JP6934025B2 - シリコン析出用芯線、該芯線の製造方法、および多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の一実施の形態に係るシリコン析出用芯線(以下、単に「シリコン芯線」と称する)についての理解の一助のために、先ず、図1の(a)、(b)、および図2を用いて、シーメンス法において用いられる多結晶シリコンロッドの製造設備の一例について概説する。図1の(a)は、上記多結晶シリコンロッドの製造設備の一例としての多結晶シリコン製造用反応器の構造を概略的に示す断面図である。図1の(b)は、上記反応器の内部に立設される、シリコン芯線からなるシリコン析出用部材を示す斜視図である。図2は、上記反応器の内部を概略的に示す斜視図である。なお、図2では、反応器のカバーを除去した状態を示している。
従来、シーメンス法による多結晶シリコンの製造において、生産効率を向上させるために、シリコン芯線を予備加熱する、昇温速度を速くする、反応器内の温度および圧力を高くする、原料ガスの供給量を多くする、並びに、多結晶シリコンロッドの径を大きくする、等の種々の技術が提案され、適用されている。
本発明の実施の形態におけるシリコン芯線について、図3を参照しながら説明する。図3の(a)は、本シリコン芯線を製造する素材としての多結晶シリコンインゴットの横断面図である。図3の(b)は、本シリコン芯線の長手方向の側面を示す模式図である。
上記多結晶シリコンインゴットを切断して、多結晶シリコンの棒状体を切り出し、シリコン芯線を得る。このとき、切り出し後のシリコン芯線の外形および垂直断面における形状としては、特に限定されない。シリコン芯線は、上記反応器1(図1の(a)参照)内に立設して、シーメンス法による多結晶シリコンの製造を行ったとき、所望の径の多結晶シリコンロッド8が得られる形であればよい。
本シリコン芯線の格子間酸素濃度の範囲は、昇温時における変形を防ぐという観点から、10ppma以上40ppma以下である。また、上記格子間酸素濃度の範囲は、15ppma以上35ppma以下、さらには20ppma以上30ppma以下であることがより好ましい。
図3の(b)を用いて本シリコン芯線に含まれる結晶について説明する。本シリコン芯線は、シリコン結晶の集合体としての多結晶シリコンからなる棒状体である。図3の(b)に示すように、本シリコン芯線の長手方向の側面において、最大辺長が1mm以上の単結晶粒が多数観察される。
本シリコン芯線は、900℃における降伏応力が、1cm2あたり150MPa以上であることが好ましい。このような機械特性(高温時における強度)は、シリコン芯線が多結晶シリコンからなる棒状体であること、および格子間酸素濃度が上記所定範囲内であることにより、得ることができる。上記構成によれば、高温時における熱変形を抑制することができ、反応初期から高温条件下でシリコンの析出工程を行うことができる。降伏応力とは、応力と変形量とが比例しなくなり、永久ひずみを生じる応力を意味する。
本シリコン芯線は、リンおよびボロンの総濃度(ドーパント濃度)が1ppba以下であることが好ましい。この場合、該シリコン芯線を用いて、シーメンス法により得られる多結晶シリコンの純度をより高純度にすることができる。そのため、半導体用途に好適に用いることができる。
本シリコン芯線の製造方法の一例について、図4を参照しながら説明する。図4は、本シリコン芯線の製造方法の一例を説明するための図である。
本インゴット製造工程では、一般に、チョクラルスキー法において用いられる公知の多結晶シリコンインゴット引上げ装置(以下、インゴット製造装置と称する)を用いることができ、該インゴット製造装置の構造は特に限定されない。
多結晶シリコンインゴットの切断工程では、図4において「(1)多結晶シリコンインゴットの切断」として示すように、本実施の形態の方法にて製造した多結晶シリコンインゴット20を、以下のように切断する。すなわち、多結晶シリコンインゴット20から複数の平板が切り出されるように、その長手方向に並行な方向にて切断する。換言すれば、切り出された平板の長手方向が、多結晶シリコンインゴット20の製造における引き上げ方向となるように、多結晶シリコンインゴット20を切断する。
芯線の切り出し工程では、図4において「(2)芯線の切り出し」として示すように、上記多結晶シリコンインゴット20から切り出された平板21を、さらに切断して棒状体を切り出す。この棒状体の形状は、特に限定されない。
後処理工程では、図4において「(3)後処理」として示すように、上記切り出された棒状体について、後処理を行い、シリコン芯線11を製造する。
本発明の一態様における多結晶シリコンの製造方法では、以上に説明したシリコン芯線が連結されたシリコン析出用部材10(シリコン析出用芯線)を、反応器1の底板(底盤)2に設けた少なくとも一対の電極4間に架橋する工程(架橋工程)と、反応器1にシラン化合物のガスと水素とを含む原料ガスを供給しながらシリコン析出用部材10に通電して加熱し、シリコン析出用部材10の表面にシリコンを析出させる工程(析出工程)と、を含む。
上述の方法によって、シリコン析出用部材10の表面に多結晶シリコンを析出させて、多結晶シリコンロッド8を得る。
以上のように、本発明は以下の発明を包含する。
以下に述べるチョクラルスキー法の手順に沿って、多結晶シリコンインゴットを製造した。先ず、石英製坩堝内へ、ドーパント濃度1ppba以下である高純度の多結晶シリコンを55kg投入した。上記坩堝を、チョクラルスキー型引上げ炉に設置し、結晶の育成を行った。得られた直径100mm、および長さ2400mmの多結晶シリコンインゴットを8mm角に切り出して、シリコン芯線を得た。
シリコン芯線における高温時の撓み量、および塑性変形量の評価方法について、図5を用いて説明する。図5に示すように、短手方向の径が8mm(8mm角)のシリコン芯線11の一端側を保持部材30にて保持および固定した。ここで、シリコン芯線11における、保持部材30にて保持されていない部分の長さを1mとした。シリコン芯線11の長手方向が、水平方向(重力方向に対して直角をなす方向)となるように、シリコン芯線11および保持部材30を配置した状態を維持して、900℃で1時間加熱した。
チョクラルスキー法において、種結晶として単結晶シリコンを用いること以外は実施例1と同様の手順に従って、単結晶シリコンインゴットおよびシリコン芯線を得た。また、得られたシリコン芯線の物性について、実施例1と同様の手法により評価した。
以下に述べるHEM法の手順に沿って、多結晶シリコンインゴットを製造した。先ず、石英製坩堝内へ、ドーパント濃度1ppba以下である高純度の多結晶シリコンを500kg投入した。上記坩堝を、HEM型精製炉に設置し、多結晶シリコンの融点以上に昇温させた。多結晶シリコンを融解後、坩堝底部からの一方向凝固により、結晶方向がランダムに配置された、長さが2700mm、幅が約300mm、および高さが約300mmの多結晶インゴットを得た。得られた多結晶シリコンインゴットを8mm角に切り出して、長手方向の平均酸素濃度が50ppmaであるシリコン芯線を得た。
シーメンス法を用いて多結晶シリコンロッドおよびシリコン芯線を得た。
2 底板(底盤)
3 カバー
4 電極
8 多結晶シリコンロッド
10 シリコン析出用部材
11 シリコン芯線(シリコン析出用芯線)
Claims (7)
- 多結晶シリコンの棒状体からなり、
前記多結晶シリコンは、
格子間酸素濃度が10ppma以上40ppma以下であり、かつ、
棒状体の長手方向の側面において、結晶粒径が1mm以上の結晶粒が観察されることを特徴とするシリコン析出用芯線。 - 前記多結晶シリコンは、前記棒状体の長手方向における格子間酸素濃度の分布が、長手方向の任意の箇所を基準とした場合に、±5ppma/m以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン析出用芯線。
- 前記シリコン析出用芯線は、900℃における降伏応力が、1cm2あたり150MPa以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコン析出用芯線。
- 前記多結晶シリコンは、リンおよびボロンの総濃度が1ppba以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のシリコン析出用芯線。
- 前記シリコン析出用芯線は、断面積が0.1cm2以上6cm2以下であり、長さが0.5m以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のシリコン析出用芯線。
- 種結晶として多結晶シリコンを用いたチョクラルスキー法により、結晶粒径が1mm以上の結晶粒を含み、かつ格子間酸素濃度が10ppma以上40ppma以下である多結晶シリコンインゴットを製造するインゴット製造工程と、
前記多結晶シリコンインゴットを棒状体に加工する加工工程と、を含むことを特徴とするシリコン析出用芯線の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載のシリコン析出用芯線を、多結晶シリコン製造用反応器の底盤に設けた少なくとも一対の電極間に架橋する工程と、
前記多結晶シリコン製造用反応器にシラン化合物のガスと水素とを含む原料ガスを供給しながら前記シリコン析出用芯線に通電して加熱し、前記シリコン析出用芯線の表面にシリコンを析出させる工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
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