JP6832348B2 - 連鎖シャトリングに有用な多頭性または二頭性組成物、及びそれを調製するためのプロセス - Google Patents
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Description
ポリオレフィンの特性及び用途は、その調製において使用される触媒の特定の特徴に、様々な程度で依存する。特定の触媒組成、活性化条件、立体的及び電子的特徴、及び同様のものは全て、得られるポリマー生成物の特性の要素となり得る。実際に、コモノマー組み込み、分子量、多分散性、及び長鎖分岐等の多くのポリマーの特徴、ならびに密度、弾性率、溶融特性、引張特徴、及び光学的特性等の関連した物理的特性は、全て触媒設計により影響され得る。
立体障害ジエンを、有機金属化合物、溶媒、触媒前駆体、及び共触媒と接触させ、式:
R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物、もしくはその凝集体、そのルイス塩基含有誘導体、またはその任意の組み合わせを含有する最終溶液を形成することを含み、式中、
MAは、出現する毎に、Zn、Mg、Ga、またはAlであり、
R1は、出現する毎に、水素、アルキル、ハライド、アミド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、ヒドロカルビルオキシド、ヒドロカルビルスルフィド、ジヒドロカルビルホスフィド、トリ(ヒドロカルビル)シリルから独立して選択され、任意のヒドロカルビル基は、少なくとも1種のハライド、アミド、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、またはヒドロカルビルオキシドで任意選択で置換され、各炭素含有R1は、1〜50個(これらの数を含む)の炭素原子を有し、
R2は、出現する毎に、前記立体障害ジエンの誘導体であり、
Nは、平均して、1〜150(これらの数を含む)の数である。
R1MA[R2MA−]NR1を有する多頭性または二頭性組成物、もしくはその凝集体、そのルイス塩基含有誘導体、またはその任意の組み合わせを提供し、式中、
MAは、出現する毎に、Zn、Mg、Ga、またはAlであり、
R1は、出現する毎に、水素、ハライド、アミド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、ヒドロカルビルオキシド、ヒドロカルビルスルフィド、ジヒドロカルビルホスフィド、トリ(ヒドロカルビル)シリルから独立して選択され、任意のヒドロカルビル基は、少なくとも1種のハライド、アミド、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、またはヒドロカルビルオキシドで任意選択で置換され、各炭素含有R1は、1〜50個(これらの数を含む)の炭素原子を有し、
R2は、出現する毎に、立体障害ジエンの誘導体であり、
Nは、平均して、1〜150(これらの数を含む)の数である。
元素周期表に対する全ての参照は、CRC Press,Inc.、1990により出版され、著作権が取得された元素周期表を参照する。また、族(複数可)に対するいかなる参照も、族の番号付けにIUPACシステムを使用したこの元素周期表に反映される族(複数可)への参照であるものとする。逆の意味で説明される、文脈から暗に示唆される、または当技術分野において習慣的である場合を除き、全ての部及びパーセントは重量基準であり、全ての試験法は、本開示の出願日現在で最新である。米国特許における業務を目的として、任意の参照された特許、特許出願または出版物の内容は、特に合成技術、生成物及び処理設計、ポリマー、触媒、定義(本開示において具体的に規定される任意の定義と矛盾しない限り)、ならびに当技術分野における一般知識に関して、参照により全体的に組み込まれる(またはその等価の米国版が参照によりそのように全体的に組み込まれる)。
本開示は、遷移金属触媒の存在下で立体障害ジエン及び有機金属化合物を使用することにより、式R1MA[R2MA−]NR1を有する多頭性または二頭性組成物を合成するためのプロセスに関する。ある特定の実施形態において、式R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物を調製するためのプロセスは、立体障害ジエンを、有機金属化合物、共触媒、溶媒、及び触媒前駆体と接触させ、式R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物を含む最終溶液を形成することを含む。ある特定の実施形態において、式R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物を調製するためのプロセスは、連結基を、有機金属化合物、共触媒、溶媒、及び触媒前駆体と接触させ、式R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物を含む最終溶液を形成することを含み、連結基は、立体障害ジエンである。さらなる実施形態において、式R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物を調製するためのプロセスは、(a)立体障害ジエン及び有機金属化合物を溶媒と接触させ、第1の溶液を形成することと、(b)第1の溶液を触媒前駆体及び共触媒と接触させ、式R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物を含む最終溶液を形成することとを含む。さらなる実施形態において、式R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物を調製するためのプロセスは、(a)連結基及び有機金属化合物を溶媒と接触させ、第1の溶液を形成することと、(b)第1の溶液を触媒前駆体及び共触媒と接触させ、式R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物を含む最終溶液を形成することとを含み、連結基は、立体障害ジエンである。
ある特定の実施形態において、本開示のプロセスは、式R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物を形成するために、触媒前駆体へのジエンの単一挿入に続く、有機金属化合物の金属への挿入されたジエンの即時的な連鎖移動を必要とする。ある特定の実施形態において、ジエンの選択は、単一挿入要件を満たすために重要である。ある特定の実施形態において、ジエンは、遷移金属とδ−結合を形成し、次いで即時的に亜鉛金属に移動するために、遷移金属触媒と配位して金属−炭素内に一度だけ挿入することができなければならない。ある特定の実施形態において、ジエンの五員環上の内部二重結合は、第2のジエンの連続的挿入が立体障害により妨げられるように立体的に妨害され(例えば、ジエンは、エチレンと共重合し得るが、連続的に挿入するにはあまりにかさ高い)、または、速度が、亜鉛金属への連鎖移動の速度よりはるかに遅くならなければならず、2つの亜鉛金属の間に挟まれたただ1つのジエンをもたらす。
本開示のプロセスのある特定の実施形態において、有機金属化合物は、金属アルキルである。本開示のプロセスのある特定の実施形態において、有機金属化合物は、二価金属(例えばZnもしくはMg)、三価金属(Al、B、もしくはGa)、または二価金属及び三価金属の混合物を含有する金属アルキルである。ある特定の実施形態において、本開示のプロセスにおいて使用される有機金属化合物は、有機亜鉛化合物である。ある特定の実施形態において、有機亜鉛化合物は、ジアルキル亜鉛化合物(R2Zn)、モノアルキル亜鉛化合物(RZnX、式中、Xは、アルコキシル、アミノ、シリル、ホスフィン、アルキルチオ、及びハライドである)、ならびにR2Zn及びRZnXの任意の比率の混合物からなる群から選択される。
本明細書における使用に好適な触媒は、所望の組成または種類のポリマーを調製するために適合される、及び連鎖シャトリング剤による可逆的連鎖移動が可能な任意の化合物または化合物の組み合わせを含む。不均一及び均一触媒の両方が使用され得る。不均一触媒の例は、周知のチーグラー−ナッタ組成物、特に、2族金属ハライド上に担持された4族金属ハライドまたは混合ハライド、及びアルコキシド、及び周知のクロムまたはバナジウム系触媒を含む。好ましくは、本明細書における使用のための触媒は、比較的純粋な有機金属化合物または金属錯体、特に元素周期表の3〜10族またはランタニド系列から選択される金属に基づく化合物または錯体を含む均一触媒である。
Mは、元素周期表の3〜15族、好ましくは3〜10族、より好ましくは4〜8族、最も好ましくは4族から選択される金属であり、
Kは、独立して、出現する毎に、それを介してKがMに結合する非局在化π電子または1つ以上の電子対を含有する基であり、前記K基は、水素原子を考慮せずに50個までの原子を含有し、任意選択で2つ以上のK基が互いに繋がって架橋構造を形成してもよく、さらに、任意選択で、1つ以上のK基が、Z、X、またはZ及びXの両方に結合してもよく、
Xは、独立して、出現する毎に、40個までの非水素原子を有する一価アニオン性部分であり、任意選択で、1つ以上のX基が互いに結合し、それにより二価または多価アニオン性基を形成してもよく、さらに、任意選択で、1つ以上のX基及び1つ以上のZ基が互いに結合し、それによりMに共有結合すると共にそれに配位した部分を形成してもよく、
Zは、独立して、出現する毎に、それを介してZがMに配位する少なくとも1つの非共有電子対を含有する、50個までの非水素原子の中性ルイス塩基ドナーリガンドであり、
kは、0〜3の整数であり、xは、1〜4の整数であり、zは、0〜3の数であり、
和k+xは、Mの形式酸化状態に等しい。
本明細書における使用に好適な遷移金属錯体は、式:MKkXxZz、またはその二量体に対応し、式中:
Mは、4族金属であり、
Kは、それを介してKがMに結合する非局在化π電子を含有する基であり、前記K基は、水素原子を考慮せずに50個までの原子を含有し、任意選択で2つのK基が互いに繋がって架橋構造を形成してもよく、さらに、任意選択で、1つのKがXまたはZに結合してもよく、
Xは、出現する毎に、40個までの非水素原子を有する一価アニオン性部分であり、任意選択で、1つ以上のX及び1つ以上のK基が互いに結合して、メタロサイクルを形成し、さらに、任意選択で、1つ以上のX及び1つ以上のZ基が互いに結合し、それによりMに共有結合すると共にそれに配位した部分を形成し、
Zは、独立して、出現する毎に、それを介してZがMに配位する少なくとも1つの非共有電子対を含有する、50個までの非水素原子の中性ルイス塩基ドナーリガンドであり、
kは、0〜3の整数であり、xは、1〜4の整数であり、zは、0〜3の数であり、和k+xは、Mの形式酸化状態に等しい。
Mは、+2または+4の形式酸化状態のチタン、ジルコニウムまたはハフニウム、好ましくはジルコニウムまたはハフニウムであり、R3は、出現する毎に、独立して、水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シアノ、ハロ及びそれらの組み合わせからなる群から選択され、前記R3は、20個までの非水素原子を有し、または、隣接するR3基が一緒になって二価誘導体(すなわち、ヒドロカルバジイル、シラジイルもしくはゲルマジイル基)を形成し、それにより縮合環系を形成し、
X”は、独立して、出現する毎に、40個までの非水素原子のアニオン性リガンド基であり、または、2つのX”基が一緒になって、40個までの非水素原子の二価アニオン性リガンド基を形成し、もしくは一緒になって非局在化π電子によりMに結合した4〜30個の非水素原子を有する共役ジエンであり、その後Mは+2の形式酸化状態にあり、
R’、E及びeは、以前に定義された通りである。
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルベンジル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルフェニル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジフェニル、
ビス(シクロペンタジエニル)チタン−アリル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルメトキシド、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルクロリド、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル、
ビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
インデニルフルオレニルジルコニウムジメチル、
ビス(インデニル)ジルコニウムメチル(2−(ジメチルアミノ)ベンジル)、
ビス(インデニル)ジルコニウムメチルトリメチルシリル、
ビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウムメチルトリメチルシリル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルベンジル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルメトキシド、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルクロリド、
ビス(メチルエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(t−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(エチルテトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(メチルプロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ジメチルシリルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)チタン(III)アリル
ジメチルシリルビス(t−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリルビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、
(ジメチルシリルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)チタン(III)2−(ジメチルアミノ)ベンジル、
(ジメチルシリルビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)チタン(III)2−(ジメチルアミノ)ベンジル、ジメチルシリルビス(インデニル)ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリルビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2−メチルインデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2−メチルインデニル)ジルコニウム−1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
ジメチルシリルビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウム(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、ジメチルシリルビス(4,5,6,7−テトラヒドロインデン−1−イル)ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリルビス(4,5,6,7−テトラヒドロインデン−1−イル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウム(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、ジメチルシリルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(フルオレニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(テトラヒドロフルオレニル)ジルコニウムビス(トリメチルシリル)、
エチレンビス(インデニル(indbnyl))ジルコニウムジクロリド、
エチレンビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
エチレンビス(4,5,6,7−テトラヒドロインデニル)ジルコニウムジクロリド、
エチレンビス(4,5,6,7−テトラヒドロインデニル)ジルコニウムジメチル、
(イソプロピリデン)(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウムジベンジル、及びジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウムジメチルを含む。
K1は、1〜5個のR2基で任意選択で置換された非局在化π結合リガンド基であり、
R2は、出現する毎に、独立して、水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シアノ、ハロ及びそれらの組み合わせからなる群から選択され、前記R2は、20個までの非水素原子を有し、または、隣接するR2基が一緒になって二価誘導体(すなわち、ヒドロカルバジイル、シラジイルもしくはゲルマジイル基)を形成し、それにより縮合環系を形成し、
各Xは、ハロ、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシもしくはシリル基であり、前記基は、20個までの非水素原子を有し、または、2つのX基が一緒になって中性C5〜30共役ジエンもしくはその二価誘導体を形成し、
xは、1または2であり、
Yは、−O−、−S−、−NR’−、−PR’−であり、
X’は、SiR’2、CR’2、SiR’2SiR’2、CR’2CR’2、CR’=CR’、CR’2SiR’2、またはGeR’2であり、
R’は、独立して、出現する毎に、水素、またはシリル、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ及びそれらの組み合わせから選択される基であり、前記R’は、30個までの炭素またはケイ素原子を有する。
Arは、水素を考慮せずに6〜30個の原子のアリール基であり、
R4は、独立して、出現する毎に、水素、Ar、またはAr以外のヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、トリヒドロカルビルシロキシ、ビス(トリヒドロカルビルシリル)アミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルバジイルアミノ、ヒドロカルビルイミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルバジイルホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ビス(トリヒドロカルビルシリル)アミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ置換ヒドロカルビル、またはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルから選択される基であり、前記R基は、水素原子を考慮せずに40個までの原子を有し、任意選択で、2つの隣接するR4基が互いに繋がって多環式縮合環基を形成してもよく、
Mは、チタンであり、
X’は、SiR6 2、CR6 2、SiR6 2SiR6 2、CR6 2CR6 2、CR6=CR6、CR6 2SiR6 2、BR6、BR6L”、またはGeR6 2であり、
Yは、−O−、−S−、−NR5−、−PR5−;−NR5 2、または−PR5 2であり、
R5は、独立して、出現する毎に、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、またはトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり、前記R5は、水素以外の20個までの原子を有し、任意選択で、2つのR5基またはR5及びYまたはZが一緒になって環系を形成し、
R6は、独立して、出現する毎に、水素、またはヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、シリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、−NR5 2、及びそれらの組み合わせから選択されるメンバーであり、前記R6は、20個までの非水素原子を有し、任意選択で、2つのR6基またはR6及びZが一緒になって環系を形成し、
Zは、R5、R6、またはXに任意選択で結合した中性ジエンまたは単座もしくは多座ルイス塩基であり、
Xは、水素、水素を考慮せずに60個までの原子を有する一価アニオン性リガンド基であり、または、2つのX基が互いに繋がって、それにより二価リガンド基を形成し、
xは、1または2であり、
zは、0、1または2である。
(3−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,3−ジフェニル−l,3−ブタジエン;
(3−(ピロロ−1−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3−(ピロロ−1−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−(ピロロ−1−イル)シクロペンタジエン−1−イル))ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−(1−メチルピロロ−3−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3−(1−メチルピロロ−3−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−(1−メチルピロロ−3−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3,4−ジフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3,4−ジフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3,4−ジフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,3−ペンタジエン;
(3−(3−N,N−ジメチルアミノ)フェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3−(3−N,N−ジメチルアミノ)フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−(3−N,N−ジメチルアミノ)フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−(4−メトキシフェニル)−4−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3−(4−メトキシフェニル)−4−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−4−メトキシフェニル)−4−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−フェニル−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3−フェニル−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−フェニル−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
2−メチル−(3,4−ジ(4−メチルフェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
2−メチル−(3,4−ジ(4−メチルフェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
2−メチル−(3,4−ジ(4−メチルフェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
((2,3−ジフェニル)−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
((2,3−ジフェニル)−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
((2,3−ジフェニル)−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(2,3,4−トリフェニル−5−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(2,3,4−トリフェニル−5−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(2,3,4−トリフェニル−5−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(2,3−ジフェニル−4−(n−ブチル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(2,3−ジフェニル−4−(n−ブチル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、
(2,3−ジフェニル−4−(n−ブチル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(2,3,4,5−テトラフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド、
(2,3,4,5−テトラフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル、及び(2,3,4,5−テトラフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエンを含む。
R7は、独立して、出現する毎に、ヒドリド、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルシロキシ、ヒドロカルビルシリルアミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルビレン−ホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、シリル置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレン−ホスフィノ置換ヒドロカルビル、またはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルであり、前記R7基は、水素を考慮せずに40個までの原子を有し、任意選択で、上記基の2つ以上が一緒になって二価誘導体を形成してもよく、
R8は、金属錯体の残りと縮合環を形成する二価ヒドロカルビレン−または置換ヒドロカルビレン基であり、前記R8は、水素を考慮せずに1〜30個の原子を含有し、
Xaは、二価部分、またはMへの配位共有結合を形成することができる1つのσ結合及び中性の2つの電子対を含む部分であり、前記Xaは、ホウ素、または元素周期表の14族のメンバーを含み、また窒素、リン、硫黄または酸素も含み、
Xは、環式非局在化π結合リガンド基であるリガンドのクラスを除く、60個までの原子を有する一価アニオン性リガンド基であり、任意選択で、2つのX基が一緒になって二価リガンド基を形成し、
Zは、独立して、出現する毎に、20個までの原子を有する中性リガンド化合物であり、
xは、0、1または2であり、
zは、ゼロまたは1である。
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−l−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、及びそれらの混合物、特に位置異性体の混合物を含む。
Tは、−NR9−または−O−であり、
R9は、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ジヒドロカルビルボリル、もしくはハロヒドロカルビル、または水素を考慮せずに10個までの原子であり、
R10は、独立して、出現する毎に、水素、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、ゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルシロキシ、ヒドロカルビルシリルアミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルビレン−ホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、シリル置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ−置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ置換ヒドロカルビル、またはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルであり、前記R10基は、水素原子を考慮せずに40個までの原子を有し、任意選択で、上記の隣接するR10基の2つ以上が一緒になって二価誘導体を形成し、それにより飽和または不飽和縮合環を形成してもよく、
Xaは、局在化π電子を有さない二価部分、またはMへの配位共有結合を形成することができる1つのσ結合及び中性の2つの電子対を含むような部分であり、前記X’は、ホウ素、または元素周期表の14族のメンバーを含み、また窒素、リン、硫黄または酸素も含み、
Xは、非局在化π電子によりMに結合した環式リガンド基であるリガンドのクラスを除く、60個までの原子を有する一価アニオン性リガンド基であり、または、2つのX基が一緒になって、二価アニオン性リガンド基であり、
Zは、独立して、出現する毎に、20個までの原子を有する中性リガンド化合物であり、
xは、0、1、2、または3であり、
zは、0または1である。
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6J]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル;及び
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)。
(tert−ブチルアミド)(1,1−ジメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(1,1,2,3−テトラメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジベンジル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−インデニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III)2−(ジメチルアミノ)ベンジル;
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III)アリル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III)2,4−ジメチルペンタジエニル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II) 2,4−ヘキサジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)1,3 −ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジメチル、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジベンジル、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジメチル、
(tert−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジベンジル、
(tert−ブチルアミド)(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II)2,4−ヘキサジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチル−シランチタン(IV)1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(IV)2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチル−シランチタン(II)1,4−ジベンジル−1,3−ブタジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II)2,4−ヘキサジエン、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチル−シランチタン(II)3−メチル−1,3−ペンタジエン、
(tert−ブチルアミド)(2,4−ジメチルペンタジエン−3−イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(6,6−ジメチルシクロヘキサジエニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(1,1−ジメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレン−4−イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(1,1,2,3−テトラメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレン−4−イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニルメチルフェニルシランチタン(IV)ジメチル、
(tert−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニルメチルフェニルシランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
1−(tert−ブチルアミド)−2−(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)エタンジイルチタン(IV)ジメチル、及び
1−(tert−ブチルアミド)−2−(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)エタンジイル−チタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエンを含む。
Xb及びYbは、それぞれ独立して、窒素、硫黄、酸素及びリンからなる群から選択され、より好ましくは、Xb及びYbの両方が窒素であり、
Rb及びRb’は、独立して、出現する毎に、水素、または1つ以上のヘテロ原子を任意選択で含有するC1−50ヒドロカルビル基、またはその不活性置換誘導体である。好適なRb及びRb’基の限定されない例は、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、(ポリ)アルキルアリール及びシクロアルキル基、ならびにそれらの窒素、リン、酸素及びハロゲン置換誘導体を含む。好適なRb及びRb’基の具体例は、メチル、エチル、イソプロピル、オクチル、フェニル、2,6−ジメチルフェニル、2,6−ジ(イソプロピル)フェニル、2,4,6−トリメチルフェニル、ペンタフルオロフェニル、3,5−トリフルオロメチルフェニル、及びベンジルを含み、
gは、0または1であり、
Mbは、元素周期表の3〜15族、またはランタニド系列から選択される金属元素である。好ましくは、Mbは、3〜13族金属であり、より好ましくは、Mbは、4〜10族金属であり、
Lbは、水素を考慮せずに1〜50個の原子を含有する一価、二価または三価アニオン性リガンドである。好適なLb基の例は、ハライド;ヒドリド;ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ;ジ(ヒドロカルビル)アミド、ヒドロカルビレンアミド、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィド;ヒドロカルビルスルフィド;ヒドロカルビルオキシ、トリ(ヒドロカルビルシリル)アルキル及びカルボキシレートを含む。より好ましいLb基は、C1−20アルキル、C7−20アラルキル、及びクロリドであり、
hは、1〜6、好ましくは1〜4、より好ましくは1〜3の整数であり、jは、1または2であり、h、x、jの値は、電荷平衡を提供するように選択され、
Zbは、Mbに配位し、水素を考慮せずに50個までの原子を含有する中性リガンド基である。好ましいZb基は、脂肪族及び芳香族アミン、ホスフィン、及びエーテル、アルケン、アルカジエン、ならびにそれらの不活性置換誘導体を含む。好適な不活性置換基は、ハロゲン、アルコキシ、アリールオキシ、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、ジ(ヒドロカルビル)アミン、トリ(ヒドロカルビル)シリル、及びニトリル基を含む。好ましいZb基は、トリフェニルホスフィン、テトラヒドロフラン、ピリジン、及び1,4−ジフェニルブタジエンを含み、
fは、1〜3の整数であり、
Tb、Rb及びRb’の2つまたは3つは、互いに繋がって単一または複数環構造を形成してもよく、
hは、1〜6、好ましくは1〜4、より好ましくは1〜3の整数であり、
各Rdは、C1〜10ヒドロカルビル基、好ましくはメチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、t−ブチル、フェニル、2,6−ジメチルフェニル、ベンジル、またはトリルである。各Reは、C1〜10ヒドロカルビル、好ましくはメチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、t−ブチル、フェニル、2,6−ジメチルフェニル、ベンジル、またはトリルである。さらに、2つ以上のRdもしくはRe基、またはRd及びRe基の混合が一緒になって、ヒドロカルビル基の多価誘導体、例えば1,4−ブチレン、1,5−ペンチレン、または多環式縮合環多価ヒドロカルビルもしくはヘテロヒドロカルビル基、例えばナフタレン−1,8−ジイルを形成してもよい。
d’は、4であり、
Mb’は、4族金属、好ましくはチタンもしくはハフニウム、または10族金属、好ましくはNiもしくはPdであり、
Lb’は、水素を考慮せずに50個までの原子の一価リガンド、好ましくはハライドもしくはヒドロカルビルであり、または、2つのLb’基が一緒になって、二価または中性リガンド基、好ましくはC2−50ヒドロカルビレン、ヒドロカルバジイルもしくはジエン基である。
R11は、水素を考慮せずに1〜30個の原子を含有するアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリール、及びそれらの不活性置換誘導体、またはそれらの二価誘導体から選択され、
T1は、水素以外の1〜41個の原子、好ましくは水素以外の1〜20個の原子の二価架橋基、最も好ましくはモノ−またはジ−C1−20ヒドロカルビル置換メチレンまたはシラン基であり、
R12は、ルイス塩基官能基を含有するC5−20ヘテロアリール基、特にピリジン−2−イルもしくは置換ピリジン−2−イル基、またはそれらの二価誘導体であり、
M1は、4族金属、好ましくはハフニウムであり、
X1は、アニオン性、中性または二価アニオン性リガンド基であり、
x’は、そのようなX1基の数を示す0〜5の数であり、結合、任意選択の結合及び電子供与性相互作用は、それぞれ線、点線及び矢印により表される。
R13、R14、R15及びR16は、水素、ハロ、または水素を考慮せずに20個までの原子のアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、もしくはシリル基であり、あるいは、隣接するR13、R14、R15またはR16基が互いに繋がって、それにより縮合環誘導体を形成してもよく、結合、任意選択の結合及び電子供与性相互作用は、それぞれ線、点線及び矢印により表される。上記金属錯体の好適な例は、式:
M1、X1及びx’は、以前に定義された通りであり、
R13、R14、R15及びR16は、以前に定義された通りであり、好ましくは、R13、R14、及びR15は、水素またはC1−4アルキルであり、R16は、C6−20アリール、最も好ましくはナフタレニルであり、
Raは、独立して、出現する毎に、C1−4アルキルであり、aは、1〜5であり、最も好ましくは、窒素に対して2つのオルト位にあるRaは、イソプロピルまたはt−ブチルであり、
R17及びR18は、独立して、出現する毎に、水素、ハロゲンまたはC1−20アルキルまたはアリール基であり、最も好ましくは、R17及びR18の一方は、水素であり、他方は、C6−20アリール基、特に2−イソプロピル、フェニルまたは縮合多環式アリール基、最も好ましくはアントラセニル基であり、結合、任意選択の結合及び電子供与性相互作用は、それぞれ線、点線及び矢印により表される。
Rfは、独立して、出現する毎に、水素、ハロゲン、C1〜20アルキル、もしくはC6〜20アリールであり、または、2つの隣接するRf基が互いに繋がって、それにより環を形成し、fは、1〜5であり、
Rcは、独立して、出現する毎に、水素、ハロゲン、C1−20アルキル、もしくはC6−20アリールであり、または、2つの隣接するRc基が互いに繋がって、それにより環を形成し、cは、1〜5である。
X1は、出現する毎に、ハライド、N,N−ジメチルアミド、またはC1−4アルキル、好ましくはメチルである。
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロリド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロリド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);及び
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロリドを含む。
R20は、水素を考慮せずに5〜20個の原子を含有する芳香族もしくは不活性置換芳香族基、またはそれらの多価誘導体であり、
T3は、水素を考慮せずに1〜20個の原子を含有するヒドロカルビレンもしくはシラン、またはそれらの不活性置換誘導体であり、
M3は、4族金属、好ましくはジルコニウムまたはハフニウムであり、
Gは、アニオン性、中性または二価アニオン性リガンド基、好ましくは、水素を考慮せずに20個までの原子を有する、ハライド、ヒドロカルビルまたはジヒドロカルビルアミド基であり、
gは、そのようなG基の数を示す1〜5の数であり、結合及び電子供与性相互作用は、それぞれ線及び矢印により表される。
T3は、水素を考慮せずに2〜20個の原子の二価架橋基、好ましくは置換または非置換C3〜6アルキレン基であり、
Ar2は、独立して、出現する毎に、水素を考慮せずに6〜20個の原子のアリーレンまたはアルキルもしくはアリール置換アリーレン基であり、
M3は、4族金属、好ましくはハフニウムまたはジルコニウムであり、
Gは、独立して、出現する毎に、アニオン性、中性または二価アニオン性リガンド基であり、
gは、そのようなX基の数を示す1〜5の数であり、電子供与性相互作用は、矢印により表される。
Ar4は、C6−20アリールまたはその不活性置換誘導体、特に3,5−ジ(イソプロピル)フェニル、3,5−ジ(イソブチル)フェニル、ジベンゾ−1H−ピロール−1−イル、またはアントラセン−5−イルであり、
T4は、独立して、出現する毎に、C3−6アルキレン基、C3−6シクロアルキレン基、またはそれらの不活性置換誘導体であり、
R21は、独立して、出現する毎に、水素、ハロ、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、または水素を考慮せずに50個までの原子のトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり、
Gは、独立して、出現する毎に、ハロ、または水素を考慮せずに20個までの原子のヒドロカルビルもしくはトリヒドロカルビルシリルであり、あるいは、2つのG基が一緒になって、上記ヒドロカルビルまたはトリヒドロカルビルシリル基の二価誘導体である。
R21は、水素、ハロ、またはC1−4アルキル、特にメチルであり、
T4は、プロパン1,3−ジイルまたはブタン−1,4−ジイルであり、
Gは、クロロ、メチルまたはベンジルである。
M2は、元素周期表の4〜10族の金属、好ましくは4族金属、Ni(II)またはPd(II)、最も好ましくはジルコニウムであり、
T2は、窒素、酸素またはリン含有基であり、
X2は、ハロ、ヒドロカルビル、またはヒドロカルビルオキシであり、
tは、1または2であり、
x”は、電荷平衡を提供するように選択される数であり、
T2及びNは、架橋リガンドにより連結される。
そのような触媒は、他の開示の中でも、J.Am.Chem.Soc.,118,267−268(1996)、J.Am.Chem.Soc.,117,6414−6415(1995)、及びOrganometallics,16,1514−1516,(1997)において以前に開示されている。
M2、X2及びT2は、以前に定義された通りであり、
Rdは、独立して、出現する毎に、水素、ハロゲン、またはReであり、
Reは、独立して、出現する毎に、C1−20ヒドロカルビル、またはそのヘテロ原子、特にF、N、SもしくはP置換誘導体、より好ましくはC1−20ヒドロカルビル、またはそのFもしくはN置換誘導体、最も好ましくはアルキル、ジアルキルアミノアルキル、ピロリル、ピペリデニル、ペルフルオロフェニル、シクロアルキル、(ポリ)アルキルアリール、またはアラルキルである。
X2は、以前に定義された通りであり、好ましくはC1−10ヒドロカルビル、最も好ましくはメチルまたはベンジルであり、
Re’は、メチル、イソプロピル、t−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、2−メチルシクロヘキシル、2,4−ジメチルシクロヘキシル、2−ピロリル、N−メチル−2−ピロリル、2−ピペリデニル、N−メチル−2−ピペリデニル、ベンジル、o−トリル、2,6−ジメチルフェニル、ペルフルオロフェニル、2,6−ジ(イソプロピル)フェニル、または2,4,6−トリメチルフェニルである。
Mは、4族金属であり、
K2は、それを介してK2がMに結合する非局在化π電子を含有する基であり、前記K2基は、水素原子を考慮せずに50個までの原子を含有し、fは、1または2である。
本開示の触媒前駆体はそれぞれ、共触媒、好ましくはカチオン形成共触媒、強ルイス酸、またはそれらの組み合わせと組み合わせることにより、活性触媒組成物を形成するように活性化され得る。したがって、本開示はまた、少なくとも1種の触媒前駆体、及び本明細書において開示されるような式R1MA[R2MA−]NR1を有する少なくとも1種の組成物と併せた、触媒組成物における少なくとも1種の共触媒の使用及び様々な方法を提供する。
(L*−H)AA)g +(A)g−により表すことができ、式中、
L*は、中性ルイス塩基であり、
(L*−H)+は、L*の共役ブレンステッド酸であり、
Ag−は、g−の電荷を有する非配位適合性アニオンであり、gは1〜3の整数である。
Miは、+3の形式酸化状態のホウ素またはアルミニウムであり、
Qは、独立して、出現する毎に、ヒドリド、ジアルキル−アミド、ハライド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシド、ハロ置換ヒドロカルビル、ハロ置換ヒドロカルビルオキシ、及びハロ置換シリルヒドロカルビルラジカル(過ハロゲン化ヒドロカルビル−過ハロゲン化ヒドロカルビルオキシ−及び過ハロゲン化シリルヒドロカルビルラジカルを含む)から選択され、各Qは、20個までの炭素を有するが、但し、1回以下の出現においてQハライドである。好適なヒドロカルビルオキシドQ基の例は、米国特許第5,296,433号において開示されている。
(L*−H)+(BQ4)−により表すことができ、式中、
L*は、以前に定義された通りであり、
Bは、3の形式酸化状態のホウ素であり、
Qは、20個までの非水素原子のヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、フッ素化ヒドロカルビル、フッ素化ヒドロカルビルオキシ、またはフッ素化シリルヒドロカルビル基であるが、但し、1回以下の出現においてQヒドロカルビルである。
トリメチルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリエチルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリプロピルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
トリ(sec−ブチル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムn−ブチルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムベンジルトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(4−(t−ブチルジメチルシリル)−2,3,5,6テトラフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス(4−(トリイソプロピルシリル)−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムペンタフルオロフェノキシトリス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジエチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
N,N−ジメチル−2,4,6−トリメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
ジメチルオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルジオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
いくつかのジアルキルアンモニウム塩、例えば
ジ−(i−プロピル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルオクタドデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、及び
ジオクタデシルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
様々な三置換ホスホニウム塩、例えば
トリフェニルホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
メチルジオクタデシルホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、及び
トリ(2,6−ジメチルフェニル)ホスホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート;
二置換オキソニウム塩、例えば
ジフェニルオキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、
ジ(o−トリル)オキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、及び
ジ(オクタデシル)オキソニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ならびに
二置換スルホニウム塩、例えば
ジ(o−トリル)スルホニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、及び
メチルコタデシルスルホニウム(methylcotadecylsulfonium)テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートを含む。
(Oxh+)g(Ag−)hにより表されるカチオン性酸化剤及び非配位適合性アニオンの塩を含み、式中、
Oxh+は、h+の電荷を有するカチオン性酸化剤であり、
hは、1〜3の整数であり、
Ag−及びgは、以前に定義された通りである。
[C]+A−
により表されるカルベニウムイオン及び非配位適合性アニオンの塩である化合物であってもよく、式中、
[C]+は、C1−20カルベニウムイオンであり、
−1の電荷を有する非配位適合性アニオンである。例えば、良好に機能する1つのカルベニウムイオンは、トリチルカチオン、すなわちトリフェニルメチリウムである。
(Q1 3Si)+A−
Q1は、C1〜10ヒドロカルビルであり、A−は、以前に定義された通りである。
A*+は、カチオン、特にプロトン含有カチオンであり、1つまたは2つのC10−40アルキル基を含有するトリヒドロカルビルアンモニウムカチオン、特にメチルジ(C14−20アルキル)アンモニウムカチオンであってもよく、
Q3は、独立して、出現する毎に、水素、または水素を考慮せずに30個までの原子のハロ、ヒドロカルビル、ハロカルビル、ハロヒドロカルビル、シリルヒドロカルビル、もしくはシリル(例えばモノ−、ジ−及びトリ(ヒドロカルビル)シリルを含む)基、例えばC1−20アルキルであり、
Q2は、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボランまたはトリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)である。
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ウンデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−5,6−ジメチルベンズイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−5,6−ビス(ウンデシル)ベンズイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ウンデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−5,6−ジメチルベンズイミダゾリド、及び
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−5,6−ビス(ウンデシル)ベンズイミダゾリド。
本開示の一態様において、プロセス及び得られるポリマーが提供され、プロセスは、重合反応器またはゾーン内で、オレフィン重合触媒及び式R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物の存在下で、1種以上のオレフィンモノマーを重合させ、それにより、式R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物の残部と繋がった少なくともいくらかの量のポリマーの形成をもたらすことを含む。例示的な限定されない重合プロセスは、当技術分野において知られているもの、米国特許第8,501,885B2号において開示されているもの、及びランダムコポリマーを生成するための技術において知られているものを含む。例示的な限定されない重合プロセスは、単一の反応器または2つの反応器内で行われるものを含む。
本明細書において開示される場合、ポリマー生成物は、典型的には、反応性金属アルキル基を消費し、ポリマー生成物を遷移族または主族金属への結合から解放するために化学的処理に供される重合後のポリマー生成物を指す。このプロセスは、飽和ポリマー末端基を生成するための水による加水分解を含む。代替として、金属アルキル基を消費すること、及びポリマー鎖上に反応性官能性末端基を生成することの両方のために、様々な有機または無機試薬の添加が追加されてもよい。
本願発明には以下の態様が含まれる。
項1.
組成物を調製するためのプロセスであって、
立体障害ジエンを、有機金属化合物、溶媒、触媒前駆体、及び共触媒と接触させ、式:R1MA[R2MA−]NR1を有する前記組成物、もしくはその凝集体、そのルイス塩基含有誘導体、またはその任意の組み合わせを含有する最終溶液を形成することを含み、
式中、
MAは、出現する毎に、Zn、Mg、Ga、B、またはAlであり、
R1は、出現する毎に、水素、アルキル、ハライド、アミド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、ヒドロカルビルオキシド、ヒドロカルビルスルフィド、ジヒドロカルビルホスフィド、トリ(ヒドロカルビル)シリルから独立して選択され、任意のヒドロカルビル基は、少なくとも1種のハライド、アミド、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、またはヒドロカルビルオキシドで任意選択で置換され、各炭素含有R1は、1〜50個(これらの数を含む)の炭素原子を有し、
R2は、出現する毎に、前記立体障害ジエンの誘導体であり、
Nは、平均して、出現する毎に、1〜150(これらの数を含む)の数である、プロセス。
項2.
R1は、出現する毎に、水素またはC1〜20アルキル基である、項1に記載のプロセス。
項3.
前記有機金属化合物は、有機亜鉛化合物である、項1に記載のプロセス。
項4.
前記立体障害ジエンは、ジシクロペンタジエン、5−ビニル−2−ノルボルネン、ノルボルナジエン、ビス−ノルボルネンの誘導体、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、項1に記載のプロセス。
項5.
前記溶媒は、トルエンまたは脂肪族炭化水素である、項1に記載のプロセス。
項6.
式:R1MA[R2MA−]NR1を有する組成物、もしくはその凝集体、そのルイス塩基含有誘導体、またはその任意の組み合わせであって、
式中、
MAは、出現する毎に、Zn、Mg、Ga、またはAlであり、
R1は、出現する毎に、水素、アルキル、ハライド、アミド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、ヒドロカルビルオキシド、ヒドロカルビルスルフィド、ジヒドロカルビルホスフィド、トリ(ヒドロカルビル)シリルから独立して選択され、任意のヒドロカルビル基は、少なくとも1種のハライド、アミド、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、またはヒドロカルビルオキシドで任意選択で置換され、各炭素含有R1は、1〜50個(これらの数を含む)の炭素原子を有し、
R2は、出現する毎に、立体障害ジエンの誘導体であり、
Nは、平均して、出現する毎に、1〜150(これらの数を含む)の数である、組成物、もしくはその凝集体、そのルイス塩基含有誘導体、またはその任意の組み合わせ。
項7.
R1は、出現する毎に、水素またはC1〜20アルキル基である、項6に記載の組成物。
項8.
ポリマー組成物を形成するための少なくとも1種の付加重合性モノマーの重合のためのプロセスであって、
少なくとも1種の付加重合性モノマーを、重合条件下で触媒組成物と接触させることを含み、
前記触媒組成物は、少なくとも1種の触媒前駆体、少なくとも1種の共触媒、及び項6に記載の組成物の接触生成物を含む、プロセス。
項9.
ポリマー組成物を形成するための少なくとも1種の付加重合性モノマーの重合のためのプロセスであって、
少なくとも1種の付加重合性モノマーを、重合条件下で触媒組成物と接触させることを含み、
前記触媒組成物は、少なくとも1種の触媒前駆体、少なくとも1種の共触媒、及び項1に記載のプロセスにより調製された組成物の接触生成物を含み、前記少なくとも1種の触媒前駆体はまた、項1に記載のプロセスにより調製された組成物を調製するための触媒前駆体である、プロセス。
以下の例において、標準的な分析機器及び分析方法が使用される。
30℃で5分間
次いで5℃/分で50℃で0分間
次いで20℃/分で150℃で1分間
実行時間15分
50℃で0分間
次いで25℃/分で300℃で10分間
実行時間20分
この等式において、a=0.4316及びb=1.0である(Williams and Ward,J.Polym.Sc.,Polym.Let.,6,621(1968)において説明されている通り)。ポリエチレン当量分子量計算は、VISCOTEK TriSECソフトウェアVersion 3.0を使用して行った。
0〜10分、100%デカン/0%TCB、
10〜651分、TCBが0%TCB〜80%TCBに直線的に増加される。
Xn=溶出体積(mL)=D1流速×n×tswitch
式中、tswitch=3分は、10ポートVICI弁の切り替え時間である。
Mpolypropylene=0.645(Mpolystyrene)
無水トルエンをSigma−Aldrichから入手し、275℃の炉内で5時間活性化したアルミナ上でさらに乾燥させる。ノルボルナジエン及び5−ビニル−2−ノルボルネンをSigma−Aldrichから入手し、使用前に活性化アルミナ(DD6)上で乾燥させる。
以下の表1中に示されるように、エチレン−オクテン共重合反応を、1ガロンバッチ反応器内で120℃で行う。DHCは、表1中に示される場合、実施例1の式R1MA[R2MA−]NR1を有する二頭性組成物を指す。触媒(A2)は、上で定義された通りである。
Claims (8)
- 組成物を調製するためのプロセスであって、
立体障害ジエンを、有機金属化合物、溶媒、触媒前駆体、及び共触媒と接触させ、式:R1MA[R2MA−]NR1を有する前記組成物、もしくはその凝集体、そのルイス塩基含有誘導体、またはその任意の組み合わせを含有する最終溶液を形成することを含み、
前記触媒前駆体は、
(A1):[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル]、
MAは、出現する毎に、ZnまたはMgであり、
R1は、出現する毎に、水素、アルキル、ハライド、アミド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、ヒドロカルビルオキシド、ヒドロカルビルスルフィド、ジヒドロカルビルホスフィド、トリ(ヒドロカルビル)シリルから独立して選択され、任意のヒドロカルビル基は、少なくとも1種のハライド、アミド、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、またはヒドロカルビルオキシドで任意選択で置換され、各炭素含有R1は、1〜50個(これらの数を含む)の炭素原子を有し、
R2は、出現する毎に、前記立体障害ジエンの誘導体であり、
Nは、平均して、出現する毎に、1〜150(これらの数を含む)の数である、プロセス。 - R1は、出現する毎に、水素またはC1〜20アルキル基である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記有機金属化合物は、有機亜鉛化合物である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記立体障害ジエンは、ジシクロペンタジエン、5−ビニル−2−ノルボルネン、ノルボルナジエン、ビス−ノルボルネンの誘導体、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1に記載のプロセス。
- 前記溶媒は、トルエンまたは脂肪族炭化水素である、請求項1に記載のプロセス。
- ポリマー組成物を形成するための少なくとも1種の付加重合性モノマーの重合のためのプロセスであって、
少なくとも1種の付加重合性モノマーを、重合条件下で触媒組成物と接触させることを含み、
前記触媒組成物は、少なくとも1種の触媒前駆体、少なくとも1種の共触媒、及び式:R 1 M A [R 2 M A −] N R 1 を有する組成物、もしくはその凝集体、そのルイス塩基含有誘導体、またはその任意の組み合わせを接触させた生成物を含み、
前記触媒前駆体は、
(A1):[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル]、
M A は、出現する毎に、ZnまたはMgであり、
R 1 は、出現する毎に、水素、アルキル、ハライド、アミド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、ヒドロカルビルオキシド、ヒドロカルビルスルフィド、ジヒドロカルビルホスフィド、トリ(ヒドロカルビル)シリルから独立して選択され、任意のヒドロカルビル基は、少なくとも1種のハライド、アミド、ヒドロカルビルアミド、ジヒドロカルビルアミド、またはヒドロカルビルオキシドで任意選択で置換され、各炭素含有R 1 は、1〜50個(これらの数を含む)の炭素原子を有し、
R 2 は、出現する毎に、立体障害ジエンの誘導体であり、
Nは、平均して、出現する毎に、1〜150(これらの数を含む)の数である、プロセス。 - R1は、出現する毎に、水素またはC1〜20アルキル基である、請求項6に記載のプロセス。
- ポリマー組成物を形成するための少なくとも1種の付加重合性モノマーの重合のためのプロセスであって、
少なくとも1種の付加重合性モノマーを、重合条件下で触媒組成物と接触させることを含み、
前記触媒組成物は、少なくとも1種の触媒前駆体、少なくとも1種の共触媒、及び請求項1に記載のプロセスにより調製された組成物を接触させた生成物を含み、前記少なくとも1種の触媒前駆体はまた、請求項1に記載のプロセスにより調製された組成物を調製するための触媒前駆体である、プロセス。
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