KR20180030159A - 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조 및 밀봉 방법 - Google Patents

고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조 및 밀봉 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고체상태 형광체(1), 투명한 유기 실리카겔(2), LED 칩(3) 및 기판(5)을 포함하고, 상기 LED 칩(3)은 상기 기판(5) 상에 설치되는 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조를 제공하며, 상기 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조는 상기 기판(5) 상에 고정된 열전도 컬럼(6)을 더 포함하고, 열전도 컬럼(6)은 LED 칩(3)을 피해서 설치되며, 상기 고체상태 형광체(1)는 상기 열전도 컬럼(6) 상에 배치되고 LED 칩(3)과 접촉하지 않으며, 상기 고체상태 형광체(1)와 기판(5) 중간의 갭 내에 상기 투명한 유기 실리카겔(2)이 충진된다. 본 발명은 또한 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 방법을 제공한다. 본 발명은 이중 열전도 채널의 설계를 이용하여, LED 광원의 2개의 열원을 격리시켜 충분한 열전도를 실현하고, 고체상태 형광체와 LED 칩의 열은 각자 채널을 통해 기판에 도달하고, 기판에 의해 히트 싱크에 전도되어 대기 중으로 전달되므로, 양자의 온도를 효과적으로 낮춰 수명을 증가시킬 수 있다.

Description

고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조 및 밀봉 방법
본 발명은 고체상태 형광체 집적 광원에 관한 것으로, 특히 고체상태 집적 광원의 밀봉 구조 및 밀봉 방법에 관한 것이다.
종래의 LED 광원은 일반적으로 형광성 유기 콜로이드를 사용하여 밀봉하며, 이러한 밀봉 방식은 형광 분말이 LED 칩에 달라붙게 된다. 저전력의 경우 큰 문제는 없으나, 전력 밀도가 증가된 후, 특히 집적 밀봉 방식을 사용하면, 2개의 대전력 열원이 상호 중첩된다. 이는 LED 칩의 접합 온도의 급격한 증가를 초래하고, 형광 분말과 유기 콜로이드도 감쇠, 노화 또는 탄화 현상이 나타나면서, 광원 발광 효율의 저하 및 수명 감소를 야기시킨다.
현재 고체상태 형광체 집적 광원의 구체적 구성은 고체상태 형광체, 투명한 유기 실리카겔, LED 칩, 댐-인서클링 콜로이드(dam-encircling colloid) 및 기판을 포함한다. LED 칩은 기판 상에 배치되고, LED 칩 주변에 기판 상에 배치된 댐-인서클링 콜로이드가 설치되어 있으며, 고체상태 형광체는 LED 칩 상에 배치되어 댐에 의해 고정되며, 고체상태 형광체와 기판 중간의 갭 내에 투명한 유기 실리카겔이 충진되어 있다. 이와 같이 투명 유기 실리카겔을 이용하여 고체상태 형광체와 LED 칩을 격리시켜, 고체상태 형광체의 열원이 열원 LED 칩에 직접적으로 중첩되는 것을 방지할 수 있다. 그러나, 투명 형광 겔은 열의 불량도체이므로, 열전도가 불충분하여, 효과적으로 온도를 낮추지 못하여 수명을 증가시킬 수 없다.
본 발명은 상기 기술문제를 해결하기 위해, 듀얼 채널의 설계를 이용하여 LED 광원의 2개의 열원을 격리시켜 충분히 열을 전도하도록 하여, 효과적으로 고체상태 형광체와 LED 칩의 온도를 낮춰 수명을 증가시킬 수 있는, 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조 및 밀봉 방법을 제공한다.
본 발명이 제공하는 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조는 고체상태 형광체, 투명한 유기 실리카겔, LED 칩 및 기판을 포함하고, 상기 LED 칩은 상기 기판 상에 설치되고, 상기 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조는 상기 기판 상에 고정된 열전도 컬럼을 더 포함하며, 열전도 컬럼은 LED 칩을 피해서 설치되며, 상기 고체상태 형광체는 상기 열전도 컬럼 상에 배치되고 LED 칩과 접촉하지 않으며, 상기 고체상태 형광체와 기판 중간의 캡 내에 상기 투명한 유기 실리카겔이 충진된다.
추가적으로, 상기 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조는 상기 기판 상에 배치되며, 상기 LED 칩 주변을 둘러싸도록 설치된 댐-인서클링 콜로이드를 더 포함하고, 상기 고체상태 형광체는 댐-인서클링 콜로이드에 연결 고정된다.
추가적으로, 상기 고체상태 형광체의 기재는 상온에서 고체상태를 이루는 물질이며, 동시에 상기 고체상태 형광체는 400~500nm의 가시광선 또는 250~400nm의 자외선에 대해 380~780nm의 가시광선 대역의 광선을 흡수 및 방출하는 형광 작용을 가진다.
추가적으로, 상기 고체상태 형광체의 기재는 투명 세라믹, 유리 또는 PC이다.
추가적으로, 상기 열전도 컬럼은 380~780nm의 가시광선 또는 250~400nm의 자외선에 대해 80% 이상의 투과율 또는 80%보다 높은 반사율을 가진다.
추가적으로, 상기 열전도 컬럼의 열전도율은 1.0W/m.K보다 높다.
추가적으로, LED 칩이 수평 칩일 경우, 상기 열전도 컬럼의 높이는 LED 칩 용접 와이어의 뱅크 최고점보다 높다.
LED 칩이 플립 칩일 경우, 상기 열전도 컬럼의 높이는 LED 칩의 높이보다 높다.
추가적으로, LED 칩이 수평 칩일 경우, 상기 열전도 컬럼의 분포는 복수 개가 수평 칩의 틈새에 균일하게 분포되거나, 또는 상기 열전도 컬럼은 소량이 집중적으로 분포된다.
추가적으로, 상기 플립 칩의 LED 칩은 조밀하게 분포된다.
추가적으로, 상기 기판은 금속 기판이다.
추가적으로, 상기 LED 칩의 발광 스펙트럼은 피크 파장이 400~500nm인 가시광선 또는 피크 파장이 250~400nm의 자외선이다.
추가적으로, 상기 기판은 가시광선에 대해 80%보다 높은 반사율을 가진다.
추가적으로, 상기 열전도 컬럼은 투명한 열전도 컬럼이다.
본 발명은 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 방법을 추가 제공하며, 상기 방법은 하기 단계를 포함한다.
단계 10, 주변부에 BT수지층이 가압되어 있고, BT수지층에 양극, 음극 및 회로가 설치되어 있는 기판의 중간부에 미러알루미늄이 노출된 미러층을 다이 본딩 영역으로 형성하는 단계;
단계 20, 기판의 다이 본딩 영역 내에 LED 칩을 균일하게 배치하고, 동시에 LED 칩이 배치되어 있는 공극 내에 열전도 컬럼을 배치하는 단계;
단계 30, 150℃에서 2H 동안 베이킹하고, LED 칩과 열전도 컬럼이 기판에 접착된 후 와이어 용접 작업을 진행하는 단계;
단계 40, 다이 본딩 영역 주변에 백색 유기 실리카겔을 사용하여 밀폐된 댐을 만들고, 150℃의 환경에서 30min 동안 베이킹하여 완전히 경화시키는 단계;
단계 50, 상기 작업이 완료되면, 댐-인서클링 콜로이드에 의해 형성된 컵에 적당량의 투명한 유기 실리카겔을 주입한 다음, 형광 세라믹을 압착하여 고정시키는 단계;
단계 60, 고정된 형광 세라믹 광원을 온도는 60℃, 시간은 0.5H이거나, 또는 온도는 80℃, 시간은 0.5H이거나, 또는 온도는 150℃, 시간은 1H인 조건에서 충분하게 열 경화시키는 단계.
추가적으로, 상기 단계 40에서, 경화 온도는 150℃이고, 경화 시간은 30min이다.
상기 단계 50은 구체적으로, 와이어 용접이 완료되면, 스폿-글루잉(spot-gluing) 방법을 사용하여 적당량의 투명한 유기 실리카겔을 주입하고, 상기 투명한 유기 실리카겔은 AB성분을 배합한 후의 투명한 유기 실리카겔이며, 60℃의 온도로 가열하고, 유기 실리카겔의 흐름을 가속화하고, 기포가 배출되어 접착제가 레벨링된 후, 형광 세라믹을 가압하여 고정시킨다.
본 발명의 유익한 효과는 다음과 같다.
본 발명은 투명한 유기 실리카겔을 이용하여 고체상태 형광체와 LED 칩을 격리시켜 고체상태 형광체의 열원이 열원 LED 칩에 직접적으로 중첩되는 것을 방지한다. 또한 열전도 컬럼을 통해 고체상태 형광체의 대부분 열 전도를 완성하고, 고체상태 형광체-열전도 컬럼-기판의 열전도 채널을 형성한다. 이중 열전도 채널의 설계에 의해, LED 광원의 2개의 열원을 격리시켜 충분한 열전도를 실현하고, 고체상태 형광체와 LED 칩의 열은 각자 채널을 통해 기판에 도달하고, 기판에 의해 히트 싱크에 전도되어 대기 중으로 전달되므로, 양자의 온도를 효과적으로 낮춰 수명을 증가시킬 수 있다.
이하, 도면을 참고하여 실시예를 결합하여, 본 발명에 대해 추가적으로 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉의 정면 구조 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉의 일 실시예의 종단면 구조 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따른 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉의 다른 일 실시예의 종단면 구조 개략도이다.
도 4는 본 발명의 샘플 2의 온도 분포도이다.
도 5는 본 발명의 샘플 3의 온도분포도이다.
도 6은 본 발명의 스펙트로그램이다.
본 발명의 목적, 기술방안과 장점을 보다 정확하고 명확하게 하기 위해, 이하 구체적 실시예를 결합하여 도면을 참고하여, 본 발명에 대해 추가적으로 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 도면 및 하기 실시예에 한정되지 않음을 당업자는 이해할 수 있다.
도 1~도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조는 고체상태 형광체(1), 투명한 유기 실리카겔(2), LED 칩(3), 댐-인서클링 콜로이드(4) 및 기판(5)을 포함하고, 상기 기판(5) 상에 고정된 열전도 컬럼(6)을 더 포함하고, 상기 LED 칩(3)과 상기 댐-인서클링 콜로이드(4)는 상기 기판(5) 상에 설치되고, 상기 댐-인서클링 콜로이드(4)는 상기 LED 칩 주변을 둘러싸도록 설치되고, 상기 열전도 컬럼(6)은 상기 기판(5)에 고정되어 LED 칩(3)을 피해서 설치되고, 상기 고체상태 형광체(1)는 상기 열전도 컬럼(6) 상에 배치되며, 또한 상기 고체상태 형광체(1)의 주변부는 댐-인서클링 콜로이드(4)에 연결 고정되고, 상기 고체상태 형광체(1)와 기판(5) 중간의 캡 내에 상기 투명한 유기 실리카겔(2)이 충진된다.
상기 고체상태 형광체(1)의 기재는 상온에서 고체상태를 이루는 투명 세라믹, 유리 또는 PC 등과 같은 물질이며, 동시에 상기 고체상태 형광체(1)는 400~500nm의 가시광선 또는 250~400nm의 자외선에 대해 380~780nm의 가시광선 대역의 광선을 흡수 및 방출하는 형광 작용을 가진다.
상기 열전도 컬럼(6)은 380~780nm의 가시광선 또는 250~400nm의 자외선에 대해 80% 이상의 투과율 또는 80%보다 높은 반사율을 가진다. 상기 열전도 컬럼의 열전도율은 1.0W/m.K보다 높다. 상기 열전도 컬럼은 투명한 열전도 컬럼이며, 바람직하게는 산화알루미늄 투명 세라믹 컬럼이다.
LED 칩(3)이 수평 칩일 경우, 상기 열전도 컬럼(6)의 높이는 LED 칩(3) 용접 와이어의 뱅크(bank) 최고점보다 높다. LED 칩(3)이 플립 칩일 경우, 상기 열전도 컬럼(6)의 높이는 LED 칩(3)의 높이보다 높다.
상기 열전도 컬럼(6)의 분포는 다양한 형태일 수 있으며, 바람직하게는 복수개가 수평 칩 LED 칩(3)의 틈새에 균일하게 분포된다. 다만, 상기 열전도 컬럼(6)은 소량이 집중적으로 분포되거나, 또는 플립 칩 LED 칩(3)이 조밀하게 분포될 수도 있다.
상기 LED 칩(3)의 발광 스펙트럼은 피크파장이 400~500nm인 가시광선 또는 피크파장이 250~400nm의 자외선이다.
상기 기판(5)은 칩이 배치되는 측에 회로가 배치되어 있고, 가시광선에 대해 80%보다 높은 반사율을 가진다. 상기 기판은 금속 기판이며, 바람직하게는 미러알루미늄 COB기판이다.
본 발명의 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 방법의 실시 방안은 다음과 같다.
고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 방법은, 하기 단계를 포함한다.
단계 10, 주변부에 BT(bismaleimide triazine)수지층이 가압되어 있고, BT수지층에 양극, 음극 및 회로가 설치되어 있는 기판의 중간부에 미러알루미늄이 노출된 미러층을 다이 본딩 영역으로 형성하는 단계;
단계 20, 기판의 다이 본딩 영역 내에 LED 칩을 균일하게 배치하고, 동시에 LED 칩이 배치되어 있는 공극 내에 열전도 컬럼을 배치하는 단계;
단계 30, 150℃에서 2H 동안 베이킹하고, LED 칩과 열전도 컬럼이 기판에 접착된 후 와이어 용접 작업을 진행하는 단계;
단계 40, 다이 본딩 영역 주변에 백색 유기 실리카겔을 사용하여 밀폐된 댐을 만들고, 150℃의 환경에서 30min 동안 베이킹하여 완전히 경화시키는 단계;
단계 50, 상기 작업이 완료되면 댐-인서클링 콜로이드에 의해 형성된 컵에 적당량의 투명한 유기 실리카겔을 주입한 다음, 형광 세라믹을 압착하여 고정시키는 단계, 구체적으로, 와이어 용접이 완료되면, 스폿-글루잉(spot-gluing) 방법을 사용하여 적당량의 투명한 유기 실리카겔을 주입하고, 상기 투명한 유기 실리카겔은 AB성분을 배합한 후의 투명한 유기 실리카겔이며, 60℃의 온도로 가열하고, 유기 실리카겔의 흐름을 가속화하고, 기포가 배출되어 접착제가 레벨링된 후, 형광 세라믹을 가압하여 고정시킴;
단계 60, 고정된 형광 세라믹 광원을 온도는 60℃, 시간은 0.5H이거나, 또는 온도는 80℃, 시간은 0.5H이거나, 또는 온도는 150℃, 시간은 1H인 조건에서 충분하게 열 경화시키는 단계.
본 실시예에서는, 미러알루미늄 COB 기판을 사용하고, 형광 세라믹으로는 YAG 형광 세라믹이 바람직하며, 상기 LED 칩은 높이가 120㎛인 산안(三安)의 22*35의 수평 칩을 사용하고, 상기 열전도 컬럼(6)은 35㎛*35um*220㎛의 산화알루미늄 투명 세라믹 컬럼이다. 500W의 고체상태 형광체 집적 광원을 예로 들면, 1156개의 LED 칩(3), 120개의 투명 세라믹 열전도 컬럼(6)을 배치할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명은 투명한 유기 실리카겔을 이용하여 고체상태 형광체와 LED 칩을 격리시켜 고체상태 형광체의 열원이 열원 LED 칩에 직접적으로 중첩되는 것을 방지한다. 또한 열전도 컬럼을 통해 고체상태 형광체의 대부분 열 전도를 완성하고, 고체상태 형광체-열전도 컬럼-기판의 열전도 채널을 형성한다. 이중 열전도 채널의 설계에 의해, LED 광원의 2개의 열원을 격리시켜 충분한 열전도를 실현하고, 고체상태 형광체와 LED 칩의 열은 각자 채널을 통해 기판에 도달하고, 기판에 의해 히트 싱크에 전도되어 대기 중으로 전달되므로, 양자의 온도를 효과적으로 낮춰 수명을 증가시킬 수 있다.
본 발명이 도달할 수 있는 기술효과를 설명하기 위해, 다음과 같이 효과를 비교하였다.
샘플 1: 열전도 컬럼이 없으며, 기타 조건은 동일함.
샘플 2: 형광 분말 겔을 사용하며, 기타 조건은 동일함.
샘플 3: 열전도 컬럼이 있으며, 기타 조건은 동일함.
테스트 전력：600W
샘플 1은 200℃ 이후 타버리므로, 데이터를 포함시키지 않았다.
샘플 2의 온도 분포도는 도 4에 도시한 바와 같으며, 최고 온도와 최저 온도는 표 1에 표시된 바와 같다.
최고 온도 평균 온도 최저 온도
212.1℃ 173.7℃ 111.9℃
샘플 3의 온도 분포도는 도 5에 도시한 바와 같으며, 최고 온도와 최저 온도는 표 2에 표시된 바와 같다.
최고 온도 평균 온도 최저 온도
114.3℃ 100.5℃ 79.7℃
시험 값을 보면, 샘플 3은 샘플 2에 비해 온도 균일도가 현저히 향상되었으며, 특히 세라믹 중심 온도는 약 53.89% 감소했으며, 평균 온도도 42.14% 감소하였다. 샘플 1을 사용한 경우, 실험 초기에 타버려 효력을 잃는 상황이 발생한다. 동시에 상기 방안은 발광 효율에 영향을 주지 않으며, 심지어 발광 효율을 어느 정도 상승시키며, 도 6에 도시한 바와 같이, 600W일 때 발광 효율은 120lm/W에 도달하였다.
이상, 본 발명의 구체적 실시형태를 설명하였으나, 당업자는 상술한 구체적 실시예는 단지 설명을 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 한정하지 않음을 이해해야 한다. 당업자가 본 발명의 정신에 따라 진행한 등가 수정 및 변경은 모두 본 발명의 청구범위의 보호범위 내에 포함된다.

Claims (11)

  1. 고체상태 형광체(solid-state phosphor), 투명한 유기 실리카겔(transparent organic silica gel), LED 칩 및 기판을 포함하고, 상기 LED 칩은 상기 기판 상에 설치되는 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조에 있어서,
    상기 기판 상에 고정된 열전도 컬럼(heat-conducting columns)을 더 포함하고,
    상기 열전도 컬럼은 상기 LED 칩을 피해서 설치되며, 상기 고체상태 형광체는 상기 열전도 컬럼 상에 배치되고 상기 LED 칩과 접촉하지 않으며, 상기 고체상태 형광체와 상기 기판 중간의 갭 내에 상기 투명한 유기 실리카겔이 충진되는,
    고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치되며, 상기 LED 칩의 주변을 둘러싸도록 설치된 댐-인서클링 콜로이드(dam-encircling colloid)를 더 포함하고,
    상기 고체상태 형광체는 댐-인서클링 콜로이드에 연결 고정되는, 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고체상태 형광체의 기재(基材)는 상온에서 고체상태를 이루는 물질이며, 동시에 상기 고체상태 형광체는 400~500nm의 가시광선 또는 250~400nm의 자외선에 대해 380~780nm의 가시광선 대역의 광선을 흡수 및 방출하는 형광 작용을 가지며,
    바람직하게는, 상기 고체상태 형광체의 기재는 투명 세라믹, 유리 또는 PC인, 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 열전도 컬럼은 380~780nm의 가시광선 또는 250~400nm의 자외선에 대해 80% 이상의 투과율 또는 80%보다 높은 반사율을 가지며,
    바람직하게는, 상기 열전도 컬럼의 열전도율은 1.0W/m.K보다 높은, 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 LED 칩이 수평 칩(mounted chips)일 경우, 상기 열전도 컬럼의 높이는 LED 칩 용접 와이어의 뱅크 최고점보다 높고,
    상기 LED 칩이 플립 칩(flip chips)일 경우, 상기 열전도 컬럼의 높이는 상기 LED 칩의 높이보다 높으며,
    바람직하게는, 상기 LED 칩이 수평 칩일 경우, 상기 열전도 컬럼의 분포는 복수 개가 상기 수평 칩의 틈새에 균일하게 분포되거나, 또는 상기 열전도 컬럼은 소량이 집중적으로 분포되며,
    더욱 바람직하게는, 상기 플립 칩의 LED 칩은 조밀하게 분포되는, 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판은 금속 기판인, 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 LED 칩의 발광 스펙트럼은 피크 파장이 400~500nm인 가시광선 또는 피크 파장이 250~400nm의 자외선인, 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판은 가시광선에 대해 80%보다 높은 반사율을 가지는, 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 열전도 컬럼은 투명한 열전도 컬럼인, 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 구조.
  10. 단계 10, 주변부에 BT수지층이 가압되어 있고, 상기 BT수지층에 양극, 음극 및 회로가 설치되어 있는 기판의 중간부에 미러알루미늄이 노출된 미러층을 다이 본딩 영역으로 형성하는 단계;
    단계 20, 기판의 다이 본딩 영역 내에 LED 칩을 균일하게 배치하고, 동시에 LED 칩이 배치되어 있는 공극 내에 열전도 컬럼을 배치하는 단계;
    단계 30, 150℃에서 2H 동안 베이킹하고, LED 칩과 열전도 컬럼이 기판에 접착된 후 와이어 용접 작업을 진행하는 단계;
    단계 40, 다이 본딩 영역 주변에 백색 유기 실리카겔을 사용하여 밀폐된 댐을 만들고, 150℃의 환경에서 30min 동안 베이킹하여 완전히 경화시키는 단계;
    단계 50, 상기 작업이 완료되면, 댐-인서클링 콜로이드에 의해 형성된 컵에 적당량의 투명한 유기 실리카겔을 주입한 다음, 형광 세라믹을 압착하여 고정시키는 단계; 및
    단계 60, 고정된 형광 세라믹 광원을 온도는 60℃, 시간은 0.5H이거나, 또는 온도는 80℃, 시간은 0.5H이거나, 또는 온도는 150℃, 시간은 1H인 조건에서 충분하게 열 경화시키는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 단계 40에서, 경화 온도는 150℃이고, 경화 시간은 30min이며,
    상기 단계 50은 구체적으로, 와이어 용접이 완료되면, 스폿-글루잉(spot-gluing) 방법을 사용하여 적당량의 투명한 유기 실리카겔을 주입하고, 상기 투명한 유기 실리카겔은 AB 성분을 배합한 후의 투명한 유기 실리카겔이며, 60℃의 온도로 가열하고, 유기 실리카겔의 흐름을 가속화하고, 기포가 배출되어 접착제가 레벨링된 후, 형광 세라믹을 가압하여 고정시키는, 고체상태 형광체 집적 광원의 듀얼 채널 열전도 밀봉 방법.
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