JP2006190377A - 半導体メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 通常メモリセルMCと、当該通常メモリセルに接続される複数の通常ビット線BLと、参照メモリセルMCREFと、当該参照メモリセルに接続される参照ビット線BLREFとを有する。ワード線が選択された時に、記憶用キャパシタ及び参照キャパシタの電荷に応じて前記通常ビット線及び参照ビット線の電位が変化する。更に、参照ビット線にドレインが接続された第1のトランジスタDSREFと、前記複数の通常ビット線にそれぞれのドレインが接続された複数の第2のトランジスタDS0,DS1とを含み、第1及び第2のトランジスタはゲートが参照ビット線BLREFに共通に接続されてカレントミラー回路10と、各通常ビット線にそれぞれ設けられ、前記通常ビット線の電位と前記参照ビット線の電位とに基づいて、前記通常ビット線の電位を増幅するプリアンプ回路PAとを有する。
【選択図】 図3
Description
以上の実施の形態をまとめると、次の付記のとおりである。
記憶用キャパシタをそれぞれ有する複数の通常メモリセルと、
当該通常メモリセルにそれぞれ接続される複数の通常ビット線と、
所定のデータを記憶する参照キャパシタを有する参照メモリセルと、
当該参照メモリセルに接続される参照ビット線とを有し、
前記ワード線が選択された時に、前記記憶用キャパシタ及び参照キャパシタの電荷に応じて前記通常ビット線及び参照ビット線の電位が変化し、
更に、前記参照ビット線にドレインが接続された第1のトランジスタと、前記複数の通常ビット線にそれぞれのドレインが接続された複数の第2のトランジスタとを含み、前記第1及び第2のトランジスタはゲートが前記参照ビット線に共通に接続されているカレントミラー回路と、
各通常ビット線にそれぞれ設けられ、前記通常ビット線の電位と前記参照ビット線の電位とに基づいて、前記通常ビット線の電位を増幅するプリアンプ回路とを有することを特徴とする半導体メモリ。
更に、ドレインがプリチャージされ、ソースが前記通常ビット線に接続され、ゲートが前記参照ビット線に接続された増幅トランジスタを有するプリアンプ回路が、各通常ビット線にそれぞれ設けられることを特徴とする半導体メモリ。
前記プリアンプ回路の出力が入力され、当該入力レベルを増幅するセンスアンプが、各通常ビット線にそれぞれ設けられることを特徴とする半導体メモリ。
更に、前記センスアンプの出力を、再書き込みのタイミングで対応する通常ビット線に印加する再書き込み回路が、各通常ビット線にそれぞれ設けられることを特徴とする半導体メモリ。
前記通常メモリセルは、前記ワード線に接続される1つのセルトランジスタと当該セルトランジスタに接続される強誘電体キャパシタからなる前記記憶用キャパシタとを有し、
更に、参照メモリセルは、前記ワード線に接続される1つのセルトランジスタと当該セルトランジスタに接続される強誘電体キャパシタからなる前記参照キャパシタとを有することを特徴とする半導体メモリ。
前記参照メモリセルの強誘電体キャパシタは、通常メモリセルの強誘電体キャパシタと同等の構造を有し、読み出し時の電圧状態とは逆の電圧により書き込みが行われることを特徴とする半導体メモリ。
前記ワード線に接続されるセルトランジスタと、当該セルトランジスタに接続される記憶用強誘電体キャパシタとそれぞれ有する複数の通常メモリセルと、
当該通常メモリセルにそれぞれ接続される複数の通常ビット線と、
前記ワード線に接続されるセルトランジスタと、当該セルトランジスタに接続され、逆極性の分極状態を記憶する参照強誘電体キャパシタを有する参照メモリセルと、
当該参照メモリセルに接続される参照ビット線と、
前記強誘電体キャパシタの反対側の端子に接続されるプレート線とを有し、
前記ワード線が選択された時に、前記記憶用キャパシタ及び参照キャパシタの分極状態に応じて前記通常ビット線及び参照ビット線の電位が変化し、
更に、前記参照ビット線にドレインが接続された第1のトランジスタと、前記複数の通常ビット線にそれぞれのドレインが接続された複数の第2のトランジスタとを含み、前記第1及び第2のトランジスタはゲートが前記参照ビット線に共通に接続されているカレントミラー回路と、
ドレインがプリチャージされ、ソースが前記通常ビット線にそれぞれ接続され、ゲートが前記参照ビット線に接続された増幅トランジスタを有するプリアンプ回路と、
前記プリアンプ回路の出力がそれぞれ入力され、当該入力レベルを増幅するセンスアンプとを有する強誘電体半導体メモリ。
更に、前記センスアンプの出力を、再書き込みのタイミングで対応する通常ビット線に印加する再書き込み回路が、各通常ビット線にそれぞれ設けられることを特徴とする半導体メモリ。
前記通常メモリセルは、前記ワード線に接続される1つのセルトランジスタと当該セルトランジスタに接続される強誘電体キャパシタからなる前記記憶用キャパシタとを有し、
更に、参照メモリセルは、前記ワード線に接続される1つのセルトランジスタと当該セルトランジスタに接続される強誘電体キャパシタからなる前記参照キャパシタとを有することを特徴とする半導体メモリ。
MC:通常メモリセル、MCREF:参照メモリセル
10:カレントミラー回路、DSREF:第1のトランジスタ、
DS0,DS1:第2のトランジスタ
PA0,PA1:プリアンプ、SA0,SA1:センスアンプ
Claims (6)
- 複数のワード線と、
記憶用キャパシタをそれぞれ有する複数の通常メモリセルと、
当該通常メモリセルにそれぞれ接続される複数の通常ビット線と、
所定のデータを記憶する参照キャパシタを有する参照メモリセルと、
当該参照メモリセルに接続される参照ビット線とを有し、
前記ワード線が選択された時に、前記記憶用キャパシタ及び参照キャパシタの電荷に応じて前記通常ビット線及び参照ビット線の電位が変化し、
更に、前記参照ビット線にドレインが接続された第1のトランジスタと、前記複数の通常ビット線にそれぞれのドレインが接続された複数の第2のトランジスタとを含み、前記第1及び第2のトランジスタはゲートが前記参照ビット線に共通に接続されているカレントミラー回路と、
各通常ビット線にそれぞれ設けられ、前記通常ビット線の電位と前記参照ビット線の電位とに基づいて、前記通常ビット線の電位を増幅するプリアンプ回路とを有することを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1において、
更に、ドレインがプリチャージされ、ソースが前記通常ビット線に接続され、ゲートが前記参照ビット線に接続された増幅トランジスタを有するプリアンプ回路が、各通常ビット線にそれぞれ設けられることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1または2のいずれかにおいて、
前記プリアンプ回路の出力が入力され、当該入力レベルを増幅するセンスアンプが、各通常ビット線にそれぞれ設けられることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項3において、
更に、前記センスアンプの出力を、再書き込みのタイミングで対応する通常ビット線に印加する再書き込み回路が、各通常ビット線にそれぞれ設けられることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記通常メモリセルは、前記ワード線に接続される1つのセルトランジスタと当該セルトランジスタに接続される強誘電体キャパシタからなる前記記憶用キャパシタとを有し、
更に、参照メモリセルは、前記ワード線に接続される1つのセルトランジスタと当該セルトランジスタに接続される強誘電体キャパシタからなる前記参照キャパシタとを有することを特徴とする半導体メモリ。 - 複数のワード線と、
前記ワード線に接続されるセルトランジスタと、当該セルトランジスタに接続される記憶用強誘電体キャパシタとそれぞれ有する複数の通常メモリセルと、
当該通常メモリセルにそれぞれ接続される複数の通常ビット線と、
前記ワード線に接続されるセルトランジスタと、当該セルトランジスタに接続され、逆極性の分極状態を記憶する参照強誘電体キャパシタを有する参照メモリセルと、
当該参照メモリセルに接続される参照ビット線と、
前記強誘電体キャパシタの反対側の端子に接続されるプレート線とを有し、
前記ワード線が選択された時に、前記記憶用キャパシタ及び参照キャパシタの分極状態に応じて前記通常ビット線及び参照ビット線の電位が変化し、
更に、前記参照ビット線にドレインが接続された第1のトランジスタと、前記複数の通常ビット線にそれぞれのドレインが接続された複数の第2のトランジスタとを含み、前記第1及び第2のトランジスタはゲートが前記参照ビット線に共通に接続されているカレントミラー回路と、
ドレインがプリチャージされ、ソースが前記通常ビット線にそれぞれ接続され、ゲートが前記参照ビット線に接続された増幅トランジスタを有するプリアンプ回路と、
前記プリアンプ回路の出力がそれぞれ入力され、当該入力レベルを増幅するセンスアンプとを有する強誘電体半導体メモリ。
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