KR101846110B1 - Led 라이트 바 제조방법 및 led 라이트 바 - Google Patents

Led 라이트 바 제조방법 및 led 라이트 바 Download PDF

Info

Publication number
KR101846110B1
KR101846110B1 KR1020167026053A KR20167026053A KR101846110B1 KR 101846110 B1 KR101846110 B1 KR 101846110B1 KR 1020167026053 A KR1020167026053 A KR 1020167026053A KR 20167026053 A KR20167026053 A KR 20167026053A KR 101846110 B1 KR101846110 B1 KR 101846110B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
framework region
light bar
transparent base
led light
Prior art date
Application number
KR1020167026053A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160125458A (ko
Inventor
용신 후앙
펭 양
구오린 충
용강 위안
Original Assignee
수주 동샨 프리시젼 매뉴팩쳐링 컴퍼니, 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 수주 동샨 프리시젼 매뉴팩쳐링 컴퍼니, 리미티드 filed Critical 수주 동샨 프리시젼 매뉴팩쳐링 컴퍼니, 리미티드
Publication of KR20160125458A publication Critical patent/KR20160125458A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101846110B1 publication Critical patent/KR101846110B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/66Details of globes or covers forming part of the light source
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/90Methods of manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

LED 라이트 바를 제조하는 방법과 LED 라이트 바를 제작하는 방법을 이용하여 제작되는 LED 라이트 바(26). 방법은 : 투명한 기판(20)을 제공하는 단계, 여기서 LED 칩들(23)을 고정하기 위한 적어도 하나의 프레임워크 영역(21)은 투명한 기판(20) 상에 제공되고, 각 프레임워크 영역(21)의 양측들에는 프레임워크 영역(21)과 평행한 적어도 하나의 연마 홈(22)가 각기 제공되며, 연마 홈(22)는 투명한 기판(20)의 상부 표면 및 하부 표면을 관통하는(penetrating through) 홈 바디임; 다이 본드 과정을 통해 프레임워크 영역(21)에서 몇몇 LED 칩들(23)을 배열하는 단계, 동일 프레임워크 영역(21)에서 LED 칩들(23)은 LED 칩 기둥을 형성함; 와이어-본딩 공정을 통해 동일 LED 칩 기둥 내에 인접한 LED 칩들의 양 및 음극들을 연결하는 단계; LED 칩들(23)이 몰딩 공정을 통해 배열된 투명한 기판(20)의 영역의 상부 및 하부 표면에, 형광 파우더와 혼합된 포장 접착제(25)를 코팅하는 단계, 및 압력의 작용 하에서 포장 접착제(25)를 구비하는 연마 홈(22)을 완전히 채우는 단계; 및 포장 접착제(25)가 응고된 후에, 동일물 주위 접착제를 구비하는 LED 라이트 바를 얻기 위해 연마 홈(22)을 따라서 절단하는 단계, 이에 의해 포장 접착제(25)로 코팅되도록 절단함으로써 마침내 얻어지는 LED 라이트 바(26)의 네 측면들을 모두 허가하고, 원래의 측-표면 라이트 누출의 문제를 극복한다. 방법을 이용하여 제조된 LED 라이트 바(26)는 균일한 하이트를 방사할 뿐만 아니라, 색 온도 일관성에 의해 형광 파우더의 이용을 증가시키는 것을 필요로 하지 않고, 이에 의해 비용을 줄인다.

Description

LED 라이트 바 제조방법 및 LED 라이트 바{LED LIGHT BAR MANUFACTURING METHOD AND LED LIGHT BAR}
본 명세서는 2014년 3월 21일에 Chinese State Intellectual Property Office에 제출된 중국 특허문서 제 201410108679.6호 "LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법 및 LED 라이트 바"로 우선권을 주장하고, 이는 그 전체가 참조로서 인용된다.
본원은 라이트 에미팅 다이오드(light emitting diode; LED) 포장(packaging) 의 기술분야 , 특히LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법 및 LED 라이트 바에 관한 것이다.
라이트 에미팅 다이오드(LED)는 전기 에너지(electric energy)를 라이트 에너지(light energy)로 바로(directly) 변환시킬 수 있다. LED 칩(LED chip)은 전극들이 지배하는(dominate) N-타입 반도체 및 홀들이 지배하는 P-타입 반도체를 포함한다. "P-N 접합점"은 P-타입 반도체 및 N-타입 반도체 사이에서 두 반도체들이 연결될 때 형성된다. LED의 발광(light emission)의 원리(principle)는 전류가 전도성 와이어(conductive wire)를 통해 칩에 적용될 시, 전자들(electrons)이 P-타입 영역으로 밀리고 P-타입 내에서 구멍들과 재결합(recombined)되어서, 에너지가 광자(photons)의 형태로 방사되는(emitted) 것이다. 새로운 광원(light source)으로서, LED는 환경 보호, 긴 수명 및 에너지 절약의 그 기능 때문에 조명 분야에서 널리 이용되고 있다. 일본의 Nichia Chemical은 사파이어로 만들어진 기판(substrate)을 구비하는 블루-라이트 LED를 위한 특허 출원서들을 가지고, 이의 출원번호는 제 JP19960198585호, 제 19960244339호, 제 JP19960245381호, 제 JP19960359004호 및 제 JP19970081010호이다. 사파이어 기판을 구비하는 LED 칩은 360도의 입체각(solid angle)에서 라이트를 방사하고, 광원을 포장하는 현재의 LED(current LED packaging light source)는 단-면 광원이며, 이는 LED 칩의 뒤측과 옆 측으로부터 방사되는 반사적인 기판 반사하는 라이트들을 요구하여서, 반사된 라이트는 전방 표면으로부터 방사된다. 이러한 경우에, 라이트의 상당 부분은 다중 반사에 의한 재료(material)로서 흡수되(absorbed)고, 이에 관하여 LED 포장 광원의 전체 광속을 줄이고 LED 광원의 라이트 효과의 개선을 제한한다.
따라서, 두 측들로부터 라이트를 방사하는 LED 라이트 에미팅 장치는 제공된다. 도 1a 내지 1e를 참조하면, LED 라이트 에미팅 장치의 주 제작 아이디어는 아래와 같이 기술된다.
투명한 베이스(transparent base; 10)은 제공된다. LED 칩들의 다중 기둥들은 다이 본딩 공정(die bonding process)에 의해 투명한 베이스(10) 상에 배열되고 다중 LED 칩들(11)은 각 기둥 상에 배열된다. 와이어-본딩 공정에 의한, 동일한 기둥에서, LED 칩의 표면 상에 양극(positive electrode)의 패드(pad)는 전도성 와이어(12)를 통해 LED 침에 인접한 LED침의 표면 상에 음극(negative electrode)의 패드에 연결된다. 전체 투명한 베이스(10)는 몰드(mould; 15) 내에 위치된다. 형광 파우더(fluorescent powder)와 포장 접착제를 포함하는 혼합물(mixture 14)은 성형 공정(molding process)에 의해 투명한 표면(10)의 후방 표면과 전방 표면을 상에 부착된다. LED 칩들의 다중 기둥들은 LED 칩들의 일 기둥을 각각 포함하는 라이트 바들(16) 내로 침투된(cut into)다.
위에서 언급된 방법으로 제작되는 LED 라이트 바에서, 투명한 베이스는 투명한 기판을 가지는 LED 칩과 결합으로 이용되기 때문에, 라이트 바의 전방 표면 및 후방 표면은 각각 라이트들을 방사할 수 있고, 이에 의해LED의 라이트 활용 효율(light utilization efficiency)을 개선한다.
그러나, LED 라이트 바는 다음의 두 가지 문제를 가진다.
포장 접착제가 투명한 베이스의 전방 표면 및 후방 표면을 덮기 때문에, 투명한 베이스가 LED 라이트 바 내로 침투된 후에, LED 라이트 바의 측 표면들은 포장 접착제에 의해 덮일 수 없다. 이러한 경우에, 라이트는 LED 라이트 바의 측 표면들에서 새어 나가고(leak), 이에 의해 LED 라이트 바의 라이트 방사의 전체 균일성에 영향을 미친다.
또한, 상기 문제를 기반으로, LED 제작자들은 전체 LED 라이트 바의 색 온도를 위한 고객의 요구를 만족시키고, LED바가 라이트를 방출하는 위치에서 색 온도(color temperature)를 줄이도록 형광 파우더의 양을 항상 증가시킨다. 예시와 같이 블루-라이트 LED는 측 표면들로부터 새어나가는 블루라이트의 색 온도가 전방 및 후방 표면들로부터 방사되는 라이트들의 색 온도보다 훨씬 더 크기 때문에, LED 라이트 바의 전체 색 온도는 증가된다. 따라서, LED 라이트 바의 색 온도를 줄이기 위해, 제작자들은 LED 라이트 바 내에 형성광 물질을 더욱 이용하도록 하고, 이는 LED 라이트 바의 전방 및 후방 표면들의 라이트 에미팅 효과에 영향을 미친다.
따라서, 산업에서, LED 라이트 바의 측-표면 라이트 누출(leakage)은 해결이 시급한 문제이다.
본원은 접착제에 의해 둘러 싸이는 LED 라이트 바를 제작하는 방법과 LED 라이트 바를 제공하는 것이고, 측-표면 라이트 누출에 의해 야기되는 라이트 에미팅의 불-균일성의 문제를 해결하는 것이며, 생산 비용과 형광 파우더의 이용 양을 줄이는 것이다.
LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법은 본원의 목적에 따라서 제공되고 이는 :
LED 칩들을 고정하기 위한 적어도 하나의 프레임워크인, 투명한 베이스를 제공하는 단계, 프레임워크 영역에 평행한 적어도 하나의 연마 홈(milling groove)은 각 프레임워크 영역의 두 측면들 각각에 배열되고, 연마 홈은 투명한 베이스의 하부 표면 및 상부 표면을 관통함;
동일한 일 프레임워크(same one framework) 영역 상의 LED 칩들이 LED 칩 기둥을 형성하는, 다이 본딩 공정에 의해 적어도 하나의 프레임워크 영역 상에 하나 또는 이상의 LED를 배열하는 단계;
동일한 LED 칩 기둥(same LED chip column)에서, 와이어 본딩 공정에 의해 LED 칩에 인접한 LED 칩의 음극으로 LED침의 양극을 연결하는 단계;
압축 성형 공정에 의해, LED 칩들이 형광 파우더와 혼합된 포장 접착제와 배열되는 투명한 베이스의 상부 표면 및, 압축 성형 공정에 의해, 하부 표면을 덮는 단계 및 압력 하에서 포장 접착제와 연마 홈을 채우는(filling up) 단계; 및
접착제의 의해 둘러싸인 LED 라이트 바를 얻도록, 포장 접착제가 응고된 후 연마 홈을 따라서 투명한 베이스를 절단하는 단계;를 포함한다.
바람직하게, 적어도 하나의 연마 홈 및 적어도 하나의 프레임워크 영역은 번갈아(alternately) 배열되거나, 또는, 두 연마 홈들은 각 프레임워크 영역의 각각 두 측면들 상에 배열된다.
바람직하게, 연마 홈의 길이는 프레임워크 영역의 길이와 같거나 더 크다.
바람직하게, 연마 홈은 몰드 주조에 의해 투명한 베이스를 구비하여 일체로(integrally) 형성되거나, 연마 홈은 홈을 파는(grooving) 공정을 통해 투명한 베이스의 후처리-공정(post-processing)에 의해 형성된다.
바람직하게, 투명한 베이스는 길이 방향으로 연마 홈의 중심선(midline)과 일치하는(coincides) 절단 경로(cutting trajectory) 및, 연마 홈의 길이 방향을 따라서 절단된다.
바람직하게, 투명한 베이스는 투명한 유리 플레이트, 투명한 수지 플레이트(transparent resin plate), 사파이어 베이스 또는 투명한 세라믹 중 하나이다.
상기 방법에 의해 제작되는 접착제에 의해 둘러싸인 LED 라이트 바가 더 제공된다.
바람직하게, 적어도 하나의 연마 홈 및 적어도 하나의 프레임워크 영역은 번갈아 배열되거나, 두 연마 홈들은 각 프레임워크 영역의 두 측면들 각각 상에 배열된다.
바람직하게, 연마 홈의 길이는 프레임워크 영역의 길이와 같거나 크다.
바람직하게, 연마 홈은 몰드 주조에 의해 투명한 베이스를 구비하여 일체로 형성되거나, 연마 홈은 홈을 파는 공정을 통해 투명한 베이스의 후처리-공정에 의해 형성된다.
종래의 기술과 비교하여서, 본원은 다음의 두 가지 이점을 가진다.
본원에 따른 LED 라이트 바는 접착제에 의해 둘러싸여서, 측-표면 라이트 누출의 문제는 완전하게 해결되고, 라이트는 라이트 바의 모든 측면들로부터 균일하게 방사되며, 따라서 LED 라이트 바는 좋은 라이트 에미팅 효과를 가진다.
본원에 따른 방법에 있어서, 압축 성형 공정이 이용되기 때문에 생산 효율은 높고, 블루라이트는 측 표면들로부터 새어나가지 않으며, 적은 형광 파우더가 이용되고(두 측면들을 접착제가 덮는 경우에, 블루라이트는 측 표면들로부터 새어나올 수 있고, 방사된 라이트들은 블루라이트와 혼합될 수 있고, 형광 파우더의 사용량은 측 표면들로부터 방사되는 블루라이트를 중화하고 색 온도를 위한 요구를 만족시키도록 상부 및 하부 접착제들을 증가시킴; 측면들의 경우에는 접착제에 의해 덮이고, 측 표면들은 접착제 및 형광 파우더의 혼합물에 의해 덮이며, 색 온도를 위한 (동일한) 요구는 형광 물질의 사용량을 추가적으로 증가시킴 없이 충족될 수 있음), 이에 의해 단가가 줄어든다.
더 명확하게 종래의 기술 내에서 또는 본원의 실시예들을 따르는 기술적인 해법들를 도시하도록, 다음은 본원의 실시예들을 따른 도면들을 간단히 기술한다. 명백하게, 도면들은 본원의 오직 몇몇 실시예이고, 다른 도면들은 창의적인 노력들 없이 이러한 도면들을 따라서 당업자들에게 받아들여 질 것이다.
도 1a 내지 도 1e는 LED 라이트 바를 제작하기 위한 종래의 방법의 개략적인 흐름도이다.
도 2 a 내지 도 2e는 본원에 따른 LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법의 개략적인 흐름도이다.
본원의 실시예들의 기술적인 해법들은 본원의 실시예들의 도면들과 결합으로 완전하게 및 명확하게 도시될 것이다. 명백하게, 기술된 실시예들은 본원의 모든 실시예들 보다는 오직 어느 정도의 실시예들이다. 창작(creative work) 없이 본원의 실시예들의 기초하여 당업자에 의해 얻어지는 어떠한 다른 실시예들은 본원의 범위 내에 속할 것이다.
더 명확한 본원의 기술적인 효과들 특징들, 목적을 이해하기 위해, 본원의 실시예들은 도면들과 결합하도록 아래에서 기술될 것이다.
배경기술 부분에서 기술된 바와 같이, 종래의 LED 라이트 에미팅 장치는 빛이 LED 라이트 에미팅 장치의 오직 일 측만을 위해 방사되기 때문에 낮은 라이트 활용률(light utilization rate)을 가진다. 종래의 기술에 있어서, 라이트 활용률을 개선하기 위하여, LED 라이트 에미팅 라이트 바에서 라이트가 두 측면들로부터 방사되는 LED 라이트 에미팅 라이트 바는 제공된다. LED 라이트 에미팅 라이트 바에 있어서, 투명한 베이스는 투명한 기판을 가지는 LED 칩과 결합으로 이용되고, 투명한 베이스의 상부 표면 및 하부 표면은 형광 파우더와 혼합되는 포장 접착제로 덮여서, LED 라이트 에미팅 라이트 바의 두 측면들로부터 방사된다. 종래 기술에 있어서, 그러나, LED 라이트 에미팅 라이트 바를 제작하는 공정에 있어서, 포장 접착제는 투명한 베이스 각각의 전방 및 후방으로부터 투명한 베이스의 상부 및 하부 표면들을 덮어서, 투명한 베이스드가 절단된 후, 절단 표면들(cutting surfaces), 즉 LED 라이트 바의 측 표면들은, 포장 접착제에 의해 덮이지 않는다. 이러한 경우에, 라이트는 LED의 측 표면들로부터 새어나가고, 따라서 LED의 라이트 에미팅의 균일성은 영향을 받으며, 제작자들은 측-표면 라이트 누출에 의해 야기되는 색 온도의 증가의 문제를 해결하기 위한 형광 파우더를 더 추가하기 때문에, 생산 비용은 증가된다.
이러한 관점에서, 포장 접착제에 의해 덮여진 것의 LED 라이트 바 모든 측면들(LED light bar all sides)을 제작하는 방법은 제공된다. 본원의 기술적인 문제들은 다음과 같다. 투명한 베이스는 특별하게 처리되고, 투명한 베이스의 상부 표면 및 하부 표면을 관통하는 다중 연마 홈들은 투명한 베이스 상에 형성된다. 연마 홈들은 LED 칩 기둥들에 대응하게 배열되고, 각 LED 칩 기둥의 두 측면들의 각각에서, 적어도 하나의 연마 홈은 배열된다. 포장의 공정에서, 포장 접착제의 일부는 상부 및 하부 압축하는 몰드의 압력 하에서 연마 홈들 내로 들어가고, 채운다. 이러한 경우, 포장 접착제는 LED 침들이 위치된 투명한 베이스의 상부 표면 및 하부 표면을 덮을 뿐만 아니라, 각 LED 칩 기둥의 두 측면들에서 연마 홈을 채운다. 이러한 경우에, 투명한 베이스가 절단 될 때, 접착제에 의해 둘러싸인 LED 라이트 바는 투명한 베이스가 연마 홈을 따라서 절단되면 얻어질 수 있고, 이에 의해 종래 공정들에 의해 제작되는 LED 라이트 바의 측-표면 라이트 누출의 결점을 극복한다.
다음에서, 본원의 기술적인 해법은 상세한 설명에서 기술된다.
참조는 본원에 따라 LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법의 개략적인 흐름도인 도 2a 내지 2e로 만들어진다. 도 2a 내지 2e에서 도시된 바와 같이, 방법은 주로 다음의 단계들을 포함한다.
투명한 베이스(20)는 제공되고, LED 칩들을 고정하기 위한 적어도 하나의 프레임워크 영역(21)은 투명한 베이스(20) 상에 배열되고, 프레임워크 영역(21)에 평행한 적어도 하나의 연마 홈(22)은 적어도 하나의 프레임워크 영역(21) 각각의 두 측면들 각각에서 배열되며, 연마 홈(22)은 투명한 베이스(20)의 상부 표면 및 하부 표면을 관통한다.
투명한 베이스(20)는 투명한 유리 플레이트, 투명한 수지 플레이트, 사파이어 베이스 및 투명한 세라믹과 같은 투명한 크리스탈일 수 있다. 투명한 베이스(20)는 가시대역(visible band) 내인 400nm로부터 750nm까지의 파장 범위를 구비하는 라이트를 위한 투과성(transmissivity)을 가지도록 요구되고, 투과성은 50%보다 크거나 같고, 바람직하게는 70%보다 크거나 같다.
연마 홈(22)은 투명한 베이스(20)를 제작하는 공정으로 몰드 주조에 의해 투명한 베이스(20)를 구비하여 일체로 형성된다. 또는, 연마 홈(22)은 투명한 베이스(20)가 형성된 후에 펀칭(punching)과 레이저 절단(laser cutting)과 같은 홈을 파는 공정을 통해 투명한 베이스의 후처리-공정을 함으로써 형성될 수 있다. 얀마 홈은 프레임워크 영역(21)과 어울리게(matching) 배열될 수 있다.
최적의 실시예에 있어서, 적어도 하나의 연마 홈(22) 및 적어도 하나의 프레임워크 영역(21)은 번갈아 배열된다. 이러한 경우에, 일 연마 홈이 각 프레임워크 영역(21)의 두 측면들 각각에서 배열되는 요구는 만족되어서, 절단 공간은 다음 절단 공정을 위해 제공되며, 연마 홈의 수는 줄어들어서 투명한 베이스(20)의 공간 활용은 최대화된다.
다른 실시예에서, 두 연마 홈들은 각 프레임워크 영역(21)의 두 측면들 각각에서 배열될 수 있다. 프레임워크 영역들과 연마 홈들을 위한 배열에 관계없이, 연마 홈(22)의 길이가 프레임워크 영역(21)의 길이와 같거나 크도록 요구되는 것은 주목되어야 한다. LED 라이트 바가 형성된 후에 연마 홈의 너비는 형광 파우더의 사용량과 LED 라이트 바의 측 표면들로부터 방사되는 라이트의 양에 따라 좌우되고, 이는 LED 라이트 바의 측 표면 상에 포장 접착제의 두께가 투명한 베이스가 절단된 후에 연마 홈의 너비의 절반과 대략 동일하기 때문이다. 예를 들어, 만일 LED 라이트 바의 측 표면들로부터 방사되는 라이트의 양이 크다면, 형광 파우더의 큰 양이 필요하고, 포장 접착제 내로 혼합된 형광 파우더의 일정한 농도(constant intensity)에서, 일반적으로, LED로부터 방사되는 라이트는 포장 접착제의 두께를 제어하기 위해 조정되고, 이러한 경우에, 포장 접착제의 두께는 크다. 또는, 만약 LED 라이트 바의 측 표면들로부터 방사된 라이트가 적으면, 포장 접착제의 두께는 적당하게 얇을 수 있다. 또는, 측 표면들로부터 방사되는 라이트는 포장 접착제의 두께를 고정하고 형광 파우더의 사용량을 바꾸기 위해 조정될 수 있다. 이러한 경우, 연마 홈의 너비는 특정 표준 값(certain standard value)으로서 지정될 수 있고, 그에 의해 일괄 생산(batch production)과 몰드를 개장하는 것과 배치 생산(batch production)을 용이하게 한다.
하나 이상의 LED 칩들(23)은 다이 본딩 공정으로 적어도 하나의 프레임워크 영역(21)상에 배열된다. 조 2b에서 도시된 바와 같이, 세인 프레임워크 영역(sane framework region; 21)에 위치된 LED 칩들(23)은 일반적으로 LED 칩 기둥을 형성한다.
다이 본딩의 공정에서, LED 칩들은 실리카 겔(silica gel)과 같은 투명한 접착제에 의해 투명한 베이스(20)의 프레임워크 영역(23) 상에 고정된다. 하나 이상의 LED 칩(23)은 각 프레임워크 영역(21) 상에 배열되고, LED 칩들은 프레임워크 영역(21)을 따라서 기둥에 배열된다. 몇몇 특정 적용들에서, 다중의 LED 칩 기둥들은 일 프레임워크 영역(21) 상에 형성될 것이고, 이에 의해 LED 라이트 바로부터 방사되는 라이트의 발광성(luminance)을 개선한다.
도 2c에서 도시된 바와 같이, 동일 LED 칩 기둥에서, LED 침(23)의 양극은 와이어 본딩 공정에 의해 그것에 인접한 LED 칩(23)의 음극에 연결된다. 본딩 와이어(24)는 LED 칩들(23) 사이에서 전도성 성능(conductive performance)을 보장(ensure)하도록 금박 선(golden line)으로 바람직하게 구성될 수 있다. 각 기둥에서 LED 칩들은 평행하거나 연속적으로(in series) 연결될 수 있다. 기둥에서 모든 LED 칩들은 본딩 와이어(24)에 의해 프레임워크 영역(21)의 외측에서 배열된 전도성 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
형광 파우더와 혼합된 포장 접착제(25)는, 압축 성형 공정에 의해, LED 칩들이 배열되는 투명한 베이스의 상부 표면 및 하부 표면을 덮고, 포장 접착제(25)는 도 2d에서 도시된 바와 같이, 압력 하에서 연마 홈들을 채울 수 있다. 상부 압축하는 몰드 및 하부 압축하는 몰드는 압축 성형 공정에서 이용된다. 투명한 베이스(20)는, 투명한 베이스(20)를 고정하기 위한 리세스가 하부 압축하는 몰드 상에 배열되는, 하부 압축하는 몰드(31) 상에 위치되고, 투명한 베이스(20)가 리세스 내로 위치된 후에 LED 칩들을 수용하는 리세스의 부분이 여전히 비어져있는(hollow) 것을 보장하는 것은 리세스 내 LED 칩의 높이보다 더 큰 높이를 구비하는 적어도 하나의 단계이다. 리세스 내로 포장 접착제를 주입하기(injecting) 위한 챔버(chamber)는 하부 압축하는 몰드(31)에도 배열된다. 상부 압축하는 몰드는 하부 압축하는 몰드에 리세스(recess)를 매치(match)시킬 수 있다. 투명한 베이스(20)가 하부 압축하는 몰드(31) 내로 위치된 후, 상부 압축하는 몰드(32)는 하부 압축하는 몰드(31)를 압축시키고, 포장 접착제는 리세스를 채우며, 투명한 베이스(20)의 상부 표면과 하부 표면을 덮고 압력 하에서 연마 홈에 들어간다. 형광 파우더는 포장 접착제(25) 내로 혼합되고, 형광 파우더의 종류는 LED에 의해 방사되도록 광원의 색에 따라서 결정된다. 예를 들어, 화이트-라이트 LED를 위해, 블루-라이트 LED 칩이 이용되는 경우, 노란 형광 파우더가 이용된다.
투명한 베이스는 도 2e에서 도시된 바와 같이 접착제에 의해 둘러싸인 LED 라이트 바를 얻도록, 포장 접착제가 응고된 후 연마 홈을 따라서 절단된다. 투명한 베이스는 연마 홈의 길이 방향을 따라서 절단되고, 절단 경로는 실질적으로 길이 방향으로 연마 홈의 중심선과 일치한다. 투명한 베이스(20)는 포장 접착제에 의해 둘러싸이고, 특정 절단 장치는 요구된다. 절단 장치는 포장된 투명한 베이스를 위치시킬 수 있는 포지셔닝 장치(positioning device)를 가지고, 포지셔닝 장치는 투명한 베이스 상에 연마 홈의 위치를 기반으로 절단 경로를 결정할 수 있고, 이에 의해 절단선이 연마 홈의 중심선과 엄격하게 일치하는 것은 보장된다. 얻어진 LED 라이트 바(26)의 길이가 연마 홈(22)의 길이보다 크고 프레임워크(21)의 길이보다 크도록 요구되는 것은 주목되어야 한다. 그러므로, LED 라이트 바(26)의 두 단부들에서 투명한 베이스의 일부들은 포장 접착제에 의해 각각 덮여지지 않고, 전도성 전극들은 노출된 부분들 상에 형성되며, 전도성 전극들은 포장 접착제에 의해 덮여지는 LED 칩들에 전기적으로 연결된다.
도 2b를 참조하여, 제작된 LED 라이트 바를 위해, 전방 표면 및 후방 표면이 포장 접착제에 의해 덮여질 뿐만 아니라, 또한 두 측 표면들은 연마 홈을 채우는 포장 접착제에 의해 덮여지고, 이에 접착제에 의해 둘러싸인 LED 라이트 바를 위한 포장 기술을 달성하고, 종래의 LED 라이트 바의 측-표면 라이트 누출의 문제를 해결한다.
본원에 따른 방법에서, LED 라이트 바에 의해 방사되는 라이트의 균일성은 개선될 뿐만 아니라, 형광 파우더의 사용량도 아끼고 비용을 줄일 수 있다.
LED 라이트 바를 설계함에 있어서, LED 칩들의 수, 라이트 바의 총 길이, 프레임워크 영역의 길이, LED 라이트 바의 전방 표면, 후방 표면, 측 표면들 상의 포장 접착제의 두께가 램프(lamp) 내의 램프 심지(lampwick), 모바일 폰의 액체 크리스탈 스크린(liquid crystal screen) 내의 블랙 라이트 광원(backlight light source), 또는 큰 액체 크리스탈 스크린 내의 블랙 라이트 광원 등과 같은 적용들의 요구를 따라서 디자인 될 수 있고, 본원의 아이디어에 따라서 당업자들에 의해 상응하게 적용될 수 있는 것은 주목되어야 한다.
상기 실시예에 따른 LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법을 기반으로, 방법을 기반으로 제작된 LED 라이트 바도 또한 제공된다.
실시예에 따른 LED 라이트 바의 프레임워크 영역은 접착제에 의해 둘러싸인다.
명확하게, 적어도 하나의 연마 홈 및 적어도 하나의 프레임워크 영역은 번갈아 배열되고, 또는, 두 연마 홈들은 각 하나의 프레임워크 영역의 두 측면들의 각각에 배열된다.
연마 홈의 길이가 프레임워크 영역의 길이보다 크거나 같다는 것은 주목해야 한다.
연마 홈은 몰드 주조에 의해 투명한 베이스를 구비하여 일체로 형성되고, 연마 홈은 홈을 파는 공정을 통한 투명한 베이스의 후처리-공정에 의해 형성된다.
투명한 베이스는 투명한 유리 플레이트, 투명한 수지 플레이트, 사파이어 베이스, 또는 투명한 세라믹 중 하나이다.
언급된 실시예들은 본 발명의 선호되는 실시예들일 뿐 본원을 제한하는 것은 아니다. 본원에 따른 선호되는 실시예들은 위에서 개시되고, 본원을 제한하도록 의도되지 않는다. 당 기술 분야의 기술을 가진 자들은, 본원의 기술적인 해법들 상의 기술된 방법, 기술적인 내용을 기반으로, 몇몇 변형들 및 개선들을 이룰 수 있고, 또는 기술적인 해법들의 범위로부터 벗어남 없이 실시예들 상의 몇몇 동등한 변형들을 만들 수 있다. 모든 간단한 변경들, 동등한 변형물, 개선들은 본원의 기술적인 해법들의 범위에 있는 본원의 기술적인 해법들의 내용으로부터 시작함 없이 본원의 기술적인 본질을 기반으로 한다.
10 : 투명한 베이스
11 : LED 칩
12 : 전도성 와이어
15 : 몰드
14 : 혼합물
16 : 라이트 바
20 : 투명한 베이스
21 : 프레임워크 영역
22 : 연마 홈
23 : LED 칩
24 : 본딩 와이어
25 : 포장 접착제
26 : 라이트 바
31 : 몰드

Claims (10)

  1. 투명한 베이스를 제공하는 단계, LED 칩들을 고정하기 위한 적어도 하나의 프레임워크 영역은 투명한 베이스 상에 배열되고, 상기 프레임워크 영역에 평행한 적어도 하나의 연마 홈은 각 프레임워크 영역의 두 측면들 각각에 배열되며, 상기 연마 홈은 상기 투명한 베이스의 상부 표면 및 하부 표면을 관통함;
    다이 본딩 공정에 의해 상기 적어도 하나의 프레임워크 영역 상에 하나 이상의LED 칩들을 배열하는 단계, 동일 프레임워크 영역 상의 LED 칩들은 LED 칩 기둥을 형성함;
    동일 LED 칩 기둥에서, 와이어 본딩 공정에 의해 상기 LED 칩에 인접한 LED 칩의 음극으로 LED 칩의 양극을 연결하는 단계;
    압축 성형 공정에 의해, 상기 LED 칩들이 형광 파우더와 혼합된 포장 접착제를 구비하여 배열되는 상기 투명한 베이스의 상부 및 하부 표면을 덮고, 상기 압축 성형 공정에 의해, 압력 하의 상기 포장 접착제를 구비하는 상기 연마 홈을 채우는 단계; 및
    상기 접착제에 의해 둘러싸이는 LED 라이트 바를 얻도록, 상기 포장 접착제가 응고된 후에 상기 연마 홈을 따라서 상기 투명한 베이스를 절단하는 단계;
    를 포함하는, LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 연마 홈과 상기 적어도 하나의 프레임워크 영역은 번갈아 배열되거나, 두 연마 홈들은 각 프레임워크 영역의 두 측면의 각각에 배열되는, LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 연마 홈의 길이는 상기 프레임워크 영역의 길이보다 크거나 같은, LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 연마 홈은 몰드 주조에 의해 투명한 베이스를 구비하여 일체로 형성되거나, 상기 연마 홈은 홈을 파는 공정을 통한 상기 투명한 베이스의 후처리-공정에 의해 형성되는, LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 투명한 베이스는 상기 연마 홈의 길이 방향을 따라서 절단되고, 절단하는 궤도는 길이 방향으로 상기 연마 홈의 중심선과 일치하는, LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 투명한 베이스는 투명한 유리 플레이트, 투명한 수지 플레이트, 사파이어 베이스 또는 투명한 세라믹 중 하나인, LED 라이트 바를 제작하기 위한 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
KR1020167026053A 2014-03-21 2014-05-27 Led 라이트 바 제조방법 및 led 라이트 바 KR101846110B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410108679.6 2014-03-21
CN201410108679.6A CN103840071B (zh) 2014-03-21 2014-03-21 一种led灯条制作方法及led灯条
PCT/CN2014/078516 WO2015139369A1 (zh) 2014-03-21 2014-05-27 一种led灯条制作方法及led灯条

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160125458A KR20160125458A (ko) 2016-10-31
KR101846110B1 true KR101846110B1 (ko) 2018-05-18

Family

ID=50803373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167026053A KR101846110B1 (ko) 2014-03-21 2014-05-27 Led 라이트 바 제조방법 및 led 라이트 바

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9905542B2 (ko)
EP (1) EP3121508B1 (ko)
JP (1) JP2017508302A (ko)
KR (1) KR101846110B1 (ko)
CN (1) CN103840071B (ko)
WO (1) WO2015139369A1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105849919B (zh) * 2014-06-20 2019-05-28 福建永德吉灯业股份有限公司 可直视led发光元件
CN104251404A (zh) * 2014-08-13 2014-12-31 浙江英特来光电科技有限公司 一种低热阻的高光效高显指双面发光白光led
CN104269360B (zh) * 2014-10-11 2017-10-27 东莞市索菲电子科技有限公司 全方位条状发光灯具制作方法
CN104384067B (zh) * 2014-10-30 2017-06-30 木林森股份有限公司 一种用于led灯条点胶的点胶头及点胶方法
CN104538387A (zh) * 2014-12-06 2015-04-22 广东聚科照明股份有限公司 一种全光谱周光led灯丝
CN110260183A (zh) * 2015-07-23 2019-09-20 晶元光电股份有限公司 发光装置
CN105235114B (zh) * 2015-10-19 2017-04-19 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led灯丝模具及led灯丝制备方法
CN107331648A (zh) * 2017-08-17 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及其密封性检测方法和制造方法
CN107559647A (zh) * 2017-08-22 2018-01-09 广东欧曼科技股份有限公司 一种用于制作led灯带的制作工艺
CN109093909B (zh) * 2018-08-16 2024-04-23 深圳浩翔光电技术有限公司 Led电路板灌胶模具、方法及led电路板封装结构
CN111653555A (zh) * 2020-05-25 2020-09-11 中山市木林森电子有限公司 一种全光谱led光源及其制作方法
CN113446526A (zh) * 2021-07-01 2021-09-28 深圳市卷对卷光电科技有限公司 一种led灯条生产方法及应用该方法的生产系统

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103325927A (zh) * 2013-07-05 2013-09-25 江苏华英光宝科技股份有限公司 360度发光led支架与包含该支架的led灯柱及其制备方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217464A (ja) * 2000-01-31 2001-08-10 Rohm Co Ltd 発光表示装置およびその製法
US20080121899A1 (en) 2006-11-07 2008-05-29 World Properties, Inc. Transparent electrode for LED array
CN101546756B (zh) 2008-03-25 2010-11-10 宏齐科技股份有限公司 具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构及其封装方法
JP2010097917A (ja) 2008-10-20 2010-04-30 Satoshi Miyauchi 照明・表示装置
TWM378328U (en) * 2009-11-10 2010-04-11 Jia-Xiu Lin LED panel which is easy to be mounted/dismounted and of which illumination can be controlled
JP2012191114A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Sharp Corp Led実装用基板及びledモジュールの製造方法
CN102185048A (zh) * 2011-04-14 2011-09-14 翁小翠 一种高出光率led灯条的制作方法
CN202196812U (zh) 2011-08-29 2012-04-18 宏齐科技股份有限公司 条状发光结构
TW201320412A (zh) 2011-11-14 2013-05-16 Evergreen Optronics Inc 發光二極體封裝
CN202585529U (zh) * 2012-04-24 2012-12-05 Tcl光电科技(惠州)有限公司 一种led芯片cob封装结构及其灯条
CN103187514A (zh) 2012-09-17 2013-07-03 中国科学院福建物质结构研究所 一种led封装结构
CN202868390U (zh) * 2012-09-26 2013-04-10 厦门华联电子有限公司 一种新型的led光源及采用此光源制造的灯泡
CN103199179B (zh) * 2013-04-18 2015-11-25 苏州东山精密制造股份有限公司 一种led光源及其封胶方法
CN103322525B (zh) 2013-06-17 2015-04-22 深圳市源磊科技有限公司 Led灯及其灯丝
CN203434200U (zh) 2013-08-30 2014-02-12 华南理工大学 荧光粉与芯片分离全角度均匀出光的大功率led灯条
CN103500742B (zh) 2013-09-05 2016-02-24 余国祥 一种可360度发光的led平面封装装置
TWI516709B (zh) * 2013-10-25 2016-01-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置及其發光二極體燈具
CN103560194A (zh) * 2013-10-28 2014-02-05 嵘瑞芯光电科技(上海)有限公司 Led灯丝芯片条的制造方法及led灯丝

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103325927A (zh) * 2013-07-05 2013-09-25 江苏华英光宝科技股份有限公司 360度发光led支架与包含该支架的led灯柱及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3121508A1 (en) 2017-01-25
US20170110443A1 (en) 2017-04-20
JP2017508302A (ja) 2017-03-23
EP3121508B1 (en) 2018-07-11
CN103840071B (zh) 2016-08-17
US9905542B2 (en) 2018-02-27
EP3121508A4 (en) 2017-09-20
CN103840071A (zh) 2014-06-04
KR20160125458A (ko) 2016-10-31
WO2015139369A1 (zh) 2015-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101846110B1 (ko) Led 라이트 바 제조방법 및 led 라이트 바
US10215907B2 (en) Substrate for color conversion, manufacturing method therefor, and display device comprising same
KR101235460B1 (ko) 측면 발광형 엘이디 및 그 제조방법
KR101843501B1 (ko) 발광장치
CN201820755U (zh) 发光二极管
KR20140134038A (ko) 발광 디바이스 및 이의 제조방법
KR20140004351A (ko) 발광 다이오드 패키지
JP7171972B2 (ja) 発光装置
KR101168854B1 (ko) Led 패키지의 제조방법
CN201887075U (zh) 发光二极管
KR101430178B1 (ko) 사이드뷰 led 패키지
KR20070032426A (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN103296173A (zh) 具有侧面电极的led芯片及其封装结构
KR20130014755A (ko) 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
CN105845804A (zh) 发光二极管装置与应用其的发光装置
KR20150035176A (ko) 수직형 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치
TWM479522U (zh) 發光二極體封裝及照明裝置
US8878216B2 (en) Light emitting diode module and method for manufacturing the same
JP5242661B2 (ja) 発光装置の製造方法
KR20120014285A (ko) Led 패키지 및 그의 제조 방법
KR101321933B1 (ko) 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
TWM496847U (zh) 發光模組
KR20130091102A (ko) Led 패키지 및 그 제조방법
KR101374899B1 (ko) 발광 다이오드
KR101330249B1 (ko) 발광 다이오드 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right