RU2011139137A - Стержень поликристаллического кремния и устройство для его получения - Google Patents
Стержень поликристаллического кремния и устройство для его получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011139137A RU2011139137A RU2011139137/05A RU2011139137A RU2011139137A RU 2011139137 A RU2011139137 A RU 2011139137A RU 2011139137/05 A RU2011139137/05 A RU 2011139137/05A RU 2011139137 A RU2011139137 A RU 2011139137A RU 2011139137 A RU2011139137 A RU 2011139137A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon core
- specified
- polycrystalline silicon
- silicon
- electrodes
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract 2
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
- B01J4/002—Nozzle-type elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4418—Methods for making free-standing articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
- Y10T428/2933—Coated or with bond, impregnation or core
- Y10T428/2938—Coating on discrete and individual rods, strands or filaments
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Стержень поликристаллического кремния, получаемый путем осаждения и наращивания кремния способом химического осаждения из газовой (паровой) фазы на кремниевый сердцевинный элемент, который включает пару кремниевых сердцевинных нитей, установленных на электроды, и перемычную нить, соединяющую верхние концы указанных кремниевых сердцевинных нитей, при этом указанный стержень поликристаллического кремния имеет прямые части тела, осаждаемые и наращиваемые на указанные сердцевинные нити, и перемычную часть, осаждаемую на указанную перемычную нить;в котором прямые части тела указанного кремниевого стержня имеют диаметральный профиль в их продольном направлении, и минимальный диаметр в указанных прямых частях тела составляет от 60% до 95% их максимального диаметра.2. Стержень поликристаллического кремния по п.1, в котором углубление сформировано на области прямых частей тела, близкой к электродам, а самая глубокая область в углублении представляет собой область, имеющую минимальный диаметр.3. Стержень поликристаллического кремния по п.2, в котором указанные прямые части тела и указанная перемычная часть отделяются резанием с сохранением углублений с целью их использования для переноса.4. Стержень поликристаллического кремния по п.1, в котором диаметр указанной прямой части тела постепенно возрастает по направлению от верхнего конца к нижнему концу.5. Устройство для получения стержня поликристаллического кремния, включающее нижнюю плиту, удерживающую пару электродов; П-образный кремниевый сердцевинный элемент, который содержит пару кремниевых сердцевинных нитей и перемычную нить, соединяющую верхние кон
Claims (6)
1. Стержень поликристаллического кремния, получаемый путем осаждения и наращивания кремния способом химического осаждения из газовой (паровой) фазы на кремниевый сердцевинный элемент, который включает пару кремниевых сердцевинных нитей, установленных на электроды, и перемычную нить, соединяющую верхние концы указанных кремниевых сердцевинных нитей, при этом указанный стержень поликристаллического кремния имеет прямые части тела, осаждаемые и наращиваемые на указанные сердцевинные нити, и перемычную часть, осаждаемую на указанную перемычную нить;
в котором прямые части тела указанного кремниевого стержня имеют диаметральный профиль в их продольном направлении, и минимальный диаметр в указанных прямых частях тела составляет от 60% до 95% их максимального диаметра.
2. Стержень поликристаллического кремния по п.1, в котором углубление сформировано на области прямых частей тела, близкой к электродам, а самая глубокая область в углублении представляет собой область, имеющую минимальный диаметр.
3. Стержень поликристаллического кремния по п.2, в котором указанные прямые части тела и указанная перемычная часть отделяются резанием с сохранением углублений с целью их использования для переноса.
4. Стержень поликристаллического кремния по п.1, в котором диаметр указанной прямой части тела постепенно возрастает по направлению от верхнего конца к нижнему концу.
5. Устройство для получения стержня поликристаллического кремния, включающее нижнюю плиту, удерживающую пару электродов; П-образный кремниевый сердцевинный элемент, который содержит пару кремниевых сердцевинных нитей и перемычную нить, соединяющую верхние концы указанных кремниевых сердцевинных нитей, нижние концы указанных кремниевых сердцевинных нитей удерживаются и установлены на указанной паре электродов; и вакуумный колпак, накрывающий нижнюю плиту, для вмещения указанных кремниевых сердцевинных элементов внутри него; при этом газоподающая трубка и газоотводящая трубка проходят сквозь указанную нижнюю плиту внутрь реакционной камеры, образованной указанным вакуумным колпаком и указанной нижней плитой, характеризующееся тем, что газовпускная форсунка предусмотрена на конце указанной газоподающей трубки, и боковые впускные отверстия сформированы в указанной газовпускной форсунке для впуска газа в поперечном направлении параллельно верхней поверхности указанной нижней плиты.
6. Производственное устройство по п.5, в котором верхнее впускное отверстие сформировано наряду с указанными боковыми впускными отверстиями в указанной газовпускной форсунке для впуска газа по направлению вверх, перпендикулярно верхней поверхности указанной нижней плиты.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009-046498 | 2009-02-27 | ||
| JP2009046498 | 2009-02-27 | ||
| PCT/JP2010/052760 WO2010098319A1 (ja) | 2009-02-27 | 2010-02-23 | 多結晶シリコンロッド及びその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011139137A true RU2011139137A (ru) | 2013-04-10 |
Family
ID=42665526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011139137/05A RU2011139137A (ru) | 2009-02-27 | 2010-02-23 | Стержень поликристаллического кремния и устройство для его получения |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110274926A1 (ru) |
| EP (1) | EP2402287B1 (ru) |
| JP (1) | JP5651104B2 (ru) |
| KR (1) | KR101671546B1 (ru) |
| CN (1) | CN102300808B (ru) |
| MY (1) | MY156693A (ru) |
| RU (1) | RU2011139137A (ru) |
| TW (1) | TWI454599B (ru) |
| WO (1) | WO2010098319A1 (ru) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2271788A2 (en) * | 2008-03-26 | 2011-01-12 | GT Solar Incorporated | Systems and methods for distributing gas in a chemical vapor deposition reactor |
| JP5751748B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2015-07-22 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン塊群および多結晶シリコン塊群の製造方法 |
| DE102010003064A1 (de) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Wacker Chemie Ag | Graphitelektrode |
| MY163182A (en) * | 2011-01-21 | 2017-08-15 | Shinetsu Chemical Co | Apparatus for producing polycrystalline silicon and method for producing polycrystalline silicon |
| JP5699060B2 (ja) | 2011-09-20 | 2015-04-08 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法 |
| DE102011084137A1 (de) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Abscheidung von polykristallinemSilicium |
| JP5719282B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2015-05-13 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法 |
| KR101281102B1 (ko) * | 2011-12-19 | 2013-07-02 | 한화케미칼 주식회사 | 폴리실리콘의 제조 방법 |
| JP5829547B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2015-12-09 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒および多結晶シリコン製造装置 |
| JP6038625B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2016-12-07 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンロッドの製造方法と製造装置 |
| JP5984741B2 (ja) * | 2013-05-28 | 2016-09-06 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の選択方法、および、ｆｚ単結晶シリコンの製造方法 |
| DE102014201096A1 (de) | 2014-01-22 | 2015-07-23 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
| JP5859626B2 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-02-10 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコンの製造方法 |
| JP6345108B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-06-20 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒、多結晶シリコン棒の加工方法、多結晶シリコン棒の結晶評価方法、および、ｆｚ単結晶シリコンの製造方法 |
| KR101895526B1 (ko) * | 2015-08-28 | 2018-09-05 | 한화케미칼 주식회사 | 폴리실리콘 제조 장치 |
| AT518081B1 (de) * | 2015-12-22 | 2017-07-15 | Sico Tech Gmbh | Injektor aus Silizium für die Halbleiterindustrie |
| JP6216029B2 (ja) * | 2016-12-14 | 2017-10-18 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の製造方法 |
| JP2018123033A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の製造方法および多結晶シリコン棒 |
| TWI791486B (zh) * | 2017-02-20 | 2023-02-11 | 日商德山股份有限公司 | 多晶矽的製造方法 |
| KR102620589B1 (ko) * | 2018-04-05 | 2024-01-02 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | 다결정 실리콘 로드의 제조 방법 및 반응로 |
| AT520629B1 (de) * | 2018-05-22 | 2019-06-15 | Sico Tech Gmbh | Injektor aus Silizium für die Halbleiterindustrie |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2321186B2 (de) * | 1973-04-26 | 1979-03-08 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen eines Silicium- oder Siliciumcarbid-Rohres |
| DE2322952C3 (de) * | 1973-05-07 | 1979-04-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von Horden für die Aufnahme von Kristallscheiben bei Diffusions- und Temperprozessen |
| JPS53108029A (en) * | 1977-03-03 | 1978-09-20 | Komatsu Mfg Co Ltd | Method of making high purity silicon having uniform shape |
| JPS59115739A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Tokuyama Soda Co Ltd | 反応装置 |
| US4805556A (en) * | 1988-01-15 | 1989-02-21 | Union Carbide Corporation | Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane |
| JPH0729874B2 (ja) * | 1989-11-04 | 1995-04-05 | コマツ電子金属株式会社 | 多結晶シリコン製造装置の芯線間接続用ブリッジ |
| JPH08310892A (ja) * | 1995-05-16 | 1996-11-26 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体単結晶製造における供給素材 |
| US6544333B2 (en) * | 1997-12-15 | 2003-04-08 | Advanced Silicon Materials Llc | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
| US6835247B2 (en) * | 2000-10-31 | 2004-12-28 | Advanced Silicon Materials Llc | Rod replenishment system for use in single crystal silicon production |
| US6676916B2 (en) * | 2001-11-30 | 2004-01-13 | Advanced Silicon Materials Llc | Method for inducing controlled cleavage of polycrystalline silicon rod |
| JP2004149324A (ja) | 2002-10-28 | 2004-05-27 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 多結晶シリコンロッド及びその製造方法、並びにそのロッドの製造に使用されるシリコン芯材 |
| JP3881647B2 (ja) | 2003-10-07 | 2007-02-14 | 住友チタニウム株式会社 | 多結晶シリコンロッド及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-02-23 WO PCT/JP2010/052760 patent/WO2010098319A1/ja active Application Filing
- 2010-02-23 JP JP2011501601A patent/JP5651104B2/ja active Active
- 2010-02-23 US US13/143,797 patent/US20110274926A1/en not_active Abandoned
- 2010-02-23 CN CN2010800059128A patent/CN102300808B/zh active Active
- 2010-02-23 EP EP10746200.4A patent/EP2402287B1/en active Active
- 2010-02-23 RU RU2011139137/05A patent/RU2011139137A/ru unknown
- 2010-02-23 MY MYPI2011003218A patent/MY156693A/en unknown
- 2010-02-23 KR KR1020117017647A patent/KR101671546B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-25 TW TW099105393A patent/TWI454599B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MY156693A (en) | 2016-03-15 |
| CN102300808A (zh) | 2011-12-28 |
| KR101671546B1 (ko) | 2016-11-01 |
| JPWO2010098319A1 (ja) | 2012-08-30 |
| US20110274926A1 (en) | 2011-11-10 |
| EP2402287A1 (en) | 2012-01-04 |
| TWI454599B (zh) | 2014-10-01 |
| EP2402287B1 (en) | 2018-10-17 |
| WO2010098319A1 (ja) | 2010-09-02 |
| CN102300808B (zh) | 2013-08-21 |
| JP5651104B2 (ja) | 2015-01-07 |
| KR20110132320A (ko) | 2011-12-07 |
| TW201100597A (en) | 2011-01-01 |
| EP2402287A4 (en) | 2015-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011139137A (ru) | Стержень поликристаллического кремния и устройство для его получения | |
| JP4185015B2 (ja) | 気化原料の供給構造、原料気化器及び反応処理装置 | |
| CN102428028B (zh) | 用于硅生长棒的容纳锥形件 | |
| RU2013132691A (ru) | Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала | |
| JP4764457B2 (ja) | 原料気化器及び反応処理装置 | |
| RU2013141033A (ru) | Инжектор для водного раствора мочевины | |
| MY175674A (en) | Process for production of polycrystalline silicon | |
| KR101938296B1 (ko) | 화학 기상 증착 시스템을 위한 척 및 그 관련 방법 | |
| CN109518158A (zh) | 一种石墨烯薄膜宏量制备方法 | |
| JP6082914B2 (ja) | アンモニアの精製方法 | |
| KR20100067936A (ko) | 기화기 | |
| CN102424957A (zh) | 一种气相沉积用多层制品支架及化学气相沉积反应室 | |
| CN109477217A (zh) | 气相工艺用再热捕集装置 | |
| JP6187503B2 (ja) | 金属蒸気供給装置、金属／金属化合物製造装置、ＧａＮ単結晶の製造方法、及びナノ粒子の製造方法 | |
| KR20200139160A (ko) | 다결정 실리콘 로드의 제조 방법 및 반응로 | |
| CN205177803U (zh) | 一种石墨舟 | |
| CN204702805U (zh) | 一种弧形石英支架 | |
| CN101701333A (zh) | 一种矩形化学气相沉积反应器 | |
| CN103272458A (zh) | 一种废气净化塔 | |
| CN112736173B (zh) | 一种复合衬底、其制备方法及半导体器件 | |
| EA031690B1 (ru) | Конструкция змеевиков охлаждения для реакторов окисления или аммоксидирования | |
| MY189282A (en) | Polysilicon manufacturing apparatus | |
| CN204767482U (zh) | 一种微填料减压浓缩设备 | |
| CN211069042U (zh) | 一种多功能制盐蒸发设备 | |
| CN101752170B (zh) | 组合式放电等离子体反应器放电电极及其结构调整方法 |