JPS59115739A - 反応装置 - Google Patents
反応装置Info
- Publication number
- JPS59115739A JPS59115739A JP22394582A JP22394582A JPS59115739A JP S59115739 A JPS59115739 A JP S59115739A JP 22394582 A JP22394582 A JP 22394582A JP 22394582 A JP22394582 A JP 22394582A JP S59115739 A JPS59115739 A JP S59115739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wall material
- reaction
- reaction chamber
- reflective film
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0006—Controlling or regulating processes
- B01J19/0013—Controlling the temperature of the process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00074—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids
- B01J2219/00087—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids with heat exchange elements outside the reactor
- B01J2219/00094—Jackets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00132—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
- B01J2219/00135—Electric resistance heaters
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反応室内に設けた芯棒に化学反応によって生成
する結晶を付着させるような反応Ｋ特に適した新規な反
応装置に関する。詳しくはガス入口及びガス出口を有す
る室枠と壁材で反応室を構成し、該反応室内に電導性棒
の両端が１対の電源端子に接続されて構成された通電部
を設は且つ壁材は外面に反射膜を設けた透明石英で構成
してなる反応装置である。
する結晶を付着させるような反応Ｋ特に適した新規な反
応装置に関する。詳しくはガス入口及びガス出口を有す
る室枠と壁材で反応室を構成し、該反応室内に電導性棒
の両端が１対の電源端子に接続されて構成された通電部
を設は且つ壁材は外面に反射膜を設けた透明石英で構成
してなる反応装置である。
反応装置は対象反応忙応じて種々のものが知られている
。例えば反応室内に設けた芯棒に高温下で化学反応を起
し、生成する結晶を該芯棒に付着成長させる反応例えば
反応室内でトリクロルシランを水素で還元、熱分解し、
シリコンを予め設けた芯棒に、成長させる反応等の反応
装置は耐食性で、耐熱性のものが使用されている。更に
具体的にはガス入口及びガス出口を有する室枠と壁材で
反応室を構成し、該反応室内に電導性棒の両端が１対の
電源端子に接続されて構成された反応装置が知られてい
る。この場合電源から通電される電流は、電導性棒の抵
抗のため、該電導性棒で熱エネルギーに代えられ、高温
の反応温度を保持する。また上記高温下での反応はしば
しば腐食性ガスの発生を伴う。従って壁材は耐食性で耐
熱性であるステンレス又は不透明石英が使用されている
。しかし後者即ち不透明石英を壁材とＩ−ようとすれば
壁利自身が熱を吸収するため熱源のロスをまぬがれるこ
とが出来ない。
。例えば反応室内に設けた芯棒に高温下で化学反応を起
し、生成する結晶を該芯棒に付着成長させる反応例えば
反応室内でトリクロルシランを水素で還元、熱分解し、
シリコンを予め設けた芯棒に、成長させる反応等の反応
装置は耐食性で、耐熱性のものが使用されている。更に
具体的にはガス入口及びガス出口を有する室枠と壁材で
反応室を構成し、該反応室内に電導性棒の両端が１対の
電源端子に接続されて構成された反応装置が知られてい
る。この場合電源から通電される電流は、電導性棒の抵
抗のため、該電導性棒で熱エネルギーに代えられ、高温
の反応温度を保持する。また上記高温下での反応はしば
しば腐食性ガスの発生を伴う。従って壁材は耐食性で耐
熱性であるステンレス又は不透明石英が使用されている
。しかし後者即ち不透明石英を壁材とＩ−ようとすれば
壁利自身が熱を吸収するため熱源のロスをまぬがれるこ
とが出来ない。
本発明は壁材の材質として透明石英を用い熱源の吸収を
防止すると共に該熱源を反応に関与させるために壁材の
外面に反射膜を設けろことにより、上記欠点を完全に解
消しうろことを知見し、完成させたものである。
防止すると共に該熱源を反応に関与させるために壁材の
外面に反射膜を設けろことにより、上記欠点を完全に解
消しうろことを知見し、完成させたものである。
即ち本発明はガス入口（１）及びガス出口（２）を有す
る室枠（３）と壁材（４）で反応室（５）を構成し、該
反応室内に電導性棒（６）の両端が１対の電源端子（７
）に接続されて構成された通電部を設は且つ壁材は外面
に反射膜を設けた透明石英で構成ｌ−てなる反応装置で
ある。
る室枠（３）と壁材（４）で反応室（５）を構成し、該
反応室内に電導性棒（６）の両端が１対の電源端子（７
）に接続されて構成された通電部を設は且つ壁材は外面
に反射膜を設けた透明石英で構成ｌ−てなる反応装置で
ある。
本発明の詳細な説明するため、以下添付図面に準じ、且
つトリクロルシランを水素によって還元、熱分解し、シ
リコンを製造する反応に適ｌ〜だ反応装置について説明
するが、本発明は以下の説明に限定されるものではなく
、反応装置の対象反応は如何なるものであってもよｈｏ 添付図面第１図及び第２図はそれぞれ、本発明の代表的
な反応装置を示す断面図である。
つトリクロルシランを水素によって還元、熱分解し、シ
リコンを製造する反応に適ｌ〜だ反応装置について説明
するが、本発明は以下の説明に限定されるものではなく
、反応装置の対象反応は如何なるものであってもよｈｏ 添付図面第１図及び第２図はそれぞれ、本発明の代表的
な反応装置を示す断面図である。
本発明の反応装置はガス入口（１）及びガス出口（２）
を有する室枠（６）と壁材（４）とで反応室を構成して
いる。該ガス入口（１）及びガス出口（２）はそれぞれ
１個設けるのが一般的であるが、複数個設けてもよい。
を有する室枠（６）と壁材（４）とで反応室を構成して
いる。該ガス入口（１）及びガス出口（２）はそれぞれ
１個設けるのが一般的であるが、複数個設けてもよい。
また該ガス入口（１）及びガス出口（２）の形状は特に
限定的ではない。例えばトリクロルシランと水素とを予
め混合して唯一のガス入口から反応室内に供給して本よ
く、２重管以上の多重管を用いトリクロルシラン、水素
或いは必要に応じて稀釈ガスを別々の管から該管供給口
又は反応室内で混合されるように供給することも出来る
。また室枠（３）の材質も特に限定的ではなく耐食性の
良好な公知のものから適宜選択して実施すればよい。一
般に好適に使用されるものを例示すれば石英、金、銀、
銅或すはステンレス等である。
限定的ではない。例えばトリクロルシランと水素とを予
め混合して唯一のガス入口から反応室内に供給して本よ
く、２重管以上の多重管を用いトリクロルシラン、水素
或いは必要に応じて稀釈ガスを別々の管から該管供給口
又は反応室内で混合されるように供給することも出来る
。また室枠（３）の材質も特に限定的ではなく耐食性の
良好な公知のものから適宜選択して実施すればよい。一
般に好適に使用されるものを例示すれば石英、金、銀、
銅或すはステンレス等である。
本発明で用いる壁材（４）は透明石英（９）であること
が必須である。この理由は熱エネルギーが石英に吸収さ
れて発熱することを防ぐためである。しかし単に透明石
英を使用すると反応に関与する熱エネルギーは全て反応
室外へ飛散するので、かかる不利を防止する手段として
本発明にあっては、壁材を構成する透明石英の外面に反
射膜（８）を設ける。該反射膜は反応に関与する熱エネ
ルギーが透明石英を通過しても反射することによって反
応熱源として利用することにより、より効率よく該エネ
ルギーを利用するために設けられたものである。一般に
該反射膜の材質は特に限定されないが、壁材と出来るだ
け一体化して使用するのがよく、また出来るだけ反射率
の良好なものがよく、耐熱性である必要がある。このよ
うな理由から金、銀、銅或いはアルミニウム等の金属膜
が好適に使用される。該反射膜を透明石英の外面に設け
る手段は特に限定的ではなく、如何なる手段を採用して
もよい。一般には特に壁材の透明石英の外面に真空蒸着
。
が必須である。この理由は熱エネルギーが石英に吸収さ
れて発熱することを防ぐためである。しかし単に透明石
英を使用すると反応に関与する熱エネルギーは全て反応
室外へ飛散するので、かかる不利を防止する手段として
本発明にあっては、壁材を構成する透明石英の外面に反
射膜（８）を設ける。該反射膜は反応に関与する熱エネ
ルギーが透明石英を通過しても反射することによって反
応熱源として利用することにより、より効率よく該エネ
ルギーを利用するために設けられたものである。一般に
該反射膜の材質は特に限定されないが、壁材と出来るだ
け一体化して使用するのがよく、また出来るだけ反射率
の良好なものがよく、耐熱性である必要がある。このよ
うな理由から金、銀、銅或いはアルミニウム等の金属膜
が好適に使用される。該反射膜を透明石英の外面に設け
る手段は特に限定的ではなく、如何なる手段を採用して
もよい。一般には特に壁材の透明石英の外面に真空蒸着
。
スパッタリング、無電界メッキ等の手段で一体化したも
のが最も効果的である。
のが最も効果的である。
本発明の反応室内にけ電導性棒（６）の両端が１対の電
源端子（７）に接続されて構成された通電部を設けるこ
とが必要である。該電導性棒は特に限定されないがトリ
クロルシランの還元熱分解によって生じたシリコンが付
着し、成長していく芯材の役目と通電時に該電導性棒自
身が有する抵抗のため発熱し、電流を熱エネルギーへ変
換する役目をはだす意味でシリコンの多結晶又は単結晶
からなる棒が最も好適である。勿論電導性のものであれ
ば上記シリコン以外にも例えばタンタル棒等も必要に応
じて使用出来る。
源端子（７）に接続されて構成された通電部を設けるこ
とが必要である。該電導性棒は特に限定されないがトリ
クロルシランの還元熱分解によって生じたシリコンが付
着し、成長していく芯材の役目と通電時に該電導性棒自
身が有する抵抗のため発熱し、電流を熱エネルギーへ変
換する役目をはだす意味でシリコンの多結晶又は単結晶
からなる棒が最も好適である。勿論電導性のものであれ
ば上記シリコン以外にも例えばタンタル棒等も必要に応
じて使用出来る。
以上の説明から明らかな如く、電源端子に連結されだ電
導性棒（６）によって電流が熱エネルギーに変換され、
反応温度を保持出来る。
導性棒（６）によって電流が熱エネルギーに変換され、
反応温度を保持出来る。
該熱エネルギーは壁材の透明石英は通過するが該壁材の
外面に設けられた反射膜の作用により、再び反応室にフ
ィードバックされ、輻射熱として十分に動車よ〈利用さ
れる。
外面に設けられた反射膜の作用により、再び反応室にフ
ィードバックされ、輻射熱として十分に動車よ〈利用さ
れる。
尚第１図は電導性棒（６）をコ字型にセットした反応装
置ベニを、第２図は電導性棒（６）が１本の棒状となっ
ている代表的な実施態様を示す説明図である。図中、１
０は電導性棒の保持具を示す。また室枠（３）は非電導
性の材料とするか電源端子（７）との間に絶縁体を設け
て電導性材料とすることは言うまでもない。
置ベニを、第２図は電導性棒（６）が１本の棒状となっ
ている代表的な実施態様を示す説明図である。図中、１
０は電導性棒の保持具を示す。また室枠（３）は非電導
性の材料とするか電源端子（７）との間に絶縁体を設け
て電導性材料とすることは言うまでもない。
熱分解反応に使用する反応装置は高熱を発生するために
電力多消費型の代表的なものであったが、本発明の完成
により著しく電力消費量が少ない例えば従来のものの６
０％程度の電力消費の反応装置となり、工業的に計り知
れなｈ寄与をなす。
電力多消費型の代表的なものであったが、本発明の完成
により著しく電力消費量が少ない例えば従来のものの６
０％程度の電力消費の反応装置となり、工業的に計り知
れなｈ寄与をなす。
実施例
第１図に示す構成において、壁材は透明石英容器の内径
４００門、高さ１．９００ ｔａｒ 、肉厚２０幅のも
のを用い、銀鏡反応を用いて外壁に厚さ約０．１門の銀
薄膜を付着させた。１対の電極を３００ｍの間隔で配置
し、Ｕ字型のシリコン多結晶棒（５瓢φ）を表面温度を
１１５０Ｃに保ちながらトリクロルシランと水素とを１
：１０の割合で予め混合し、反応室に供給し、トリクロ
ルシランの還元・熱分解反応を実施した。生成したシリ
コンはＵ字型のシリコン多結晶棒を高さ１５００ ｔａ
ｎ 、最大直径２０口調まで成長させた。この時の所要
電力は１５，０００キロワット時であった。
４００門、高さ１．９００ ｔａｒ 、肉厚２０幅のも
のを用い、銀鏡反応を用いて外壁に厚さ約０．１門の銀
薄膜を付着させた。１対の電極を３００ｍの間隔で配置
し、Ｕ字型のシリコン多結晶棒（５瓢φ）を表面温度を
１１５０Ｃに保ちながらトリクロルシランと水素とを１
：１０の割合で予め混合し、反応室に供給し、トリクロ
ルシランの還元・熱分解反応を実施した。生成したシリ
コンはＵ字型のシリコン多結晶棒を高さ１５００ ｔａ
ｎ 、最大直径２０口調まで成長させた。この時の所要
電力は１５，０００キロワット時であった。
また比較のため上記壁材の材質を不透明石英とした以外
は同じ条件で多結晶棒を作製しだ所２５，０００キロワ
ット時であった。
は同じ条件で多結晶棒を作製しだ所２５，０００キロワ
ット時であった。
第１図及び第２図は本発明の反応装置の代表的なものを
示す断面図である。 図中、１はガス入口、２はガス出０．６は室枠。 ４け壁材、５は反応室、６は電導性棒、７は電源端子、
８は反射膜、９は透明石英である。 特許出願人 徳山曹達株式会社
示す断面図である。 図中、１はガス入口、２はガス出０．６は室枠。 ４け壁材、５は反応室、６は電導性棒、７は電源端子、
８は反射膜、９は透明石英である。 特許出願人 徳山曹達株式会社
Claims (2)
- （１） ガス入口（１）及びガス出口（２）を有する
室枠（３）と壁材（４）で反応室（５）を構成し、該反
応室内に電導性棒（６）の両端が１対の電源端子（７）
に接続されて構成された通電部を設は且つ壁材は外面に
反射膜（８）を設けた透明石英（９）で構成してなる反
応装置。 - （２）壁材が反射膜と透明石英とを一体化したものであ
る特許請求の範囲（１）記載の反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22394582A JPS59115739A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22394582A JPS59115739A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59115739A true JPS59115739A (ja) | 1984-07-04 |
| JPH0317770B2 JPH0317770B2 (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16806157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22394582A Granted JPS59115739A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59115739A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010098319A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンロッド及びその製造装置 |
| JP2013082614A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Wacker Chemie Ag | 多結晶シリコンを析出させるための装置及び方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4503930B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 医療装置 |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP22394582A patent/JPS59115739A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010098319A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンロッド及びその製造装置 |
| CN102300808A (zh) * | 2009-02-27 | 2011-12-28 | 株式会社德山 | 多晶硅棒及其制造装置 |
| JP5651104B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-01-07 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンロッド及びその製造装置 |
| JP2013082614A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Wacker Chemie Ag | 多結晶シリコンを析出させるための装置及び方法 |
| US9534290B2 (en) | 2011-10-07 | 2017-01-03 | Wacker Chemie Ag | Apparatus for deposition of polycrystalline silicon comprising uniformly spaced filament rods and gas inlet orifices, and process for deposition of polycrystalline silicon using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0317770B2 (ja) | 1991-03-08 |
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