JP6788344B2 - 電子部品及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置などの電子部品及び電子部品の製造方法に関する。

ベアチップを樹脂によって封止した電子部品が知られている。また、このような電子部品として、封止をウェハの状態で行うことによって、パッケージのサイズをベアチップのサイズに近づけたウェハレベルパッケージ式のものが知られている。

例えば、特許文献１では、まず、支持基板上に複数のベアチップを配置し、その上に未硬化状態の樹脂を供給し、当該樹脂を硬化させる。これにより、複数のベアチップは互いに固定され、複数のベアチップを含む母基板（ウェハ）が形成される。また、各ベアチップは、支持基板に密着している面以外の５面が樹脂で覆われて封止されることになる。次に、母基板は、支持基板から分離され、その分離された面に配線層が形成される。その後、母基板は、ダイシングされて個片化される。これにより、ウェハレベルパッケージ式の電子部品が作製される。

なお、ウェハレベルパッケージ式の電子部品に係るものではないが、本願出願人は、無機絶縁材料からなる複数の無機絶縁粒子（フィラー）を含む樹脂からなる樹脂層と、複数の無機絶縁粒子が３次元マトリックス状に互いに固定された無機層とを積層した回路基板を提案し、開示している（例えば特許文献２）。

特開２０１２−１９９３４２号公報 特開２０１３−０３０７００号公報

特許文献１のパーケージでは、種々の不都合が生じる。例えば、封止樹脂の収縮によってベアチップに熱応力が付与され、電気特性が低下するおそれがある。また、例えば、封止樹脂にクラックが発生し、水分などが侵入するおそれがある。また、例えば、製造工程に着目すると、封止樹脂の収縮によって母基板が反るおそれがある。この場合、例えば、母基板を平面上に配置したり、他の基板と貼り合わせたりするときに母基板が割れるおそれがある。また、フォトリソグラフィー等によって母基板に配線を形成するときにその形成の精度が低下するおそれがある。

そこで、ベアチップを好適に封止できる電子部品及び電子部品の製造方法が提供されることが望まれる。

本発明の一態様に係る電子部品は、ベアチップと、前記ベアチップを封止しており、樹脂と複数の無機絶縁粒子とが混在している材料からなるパッケージと、を有しており、前記パッケージは、前記ベアチップの側方に位置している側方部分と、前記ベアチップの前記一方の主面側に位置しており、前記側方部分よりも前記複数の無機絶縁粒子の含有率が高い高含有率部を有している。

好適には、前記パッケージは、前記側方部分を含み、前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％未満の第１樹脂層と、前記ベアチップ及び前記第１樹脂層に対して前記一方の主面が面する側に位置しており、前記複数の無機絶縁粒子として粒径が１μｍ未満の複数のナノ粒子を含んでおり、かつ前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％以上の第１無機層と、を有しており、前記第１無機層は、前記高含有率部の少なくとも一部を構成している。

好適には、前記樹脂は、前記第１樹脂層及び前記第１無機層に亘って同一材料によって一体的に成形されている。

好適には、前記第１樹脂層は、前記ベアチップの前記一方の主面と前記第１無機層との間に位置している直上部分を更に含み、前記樹脂は、前記側方部分及び前記直上部分に亘って同一材料によって一体的に成形されており、前記直上部分は、前記側方部分よりも前記複数の無機絶縁粒子の含有率が高く、前記直上部分及び前記第１無機層は、前記高含有率部の少なくとも一部を構成している。

好適には、前記側方部分における前記複数の無機絶縁粒子の含有率が２５体積％以上５５体積％以下であり、前記直上部分における前記複数の無機絶縁粒子の含有率が５０体積％以上７０体積％未満であり（ただし、前記側方部分における含有率が５０体積％以上の場合は、その含有率よりも高い）、前記第１無機層における前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％以上８０体積％以下である。

好適には、前記第１無機層は、前記第１樹脂層を介在させずに前記ベアチップの前記一方の主面に重なっている。

好適には、前記ベアチップ及び前記側方部分に対して前記ベアチップの他方の主面が面する側から重なっている絶縁層を更に有しており、前記絶縁層は、前記ベアチップ側から前記他方の主面が面する側へ順に、前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％未満の第２樹脂層と、前記複数の無機絶縁粒子として粒径が１μｍ未満の複数のナノ粒子を含んでおり、かつ前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％以上の第２無機層と、前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％未満の第３樹脂層と、を有している。

好適には、前記ベアチップは、前記他方の主面にパッドを有しており、前記絶縁層に設けられており、前記パッドに接続されるとともに前記絶縁層から前記ベアチップとは反対側に露出している接続導体と、前記接続導体の前記絶縁層から露出している部分に配置されている導電性のバンプと、を更に有している。

本発明の一態様に係る電子部品の製造方法は、ベアチップと、前記ベアチップを封止しており、樹脂と複数の無機絶縁粒子とが混在している材料からなるパッケージとを有している電子部品の製造方法であって、支持体上に複数の前記ベアチップを配置するステップと、前記複数のベアチップが配置された支持体上に、未硬化状態の前記樹脂を含む封止材を供給するステップと、前記複数の無機絶縁粒子の含有率が前記封止材よりも高い第１無機層によって、前記支持体上の、未硬化状態の前記封止材を前記支持体側へ押圧するステップと、前記第１無機層で押圧された前記封止材上に前記第１無機層を配置したまま、前記封止材を硬化させることにより、前記第１無機層下で硬化した前記封止材からなる第１樹脂層と前記第１無機層とを含む前記パッケージの少なくとも一部を形成するステップと、を有している。

好適には、前記押圧するステップの前において、前記第１無機層は、気体が存在する、又は真空の空隙を前記複数の無機絶縁粒子間に有しており、前記押圧ステップでは、前記封止材の樹脂が前記空隙に流れ込む。

好適には、前記ベアチップ及び前記第１樹脂層から前記支持体を除去するステップと、前記ベアチップ及び前記第１樹脂層の前記支持体が除去された面に、前記パッケージの他の一部を構成する絶縁層を設けるステップと、を更に有しており、前記絶縁層を設けるステップでは、前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％未満の第２樹脂層と、前記複数の無機絶縁粒子として粒径が１μｍ未満の複数のナノ粒子を含んでおり、かつ前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％以上の第２無機層と、前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％未満の第３樹脂層と、が順に積層されて構成されている前記絶縁層を前記除去された面に密着させる。

上記の構成又は手順によれば、ベアチップを好適に封止できる。

本発明の第１実施形態に係る電子部品の構成を示す断面図。 図１の電子部品の封止部及び絶縁層の材料を説明するための模式的な断面図。 図３（ａ）は無機層の一部を示す断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の領域IIIｂの拡大図。 図４（ａ）〜図４（ｃ）は図１の電子部品の製造方法の手順を説明するための模式的な断面図。 図５（ａ）〜図５（ｄ）は図４（ｃ）の続きを示す模式的な断面図。 図６（ａ）〜図６（ｄ）は図５（ｄ）の続きを示す模式的な断面図。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は封止材を無機層前駆体によって押圧するとき封止材及び無機層前駆体の模式的な拡大断面図である。 本発明の第２実施形態に係る電子部品の構成を示す断面図。 本発明の第３実施形態に係る電子部品の構成を示す断面図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、図面には、便宜上、直交座標系ｘｙｚを付すことがある。実施形態に係る電子部品は、いずれの方向が上方又は下方とされてもよいが、以下では、便宜的にｚ軸方向の正側を上方として、上面又は下面等の用語を用いることがある。

第２実施形態以降において、既に説明した構成と同一又は類似する構成については、既に説明した構成と同一の符号を付すことがあり、また、説明を省略することがある。既に説明した構成と対応する（類似する）構成に、既に説明した構成に付した符号とは異なる符号が付されている場合であっても、特に言及のない事項は、既に説明した構成と同様である。

＜第１の実施形態＞
（電子部品の全体構成）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品１の構成を示す断面図である。

電子部品１は、例えば、比較的小型のものであり、ｚ方向負側の面を不図示の回路基板に対向させて当該回路基板に実装される。その外形は、例えば、概略、ｚ方向を厚さ方向とする薄型直方体状である。外形の寸法は、適宜に設定されてよいが、一例を挙げると、長さ（ｘ方向）又は幅（ｙ方向）は、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であり、厚さ（ｚ方向）は０．０５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。

電子部品１は、例えば、ベアチップ３と、ベアチップ３をパッケージングしているパッケージ５とを有している。ベアチップ３は、電子部品１の電気的機能の中心を担い、パッケージ５は、例えば、ベアチップ３の保護及び電子部品１の回路基板等への実装に寄与する。

ベアチップ３は、例えば、基板のおもて面（ｚ方向負側の面）上に導体層、絶縁層及び／又は半導体層などが形成されて構成されており、基本的に、基板の側面及び裏面（ｚ方向正側の面）並びに基板のおもて面上の層は、（パッケージ５以外の）封止材によっては覆われていない。ベアチップ３は、受動素子を構成していてもよいし、能動素子を構成していてもよい。ベアチップ３は、例えば、半導体素子であり、シリコン基板などの半導体基板に電極等が形成されて構成されている。半導体素子としてのベアチップ３は、例えば、ＩＣチップ、トランジスタ又はダイオードである。

ベアチップ３の外形は、例えば、概略、ｚ方向を厚さ方向とする薄型直方体状である。すなわち、ベアチップ３は、互いに対向する第１主面３ａ及び第２主面３ｂ、並びにこの２つの主面をその周囲でつなぐ４つの側面３ｃを有している。第２主面３ｂは、導体層、絶縁層及び／又は半導体層などが形成されている面である。第１主面３ａは、例えば、ベアチップ３の基板の裏面である。

ベアチップ３は、第２主面３ｂに電気信号（電源電圧含む）の入力又は出力に供される複数のパッド３ｐを有している。パッド３ｐの形状、寸法、数及び配置は適宜に設定されてよい。

パッケージ５は、例えば、ベアチップ３の第１主面３ａ及び４つの側面３ｃを覆う封止部７と、ベアチップ３の第２主面３ｂを覆う配線部９とを有している。別の観点では、パッケージ５は、ベアチップ３の外面全体を覆っている。

封止部７は、例えば、ベアチップ３の第１主面３ａ及び４つの側面３ｃを覆う絶縁性の第１樹脂層１１と、第１樹脂層１１に対してベアチップ３とは反対側（ｚ方向正側）に重なる絶縁性の第１無機層１３とを有している。

第１樹脂層１１は、例えば、薄型直方体の下面（ｚ方向負側）にベアチップ３に相当する凹部が形成された形状であり、ベアチップ３の直上に位置する直上部分１１ａと、ベアチップ３の側方に位置する４つの側方部分１１ｂとを含んでいる。直上部分１１ａの厚みは例えば概ね一定であり、側方部分１１ｂの厚み（壁の厚み）は例えば概ね一定である。第１無機層１３は、例えば、第１樹脂層１１の直上部分１１ａ及び側方部分１１ｂの全体に亘って概ね一定の厚みで広がる層状である。

直上部分１１ａ、側方部分１１ｂ及び第１無機層１３の厚さは、パッケージ５に要求される機能等に応じて適宜に設定されてよい。一例を挙げると、直上部分１１ａ又は第１無機層１３の厚さは、３μｍ以上２００μｍ以下であり、直上部分１１ａ及び第１無機層１３の合計の厚さは、６μｍ以上４００μｍ以下である。また、これらの厚さの相対的な関係も適宜に設定されてよい。例えば、第１無機層１３は、直上部分１１ａに比較して、薄くてもよいし、同等の厚さでもよいし、厚くてもよい。

なお、後述するように、本実施形態の製造方法においては、直上部分１１ａを好適に形成する観点から、第１無機層１３の厚さ：直上部分１１ａの厚さは、５０：５０〜８０：２０であることが好ましい。

配線部９は、ベアチップ３の第２主面３ｂを覆う絶縁層１５と、絶縁層１５の内部等に設けられた複数の接続導体１７と、絶縁層１５の下面（ｚ方向負側の面）に設けられた複数の導電性のバンプ１９とを有している。絶縁層１５は、例えば、第２主面３ｂの封止に寄与し、バンプ１９は、例えば、電子部品１の実装に寄与し、接続導体１７は、ベアチップ３のパッド３ｐとバンプ１９との接続に寄与する。

絶縁層１５は、例えば、絶縁性を有する複数の層が積層されて構成されている。具体的には、例えば、絶縁層１５は、ベアチップ３側から順に、第２樹脂層２１、第２無機層２３及び第３樹脂層２５を有している。各層は、例えば、概ね一定の厚さである。

第２樹脂層２１、第２無機層２３及び第３樹脂層２５の厚さは、パッケージ５に要求される機能等に応じて適宜に設定されてよい。一例を挙げると、各層の厚さは、３μｍ以上２００μｍ以下であり、３層の合計の厚さは、９μｍ以上６００μｍ以下である。また、これらの厚さの相対的な関係も適宜に設定されてよい。例えば、第２無機層２３は、第２樹脂層２１に比較して、薄くてもよいし、同等の厚さでもよいし、厚くてもよい。なお、第３樹脂層２５は、製造上の理由から、第２樹脂層２１及び第２無機層２３よりも薄いことが好ましい。

接続導体１７は、例えば、ベアチップ３のパッド３ｐの直下において絶縁層１５をその厚さ方向に貫通する孔部に充填された貫通導体からなる。接続導体１７の横断面の形状及び縦断面の形状並びにその寸法は適宜に設定されてよい。接続導体１７のバンプ１９側の面は、絶縁層１５の下面に対して、面一であってもよいし（図示の例）、内側（ｚ方向正側）に位置していてもよいし、外側に位置していてもよい。接続導体１７の材料は、例えば、Ｃｕなどの適宜な金属材料とされてよい。また、接続導体１７は、バンプ１９側の面にＡｕなどの貴金属の層が設けられることなどによって、２種以上の材料から構成されてもよい。

バンプ１９は、例えば、接続導体１７の、絶縁層１５から露出する面上において、概ね半球状に形成されている。バンプ１９の大きさ、数及び配置は、電子部品１の機能等に照らして適宜に設定されてよい。バンプ１９は、例えば、半田からなる。半田は、鉛フリー半田であってもよい。

（パッケージの材料）
図２は、封止部７及び絶縁層１５の材料を説明するための模式的な断面図である。なお、図２は、あくまで封止部７及び絶縁層１５の材料を概念的に説明するための模式図であって、後述する粒子の径及び分布（含有率）は、実際のものとは一致しない。また、図示の都合上、一部の部材について、断面を示すハッチング（斜線）は省略されている。

（複数の層の材料の概要）
封止部７及び絶縁層１５を構成するいずれの層（１１、１３、２１、２３及び２５）も、樹脂２９と、絶縁性の無機材料からなる無機絶縁粒子（３１Ａ、又は、３１Ａ及び３１Ｂ）とが混在した材料によって構成されている。ただし、これらの層は、例えば、無機絶縁粒子の径及び含有率が互いに異なっている。

具体的には、例えば、第１樹脂層１１、第２樹脂層２１及び第３樹脂層２５においては、比較的径が大きい大径粒子３１Ａのみが配置されているのに対して、第１無機層１３及び第２無機層２３においては、大径粒子３１Ａに加えて、比較的径が小さい小径粒子３１Ｂも配置されている。なお、以下では、大径粒子３１Ａ及び小径粒子３１Ｂを無機絶縁粒子３１といい、両者を区別しないことがある。

また、封止部７において、第１無機層１３は、第１樹脂層１１よりも無機絶縁粒子３１の含有率が高い。第１樹脂層１１において、直上部分１１ａは、その他の部分（例えば側方部分１１ｂ）よりも無機絶縁粒子３１の含有率が高い。絶縁層１５において、第２無機層２３は、第２樹脂層２１及び第３樹脂層２５よりも無機絶縁粒子３１の含有率が高い。

上記では、封止部７及び絶縁層１５それぞれにおいて、無機層は樹脂層に比較して無機絶縁粒子３１の含有率が高いことを述べたが、封止部７及び絶縁層１５の双方に着目した場合にも、無機層（１３及び２３）は樹脂層（１１、２１及び２５）に比較して無機絶縁粒子３１の含有率が高くてよい。第１無機層１３及び第２無機層２３のうちいずれの層において、無機絶縁粒子３１の含有率が相対的に高くてもよいが、例えば、両層における無機絶縁粒子３１の含有率は概ね同等である。同様に、第１樹脂層１１、第２樹脂層２１及び第３樹脂層２５のうちいずれの層において、無機絶縁粒子３１の含有率が相対的に高くてもよいが、例えば、直上部分１１ａを除いて、これらの層における無機絶縁粒子３１の含有率は概ね同等である。

（樹脂の材料）
樹脂２９は、複数の層（１１、１３、２１、２３及び２５）間において、互いに同一の材料であってもよいし、互いに異なる材料であってもよい。ただし、後述する本実施形態の製造方法によって封止部７が作製される場合、第１樹脂層１１に含まれる樹脂２９と、第１無機層１３に含まれる樹脂２９とは同一の材料からなり、かつ一体的に成形（硬化）されている。また、第１樹脂層１１において、直上部分１１ａとその他の部分（例えば側方部分１１ｂ）とでは、無機絶縁粒子３１の含有率が異なるが、樹脂２９は、両部分間において同一の材料からなり、かつ一体的に成形（硬化）されている。また、後述する本実施形態の製造方法によって絶縁層１５が作製される場合、第２樹脂層２１に含まれる樹脂２９と、第２無機層２３に含まれる樹脂２９とは同一の材料からなり、かつ一体的に成形（硬化）されている。

樹脂２９は、例えば、熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂又はポリイミド樹脂を挙げることができる。樹脂２９の熱膨張係数等の物性値は適宜なものであってよい。例えば、熱膨張係数は２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である。なお、樹脂２９の熱膨張係数は、例えば、ベアチップ３の熱膨張係数よりも大きい。

（無機絶縁粒子の材料及び粒径等）
無機絶縁粒子３１は、複数の層（１１、１３、２１、２３及び２５）間において、互いに同一の材料から構成されていてもよいし、互いに異なる材料から構成されていてもよい。大径粒子３１Ａ及び小径粒子３１Ｂは、互いに同一の材料から構成されていてもよいし、互いに異なる材料から構成されていてもよい。複数の層（１１、１３、２１、２３及び２５）間において、大径粒子３１Ａの粒径の統計値（例えば平均値及び／又は度数分布）は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。同様に、小径粒子３１Ｂの粒径の統計値は、第１無機層１３と第２無機層２３とで同一であってもよいし、異なっていてもよい。

無機絶縁粒子３１は、上記のように無機絶縁材料からなる。無機絶縁材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム又は酸化カルシウムを挙げることができる。なお、低誘電正接及び低熱膨張率等の観点から、シリカ（二酸化ケイ素）を用いることが好ましい。

無機絶縁粒子３１の物性値は適宜なものであってよい。ただし、無機絶縁粒子３１の熱膨張係数は、少なくとも、その無機絶縁粒子３１の周囲の樹脂２９（すなわち同一の層の樹脂２９）の熱膨張係数よりも小さい。例えば、いずれの層の樹脂２９の熱膨張係数も２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であるのに対して、いずれの層の無機絶縁粒子３１の熱膨張係数も０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下である。

第１無機層１３又は第２無機層２３において、無機絶縁粒子３１の粒径の度数分布を測定した場合、大径粒子３１Ａに対応して度数が高くなる粒径の範囲（ヒストグラムにおける山）と、小径粒子３１Ｂに対応して度数が高くなる粒径の範囲とが存在してもよいし（すなわち２つの山が存在してもよいし）、存在しなくてもよい。好ましくは、２つの山が存在する。２つの山のピークの差は、例えば、１００ｎｍ以上である。なお、大径粒子３１Ａ及び小径粒子３１Ｂが互いに異なる材料からなる場合においては、無機絶縁粒子３１の粒径のヒストグラムに１つの山しか現れなくても、両者を区別することができる。

大径粒子３１Ａの粒径は、例えば、０．５μｍ以上５．０μｍ以下（ただし、各層が５．０μｍ以下の場合は、それよりも小さい値以下）の範囲内にある。なお、偏差が比較的大きい場合においては、平均値又は中央値が上記の範囲内にあり、上記の範囲外の大径粒子３１Ａが存在してもよい。また、第１無機層１３又は第２無機層２３においては、２つの度数の山のうち大きい方の山（大径粒子３１Ａ及び小径粒子３１Ｂに対応する山のうち大径粒子３１Ａに対応する山）のピークが上記の範囲内にあってもよい。

小径粒子３１Ｂの粒径は、例えば、３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の範囲内にある。なお、偏差が比較的大きい場合においては、平均値又は中央値が上記の範囲内にあり、上記の範囲外の小径粒子３１Ｂが存在してもよい。また、第１無機層１３又は第２無機層２３においては、２つの度数の山のうち小さい方の山（大径粒子３１Ａ及び小径粒子３１Ｂに対応する山のうち小径粒子３１Ｂに対応する山）のピークが上記の範囲内にあってもよい。

また、別の観点では、小径粒子３１Ｂの粒径は、例えば、大径粒子３１Ａの粒径の１／２００以上１／１０以下の範囲内にある。なお、この観点においては、例えば、大径粒子３１Ａ及び小径粒子３１Ｂの粒径の代表値（平均値又は中央値）を用いて、両粒子の粒径を比較してよい。

なお、無機絶縁粒子３１の粒径は、例えば、以下のように測定される。まず、対象となる層（１１、１３、２１、２３又は２５）の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影する。次に、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定し、該測定された最大粒径をフィラー粒子の粒径とする。大径粒子３１Ａの粒径の測定と小径粒子３１Ｂの粒径の測定とでは、互いに異なる縮尺の断面画像が用いられてよい。

無機絶縁粒子３１の形状は、例えば、概略球形である。ただし、球形に限らず、例えば、鱗片状であってもよい。この場合の粒径も、上記と同様に計測されてよい。

（各層における無機絶縁粒子の含有率）
パッケージ５の複数の層間における無機絶縁粒子３１の含有率の異同は上述したとおりである。その具体的な値は、例えば、以下のとおりである。

封止部７の第１樹脂層１１における無機絶縁粒子３１の含有率は、例えば、７０体積％未満である。より具体的には、例えば、第１樹脂層１１のうち直上部分１１ａ以外の部分（例えば側方部分１１ｂ）における無機絶縁粒子３１の含有率は、例えば、２５体積％以上５５体積％以下である。また、直上部分１１ａにおける無機絶縁粒子３１の含有率は、例えば、５０体積％以上７０体積％未満（ただし、側方部分１１ｂにおける無機絶縁粒子３１の含有率が５０体積％以上の場合はそれよりも大きい含有率）である。

絶縁層１５の第２樹脂層２１又は第３樹脂層２５における無機絶縁粒子３１の含有率は、例えば、第１樹脂層１１と同様に７０体積％未満であり、好ましくは、第１樹脂層１１の側方部分１１ｂと同様に５５体積％以下である。

封止部７の第１無機層１３又は絶縁層１５の第２無機層２３における無機絶縁粒子３１の含有率は、例えば、７０体積％以上であり、より具体的には、例えば、７０体積％以上８０体積％以下である。また、これらの層（１１又は１５）において、無機絶縁粒子３１全体に占める小径粒子３１Ｂの割合は、例えば、２０体積％以上４０体積％以下である。すなわち、大径粒子３１Ａの割合は６０体積％以上８０体積％以下である。

なお、無機絶縁粒子３１の含有率(体積％)は、例えば、以下のように測定される。まず、対象となる層（１１、１３、２１、２３又は２５）の研摩面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡で撮影する。次に、その撮影した画像に基づいて、画像解析装置によって無機絶縁粒子３１の面積比率（面積％）を測定する。この測定を１０箇所の断面にて行い、面積比率の平均値を含有量（体積％）として算出する。なお、このときの縮尺は、粒径が小さい無機絶縁粒子３１の存在の影響が反映されるように、十分に大きい縮尺（例えば１画素が最小の粒径未満となる縮尺）とされる。

（無機層における３次元網目構造）
第１無機層１３又は第２無機層２３は、ナノサイズの小径粒子３１Ｂを含んでいること、及び無機絶縁粒子３１の含有率が比較的高いことに加えて、無機絶縁粒子３１同士が樹脂２９によらずに互いに固定されている点も樹脂層（１１、２１及び２５）と相違している。具体的には、以下のとおりである。

図３（ａ）は、第１無機層１３（第２無機層２３も同様である）の一部を示す断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の領域IIIｂの拡大図である。なお、小径粒子３１Ｂは、大径粒子３１Ａに比較して粒径が小さいことから、図３（ａ）では、個々の小径粒子３１Ｂは図示が省略され、複数の小径粒子３１Ｂの配置領域（後述する３次元網目構造３３）にハッチングが付されている。

図３（ｂ）に示されているように、複数の小径粒子３１Ｂは、３次元的に密に配置されているとともに、固定部３３ａにおいて互いに直接的に固定されている。従って、複数の小径粒子３１Ｂによって一体的な３次元網目構造３３（３次元マトリックス構造、３次元骨組構造）が構成され、また、１つ又は少数の３次元網目構造３３が第１無機層１３の全体に亘って広がっている。

なお、固定部３３ａにおける直接的な固定は、小径粒子３１Ｂ同士が直接的に当接して固定されている状態だけでなく、小径粒子３１Ｂの粒径に比較して極めて薄い適宜な材料（ただし、樹脂２９は除く。例えば後述する溶剤の残存物）が小径粒子３１Ｂ間に介在して小径粒子３１Ｂ同士が固定されている状態も含むものとする。固定部３３ａは、極めて微細なために、その構造を正確に特定することは極めて困難であるが、後述するパッケージ５の製造方法によって、樹脂２９によらずに小径粒子３１Ｂ同士が互いに固定された３次元網目構造３３が現に作製されることが確認されている。

３次元網目構造３３は、小径粒子３１Ｂに囲まれた複数の小径空隙３５Ｂを構成している。なお、断面においては、複数の小径空隙３５Ｂは互いに分離しているが、実際には、３次元的に互いに接続されており、第１無機層１３全体に対して１つ又は比較的少数の３次元網目状の空隙を構成している。断面における小径空隙３５Ｂの径は、例えば、小径粒子３１Ｂの粒径と概ね同一であり、上述した小径粒子３１Ｂの粒径の説明（例えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の範囲など）がそのまま当てはまる。

小径空隙３５Ｂには、基本的に樹脂２９が充填されている。ただし、複数の小径空隙３５Ｂの一部及び／又は各小径空隙３５Ｂの一部に、完全に樹脂２９が充填されずに、気体が存在する、又は真空となっている部分が存在してもよい。

また、図３（ｂ）に示されているように、複数の大径粒子３１Ａそれぞれには、複数の小径粒子３１Ｂが固定部３３ｂにおいて直接的に固定されている。従って、図３（ａ）に示されているように、複数の大径粒子３１Ａは、その間に介在する３次元網目構造３３（複数の小径粒子３１Ｂ）によって互いに固定されている。

なお、ここでいう固定部３３ｂにおける直接的な固定は、固定部３３ａにおける直接的な固定と同様である。例えば、固定部３３ｂにおける直接的な固定は、大径粒子３１Ａと小径粒子３１Ｂとが直接的に当接して固定されている状態だけでなく、小径粒子３１Ｂの粒径に比較して極めて薄い適宜な材料（ただし、樹脂２９は除く）が介在している状態も含み、また、後述するパッケージ５の製造方法によって現に実現されることが確認されている。

図３（ｂ）に示されているように、大径粒子３１Ａとその周囲の複数の小径粒子３１Ｂとの間には複数の空隙が形成されている。この大径粒子３１Ａの周囲の複数の空隙は、断面においては互いに分離しているが、３次元的に互いに直接又は間接につながっており、小径空隙３５Ｂとともに第１無機層１３全体に対して１つ又は比較的少数の３次元網目状の空隙を構成している。大径粒子３１Ａの周囲の複数の空隙は、例えば、小径空隙３５Ｂと概ね同様の大きさであり、また、小径空隙３５Ｂと同様に、基本的に樹脂２９が充填されている。なお、以下では、この空隙も小径空隙３５Ｂとして言及する。

このように、第１無機層１３は、複数の無機絶縁粒子３１（大径粒子３１Ａ及び小径粒子３１Ｂ）が直接的に固定されることによって構成された３次元網目構造の空隙に樹脂２９が充填された構成となっている。

図３（ａ）に示すように、第１無機層１３には、比較的径が大きい１以上の大径空隙３５Ａが形成されていてもよい。大径空隙３５Ａは、その周囲の小径空隙３５Ｂと通じている。断面において互いに分離している複数の大径空隙３５Ａは、３次元的に、かつ小径空隙３５Ｂを介さずに直接的に、互いに通じていてもよい。断面における大径空隙３５Ａの径は、例えば、大径粒子３１Ａの粒径と同等又はそれ以上である。

なお、以下では、大径空隙３５Ａと小径空隙３５Ｂとを区別せずに、単に空隙３５ということがある。

（電子部品１の製造方法）
図４（ａ）〜図６（ｄ）は、電子部品１の製造方法の手順を説明するための模式的な断面図である。製造工程（ステップ）は、図４（ａ）から図６（ｄ）へ順に進む。なお、以下では、製造工程の進行に伴って材料又は部材の状態又は形状が変化しても、便宜上、同一の符号を用いることがある。

図４（ａ）では、第１支持具４１上に第１支持体４３が配置され、さらにその上に複数のベアチップ３が配置される。

第１支持具４１は、例えば、第１支持体４３が配置される平坦な上面を有している。当該上面は、例えば、ガラス基板等の比較的変形が小さい部材によって構成されている。なお、第１支持具４１は、ヒータ等を内蔵していてもよい。

第１支持体４３は、例えば、粘着剤が塗布された樹脂シートから構成され、又は接着材若しくは粘着材が第１支持具４１の上面に塗布されて形成されている。そして、第１支持体４３は、複数のベアチップ３を第１支持具４１の上面に対して固定する。

ベアチップ３は、公知の方法によって製造されてよい。例えば、まず、シリコンウェハに対してドーピング及び薄膜形成等を行い、ウェハ状態の複数のベアチップ３を形成する。その後、そのウェハをダイシングして個片化する。これにより、複数のベアチップ３が作製される。

複数のベアチップ３は、パッド３ｐが形成されている第２主面３ｂを第１支持体４３の上面に対向させて配置される。また、複数のベアチップ３は、例えば、縦横に（複数行×複数列で）第１支持体４３の上面に配列される。なお、行数及び列数は適宜に設定されてよい。好適には、上述したシリコンウェハから切り出されるベアチップ３の数と同数のベアチップ３が第１支持体４３上に配置される。

図４（ｂ）では、複数のベアチップ３が配置された第１支持体４３上に、未硬化状態の封止材４５が供給される。

封止材４５は、少なくとも第１樹脂層１１を構成するものであり、また、本実施形態では、後述するように第１無機層１３の一部（例えば樹脂２９）も構成する。封止材４５は、未硬化状態の樹脂２９と、樹脂２９に混ぜ込まれた複数の無機絶縁粒子３１とを含んでいる。樹脂２９及び無機絶縁粒子３１の形成方法は公知の方法と同様でよい。

未硬化状態の封止材４５は、第１樹脂層１１等の形成に十分な量で供給されれば、その配置位置及び配置直後の形状等は適宜に設定されてよい。例えば、未硬化状態の封止材４５は、第１支持体４３上の複数のベアチップ３のうち一部のみを覆っていてもよいし、第１支持体４３上の全てのベアチップ３を覆っていてもよい。また、封止材４５の供給方法も適宜なものとされてよい。例えば、ディスペンサやスクリーン印刷によって液状の封止材４５が供給されてもよいし、加熱により液状の封止材４５になるシート状成形体が配置されてもよい。

図４（ｃ）（及びこれに続く図５（ａ））では、第１支持体４３上に供給された未硬化状態の封止材４５が第１無機層前駆体５１によって押圧される。

これにより、未硬化状態の封止材４５は、付与された圧力によって第１支持体４３（及び複数のベアチップ３）と第１無機層前駆体５１との間の隙間に広がる（充填される）。また、第１無機層前駆体５１下の封止材４５の厚さは、第１樹脂層１１の厚さと概ね同等とされる。

第１無機層前駆体５１は、後に第１無機層１３となる層である。第１無機層前駆体５１は、例えば、第２支持体４９に保持されており、第２支持体４９は第２支持具４７に保持されている。第２支持具４７及び第２支持体４９の構成は、例えば、第１支持具４１及び第１支持体４３の構成と同様でよい。また、第２支持体４９は、第１無機層前駆体５１を作製する際に、第１無機層前駆体５１となる無機絶縁ゾル（後述）が塗布される層（例えば金属箔）を含んで構成されていてもよい。

図５（ａ）では、第１無機層前駆体５１による押圧が完了した未硬化状態の封止材４５（樹脂２９）が硬化される。

例えば、樹脂２９は熱硬化性樹脂であり、不図示のヒータによって第１支持具４１の上面を構成する部材及び第２支持具４７の下面を構成する部材が加熱され、ひいては、樹脂２９が加熱される。なお、加熱は、第１無機層前駆体５１による封止材４５の加圧が完了する以前に開始されていてもよい。

封止材４５が硬化することによって、図５（ａ）及び図５（ｂ）の符号の比較から理解されるように、第１無機層前駆体５１（第１無機層１３）下においては第１樹脂層１１（ただし、個片化前のもの）が形成される。また、後述するように、第１無機層前駆体５１は第１無機層１３（ただし、個片化前のもの）となる。また、複数のベアチップ３は、個片化前の第１樹脂層１１及び第１無機層１３によって互いに固定される。すなわち、複数のベアチップ３、第１樹脂層１１及び第１無機層１３からなる第１母基板５３が作製される。

図５（ｂ）では、第１支持体４３が複数のベアチップ３及び第１樹脂層１１から除去されるとともに、第２支持体４９が第１無機層１３から除去される。

支持体の除去は、剥離によるものであってもよいし、支持体を溶融させたり、薬液に溶かしたりすることによって除去するものであってもよい。また、支持体が除去された面は、適宜に洗浄及び／又は研削若しくは研磨が行われてもよい。

図５（ｃ）（及びこれに続く図５（ｄ））に示すように、第１母基板５３の、第２主面３ｂ側の面には、絶縁層１５（ただし、個片化前のもの）が配置される。これにより、第１母基板５３及び絶縁層１５からなる第２母基板５７が作製される。

具体的には、例えば、絶縁層１５は、予め（第１母基板５３への配置前に）第２樹脂層２１、第２無機層２３及び第３樹脂層２５が積層されて作製されている。ただし、第２樹脂層２１及び第３樹脂層２５のうち少なくとも第２樹脂層２１においては、樹脂２９は完全には硬化されておらず、ある程度の粘度を有した未硬化状態で層状に形成されている。例えば、第２樹脂層２１は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージ又はＢ−ステージのものである。そして、第２樹脂層２１を第１母基板５３に当接させ、第１母基板５３及び絶縁層１５を加熱しつつ加圧する。これにより、絶縁層１５が第１母基板５３に固定される。

絶縁層１５は、例えば、第３支持体５５によって保持されている。第３支持体５５は、例えば、第１支持体４３と同様のものであってもよいし、絶縁層１５を作製する際に、第３樹脂層２５となる封止材が塗布される層（例えば金属箔）を含んで構成されていてもよい。

図５（ｄ）では、第２母基板５７から第３支持体５５が除去される。支持体の除去は、剥離によるものであってもよいし、支持体を溶融させたり、薬液に溶かしたりすることによって除去するものであってもよい。また、支持体が除去された面は、適宜に洗浄及び／又は研削若しくは研磨が行われてもよい。

図６（ａ）では、接続導体１７のための貫通孔１５ｈが第２母基板５７に形成される。貫通孔１５ｈは、公知の方法によって形成されてよく、例えば、フォトレジストからなるマスクを介したエッチングによって形成される。

図６（ｂ）では、貫通孔１５ｈに接続導体１７が設けられる。接続導体１７は、公知の方法によって形成されてよく、例えば、めっき法によって金属が貫通孔１５ｈに充填されることによって形成される。

図６（ｃ）では、接続導体１７の絶縁層１５から露出する表面上に、バンプ１９が形成される。バンプ１９は、公知の方法によって形成されてよく、例えば、スクリーン印刷によって半田ペーストが供給され、半田ペーストが加熱処理されることによって形成される。

図６（ｄ）では、バンプ１９が設けられた第２母基板５７をダイシングして個片化する。これにより、電子部品１が作製される。なお、ダイシングは、公知の方法によって行われてよく、例えば、図示のようにダイシングブレード５９によって行われてもよいし、レーザによって行われてもよい。

（封止材の押圧の詳細）
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、封止材４５を第１無機層前駆体５１によって押圧するとき（図４（ｃ）及び図５（ａ））の封止材４５及び第１無機層前駆体５１の模式的な拡大断面図である。なお、この図では、便宜上、断面を示すハッチングを省略している。また、他の図と同様に、無機絶縁粒子３１の寸法等は現実のものとは一致していない。

第１無機層前駆体５１は、第１無機層１３において、小径空隙３５Ｂ及び大径空隙３５Ａに樹脂２９が充填されていない状態のものである。従って、第１無機層前駆体５１によって封止材４５を押圧する工程が所定の気体（例えば空気又は窒素）の雰囲気下で行われる場合は、押圧の直前において、空隙３５には、その気体が存在している。また、押圧する工程が真空雰囲気で行われる場合は、押圧の直前において、空隙３５は真空となっている。

図７（ａ）に示すように、第１無機層前駆体５１による押圧前において、封止材４５においては、無機絶縁粒子３１の分布は、概ね一様となっている。すなわち、ベアチップ３の側方（側方部分１１ｂが形成される領域）と、ベアチップ３の直上（直上部分１１ａが形成される領域）とで、無機絶縁粒子３１の分布は同様である。

図７（ｂ）に示すように、第１無機層前駆体５１によって封止材４５が押圧されると、矢印ｙ１で示すように、封止材４５における未硬化状態の樹脂２９が第１無機層前駆体５１の空隙３５に流れ込む。従って、その後に樹脂２９（封止材４５）が硬化されると、空隙３５に樹脂２９が充填された第１無機層１３が形成される。また、樹脂２９は、第１樹脂層１１及び第１無機層１３に亘って同一材料によって一体的に成形されることになる。

ここで、第１無機層前駆体５１は、小径粒子３１Ｂを含むとともに、無機絶縁粒子３１が互いに直接的に固定されるほどに密に配置されており、空隙３５（特に小径空隙３５Ｂ）は比較的小さい。従って、封止材４５の樹脂２９が空隙３５に流れ込む一方で、封止材４５の無機絶縁粒子３１（大径粒子３１Ａ）は、空隙３５に流れ込まない、又は極めて流れ込みにくい。その結果、第１無機層前駆体５１下においては、樹脂２９及び無機絶縁粒子３１の体積のうち樹脂２９の体積のみが減じられる。ひいては、封止材４５における無機絶縁粒子３１の含有率が高くなる。

ベアチップ３の直上領域における封止材４５の厚さは、ベアチップ３の厚さに起因して、ベアチップ３の側方領域における封止材４５の厚さよりも薄い。従って、直上領域においては、側方領域に比較して、空隙３５に流れ込む樹脂２９の、封止材４５の厚さに対する相対量が大きい。その結果、直上領域においては、側方領域に比較して無機絶縁粒子３１の含有率が高くなりやすい。

及び／又は、押圧前の封止材４５の表面は、ベアチップ３の直上領域において相対的に上方に位置しやすい。従って、第１無機層前駆体５１によって封止材４５を押圧するとき、ベアチップ３の側方領域の樹脂２９よりも直上領域の樹脂２９が空隙３５へ流れ込みやすい。また、ベアチップ３の直上領域から空隙３５を介してベアチップ３の側方領域へ樹脂２９が流れ込みやすい。その結果、直上領域においては、側方領域に比較して無機絶縁粒子３１の含有率が高くなりやすい。

上記のような作用の結果、第１樹脂層１１において、直上部分１１ａは、側方部分１１ｂよりも無機絶縁粒子３１の含有率が高くなる。ただし、封止材４５は、基本的に小径粒子３１Ｂを有していないことから、直上部分１１ａにおける含有率は、第１無機層１３における含有率を超えない。

なお、図７（ａ）の封止材４５が押圧されていない状態において、封止材４５における無機絶縁粒子３１の含有率は、例えば、樹脂２９が硬化した後の側方部分１１ｂにおける無機絶縁粒子３１の含有率（例えば２５体積％以上５５体積％以下）と概ね同等でよく、また、硬化による影響及び／又は押圧による影響を考慮して、当該含有率よりも若干低くてもよい。封止材４５における無機絶縁粒子３１の含有率の調整は、公知の方法によってなされてよい。

また、第１無機層前駆体５１における無機絶縁粒子３１の含有率は、例えば、第１無機層１３における無機絶縁粒子３１の含有率（例えば７０体積％以上８０体積％以下）と同等とされている。換言すれば、１００％から無機絶縁粒子３１の含有率を差し引いた割合（例えば２０体積％以上３０体積％以下）は、空隙３５が存在する割合である。そして、この空隙３５に樹脂２９が流れ込むことなどにより、直上部分１１ａとなる封止材４５（硬化前）における無機絶縁粒子３１の含有率は、直上部分１１ａ（硬化後）における無機絶縁粒子３１の含有率（例えば５０体積％以上７０体積％未満）となる。

第１無機層１３が薄すぎると、第１無機層１３に流れ込む樹脂２９の量が少なく、ひいては、直上部分１１ａにおいて無機絶縁粒子３１の含有率が高くなる効果が小さい。一方、第１無機層１３が厚すぎると、第１無機層１３が樹脂２９を吸収し過ぎ、直上部分１１ａにボイドが発生するおそれがある。従って、第１無機層１３の厚さ：直上部分１１ａの厚さは、既述のように５０：５０〜８０：２０であることが好ましい。

（第１無機層前駆体の形成）
第１無機層前駆体５１及びこれに含まれる無機絶縁粒子３１は、例えば、特許文献２及びその他特許文献において本願出願人によって公開されている方法又は当該方法から推測される方法によって作製されてよい。その概略は以下のとおりである。

例えば、第１無機層前駆体５１は、大径粒子３１Ａ及び小径粒子３１Ｂと溶剤とを有する無機絶縁ゾルを金属箔等からなる支持体上に塗布し、加熱によって溶剤を蒸発させることによって作製される。ただし、焼結体を形成するときのような高温での加熱は行われない。従って、複数の無機絶縁粒子３１は、互いに結合されつつも、粒界は基本的に維持され、アモルファス状態が保たれる。これにより、複数の無機絶縁粒子３１による３次元網目構造が実現される。

なお、加熱温度は、溶剤の残存を低減する観点から、溶剤の沸点以上であることが好ましい。また、加熱温度は、焼結の進行を抑制する観点から、結晶化開始温度未満である。このように加熱温度が低温であっても、小径粒子３１Ｂの粒径が比較的小さいことなどから、複数の無機絶縁粒子３１は互いに固定される。例えば、無機絶縁粒子３１の材料が酸化ケイ素（結晶化開始温度：約１３００℃）である場合、小径粒子３１Ｂの粒径が１１０ｎｍ以下に設定されているときは２５０℃程度の加熱温度を用いることができ、また、小径粒子３１Ｂの粒径が１５ｎｍ以下に設定されているときは１５０℃程度の加熱温度を用いることができる。

大径粒子３１Ａは、酸化ケイ素から成る場合、例えばケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ加熱することにより、作製することができる。小径粒子３１Ｂは、酸化ケイ素から成る場合、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることにより、作製することができる。小径粒子３１Ｂの粒径は、酸化ケイ素の析出時間を短くすることによって小さくされる。

（絶縁層の形成）
絶縁層１５及び絶縁層１５に含まれる無機絶縁粒子３１は、例えば、特許文献２及びその他特許文献において本願出願人によって公開されている方法又は当該方法から推測される方法によって作製されてよい。その概略は以下のとおりである。

絶縁層１５の第２無機層２３は、例えば、まず、第１無機層前駆体５１と同様の前駆体が形成され、その後、図５（ｃ）の絶縁層１５を第１母基板５３に接着させるステップ等において、前駆体の空隙３５に第２樹脂層２１の樹脂２９が流れ込み、かつ硬化されることによって形成される。従って、樹脂２９は、第２樹脂層２１及び第２無機層２３に亘って同一材料によって一体的に成形される。

なお、図５（ｃ）の絶縁層１５を第１母基板５３に接着させるステップの直前において、第２樹脂層２１だけでなく、第３樹脂層２５も未硬化状態（例えばＡ−ステージ又はＢステージ）とされていてよい。この場合、絶縁層１５を第１母基板５３に接着させる際、第３樹脂層２５の樹脂２９も第２無機層２３の空隙３５に流れ込み、かつ硬化される。そして、樹脂２９は、第３樹脂層２５及び第２無機層２３（の一部）に亘って同一材料によって一体的に成形される。

第２樹脂層２１、第２無機層２３及び第３樹脂層２５（これらの前駆体を含む）は、互いに別個に形成されてから積層されてもよいし、積層されつつ形成されてもよい。例えば、第２無機層２３の前駆体を第１無機層前駆体５１と同様に形成した後、その両面に第２樹脂層２１及び第３樹脂層２５を重ねてもよい。また、例えば、金属箔などからなる支持体上に、第３樹脂層２５となる樹脂２９を塗布し、その上に第２無機層２３の前駆体となる無機絶縁ゾルを塗布し、その上に第２樹脂層２１となる樹脂２９を塗布してもよい。

以上のとおり、本実施形態では、電子部品１は、ベアチップ３と、ベアチップ３を封止しており、樹脂２９と複数の無機絶縁粒子３１とが混在している材料からなるパッケージ５と、を有している。パッケージ５は、ベアチップ３の側方に位置している側方部分１１ｂと、ベアチップに対して一方の主面（例えば第１主面３ａ）が面する側に位置しており、側方部分１１ｂよりも複数の無機絶縁粒子３１の含有率が高い高含有率部（例えば直上部分１１ａ及び／又は第１無機層１３）を有している。

従って、ベアチップ３を好適に封止できる。例えば、ベアチップ３は、通常、薄型形状であることから、第１主面３ａにおいてベアチップ３とパッケージ５との間で生じる熱応力（又は熱応力に起因する残留応力）は、側面３ｃにおいて生じる熱応力に比較して、ベアチップ３の全体に付与されやすい。そこで、一般に熱膨張係数の低下のために樹脂２９に混入される無機絶縁粒子３１の含有率をベアチップ３の直上において高くすることによって、熱応力によってベアチップ３の電気特性が低下するおそれを低減できる。その一方で、側方部分１１ｂにおいては、無機絶縁粒子３１の含有率が相対的に低くされるから、例えば、無機絶縁粒子３１の誘電率が高い場合において、ベアチップ３の側方に位置する他の電子部品との間に浮遊容量が生じるおそれを低減できる。また、例えば、ベアチップ３の直上においては、樹脂２９にクラックが発生したとしても、そのクラックの伸長が無機絶縁粒子３１によって低減される。その結果、例えば、水分等の侵入が抑制される。また、例えば、第１無機層前駆体５１のような構造のみによってパッケージングする場合に比較して、隙間なくベアチップ３を囲むことができる。また、例えば、電子部品１は、本実施形態の製造方法によって作製可能であり、後述する本実施形態の製造方法の効果が潜在的に奏される。

また、本実施形態では、パッケージ５は、側方部分１１ｂを含み、複数の無機絶縁粒子３１の含有率が７０体積％未満の第１樹脂層１１と、ベアチップ３及び第１樹脂層１１に対して一方の主面（例えば第１主面３ａ）が面する側に位置しており、複数の無機絶縁粒子３１として粒径が１μｍ未満の複数のナノ粒子（小径粒子３１Ｂ）を含んでおり、かつ複数の無機絶縁粒子３１の含有率が７０体積％以上の第１無機層（例えば第１無機層１３）と、を有している。第１無機層１３は、前記の高含有率部の少なくとも一部を構成している。

従って、高含有率部は、極めて高い含有率で無機絶縁粒子３１を有しており、上述の効果がより奏される。第１無機層１３が小径粒子３１Ｂを含んでいることから、高い含有率の実現が可能である。また、無機絶縁粒子３１同士が樹脂２９によらずに直接的に固定されている場合においては、パッケージ５全体としての剛性の向上が期待される。

また、本実施形態では、樹脂２９は、第１樹脂層１１及び第１無機層１３に亘って同一材料によって一体的に成形されている。

従って、第１樹脂層１１及び第１無機層１３は、無機絶縁粒子３１の含有率等が互いに異なっているにも関わらず、樹脂２９については一体的に成形されており、剥離のおそれが低減される。

また、本実施形態では、第１樹脂層１１は、ベアチップ３の第１主面３ａと第１無機層１３との間に位置している直上部分１１ａを更に含んでいる。樹脂２９は、側方部分１１ｂ及び直上部分１１ａに亘って同一材料によって一体的に成形されている。直上部分１１ａは、側方部分１１ｂよりも複数の無機絶縁粒子３１の含有率が高い。すなわち、直上部分１１ａ及び第１無機層１３は、側方部分１１ｂよりも無機絶縁粒子３１の含有率が高い高含有率部を構成している。

従って、ベアチップ３の直上においては、全体的に（第１無機層１３及び第１樹脂層１１（直上部分１１ａ）の双方において）無機絶縁粒子３１の含有率が高くされつつも、第１無機層１３とベアチップ３との間に比較的樹脂２９の多い第１樹脂層１１（直上部分１１ａ）が配置される。その結果、例えば、第１無機層１３及びベアチップ３に比較してヤング率が低い直上部分１１ａによって第１無機層１３とベアチップ３との間に緩衝部が構成されることになり、ベアチップ３が好適に保護される。

また、本実施形態では、側方部分１１ｂにおける複数の無機絶縁粒子３１の含有率が２５体積％以上５５体積％以下であり、直上部分１１ａにおける複数の無機絶縁粒子３１の含有率が５０体積％以上７０体積％未満であり（ただし、側方部分１１ｂにおける含有率が５０体積％以上の場合は、その含有率よりも高い）、第１無機層１３における複数の無機絶縁粒子３１の含有率が７０体積％以上８０体積％以下である。

このような無機絶縁粒子３１の含有率であれば、例えば、第１無機層１３及び直上部分１１ａにおいて含有率が高いことによる熱応力乃至は残留応力の緩和の効果、及び樹脂２９が封止部７（第１無機層１３、直上部分１１ａ及び側方部分１１ｂ）に亘って一体的に成形されていることによる剥離抑制の効果等が好適に奏される。

また、本実施形態では、ベアチップ３及び側方部分１１ｂに対してベアチップ３の他方の主面（例えば第２主面３ｂ）が面する側から重なっている絶縁層１５を更に有している。絶縁層１５は、ベアチップ３側から他方の主面（第２主面３ｂ）が面する側へ順に、第２樹脂層２１（複数の無機絶縁粒子３１の含有率が７０体積％未満）と、第２無機層２３（複数の無機絶縁粒子３１として粒径が１μｍ未満の複数の小径粒子３１Ｂを含んでおり、かつ複数の無機絶縁粒子３１の含有率が７０体積％以上）と、第３樹脂層２５（複数の無機絶縁粒子３１の含有率が７０体積％未満）と、を有している。

従って、例えば、ベアチップ３に対して第１無機層１３とは反対側にも第１無機層１３と同様の第２無機層２３が設けられることになり、対称性が向上する。その結果、例えば、ベアチップ３を撓ませるような熱応力又は残留応力が生じるおそれが低減される。また、絶縁層１５において、第２無機層２３のみを設けるのではなく、第２樹脂層２１及び第３樹脂層２５を設けることから、例えば、絶縁層１５のベアチップ３に対する密着性を向上させたり、外面（第３樹脂層２５）の取り扱い性を向上させたりすることができる。

また、本実施形態では、ベアチップ３は、第２主面３ｂにパッド３ｐを有している。電子部品１は、絶縁層１５に設けられており、パッド３ｐに接続されるとともに絶縁層１５からベアチップ３とは反対側に露出している接続導体１７と、接続導体１７の絶縁層１５から露出している部分に配置されている導電性のバンプ１９と、を更に有している。

従って、例えば、実装に供される部分に、第２無機層２３を含むことによって熱膨張係数が低い絶縁層１５が用いられることになる。その結果、例えば、実装の際の熱膨張によって実装の精度が低下したり、実装後の残留応力が大きくなったりするおそれが低減される。

また、別の観点では、本実施形態の電子部品１の製造方法は、ベアチップ３と、ベアチップ３を封止しており、樹脂２９と複数の無機絶縁粒子３１とが混在している材料からなるパッケージ５とを有している電子部品１の製造方法であって、第１支持体４３上に複数のベアチップ３を配置するステップ（図４（ａ））と、複数のベアチップ３が配置された第１支持体４３上に、未硬化状態の樹脂２９を含む封止材４５を供給するステップ（図４（ｂ））と、複数の無機絶縁粒子３１の含有率が封止材４５よりも高い第１無機層１３（厳密には第１無機層前駆体５１）によって、第１支持体４３上の、未硬化状態の封止材４５を第１支持体４３側へ押圧するステップ（図４（ｃ）及び図５（ａ））と、第１無機層１３で押圧された封止材４５上に第１無機層１３を配置したまま、封止材４５を硬化させることにより、第１無機層１３下で硬化した封止材４５からなる第１樹脂層１１と第１無機層１３とを含むパッケージ５の少なくとも一部を形成するステップ（図５（ａ））と、を有している。

このような製造方法によれば、例えば、上述した種々の効果を有する電子部品１を実現できる。また、例えば、第１無機層１３で封止材４５を押圧して成形を行い、その第１無機層１３がそのままパッケージ５となることから、第１支持具４１と第２支持具４７とによる圧縮力を解除しても、熱膨張係数が相対的に低い第１無機層１３によって第１母基板５３の反りが低減される。その結果、例えば、絶縁層１５を貼り合わせるとき（図５（ｃ））に第１母基板５３が割れるおそれ、及び絶縁層１５に接続導体１７及びバンプ１９を設けるとき（図６（ａ）〜図６（ｃ））にその精度が低下するおそれが低減される。

また、本実施形態では、押圧するステップの前（図７（ａ））において、第１無機層１３は、気体が存在する、又は真空の空隙３５を複数の無機絶縁粒子３１間に有しており、押圧ステップ（図７（ｂ））では、封止材４５の樹脂２９が空隙３５に流れ込む。

従って、例えば、第１無機層１３自体によってベアチップ３の第１主面３ａ側における熱膨張係数を下げることができるだけでなく、樹脂２９を第１無機層１３に流れ込ませることによって直上部分１１ａの熱膨張係数も下げることができる。その一方で、例えば、封止材４５のうち第１無機層１３から離れた部分においては、樹脂２９の流動性を維持することができ、パッケージ５をベアチップ３に密着させることが容易化される。

また、本実施形態では、電子部品１の製造方法は、ベアチップ３及び第１樹脂層１１から第１支持体４３を除去するステップ（図５（ｂ））と、ベアチップ３及び第１樹脂層１１の第１支持体４３が除去された面（第２主面３ｂ等）に、パッケージ５の他の一部を構成する絶縁層１５を設けるステップ（図５（ｃ））と、を更に有している。絶縁層１５を設けるステップでは、第２樹脂層２１（複数の無機絶縁粒子３１の含有率が７０体積％未満）と、第２無機層２３（複数の無機絶縁粒子３１として粒径が１μｍ未満の複数の小径粒子３１Ｂを含んでおり、かつ複数の無機絶縁粒子３１の含有率が７０体積％以上）と、第３樹脂層２５（複数の無機絶縁粒子３１の含有率が７０体積％未満）と、が順に積層されて構成されている絶縁層１５を、第１支持体４３が除去された面に密着させる。

従って、例えば、予め第２無機層２３を含んで熱膨張係数が低くされた絶縁層１５が第１母基板５３に貼り付けられることになる。その結果、例えば、第１母基板５３に貼り付けられる第２樹脂層２１の硬化収縮によって残留応力が生じるおそれが低減される。

なお、以上の実施形態において、ベアチップ３の第１主面３ａはベアチップの一方の主面の一例であり、直上部分１１ａ及び／又は第１無機層１３は、高含有率部の一例であり、第１無機層１３は第１無機層の一例である。ただし、例えば、請求項１及び２に関しては、ベアチップ３の第２主面３ｂがベアチップの一方の主面の一例であるとともに、第２無機層２３が高含有率部及び第１無機層の一例であると捉えることも可能である。また、小径粒子３１Ｂは、ナノ粒子の一例である。

＜第２実施形態＞
図８は、第２実施形態に係る電子部品２０１の構成を示す、図１に対応する断面図である。

電子部品２０１のパッケージ２０５においては、封止部２０７の構成のみが第１実施形態と相違する。具体的には、封止部２０７において、第１無機層１３は、第１樹脂層２１１を介在させずに、ベアチップ３の第１主面３ａに直接的に重ねられている。別の観点では、第１樹脂層２１１は、第１実施形態の直上部分１１ａを有しておらず、側方部分１１ｂのみを有している。

このような構成は、例えば、第１実施形態の製造方法において、例えば、第１無機層１３（第１無機層前駆体５１）によって封止材４５を押圧する際（図４（ｄ）及び図５（ａ））に、第１無機層１３がベアチップ３に当接するまで押圧を継続すればよい。また、ベアチップ３上の樹脂２９を第１無機層１３が吸収しやすいように第１無機層１３を厚く形成するなどしてもよい。また、ベアチップ３上に位置する封止材４５の無機絶縁粒子３１が第１無機層１３とベアチップ３との間に残存しないように、封止材４５の無機絶縁粒子３１の含有率を低くしたり、封止材４５を樹脂２９のみから構成したりしてもよい。

なお、ベアチップ３と第１無機層１３との間に、封止材４５の無機絶縁粒子３１が残存しているか否か、明確でなくても、第１無機層１３によって封止材４５を押圧するのであれば、必ず第１実施形態及び第２実施形態の一方に該当する。

本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、パッケージ５は、ベアチップ３の側方に位置している側方部分（本実施形態では第１樹脂層２１１の全体）と、ベアチップ３の一方の主面（例えば第１主面３ａ）側に位置しており、側方部分よりも複数の無機絶縁粒子３１の含有率が高い高含有率部（例えば第１無機層１３）を有している。

従って、第１実施形態と同様の効果が奏される。例えば、熱応力又は残留応力によってベアチップ３の電気特性が低下するおそれを低減できる。また、第１実施形態に比較して、ベアチップ３の直上に第１無機層１３のみが存在することから、熱膨張係数をより低くすることができる。なお、第１実施形態は、本実施形態に比較して、パッケージ５のベアチップ３に対する密着性等において有利である。

＜第３実施形態＞
図９は、第３実施形態に係る電子部品３０１の構成を示す、図１に対応する断面図である。

本実施形態のパッケージ３０５では、第１実施形態における第１樹脂層１１及び第１無機層１３に相当する第１樹脂層３１１及び第１無機層３１３がベアチップ３の第２主面３ｂ側に設けられている。そして、これらの層に接続導体１７及びバンプ１９が設けられている。なお、図示の例では、第１無機層３１３の第１樹脂層３１１とは反対側に付加樹脂層３２５が設けられているが、付加樹脂層３２５は設けられなくてもよい。

このような電子部品３０１の製造方法は、図４（ａ）〜図４（ｃ）において、ベアチップ３の上下の向きを第１実施形態と逆にすればよい。すなわち、図４（ａ）において、ベアチップ３の第１主面３ａを第１支持体４３に対向させるようにして複数のベアチップ３を第１支持体４３に配置し、ベアチップ３の第２主面３ｂ側に封止材４５を配置し、この封止材４５を第１無機層３１３（その前駆体を含む）によって押圧すればよい。その後、第１無機層３１３の上に付加樹脂層３２５を適宜な方法によって形成し、図６（ａ）以降と同様の工程を行う。なお、第１支持体４３の除去は、第１実施形態と異なり、接続導体１７及びバンプ１９の形成後に行うことも可能である。

本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、パッケージ５は、ベアチップ３の側方に位置している側方部分３１１ｂと、ベアチップ３に対して一方の主面（第２主面３ｂ）が面する側に位置しており、側方部分３１１ｂよりも複数の無機絶縁粒子３１の含有率が高い高含有率部（例えば直上部分３１１ａ及び／又は第１無機層３１３）を有している。従って、第１実施形態と同様の効果が奏される。例えば、熱応力又は残留応力によってベアチップ３の電気特性が低下するおそれを低減できる。

なお、特に図示しないが、第３実施形態において、第２実施形態と同様に、第１無機層３１３がベアチップ３の第２主面３ｂに対して第１樹脂層３１１を介在させずに直接的に重なるようにしてもよい。

なお、第３実施形態において、直上部分３１１ａ及び／又は第１無機層３１３は高含有率部の一例である。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

実施形態では、封止材４５を押圧する第１無機層１３（第１無機層前駆体５１）は、無機絶縁粒子３１同士が直接的に固定されて構成されており、また、空隙３５は、封止材４５の樹脂２９が流れ込むことが可能となっていた。しかし、封止材４５を押圧する第１無機層は、空隙３５に予め樹脂が充填されたものであってもよいし、また、無機絶縁粒子３１同士が直接的に固定されて構成されたものではなく、樹脂に無機絶縁粒子が混ぜ込まれて形成されたものであってもよい。ただし、この場合、封止材４５の樹脂２９が第１無機層に流れ込む作用は生じないから、第１樹脂層１１の直上部分１１ａにおける無機絶縁粒子３１の含有率は側方部分１１ｂと同等であり、第１無機層及び直上部分１１ａのうち第１無機層のみが高含有率部を構成する。同様に、第２無機層（２３）は、第１樹脂層（２１）の樹脂とは異なる材料の樹脂を含むものであってもよいし、無機絶縁粒子同士が直接的に固定されていないものであってもよい。

無機絶縁粒子として粒径が１μｍ未満のナノ粒子を含み、かつ無機絶縁粒子の含有率が７０体積％以上の無機層は、設けられなくてもよい。すなわち、パッケージにおいて、ベアチップの側方部分よりも無機絶縁粒子の含有率が高い高含有率部は、ナノ粒子を含まず、及び／又は、無機絶縁粒子の含有率が７０体積％未満の樹脂層のみから構成されていてもよい。なお、ナノ粒子を含まずに含有率７０体積％以上を実現することは、通常は困難である。

実施形態で示した各部の含有率（例えば、直上部分１１ａについて５０体積％以上７０体積％未満）は、一例に過ぎず、適宜に変更されてよい。

第１及び第２実施形態のようにベアチップのパッドとは反対側に高含有率部を設ける場合において、パッケージの配線層（９）は、高含有率部を含んでいなくてもよい。

実施形態では、ベアチップ３のパッド３ｐとバンプ１９とを接続する接続導体１７は、貫通導体のみによって接続されたが、接続導体は、ベアチップの主面に平行な導電層を含んでいてもよい。

１…電子部品、３…ベアチップ、３ａ…第１主面（一方の主面）、５…パッケージ、１１ａ…直上部分（高含有率部）、１１ｂ…側方部分、１３…第１無機層（高含有率部）、２９…樹脂、３１…無機絶縁粒子。

Claims (4)

1. ベアチップと、
   前記ベアチップを封止しており、樹脂と複数の無機絶縁粒子とが混在している材料からなるパッケージと、
   を有しており、
   前記パッケージは、
   前記ベアチップの側方に位置している側方部分と、
   前記ベアチップの一方の主面側に位置しており、前記側方部分よりも前記複数の無機絶縁粒子の含有率が高い高含有率部を有しているとともに、
   前記パッケージは、
   前記側方部分を含み、前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％未満の第１樹脂層と、
   前記ベアチップ及び前記第１樹脂層に対して前記一方の主面が面する側に位置しており、前記複数の無機絶縁粒子として粒径が１μｍ未満の複数のナノ粒子を含んでおり、かつ前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％以上の第１無機層と、を有しており、
   前記第１無機層は、前記高含有率部の少なくとも一部を構成しており、
   前記第１樹脂層は、前記ベアチップの前記一方の主面と前記第１無機層との間に位置している直上部分を更に含み、
   前記樹脂は、前記側方部分及び前記直上部分に亘って同一材料によって一体的に成形されており、
   前記直上部分は、前記側方部分よりも前記複数の無機絶縁粒子の含有率が高く、
   前記直上部分及び前記第１無機層は、前記高含有率部の少なくとも一部を構成している
   電子部品。
2. 前記側方部分における前記複数の無機絶縁粒子の含有率が２５体積％以上５５体積％以下であり、
   前記直上部分における前記複数の無機絶縁粒子の含有率が５０体積％以上７０体積％未満であり（ただし、前記側方部分における含有率が５０体積％以上の場合は、その含有率よりも高い）、
   前記第１無機層における前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％以上８０体積％以下である
   請求項１に記載の電子部品。
3. ベアチップと、
   前記ベアチップを封止しており、樹脂と複数の無機絶縁粒子とが混在している材料からなるパッケージと、
   を有しており、
   前記パッケージは、
   前記ベアチップの側方に位置している側方部分と、
   前記ベアチップの一方の主面側に位置しており、前記側方部分よりも前記複数の無機絶縁粒子の含有率が高い高含有率部を有しているとともに、
   前記パッケージは、
   前記側方部分を含み、前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％未満の第１樹脂層と、
   前記ベアチップ及び前記第１樹脂層に対して前記一方の主面が面する側に位置しており、前記複数の無機絶縁粒子として粒径が１μｍ未満の複数のナノ粒子を含んでおり、かつ前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％以上の第１無機層と、を有しており、
   前記第１無機層は、前記高含有率部の少なくとも一部を構成しており、
   前記ベアチップ及び前記側方部分に対して前記ベアチップの他方の主面が面する側から重なっている絶縁層を更に有しており、
   前記絶縁層は、前記ベアチップ側から前記他方の主面が面する側へ順に、
   前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％未満の第２樹脂層と、
   前記複数の無機絶縁粒子として粒径が１μｍ未満の複数のナノ粒子を含んでおり、かつ前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％以上の第２無機層と、
   前記複数の無機絶縁粒子の含有率が７０体積％未満の第３樹脂層と、を有している
   電子部品。
4. 前記ベアチップは、前記他方の主面にパッドを有しており、
   前記絶縁層に設けられており、前記パッドに接続されるとともに前記絶縁層から前記ベアチップとは反対側に露出している接続導体と、
   前記接続導体の前記絶縁層から露出している部分に配置されている導電性のバンプと、を更に有している請求項３に記載の電子部品。

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