滤波器204、电机205、虹膜式光阑（iris diaphragm）206以及电调光器元件207。在成像装置201中，成像光学系统由第一到第四透镜系统L1到L4、固态成像元件202、低通滤波器203、滤波器204、虹膜式光阑206以及电调光器元件207构成。

成像光学系统在至少一个上述元件的表面上包括具有防反射功能的的光学单元。第一实施方式及其修改例中的一个的光学单元1用作这种光学单元。在其上具有光学单元1的表面是由对象反射的光L照射的入射平面和穿过入射平面的光L出射的出射平面中的至少一个。然而，在入射平面上可取地提供光学单元。

第一和第三透镜系统L1和L3是固定的透镜。第二透镜系统L2是变焦镜头。第四透镜系统L4是聚焦透镜。

固态成像元件202将入射光转换成电信号，并且将电信号提供给信号处理器（未显示）。固态成像元件202例如是电荷耦合装置（CCD）。

低通滤波器203例如设置在固态成像元件202的正面上。低通滤波器203用于抑制在捕捉具有与像素间距相似的尺寸的条纹图案的图像的情况下生成的混淆信号（波纹）。低通滤波器203由例如合成石英构成。

滤波器204防止在红外线范围内的光照射固态成像元件202，并且也抑制近红外光谱（630到700nm）的提高，从而使可见光的光强度（400到700nm）均匀。滤波器204包括例如红外线截止滤波器（在后文中称为“IR截止滤波器”）204a和IR截止涂层204b。通过在IR截止滤波器204a上堆叠IR截止涂层，形成IR截止涂层204b。在更靠近对象的IR截止滤波器204a的表面以及更靠近固态成像元件202的IR截止滤波器204a的表面的至少一个上，形成IR截止涂层204b。在图20中，在更靠近对象的IR截止滤波器204a的表面上形成IR截止涂层204b。

电机205根据从控制器（未显示）供应的控制信号移动第四透镜系统L4。虹膜式光阑206用于调整照射固态成像元件202的光的量，并且由电机（未显示）驱动。

电调光器元件207用于调整照射固态成像元件202的光的量。电调光器元件207是由包含至少一个染料着色剂（例如，二向色宾主（GH）液晶）的液晶构成的元件。

【优点】

根据第三实施方式，可获得与由第二实施方式实现的优点相似的优点。

4、第四实施方式

图21为示出根据本技术的第四实施方式的显示装置301的配置的一个实例的透视图。在显示装置301（其为电子设备）的显示表面S上提供具有防反射功能的光学单元1。第一实施方式及其修改例中的一个的光学单元1用作这种光学单元。如果光学单元1包括基底构件2，那么其通过例如粘合层粘合至显示装置301的显示表面S。如果光学单元1仅仅包括形状层3，而不包括基底构件2，可在显示装置301的显示表面S上直接形成光学单元。

各种显示装置（例如，液晶显示器（LCD））、阴极射线管（CRT）显示器、等离子显示板（PDP）、电致发光（EL）显示器以及表面传导电子发射显示器（SED））可用作显示装置301。

【优点】

根据第四实施方式，由于在显示装置301的显示表面S上提供光学单元1，所以可提高显示装置301的显示表面S的可见性。

5、第五实施方式

图22A为示出根据本技术的第五实施方式的显示装置301的配置的一个实例的透视图。如图22A中所示，在显示装置301（其为电子设备）的显示表面S₁上提供输入装置302。然后，在输入装置302的输入表面S₂上提供具有防反射功能的光学单元1。第一实施方式及其修改例中的一个的光学单元1用作光学单元1。

电阻式触摸屏或静电触摸屏可用作输入装置302。然而，触摸屏不限于这些类型。电阻式触摸屏的一个实例是矩阵电阻式触摸屏。静电触摸屏一个实例是投影静电触摸屏，例如，线传感器触摸屏以及ITO网格触摸屏。

【优点】

根据第五实施方式，由于在输入装置302的输入表面S₂上提供光学单元1，所以可提高包括输入装置302的显示装置301的可见性。

【修改例】

图22B为示出根据一个修改例的显示装置的配置的一个实例的分解透视图。如图22B中所示，可在输入装置302的输入表面S₂上进一步提供前面板（表面构件）303。在这种情况下，在前面板303的面板表面S₃上提供具有防反射功能的光学单元1。输入装置302和前面板303通过由例如粘合剂制成的粘合层彼此粘合。

6、第六实施方式

根据本技术的第六实施方式的电子设备包括第四实施方式、第五实施方式及其修改例中的一个的显示装置301。下面讨论电视机、笔记本PC、蜂窝电话以及平板电脑，作为根据第六实施方式的电子设备的实例。然而，电子设备不限于这些装置，并且本技术可应用于其他电子设备。

图23A为示出电视机311的一个实例的外观图。电视机311包括外壳312以及包含在外壳312内的显示装置313。显示装置313与第四实施方式、第五实施方式及其修改例中的一个的显示装置301对应。

图23B为示出笔记本式个PC321的一个实例的外观图。笔记本式PC321包括计算机322和显示装置325。计算机322和显示装置325分别包含在外壳323和324内。显示装置325与第四实施方式、第五实施方式及其修改例中的一个的显示装置301对应。

图24A为示出蜂窝电话331的一个实例的外观图。蜂窝电话331是所谓的智能电话，并且包括外壳332以及包含在外壳332内的显示装置333。显示装置333与第四实施方式、第五实施方式及其修改例中的一个的显示装置301对应。

图24B为示出平板电脑341的一个实例的外观图。平板电脑341包括外壳342以及包含在外壳342内的显示装置343。显示装置343与第四实施方式、第五实施方式及其修改例中的一个的显示装置301对应。

【优点】

根据第六实施方式，由于电子设备均包括第四实施方式、第五实施方式及其修改例中的一个的光学单元1，所以可提高包括电子设备的显示表面的可见性。

实例

下面通过说明实例，具体描述本技术。然而，本技术不限于这些实例。

（结构的高度h和间距p）

在当前的实例、比较实例以及参考实例中，如下确定复制母版的结构的高度h和间距p。首先，通过包括结构的顶端，来切割复制母版，并且由透射式电子显微镜（TEM）拍摄所获得的横截面。然后，从TEM照片中确定复制母版的结构的高度h和间距p。

（ITO层的厚度）

在当前的实例以及比较实例中，如下确定ITO层的厚度。首先，通过包括结构的顶端，来切割复制母版，并且由TEM拍摄所获得的横截面。然后，从TEM照片中确定在结构的顶端的ITO层的厚度。

（无机层（表面层）的厚度）

在当前的参考实例中，通过与在当前的实例以及比较实例中的ITO层的厚度相似的方式，确定无机层（表面层）的厚度。

（实例1-1）

（母版的处理步骤）

首先，利用半导体工艺技术，在石英衬底的表面上形成具有蛾眼膜结构的凸凹形状，从而获得母版。然后，在具有母版的凸凹形状的表面上进行剥落处理。

（复制母版的处理步骤）

然后，紫外线可固化树脂用于具有受到剥落处理的掩膜的凹入形状的表面中。然后，制备厚度为100μm的聚乙烯对苯二甲酸酯膜（在后文中称为“PET薄膜”），作为基底，并且对着具有母版的凸凹形状的表面按压PET薄膜。然后，将紫外线辐射从PET薄膜的侧边施加于母版中，从而固化紫外线可固化树脂。然后，固化的紫外线可固化树脂与PET薄膜一起松开。结果，获得PET薄膜，在该薄膜上，形成凸凹形状层。

然后，通过溅射，在PET薄膜的凸凹形状层上形成具有厚度30nm的ITO层（第一层）。在这种情况下，形成ITO层，以与PET薄膜的凸凹形状层的形状相似。ITO层的厚度是位于凸凹形状层的凸凹形状的凸出部分的顶端位置的厚度。然后，制备处理溶液，该溶液包含重量百分比为0.1（wt%）的含氟硅烷化合物。然后，PET薄膜浸入该处理溶液中，并且以每秒2mm的提升速度提升。通过这种方式，PET薄膜的凸凹形状层浸入该处理溶液中。然后，允许浸渍涂层反应24个小时。更具而言，通过加热，包含在浸渍涂层内的溶剂挥发，而且，允许含氟硅烷化合物反应。结果，在PET薄膜的凸凹形状层上形成与PET薄膜的凸凹形状层的凸凹形状相似的润滑膜（第二层）。通过上述工序，获得复制母版。

（维氏（Vickers）硬度测量）

然后，测量该复制母版的凸凹形状层的表面的维氏硬度（显微维氏）。对任意地选择的凸凹形状层的表面的三个区域进行测量，并且仅仅将所测量的值平均化（采用算数均数），以获得平均值。在表2中显示了结果。

用于测量维氏硬度的试验机和测量条件如下。

测量机：显微维氏硬度试验机（由Akashi公司（Mitutoyo公司）制造，商标名：HM-125）。

试验力：10gf

试验力保持时间：15s

（光学单元的处理步骤）

然后，将硅烷偶联剂（由Shin-Etsu化学有限公司制造，商标名：KBM-503）用于半径为10mm的玻璃珠的球体中，并且在80℃的温度下干燥10分钟。然后，将紫外线可固化树脂用于重复母版的凸凹形状层中。然后，放置玻璃珠和复制母版，以使硅烷偶联剂的涂层和紫外线可固化树脂的涂层彼此相反，并且将紫外线辐射从复制母版的侧边施加于紫外线可固化树脂中，同时在3Mpa的压力下压缩玻璃珠和复制母版，从而固化紫外线可固化树脂。然后，通过从玻璃珠的球体中释放复制母版，在玻璃珠的球体上形成凹入形状层。通过上述工序，形成具有防反射功能的光学单元。

（实例1-2）

通过与实例1-1相似的方式，形成具有防反射功能的光学单元，除了厚度为50μm的PET薄膜用作基底以外。

（实例1-3）

通过与实例1-1相似的方式，形成具有防反射功能的光学单元，除了厚度为80μm的三乙酰纤维素（TAC）薄片用作基底以外。

（比较实例1-1）

通过与实例1-1相似的方式，形成具有防反射功能的光学单元，除了在复制母版的处理步骤中未形成ITO层（第一层）和润滑层（第二层），从而形成复制母版以外。在比较实例1-1中，复制母版和玻璃珠彼此粘合，并且不能从玻璃珠的球体中松开复制母版。

（比较实例1-2）

通过与实例1-1相似的方式，形成具有防反射功能的光学单元，除了在复制母版的处理步骤中未形成ITO层（第一层），从而形成复制母版以外。

（形状评估）

根据以下标准，观察和评估上述形成的光学单元的形状传递条件：

好：精确地传递形状，在光学单元的成型表面上没有任何不规则；

中等：在光学单元的成型表面上观察一些不规则；

差：复制母版和玻璃珠粘合并且不传递形状。

在表1中显示了结果。

表1根据实例1-1到1-3和比较实例1-1和1-2表示光学单元的复制母版和形状传递条件（复制母版的可传递性）的配置的评估结果。

表1

表2根据实例1-1和比较实例1-1和1-2表示复制母版的维氏硬度的测量结果。

表2

	实例1-1	比较实例1-1	比较实例1-2
				测量时间	硬度[Hv]	硬度[Hv]	硬度[Hv]
第一	37.4	24.2	24.0
				第二	34.4	25.7	24.1
第三	39.5	23.3	22.1
				平均值	37.1	24.4	23.4

从表1和2中可见以下事实。

在复制母版的表面上形成ITO层和润滑层时，精确地执行形状传递（实例1-1到1-3）。相反，在复制母版地表面上未形成ITO层和润滑层时，复制母版和玻璃珠彼此粘合，并且不能进行形状传递（比较实例1-1）。仅仅在复制母版的表面上形成润滑层时，在光学单元的成型表面上观察一些不规则（比较实例1-2）。

具有ITO层和润滑层的复制母版的表面的维氏硬度值及其平均值是30.0Hv或更高（实例1-1）。相反，没有ITO层和润滑层的复制母版的表面的维氏硬度值及其平均值低于30.0Hv（比较实例1-1）。仅仅具有润滑层的复制母版的表面的维氏硬度值及其平均值也低于30.0Hv（比较实例1-2）。

根据上述事实，为了提高复制母版的可传递性，获得以下结果。

最好在复制母版的表面上形成包含无机材料的第一层和含氟的第二层，并且复制母版的表面的维氏硬度值及其平均值是30.0Hv或更高。

复制母版的表面的维氏硬度值优选地为30.0Hv或更高，更优选地为34.4Hv或更高。

复制母版的表面的维氏硬度值的平均值优选地为30.0Hv或更高，更优选地为37.1Hv或更高。

（参考实例1-1）

首先，制备具有126mm的外直径的玻璃滚轴母版。抗蚀层通过以下方式沉积在玻璃滚轴母版的表面上。使用十倍的稀释剂稀释光致抗蚀剂，并且厚度大约为70nm的经稀释的抗蚀剂通过浸渍用于玻璃滚轴母版的圆柱形表面中，从而在玻璃滚轴母版的表面上沉积抗蚀层。然后，将用作记录介质的玻璃滚轴母版送入在图10中所示的滚轴母版曝光装置中，并且将抗蚀层曝光。结果，在抗蚀层上形成在三个相邻的轨道之间具有形成六方晶格图案的螺旋状连续图案的潜像。

更具体而言，还会将玻璃滚轴母版的表面暴露到激光中的激光功率为0.50mW/m的激光施加于形成六方晶格暴露图案的区域中，从而形成具有凹入形状的六方晶格暴露图案。在与轨道的延伸方向垂直的列方向的抗蚀层的厚度大约为60nm，而在轨道的延伸方向的抗蚀层的厚度大约为50nm。

然后，在玻璃滚轴母版上的抗蚀层上，进行显影工序，以便溶解抗蚀层的曝光部分。更具体而言，将还未显影的玻璃滚轴母版放置在显影机（未显示）的转盘上，并且在转盘旋转的同时，在滚轴母版的表面上浸渍显影剂，从而使沉积在滚轴母版的表面上的抗蚀层显影。结果，获得具有在六方晶格图案内开放（open）的抗蚀层的抗蚀玻璃母版。

然后，使用滚轴蚀刻机，在CHF₃气体的气氛中，进行等离子蚀刻。然后，在玻璃母版的表面上，仅仅蚀刻从抗蚀层中露出的六方晶格图案，并且由于将抗蚀层用作掩模，所以未蚀刻其他部分，从而在玻璃滚轴母版上形成具有椭圆锥形的凹点。在这种情况下，根据蚀刻时间，调整蚀刻的量（深度）。最后，通过O₂灰化，完全去除抗蚀层，从而获得具有凹形的六方晶格图案的玻璃滚轴母版。凹入部分在列方向的深度比在轨道的延伸方向的深度更深。

然后，玻璃滚轴母版与涂有紫外线可固化树脂的TAC薄片密切接触。然后，将紫外线辐射用于紫外线可固化树脂中，以便固化树脂，并且松开玻璃滚轴母版。结果，在TAC薄片的表面上二维地形成具有凸出形状的多个结构（基底结构），作为六方晶格图案，从而获得复制母版。

复制母版的配置如下：

结构的形状（波面的形状）：抛物面；

结构的高度h（波面的幅度a）：240nm；

在结构设置内的间距p（波面的波长λ）：130nm；以及

结构的纵横比（h/p）（波面的比率（a/λ））：1.85。

然后，通过溅射，在复制母版的结构上形成厚度为15nm的Nb₂O₃层，作为无机层，从而调整复制母版的结构的轮廓。然后，具有调整的轮廓的复制母版与涂有紫外线可固化树脂的TAC薄片密切接触。将紫外线辐射用于紫外线可固化树脂中，以固化树脂，并且松开复制母版。结果，获得光学薄片。

（参考实例1-2）

通过与参考实例1-1相似的方式，形成光学薄片，除了无机层的厚度为30nm以外。

（参考实例1-3）

通过与参考实例1-1相似的方式，形成光学薄片，除了无机层的厚度为50nm以外。

（参考实例1-4）

通过与参考实例1-1相似的方式，形成光学薄片，除了无机层的厚度为75nm以外。

（参考实例2）

通过与参考实例1-1相似的方式，形成光学薄片，除了忽略形成无机层的步骤以外。

（参考实例3-1）

通过与参考实例1-1相似的方式，形成光学薄片，除了通过调整暴露步骤和蚀刻步骤的条件来在复制母版的表面上形成以下结构（基底结构）以及厚度为15nm的ITO层形成为无机层以外：

结构的形状（波面的形状）：抛物面；

结构的高度h（波面的幅度a）：200nm；

在结构设置内的间距p（波面的波长λ）：250nm；以及

结构的纵横比（h/p）（波面的比率（a/λ））：0.8。

（参考实例3-2）

通过与参考实例3-1相似的方式，形成光学薄片，除了无机层的厚度为30nm以外。

（参考实例3-3）

通过与参考实例3-1相似的方式，形成光学薄片，除了无机层的厚度为50nm以外。

（参考实例3-4）

通过与参考实例3-1相似的方式，形成光学薄片，除了无机层的厚度为75nm以外。

（参考实例3-5）

通过与参考实例3-1相似的方式，形成光学薄片，除了无机层的厚度为100nm以外。

（参考实例4）

通过与参考实例3-1相似的方式，形成光学薄片，除了忽略形成无机层的步骤以外。

（参考实例5）

通过与参考实例1-1相似的方式，通过在表面上形成具有抛物面的多个结构（基底结构），来形成复制母版。该复制母版用作光学薄片。在该复制母版上未进行轮廓调整。

（参考实例6）

在TAC薄片的表面上交替地堆叠高折射率层和低折射率层。结果，获得在表面上具有由四层薄膜构成的防反射层的光学薄片。

（光谱反射特征的评估）

通过以下方式，评估如上所述形成的光片的光谱反射特征。黑带（tape）附着至每个光学薄片的背面，在该背面上形成多个结构。然后，将光从与背面（黑胶带附着至该背面）相反的正面施加于光学薄片中，并且使用由JASCO公司制造的评估机（V-550），来测量光学薄片的反射光谱（波长范围为380到780nm）。然后，使用所获得的反射光谱。来发现关于波长范围为380到780nm的平均反射率（平均变化率）。

（评估结果）

图25示出了在每个复制母版的无机层的厚度与参考实例1-1到1-4、2、3-1到3-5以及4的每个光学薄片的平均反射比之间的关系.。在图25中，也显示了参考实例5和6的每个光学薄片的平均反射比，以作参考。图26示出了参考实例1-1、1-2、5以及6的每个光学薄片的反射光谱。

图25示出了以下特征。

使用通过使用无机层（表面层）来进行轮廓调整的复制母版，形成光学薄片的平均反射比，该平均反射比小于未进行轮廓调整的复制母版的平均反射比。其原因如下，通过使用无机层（表面层）来进行复制母版的轮廓调整，波面的横截面的面积S的拐点Pi已经从更靠近顶点的位置移动到更靠近波面的底部点的位置。波面的横截面是通过在与振动方向垂直的平面内切过光学薄片的波面来获得的横截面。

在波长为250nm的波面的无机层的厚度为30nm或更大时，与由凸出结构构成的波面相比，为波长为250nm的波面获得更高的防反射特征。在波长为130nm的波面的无机层的厚度为10nm时，无机层不连续，并且未显示防反射效应。

在波长为130nm的波面的无机层的厚度为100nm或更大时，防反射效应降低。其原因在于，由于轮廓调整的进展，所以横截面的面积S的拐点Pi再次从振动中心移动到波面Sw的顶点。

图26示出了以下特征。

在基本上整个可见光范围（380到780nm）内，与具有由四层薄膜构成的防反射层的光学薄片以及具有由凸出结构构成的波面的光学薄片相比，通过使用波长为130nm的复制母版以及厚度为15nm的无机层来形成的光学薄片获得更高的防反射特征。

同样，在基本上整个可见光范围（380到780nm）内，与具有由四层薄膜构成的防反射层的光学薄片以及具有由凸出结构构成的波面的光学薄片相比，通过使用波长为250nm的复制母版以及厚度为15nm的无机层来形成的光学薄片获得更高的防反射特征。

从上述特征中可以看出，为了提高防反射特征，在与振动方向垂直的平面内通过切过由多个凹点构成的波面Sw来获得的横截面的面积S的拐点Pi最好从振动中心朝着波面Sw的底部点。

为了允许拐点Pi从振动中心朝着波面Sw的底部点，最好在由凸出结构构成的复制母版的波面上进行溅射，以便对波面进行轮廓调整，从而形成表面层。

已经具体描述了本技术的实施方式。然而，本技术不限于上述实施方式，并且在本技术的技术概念内，可进行各种修改。

例如，在上述实施方式中讨论的配置、方法、步骤、形状、材料以及数值仅仅是实例，并且必要时，可使用不同的配置、方法、步骤、形状、材料以及数值。

在不背离本技术的精神的情况下，在上述实施方式中讨论的配置、方法、步骤、形状、材料以及数值可相结合。

本技术可使用以下配置。

（1）一种传递模，包括：主体，其具有凸凹表面；第一层，其包含无机材料，设置在主体的凸凹表面上；以及第二层，其包含氟，设置在第一层的表面上，其中，在其上设置第一和第二层的凸凹表面的硬度值的平均值为30Hv或更高。

（2）根据（1）的传递模，其中，无机材料是氧化物半导体或介电质。

（3）根据（1）或（2）的传递模，其中，照射凸凹表面的能量辐射的反射比为4%或更低。

（4）根据（1）到（3）中的任一项的传递模，其中，凸凹表面是波面，该波面的波长等于或短于可见光的波长。

（5）根据（1）到（4）中的任一项的传递模，其中，传递模有可挠性。

（6）根据（1）到（5）中的任一项的传递模，其中，第一层具有从1.0×10^-10到2.0×10^-7m的厚度。

（7）根据（1）到（6）中的任一项的传递模，其中，主体包括基底构件以及设置在基底构件的表面上的形状层。

（8）根据（7）的传递模，其中，基底构件具有从0.5×10^-6到2.0×10^-4m的厚度。

（9）根据（7）或（8）的传递模，其中，第二层具有从0.5×10^-7到1.0×10^-4m的厚度。

（10）根据（1）到（9）中的任一项的传递模，其中，主体进一步包括位于基底构件和形状层之间的粘合层。

（11）根据（1）到（10）的传递模，进一步包括：涂层，其设置在与主体的凸凹表面相反的表面上。

（12）一种结构的制造方法，包括：通过将传递模的形状传递给传递材料，来形成光学单元，其中，传递模包括：主体，其具有凸凹表面；第一层，其包含无机材料，设置在主体的凸凹表面上；以及第二层，其包含氟，设置在第一层的表面上，并且在其上设置第一和第二层的凸凹表面的硬度值的平均值为30Hv或更高。

本领域的技术人员应理解的是，只要在所附权利要求或其等同物的范围内，根据设计要求和其他因素，可进行各种修改、组合、次组合以及变更。

Claims (11)

1.一种传递模，包括：

主体，其具有凸凹表面；

第一层，其包含无机材料，设置在所述主体的凸凹表面上；以及

第二层，其包含氟，设置在所述第一层的表面上，

其中，在其上设置所述第一层和所述第二层的凸凹表面的硬度值的平均值为30Hv或更高，其中，照射在所述凸凹表面上的能量辐射的反射比为4％或更低，

其中，所述凸凹表面是波面，该波面的波长等于或短于可见光的波长。

2.根据权利要求1所述的传递模，其中，所述无机材料是氧化物半导体或介电质。

3.根据权利要求1所述的传递模，其中，所述传递模有可挠性。

4.根据权利要求1所述的传递模，其中，所述第一层具有从1.0×10^-10到2.0×10^-7m的厚度。

5.根据权利要求1所述的传递模，其中，所述主体包括基底构件以及设置在所述基底构件的表面上的形状层。

6.根据权利要求5所述的传递模，其中，所述基底构件具有从0.5×10^-6到2.0×10^-4m的厚度。

7.根据权利要求5所述的传递模，其中，所述形状层具有从0.5×10^-7到1.0×10^-4m的厚度。

8.根据权利要求5所述的传递模，其中，所述主体进一步包括位于所述基底构件和所述形状层之间的粘合层。

9.根据权利要求1所述的传递模，进一步包括：

涂层，其设置在与所述主体的凸凹表面相反的表面上。

10.一种结构的制造方法，包括：

通过将传递模的形状传递给传递材料，来形成光学单元，

其中，所述传递模包括：主体，其具有凸凹表面；第一层，其包含无机材料，设置在所述主体的凸凹表面上；以及第二层，其包含氟，设置在所述第一层的表面上，并且在其上设置所述第一层和所述第二层的凸凹表面的硬度值的平均值为30Hv或更高，其中，照射在所述凸凹表面上的能量辐射的反射比为4％或更低，

所述凸凹表面是波面，该波面的波长等于或短于可见光的波长。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述光学单元作为具有防反射功能的光学单元，应用于光照射其上的表面。