JP6844823B2 - 強誘電体メモリセルのセンシングのためのオフセット補償 - Google Patents
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Description
Claims (28)
- 強誘電体メモリセルを動作する方法であって、
前記強誘電体メモリセルと電子通信するデジット線を接地することと、
p型電界効果トランジスタ(FET)を含む第1のスイッチングコンポーネントがダイオード構成である間に、前記第1のスイッチングコンポーネントのゲートへ第1のオフセットコンデンサを放電することであって、前記第1のスイッチングコンポーネントの前記ゲートへ前記第1のオフセットコンデンサを放電することは、前記デジット線を事実上接地する、ことと、
前記強誘電体メモリセルの蓄積電荷を前記第1のスイッチングコンポーネントを介してセンスコンデンサへ転送することであって、前記蓄積電荷は、前記デジット線が事実上接地されている間で且つ前記第1のオフセットコンデンサが放電した後に転送される、ことと、
を含む、方法。 - 前記第1のオフセットコンデンサを放電することは、前記第1のスイッチングコンポーネントを活性化することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のスイッチングコンポーネントを使用して、且つ前記第1のオフセットコンデンサを放電することに少なくとも部分的に基づいて、前記デジット線を事実上の接地に維持すること、を更に含む、請求項2に記載の方法。
- 前記第1のオフセットコンデンサの静電容量は前記p型FETの閾値電圧に少なくとも部分的に基づいており、
前記方法は、前記第1のオフセットコンデンサを放電することに少なくとも部分的に基づいて前記p型FETのゲートに前記閾値電圧を印加すること、を更に含む、請求項2に記載の方法。 - 前記強誘電体メモリセルの前記蓄積電荷を前記センスコンデンサへ転送することは、
前記p型FETのドレインを第2のスイッチングコンポーネントを介して前記センスコンデンサと接続することと、
前記強誘電体メモリセルを選択することと、
前記強誘電体メモリセルの強誘電体コンデンサに電圧を印加することと、
を含む、請求項4に記載の方法。 - 前記強誘電体メモリセルを選択することは、前記強誘電体コンデンサ及び前記デジット線と電子通信する選択コンポーネントを活性化することを含み、前記強誘電体メモリセルは前記選択コンポーネント及び前記強誘電体コンデンサを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記デジット線を接地することは、前記デジット線を第2のスイッチングコンポーネントを介して接地することを含み、前記デジット線は、前記p型FETのソースと電子通信する、請求項4に記載の方法。
- 前記センスコンデンサと電子通信するセンスアンプを活性化することと、
前記センスアンプを活性化することに少なくとも部分的に基づいて前記センスコンデンサの電圧を参照電圧と比較することと、
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のオフセットコンデンサの第1の端子を第2のスイッチングコンポーネントを介して接地することであって、前記第1のスイッチングコンポーネントはp型電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記第1のオフセットコンデンサの前記第1の端子は前記p型FETのゲート及び前記p型FETのドレインと電子通信する、ことと、
前記第1の端子を接地している間に前記第1のオフセットコンデンサの第2の端子を充電することと、
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のオフセットコンデンサを放電することは、
前記第1のオフセットコンデンサの前記第1の端子を接地から電気的に分離することと、
前記第1のオフセットコンデンサの前記第2の端子を放電することであって、前記第1のオフセットコンデンサの前記第1の端子から前記p型FETの前記ゲートへ蓄積電荷を転送することと、
を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記第1のオフセットコンデンサの前記第2の端子を放電することは、前記第1のオフセットコンデンサの前記第2の端子にゼロ電圧を印加することを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記p型FETの前記ドレインを第3のスイッチングコンポーネントを介して前記p型FETの前記ゲートから電気的に分離すること、を更に含む、請求項9に記載の方法。
- 参照回路と電子通信する参照デジット線を接地することと、
第2のスイッチングコンポーネントと電子通信する第2のオフセットコンデンサを放電することであって、前記第1のオフセットコンデンサ及び前記第2のオフセットコンデンサは共通信号線と電子通信し、前記第2のオフセットコンデンサを放電することは、前記参照デジット線を事実上接地する、ことと、
前記参照デジット線が事実上接地されている間で且つ前記第1のオフセットコンデンサが放電した後に、前記参照回路の蓄積電荷を前記第2のスイッチングコンポーネントを介して参照コンデンサへ転送することと、
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第2のスイッチングコンポーネントはp型電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記方法は、
前記第2のオフセットコンデンサを放電することに少なくとも部分的に基づいて前記p型FETの前記ゲートに閾値電圧を印加することと、
前記参照回路の前記蓄積電荷を前記参照コンデンサへ転送する間に前記参照デジット線を事実上の接地に維持することと、
を更に含む、請求項13に記載の方法。 - 第1のp型電界効果トランジスタ(FET)と、
前記第1のp型FETのソースとデジット線を介して電子通信する強誘電体メモリセルと、
前記第1のp型FETのドレインと第1のスイッチングコンポーネントを介して電子通信するセンスコンデンサと、
前記第1のp型FETのゲートと電子通信する第1のオフセットコンデンサの第1の端子と、
を含み、
前記第1のオフセットコンデンサは、前記第1のp型FETがダイオード構成である間に、前記第1のp型FETの前記ゲートへ放電されて、前記デジット線を事実上接地するように構成されている、電子メモリ装置。 - 前記センスコンデンサと電子通信するセンスアンプを更に含む、請求項15に記載の電子メモリ装置。
- 前記第1のp型FETの前記ドレインは、前記第1のp型FETの前記ゲートと第2のスイッチングコンポーネントを介して電子通信する、請求項15に記載の電子メモリ装置。
- 第3のスイッチングコンポーネントを更に含み、前記第1のオフセットコンデンサの前記第1の端子及び前記第1のp型FETの前記ゲートは、前記第3のスイッチングコンポーネントを介して接地と電子通信する、請求項15に記載の電子メモリ装置。
- 前記第1のオフセットコンデンサの第2の端子と電子通信する電源を更に含む、請求項15に記載の電子メモリ装置。
- 前記デジット線は、第4のスイッチングコンポーネントを介して接地と電子通信する、請求項15に記載の電子メモリ装置。
- 参照コンデンサと第2のp型FETを介して電子通信する参照回路であって、前記参照コンデンサはセンスアンプと電子通信する、前記参照回路と、
前記第2のp型FETのゲートと電子通信する第2のオフセットコンデンサであって、前記第1のオフセットコンデンサ及び前記第2のオフセットコンデンサは共通信号線と電子通信し、前記第1のp型FET及び前記第2のp型FETは異なる閾値電圧を有する、前記第2のオフセットコンデンサと、
を更に含む、請求項15に記載の電子メモリ装置。 - 前記参照回路は1つ以上の強誘電体メモリセルを含む、請求項21に記載の電子メモリ装置。
- 強誘電体コンデンサ及び選択コンポーネントを含む強誘電体メモリセルと、
前記選択コンポーネントとデジット線を介して電子通信するセンスアンプと、
前記デジット線及び前記センスアンプと電子通信する第1のスイッチングコンポーネントと、
前記第1のスイッチングコンポーネントと電子通信するオフセットコンデンサと、
前記選択コンポーネント、前記センスアンプ、及び前記オフセットコンデンサと電子通信するコントローラであって、
前記デジット線を接地するように第2のスイッチングコンポーネントを動作し、
前記デジット線が接地されている間であって、且つ、p型電界効果トランジスタ(FET)を含む前記第1のスイッチングコンポーネントがダイオード構成である間に、前記オフセットコンデンサを放電して前記第1のスイッチングコンポーネントのゲートへ電荷を転送し、
前記オフセットコンデンサが放電した後に前記センスアンプを活性化する、
ように動作可能である前記コントローラと、
を含む、電子メモリ装置。 - 前記コントローラは、
前記強誘電体メモリセルを選択するために前記選択コンポーネントを活性化し、
前記強誘電体メモリセルを選択することに少なくとも部分的に基づいてセンスコンデンサを充電するために前記強誘電体メモリセルの前記強誘電体コンデンサを動作する、
ように動作可能である、請求項23に記載の電子メモリ装置。 - 前記コントローラは、前記強誘電体メモリセルの論理値を読み出すためにセンスコンデンサの電圧を参照コンデンサの電圧と比較するように動作可能であり、前記センスコンデンサは前記センスアンプと電子通信する、請求項23に記載の電子メモリ装置。
- 強誘電体コンデンサ及び選択コンポーネントを含む強誘電体メモリセルと、
前記選択コンポーネントとデジット線を介して電子通信するセンスアンプと、
前記デジット線及び前記センスアンプと電子通信する第1のスイッチングコンポーネントと、
前記第1のスイッチングコンポーネントと電子通信するオフセットコンデンサと、
前記デジット線を接地するように第2のスイッチングコンポーネントを動作するための手段と、
前記デジット線が接地されている間であって、且つ、p型電界効果トランジスタ(FET)を含む前記第1のスイッチングコンポーネントがダイオード構成である間に、前記オフセットコンデンサを放電して前記第1のスイッチングコンポーネントのゲートへ電荷を転送する手段と、
前記オフセットコンデンサが放電した後に前記センスアンプを活性化するための手段と、
を含む、電子メモリ装置。 - 前記強誘電体メモリセルを選択するために前記選択コンポーネントを活性化するための手段と、
前記強誘電体メモリセルを選択することに少なくとも部分的に基づいてセンスコンデンサを充電するために前記強誘電体メモリセルの前記強誘電体コンデンサを動作するための手段と、
を更に含む、請求項26に記載の電子メモリ装置。 - 前記強誘電体メモリセルの論理値を読み出すためにセンスコンデンサの電圧を参照コンデンサの電圧と比較するための手段を更に含み、前記センスコンデンサは前記センスアンプと電子通信する、請求項26に記載の電子メモリ装置。
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