JP2012191114A - Led実装用基板及びledモジュールの製造方法 - Google Patents

Led実装用基板及びledモジュールの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】LEDモジュールのコストを削減できるLED実装用基板を提供する。
【解決手段】一方向に延びて形成されるとともに複数のLED2が該一方向に並設して実装されるLED実装用基板10において、ポリイミドから成る基材13と、基材13の一面の直上に配される銅箔から成る配線層15と、基材13の他面の直上に配される金属箔から成る放熱層14とを積層して可撓性を有するフィルム状に形成した。
【選択図】図2

Description

本発明は、LEDが実装されるLED実装用基板に関する。また本発明は、LED実装用基板上にLEDを実装したLEDモジュールの製造方法に関する。
図7はLEDを実装して液晶テレビやモバイル端末等の液晶表示パネルのバックライトを形成する従来のLEDモジュールの平面図を示している。LEDモジュール1は一方向に延びたバー状のLED実装用基板10の一面の実装面10a上に複数のLED2が並設して実装される。また、LEDモジュール1の一端には接続用のコネクタ3が実装されている。LED駆動用の回路側のコネクタにコネクタ3を接続してLED2が駆動される。
従来のLED実装用基板10は特許文献1に開示されている。図8はこのLED実装用基板10の側面断面図を示している。LED実装用基板10はガラスエポキシから成る基材11を有している。基材11は通常約0.8mm以上の厚みに形成される。
基材11の一面は実装面10aを形成し、実装面10a上には例えば、厚みが35μmの銅箔から成る配線層15が形成される。配線層15によってLED2に接続される回路の配線パターンが形成される。基材11の他面には例えば、厚みが35μmの銅箔から成る放熱層14が形成される。LED2の発熱は基材11を介して放熱層14に伝えられ、放熱層14から放熱される。
上記のLED実装用基板10を製造する際に、まず基材11上に配線層15及び放熱層14が貼着される。次に、配線層15及び放熱層14をエッチングして配線パターンや放熱用のパターンが形成される。そして、金型の打ち抜きによって所定形状のLED実装用基板10が形成される。
また、放熱性をより高くするため、アルミニウム基材を用いたLED実装用基板も知られている。図9はこのLED実装用基板の側面断面図を示している。説明の便宜上、前述の図8と同様の部分には同一の符号を付している。LED実装用基板10は放熱層を兼ねたアルミニウムから成る基材12を有している。基材12は通常約0.8mm〜2mmの厚みに形成される。
基材12の一面には高熱伝導性接着剤から成る絶縁層16が形成される。実装面10aを形成する絶縁層16の表面には例えば、厚みが35μmの銅箔から成る配線層15が形成される。LED2の発熱は絶縁層16を介して基材12に伝えられ、基材12から放熱される。
上記のLED実装用基板10を製造する際には、まず基材12上に高熱伝導性接着剤を塗布し、配線層15を貼着した後に熱硬化して絶縁層16を形成する。次に、配線層15をエッチングして配線パターンが形成される。そして、金型の打ち抜きによって所定形状のLED実装用基板10が形成される。
LEDモジュール1はLED実装用基板10を製造ライン上で搬送し、半田を塗布する工程、LED2やコネクタ3等を実装する工程等の複数の工程を順に行って形成される。この時、製造ライン上でLED実装用基板10の位置決めを容易にするため、LED実装用基板10を保持する搬送パレットが用いられる。
図10は搬送パレット20の平面図を示している。搬送パレット20には一方向に延びた複数の溝部20aが幅方向に並設される。溝部20aにはLED実装用基板10が嵌合して設置される。これにより、LED実装用基板10を保持した搬送パレット20を製造ライン上で搬送して各工程が行われ、LEDモジュール1が形成される。また、機種に応じて大きさの異なるLED実装用基板10に対し、溝部20aの大きさの異なる搬送パレット20を用いて同じ製造ライン上に搬送させることができる。
国際公開第2009/142192号
しかしながら、上記従来のLED実装用基板10によると、LEDモジュール1の製造ライン上の搬送のために多数の搬送パレット20を必要とする。このため、初期設備費用がかかり、LEDモジュール1のコストが大きくなる問題があった。
また、LED実装用基板10は基材11、12が厚いため、金型の加工性が悪く、打ち抜きの際のバリが発生するとともに金型の摩耗が大きくなる。これにより、LED実装用基板10の歩留りや生産性が低下し、LEDモジュール1のコストが大きくなる問題もあった。
本発明は、LEDモジュールのコストを削減できるLED実装用基板を提供することを目的とする。また本発明は、コストを削減できるLEDモジュールの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、一方向に延びて形成されるとともに複数のLEDが該一方向に並設して実装されるLED実装用基板において、ポリイミドから成る基材と、前記基材の一面の直上に配される銅箔から成る配線層と、前記基材の他面の直上に配される金属箔から成る放熱層とを積層して可撓性を有するフィルム状に形成されることを特徴としている。
この構成によると、一方向に延びるLED実装用基板上にLEDを実装してLEDモジュールが形成される。LEDの発熱はポリイミドの基材を介して金属の放熱層に伝えられて放熱する。LED実装用基板は可撓性を有するフィルム状に形成されるため、ロール状の基体フィルム上にLEDを実装して基体フィルムを切断することによってLED実装用基板及びLEDモジュールを得ることができる。
また本発明は、上記構成のLED実装用基板において、前記放熱層が銅箔またはアルミニウム箔から成ることを特徴としている。
また本発明は、上記構成のLED実装用基板において、アルミニウム箔から成る前記放熱層の厚みを0.3mm以下にしたことを特徴としている。この構成によると、可撓性を有するフィルム状のLED実装用基板を容易に実現できる。
また本発明は、上記構成のLED実装用基板において、前記基材の少なくとも一部が前記配線層及び前記放熱層に接したポリイミドの前駆体を熱硬化して形成されることを特徴としている。この構成によると、配線層や放熱層と基材との間に基材と材質の異なる接着層が形成されないため、LED実装用基板の熱伝導性の低下が抑制される。
また本発明は、一方向に延びて形成されるとともに複数のLEDが該一方向に並設して実装されるLED実装用基板において、厚みが0.06mm以下のガラスエポキシから成る基材と、前記基材の一面に配される銅箔から成る配線層と、前記基材の他面に配される銅箔から成る放熱層とを積層して可撓性を有するフィルム状に形成されることを特徴としている。
この構成によると、一方向に延びるLED実装用基板上にLEDを実装してLEDモジュールが形成される。LEDの発熱はガラスエポキシの基材を介して金属の放熱層に伝えられて放熱する。LED実装用基板は厚みが0.06mm以下のガラスエポキシの基材によって可撓性を有するフィルム状に形成される。このため、ロール状の基体フィルム上にLEDを実装して基体フィルムを切断することによってLED実装用基板及びLEDモジュールを得ることができる。
また本発明は、上記構成のLED実装用基板において、該一方向の一端の前記配線層にコネクタ挿入用の配線パターンが形成されることを特徴としている。
また本発明は、上記各構成のLED実装用基板上にLEDを実装したLEDモジュールの製造方法において、前記基材と前記配線層と前記放熱層とを積層したロール状の基体フィルム上に前記LEDを実装するLED実装工程と、前記基体フィルムを所定の長さに切断する切断工程とを備えたことを特徴としている。
この構成によると、基材上に配線層及び放熱層を積層したロール状の基体フィルムが複数の工程を順に設けたLEDモジュールの製造ライン上に一端を引き出して配される。LED実装工程では基体フィルム上にLEDが実装される。その後、切断工程で基体フィルムが所定の長さに切断される。これにより、所定長さのLED実装用基板上にLEDを実装したLEDモジュールが得られる。
また本発明は、上記構成のLEDモジュールの製造方法において、前記基体フィルムが長手方向に延びる所定長さのスリットを有し、前記LED実装工程で前記スリットの両側方の前記基体フィルム上に前記LEDを実装するとともに、前記切断工程で前記スリットの両端部で前記基体フィルムを切断することを特徴としている。
この構成によると、LED実装工程でスリットの両側方にLEDを順に実装し、LEDが複数列に配される。切断工程ではスリットの両端部で前記基体フィルムが切断される。これにより、複数のLEDモジュールが同時に得られる。基体フィルム上に1列のスリットを設けてもよく、複数列のスリットを設けてもよい。
また本発明は、基材の一面に配線層を形成して他面に放熱層を形成したLED実装用基板上にLEDを実装したLEDモジュールの製造方法において、前記基材と前記配線層と前記放熱層とを積層したロール状の基体フィルム上に前記LEDを実装するLED実装工程と、前記基体フィルムを所定の長さに切断する切断工程とを備えたことを特徴としている。
本発明のLED実装用基板によると、ポリイミドから成る基材の直上に金属の配線層及び放熱層を設け、可撓性を有するフィルム状に形成される。これにより、ロール状の基体フィルム上にLEDを実装して該基体フィルムを切断することによりLEDモジュールを得ることができる。従って、LEDモジュールの製造ライン上に従来のような搬送パレットを必要としないため、LEDモジュールのコストを削減することができる。
また、LED実装用基板がフィルム状に薄く形成されるため、金型の加工性が向上してLED実装用基板のコストを削減することができる。加えて、ポリイミドから成る基材上に材質の異なる接着層が形成されないため、LED実装用基板の放熱性の低下を抑制することができる。
また、本発明のLED実装用基板によると、厚みが0.06mm以下のガラスエポキシから成る基材に銅箔の配線層及び放熱層を設け、可撓性を有するフィルム状に形成される。これにより、ロール状の基体フィルム上にLEDを実装して該基体フィルムを切断することによりLEDモジュールを得ることができる。従って、LEDモジュールの製造ライン上に従来のような搬送パレットを必要としないため、LEDモジュールのコストを削減することができる。
また、LED実装用基板がフィルム状に薄く形成されるため、金型の加工性が向上してLED実装用基板のコストを削減することができる。加えて、ガラスエポキシから成る基材の厚みを0.06mm以下にすることにより、LED実装用基板の熱伝導性を向上させることができる。
また本発明LEDモジュールの製造方法によると、基材と配線層と放熱層とを積層したロール状の基体フィルム上にLEDを実装するLED実装工程と、基体フィルムを所定の長さに切断する切断工程とを備えたので、製造ライン上に従来のような搬送パレットを必要としないため、LEDモジュールのコストを削減することができる。
本発明の第1実施形態のLEDモジュールを示す平面図 本発明の第1実施形態のLEDモジュールのLED実装用基板を示す側面断面図 本発明の第1実施形態のLEDモジュールの製造ラインで用いる基体フィルムを示す斜視図 本発明の第1実施形態のLEDモジュールの製造ラインを示す図 本発明の第1実施形態のLEDモジュールの製造ラインで用いる他の基体フィルムを示す斜視図 本発明の第2実施形態のLEDモジュールのLED実装用基板を示す側面断面図 従来のLEDモジュールを示す平面図 従来のLEDモジュールのLED実装用基板を示す側面断面図 従来のLEDモジュールの他のLED実装用基板を示す側面断面図 従来のLEDモジュールの製造ラインで用いる搬送パレットを示す平面図
以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図1は第1実施形態のLEDモジュールの平面図を示している。説明の便宜上、前述の図7〜図10に示す従来例と同様の部分には同一の符号を付している。
LEDモジュール1は一方向に延びたバー状のLED実装用基板10の一面の実装面10a上に複数のLED2が並設して実装される。また、LED実装用基板10上には各LED2に対応して所望の方向に光を出射させるレンズ(不図示)が実装されている。LED実装用基板10の一端にはLED駆動用の回路側のコネクタに接続されるコネクタ部10bが形成される。コネクタ部10bには後述する配線層15(図2参照)によって接続用の配線パターン15aが形成される。
図2はLED実装用基板10の側面断面図を示している。LED実装用基板10は基材13の一面に配線層15が積層され、他面に放熱層14が積層される。基材13はポリイミドから成り、例えば、約25μmの厚みに形成される。ポリイミドを用いることによって基材13を薄型化しても強度を確保することができる。
基材13の一面は実装面10aを形成し、実装面10a上には銅箔から成る配線層15が形成される。配線層15は例えば、35μmの厚みに形成される。配線層15によってLED2に接続される回路の配線パターンが形成される。基材13の他面には金属箔から成る放熱層14が形成される。放熱層14は例えば、厚みが35μmの銅箔や、厚みが0.3mm以下のアルミニウム箔により形成される。LED2の発熱は基材13を介して放熱層14に伝えられ、放熱層14から放熱される。
基材13、配線層15及び放熱層14の厚みが薄いため、LED実装用基板10は可撓性を有するフィルム状に形成されたフレキシブル基板になっている。
図3はLEDモジュール1の製造ライン30(図4参照)で用いられる基体フィルム21の斜視図を示している。基体フィルム21は基材13、配線層15及び放熱層14が積層され、後述するように切断によってLED実装用基板10が得られる。基体フィルム21の製造時には、まずポリイミドから成る基材13の表面にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸が塗布される。次に、配線層15及び放熱層14を形成する金属箔を熱ラミネートした後、熱硬化処理される。
これにより、基材13の両面の直上にそれぞれ配線層15及び放熱層14が形成される。このため、配線層15や放熱層14と基材13との間に基材13と材質の異なる接着層が形成されないため、LED実装用基板10の熱伝導性の低下が抑制される。
尚、配線層15及び放熱層14の一方の金属箔上にポリイミドの前駆体を塗布し、他方を熱ラミネートした後に熱硬化処理してもよい。これにより、ポリイミドの前駆体が熱硬化してポリイミドから成る基材13が形成される。
基体フィルム21は可撓性を有するため、巻回してロール状に形成される。基体フィルム21には巻取方向に延びて巻取方向に直交する幅方向に分割するスリット21aが設けられる。スリット21aはLED実装用基板10の長さに対して若干長く形成され、巻取方向に所定の周期で形成される。また、基体フィルム21の幅方向に複数のスリット21aが並設される。基体フィルム21の幅方向に1本のスリット21aを形成してもよい。
LED2はスリット21aの両側方に実装されて複数列(図3の場合は3列)に配される。そして、基体フィルム21をスリット21aの両端部で切断することによって複数のLED実装用基板10が同時に形成される。
図4はLEDモジュール1の製造ラインを示す図である。製造ライン30はクリーム半田工程31、第1検査工程32、LED実装工程33、リフロー半田工程34、第2検査工程35、レンズ実装工程36、熱硬化工程37、粘着テープ貼着工程38、切断工程39が順に配される。製造ライン30の先頭にはロール状の基体フィルム21が配され、先端を引き出された基体フィルム21が製造ライン30上に送り出される。
クリーム半田形成工程31は基体フィルム21の配線部15上の所定位置にクリーム半田を印刷等により形成する。第1検査工程32は基体フィルム21上のクリーム半田の外観等を検査する。LED実装工程33はクリーム半田上にLED2(図1参照)を載置して仮接着する。リフロー半田工程34はクリーム半田を溶融してLED2を半田付けする。第2検査工程35はLED2を半田付けした基体フィルム21の外観等を検査する。
レンズ実装工程36は接着剤を塗布したレンズ(不図示)を基体フィルム21上に仮接着する。熱硬化工程37はレンズの接着剤を熱硬化して基体フィルム21にレンズを固着する。粘着テープ貼着工程38は基体フィルム21の放熱層14の一面に粘着テープを貼着する。
切断工程39は金型の打ち抜きによってスリット21aの両端部で基体フィルム21を切断する。この時、コネクタ部10b(図1参照)が切断によって同時に形成される。これにより、LED実装用基板10上にLED2を実装した複数のLEDモジュール1が同時に得られる。そして、順に基体フィルム21が送り出され、LEDモジュール1が順に形成される。
本実施形態によると、LED用実装基板10がポリイミドから成る基材13の直上に金属の配線層15及び放熱層14を設け、可撓性を有するフィルム状に形成される。これにより、基材13と配線層15と放熱層14とを積層したロール状の基体フィルム21上にLED実装工程33でLED2を実装し、切断工程39で基体フィルム21を所定の長さに切断してLEDモジュール1を得ることができる。
従って、製造ライン30上に従来のような搬送パレット20(図10参照)を必要としないため、LEDモジュール1のコストを削減することができる。また、LED実装用基板10の長さが異なる複数の機種のLEDモジュール1を同じ製造ライン30上で形成することができる。
また、LED実装用基板10がフィルム状に薄く形成されるため、切断工程39の金型の加工性が向上してLEDモジュール1のコストを削減することができる。加えて、ポリイミドから成る基材13上に材質の異なる接着層が形成されないため、LED実装用基板10の強度を確保するとともに放熱性の低下を抑制することができる。
また、放熱層14が銅箔またはアルミニウム箔により形成されるので、LED2の発熱を放熱する放熱層14を容易に実現することができる。
また、放熱層14を0.3mm以下のアルミニウム箔により形成すると、可撓性のフィルム状のLED実装用基板10を容易に実現することができる。加えて、従来のような厚いアルミニウムの基材12(図9参照)を用いないため、LED実装用基板10及びLEDモジュール1をより安価に形成することができる。
また、基材13の少なくとも一部が配線層15及び放熱層14に接したポリイミドの前駆体を熱硬化して形成される。これにより、基材13上に材質の異なる接着層を形成することなく、配線層15及び放熱層14を直上に配したLED実装用基板10を容易に実現することができる。
また、切断工程39で外形が形成されるLED実装用基板10の一端にコネクタ挿入用の配線パターン15aを有するコネクタ部10bを形成したので、従来のようにLED実装用基板10にコネクタ3(図7参照)を実装する必要がない。従って、LEDモジュール1のコストをより削減することができる。
また、基体フィルム21に設けたスリット21aの両側方にLED2を実装し、スリット21aの両端部で基体フィルム21を切断するので、同時に複数のLEDモジュール1を得ることができる。従って、LEDモジュール1のコストをより削減することができる。
尚、図6に示すように、ロール状の基体フィルム21の幅DをLED実装用基板10(図1参照)の幅に一致するように形成し、LED2を1列に実装してもよい。これにより、LED実装用基板10の長さが異なる複数の機種のLEDモジュール1を同じ製造ライン30上で形成することができる。
次に、図6は第2実施形態のLEDモジュール1のLED実装用基板10を示す側面断面図である。説明の便宜上、前述の図1〜図5に示す第1実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態のLEDモジュール1は第1実施形態と同様に形成され、LED実装用基板10の積層構成が異なっている。その他の部分は第1実施形態と同一である。
LED実装用基板10は基材11の両面にそれぞれ配線層15及び放熱層14が積層される。基材11は厚みが0.06mm以下のガラスエポキシにより形成される。基材11の一面は実装面10aを形成し、実装面10a上には銅箔から成る配線層15が形成される。基材11の他面には銅箔から成る放熱層14が形成される。配線層15及び放熱層14は例えば、35μmの厚みに形成される。
基材11、配線層15及び放熱層14の厚みが薄いため、LED実装用基板10は可撓性を有するフィルム状に形成されたフレキシブル基板になっている。
これにより、第1実施形態と同様に、基材11と配線層15と放熱層14とを積層したロール状の基体フィルム21が製造ライン30上に送り出される。そして、LED実装工程33で基体フィルム21上にLED2を実装し、切断工程39で基体フィルム21を所定の長さに切断してLEDモジュール1を得ることができる。
従って、製造ライン30上に従来のような搬送パレット20を必要としないため、LEDモジュール1のコストを削減することができる。また、LED実装用基板10の長さが異なる複数の機種のLEDモジュール1を同じ製造ライン30上で形成することができる。
また、LED実装用基板10がフィルム状に薄く形成されるため、金型の加工性が向上してLED実装用基板10のコストを削減することができる。加えて、ガラスエポキシから成る基材11の厚みを0.06mm以下にすることにより、LED実装用基板10の熱伝導性を向上させることができる。
尚、第1、第2実施形態と異なる積層構造を有したロール状の基体フィルム21を製造ライン30上に送り出してLEDモジュール1を形成することもできる。
本発明によると、液晶テレビやモバイル端末等の液晶表示パネルのバックライト等に利用することができる。
1 LEDモジュール
2 LED
3 コネクタ
10 LED実装用基板
11、12、13 基材
14 放熱層
15 配線層
16 絶縁層
20 搬送パレット
21 基体フィルム
31 クリーム半田工程
32 第1検査工程
33 LED実装工程
34 リフロー半田工程
35 第2検査工程
36 レンズ実装工程
37 熱硬化工程
38 粘着テープ貼着工程
39 切断工程

Claims (9)

  1. 一方向に延びて形成されるとともに複数のLEDが該一方向に並設して実装されるLED実装用基板において、ポリイミドから成る基材と、前記基材の一面の直上に配される銅箔から成る配線層と、前記基材の他面の直上に配される金属箔から成る放熱層とを積層して可撓性を有するフィルム状に形成されることを特徴とするLED実装用基板。
  2. 前記放熱層が銅箔またはアルミニウム箔から成ることを特徴とする請求項1に記載のLED実装用基板。
  3. アルミニウム箔から成る前記放熱層の厚みを0.3mm以下にしたことを特徴とする請求項2に記載のLED実装用基板。
  4. 前記基材の少なくとも一部が前記配線層及び前記放熱層に接したポリイミドの前駆体を熱硬化して形成されることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のLED実装用基板。
  5. 一方向に延びて形成されるとともに複数のLEDが該一方向に並設して実装されるLED実装用基板において、厚みが0.06mm以下のガラスエポキシから成る基材と、前記基材の一面に配される銅箔から成る配線層と、前記基材の他面に配される銅箔から成る放熱層とを積層して可撓性を有するフィルム状に形成されることを特徴とするLED実装用基板。
  6. 該一方向の一端の前記配線層にコネクタ挿入用の配線パターンが形成されることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載のLED実装用基板。
  7. 請求項1〜請求項6のいずれかに記載のLED実装用基板上にLEDを実装したLEDモジュールの製造方法において、前記基材と前記配線層と前記放熱層とを積層したロール状の基体フィルム上に前記LEDを実装するLED実装工程と、前記基体フィルムを所定の長さに切断する切断工程とを備えたことを特徴とするLEDモジュールの製造方法。
  8. 前記基体フィルムが長手方向に延びる所定長さのスリットを有し、前記LED実装工程で前記スリットの両側方の前記基体フィルム上に前記LEDを実装するとともに、前記切断工程で前記スリットの両端部で前記基体フィルムを切断することを特徴とする請求項7に記載のLEDモジュールの製造方法。
  9. 基材の一面に配線層を形成して他面に放熱層を形成したLED実装用基板上にLEDを実装したLEDモジュールの製造方法において、前記基材と前記配線層と前記放熱層とを積層したロール状の基体フィルム上に前記LEDを実装するLED実装工程と、前記基体フィルムを所定の長さに切断する切断工程とを備えたことを特徴とするLEDモジュールの製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017508302A (ja) * 2014-03-21 2017-03-23 ▲蘇▼州▲東▼山精密制造股▲分▼有限公司Suzhou Dongshan Precision Manufacturing Co., Ltd. Ledライトバーの製造方法及びライトバー
KR20180022865A (ko) * 2015-06-25 2018-03-06 루미리즈 홀딩 비.브이. 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드 모듈을 형성하는 방법
US11022256B2 (en) * 2018-03-05 2021-06-01 Savant Technologies Llc LED lamp

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101337253B1 (ko) * 2013-05-28 2013-12-05 주식회사 테라닉스 구부림이 가능한 방열 인쇄회로기판 및 그 제조방법
KR102192572B1 (ko) 2014-06-09 2020-12-18 삼성전자주식회사 광원 모듈의 불량 검사방법, 광원 모듈의 제조 방법 및 광원 모듈 검사장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092009A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JP2005039129A (ja) * 2003-07-17 2005-02-10 Sony Corp 光源装置およびその製造方法、面発光装置、ならびに画像情報読取装置
JP2008091459A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Rohm Co Ltd Led照明装置及びその製造方法
JP2009260050A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2010021400A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 放熱特性に優れたプリント配線基板
JP2010205787A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置、及びその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050116235A1 (en) 2003-12-02 2005-06-02 Schultz John C. Illumination assembly
JP2006339224A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Tanazawa Hakkosha:Kk Led用基板およびledパッケージ
DE112008004155T5 (de) * 2008-11-25 2012-07-12 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Verfahren zum Herstellen eines Substrats für eine Baugruppe mit lichtemittierendem Elementsowie Baugruppe mit lichtemittierendem Element unter Verwendung eines derartigen Substrats
KR100955451B1 (ko) 2009-12-02 2010-04-29 (주) 써트론아이엔씨 방열 fpcb 및 이의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003092009A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JP2005039129A (ja) * 2003-07-17 2005-02-10 Sony Corp 光源装置およびその製造方法、面発光装置、ならびに画像情報読取装置
JP2008091459A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Rohm Co Ltd Led照明装置及びその製造方法
JP2009260050A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2010021400A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 放熱特性に優れたプリント配線基板
JP2010205787A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置、及びその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017508302A (ja) * 2014-03-21 2017-03-23 ▲蘇▼州▲東▼山精密制造股▲分▼有限公司Suzhou Dongshan Precision Manufacturing Co., Ltd. Ledライトバーの製造方法及びライトバー
US9905542B2 (en) 2014-03-21 2018-02-27 Suzhou Dongshan Precision Manufacturing Co., Ltd. LED light bar manufacturing method and LED light bar
KR20180022865A (ko) * 2015-06-25 2018-03-06 루미리즈 홀딩 비.브이. 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드 모듈을 형성하는 방법
JP2018524810A (ja) * 2015-06-25 2018-08-30 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 発光ダイオードモジュール、及び発光ダイオードモジュールを形成する方法
KR102539024B1 (ko) 2015-06-25 2023-06-02 루미리즈 홀딩 비.브이. 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드 모듈을 형성하는 방법
US11022256B2 (en) * 2018-03-05 2021-06-01 Savant Technologies Llc LED lamp
US11346507B2 (en) 2018-03-05 2022-05-31 Savant Technologies Llc LED lamp

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