JP2010027143A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010027143A JP2010027143A JP2008187358A JP2008187358A JP2010027143A JP 2010027143 A JP2010027143 A JP 2010027143A JP 2008187358 A JP2008187358 A JP 2008187358A JP 2008187358 A JP2008187358 A JP 2008187358A JP 2010027143 A JP2010027143 A JP 2010027143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- bit line
- type
- line
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
【課題】データリストア時間およびデータ書込み時間を短縮する。
【解決手段】強誘電体キャパシタおよびセルトランジスタを含むメモリセルが複数個直列に接続されて構成された複数のセルブロックと、互いに相補のデータを伝達する第1のビット線と第2のビット線との間に接続されたセンスアンプであって、N型FETで構成され第1または第2のビット線に論理ロウを印加するN型センス部、および、P型FETで構成され第1または第2のビット線に論理ハイを印加するP型センス部を含むセンスアンプと、読み出したデータまたは書き込むデータを伝達するローカルデータ線と、ビット線とローカルデータ線との間に設けられたカラム選択トランジスタとを備え、カラム選択トランジスタを導通させて書込みデータをローカルデータ線からビット線に伝達するデータ伝達時に、P型センス部およびN型センス部の一方を活性状態にしたまま他方を非活性状態にする。
【選択図】図1
【解決手段】強誘電体キャパシタおよびセルトランジスタを含むメモリセルが複数個直列に接続されて構成された複数のセルブロックと、互いに相補のデータを伝達する第1のビット線と第2のビット線との間に接続されたセンスアンプであって、N型FETで構成され第1または第2のビット線に論理ロウを印加するN型センス部、および、P型FETで構成され第1または第2のビット線に論理ハイを印加するP型センス部を含むセンスアンプと、読み出したデータまたは書き込むデータを伝達するローカルデータ線と、ビット線とローカルデータ線との間に設けられたカラム選択トランジスタとを備え、カラム選択トランジスタを導通させて書込みデータをローカルデータ線からビット線に伝達するデータ伝達時に、P型センス部およびN型センス部の一方を活性状態にしたまま他方を非活性状態にする。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体記憶装置に係わり、例えば、強誘電体メモリに関する。
強誘電体メモリは、強誘電体の分極特性のヒステリシスを利用し、強誘電体における二つの分極の大きさによって二値データを記憶する不揮発性メモリである。強誘電体メモリは、DRAMと異なり、残留分極量でデータを保持する。このため、強誘電体メモリでは、信号電荷をビット線に読み出すために、強誘電体キャパシタの電極間に電位差を生じさせる。強誘電体キャパシタの電極間に電位差を生じさせるために、一方の電極に接続されたプレート線を駆動する。このとき、メモリセルのデータは破壊される。つまり、強誘電体キャパシタは、データ読出し動作によってデータが劣化する破壊読出し型メモリである。このため、データ読出し後、もとのデータをメモリセルへ書き戻し、あるいは、新たな書込みデータをメモリセルへ書き込む必要がある。
通常、メモリチップの外部から受け取った書込みデータは、ローカルデータ線(DQ線)からビット線へ伝達される。このとき、ローカルデータ線とビット線との間に設けられたカラム選択トランジスタを導通状態にする必要がある。強誘電体メモリにデータを高速に書き込むためには、ローカルデータ線からビット線へデータを伝達するデータ伝達時間を、短縮することが望まれる。カラム選択トランジスタは、カラム選択線CSLによって制御される。従って、上記データ伝達時間を短縮するためには、カラム選択線CSLを伝播するカラム選択信号のパルス幅を短縮することが考えられる。短いパルス幅でカラム選択トランジスタが充分にデータをビット線へ伝達するためには、カラム選択トランジスタのサイズ(W/L)が或る程度大きくなければならない。
しかし、カラム選択トランジスタのサイズ(W/L)を大きくすると、センスアンプへ伝達されるノイズが増大してしまう。従って、カラム選択トランジスタのサイズ(W/L)は制限される。このため、上記データ伝達時間が長くなるという問題が生じていた。
特開2005−302127号公報
データリストア時間およびデータ書込み時間を短縮することによって、高速動作が可能な半導体記憶装置を提供する。
本発明に係る実施形態に従った半導体記憶装置は、互いに並列に接続された強誘電体キャパシタおよびセルトランジスタを含むメモリセルが複数個直列に接続されて構成された複数のセルブロックと、前記セルトランジスタのゲートに接続されたワード線と、前記セルブロックの一端に接続されたブロック選択トランジスタと、前記ブロック選択トランジスタを介して前記セルブロックの一端に接続された複数のビット線と、前記セルブロックの他端に接続されたプレート線と、前記ビット線のうち互いに相補のデータを伝達する第1のビット線と第2のビット線との間に接続されたセンスアンプであって、N型FETで構成され前記第1または前記第2のビット線に論理ロウを示す低レベル電位を印加するN型センス部、および、P型FETで構成され前記第1または前記第2のビット線に論理ハイを示す高レベル電位を印加するP型センス部を含むセンスアンプと、前記ビット線のそれぞれに対応して設けられ、読み出したデータまたは書き込むデータを伝達するローカルデータ線と、前記ビット線と前記ローカルデータ線との間に設けられたカラム選択トランジスタとを備え、
前記カラム選択トランジスタを導通させて書込みデータを前記ローカルデータ線から前記ビット線に伝達するデータ伝達時に、前記P型センス部および前記N型センス部の一方を活性状態にしたまま、他方を非活性状態にすることを特徴とする。
前記カラム選択トランジスタを導通させて書込みデータを前記ローカルデータ線から前記ビット線に伝達するデータ伝達時に、前記P型センス部および前記N型センス部の一方を活性状態にしたまま、他方を非活性状態にすることを特徴とする。
本発明による半導体記憶装置は、データリストア時間およびデータ書込み時間を短縮することによって、高速動作を可能とする。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
(第1の実施形態)
図1は、本発明に係る第1の実施形態に従った強誘電体メモリの構成の一例を示す回路図である。本実施形態による強誘電体メモリは、セルトランジスタ(T)のソース−ドレイン間にキャパシタ(C)の両端をそれぞれ接続し、これをユニットセル(以下、メモリセルMCともいう)とし、このユニットセルを複数直列に接続した「TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリ」でよい。
図1は、本発明に係る第1の実施形態に従った強誘電体メモリの構成の一例を示す回路図である。本実施形態による強誘電体メモリは、セルトランジスタ(T)のソース−ドレイン間にキャパシタ(C)の両端をそれぞれ接続し、これをユニットセル(以下、メモリセルMCともいう)とし、このユニットセルを複数直列に接続した「TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリ」でよい。
尚、本実施形態は、TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリに限らず、それ以外の強誘電体メモリにも適用可能である。強誘電体メモリは、破壊読出し型メモリである。破壊読出し型メモリとは、データをメモリセルから読み出したときに、メモリセル内に格納されていたデータが劣化する(破壊される)メモリである。従って、破壊読出し型メモリのメモリセルからデータを読み出したときには、外部からの書込みデータをメモリセルへ書き込まなければならず、あるいは、センスアンプSAで検出されたデータを元のメモリセルへ書き戻さなければならない(リストアしなければならない)。
メモリセルMCは、一つのセルトランジスタTと一つの強誘電体キャパシタCとを並列接続して構成されるユニットセルである。複数のメモリセルMCは、二次元配置されることによってメモリセルアレイMCAを構成している。メモリセルMCは、ビット線BLとワード線WLとの各交差部(ビット線BLとプレート線PLとの各交差部)に配置されている。
複数のメモリセルMCが直列に接続され1つのセルブロックCBi(iは整数)を構成している。本実施形態では、例えば、8つのメモリセルMCが1つのセルブロックCBiを構成している。セルブロックCBiの一端は、選択トランジスタSTを介してビット線BLまたはbBLに接続されている。セルブロックCBiの他端は、プレート線PLiに接続されている。セルトランジスタTのゲートは、ワード線WLiに接続されている。選択トランジスタSTは、ブロック選択信号BSiによって制御される。
図1では、セルブロックCBiが2つのみ示されているが、メモリセルアレイMCAは3以上の多数のセルブロックCBiで構成されてよい。各セルブロックCBiを構成するメモリセルMCの数も8つに限定しない。
ビット線BLおよびbBLは、互いに相補のデータを伝達する。例えば、ビット線bBLがセルブロックCB0内の情報データを伝達する場合、ビット線BLは、該情報データの論理値を識別するために用いられる基準データを伝達する。基準データは、データ“0”とデータ“1”との中間電位を示すデータである。センスアンプSAは、情報データと基準データとを比較して情報データの論理値を検出する。
センスアンプSAは、ビット線BLとビット線bBLとの間に接続されている。センスアンプSAは、N型MISFET(Metal-Insulator Semiconductor Field-Effect Transistor)で構成されたN型センス回路SAnと、P型MISFETで構成されたP型センス回路SApとを含む。
N型センス回路SAnは、ビット線bBLとビット線BLとの間に直列に接続されたN型トランジスタTn1およびTn2を含む。トランジスタTn1のソースまたはドレインはビット線bBLに接続されているが、トランジスタTn1のゲートはビット線BLに接続されている。トランジスタTn2のソースまたはドレインはビット線BLに接続されているが、トランジスタTn2のゲートはビット線bBLに接続されている。即ち、トランジスタTn1およびTn2のゲートは、ビット線bBLおよびBLに対してクロス結合されている。トランジスタTn1とTn2との間のノードNnは、N型トランジスタTn3を介して低レベル電位Vssに接続されている。トランジスタTn3は、センスアンプ活性化信号SENにより制御される。Vssは、論理ロウを示す低レベル電位であり、例えば、接地電位である。
P型センス回路SApは、ビット線bBLとビット線BLとの間に直列に接続されたP型トランジスタTp1およびTp2を含む。トランジスタTp1のソースまたはドレインはビット線bBLに接続されているが、トランジスタTp1のゲートはビット線BLに接続されている。トランジスタTp2のソースまたはドレインはビット線BLに接続されているが、トランジスタTp2のゲートはビット線bBLに接続されている。即ち、トランジスタTp1およびTp2のゲートは、ビット線bBLおよびBLに対してクロス結合されている。トランジスタTp1とTp2との間のノードNpは、P型トランジスタTp3を介して高レベル電位Vddに接続されている。トランジスタTp3は、センスアンプ活性化信号bSEPにより制御される。Vddは、論理ハイを示す高レベル電位であり、例えば、内部電源電位である。センスアンプSAは、ビット線bBLおよびBLのデータをラッチする機能を有する。
ローカルデータ線bLDQおよびLDQがビット線bBLおよびBLのそれぞれに対応して設けられている。ローカルデータ線bLDQ、LDQとビット線bBL、BLとの間には、それぞれカラム選択トランジスタTcsが設けられている。カラム選択トランジスタTcsは、N型MISFETから成る。ローカルデータ線bLDQ、LDQは、読出しデータまたは書込みデータを一時的に格納するDQバッファ(図示せず)に接続されている。読出しデータは、DQバッファおよびI/O回路を介してメモリチップの外部へ読み出される。書込みデータは、I/O回路およびDQバッファを介してセンスアンプSAへ伝達される。センスアンプSAにラッチされた書込みデータは、ビット線bBL、BLを介して選択メモリセルMCへ書き込まれる。
データ読出しあるいはデータ書込みの対象となるカラムは、カラム選択線CSLによって選択される。選択カラムのカラム選択トランジスタTcsが導通状態になることによって、センスアンプSAとDQバッファとのデータのやり取りが実行される。非選択のカラムにおいては、カラム選択トランジスタTcsが非導通状態である。よって、センスアンプSAで検出されたもとのデータがメモリセルMCへ書き戻される(リストアされる)。
ここで、活性化または活性状態とは素子または回路をオンまたは駆動させることを意味し、非活性化または非活性状態とは素子または回路をオフまたは停止させることを意味する。従って、論理ハイの信号が活性化信号である場合もあり、論理ロウの信号が活性化信号である場合もあることに注意されたい。例えば、NMOSトランジスタは、ゲートを論理ハイにすることによって活性化する。一方、PMOSトランジスタは、ゲートを論理ロウにすることによって活性化する。
図2は、第1の実施形態による強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。図2では、一例として、ワード線WL0が選択ワード線であるとする。また、データ“0”が情報データとしてビット線bBLを介して検出され、データ“1”が基準データとしてビット線BLを介して検出される。即ち、この例では、図1に示すメモリセルMC0が選択メモリセルであり、メモリセルMC0のデータが検出され、メモリセルMC0にデータが書き込まれる。その他の非選択メモリセルでは、検出されたデータがそのままリストアされる。他のメモリセルMCを選択メモリセルとした場合の動作は容易に推測可能であるので、その説明を省略する。
t1において、ワード線WL0が選択される。ワード線WL0が非活性化されることによって、メモリセルMC0のセルトランジスタTが非導通状態となる。ワード線WL1〜WL7は活性状態を維持する。よって、ビット線bBLとプレート線PL0との間の電位差は、メモリセルMC0の強誘電体キャパシタCのみに印加される。尚、セルブロックCB1は、ブロック選択線BS1に接続された選択トランジスタSTによってビット線BLから切断されている。
t1と同時あるいはその直後に、プレート線PL0の電位を立ち上げる。これによって、選択メモリセルMC0の強誘電体キャパシタCに格納された情報データがビット線bBLに伝達される。このとき、ビット線BLには、基準データが伝達される。基準データの生成手段は、特に詳述しないが、公知の強誘電体メモリにおける基準データの生成手段と同様でよい。
t1〜t2において、選択メモリセルMC0に格納されていたデータ“0”と基準データの電位との信号差がビット線対bBL、BLの間に発展する。t2において、センスアンプ活性化信号SENおよびbSEPを活性化させる。これにより、センスアンプSAがビット線対bBL、BLの間の信号差を増幅し、それらの信号差をラッチする。
t3において、カラムが選択される。選択されたカラムのカラム選択線CSLが活性化される。カラム選択トランジスタTcsが導通状態となり、ビット線bBL、BLがローカルデータ線bLDQ、LDQのそれぞれに接続される。このとき、非選択のカラムについては、カラム選択線CSLが非活性状態である。従って、非選択カラムのセンスアンプSAは、検出したデータをそのままメモリセルMCへリストアする。
t3〜t4においては、プレート線PL0が高レベル電位であるので、低レベル電位であるデータ“0”のみが非選択メモリセルMCへリストアされる。このとき、データ“1”はリストアされない。データ“1”を伝達するビット線は高レベル電位を有するので、データ“1”を伝達するビット線とプレート線PL0との間の電位差が生じていない、あるいは、非常に小さいからである。
t4において、センスアンプ活性化信号bSEPを活性状態にしたまま、センスアンプ活性化信号SENを非活性にする。これにより、P型センス回路SApは活性状態を維持するが、N型センス回路SAnが非活性状態になる。t4〜t5において、書込みデータが選択カラムのローカルデータ線bLDQ、LDQからビット線bBL、BLに伝達される。メモリセルMCに格納されていた情報データが書込みデータと逆論理である場合、図2の破線で示すように、ビット線対bBL、BLのデータ状態が反転する。
勿論、メモリセルMCに格納されていた情報データが書込みデータと同じ論理値である場合には、ビット線対bBL、BLのデータ状態は反転しない。しかし、従来の強誘電体メモリにおいては、ビット線対bBL、BLのデータ状態を反転させる場合に、データ伝達時間が長くなることが問題となる。よって、ここでは、ビット線対bBL、BLのデータ状態が反転する場合について説明する。
通常、ビット線対bBL、BLのデータ状態を反転させる場合、ローカルデータ線bLDQ、LDQの電位を用いて、ビット線対bBL、BLの電位を論理的に反転させる。ここで、カラム選択トランジスタTcsはN型MISFETである。N型MISFETは、一般に、高レベル電位を伝達し難い。従って、書込みデータが選択カラムのローカルデータ線bLDQ、LDQからビット線bBL、BLに伝達されるデータ伝達時間(t4〜t5)において、低レベル電位を有するビット線bBLのデータ状態(データ“0”)を、高レベル電位(データ“1”)へ反転させる時間が長期化する。これにより、データ伝達時間(t4〜t5)が長くなってしまう。
これに対処するために、本実施形態では、P型センス回路SApを活性状態にしたまま、N型センス回路SAnを非活性状態にする。N型センス回路SAnが非活性状態であることによって、低レベル電位Vssがビット線bBLから切断される。よって、選択カラムのビット線bBLの電位は容易に上昇する。即ち、N型センス回路SAnを非活性状態にすることによって、ビット線bBLのデータ状態が短時間でデータ“0”からデータ“1”に反転する。N型MISFETは、一般に、低レベル電位を伝達しやすい。従って、本実施形態において、P型センス回路SApは活性状態のままとする。P型センス回路SApが活性状態であるので、トランジスタTp1、Tp2は、低レベル電位をゲートで受けて、高レベル電位Vddをビット線BLに印加し続ける。
t5において、カラム選択線CSLを非活性状態にするとともに、センスアンプ活性化信号SENを再び活性化する。即ち、P型センス回路SApおよびN型センス回路SAnを共に活性状態にする。もし、選択メモリセルMC0にデータ“0”を書き込む場合には、そのデータ“0”は、t5〜t6において選択メモリセルMC0に書き込まれる。もし、選択メモリセルMC0にデータ“1”を書き込む場合には、t5〜t6においてデータ“1”はメモリセルMC0に書き込まれず、t7〜t8において書き込まれる。
t6〜t7において、プレート線PL0を立ち下げる。これにより、データ“0”の書込みが終了し、続いて、データ“1”の書込みまたはデータ“1”のリストアが開始される。t7〜t8において、プレート線PL0が低レベル電位であるので、データ“1”がメモリセルMCへ書き込まれる、あるいは、リストアされる。もし、選択メモリセルMC0にデータ“1”を書き込む場合には、そのデータ“1”は、t7〜t8において選択メモリセルMC0に書き込まれる。また、このとき、データ“1”は、データ“1”を格納していた非選択メモリセルにリストアされる。データ“0”の書込み時におけるビット線とプレート線との電位差とは逆の電位差が、データ“1”を書き込むべき選択メモリセルMC0、あるいは、データ“1”をリストアすべき非選択メモリセルに印加されるからである。
t8において、一連の書込み動作が終了する。t8以降、強誘電体メモリは、プリチャージ状態となる。
本実施形態によれば、データ伝達時Tdtにおいて、P型センス回路SApを活性状態にしたまま、N型センス回路SAnを非活性状態にする。これにより、カラム選択トランジスタTcsがN型MISFETであっても、ビット線の低レベル電位を短時間で高レベル電位に立ち上げることができる。これは、カラム選択線CSLのパルス信号幅を小さくすることができることを意味する。これにより、データリストア時間およびデータ書込み時間を短縮することができるので、強誘電体メモリの全体の動作を高速にすることができる。
(第2の実施形態)
図3は、本発明に係る第2の実施形態に従った強誘電体メモリの一例を示す構成図である。第2の実施形態は、ローカルデータ線bLDQとLDQとの間に接続されたオフセット電圧発生部OSGを備えている点で第1の実施形態と異なる。第2の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。尚、オフセット電圧発生部OSGは、ビット線bBLとBLとの間に接続されていてもよい。
図3は、本発明に係る第2の実施形態に従った強誘電体メモリの一例を示す構成図である。第2の実施形態は、ローカルデータ線bLDQとLDQとの間に接続されたオフセット電圧発生部OSGを備えている点で第1の実施形態と異なる。第2の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。尚、オフセット電圧発生部OSGは、ビット線bBLとBLとの間に接続されていてもよい。
第1の実施形態のようにデータ伝達時にN型センス部が非活性状態になる場合、オフセット電圧発生部OSGは、低レベル電位Vss以下の電位をビット線bBLまたはBLに印加するように構成されている。
図4(A)は、オフセット電圧発生部OSGの内部構成を示す回路図である。オフセット電圧発生部OSGは、オフセットキャパシタCos、リセットトランジスタTrsおよびオフセットトランジスタTosを含む。オフセットキャパシタCos、リセットトランジスタTrsおよびオフセットトランジスタTosの各一端は接続ノードNosにおいて接続されている。
オフセットキャパシタCosの他端は、パルス信号DPLを受ける。リセットトランジスタTrsの他端は、接地電位Vssに接続されており、そのゲートは信号Resetを受ける。オフセットトランジスタTosの他端は、ローカルデータ線LDQまたはbLDQに接続されている。オフセットトランジスタTosのゲートは、信号DWLまたはbDWLに接続されている。
オフセット電圧発生部OSGは、図4(A)に示す構成を2つ備え、その一方がローカルデータ線LDQに接続され、他方がローカルデータ線bLDQに接続されている。便宜的に、ローカルデータ線LDQに接続された電圧発生部をOSG1とし、ローカルデータ線bLDQに接続された電圧発生部をOSG2とする。電圧発生部OSG1およびOSG2は、それぞれ信号DWLおよびbDWLを受ける。
図4(B)は、オフセット電圧発生部OSGの動作を示すタイミング図である。t1以前のプリチャージ状態では、ノードNosは、接地電位Vssにプリチャージされている。t1において、信号Resetが不活性化され、ノードNosは、接地電位Vssが切断される。
データを検出後、t3において、図5に示すようにメモリはリストア動作にエンターする。同時に、センスアンプSAに保持されたデータに基づいて、信号DWLまたはbDWLを活性化させる。これにより、電圧発生部OSG1またはOSG2のいずれかのオフセットトランジスタTosがオン状態になり、ローカルデータ線LDQまたはbLDQのいずれかの電位が信号DPLによって制御され得る。
例えば、図5に示すように、ビット線BLに接続された“1”セルにデータ“0”を書き込む場合、信号DWLが活性化される。つまり、ビット線BLに対応するローカルデータ線LDQに接続された電圧発生部OSG1のオフセットトランジスタTosがオン状態になる。
データ“0”の書込み直前のt4において、パルス信号DPLを立ち下げる。パルス信号DPLの信号線は、オフセットキャパシタCosを介してローカルデータ線LDQに容量結合されている。これにより、ローカルデータ線LDQとともにビット線BLの電位が急激に低下する。
その後、t5においてパルス信号DPLを立ち上げ、t7またはt8において、DWLまたはbDWLを不活性状態にする。さらに、t8においてリセット信号Resetを活性状態にすることによって、メモリは、プリチャージ状態にエンターする。
上記具体例では、“1”セルがビット線BLに接続されていた。“1”セルがビット線bBLに接続されていた場合には、電圧発生部OSG2が活性化される。
このように、電圧発生部OSG1またはOSG2のいずれかがローカルデータ線DQLまたはbDQLの電位を制御することによって、ビット線の低レベル電位をVss以下に低下させることができる。
図4(A)に示す電圧発生部OSG1またはOSG2は、それぞれビット線BLおよびbBLに接続されていてもよい。
図5は、第2の実施形態による強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第2の実施形態の動作は、t4〜t6において第1の実施形態の動作と異なる。第2の実施形態のその他の動作は、第1の実施形態の動作と同様でよい。
第2の実施形態では、t4〜t6において、オフセット電圧発生部OSGがビット線の低レベル電位をVss以下に低下させている。これにより、データ“0”を書き込むべきメモリセルMCに印加される電位差が大きくなるので、データ“0”の書込みが短時間で済む。
第2の実施形態では、データ伝達時間Tdtにおいて、N型センス回路SAnを非活性状態にするとともに、オフセット電圧発生部OSGがビット線の低レベル電位をVss以下に低下させる。これにより、データ伝達時間Tdtがさらに短縮されるとともに、選択メモリセルMC0へのデータ“0”の書込み時間も短縮される。さらに、N型センス回路SAnが非活性状態であるので、ビット線の低レベル電位をVss以下に低下させても、Vssからオフセット電圧発生部OSGへの貫通電流は流れない。Vssとオフセット電圧発生部OSGとがトランジスタTn3において切断されているからである。
(第3の実施形態)
図6は、本発明に係る第3の実施形態に従った強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第3の実施形態は、データ伝達時(t4〜t5)において、センスアンプ活性化信号SENを活性状態にしたまま、センスアンプ活性化信号bSEPが非活性化されている点で第1の実施形態と異なる。これにより、データ伝達時(t4〜t5)において、N型センス回路SAnを活性状態にしたまま、P型センス回路SApを非活性状態にしている。第3の実施形態のその他の動作は、第1の実施形態の動作と同様でよい。尚、t5において、カラム選択線CSLを非活性状態にするとともに、P型センス回路SApおよびN型センス回路SAnを共に活性状態にするために、センスアンプ活性化信号bSEPを再び低レベル電位へ活性化する。
図6は、本発明に係る第3の実施形態に従った強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第3の実施形態は、データ伝達時(t4〜t5)において、センスアンプ活性化信号SENを活性状態にしたまま、センスアンプ活性化信号bSEPが非活性化されている点で第1の実施形態と異なる。これにより、データ伝達時(t4〜t5)において、N型センス回路SAnを活性状態にしたまま、P型センス回路SApを非活性状態にしている。第3の実施形態のその他の動作は、第1の実施形態の動作と同様でよい。尚、t5において、カラム選択線CSLを非活性状態にするとともに、P型センス回路SApおよびN型センス回路SAnを共に活性状態にするために、センスアンプ活性化信号bSEPを再び低レベル電位へ活性化する。
第3の実施形態の構成は、カラム選択トランジスタTcsがP型MISFETである点で第1の実施形態の構成と異なる。第3の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。第3の実施形態と第1の実施形態との構成上の差異は微細であるので、第3の実施形態の構成については図示を省略する。
P型MISFETは、一般に、低レベル電位を伝達し難い。従って、カラム選択トランジスタTcsがP型MISFETである場合、データ伝達時(t4〜t5)において、P型センス回路SApを非活性状態にすることが好ましい。P型センス回路SApが非活性状態になることによって、高レベル電位Vddがビット線BLから切断される。よって、選択カラムのビット線BLの高レベル電位は容易に低下する。即ち、P型センス回路SApを非活性状態にすることによって、ビット線BLのデータ状態が短時間でデータ“1”からデータ“0”に反転する。P型MISFETは、一般に、高レベル電位を伝達しやすい。従って、第3の実施形態において、N型センス回路SAnは活性状態のままとする。N型センス回路SAnが活性状態であるので、トランジスタTn1、Tn2は、高レベル電位をゲートで受けて、低レベル電位Vssをビット線bBLに印加し続ける。
このように、カラム選択トランジスタTcsがP型MISFETであっても、データリストア時間およびデータ書込み時間を短縮することができる。
(第4の実施形態)
図7は、本発明に係る第4の実施形態に従った強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第4の実施形態は、第2および第3の実施形態の組合せである。即ち、第4の実施形態は、カラム選択トランジスタTcsがP型MISFETであり、かつ、ローカルデータ線bLDQとLDQとの間に接続されたオフセット電圧発生部OSGを備えている。第4の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。尚、オフセット電圧発生部OSGは、ビット線bBLとBLとの間に接続されていてもよい。
図7は、本発明に係る第4の実施形態に従った強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第4の実施形態は、第2および第3の実施形態の組合せである。即ち、第4の実施形態は、カラム選択トランジスタTcsがP型MISFETであり、かつ、ローカルデータ線bLDQとLDQとの間に接続されたオフセット電圧発生部OSGを備えている。第4の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。尚、オフセット電圧発生部OSGは、ビット線bBLとBLとの間に接続されていてもよい。
第4の実施形態では、第3の実施形態のようにデータ伝達時にP型センス部が非活性状態になる場合、オフセット電圧発生部OSGは、高レベル電位Vdd以上の電位をビット線bBLまたはBLに印加するように構成されている。
オフセット電圧発生部OSGは、第2の実施形態によるオフセット電圧発生部OSGと同じ構成を有する。尚、図4(A)に示す電圧発生部OSG1またはOSG2は、それぞれビット線BLおよびbBLに接続されていてもよい。
図4(B)を参照して第4の実施形態によるオフセット電圧発生部OSGの動作を説明する。オフセット電圧発生部OSGは、例えば、図7に示すように、ビット線bBLに接続された“0”セルにデータ“1”を書き込む場合、信号bDWLが活性化される。つまり、ローカルデータ線bLDQに接続された電圧発生部OSG2のオフセットトランジスタTosがオン状態になる。
第4の実施形態におけるパルス信号DPLの電圧レベルは、図4(B)に示す信号DPLのそれと逆である。即ち、t4以前においてパルス信号DPLはロウレベルである。データ“1”の書込み直前のt4において、パルス信号DPLを立ち上げる。これにより、ローカルデータ線bLDQとともにビット線bBLの電位が急激に上昇する。t5以降においてパルス信号DPLはロウレベルに立ち下がる。
上記具体例では、“0”セルがビット線bBLに接続されていた。“0”セルがビット線BLに接続されていた場合には、電圧発生部OSG1が活性化される。
図7を再度参照する。第4の実施形態では、t4〜t6において、オフセット電圧発生部OSGがビット線の高レベル電位をVdd以上に上昇させている。これにより、データ“1”を書き込むべきメモリセルMCに印加される電位差が大きくなるので、データ“1”の書込みが短時間で済む。
第4の実施形態では、データ伝達時間Tdtにおいて、P型センス回路SApを非活性状態にするとともに、オフセット電圧発生部OSGがビット線の高レベル電位をVdd以上に上昇させる。これにより、データ伝達時間Tdtが短縮されるとともに、データ“1”の書込み時間も短縮される。さらに、P型センス回路SApが非活性状態であるので、ビット線の高レベル電位をVdd以上に上昇させても、オフセット電圧発生部OSGから電源Vddへの貫通電流は流れない。電源Vddとオフセット電圧発生部OSGとがトランジスタTp3において切断されているからである。
(第5の実施形態)
図8は、本発明に係る第5の実施形態に従った強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第5の実施形態は、第1および第3の実施形態の組合せである。即ち、データ伝達時(t4〜t5)において、センスアンプ活性化信号SENおよびセンスアンプ活性化信号bSEPがともに非活性化されている。第5の実施形態のその他の動作は、第1の実施形態の動作と同様でよい。また、第5の実施形態の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。ただし、カラム選択トランジスタTcsは、N型MISFETまたはP型MISFETのいずれであってもよい。
図8は、本発明に係る第5の実施形態に従った強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第5の実施形態は、第1および第3の実施形態の組合せである。即ち、データ伝達時(t4〜t5)において、センスアンプ活性化信号SENおよびセンスアンプ活性化信号bSEPがともに非活性化されている。第5の実施形態のその他の動作は、第1の実施形態の動作と同様でよい。また、第5の実施形態の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。ただし、カラム選択トランジスタTcsは、N型MISFETまたはP型MISFETのいずれであってもよい。
第5の実施形態によれば、N型センス回路SAnおよびP型センス回路SApがともに非活性化されるので、データ伝達時間Tdtが短縮される。第5の実施形態は、第1および第3の実施形態の効果を得ることができる。
(第6の実施形態)
図9は、本発明に係る第6の実施形態に従った強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第6の実施形態は、第2、第4および第5の実施形態の組合せである。即ち、ローカルデータ線bLDQとLDQとの間に接続されたオフセット電圧発生部OSGを備えており、かつ、データ伝達時(t4〜t5)において、センスアンプ活性化信号SENおよびセンスアンプ活性化信号bSEPがともに非活性化される。オフセット電圧発生部OSGは、低レベル電位Vss以下の電位をビット線bBLまたはBLの一方に印加し、かつ、高レベル電位Vdd以上の電位をビット線bBLまたはBLの他方に印加する。第6の実施形態では、カラム選択トランジスタTcsは、N型MISFETまたはP型MISFETのいずれであってもよい。
図9は、本発明に係る第6の実施形態に従った強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第6の実施形態は、第2、第4および第5の実施形態の組合せである。即ち、ローカルデータ線bLDQとLDQとの間に接続されたオフセット電圧発生部OSGを備えており、かつ、データ伝達時(t4〜t5)において、センスアンプ活性化信号SENおよびセンスアンプ活性化信号bSEPがともに非活性化される。オフセット電圧発生部OSGは、低レベル電位Vss以下の電位をビット線bBLまたはBLの一方に印加し、かつ、高レベル電位Vdd以上の電位をビット線bBLまたはBLの他方に印加する。第6の実施形態では、カラム選択トランジスタTcsは、N型MISFETまたはP型MISFETのいずれであってもよい。
オフセット電圧発生部OSGは、第2の実施形態によるオフセット電圧発生部OSGと同じ構成を有する。尚、図4(A)に示す電圧発生部OSG1またはOSG2は、それぞれビット線BLおよびbBLに接続されていてもよい。
図4(B)を参照して第6の実施形態によるオフセット電圧発生部OSGの動作を説明する。オフセット電圧発生部OSGは、例えば、図9に示すように、ビット線BLに接続された“1”セルにデータ“0”を書き込み、ビット線bBLに接続された“0”セルにデータ“1”を書き込む場合、信号DWLおよびbDWLがともに活性化される。つまり、ローカルデータ線LDQおよびbLDQに接続された電圧発生部OSG1およびOSG2のオフセットトランジスタTosがともにオン状態になる。
第6の実施形態におけるパルス信号DPLは、電圧発生部OSG1とOSG2とにおいて互いに逆レベルの信号である。即ち、電圧発生部OSG1に入力されるパルス信号DPL1は、第2の実施形態におけるパルス信号DPLと同様に動作する。電圧発生部OSG2に入力される信号DPL2は、第4の実施形態における信号DPLと同様に動作する。信号DPL1および2は図4(B)から容易に推測することができるので、図示を省略する。
t4以前においてパルス信号DPL1はハイレベルであり、DPL2はロウレベルである。t4において、パルス信号DPL1を立ち下げ、DPL2を立ち上げる。これにより、ローカルデータ線LDQとともにビット線BLの電位が急激に低下し、一方で、ローカルデータ線bLDQとともにビット線bBLの電位が急激に上昇する。t5以降においてパルス信号DPL1はハイレベルに戻り、DPL2はロウレベルに戻る。
上記具体例では、“1”セルがビット線BLに接続され、“0”セルがビット線bBLに接続されていた。“0”セルがビット線BLに接続され、“1”セルがビット線bBLに接続されている場合、パルス信号DPL1とDPL2との信号を互いに入れ替えればよい。
第6の実施形態によれば、N型センス回路SAnおよびP型センス回路SApがともに非活性化されるので、データ伝達時間Tdtが短縮される。
第6の実施形態によれば、t4〜t6において、オフセット電圧発生部OSGがビット線の低レベル電位をVss以下に低下させている。これにより、データ“0”を書き込むべきメモリセルMCに印加される電位差が大きくなるので、データ“0”の書込みが短時間で済む。さらに、t4〜t6において、オフセット電圧発生部OSGがビット線の高レベル電位をVdd以上に上昇させている。これにより、データ“1”を書き込むべきメモリセルMCに印加される電位差が大きくなるので、データ“1”の書込みが短時間で済む。また、第6の実施形態においても、第2および第4の実施形態で説明した貫通電流が発生しない。
(第7の実施形態)
図10は、本発明に係る第7の実施形態に従った強誘電体メモリの構成の一例を示す回路図である。第7の実施形態は、カラム選択トランジスタTcsが、並列接続されたP型MISFETおよびN型MISFETで構成されている点で第1の実施形態と異なる。第7の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。
図10は、本発明に係る第7の実施形態に従った強誘電体メモリの構成の一例を示す回路図である。第7の実施形態は、カラム選択トランジスタTcsが、並列接続されたP型MISFETおよびN型MISFETで構成されている点で第1の実施形態と異なる。第7の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。
カラム選択トランジスタTcsのN型MISFETは、カラム選択線CSLの信号により制御され、P型MISFETは、カラム選択線CSL_WBの信号によって制御される。カラム選択線CSLの信号は、データ読出しおよびデータ書込みにおいて、データがビット線対BL、bBLとローカルデータ線対LDQ、bLDQとの間に伝達される期間において活性化される。カラム選択線CSL_WBの信号は、データ書込みにおいて、データがローカルデータ線対LDQ、bLDQからビット線対BL、bBLに伝達されるデータ伝達時間に活性化される。カラム選択線CSL_WBの信号は、データ読出し時において活性化されない。従って、カラム選択トランジスタTcsのN型MISFETはデータ読出しおよびデータ書込み時に導通状態になるが、カラム選択トランジスタTcsのP型MISFETはデータ書込み時にのみ導通状態となる。
図11は、第7の実施形態による強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第7の実施形態において、カラム選択線CSLおよびCSL_WBの信号動作が第1の実施形態のカラム選択線CSLの信号動作と異なる。第7の実施形態のその他の信号動作は、第1の実施形態の信号動作と同様でよい。
カラム選択線CSLの信号は、t3〜t6において高レベル電位に活性化される。カラム選択線CSL_WBの信号は、t4〜t6において低レベル電位に活性化される。動作データ伝達時間Tdt(t4〜t5)において、書込みデータがローカルデータ線対LDQ、bLDQからビット線対BL、bBLに伝達されている。t5〜t6において、データ“0”がメモリセルMCに書き込まれ、あるいは、リストアされている。従って、カラム選択線CSL_WBの信号は、データ伝達時間Tdtおよびデータ“0”の書込み(あるいはデータ“0”のリストア)において、活性化される。即ち、データ伝達時間Tdtおよびデータ“0”の書込み(あるいはデータ“0”のリストア)において、カラム選択トランジスタTcsのN型MISFETおよびP型MISFETが導通状態になる。これによって、書込みデータが高レベル電位または低レベル電位のいずれであっても、そのデータを高速にローカルデータ線対LDQ、bLDQからビット線対BL、bBLに伝達することができる。さらに、第7の実施形態は、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
第7の実施形態におけるカラム選択トランジスタTcsは、第2〜第6の実施形態に容易に適用することができる。これにより、第7の実施形態は、第2〜第6の実施形態のいずれかの効果を併せ持つことができる。
(第8の実施形態)
図12は、本発明に係る第8の実施形態に従った強誘電体メモリの構成の一例を示す回路図である。第8の実施形態は、ノードNnとトランジスタTn3との間にN型トランジスタTn4が設けられている点で第7の実施形態と異なる。第8の実施形態のその他の構成は、第7の実施形態の構成と同様でよい。トランジスタTn4は、カラム選択トランジスタTcsのP型MISFETと同様にカラム選択線CSL_WBの信号によって制御される。よって、トランジスタTn4およびカラム選択トランジスタTcsのP型MISFETは、同期して動作する。しかし、トランジスタTn4は、N型MISFETであるので、カラム選択トランジスタTcsのP型MISFETとは逆に動作する。即ち、トランジスタTn4が導通状態であるときには、カラム選択トランジスタTcsのP型MISFETは非導通状態であり、トランジスタTn4が非導通状態であるときには、カラム選択トランジスタTcsのP型MISFETは導通状態である。
図12は、本発明に係る第8の実施形態に従った強誘電体メモリの構成の一例を示す回路図である。第8の実施形態は、ノードNnとトランジスタTn3との間にN型トランジスタTn4が設けられている点で第7の実施形態と異なる。第8の実施形態のその他の構成は、第7の実施形態の構成と同様でよい。トランジスタTn4は、カラム選択トランジスタTcsのP型MISFETと同様にカラム選択線CSL_WBの信号によって制御される。よって、トランジスタTn4およびカラム選択トランジスタTcsのP型MISFETは、同期して動作する。しかし、トランジスタTn4は、N型MISFETであるので、カラム選択トランジスタTcsのP型MISFETとは逆に動作する。即ち、トランジスタTn4が導通状態であるときには、カラム選択トランジスタTcsのP型MISFETは非導通状態であり、トランジスタTn4が非導通状態であるときには、カラム選択トランジスタTcsのP型MISFETは導通状態である。
図13は、第8の実施形態による強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第8の実施形態の動作は、基本的に第7の実施形態の動作と同様でよい。しかし、センスアンプ活性化信号SENは、t4〜t5のデータ伝達時間Tdtにおいて活性状態(高レベル電位)を維持していてもよい。データ伝達時間Tdtを含むt4〜t6の期間において、カラム選択線CSL_WBの信号が低レベル電位になり、それによってトランジスタTn4が非導通状態になるからである。これにより、t4〜t6において、N型センス回路SAnは非活性状態になる。t4〜t6において、カラム選択トランジスタTcsのP型MISFETは、逆に導通状態になる。
これにより、第8の実施形態は、書込みデータが高レベル電位または低レベル電位のいずれであっても、そのデータを高速にローカルデータ線対LDQ、bLDQからビット線対BL、bBLに伝達することができる。さらに、第8の実施形態は、第7の実施形態と同様の効果を得ることができる。
第8の実施形態におけるカラム選択トランジスタTcsおよびN型トランジスタTn4は、第2〜第6の実施形態に容易に適用することができる。これにより、第8の実施形態は、第2〜第6の実施形態のいずれかの効果を併せ持つことができる。
(第9の実施形態)
図14は、第9の実施形態による強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第9の実施形態の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。第9の実施形態では、カラム選択線CSLの信号電位が3値(Vss、VddおよびVpp)に制御される。t1〜t3およびt6〜t8における第9の実施形態の動作は、第1の実施形態の動作と同様でよい。t4〜t5のデータ伝達時間Tdtにおいて、カラム選択線CSLの信号電位は、Vddよりもさらに高いVppに立ち上げられる。これにより、カラム選択トランジスタTcsのオン抵抗が低減される。よって、第9の実施形態は、データを高速にローカルデータ線対LDQ、bLDQからビット線対BL、bBLに伝達することができる。さらに、第9の実施形態は、第1の実施形態の効果を得ることができる。
図14は、第9の実施形態による強誘電体メモリのデータ書込み動作を示すタイミング図である。第9の実施形態の構成は、第1の実施形態の構成と同様でよい。第9の実施形態では、カラム選択線CSLの信号電位が3値(Vss、VddおよびVpp)に制御される。t1〜t3およびt6〜t8における第9の実施形態の動作は、第1の実施形態の動作と同様でよい。t4〜t5のデータ伝達時間Tdtにおいて、カラム選択線CSLの信号電位は、Vddよりもさらに高いVppに立ち上げられる。これにより、カラム選択トランジスタTcsのオン抵抗が低減される。よって、第9の実施形態は、データを高速にローカルデータ線対LDQ、bLDQからビット線対BL、bBLに伝達することができる。さらに、第9の実施形態は、第1の実施形態の効果を得ることができる。
第8の実施形態によりカラム選択線CSLの信号動作は、第2〜第7の実施形態のいずれかと容易に組み合わせることができる。これにより、カラム選択トランジスタTcsのオン抵抗が低減され、データ伝達時間Tdsをさらに短縮することができる。
BL、bBL…ビット線、WL…ワード線、PL…プレート線、LDQ、bLDQ…ローカルデータ線、MC…メモリセル、MCA…メモリセルアレイ、CB…セルブロック、SA…センスアンプ、SAn…N型センス回路、SAp…P型センス回路、ST…ブロック選択トランジスタ、Tcs…カラム選択トランジスタ
Claims (5)
- 互いに並列に接続された強誘電体キャパシタおよびセルトランジスタを含むメモリセルが複数個直列に接続されて構成された複数のセルブロックと、
前記セルトランジスタのゲートに接続されたワード線と、
前記セルブロックの一端に接続されたブロック選択トランジスタと、
前記ブロック選択トランジスタを介して前記セルブロックの一端に接続された複数のビット線と、
前記セルブロックの他端に接続されたプレート線と、
前記ビット線のうち互いに相補のデータを伝達する第1のビット線と第2のビット線との間に接続されたセンスアンプであって、N型FETで構成され前記第1または前記第2のビット線に論理ロウを示す低レベル電位を印加するN型センス部、および、P型FETで構成され前記第1または前記第2のビット線に論理ハイを示す高レベル電位を印加するP型センス部を含むセンスアンプと、
前記ビット線のそれぞれに対応して設けられ、読み出したデータまたは書き込むデータを伝達するローカルデータ線と、
前記ビット線と前記ローカルデータ線との間に設けられたカラム選択トランジスタとを備え、
前記カラム選択トランジスタを導通させて書込みデータを前記ローカルデータ線から前記ビット線に伝達するデータ伝達時に、前記P型センス部および前記N型センス部の一方を活性状態にしたまま、他方を非活性状態にすることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記データ伝達時に、前記P型センス部を活性状態にしたまま、前記N型センス部を非活性状態にし、
前記カラム選択トランジスタを非導通にして前記ビット線に伝達されたデータを前記メモリセルへ書き込むときに、前記P型センス部および前記N型センス部を共に活性状態にすることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記データ伝達時に、前記N型センス部を活性状態にしたまま、前記P型センス部を非活性状態にし、
前記カラム選択トランジスタを非導通にして前記ビット線に伝達されたデータを前記メモリセルへ書き込むときに、前記P型センス部および前記N型センス部を共に活性状態にすることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1のビット線と前記第2のビット線との間、あるいは、前記第1のビット線に対応する前記ローカルデータ線と前記第2のビット線に対応する前記ローカルデータ線との間に接続されたオフセット電圧発生部をさらに備え、
データ伝達時に前記N型センス部が非活性状態になる場合、前記オフセット電圧発生部は、前記低レベル電位以下の電位を前記第1または前記第2のビット線に印加し、あるいは、
データ伝達時に前記P型センス部が非活性状態になる場合、前記オフセット電圧発生部は、前記高レベル電位以上の電位を前記第1または前記第2のビット線に印加することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - 前記カラム選択トランジスタは、並列接続されたP型FETおよびN型FETを含み、
前記データ伝達時に、前記カラム選択トランジスタのP型FETおよびN型FETが活性化されることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008187358A JP2010027143A (ja) | 2008-07-18 | 2008-07-18 | 半導体記憶装置 |
US12/505,180 US20100014342A1 (en) | 2008-07-18 | 2009-07-17 | Semiconductor storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008187358A JP2010027143A (ja) | 2008-07-18 | 2008-07-18 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010027143A true JP2010027143A (ja) | 2010-02-04 |
Family
ID=41530178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008187358A Abandoned JP2010027143A (ja) | 2008-07-18 | 2008-07-18 | 半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100014342A1 (ja) |
JP (1) | JP2010027143A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180195431A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-07-12 | Hanon Systems | Heat exchanger |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011175696A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
KR20140023806A (ko) | 2012-08-17 | 2014-02-27 | 삼성전자주식회사 | 자기 저항 메모리 장치의 배치 구조 |
US9552864B1 (en) * | 2016-03-11 | 2017-01-24 | Micron Technology, Inc. | Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing |
JP2019114314A (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005004863A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2006179048A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008084450A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3940728B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
-
2008
- 2008-07-18 JP JP2008187358A patent/JP2010027143A/ja not_active Abandoned
-
2009
- 2009-07-17 US US12/505,180 patent/US20100014342A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005004863A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2006179048A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008084450A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180195431A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-07-12 | Hanon Systems | Heat exchanger |
US10641559B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-05-05 | Hanon Systems | Heat exchanger |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100014342A1 (en) | 2010-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9576622B2 (en) | Reading data from a memory cell | |
US7184362B2 (en) | Page access circuit of semiconductor memory device | |
JP2007042172A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
US20050201138A1 (en) | Nonvolatile feram control device | |
TWI659414B (zh) | Semiconductor memory device | |
US6504748B2 (en) | Ferroelectric random access memory device | |
JP5095712B2 (ja) | 不揮発性強誘電体メモリ装置のセンシングアンプ | |
JP2010027143A (ja) | 半導体記憶装置 | |
CN115810372A (zh) | 用于单端感测放大器的设备及方法 | |
US6831866B1 (en) | Method and apparatus for read bitline clamping for gain cell DRAM devices | |
US6337820B1 (en) | Dynamic memory device performing stress testing | |
JP5190326B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置 | |
US10643687B2 (en) | Sensing circuit and semiconductor device including the same | |
JP4477629B2 (ja) | 強誘電体メモリ | |
US7701798B2 (en) | Power supply circuit for sense amplifier of semiconductor memory device | |
JP2006190377A (ja) | 半導体メモリ | |
KR100546100B1 (ko) | 계층 전달 센싱구조를 갖는 불휘발성 강유전체 셀 어레이회로 | |
US8045357B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US7193888B2 (en) | Nonvolatile memory circuit based on change in MIS transistor characteristics | |
US6954370B2 (en) | Nonvolatile ferroelectric memory device | |
JP3568876B2 (ja) | 集積メモリおよびメモリに対する作動方法 | |
JP4553453B2 (ja) | 不揮発性強誘電体メモリ装置 | |
KR101171254B1 (ko) | 비트라인 센스앰프 제어 회로 및 이를 구비하는 반도체 메모리 장치 | |
KR100876900B1 (ko) | 센스 앰프와 그의 구동 방법 | |
JP4865121B2 (ja) | 少なくとも一つのメモリーセルにカップリングされたシングルビットラインを有する強誘電体メモリ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100914 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20120726 |