WO2018110190A1 - 光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 - Google Patents

光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器 Download PDF

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transmittance
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悠介 鈴木
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Definitions

  • This technology relates to an optical element, an imaging element package, an imaging apparatus, and an electronic device.
  • a technology for imparting a function of suppressing reflection to the surface of an optical element by forming a fine concavo-convex structure below the wavelength of light on the surface of the optical element is known, and the fine concavo-convex structure is generally a moth-eye structure. is called.
  • an image pickup device package containing an image pickup device is referred to as an image pickup device package.
  • the moth-eye structure when the moth-eye structure is applied to the cover glass, the following problems may occur. That is, when the image pickup device package is held in a high temperature environment, the image of the image pickup device package may be deteriorated.
  • An object of the present technology is to provide an optical element that can suppress deterioration of an image of an image pickup device package when the image pickup device package is held in a high temperature environment, an image pickup device package including the optical element, an image pickup apparatus, and an electronic apparatus.
  • a first technique includes a base material and a concavo-convex structure layer that is provided on at least one surface of the base material and suppresses reflectance, and in a wavelength band of 400 nm or more and 700 nm or less.
  • the reflectance is 1% or less
  • the transmittance in the wavelength band of 470 nm to 550 nm is 90% or more
  • the change in transmittance before and after the high temperature environment test at 150 ° C. and 250 h is 1% or less. It is an optical element.
  • the second technology is an image pickup device package including the optical device of the first technology.
  • the third technology is an image pickup apparatus including the image pickup device package of the second technology.
  • the fourth technology is an electronic device including the image pickup device package of the second technology.
  • the present technology it is possible to suppress image deterioration of the image pickup device package when the image pickup device package is held in a high temperature environment.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of an image sensor package according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view of a part of FIG. 1A.
  • FIG. 1C is a plan view showing an example of the configuration of the optical element.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of an imaging element package according to Modification 1 of the first embodiment of the present technology.
  • 3A and 3B are cross-sectional views for describing an overview of an image sensor package according to the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of an image sensor package according to the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 5A is a graph for explaining spectral characteristics of the IR cut filter and the optical element.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the optical element whose spectral characteristics are shown in FIG. 5A.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of an image sensor package according to Modification 1 of the second embodiment of the present technology.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a camera module according to the third embodiment of the present technology.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of an imaging device according to the fourth embodiment of the present technology.
  • FIG. 9 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of an imaging device according to the fifth embodiment of the present technology.
  • FIG. 10 is a perspective view illustrating an example of the appearance of the first electronic device according to the sixth embodiment of the present technology.
  • FIG. 11A is a perspective view illustrating an example of an appearance on the front surface side of a second electronic device according to the sixth embodiment of the present technology.
  • FIG. 11B is a perspective view illustrating an example of an appearance on the back side of the second electronic device according to the sixth embodiment of the present technology.
  • FIG. 12A is a perspective view illustrating an example of an external appearance of a front surface side of a third electronic apparatus according to the sixth embodiment of the present technology.
  • FIG. 12B is a perspective view illustrating an example of the appearance of the back surface side of the third electronic device according to the sixth embodiment of the present technology.
  • Embodiments of the present technology will be described in the following order. 1 1st Embodiment (example of image pick-up element package) 2 Second Embodiment (Example of image sensor package) 3 Third Embodiment (Example of Camera Module) 4 Fourth Embodiment (an example in which the image pickup device package is applied to an image pickup apparatus) 5 Fifth Embodiment (Example in which an image pickup device package is applied to an image pickup apparatus) 6 Sixth Embodiment (Example in which camera module is applied to various electronic devices)
  • An imaging element package (hereinafter referred to as “element package”) 10 according to the first embodiment of the present technology includes an imaging element 11 and a package 12 that accommodates the imaging element 11 as illustrated in FIG. 1A.
  • the imaging device 11 is, for example, a charge coupled device (CCD) image sensor device or a complementary metal oxide semiconductor (COMS) image sensor device.
  • the imaging element 11 includes a plurality of microlenses 11a on the element surface (imaging surface) on which light from a subject is incident.
  • the plurality of microlenses 11a are arranged in a predetermined pattern on the imaging surface.
  • the package 12 includes a substrate 13, a frame body 14 provided on the periphery of one surface of the substrate 13, and an optical element 20 having a periphery supported by the frame body 14.
  • the image sensor 11 is provided on one surface of the substrate 13.
  • the optical element 20 is supported by the frame body 14 so as to face the imaging surface of the imaging device 11 and be separated from the imaging surface.
  • the optical element 20 is a cover body for the image sensor package, and is provided on the plate-like base material 21 for the image sensor package and one surface of the base material 21 as shown in FIG. Provided on the other surface of the base material 21, a concavo-convex structure layer (hereinafter simply referred to as “structural layer”) 22, a silane coupling agent 23 provided between the base material 21 and the structural layer 22. And a multilayer film 24 having a function of suppressing the reflectance.
  • the optical element 20 is supported by the frame body 14 so that the structural layer 22 faces the imaging element 11, that is, the structural layer 22 is located inside the element package 10.
  • the function of suppressing the reflectance in the structural layer 22 refers to a function of suppressing the reflectance of light incident on one surface of the base material 21, and at least the reflection of visible light by this function. It is suppressed.
  • the “function of suppressing reflectance” in the multilayer film 24 refers to a function of suppressing the reflectance of light incident on the other surface of the substrate 21, and at least the reflection of visible light is suppressed by this function. Is done.
  • the silane coupling agent 23 is provided as necessary and may not be provided. However, from the viewpoint of suppressing the deterioration of the adhesion of the structural layer 22 to the base material 21, it is preferable that the silane coupling agent 23 is provided. Further, the multilayer film 24 is provided as necessary and may not be provided. However, from the viewpoint of suppressing the reflection of light on the other surface of the base material 21, the multilayer film 24 is preferably provided.
  • the optical element 20 may further include a silane coupling agent (not shown) provided between the base material 21 and the multilayer film 24.
  • first direction two directions orthogonal to each other in the surface of the substrate 21 are referred to as an X-axis direction (first direction) and a Y-axis direction (second direction), respectively, and a direction perpendicular to the surface (XY plane) is defined as Z. This is referred to as the axial direction (third direction).
  • the base material 21, the structural layer 22, the silane coupling agent 23, and the multilayer film 24 included in the optical element 20 will be sequentially described.
  • the base material 21 is made of an inorganic material having transparency to at least visible light.
  • visible light is light having a wavelength band of, for example, more than 350 nm and not more than 850 nm.
  • the inorganic material is, for example, at least one of glass, crystallized glass, and crystals.
  • the glass is at least one of aluminosilicate glass, soda lime glass, soda aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, borosilicate glass, and quartz glass.
  • crystallized glass examples include spinel crystals (RAl 2 O 4 : R is one or more selected from Zn, Mg, and Fe), R 2 TiO 4 , lithium disilicate, enstatite (MgSiO 3 ), ⁇ - It contains at least one of quartz, ⁇ -cristobalite and solid solutions thereof as a main crystal phase.
  • the crystal is, for example, a single crystal or a polycrystal including at least one of sapphire, quartz, silicon, silicon carbide, and gallium nitride.
  • the structure layer 22 which is a reflection suppression layer is a so-called moth-eye structure layer and has a reflection suppression function for at least visible light.
  • the structure layer 22 includes a plurality of structures 22 a provided on the surface of the base material 21, and an intermediate layer (optical layer) 22 b provided between the lower part of the plurality of structures 22 a and the surface of the base material 21.
  • the structure 22a is a so-called sub-wavelength structure.
  • the structure 22 a has a convex shape with respect to the surface of the base material 21.
  • the plurality of structures 22a are arranged at an arrangement pitch P that is equal to or less than the wavelength band of visible light (for example, 350 nm or less) for the purpose of suppressing reflection.
  • the height H of the structure 22a is set, for example, within a range of 236 nm to 450 nm, but is not limited thereto.
  • the aspect ratio of the structure 22a is preferably 1 or more. This is because when the aspect ratio is 1 or more, an excellent reflection suppressing function and transmission characteristics can be obtained.
  • the upper limit of the aspect ratio of the structure 22a is preferably 2 or less, more preferably 1.46 or less. This is because if the aspect ratio is 2 or less, the master can be easily peeled from the structural layer 22 when the structural layer 22 is formed.
  • the aspect ratio of the structures 22a means the ratio (H / P) of the height H of the structures 22a to the arrangement pitch P of the structures 22a.
  • the arrangement pitch P, height H, and aspect ratio (H / P) of the structure 22a are obtained as follows. First, the optical element 20 is cut so as to include the top portion of the structure 22a, and the cross section is photographed with a transmission electron microscope (TEM). Next, the height H and the arrangement pitch P of the structures 22a are obtained from the photographed TEM photograph. Then, the aspect ratio (H / P) is obtained from the height H and the arrangement pitch P obtained as described above.
  • TEM transmission electron microscope
  • the plurality of structures 22a are arranged so as to form a plurality of rows on the surface of the base material 21, for example.
  • the row has a straight or curved shape.
  • Linear rows and curved rows may be mixed on the surface of the substrate 21.
  • Examples of the curve include a curve meandering periodically or aperiodically. Specific examples of such curves include waveforms such as sine waves and triangular waves, but are not limited thereto.
  • the arrangement of the plurality of structures 22a on the surface of the substrate 21 may be either a regular arrangement or an irregular arrangement.
  • a lattice arrangement such as a tetragonal lattice, a quasi-tetragonal lattice, a hexagonal lattice, or a quasi-hexagonal lattice is preferable.
  • FIG. 1C shows an example in which a plurality of structures 22a are arranged in a hexagonal lattice shape.
  • the tetragonal lattice means a regular tetragonal lattice.
  • a quasi-tetragonal lattice means a distorted tetragonal lattice.
  • the hexagonal lattice means a regular hexagonal lattice.
  • a quasi-hexagonal lattice means a distorted hexagonal lattice.
  • Specific shapes of the structure 22a include, for example, a cone shape, a column shape, a needle shape, a hemispherical shape, a semi-ellipsoidal shape, a polygonal shape, and the like, but are not limited to these shapes, Other shapes may be employed.
  • Examples of the cone shape include a cone shape with a sharp top, a cone shape with a flat top (so-called frustum shape), and a cone shape with a convex or concave curved surface at the top.
  • the shape is not limited.
  • Examples of the cone shape having a convex curved surface at the top include a quadric surface shape such as a parabolic shape. Further, the cone-shaped cone surface may be curved concavely or convexly.
  • the plurality of structures 22a provided on the surface of the substrate 21 may all have the same size, shape, and height, or the structures 22a may have different sizes, shapes, or heights. It may contain what has. Moreover, the some structure 22a may contain what was connected so that lower parts may overlap.
  • the intermediate layer 22b is a layer integrally formed with the structure 22a on the lower side of the structure 22a, and is made of the same material as the structure 22a.
  • the intermediate layer 22b is provided as necessary and may not be provided.
  • the thickness of the intermediate layer 22b is preferably in the range of 10 nm to 50 ⁇ m, more preferably 30 nm to 25 ⁇ m, and still more preferably 50 nm to 10 ⁇ m.
  • the thickness exceeds 50 ⁇ m, when the energy ray curable resin composition is cured to form the intermediate layer 22b, the energy ray curable resin composition is in close contact with the interface between the intermediate layer 22b and the substrate 21 due to curing shrinkage of the energy ray curable resin composition. There is a risk that inferiority may occur. There is also concern about a decrease in transmittance.
  • the thickness is less than 10 nm, when stress is applied to the structure 22a, the stress cannot escape to the intermediate layer 22b below the structure 22a, and the structure 22a is broken. There is a risk that the characteristics will deteriorate.
  • the structural layer 22 contains an organic material.
  • the organic material is a cured product (polymer) of the energy beam curable resin composition.
  • an ultraviolet curable resin composition is preferably used.
  • the structural layer 22 further includes an infrared absorber. This is because the amount of infrared rays reaching the image sensor 11 can be reduced by imparting infrared absorption to the structure layer 22.
  • the structural layer 22 may further include at least one of a filler, a functional additive other than the infrared absorber, and a resin other than the energy ray curable resin composition as necessary.
  • the ultraviolet curable resin composition may be either a solvent type or a solventless type, but a solventless type is preferred. This is because the solvent-free ultraviolet curable resin composition does not require a drying process for volatilizing the solvent, and since there is no volatilization of the solvent, it has the advantages of low odor and low irritation to the body. .
  • the ultraviolet curable resin composition contains a polymerizable compound and an initiator.
  • Polymerizability is at least one of radical polymerizability and cationic polymerizability.
  • the polymerizable compound includes a first composition containing both a first compound having a (meth) acryloyl group and a second compound having a vinyl group, and a second composition containing a compound having a (meth) acryloyl group and a vinyl group. It is preferable that it is at least 1 type of a thing.
  • the (meth) acryloyl group means an acryloyl group or a methacryloyl group.
  • a monomer having 1 or 2 or more (meth) acryl groups an oligomer having 1 or 2 or more (meth) acryl groups may be used alone, or they may be used. A mixture of two types may be used.
  • the second compound having a vinyl group a monomer having 1 or 2 or more vinyl groups, an oligomer having 1 or 2 or more vinyl groups may be used alone, or a mixture of two kinds thereof may be used. Good.
  • the compound having a (meth) acryloyl group and a vinyl group a monomer having one or two or more (meth) acryloyl groups and one or two or more vinyl groups, one or two or more (meth) acryloyl groups and one or two
  • the above oligomers having a vinyl group may be used alone, or two kinds thereof may be mixed and used.
  • the compound having a (meth) acryloyl group for example, at least one of a monofunctional monomer, a bifunctional monomer, and a polyfunctional monomer can be used.
  • Monofunctional monomers include, for example, carboxylic acids (acrylic acid), hydroxys (2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate), alkyls, alicyclics (isobutyl acrylate, t-butyl acrylate) , Isooctyl acrylate, lauryl acrylate, stearyl acrylate, isobornyl acrylate, cyclohexyl acrylate), other functional monomers (2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene crycol acrylate, 2-ethoxyethyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, benzyl acrylate, Ethyl carbitol acrylate, phenoxyethyl acrylate, N, N-dimethylaminoethyl acrylate, N, -Dimethylaminopropylacrylamide, N, N-dimethyl
  • bifunctional monomer examples include, but are not limited to, tri (propylene glycol) diacrylate, trimethylolpropane diallyl ether, urethane acrylate, and the like.
  • polyfunctional monomer examples include, but are not limited to, trimethylol propane triacrylate, dipentaerythritol penta, hexaacrylate, ditrimethylol propane tetraacrylate, and the like.
  • Examples of the compound having a vinyl group include N-vinyl pyrrolidone, ethylene glycol divinyl ether, pentaerythritol divinyl ether, 1,6-hexanediol divinyl ether, trimethylolpropane divinyl ether, ethylene oxide modified hydroquinone divinyl ether, ethylene oxide modified.
  • Examples thereof include, but are not limited to, bisphenol A divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether, dipentaerythritol hexavinyl ether, and ditrimethylolpropane polyvinyl ether.
  • a compound having a (meth) acryloyl group and a vinyl group for example, a compound having a vinyl group introduced into the compound having the (meth) acryloyl group and a compound having a vinyl group introduced into the compound having the vinyl group described above. At least one of these can be used, but is not limited thereto.
  • the initiator examples include 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxy-cyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, and the like. It can be mentioned, but is not limited to these.
  • both inorganic fine particles and organic fine particles can be used.
  • the inorganic fine particles include metal oxide fine particles such as SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , SnO 2 , and Al 2 O 3 .
  • functional additives other than infrared absorbers include color correction dyes, antistatic agents, thermal stabilizers, antioxidants, dispersants, flame retardants, lubricants, plasticizers, leveling agents, surface conditioners, antifoaming agents. An agent etc. can be mentioned.
  • the resin other than the energy ray curable resin composition is, for example, at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin.
  • silane coupling agent 23 The kind of silane coupling agent 23 is not specifically limited, A well-known silane coupling agent can be used. Specific examples of the silane coupling agent 23 include vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxy Propylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, N-2- (aminoethyl)
  • the multilayer film 24 is an example of a reflection suppressing layer, and has a structure in which two or more thin films having different refractive indexes are stacked.
  • a material for the thin film for example, a transparent dielectric material is used, but is not limited thereto.
  • optical characteristics of optical elements The transmittance and reflectance of the following optical element 20 are measured by irradiating the optical element 20 with light from the structure layer 22 side. The details of the measurement method are as described in Examples described later. Further, the amount of change in transmittance before and after each test described below is the amount of change in transmittance before and after each test in the wavelength band of 420 nm to 600 nm.
  • the reflectance of the optical element 20 in the wavelength band of 400 nm to 700 nm is 1% or less, preferably 0.8 or less. If the reflectance exceeds 1%, the image obtained by the element package 10 becomes dark and the image may be deteriorated.
  • the transmittance of the optical element 20 in the wavelength band of 470 nm or more and 550 nm or less is 90% or more. If the transmittance is less than 90%, the image obtained by the element package 10 becomes dark and the image may be deteriorated.
  • the transmittance of the optical element 20 in the wavelength band of 420 nm or more and 600 nm or less is preferably 90% or more. When the transmittance is 90% or more, an excellent image can be obtained by the element package 10.
  • the amount of change in the transmittance of the optical element 20 before and after the high-temperature environment test at 150 ° C. and 250 h is 1% or less, more preferably the amount of change in the transmittance of the optical element 20 before and after the high-temperature environment test at 150 ° C. and 1000 h. 1% or less. If the amount of change in the transmittance of the optical element 20 before and after the high temperature environment test at 150 ° C. for 250 hours exceeds 1%, the color of the element package 10 may change due to alteration of the structural layer 22 or the like when the element package 10 is stored in a high temperature environment. There is a possibility that the reproducibility changes and the image obtained by the element package 10 is deteriorated.
  • the amount of change in transmittance before and after a heat resistance test (reflow test) at 245 ° C. for 5 minutes is 1% or less. If the change in transmittance exceeds 1%, the color reproducibility of the element package 10 changes due to the alteration of the structural layer 22 in the reflow process of mounting the element package 10 on a circuit board or the like. There is a possibility that the obtained image is deteriorated.
  • the amount of change in transmittance of the optical element 20 before and after the high-temperature and high-humidity environment test for 250 hours in an environment of 80 ° C. and 85% humidity is preferably 1% or less, and the environment is 80 ° C. and 85% humidity. It is more preferable that the amount of change in the transmittance of the optical element 20 before and after the high-temperature and high-humidity test held for 1000 h below is 1% or less. If the amount of change in transmittance before and after the high temperature and high humidity environment test for 250 hours in an environment of 80 ° C.
  • the structural layer 22 is stored when the device package 10 is stored in the high temperature and high humidity ring. There is a possibility that the color reproducibility of the element package 10 is changed due to the change in quality, and the image obtained by the element package 10 is deteriorated.
  • the change in transmittance of the optical element 20 before and after the low-temperature environment test held for 250 h in an environment of ⁇ 40 ° C. is 1% or less, and before and after the low-temperature environment test held for 1000 h in an environment of ⁇ 40 ° C. More preferably, the amount of change in the transmittance of the optical element 20 is 1% or less. If the change in the transmittance of the optical element 20 before and after the low temperature environment test held for 250 hours in an environment of ⁇ 40 ° C. exceeds 1%, the structural layer 22 may be altered when the element package 10 is stored in the low temperature environment. There is a possibility that the color reproducibility of the element package 10 changes and an image obtained by the element package 10 is deteriorated.
  • the adhesion between the base material 21 and the structural layer 22 is preferably any one of classifications 0 to 2. If the adhesion is a classification other than the classifications 0 to 2, a part of the structural layer 22 may be easily peeled off. When a part of the structural layer 22 is peeled off, the brightness of the part is lowered and the image obtained by the element package 10 is deteriorated.
  • a master having a molding surface on one main surface is prepared.
  • the molding surface is provided with a plurality of two-dimensionally arranged structures.
  • the plurality of structures provided on the molding surface and the plurality of structures 22a provided on the structure layer 22 have substantially the same shape and have an inverted concavo-convex relationship.
  • the material for the master for example, silicon, glass, metal and the like can be used, but are not particularly limited to these materials.
  • a method for producing a master photolithography, a method in which a photolithography process and an etching process are combined, anodization, a method in which a master production process for an optical disc and an etching process are integrated (see, for example, JP 2010-156844 A), and the like Can be used. Further, a duplicate master may be produced from the master by electroforming and used.
  • surface treatment process Next, if necessary, surface treatment such as corona discharge or UV irradiation treatment may be performed on one surface of the substrate 21. Subsequently, one surface of the substrate 21 is treated with the silane coupling agent 23.
  • an energy ray curable resin composition is applied as a transfer material to one surface of the substrate 21, and the applied energy ray curable resin composition is irradiated with an energy ray to be cured, and then the cured energy ray.
  • the base material 21 integrated with the curable resin composition is peeled off. Thereby, the optical element 20 which has the structure layer 22 on the one surface of the base material 21 is obtained. Next, if necessary, the optical element 20 may be cut into a desired size.
  • energy rays such as electron beam, ultraviolet ray, infrared ray, laser beam, visible ray, ionizing radiation (X ray, ⁇ ray, ⁇ ray, ⁇ ray, etc.), microwave, or high frequency can be used.
  • the invention is not particularly limited to this.
  • the amount of change in the transmittance of the optical element 20 before and after the high temperature environment test at 150 ° C. and 250 h is 1% or less.
  • alteration of the structural layer 22 when the element package 10 is held in a high temperature environment can be suppressed. Therefore, image degradation of the element package 10 when the element package 10 is held in a high temperature environment can be suppressed.
  • the reflectance of the optical element 20 in the wavelength band of 400 nm or more and 700 nm or less is 1% or less
  • the transmittance of the optical element 20 in the wavelength band of 470 nm or more and 550 nm or less is 90% or more. Thereby, a better image can be obtained by the element package 10.
  • the optical element 20 may include a structural layer 25 having a function of suppressing the reflectance on the other surface of the base material 21 instead of the multilayer film 24.
  • a silane coupling agent 26 may be provided between the other surface of the substrate 21 and the structural layer 25.
  • the structural layer 25 has the same configuration as the structural layer 22 in the first embodiment.
  • the arrangement pitch P, the height H, and the aspect ratio (H / P) of the structures 22a in the structure layer 25 and the structure layer 22 may be the same or different.
  • the optical element 20 may be supported by the frame body 14 so that the structural layer 22 is outside the element package 10.
  • the optical element 20 is supported by the frame body 14 so that the structural layer 22 is inside the element package 10. Is preferred.
  • dust or dust enters between the structural bodies 22 a when the lens can be replaced, and the reflection of the structural layer 22 is suppressed. This is because the function may be deteriorated.
  • the structure 22a may have a concave shape. However, from the viewpoint of the reflection suppressing function and the transmission characteristics, it is preferable that the structure 22a has a convex shape as in the first embodiment.
  • thermosetting resin may be used as the transfer material.
  • the molding surface of the master and the thermosetting resin are brought into close contact, and the thermosetting resin is heated by a heat source such as a heater to cure the thermosetting resin, and then integrated with the cured thermosetting resin.
  • the optical element 20 is obtained by peeling the base material 21 thus obtained from the master.
  • the optical element 20 may be applied to a light emitting element package.
  • the light emitting element package means a light emitting element housed in a package.
  • the light emitting element include a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD), but are not limited thereto.
  • the optical element 20A is provided with a structural layer 27 containing a light absorber that absorbs light in a predetermined wavelength band, and the diffracted light Lb. It came to find the structure which permeate
  • an element package 10A including such a structural layer 27 will be described.
  • the element package 10 ⁇ / b> A includes a structural layer 27 containing a light absorber and a multilayer film having a function of cutting light in the first and second wavelength bands.
  • the point provided with 28 it differs from the element package 10 which concerns on 1st Embodiment.
  • the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the structure layer 27 includes a plurality of structures 27a and an intermediate layer (optical layer) 27b.
  • the structural layer 27, the structural body 27a, and the intermediate layer 27b have the same configuration as that of the structural layer 22, the structural body 22a, and the intermediate layer 22b in the first embodiment except that a light absorber is included.
  • the light absorber absorbs light of at least a predetermined wavelength band among light incident on the structural layer 27.
  • the predetermined wavelength band is a wavelength band of 550 nm or more, 575 nm or more, or 600 nm or more.
  • the upper limit value of the predetermined wavelength band is not particularly limited, but is, for example, not more than the lower limit value of the second wavelength band. Specifically, for example, it is 690 nm or less, 700 nm or less, 710 nm or less, 720 nm or less, or 730 nm or less.
  • the light absorber for example, at least one of organic dyes, metal oxide nanoparticles, and organic metal complexes can be used. From the viewpoint of solubility in the energy ray curable resin composition, the organic dye is preferable.
  • the organic dye at least one of a phthalocyanine nickel complex and a phthalocyanine copper complex is preferable, and a phthalocyanine nickel complex is particularly preferable.
  • the phthalocyanine nickel complex and the phthalocyanine copper complex can be dissolved in the energy ray-curable resin composition, and have good absorbability with respect to light in the predetermined wavelength band, and have good heat resistance. Have. Of the phthalocyanine nickel complex and the phthalocyanine copper complex, the phthalocyanine nickel complex has particularly good heat resistance.
  • FIG. 5A shows an example of spectral characteristics of a commercially available IR cut filter and optical element 20B.
  • the optical element 20B has the same configuration as the optical element 20 according to the first embodiment (see FIG. 1B) except that the multilayer film 24 is not provided.
  • the optical element 20B has a higher transmittance of light in the first and second wavelength bands and light in the predetermined wavelength band than a commercially available IR cut filter.
  • the optical element 20B includes the light in the first and second wavelength bands and the above-described predetermined wavelength. It is desirable to reduce the transmittance of light in the wavelength band.
  • the structural layer 27 including the light absorber that absorbs light in the predetermined wavelength band is provided on one surface of the base material 21 and the first and second wavelengths are provided.
  • a multilayer film 28 having a function of cutting light in a band (a prescribed wavelength band) (for example, light in a wavelength band other than visible light) is provided on the other surface of the substrate 21.
  • the light transmittance of the first and second wavelength bands is preferably 1% or less.
  • the first wavelength band is a band including at least the wavelength band of ultraviolet light, and specifically, for example, 430 nm or less, 420 nm or less, 410 nm or less, 400 nm or less, or 390 nm or less.
  • the lower limit of the first wavelength band is not particularly limited, and is, for example, 315 nm or more, 280 nm or more, or 200 nm or more.
  • the second wavelength band is a band including at least the wavelength band of infrared light, and specifically, for example, 690 nm or more, 700 nm or more, 710 nm or more, 720 nm or more, or 730 nm or more.
  • the upper limit of the second wavelength band is not particularly limited, and is, for example, 1100 nm or less, 1400 nm or less, or 1600 nm or less.
  • the multilayer film 24 has the first wavelength band out of the light in the first and second wavelength bands. You may have the function to cut only light.
  • the manufacturing method of the optical element 20A according to the first embodiment of the present technology includes preparing a transfer material by adding a light absorber to the energy ray curable resin composition, and forming the multilayer film 24 on the other side of the substrate 21.
  • the method for manufacturing the optical element 20 according to the first embodiment is the same as the method for manufacturing the optical element 20 except for the formation on the surface.
  • the first and second layers are provided on one surface of the base material 21, provided on the other surface of the base material 21, and the structural layer 27 containing the light absorber. And a multilayer film 28 having a function of cutting light in the wavelength band.
  • the optical element 20A can be provided with a function equivalent to or close to that of a commercially available IR cut filter, so that the reflective infrared cut filter 31 is omitted from the optical system of the imaging apparatus. Is possible.
  • the optical element 20A has the function of a commercially available IR cut filter, the optical system of the imaging apparatus can be simplified.
  • the optical element 20 ⁇ / b> A may include a structural layer 29 on the other surface of the base material 21 instead of the multilayer film 28.
  • a silane coupling agent 26 may be provided between the other surface of the substrate 21 and the structural layer 29.
  • the structural layer 29 may have the same configuration as the structural layer 22 in the first embodiment, or may have the same configuration as the structural layer 27 in the second embodiment.
  • FIG. 6 shows an example in which the structural layer 29 has the same configuration as the structural layer 22 in the first embodiment.
  • the arrangement pitch P, height H, and aspect ratio (H / P) of the structure 27a of the structure layer 27 and the structure 22a of the structure layer 29 may be the same or different.
  • the imaging element 11 may not include the microlens 11a. Since the light La in the predetermined wavelength band may be diffracted or reflected by components other than the microlens 11a, the present technology is effective even when applied to an element package that does not include the microlens 11a. However, since the imaging device 11 including the microlens 11a has a large amount of diffracted light and easily causes a red ghost, the present technology is preferably applied to the element package 10A including the microlens 11a.
  • the optical element 20A may be supported by the frame body 14 so that the structural layer 27 is outside the element package 10A.
  • the structure 27a may have a concave shape.
  • a thermosetting resin may be used as the transfer material.
  • the multilayer film 28 may not have a function of cutting light in the first and second wavelength bands but may have only a function of suppressing reflection.
  • the camera module (imaging module) 131 includes an element package 132 and a lens unit 133.
  • the element package 132 includes the imaging element 11 and an element package 132 that accommodates the imaging element 11. Note that in the third embodiment, the same portions as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • the element package 132 includes a circuit board 134, a frame body 135 provided at a predetermined position on one main surface of the circuit board 134, and the optical element 20 having a peripheral edge supported by the frame body 135.
  • the image pickup device 11 is provided on one surface of the circuit board 134, and the optical element 20 is supported by the frame 135 so as to face the image pickup surface of the image pickup device 11 and be separated from the image pickup surface.
  • the lens unit 133 is fixed on the frame body 135.
  • the lens unit 133 includes a lens 136 and a housing 137 as a range holding unit that holds the peripheral portion of the lens 136.
  • the camera module 131 is suitable for application to electronic devices such as personal computers, tablet computers, and mobile phones.
  • the optical element 20 according to the modification of the first embodiment may be employed, or the optical element 20A according to the second embodiment or the modification may be employed. Good.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of an imaging apparatus according to the fourth embodiment of the present technology.
  • an imaging apparatus 100 according to the fourth embodiment is a so-called digital camera (digital still camera), and includes a housing 101, a lens barrel 102, a housing 101, and a lens barrel 102. And an imaging optical system 103 provided inside.
  • the housing 101 and the lens barrel 102 may be configured to be detachable.
  • the imaging optical system 103 includes a lens 111, a light amount adjusting device 112, a semi-transmissive mirror 113, an element package 114, and an autofocus sensor 115.
  • the lens 111, the light amount adjusting device 112, and the semi-transmissive mirror 113 are provided in this order from the tip of the lens barrel 102 toward the element package 114.
  • the autofocus sensor 115 is provided at a position where the light L reflected by the transflective mirror 113 can be received.
  • the imaging apparatus 100 may further include a filter 116 as necessary. Hereinafter, each component of the imaging device 100 will be sequentially described.
  • the lens 111 condenses the light L from the subject toward the element package 114.
  • a lens group may be provided instead of the lens 111.
  • the light amount adjusting device 112 is a stop device that adjusts the size of the stop aperture with the optical axis of the imaging optical system 103 as the center.
  • the light amount adjusting device 112 includes, for example, a pair of diaphragm blades and an ND filter that reduces the amount of transmitted light.
  • a driving method of the light amount adjusting device 112 for example, a method of driving a pair of diaphragm blades and an ND filter with one actuator, and a method of driving a pair of diaphragm blades and an ND filter with two independent actuators are used. However, it is not particularly limited to these methods.
  • ND filter a filter having a single transmittance or density or a filter whose transmittance or density changes in a gradation can be used. Further, the number of ND filters is not limited to one, and a plurality of ND filters may be stacked and used.
  • the transflective mirror 113 is a mirror that transmits part of incident light and reflects the rest. Specifically, the semi-transmissive mirror 113 reflects a part of the light L collected by the lens 111 toward the autofocus sensor 115, while directing the rest of the light L toward the element package 114. To Penetrate.
  • the element package 114 receives the light transmitted through the transflective mirror 113, converts the received light into an electrical signal, and outputs it to a signal processing circuit (not shown).
  • the element package 114 the element package 10 according to the first embodiment is used.
  • the element package 10 according to the modified example of the first embodiment may be used, or the element package 10A according to the second embodiment or a modified example thereof may be used.
  • the autofocus sensor 115 receives the light reflected by the transflective mirror 113, converts the received light into an electrical signal, and outputs it to a control circuit (not shown).
  • the filter 116 is provided at the tip of the lens barrel 102 or in the imaging optical system 103.
  • FIG. 8 shows an example in which the filter 116 is provided at the tip of the lens barrel 102.
  • the filter 116 may have a configuration that is detachable from the distal end of the lens barrel 102.
  • a filter generally provided in the tip of the lens barrel 102 or in the imaging optical system 103 is used, and is not particularly limited.
  • Illustrative examples include polarization (PL) filters, sharp cut (SC) filters, color enhancement and effect filters, neutral density (ND) filters, color temperature conversion (LB) filters, color correction (CC) filters, and white balance acquisition. Filter, lens protection filter and the like.
  • FIG. 9 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of an imaging device according to the fifth embodiment of the present technology.
  • an imaging apparatus 201 according to the fifth embodiment is a so-called digital video camera, and includes a first lens group L1, a second lens group L2, a third lens group L3, and a fourth lens group L4.
  • an imaging optical system is configured.
  • the iris blade 206 and the electric light control element 207 constitute an optical adjustment device.
  • the first lens group L1 and the third lens group L3 are fixed lenses.
  • the second lens group L2 is a zoom lens.
  • the fourth lens unit L4 is a focusing lens.
  • the element package 202 converts incident light into an electrical signal and supplies the signal to a signal processing unit (not shown).
  • the element package 202 the element package 10 according to the first embodiment is used.
  • the element package 10 according to the modification of the first embodiment may be used, or the element package 10A according to the second embodiment or a modification thereof may be used.
  • the filter 204 may not be provided.
  • the low-pass filter 203 is provided, for example, on the front surface of the element package 202, that is, on the light incident surface of the cover glass.
  • the low-pass filter 203 is for suppressing a false signal (moire) generated when a striped pattern image or the like close to the pixel pitch is taken, and is made of, for example, an artificial crystal.
  • the filter 204 for example, cuts the infrared region of light incident on the element package 202, suppresses the floating of the spectrum in the near infrared region (630 nm to 700 nm), and makes the light intensity in the visible region (400 nm to 700 nm) uniform. It is for making.
  • the filter 204 includes, for example, an infrared light cut filter (hereinafter referred to as an IR cut filter) 204a and an IR cut coat layer 204b formed by laminating an IR cut coat on the IR cut filter 204a.
  • the IR cut coat layer 204b is formed, for example, on at least one of the subject side surface of the IR cut filter 204a and the surface of the IR cut filter 204a on the element package 202 side.
  • FIG. 9 shows an example in which the IR cut coat layer 204b is formed on the subject side surface of the IR cut filter 204a.
  • the motor 205 moves the lens fourth group L4 based on a control signal supplied from a control unit (not shown).
  • the iris blade 206 is for adjusting the amount of light incident on the element package 202 and is driven by a motor (not shown).
  • the electric light control element 207 is for adjusting the amount of light incident on the element package 202.
  • the electric light control element 207 is an electric light control element made of a liquid crystal containing at least a dye-based pigment, for example, an electric light control element made of a dichroic GH liquid crystal.
  • An electronic apparatus includes a camera module 131 according to the third embodiment.
  • a camera module 131 according to the third embodiment.
  • the notebook personal computer 301 includes a computer main body 302 and a display 303.
  • the computer main body 302 includes a housing 311, a keyboard 312 and a touch pad 313 housed in the housing 311.
  • the display 303 includes a housing 321, a display element 322 and a camera module 131 housed in the housing 321.
  • the mobile phone 331 is a so-called smartphone, and includes a housing 332, a display element with a touch panel 333 and a camera module 131 housed in the housing 332.
  • the display element 333 with a touch panel is provided on the front side of the mobile phone 331, and the camera module 131 is provided on the back side of the mobile phone 331.
  • the tablet computer 341 includes a housing 342, a display element with a touch panel 343 and a camera module 131 housed in the housing 342.
  • the display element 343 with a touch panel is provided on the front side of the tablet computer 341, and the camera module 131 is provided on the back side of the tablet computer 341.
  • the height H, the arrangement pitch P, and the aspect ratio (H / P) of the moth-eye structure are values obtained by the method described in the first embodiment.
  • Example 1 First, a glass substrate for a cover glass of an element package was prepared, and one surface of this glass substrate was treated with a silane coupling agent. Next, a solventless UV curable resin composition containing a polyfunctional vinyl resin and acrylate was applied to one surface of the glass substrate. Subsequently, the molding surface of the moth eye master is pressed against the UV curable resin composition, irradiated with UV light to cure the UV curable resin composition, and the cured UV curable resin composition is then transferred from the moth eye master to the glass substrate. And peeled off. Thereby, the glass substrate in which the moth-eye structure layer was formed on one main surface was obtained.
  • the height H of the moth-eye structure constituting the moth-eye structure layer was 270 nm, the arrangement pitch P was 250 nm, and the aspect ratio H / P was 1.08.
  • a target glass substrate with a moth-eye structure layer hereinafter referred to as “moth-eye glass substrate”.
  • Example 2 First, 0.2 parts by mass of a phthalocyanine nickel complex as a light absorber (organic dye) was added to 100 parts by mass of a solventless ultraviolet curable resin composition containing a polyfunctional vinyl resin and an acrylate and dissolved. . Next, a moth-eye glass substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that this composition was used.
  • Example 1 A moth-eye glass substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that a solventless ultraviolet curable resin composition containing acrylic acid esters was used.
  • Example 2 A moth-eye glass substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that a solventless ultraviolet curable resin composition containing an acrylic resin was used.
  • Example 3 A moth-eye glass substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that a solventless ultraviolet curable resin composition containing acrylates and hexamethylene diacrylate was used.
  • the initial transmittance [%] of the cover glass was evaluated as follows. The surface on which the moth-eye structure layer was formed was irradiated with light, and the transmission spectrum of the moth-eye glass substrate was measured using an evaluation apparatus (V-550) manufactured by JASCO Corporation. The incident angle of the irradiation light with respect to the surface of the moth-eye structure layer was 90 °. Next, from the measured transmission spectrum, the lowest initial transmittance [%] in the wavelength band of 470 nm to 550 nm was obtained. Next, the determined minimum initial transmittance [%] was determined according to the following criteria. ⁇ : The minimum transmittance is 90% or more. X: The minimum transmittance is less than 90%. If the transmittance is less than 90%, when a moth-eye glass substrate is used for an element package, an image obtained by the element package may become dark and the image may be deteriorated.
  • the maximum amount of change ⁇ Tmax [%] in the wavelength band 420 nm to 600 nm (transmittance after the reflow test [%]) ⁇ (transmittance before the reflow test [% ])
  • the change in transmittance was determined based on the following criteria based on the maximum change ⁇ Tmax.
  • the difference in transmittance [%] before and after the reflow test in the above formula means the difference in transmittance [%] before and after the reflow test at the same wavelength.
  • Maximum transmittance change ⁇ Tmax is within ⁇ 1%
  • Maximum transmittance ⁇ Tmax exceeds ⁇ 1%
  • the maximum transmittance ⁇ Tmax is ⁇ 1 before and after the high-temperature and high-humidity environment test. If it exceeds%, the following problems may occur when the moth-eye glass substrate is used in an element package. That is, when the device package is stored in a high temperature and high humidity environment, the color reproducibility of the device package may change due to alteration of the moth-eye structure layer, and the image obtained by the device package may deteriorate.
  • the reflectance [%] of the moth-eye glass substrate was evaluated as follows. First, a black tape was bonded to the back surface of the moth-eye glass substrate (the surface opposite to the moth-eye structure layer). Next, the surface on which the moth-eye structure surface was formed was irradiated with light, and the reflection spectrum of the moth-eye glass substrate was measured using an evaluation apparatus (V-550) manufactured by JASCO Corporation. The incident angle of the irradiation light with respect to the surface of the moth-eye structure layer was 90 °. Next, from the measured reflection spectrum, the maximum reflectance [%] was obtained in the wavelength band of 400 nm to 700 nm. Next, the determined maximum reflectance [%] was determined according to the following criteria.
  • ⁇ The maximum reflectance is 1% or less.
  • X The maximum reflectance exceeds 1%. When the reflectance exceeds 1%, when a moth-eye glass substrate is used for an element package, an image obtained by the element package becomes dark and the image may be deteriorated.
  • Tables 1 and 2 show the evaluation results of the moth-eye glass substrates of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4.
  • the numerical value in parentheses in the column of the initial transmission characteristic indicates the initial transmittance [%].
  • the numerical value in parentheses in the transmittance change column indicates the maximum change amount ⁇ Tmax.
  • Example 1 using a solvent-free ultraviolet curable resin composition containing a polyfunctional vinyl resin and an acrylate, good results were obtained in all the above evaluations.
  • Comparative Examples 1 to 3 in which the ultraviolet curable resin composition is not used, good results are not obtained in at least one of the above evaluations.
  • Example 2 in which a phthalocyanine nickel complex was added to the above-mentioned ultraviolet curable resin composition, good results were not obtained in the evaluation of the initial transmission characteristics (2), but the other transmissions before and after the high temperature environment test (1). Good results have been obtained in the evaluation of rate change.
  • Comparative Example 4 in which the phthalocyanine vanadium complex was added to the ultraviolet curable resin composition, good results were not obtained in the evaluation of the transmittance change before and after the high temperature environment test (1).
  • the present technology can also employ the following configurations.
  • a substrate An uneven structure layer that is provided on one surface of the substrate and suppresses reflectance, and The reflectance in the wavelength band of 400 nm to 700 nm is 1% or less, The transmittance in the wavelength band of 470 nm or more and 550 nm or less is 90% or more, An optical element having a change in transmittance of 1% or less before and after a high temperature environment test at 150 ° C. for 250 hours.
  • the optical element according to (1) or (2) wherein the amount of change in transmittance before and after the heat test at 245 ° C. for 5 minutes is 1% or less.
  • the concavo-convex structure layer includes an organic resin, The optical element according to any one of claims (1) to (4), wherein the substrate includes at least one of glass, crystallized glass, and crystals. (6) The optical element according to (5), wherein the organic resin is a cured product of an ultraviolet curable resin composition.
  • the ultraviolet curable resin composition includes a first composition containing a first compound having a vinyl group and a second compound having a (meth) acryloyl group, and a third compound having a vinyl group and a (meth) acryloyl group.
  • the said ultraviolet curable resin composition is an optical element as described in (6) or (7) which is a solventless type.
  • the concavo-convex structure layer includes a plurality of structures, The optical element according to any one of (1) to (8), wherein an aspect ratio of the structure is 1 or more.
  • the uneven structure layer includes a light absorber.
  • the adhesion between the base material and the concavo-convex structure layer is any one of classifications 0 to 2, and the optical according to any one of (1) to (15) element.
  • An imaging device comprising the imaging device package according to any one of (18) to (21).
  • (23) (18) Electronic equipment provided with the image pick-up element package in any one of (21).

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Abstract

光学素子は、基材と、基材の一方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層とを備える。４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域における反射率が、１％以下であり、４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域における透過率が、９０％以上であり、１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における透過率の変化量が、１％以下である。

Description

光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器
　本技術は、光学素子、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器に関する。
　光学素子の表面に光の波長以下の微細な凹凸構造を形成することで、光学素子の表面に反射抑制の機能を付与する技術が知られており、その微細な凹凸構造は一般的にモスアイ構造と呼ばれている。
　近年では、モスアイ構造を種々の光学素子に適用することが検討されている。例えば、撮像素子パッケージのカバーガラスにモスアイ構造を適用することが検討されている。なお、本明細書では、撮像素子をパッケージに収容したものを撮像素子パッケージという。
特開２０１５－６８８５３号公報
　しかしながら、モスアイ構造を上記カバーガラスに適用した場合、以下のような不具合が生じる虞がある。すなわち、撮像素子パッケージを高温環境に保持した場合に、撮像素子パッケージの画像が劣化してしまう虞がある。
　本技術の目的は、撮像素子パッケージを高温環境に保持した場合における、撮像素子パッケージの画像の劣化を抑制できる光学素子、それを備える撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、第１の技術は、基材と、基材の少なくとも一方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層とを備え、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域における反射率が、１％以下であり、４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域における透過率が、９０％以上であり、１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における透過率の変化量が、１％以下である光学素子である。
　第２の技術は、第１の技術の光学素子を備える撮像素子パッケージである。
　第３の技術は、第２の技術の撮像素子パッケージを備える撮像装置である。
　第４の技術は、第２の技術の撮像素子パッケージを備える電子機器である。
　本技術によれば、撮像素子パッケージを高温環境に保持した場合における、撮像素子パッケージの画像の劣化を抑制できる。
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る撮像素子パッケージの構成の一例を示す断面図である。図１Ｂは、図１Ａの一部を拡大して表す断面図である。図１Ｃは、光学素子の構成の一例を示す平面図である。 図２は、本技術の第１の実施形態の変形例１に係る撮像素子パッケージの構成の一例を示す断面図である。 図３Ａ、図３Ｂはそれぞれ、本技術の第２の実施形態の撮像素子パッケージの概要を説明するための断面図である。 図４は、本技術の第２の実施形態に係る撮像素子パッケージの構成の一例を示す断面図である。 図５Ａは、ＩＲカットフィルタおよび光学素子の分光特性を説明するためのグラフである。図５Ｂは、図５Ａに分光特性を示した光学素子の構成の一例を示す断面図である。 図６は、本技術の第２の実施形態の変形例１に係る撮像素子パッケージの構成の一例を示す断面図である。 図７は、本技術の第３の実施形態に係るカメラモジュールの構成の一例を示す断面図である。 図８は、本技術の第４の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。 図９は、本技術の第５の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。 図１０は、本技術の第６の実施形態に係る第１の電子機器の外観の一例を示す斜視図である。 図１１Ａは、本技術の第６の実施形態に係る第２の電子機器の前面側の外観の一例を示す斜視図である。図１１Ｂは、本技術の第６の実施形態に係る第２の電子機器の背面側の外観の一例を示す斜視図である。 図１２Ａは、本技術の第６の実施形態に係る第３の電子機器の前面側の外観の一例を示す斜視図である。図１２Ｂは、本技術の第６の実施形態に係る第３の電子機器の背面側の外観の一例を示す斜視図である。
　本技術の実施形態について、以下の順序で説明する。
１　第１の実施形態（撮像素子パッケージの例）
２　第２の実施形態（撮像素子パッケージの例）
３　第３の実施形態（カメラモジュールの例）
４　第４の実施形態（撮像素子パッケージを撮像装置に適用した例）
５　第５の実施形態（撮像素子パッケージを撮像装置に適用した例）
６　第６の実施形態（カメラモジュールを各種の電子機器に適用した例）
＜１．第１の実施形態＞
［撮像素子パッケージの構成］
　本技術の第１の実施形態に係る撮像素子パッケージ（以下「素子パッケージ」という。）１０は、図１Ａに示すように、撮像素子１１と、この撮像素子１１を収容するパッケージ１２とを備える。
（撮像素子）
　撮像素子１１は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサ素子またはＣＯＭＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ素子などである。撮像素子１１は、図１Ｂに示すように、被写体からの光が入射する素子表面（撮像面）に複数のマイクロレンズ１１ａを備える。複数のマイクロレンズ１１ａは、撮像面に所定のパターンで配置されている。
（パッケージ）
　パッケージ１２は、基板１３と、基板１３の一方の面の周縁に設けられた枠体１４と、枠体１４により周縁部が支持された光学素子２０とを備える。撮像素子１１は、基板１３の一方の面に設けられている。光学素子２０は、撮像素子１１の撮像面に対向し、かつ撮像面から離すようにして枠体１４により支持されている。
（光学素子）
　光学素子２０は、撮像素子パッケージ用のカバー体であり、図１Ｂに示すように、撮像素子パッケージ用の板状の基材２１と、基材２１の一方の面に設けられ、反射率を抑制する機能を有する凹凸構造層（以下単に「構造層」という。）２２と、基材２１と構造層２２との間に設けられたシランカップリング剤２３と、基材２１の他方の面に設けられ、反射率を抑制する機能を有する多層膜２４とを備える。光学素子２０は、構造層２２が撮像素子１１に対向するように、すなわち構造層２２が素子パッケージ１０の内側となるように枠体１４により支持されている。
　ここで、構造層２２において“反射率を抑制する機能”とは、基材２１の一方の面に入射する光の反射率を抑制する機能のことをいい、この機能により少なくとも可視光の反射が抑制される。一方、多層膜２４において“反射率を抑制する機能“とは、基材２１の他方の面に入射する光の反射率を抑制する機能のことをいい、この機能により少なくとも可視光の反射が抑制される。
　なお、シランカップリング剤２３は必要に応じて備えられるものであり、なくてもよい。但し、基材２１に対する構造層２２の密着性の劣化を抑制する観点からすると、シランカップリング剤２３が備えられていることが好ましい。また、多層膜２４は必要に応じて備えられるものであり、なくてもよい。但し、基材２１の他方の面における光の反射を抑制する観点からすすると、多層膜２４が備えられていることが好ましい。光学素子２０が、基材２１と多層膜２４との間に設けられたシランカップリング剤（図示せず）をさらに備えるようにしてもよい。ここでは、基材２１の表面の面内において直交する２方向をそれぞれＸ軸方向（第１方向）、Ｙ軸方向（第２方向）と称し、その表面（ＸＹ平面）に垂直な方向をＺ軸方向（第３方向）と称する。
　以下、光学素子２０に備えられる基材２１、構造層２２、シランカップリング剤２３および多層膜２４について順次説明する。
（基材）
　基材２１は、少なくとも可視光に対して透明性を有する無機材料により構成されている。本明細書において、可視光は、例えば３５０ｎｍを超え８５０ｎｍ以下の波長帯域の光である。無機材料は、例えば、ガラス、結晶化ガラスおよび結晶のうちの少なくとも１種である。ガラスは、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラスおよび石英ガラスのうちの少なくとも１種である。結晶化ガラスは、例えば、スピネル系結晶（ＲＡｌ2Ｏ4：ＲはＺｎ、Ｍｇ、Ｆｅから選択される１種類以上）、Ｒ2ＴｉＯ4、二珪酸リチウム、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3）、β－石英、α－クリストバライトおよびそれらの固溶体のうちの少なくとも１種を主結晶相として含むものである。結晶は、例えば、サファイア、水晶、シリコン、炭化珪素および窒化ガリウムのうちの少なくとも１種を含む単結晶または多結晶体である。
（構造層）
　反射抑制層である構造層２２は、いわゆるモスアイ構造層であり、少なくとも可視光に対して反射抑制機能を有する。構造層２２は、基材２１の表面に設けられた複数の構造体２２ａと、これらの複数の構造体２２ａの下部と基材２１の表面との間に設けられた中間層（光学層）２２ｂとを備える。
　構造体２２ａは、いわゆるサブ波長構造体である。構造体２２ａは、基材２１の表面に対して凸状を有する。複数の構造体２２ａは、図１Ｃに示すように、反射の抑制を目的とする可視光の波長帯域以下（例えば３５０ｎｍ以下）の配置ピッチＰで配置されている。構造体２２ａの高さＨは、例えば２３６ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲内に設定されるが、これに限定されるものではない。
　構造体２２ａのアスペクト比は、好ましくは１以上である。アスペクト比が１以上であると、優れた反射抑制機能および透過特性が得られるからである。構造体２２ａのアスペクト比の上限値は、好ましくは２以下、より好ましくは１．４６以下である。アスペクト比が２以下であると、構造層２２の形成時に原盤を構造層２２から容易に剥離することが可能となるからである。ここで、構造体２２ａのアスペクト比とは、構造体２２ａの配置ピッチＰに対する構造体２２ａの高さＨの割合（Ｈ／Ｐ）を意味する。
　上記の構造体２２ａの配置ピッチＰ、高さＨおよびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、以下のようにして求められたものである。まず、光学素子２０を構造体２２ａの頂部を含むように切断し、その断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体２２ａの高さＨおよび配置ピッチＰを求める。そして、上記のようにして求めた高さＨおよび配置ピッチＰからアスペクト比（Ｈ／Ｐ）を求める。
　複数の構造体２２ａが、例えば、基材２１の表面において複数の列をなすように配列されている。その列は、直線状または曲線状を有している。基材２１の表面に直線状の列と曲線状の列とが混在していてもよい。曲線としては、周期的または非周期的に蛇行する曲線が挙げられる。このような曲線の具体例としては、サイン波、三角波などの波形を挙げることができるが、これに限定されるものではない。
　基材２１の表面における複数の構造体２２ａの配置は、規則的配置および不規則的配置のいずれであってもよい。規則的配置としては、四方格子、準四方格子、六方格子、準六方格子などの格子状の配置が好ましい。なお、図１Ｃでは、複数の構造体２２ａを六方格子状に配置した例が示されている。ここで、四方格子とは、正四角形状の格子のことをいう。準四方格子とは、四方格子を歪ませたものをいう。六方格子とは、正六角形状の格子のことをいう。準六方格子とは、六方格子を歪ませたものをいう。
　構造体２２ａの具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球体状、半楕円体状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状（いわゆる錐台形状）、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。頂部に凸状の曲面を有する錐体形状としては、例えば、放物面状などの２次曲面状などが挙げられる。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。
　基材２１の表面に設けられた複数の構造体２２ａはすべて、同一の大きさ、形状および高さを有していてもよいし、複数の構造体２２ａが、異なる大きさ、形状または高さを有するものを含んでいてもよい。また、複数の構造体２２ａが、下部同士を重ね合うようにして繋がっているものを含んでいてもよい。
　中間層２２ｂは、構造体２２ａの下部側に構造体２２ａと一体成形される層であり、構造体２２ａと同様の材料により構成されている。なお、中間層２２ｂは必要に応じて備えられるものであり、なくてもよい。
　中間層２２ｂの厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以上２５μｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以上１０μｍ以下の範囲内である。５０μｍを超えると、エネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化させて中間層２２ｂを形成する際に、エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化収縮により中間層２２ｂと基材２１との間の界面に密着性不良が発生する虞がある。また、透過率の低下も懸念される。一方、１０ｎｍ未満であると、構造体２２ａに応力が加わった際に、その応力が構造体２２ａの下方の中間層２２ｂに逃げることができず、構造体２２ａが折れるなど、光学素子２０の機械特性が低下する虞がある。
　構造層２２は、有機材料を含んでいる。有機材料は、エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化物（重合体）である。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。構造層２２が、赤外線吸収剤をさらに含んでいることが好ましい。構造層２２に赤外線吸収性を付与して、撮像素子１１に到達する赤外線の量を低減できるからである。構造層２２が、必要に応じてフィラー、赤外線吸収剤以外の機能性添加剤、およびエネルギー線硬化性樹脂組成物以外の樹脂のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
　紫外線硬化性樹脂組成物は、溶剤型および無溶剤型のいずれであってもよいが、無溶剤型が好ましい。無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物は、溶剤を揮発させるための乾燥工程を必要とせず、また溶剤の揮発がないため、低臭気で、身体への刺激が低いという利点があるからである。
　紫外線硬化性樹脂組成物は、重合性化合物と開始剤とを含んでいる。重合性はラジカル重合性およびカチオン重合性の少なくとも１種である。重合性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する第１化合物とビニル基を有する第２化合物との両方を含む第１組成物、および（メタ）アクリロイル基およびビニル基を有する化合物を含む第２組成物のうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらの重合性化合物の重合体を構造層２２含むことで、リフロー工程における構造層２２の変質、ならびに高温環境および低温環境における構造層２２の変質などを抑制できる。したがって、リフロー工程による素子パッケージ１０の画像劣化、ならびに高温環境および低温環境における素子パッケージ１０の画像劣化を抑制できる。また、優れた透明性を得ることもできる。
　ここで、（メタ）アクリロイル基は、アクリロイル基またはメタアクリロイル基を意味する。（メタ）アクリロイル基を有する第１化合物としては、１または２以上の（メタ）アクリル基を有するモノマー、１または２以上の（メタ）アクリル基を有するオリゴマーを単独で用いてもよいし、それらを２種混合して用いてもよい。ビニル基を有する第２化合物としては、１または２以上のビニル基を有するモノマー、１または２以上のビニル基を有するオリゴマーを単独で用いてもよいし、それらを２種混合して用いてもよい。（メタ）アクリロイル基およびビニル基を有する化合物としては、１または２以上の（メタ）アクリロイル基および１または２以上のビニル基を有するモノマー、１または２以上の（メタ）アクリロイル基および１または２以上のビニル基を有するオリゴマーを単独で用いてもよいし、それらを２種混合して用いてもよい。
　（メタ）アクリロイル基を有する化合物としては、例えば、単官能モノマー、二官能モノマーおよび多官能モノマーのうちの少なくとも１種を用いることができる。
　単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、４－ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ－ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２－メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２－エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ－イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド、２－（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３－パーフルオロヘキシル－２－ヒドロキシプロピルアクリレート、３－パーフルオロオクチルー２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２－（パーフルオロー３－メチルブチル）エチルアクリレート、２，４，６－トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６－トリブロモフェノールメタクリレート、２－（２，４，６－トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート）などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
　二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
　多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ、ヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
　ビニル基を有する化合物としては、例えば、Ｎ－ビニルピロリドン、エチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジビニルエーテル、トリメチロールプロパンジビニルエーテル、エチレンオキサイド変性ヒドロキノンジビニルエーテル、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、ジトリメチロールプロパンポリビニルエーテルなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
　（メタ）アクリロイル基およびビニル基を有する化合物としては、例えば、上記の（メタ）アクリロイル基を有する化合物にビニル基を導入したもの、および上記のビニル基を有する化合物に（メタ）アクリロイル基を導入したもののうちの少なくとも１種を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
　開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、１－ヒドロキシ－シクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オンなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
　フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。赤外線吸収剤以外の機能性添加剤としては、例えば、色調補正色素、帯電防止剤、熱安定剤、酸化防止剤、分散剤、難燃剤、滑剤、可塑剤、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。エネルギー線硬化性樹脂組成物以外の樹脂は、例えば、熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂のうちの少なくとも１種である。
（シランカップリング剤）
　シランカップリング剤２３の種類は特に限定されず、公知のシランカップリング剤を用いることができる。シランカップリング剤２３の具体例としては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（ビニルベンジル）－２－アミノエチル－３－アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。シランカップリング剤２３を用いると、高温かつ高湿な環境下であっても、基材２１に対する構造層２２の密着性の劣化を抑制することができる。
（反射抑制層）
　多層膜２４は、反射抑制層の一例であって、屈折率が異なる２層以上の薄膜が積層された構造を有している。薄膜の材料としては、例えば、透明な誘電体材料が用いられるが、これに限定されるものではない。
［光学素子の光学特性］
　下記の光学素子２０の透過率および反射率は、構造層２２側から光学素子２０に光を照射して測定されたものである。その測定方法の詳細は、後述の実施例にて説明される通りである。また、下記の各試験前後の透過率の変化量は、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける各試験前後の透過率の変化量である。
（４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域の反射率）
　４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域における光学素子２０の反射率が、１％以下、好ましくは０．８以下である。反射率が１％を超えると、素子パッケージ１０により得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。
（４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域の透過率）
　４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域における光学素子２０の透過率が、９０％以上である。透過率が９０％未満であると、素子パッケージ１０により得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。４２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長帯域における光学素子２０の透過率が、９０％以上であることが好ましい。上記の透過率が９０％以上であると、素子パッケージ１０により優れた画像が得られる
（高温環境試験前後における透過率の変化量）
　１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下であり、より好ましくは１５０℃、１０００ｈの高温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下である。１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が１％を超えると、高温環境に素子パッケージ１０を保管した際に、構造層２２の変質などにより素子パッケージ１０の色再現性が変化し、素子パッケージ１０により得られる画像が劣化する虞がある。
（耐熱試験前後における透過率の変化量）
　２４５℃、５ｍｉｎの耐熱試験（リフロー試験）前後における透過率の変化量が、１％以下であることが好ましい。上記の透過率の変化量が１％を超えると、素子パッケージ１０を回路基板などに搭載するリフロー工程において、構造層２２の変質などにより素子パッケージ１０の色再現性が変化し、素子パッケージ１０により得られる画像が劣化する虞がある。
（高温高湿環境試験前後における透過率の変化量）
　温度８０℃、湿度８５％の環境下に２５０ｈ保持する高温高湿環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下であることが好ましく、温度８０℃、湿度８５％の環境下に１０００ｈ保持する高温高湿環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下であることがより好ましい。温度８０℃、湿度８５％の環境下に２５０ｈ保持する高温高湿環境試験前後における透過率の変化量が１％を超えると、高温高湿環に素子パッケージ１０を保管した際に、構造層２２の変質などにより素子パッケージ１０の色再現性が変化し、素子パッケージ１０により得られる画像が劣化する虞がある。
（低温環境試験前後における透過率の変化量）
　－４０℃の環境下に２５０ｈ保持する低温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下であることが好ましく、－４０℃の環境下に１０００ｈ保持する低温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下であることがより好ましい。－４０℃の環境下に２５０ｈ保持する低温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が１％を超えると、低温環境に素子パッケージ１０を保管した際に、構造層２２の変質などにより素子パッケージ１０の色再現性が変化し、素子パッケージ１０により得られる画像が劣化する虞がある。
［構造層の密着性］
　ＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６に準拠したクロスカット試験において基材２１と構造層２２との密着性は、分類０から２のいずれかであることが好ましい。密着性が分類０から２以外の分類であると、構造層２２の一部分が簡単に剥がれてしまう虞がある。構造層２２の一部分が剥がれると、その部分の明るさが低下し、素子パッケージ１０により得られる画像が劣化してしまう。
［光学素子の製造方法］
　次に、本技術の第１の実施形態に係る光学素子２０の製造方法の一例について説明する。　　　
（原盤の作製工程）
　まず、成形面を一主面に有する原盤を作製する。成形面には、２次元配列された複数の構造体が設けられている。この成形面に設けられている複数の構造体と、上述の構造層２２に設けられている複数の構造体２２ａとは、ほぼ同一の形状を有し、かつ反転した凹凸関係にある。次に、必要に応じて成形面に剥離処理を施すようにしてもよい。
　原盤の材料としては、例えばシリコン、ガラス、金属などを用いることができるが、これらの材料に特に限定されるものではない。原盤の作製方法としては、フォトリソグラフィ、フォトリソグラフィプロセスとエッチングプロセスとを組み合わせた方法、陽極酸化、光ディスクの原盤作製プロセスとエッチングプロセスとを融合した方法（例えば特開２０１０－１５６８４４号公報参照）などを用いることができる。また、原盤から電鋳により複製原盤を作製して使用してもよい。
（表面処理の工程）
　次に、必要に応じて、コロナ放電、ＵＶ照射処理などの表面処理を基材２１の一方の面に施すようにしてもよい。続いて、基材２１の一方の面をシランカップリング剤２３により処理する。
（転写工程）
　次に、基材２１の一方の面に転写材料としてエネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布し、塗布したエネルギー線硬化性樹脂組成物にエネルギー線を照射して硬化させたのち、硬化したエネルギー線硬化性樹脂組成物と一体となった基材２１を剥離する。これにより、構造層２２を基材２１の一方の面に有する光学素子２０が得られる。次に、必要に応じて、光学素子２０を所望とする大きさに切り出すようにしてもよい。
　エネルギー線としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザ光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を用いることができるが、特にこれに限定されるものではない。
［効果］
　第１の実施形態に係る素子パッケージ１０では、１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における光学素子２０の透過率の変化量が、１％以下である。これにより、素子パッケージ１０を高温環境に保持した場合における構造層２２の変質などを抑制できる。したがって、素子パッケージ１０を高温環境に保持した場合における素子パッケージの１０の画像劣化を抑制できる。また、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域における光学素子２０の反射率が、１％以下であり、４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域における光学素子２０の透過率が、９０％以上である。これにより、素子パッケージ１０により良好な画像を得ることができる。
［変形例］
（変形例１）
　光学素子２０が、図２に示すように、基材２１の他方の面に、多層膜２４に代えて、反射率を抑制する機能を有する構造層２５を備えるようにしてもよい。この場合、基材２１の他方の面と構造層２５との間にシランカップリング剤２６が設けられていてもよい。構造層２５は、第１の実施形態における構造層２２と同様の構成を有する。なお、構造層２５および構造層２２における構造体２２ａの配置ピッチＰ、高さＨおよびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
（変形例２）
　光学素子２０は、構造層２２が素子パッケージ１０の外側となるように枠体１４により支持されていてもよい。但し、素子パッケージ１０を、レンズを交換可能な一眼レフカメラなどに使用する場合には、光学素子２０は、構造層２２が素子パッケージ１０の内側となるように枠体１４により支持されていることが好ましい。構造層２２が素子パッケージ１０の外側となるように枠体１４により支持されていると、レンズ交換可能などの際に、構造体２２ａ間にホコリやゴミなどが入り混み、構造層２２の反射抑制機能が低下する虞があるからである。
（変形例３）
　構造体２２ａが凹状を有していてもよい。但し、反射抑制機能および透過特性の観点からすると、第１の実施形態のように構造体２２ａが凸状を有していることが好ましい。
（変形例４）
　転写材料として熱硬化性樹脂を用いてもよい。この場合には、原盤の成形面と熱硬化性樹脂とを密着させ、ヒータなどの熱源により熱硬化性樹脂を加熱して熱硬化性樹脂を硬化させたのち、硬化した熱硬化性樹脂と一体となった基材２１を原盤から剥離することにより、光学素子２０が得られる。
（変形例５）
　光学素子２０を発光素子パッケージに適用してもよい。ここで、発光素子パッケージとは、発光素子をパッケージに収容したものをいう。発光素子としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）またはレーザダイオード（ＬＤ：Laser Diode）などの半導体発光素子が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
＜第２の実施形態＞
［概要］
　第１の実施形態に係る素子パッケージ１０を撮像装置に適用する場合には、通常、図３Ａに示すように、素子パッケージ１０上に反射型赤外カットフィルタ３１を配置する構成が採用される。しかしながら、この構成を有する撮像装置にて太陽光などの強い光を撮影すると、光源の周囲に赤い玉状の模様（以下「赤玉ゴースト」という。）が発生することがある。この赤玉ゴーストは以下のようにして発生する。すなわち、素子パッケージ１０に入射した所定の波長帯域の光Ｌａが、マイクロレンズ１１ａにより回折される。回折光Ｌｂは、赤外カットフィルタ３１にて反射され、撮像素子１１に再入射する。この再入射した回折光Ｌｂにより撮像画像に赤玉ゴーストが発生する。
　そこで、本発明者らは赤玉ゴーストの発生を抑制すべく、鋭意検討を行った。その結果、撮像装置に赤外カットフィルタ３１を設ける代わりに、図３Ｂに示すように、所定の波長帯域の光を吸収する光吸収剤を含む構造層２７を光学素子２０Ａに設け、回折光Ｌｂを透過させる構成を見出すに至った。第２の実施形態では、このような構造層２７を備える素子パッケージ１０Ａについて説明する。
［素子パッケージの構成］
　本技術の第２の実施形態に係る素子パッケージ１０Ａは、図４に示すように、光吸収剤を含む構造層２７と、第１、第２の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜２８を備える点において、第１の実施形態に係る素子パッケージ１０とは異なっている。第２の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
（構造層）
　構造層２７は、複数の構造体２７ａと中間層（光学層）２７ｂとを備える。構造層２７、構造体２７ａおよび中間層２７ｂは、光吸収剤を含む点以外では、第１の実施形態における構造層２２、構造体２２ａ、中間層２２ｂと同様の構成を有している。
　光吸収剤は、構造層２７に入射する光のうち、少なくとも所定の波長帯域の光を吸収する。ここで、所定の波長帯域は、５５０ｎｍ以上、５７５ｎｍ以上または６００ｎｍ以上の波長帯域である。所定の波長帯域の上限値は特に限定されるものではないが、例えば第２の波長帯域の下限値以下である。具体的には例えば６９０ｎｍ以下、７００ｎｍ以下、７１０ｎｍ以下、７２０ｎｍ以下または７３０ｎｍ以下である。
　光吸収剤としては、例えば、有機色素、金属酸化物ナノ粒子および有機金属錯体のうちの少なくとも１種を用いることができ、エネルギー線硬化性樹脂組成物に対する溶解性の観点からすると、有機色素が好ましい。有機色素としては、フタロシアニンニッケル錯体およびフタロシアニン銅錯体のうちの少なくとも１種が好ましく、フタロシアニンニッケル錯体が特に好ましい。フタロシアニンニッケル錯体およびフタロシアニン銅錯体は、エネルギー線硬化性樹脂組成物に溶解可能であることに加えて、上記所定の波長帯域の光に対して良好な吸収性を有し、かつ良好な耐熱性を有する。フタロシアニンニッケル錯体およびフタロシアニン銅錯体のうちでも、フタロシアニンニッケル錯体は特に良好な耐熱性を有している。
（多層膜）
　図５Ａは、市販のＩＲカットフィルタおよび光学素子２０Ｂの分光特性の一例を示す。ここで、光学素子２０Ｂは、図５Ｂに示すように、多層膜２４が設けられていない点以外では、第１の実施形態に係る光学素子２０（図１Ｂ参照）と同様の構成を有する。光学素子２０Ｂは、第１、第２の波長帯域の光および上記所定の波長帯域の光の透過率が市販のＩＲカットフィルタに比して高い。光学素子２０Ｂに対して、反射抑制機能に加えて、市販のＩＲカットフィルタと同等またはそれに近い機能を付与するためには、光学素子２０Ｂにおいて第１、第２の波長帯域の光および上記所定の波長帯域の光の透過率を低減することが望まれる。
　そこで、第２の実施形態では、上述のように上記所定の波長帯域の光を吸収する光吸収剤を含む構造層２７を基材２１の一方の面に設けると共に、第１、第２の波長帯域（規定の波長帯域）の光（例えば可視光以外の波長帯域の光）をカットする機能を有する多層膜２８を基材２１の他方の面に設けている。なお、第１、第２の波長帯域の光の透過率は、１％以下であることが好ましい。
　ここで、第１の波長帯域は、少なくとも紫外光の波長帯域を含む帯域であり、具体的には例えば４３０ｎｍ以下、４２０ｎｍ以下、４１０ｎｍ以下、４００ｎｍ以下または３９０ｎｍ以下である。第１の波長帯域の下限は特に限定されるものではないが、例えば、３１５ｎｍ以上、２８０ｎｍ以上または２００ｎｍ以上である。第２の波長帯域は、少なくとも赤外光の波長帯域を含む帯域であり、具体的には例えば６９０ｎｍ以上、７００ｎｍ以上、７１０ｎｍ以上、７２０ｎｍ以上または７３０ｎｍ以上である。第２の波長帯域の上限は特に限定されるものではないが、例えば、１１００ｎｍ以下、１４００ｎｍ以下または１６００ｎｍ以下である。なお、構造層２７に含まれる光吸収剤が第２の波長帯域の光も吸収する場合には、多層膜２４は、第１、第２の波長帯域の光のうち、第１の波長帯域の光のみをカットする機能を有していてもよい。
［光学素子の製造方法］
　本技術の第１の実施形態に係る光学素子２０Ａの製造方法は、エネルギー線硬化性樹脂組成物に光吸収剤を添加して転写材料を調製すること、および多層膜２４を基材２１の他方の面に形成すること以外の点では、第１の実施形態に係る光学素子２０の製造方法と同様である。
［効果］
　第２の実施形態に係る素子パッケージ１０Ａでは、基材２１の一方の面に設けれ、光吸収剤を含む構造層２７と、基材２１の他方の面に設けられ、第１、第２の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜２８とを備える。このため、光学素子２０Ａに対して、反射抑制の機能に加えて、市販のＩＲカットフィルタと同等またはそれに近い機能を付与できるので、撮像装置の光学系から反射型赤外カットフィルタ３１を省くことが可能となる。したがって、反射型赤外カットフィルタ３１による回折光Ｌｂの反射が無くなるため、素子パッケージ１０Ａにて太陽光などの強い光を撮影した場合における、赤玉ゴーストの発生を抑制することができる。また、光学素子２０Ａが市販のＩＲカットフィルタの機能を兼ね備えるため、撮像装置の光学系を簡略化できる。
［変形例］
（変形例１）
　光学素子２０Ａが、図６に示すように、基材２１の他方の面に、多層膜２８に代えて構造層２９を備えるようにしてもよい。この場合、基材２１の他方の面と構造層２９との間にシランカップリング剤２６が設けられていてもよい。構造層２９は、第１の実施形態における構造層２２と同様の構成を有していてもよいし、第２の実施形態における構造層２７と同様の構成を有していてもよい。図６では、構造層２９が、第１の実施形態における構造層２２と同様の構成を有する例が示されている。なお、構造層２７の構造体２７ａと構造層２９の構造体２２ａの配置ピッチＰ、高さＨおよびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
（変形例２）
　第２の実施形態では、素子パッケージ１０Ａがマイクロレンズ１１ａを備える場合について説明したが、撮像素子１１がマイクロレンズ１１ａを備えていないものであってもよい。所定の波長帯域の光Ｌａはマイクロレンズ１１ａ以外の構成部材によっても回折または反射されることがあるため、本技術はマイクロレンズ１１ａを備えていない素子パッケージに適用しても効果が得られる。但し、マイクロレンズ１１ａを備える撮像素子１１では回折光の光量が多く、赤玉ゴーストが発生しやすいため、本技術はマイクロレンズ１１ａを備える素子パッケージ１０Ａに適用することが好ましい。
（その他）
　光学素子２０Ａは、構造層２７が素子パッケージ１０Ａの外側となるように枠体１４により支持されていてもよい。構造体２７ａが凹状を有していてもよい。転写材料として熱硬化性樹脂を用いてもよい。多層膜２８が第１、第２の波長帯域の光をカットする機能を有さず、反射抑制の機能のみを有していてもよい。
＜３．第３の実施形態＞
　図７に示すように、本技術の第３の実施形態に係るカメラモジュール（撮像モジュール）１３１は、素子パッケージ１３２と、レンズユニット１３３とを備える。素子パッケージ１３２は、撮像素子１１と、撮像素子１１を収容する素子パッケージ１３２とを備える。なお、第３の実施形態において、第１の実施形態と同一の箇所には同一の符号を付す。
　素子パッケージ１３２は、回路基板１３４と、回路基板１３４の一方の主面の所定位置に設けられた枠体１３５と、枠体１３５により周縁部が支持された光学素子２０とを備える。撮像素子１１は回路基板１３４の一方の面に設けられ、光学素子２０は、撮像素子１１の撮像面に対向し、かつ撮像面から離すようにして枠体１３５により支持されている。
　レンズユニット１３３は、枠体１３５上に固定されている。レンズユニット１３３は、レンズ１３６と、レンズ１３６の周縁部を保持するレンジ保持部としての筐体１３７とを備える。カメラモジュール１３１は、パーソナルコンピュータ、タブレット型コンピュータ、携帯電話などの電子機器に適用して好適なものである。
　第３の実施形態に係るカメラモジュール１３１において、第１の実施形態の変形例の光学素子２０を採用してもよいし、第２の実施形態またはその変形例の光学素子２０Ａを採用してもよい。
＜４　第４の実施形態＞
　第４の実施形態では、上述の第１の実施形態に係る素子パッケージ１０を撮像装置に適用した例について説明する。
　図８は、本技術の第４の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。図８に示すように、第４の実施形態に係る撮像装置１００は、いわゆるデジタルカメラ（デジタルスチルカメラ）であって、筐体１０１と、レンズ鏡筒１０２と、筐体１０１およびレンズ鏡筒１０２内に設けられた撮像光学系１０３とを備える。筐体１０１とレンズ鏡筒１０２とが着脱自在に構成されていてもよい。
　撮像光学系１０３は、レンズ１１１と、光量調整装置１１２と、半透過型ミラー１１３と、素子パッケージ１１４と、オートフォーカスセンサ１１５とを備える。レンズ１１１、光量調整装置１１２、半透過型ミラー１１３は、レンズ鏡筒１０２の先端から素子パッケージ１１４に向かってこの順序で設けられている。オートフォーカスセンサ１１５は、半透過型ミラー１１３により反射された光Ｌを受光可能な位置に設けられている。撮像装置１００が、必要に応じてフィルタ１１６をさらに備えるようにしてもよい。以下、撮像装置１００の各構成要素について順次説明する。
（レンズ）
　レンズ１１１は、被写体からの光Ｌを素子パッケージ１１４に向けて集光する。なお、レンズ１１１に代えてレンズ群が備えられていてもよい。
（光量調整装置）
　光量調整装置１１２は、撮像光学系１０３の光軸を中心とする絞り用開口の大きさを調整する絞り装置である。光量調整装置１１２は、例えば、一対の絞り羽根と、光の透過光量を減少させるＮＤフィルタとを備えている。光量調整装置１１２の駆動方式としては、例えば、一対の絞り羽根とＮＤフィルタとを１つのアクチュエータで駆動する方式、一対の絞り羽根とＮＤフィルタとをそれぞれ独立した２つのアクチュエータで駆動する方式を用いることができるが、これらの方式に特に限定されるものではない。ＮＤフィルタとしては、透過率もしくは濃度が単一のフィルタ、または透過率もしくは濃度がグラデーション状に変化するフィルタを用いることができる。また、ＮＤフィルタの数は１枚に限定されるものではなく、複数枚のＮＤフィルタを積層して用いるようにしてもよい。
（半透過型ミラー）
　半透過型ミラー１１３は、入射する光の一部を透過し、残りを反射するミラーである。具体的には、半透過型ミラー１１３は、レンズ１１１により集光された光Ｌの一部をオートフォーカスセンサ１１５に向けて反射するのに対して、光Ｌの残りを素子パッケージ１１４に向けて透過する。
（素子パッケージ）
　素子パッケージ１１４は、半透過型ミラー１１３を透過した光を受光し、受光した光を電気信号に変換し、信号処理回路（図示せず）に出力する。素子パッケージ１１４としては、第１の実施形態に係る素子パッケージ１０が用いられる。なお、素子パッケージ１１４として、第１の実施形態の変形例に係る素子パッケージ１０が用いられてもよいし、第２の実施形態またはその変形例に係る素子パッケージ１０Ａが用いられてもよい。
（オートフォーカスセンサ）
　オートフォーカスセンサ１１５は、半透過型ミラー１１３により反射された光を受光し、受光した光を電気信号に変換し、制御回路（図示せず）に出力する。
（フィルタ）
　フィルタ１１６は、レンズ鏡筒１０２の先端、または撮像光学系１０３内に設けられる。なお、図８では、フィルタ１１６をレンズ鏡筒１０２の先端に備える例が示されている。この構成を採用する場合、フィルタ１１６は、レンズ鏡筒１０２の先端に対して着脱自在の構成を有していてもよい。
　フィルタ１１６としては、レンズ鏡筒１０２の先端、または撮像光学系１０３内に一般的に設けられるものが用いられ、特に限定されるものではない。例示するならば、偏光（ＰＬ）フィルタ、シャープカット（ＳＣ）フィルタ、色彩強調および効果用フィルタ、減光（ＮＤ）フィルタ、色温度変換（ＬＢ）フィルタ、色補正（ＣＣ）フィルタ、ホワイトバランス取得用フィルタ、レンズ保護用フィルタなどが挙げられる。
＜５　第５の実施形態＞
　上述の第５の実施形態では、撮像装置としてデジタルカメラ（デジタルスチルカメラ）に本技術を適用する場合を例として説明したが、本技術の適用例はこれに限定されるものではない。本技術の第５の実施形態では、デジタルビデオカメラに本技術を適用した例について説明する。
　図９は、本技術の第５の実施形態に係る撮像装置の構成の一例を示す概略図である。図９に示すように、第５の実施形態に係る撮像装置２０１は、いわゆるデジタルビデオカメラであって、レンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、素子パッケージ２０２、ローパスフィルタ２０３、フィルタ２０４、モータ２０５、アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７を備える。この撮像装置２０１では、レンズ第１群Ｌ１、レンズ第２群Ｌ２、レンズ第３群Ｌ３、レンズ第４群Ｌ４、素子パッケージ２０２、ローパスフィルタ２０３、フィルタ２０４、アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７により撮像光学系が構成される。アイリス羽根２０６および電気調光素子２０７により光学調整装置が構成される。以下、撮像装置２０１の各構成要素について順次説明する。
（レンズ群）
　レンズ第１群Ｌ１およびレンズ第３群Ｌ３は、固定レンズである。レンズ第２群Ｌ２は、ズーム用レンズである。レンズ第４群Ｌ４は、フォーカス用レンズである。
（素子パッケージ）
　素子パッケージ２０２は、入射された光を電気信号に変換し、図示を省略した信号処理部に供給する。素子パッケージ２０２としては、第１の実施形態に係る素子パッケージ１０が用いられる。なお、素子パッケージ２０２として、第１の実施形態の変形例に係る素子パッケージ１０が用いられてもよいし、第２の実施形態またはその変形例に係る素子パッケージ１０Ａが用いられてもよい。なお、第２の実施形態またはその変形例に係る素子パッケージ１０Ａが用いられる場合には、フィルタ２０４は設けなくてもよい。
（ローパスフィルタ）
　ローパスフィルタ２０３は、例えば、素子パッケージ２０２の前面、すなわちカバーガラスの光入射面に設けられる。ローパスフィルタ２０３は、画素ピッチに近い縞模様の像などを撮影した場合に生じる偽信号（モワレ）を抑制するためのものであり、例えば、人工水晶から構成される。
　フィルタ２０４は、例えば、素子パッケージ２０２に入射する光の赤外域をカットするとともに、近赤外域（６３０ｎｍ～７００ｎｍ）の分光の浮きを抑え、可視域帯（４００ｎｍ～７００ｎｍ）の光強度を一様にするためのものである。このフィルタ２０４は、例えば、赤外光カットフィルタ（以下、ＩＲカットフィルタ）２０４ａと、このＩＲカットフィルタ２０４ａ上にＩＲカットコートを積層させて形成されたＩＲカットコート層２０４ｂとから構成される。ここで、ＩＲカットコート層２０４ｂは、例えば、ＩＲカットフィルタ２０４ａの被写体側の面およびＩＲカットフィルタ２０４ａの素子パッケージ２０２側の面の少なくとも一方に形成される。図９では、ＩＲカットフィルタ２０４ａの被写体側の面にＩＲカットコート層２０４ｂが形成される例が示されている。
　モータ２０５は、図示を省略した制御部から供給された制御信号に基づき、レンズ第４群Ｌ４を移動する。アイリス羽根２０６は、素子パッケージ２０２に入射する光量を調整するためのものであり、図示を省略したモータにより駆動される。
　電気調光素子２０７は、素子パッケージ２０２に入射する光量を調整するためのものである。この電気調光素子２０７は、少なくとも染料系色素を含んだ液晶からなる電気調光素子であり、例えば、２色性ＧＨ液晶からなる電気調光素子である。
＜６　第６の実施形態＞
　第６の実施形態に係る電子機器は、第３の実施形態に係るカメラモジュール１３１を備えている。以下に、本技術の第６の実施形態に係る電子機器の例について説明する。
　図１０を参照して、電子機器がノート型パーソナルコンピュータ３０１である例について説明する。ノート型パーソナルコンピュータ３０１は、コンピュータ本体３０２と、ディスプレイ３０３とを備える。コンピュータ本体３０２は、筐体３１１と、この筐体３１１に収容されたキーボード３１２およびタッチパッド３１３を備える。ディスプレイ３０３は、筐体３２１と、この筐体３２１に収容された表示素子３２２およびカメラモジュール１３１とを備える。
　図１１Ａ、図１１Ｂを参照して、電子機器が携帯電話３３１である例について説明する。携帯電話３３１は、いわゆるスマートフォンであり、筐体３３２と、この筐体３３２に収容されたタッチパネル付き表示素子３３３およびカメラモジュール１３１とを備える。タッチパネル付き表示素子３３３は携帯電話３３１の前面側に設けられ、カメラモジュール１３１は携帯電話３３１の背面側に設けられる。
　図１２Ａ、図１２Ｂを参照して、電子機器がタブレット型コンピュータ３４１である例について説明する。タブレット型コンピュータ３４１は、筐体３４２と、この筐体３４２に収容されたタッチパネル付き表示素子３４３およびカメラモジュール１３１とを備える。タッチパネル付き表示素子３４３はタブレット型コンピュータ３４１の前面側に設けられ、カメラモジュール１３１はタブレット型コンピュータ３４１の背面側に設けられる。
　以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
　本実施例において、モスアイ構造体の高さＨ、配置ピッチＰおよびアスペクト比（Ｈ／Ｐ）は、第１の実施形態において説明した方法により求められた値である。
［実施例１］
　まず、素子パッケージのカバーガラス用のガラス基板を準備し、このガラス基板の一方の面をシランカップリング剤により処理した。次に、多官能ビニル樹脂およびアクリレートを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を、ガラス基板の一方の面に塗布した。続いて、モスアイ原盤の成形面を紫外線硬化性樹脂組成物に押し当てＵＶ光を照射し、紫外線硬化性樹脂組成物を硬化させたのち、硬化した紫外線硬化性樹脂組成物をモスアイ原盤からガラス基板と共に剥離した。これにより、モスアイ構造層が一主面に形成されたガラス基板が得られた。モスアイ構造層を構成するモスアイ構造体の高さＨは２７０ｎｍ、配置ピッチＰは２５０ｎｍ、アスペクト比Ｈ／Ｐは１．０８とした。以上により、目的とするモスアイ構造層付きのガラス基板（以下「モスアイガラス基板」という。）が得られた。
［実施例２］
　まず、多官能ビニル樹脂およびアクリレートを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物１００質量部に対して、光吸収剤（有機色素）としてのフタロシアニンニッケル錯体０．２質量部を加えて溶解させた。次に、この組成物を用いる以外は実施例１と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
［比較例１］
　アクリル酸エステル類を含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を用いる以外は実施例１と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
［比較例２］
　アクリル系樹脂を含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を用いる以外は実施例１と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
［比較例３］
　アクリル酸エステル類および二アクリル酸ヘキサメチレンを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を用いる以外は実施例１と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
［比較例４］
　まず、多官能ビニル樹脂およびアクリレートを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物１００質量部に対して、光吸収剤（有機色素）としてのフタロシアニンバナジウム錯体０．１質量部を加えて溶解させた。次に、この組成物を用いる以外は実施例１と同様にして、モスアイガラス基板を得た。
（評価）
　上述のようにして得られた実施例１、２、比較例１～４のモスアイガラス基板について、以下の評価を行った。なお、比較例４では、高温高湿環境試験（１）で良好な結果が得られなかったため、高温高湿環境試験（２）などの評価を実施しなかった。また、実施例２、比較例４では、高温高湿環境試験前後の透過率変化、および低温環境試験前後の透過率変化の評価を実施しなかった。
（密着性）
　まず、ＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６に準拠したクロスカット試験をモスアイ構造層に対して実施した。次に、試験後の碁盤目の状態を上記のＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６に記載の分類１～５に基づき評価し、その評価結果に基づき以下の基準で密着性を判定した。
　○：上記のＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６に記載の状態の分類０～２に該当する。
　×：上記のＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６に記載の状態の分類３～５に該当する。
　なお、分類３～５であると、モスアイ構造層が簡単に剥がれてしまう虞がある。モスアイ構造層の一部分が剥がれると、その部分の明るさが低下し、画像が劣化してしまう。
（初期透過特性（１）の評価）
　カバーガラスの初期透過率［％］を以下のようにして評価した。モスアイ構造層が形成された面に光を照射して、モスアイガラス基板の透過スペクトルを、日本分光社製の評価装置（Ｖ－５５０）を用いて測定した。なお、モスアイ構造層の表面に対する照射光の入射角度は９０°とした。次に、測定した透過スペクトルから、波長帯域４７０ｎｍ～５５０ｎｍにおいて、最低の初期透過率［％］を求めた。次に、求めた最低の初期透過率［％］を以下の基準で判定した。
　○：最低の透過率が９０％以上である。
　×：最低の透過率が９０％未満である。
　なお、透過率が９０％未満であると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、素子パッケージにより得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。
（初期透過特性（２）の評価）
　まず、“初期透過特性（１）の評価”と同様にして測定した透過スペクトルから、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおいて、最低の初期透過率［％］を求めた。次に、求めた最低の初期透過率［％］を“初期透過特性（１）の評価”と同様の基準で判定した。
（リフロー試験前後の透過率変化の評価）
　まず、上記の“初期透過特性の評価”と同様にしてモスアイガラス基板の透過スペクトルを取得した。次に、モスアイガラス基板にリフロー試験（２４５℃の環境下にモスアイガラス基板を５ｍｉｎ保持する試験）を行ったのち、上記の“初期透過特性の評価”と同様にしてモスアイガラス基板の透過スペクトルを再度取得した。続いて、リフロー試験前後の透過スペクトルから、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける透過率の最大変化量ΔＴmax［％］（＝（リフロー試験後の透過率［％］）－（リフロー試験前の透過率［％］））を求めたのち、その最大変化量ΔＴmaxに基づき以下の基準で透過率変化を判定した。なお、上記の式におけるリフロー試験前後の透過率［％］の差は、同一波長におけるリフロー試験前後の透過率［％］の差を意味している。
　○：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％以内である
　×：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超える
　なお、リフロー試験前後において透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、素子パッケージを回路基板などに搭載するリフロー工程において、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
（高温環境試験（１）前後の透過率変化の評価）
　まず、リフロー試験に代えて、高温環境試験（１）（モスアイガラス基板を１５０℃の環境下に２５０ｈ保持する試験）を行う以外は、上記の“リフロー試験前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける透過率の最大変化量ΔＴmaxを求めた。次に、求めた最大変化量ΔＴmaxに基づき以下の基準で透過率変化を判定した。
　○：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％以内である
　×：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超える
　なお、高環境試験前後において透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、以下のような不具合が生じる虞がある。すなわち、高温環境に素子パッケージを保管した際に、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
（高温環境試験（２）前後の透過率変化の評価）
　まず、高温環境試験（２）（モスアイガラス基板を１５０℃の環境下に１０００ｈ保持する試験）を行う以外は、上記の“高温環境試験（１）前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける透過率の最大変化量ΔＴmaxを求めた。次に、上記の“高温環境試験（１）前後の透過率変化の評価”と同様の基準で透過率変化を判定した。
（高温高湿環境試験前後の透過率変化の評価）
　まず、リフロー試験に代えて、高温高湿環境試験（モスアイガラス基板を温度８０℃、湿度８５％の環境下に１０００ｈ保持する試験）を行う以外は、上記の“リフロー試験前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける透過率の最大変化量ΔＴmaxと求めた。次に、その最大変化量ΔＴmaxに基づき以下の基準で判定した。
　○：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％以内である
　×：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超える
　なお、高温高湿環境試験前後において透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、以下のような不具合が生じる虞がある。すなわち、高温高湿環境に素子パッケージを保管した際に、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
（低温環境試験前後の透過率変化の評価）
　まず、リフロー試験に代えて、低温環境試験（モスアイガラス基板を－４０℃の環境下に１０００ｈ保持する試験）を行う以外は、上記の“リフロー試験前後の透過率変化の評価”と同様にして、波長帯域４２０ｎｍ～６００ｎｍにおける透過率の最大変化量を求めた。次に、その最大変化量ΔＴmaxに基づき以下の基準で透過率変化を判定した。
　○：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％以内である
　×：透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超える
　なお、低温環境試験前後において透過率の最大変化量ΔＴmaxが±１％を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、以下のような不具合が生じる虞がある。すなわち、低温環境に素子パッケージを保管した際に、モスアイ構造層の変質などにより素子パッケージの色再現性が変化し、素子パッケージにより得られる画像が劣化する虞がある。
（反射率）
　モスアイガラス基板の反射率［％］を以下のようにして評価した。まず、モスアイガラス基板の裏面（モスアイ構造層とは反対側の面）にブラックテープを貼り合わせた。次に、モスアイ構造面が形成された面に光を照射して、モスアイガラス基板の反射スペクトルを、日本分光社製の評価装置（Ｖ－５５０）を用いて測定した。なお、モスアイ構造層の表面に対する照射光の入射角度は９０°とした。次に、測定した反射スペクトルから、波長帯域４００ｎｍ～７００ｎｍにおいて、最大の反射率［％］を求めた。次に、求めた最大の反射率［％］を以下の基準で判定した。
　○：最大の反射率が１％以下である。
　×：最大の反射率が１％を超える。
　なお、反射率が１％を超えると、モスアイガラス基板を素子パッケージに用いた場合に、素子パッケージにより得られる画像が暗くなり、画像が劣化する虞がある。
　表１、表２は、実施例１、２、比較例１～４のモスアイガラス基板の評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　なお、表１において、初期透過特性の欄における括弧内の数値は、初期透過率［％］を示している。また、表２において、透過率変化の欄における括弧内の数値は、最大変化量ΔＴmaxを示している。
　表１、表２から以下のことがわかる。多官能ビニル樹脂およびアクリレートを含む無溶剤型の紫外線硬化性樹脂組成物を用いた実施例１では、上記の全ての評価で良好な結果が得られている。一方、上記の紫外線硬化性樹脂組成物を用いていない比較例１～３では、上記の評価のうち少なくとも１つで良好な結果が得られていない。
　上記の紫外線硬化性樹脂組成物にフタロシアニンニッケル錯体を添加した実施例２では、初期透過特性（２）の評価で良好な結果が得られないが、それ以外の高温環境試験（１）前後の透過率変化の評価などでは良好な結果が得られている。一方、上記の紫外線硬化性樹脂組成物にフタロシアニンバナジウム錯体を添加した比較例４では、高温環境試験（１）前後の透過率変化の評価で良好な結果が得られていない。
　以上、本技術の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
　また、上述の実施形態および実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　基材と、
　前記基材の一方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層と
　を備え、
　４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域における反射率が、１％以下であり、
　４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域における透過率が、９０％以上であり、
　１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における透過率の変化量が、１％以下である光学素子。
（２）
　１５０℃、１０００ｈの高温環境試験前後における透過率の変化量が、１％以下である（１）に記載の光学素子。
（３）
　２４５℃、５ｍｉｎの耐熱試験前後における透過率の変化量が、１％以下である（１）または（２）に記載の光学素子。
（４）
　４２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長帯域における透過率が、９０％以上である（１）から（３）のいずれかに記載の光学素子。
（５）
　前記凹凸構造層は、有機樹脂を含み、
　前記基材は、ガラス、結晶化ガラスおよび結晶のうちの少なくとも１種を含む請求項（１）から（４）のいずれかに記載の光学素子。
（６）
　前記有機樹脂は、紫外線硬化性樹脂組成物の硬化物である（５）に記載の光学素子。
（７）
　前記紫外線硬化性樹脂組成物は、ビニル基を有する第１化合物と（メタ）アクリロイル基を有する第２化合物とを含む第１組成物、およびビニル基と（メタ）アクリロイル基とを有する第３化合物を含む第２組成物のうちの少なくとも１種である（６）に記載の光学素子。
（８）
　前記紫外線硬化性樹脂組成物は、無溶剤型である（６）または（７）に記載の光学素子。
（９）
　前記凹凸構造層は、複数の構造体を含み、
　前記構造体のアスペクト比が、１以上である（１）から（８）のいずれかに記載の光学素子。
（１０）
　前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する多層膜をさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載の光学素子。
（１１）
　前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備える請求項（１）から（９）のいずれかに記載の光学素子。
（１２）
　前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層をさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載の光学素子。
（１３）
　前記凹凸構造層は、光吸収剤を含む請求項（１）から（１２）のいずれかに記載の光学素子。
（１４）
　前記光吸収剤は、フタロシアニンニッケル錯体を含む（１３）に記載の光学素子。
（１５）
　前記基材と前記凹凸構造層との間にシランカップリング剤が設けられている（１）から（１４）のいずれかに記載の光学素子。
（１６）
　ＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６に準拠したクロスカット試験において前記基材と前記凹凸構造層との密着性は、分類０から２のいずれかである（１）から（１５）のいずれかに記載の光学素子。
（１７）
　撮像素子パッケージ用である（１）から（１６）のいずれかに記載の光学素子。
（１８）
　（１）から（１７）のいずれかに記載の光学素子を有するパッケージと、
　前記パッケージに収容された撮像素子と
　を備える撮像素子パッケージ。
（１９）
　前記凹凸構造層が、前記撮像素子に対向する（１８）に記載の撮像素子パッケージ。
（２０）
　前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備え、
　前記凹凸構造層が、光吸収剤を含む（１８）または（１９）に記載の撮像素子パッケージ。
（２１）
　前記撮像素子の表面にマイクロレンズが設けられている（１８）から（１９）のいずれかに記載の撮像素子パッケージ。
（２２）
　（１８）から（２１）のいずれかに記載の撮像素子パッケージを備える撮像装置。
（２３）
　（１８）から（２１）のいずれかに記載の撮像素子パッケージを備える電子機器。
　１０、１０Ａ　　撮像素子パッケージ
　１１　　撮像素子
　１２　　パッケージ
　１３　　基板
　１４　　枠体
　２０、２０Ａ、２０Ｂ　　光学素子
　２１　　基材
　２２、２５、２７　　凹凸構造層
　２２ａ、２７ａ　　構造体
　２２ｂ、２７ｂ　　中間層
　２３、２６　　シランカップリング剤
　２４、２８　　多層膜

Claims (23)

  1. 　基材と、
    　前記基材の一方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層と
    　を備え、
    　４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長帯域における反射率が、１％以下であり、
    　４７０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長帯域における透過率が、９０％以上であり、
    　１５０℃、２５０ｈの高温環境試験前後における透過率の変化量が、１％以下である光学素子。
  2. 　１５０℃、１０００ｈの高温環境試験前後における透過率の変化量が、１％以下である請求項１に記載の光学素子。
  3. 　２４５℃、５ｍｉｎの耐熱試験前後における透過率の変化量が、１％以下である請求項１に記載の光学素子。
  4. 　４２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長帯域における透過率が、９０％以上である請求項１に記載の光学素子。
  5. 　前記凹凸構造層は、有機樹脂を含み、
    　前記基材は、ガラス、結晶化ガラスおよび結晶のうちの少なくとも１種を含む請求項１に記載の光学素子。
  6. 　前記有機樹脂は、紫外線硬化性樹脂組成物の硬化物である請求項５に記載の光学素子。
  7. 　前記紫外線硬化性樹脂組成物は、ビニル基を有する第１化合物と（メタ）アクリロイル基を有する第２化合物とを含む第１組成物、およびビニル基と（メタ）アクリロイル基とを有する第３化合物を含む第２組成物のうちの少なくとも１種である請求項６に記載の光学素子。
  8. 　前記紫外線硬化性樹脂組成物は、無溶剤型である請求項６に記載の光学素子。
  9. 　前記凹凸構造層は、複数の構造体を含み、
    　前記構造体のアスペクト比が、１以上である請求項１に記載の光学素子。
  10. 　前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する多層膜をさらに備える請求項１に記載の光学素子。
  11. 　前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備える請求項１に記載の光学素子。
  12. 　前記基材の他方の面に設けられ、反射率を抑制する凹凸構造層をさらに備える請求項１に記載の光学素子。
  13. 　前記凹凸構造層は、光吸収剤を含む請求項１に記載の光学素子。
  14. 　前記光吸収剤は、フタロシアニンニッケル錯体を含む請求項１３に記載の光学素子。
  15. 　前記基材と前記凹凸構造層との間にシランカップリング剤が設けられている請求項１に記載の光学素子。
  16. 　ＪＩＳ　Ｋ５６００－５－６に準拠したクロスカット試験において前記基材と前記凹凸構造層との密着性は、分類０から２のいずれかである請求項１に記載の光学素子。
  17. 　撮像素子パッケージ用である請求項１に記載の光学素子。
  18. 　請求項１に記載の光学素子を有するパッケージと、
    　前記パッケージに収容された撮像素子と
    　を備える撮像素子パッケージ。
  19. 　前記凹凸構造層が、前記撮像素子に対向する請求項１８に記載の撮像素子パッケージ。
  20. 　前記基材の他方の面に設けられ、規定の波長帯域の光をカットする機能を有する多層膜をさらに備え、
    　前記凹凸構造層が、光吸収剤を含む請求項１８に記載の撮像素子パッケージ。
  21. 　前記撮像素子の表面にマイクロレンズが設けられている請求項２０に記載の撮像素子パッケージ。
  22. 　請求項１８に記載の撮像素子パッケージを備える撮像装置。
  23. 　請求項１８に記載の撮像素子パッケージを備える電子機器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021034542A (ja) * 2019-08-23 2021-03-01 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114019592A (zh) * 2021-11-08 2022-02-08 烟台睿创微纳技术股份有限公司 一种减反射结构体及其制作方法、光学器件
TW202403349A (zh) * 2022-07-07 2024-01-16 大根光學工業股份有限公司 電子感光元件、成像鏡頭模組與電子裝置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005062674A (ja) * 2003-08-19 2005-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 板状光学部品
JP2009015076A (ja) * 2007-07-05 2009-01-22 Hoya Corp 光学ローパスフィルタ及びそれを具備する撮像装置
JP2010256546A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Canon Electronics Inc 光学素子
JP2012227190A (ja) * 2011-04-15 2012-11-15 Nippon Shokubai Co Ltd ナノインプリント用硬化性樹脂組成物
WO2013005769A1 (ja) * 2011-07-05 2013-01-10 三菱レイヨン株式会社 微細凹凸構造を表面に有する物品、およびこれを備えた映像表示装置
JP2013083871A (ja) * 2011-10-12 2013-05-09 Tamron Co Ltd 反射防止膜及び反射防止膜の製造方法
JP2015068853A (ja) * 2013-09-26 2015-04-13 ソニー株式会社 積層体、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器
JP2016126066A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 大日本印刷株式会社 反射防止物品、及び画像表示装置
WO2016159290A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 富士フイルム株式会社 反射防止膜及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010243596A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Sharp Corp 画像記録媒体、画像記録媒体の再利用装置、これを備えた画像形成装置、及び画像記録媒体の再利用方法
WO2013005767A1 (ja) * 2011-07-06 2013-01-10 Dic株式会社 ガスバリア性多層フィルム、接着剤、及びコーティング材
JP5356612B2 (ja) * 2011-08-16 2013-12-04 三菱レイヨン株式会社 保護フィルム付き微細凹凸構造体およびその製造方法
WO2017119021A1 (ja) * 2016-01-07 2017-07-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光学デバイス及び配光機能付き窓
WO2017122245A1 (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光学デバイス及び配光機能付き窓

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005062674A (ja) * 2003-08-19 2005-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 板状光学部品
JP2009015076A (ja) * 2007-07-05 2009-01-22 Hoya Corp 光学ローパスフィルタ及びそれを具備する撮像装置
JP2010256546A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Canon Electronics Inc 光学素子
JP2012227190A (ja) * 2011-04-15 2012-11-15 Nippon Shokubai Co Ltd ナノインプリント用硬化性樹脂組成物
WO2013005769A1 (ja) * 2011-07-05 2013-01-10 三菱レイヨン株式会社 微細凹凸構造を表面に有する物品、およびこれを備えた映像表示装置
JP2013083871A (ja) * 2011-10-12 2013-05-09 Tamron Co Ltd 反射防止膜及び反射防止膜の製造方法
JP2015068853A (ja) * 2013-09-26 2015-04-13 ソニー株式会社 積層体、撮像素子パッケージ、撮像装置および電子機器
JP2016126066A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 大日本印刷株式会社 反射防止物品、及び画像表示装置
WO2016159290A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 富士フイルム株式会社 反射防止膜及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021034542A (ja) * 2019-08-23 2021-03-01 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
WO2021039547A1 (ja) * 2019-08-23 2021-03-04 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置

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