CN107316932A - 一种新型led封装方法 - Google Patents
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Abstract
一种新型的LED封装方法，所述封装方法包括以下步骤1)将LED光源置于封装层的成型模具的型腔中；2)将液态的封装层注入该成型模具的型腔中，使液态的封装层固化成型，打开所述成型模具的型腔；3)将固定有LED芯片的封装层进行烘烤；4)将金线一端焊接在LED芯片上，另一端焊接在基板上，实现LED芯片与基板相导通；5)将荧光胶点入所述基板的底部，直至点入的荧光胶的胶面与所述基板口部平齐；6)将点有荧光胶的基板进行烘烤；7)将盖封胶放置在38℃‑42℃恒温的箱内抽真，根据所需成型的LED形状预备相应的模具，将该模具放置在100℃以上烤炉内预热，将盖封胶灌入模具内。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED封装方法。
背景技术
LED的封装技术就是对LED芯片进行封装，制成可直接使用的光源。LED的封装结构比较多，目前一种业界常见的封装结构是：将LED芯片固定在一个平面的基板上，然后在基板的一个平面上利用封装层将该LED芯片封装在该基板上。现有的LED封装方法，存在着成品率低、产品一致性差的缺陷，因此提供一种改进的LED封装方法称为现有技术中亟待解决的问题。
发明内容
为解决前述技术问题，本发明采用了以下技术方案：提供了一种新型的LED封装方法，其特征是所述LED的封装结构包括基板、LED光源和封装层、所述基板包括侧壁与封闭的顶部，所述LED光源安装于基板内部的两相对侧壁上，所述封装方法包括以下步骤
1)将LED光源置于封装层的成型模具的型腔中，
2)将液态的封装层注入该成型模具的型腔中，使液态的封装层固化成型，打开所述成型模具的型腔。
3)将固定有LED芯片的封装层进行烘烤，烘烤温度为115～135℃，烘烤时间设为200min～300min；
4)将金线一端焊接在LED芯片上，另一端焊接在基板上，实现LED芯片与基板相导通；
5)将荧光胶点入所述基板的底部，直至点入的荧光胶的胶面与所述基板口部平齐；
6)将点有荧光胶的基板进行烘烤，烘烤温度为145-155℃，烘烤时间设为90min～180min；
7)将盖封胶放置在38℃-42℃恒温的箱内抽真空25～40min，根据所需成型的LED
形状预备相应的模具，将该模具放置在100℃以上烤炉内预热50min～60min，将盖封胶灌入模具内。
本发明提供的新型LED封装方法，在新的LED封装结构的基础上，与现有技术相比，能够显著提高LED封装过程的成品率，且得到的LED产品一致性好，经过测试，其光照强度的偏差范围≤5％，且寿命偏差范围≤2％。
具体实施方式
本发明提供的一种新型LED封装方法，所述LED的封装结构包括基板、LED光源和封装层、所述基板包括侧壁与封闭的顶部，所述LED光源安装于基板内部的两相对侧壁上，所述封装方法包括以下步骤
1)将LED光源置于封装层的成型模具的型腔中，
2)将液态的封装层注入该成型模具的型腔中，使液态的封装层固化成型，打开所述成型模具的型腔。
3)将固定有LED芯片的封装层进行烘烤，烘烤温度为115～135℃，烘烤时间设为200min～300min；
4)将金线一端焊接在LED芯片上，另一端焊接在基板上，实现LED芯片与基板相导通；
5)将荧光胶点入所述基板的底部，直至点入的荧光胶的胶面与所述基板口部平齐；
6)将点有荧光胶的基板进行烘烤，烘烤温度为145-155℃，烘烤时间设为90min～180min；
7)将盖封胶放置在38℃-42℃恒温的箱内抽真空25～40min，根据所需成型的LED
形状预备相应的模具，将该模具放置在100℃以上烤炉内预热50min～60min，将盖封胶灌入模具内。
实施例1～4的具体工艺参数见下表
光照强度测试
将实施例1～4制得的LED各取100只分别进行光照强度测试，其光照强度偏差结果如下表
| 实施例号 | 1 | 2 | 3 | 4 |
| 偏差％ | 4.2 | 4.1 | 4.5 | 3.9 |
寿命测试
将实施例1～4制得的LED各取100只分别进行额定电压下的寿命测试，偏差结果如下表
| 实施例号 | 1 | 2 | 3 | 4 |
| 寿命/h | 51627 | 51357 | 50674 | 50998 |
实验结果表明，采用本发明的一种新型LED封装方法封装的LED，其光照强度偏差≤5％，寿命偏差≤2％，具有良好的产品一致性。
Claims (1)
1.一种新型的LED封装方法，其特征是所述LED的封装结构包括基板、LED光源和封装层、所述基板包括侧壁与封闭的顶部，所述LED光源安装于基板内部的两相对侧壁上，所述封装方法包括以下步骤
1)将LED光源置于封装层的成型模具的型腔中，
2)将液态的封装层注入该成型模具的型腔中，使液态的封装层固化成型，打开所述成型模具的型腔。
3)将固定有LED芯片的封装层进行烘烤，烘烤温度为115～135℃，烘烤时间设为200min～300min；
4)将金线一端焊接在LED芯片上，另一端焊接在基板上，实现LED芯片与基板相导通；
5)将荧光胶点入所述基板的底部，直至点入的荧光胶的胶面与所述基板口部平齐；
6)将点有荧光胶的基板进行烘烤，烘烤温度为145-155℃，烘烤时间设为90min～180min；
7)将盖封胶放置在38℃-42℃恒温的箱内抽真空25～40min，根据所需成型的LED
形状预备相应的模具，将该模具放置在100℃以上烤炉内预热50min～60min，将盖封胶灌入模具内。
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| CN102437271A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-05-02 | 秦会斌 | 一种基于cob技术的集成化led封装方法 |
| CN105870298A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-08-17 | 福建鸿博光电科技有限公司 | 一种led光源的封装方法 |
| WO2017107400A1 (zh) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 福建中科芯源光电科技有限公司 | 固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构及封装方法 |
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2017
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