JP2018123033A - 多結晶シリコン棒の製造方法および多結晶シリコン棒 - Google Patents
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Abstract
Description
シーメンス法による多結晶シリコン棒の育成(析出)においては、シリコン芯線に電流を流して約1000〜1100℃に加熱し、原料ガスを供給してシリコン芯線の表面に多結晶シリコンを析出させることで多結晶シリコン棒の径が拡大してゆく。この工程において、多結晶シリコン棒の直径が約100mmを超える時点で、中心温度(Tc)と表面温度(Ts)の差ΔT(=Tc−Ts)が大きくなる。
本発明においては、多結晶シリコン棒の表面で受容された輻射熱を、熱伝導により、多結晶シリコン棒の中心部にまで到達させることで全体の温度を上昇させる。従って、析出中の多結晶シリコン棒の、表面から中心に向かう方向での熱伝導性が高い場合に、本発明の効果が顕著となる。
本発明者らは、特許文献5において、多結晶シリコン棒中の残留応力が圧縮性のものである場合には、例えばFZ法によるシリコン単結晶の育成の際の倒壊や落下といったトラブルが発生しないことを既に報告済みである。よって、単結晶シリコン製造用原料としての多結晶シリコンは、残留応力が圧縮性のものであることが好ましいが、下記に示すように、上記ブラッグ反射強度比が多結晶シリコン棒の径方向の全域において1.0未満である多結晶シリコン棒は、当該条件を満足するとの結論に至った。
また、多結晶シリコン棒中に内在する残留応力を圧縮性のものとするためには、析出工程中の多結晶シリコン棒の表面を、隣接する多結晶シリコン棒の表面からの輻射により加熱して、析出工程中の多結晶シリコン棒の中心温度(Tc)との表面温度(Ts)の差ΔT(=Tc−Ts)を100℃以下に制御することが好ましいとの結論にも至った。
Claims (6)
- 反応炉内に複数対のシリコン芯線を配置してシーメンス法により多結晶シリコン棒を製造するに際し、多結晶シリコン棒の析出工程後の直径の平均値がD(mm)とし、前記複数対のシリコン芯線の相互間隔をL(mm)としたときに、D/Lの値を0.40以上で0.90以下の範囲に設定する、多結晶シリコン棒の製造方法。
- 前記析出工程中の多結晶シリコン棒の表面を、隣接する多結晶シリコン棒の表面からの輻射により加熱して、前記析出工程中の多結晶シリコン棒の中心温度(Tc)との表面温度(Ts)の差ΔT(=Tc−Ts)を100℃以下に制御する、請求項1に記載の多結晶シリコン棒の製造方法。
- 前記平均値Dは150mm以上である、請求項1または2に記載の多結晶シリコン棒の製造方法。
- 析出工程後の半径の平均値がR(mm)である多結晶シリコン棒であって、前記多結晶シリコン棒の径方向に垂直な断面を主面とする板状試料を採取してX線回折(以下、XRD)測定したときに、X線照射領域が前記板状試料の主面上をφスキャンするように該板状試料の中心を回転中心として面内回転させて得られたミラー指数面<111>からのブラッグ反射強度(I<111>)とミラー指数面<220>からのブラッグ反射強度(I<220>)との比(I<111>/I<220>)が、前記径方向の全域において1.0未満である、多結晶シリコン棒。
- 前記多結晶シリコン棒の成長方向におけるR/2〜Rの領域において針状結晶が生成している、請求項4に記載の多結晶シリコン棒。
- 請求項5に記載の多結晶シリコン棒を原料として使用する単結晶シリコンの製造方法。
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