JP6960514B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

技術分野は、ゲートドライバ回路を有する半導体装置に関する。
アクティブマトリクス方式で駆動する表示装置は、スイッチとして機能する素子（トラ
ンジスタ等）が設けられた画素を複数有する画素部と、ソースドライバ回路及びゲートド
ライバ回路を含むドライバ回路と、を有する。ソースドライバ回路は、スイッチとして機
能する素子がオンの時に、当該素子が設けられた画素にビデオ信号を出力する。ゲートド
ライバ回路は、スイッチとして機能する素子のスイッチングを制御する。
ゲートドライバ回路は、画素部に近接して設けられる。画素部の一辺に近接してゲート
ドライバ回路が設けられる場合、画素部が占める領域が表示装置の片側に偏ることがある
。そのため、ゲートドライバ回路を画素部の左右に分割した構成を有する表示装置が提案
されている。
例として、特許文献１で開示される表示装置の構成を図５８に示す。図５８に示す表示
装置では、表示領域の左右周辺領域に、第１のゲートドライバ回路５１０８及び第２のゲ
ートドライバ回路５１１０が、左右対称にそれぞれ配置される。
第１のゲートドライバ回路５１０８は、表示領域の左側周辺領域に配置されている。第
１のゲートドライバ回路５１０８は、奇数番目のゲートライン（ＧＬ１、ＧＬ３乃至ＧＬ
ｎ＋１）にそれぞれの出力端子が連結された複数のシフトレジスタ（ＳＲＣ１、ＳＲＣ３
、乃至ＳＲＣｎ＋１）により構成される。第２のゲートドライバ回路５１１０は、表示領
域の右側周辺領域に配置されている。第２のゲートドライバ回路５１１０は、偶数番目の
ゲートライン（ＧＬ２、ＧＬ４、・・・、ＧＬｎ）にそれぞれの出力端子が連結された複
数のシフトレジスタ（ＳＲＣ２、ＳＲＣ４、・・・、ＳＲＣｎ）により構成される。
第１のゲートドライバ回路５１０８によって、画素部５１０２の奇数行に配列された画
素とソースドライバ回路５１１２の電気的な接続が制御され、第２のゲートドライバ回路
５１１０によって、画素部５１０２の偶数行に配列された画素とソースドライバ回路５１
１２の電気的な接続が制御される。
特開２００３−０７６３４６号公報
図５８を参照して説明した表示装置のように、ゲートドライバ回路を画素部の左右に分
割した構成を有する表示装置では、ゲート線（「ゲート信号線」ともいう。）が選択され
る期間（「選択期間」ともいう。）において、第１のゲートドライバ回路及び第２のゲー
トドライバ回路の一方からゲート線に信号が出力される。また、ゲート線が選択されない
期間（「非選択期間」ともいう。）では、第１のゲートドライバ回路及び第２のゲートド
ライバ回路の両方から、ゲート線に信号が出力されない。
本発明の一態様では、選択期間においてゲート信号線に出力される信号の遅延又はなま
りが低減された半導体装置を提供することを課題とする。
または、本発明の一態様では、第１のゲートドライバ回路及び第２のゲートドライバ回
路が有するトランジスタの劣化が抑制された半導体装置を提供することを課題とする。
または、本発明の一態様では、ゲート信号線の電位の立ち上がり時間又は立ち下がり時
間が短い半導体装置を提供することを課題とする。
本発明の一態様は、ゲート信号線と、ゲート信号線に選択信号及び非選択信号を出力す
る、第１のゲートドライバ回路及び第２のゲートドライバ回路と、ゲート信号線と電気的
に接続され、選択信号及び非選択信号が入力される複数の画素と、を有する半導体装置で
あって、ゲート信号線が選択される期間において、第１のゲートドライバ回路及び第２の
ゲートドライバ回路の双方は、ゲート信号線に選択信号を出力し、ゲート信号線が選択さ
れない期間において、第１のゲートドライバ回路及び第２のゲートドライバ回路の一方は
、ゲート信号線に非選択信号を出力し、第１のゲートドライバ回路及び第２のゲートドラ
イバ回路の他方は、ゲート信号線に選択信号及び非選択信号を出力しない。
また、第１のゲートドライバ回路及び第２のゲートドライバ回路は、複数の画素を有す
る画素部を挟んで配置されてもよい。
また、半導体装置は、選択信号が出力されたゲート信号線に対応する画素にビデオ信号
を書き込むソースドライバ回路を有していてもよい。
本発明の一態様は、選択期間においてゲート信号線に出力される信号の遅延又はなまり
が低減された半導体装置を提供することができる。
または、本発明の一態様は、第１のゲートドライバ回路及び第２のゲートドライバ回路
が有するトランジスタの劣化が抑制された半導体装置を提供することができる。
または、本発明の一態様は、ゲート信号線の電位の立ち上がり時間又は立ち下がり時間
が短い半導体装置を提供することができる。
半導体装置の構成の一例を示す図、及び半導体装置の動作の一例を示すタイミングチャート。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 ゲートドライバ回路の構成の一例及び動作の一例を説明するための図。 ゲートドライバ回路が行う各動作の一例に対応する模式図。 ゲートドライバ回路の動作の一例を示すタイミングチャート。 ゲートドライバ回路の動作の一例を示すタイミングチャート。 ゲートドライバ回路の動作の一例を示すタイミングチャート。 ゲートドライバ回路の構成の一例及び動作の一例を説明するための図。 ゲートドライバ回路の構成の一例及び動作の一例を説明するための図。 ゲートドライバ回路の構成の一例を説明するための図。 ゲートドライバ回路の動作の一例を説明するための図。 ゲートドライバ回路の動作の一例を説明するための図。 ゲートドライバ回路の構成の一例及び動作の一例を説明するための図。 ゲートドライバ回路の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の回路図の一例を示す図。 半導体装置の動作の一例を示すタイミングチャート。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を示すタイミングチャート。 半導体装置の動作の一例を示すタイミングチャート。 半導体装置の回路図の一例を示す図。 半導体装置の回路図の一例を示す図。 半導体装置の回路図の一例を示す図。 半導体装置の動作の一例を示すタイミングチャート。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を示すタイミングチャート。 半導体装置の回路図の一例を示す図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の回路図の一例を示す図。 半導体装置の回路図の一例を示す図。 半導体装置の回路図の一例を示す図。 半導体装置の回路図の一例を示す図。 半導体装置の回路図の一例を示す図。 半導体装置の回路図の一例を示す図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 半導体装置の動作の一例を説明するための図。 表示装置の構成の一例及び画素の構成の一例を示す図。 シフトレジスタの回路図の一例を示す図。 シフトレジスタの回路図の一例を示す図。 シフトレジスタの動作の一例を示すタイミングチャート。 ソースドライバ回路の構成の一例を示す図、及びソースドライバ回路の動作の一例を示すタイミングチャート。 保護回路の回路図の一例を示す図。 保護回路を設けた半導体装置の構成の一例を示す図。 表示装置の構造の一例、及びトランジスタの構造の一例を示す図。 表示装置の構成の一例を示す図。 半導体装置のレイアウト図を示す図。 電子機器の一例を説明するための図。 電気機器の一例、及び半導体装置の応用例を説明するための図。 表示装置の構成を示す図。 比較例の半導体装置の回路図を示す図。 回路シミュレーションによる計算結果を示す図。 回路シミュレーションによる計算結果を示す図。
本発明を説明するための実施の形態の一例について、図面を参照して以下に説明する。
但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従っ
て、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではないもの
とする。なお、図面を参照するにあたり、異なる図面間において、同じものを指し示す符
号を共通して用いる場合がある。また、異なる図面間において、同様のものを指し示す際
には同じハッチパターンを使用し、符号を付さない場合がある。
なお、各実施の形態の内容を互いに適宜組み合わせることができる。また、各実施の形
態の内容を互いに適宜置き換えることができる。
また、本明細書において用いる「第ｋ」（ｋは自然数）という用語は、構成要素の混同
を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。
なお、一般に、二点間における電位の差（電位差ともいう。）を電圧という。しかし、
電子回路では、回路図等において、ある一点の電位と基準となる電位（基準電位ともいう
。）との電位差を用いることがある。また、電圧と電位はいずれも、単位としてボルト（
Ｖ）を用いることがある。そこで、本明細書では、特に指定する場合を除き、ある一点の
電位と基準電位との電位差を、当該一点の電圧として用いる場合がある。
なお、本明細書において、トランジスタは少なくとも３つの端子（ソース、ドレイン、
及びゲート）を有し、１つの端子の電位により他の２つの端子間の導通が制御される構成
を有する。また、トランジスタの構造や動作条件等によって、トランジスタのソースとド
レインが互いに入れ替わる場合がある。
なお、ソースとは、ソース電極の一部若しくは全部、又は、ソース配線の一部若しくは
全部のことをいう。また、ソース電極とソース配線とを区別せずに、ソース電極及びソー
ス配線の両方の機能を有する導電層をソースという場合がある。また、ドレインとは、ド
レイン電極の一部若しくは全部、又は、ドレイン配線の一部若しくは全部のことをいう。
また、ドレイン電極とドレイン配線とを区別せずに、ドレイン電極及びドレイン配線の両
方の機能を有する導電層をドレインという場合がある。また、ゲートとは、ゲート電極の
一部若しくは全部、又は、ゲート配線の一部若しくは全部のことをいう。また、ゲート電
極とゲート配線とを区別せずに、ゲート電極及びゲート配線の両方の機能を有する導電層
をゲートという場合がある。
なお、本明細書において、「ＡとＢとが接続されている」とは、ＡとＢとが直接接続さ
れているものの他に、電気的に接続されているものを含むものとする。具体的には、トラ
ンジスタ等のスイッチとして機能する素子を介してＡとＢとが接続され、当該スイッチと
して機能する素子が、導通状態であるときにＡとＢとが概略同電位である場合や、抵抗素
子を介してＡとＢとが接続され、当該抵抗素子の両端に発生する電位差が、ＡとＢとを含
む回路の所定の動作に影響を与えない程度である場合等、回路の動作を説明する上で、Ａ
とＢとの間の部分が、同じノードであると捉えて差し支えない状態にある場合に、ＡとＢ
とが接続されているという。
なお、本明細書において、「概ね」とは、ノイズによる誤差、プロセスのばらつきによ
る誤差、素子の作製工程のばらつきによる誤差、又は測定誤差等の、様々な誤差を含むも
のとする。
なお、本明細書において、Ｌレベルの信号（「Ｌ信号」ともいう。）の電位をＶ１とし
、Ｈレベルの信号（「Ｈ信号」ともいう。）の電位をＶ２（Ｖ２＞Ｖ１）とする。また、
「Ｌ信号の電位」、「Ｌレベルの電位」、又は「電圧Ｖ１」と記載する場合は、これらの
電位が概ねＶ１であるものとし、「Ｈ信号の電位」、「Ｈレベルの電位」、又は「電圧Ｖ
２」と記載する場合は、これらの電位が概ねＶ２であるものとする。
（実施の形態１）
本実施の形態では、ゲートドライバ回路（「ゲートドライバ」ともいう。）を有する半
導体装置について、図１（Ａ）〜図３（Ｃ）を参照して説明する。
図１（Ａ）に、ゲートドライバ回路を有する半導体装置の構成の一例を示す。また、図
１（Ｂ）は、半導体装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。なお、半導体装
置は、ゲートドライバ回路の他にも、ソースドライバ回路（「ソースドライバ」ともいう
。）、制御回路等を有していてもよい。
図１（Ａ）において、半導体装置は、画素部５０と、第１のゲートドライバ回路５１と
、第２のゲートドライバ回路５２と、第１のゲートドライバ回路５１及び第２のゲートド
ライバ回路５２に接続されたゲート線５４（「ゲート信号線」ともいう。）を有する。図
１（Ａ）では、半導体装置が有する複数のゲート線Ｇ１〜ゲート線Ｇｍ（ｍは自然数）の
うち、ゲート線Ｇｉ〜ゲート線Ｇｉ＋２（ｉは１〜ｍ−２のいずれか一つ）を示している
。
ゲート線５４が選択される場合、ゲートドライバ回路５１及びゲートドライバ回路５２
から、ゲート線５４にＨ信号が入力される。このように、ゲートドライバ回路５１及びゲ
ートドライバ回路５２の両方からＨ信号が入力されることによって、ゲート線５４の電位
の立ち上がり時間又は立ち下がり時間を短くすることができ、また、ゲート線５４に出力
される信号の遅延又はなまりを低減することができる。
一方、ゲート線５４が選択されない場合、ゲートドライバ回路５１及びゲートドライバ
回路５２の一方から、ゲート線５４にＬ信号が出力され、他方からはゲート線５４に信号
が出力されない。よって、当該他方のゲートドライバ回路が有するトランジスタの一部又
は全てをオフにすることができる。
また、図１（Ａ）に示す半導体装置の動作の一例について、以下に説明する。図２（Ａ
）〜図２（Ｃ）はｋフレーム目、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）はｋ＋１フレーム目における半
導体装置の動作の一例を示す。
なお、図２（Ａ）〜図３（Ｃ）において、矢印は、ゲートドライバ回路（第１のゲート
ドライバ回路５１又は第２のゲートドライバ回路５２）がゲート線５４に信号を出力する
ことを意味し、×印は、ゲートドライバ回路がゲート線５４に信号を出力しないことを意
味する。
ここで、ゲートドライバ回路がゲート線５４に出力する信号の種類によって、矢印の向
きを使い分ける。ゲートドライバ回路がゲート線５４に、信号（例えば、非選択信号）を
出力する場合は、矢印の向きをゲート線５４からゲートドライバ回路への方向とする。一
方、ゲートドライバ回路がゲート線５４に、上記信号（例えば、非選択信号）とは別の信
号（例えば、選択信号）を出力する場合は、矢印の向きをゲートドライバ回路からゲート
線５４への方向とする。
図２（Ａ）に示すように、ｋフレーム目において、ゲート線Ｇｉが選択され、ゲート線
Ｇｉ＋１及びゲート線Ｇｉ＋２が選択されない場合（図１（Ｂ）の期間ｋ＿ｉに対応）、
ゲートドライバ回路５１及びゲートドライバ回路５２からゲート線ＧｉにＨ信号が出力さ
れる。また、ゲートドライバ回路５１からゲート線Ｇｉ＋１及びゲート線Ｇｉ＋２にＬ信
号が出力され、ゲートドライバ回路５２からゲート線Ｇｉ＋１及びゲート線Ｇｉ＋２に信
号が出力されない。よって、ゲートドライバ回路５２が有するトランジスタの一部又は全
てをオフにすることができる。
次に、図３（Ａ）に示すように、ｋ＋１フレーム目において、ゲート線Ｇｉが選択され
、ゲート線Ｇｉ＋１及びゲート線Ｇｉ＋２が選択されない場合（図１（Ｂ）の期間ｋ＋１
＿ｉに対応）、ゲートドライバ回路５１及びゲートドライバ回路５２からゲート線Ｇｉに
Ｈ信号が出力される。また、ゲートドライバ回路５１からゲート線Ｇｉ＋１及びゲート線
Ｇｉ＋２に信号が出力されず、ゲートドライバ回路５２からゲート線Ｇｉ＋１及びゲート
線Ｇｉ＋２にＬ信号が出力される。よって、ゲートドライバ回路５１が有するトランジス
タの一部又は全てをオフにすることができる。
同様に、図２（Ｂ）に示すように、ｋフレーム目において、ゲート線Ｇｉ＋１が選択さ
れ、ゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋２が選択されない場合、ゲートドライバ回路５１及
びゲートドライバ回路５２からゲート線Ｇｉ＋１にＨ信号が出力される。また、ゲートド
ライバ回路５１からゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋２にＬ信号が出力され、ゲートドラ
イバ回路５２からゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋２に信号が出力されない。よって、ゲ
ートドライバ回路５２が有するトランジスタの一部又は全てをオフにすることができる。
次に、図３（Ｂ）に示すように、ｋ＋１フレーム目において、ゲート線Ｇｉ＋１が選択
され、ゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋２が選択されない場合、ゲートドライバ回路５１
及びゲートドライバ回路５２からゲート線Ｇｉ＋１にＨ信号が出力される。また、ゲート
ドライバ回路５１からゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋２に信号が出力されず、ゲートド
ライバ回路５２からゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋２にＬ信号が出力される。よって、
ゲートドライバ回路５１が有するトランジスタの一部又は全てをオフにすることができる
。
同様に、図２（Ｃ）に示すように、ｋフレーム目において、ゲート線Ｇｉ＋２が選択さ
れ、ゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋１が選択されない場合、ゲートドライバ回路５１及
びゲートドライバ回路５２からゲート線Ｇｉ＋２にＨ信号が出力される。また、ゲートド
ライバ回路５１からゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋１にＬ信号が出力され、ゲートドラ
イバ回路５２からゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋１に信号が出力されない。よって、ゲ
ートドライバ回路５２が有するトランジスタの一部又は全てをオフにすることができる。
次に、図３（Ｃ）に示すように、ｋ＋１フレーム目において、ゲート線Ｇｉ＋２が選択
され、ゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋１が選択されない場合、ゲートドライバ回路５１
及びゲートドライバ回路５２からゲート線Ｇｉ＋２にＨ信号が出力される。また、ゲート
ドライバ回路５１からゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋１に信号が出力されず、ゲートド
ライバ回路５２からゲート線Ｇｉ及びゲート線Ｇｉ＋１にＬ信号が出力される。よって、
ゲートドライバ回路５１が有するトランジスタの一部又は全てをオフにすることができる
。
このようにして、選択されないゲート線５４には、ゲートドライバ回路５１及びゲート
ドライバ回路５２の一方からは信号が出力されないので、当該一方のゲートドライバ回路
が有するトランジスタの一部又は全てをオフにすることができる。よって、当該トランジ
スタの劣化を抑制することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、ゲートドライバ回路の構成及び動作について説明する。
＜ゲートドライバ回路の構成＞
ゲートドライバ回路の構成について、図４（Ａ）を参照して説明する。
図４（Ａ）に、ゲートドライバ回路の構成の一例を示す。ゲートドライバ回路は、回路
１０Ａと回路１０Ｂとを有する。なお、図４（Ａ）では、ゲートドライバ回路が、回路１
０Ａと回路１０Ｂの２つの回路を有する場合を示しているが、ゲートドライバ回路が、回
路１０Ａと回路１０Ｂを含む３つ以上の回路を有していてもよい。
回路１０Ａは配線１１と接続され、回路１０Ｂは配線１１と接続される。
配線１１に回路１０Ａ又は回路１０Ｂから信号が入力され、配線１１は、信号線として
の機能を有する。なお、回路１０Ａ及び回路１０Ｂとは別の回路から、配線１１に信号が
入力されてもよい。
なお、図４（Ａ）のゲートドライバ回路を、画素部を有する表示装置に用いる場合、配
線１１は画素部に延伸して配置され、画素部を構成する画素のトランジスタ（例えば、ス
イッチングトランジスタ、選択トランジスタ等）のゲートと接続される。この場合、配線
１１はゲート線（「ゲート信号線」ともいう。）、走査線、又は電源線としての機能を有
する。
または、配線１１に回路１０Ａ又は回路１０Ｂから一定の電圧が供給され、配線１１は
、電源線としての機能を有する。なお、回路１０Ａ及び回路１０Ｂとは別の回路から、配
線１１に電圧が入力されてもよい。
次に、回路１０Ａと回路１０Ｂの機能について説明する。
回路１０Ａは、配線１１に信号（例えば、選択信号又は非選択信号）を出力するタイミ
ングを制御する機能を有する。または、回路１０Ａは、配線１１に信号を出力しないタイ
ミングを制御する機能を有する。または、回路１０Ａは、ある期間において配線１１に信
号（例えば、非選択信号）を出力し、別の期間では配線１１に別の信号（例えば、選択信
号）を出力する機能を有する。または、回路１０Ａは、ある期間において配線１１に信号
（例えば、選択信号又は非選択信号）を出力し、別の期間において配線１１に信号を出力
しない機能を有する。
このように、回路１０Ａは、駆動回路、又は制御回路としての機能を有する。なお、回
路１０Ａは、配線１１にさらに別の信号を出力してもよい。この場合、回路１０Ａは、配
線１１に３種類以上の信号を出力することができる。
回路１０Ｂは、配線１１に信号（例えば、選択信号又は非選択信号）を出力するタイミ
ングを制御する機能を有する。または、回路１０Ｂは、配線１１に信号を出力しないタイ
ミングを制御する機能を有する。または、回路１０Ｂは、ある期間において配線１１に信
号（例えば、非選択信号）を出力し、別の期間では配線１１に別の信号（例えば、選択信
号）を出力する機能を有する。または、回路１０Ｂは、ある期間において配線１１に信号
（例えば、選択信号又は非選択信号）を出力し、別の期間において配線１１に信号を出力
しない機能を有する。
このように、回路１０Ｂは、駆動回路、又は制御回路としての機能を有する。なお、回
路１０Ｂは、配線１１にさらに別の信号を出力してもよい。この場合、回路１０Ｂは、配
線１１に３種類以上の信号を出力することができる。
＜ゲートドライバ回路の動作＞
図４（Ａ）のゲートドライバ回路の動作について、図４（Ｂ）及び図５（Ａ）〜図５（
Ｉ）を参照して説明する。
図４（Ｂ）に、ゲートドライバ回路の動作の一例を示す。図４（Ｂ）では、ゲートドラ
イバ回路が行う各動作における、回路１０Ａの出力信号ＯＵＴＡ及び回路１０Ｂの出力信
号ＯＵＴＢを示している。図５（Ａ）〜図５（Ｉ）は、図４（Ａ）のゲートドライバ回路
が行う各動作の一例に対応する模式図である。
なお、図４（Ａ）のゲートドライバ回路は、回路１０Ａと回路１０Ｂのそれぞれが、配
線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力する場合と、回路１０Ａと回路１０Ｂのそれ
ぞれが、配線１１に当該信号とは別の信号（例えば、選択信号）を出力する場合と、回路
１０Ａと回路１０Ｂのそれぞれが、配線１１に信号（例えば、非選択信号及び選択信号）
を出力しない場合と、を適宜組み合わせることによって、図４（Ｂ）に示す９つの動作を
行うことができる。
本実施の形態では、上記９つの動作について説明する。なお、図４（Ａ）のゲートドラ
イバ回路は、９つの動作の全てを行う必要はなく、９つの動作の一部を選択して行うこと
ができる。また、図４（Ａ）のゲートドライバ回路は、この９つの動作以外の動作を行っ
てもよい。
なお、図４（Ｂ）において、「○」は、回路（回路１０Ａ又は回路１０Ｂ）が配線１１
に信号（例えば、非選択信号）を出力することを意味する。「◎」は、回路が配線１１に
当該信号とは別の信号（例えば、選択信号）を出力することを意味する。「×」は、回路
が配線１１に信号（例えば、非選択信号及び選択信号）を出力しないことを意味する。
なお、図５（Ａ）〜図５（Ｉ）の模式図において、矢印は、回路（回路１０Ａ又は回路
１０Ｂ）が配線１１に信号を出力することを意味し、×印は、回路が配線１１に信号を出
力しないことを意味する。ここで、回路が配線１１に出力する信号の種類によって、矢印
の向きを使い分ける。回路が配線１１に、信号（例えば、非選択信号）を出力する場合は
、矢印の向きを配線１１から回路への方向とする。一方、回路が配線１１に、上記信号（
例えば、非選択信号）とは別の信号（例えば、選択信号）を出力する場合は、矢印の向き
を回路から配線１１への方向とする。
なお、図５（Ａ）〜図５（Ｉ）の模式図において、矢印の向きは、電流の向き及び電流
が生じることを示すものではなく、回路（回路１０Ａ又は回路１０Ｂ）から配線１１に信
号が出力されることを意味する。なお、電流の向きは、配線１１の電位によって決まる。
また、回路から出力される信号の電位と配線１１の電位とがおおむね等しいと、電流が生
じない又は電流が微少になることがある。
図４（Ａ）のゲートドライバ回路の動作の一例について、以下に説明する。
図５（Ａ）の動作１では、回路１０Ａは配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力
し、回路１０Ｂは配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力する。図５（Ｂ）の動作
２では、回路１０Ａは配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、回路１０Ｂは配
線１１に信号を出力しない。図５（Ｃ）の動作３では、回路１０Ａは配線１１に信号を出
力せず、回路１０Ｂは配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力する。図５（Ｄ）の
動作４では、回路１０Ａは配線１１に信号を出力せず、回路１０Ｂは配線１１に信号を出
力しない。
図５（Ｅ）の動作５では、回路１０Ａは配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出
力し、回路１０Ｂは配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力する。図５（Ｆ）の
動作６では、回路１０Ａは配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力し、回路１０
Ｂは配線１１に信号を出力しない。図５（Ｇ）の動作７では、回路１０Ａは配線１１に信
号を出力せず、回路１０Ｂは配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力する。図５
（Ｈ）の動作８では、回路１０Ａは配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、回
路１０Ｂは配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力する。図５（Ｉ）の動作９で
は、回路１０Ａは配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力し、回路１０Ｂは配線
１１に信号（例えば、非選択信号）を出力する。
以上のように、図４（Ａ）のゲートドライバ回路は、様々な動作を行うことができる。
次に、それぞれの動作における利点について説明する。
動作１及び動作５において、回路１０Ａと回路１０Ｂが配線１１に同じ信号を出力する
ことにより、配線１１の電位をノイズが少なく安定した値にすることができる。例えば、
配線１１と接続された画素に本来書き込まれるべきでない信号（例えば、別の行の画素に
入力されるビデオ信号）が書き込まれるのを防止することができる。または、配線１１と
接続された画素が保持するビデオ信号の電位が変化するのを防止することができる。これ
らの結果、表示装置の表示品位の向上を図ることができる。
また、動作１及び動作５において、回路１０Ａと回路１０Ｂが配線１１に同じ信号を出
力することにより、配線１１の電位の変化を急峻にする（例えば、立ち上がり時間を短く
する又は立ち下がり時間を短くする）ことができる。よって、配線１１の電位のなまりを
低減することができる。例えば、配線１１と接続された画素に本来書き込まれるべきでな
い信号（例えば、前の行の画素に入力されるビデオ信号）が書き込まれるのを防止するこ
とができる。この結果、クロストークを低減することができるので、表示装置の表示品位
の向上を図ることができる。
動作８及び動作９において、回路１０Ａと回路１０Ｂが配線１１に別々の信号（例えば
、選択信号及び非選択信号）を出力することにより、配線１１の電位を、回路１０Ａが出
力する信号の電位と、回路１０Ｂが出力する信号の電位との間の電位にすることができる
。そのため、配線１１の電位を精度良く制御することができる。
動作２、動作３、動作６、及び動作７において、回路１０Ａ及び回路１０Ｂの一方から
配線１１に信号を出力することにより、回路１０Ａと回路１０Ｂの他方は信号を出力しな
いため、当該信号を出力しない回路が有するトランジスタをオフにすることができる。よ
って、当該トランジスタの劣化を抑制することができる。
動作４において、回路１０Ａ及び回路１０Ｂから配線１１に信号を出力しないため、回
路１０Ａと回路１０Ｂが有するトランジスタをオフにすることができる。よって、当該ト
ランジスタの劣化を抑制することができる。
上記のように、動作２、動作３、動作４、動作６、動作７において、トランジスタの劣
化を抑制することができるため、トランジスタの半導体層として、非晶質半導体若しくは
微結晶半導体等の非単結晶半導体、有機半導体、又は酸化物半導体等の、劣化しやすい材
料を用いることができる。よって、半導体装置を作製する際に、工程数を削減し、歩留ま
りを高くし、又はコストを削減することができる。また、半導体装置の作製方法が容易に
なるため、表示装置を大型にすることができる。
また、動作２、動作３、動作４、動作６、動作７において、トランジスタの劣化を抑制
することができるため、トランジスタの劣化を考慮してトランジスタのチャネル幅を大き
くする必要がない。このため、トランジスタのチャネル幅を小さくすることができるので
、レイアウト面積を小さくすることができる。特に、本実施の形態のゲートドライバ回路
を表示装置に用いる場合、ゲートドライバ回路のレイアウト面積を小さくすることができ
るので、画素の解像度を高くすることができる。
また、上記のように、動作２、動作３、動作４、動作６、動作７において、トランジス
タのチャネル幅を小さくすることができるので、ゲートドライバ回路の負荷を小さくする
ことができる。そのため、本実施の形態のゲートドライバ回路に信号等を供給する回路（
例えば、外部回路）の電流供給能力を小さくすることができる。この結果、当該信号等を
供給する回路の規模を小さくすること、又は、当該信号等を供給する回路として用いられ
るＩＣチップの数を減らすことができる。また、ゲートドライバ回路の負荷を小さくする
ことができるため、ゲートドライバ回路の消費電力を低減することができる。
次に、図４（Ａ）のゲートドライバ回路の動作が、図５（Ａ）〜図５（Ｉ）で示す動作
１〜動作９のうちのいくつかを組み合わせて行われる場合の、タイミングチャートについ
て以下に説明する。
ここで、図４（Ａ）のゲートドライバ回路の動作を示すタイミングチャートは、複数の
期間を有する。各期間、又は、ある期間から別の期間に移行する期間において、図４（Ａ
）のゲートドライバ回路は、図５（Ａ）〜図５（Ｉ）で示す動作１〜動作９のいずれかを
行うことができる。また、図４（Ａ）のゲートドライバ回路は、図５（Ａ）〜図５（Ｉ）
で示す動作１〜動作９以外の動作を行ってもよい。
図６（Ａ）〜図６（Ｌ）は、ゲートドライバ回路の動作の一例を示すタイミングチャー
トである。図６（Ａ）〜図６（Ｌ）のタイミングチャートでは、期間ａと期間ｂと期間ｃ
とを順に有し、それ以外に期間ｄを有する。なお、図６（Ａ）〜図６（Ｌ）では、期間ａ
〜期間ｄがこの順に配置されているが、期間ａ〜期間ｄの配置の順番はこれに限定されな
い。また、タイミングチャートは、期間ａ〜期間ｄ以外の期間を有していてもよい。
また、図６（Ａ）〜図６（Ｌ）のタイミングチャートにおいて、実線は回路（回路１０
Ａ又は回路１０Ｂ）が配線１１に信号を出力していることを意味し、点線は回路が配線１
１に信号を出力していないことを意味する。
図６（Ａ）に示すタイミングチャートを参照して、期間ａ、期間ａから期間ｂに移行す
る期間、期間ｂ、期間ｂから期間ｃに移行する期間、期間ｃ、及び期間ｄにおける、図４
（Ａ）のゲートドライバ回路の動作について説明する。
期間ａ、期間ｂから期間ｃに移行する期間、期間ｃ、及び期間ｄにおいて、図４（Ａ）
のゲートドライバ回路は図５（Ｂ）の動作２を行う。つまり、期間ａ、期間ｂから期間ｃ
に移行する期間、期間ｃ、及び期間ｄにおいて、回路１０Ａは配線１１に信号（例えば、
非選択信号）を出力し、回路１０Ｂは配線１１に信号を出力しない。
期間ａから期間ｂに移行する期間、及び期間ｂにおいて、図４（Ａ）のゲートドライバ
回路は図５（Ｆ）の動作６を行う。つまり、期間ａから期間ｂに移行する期間、及び期間
ｂにおいて、回路１０Ａは配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力し、回路１０
Ｂは配線１１に信号を出力しない。
このように、期間ａ、期間ａから期間ｂに移行する期間、期間ｂ、期間ｂから期間ｃに
移行する期間、期間ｃ、及び期間ｄにおいて、回路１０Ｂは、配線１１に信号を出力しな
い。そのため、回路１０Ｂが有するトランジスタの劣化を抑制することができる。また、
回路１０Ｂにおいて、信号を出力しないためのスイッチを設ける、又は、トランジスタを
オフにする等、簡単な回路設計によって、回路１０Ｂの消費電力を低減することができる
。
なお、図６（Ａ）に示すタイミングチャートにおいて、期間ａ、期間ａから期間ｂに移
行する期間、期間ｂ、期間ｂから期間ｃに移行する期間、期間ｃ、及び期間ｄのうちの少
なくとも一つにおいて、回路１０Ａは、配線１１に信号を出力しなくてもよい。
また、図６（Ｂ）に示すように、回路１０Ｂは、期間ａから期間ｂに移行する期間にお
いて、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１
１の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図６（Ｃ）に示すように、回路１０Ｂは、期間ａにおいて、配線１１に信号（例
えば、非選択信号）を出力し、期間ａから期間ｂに移行する期間において、配線１１に別
の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１１の電位の変化を急
峻にすることができる。
また、図６（Ｄ）に示すように、回路１０Ｂは、期間ａから期間ｂに移行する期間、及
び期間ｂにおいて、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これに
より、配線１１の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図６（Ｅ）に示すように、回路１０Ｂは、期間ａにおいて、配線１１に信号（例
えば、非選択信号）を出力し、期間ａから期間ｂに移行する期間、及び期間ｂにおいて、
配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１１の電
位の変化を急峻にすることができる。
また、図６（Ｆ）に示すように、回路１０Ｂは、期間ｂから期間ｃに移行する期間にお
いて、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１１
の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図６（Ｇ）に示すように、回路１０Ｂは、期間ｂから期間ｃに移行する期間にお
いて、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、期間ｂにおいて、配線１１に別
の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１１の電位の変化を急
峻にすることができる。
また、図６（Ｈ）に示すように、回路１０Ｂは、期間ｂから期間ｃに移行する期間、及
び期間ｃにおいて、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力してもよい。これによ
り、配線１１の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図６（Ｉ）に示すように、回路１０Ｂは、期間ｂから期間ｃに移行する期間、及
び期間ｃにおいて、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、期間ｂにおいて、
配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１１の電
位の変化を急峻にすることができる。
また、図６（Ｊ）に示すように、回路１０Ｂは、期間ａから期間ｂに移行する期間にお
いて、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力し、期間ｂから期間ｃに移行する
期間において、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力してもよい。これにより、
配線１１の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図６（Ｋ）に示すように、回路１０Ｂは、期間ａ、及び期間ｂから期間ｃに移行
する期間において、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、期間ａから期間ｂ
に移行する期間、及び期間ｂにおいて、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力
してもよい。これにより、配線１１の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図６（Ｌ）に示すように、回路１０Ｂは、期間ａ、期間ｂから期間ｃに移行する
期間、及び期間ｃにおいて、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、期間ａか
ら期間ｂに移行する期間、及び期間ｂにおいて、配線１１に別の信号（例えば、選択信号
）を出力してもよい。これにより、配線１１の電位の変化を急峻にすることができる。
なお、上記の説明において、選択信号及び非選択信号は、回路１０Ａ及び回路１０Ｂが
出力する信号の一例であって、互いに異なる信号であればよい。
次に、図４（Ａ）のゲートドライバ回路の動作が、図５（Ａ）〜図５（Ｉ）で示す動作
１〜動作９のうちのいくつかを組み合わせて行われる場合の、図６（Ａ）〜図６（Ｌ）と
は異なるタイミングチャートについて以下に説明する。
図７（Ａ）〜図７（Ｌ）は、ゲートドライバ回路の動作の一例を示すタイミングチャー
トである。
図７（Ａ）に示すタイミングチャートを参照して、期間ａ、期間ａから期間ｂに移行す
る期間、期間ｂ、期間ｂから期間ｃに移行する期間、期間ｃ、及び期間ｄにおける、図４
（Ａ）のゲートドライバ回路の動作について説明する。
期間ａ、期間ｂから期間ｃに移行する期間、期間ｃ、及び期間ｄにおいて、図４（Ａ）
のゲートドライバ回路は図５（Ｃ）の動作３を行う。つまり、期間ａ、期間ｂから期間ｃ
に移行する期間、期間ｃ、及び期間ｄにおいて、回路１０Ａは配線１１に信号を出力せず
、回路１０Ｂは配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力する。
期間ａから期間ｂに移行する期間、及び期間ｂにおいて、図４（Ａ）のゲートドライバ
回路は図５（Ｇ）の動作７を行う。つまり、期間ａから期間ｂに移行する期間、及び期間
ｂにおいて、回路１０Ａは配線１１に信号を出力せず、回路１０Ｂは配線１１に別の信号
（例えば、選択信号）を出力する。
このように、期間ａ、期間ａから期間ｂに移行する期間、期間ｂ、期間ｂから期間ｃに
移行する期間、期間ｃ、及び期間ｄにおいて、回路１０Ａは、配線１１に信号を出力しな
い。そのため、回路１０Ａが有するトランジスタの劣化を抑制することができる。また、
回路１０Ａにおいて、信号を出力しないためのスイッチを設ける、又は、トランジスタを
オフにする等、簡単な回路設計によって、回路１０Ａの消費電力を低減することができる
。
なお、図７（Ａ）に示すタイミングチャートにおいて、期間ａ、期間ａから期間ｂに移
行する期間、期間ｂ、期間ｂから期間ｃに移行する期間、期間ｃ、及び期間ｄのうちの少
なくとも一つにおいて、回路１０Ｂは、配線１１に信号を出力しなくてもよい。
また、図７（Ｂ）に示すように、回路１０Ａは、期間ａから期間ｂに移行する期間にお
いて、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１
１の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図７（Ｃ）に示すように、回路１０Ａは、期間ａにおいて、配線１１に信号（例
えば、非選択信号）を出力し、期間ａから期間ｂに移行する期間において、配線１１に別
の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１１の電位の変化を急
峻にすることができる。
また、図７（Ｄ）に示すように、回路１０Ａは、期間ａから期間ｂに移行する期間、及
び期間ｂにおいて、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これに
より、配線１１の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図７（Ｅ）に示すように、回路１０Ａは、期間ａにおいて、配線１１に信号（例
えば、非選択信号）を出力し、期間ａから期間ｂに移行する期間、及び期間ｂにおいて、
配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１１の電
位の変化を急峻にすることができる。
また、図７（Ｆ）に示すように、回路１０Ａは、期間ｂから期間ｃに移行する期間にお
いて、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１１
の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図７（Ｇ）に示すように、回路１０Ａは、期間ｂから期間ｃに移行する期間にお
いて、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、期間ｂにおいて、配線１１に別
の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１１の電位の変化を急
峻にすることができる。
また、図７（Ｈ）に示すように、回路１０Ａは、期間ｂから期間ｃに移行する期間、及
び期間ｃにおいて、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力してもよい。これによ
り、配線１１の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図７（Ｉ）に示すように、回路１０Ａは、期間ｂから期間ｃに移行する期間、及
び期間ｃにおいて、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、期間ｂにおいて、
配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力してもよい。これにより、配線１１の電
位の変化を急峻にすることができる。
また、図７（Ｊ）に示すように、回路１０Ａは、期間ａから期間ｂに移行する期間にお
いて、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力し、期間ｂから期間ｃに移行する
期間において、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力してもよい。これにより、
配線１１の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図７（Ｋ）に示すように、回路１０Ａは、期間ａ、及び期間ｂから期間ｃに移行
する期間において、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、期間ａから期間ｂ
に移行する期間、及び期間ｂにおいて、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力
してもよい。これにより、配線１１の電位の変化を急峻にすることができる。
また、図７（Ｌ）に示すように、回路１０Ａは、期間ａ、期間ｂから期間ｃに移行する
期間、及び期間ｃにおいて、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、期間ａか
ら期間ｂに移行する期間、及び期間ｂにおいて、配線１１に別の信号（例えば、選択信号
）を出力してもよい。これにより、配線１１の電位の変化を急峻にすることができる。
なお、上記の説明において、選択信号及び非選択信号は、回路１０Ａ及び回路１０Ｂが
出力する信号の一例であって、互いに異なる信号であればよい。
次に、図４（Ａ）のゲートドライバ回路の動作が、図５（Ａ）〜図５（Ｉ）で示す動作
１〜動作９のうちのいくつかを組み合わせて行われる場合の、図６（Ａ）〜図６（Ｌ）及
び図７（Ａ）〜図７（Ｌ）とは異なるタイミングチャートについて以下に説明する。
図８（Ａ）〜図８（Ｅ）は、ゲートドライバ回路の動作の一例を示すタイミングチャー
トである。
図８（Ａ）〜図８（Ｃ）のタイミングチャートは、期間Ｔ１と期間Ｔ２とを有する。ま
た、図８（Ａ）及び図８（Ｃ）では、期間Ｔ１と期間Ｔ２とが交互に配置されているが、
図８（Ｂ）に示すように、複数の期間Ｔ１と複数の期間Ｔ２とが交互に配置されていても
よい。また、期間Ｔ１及び期間Ｔ２以外の期間を有していてもよい。
図８（Ａ）のタイミングチャートを参照して、期間Ｔ１と期間Ｔ２における、図４（Ａ
）のゲートドライバ回路の動作について説明する。
期間Ｔ１では、図６（Ａ）に示すタイミングチャートを用いている。そのため、期間Ｔ
１では、回路１０Ｂが有するトランジスタの劣化を抑制することができる。また、期間Ｔ
２では、図７（Ａ）に示すタイミングチャートを用いている。そのため、期間Ｔ２では、
回路１０Ａが有するトランジスタの劣化を抑制することができる。
このように、図８（Ａ）では、回路１０Ｂが有するトランジスタの劣化を抑制すること
ができる期間Ｔ１と、回路１０Ａが有するトランジスタの劣化を抑制することができる期
間Ｔ２とが、交互に配置されている。
ここで、回路１０Ａと回路１０Ｂとが同様の構成を有する場合、期間Ｔ１と期間Ｔ２と
の長さを概ね等しくすることにより、回路１０Ａが有するトランジスタと回路１０Ｂが有
するトランジスタとの劣化の度合いを概ね等しくすることができる。これにより、期間Ｔ
１と期間Ｔ２とを交互に配置することによって回路１０Ａと回路１０Ｂの動作が切り替わ
っても、配線１１の電位の変化をおおむね等しくすることができる。
したがって、図４（Ａ）のゲートドライバ回路を、ビデオ信号を保持する画素を有する
表示装置に用い、配線１１の電位によってビデオ信号が変化する場合（例えば、フィード
スルー、容量結合等）、回路１０Ａと回路１０Ｂの動作が切り替わっても、配線１１に接
続された画素が保持するビデオ信号の変化を概ね等しくすることができる。よって、画素
の輝度又は透過率等を概ね等しくすることができるので、表示品位の向上を図ることがで
きる。
また、期間Ｔ１では、図６（Ａ）〜図６（Ｌ）に示すタイミングチャートのいずれを用
いてもよく、期間Ｔ２では、図７（Ａ）〜図７（Ｌ）に示すタイミングチャートのいずれ
を用いてもよい。例えば、図８（Ｃ）に示すように、期間Ｔ１では図６（Ｋ）のタイミン
グチャートを用い、期間Ｔ２では図７（Ｋ）のタイミングチャートを用いてもよい。
次に、図６（Ａ）〜図６（Ｌ）、図７（Ａ）〜図７（Ｌ）、図８（Ａ）、及び図８（Ｃ
）に示す期間ｄにおける、図４（Ａ）のゲートドライバ回路の動作の一例を示すタイミン
グチャートについて、図８（Ｄ）を参照して説明する。
図８（Ｄ）は、期間ｄにおけるゲートドライバ回路の動作の一例を示すタイミングチャ
ートである。
図６（Ａ）〜図６（Ｌ）、図７（Ａ）〜図７（Ｌ）、図８（Ａ）、及び図８（Ｃ）に示
すタイミングチャートにおいて、期間ｄを複数の期間に分割する。例えば、図８（Ｄ）に
示すように、期間ｄを、期間ｄ１と期間ｄ２の２つの期間に分割する。ただし、期間ｄの
分割数などはこれに限定されず、期間ｄを３つ以上の期間に分割してもよい。また、図８
（Ｄ）では、期間ｄ１と期間ｄ２とが交互に配置されているが、複数の期間ｄ１と複数の
期間ｄ２とが交互に配置されていてもよい。
図８（Ｄ）のタイミングチャートを参照して、期間ｄ１と期間ｄ２における、図４（Ａ
）のゲートドライバ回路の動作について説明する。
期間ｄ１において、ゲートドライバ回路は図５（Ｂ）の動作２を行う。つまり、期間ｄ
１において、回路１０Ａは配線１１に信号を出力し、回路１０Ｂは配線１１に信号を出力
しない。また、期間ｄ２において、ゲートドライバ回路は図５（Ｃ）の動作３を行う。つ
まり、期間ｄ２において、回路１０Ａは配線１１に信号を出力せず、回路１０Ｂは配線１
１に信号を出力する。
このように、回路１０Ａと回路１０Ｂのそれぞれが有するトランジスタのゲートに信号
を入力することができるので、それぞれのトランジスタの劣化を抑制することができる。
よって、回路１０Ａと回路１０Ｂの動作が切り替わっても、配線１１の電位の変化をおお
むね等しくすることができる。
したがって、図４（Ａ）のゲートドライバ回路を、ビデオ信号を保持する画素を有する
表示装置に用い、配線１１の電位によってビデオ信号が変化する場合（例えば、フィード
スルー、容量結合等）、回路１０Ａと回路１０Ｂの動作が切り替わっても、配線１１に接
続された画素が保持するビデオ信号の変化を概ね等しくすることができる。よって、画素
の輝度又は透過率等を概ね等しくすることができるので、表示品位の向上を図ることがで
きる。
次に、図４（Ａ）のゲートドライバ回路の動作の他の一例を示すタイミングチャートに
ついて説明する。
図６（Ａ）〜図６（Ｌ）、図７（Ａ）〜図７（Ｌ）、図８（Ａ）、図８（Ｃ）、及び図
８（Ｄ）において、回路１０Ａの出力信号ＯＵＴＡの電位及び回路１０Ｂの出力信号ＯＵ
ＴＢの電位は、それぞれの期間において一定である。または、ある期間において、出力信
号の電位が複数の値を有していてもよい。例えば、図８（Ｅ）に示すように、期間ｄにお
いて、回路１０Ａの出力信号ＯＵＴＡの電位及び回路１０Ｂの出力信号ＯＵＴＢの電位の
それぞれが、交互に繰り返される二つの値を有していてもよい。
また、期間ｄにおける出力信号ＯＵＴＡの電位及び出力信号ＯＵＴＢの電位のそれぞれ
を、アナログ的に変化させてもよい。
以上のように、図４（Ａ）のゲートドライバ回路は、様々な動作を行うことができる。
＜ゲートドライバ回路の他の構成＞
次に、図４（Ａ）とは異なるゲートドライバ回路の構成について、図９（Ａ）を参照し
て説明する。
図９（Ａ）に、ゲートドライバ回路の構成の一例を示す。ゲートドライバ回路は、回路
１０Ａと、回路１０Ｂと、回路１０Ｃと、回路１０Ｄとを有する。回路１０Ｃ及び回路１
０Ｄはそれぞれ、回路１０Ａ又は回路１０Ｂと同様の機能を有していてもよい。
なお、図９（Ａ）のゲートドライバ回路は、回路１０Ａ〜回路１０Ｄがそれぞれ、配線
１１に信号（例えば、非選択信号）を出力する場合と、回路１０Ａ〜回路１０Ｄがそれぞ
れ、配線１１に当該信号とは別の信号（例えば、選択信号）を出力する場合と、回路１０
Ａ〜回路１０Ｄがそれぞれ、配線１１に信号（例えば、非選択信号及び選択信号）を出力
しない場合と、を適宜組み合わせることによって、様々な動作を行うことができる。
なお、図９（Ａ）では、ゲートドライバ回路が配線１１と接続される４つの回路（回路
１０Ａ〜回路１０Ｄ）を有する場合について説明したが、本実施の形態のゲートドライバ
回路の構成は、これに限定されない。本実施の形態のゲートドライバ回路がＮ（Ｎは自然
数）個の回路を有していてもよい。なお、Ｎ個の回路のそれぞれは、回路１０Ａ又は回路
１０Ｂと同様の機能を有していてもよい。
＜ゲートドライバ回路の動作＞
図９（Ａ）のゲートドライバ回路の動作について、図９（Ｂ）を参照して説明する。図
９（Ｂ）に、ゲートドライバ回路の動作の一例を示す。
動作１では、回路１０Ａは、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、回路１
０Ｂ、回路１０Ｃ、及び回路１０Ｄは、配線１１に信号を出力しない。動作２では、回路
１０Ｂは、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、回路１０Ａ、回路１０Ｃ、
及び回路１０Ｄは、配線１１に信号を出力しない。動作３では、回路１０Ｃは、配線１１
に信号（例えば、非選択信号）を出力し、回路１０Ａ、回路１０Ｂ、及び回路１０Ｄは、
配線１１に信号を出力しない。動作４では、回路１０Ｄは、配線１１に信号（例えば、非
選択信号）を出力し、回路１０Ａ、回路１０Ｂ、及び回路１０Ｃは、配線１１に信号を出
力しない。
動作５では、回路１０Ａ及び回路１０Ｃは、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を
出力し、回路１０Ｂ及び回路１０Ｄは、配線１１に信号を出力しない。動作６では、回路
１０Ｂ及び回路１０Ｄは、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力し、回路１０Ａ
及び回路１０Ｃは、配線１１に信号を出力しない。動作７では、回路１０Ａ、回路１０Ｂ
、回路１０Ｃ、及び回路１０Ｄは、配線１１に信号（例えば、非選択信号）を出力する。
動作８では、回路１０Ａ、回路１０Ｂ、回路１０Ｃ、及び回路１０Ｄは、配線１１に信号
を出力しない。
動作９では、回路１０Ａは、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力し、回路
１０Ｂ、回路１０Ｃ、及び回路１０Ｄは、配線１１に信号を出力しない。動作１０では、
回路１０Ｂは、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力し、回路１０Ａ、回路１
０Ｃ、及び回路１０Ｄは、配線１１に信号を出力しない。動作１１では、回路１０Ｃは、
配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力し、回路１０Ａ、回路１０Ｂ、及び回路
１０Ｄは、配線１１に信号を出力しない。動作１２では、回路１０Ｄは、配線１１に別の
信号（例えば、選択信号）を出力し、回路１０Ａ、回路１０Ｂ、及び回路１０Ｃは、配線
１１に信号を出力しない。
動作１３では、回路１０Ａ及び回路１０Ｃは、配線１１に別の信号（例えば、選択信号
）を出力し、回路１０Ｂ及び回路１０Ｄは、配線１１に信号を出力しない。動作１４では
、回路１０Ｂ及び回路１０Ｄは、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）を出力し、回
路１０Ａ及び回路１０Ｃは、配線１１に信号を出力しない。動作１５では、回路１０Ａ、
回路１０Ｂ、回路１０Ｃ、及び回路１０Ｄは、配線１１に別の信号（例えば、選択信号）
を出力する。
以上のように、図９（Ａ）のゲートドライバ回路は、様々な動作を行うことができる。
なお、本実施の形態のゲートドライバ回路が有する回路（回路１０Ａ、回路１０Ｂ、等
）の数が多いほど、すなわち、回路の個数を示すＮが大きいほど、各回路が信号を出力す
る回数を減らすことができる。よって、各回路が有するトランジスタの劣化を抑制するこ
とができる。ただし、Ｎが大きすぎると回路規模が大きくなってしまうため、Ｎを６より
も小さくし、好ましくはＮを４よりも小さくし、さらに好ましくは、Ｎ＝２とするとよい
。
また、本実施の形態のゲートドライバ回路を表示装置に用いる場合、表示装置の額縁を
左右で概ね等しくするために、Ｎが偶数であることが好ましい。また、画素部を挟んで両
側に配置される回路の数を等しくするために、Ｎが偶数であることが好ましい。
（実施の形態３）
本実施の形態では、ゲートドライバ回路の構成及び動作について説明する。
＜ゲートドライバ回路の構成＞
ゲートドライバ回路の構成について、以下に説明する。
図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）、図１１（Ａ）、及び図１１（Ｂ）に、ゲートドライバ回
路の構成の一例を示す。ゲートドライバ回路は、回路１００Ａと回路１００Ｂとを有する
。
回路１００Ａは、スイッチ１０１Ａ及びスイッチ１０２Ａを有する。スイッチ１０１Ａ
は、配線１１２Ａと配線１１１との間に接続される。スイッチ１０２Ａは、配線１１３Ａ
と配線１１１との間に接続される。
回路１００Ｂは、スイッチ１０１Ｂ及びスイッチ１０２Ｂを有する。スイッチ１０１Ｂ
は、配線１１２Ｂと配線１１１との間に接続される。スイッチ１０２Ｂは、配線１１３Ｂ
と配線１１１との間に接続される。
ここで、図１０（Ｂ）及び図１１（Ｂ）に示すように、配線１１２Ａと配線１１１との
間の経路を経路１２１Ａ、配線１１３Ａと配線１１１との間の経路を経路１２２Ａ、配線
１１２Ｂと配線１１１との間の経路を経路１２１Ｂ、配線１１３Ｂと配線１１１との間の
経路を経路１２２Ｂとする。
なお、ＡとＢとの間の経路と記載する場合、ＡとＢとの間には、スイッチが接続されて
もよい。また、ＡとＢとの間には、スイッチの他にも、素子（例えば、トランジスタ、ダ
イオード、抵抗素子、又は容量素子等）、又は回路（例えば、バッファ回路、インバータ
回路、又はシフトレジスタ回路等）が接続されてもよい。または、ＡとＢとの間には、ス
イッチと直列に、又はスイッチと並列に、素子（例えば、抵抗素子、又はトランジスタ等
）が接続されてもよい。
なお、回路１００Ａ、回路１００Ｂ、及び配線１１１はそれぞれ、実施の形態２の回路
１０Ａ、回路１０Ｂ、及び配線１１に対応し、同様の機能を有する。
次に、配線１１２Ａ、配線１１３Ａ、配線１１２Ｂ、及び配線１１３Ｂについて説明す
る。
配線１１２Ａ及び配線１１２Ｂにクロック信号ＣＫ１が入力される場合、配線１１２Ａ
及び配線１１２Ｂは、信号線又はクロック信号線（「クロック線」、「クロック供給線」
ともいう。）としての機能を有する。または、配線１１２Ａ及び配線１１２Ｂに一定の電
圧が供給される場合、配線１１２Ａ及び配線１１２Ｂは、電源線としての機能を有する。
なお、配線１１２Ａと配線１１２Ｂに同じ信号又は同じ電圧が入力される場合、配線１
１２Ａと配線１１２Ｂを接続してもよい。また、この場合、図１１（Ａ）に示すように、
配線１１２Ａと配線１１２Ｂとに同じ配線１１２を用いてもよい。または、配線１１２Ａ
と配線１１２Ｂには、別々の信号又は別々の電圧が供給されてもよい。
配線１１３Ａ及び配線１１３Ｂに電源電圧、基準電圧、グランド電圧、アース、又は負
電源電位等の機能を有する電圧Ｖ１が供給される場合、配線１１３Ａ及び配線１１３Ｂは
、電源線又はグランドとしての機能を有する。または、配線１１３Ａ及び配線１１３Ｂに
信号が入力される場合、配線１１３Ａ及び配線１１３Ｂは、信号線としての機能を有する
。
なお、配線１１３Ａと配線１１３Ｂに同じ信号又は同じ電圧が供給される場合、配線１
１３Ａと配線１１３Ｂを接続してもよい。また、この場合、図１１（Ａ）に示すように、
配線１１３Ａと配線１１３Ｂとに同じ配線１１３を用いてもよい。または、配線１１３Ａ
と配線１１３Ｂには、別々の信号又は別々の電圧が供給されてもよい。
次に、スイッチ１０１Ａ、スイッチ１０２Ａ、スイッチ１０１Ｂ、及びスイッチ１０２
Ｂについて説明する。
スイッチ１０１Ａは、配線１１２Ａと配線１１１とが導通するタイミングを制御する機
能を有する。または、スイッチ１０１Ａは、配線１１２Ａの電位を配線１１１に供給する
タイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０１Ａは、配線１１２Ａに供給
される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ１、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ
２）を配線１１１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０
１Ａは、信号又は電圧等を配線１１１に供給しないタイミングを制御する機能を有する。
または、スイッチ１０１Ａは、Ｈ信号（例えば、クロック信号ＣＫ１）を配線１１１に供
給するタイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０１Ａは、Ｌ信号（例え
ば、クロック信号ＣＫ１）を配線１１１に供給するタイミングを制御する機能を有する。
または、スイッチ１０１Ａは、配線１１１の電位を上昇させるタイミングを制御する機能
を有する。または、スイッチ１０１Ａは、配線１１１の電位を減少させるタイミングを制
御する機能を有する。または、スイッチ１０１Ａは、配線１１１の電位を維持するタイミ
ングを制御する機能を有する。
なお、クロック信号ＣＫ２がクロック信号ＣＫ１の反転信号に相当する場合、クロック
信号ＣＫ１とクロック信号ＣＫ２は、互いに反転した信号、又は位相が概ね１８０°ずれ
た信号とするとよい。
また、クロック信号ＣＫ１又はクロック信号ＣＫ２は、平衡であっても非平衡（「不平
衡」ともいう。）であってもよい。平衡とは、１周期のうち、Ｈレベルになる期間とＬレ
ベルになる期間とが概ね等しいことをいう。非平衡とは、Ｈレベルになる期間とＬレベル
になる期間とが異なることをいう。
なお、クロック信号ＣＫ１及びクロック信号ＣＫ２が非平衡であり、且つクロック信号
ＣＫ２がクロック信号ＣＫ１の反転信号ではない場合は、クロック信号ＣＫ１のＨレベル
になる期間とクロック信号ＣＫ２がＨレベルになる期間との長さを、概ね等しくしてもよ
い。
スイッチ１０２Ａは、配線１１３Ａと配線１１１とが導通するタイミングを制御する機
能を有する。または、スイッチ１０２Ａは、配線１１３Ａの電位を配線１１１に供給する
タイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０２Ａは、配線１１３Ａに供給
される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ１）を配線１１１に供
給するタイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０２Ａは、信号又は電圧
等を配線１１１に供給しないタイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０
２Ａは、電圧Ｖ１を配線１１１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、
スイッチ１０２Ａは、配線１１１の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する
。または、スイッチ１０２Ａは、配線１１１の電位を維持するタイミングを制御する機能
を有する。
スイッチ１０１Ｂは、配線１１２Ｂと配線１１１とが導通するタイミングを制御する機
能を有する。または、スイッチ１０１Ｂは、配線１１２Ｂの電位を配線１１１に供給する
タイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０１Ｂは、配線１１２Ｂに供給
される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ１、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ
２）を配線１１１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０
１Ｂは、信号又は電圧等を配線１１１に供給しないタイミングを制御する機能を有する。
または、スイッチ１０１Ｂは、Ｈ信号（例えば、クロック信号ＣＫ１）を配線１１１に供
給するタイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０１Ｂは、Ｌ信号（例え
ば、クロック信号ＣＫ１）を配線１１１に供給するタイミングを制御する機能を有する。
または、スイッチ１０１Ｂは、配線１１１の電位を上昇させるタイミングを制御する機能
を有する。または、スイッチ１０１Ｂは、配線１１１の電位を減少させるタイミングを制
御する機能を有する。または、スイッチ１０１Ｂは、配線１１１の電位を維持するタイミ
ングを制御する機能を有する。
スイッチ１０２Ｂは、配線１１３Ｂと配線１１１とが導通するタイミングを制御する機
能を有する。または、スイッチ１０２Ｂは、配線１１３Ｂの電位を配線１１１に供給する
タイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０２Ｂは、配線１１３Ｂに供給
される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ１）を配線１１１に供
給するタイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０２Ｂは、信号又は電圧
等を配線１１１に供給しないタイミングを制御する機能を有する。または、スイッチ１０
２Ｂは、電圧Ｖ１を配線１１１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、
スイッチ１０２Ｂは、配線１１１の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する
。または、スイッチ１０２Ｂは、配線１１１の電位を維持するタイミングを制御する機能
を有する。
＜ゲートドライバ回路の動作＞
次に、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路の動作について、以下に説明する。
図１０（Ｃ）に、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路が行う動作の一例を示す。図１０
（Ｃ）では、ゲートドライバ回路が行う各動作における、スイッチ１０１Ａ、スイッチ１
０２Ａ、スイッチ１０１Ｂ、及びスイッチ１０２Ｂの状態（オン又はオフ）を示す。これ
らのスイッチのオンとオフとを組み合わせることによって、図１０（Ａ）のゲートドライ
バ回路は、様々な動作を行うことができる。
図１０（Ａ）のゲートドライバ回路の各動作について、図１０（Ｃ）、及び図１２（Ａ
）〜図１３（Ｅ）を参照して説明する。ここでは、実施の形態２で説明した図５（Ａ）〜
図５（Ｇ）で示す動作１〜動作７を実現するための、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路
の動作について説明する。
まず、図５（Ａ）の動作１を実現するための、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１２（Ａ）の動作１ａに示すように、スイッチ１０１Ａはオンになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１２Ａの電位（例えば、クロック
信号ＣＫ１）は、配線１１１に供給される。スイッチ１０２Ａはオンになるので、配線１
１３Ａと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１３Ａの電位（例えば、電圧Ｖ
１）は、配線１１１に供給される。スイッチ１０１Ｂはオンになるので、配線１１２Ｂと
配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１２Ｂの電位（例えば、クロック信号Ｃ
Ｋ１）は、配線１１１に供給される。また、スイッチ１０２Ｂはオンになるので、配線１
１３Ｂと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１３Ｂの電位（例えば、電圧Ｖ
１）は、配線１１１に供給される。
よって、回路１００Ａ及び回路１００Ｂから配線１１１に電位が供給されることにより
、図５（Ａ）の動作１を実現することができる。
また、図１２（Ａ）の動作１ａにおいて、図１２（Ｂ）の動作１ｂに示すように、スイ
ッチ１０１Ａ及びスイッチ１０１Ｂをオフにしてもよい。または、図１２（Ａ）の動作１
ａにおいて、図１２（Ｃ）の動作１ｃに示すように、スイッチ１０２Ａ及びスイッチ１０
２Ｂをオフにしてもよい。または、図１２（Ａ）の動作１ａにおいて、スイッチ１０１Ａ
、スイッチ１０２Ａ、スイッチ１０１Ｂ、及びスイッチ１０２Ｂのいずれか一つをオフに
してもよい。または、図１２（Ａ）の動作１ａにおいて、スイッチ１０１Ａ及びスイッチ
１０２Ｂをオフにしてもよい。または、図１２（Ａ）の動作１ａにおいて、スイッチ１０
１Ｂ及びスイッチ１０２Ａをオフにしてもよい。
次に、図５（Ｂ）の動作２を実現するための、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１２（Ｄ）の動作２ａに示すように、スイッチ１０１Ａはオンになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１２Ａの電位（例えば、クロック
信号ＣＫ１）は、配線１１１に供給される。スイッチ１０２Ａはオンになるので、配線１
１３Ａと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１３Ａの電位（例えば、電圧Ｖ
１）は、配線１１１に供給される。スイッチ１０１Ｂはオフになるので、配線１１２Ｂと
配線１１１とは非導通状態になる。また、スイッチ１０２Ｂはオフになるので、配線１１
３Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。
よって、回路１００Ａから配線１１１に電位が供給され、回路１００Ｂから配線１１１
に電位が供給されないことにより、図５（Ｂ）の動作２を実現することができる。
なお、図１２（Ｄ）の動作２ａにおいて、図１２（Ｅ）の動作２ｂに示すように、スイ
ッチ１０２Ａをオフにしてもよい。または、図１２（Ｄ）の動作２ａにおいて、図１２（
Ｆ）の動作２ｃに示すように、スイッチ１０１Ａをオフにしてもよい。
次に、図５（Ｃ）の動作３を実現するための、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１２（Ｇ）の動作３ａに示すように、スイッチ１０１Ａはオフになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ａはオフになるので、配線１１
３Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０１Ｂはオンになるので、配線１１
２Ｂと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１２Ｂの電位（例えば、クロック
信号ＣＫ１）は、配線１１１に供給される。また、スイッチ１０２Ｂはオンになるので、
配線１１３Ｂと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１３Ｂの電位（例えば、
電圧Ｖ１）は、配線１１１に供給される。
よって、回路１００Ａから配線１１１に電位が供給されず、回路１００Ｂから配線１１
１に電位が供給されることにより、図５（Ｃ）の動作３を実現することができる。
なお、図１２（Ｇ）の動作３ａにおいて、図１２（Ｈ）の動作３ｂに示すように、スイ
ッチ１０２Ｂをオフにしてもよい。または、図１２（Ｇ）の動作３ａにおいて、図１３（
Ａ）の動作３ｃに示すように、スイッチ１０１Ｂをオフにしてもよい。
次に、図５（Ｄ）の動作４を実現するための、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１３（Ｂ）の動作４ａに示すように、スイッチ１０１Ａはオフになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ａはオフになるので、配線１１
３Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０１Ｂはオフになるので、配線１１
２Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。また、スイッチ１０２Ｂはオフになるので、配
線１１３Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。
よって、回路１００Ａ及び回路１００Ｂから配線１１１に電位が供給されないことによ
り、図５（Ｄ）の動作４を実現することができる。
次に、図５（Ｅ）の動作５を実現するための、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１３（Ｃ）の動作５ａに示すように、スイッチ１０１Ａはオンになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１２Ａの別の電位（例えば、クロ
ック信号ＣＫ２）は、配線１１１に供給される。スイッチ１０２Ａはオフになるので、配
線１１３Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０１Ｂはオンになるので、配
線１１２Ｂと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１２Ｂの別の電位（例えば
、クロック信号ＣＫ２）は、配線１１１に供給される。また、スイッチ１０２Ｂはオフに
なるので、配線１１３Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。
よって、回路１００Ａ及び回路１００Ｂから配線１１１に別の電位が供給されることに
より、図５（Ｅ）の動作５を実現することができる。
次に、図５（Ｆ）の動作６を実現するための、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１３（Ｄ）の動作６ａに示すように、スイッチ１０１Ａはオンになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１２Ａの別の電位（例えば、クロ
ック信号ＣＫ２）は、配線１１１に供給される。スイッチ１０２Ａはオフになるので、配
線１１３Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０１Ｂはオフになるので、配
線１１２Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。また、スイッチ１０２Ｂはオフになるの
で、配線１１３Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。
よって、回路１００Ａから配線１１１に別の電位が供給され、回路１００Ｂから配線１
１１に電位が出力されないことにより、図５（Ｆ）の動作６を実現することができる。
次に、図５（Ｇ）の動作７を実現するための、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１３（Ｅ）の動作７ａに示すように、スイッチ１０１Ａはオフになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ａはオフになるので、配線１１
３Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０１Ｂはオンになるので、配線１１
２Ｂと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１２Ｂの別の電位（例えば、クロ
ック信号ＣＫ２）は、配線１１１に供給される。また、スイッチ１０２Ｂはオフになるの
で、配線１１３Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。
よって、回路１００Ａから配線１１１に電位が供給されず、回路１００Ｂから配線１１
１に別の電位が供給されることにより、図５（Ｇ）の動作７を実現することができる。
以上のように、スイッチ１０１Ａ、スイッチ１０２Ａ、スイッチ１０１Ｂ、及びスイッ
チ１０２Ｂのオンとオフとを制御することによって、実施の形態２の図５（Ａ）〜図５（
Ｇ）を参照して説明したゲートドライバ回路の動作を実現することができる。
なお、図１２（Ａ）の動作１ａ、図１２（Ｄ）の動作２ａ、及び図１２（Ｇ）の動作３
ａにおいて、配線１１２Ａ及び配線１１２Ｂの電位は、概ね等しいことが好ましい。また
、配線１１３Ａ及び配線１１３Ｂの電位は概ね等しいことが好ましい。例えば、配線１１
３Ａ及び配線１１３Ｂに電圧Ｖ１が供給される場合、クロック信号ＣＫ１はＬレベルであ
ることが好ましい。
また、図１３（Ｃ）の動作５ａ、図１３（Ｄ）の動作６ａ、及び図１３（Ｅ）の動作７
ａにおいて、配線１１３Ａ及び配線１１３Ｂの電位がＶ１である場合、配線１１２Ａ及び
配線１１２Ｂの電位は、概ねＶ２であることが好ましい。例えば、配線１１２Ａ及び配線
１１２Ｂに入力されるクロック信号ＣＫ２は、Ｈレベルであることが好ましい。
次に、実施の形態２で説明した図６（Ａ）〜図６（Ｌ）、及び図７（Ａ）〜図７（Ｌ）
に示すタイミングチャートを実現するための、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路の動作
について説明する。
なお、実施の形態２では、任意の期間における図４（Ａ）のゲートドライバ回路の動作
について図５（Ａ）〜（Ｉ）を参照して説明したが、当該動作を実現するために、図１０
（Ａ）のゲートドライバ回路は、当該任意の期間において図１０（Ｃ）に示す動作のいず
れかを行うことができる。例えば、図５（Ａ）に示す動作１を実現するために、図１０（
Ａ）のゲートドライバ回路は、図１０（Ｃ）に示す動作１ａ、動作１ｂ、及び動作１ｃ（
図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）、及び図１２（Ｃ）に対応）のいずれかを行うことができる
。
まず、図６（Ａ）に示すタイミングチャートを実現するための、図１０（Ａ）のゲート
ドライバ回路の動作について説明する。
実施の形態２で説明したように、期間ａ、期間ｂから期間ｃに移行する期間、期間ｃ、
及び期間ｄにおいて、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路は図５（Ｂ）に示す動作２を行
う。よって、当該動作２を実現するために、期間ａ、期間ｂから期間ｃに移行する期間、
期間ｃ、及び期間ｄにおいて、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路は、例えば、図１０（
Ｃ）に示す動作２ａ、動作２ｂ、及び動作２ｃ（図１２（Ｄ）、図１２（Ｅ）、及び図１
２（Ｆ）に対応）のいずれかを行うことができる。
また、期間ａから期間ｂに移行する期間、及び期間ｂにおいて、図１０（Ａ）のゲート
ドライバ回路は図５（Ｆ）の動作６を行う。よって、当該動作６を実現するために、期間
ａから期間ｂに移行する期間、及び期間ｂにおいて、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路
は、例えば、図１０（Ｃ）に示す動作６ａ（図１３（Ｄ）に対応）を行うことができる。
このようにして、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路が、図６（Ａ）に示すタイミング
チャートに対応する動作を行うことができる。
なお、図６（Ａ）のタイミングチャートにおいて、期間ａ、及び期間ｂから期間ｃに移
行する期間において、回路１００Ｂが、配線１１１に信号（例えば、非選択信号）を出力
する場合、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路は、例えば、図１０（Ｃ）に示す動作１ａ
、動作１ｂ、及び動作１ｃ（図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）、及び図１２（Ｃ）に対応）の
いずれかを行うことができる。
また、図６（Ａ）のタイミングチャートにおいて、期間ａから期間ｂに移行する期間、
及び期間ｂにおいて、回路１００Ｂが、配線１１１に別の信号（例えば、選択信号）を出
力する場合、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路は、例えば、図１０（Ｃ）に示す動作５
ａ（図１３（Ｃ）に対応）を行うことができる。
このようにして、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路が、図６（Ｋ）に示すタイミング
チャートに対応する動作を行うことができる。
同様にして、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路は、図１０（Ｃ）で説明した動作のい
ずれかを行うことにより、図６（Ｂ）〜図６（Ｊ）、及び図６（Ｌ）に示すタイミングチ
ャートを実現することができる。
次に、図７（Ａ）に示すタイミングチャートを実現するための、図１０（Ａ）のゲート
ドライバ回路の動作について説明する。
実施の形態２で説明したように、期間ａ、期間ｂから期間ｃに移行する期間、期間ｃ、
及び期間ｄにおいて、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路は図５（Ｃ）に示す動作３を行
う。よって、当該動作３を実現するために、期間ａ、期間ｂから期間ｃに移行する期間、
期間ｃ、及び期間ｄにおいて、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路は、例えば、図１０（
Ｃ）に示す動作３ａ、動作３ｂ、及び動作３ｃ（図１２（Ｇ）、図１２（Ｈ）、及び図１
３（Ａ）に対応）のいずれかを行うことができる。
また、期間ａから期間ｂに移行する期間、及び期間ｂにおいて、図１０（Ａ）のゲート
ドライバ回路は図５（Ｇ）の動作７を行う。よって、当該動作７を実現するために、期間
ａから期間ｂに移行する期間、及び期間ｂにおいて、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路
は、例えば、図１０（Ｃ）に示す動作７ａ（図１３（Ｅ）に対応）を行うことができる。
このようにして、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路が、図７（Ａ）に示すタイミング
チャートに対応する動作を行うことができる。
なお、図７（Ａ）のタイミングチャートにおいて、期間ａ、及び期間ｂから期間ｃに移
行する期間において、回路１００Ａが、配線１１１に信号（例えば、非選択信号）を出力
する場合、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路は、例えば、図１０（Ｃ）に示す動作１ａ
、動作１ｂ、及び動作１ｃ（図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）、及び図１２（Ｃ）に対応）の
いずれかを行うことができる。
また、図７（Ａ）のタイミングチャートにおいて、期間ａから期間ｂに移行する期間、
及び期間ｂにおいて、回路１００Ａが、配線１１１に別の信号（例えば、選択信号）を出
力する場合、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路は、例えば、図１０（Ｃ）に示す動作５
ａ（図１３（Ｃ）に対応）を行うことができる。
このようにして、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路が、図７（Ｋ）に示すタイミング
チャートに対応する動作を行うことができる。
同様にして、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路は、図１０（Ｃ）で説明した動作のい
ずれかを行うことにより、図７（Ｂ）〜図７（Ｊ）、及び図７（Ｌ）に示すタイミングチ
ャートを実現することができる。
以上のように、図１０（Ａ）のゲートドライバ回路は、図１０（Ｃ）に示す動作を組み
合わせることによって、図６（Ａ）〜図６（Ｌ）、及び図７（Ａ）〜図７（Ｌ）に示すタ
イミングチャートを実現することができる。
＜ゲートドライバ回路の構成＞
次に、図１０（Ａ）とは異なるゲートドライバ回路の構成について、以下に説明する。
ここでは、ゲートドライバ回路が、回路１００Ａ又は回路１００Ｂと同様の機能を有する
Ｎ（Ｎは自然数）個の回路を有する場合について説明する。
図１１（Ｃ）に、ゲートドライバ回路の構成の一例を示す。ゲートドライバ回路は、回
路１００Ａ、回路１００Ｂ、回路１００Ｃ、及び回路１００Ｄを有する。回路１００Ｃ及
び回路１００Ｄは、回路１００Ａ又は回路１００Ｂと同様の機能を有する。
回路１００Ｃは、スイッチ１０１Ｃ及びスイッチ１０２Ｃを有する。そして、スイッチ
１０１Ｃは、配線１１２Ｃと配線１１１との間に接続され、スイッチ１０２Ｃは、配線１
１３Ｃと配線１１１との間に接続される。スイッチ１０１Ｃは、スイッチ１０１Ａ又はス
イッチ１０１Ｂと同様の機能を有する。スイッチ１０２Ｃは、スイッチ１０２Ａ又はスイ
ッチ１０２Ｂと同様の機能を有する。配線１１２Ｃは、配線１１２Ａ又は配線１１２Ｂと
同様の機能を有し、同様の信号又は電圧が入力される。配線１１３Ｃは、配線１１３Ａ又
は配線１１３Ｂと同様の機能を有し、同様の信号又は電圧が入力される。
回路１００Ｄは、スイッチ１０１Ｄ及びスイッチ１０２Ｄを有する。そして、スイッチ
１０１Ｄは、配線１１２Ｄと配線１１１との間に接続され、スイッチ１０２Ｄは、配線１
１３Ｄと配線１１１との間に接続される。スイッチ１０１Ｄは、スイッチ１０１Ａ又はス
イッチ１０１Ｂと同様の機能を有する。スイッチ１０２Ｄは、スイッチ１０２Ａ又はスイ
ッチ１０２Ｂと同様の機能を有する。配線１１２Ｄは、配線１１２Ａ又は配線１１２Ｂと
同様の機能を有し、同様の信号又は電圧が入力される。配線１１３Ｄは、配線１１３Ａ又
は配線１１３Ｂと同様の機能を有し、同様の信号又は電圧が入力される。
図１４（Ａ）に、ゲートドライバ回路の別の構成の一例を示す。ゲートドライバ回路は
、回路１００Ａ及び回路１００Ｂを有する。
回路１００Ａは、スイッチ１０１Ａ及びスイッチ１０２Ａに加え、スイッチ１０３Ａを
有する。スイッチ１０３Ａは、配線１１３Ａと配線１１１との間に接続される。スイッチ
１０３Ａは、スイッチ１０２Ａと同様の動作を行うことができる。
回路１００Ｂは、スイッチ１０１Ｂ及びスイッチ１０２Ｂに加え、スイッチ１０３Ｂを
有する。スイッチ１０３Ｂは、配線１１３Ｂと配線１１１との間に接続される。スイッチ
１０３Ｂは、スイッチ１０２Ｂと同様の動作を行うことができる。
＜ゲートドライバ回路の動作＞
図１４（Ａ）のゲートドライバ回路の動作について、図１４（Ｂ）、及び図１５（Ａ）
〜図１５（Ｅ）を参照して説明する。ここでは、実施の形態２で説明した図５（Ａ）〜図
５（Ｇ）で示す動作１〜動作７を実現するための、図１４（Ａ）のゲートドライバ回路の
動作について説明する。
まず、図５（Ａ）の動作１を実現するための、図１４（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１４（Ｂ）の動作１ｄに示すように、スイッチ１０１Ａはオフになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ａ及びスイッチ１０３Ａはオン
になるので、配線１１３Ａと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１３Ａの電
位（例えば、電圧Ｖ１）は、配線１１１に供給される。スイッチ１０１Ｂはオフになるの
で、配線１１２Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ｂ及びスイッチ１
０３Ｂはオンになるので、配線１１３Ｂと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線
１１３Ｂの電位（例えば、電圧Ｖ１）は、配線１１１に供給される。
なお、図１４（Ｂ）の動作１ｄにおいて、図１４（Ｂ）の動作１ｅに示すように、スイ
ッチ１０３Ａ及びスイッチ１０３Ｂをオフにしてもよい。または、図１４（Ｂ）の動作１
ｄにおいて、図１４（Ｂ）の動作１ｆに示すように、スイッチ１０２Ａ及びスイッチ１０
２Ｂをオフにしてもよい。または、図１４（Ｂ）の動作１ｄ、動作１ｅ、及び動作１ｆに
おいて、スイッチ１０１Ａ又はスイッチ１０１Ｂをオンにしてもよい。
次に、図５（Ｂ）の動作２を実現するための、図１４（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１４（Ｂ）の動作２ｄに示すように、スイッチ１０１Ａはオフになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ａ及びスイッチ１０３Ａはオン
になるので、配線１１３Ａと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１３Ａの電
位（例えば、電圧Ｖ１）は、配線１１１に供給される。スイッチ１０１Ｂはオフになるの
で、配線１１２Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ｂ及びスイッチ１
０３Ｂはオフになるので、配線１１３Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。
なお、図１４（Ｂ）の動作２ｄにおいて、図１４（Ｂ）の動作２ｅ（図１５（Ａ）に対
応）に示すように、スイッチ１０３Ａをオフにしてもよい。または、図１４（Ｂ）の動作
２ｄにおいて、図１４（Ｂ）の動作２ｆ（図１５（Ｂ）に対応）に示すように、スイッチ
１０２Ａをオフにしてもよい。または、図１４（Ｂ）の動作２ｄ、動作２ｅ、及び動作２
ｆにおいて、スイッチ１０１Ａをオンにしてもよい。
次に、図５（Ｃ）の動作３を実現するための、図１４（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１４（Ｂ）の動作３ｄに示すように、スイッチ１０１Ａはオフになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ａ及びスイッチ１０３Ａはオフ
になるので、配線１１３Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０１Ｂはオフ
になるので、配線１１２Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ｂ及びス
イッチ１０３Ｂはオンになるので、配線１１３Ｂと配線１１１とは導通状態になる。よっ
て、配線１１３Ｂの電位（例えば、電圧Ｖ１）は、配線１１１に供給される。
なお、図１４（Ｂ）の動作３ｄにおいて、図１４（Ｂ）の動作３ｅ（図１５（Ｃ）に対
応）に示すように、スイッチ１０３Ｂをオフにしてもよい。または、図１４（Ｂ）の動作
３ｄにおいて、図１４（Ｂ）の動作３ｆ（図１５（Ｄ）に対応）に示すように、スイッチ
１０２Ｂをオフにしてもよい。または、図１４（Ｂ）の動作３ｄ、動作３ｅ、及び動作３
ｆにおいて、スイッチ１０１Ｂをオンにしてもよい。
次に、図５（Ｄ）の動作４を実現するための、図１４（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１４（Ｂ）の動作４ｂに示すように、スイッチ１０１Ａはオフになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ａ及びスイッチ１０３Ａはオフ
になるので、配線１１３Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０１Ｂはオフ
になるので、配線１１２Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ｂ及びス
イッチ１０３Ｂはオフになるので、配線１１３Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。
次に、図５（Ｅ）の動作５を実現するための、図１４（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１４（Ｂ）の動作５ｂ（図１５（Ｅ）に対応）に示すように、スイッチ１０１Ａはオ
ンになるので、配線１１２Ａと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１２Ａの
電位（例えば、クロック信号ＣＫ１）は、配線１１１に供給される。スイッチ１０２Ａ及
びスイッチ１０３Ａはオフになるので、配線１１３Ａと配線１１１とは非導通状態になる
。スイッチ１０１Ｂはオンになるので、配線１１２Ｂと配線１１１とは導通状態になる。
よって、配線１１２Ｂの電位（例えば、クロック信号ＣＫ１）は、配線１１１に供給され
る。スイッチ１０２Ｂ及びスイッチ１０３Ｂはオフになるので、配線１１３Ｂと配線１１
１とは非導通状態になる。
次に、図５（Ｆ）の動作６を実現するための、図１４（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１４（Ｂ）の動作６ｂに示すように、スイッチ１０１Ａはオンになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１２Ａの電位（例えば、クロック
信号ＣＫ１）は、配線１１１に供給される。スイッチ１０２Ａ及びスイッチ１０３Ａはオ
フになるので、配線１１３Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０１Ｂはオ
フになるので、配線１１２Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ｂ及び
スイッチ１０３Ｂはオフになるので、配線１１３Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。
次に、図５（Ｇ）の動作７を実現するための、図１４（Ａ）のゲートドライバ回路の動
作について説明する。
図１４（Ｂ）の動作７ｂに示すように、スイッチ１０１Ａはオフになるので、配線１１
２Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０２Ａ及びスイッチ１０３Ａはオフ
になるので、配線１１３Ａと配線１１１とは非導通状態になる。スイッチ１０１Ｂはオン
になるので、配線１１２Ｂと配線１１１とは導通状態になる。よって、配線１１２Ｂの電
位（例えば、クロック信号ＣＫ１）は、配線１１１に供給される。スイッチ１０２Ｂ及び
スイッチ１０３Ｂはオフになるので、配線１１３Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。
以上のように、スイッチ１０１Ａ、スイッチ１０２Ａ、スイッチ１０３Ａ、スイッチ１
０１Ｂ、スイッチ１０２Ｂ、及びスイッチ１０３Ｂのオンとオフとを制御することによっ
て、実施の形態２の図５（Ａ）〜図５（Ｇ）を参照して説明したゲートドライバ回路の動
作を実現することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したゲートドライバ回路を有する半導体装置
について説明する。
＜半導体装置の構成＞
本実施の形態の半導体装置の構成の一例について、図１６（Ａ）を参照して説明する。
図１６（Ａ）に、半導体装置の回路図の一例を示す。図１６（Ａ）の半導体装置は、ゲー
トドライバを構成する回路２００Ａ及び回路２００Ｂを有する。
回路２００Ａは、トランジスタ２０１Ａ、トランジスタ２０２Ａ、及び回路３００Ａを
有する。回路２００Ｂは、トランジスタ２０１Ｂ、トランジスタ２０２Ｂ、及び回路３０
０Ｂを有する。
なお、図１６（Ａ）において、トランジスタ２０１Ａ、トランジスタ２０２Ａ、トラン
ジスタ２０１Ｂ、及びトランジスタ２０２Ｂは、Ｎチャネル型トランジスタとして説明す
る。Ｎチャネル型のトランジスタは、ゲートとソースとの間の電位差（Ｖｇｓ）がしきい
値電圧（Ｖｔｈ）を上回った場合にオンになる。
なお、これらのトランジスタは、Ｐチャネル型トランジスタであってもよい。Ｐチャネ
ル型トランジスタは、ゲートとソースとの間の電位差（Ｖｇｓ）がしきい値電圧（Ｖｔｈ
）を下回った場合にオンになる。
トランジスタ２０１Ａは、第１の端子が配線１１２Ａと接続され、第２の端子が配線１
１１と接続される。トランジスタ２０２Ａは、第１の端子が配線１１３Ａと接続され、第
２の端子が配線１１１と接続される。回路３００Ａは、配線１１３Ａ、配線１１４Ａ、配
線１１５Ａ、配線１１６Ａ、トランジスタ２０１Ａのゲート、及びトランジスタ２０２Ａ
のゲートと接続される。なお、回路３００Ａは、配線１１３Ａ〜配線１１６Ａの全てと接
続される必要はなく、配線１１３Ａ〜配線１１６Ａのいずれかと接続されない構成として
もよい。
なお、トランジスタ２０１Ａのゲートと回路３００Ａとの接続箇所をノードＡ１、トラ
ンジスタ２０２Ａのゲートと回路３００Ａとの接続箇所をノードＡ２、と示す。また、ノ
ードＡ１の電位のことを電位Ｖａ１、ノードＡ２の電位のことを電位Ｖａ２とも示す。
トランジスタ２０１Ｂは、第１の端子が配線１１２Ｂと接続され、第２の端子が配線１
１１と接続される。トランジスタ２０２Ｂは、第１の端子が配線１１３Ｂと接続され、第
２の端子が配線１１１と接続される。回路３００Ｂは、配線１１３Ｂ、配線１１４Ｂ、配
線１１５Ｂ、配線１１６Ｂ、トランジスタ２０１Ｂのゲート、及びトランジスタ２０２Ｂ
のゲートと接続される。なお、回路３００Ｂは、配線１１３Ｂ〜配線１１６Ｂの全てと接
続される必要はなく、配線１１３Ｂ〜配線１１６Ｂのいずれかと接続されない構成として
もよい。
なお、トランジスタ２０１Ｂのゲートと回路３００Ｂとの接続箇所をノードＢ１、トラ
ンジスタ２０２Ｂのゲートと回路３００Ｂとの接続箇所をノードＢ２、と示す。また、ノ
ードＢ１の電位のことを電位Ｖｂ１、ノードＢ２の電位のことを電位Ｖｂ２とも示す。
次に、配線１１１、配線１１４Ａ、配線１１５Ａ、配線１１６Ａ、配線１１４Ｂ、配線
１１５Ｂ、及び配線１１６Ｂについて説明する。
配線１１１には、回路２００Ａから信号ＯＵＴＡが出力され、回路２００Ｂから信号Ｏ
ＵＴＢが出力される。
配線１１１は画素部に延伸して配置され、ゲート信号線（「ゲート線」ともいう。）、
走査線、又は信号線としての機能を有する。よって、信号ＯＵＴＡ及び信号ＯＵＴＢは、
ゲート信号、走査信号、又は選択信号に相当する。
また、半導体装置が回路２００Ａを複数有する場合、配線１１１は、別の段（例えば、
次段）の回路２００Ａの配線１１４Ａと接続されてもよい。この場合、信号ＯＵＴＡは、
転送用の信号又はスタート信号に相当する。また、半導体装置が回路２００Ａを複数有す
る場合、配線１１１は、別の段（例えば、前段）の回路２００Ａの配線１１６Ａと接続さ
れてもよい。この場合、信号ＯＵＴＡは、リセット信号に相当する。
また、半導体装置が回路２００Ｂを複数有する場合、配線１１１は、別の段（例えば、
次段）の回路２００Ｂの配線１１４Ｂと接続されてもよい。この場合、信号ＯＵＴＢは、
転送用の信号又はスタート信号に相当する。また、半導体装置が回路２００Ｂを複数有す
る場合、配線１１１は、別の段（例えば、前段）の回路２００Ｂの配線１１６Ｂと接続さ
れてもよい。この場合、信号ＯＵＴＢは、リセット信号に相当する。
配線１１４Ａ及び配線１１４Ｂには、スタート信号ＳＰが入力される。よって、配線１
１４Ａ及び配線１１４Ｂは、信号線としての機能を有する。
また、半導体装置が回路２００Ａを複数有する場合、配線１１４Ａは、別の段（例えば
、前段）の回路２００Ａの配線１１１と接続されてもよい。この場合、配線１１４Ａは、
ゲート信号線（「ゲート線」ともいう。）、走査線、又は信号線としての機能を有する。
よって、スタート信号ＳＰは、ゲート信号、走査信号、又は選択信号に相当する。
また、半導体装置が回路２００Ｂを複数有する場合、配線１１４Ｂは、別の段（例えば
、前段）の回路２００Ｂの配線１１１と接続されてもよい。この場合、配線１１４Ｂは、
ゲート信号線（「ゲート線」ともいう。）、信号線、又は走査線としての機能を有する。
よって、スタート信号ＳＰは、ゲート信号、選択信号、又は走査信号に相当する。
なお、配線１１４Ａと配線１１４Ｂに同じ信号が入力される場合、配線１１４Ａと配線
１１４Ｂとが接続されてもよい。また、この場合、配線１１４Ａと配線１１４Ｂとに同じ
配線を用いてもよい。または、配線１１４Ａと配線１１４Ｂに、別々の信号が入力されて
もよい。
配線１１５Ａには、信号ＳＥＬＡが入力され、配線１１５Ｂには、信号ＳＥＬＢが入力
される。
信号ＳＥＬＡと信号ＳＥＬＢは、互いに反転した信号、又は位相が概ね１８０°ずれた
信号とするとよい。そして、信号ＳＥＬＡ及び信号ＳＥＬＢが、ある期間毎（例えば、フ
レーム期間毎）にＨレベルとＬレベルとを繰り返す場合、信号ＳＥＬＡ及び信号ＳＥＬＢ
は、制御信号、クロック信号、又はクロック制御信号に相当する。よって、配線１１５Ａ
及び配線１１５Ｂは、信号線、制御線、又はクロック信号線（「クロック線」、「クロッ
ク供給線」ともいう。）としての機能を有する。また、信号ＳＥＬＡ及び信号ＳＥＬＢは
、数フレーム毎、電源が投入される毎、又はランダムに、ＨレベルとＬレベルとを繰り返
してもよい。また、同じ期間に、信号ＳＥＬＡと信号ＳＥＬＢとの両方を、Ｈレベル又は
Ｌレベルとしてもよい。
配線１１６Ａ及び配線１１６Ｂには、リセット信号ＲＥが入力される。よって、配線１
１６Ａ及び配線１１６Ｂは、信号線としての機能を有する。
また、半導体装置が回路２００Ａを複数有する場合、配線１１６Ａは、別の段（例えば
、次段）の回路２００Ａの配線１１１と接続されてもよい。この場合、配線１１６Ａは、
ゲート信号線（「ゲート線」ともいう。）、信号線、又は走査線としての機能を有する。
よって、リセット信号ＲＥは、ゲート信号、選択信号、又は走査信号に相当する。
また、半導体装置が回路２００Ｂを複数有する場合、配線１１６Ｂは、別の段（例えば
、次段）の回路２００Ｂの配線１１１と接続されてもよい。この場合、配線１１６Ｂは、
ゲート信号線（「ゲート線」ともいう。）、信号線、又は走査線としての機能を有する。
よって、リセット信号ＲＥは、ゲート信号、選択信号、又は走査信号に相当する。
なお、配線１１６Ａと配線１１６Ｂに同じ信号が入力される場合、配線１１６Ａと配線
１１６Ｂとが接続されてもよい。また、この場合、配線１１６Ａと配線１１６Ｂとに同じ
配線を用いてもよい。または、配線１１６Ａと配線１１６Ｂに、別々の信号が入力されて
もよい。
次に、トランジスタ２０１Ａ、トランジスタ２０２Ａ、回路３００Ａ、トランジスタ２
０１Ｂ、トランジスタ２０２Ｂ、及び回路３００Ｂについて説明する。
トランジスタ２０１Ａは、実施の形態３で説明したスイッチ１０１Ａと同様の機能を有
する。または、トランジスタ２０１Ａは、ブートストラップ動作を行う機能を有していて
もよい。または、トランジスタ２０１Ａは、ノードＡ１の電位をブートストラップ動作に
よって上昇させる機能を有していてもよい。
このように、トランジスタ２０１Ａは、スイッチとしての機能、又はバッファとしての
機能等を有する。なお、トランジスタ２０１Ａは、ノードＡ１の電位に応じて制御されて
もよい。
トランジスタ２０２Ａは、実施の形態３で説明したスイッチ１０２Ａと同様の機能を有
する。なお、トランジスタ２０２Ａは、ノードＡ２の電位に応じて制御されてもよい。
回路３００Ａは、ノードＡ１の電位又はノードＡ２の電位を制御する機能を有する。ま
たは、回路３００Ａは、ノードＡ１又はノードＡ２に、信号又は電圧等を供給するタイミ
ングを制御する機能を有する。または、回路３００Ａは、ノードＡ１又はノードＡ２に、
信号又は電圧等を供給しないタイミングを制御する機能を有する。または、回路３００Ａ
は、ノードＡ１又はノードＡ２に、Ｈ信号又は電圧Ｖ２を供給するタイミングを制御する
機能を有する。または、回路３００Ａは、ノードＡ１又はノードＡ２に、Ｌ信号又は電圧
Ｖ１を供給するタイミングを制御する機能を有する。または、回路３００Ａは、ノードＡ
１の電位又はノードＡ２の電位を上昇させるタイミングを制御する機能を有する。または
、回路３００Ａは、ノードＡ１の電位又はノードＡ２の電位を減少させるタイミングを制
御する機能を有する。または、回路３００Ａは、ノードＡ１の電位又はノードＡ２の電位
を維持するタイミングを制御する機能を有する。または、回路３００Ａは、ノードＡ１又
はノードＡ２を浮遊状態にするタイミングを制御する機能を有する。
なお、回路３００Ａは、スタート信号ＳＰ、信号ＳＥＬＡ、又はリセット信号ＲＥに応
じて制御されてもよい。または、回路３００Ａは、前述の信号（スタート信号ＳＰ、信号
ＳＥＬＡ、及びリセット信号ＲＥ）とは別の信号（例えば、信号ＯＵＴＡ、クロック信号
ＣＫ１、又はクロック信号ＣＫ２等）に応じて制御されてもよい。
トランジスタ２０１Ｂは、実施の形態３で説明したスイッチ１０１Ｂと同様の機能を有
する。または、トランジスタ２０１Ｂは、ブートストラップ動作を行う機能を有していて
もよい。または、トランジスタ２０１Ｂは、ノードＢ１の電位をブートストラップ動作に
よって上昇させる機能を有していてもよい。
このように、トランジスタ２０１Ｂは、スイッチとしての機能、又はバッファとしての
機能等を有する。なお、トランジスタ２０１Ｂは、ノードＢ１の電位に応じて制御されて
もよい。
トランジスタ２０２Ｂは、実施の形態３で説明したスイッチ１０２Ｂと同様の機能を有
する。なお、トランジスタ２０２Ｂは、ノードＢ２の電位に応じて制御されてもよい。
回路３００Ｂは、ノードＢ１の電位又はノードＢ２の電位を制御する機能を有する。ま
たは、回路３００Ｂは、ノードＢ１又はノードＢ２に、信号又は電圧等を供給するタイミ
ングを制御する機能を有する。または、回路３００Ｂは、ノードＢ１又はノードＢ２に、
信号又は電圧等を供給しないタイミングを制御する機能を有する。または、回路３００Ｂ
は、ノードＢ１又はノードＢ２に、Ｈ信号又は電圧Ｖ２を供給するタイミングを制御する
機能を有する。または、回路３００Ｂは、ノードＢ１又はノードＢ２に、Ｌ信号又は電圧
Ｖ１を供給するタイミングを制御する機能を有する。または、回路３００Ｂは、ノードＢ
１の電位又はノードＢ２の電位を上昇させるタイミングを制御する機能を有する。または
、回路３００Ｂは、ノードＢ１の電位又はノードＢ２の電位を減少させるタイミングを制
御する機能を有する。または、回路３００Ｂは、ノードＢ１の電位又はノードＢ２の電位
を維持するタイミングを制御する機能を有する。または、回路３００Ｂは、ノードＢ１又
はノードＢ２を浮遊状態にするタイミングを制御する機能を有する。
なお、回路３００Ｂは、スタート信号ＳＰ、信号ＳＥＬＢ、又はリセット信号ＲＥに応
じて制御されてもよい。または、回路３００Ｂは、前述の信号（スタート信号ＳＰ、信号
ＳＥＬＢ、及びリセット信号ＲＥ）とは別の信号（例えば、信号ＯＵＴＢ、クロック信号
ＣＫ１、又はクロック信号ＣＫ２等）に応じて制御されてもよい。
＜半導体装置の動作＞
図１６（Ａ）の半導体装置の動作の一例について、図１７に示すタイミングチャートを
参照して説明する。また、図１８（Ａ）〜図２３はそれぞれ、図１６（Ａ）の半導体装置
の動作の一例を説明するための図及び動作の一例を示すタイミングチャートである。なお
、上記実施の形態で説明した内容と共通するところは、その説明を省略する。
まず、期間ａ１において、図１８（Ａ）に示すように、スタート信号ＳＰがＨレベルに
なる。このスタート信号ＳＰがＨレベルになるタイミングで、回路３００Ａは、Ｈ信号又
は電圧Ｖ２をノードＡ１に供給し始める。よって、ノードＡ１の電位は上昇する。このと
き、ノードＡ１の電位が上昇するので、回路３００Ａは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＡ
２に供給する。よって、ノードＡ２の電位は減少して、Ｌレベルになる。すると、トラン
ジスタ２０２Ａはオフになるので、配線１１３Ａと配線１１１とは非導通状態になる。
その後、ノードＡ１の電位は上昇し続ける。やがて、ノードＡ１の電位がＶ１＋Ｖｔｈ
２０１Ａ（Ｖｔｈ２０１Ａ：トランジスタ２０１Ａのしきい値電圧）まで上昇すると、ト
ランジスタ２０１Ａはオンになるので、配線１１２Ａと配線１１１とは導通状態になる。
すると、Ｌレベルのクロック信号ＣＫ１が、トランジスタ２０１Ａを介して配線１１１に
供給される。この結果、信号ＯＵＴＡはＬレベルになる。
その後、ノードＡ１の電位はさらに上昇する。やがて、回路３００Ａは、ノードＡ１へ
の信号又は電圧の供給を止めるので、回路３００ＡとノードＡ１とは非導通状態になる。
この結果、ノードＡ１は、浮遊状態になり、ノードＡ１の電位は、Ｖ１＋Ｖｔｈ２０１Ａ
＋Ｖｘ（Ｖｘは正の数）に維持される。
なお、期間ａ１において、回路３００Ａは、ノードＡ１への信号又は電圧の供給を止め
るかわりに、Ｖ１＋Ｖｔｈ２０１Ａ＋Ｖｘの電圧をノードＡ１に供給し続けてもよい。
一方、期間ａ１において、スタート信号ＳＰがＨレベルになるタイミングで、回路３０
０Ｂは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノードＢ１に供給し始める。よって、ノードＢ１の電位は
上昇する。このとき、信号ＳＥＬＢがＬレベルなので、又はノードＢ１の電位が上昇する
ので、回路３００Ｂは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＢ２に供給する。よって、ノードＢ
２の電位は減少して、Ｌレベルになる。すると、トランジスタ２０２Ｂはオフになるので
、配線１１３Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。
その後、ノードＢ１の電位は上昇し続ける。やがて、ノードＢ１の電位がＶ１＋Ｖｔｈ
２０１Ｂ（Ｖｔｈ２０１Ｂ：トランジスタ２０１Ｂのしきい値電圧）まで上昇すると、ト
ランジスタ２０１Ｂはオンになるので、配線１１２Ｂと配線１１１とは導通状態になる。
すると、Ｌレベルのクロック信号ＣＫ１が、トランジスタ２０１Ｂを介して配線１１１に
供給される。この結果、信号ＯＵＴＢはＬレベルになる。
その後、ノードＢ１の電位はさらに上昇する。やがて、回路３００Ｂは、ノードＢ１へ
の信号又は電圧の供給を止めるので、回路３００ＢとノードＢ１とは非導通状態になる。
この結果、ノードＢ１は、浮遊状態になり、ノードＢ１の電位は、Ｖ１＋Ｖｔｈ２０１Ｂ
＋Ｖｘに維持される。
なお、期間ａ１において、回路３００Ｂは、ノードＢ１への信号又は電圧の供給を止め
るかわりに、Ｖ１＋Ｖｔｈ２０１Ｂ＋Ｖｘの電圧をノードＢ１に供給し続けてもよい。
次に、期間ｂ１において、図１８（Ｂ）に示すように、スタート信号ＳＰがＬレベルに
なる。よって、回路３００Ａは、信号又は電圧をノードＡ１に供給しない状態に保たれる
。よって、ノードＡ１は浮遊状態を保持しているので、ノードＡ１の電位は、Ｖ１＋Ｖｔ
ｈ２０１Ａ＋Ｖｘに維持される。つまり、トランジスタ２０１Ａはオンの状態を保持する
ので、配線１１２Ａと配線１１１とは導通状態を保持する。
また、ノードＡ１の電位が期間ａ１において上昇した値に保たれるので、回路３００Ａ
は、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＡ２に供給する状態に保たれる。よって、トランジスタ
２０２Ａはオフの状態を保持するので、配線１１３Ａと配線１１１とは非導通状態を保持
する。
このとき、クロック信号ＣＫ１はＬレベルからＨレベルに上昇する。すると、Ｈレベル
のクロック信号ＣＫ１が、トランジスタ２０１Ａを介して配線１１１に供給されるので、
配線１１１の電位が上昇する。すると、ノードＡ１は浮遊状態を保持しているので、ノー
ドＡ１の電位は、トランジスタ２０１Ａのゲートと第２の端子との間の寄生容量によって
、Ｖ２＋Ｖｔｈ２０２Ａ＋Ｖｘ（Ｖｔｈ２０２Ａ：トランジスタ２０２Ａのしきい値電圧
）まで上昇する。いわゆる、ブートストラップ動作である。こうして、配線１１１の電位
は、Ｖ２まで上昇するので、信号ＯＵＴＡはＨレベルになる。
一方、期間ｂ１において、スタート信号ＳＰがＬレベルになるので、回路３００Ｂは、
信号又は電圧をノードＢ１に供給しない状態に保たれる。よって、ノードＢ１は浮遊状態
を保持しているので、ノードＢ１の電位は、Ｖ１＋Ｖｔｈ２０１Ｂ＋Ｖｘに維持される。
つまり、トランジスタ２０１Ｂはオンの状態を保持するので、配線１１２Ｂと配線１１１
とは導通状態を保持する。
また、信号ＳＥＬＢがＬレベルなので、又はノードＢ１の電位が期間ａ１において上昇
した値に保たれるので、回路３００Ｂは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＢ２に供給する状
態に保たれる。よって、トランジスタ２０２Ｂはオフの状態を保持するので、配線１１３
Ｂと配線１１１とは非導通状態を保持する。
このとき、クロック信号ＣＫ１はＬレベルからＨレベルに上昇する。すると、Ｈレベル
のクロック信号ＣＫ１が、トランジスタ２０１Ｂを介して配線１１１に供給されるので、
配線１１１の電位が上昇する。すると、ノードＢ１は浮遊状態を保持しているので、ノー
ドＢ１の電位は、トランジスタ２０１Ｂのゲートと第２の端子との間の寄生容量によって
、Ｖ２＋Ｖｔｈ２０２Ｂ＋Ｖｘ（Ｖｔｈ２０２Ｂ：トランジスタ２０２Ｂのしきい値電圧
）まで上昇する。いわゆる、ブートストラップ動作である。こうして、配線１１１の電位
は、Ｖ２まで上昇するので、信号ＯＵＴＢはＨレベルになる。
次に、期間ｃ１において、図１９（Ａ）に示すように、リセット信号ＲＥがＨレベルに
なる。このリセット信号ＲＥがＨレベルになるタイミングで、回路３００Ａは、Ｌ信号又
は電圧Ｖ１をノードＡ１に供給する。よって、ノードＡ１の電位は、電圧Ｖ１になるよう
に減少する。すると、トランジスタ２０１Ａはオフになるので、配線１１２Ａと配線１１
１とは非導通状態になる。一方、ノードＡ１の電位が減少するので、回路３００Ａは、Ｈ
信号又は電圧Ｖ２をノードＡ２に供給する。よって、ノードＡ２の電位は上昇する。する
と、トランジスタ２０２Ａはオンになるので、配線１１３Ａと配線１１１とは導通状態に
なる。この結果、電圧Ｖ１は、トランジスタ２０２Ａを介して配線１１１に供給される。
こうして、配線１１１の電位は減少するので、信号ＯＵＴＡはＬレベルになる。
なお、期間ｃ１において、クロック信号ＣＫ１がＬレベルになるタイミングは、トラン
ジスタ２０１Ａがオフになるタイミングよりも早い場合がある。そのため、トランジスタ
２０１Ａがオフになるまでは、Ｌレベルのクロック信号ＣＫ１が、トランジスタ２０１Ａ
を介して配線１１１に供給されるとよい。また、トランジスタ２０１Ａのチャネル幅を大
きくすると、信号ＯＵＴＡの立ち下がり時間を短くすることができる。
期間ｃ１において、配線１１１に関しては、電圧Ｖ１がトランジスタ２０２Ａを介して
配線１１１に供給される場合と、Ｌレベルのクロック信号ＣＫ１がトランジスタ２０１Ａ
を介して配線１１１に供給される場合と、電圧Ｖ１がトランジスタ２０２Ａを介して配線
１１１に供給され、且つＬレベルのクロック信号ＣＫ１がトランジスタ２０１Ａを介して
配線１１１に供給される場合と、の三つのパターンがある。
一方、期間ｃ１において、リセット信号ＲＥがＨレベルになるタイミングで、回路３０
０Ｂは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＢ１に供給する。よって、ノードＢ１の電位は、電
圧Ｖ１になるように減少する。すると、トランジスタ２０１Ｂはオフになるので、配線１
１２Ｂと配線１１１とは非導通状態になる。一方、信号ＳＥＬＢはＬレベルに維持されて
いるので、回路３００Ｂは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＢ２に供給する状態に保たれる
。よって、ノードＢ２の電位はＬレベルに維持される。すると、トランジスタ２０２Ｂは
オフの状態を保持するので、配線１１３Ｂと配線１１１とは非導通状態を保持する。
なお、期間ｃ１において、クロック信号ＣＫ１がＬレベルになるタイミングは、トラン
ジスタ２０１Ｂがオフになるタイミングよりも早い場合がある。そのため、トランジスタ
２０１Ｂがオフになるまでは、Ｌレベルのクロック信号ＣＫ１が、トランジスタ２０１Ｂ
を介して配線１１１に供給されるとよい。また、トランジスタ２０１Ｂのチャネル幅を大
きくすると、信号ＯＵＴＢの立ち下がり時間を短くすることができる。
次に、期間ｄ１において、図１９（Ｂ）に示すように、回路３００Ａは、Ｌ信号又は電
圧Ｖ１をノードＡ１に供給する状態に保たれる。よって、ノードＡ１の電位はＬレベルに
維持される。すると、トランジスタ２０１Ａはオフの状態に保たれるので、配線１１２Ａ
と配線１１１とは非導通状態を保持する。
また、回路３００Ａは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノードＡ２に供給する状態に保たれる。
よって、ノードＡ２の電位はＨレベルに維持される。すると、トランジスタ２０２Ａはオ
ンの状態に保たれるので、配線１１３Ａと配線１１１とは導通状態を保持する。この結果
、電圧Ｖ１が、トランジスタ２０２Ａを介して配線１１１に供給される状態に保たれる。
一方、期間ｄ１において、回路３００Ｂは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＢ１に供給す
る状態に保たれる。よって、ノードＢ１の電位はＬレベルに維持される。すると、トラン
ジスタ２０１Ｂはオフの状態に保たれるので、配線１１２Ｂと配線１１１とは非導通状態
を保持する。
また、回路３００Ｂは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＢ２に供給する状態に保たれる。
よって、ノードＢ２の電位はＬレベルに維持される。すると、トランジスタ２０２Ｂはオ
フの状態に保たれるので、配線１１３Ｂと配線１１１とは非導通状態を保持する。
次に、期間ａ２における半導体装置の動作は、図２０（Ａ）に示すように、期間ａ１に
おける半導体装置の動作と同様である。ただし、信号ＳＥＬＡがＬレベルになり、信号Ｓ
ＥＬＢがＨレベルになるところが異なる。
次に、期間ｂ２における半導体装置の動作は、図２０（Ｂ）に示すように、期間ｂ１に
おける半導体装置の動作と同様である。ただし、信号ＳＥＬＡがＬレベルになり、信号Ｓ
ＥＬＢがＨレベルになるところが異なる。
次に、期間ｃ２における半導体装置の動作について、図２１（Ａ）を参照して説明する
。期間ｃ１における半導体装置の動作とは、信号ＳＥＬＡがＬレベルになり、信号ＳＥＬ
ＢがＨレベルになるところが異なる。
信号ＳＥＬＡがＬレベルになるので、回路３００Ａは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＡ
２に供給する。よって、トランジスタ２０２Ａはオフになるので、配線１１３Ａと配線１
１１とは非導通状態になる。
一方、信号ＳＥＬＢがＨレベルになるので、回路３００Ｂは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノ
ードＢ２に供給する。よって、トランジスタ２０２Ｂはオンになるので、配線１１３Ｂと
配線１１１とは導通状態になる。すると、電圧Ｖ１が、トランジスタ２０２Ｂを介して配
線１１１に供給される。
なお、期間ｃ２において、クロック信号ＣＫ１がＬレベルになるタイミングは、トラン
ジスタ２０１Ａがオフになるタイミングよりも早い場合がある。そのため、トランジスタ
２０１Ａがオフになるまでは、Ｌレベルのクロック信号ＣＫ１が、トランジスタ２０１Ａ
を介して配線１１１に供給されるとよい。また、トランジスタ２０１Ａのチャネル幅を大
きくすると、信号ＯＵＴＡの立ち下がり時間を短くすることができる。
なお、期間ｃ２において、クロック信号ＣＫ１がＬレベルになるタイミングは、トラン
ジスタ２０１Ｂがオフになるタイミングよりも早い場合がある。そのため、トランジスタ
２０１Ｂがオフになるまでは、Ｌレベルのクロック信号ＣＫ１が、トランジスタ２０１Ｂ
を介して配線１１１に供給されるとよい。また、トランジスタ２０１Ｂのチャネル幅を大
きくすると、信号ＯＵＴＢの立ち下がり時間を短くすることができる。
期間ｃ２において、配線１１１に関しては、電圧Ｖ１がトランジスタ２０２Ｂを介して
配線１１１に供給される場合と、Ｌレベルのクロック信号ＣＫ１がトランジスタ２０１Ｂ
を介して配線１１１に供給される場合と、電圧Ｖ１がトランジスタ２０２Ｂを介して配線
１１１に供給され、且つＬレベルのクロック信号ＣＫ１がトランジスタ２０１Ｂを介して
配線１１１に供給される場合と、の三つのパターンがある。
次に、期間ｄ２における半導体装置の動作について、図２１（Ｂ）を参照して説明する
。期間ｄ１における半導体装置の動作とは、信号ＳＥＬＡがＬレベルになり、信号ＳＥＬ
ＢがＨレベルになるところが異なる。
信号ＳＥＬＡがＬレベルになるので、回路３００Ａは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＡ
２に供給する。よって、トランジスタ２０２Ａはオフになるので、配線１１３Ａと配線１
１１とは非導通状態になる。
一方、信号ＳＥＬＢがＨレベルになるので、回路３００Ｂは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノ
ードＢ２に供給する。よって、トランジスタ２０２Ｂはオンになるので、配線１１３Ｂと
配線１１１とは導通状態になる。すると、電圧Ｖ１が、トランジスタ２０２Ｂを介して配
線１１１に供給される。
以上のように、トランジスタ２０２Ａとトランジスタ２０２Ｂのうち、交互にオンにす
ることによって、それぞれのトランジスタの特性劣化を抑制することができる。そのため
、トランジスタの半導体層として、非晶質半導体若しくは微結晶半導体等の非単結晶半導
体、有機半導体、又は酸化物半導体等の、劣化しやすい材料を用いることができる。よっ
て、半導体装置を作製する際に、工程数を削減し、歩留まりを高くし、又はコストを削減
することができる。また、本実施の形態の半導体装置を表示装置に用いる場合、半導体装
置の作製方法が容易になるため、表示装置を大型にすることができる。
また、トランジスタの特性劣化を抑制することができるため、トランジスタの劣化を考
慮してトランジスタのチャネル幅を大きくする必要がない。このため、トランジスタのチ
ャネル幅を小さくすることができるので、レイアウト面積を小さくすることができる。特
に、本実施の形態の半導体装置を表示装置に用いる場合、ゲートドライバ回路のレイアウ
ト面積を小さくすることができるので、画素の解像度を高くすることができる。また、ト
ランジスタのチャネル幅を小さくすることができるので、ゲートドライバ回路の負荷を小
さくすることができる。そのため、ゲートドライバ回路を有するドライバ回路の消費電力
を低減することができる。
また、期間ｂ１と期間ｂ２において、Ｈレベルのクロック信号ＣＫ１が、トランジスタ
２０１Ａとトランジスタ２０１Ｂとを介して配線１１１に供給されるので、配線１１１に
供給される信号の立ち上がり時間又は立ち下がり時間を短くすることができる。よって、
選択された行に属する画素に、別の行に属する画素へのビデオ信号が書き込まれるのを防
止することができる。この結果、クロストークを低減することができるので、表示装置の
表示品位の向上を図ることができる。
また、配線１１１に供給される信号の立ち上がり時間又は立ち下がり時間を短くするこ
とができるため、走査信号がスタート信号等に相当する場合、ゲートドライバ回路の駆動
周波数を高くすることができる。よって、本実施の形態の半導体装置を表示装置に用いる
場合、表示装置を大型にすることができ、又は画素の解像度を高くすることができる。
なお、期間Ｔ１における信号ＯＵＴＡ及び信号ＯＵＴＢの波形は、図６（Ｋ）のタイミ
ングチャートに対応する。なお、期間Ｔ１における信号ＯＵＴＡ及び信号ＯＵＴＢの波形
としては、図６（Ａ）〜図６（Ｌ）を用いることができる。
なお、期間Ｔ２における信号ＯＵＴＡ及び信号ＯＵＴＢの波形は、図７（Ｋ）のタイミ
ングチャートに対応する。なお、期間Ｔ２における信号ＯＵＴＡ及び信号ＯＵＴＢの波形
としては、図７（Ａ）〜図７（Ｌ）を用いることができる。
なお、クロック信号ＣＫ１を、非平衡とすることができる。図２２は、１周期のうち、
Ｈレベルになる期間がＬレベルになる期間よりも短い場合の、半導体装置の動作の一例を
示すタイミングチャートである。図２２のタイミングチャートでは、期間ｃ１又は期間ｃ
２において、Ｌレベルのクロック信号ＣＫ１を配線１１１に供給することができるので、
信号ＯＵＴＡ及び信号ＯＵＴＢの立ち下がり時間を短くすることができる。特に、配線１
１１が画素部に延伸して形成される場合、画素への本来書き込まれるべきでないビデオ信
号の書き込みを防止することができる。また、１周期のうち、Ｈレベルになる期間をＬレ
ベルになる期間よりも長くしてもよい。
なお、半導体装置には、多相のクロック信号を用いることができる。例えば、半導体装
置には、ｎ（ｎは自然数）相のクロック信号を用いることができる。ｎ相のクロック信号
とは、周期がそれぞれ１／ｎ周期ずつずれたｎ個のクロック信号を指す。図２３は、半導
体装置に３相のクロック信号を用いる場合の、半導体装置の動作の一例を示すタイミング
チャートである。
なお、ｎが大きいほど、クロック周波数が低くなるので、消費電力の低減を図ることが
できる。ただし、ｎが大きすぎると、信号の数が増えるので、レイアウト面積が大きくな
る、又は、外部回路の規模が大きくなる。よって、ｎを８よりも小さくし、好ましくはｎ
を６よりも小さく、さらに好ましくはｎ＝４又はｎ＝３とする。
なお、期間ｃ１、期間ｄ１、期間ｃ２、又は期間ｄ２において、トランジスタ２０２Ａ
とトランジスタ２０２Ｂとを、同時にオンにすることができる。このため、電圧Ｖ１を、
トランジスタ２０２Ａとトランジスタ２０２Ｂとを介して配線１１１に供給すると、配線
１１１のノイズを低減することができるので、ノイズの影響を受けにくい半導体装置を得
ることができる。
なお、期間ａ１、期間ｂ１、期間ａ２、又は期間ｂ２において、トランジスタ２０１Ａ
及びトランジスタ２０１Ｂの一方をオンにすることができる。例えば、期間ａ１及び期間
ｂ１において、トランジスタ２０１Ａをオンにし、トランジスタ２０１Ｂをオフにするこ
とができる。または、期間ａ２及び期間ｂ２において、トランジスタ２０１Ａをオフにし
、トランジスタ２０１Ｂをオンにすることができる。よって、トランジスタ２０１Ａとト
ランジスタ２０１Ｂとが、それぞれオンになる回数が少なくなるので、それぞれのトラン
ジスタの劣化を抑制することができる。
このような駆動方法を実現するために、例えば、期間Ｔ１において、配線１１４Ｂに入
力される信号をＬレベルに維持し、期間Ｔ２において、配線１１４Ａに入力される信号を
Ｌレベルに維持するとよい。別の例として、回路２００Ａには、期間Ｔ１において、信号
ＳＥＬＡに応じてノードＡ１の電位をＬレベルに維持する機能を有する回路を設け、回路
２００Ｂには、期間Ｔ２において、信号ＳＥＬＢに応じてノードＢ１の電位をＬレベルに
維持する機能を有する回路を設けるとよい。
＜トランジスタのサイズ＞
次に、トランジスタのチャネル幅、チャネル長等の、トランジスタのサイズについて説
明する。なお、トランジスタのチャネル幅と記載する場合、トランジスタのＷ／Ｌ（Ｗは
チャネル幅、Ｌはチャネル長）比と言い換えることがある。
トランジスタ２０１Ａのチャネル幅と、トランジスタ２０１Ｂのチャネル幅とは、概ね
等しいことが好ましい。または、トランジスタ２０２Ａのチャネル幅と、トランジスタ２
０２Ｂのチャネル幅とは、概ね等しいことが好ましい。
このように、トランジスタのチャネル幅を概ね等しくすることによって、電流供給能力
を概ね等しくし、又は、トランジスタの劣化の程度を概ね等しくすることができる。よっ
て、選択されるトランジスタが切り替わっても、出力される信号ＯＵＴの波形を概ね等し
くすることができる。
なお、同様の理由で、トランジスタ２０１Ａのチャネル長と、トランジスタ２０１Ｂの
チャネル長とは、概ね等しいことが好ましい。または、トランジスタ２０２Ａのチャネル
長と、トランジスタ２０２Ｂのチャネル長とは、概ね等しいことが好ましい。
なお、トランジスタ２０１Ａ又はトランジスタ２０１Ｂに接続されるゲート信号線の負
荷が大きい場合、回路２００Ａにおいて、回路２００Ａが有する他のトランジスタよりも
トランジスタ２０１Ａのチャネル幅を大きくし、又は、回路２００Ｂにおいて、回路２０
０Ｂが有する他のトランジスタよりもトランジスタ２０１Ｂのチャネル幅を大きくするこ
とが好ましい。
なお、トランジスタ２０１Ａ又はトランジスタ２０１Ｂが駆動するゲート信号線の負荷
が大きい場合、トランジスタ２０１Ａ又はトランジスタ２０１Ｂのチャネル幅を大きくす
ることが好ましい。具体的には、トランジスタ２０１Ａのチャネル幅及びトランジスタ２
０１Ｂのチャネル幅を、好ましくは１０００μｍ〜３００００μｍ、より好ましくは２０
００μｍ〜２００００μｍ、さらに好ましくは３０００μｍ〜８０００μｍ又は１０００
０μｍ〜１８０００μｍとするとよい。
＜半導体装置の構成＞
次に、本実施の形態の半導体装置の構成の一例について、図１６（Ａ）とは異なる半導
体装置の回路図の一例を、図１６（Ｂ）、及び図２４（Ａ）〜図２５（Ｂ）を参照して説
明する。
図１６（Ｂ）、及び図２４（Ａ）〜図２５（Ｂ）に、半導体装置の回路図の一例を示す
。
図１６（Ｂ）に示す半導体装置は、図１６（Ａ）に示す半導体装置が有するトランジス
タ２０１Ａのゲートと第２の端子との間に容量素子２０３Ａを接続した構成に対応する。
または、トランジスタ２０１Ｂのゲートと第２の端子との間に容量素子２０３Ｂを接続し
た構成に対応する。
このような構成とすることによって、ブートストラップ動作時に、ノードＡ１の電位又
はノードＢ１の電位が上昇しやすくなる。よって、トランジスタ２０１Ａのゲートとソー
スとの間の電位差（Ｖｇｓ）又はトランジスタ２０１Ｂのゲートとソースとの間の電位差
（Ｖｇｓ）を大きくすることができる。この結果、トランジスタ２０１Ａ又はトランジス
タ２０１Ｂのチャネル幅を小さくすることができる。または、信号ＯＵＴＡ又は信号ＯＵ
ＴＢの立ち下がり時間又は立ち上がり時間を短くすることができる。
容量素子２０３Ａ及び容量素子２０３Ｂとしては、例えばＭＯＳ容量を用いることがで
きる。なお、容量素子２０３Ａ及び容量素子２０３Ｂの一方の電極の材料は、トランジス
タ２０１Ａ及びトランジスタ２０１Ｂのゲートとそれぞれ同様な材料であることが好まし
い。または、容量素子２０３Ａ及び容量素子２０３Ｂの他方の電極の材料は、トランジス
タ２０１Ａ及びトランジスタ２０１Ｂのソース又はドレインとそれぞれ同様な材料である
ことが好ましい。このような材料を用いることによって、レイアウト面積を小さくするこ
とができ、又は、容量値を大きくすることができる。
なお、容量素子２０３Ａの容量値と容量素子２０３Ｂの容量値は、概ね等しいことが好
ましい。または、容量素子２０３Ａと容量素子２０３Ｂにおいて、一方の電極と他方の電
極とが重なる面積は、概ね等しいことが好ましい。このような構成とすることによって、
回路２００Ａから配線１１１に信号が入力される場合と、回路２００Ｂから配線１１１に
信号が入力される場合とで、配線１１１に入力される信号の波長を概ね等しくすることが
できる。
また、図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）に示す半導体装置において、図２４（Ａ）に示す
ように、トランジスタ２０１Ａを、一方の電極（例えば、正極）がノードＡ１と接続され
、他方の電極（例えば、負極）が配線１１１と接続されるダイオード２１１Ａと置き換え
てもよい。または、トランジスタ２０２Ａを、一方の電極（例えば、正極）が配線１１１
と接続され、他方の電極（例えば、負極）がノードＡ２と接続されるダイオード２１２Ａ
と置き換えてもよい。
また、トランジスタ２０１Ｂを、一方の電極（例えば、正極）がノードＢ１と接続され
、他方の電極（例えば、負極）が配線１１１と接続されるダイオード２１１Ｂと置き換え
てもよい。または、トランジスタ２０２Ｂを、一方の電極（例えば、正極）が配線１１１
と接続され、他方の電極（例えば、負極）がノードＢ２と接続されるダイオード２１２Ｂ
と置き換えてもよい。
また、図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）に示す半導体装置において、図２４（Ｂ）に示す
ように、トランジスタ２０１Ａの第１の端子は、ノードＡ１に接続されてもよい。また、
トランジスタ２０２Ａの第１の端子は、ノードＡ２に接続され、トランジスタ２０２Ａの
ゲートは、配線１１１と接続されてもよい。
又は、トランジスタ２０１Ｂの第１の端子は、ノードＢ１に接続されてもよい。また、
トランジスタ２０２Ｂの第１の端子は、ノードＢ２に接続され、トランジスタ２０２Ｂの
ゲートは、配線１１１と接続されてもよい。
次に、信号ＯＵＴＡとは別に転送用の信号を生成する構成を有する、又は信号ＯＵＴＢ
とは別に転送用の信号を生成する構成を有する半導体装置の一例を、図２５（Ａ）及び図
２５（Ｂ）を参照して説明する。
半導体装置が、複数の回路（回路２００Ａ及び回路２００Ｂを含む）を有する場合、転
送用の信号を、配線１１１に入力せずに、次段の回路にスタート信号として入力すること
により、転送用の信号の遅延又はなまりを、信号ＯＵＴＡ又は信号ＯＵＴＢよりも小さく
することができる。したがって、遅延又はなまりが低減された信号を用いて半導体装置を
駆動することができるので、半導体装置の出力信号の遅延を低減することができる。また
は、ノードＡ１又はノードＢ１を充電するタイミングを早くすることができるので、動作
範囲を広くすることができる。また、転送用の信号を、配線１１１に出力してもよい。
このため、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）、図２４（Ａ）、及び図２４（Ｂ）に示す半導
体装置において、図２５（Ａ）に示すように、回路２００Ａに、第１の端子が配線１１２
Ａと接続され、第２の端子が配線１１７Ａと接続され、ゲートがノードＡ１と接続される
、トランジスタ２０４Ａを設けてもよい。また、回路２００Ｂに、第１の端子が配線１１
２Ｂと接続され、第２の端子が配線１１７Ｂと接続され、ゲートがノードＢ１と接続され
る、トランジスタ２０４Ｂを設けてもよい。
又は、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）、図２４（Ａ）、及び図２４（Ｂ）に示す半導体装
置において、図２５（Ｂ）に示すように、回路２００Ａに、第１の端子が配線１１３Ａと
接続され、第２の端子が配線１１７Ａと接続され、ゲートがノードＡ２と接続される、ト
ランジスタ２０５Ａを設けてもよい。また、回路２００Ｂに、第１の端子が配線１１３Ｂ
と接続され、第２の端子が配線１１７Ｂと接続され、ゲートがノードＢ２と接続される、
トランジスタ２０５Ｂを設けてもよい。
なお、トランジスタ２０４Ａはトランジスタ２０１Ａと同様の機能を有し、同じ極性を
有することが好ましい。また、トランジスタ２０５Ａはトランジスタ２０２Ａと同様の機
能を有し、同じ極性を有することが好ましい。また、トランジスタ２０４Ｂはトランジス
タ２０１Ｂと同様の機能を有し、同じ極性を有することが好ましい。また、トランジスタ
２０５Ｂはトランジスタ２０２Ｂと同様の機能を有し、同じ極性を有することが好ましい
。なお、トランジスタ２０４Ａ、トランジスタ２０４Ｂ、トランジスタ２０５Ａ、及びト
ランジスタ２０５Ｂは、Ｎチャネル型トランジスタ及びＰチャネル型トランジスタのいず
れを用いてもよい。
なお、半導体装置が有する複数の回路が接続される場合、配線１１７Ａは、別の段（例
えば、次段）の半導体装置の配線１１４Ａと接続されてもよい。また、配線１１７Ｂは、
別の段（例えば、次段）の半導体装置の配線１１４Ｂと接続されてもよい。このような構
成を有することにより、配線１１７Ａ及び配線１１７Ｂは、信号線としての機能を有する
。
なお、半導体装置が有する複数の回路が接続される場合、配線１１７Ａは、別の段（例
えば、前段）の半導体装置の配線１１６Ａと接続されてもよい。また、配線１１７Ｂは、
別の段（例えば、前段）の半導体装置の配線１１６Ｂと接続されてもよい。また、配線１
１７Ａは、画素部に延伸して配置されてもよい。また、配線１１７Ｂは、画素部に延伸し
て配置されてもよい。このような構成を有することにより、配線１１７Ａ及び配線１１７
Ｂは、ゲート信号線又は走査線としての機能を有する。
＜半導体装置の構成＞
次に、本実施の形態の半導体装置の構成の一例について、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）
、及び図２４（Ａ）〜図２５（Ｂ）とは異なる半導体装置の回路図の一例について、図２
６を参照して説明する。
図２６に示す半導体装置は、図１６（Ａ）に示す半導体装置において、トランジスタ２
０７Ａとトランジスタ２０７Ｂを設けた構成に対応する。
トランジスタ２０７Ａは、第１の端子が配線１１３Ａと接続され、第２の端子が配線１
１１と接続され、ゲートが回路３００Ａと接続されている。また、トランジスタ２０７Ｂ
は、第１の端子が配線１１３Ｂと接続され、第２の端子が配線１１１と接続され、ゲート
が回路３００Ｂと接続されている。
なお、トランジスタ２０７Ａのゲートと回路３００Ａとの接続箇所をノードＡ３、トラ
ンジスタ２０７Ｂのゲートと回路３００Ｂとの接続箇所をノードＢ３、と示す。
なお、トランジスタ２０７Ａはトランジスタ２０２Ａと同様の機能を有することが好ま
しい。また、トランジスタ２０７Ｂはトランジスタ２０２Ｂと同様の機能を有することが
好ましい。
＜半導体装置の動作＞
図２６の半導体装置の動作の一例について、図２７に示すタイミングチャートを参照し
て説明する。また、図２８（Ａ）〜図２９（Ｂ）は、図２６の半導体装置の動作の一例を
説明するための図である。
トランジスタ２０２Ａとトランジスタ２０７Ａは、期間Ｔ１において、１ゲート選択期
間毎、又はクロック信号ＣＫ１の半周期毎に、交互にオンになる。例えば、期間ｄ１のう
ちクロック信号ＣＫ１がＨレベルになる期間では、図２８（Ａ）に示すように、トランジ
スタ２０２Ａがオンになり、トランジスタ２０７Ａがオフになる。一方、期間ｄ１のうち
クロック信号ＣＫ１がＬレベルになる期間では、図２８（Ｂ）に示すように、トランジス
タ２０２Ａがオフになり、トランジスタ２０７Ａがオンになる。
また、トランジスタ２０２Ｂとトランジスタ２０７Ｂは、期間Ｔ２において、１ゲート
選択期間毎、又はクロック信号ＣＫ１の半周期毎に、交互にオンになる。例えば、期間ｄ
２のうちクロック信号ＣＫ１がＨレベルになる期間では、図２９（Ａ）に示すように、ト
ランジスタ２０２Ｂがオンになり、トランジスタ２０７Ｂがオフになる。一方、期間ｄ２
のうちクロック信号ＣＫ１がＬレベルになる期間では、図２９（Ｂ）に示すように、トラ
ンジスタ２０２Ｂがオフになり、トランジスタ２０７Ｂがオンになる。
このように、期間Ｔ１において、トランジスタ２０２Ａとトランジスタ２０７Ａとが交
互にオンになり、期間Ｔ２において、トランジスタ２０２Ｂとトランジスタ２０７Ｂとが
交互にオンになる。これにより、各トランジスタがオンになる時間を短くすることができ
るため、各トランジスタの劣化を抑制することができる。
又は、ノードＡ２及びノードＡ３の一方に、クロック信号ＣＫ２（例えば、クロック信
号ＣＫ１の反転信号）が入力される配線が接続されていてもよい。また、ノードＢ２及び
ノードＢ３の一方に、クロック信号ＣＫ２が入力される配線が接続されていてもよい。
又は、同じ期間（例えば、期間ｂ１又は期間ｂ２）において、トランジスタ２０２Ａ、
トランジスタ２０７Ａ、トランジスタ２０２Ｂ、及びトランジスタ２０７Ｂは、オフであ
ってもよい。または、同じ期間（例えば、期間ａ１又は期間ａ２）において、トランジス
タ２０２Ａ、トランジスタ２０７Ａ、トランジスタ２０２Ｂ、及びトランジスタ２０７Ｂ
の二つ以上のトランジスタがオンであってもよい。
又は、トランジスタ２０２Ａとトランジスタ２０７Ａがオンになる順番は任意に設定し
てもよく、また、トランジスタ２０２Ｂとトランジスタ２０７Ｂがオンになる順番は任意
に設定してもよい。
次に、図２６の半導体装置の動作の一例について、図２７とは異なるタイミングチャー
トについて、図３０を参照して説明する。
トランジスタ２０２Ａ、トランジスタ２０７Ａ、トランジスタ２０２Ｂ、及びトランジ
スタ２０７Ｂは、１フレーム期間毎にオンであってもよい。図３０において、期間Ｔ１の
うち、トランジスタ２０２Ａがオンになる期間を期間Ｔ１ａ、トランジスタ２０７Ａがオ
ンになる期間を期間Ｔ１ｂと示す。また、期間Ｔ２のうち、トランジスタ２０２Ｂがオン
になる期間を期間Ｔ２ａ、トランジスタ２０７Ｂがオンになる期間を期間Ｔ２ｂと示す。
なお、図３０のタイミングチャートでは、期間Ｔ１ａ、期間Ｔ２ａ、期間Ｔ１ｂ、及び
期間Ｔ２ｂが順番に配置される場合について示しているが、これらの期間の順番は任意に
設定してもよい。例えば、期間Ｔ１ａ、期間Ｔ１ｂ、期間Ｔ２ａ、期間Ｔ２ｂの順に配置
、複数期間ずつ配置、又はランダムに配置されてもよい。
期間Ｔ１ａの期間ｄ１では、ノードＡ２の電位はＨレベルになり、ノードＡ３の電位（
ノードＡ３の電位のことを電位Ｖａ３とも示す）、ノードＢ２の電位、及びノードＢ３の
電位（ノードＢ３の電位のことを電位Ｖｂ３とも示す）はＬレベルになる。したがって、
図２８（Ａ）に示すように、トランジスタ２０２Ａがオンになり、トランジスタ２０７Ａ
、トランジスタ２０２Ｂ、及びトランジスタ２０７Ｂがオフになる。
期間Ｔ１ｂの期間ｄ１では、ノードＡ３の電位はＨレベルになり、ノードＡ２の電位、
ノードＢ２の電位、及びノードＢ３の電位はＬレベルになる。したがって、図２８（Ｂ）
に示すように、トランジスタ２０７Ａがオンになり、トランジスタ２０２Ａ、トランジス
タ２０２Ｂ、及びトランジスタ２０７Ｂがオフになる。
期間Ｔ２ａの期間ｄ２では、ノードＢ２の電位はＨレベルになり、ノードＡ２の電位、
ノードＡ３の電位、及びノードＢ３の電位はＬレベルになる。したがって、図２９（Ａ）
に示すように、トランジスタ２０２Ｂがオンになり、トランジスタ２０２Ａ、トランジス
タ２０７Ａ、及びトランジスタ２０７Ｂがオフになる。
期間Ｔ２ｂの期間ｄ２では、ノードＢ３の電位はＨレベルになり、ノードＡ２の電位、
ノードＡ３の電位、及びノードＢ２の電位はＬレベルになる。したがって、図２９（Ｂ）
に示すように、トランジスタ２０７Ｂがオンになり、トランジスタ２０２Ａ、トランジス
タ２０７Ａ、及びトランジスタ２０２Ｂがオフになる。
図２６に示す半導体装置が上記の動作を行うことによって、トランジスタがオンになる
時間を短くすることができる。または、トランジスタの導通状態を制御するための信号の
周波数を低くすることができるので、消費電力を小さくすることができる。
又は、第１の端子が配線１１３Ａと接続され、第２の端子が配線１１１と接続されるト
ランジスタを複数設けてもよい。当該複数のトランジスタは、トランジスタ２０２Ａ又は
トランジスタ２０７Ａと同様の機能を有する。そして、これら複数のトランジスタを、１
ゲート選択期間毎、又は１フレーム毎等に、順番にオンにすればよい。
また、第１の端子が配線１１３Ｂと接続され、第２の端子が配線１１１と接続されるト
ランジスタを複数設けてもよい。当該複数のトランジスタは、トランジスタ２０２Ｂ又は
トランジスタ２０７Ｂと同様の機能を有する。そして、これら複数のトランジスタを、１
ゲート選択期間毎、又は１フレーム毎等に、順番にオンにすればよい。
このような複数トランジスタを設けることによって、それぞれのトランジスタがオンに
なる時間を短くすることができるので、それぞれのトランジスタの劣化を抑制することが
できる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したゲートドライバ回路を有する半導体装置
について説明する。
＜半導体装置の構成＞
本実施の形態の半導体装置の構成について、図３１（Ａ）及び図３１（Ｂ）を参照して
説明する。図３１（Ａ）及び図３１（Ｂ）に、半導体装置の回路図の一例を示す。
図３１（Ａ）において、回路３００Ａは、トランジスタ３０１Ａ、トランジスタ３０２
Ａ、及び回路４００Ａを有する。回路３００Ｂは、トランジスタ３０１Ｂ、トランジスタ
３０２Ｂ、及び回路４００Ｂを有する。
トランジスタ３０１Ａ、トランジスタ３０２Ａ、回路４００Ａ、トランジスタ３０１Ｂ
、トランジスタ３０２Ｂ、及び回路４００Ｂの構成の一例について、図３１（Ａ）を参照
して説明する。ここで、トランジスタ３０１Ａ、トランジスタ３０２Ａ、トランジスタ３
０１Ｂ、及びトランジスタ３０２Ｂは、Ｎチャネル型トランジスタとして説明する。なお
、これらのトランジスタは、Ｐチャネル型トランジスタであってもよい。
トランジスタ３０１Ａは、第１の端子が配線１１４Ａと接続され、第２の端子がノード
Ａ１と接続され、ゲートが配線１１４Ａと接続される。トランジスタ３０２Ａは、第１の
端子が配線１１３Ａと接続され、第２の端子がノードＡ１と接続され、ゲートが配線１１
６Ａと接続される。回路４００Ａは、配線１１５Ａ、ノードＡ１、配線１１３Ａ、及びノ
ードＡ２と接続される。
トランジスタ３０１Ｂは、第１の端子が配線１１４Ｂと接続され、第２の端子がノード
Ｂ１と接続され、ゲートが配線１１４Ｂと接続される。トランジスタ３０２Ｂは、第１の
端子が配線１１３Ｂと接続され、第２の端子がノードＢ１と接続され、ゲートが配線１１
６Ｂと接続される。回路４００Ｂは、配線１１５Ｂ、ノードＢ１、配線１１３Ｂ、及びノ
ードＢ２と接続される。
次に、トランジスタ３０１Ａ、トランジスタ３０２Ａ、回路４００Ａ、トランジスタ３
０１Ｂ、トランジスタ３０２Ｂ、及び回路４００Ｂの機能の一例について説明する。
トランジスタ３０１Ａは、配線１１４ＡとノードＡ１とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ３０１Ａは、配線１１４Ａの電位をノードＡ１に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ３０１Ａは、配線１
１４Ａに供給される信号又は電圧等（例えば、スタート信号ＳＰ、クロック信号ＣＫ１、
クロック信号ＣＫ２、信号ＳＥＬＡ、信号ＳＥＬＢ、又は電圧Ｖ２）をノードＡ１に供給
するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ３０１Ａは、信号又は電
圧等をノードＡ１に供給しないタイミングを制御する機能を有する。または、トランジス
タ３０１Ａは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノードＡ１に供給するタイミングを制御する機能を
有する。または、トランジスタ３０１Ａは、ノードＡ１の電位を上昇させるタイミングを
制御する機能を有する。または、トランジスタ３０１Ａは、ノードＡ１を浮遊状態にする
タイミングを制御する機能を有する。
このように、トランジスタ３０１Ａは、スイッチ、整流素子、ダイオード、又はダイオ
ード接続のトランジスタ等としての機能を有する。なお、トランジスタ３０１Ａは、スタ
ート信号ＳＰに応じて制御されてもよい。
トランジスタ３０２Ａは、配線１１３ＡとノードＡ１とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ３０２Ａは、配線１１３Ａの電位をノードＡ１に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ３０２Ａは、配線１
１３Ａに供給される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ１）をノ
ードＡ１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ３０２Ａ
は、電圧Ｖ１をノードＡ１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トラ
ンジスタ３０２Ａは、ノードＡ１の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する
。または、トランジスタ３０２Ａは、ノードＡ１の電位を維持するタイミングを制御する
機能を有する。
このように、トランジスタ３０２Ａは、スイッチとしての機能を有する。なお、トラン
ジスタ３０２Ａは、リセット信号ＲＥに応じて制御されてもよい。
回路４００Ａは、ノードＡ２の電位を制御する機能を有する。または、回路４００Ａは
、信号又は電圧等をノードＡ２に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、
回路４００Ａは、信号又は電圧等をノードＡ２に供給しないタイミングを制御する機能を
有する。または、回路４００Ａは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノードＡ２に供給するタイミン
グを制御する機能を有する。または、回路４００Ａは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＡ２
に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、回路４００Ａは、ノードＡ２の
電位を上昇させるタイミングを制御する機能を有する。または、回路４００Ａは、ノード
Ａ２の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する。または、回路４００Ａは、
ノードＡ２の電位を維持するタイミングを制御する機能を有する。
このように、回路４００Ａは、制御回路としての機能を有する。なお、回路４００Ａは
、信号ＳＥＬＡ、又はノードＡ１の電位に応じて制御されてもよい。
トランジスタ３０１Ｂは、配線１１４ＢとノードＢ１とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ３０１Ｂは、配線１１４Ｂの電位をノードＢ１に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ３０１Ｂは、配線１
１４Ｂに供給される信号又は電圧等（例えば、スタート信号ＳＰ、クロック信号ＣＫ１、
クロック信号ＣＫ２、信号ＳＥＬＡ、信号ＳＥＬＢ、又は電圧Ｖ２）をノードＢ１に供給
するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ３０１Ｂは、信号又は電
圧等をノードＢ１に供給しないタイミングを制御する機能を有する。または、トランジス
タ３０１Ｂは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノードＢ１に供給するタイミングを制御する機能を
有する。または、トランジスタ３０１Ｂは、ノードＢ１の電位を上昇させるタイミングを
制御する機能を有する。または、トランジスタ３０１Ｂは、ノードＢ１を浮遊状態にする
タイミングを制御する機能を有する。
このように、トランジスタ３０１Ｂは、スイッチ、整流素子、ダイオード、又はダイオ
ード接続のトランジスタ等としての機能を有する。なお、トランジスタ３０１Ｂは、スタ
ート信号ＳＰに応じて制御されてもよい。
トランジスタ３０２Ｂは、配線１１３ＢとノードＢ１とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ３０２Ｂは、配線１１３Ｂの電位をノードＢ１に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ３０２Ｂは、配線１
１３Ｂに供給される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ１）をノ
ードＢ１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ３０２Ｂ
は、電圧Ｖ１をノードＢ１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トラ
ンジスタ３０２Ｂは、ノードＢ１の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する
。または、トランジスタ３０２Ｂは、ノードＢ１の電位を維持するタイミングを制御する
機能を有する。
このように、トランジスタ３０２Ｂは、スイッチとしての機能を有する。なお、トラン
ジスタ３０２Ｂは、リセット信号ＲＥに応じて制御されてもよい。
回路４００Ｂは、ノードＢ２の電位を制御する機能を有する。または、回路４００Ｂは
、信号又は電圧等をノードＢ２に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、
回路４００Ｂは、信号又は電圧等をノードＢ２に供給しないタイミングを制御する機能を
有する。または、回路４００Ｂは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノードＢ２に供給するタイミン
グを制御する機能を有する。または、回路４００Ｂは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＢ２
に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、回路４００Ｂは、ノードＢ２の
電位を上昇させるタイミングを制御する機能を有する。または、回路４００Ｂは、ノード
Ｂ２の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する。または、回路４００Ｂは、
ノードＢ２の電位を維持するタイミングを制御する機能を有する。
このように、回路４００Ｂは、制御回路としての機能を有する。なお、回路４００Ｂは
、信号ＳＥＬＢ、又はノードＢ１の電位に応じて制御されてもよい。
次に、回路４００Ａ及び回路４００Ｂの構成の一例について、図３１（Ｂ）を参照して
説明する。
回路４００Ａは、トランジスタ４０１Ａ及びトランジスタ４０２Ａを有する。回路４０
０Ｂは、トランジスタ４０１Ｂ及びトランジスタ４０２Ｂを有する。
トランジスタ４０１Ａ、トランジスタ４０２Ａ、トランジスタ４０１Ｂ、及びトランジ
スタ４０２Ｂの構成の一例について、図３１（Ｂ）を参照して説明する。ここで、トラン
ジスタ４０１Ａ、トランジスタ４０２Ａ、トランジスタ４０１Ｂ、及びトランジスタ４０
２Ｂは、Ｎチャネル型トランジスタとして説明する。なお、これらのトランジスタは、Ｐ
チャネル型トランジスタであってもよい。
トランジスタ４０１Ａは、第１の端子が配線１１５Ａと接続され、第２の端子がノード
Ａ２と接続され、ゲートが配線１１５Ａと接続される。トランジスタ４０２Ａは、第１の
端子が配線１１３Ａと接続され、第２の端子がノードＡ２と接続され、ゲートがノードＡ
１と接続される。
トランジスタ４０１Ｂは、第１の端子が配線１１５Ｂと接続され、第２の端子がノード
Ｂ２と接続され、ゲートが配線１１５Ｂと接続される。トランジスタ４０２Ｂは、第１の
端子が配線１１３Ｂと接続され、第２の端子がノードＢ２と接続され、ゲートがノードＢ
１と接続される。
次に、トランジスタ４０１Ａ、トランジスタ４０２Ａ、トランジスタ４０１Ｂ、及びト
ランジスタ４０２Ｂの機能の一例について説明する。
トランジスタ４０１Ａは、配線１１５ＡとノードＡ２とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ４０１Ａは、配線１１５Ａの電位をノードＡ２に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ４０１Ａは、配線１
１５Ａに供給される信号又は電圧等（例えば、信号ＳＥＬＡ、又は電圧Ｖ２）をノードＡ
２に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ４０１Ａは、信
号又は電圧をノードＡ２に供給しないタイミングを制御する機能を有する。または、トラ
ンジスタ４０１Ａは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２等をノードＡ２に供給するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ４０１Ａは、ノードＡ２の電位を上昇させるタイ
ミングを制御する機能を有する。
このように、トランジスタ４０１Ａは、スイッチ、整流素子、ダイオード、又はダイオ
ード接続のトランジスタ等としての機能を有する。なお、トランジスタ４０１Ａは、信号
ＳＥＬＡに応じて制御されてもよい。
トランジスタ４０２Ａは、配線１１３ＡとノードＡ２とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ４０２Ａは、配線１１３Ａの電位をノードＡ２に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ４０２Ａは、配線１
１３Ａに供給される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ１）をノ
ードＡ２に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ４０２Ａ
は、電圧Ｖ１をノードＡ２に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トラ
ンジスタ４０２Ａは、ノードＡ２の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する
。または、トランジスタ４０２Ａは、ノードＡ２の電位を維持するタイミングを制御する
機能を有する。
このように、トランジスタ４０２Ａは、スイッチとしての機能を有する。なお、トラン
ジスタ４０２Ａは、ノードＡ１の電位又は配線１１１の電位に応じて制御されてもよい。
トランジスタ４０１Ｂは、配線１１５ＢとノードＢ２とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ４０１Ｂは、配線１１５Ｂの電位をノードＢ２に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ４０１Ｂは、配線１
１５Ｂに供給される信号又は電圧等（例えば、信号ＳＥＬＢ、又は電圧Ｖ２）をノードＢ
２に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ４０１Ｂは、信
号又は電圧をノードＢ２に供給しないタイミングを制御する機能を有する。または、トラ
ンジスタ４０１Ｂは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２等をノードＢ２に供給するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ４０１Ｂは、ノードＢ２の電位を上昇させるタイ
ミングを制御する機能を有する。
このように、トランジスタ４０１Ｂは、スイッチ、整流素子、ダイオード、又はダイオ
ード接続のトランジスタ等としての機能を有する。なお、トランジスタ４０１Ｂは、信号
ＳＥＬＢに応じて制御されてもよい。
トランジスタ４０２Ｂは、配線１１３ＢとノードＢ２とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ４０２Ｂは、配線１１３Ｂの電位をノードＢ２に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ４０２Ｂは、配線１
１３Ｂに供給される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ１）をノ
ードＢ２に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ４０２Ｂ
は、電圧Ｖ１をノードＢ２に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トラ
ンジスタ４０２Ｂは、ノードＢ２の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する
。または、トランジスタ４０２Ｂは、ノードＢ２の電位を維持するタイミングを制御する
機能を有する。
このように、トランジスタ４０２Ｂは、スイッチとしての機能を有する。なお、トラン
ジスタ４０２Ｂは、ノードＢ１の電位又は配線１１１の電位に応じて制御されてもよい。
＜半導体装置の動作＞
次に、図３１（Ｂ）の半導体装置の動作の一例について、図３２（Ａ）〜図３５（Ｂ）
を参照して説明する。図３２（Ａ）〜図３５（Ｂ）は、順に、実施の形態４で説明した期
間ａ１、期間ｂ１、期間ｃ１、期間ｄ１、期間ａ２、期間ｂ２、期間ｃ２、期間ｄ２にお
ける半導体装置の模式図に相当する。
なお、図３１（Ｂ）の半導体装置のうち、図１６（Ａ）の半導体装置と共通する部分に
おける動作については、図１７のタイミングチャートを参照して説明する。
まず、図３２（Ａ）に示すように、期間ａ１において、スタート信号ＳＰがＨレベルに
なる。よって、トランジスタ３０１Ａはオンになるので、配線１１４ＡとノードＡ１とは
導通状態になる。すると、Ｈレベルのスタート信号ＳＰは、トランジスタ３０１Ａを介し
てノードＡ１に供給されるので、ノードＡ１の電位が上昇する。
やがて、ノードＡ１の電位が、トランジスタ３０１Ａのゲートの電位（例えば、電圧Ｖ
２）から、トランジスタ３０１Ａの閾値電圧（Ｖｔｈ３０１Ａ）を引いた値（Ｖ２−Ｖｔ
ｈ３０１Ａ）になったところで、トランジスタ３０１Ａはオフになる。よって、配線１１
４ＡとノードＡ１とは非導通状態になるため、ノードＡ１の電位が上昇する。ノードＡ１
の電位が上昇すると、トランジスタ４０２Ａはオンになるので、配線１１３ＡとノードＡ
２とは導通状態になる。すると、電圧Ｖ１は、トランジスタ４０２Ａを介してノードＡ２
に供給される。
また、期間ａ１において、信号ＳＥＬＡはＨレベルになる。よって、トランジスタ４０
１Ａはオンになるので、配線１１５ＡとノードＡ２とは導通状態になる。この結果、Ｈレ
ベルの信号ＳＥＬＡは、トランジスタ４０１Ａを介してノードＡ２に供給される。ここで
、トランジスタ４０２Ａの電流供給能力をトランジスタ４０１Ａの電流供給能力よりも大
きくする（例えば、トランジスタ４０２Ａのチャネル幅をトランジスタ４０１Ａのチャネ
ル幅よりも大きくする）ことによって、ノードＡ２の電位はＬレベルになる。
なお、期間ａ１において、リセット信号ＲＥはＬレベルになる。よって、トランジスタ
３０２Ａはオフになるので、配線１１３ＡとノードＡ１とは非導通状態になる。
一方、期間ａ１において、スタート信号ＳＰがＨレベルになる。よって、トランジスタ
３０１Ｂはオンになるので、配線１１４ＢとノードＢ１とは導通状態になる。すると、Ｈ
レベルのスタート信号ＳＰは、トランジスタ３０１Ｂを介してノードＢ１に供給されるの
で、ノードＢ１の電位が上昇する。
やがて、ノードＢ１の電位が、トランジスタ３０１Ｂのゲートの電位（例えば、電圧Ｖ
２）から、トランジスタ３０１Ｂの閾値電圧（Ｖｔｈ３０１Ｂ）を引いた値（Ｖ２−Ｖｔ
ｈ３０１Ｂ）になったところで、トランジスタ３０１Ｂはオフになる。よって、配線１１
４ＢとノードＢ１とは非導通状態になるため、ノードＢ１の電位が上昇する。ノードＢ１
の電位が上昇すると、トランジスタ４０２Ｂはオンになるので、配線１１３ＢとノードＢ
２とは導通状態になる。すると、電圧Ｖ１は、トランジスタ４０２Ｂを介してノードＢ２
に供給される。
また、期間ａ１において、信号ＳＥＬＢはＬレベルになる。よって、トランジスタ４０
１Ｂはオフになるので、配線１１５ＢとノードＢ２とは非導通状態になる。この結果、ノ
ードＢ２の電位はＬレベルになる。
なお、期間ａ１において、リセット信号ＲＥはＬレベルになる。よって、トランジスタ
３０２Ｂはオフになるので、配線１１３ＢとノードＢ１とは非導通状態になる。
次に、図３２（Ｂ）に示すように、期間ｂ１において、スタート信号ＳＰはＬレベルに
なる。よって、トランジスタ３０１Ａはオフの状態を保持するので、配線１１４Ａとノー
ドＡ１とは非導通状態を保持する。
また、期間ｂ１において、リセット信号ＲＥはＬレベルに維持されている。よって、ト
ランジスタ３０２Ａはオフの状態を保持するので、配線１１３ＡとノードＡ１とは非導通
状態を保持する。ノードＡ１の電位は、ブートストラップ動作によって上昇する。よって
、トランジスタ４０２Ａはオンの状態を保持するので、配線１１３ＡとノードＡ２とは導
通状態を保持する。
また、期間ｂ１において、信号ＳＥＬＡはＨレベルに維持されている。よって、トラン
ジスタ４０１Ａはオンの状態を保持するので、配線１１５ＡとノードＡ２とは導通状態を
保持する。この結果、ノードＡ２の電位はＬレベルに維持される。
一方、期間ｂ１において、スタート信号ＳＰがＬレベルになると、トランジスタ３０１
Ｂはオフの状態を保持するので、配線１１４ＢとノードＢ１とは非導通状態を保持する。
また、期間ｂ１において、リセット信号ＲＥはＬレベルに維持されている。よって、ト
ランジスタ３０２Ｂはオフの状態を保持するので、配線１１３ＢとノードＢ１とは非導通
状態を保持する。ノードＢ１の電位は、ブートストラップ動作によって上昇する。よって
、トランジスタ４０２Ｂはオンの状態を保持するので、配線１１３ＢとノードＢ２とは導
通状態を保持する。
また、期間ｂ１において、信号ＳＥＬＢはＬレベルに維持されている。よって、トラン
ジスタ４０１Ｂはオフの状態を保持するので、配線１１５ＢとノードＢ２とは非導通状態
を保持する。この結果、ノードＢ２の電位はＬレベルに維持される。
次に、図３３（Ａ）に示すように、期間ｃ１において、スタート信号ＳＰはＬレベルに
維持されている。よって、トランジスタ３０１Ａはオフの状態を保持するので、配線１１
４ＡとノードＡ１とは非導通状態を保持する。
また、期間ｃ１において、リセット信号ＲＥはＨレベルになる。よって、トランジスタ
３０２Ａはオンになるので、配線１１３ＡとノードＡ１とは導通状態になる。すると、電
圧Ｖ１は、トランジスタ３０２Ａを介してノードＡ１に供給されるので、ノードＡ１の電
位は減少し、Ｌレベルになる。ノードＡ１の電位がＬレベルになると、トランジスタ４０
２Ａはオフになるので、配線１１３ＡとノードＡ２とは非導通状態になる。
また、期間ｃ１において、信号ＳＥＬＡはＨレベルに維持されている。よって、トラン
ジスタ４０１Ａはオンの状態を保持するので、配線１１５ＡとノードＡ２とは導通状態を
保持する。すると、Ｈレベルの信号ＳＥＬＡは、トランジスタ４０１Ａを介してノードＡ
２に供給されるので、ノードＡ２の電位は上昇し、Ｈレベルになる。
一方、期間ｃ１において、スタート信号ＳＰはＬレベルに維持されている。よって、ト
ランジスタ３０１Ｂはオフの状態を保持するので、配線１１４ＢとノードＢ１とは非導通
状態を保持する。
また、期間ｃ１において、リセット信号ＲＥはＨレベルになる。よって、トランジスタ
３０２Ｂはオンになるので、配線１１３ＢとノードＢ１とは導通状態になる。すると、電
圧Ｖ１は、トランジスタ３０２Ｂを介してノードＢ１に供給されるので、ノードＢ１の電
位は減少し、Ｌレベルになる。ノードＢ１の電位がＬレベルになると、トランジスタ４０
２Ｂはオフになるので、配線１１３ＢとノードＢ２とは非導通状態になる。
また、期間ｃ１において、信号ＳＥＬＢはＬレベルに維持されている。よって、トラン
ジスタ４０１Ｂはオフの状態を保持するので、配線１１５ＢとノードＢ２とは非導通状態
を保持する。この結果、ノードＢ２は浮遊状態になるので、ノードＢ２の電位はＬレベル
に維持される。
次に、図３３（Ｂ）に示すように、期間ｄ１において、スタート信号ＳＰはＬレベルに
維持されている。よって、トランジスタ３０１Ａはオフの状態を保持するので、配線１１
４ＡとノードＡ１とは非導通状態を保持する。
また、期間ｄ１において、リセット信号ＲＥはＬレベルになる。よって、トランジスタ
３０２Ａはオフになるので、配線１１３ＡとノードＡ１とは非導通状態になる。すると、
ノードＡ１は浮遊状態になり、ノードＡ１の電位はＬレベルに維持される。よって、トラ
ンジスタ４０２Ａはオフの状態を保持するので、配線１１３ＡとノードＡ２とは非導通状
態を保持する。
また、期間ｄ１において、信号ＳＥＬＡはＨレベルに維持されている。よって、トラン
ジスタ４０１Ａはオンの状態を保持するので、配線１１５ＡとノードＡ２とは導通状態を
保持する。すると、Ｈレベルの信号ＳＥＬＡは、トランジスタ４０１Ａを介してノードＡ
２に供給されるので、ノードＡ２の電位は上昇し、Ｈレベルになる。
一方、期間ｄ１において、スタート信号ＳＰはＬレベルに維持されている。よって、ト
ランジスタ３０１Ｂはオフの状態を保持するので、配線１１４ＢとノードＢ１とは非導通
状態を保持する。
また、期間ｄ１において、リセット信号ＲＥはＬレベルになる。よって、トランジスタ
３０２Ｂはオフになるので、配線１１３ＢとノードＢ１とは非導通状態になる。すると、
ノードＢ１は浮遊状態になり、ノードＢ１の電位はＬレベルに維持される。よって、トラ
ンジスタ４０２Ｂはオフの状態を保持するので、配線１１３ＢとノードＢ２とは非導通状
態を保持する。
また、期間ｄ１において、信号ＳＥＬＢはＬレベルに維持されている。よって、トラン
ジスタ４０１Ｂはオフの状態を保持するので、配線１１５ＢとノードＢ２とは非導通状態
を保持する。この結果、ノードＡ２は浮遊状態を保持するので、ノードＢ２の電位はＬレ
ベルに維持される。
次に、期間ａ２における半導体装置の動作について、図３４（Ａ）を参照して説明する
。図３２（Ａ）に示す期間ａ１における半導体装置と動作と異なるところは、信号ＳＥＬ
ＡがＬレベルになり、信号ＳＥＬＢがＨレベルになるところである。
よって、トランジスタ４０１Ａはオフになるので、配線１１５ＡとノードＡ２とは非導
通状態になる。
一方、トランジスタ４０１Ｂはオンになるので、配線１１５ＢとノードＢ２とは導通状
態になる。よって、Ｈレベルの信号ＳＥＬＢが、トランジスタ４０１Ｂを介してノードＢ
２に供給される。ここで、トランジスタ４０２Ｂの電流供給能力をトランジスタ４０１Ｂ
の電流供給能力よりも大きくする（例えば、トランジスタ４０２Ｂのチャネル幅をトラン
ジスタ４０１Ｂのチャネル幅よりも大きくする）ことによって、ノードＢ２の電位はＬレ
ベルになる。
次に、期間ｂ２における半導体装置の動作について、図３４（Ｂ）を参照して説明する
。図３２（Ｂ）に示す期間ｂ１における半導体装置と動作と異なるところは、信号ＳＥＬ
ＡがＬレベルになり、信号ＳＥＬＢがＨレベルになるところである。
よって、トランジスタ４０１Ａはオフの状態を保持するので、配線１１５ＡとノードＡ
２とは非導通状態になる。
一方、トランジスタ４０１Ｂはオンの状態を保持するので、配線１１５ＢとノードＢ２
とは導通状態を保持する。
次に、期間ｃ２における半導体装置の動作について、図３５（Ａ）を参照して説明する
。図３３（Ａ）に示す期間ｃ１における半導体装置と動作と異なるところは、信号ＳＥＬ
ＡがＬレベルになり、信号ＳＥＬＢがＨレベルになるところである。
よって、トランジスタ４０１Ａはオフの状態を保持するので、配線１１５ＡとノードＡ
２とは非導通状態になる。すると、ノードＡ２は浮遊状態になるので、その電位はＬレベ
ルに維持される。
一方、トランジスタ４０１Ｂはオンの状態を保持するので、配線１１５ＢとノードＢ２
とは導通状態を保持する。よって、Ｈレベルの信号ＳＥＬＢが、トランジスタ４０１Ｂを
介してノードＢ２に供給されるので、ノードＢ２の電位は上昇する。
次に、期間ｄ２における半導体装置の動作について、図３５（Ｂ）を参照して説明する
。図３３（Ｂ）に示す期間ｄ１における半導体装置と動作と異なるところは、信号ＳＥＬ
ＡがＬレベルになり、信号ＳＥＬＢがＨレベルになるところである。
よって、トランジスタ４０１Ａはオフの状態を保持するので、配線１１５ＡとノードＡ
２とは非導通状態になる。すると、ノードＡ２は浮遊状態になるので、その電位はＬレベ
ルに維持される。
一方、トランジスタ４０１Ｂはオンの状態を維持するので、配線１１５ＢとノードＢ２
とは導通状態を保持する。よって、Ｈレベルの信号ＳＥＬＢは、トランジスタ４０１Ｂを
介してノードＢ２に供給されるので、ノードＢ２の電位はＨレベルに維持される。
＜トランジスタのサイズ＞
次に、トランジスタの、チャネル幅、チャネル長等の、トランジスタのサイズについて
説明する。
トランジスタ３０１Ａのチャネル幅と、トランジスタ３０１Ｂのチャネル幅とは、概ね
等しいことが好ましい。または、トランジスタ３０２Ａのチャネル幅と、トランジスタ３
０２Ｂのチャネル幅とは、概ね等しいことが好ましい。または、トランジスタ４０１Ａの
チャネル幅と、トランジスタ４０１Ｂのチャネル幅とは、概ね等しいことが好ましい。ま
たは、トランジスタ４０２Ａのチャネル幅と、トランジスタ４０２Ｂのチャネル幅とは、
概ね等しいことが好ましい。
このように、トランジスタのチャネル幅を概ね等しくすることによって、電流供給能力
を概ね等しくし、又は、トランジスタの劣化の程度を概ね等しくすることができる。よっ
て、選択されるトランジスタが切り替わっても、出力される信号ＯＵＴの波形を概ね等し
くすることができる。
なお、同様の理由で、トランジスタ３０１Ａのチャネル長と、トランジスタ３０１Ｂの
チャネル長とは、概ね等しいことが好ましい。または、トランジスタ３０２Ａのチャネル
長と、トランジスタ３０２Ｂのチャネル長とは、概ね等しいことが好ましい。または、ト
ランジスタ４０１Ａのチャネル長と、トランジスタ４０１Ｂのチャネル長とは、概ね等し
いことが好ましい。または、トランジスタ４０２Ａのチャネル長と、トランジスタ４０２
Ｂのチャネル長とは、概ね等しいことが好ましい。
具体的には、トランジスタ３０１Ａのチャネル幅及びトランジスタ３０１Ｂのチャネル
幅を、好ましくは５００μｍ〜３０００μｍ、より好ましくは８００μｍ〜２５００μｍ
、さらに好ましくは１０００μｍ〜２０００μｍとするとよい。
また、トランジスタ３０２Ａのチャネル幅及びトランジスタ３０２Ｂのチャネル幅を、
好ましくは１００μｍ〜３０００μｍ、より好ましくは３００μｍ〜２０００μｍ、さら
に好ましくは３００μｍ〜１０００μｍとするとよい。
また、トランジスタ４０１Ａのチャネル幅及びトランジスタ４０１Ｂのチャネル幅を、
好ましくは１００μｍ〜２０００μｍ、より好ましくは２００μｍ〜１５００μｍ、さら
に好ましくは３００μｍ〜７００μｍとするとよい。
また、トランジスタ４０２Ａのチャネル幅及びトランジスタ４０２Ｂのチャネル幅は、
好ましくは３００μｍ〜３０００μｍ、より好ましくは５００μｍ〜２０００μｍ、さら
に好ましくは７００μｍ〜１５００μｍとするとよい。
＜半導体装置の構成＞
次に、本実施の形態の半導体装置の回路の一例について、図３１（Ｂ）とは異なる半導
体装置の回路図の一例を、図３６（Ａ）〜図４１（Ｂ）を参照して説明する。
図３６（Ａ）〜図４１（Ｂ）に、半導体装置の回路図の一例を示す。
図３６（Ａ）に示す半導体装置は、図３１（Ｂ）に示す半導体装置が有するトランジス
タ２０２Ａの第１の端子とトランジスタ３０２Ａの第１の端子とトランジスタ４０２Ａの
第１の端子とが、別々の配線と接続された構成に対応する。または、図３１（Ｂ）に示す
半導体装置が有するトランジスタ２０２Ｂの第１の端子とトランジスタ３０２Ｂの第１の
端子とトランジスタ４０２Ｂの第１の端子とが、別々の配線と接続された構成に対応する
。
図３６（Ａ）では、配線１１３Ａは、配線１１３Ａ＿１〜配線１１３Ａ＿３という複数
の配線に分割される。配線１１３Ｂは、配線１１３Ｂ＿１〜配線１１３Ｂ＿３という複数
の配線に分割される。トランジスタ２０２Ａの第１の端子は配線１１３Ａ＿１と接続され
、トランジスタ３０２Ａの第１の端子は配線１１３Ａ＿２と接続され、トランジスタ４０
２Ａの第１の端子は配線１１３Ａ＿３と接続される。トランジスタ２０２Ｂの第１の端子
は配線１１３Ｂ＿１と接続され、トランジスタ３０２Ｂの第１の端子は配線１１３Ｂ＿２
と接続され、トランジスタ４０２Ｂの第１の端子は配線１１３Ｂ＿３と接続される。
なお、配線１１３Ａ＿１〜配線１１３Ａ＿３は、配線１１３Ａと同様の機能を有し、配
線１１３Ｂ＿１〜配線１１３Ｂ＿３は、配線１１３Ｂと同様の機能を有する。一例として
、配線１１３Ａ＿１〜配線１１３Ａ＿３及び配線１１３Ｂ＿１〜配線１１３Ｂ＿３には、
電圧Ｖ１等の電圧を供給することができる。または、配線１１３Ａ＿１〜配線１１３Ａ＿
３には、別々の電圧又は別々の信号を供給してもよい。または、配線１１３Ｂ＿１〜配線
１１３Ｂ＿３には、別々の電圧又は別々の信号を供給してもよい。
また、図３１（Ｂ）及び図３６（Ａ）に示す構成において、図３７（Ａ）に示すように
、トランジスタ３０２Ａを、一方の電極（例えば、正極）がノードＡ１と接続され、他方
の電極（例えば、負極）が配線１１６Ａと接続されるダイオード３１２Ａと置き換えても
よい。または、トランジスタ４０２Ａを、一方の電極（例えば、正極）がノードＡ２と接
続され、他方の電極（例えば、負極）がノードＡ１と接続されるダイオード４１２Ａと置
き換えてもよい。
また、トランジスタ３０２Ｂを、一方の電極（例えば、正極）がノードＢ１と接続され
、他方の電極（例えば、負極）が配線１１６Ｂと接続されるダイオード３１２Ｂと置き換
えてもよい。または、トランジスタ４０２Ｂを、一方の電極（例えば、正極）がノードＢ
２と接続され、他方の電極（例えば、負極）がノードＢ１と接続されるダイオード４１２
Ｂと置き換えてもよい。
また、図３１（Ｂ）及び図３６（Ａ）に示す構成において、図３７（Ｂ）に示すように
、トランジスタ３０２Ａの第１の端子が配線１１６Ａと接続され、トランジスタ３０２Ａ
のゲートがノードＡ１と接続されてもよい。または、トランジスタ４０２Ａの第１の端子
がノードＡ１と接続され、トランジスタ４０２ＡのゲートがノードＡ２と接続されてもよ
い。
また、トランジスタ３０２Ｂの第１の端子が配線１１６Ｂと接続され、トランジスタ３
０２ＢのゲートがノードＢ１と接続されてもよい。または、トランジスタ４０２Ｂの第１
の端子がノードＢ１と接続され、トランジスタ４０２ＢのゲートがノードＢ２と接続され
てもよい。
また、図３１（Ｂ）、図３６（Ａ）、図３７（Ａ）、及び図３７（Ｂ）に示す構成にお
いて、図３８（Ａ）に示すように、トランジスタ４０２Ａのゲートが配線１１１と接続さ
れてもよい。また、トランジスタ４０２Ｂのゲートが配線１１１と接続されてもよい。
また、図３１（Ｂ）、図３６（Ａ）、及び図３７（Ａ）〜図３８（Ａ）に示す構成にお
いて、図３８（Ｂ）に示すように、トランジスタ３０１Ａの第１の端子が配線１１８Ａと
接続され、トランジスタ３０１Ａのゲートが配線１１４Ａと接続されてもよい。また、ト
ランジスタ３０１Ｂの第１の端子が配線１１８Ｂと接続され、トランジスタ３０１Ｂのゲ
ートが配線１１４Ｂと接続されてもよい。
又は、トランジスタ３０１Ａの第１の端子は、配線１１４Ａと接続され、トランジスタ
３０１Ａのゲートは、配線１１８Ａと接続されてもよい。また、トランジスタ３０１Ｂの
第１の端子は、配線１１４Ｂと接続され、トランジスタ３０１Ｂのゲートは、配線１１８
Ｂと接続されてもよい。
なお、配線１１８Ａ及び配線１１８Ｂに電圧Ｖ２が供給される場合、配線１１８Ａ及び
配線１１８Ｂは、電源線としての機能を有する。または、配線１１８Ａ及び配線１１８Ｂ
には、クロック信号ＣＫ２が入力されてもよい。または、配線１１８Ａと配線１１８Ｂに
、別々の電圧又は別々の信号が供給されてもよい。
なお、配線１１８Ａと配線１１８Ｂに同じ電圧が入力される場合、配線１１８Ａと配線
１１８Ｂとが接続されてもよい。また、この場合、配線１１８Ａと配線１１８Ｂとに同じ
配線を用いてもよい。
また、図３１（Ｂ）、図３６（Ａ）、及び図３７（Ａ）〜図３８（Ｂ）に示す構成にお
いて、図３９（Ａ）に示すように、トランジスタ４０１Ａを抵抗素子４０３Ａと置き換え
てもよい。抵抗素子４０３Ａは、配線１１５ＡとノードＡ２との間に接続される。また、
図３９（Ｂ）に示すように、トランジスタ４０１Ｂを抵抗素子４０３Ｂと置き換えてもよ
い。抵抗素子４０３Ｂは、配線１１５ＢとノードＢ２との間に接続される。
図３９（Ａ）及び図３９（Ｂ）に示す構成とすることによって、期間ｃ１及び期間ｄ１
において、ノードＢ２に、Ｌレベルの信号ＳＥＬＢを供給することができる。または、期
間ｃ２及び期間ｄ２において、ノードＡ２に、Ｌレベルの信号ＳＥＬＡを供給することが
できる。よって、ノードＡ２の電位及びノードＢ２の電位を固定することができるので、
ノイズの影響を受けにくい半導体装置を得ることができる。
また、図３１（Ｂ）、図３６（Ａ）、及び図３７（Ａ）〜図３８（Ｂ）に示す構成にお
いて、図３９（Ｃ）に示すように、第１の端子が配線１１５Ａと接続され、第２の端子が
ノードＡ２と接続され、ゲートがノードＡ２と接続されるトランジスタ４０４Ａを設けて
もよい。また、図３９（Ｄ）に示すように、第１の端子が配線１１５Ｂと接続され、第２
の端子がノードＢ２と接続され、ゲートがノードＢ２と接続されるトランジスタ４０４Ｂ
を設けてもよい。
図３９（Ｃ）及び図３９（Ｄ）に示す構成とすることによって、図３９（Ａ）及び図３
９（Ｂ）の場合と同様に、ノードＡ２の電位及びノードＢ２の電位を固定することができ
るので、ノイズの影響を受けにくい半導体装置を得ることができる。
また、図３１（Ｂ）、図３６（Ａ）、及び図３７（Ａ）〜図３９（Ｄ）に示す構成にお
いて、図３９（Ｅ）に示すように、回路４００Ａは、第１の端子が配線１１５Ａと接続さ
れ、第２の端子がノードＡ２と接続され、ゲートがトランジスタ４０１Ａの第２の端子と
トランジスタ４０２Ａの第２の端子との接続箇所と接続されるトランジスタ４０５Ａと、
第１の端子が配線１１３Ａと接続され、第２の端子がノードＡ２と接続され、ゲートがノ
ードＡ１と接続されるトランジスタ４０６Ａと、を有していてもよい。
また、図３９（Ｆ）に示すように、回路４００Ｂは、第１の端子が配線１１５Ｂと接続
され、第２の端子がノードＢ２と接続され、ゲートがトランジスタ４０１Ｂの第２の端子
とトランジスタ４０２Ｂの第２の端子との接続箇所と接続されるトランジスタ４０５Ｂと
、第１の端子が配線１１３Ｂと接続され、第２の端子がノードＢ２と接続され、ゲートが
ノードＢ１と接続されるトランジスタ４０６Ｂと、を有していてもよい。
図３９（Ｅ）及び図３９（Ｆ）に示す構成とすることによって、ノードＡ２の電位又は
ノードＢ２の電位をＶ２にすることができるので、信号の振幅を大きくすることができる
。
又は、トランジスタ４０１Ａの第１の端子と、トランジスタ４０５Ａの第１の端子とは
、別々の配線と接続されてもよい。一例として、図４０（Ａ）において、配線１１５Ａが
配線１１５Ａ＿１及び１１５Ａ＿２という複数の配線に分割され、トランジスタ４０１Ａ
の第１の端子が配線１１５Ａ＿１と接続され、トランジスタ４０５Ａの第１の端子が配線
１１５Ａ＿２と接続される。この場合、配線１１５Ａ＿１及び１１５Ａ＿２の一方に信号
ＳＥＬＡを入力し、他方に電圧Ｖ２を供給すればよい。
又は、トランジスタ４０１Ｂの第１の端子と、トランジスタ４０５Ｂの第１の端子とは
、別々の配線と接続されてもよい。一例として、図４０（Ｂ）において、配線１１５Ｂが
配線１１５Ｂ＿１及び１１５Ｂ＿２という複数の配線に分割され、トランジスタ４０１Ｂ
の第１の端子が配線１１５Ｂ＿１と接続され、トランジスタ４０５Ｂの第１の端子が配線
１１５Ｂ＿２と接続される。この場合、配線１１５Ｂ＿１及び１１５Ｂ＿２の一方に信号
ＳＥＬＢを入力し、他方に電圧Ｖ２を供給すればよい。
図４０（Ａ）及び図４０（Ｂ）に示す構成とすることによって、期間ｃ１及び期間ｄ１
において、ノードＢ２に、Ｌレベルの信号ＳＥＬＢを供給することができる。または、期
間ｃ２及び期間ｄ２において、ノードＡ２に、Ｌレベルの信号ＳＥＬＡを供給することが
できる。よって、ノードＡ２の電位及びノードＢ２の電位を固定することができるので、
ノイズの影響を受けにくい半導体装置を得ることができる。
また、図３１（Ｂ）、図３６（Ａ）、及び図３７（Ａ）〜図３９（Ｄ）に示す構成にお
いて、図４０（Ｃ）に示すように、回路４００Ａは、第１の端子が配線１１８Ａと接続さ
れ、第２の端子がノードＡ２と接続され、ゲートが配線１１８Ａと接続されるトランジス
タ４０７Ａと、第１の端子が配線１１３Ａと接続され、第２の端子がノードＡ２と接続さ
れ、ゲートがノードＡ１と接続されるトランジスタ４０８Ａと、第１の端子が配線１１３
Ａと接続され、第２の端子がノードＡ２と接続され、ゲートが配線１１５Ａと接続される
トランジスタ４０９Ａと、を有していてもよい。
また、図４０（Ｄ）に示すように、回路４００Ｂは、第１の端子が配線１１８Ｂと接続
され、第２の端子がノードＢ２と接続され、ゲートが配線１１８Ｂと接続されるトランジ
スタ４０７Ｂと、第１の端子が配線１１３Ｂと接続され、第２の端子がノードＢ２と接続
され、ゲートがノードＢ１と接続されるトランジスタ４０８Ｂと、第１の端子が配線１１
３Ｂと接続され、第２の端子がノードＢ２と接続され、ゲートが配線１１５Ｂと接続され
るトランジスタ４０９Ｂと、を有していてもよい。
図４０（Ｃ）及び図４０（Ｄ）に示す構成とすることによって、期間ｃ１及び期間ｄ１
において、ノードＢ２に、Ｌレベルの信号ＳＥＬＢを供給することができる。または、期
間ｃ２及び期間ｄ２において、ノードＡ２に、Ｌレベルの信号ＳＥＬＡを供給することが
できる。よって、ノードＡ２の電位及びノードＢ２の電位を固定することができるので、
ノイズの影響を受けにくい半導体装置を得ることができる。
また、図３１（Ｂ）、図３６（Ａ）、及び図３７（Ａ）〜図４０（Ｄ）に示す構成にお
いて、図４１（Ａ）に示すように、トランジスタ２０６Ａ及び回路５００Ａを設けてもよ
い。回路５００Ａは、トランジスタ５０１Ａ及びトランジスタ５０２Ａを有する。
トランジスタ２０６Ａは、第１の端子が配線１１３Ａと接続され、第２の端子がノード
Ａ１と接続される。トランジスタ５０１Ａは、第１の端子が配線１１８Ａと接続され、第
２の端子がトランジスタ２０６Ａのゲートと接続され、ゲートが配線１１８Ａと接続され
る。トランジスタ５０２Ａは、第１の端子が配線１１３Ａと接続され、第２の端子がトラ
ンジスタ２０６Ａのゲートと接続され、ゲートがノードＡ１と接続される。
また、図４１（Ａ）に示すように、トランジスタ２０６Ｂ及び回路５００Ｂを設けても
よい。回路５００Ｂは、トランジスタ５０１Ｂ及びトランジスタ５０２Ｂを有する。
トランジスタ２０６Ｂは、第１の端子が配線１１３Ｂと接続され、第２の端子がノード
Ｂ１と接続される。トランジスタ５０１Ｂは、第１の端子が配線１１８Ｂと接続され、第
２の端子がトランジスタ２０６Ｂのゲートと接続され、ゲートが配線１１８Ｂと接続され
る。トランジスタ５０２Ｂは、第１の端子が配線１１３Ｂと接続され、第２の端子がトラ
ンジスタ２０６Ｂのゲートと接続され、ゲートがノードＢ１と接続される。
なお、図４１（Ａ）において、トランジスタ２０６Ａのゲートと、トランジスタ５０１
Ａの第２の端子と、トランジスタ５０２Ａの第２の端子との接続箇所をノードＡ３と示す
。また、トランジスタ２０６Ｂのゲートと、トランジスタ５０１Ｂの第２の端子と、トラ
ンジスタ５０２Ｂの第２の端子との接続箇所をノードＢ３と示す。
また、トランジスタ５０２Ａのゲートは、配線１１１と接続されてもよい。また、トラ
ンジスタ５０２Ｂのゲートは、配線１１１と接続されてもよい。
別の例として、図４１（Ｂ）に示すように、回路５００Ａを省略し、トランジスタ２０
６ＡのゲートがノードＡ２と接続されてもよい。また、回路５００Ｂを省略し、トランジ
スタ２０６ＢのゲートがノードＢ２と接続されてもよい。図４１（Ｂ）に示す構成とする
ことによって、回路規模を小さくすることができるので、レイアウト面積を小さくするこ
と、又は消費電力を削減することができる。
次に、トランジスタ２０６Ａ、回路５００Ａ、トランジスタ５０１Ａ、トランジスタ５
０２Ａ、トランジスタ２０６Ｂ、回路５００Ｂ、トランジスタ５０１Ｂ、トランジスタ５
０２Ｂの機能の一例について、図４１（Ａ）及び図４１（Ｂ）を参照して説明する。
トランジスタ２０６Ａは、配線１１３ＡとノードＡ１とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ２０６Ａは、配線１１３Ａの電位をノードＡ１に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ２０６Ａは、配線１
１３Ａに供給される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ１）をノ
ードＡ１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ２０６Ａ
は、電圧Ｖ１をノードＡ１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トラ
ンジスタ２０６Ａは、ノードＡ１の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する
。または、トランジスタ２０６Ａは、ノードＡ１の電位を維持するタイミングを制御する
機能を有する。
このように、トランジスタ２０６Ａは、スイッチとしての機能を有する。なお、トラン
ジスタ２０６Ａは、ノードＡ３の電位に応じて制御されてもよい。
回路５００Ａは、ノードＡ３の電位を制御する機能を有する。または、回路５００Ａは
、信号又は電圧等をノードＡ３に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、
回路５００Ａは、信号又は電圧等をノードＡ３に供給しないタイミングを制御する機能を
有する。または、回路５００Ａは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノードＡ３に供給するタイミン
グを制御する機能を有する。または、回路５００Ａは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＡ３
に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、回路５００Ａは、ノードＡ３の
電位を上昇させるタイミングを制御する機能を有する。または、回路５００Ａは、ノード
Ａ３の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する。または、回路５００Ａは、
ノードＡ３の電位を維持するタイミングを制御する機能を有する。または、回路５００Ａ
は、ノードＡ１の電位を反転してノードＡ３に出力するタイミングを制御する機能を有す
る。
このように、回路５００Ａは、制御回路、又はインバータ回路としての機能を有する。
なお、回路５００Ａは、ノードＡ１の電位に応じて制御されてもよい。
トランジスタ５０１Ａは、配線１１８ＡとノードＡ３とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ５０１Ａは、配線１１８Ａの電位をノードＡ３に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ５０１Ａは、配線１
１８Ａに供給される信号又は電圧等（例えば、電圧Ｖ２）をノードＡ３に供給するタイミ
ングを制御する機能を有する。または、トランジスタ５０１Ａは、信号又は電圧等をノー
ドＡ３に供給しないタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ５０１Ａ
は、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノードＡ３に供給するタイミングを制御する機能を有する。ま
たは、トランジスタ５０１Ａは、ノードＡ３の電位を上昇させるタイミングを制御する機
能を有する。
このように、トランジスタ５０１Ａは、スイッチ、整流素子、ダイオード、又はダイオ
ード接続のトランジスタ等としての機能を有する。
トランジスタ５０２Ａは、配線１１３ＡとノードＡ３とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ５０２Ａは、配線１１３Ａの電位をノードＡ３に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ５０２Ａは、配線１
１３Ａに供給される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ１）をノ
ードＡ３に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ５０２Ａ
は、電圧Ｖ１をノードＡ３に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トラ
ンジスタ５０２Ａは、ノードＡ３の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する
。または、トランジスタ５０２Ａは、ノードＡ３の電位を維持するタイミングを制御する
機能を有する。
このように、トランジスタ５０２Ａは、スイッチとしての機能を有する。
トランジスタ２０６Ｂは、配線１１３ＢとノードＢ１とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ２０６Ｂは、配線１１３Ｂの電位をノードＢ１に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ２０６Ｂは、配線１
１３Ｂに供給される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ１）をノ
ードＢ１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ２０６Ｂ
は、電圧Ｖ１をノードＢ１に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トラ
ンジスタ２０６Ｂは、ノードＢ１の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する
。または、トランジスタ２０６Ｂは、ノードＢ１の電位を維持するタイミングを制御する
機能を有する。
このように、トランジスタ２０６Ｂは、スイッチとしての機能を有する。なお、トラン
ジスタ２０６Ｂは、ノードＢ３の電位に応じて制御されてもよい。
回路５００Ｂは、ノードＢ３の電位を制御する機能を有する。または、回路５００Ｂは
、信号又は電圧等をノードＢ３に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、
回路５００Ｂは、信号又は電圧等をノードＢ３に供給しないタイミングを制御する機能を
有する。または、回路５００Ｂは、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノードＢ３に供給するタイミン
グを制御する機能を有する。または、回路５００Ｂは、Ｌ信号又は電圧Ｖ１をノードＢ３
に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、回路５００Ｂは、ノードＢ３の
電位を上昇させるタイミングを制御する機能を有する。または、回路５００Ｂは、ノード
Ｂ３の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する。または、回路５００Ｂは、
ノードＢ３の電位を維持するタイミングを制御する機能を有する。または、回路５００Ｂ
は、ノードＢ１の電位を反転してノードＢ３に出力するタイミングを制御する機能を有す
る。
このように、回路５００Ｂは、制御回路、又はインバータ回路としての機能を有する。
なお、回路５００Ｂは、ノードＢ１の電位に応じて制御されてもよい。
トランジスタ５０１Ｂは、配線１１８ＢとノードＢ３とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ５０１Ｂは、配線１１８Ｂの電位をノードＢ３に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ５０１Ｂは、配線１
１８Ｂに供給される信号又は電圧等（例えば、電圧Ｖ２）をノードＢ３に供給するタイミ
ングを制御する機能を有する。または、トランジスタ５０１Ｂは、信号又は電圧等をノー
ドＢ３に供給しないタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ５０１Ｂ
は、Ｈ信号又は電圧Ｖ２をノードＢ３に供給するタイミングを制御する機能を有する。ま
たは、トランジスタ５０１Ｂは、ノードＢ３の電位を上昇させるタイミングを制御する機
能を有する。
このように、トランジスタ５０１Ｂは、スイッチ、整流素子、ダイオード、又はダイオ
ード接続のトランジスタ等としての機能を有する。
トランジスタ５０２Ｂは、配線１１３ＢとノードＢ３とが導通するタイミングを制御す
る機能を有する。または、トランジスタ５０２Ｂは、配線１１３Ｂの電位をノードＢ３に
供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ５０２Ｂは、配線１
１３Ｂに供給される信号又は電圧等（例えば、クロック信号ＣＫ２、又は電圧Ｖ１）をノ
ードＢ３に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トランジスタ５０２Ｂ
は、電圧Ｖ１をノードＢ３に供給するタイミングを制御する機能を有する。または、トラ
ンジスタ５０２Ｂは、ノードＢ３の電位を減少させるタイミングを制御する機能を有する
。または、トランジスタ５０２Ｂは、ノードＢ３の電位を維持するタイミングを制御する
機能を有する。
このように、トランジスタ５０２Ｂは、スイッチとしての機能を有する。
＜半導体装置の動作＞
次に、図４１（Ａ）の半導体装置の動作について、図４２（Ａ）〜図４５（Ｂ）を参照
して説明する。図４２（Ａ）〜図４５（Ｂ）は、順に、期間ａ１、期間ｂ１、期間ｃ１、
期間ｄ１、期間ａ２、期間ｂ２、期間ｃ２、期間ｄ２における半導体装置の模式図に相当
する。
期間ａ１、期間ｂ１、期間ａ２、及び期間ｂ２では、ノードＡ１は、Ｈレベルの電位に
なる。よって、回路５００Ａは、回路４００Ａと同様に、ノードＡ３にＬ信号を出力する
。すると、トランジスタ２０６Ａはオフになるので、配線１１３ＡとノードＡ１とは非導
通状態になる。
具体的には、期間ａ１、期間ｂ１、期間ａ２、及び期間ｂ２において、トランジスタ５
０２Ａはオンになるので、配線１１３ＡとノードＡ３とは導通状態になる。よって、電圧
Ｖ１は、トランジスタ５０２Ａを介してノードＡ３に供給される。このとき、トランジス
タ５０１Ａはオンになるので、配線１１８ＡとノードＡ３とは導通状態になる。よって、
電圧Ｖ２は、トランジスタ５０１Ａを介してノードＡ３に供給される。
ここで、トランジスタ５０２Ａの電流供給能力をトランジスタ５０１Ａの電流供給能力
よりも大きくする（例えば、トランジスタ５０２Ａのチャネル幅をトランジスタ５０１Ａ
のチャネル幅よりも大きくする）ことによって、ノードＡ３の電位はＬレベルになる。
また、期間ａ１、期間ｂ１、期間ａ２、及び期間ｂ２では、ノードＢ１は、Ｈレベルの
電位になる。よって、回路５００Ｂは、回路４００Ｂと同様に、ノードＢ３にＬ信号を出
力する。すると、トランジスタ２０６Ｂはオフになるので、配線１１３ＢとノードＢ１と
は非導通状態になる。
具体的には、期間ａ１、期間ｂ１、期間ａ２、及び期間ｂ２において、トランジスタ５
０２Ｂはオンになるので、配線１１３ＢとノードＢ３とは導通状態になる。よって、電圧
Ｖ１は、トランジスタ５０２Ｂを介してノードＢ３に供給される。このとき、トランジス
タ５０１Ｂはオンになるので、配線１１８ＢとノードＢ３とは導通状態になる。よって、
電圧Ｖ２は、トランジスタ５０１Ｂを介してノードＢ３に供給される。
ここで、トランジスタ５０２Ｂの電流供給能力をトランジスタ５０１Ｂの電流供給能力
よりも大きくする（例えば、トランジスタ５０２Ｂのチャネル幅をトランジスタ５０１Ｂ
のチャネル幅よりも大きくする）ことによって、ノードＢ３の電位はＬレベルになる。
期間ｃ１、期間ｄ１、期間ｃ２、及び期間ｄ２では、ノードＡ１は、Ｌレベルの電位に
なる。よって、回路５００Ａは、回路４００Ａと同様に、ノードＡ３にＨ信号を出力する
。すると、トランジスタ２０６Ａはオンになるので、配線１１３ＡとノードＡ１とは導通
状態になる。すると、電圧Ｖ１は、トランジスタ２０６Ａを介してノードＡ１に供給され
る。
具体的には、期間ｃ１、期間ｄ１、期間ｃ２、及び期間ｄ２において、トランジスタ５
０２Ａはオフになるので、配線１１３ＡとノードＡ３とは非導通状態になる。このとき、
トランジスタ５０１Ａはオンになるので、配線１１８ＡとノードＡ３とは導通状態になる
。よって、電圧Ｖ２は、トランジスタ５０１Ａを介してノードＡ３に供給される。
また、期間ｃ１、期間ｄ１、期間ｃ２、及び期間ｄ２では、ノードＢ１は、Ｌレベルの
電位になる。よって、回路５００Ｂは、回路４００Ｂと同様に、ノードＢ３にＨ信号を出
力する。すると、トランジスタ２０６Ｂはオンになるので、配線１１３ＢとノードＢ１と
は導通状態になる。すると、電圧Ｖ１は、トランジスタ２０６Ｂを介してノードＢ１に供
給される。
具体的には、期間ｃ１、期間ｄ１、期間ｃ２、及び期間ｄ２において、トランジスタ５
０２Ｂはオフになるので、配線１１３ＢとノードＢ３とは非導通状態になる。このとき、
トランジスタ５０１Ｂはオンになるので、配線１１８ＢとノードＢ３とは導通状態になる
。よって、電圧Ｖ２は、トランジスタ５０１Ｂを介してノードＢ３に供給される。
このように、期間ｃ１及び期間ｄ１において、トランジスタ２０６Ａはオンになるので
、配線１１３ＡとノードＡ１とは導通状態になる。すると、電圧Ｖ１は、トランジスタ２
０６Ａを介してノードＡ１に供給される。よって、ノードＡ１の電位を固定することがで
きるので、ノイズの影響を受けにくい半導体装置を得ることができる。
また、期間ｃ２及び期間ｄ２において、トランジスタ２０６Ｂはオンになるので、配線
１１３ＢとノードＢ１とは導通状態になる。すると、電圧Ｖ１は、トランジスタ２０６Ｂ
を介してノードＢ１に供給される。よって、ノードＢ１の電位を固定することができるの
で、ノイズの影響を受けにくい半導体装置を得ることができる。
＜トランジスタのサイズ＞
次に、トランジスタの、チャネル幅、チャネル長等の、トランジスタのサイズについて
説明する。
トランジスタ５０１Ａのチャネル幅と、トランジスタ５０１Ｂのチャネル幅とは、概ね
等しいことが好ましい。または、トランジスタ５０２Ａのチャネル幅と、トランジスタ５
０２Ｂのチャネル幅とは、概ね等しいことが好ましい。
このように、トランジスタのチャネル幅を概ね等しくすることによって、電流供給能力
を概ね等しくし、又は、トランジスタの劣化の程度を概ね等しくすることができる。よっ
て、選択されるトランジスタが切り替わっても、出力される信号ＯＵＴの波形を概ね等し
くすることができる。
なお、同様の理由で、トランジスタ５０１Ａのチャネル長と、トランジスタ５０１Ｂの
チャネル長とは、概ね等しいことが好ましい。または、トランジスタ５０２Ａのチャネル
長と、トランジスタ５０２Ｂのチャネル長とは、概ね等しいことが好ましい。
具体的には、トランジスタ５０１Ａのチャネル幅及びトランジスタ５０１Ｂのチャネル
幅は、好ましくは１００μｍ〜２０００μｍ、より好ましくは２００μｍ〜１５００μｍ
、さらに好ましくは３００μｍ〜７００μｍとするとよい。
また、トランジスタ５０２Ａのチャネル幅及びトランジスタ５０２Ｂのチャネル幅は、
好ましくは３００μｍ〜３０００μｍ、より好ましくは５００μｍ〜２０００μｍ、さら
に好ましくは７００μｍ〜１５００μｍとするとよい。
なお、図３１（Ｂ）、図３６（Ａ）、及び図３７（Ａ）〜図４１（Ｂ）に示す構成にお
いて、トランジスタ３０２Ａの第２の端子は、配線１１１と接続されてもよく、トランジ
スタ３０２Ｂの第２の端子は、配線１１１と接続されてもよい。または、このような接続
関係を実現するためのトランジスタを設けてもよい。このような構成とすることによって
、信号ＯＵＴＡの立ち下がり時間、及び信号ＯＵＴＢの立ち下がり時間を短くすることが
できる。
又は、図３１（Ｂ）、図３６（Ａ）、及び図３７（Ａ）〜図４１（Ｂ）に示す構成にお
いて、トランジスタ３０２Ａの第１の端子は、配線１１８Ａと接続され、トランジスタ３
０２Ａの第２の端子は、ノードＡ２と接続され、トランジスタ３０２Ａのゲートは、配線
１１６Ａと接続されていてもよい。また、トランジスタ３０２Ｂの第１の端子は、配線１
１８Ｂと接続され、トランジスタ３０２Ｂの第２の端子は、ノードＢ２と接続され、トラ
ンジスタ３０２Ｂのゲートは、配線１１６Ｂと接続されていてもよい。または、このよう
な接続関係を実現するためのトランジスタを設けてもよい。このような構成とすることに
よって、トランジスタ３０２Ａとトランジスタ３０２Ｂとに逆バイアスを印加することが
できるので、それぞれのトランジスタの劣化を抑制することができる。
なお、図３１（Ｂ）、図３６（Ａ）、及び図３７（Ａ）〜図４１（Ｂ）に示す構成にお
いて、図３６（Ｂ）に示すように、トランジスタとして、Ｐチャネル型トランジスタを用
いてもよい。
図３６（Ｂ）において、トランジスタ２０１ｐＡ、トランジスタ２０２ｐＡ、トランジ
スタ３０１ｐＡ、トランジスタ３０２ｐＡ、トランジスタ４０１ｐＡ、及びトランジスタ
４０２ｐＡは、Ｐチャネル型トランジスタであり、それぞれ、図３６（Ａ）におけるトラ
ンジスタ２０１Ａ、トランジスタ２０２Ａ、トランジスタ３０１Ａ、トランジスタ３０２
Ａ、トランジスタ４０１Ａ、及びトランジスタ４０２Ａと同様の機能を有する。
また、図３６（Ｂ）において、トランジスタ２０１ｐＢ、トランジスタ２０２ｐＢ、ト
ランジスタ３０１ｐＢ、トランジスタ３０２ｐＢ、トランジスタ４０１ｐＢ、及びトラン
ジスタ４０２ｐＢは、Ｐチャネル型トランジスタであり、それぞれ、図３６（Ａ）におけ
るトランジスタ２０１Ｂ、トランジスタ２０２Ｂ、トランジスタ３０１Ｂ、トランジスタ
３０２Ｂ、トランジスタ４０１Ｂ、及びトランジスタ４０２Ｂと同様の機能を有する。
なお、トランジスタがＰチャネル型トランジスタの場合、配線１１３Ａ及び配線１１３
Ｂには、電圧Ｖ１が供給されている。また、この場合、信号ＯＵＴＡ、信号ＯＵＴＢ、ク
ロック信号ＣＫ１、スタート信号ＳＰ、リセット信号ＲＥ、信号ＳＥＬＡ、信号ＳＥＬＢ
、ノードＡ１の電位、ノードＡ２の電位、ノードＢ１の電位、及びノードＢ２の電位を示
すタイミングチャートは、図１７のタイミングチャートを反転したものに対応する。
（実施の形態６）
本実施の形態では、ゲートドライバ回路（「ゲートドライバ」ともいう。）、及びゲー
トドライバ回路を有する表示装置について、図４６（Ａ）〜図４９を参照して説明する。
＜表示装置の構成＞
表示装置の構成の一例について、図４６（Ａ）〜図４６（Ｄ）を参照して説明する。図
４６（Ａ）〜図４６（Ｄ）の表示装置は、回路１００１、回路１００２、回路１００３＿
１、回路１００３＿２、画素部１００４、及び端子１００５を有する。
画素部１００４には、回路１００３＿１及び回路１００３＿２から延伸した複数の配線
が配置される。当該複数の配線は、ゲート線（「ゲート信号線」ともいう。）、走査線、
又は信号線としての機能を有する。また、画素部１００４には、回路１００２から延伸し
た複数の配線が配置される。当該複数の配線は、ビデオ信号線、データ線、信号線、又は
ソース線（「ソース信号線」ともいう。）としての機能を有する。そして、画素部１００
４には、回路１００３＿１及び回路１００３＿２から延伸した複数の配線と、回路１００
２から延伸した複数の配線とに対応して、複数の画素が配置される。
また、画素部１００４には、上記の配線の他にも、電源線、又は容量線等の機能を有す
る配線が配置されてもよい。
回路１００１は、回路１００２、回路１００３＿１、及び回路１００３＿２に、信号、
電圧、又は電流等を供給するタイミングを制御する機能を有する。または、回路１００１
は、回路１００２、回路１００３＿１、及び回路１００３＿２を制御する機能を有する。
このように、回路１００１は、コントローラ、制御回路、タイミングジェネレータ、電源
回路、又はレギュレータとしての機能を有する。
回路１００２は、ビデオ信号を画素部１００４に供給するタイミングを制御する機能を
有する。または、回路１００２は、画素部１００４が有する画素の輝度又は透過率等を制
御する機能を有する。このように、回路１００２は、ソースドライバ回路、又は信号線駆
動回路としての機能を有する。
回路１００３＿１は、上記実施の形態で説明した回路１０Ａ、回路１００Ａ、又は回路
２００Ａと同様の機能を有する。また、回路１００３＿２は、上記実施の形態で説明した
回路１０Ｂ、回路１００Ｂ、又は回路２００Ｂと同様の機能を有する。このように、回路
１００３＿１及び回路１００３＿２はそれぞれ、ゲートドライバ回路としての機能を有す
る。
なお、図４６（Ａ）及び図４６（Ｂ）に示すように、回路１００１及び回路１００２を
、画素部１００４が形成された基板１００６とは別の基板（例えば、半導体基板、又はＳ
ＯＩ基板）に形成してもよい。また、回路１００３＿１及び回路１００３＿２を、画素部
１００４と同じ基板に形成してもよい。
回路１００３＿１及び回路１００３＿２の駆動周波数が、回路１００１及び回路１００
２と比較して低い場合には、回路１００３＿１及び回路１００３＿２を構成するトランジ
スタとして移動度の低いトランジスタを用いてもよい。そのため、回路１００３＿１及び
回路１００３＿２を構成するトランジスタの半導体層として、非晶質半導体若しくは微結
晶半導体等の非単結晶半導体、有機半導体、又は酸化物半導体等を用いることができる。
よって、半導体装置を作製する際に、工程数を削減し、歩留まりを高くし、又はコストを
削減することができる。また、半導体装置の作製方法が容易になるため、表示装置を大型
にすることができる。
なお、図４６（Ａ）、図４６（Ｃ）、及び図４６（Ｄ）に示すように、回路１００３＿
１と回路１００３＿２とを、画素部１００４を挟んで対峙して配置してもよい。例えば、
図４６（Ａ）に示すように、回路１００３＿１は、画素部１００４の左側に配置され、回
路１００３＿２は、画素部１００４の右側に配置される。または、図４６（Ｂ）に示すよ
うに、回路１００３＿１と回路１００３＿２とは、画素部１００４に対して同じ側（例え
ば左側又は右側）に配置してもよい。
なお、図４６（Ａ）及び図４６（Ｂ）に示す構成において、図４６（Ｃ）に示すように
、回路１００２を画素部１００４と同じ基板１００６に形成してもよい。
なお、図４６（Ａ）〜図４６（Ｃ）に示す構成において、図４６（Ｄ）に示すように、
回路１００２の一部（例えば、回路１００２ａ）を画素部１００４が設けられた基板１０
０６に形成し、回路１００２の別の一部（例えば、回路１００２ｂ）を基板１００６とは
別の基板に形成してもよい。この場合、回路１００２ａとして、スイッチ、シフトレジス
タ、又はセレクタ等の、比較的駆動周波数が低い回路を用いることが好ましい。
次に、表示装置の画素部が有する画素について、図４６（Ｅ）を参照して説明する。図
４６（Ｅ）に画素の構成の一例を示す。
画素３０２０は、トランジスタ３０２１、液晶素子３０２２、及び容量素子３０２３を
有する。トランジスタ３０２１は、第１の端子が配線３０３１と接続され、第２の端子が
液晶素子３０２２の一方の電極及び容量素子３０２３の一方の電極と接続され、ゲートが
配線３０３２と接続される。液晶素子３０２２の他方の電極は、電極３０３４と接続され
る。容量素子３０２３の他方の電極は、配線３０３３と接続される。
配線３０３１には、図４６（Ａ）〜図４６（Ｄ）に示す回路１００２からビデオ信号が
入力される。よって、配線３０３１は、信号線、ビデオ信号線、又はソース線（「ソース
信号線」ともいう。）としての機能を有する。
配線３０３２には、図４６（Ａ）〜図４６（Ｄ）に示す回路１００３＿１及び回路１０
０３＿２から、ゲート信号、走査信号、又は選択信号が入力される。よって、配線３０３
２は、ゲート線（「ゲート信号線」ともいう。）、走査線、又は信号線としての機能を有
する。
配線３０３３及び電極３０３４には、図４６（Ａ）〜図４６（Ｄ）に示す回路１００１
から一定の電圧が供給される。よって、配線３０３３は、電源線、又は容量線としての機
能を有する。また、電極３０３４は、共通電極、又は対向電極としての機能を有する。
なお、配線３０３１には、プリチャージ電圧が供給されてもよい。プリチャージ電圧は
、電極３０３４に供給される電圧と概ね等しい値に設定するとよい。または、配線３０３
３には、信号が入力されてもよい。このように、液晶素子３０２２に印加される電圧を制
御することによって、ビデオ信号の振幅を小さくすることができ、また、反転駆動を実現
することができる。または、電極３０３４に信号が入力されることにより、フレーム反転
駆動を実現することができる。
トランジスタ３０２１は、配線３０３１と、液晶素子３０２２の一方の電極とが導通す
るタイミングを制御する機能を有する。または、画素にビデオ信号を書き込むタイミング
を制御する機能を有する。このように、トランジスタ３０２１は、スイッチとしての機能
を有する。
容量素子３０２３は、液晶素子３０２２の一方の電極の電位と、配線３０３３の電位と
の電位差を保持する機能を有する。または、液晶素子３０２２に印加される電圧が一定と
なるように保持する機能を有する。このように、容量素子３０２３は、保持容量としての
機能を有する。
＜シフトレジスタの構成＞
次に、表示装置が有するゲートドライバ回路の構成について、以下に説明する。具体的
には、ゲートドライバ回路が有するシフトレジスタの構成について、図４７及び図４８を
参照して説明する。図４７及び図４８は、シフトレジスタの回路図の一例である。
図４７において、シフトレジスタ１１００Ａは、フリップフロップ１１０１Ａ＿１〜フ
リップフロップ１１０１Ａ＿Ｎ（Ｎは自然数）という複数のフリップフロップを有する。
図４７に示すフリップフロップ１１０１Ａ＿１〜フリップフロップ１１０１Ａ＿Ｎとして
、それぞれ、図１６（Ａ）に示す半導体装置が有する回路２００Ａを用いることができる
。
また、シフトレジスタ１１００Ｂは、フリップフロップ１１０１Ｂ＿１〜フリップフロ
ップ１１０１Ｂ＿Ｎ（Ｎは自然数）という複数のフリップフロップを有する。図４７に示
すフリップフロップ１１０１Ｂ＿１〜フリップフロップ１１０１Ｂ＿Ｎとして、それぞれ
、図１６（Ａ）に示す半導体装置が有する回路２００Ｂを用いることができる。
シフトレジスタ１１００Ａは、配線１１１１＿１〜配線１１１１＿Ｎ、配線１１１２Ａ
、配線１１１３Ａ、配線１１１４Ａ、配線１１１５Ａ、配線１１１６Ａ、及び配線１１１
９Ａと接続される。そして、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉ（ｉは、１〜Ｎのいずれか
一つ）において、配線１１１、配線１１２Ａ、配線１１３Ａ、配線１１４Ａ、配線１１５
Ａ、及び配線１１６Ａは、それぞれ、配線１１１１＿ｉ、配線１１１２Ａ、配線１１１３
Ａ、配線１１１１＿ｉ−１、配線１１１５Ａ、配線１１１１＿ｉ＋１と接続される。
なお、配線１１２Ａを配線１１１２Ａと配線１１１９Ａの一方と接続させる際に、奇数
段目のフリップフロップと、偶数段目のフリップフロップとで、配線１１２Ａの接続先を
異ならせてもよい。
また、シフトレジスタ１１００Ｂは、配線１１１１＿１〜配線１１１１＿Ｎ、配線１１
１２Ｂ、配線１１１３Ｂ、配線１１１４Ｂ、配線１１１５Ｂ、配線１１１６Ｂ、及び配線
１１１９Ｂと接続される。そして、フリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉ（ｉは、１〜Ｎのい
ずれか一つ）において、配線１１１、配線１１２Ｂ、配線１１３Ｂ、配線１１４Ｂ、配線
１１５Ｂ、及び配線１１６Ｂは、それぞれ、配線１１１１＿ｉ、配線１１１２Ｂ、配線１
１１３Ｂ、配線１１１１＿ｉ−１、配線１１１５Ｂ、配線１１１１＿ｉ＋１と接続される
。
なお、配線１１２Ｂを配線１１１２Ｂと配線１１１９Ｂの一方と接続させる際に、奇数
段目のフリップフロップと、偶数段目のフリップフロップとで、配線１１２Ｂの接続先を
異ならせてもよい。
シフトレジスタ１１００Ａは、信号ＧＯＵＴＡ＿１〜信号ＧＯＵＴＡ＿Ｎを配線１１１
１＿１〜配線１１１１＿Ｎに出力する。信号ＧＯＵＴＡ＿１〜信号ＧＯＵＴＡ＿Ｎは、そ
れぞれ、フリップフロップ１１０１Ａ＿１〜フリップフロップ１１０１Ａ＿Ｎの出力信号
であり、信号ＯＵＴＡに対応する。また、シフトレジスタ１１００Ｂは、信号ＧＯＵＴＢ
＿１〜信号ＧＯＵＴＢ＿Ｎを配線１１１１＿１〜配線１１１１＿Ｎに出力する。信号ＧＯ
ＵＴＢ＿１〜信号ＧＯＵＴＢ＿Ｎは、それぞれ、フリップフロップ１１０１Ｂ＿１〜フリ
ップフロップ１１０１Ｂ＿Ｎの出力信号であり、信号ＯＵＴＢに対応する。よって、配線
１１１１＿１〜配線１１１１＿Ｎは、配線１１１と同様の機能を有する。
配線１１１２Ａ及び配線１１１２Ｂには、信号ＧＣＫ１が入力され、配線１１１９Ａ及
び配線１１１９Ｂには、信号ＧＣＫ２が入力される。信号ＧＣＫ１と信号ＧＣＫ２は、そ
れぞれ、クロック信号ＣＫ１とクロック信号ＣＫ２に対応する。よって、配線１１１２Ａ
及び配線１１１９Ａは、配線１１２Ａと同様の機能を有し、配線１１１２Ｂ及び配線１１
１９Ｂは、配線１１２Ｂと同様の機能を有する。
配線１１１３Ａ及び配線１１１３Ｂには、電圧Ｖ１が供給される。よって、配線１１１
３Ａは配線１１３Ａと同様の機能を有し、配線１１１３Ｂは配線１１３Ｂと同様の機能を
有する。
配線１１１４Ａ及び配線１１１４Ｂには、信号ＧＳＰが入力される。信号ＧＳＰは、ス
タート信号ＳＰに対応する。よって、配線１１１４Ａは配線１１４Ａと同様の機能を有し
、配線１１１４Ｂは配線１１４Ｂと同様の機能を有する。
配線１１１５Ａには、信号ＳＥＬＡが入力され、配線１１１５Ｂには、信号ＳＥＬＢが
入力される。よって、配線１１１５Ａは配線１１５Ａと同様の機能を有し、配線１１１５
Ｂは配線１１５Ｂと同様の機能を有する。
配線１１１６Ａ及び配線１１１６Ｂには、信号ＧＲＥが入力される。信号ＧＲＥは、リ
セット信号ＲＥに対応する。よって、配線１１１６Ａは配線１１６Ａと同様の機能を有し
、配線１１１６Ｂは配線１１６Ｂと同様の機能を有する。
なお、配線１１１２Ａと配線１１１２Ｂに同じ信号が入力される場合、配線１１１２Ａ
と配線１１１２Ｂとが接続されてもよい。または、この場合、図４８に示すように、配線
１１１２Ａと配線１１１２Ｂに同じ配線（配線１１１２）を用いてもよい。または、配線
１１１２Ａと配線１１１２Ｂに、別々の信号又は別々の電圧を入力してもよい。
また、配線１１１３Ａと配線１１１３Ｂに同じ信号が入力される場合、配線１１１３Ａ
と配線１１１３Ｂとが接続されてもよい。または、この場合、図４８に示すように、配線
１１１３Ａと配線１１１３Ｂに同じ配線（配線１１１３）を用いてもよい。または、配線
１１１３Ａと配線１１１３Ｂに、別々の信号又は別々の電圧を入力してもよい。
また、配線１１１４Ａと配線１１１４Ｂに同じ信号が入力される場合、配線１１１４Ａ
と配線１１１４Ｂとが接続されてもよい。または、この場合、図４８に示すように、配線
１１１４Ａと配線１１１４Ｂに同じ配線（配線１１１４）を用いてもよい。または、配線
１１１４Ａと配線１１１４Ｂに、別々の信号又は別々の電圧を入力してもよい。
また、配線１１１６Ａと配線１１１６Ｂに同じ信号が入力される場合、配線１１１６Ａ
と配線１１１６Ｂとが接続されてもよい。または、この場合、図４８に示すように、配線
１１１６Ａと配線１１１６Ｂに同じ配線（配線１１１６）を用いてもよい。または、配線
１１１６Ａと配線１１１６Ｂに、別々の信号又は別々の電圧を入力してもよい。
また、配線１１１９Ａと配線１１１９Ｂに同じ信号が入力される場合、配線１１１９Ａ
と配線１１１９Ｂとが接続されてもよい。または、この場合、図４８に示すように、配線
１１１９Ａと配線１１１９Ｂに同じ配線（配線１１１９）を用いてもよい。または、配線
１１１９Ａと配線１１１９Ｂに、別々の信号又は別々の電圧を入力してもよい。
＜シフトレジスタの動作＞
シフトレジスタの動作の一例について、図４９を参照して説明する。図４９は、シフト
レジスタの動作の一例を示すタイミングチャートである。図４９では、信号ＧＣＫ１、信
号ＧＣＫ２、信号ＧＳＰ、信号ＧＲＥ、信号ＳＥＬＡ、信号ＳＥＬＢ、信号ＧＯＵＴＡ＿
１〜信号ＧＯＵＴＡ＿Ｎ、及び信号ＧＯＵＴＢ＿１〜信号ＧＯＵＴＢ＿Ｎを示す。
まず、ｋ（ｋは自然数）フレーム目におけるフリップフロップ１１０１Ａ＿ｉの動作と
、ｋ−１フレーム目におけるフリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉの動作と、を説明する。
まず、信号ＧＯＵＴＡ＿ｉ−１及び信号ＧＯＵＴＢ＿ｉがＨレベルになる。すると、フ
リップフロップ１１０１Ａ＿ｉ及びフリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは、実施の形態４で
説明した期間ａ１における動作を開始する。よって、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉは
配線１１１１＿ｉにＬ信号を出力し、フリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは配線１１１１＿
ｉにＬ信号を出力する。
その後、信号ＧＣＫ１及び信号ＧＣＫ２が反転すると、フリップフロップ１１０１Ａ＿
ｉ及びフリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは、実施の形態４で説明した期間ｂ１における動
作を開始する。よって、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉは配線１１１１＿ｉにＨ信号を
出力し、フリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは配線１１１１＿ｉにＨ信号を出力する。
その後、信号ＧＣＫ１及び信号ＧＣＫ２が再び反転すると、信号ＧＯＵＴＡ＿ｉ＋１及
び信号ＧＯＵＴＢ＿ｉ＋１はＨレベルになる。すると、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉ
及びフリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは、実施の形態４で説明した期間ｃ１における動作
を開始する。よって、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉは、配線１１１１＿ｉにＬ信号を
出力し、フリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは、配線１１１１＿ｉに信号を出力しない。
その後、再び、信号ＧＯＵＴＡ＿ｉ−１及び信号ＧＯＵＴＢ＿ｉがＨレベルになるまで
、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉ及びフリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは、実施の形態
４で説明した期間ｄ１における動作を行う。よって、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉは
配線１１１１＿ｉにＬ信号を出力し、フリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは配線１１１１＿
ｉに信号を出力しない。
次に、ｋ＋１フレーム目におけるフリップフロップ１１０１Ａ＿ｉの動作と、ｋフレー
ム目におけるフリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉの動作と、を説明する。
まず、信号ＧＯＵＴＡ＿ｉ−１及び信号ＧＯＵＴＢ＿ｉがＨレベルになる。すると、フ
リップフロップ１１０１Ａ＿ｉ及びフリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは、実施の形態４で
説明した期間ａ２における動作を開始する。よって、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉは
配線１１１１＿ｉにＬ信号を出力し、フリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは配線１１１１＿
ｉにＬ信号を出力する。
その後、信号ＧＣＫ１及び信号ＧＣＫ２が反転すると、フリップフロップ１１０１Ａ＿
ｉ及びフリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは、実施の形態４で説明した期間ｂ２における動
作を開始する。よって、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉは配線１１１１＿ｉにＨ信号を
出力し、フリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは配線１１１１＿ｉにＨ信号を出力する。
その後、信号ＧＣＫ１及び信号ＧＣＫ２が再び反転すると、信号ＧＯＵＴＡ＿ｉ＋１及
び信号ＧＯＵＴＢ＿ｉ＋１はＨレベルになる。すると、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉ
及びフリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは、実施の形態４で説明した期間ｃ２における動作
を開始する。よって、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉは、配線１１１１＿ｉに信号を出
力せず、フリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは、配線１１１１＿ｉにＬ信号を出力する。
その後、再び、信号ＧＯＵＴＡ＿ｉ−１及び信号ＧＯＵＴＢ＿ｉがＨレベルになるまで
、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉ及びフリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは、実施の形態
４で説明した期間ｄ２における動作を行う。よって、フリップフロップ１１０１Ａ＿ｉは
配線１１１１＿ｉに信号を出力せず、フリップフロップ１１０１Ｂ＿ｉは配線１１１１＿
ｉにＬ信号を出力する。
（実施の形態７）
本実施の形態では、ソースドライバ回路（「ソースドライバ」ともいう。）について、
図５０（Ａ）〜図５０（Ｄ）を参照して説明する。
図５０（Ａ）に、ソースドライバ回路の構成の一例を示す。ソースドライバ回路は、回
路２００１及び回路２００２を有する。回路２００２は、回路２００２＿１〜回路２００
２＿Ｎ（Ｎは自然数）という複数の回路を有する。回路２００２＿１〜回路２００２＿Ｎ
は、それぞれ、トランジスタ２００３＿１〜トランジスタ２００３＿ｋ（ｋは自然数）と
いう複数のトランジスタを有する。トランジスタ２００３＿１〜トランジスタ２００３＿
ｋとして、Ｎチャネル型トランジスタ又はＰチャネル型トランジスタを用いることができ
る。また、トランジスタ２００３＿１〜トランジスタ２００３＿ｋをＣＭＯＳ型のスイッ
チとして用いることができる。
ソースドライバ回路が有する回路２００２＿１〜回路２００２＿Ｎの接続関係について
、回路２００２＿１を例にして説明する。回路２００２＿１が有するトランジスタ２００
３＿１〜トランジスタ２００３＿ｋは、第１の端子がそれぞれ、配線２００４＿１〜配線
２００４＿ｋと接続され、第２の端子がそれぞれ、ソース線２００８＿１〜ソース線２０
０８＿ｋ（図５０（Ｂ）において、Ｓ１、Ｓ２、及びＳｋと示す。）と接続され、ゲート
が配線２００５＿１と接続される。
回路２００１は、配線２００５＿１〜配線２００５＿Ｎに順番にＨ信号を出力するタイ
ミングを制御する機能を有する。または、回路２００２＿１〜回路２００２＿Ｎを順番に
選択する機能を有する。このように、回路２００１は、シフトレジスタとしての機能を有
する。
又は、回路２００１は、配線２００５＿１〜配線２００５＿Ｎに様々な順番でＨ信号を
出力することができる。または、回路２００２＿１〜回路２００２＿Ｎを様々な順番で選
択することができる。このように、回路２００１は、デコーダとしての機能を有する。
回路２００２＿１は、配線２００４＿１〜配線２００４＿ｋとソース線２００８＿１〜
ソース線２００８＿ｋとがそれぞれ導通するタイミングを制御する機能を有する。または
、回路２００２＿１は、配線２００４＿１〜配線２００４＿ｋの電位をソース線２００８
＿１〜ソース線２００８＿ｋに供給するタイミングを制御する機能を有する。このように
、回路２００２＿１は、セレクタとしての機能を有する。なお、回路２００２＿２〜回路
２００２＿Ｎは、回路２００２＿１と同様の機能を有する。
トランジスタ２００３＿１〜トランジスタ２００３＿Ｎは、それぞれ、配線２００４＿
１〜配線２００４＿ｋとソース線２００８＿１〜ソース線２００８＿ｋとが導通するタイ
ミングを制御する機能を有する。例えば、トランジスタ２００３＿１は、配線２００４＿
１とソース線２００８＿１とが導通するタイミングを制御する機能を有する。または、ト
ランジスタ２００３＿１〜トランジスタ２００３＿Ｎは、それぞれ、配線２００４＿１〜
配線２００４＿ｋの電位をソース線２００８＿１〜ソース線２００８＿ｋに供給するタイ
ミングを制御する機能を有する。例えば、トランジスタ２００３＿１は、配線２００４＿
１の電位をソース線２００８＿１に供給するタイミングを制御する機能を有する。このよ
うに、トランジスタ２００３＿１〜トランジスタ２００３＿Ｎは、それぞれ、スイッチと
しての機能を有する。
なお、配線２００４＿１〜配線２００４＿ｋのそれぞれに、ビデオ信号に応じたアナロ
グ信号等の、ビデオ信号に対応する信号が入力される場合、配線２００４＿１〜配線２０
０４＿ｋは、信号線としての機能を有する。または、配線２００４＿１〜配線２００４＿
ｋのそれぞれには、デジタル信号、アナログ電圧、又はアナログ電流が入力されてもよい
。
次に、図５０（Ａ）に示すソースドライバ回路の動作の一例について、図５０（Ｂ）の
タイミングチャートを参照して説明する。
図５０（Ｂ）に、信号２０１５＿１〜信号２０１５＿Ｎ、及び信号２０１４＿１〜信号
２０１４＿ｋを示す。信号２０１５＿１〜信号２０１５＿Ｎはそれぞれ、回路２００１の
出力信号であり、信号２０１４＿１〜信号２０１４＿ｋはそれぞれ、配線２００４＿１〜
配線２００４＿ｋに入力される信号である。
なお、ソースドライバ回路の１動作期間は、表示装置における１ゲート選択期間に対応
する。１ゲート選択期間は、例えば、期間Ｔ０、及び期間Ｔ１〜期間ＴＮに分割される。
期間Ｔ０は、選択された行に属する画素にプリチャージ用の電圧を同時に印加するための
期間であり、プリチャージ期間ともいう。期間Ｔ１〜期間ＴＮはそれぞれ、選択された行
に属する画素にビデオ信号を書き込むための期間であり、書き込み期間ともいう。
まず、期間Ｔ０において、回路２００１は、Ｈ信号を配線２００５＿１〜配線２００５
＿Ｎに出力する。すると、回路２００２＿１において、トランジスタ２００３＿１〜トラ
ンジスタ２００３＿ｋがオンになるので、配線２００４＿１〜配線２００４＿ｋと、ソー
ス線２００８＿１〜ソース線２００８＿ｋとがそれぞれ導通状態になる。このとき、配線
２００４＿１〜配線２００４＿ｋには、プリチャージ電圧Ｖｐが供給される。よって、プ
リチャージ電圧Ｖｐは、トランジスタ２００３＿１〜トランジスタ２００３＿ｋを介して
、ソース線２００８＿１〜ソース線２００８＿ｋにそれぞれ出力される。プリチャージ電
圧Ｖｐは、選択された行に属する画素に書き込まれるので、選択された行に属する画素が
プリチャージされる。
期間Ｔ１〜期間ＴＮにおいて、回路２００１は、Ｈ信号を配線２００５＿１〜配線２０
０５＿Ｎに順番に出力する。例えば、期間Ｔ１において、回路２００１は、Ｈ信号を配線
２００５＿１に出力する。すると、トランジスタ２００３＿１〜トランジスタ２００３＿
ｋはオンになるので、配線２００４＿１〜配線２００４＿ｋと、ソース線２００８＿１〜
ソース線２００８＿ｋとが導通状態になる。このとき、配線２００４＿１〜配線２００４
＿ｋには、Ｄａｔａ（Ｓ１）〜Ｄａｔａ（Ｓｋ）が入力される。Ｄａｔａ（Ｓ１）〜Ｄａ
ｔａ（Ｓｋ）は、それぞれ、トランジスタ２００３＿１〜トランジスタ２００３＿ｋを介
して、選択された行に属する画素のうち、１列目〜ｋ列目の画素に書き込まれる。このよ
うにして、期間Ｔ１〜期間ＴＮにおいて、選択された行に属する画素に、ｋ列ずつ順番に
ビデオ信号が書き込まれる。
以上のように、ビデオ信号が複数の列ずつ画素に書き込まれることによって、ビデオ信
号の数、又はビデオ信号を画素に書き込むために要する配線の数を減らすことができる。
よって、画素部が形成される基板と外部回路との接続数を減らすことができるので、歩留
まりの向上、信頼性の向上、部品数の削減、又はコストの削減を図ることができる。
また、ビデオ信号が複数の列ずつ画素に書き込まれることによって、書き込み時間を長
くすることができる。よって、ビデオ信号の書き込み不足を防止することができるので、
表示品位の向上を図ることができる。
なお、ｋを大きくすることによって、外部回路との接続数を減らすことができる。ただ
し、ｋが大きすぎると、画素への書き込み時間が短くなる。よって、好ましくはｋが６以
上、より好ましくはｋが３以上、さらに好ましくはｋ＝２とする。
特に、画素の色要素がｎ（ｎは自然数）個である場合、ｋ＝ｎ、又はｋ＝ｎ×ｄ（ｄは
自然数）であることが好ましい。例えば、画素の色要素が赤（Ｒ）と緑（Ｇ）と青（Ｂ）
との三つに分割される場合、ｋ＝３、又はｋ＝３×ｄであることが好ましい。
また、画素がｍ（ｍは自然数）個のサブ画素（サブ画素のことをサブピクセル又は副画
素ともいう。）に分割される場合、ｋ＝ｍ、又はｋ＝ｍ×ｄであることが好ましい。例え
ば、画素が２個のサブ画素に分割される場合、ｋ＝２であることが好ましい。または、画
素の色要素がｎ個である場合、ｋ＝ｍ×ｎ、又はｋ＝ｍ×ｎ×ｄであることが好ましい。
また、ソースドライバ回路の構成の別の一例を、図５０（Ｃ）を参照して説明する。回
路２００１の駆動周波数及び回路２００２の駆動周波数が低い場合は、回路２００１及び
回路２００２を単結晶半導体で設けてもよいので、図５０（Ｃ）に示すように、回路２０
０１及び回路２００２を画素部２００７と同じ基板に形成することができる。この構成に
よって、画素部が形成される基板と外部回路との接続数を減らすことができるので、歩留
まりの向上、信頼性の向上、部品数の削減、又はコストの削減を図ることができる。
さらに、ゲートドライバ回路２００６Ａ及びゲートドライバ回路２００６Ｂも画素部２
００７と同じ基板に形成することによって、外部回路との接続数をさらに減らすことがで
きる。なお、ゲートドライバ回路２００６Ａは、上記実施の形態で説明した回路１０Ａ、
回路１００Ａ、又は回路２００Ａに対応し、ゲートドライバ回路２００６Ｂは、上記実施
の形態で説明した回路１０Ｂ、回路１００Ｂ、又は回路２００Ｂに対応する。
また、ソースドライバ回路の構成の別の一例を、図５０（Ｄ）を参照して説明する。図
５０（Ｄ）に示すように、回路２００１を画素部２００７とは別の基板に形成し、回路２
００２を画素部２００７と同じ基板に形成してもよい。この構成によって、画素部が形成
される基板と外部回路との接続数を減らすことができるので、歩留まりの向上、信頼性の
向上、部品数の削減、又はコストの削減を図ることができる。また、画素部２００７と同
じ基板に形成する回路が少なくなるので、額縁を小さくすることができる。
（実施の形態８）
表示装置において、画素に設けられた素子（例えば、トランジスタ、表示素子、容量素
子）が静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）やノイ
ズ等によって破壊されることを防止するために、ゲート線又はソース線に保護回路を設け
ることがある。
本実施の形態では、保護回路の構成、及び当該保護回路を用いた半導体装置の構成につ
いて説明する。
保護回路の回路図の一例について、図５１（Ａ）〜図５１（Ｇ）を参照して説明する。
保護回路として、図５１（Ａ）に示す保護回路３０００を用いてもよい。図５１（Ａ）
に示す保護回路３０００は、配線３０１１に接続される画素に設けられた素子が静電気破
壊やノイズ等によって破壊されることを防止するために設けられている。保護回路３００
０は、トランジスタ３００１及びトランジスタ３００２を有する。トランジスタ３００１
及びトランジスタ３００２には、Ｎチャネル型トランジスタ又はＰチャネル型トランジス
タを用いることができる。
トランジスタ３００１は、第１の端子が配線３０１２と接続され、第２の端子が配線３
０１１と接続され、ゲートが配線３０１１と接続される。トランジスタ３００２は、第１
の端子が配線３０１３と接続され、第２の端子が配線３０１１と接続され、ゲートが配線
３０１３と接続される。
配線３０１１には、信号（例えば、走査信号、ビデオ信号、クロック信号、スタート信
号、リセット信号、又は選択信号等）、並びに、電圧（例えば、負電源電位、グランド電
圧、又は正電源電位等）が供給される。配線３０１２には、高電源電位（ＶＤＤ）が供給
され、配線３０１３には、低電源電位（ＶＳＳ）（又は、グランド電圧）が供給される。
配線３０１１の電位が低電源電位（ＶＳＳ）〜高電源電位（ＶＤＤ）の間の値であれば
、トランジスタ３００１及びトランジスタ３００２はオフになる。よって、配線３０１１
に供給される信号又は電圧は、配線３０１１と接続される画素に供給される。
一方、静電気等の影響によって、配線３０１１に高電源電位（ＶＤＤ）よりも高い電位
又は低電源電位（ＶＳＳ）よりも低い電位が供給される場合がある。この場合、この高電
源電位（ＶＤＤ）よりも高い電位又は低電源電位（ＶＳＳ）よりも低い電位によって、配
線３０１１と接続される画素に設けられた素子が破壊されることがある。
このような静電破壊を防止するために、静電気等の影響によって、配線３０１１に高電
源電位（ＶＤＤ）よりも高い電位が供給される場合、トランジスタ３００１がオンになる
。すると、配線３０１１の電荷は、トランジスタ３００１を介して配線３０１２に移動す
るので、配線３０１１の電位が減少する。
また、静電気等の影響によって、配線３０１１に低電源電位（ＶＳＳ）よりも低い電位
が供給される場合、トランジスタ３００２がオンになる。すると、配線３０１１の電荷は
、トランジスタ３００２を介して配線３０１３に移動するので、配線３０１１の電位が上
昇する。
以上のように、保護回路３０００を設けることによって、配線３０１１と接続される画
素が有する素子の静電気等による破壊を防ぐことができる。
なお、保護回路として、図５１（Ｂ）又は図５１（Ｃ）に示す保護回路３０００を用い
てもよい。図５１（Ｂ）に示す構成は、図５１（Ａ）に示す構成においてトランジスタ３
００２及び配線３０１３を省略したものに対応する。図５１（Ｃ）に示す構成は、図５１
（Ａ）に示す構成においてトランジスタ３００１及び配線３０１２を省略したものに対応
する。
また、保護回路として、図５１（Ｄ）に示す保護回路３０００を用いてもよい。図５１
（Ｄ）に示す構成は、図５１（Ａ）に示す構成において、配線３０１１と配線３０１２と
の間にトランジスタ３００３が直列に接続され、配線３０１１と配線３０１３との間にト
ランジスタ３００４が直列に接続されたものに対応する。
図５１（Ｄ）において、トランジスタ３００３は、第１の端子が配線３０１２と接続さ
れ、第２の端子がトランジスタ３００１の第１の端子と接続され、ゲートがトランジスタ
３００１の第１の端子と接続されている。トランジスタ３００４は、第１の端子が配線３
０１３と接続され、第２の端子がトランジスタ３００２の第１の端子と接続され、ゲート
が配線３０１３と接続されている。
また、保護回路として、図５１（Ｅ）に示す保護回路３０００を用いてもよい。図５１
（Ｅ）に示す構成は、図５１（Ｄ）に示す構成において、トランジスタ３００１のゲート
がトランジスタ３００３のゲートと接続され、トランジスタ３００２のゲートがトランジ
スタ３００４のゲートと接続されたものに対応する。
また、保護回路として、図５１（Ｆ）に示す保護回路３０００を用いてもよい。図５１
（Ｆ）に示す構成は、図５１（Ａ）に示す構成において、配線３０１１と配線３０１２と
の間にトランジスタ３００１とトランジスタ３００３が並列に接続され、配線３０１１と
配線３０１３との間にトランジスタ３００２とトランジスタ３００４が並列に接続された
ものに対応する。
図５１（Ｆ）において、トランジスタ３００３は、第１の端子が配線３０１２と接続さ
れ、第２の端子が配線３０１１と接続され、ゲートが配線３０１１と接続されている。ま
た、トランジスタ３００４は、第１の端子が配線３０１３と接続され、第２の端子が配線
３０１１と接続され、ゲートが配線３０１３と接続されている。
また、保護回路として、図５１（Ｇ）に示す保護回路３０００を用いてもよい。図５１
（Ｇ）に示す構成は、図５１（Ａ）に示す構成において、トランジスタ３００１のゲート
と第１の端子との間に、容量素子３００５と抵抗素子３００６とを並列に接続し、トラン
ジスタ３００２のゲートと第１の端子との間に、容量素子３００７と抵抗素子３００８と
を並列に接続したものに対応する。
図５１（Ｇ）の構成を適用することによって、保護回路３０００自体の破壊又は劣化を
防止することができる。
例えば、配線３０１１に電源電位よりも高い電圧が供給される場合、トランジスタ３０
０１のゲートとソースとの間の電位差（Ｖｇｓ）が大きくなる。よって、トランジスタ３
００１がオン状態になるので、配線３０１１の電圧が減少する。しかし、トランジスタ３
００１のゲートと第２の端子との間に大きな電圧が印加されるので、トランジスタ３００
１が破壊又は劣化することがある。これを防止するために、容量素子３００５を用いてト
ランジスタ３００１のゲート電圧を上昇させ、トランジスタ３００１のゲートとソースと
の間の電位差（Ｖｇｓ）を小さくする。
具体的には、トランジスタ３００１がオン状態になると、トランジスタ３００１の第１
の端子の電圧が瞬間的に上昇する。そして、容量素子３００５の容量結合によって、トラ
ンジスタ３００１のゲート電圧が上昇する。このようにして、トランジスタ３００１のゲ
ートとソースとの間の電位差（Ｖｇｓ）を小さくすることができるため、トランジスタ３
００１の破壊又は劣化を抑制することができる。
同様に、配線３０１１に電源電位よりも低い電圧が供給される場合、トランジスタ３０
０２の第１の端子の電圧が瞬間的に減少する。そして、容量素子３００７の容量結合によ
って、トランジスタ３００２のゲート電圧が減少する。このようにして、トランジスタ３
００２のゲートとソースとの間の電位差（Ｖｇｓ）を小さくすることができるため、トラ
ンジスタ３００２の破壊又は劣化を抑制することができる。
次に、保護回路を設けた半導体装置の構成について、図５２（Ａ）及び図５２（Ｂ）を
用いて説明する。
図５２（Ａ）に、ゲート線に保護回路を設けた半導体装置の構成の一例を示す。図５２
（Ａ）において、ゲート線３１０２＿１及びゲート線３１０２＿２はそれぞれ、図５１（
Ａ）〜図５１（Ｇ）の配線３０１１に対応する。
配線３０１２及び配線３０１３は、ゲートドライバ回路３１００に接続される配線のい
ずれかと接続される。このような構成とすることにより、保護回路３０００を動作させる
ための電源電圧としてゲートドライバ回路の電源電圧を用いることができるため、電源電
圧の種類、及び保護回路３０００に電源電圧を供給するための配線の数を減らすことがで
きる。
図５２（Ｂ）に、ＦＰＣ等の外部から信号又は電圧が供給される端子に保護回路を設け
た半導体装置の構成の一例を示す。図５２（Ｂ）において、配線３０１２及び配線３０１
３は、外部端子のいずれかと接続される。例えば、配線３０１２が端子３１０１ａと接続
される場合、端子３１０１ａに設けられる保護回路において、トランジスタ３００１を省
略することができる。同様に、配線３０１３が端子３１０１ｂと接続される場合、端子３
１０１ｂに設けられる保護回路において、トランジスタ３００２を省略することができる
。また、端子３１０１ｃ、端子３１０１ｄに設けられる保護回路においても同様である。
このような構成とすることによって、トランジスタの数を減らすことができるので、レ
イアウト面積の縮小を図ることができる。
（実施の形態９）
本実施の形態では、トランジスタと表示素子を有する表示装置の構造、及びトランジス
タの構造について、図５３（Ａ）〜図５３（Ｃ）を参照して説明する。
トランジスタとして、例えば電界効果トランジスタ又はバイポーラトランジスタが挙げ
られる。電界効果トランジスタとして、薄膜トランジスタ（「ＴＦＴ」ともいう。）を用
いてもよい。また、電界効果トランジスタとして、トップゲート型のトランジスタ、又は
ボトムゲート型のトランジスタを用いてもよい。また、ボトムゲート型のトランジスタと
しては、チャネルエッチ型のトランジスタ又はボトムコンタクト型（「逆コプレナ型」と
もいう。）のトランジスタが挙げられる。また、電界効果トランジスタは、Ｎ型又はＰ型
の導電型にしてもよい。
なお、電界効果トランジスタは、例えば、ゲート電極と、ソース領域、チャネル領域、
及びドレイン領域を有する半導体層と、断面視においてゲート電極と半導体層との間に設
けられたゲート絶縁層と、により構成される。半導体層は、半導体膜又は半導体基板を用
いて形成される。
半導体膜又は半導体基板に適用される半導体材料としては、非晶質半導体、微結晶半導
体、単結晶半導体、及び多結晶半導体が挙げられる。また、半導体材料として酸化物半導
体を用いてもよい。
酸化物半導体としては、四元系金属酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物
等）、三元系金属酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系
金属酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、
Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物等）、及び、二
元系金属酸化物等（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ａｌ−
Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系金属酸化物、Ｉ
ｎ−Ｍｇ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系金属酸化物
等）が挙げられる。また、酸化物半導体として、Ｉｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｏ系金属
酸化物、Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物等を用いることもできる。また、酸化物半導体として、上
記酸化物半導体として用いることができる金属酸化物にＳｉＯ２を含ませた酸化物半導体
を用いることもできる。
また、酸化物半導体として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される材料を用
いることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｍｎ、及び、Ｃｏから選ばれた一つ又は
複数の金属元素を示す。例えば、Ｍとしては、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、Ｇａ
及びＣｏ等が挙げられる。
図５３（Ａ）及び図５３（Ｂ）に、トランジスタと表示素子を有する表示装置の構造の
一例を示す。トランジスタとして、図５３（Ａ）ではトップゲート型トランジスタ、図５
３（Ｂ）ではボトムゲート型トランジスタを用いている。
図５３（Ａ）において、基板５２６０と、基板５２６０上に設けられた絶縁層５２６１
と、絶縁層５２６１上に設けられ、領域５２６２ａ〜領域５２６２ｅを有する半導体層５
２６２と、半導体層５２６２を覆うように設けられた絶縁層５２６３と、半導体層５２６
２及び絶縁層５２６３上に設けられた導電層５２６４と、絶縁層５２６３及び導電層５２
６４上に設けられ、開口部を有する絶縁層５２６５と、絶縁層５２６５上及び絶縁層５２
６５の開口部に設けられた導電層５２６６と、を示す。
図５３（Ｂ）において、基板５３００と、基板５３００上に設けられた導電層５３０１
と、導電層５３０１を覆うように設けられた絶縁層５３０２と、導電層５３０１及び絶縁
層５３０２上に設けられた半導体層５３０３ａと、半導体層５３０３ａ上に設けられた半
導体層５３０３ｂと、半導体層５３０３ｂ及び絶縁層５３０２上に設けられた導電層５３
０４と、絶縁層５３０２及び導電層５３０４上に設けられ、開口部を有する絶縁層５３０
５と、絶縁層５３０５上及び絶縁層５３０５の開口部に設けられた導電層５３０６と、を
示す。
また、図５３（Ｃ）に、トランジスタの構造の他の一例を示す。図５３（Ｃ）において
、領域５３５３及び領域５３５５を有する半導体基板５３５２と、半導体基板５３５２上
に設けられた絶縁層５３５６と、半導体基板５３５２上に設けられた絶縁層５３５４と、
絶縁層５３５６上に設けられた導電層５３５７と、絶縁層５３５４、絶縁層５３５６、及
び導電層５３５７上に設けられ、開口部を有する絶縁層５３５８と、絶縁層５３５８上及
び絶縁層５３５８の開口部に設けられた導電層５３５９と、を示す。図５３（Ｃ）では、
領域５３５０と領域５３５１のそれぞれに、トランジスタが設けられる。図５３（Ｃ）に
示すトランジスタの構造を、図５３（Ａ）及び図５３（Ｂ）に示すトランジスタに適用し
てもよい。
なお、図５３（Ａ）で示すように、導電層５２６６及び絶縁層５２６５上に設けられ、
開口部を有する絶縁層５２６７と、絶縁層５２６７及び絶縁層５２６７の開口部に設けら
れた導電層５２６８と、絶縁層５２６７及び導電層５２６８上に設けられ、開口部を有す
る絶縁層５２６９と、絶縁層５２６９上及び絶縁層５２６９の開口部に設けられたＥＬ層
５２７０と、絶縁層５２６９及びＥＬ層５２７０上に設けられた導電層５２７１と、を表
示装置が有していてもよい。図５３（Ｂ）の表示装置についても同様である。
なお、図５３（Ｂ）に示すように、絶縁層５３０５及び導電層５３０６上に配置される
液晶層５３０７と、液晶層５３０７上に設けられた導電層５３０８と、を表示装置が有し
ていてもよい。図５３（Ａ）の表示装置についても同様である。
絶縁層５２６１は、下地膜として機能する。絶縁層５３５４は、素子間分離層（例えば
、フィールド酸化膜）として機能する。絶縁層５２６３、絶縁層５３０２、及び絶縁層５
３５６は、ゲート絶縁膜として機能する。導電層５２６４、導電層５３０１、及び導電層
５３５７は、ゲート電極として機能する。絶縁層５２６５、絶縁層５２６７、絶縁層５３
０５、及び絶縁層５３５８は、層間膜又は平坦化膜として機能する。導電層５２６６、導
電層５３０４、及び導電層５３５９は、配線、トランジスタの電極、又は容量素子の電極
として機能する。導電層５２６８及び導電層５３０６は、画素電極又は反射電極として機
能する。絶縁層５２６９は、隔壁として機能する。導電層５２７１及び導電層５３０８は
、対向電極又は共通電極として機能する。
基板５２６０及び基板５３００としては、ガラス基板、石英基板、半導体基板（例えば
、シリコン基板、又は単結晶基板）、ＳＯＩ基板、プラスチック基板、金属基板、ステン
レス基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン
・ホイルを有する基板、又は可撓性基板等を用いてもよい。
ガラス基板として、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いて
も良い。可撓性基板としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナ
フタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、
又はアクリル等の、可撓性を有する合成樹脂等を用いてもよい。他にも、貼り合わせフィ
ルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル等）、繊
維状な材料を含む紙、基材フィルム（ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、無機蒸着
フィルム、紙類等）等を用いてもよい。
半導体基板５３５２としては、ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶シリコン基板を用
いてもよい。または、当該単結晶シリコン基板の一部又は全部を半導体基板５３５２とし
て用いてもよい。領域５３５３は、不純物元素が半導体基板５３５２に添加された領域で
あり、ウェルとして機能する。例えば、半導体基板５３５２がｐ型の導電型を有する場合
、領域５３５３はｎ型の導電型を有し、ｎウェルとして機能する。また、半導体基板５３
５２がｎ型の導電型を有する場合、領域５３５３はｐ型の導電型を有し、ｐウェルとして
機能する。領域５３５５は、不純物元素が半導体基板５３５２に添加された領域であり、
ソース領域又はドレイン領域として機能する。なお、半導体基板５３５２に、ＬＤＤ（Ｌ
ｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域を設けてもよい。
絶縁層５２６１としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（
ｘ＞ｙ＞０）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）膜等の、酸素又は窒素を
有する膜、又はこれらの積層構造等がある。絶縁層５２６１が２層構造で設けられる場合
の例としては、１層目の絶縁層として窒化珪素膜、２層目の絶縁層として酸化珪素膜を設
けた絶縁層が挙げられる。絶縁層５２６１が３層構造で設けられる場合の例としては、１
層目の絶縁層として酸化珪素膜、２層目の絶縁層として窒化珪素膜、３層目の絶縁層とし
て酸化珪素膜を設けた絶縁層が挙げられる。
半導体層５２６２、半導体層５３０３ａ、及び半導体層５３０３ｂとしては、非単結晶
半導体（例えば、非晶質（アモルファス）シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン等
）、単結晶半導体、化合物半導体若しくは酸化物半導体（例えば、ＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎ
Ｏ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＩＴＯ（インジウム錫酸化
物）、ＳｎＯ、ＴｉＯ、ＡｌＺｎＳｎＯ（ＡＺＴＯ））、有機半導体、又はカーボンナノ
チューブ等を用いることができる。
また、領域５２６２ａは、不純物元素が半導体層５２６２に添加されていない真性の状
態であり、チャネル領域として機能する。なお、領域５２６２ａに不純物元素を添加され
てもよい。領域５２６２ａに添加される不純物元素は、領域５２６２ｂ、領域５２６２ｃ
、領域５２６２ｄ、又は領域５２６２ｅに添加される不純物元素の濃度よりも低いことが
好ましい。領域５２６２ｂ及び領域５２６２ｄは、領域５２６２ｃ及び領域５２６２ｅよ
りも低濃度の不純物元素が半導体層５２６２に添加された領域であり、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈ
ｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域として機能する。なお、領域５２６２ｂ及び領域
５２６２ｄは省略してもよい。領域５２６２ｃ及び領域５２６２ｅは、高濃度の不純物元
素が半導体層５２６２に添加された領域であり、ソース領域又はドレイン領域として機能
する。
また、半導体層５３０３ｂは、不純物元素としてリン等が添加された半導体層であり、
ｎ型の導電型を有する。なお、半導体層５３０３ａとして、酸化物半導体又は化合物半導
体が用いられる場合、半導体層５３０３ｂを省略してもよい。
絶縁層５２６３及び絶縁層５３５６として、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素（
ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）膜等の
、酸素若しくは窒素を有する膜、又はこれらの積層構造を用いるとよい。
導電層５２６４、導電層５２６６、導電層５２６８、導電層５２７１、導電層５３０１
、導電層５３０４、導電層５３０６、導電層５３０８、導電層５３５７、及び導電層５３
５９として、単層構造の導電膜、又はこれらの積層構造等を用いるとよい。当該導電膜と
して、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）
、タングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（
Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、
ニオブ（Ｎｂ）、シリコン（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、炭素（Ｃ）、ス
カンジウム（Ｓｃ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ
）、ジルコニウム（Ｚｒ）、セリウム（Ｃｅ）によって構成される群、この群から選ばれ
た一つの元素の単体膜、又は、この群から選ばれた一つの元素若しくは複数の元素を含む
化合物からなる膜、等を用いるとよい。なお、当該単体膜又は当該化合物は、リン（Ｐ）
、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、又は酸素（Ｏ）等を含んでもよい。
上記化合物としては、前述した複数の元素から選ばれた一つの元素若しくは複数の元素
を含む化合物（例えば、合金）、前述した複数の元素から選ばれた一つの元素若しくは複
数の元素と窒素との化合物（例えば、窒化膜）、前述した複数の元素から選ばれた一つの
元素若しくは複数の元素とシリコンとの化合物（例えばシリサイド膜）、又はナノチュー
ブ材料等がある。合金としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物
（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸
化錫（ＳｎＯ）、酸化錫カドミウム（ＣＴＯ）、アルミニウムネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）、
アルミニウムタングステン（Ａｌ−Ｗ）、アルミニウムジルコニウム（Ａｌ−Ｚｒ）、ア
ルミニウムチタン（Ａｌ−Ｔｉ）、アルミニウムセリウム（Ａｌ−Ｃｅ）、マグネシウム
銀（Ｍｇ−Ａｇ）、モリブデンニオブ（Ｍｏ−Ｎｂ）、モリブデンタングステン（Ｍｏ−
Ｗ）、又はモリブデンタンタル（Ｍｏ−Ｔａ）等がある。窒化膜としては、窒化チタン、
窒化タンタル、窒化モリブデン等がある。シリサイド膜としては、タングステンシリサイ
ド、チタンシリサイド、ニッケルシリサイド、アルミニウムシリコン、又はモリブデンシ
リコン等がある。ナノチューブ材料としては、カーボンナノチューブ、有機ナノチューブ
、無機ナノチューブ、又は金属ナノチューブ等がある。
絶縁層５２６５、絶縁層５２６７、絶縁層５２６９、絶縁層５３０５、及び絶縁層５３
５８としては、単層構造の絶縁層、又はこれらの積層構造等を用いるとよい。当該絶縁層
としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜、若しくは酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞
０）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）膜等の酸素若しくは窒素を含む膜
、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜、又は、シロキサン樹脂、エ
ポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、若しく
はアクリル等の有機材料からなる膜等がある。
ＥＬ層５２７０は、発光材料からなる発光層を有する。発光層の他にも、正孔注入材料
からなる正孔注入層、正孔輸送材料からなる正孔輸送層、電子輸送材料からなる電子輸送
層、電子注入材料からなる電子注入層、又はこれらの材料のうち複数の材料を混合した層
、等を含んでいてもよい。導電層５２６８と、ＥＬ層５２７０と、導電層５２７１とで、
有機ＥＬ素子が構成される。
液晶層５３０７は、複数の液晶分子を含む液晶を有する。液晶分子の状態は主に、画素
電極と対向電極との間に印加される電圧により決定され、液晶の光の透過率が変化する。
液晶として、例えば、電気制御複屈折型液晶（ＥＣＢ型液晶ともいう。）、二色性色素を
添加した液晶（ＧＨ液晶ともいう。）、高分子分散型液晶、ディスコチック液晶等を用い
ることができる。また、液晶として、ブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相を示
す液晶は、例えば、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物により構成され
る。ブルー相を示す液晶は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性であるため
、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。よって、ブルー相を示す液晶を用いる
ことにより、動作速度を向上させることができる。
なお、絶縁層５３０５上及び導電層５３０６上には、配向膜として機能する絶縁層、突
起部として機能する絶縁層等を設けてもよい。
なお、導電層５３０８上には、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、又は突起部とし
て機能する絶縁層等を形成してもよい。導電層５３０８の下には、配向膜として機能する
絶縁層を形成してもよい。
本実施の形態の表示装置に対し、上記実施の形態で説明したゲートドライバ回路及び半
導体装置を適用することができる。また、本実施の形態で説明したトランジスタを、上記
実施の形態で説明したゲートドライバ回路及び半導体装置に用いることができる。特に、
トランジスタの半導体層として、非晶質半導体若しくは微結晶半導体等の非単結晶半導体
、有機半導体、又は酸化物半導体等を用いる場合であっても、上記実施の形態で説明した
ゲートドライバ回路及び半導体装置の構成を有することによって、トランジスタの劣化の
抑制等の効果を得ることができる。
（実施の形態１０）
本実施の形態では、表示装置の構成について、図５４（Ａ）〜図５４（Ｃ）を参照して
説明する。表示装置の構成の一例として、図５４（Ａ）には、表示装置の上面図、図５４
（Ｂ）及び図５４（Ｃ）には、図５４（Ａ）のＡ−Ｂの断面図をそれぞれ示す。
図５４（Ａ）において、基板５４００に、駆動回路５３９２と画素部５３９３とが設け
られている。駆動回路５３９２は、ゲートドライバ回路、又はソースドライバ回路等を有
する。
図５４（Ｂ）には、基板５４００と、基板５４００上に設けられた導電層５４０１と、
導電層５４０１を覆うように設けられた絶縁層５４０２と、導電層５４０１及び絶縁層５
４０２上に設けられた半導体層５４０３ａと、半導体層５４０３ａ上に設けられた半導体
層５４０３ｂと、半導体層５４０３ｂ及び絶縁層５４０２上に設けられた導電層５４０４
と、絶縁層５４０２及び導電層５４０４上設けられ、開口部を有する絶縁層５４０５と、
絶縁層５４０５上及び絶縁層５４０５の開口部に設けられた導電層５４０６と、絶縁層５
４０５及び導電層５４０６上に配置される絶縁層５４０８と、絶縁層５４０５上に設けら
れた液晶層５４０７と、液晶層５４０７及び絶縁層５４０８上に設けられた導電層５４０
９と、導電層５４０９上に設けられた基板５４１０と、を示す。
導電層５４０１は、ゲート電極として機能する。絶縁層５４０２は、ゲート絶縁膜とし
て機能する。導電層５４０４は、配線、トランジスタの電極、又は容量素子の電極として
機能する。絶縁層５４０５は、層間膜、又は平坦化膜として機能する。導電層５４０６は
、配線、画素電極、又は反射電極として機能する。絶縁層５４０８は、シール材として機
能する。導電層５４０９は、対向電極、又は共通電極として機能する。
ここで、駆動回路５３９２と、導電層５４０９との間には、寄生容量が生じることがあ
る。この結果、駆動回路５３９２の出力信号又は各ノードの電位に、なまり、又は遅延等
が生じてしまう。また、駆動回路５３９２の消費電力が大きくなってしまう。
一方、図５４（Ｂ）に示すように、駆動回路５３９２上に、シール材として機能し、且
つ液晶層の誘電率よりも低い絶縁層５４０８を設けることによって、駆動回路５３９２と
導電層５４０９との間に生じる寄生容量を低減することができる。したがって、駆動回路
５３９２の出力信号又は各ノードの電位の、なまり、又は遅延等を低減することができる
。または、駆動回路５３９２の消費電力を低減することができる。
また、図５４（Ｃ）に示すように、駆動回路５３９２の一部の上に、シール材として機
能する絶縁層５４０８を設けることによっても、同様の効果が得られる。なお、寄生容量
の影響が懸念されない場合は、絶縁層５４０８は設けなくてもよい。
なお、本実施の形態では、液晶層を有する液晶素子を設けた表示装置について説明して
いるが、表示装置の表示素子には、液晶素子の他にも、ＥＬ素子又は電気泳動素子等を用
いることができる。
本実施の形態の表示装置では、駆動回路の寄生容量を小さくできるため、出力信号又は
各ノードの電位の、遅延又はなまりを低減することができる。よって、トランジスタの電
流供給能力を高くすることを要しないので、トランジスタのチャネル幅を小さくすること
ができる。したがって、駆動回路のレイアウト面積を小さくし、表示装置の狭額縁化又は
高精細化を図ることができる。
（実施の形態１１）
本実施の形態では、半導体装置のレイアウト図（上面図ともいう。）について説明する
。一例として、図５５に、図３１（Ｂ）に示す半導体装置のレイアウト図を示す。
図５５に示す半導体装置は、導電層９０１、半導体層９０２、導電層９０３、導電層９
０４、及びコンタクトホール９０５を有する。なお、他の導電層又はコンタクトホール、
もしくは絶縁膜等を有していてもよい。例えば、導電層９０１と導電層９０３とを接続す
るためのコンタクトホールを形成してもよい。
導電層９０１は、ゲート電極又は配線として機能する部分を含む。半導体層９０２は、
トランジスタの半導体層として機能する部分を含む。導電層９０３は、配線、ソース、又
はドレインとして機能する部分を含む。導電層９０４は、透明電極、画素電極、又は配線
として機能する部分を含む。コンタクトホール９０５を介して、導電層９０１と導電層９
０４とを接続する、又は導電層９０３と導電層９０４とを接続することができる。
なお、導電層９０１と導電層９０３とが重なる部分に半導体層９０２を形成することに
よって、導電層９０１と導電層９０３との間の寄生容量を小さくすることができるので、
ノイズの低減を図ることができる。同様の理由で、導電層９０１と導電層９０４とが重な
る部分、又は導電層９０３と導電層９０４とが重なる部分に、半導体層９０２を設けても
よい。
なお、導電層９０１の一部の上に導電層９０４を形成し、コンタクトホール９０５を介
して、導電層９０１と導電層９０４とを接続されることによって、配線抵抗を下げること
ができる。
また、導電層９０１の一部の上に導電層９０３及び導電層９０４を形成し、コンタクト
ホール９０５を介して、導電層９０１と導電層９０４とが接続され、別のコンタクトホー
ル９０５を介して、導電層９０３と導電層９０４とが接続されることによって、配線抵抗
をさらに下げることができる。
また、導電層９０３の一部の上に導電層９０４を形成し、コンタクトホール９０５を介
して、導電層９０３と導電層９０４とが接続されることによって、配線抵抗を下げること
ができる。
また、導電層９０４の一部の下に導電層９０１又は導電層９０３を形成し、コンタクト
ホール９０５を介して、導電層９０４と、導電層９０１又は導電層９０３とが接続される
ことによって、配線抵抗を下げることができる。
（実施の形態１２）
本実施の形態において、上記実施の形態で説明したゲートドライバ回路、半導体装置、
又は表示装置を用いた電子機器の一例、及び半導体装置の応用例について、図５６（Ａ）
〜図５７（Ｈ）を参照して説明する。
図５６（Ａ）〜図５６（Ｈ）、及び図５７（Ａ）〜図５７（Ｄ）は、電子機器の一例を
示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３
、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５、接続端子５００６、センサ５００７、マイ
クロフォン５００８等を有する。なお、操作キー５００５は、電源スイッチ又は操作スイ
ッチを含む。なお、センサ５００７は、力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数
、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、
放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を有する。
図５６（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９
、赤外線ポート５０１０等を有する。図５６（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生
装置（例えば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、表示部５００２、記録媒
体読込部５０１１等を有する。図５６（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述した
ものの他に、表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３等を有する。図５６（
Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１等を有する。
図５６（Ｅ）はプロジェクタであり、上述したものの他に、光源５０３３、投射レンズ
５０３４等を有する。図５６（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、表示部
５００２、記録媒体読込部５０１１等を有する。図５６（Ｇ）はテレビ受像器であり、上
述したものの他に、チューナ、画像処理部等を有する。図５６（Ｈ）は持ち運び型テレビ
受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７等を有する。
図５７（Ａ）はディスプレイであり、上述したものの他に、支持台５０１８等を有する
。図５７（Ｂ）はカメラであり、上述したものの他に、外部接続ポート５０１９、シャッ
ターボタン５０１５、受像部５０１６等を有する。図５７（Ｃ）はコンピュータであり、
上述したものの他に、ポインティングデバイス５０２０、外部接続ポート５０１９、リー
ダ／ライタ５０２１等を有する。図５７（Ｄ）は携帯電話機であり、上述したものの他に
、アンテナ、携帯電話・移動端末向けの１セグメント部分受信サービス用チューナ等を有
する。
また、図５６（Ａ）〜図５６（Ｈ）、及び図５７（Ａ）〜図５７（Ｄ）に示す電子機器
は、上記以外に様々な機能を有していてもよい。
例えば、情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネ
ル機能、カレンダー、日付、又は時刻等を表示する機能、ソフトウェア（プログラム等）
によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いてコンピュータネット
ワークに接続する機能、無線通信機能を用いてデータの送信又は受信を行う機能、記録媒
体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有し
ていてもよい。
さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部に主として映像情報
を表示し、別の一つの表示部に主として文字情報を表示する機能、又は、複数の表示部に
視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有していてもよい
。
さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する
機能、撮影した画像を自動又は手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部に設
置、又は電子機器に内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を
有していてもよい。
本実施の形態において説明した電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有
する。本実施の形態の電子機器の表示部に、上記実施の形態で説明したゲートドライバ回
路、半導体装置、又は表示装置を適用することによって、信頼性の向上、歩留まりの向上
、コストの削減、表示部の大型化、表示部の高精細化、等を図ることができる。
次に、半導体装置の応用例を、図５７（Ｅ）〜図５７（Ｈ）を参照して説明する。
半導体装置を、建造物に設けた例について、図５７（Ｅ）及び図５７（Ｆ）を参照して
説明する。また、半導体装置を、移動体と一体にして設けた例について、図５７（Ｇ）及
び図５７（Ｈ）を参照して説明する。
図５７（Ｅ）において、半導体装置は、建造物である壁と一体にして設けている。図５
７（Ｅ）において、半導体装置は、筐体５０２２、表示部５０２３、操作部であるリモコ
ン装置５０２４、スピーカ５０２５等を含む。半導体装置は、建物の壁と一体となってい
るため、半導体装置を設置するためのスペースを広く要することなく設置できる。
図５７（Ｆ）において、半導体装置は、建造物であるユニットバス５０２７と一体にし
て設けられている。半導体装置を構成する表示パネル５０２６は、ユニットバス５０２７
と一体に取り付けられており、入浴者は表示パネル５０２６の視聴が可能になる。
なお、図５７（Ｅ）及び図５７（Ｆ）では、建造物として壁及びユニットバスを挙げた
が、他にも様々な建造物に半導体装置を設置することができる。
図５７（Ｇ）において、半導体装置は、自動車の車体５０２９の表示パネル５０２８に
取り付けられており、車体の動作又は車体内外から入力される情報をオンデマンドに表示
することができる。なお、半導体装置はナビゲーション機能を有していてもよい。
図５７（Ｈ）において、半導体装置は、旅客用飛行機と一体にして設けられている。図
５７（Ｈ）は、旅客用飛行機の座席上部の天井５０３０に表示パネル５０３１を設けたと
きの、使用時の形状について示した図である。表示パネル５０３１は、ヒンジ部５０３２
を介して天井５０３０と一体に取り付けられており、ヒンジ部５０３２の伸縮により乗客
は表示パネル５０３１の視聴が可能になる。表示パネル５０３１は乗客が操作することで
情報を表示する機能を有する。
なお、図５７（Ｇ）及び図５７（Ｈ）では、移動体として自動車、飛行機を示したが、
他にも自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）、電車（モノレール、鉄道等を
含む）、船舶、等の様々な移動体に半導体装置を設置することができる。
本実施例では、２つのゲートドライバ回路を有する半導体装置において、ゲート信号線
に出力される信号の遅延又はなまりが低減されることを、回路シミュレーションにより検
証する。
回路シミュレーションでは、上記実施の形態５の図３１（Ｂ）で説明した半導体装置を
用いた。図３１（Ｂ）に示す半導体装置において、配線１１１はゲート信号線、回路２０
０Ａ及び回路２００Ｂはそれぞれゲートドライバ回路に対応する。
また、図５９は、比較例として用いた半導体装置の回路図である。図５９において、回
路６２００は、トランジスタ６２０１、トランジスタ６２０２、トランジスタ６３０１、
トランジスタ６３０２、トランジスタ６４０１、及びトランジスタ６４０２を有する。
トランジスタ６２０１は、第１の端子が配線６１１２と接続され、第２の端子が配線６
１１１と接続され、ゲートがノードＣ１と接続される。トランジスタ６２０２は、第１の
端子が配線６１１３と接続され、第２の端子が配線６１１１と接続され、ゲートがノード
Ｃ２と接続される。
トランジスタ６３０１は、第１の端子が配線６１１４と接続され、第２の端子がノード
Ｃ１と接続され、ゲートが配線６１１４と接続される。トランジスタ６３０２は、第１の
端子が配線６１１３と接続され、第２の端子がノードＣ１と接続され、ゲートが配線６１
１６と接続される。トランジスタ６４０１は、第１の端子が配線６１１５と接続され、第
２の端子がノードＣ２と接続され、ゲートが配線６１１５と接続される。トランジスタ６
４０２は、第１の端子が配線６１１３と接続され、第２の端子がノードＣ２と接続され、
ゲートがトランジスタ６２０１のゲートと接続される。
図６０（Ａ）〜図６１に、回路シミュレーションによる計算結果を示す。なお、計算ソ
フトには、ＰＳｐｉｃｅを用いた。また、トランジスタのしきい値電圧を５Ｖ、電界効果
移動度を１ｃｍ２／Ｖｓと仮定した。さらに、クロック信号ＣＫ１の電圧振幅を３０Ｖ（
Ｈレベルの電位を３０Ｖ、Ｌレベルの電位を０Ｖ）、接地電位を０Ｖと仮定した。
ここで、図３１（Ｂ）におけるトランジスタ２０１Ａ及びトランジスタ２０１Ｂと、図
５９におけるトランジスタ６２０１とは、同じ特性のものを用いた。同様に、トランジス
タ２０２Ａとトランジスタ２０２Ｂとトランジスタ６２０２、トランジスタ３０１Ａとト
ランジスタ３０１Ｂとトランジスタ６３０１、トランジスタ３０２Ａとトランジスタ３０
２Ｂとトランジスタ６３０２、トランジスタ４０１Ａとトランジスタ４０１Ｂとトランジ
スタ６４０１、トランジスタ４０２Ａとトランジスタ４０２Ｂとトランジスタ６４０２、
はそれぞれ同じ特性のものを用いた。
また、図３１（Ｂ）における配線１１３Ａ及び配線１１３Ｂと、図５９における配線６
１１３には、同じ電圧を入力した。同様に、配線１１４Ａと配線１１４Ｂと配線６１１４
には、同じスタートパルス（ＳＰ）を入力し、配線１１６Ａと配線１１６Ｂと配線６１１
６には、同じリセット信号（ＲＥ）を入力した。また、配線１１５Ａには信号ＳＥＬＡを
入力し、配線１１５Ｂには信号ＳＥＬＢを入力した。配線６１１５には一定の電圧を入力
した。
図６０（Ａ）は、図３１（Ｂ）に示す回路図を用いた回路シミュレーションによる計算
結果であり、図６０（Ｂ）は、図５９に示す回路図を用いた回路シミュレーションによる
計算結果である。図６０（Ａ）において、ノードＡ１の電位Ｖａ１、ノードＡ２の電位Ｖ
ａ２、ノードＢ１のＶｂ１、ノードＢ２のＶｂ２、配線１１１の出力信号（ＯＵＴ）の電
位を示す。また、図６０（Ｂ）において、ノードＣ１の電位Ｖｃ１、ノードＣ２の電位Ｖ
ｃ２、信号線６１１１の出力信号（ＯＵＴ）の電位を示す。
また、図６１を用いて、図６０（Ａ）における配線１１１の出力信号（ＯＵＴ）の電位
と、図６０（Ｂ）における信号線６１１１の出力信号（ＯＵＴ）の電位とを比較する。
図６１に示すように、図６０（Ａ）の配線１１１に出力される出力信号（ＯＵＴ）の方
が、図６０（Ｂ）の信号線６１１１に出力される出力信号（ＯＵＴ）よりも、遅延が低減
されることが確認された。
１０Ａ 回路
１０Ｂ 回路
１０Ｃ 回路
１０Ｄ 回路
１１ 配線
５０ 画素部
５１ ゲートドライバ回路
５２ ゲートドライバ回路
５４ ゲート線
１００Ａ 回路
１００Ｂ 回路
１００Ｃ 回路
１００Ｄ 回路
１０１Ａ スイッチ
１０１Ｂ スイッチ
１０１Ｃ スイッチ
１０１Ｄ スイッチ
１０２Ａ スイッチ
１０２Ｂ スイッチ
１０２Ｃ スイッチ
１０２Ｄ スイッチ
１０３Ａ スイッチ
１０３Ｂ スイッチ
１１１ 配線
１１２ 配線
１１２Ａ 配線
１１２Ｂ 配線
１１２Ｃ 配線
１１２Ｄ 配線
１１３ 配線
１１３Ａ 配線
１１３Ｂ 配線
１１３Ｃ 配線
１１３Ｄ 配線
１１４Ａ 配線
１１４Ｂ 配線
１１５Ａ 配線
１１５Ｂ 配線
１１６Ａ 配線
１１６Ｂ 配線
１１７Ａ 配線
１１７Ｂ 配線
１１８Ａ 配線
１１８Ｂ 配線
１２１Ａ 経路
１２１Ｂ 経路
１２２Ａ 経路
１２２Ｂ 経路
２００Ａ 回路
２００Ｂ 回路
２０１Ａ トランジスタ
２０１Ｂ トランジスタ
２０１ｐＡ トランジスタ
２０１ｐＢ トランジスタ
２０２Ａ トランジスタ
２０２Ｂ トランジスタ
２０２ｐＡ トランジスタ
２０２ｐＢ トランジスタ
２０３Ａ 容量素子
２０３Ｂ 容量素子
２０４Ａ トランジスタ
２０４Ｂ トランジスタ
２０５Ａ トランジスタ
２０５Ｂ トランジスタ
２０６Ａ トランジスタ
２０６Ｂ トランジスタ
２０７Ａ トランジスタ
２０７Ｂ トランジスタ
２１１Ａ ダイオード
２１１Ｂ ダイオード
２１２Ａ ダイオード
２１２Ｂ ダイオード
３００Ａ 回路
３００Ｂ 回路
３０１Ａ トランジスタ
３０１Ｂ トランジスタ
３０１ｐＡ トランジスタ
３０１ｐＢ トランジスタ
３０２Ａ トランジスタ
３０２Ｂ トランジスタ
３０２ｐＡ トランジスタ
３０２ｐＢ トランジスタ
３１２Ａ ダイオード
３１２Ｂ ダイオード
４００Ａ 回路
４００Ｂ 回路
４０１Ａ トランジスタ
４０１Ｂ トランジスタ
４０１ｐＡ トランジスタ
４０１ｐＢ トランジスタ
４０２Ａ トランジスタ
４０２Ｂ トランジスタ
４０２ｐＡ トランジスタ
４０２ｐＢ トランジスタ
４０３Ａ 抵抗素子
４０３Ｂ 抵抗素子
４０４Ａ トランジスタ
４０４Ｂ トランジスタ
４０５Ａ トランジスタ
４０５Ｂ トランジスタ
４０６Ａ トランジスタ
４０６Ｂ トランジスタ
４０７Ａ トランジスタ
４０７Ｂ トランジスタ
４０８Ａ トランジスタ
４０８Ｂ トランジスタ
４０９Ａ トランジスタ
４０９Ｂ トランジスタ
４１２Ａ ダイオード
４１２Ｂ ダイオード
５００Ａ 回路
５００Ｂ 回路
５０１Ａ トランジスタ
５０１Ｂ トランジスタ
５０２Ａ トランジスタ
５０２Ｂ トランジスタ
９０１ 導電層
９０２ 半導体層
９０３ 導電層
９０４ 導電層
９０５ コンタクトホール
１００１ 回路
１００２ 回路
１００２ａ 回路
１００２ｂ 回路
１００３ 回路
１００４ 画素部
１００５ 端子
１００６ 基板
１１００Ａ シフトレジスタ
１１００Ｂ シフトレジスタ
１１０１Ａ フリップフロップ
１１０１Ｂ フリップフロップ
１１１１ 配線
１１１２ 配線
１１１２Ａ 配線
１１１２Ｂ 配線
１１１３ 配線
１１１３Ａ 配線
１１１３Ｂ 配線
１１１４ 配線
１１１４Ａ 配線
１１１４Ｂ 配線
１１１５Ａ 配線
１１１５Ｂ 配線
１１１６ 配線
１１１６Ａ 配線
１１１６Ｂ 配線
１１１９ 配線
１１１９Ａ 配線
１１１９Ｂ 配線
２００１ 回路
２００２ 回路
２００３ トランジスタ
２００４ 配線
２００５ 配線
２００６Ａ ゲートドライバ回路
２００６Ｂ ゲートドライバ回路
２００７ 画素部
２００８ ソース線
２０１４ 信号
２０１５ 信号
３０００ 保護回路
３００１ トランジスタ
３００２ トランジスタ
３００３ トランジスタ
３００４ トランジスタ
３００５ 容量素子
３００６ 抵抗素子
３００７ 容量素子
３００８ 抵抗素子
３０１１ 配線
３０１２ 配線
３０１３ 配線
３０２０ 画素
３０２１ トランジスタ
３０２２ 液晶素子
３０２３ 容量素子
３０３１ 配線
３０３２ 配線
３０３３ 配線
３０３４ 電極
３１００ ゲートドライバ回路
３１０１ａ 端子
３１０１ｂ 端子
３１０１ｃ 端子
３１０１ｄ 端子
３１０２ ゲート線
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
５０１８ 支持台
５０１９ 外部接続ポート
５０２０ ポインティングデバイス
５０２１ リーダ／ライタ
５０２２ 筐体
５０２３ 表示部
５０２４ リモコン装置
５０２５ スピーカ
５０２６ 表示パネル
５０２７ ユニットバス
５０２８ 表示パネル
５０２９ 車体
５０３０ 天井
５０３１ 表示パネル
５０３２ ヒンジ部
５０３３ 光源
５０３４ 投射レンズ
５１０２ 画素部
５１０８ ゲートドライバ回路
５１１０ ゲートドライバ回路
５１１２ ソースドライバ回路
５２６０ 基板
５２６１ 絶縁層
５２６２ 半導体層
５２６２ａ 領域
５２６２ｂ 領域
５２６２ｃ 領域
５２６２ｄ 領域
５２６２ｅ 領域
５２６３ 絶縁層
５２６４ 導電層
５２６５ 絶縁層
５２６６ 導電層
５２６７ 絶縁層
５２６８ 導電層
５２６９ 絶縁層
５２７０ ＥＬ層
５２７１ 導電層
５３００ 基板
５３０１ 導電層
５３０２ 絶縁層
５３０３ａ 半導体層
５３０３ｂ 半導体層
５３０４ 導電層
５３０５ 絶縁層
５３０６ 導電層
５３０７ 液晶層
５３０８ 導電層
５３５０ 領域
５３５１ 領域
５３５２ 半導体基板
５３５３ 領域
５３５４ 絶縁層
５３５５ 領域
５３５６ 絶縁層
５３５７ 導電層
５３５８ 絶縁層
５３５９ 導電層
５３９２ 駆動回路
５３９３ 画素部
５４００ 基板
５４０１ 導電層
５４０２ 絶縁層
５４０３ａ 半導体層
５４０３ｂ 半導体層
５４０４ 導電層
５４０５ 絶縁層
５４０６ 導電層
５４０７ 液晶層
５４０８ 絶縁層
５４０９ 導電層
５４１０ 基板
６１１１ 配線
６１１２ 配線
６１１３ 配線
６１１４ 配線
６１１５ 配線
６１１６ 配線
６２００ 回路
６２０１ トランジスタ
６２０２ トランジスタ
６３０１ トランジスタ
６３０２ トランジスタ
６４０１ トランジスタ
６４０２ トランジスタ

Claims (5)

  1. 第１のゲートドライバ回路と、第２のゲートドライバ回路と、前記第１のゲートドライバ回路と前記第２のゲートドライバ回路との間の画素部と、ゲート線と、を有し、
    前記第１のゲートドライバ回路は、第１のトランジスタ乃至第１０のトランジスタを有し、
    前記第２のゲートドライバ回路は、第１１のトランジスタ乃至第２０のトランジスタを有し、
    前記第１のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記ゲート線と電気的に接続され、かつ、ソース又はドレインの他方が第１の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記ゲート線と電気的に接続され、かつ、ソース又はドレインの他方に第１の電源電位が与えられ、
    前記第３のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、かつ、ソースまたはドレインの他方が第３の配線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が第２の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第３の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第２の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、かつ、ソースまたはドレインの他方が第４の配線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第２の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが第５の配線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第２の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が第６の配線と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第１の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１１のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記ゲート線と電気的に接続され、かつ、ソース又はドレインの他方が第７の配線と電気的に接続され、
    前記第１２のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記ゲート線と電気的に接続され、かつ、ソース又はドレインの他方に第２の電源電位が与えられ、
    前記第１３のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、かつ、ソースまたはドレインの他方が第９の配線と電気的に接続され、
    前記第１４のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が第８の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１５のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第９の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第９の配線と電気的に接続され、
    前記第１６のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第８の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１７のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、かつ、ソースまたはドレインの他方が第１０の配線と電気的に接続され、
    前記第１８のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第８の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが第１１の配線と電気的に接続され、
    前記第１９のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第８の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第２０のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が第１２の配線と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第７の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続される表示装置。
  2. 第１のゲートドライバ回路と、第２のゲートドライバ回路と、前記第１のゲートドライバ回路と前記第２のゲートドライバ回路との間の画素部と、ゲート線と、を有し、
    前記第１のゲートドライバ回路は、第１のトランジスタ乃至第１０のトランジスタを有し、
    前記第２のゲートドライバ回路は、第１１のトランジスタ乃至第２０のトランジスタを有し、
    前記第１のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記ゲート線と電気的に接続され、かつ、ソース又はドレインの他方が第１の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記ゲート線と電気的に接続され、かつ、ソース又はドレインの他方に第１の電源電位が与えられ、
    前記第３のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、かつ、ソースまたはドレインの他方が第３の配線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が第２の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第３の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第２の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、かつ、ソースまたはドレインの他方が第４の配線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第２の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが第５の配線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第２の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が第６の配線と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第１の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１１のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記ゲート線と電気的に接続され、かつ、ソース又はドレインの他方が第７の配線と電気的に接続され、
    前記第１２のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記ゲート線と電気的に接続され、かつ、ソース又はドレインの他方に第２の電源電位が与えられ、
    前記第１３のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、かつ、ソースまたはドレインの他方が第９の配線と電気的に接続され、
    前記第１４のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が第８の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１５のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第９の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第９の配線と電気的に接続され、
    前記第１６のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第８の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第１７のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、かつ、ソースまたはドレインの他方が第１０の配線と電気的に接続され、
    前記第１８のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第８の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが第１１の配線と電気的に接続され、
    前記第１９のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第８の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第２０のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が第１２の配線と電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第７の配線と電気的に接続され、かつ、ゲートが前記第１１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
    前記第３の配線に入力される信号は、前記第９の配線に入力される信号と異なり、
    前記第１の配線に入力される信号は、前記第７の配線に入力される信号と同じである表示装置。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記第１の配線は、前記第７の配線と電気的に接続される表示装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記第１の電源電位は、前記第２の電源電位と同じである表示装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記第２の配線は、前記第８の配線と電気的に接続される表示装置。
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