JP6923941B2 - 固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造及びパッケージング方法 - Google Patents
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Description
本発明は、固体蛍光体集積光源に関するものであり、特に、固体蛍光体集積光源のパッケージング構造及びパッケージング方法に関するものである。
既存のLED光源は、一般的に蛍光有機コロイドによりパッケージングしたものであるが、このようなパッケージング方法は、蛍光粉末をLEDチップに密着させている。出力の小さい時は問題ないが、出力の密集化に伴い、特に、集積パッケージングの際には、二つの大出力の熱源が重畳されることになる。その結果、LEDチップの接合部の温度が急速に上昇され、蛍光粉末と、有機コロイドと、の老化・甚だしくは炭化を引き起こし、光源の発光効率の低下と、寿命の短縮に繋がる。
本発明は、上記問題を解決するため、固体蛍光体集積光源のデュアルチャネル伝熱パッケージング構造及びパッケージング方法を提出し、二重の伝熱チャンネルを設けることでLED光源の二つの熱源を隔離させ十分な熱伝達を謀かり、固体蛍光体と、LEDチップと、の温度を効果的に低減させ寿命延長を実現する。
本発明は、透明有機シリカゲルにより、固体蛍光体と、LEDチップと、を隔離させることで固体蛍光体の熱源が熱源であるLEDチップに直接重畳されることを防いだ。更に、伝熱柱を通じて固体蛍光体のほどんとの熱を伝達し、固体蛍光体―伝熱柱―基板の伝熱チャンネルを構成する。デュアルチャンネル伝熱の設計は、LED光源における二つの熱源を隔離する共に、充分な熱伝導を行い、固体蛍光体と、LEDチップと、の熱が各自のチャンネルを通して基板に伝われ、更に、基板からヒートシンク経由で空気中に放出されるため、両者の温度を効果的にさげ寿命延長を実現した。
以下、添付図と、実施例と、を使い本発明に対して詳しく説明する。
本発明の目的、技術方案、長所をより明確に説明するために、以下に具体的な実施例により、添付図を参考し、本発明を更に詳しく説明する。但し、当業者の周知のように、本発明は、添付図と、以下の実施例と、に限らない。
サンプル2の温度分布図は、図4の示す通り、最高温度と、最低温度と、は表1の示すとおり。
Claims (14)
- 固体蛍光体と、透明有機シリカゲルと、LEDチップと、基板と、を含み、前記LEDチップは、前記基板上に設置される固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造であって、前記デュアルチャンネル伝熱パッケージング構造は、更に前記基板上に固定された伝熱柱を含み、前記伝熱柱はLEDチップを避けるよう設置し、前記固体蛍光体は、当該伝熱柱上に設置されて、且つLEDチップとは接触せず、前記固体蛍光体と、基板と、の隙間内には前記透明有機シリカゲルが充填されており;
前記デュアルチャンネル伝熱パッケージング構造は、更にダムグルーを含み、前記ダムグルーは前記基板上に設置されて、且つ前記ダムグルーは前記LEDチップの外郭に環状に設置され、前記固体蛍光体は、ダムグルーにも接続固定されることを特徴とする固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。 - 前記固体蛍光体の基材は常温で固体状態である共に、当固体蛍光体は400−500nmの可視光または250−400nmの紫外光に対して、吸収して、380−780nmの可視光を励起することのできる蛍光効能をもつことを特徴とする請求項1に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。
- 前記伝熱柱は380−780nmの可視光または250−400nmの紫外光に対して、80%以上の透過率または80%より高い反射率をもつことを特徴とする請求項1に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。
- LEDチップがノーマルチップの場合、前記伝熱柱の高さはLEDチップボンディングワイヤのアークの最高点より高く、
LEDチップがフリップチップの場合、前記伝熱柱の高さはLEDチップの高さより高くすることを特徴とする請求項1に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。 - 前記基板が金属基板であることを特徴とする請求項1に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。
- 前記LEDチップ発射のスペクトルがピーク波長400−500nmの可視光またはピーク波長250−400nmの紫外光であることを特徴とする請求項1に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。
- 前記基板が可視光に対して80%より高い反射率を持つことを特徴とする請求項1に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。
- 前記伝熱柱が透明伝熱柱であることを特徴とする請求項1に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。
- 以下のステップを有する固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング方法であって、
基板の中部に露出しているアルミ光沢面の光沢層にダイボンディングエリアを形成し、基板の外郭部にBT樹脂層を圧着し、BT樹脂層には、正負電極と、回路と、を設けるステップ10、
基板のダイボンディングエリア内にLEDチップを均等に配置し、なお、LEDチップ間の隙間内に伝熱柱を配置させるステップ20、
150℃で2時間焼き付け、LEDチップと、伝熱柱と、が基板に完全接着された後、ワイヤボンディング作業を行うステップ30、
ダイボンディングエリアの外郭に白色の有機シリカゲルにで一回りのダムを造り、150℃環境で30分間焼付け完全固形化を行うステップ40、
上記作業を完成した後、ダムグルーが形成する空間内に適量の透明有機シリカゲルを注入し、さらに蛍光セラミックスを圧着し固定させるステップ50、
固定された蛍光セラミックス光源を60℃温度で0.5時間、または80℃で0.5時間、または150℃で1時間で充分な加熱固形化を行うステップ60
を含むことを特徴とする固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング方法。 - 前記ステップ40での固形化温度は150℃であり、固形化時間は30分間であり、
前記ステップ50の具体的な工程は、ワイヤボンディング完成後に点滴方法により適量の透明有機シリカゲルを注入し、前記透明有機シリカゲルはAB成分の割合で配合した透明有機シリカゲルを採用し、60℃温度で加熱することで有機シリカゲルの流動を加速させ、気泡排出と、ゲルのレベリングと、が完了した後で、蛍光セラミックスを圧着して、固定させることを特徴とする請求項9に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング方法。 - 前記固体蛍光体の基板が透明セラミックス、ガラス又はPCであることを特徴とする請求項2に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。
- 前記伝熱柱の熱伝導率は1.0W/m.Kより高いことを特徴とする請求項3に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。
- 前記LEDチップはノーマルチップであって、前記伝熱柱の分布は多数を前記ノーマルチップ間の隙間中に均等に配置させるか、または少量の前記伝熱柱を集中分布させることを特徴とする請求項4に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。
- 前記LEDチップはフリップチップであって、前記LEDフリップチップを集中分布させることを特徴とする請求項4に記載の固体蛍光体集積光源のデュアルチャンネル伝熱パッケージング構造。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005005544A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 白色発光素子 |
TWI426206B (zh) * | 2008-12-25 | 2014-02-11 | Au Optronics Corp | 發光二極體裝置 |
US7851819B2 (en) * | 2009-02-26 | 2010-12-14 | Bridgelux, Inc. | Transparent heat spreader for LEDs |
WO2011062089A1 (ja) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | シャープ株式会社 | 面発光ユニット、及びそれを備えた表示装置 |
JP2011151268A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Sharp Corp | 発光装置 |
US8384105B2 (en) * | 2010-03-19 | 2013-02-26 | Micron Technology, Inc. | Light emitting diodes with enhanced thermal sinking and associated methods of operation |
JP5701523B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2015-04-15 | 日東電工株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5612991B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-10-22 | シャープ株式会社 | 発光装置及びこれを備えた照明装置 |
CN102097549B (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-11 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种芯片级集成封装工艺及led器件 |
CN102610603A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-07-25 | 启耀光电股份有限公司 | 发光装置 |
EP2715815B1 (en) * | 2011-06-01 | 2020-02-05 | Signify Holding B.V. | A light emitting module comprising a thermal conductor, a lamp and a luminaire |
CN202405312U (zh) | 2011-12-29 | 2012-08-29 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种具有多层安装面的cob基板 |
US8917010B2 (en) | 2012-02-02 | 2014-12-23 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Lighting device including phosphor layer and light-transmitting layer that is arranged in contact with the phosphor layer to release static charge to substrate |
WO2014026486A1 (zh) * | 2012-08-17 | 2014-02-20 | Qian Zhiqiang | 白光led发光装置 |
JP2014060283A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Panasonic Corp | 白色発光デバイス、ならびにこれを用いた撮像装置、照明装置および液晶ディスプレイ装置 |
CN103050608B (zh) * | 2013-01-16 | 2016-03-30 | 复旦大学 | 基于氧化锌氧化铋复合陶瓷基板封装的led及其制备方法 |
CN103972367A (zh) | 2013-02-04 | 2014-08-06 | 美中全照光电股份有限公司 | 发光二极管装置 |
CN103205254B (zh) * | 2013-04-10 | 2015-09-16 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 包含新型固态透明荧光材料的白光led及其制备方法 |
CN103824849B (zh) * | 2014-01-27 | 2017-01-11 | 华南理工大学 | 一种具有强化出光结构的多led芯片封装器件及其制造方法 |
CN204303867U (zh) * | 2014-02-18 | 2015-04-29 | 张红卫 | 一种芯片与荧光体分离式热管理结构 |
CN105470246B (zh) | 2015-12-21 | 2016-09-28 | 福建中科芯源光电科技有限公司 | 固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构及封装方法 |
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