JP6825188B2 - 水晶素子パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、水晶素子パッケージ及びその製造方法に関する。

最近、水晶素子パッケージは、基板、水晶振動子及びキャップを含み、これとともに温度によって電気抵抗値が変化する半導体を用いた抵抗体であるサーミスタ（ｔｈｅｒｍｉｓｔｅｒ）を含む高精度を有する複合型水晶素子パッケージが開発されている。

一般的に、サーミスタの場合は積層型を用いており、積層型サーミスタは複数のサーミスタ特性層を積層して形成されたものである。

積層型サーミスタは、一定の高さを有するため占める体積が大きいことから、水晶素子パッケージ内に実装することが困難である。これにより、複数の基板が積層された印刷回路基板にキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を形成し、キャビティ内に積層型サーミスタを実装して水晶素子パッケージを製作している。そのため、複数の基板を積層し、キャビティの形成に対する工程を追加することによって原価競争力が低くなる可能性があり、回路パターンが形成された基板の一面とサーミスタとの間隔が存在するためサーミスタの熱感知能力が減少するおそれがある。

したがって、熱感知（ｓｅｎｓｉｎｇ）の精度が増加し、原価競争力を確保することができる水晶素子パッケージが必要な実情である。

下記先行技術文献に記載された特許文献１は水晶素子パッケージに関する説明である。

特開２０１４−２２２８１２号公報

一方、このような積層型サーミスタは、相対的に体積が大きいため水晶素子パッケージ内に実装することが困難であるという問題がある。

本発明の多様な目的のうちの一つは、パッケージ内部にサーミスタ部を印刷して形成するなどの方法を用いることにより、水晶素子パッケージの熱感知精度が向上することができ、さらに、パッケージの製造に必要な原価競争力を確保することができる。

本発明を通じて提案する多様な解決手段のうちの一つは、基板の一面から間隔をおいて配置された水晶振動子と、基板の一面上に配置されるサーミスタ部と、を含み、サーミスタ部は、第１金属層、第１金属層上に形成されたサーミスタ特性層、及びサーミスタ特性層の一部を覆うように形成された第２金属層を含むことにより、熱感知精度を改善することができ、パッケージの原価競争力を確保することができるようにすることである。

本発明の一実施例による水晶素子パッケージは、基板の一面上に水晶振動子及びサーミスタ部を配置して、パッケージの原価競争力を確保するとともにサーミスタ部の熱感知精度を向上させることができる。

本発明の一実施例による水晶素子パッケージの分解図を概略的に示すものである。 本発明の他の実施例による水晶素子パッケージの断面図を概略的に示すものである。 図２のＡ部の平面図を概略的に示すものである。 本発明の一実施例による水晶素子パッケージにおいて図２のＡ部の断面図を概略的に示すものである。 本発明の一実施例による水晶素子パッケージにおいて図２のＡ部の平面図を概略的に示すものである。 本発明の一実施例による水晶素子パッケージの製造方法を概略的に示すものである。 本発明の一実施例による水晶素子パッケージの製造方法を概略的に示すものである。 本発明の一実施例による水晶素子パッケージの製造方法を概略的に示すものである。 本発明の一実施例による水晶素子パッケージの製造方法を概略的に示すものである。 本発明の一実施例による水晶素子パッケージの製造方法を概略的に示すものである。

以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施例について説明する。しかし、本発明の実施例は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施例に限定されない。また、本発明の実施例は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。

以下、本発明による水晶素子パッケージについて説明する。

図１は本発明の一実施例による水晶素子パッケージの分解図を概略的に示すもので、図２は本発明の一実施例による水晶素子パッケージの断面図を概略的に示すものである。

図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による水晶素子パッケージは、一面及び他面を有する基板１０と、上記基板１０の一面から間隔をおいて配置された水晶振動子２０、２２と、上記基板１０の一面上に配置されるサーミスタ部５０と、を含み、上記サーミスタ部５０は、第１金属層５４、上記第１金属層５４上に形成されたサーミスタ特性層５２、及び上記サーミスタ特性層５２の一部を覆うように形成された第２金属層５６を含む。

上記基板１０はアルミナを含む絶縁セラミック材質であることができる。

上記基板１０は、上下方向（厚さ方向）に互いに対向する一面及び他面を有することができ、上記基板の一面上には回路パターンが形成されることができる。

上記基板１０は、単層の平らな（ｆｌａｔ）セラミックグリーンシートの焼結体であってよく、キャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を含まなくてもよい。

上記水晶振動子２０、２２は基板の一面から間隔をおいて配置される。

上記水晶振動子２０、２２は、水晶振動子の下面の先端が第１及び第２電極パッド３０と電気的に連結されることができるように導電性接着剤４０によって接合されることができる。即ち、上記水晶振動子２０、２２は、電極パッド３０及び導電性接着剤４０の高さだけ上記基板１０の一面から間隔をおいて配置されることができる。

上記水晶振動子２０、２２は、水晶片を含む水晶体２０と、上記水晶体の両面に形成された第１電極及び第２電極２２ａ、２２ｂと、を含むことができる。

上記水晶体２０は、発振周波数などによって所定の厚さで研磨された圧電基板で、水晶ウェハをフォトリソグラフィー技術などで切断加工して製造することができる。

上記水晶体２０は、長方形状に形成されることができ、中心に配置される振動部２０ａと、振動部２０ａの縁部に配置される周辺部２０ｂと、を含むことができる。

上記周辺部２０ｂは、上記振動部２０ａより厚さが薄く形成されることができる。この場合、水晶体２０は、メサ（ｍｅｓａ）状に形成されることができるが、これに限定されるものではない。

上記水晶体２０は、電気的信号によって圧電効果を発生させ、ＳｉＯ_２で構成された水晶片を用いることができるが、これに制限されるものではない。

上記第１電極及び第２電極２２ａ、２２ｂは、水晶体２０の両面に形成され、第１電極２２ａは第１電極パッド３０ａと電気的に連結されるように形成され、第２電極２２ｂは第２電極パッド３０ｂと電気的に連結されるように形成されることができる。

上記第１電極及び第２電極２２ａ、２２ｂは、水晶体２０に電気信号を加えて水晶体を振動させることができる。

上記第１及び第２電極２２ａ、２２ｂは、導電性金属物質からなることができ、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）及びモリブデン（Ｍｏ）で構成された群より選択された少なくとも一つの金属物質を用いて形成されることができるが、これに制限されるものではない。

上記導電性接着剤４０は、導電性フィラー及び樹脂を含むことができる。

上記導電性フィラーは、銀（Ａｇ）フィラー及び銀（Ａｇ）をめっきした銅（Ｃｕ）フィラーのうち選択された一つであってよく、上記樹脂は、エポキシ系樹脂及びシリコーン系樹脂のうち選択された一つであってよいが、これに制限されるものではない。

従来の複合型水晶素子パッケージは、水晶振動子とともに積層型サーミスタを含む。上記積層型サーミスタは、体積が大きいため、水晶素子パッケージ内に実装することが困難である。したがって、基板内にキャビティを形成し、キャビティ内に積層型サーミスタを実装して複合型水晶素子パッケージを実現した。

しかし、基板内に上記サーミスタを実装するためのキャビティを形成すべく、基板の厚さを増加させるために複数のセラミックグリーンシートが積層された焼結体を用いるが、これは原価競争力を減少させる可能性がある。

また、パッケージ内にサーミスタが実装されないと、回路パターンが形成された基板の一面とサーミスタとの間隔が大きくなるため、サーミスタの熱感知精度が減少する可能性があり、その結果、サーミスタの効果が十分ではなくなるおそれがある。

図３は図２のＡ部の平面図を概略的に示すものである。

図３を参照すると、本発明の一実施例による水晶素子パッケージは、基板の一面上に配置されるサーミスタ部５０を含む。即ち、上記サーミスタ部５０は、パッケージの内部に形成されることができる。これにより、上記サーミスタ部５０は、回路パターンが形成された基板の一面で発生する熱を直接的に感知することができるため、高い熱感知精度を確保することができる。

上記サーミスタ部５０をパッケージの内部に形成すると、複数の基板を積層する必要がないため、従来の水晶素子パッケージに対してパッケージの厚さを２０〜３０％減少させることができる。

上記サーミスタ部５０は印刷方法で形成されることができる。

上記サーミスタ部５０は、水晶体２０の振動時に水晶体と接触しない厚さで形成されることができる。

上記サーミスタ部５０は、第１金属層５４、上記第１金属層５４上に形成されたサーミスタ特性層５２、及び上記サーミスタ特性層５２の一部を覆うように形成された第２金属層５６を含む。

上記サーミスタ特性層５２は、上記第１金属層５４を一部覆うように形成されることができる。

上記サーミスタ特性層５２は、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）及び鉄（Ｆｅ）のうち少なくとも一つを含むことができる。

上記サーミスタ特性層５２は、負の温度係数を有するＮＴＣ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）サーミスタであることができる。

上記第１及び第２金属層５４、５６は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）及びモリブデン（Ｍｏ）で構成された群より選択された少なくとも一つ、または二つ以上の金属の合金物質を用いて形成されることができるが、これに制限されるものではない。

上記第１及び第２金属層５４、５６は、上記基板１０の一面から他面まで延長されて形成される配線層に接続されることができる。上記基板の他面に形成された上記配線層は、キャップの密封後に外部から電気信号の入力を受ける役割、即ち、外部と内部との入出力が可能になるようにすることができる。

上記第２金属層５６は、電極層５６ａ及び接触層５６ｂを含む。上記電極層５６ａは、上記基板１０の一面から他面まで延長されて形成されて電極の役割をし、上記接触層５６ｂは、上記サーミスタ特性層５２と接触して上記電極層５６ａから受けた外部の電気的信号を伝達する役割をする。

上記第１金属層５４及び上記電極層５６ａは、上記サーミスタ特性層５２より幅が大きくてよく、上記サーミスタ特性層５２は、上記接触層５６ｂより幅が大きくてよい。上記の構造は、上記第１及び第２金属層５４、５６が接触してショートが発生するという問題を防止することができる。

図４及び図５は本発明の他の実施例による水晶素子パッケージにおいて図２のＡ部の断面図及び平面図をそれぞれ概略的に示すものである。

図４及び図５を参照すると、上記第２金属層の接触層５６ｂは表面に溝５７が形成されることができる。

上記溝５７は上記サーミスタ特性層５２上に形成された上記第２金属層に形成されることができる。

上記溝５７が上記第２金属層の表面に形成されると、サーミスタの精度を±１％以内に高めることができる。

上記溝５７は、レーザー（ｌａｓｅｒ）加工によって形成されることができる。

上記溝５７は、特定の形状を有するものではなく、サーミスタ部の抵抗値を調節するために形成されることができる。

例えば、サーミスタ部が２５℃の温度で９９〜１０１ＫΩの抵抗値を実現することができるように、上記第２金属層の一部を削って上記サーミスタ部の抵抗値の範囲を調節することができる。

上記サーミスタ部５０は、上記第１及び第２金属層５４、５６と上記サーミスタ特性層５２とを密封するように形成された封止部５８を含むことができる。

上記封止部５８は、絶縁性樹脂であることができ、これに制限されるものではないが、エポキシ系樹脂またはシリコーン系樹脂であってよい。

上記封止部５８は、上記第１及び第２金属層並びにサーミスタ特性層を外部環境に露出しないように保護する役割をすることができる。

本発明の水晶素子パッケージは、上記水晶振動子及びサーミスタ部を覆うように上記基板の一面上にキャップ（ｃａｐ）６０を配置することができる。

上記キャップ６０は、金属、セラミック及びガラス材料のうち少なくとも一つを含むことができる。

上記キャップ６０は、導電性金属材質であってよく、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）及びモリブデン（Ｍｏ）で構成された群より選択された少なくとも一つ、または二つ以上の金属の合金物質を用いて形成されることができるが、これに制限されるものではない。

上記キャップ６０を配置することにより、水晶振動子２０、２２及びサーミスタ部５０が外部からパッケージングされることができ、上記キャップ６０が覆われた内部空間は真空状態であることができる。

上記キャップと基板との間に隙が形成された場合、内部空間の真空が維持できなくなる。このような隙が生じる原因としては、水晶振動子と基板との間の接着がきちんと行われなくてキャップと基板との間に隙が形成される場合が挙げられる。上記内部空間の真空が維持されない場合、水晶振動子の周波数偏差が増えるようになり、その結果、ＥＳＲ（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉａｌ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、等価直列抵抗）が増加する可能性がある。

上記基板１０と上記キャップ６０との間に接着層６４を配置して上記キャップと上記基板の一面とを接合することができる。

上記接着層６４は多層で積層された形態であることができる。

上記接着層６４は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）及びモリブデン（Ｍｏ）で構成された群より選択された少なくとも一つで形成された金属層が積層されたものであることができ、これに限定されるものではないが、金（Ａｇ）−スズ（Ｓｎ）金属合金層であってよい。

上記基板１０と上記接着層６４との間にガラス層（ｇｌａｓｓ ｌａｙｅｒ）６２が配置されることができる。

上記ガラス層６２は、上記接着層６４と上記基板１０との接着力を確保するために配置されることができる。

上記接着層６４及び上記ガラス層６２を配置することにより、上記基板とキャップとの接着力が向上することができ、これにより、基板とキャップとの間の内部空間の真空が維持されることができる。

以下、本発明による水晶素子パッケージの製造方法について説明する。

本発明の一実施例による水晶素子パッケージの製造方法は、一面及び他面を有する基板１０を設ける段階と、基板１０の一面上にサーミスタ部５０を形成する段階と、基板の一面から間隔をおいて水晶振動子２０、２２を配置する段階と、を含み、サーミスタ部５０は、第１金属層５４、第１金属層５４上に形成されたサーミスタ特性層５２、及びサーミスタ特性層５２の一部を覆うように形成された第２金属層５６を含む。

上記基板１０は、単層であることができ、アルミナが主成分であるセラミックグリーンシート焼結体であることができる。

図６ａから図６ｅは本発明の一実施例による水晶素子パッケージの製造方法を概略的に示すものである。

図６ａを参照すると、上記基板１０の一面上にサーミスタ部５０を形成する。

上記サーミスタ特性層５２は、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）及び鉄（Ｆｅ）などの酸化物を混合した サーミスタ形成用ペーストを印刷して形成されることができる。

上記第１及び第２金属層５４、５６は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）及びモリブデン（Ｍｏ）で構成された群より選択された少なくとも一つまたは二つ以上を含む導電性ペーストを上記基板の一面に印刷して形成されることができる。

上記第２金属層５６は、電極層５６ａ及び接触層５６ｂに分けられることができ、上記電極層５６ａは、上記第１金属層５４の形成時にともに形成されることができる。

上記第１金属層５４及び第２金属層の電極層５６ａの導電性ペーストを印刷した後、上記サーミスタ特性層５２を形成することができる。その後、上記サーミスタ特性層５２の一部を覆うように上記第２金属層の接触層５６ｂが形成されることができる。

上記サーミスタ形成用ペースト及び導電性ペーストを印刷した後、同時焼成によって第１及び第２金属層並びにサーミスタ特性層が形成されることができる。

上記サーミスタ部は、印刷方法で形成されるもので、従来の積層型サーミスタに比べて体積を小さく形成することができるため、パッケージ内に形成することができる。また、上記サーミスタ部は、回路パターンが形成された基板の一面に形成されるもので、基板で発生する熱を直接的に感知することができるため熱感知精度が向上することができる。

次に、上記第１及び第２金属層５４、５６並びにサーミスタ特性層５２を外部環境から保護するために、上記第１及び第２金属層を密封するように封止部５８を形成することができる。

上記封止部５８は、エポキシ系樹脂またはシリコーン系樹脂であることができるが、これに限定されるものではない。

図６ｂ及び図６ｃを参照すると、基板１０の一面から間隔をおいて水晶振動子２０、２２を配置する。

上記基板１０の一面と上記水晶振動子との間隔は５μｍ以上とする。これは、外部から水晶振動子に電気信号を与えるとき、上記水晶振動子の振動によって水晶振動子と基板とが接触することを防止するためである。

図６ｂを参照すると、上記基板１０の一面上に第１及び第２電極パッド３０を形成することができる。

上記第１及び第２電極パッド３０は、上記基板の一面から他面まで延長されて形成された電極に連結されることができる。上記基板の他面に形成された電極は、水晶振動子が外部から電気信号の入力を受けるように電極パッドに伝達する役割をすることができる。

上記第１及び第２電極パッド上に導電性接着剤４０が形成されることができる。

上記導電性接着剤４０は、水晶振動子の第１及び第２電極２２ａ、２２ｂと第１及び第２電極パッド３０ａ、３０ｂとがそれぞれ電気的に連結されることができるようにする。

上記導電性接着剤４０は、導電性フィラー及び樹脂を含む導電性樹脂組成物で形成されることができる。

図６ｃを参照すると、上記導電性接着剤４０によって上記基板の一面上に上記水晶振動子２０、２２を配置する。

上記水晶振動子２０、２２は、水晶体２０と、上記水晶体２０の両面に形成された第１電極及び第２電極２２ａ、２２ｂと、を含むことができ、上記第１及び第２電極２２は、それぞれ第１及び第２電極パッド３０に電気的に連結されることができる。

上記水晶振動子２０、２２は、上記水晶体の振動時に上記サーミスタ部５０と接触しない位置に配置されることができる。

図６ｄ及び図６ｅを参照すると、上記基板の縁にガラス層を形成することができる。

上記ガラス層は第１及び第２ガラス層６１、６２に分けられて形成されることができる。

まず、第１ガラス層６１を形成することができ、上記第１ガラス層６１は、上記基板の一面において上記第１及び第２金属層５４、５６並びに上記第１及び第２電極パッド３０の電極が形成された縁領域を除いた基板の残りの縁領域に形成されることができる。

上記第１ガラス層６１は、上記第１及び第２金属層、並びに上記第１及び第２電極パッドの電極の厚さと同一の厚さで形成されることができる。

上記第１ガラス層６１は、後の接着層の形成時に生じる上記基板の一面に形成された電極による段差を減らすために形成されることができる。

続いて、上記基板の縁及び上記第１ガラス層６１上に第２ガラス層６２を形成することができる。

上記第１及び第２ガラス層６１、６２は、同一の物質であることができ、ガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）ペーストを印刷して形成されることができる。

上記ガラス層６１、６２上に接着層（図示せず）を形成して、上記水晶振動子及びサーミスタ部を覆うようにキャップを配置することができる。

上記キャップは、金属、セラミック及びガラス材料のうち少なくとも一つの材料で形成された焼結体であることができる。

上記キャップと上記基板の一面は、上記ガラス層及び接着層によって接合されることができる。これにより、上記キャップと基板との間の接合力が向上することができ、内部空間の真空が維持されることができる。

上記接着層は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）及びモリブデン（Ｍｏ）で構成された群より選択された少なくとも一つを含む導電性ペーストを印刷して形成されることができる。

以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。

１０ 基板
２０ 水晶体
２２ 第１及び第２電極
３０ 電極パッド
４０ 導電性接着剤
５０ サーミスタ部
５２ サーミスタ特性層
５４ 第１金属層
５６ 第２金属層
５７ 溝
５８ 封止部
６０ キャップ
６２ ガラス層
６４ 接着層

Claims (16)

1. 一面及び他面を有する基板と、
   前記基板の一面から間隔をおいて配置された水晶振動子と、
   前記基板の一面上に配置されるサーミスタ部と、
   前記基板の一面上に配置され、前記水晶振動子及び前記サーミスタ部を覆うように配置されたキャップと、を含み、
   前記サーミスタ部は、前記基板の一面に形成された第１金属層の一部、前記第１金属層の前記一部の側面と上面をカバーするサーミスタ特性層、及び第２金属層を含み、
   前記第２金属層は、前記基板の一面に形成された電極層の一部及び前記電極層の前記一部の側面と上面、並びに前記サーミスタ特性層の側面と上面をカバーする接触層を含み、
   前記第１金属層及び前記電極層の少なくとも一方は、前記キャップと前記基板との間を通じて前記基板の一面から他面まで延長して形成された配線部を含む、
   水晶素子パッケージ。
2. 前記サーミスタ部は、少なくとも前記第１金属層の前記一部、前記第２金属層に含まれる前記電極層の前記一部及び前記接触層、並びに前記サーミスタ特性層を密封するように形成された封止部を含む、請求項１に記載の水晶素子パッケージ。
3. 前記第２金属層は表面に溝が形成される、請求項１または２に記載の水晶素子パッケージ。
4. 前記基板と前記キャップとの間に配置された接着層をさらに含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の水晶素子パッケージ。
5. 前記サーミスタ特性層は、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）及び鉄（Ｆｅ）のうち少なくとも一つを含む、請求項４に記載の水晶素子パッケージ。
6. 前記接着層は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）及びモリブデン（Ｍｏ）で構成された群より選択された少なくとも一つで形成された金属層である、請求項４または５に記載の水晶素子パッケージ。
7. 前記基板の一面と前記接着層との間に配置されたガラス層を含み、前記ガラス層は、前記基板の一面において、前記第１金属層及び前記第２金属層が形成された縁領域を除いた前記基板の残りの縁領域に形成された第１ガラス層と、前記第１金属層、前記第２金属層、及び前記第１ガラス層上に形成された第２ガラス層と、を含む、請求項４から６のいずれか１項に記載の水晶素子パッケージ。
8. 前記第１金属層及び前記電極層は、前記サーミスタ特性層より幅が大きく、前記サーミスタ特性層は、前記接触層より幅が大きい、請求項１から７のいずれか１項に記載の水晶素子パッケージ。
9. 一面及び他面を有する基板を設ける段階と、
   前記基板の一面上にサーミスタ部を形成する段階と、
   前記基板の一面から間隔をおいて水晶振動子を配置する段階と、
   前記水晶振動子及び前記サーミスタ部を覆うようにキャップを配置する段階と、を含み、
   前記サーミスタ部は、第１金属層の一部、サーミスタ特性層、及び第２金属層を含み、前記第２金属層は電極層の一部及び接触層を含み、
   前記サーミスタ部を形成する段階は、前記基板の一面に前記第１金属層及び前記電極層を形成する段階と、前記第１金属層の前記一部の側面と上面をカバーするように前記サーミスタ特性層を形成する段階と、前記電極層の前記一部の側面と上面、及び前記サーミスタ特性層の側面と上面をカバーするように前記接触層を形成する段階を含み、
   前記第１金属層及び前記電極層の少なくとも一方は、前記キャップと前記基板との間を通じて前記基板の一面から他面まで延長して形成された配線部を含む、
   水晶素子パッケージの製造方法。
10. 前記水晶振動子を配置する段階の前に、少なくとも前記第１金属層の前記一部、前記第２金属層に含まれる前記電極層の前記一部及び前記接触層、並びに前記サーミスタ特性層を密封するように封止部を形成する段階を含む、請求項９に記載の水晶素子パッケージの製造方法。
11. 前記第２金属層は表面に溝が形成される、請求項９または１０に記載の水晶素子パッケージの製造方法。
12. 前記水晶振動子を配置する段階の後に、
    前記基板の一面の縁に接着層を形成する段階をさらに含み、
    前記キャップを配置する段階は、前記接着層の上部にキャップを配置する段階を含む、請求項９から１１いずれか１項に記載の水晶素子パッケージの製造方法。
13. 前記接着層を形成する段階の前に、前記基板の一面の縁にガラス層を形成する段階を含み、前記ガラス層は、前記基板の一面において、前記第１金属層及び前記第２金属層が形成された縁領域を除いた前記基板の残りの縁領域に形成された第１ガラス層と、前記第１金属層、前記第２金属層、及び前記第１ガラス層上に形成された第２ガラス層と、を含む、請求項１２に記載の水晶素子パッケージの製造方法。
14. 前記接着層は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）及びモリブデン（Ｍｏ）で構成された群より選択された少なくとも一つを含む導電性ペーストで形成される、請求項１２または１３に記載の水晶素子パッケージの製造方法。
15. 前記サーミスタ特性層は、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）及び鉄（Ｆｅ）の酸化物のうち少なくとも一つを含むペーストで形成される、請求項１２から１４のいずれか１項に記載の水晶素子パッケージの製造方法。
16. 前記第１金属層及び前記電極層は、前記サーミスタ特性層より幅が大きく、前記サーミスタ特性層は、前記接触層より幅が大きい、請求項９から１５のいずれか１項に記載の水晶素子パッケージの製造方法。

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