JP5258838B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態による半導体装置を図1に示す。本実施形態の半導体装置1は、半導体チップ10と、MEMSチップ20と、これらのチップの側面に設けられ、半導体チップ10とMEMSチップ20とを接着する接着層30と、を備えている。半導体チップ10は内部に半導体デバイス12(例えば、CMOSデバイス)を含み、上面に半導体デバイス12と電気的に接続されるパッド14が設けられている。MEMSチップ20は内部にMEMSデバイス22を含み、上面にMEMSデバイス22と電気的に接続されるパッド24が設けられている。接着層30は、樹脂に異なる材料定数調整剤が含まれた、接着膜32a、32bからなる積層構造を有している。接着膜32aは樹脂34に平均粒径が比較的大きなシリカを主成分とするフィラー36aが添加され、接着膜32bは樹脂34に平均粒径が比較的小さなシリカを主成分とするフィラー36bが添加された構造を有している。チップ10、20のそれぞれのパッド14、24が表面に露出した側を主面と称すると、チップ10、20の主面側の接着膜32bが設けられ、主面と反対側に接着膜32aが設けられた積層構造を有している。なお、本実施形態においては、接着層30は、チップ10、20との間ばかりでなく、チップ10とチップ20との周囲に設けられている。
S = (Sr×Vr)/ ( Vr + Vf ) (1)
で与えられる。ここで、Srは樹脂単体の硬化収縮率である。図3に通常粒径(5μm〜50μm)のフィラーの体積分率Vfと樹脂の硬化収縮率Sの相関を示す。硬化収縮率は樹脂の体積分率に依存し、フィラー量が増加するに従って小さくなる。
Y = Yr[ ( 1−( Vf )1/2 + ( Vf )1/2 / { ( 1− [ ( Vf )1/2 × ( 1− Yr / Yf ) ] } ] (2)
図5を参照して引っ張りせん断による樹脂の接着強度測定法を説明する(JIS K 6850 参照)。アルミ合金JIS H−4000A−5042Pからなる二枚の試験片100a、100bの間に樹脂層104を形成し、樹脂層104の硬化後に、試験片100a、00bを両側から1mm/分で引っ張り、樹脂層104の破断荷重(kg)を接着面積(cm2)で割った値を接着強度として算出する。試験片100a、100bには同じ材料のアルミ合金からなるつかみ部分102a、102bが設けられ、このつかみ部分102a、102bを利用して引っ張り荷重をかける。この測定法で得られた樹脂単体の接着強度を1とすると、通常粒径のフィラーを33.3vol.%添加した樹脂層の接着強度は0.82となり、さらに通常粒径フィラーを74vol.%増加した樹脂層の強度は0.52に低下する(表1参照)。
次に、本発明の第2実施形態による半導体装置を図12に示す。本実施形態の半導体装置1Aは、図1に示す第1実施形態の半導体装置1において、チップ10、20の主面と反対側の面(裏面)にも接着膜32cを設けた構成となっている。すなわち、接着膜32cは、裏打ち層となっており、かつ半導体チップ10とMEMSチップ20との間に設けられ、半導体チップ10とMEMSチップ20とを接着する接着層30Aが、接着膜32c、接着膜32a、接着膜32bの順に積層された積層構造を備えている。そして、これらの接着膜32a、32b、32cは、少なくとも二つ以上の異なる材料定数調整剤が含まれている。接着膜32bは、平均粒径の小さいシリカを主成分とするフィラー36bが添加された樹脂で、接着膜32aは、接着膜32bに含有されるフィラーの粒子よりも平均粒径の大きいフィラー36aが添加された樹脂であり、接着膜32cは、接着膜32a、32bの材料定数調整剤36a、36bと異なる構成材料定数調整剤36cが添加された樹脂である。なお、本実施形態の半導体装置1Aも、図2に示す第1実施形態の半導体装置と同様に、主面側上に平坦化膜50を形成し、この平坦化膜50にパッド14、24に接続するビアホール52を形成し、このビアホール52を埋め込むように配線54を形成した後、擬似SOCとして用いる(図13)。なお、配線54としては、半導体チップ10のパッド14と、MEMSチップ20のパッド24とを電気的に接続することにより半導体チップ10とMEMSチップ20とを電気的に接続する配線と、半導体チップ10またはMEMSチップ20を外部と接続する配線とを含んでいる。
本発明の第1実施例による半導体装置を図1に示す。本実施例の半導体装置1は、半導体チップ10と、MEMSチップ20と、半導体チップ10とMEMSチップ20とを接着する接着層30と、を備えている。半導体チップ10は内部に半導体デバイス12(例えば、CMOSデバイス)を含み、上面に半導体デバイス12と電気的に接続されるパッド14が設けられている。MEMSチップ20は内部にMEMSデバイス22を含み、上面にMEMSデバイス22と電気的に接続されるパッド24が設けられている。接着層30は、樹脂に異なる材料定数調整剤が含まれた、接着膜32a、32bからなる積層構造を有している。接着膜32aは樹脂34に平均粒径が比較的大きなシリカを主成分とするフィラー36aが添加され、接着膜32bは樹脂34に平均粒径が比較的小さなシリカを主成分とするフィラー36bが添加された構造を有している。本実施例の半導体装置1に配線層を形成した擬似SOCを図2に示す。
次に、本発明の第2実施例による半導体装置を図12に示す。本実施例の半導体装置1Aは、図1に示す第1実施例の半導体装置1において、チップ10、20の主面と反対側の面(裏面)にも接着膜32cを設けた構成となっている。すなわち、接着膜32cは、裏打ち層となっており、かつ半導体チップ10とMEMSチップ20との間に設けられ、半導体チップ10とMEMSチップ20とを接着する接着層30Aが、接着膜32c、接着膜32a、接着膜32bからなる積層構造を備えている。そして、これらの接着膜32a、32b、32cは、少なくとも二つ以上の異なる材料定数調整剤が含まれている。接着膜32bは、平均粒径の小さいシリカを主成分とするフィラー36bが添加された樹脂で、接着膜32aは、接着膜32bに含有されるフィラーの粒子よりも平均粒径の大きいフィラー36aが添加された樹脂であり、接着膜32cは、接着膜32a、32bの材料定数調整剤36a、36bと異なる構成材料定数調整剤36cが添加された樹脂である。
なお、本実施例の半導体装置1Aも、図2に示す第1実施例の半導体装置と同様に、主面側上に平坦化膜50を形成し、この平坦化膜50にパッド14、24に接続するビアホール52を形成し、このビアホール52を埋め込むように配線54を形成し、擬似SOCが完成する(図13)。なお、配線54としては、半導体チップ10のパッド14と、MEMSチップ20のパッド24とを電気的に接続することにより半導体チップ10とMEMSチップ20とを電気的に接続する配線と、半導体チップ10またはMEMSチップ20を外部と接続する配線とを含んでいる。
次に、本発明の第3実施例による半導体装置を図18に示す。本実施例の半導体装置1Bは、半導体チップ10と、MEMSチップ20と、半導体チップ10とMEMSチップ20とを接着する接着層30Bと、を備えている。半導体チップ10は内部に半導体デバイス12(例えば、CMOSデバイス)を含み、上面に半導体デバイス12と電気的に接続されるパッド14が設けられている。MEMSチップ20は内部にMEMSデバイス22を含み、上面にMEMSデバイス22と電気的に接続されるパッド24が設けられている。接着層30Bは、樹脂に異なる材料定数調整剤が含まれた、接着膜32a、32cからなる積層構造を有している。なお、接着膜32aは半導体チップ(以下、CMOSチップともいう)10およびMEMSチップ20のそれぞれのパッドが形成された面(主面)と反対側の面(裏面)にも設けられている。
そして、スクリーン版を用いた印刷法で、焼成後の樹脂厚さが0.1mmとなるように印刷した。その後、120℃で30分間、180℃で1時間の2段階の焼成工程を経て、厚さ0.3mmの半導体装置1Bが形成した(図20(c))。
次に、本発明の第4実施例による半導体装置を図21に示す。本実施例の半導体装置1Cは、半導体チップ10と、MEMSチップ20と、半導体チップ10とMEMSチップ20とを接着する接着層30Cと、を備えている。半導体チップ10は内部に半導体デバイス12(例えば、CMOSデバイス)を含み、上面に半導体デバイス12と電気的に接続されるパッド14が設けられている。MEMSチップ20は内部にMEMSデバイス22を含み、上面にMEMSデバイス22と電気的に接続されるパッド24が設けられている。接着層30Cは、樹脂に異なる材料定数調整剤が含まれた、接着膜32a、32b、32dからなる積層構造を有している。接着膜32dが半導体装置1Cの一番下層に設けられ、接着膜32d上に接着膜32aが設けられ、接着膜32a上に接着膜32bが設けられた構成となっている。
次に、本発明の第5実施例による半導体装置を図24に示す。本実施例の半導体装置1Cは、半導体チップ10と、MEMSチップ20と、受動部品チップ80と、これらのチップ10、20,80を接着する接着層30Dとを備えている。半導体チップ10は内部に半導体デバイス12(例えば、CMOSデバイス)を含み、上面に半導体デバイス12と電気的に接続されるパッド14が設けられている。MEMSチップ20は内部にMEMSデバイス22を含み、上面にMEMSデバイス22と電気的に接続されるパッド24が設けられている。受動部品チップ80は内部に受動部品82を含み、両側面に受動部品82と電気的に接続された端子84が設けられている。接着層30Dは、樹脂に異なる材料定数調整剤が含まれた、接着膜32d、32e、32fからなる積層構造を有している。
接着膜32dが半導体装置1Dの一番下層に設けられ、接着膜32d上に接着膜32eが設けられ、接着膜32e上に接着膜32fが設けられた構成となっている。本実施例においては、半導体チップ10およびMEMSチップ20の下に接着膜32dが設けられ、受動部品チップ80の下に接着膜32d、32eの積層膜が設けられている。
本発明の第6実施例による半導体装置を図25に示す。本実施例の半導体装置1Eは、半導体チップ10と、MEMSチップ20と、半導体チップ10とMEMSチップ20とを接着する接着層82と、を備えている。半導体チップ10は内部に半導体デバイス(例えば、CMOSデバイス)を含み、上面に半導体デバイスと電気的に接続されるパッド14が設けられている。MEMSチップ20は内部にMEMSデバイス22を含み、上面にMEMSデバイス22と電気的に接続されるパッド24が設けられている。接着層82は、樹脂に異なる材料定数調整剤が含まれた、第1接着膜83と第2接着膜84からなる積層構造を有している。第1接着膜83は感光性樹脂をパターニング後、仮焼成したもので、チップ10、20の近傍の周囲を囲むように形成されている。第2接着膜84は平均粒径10μmのシリカを主成分とするフィラー86が添加されている。本実施例の半導体装置1Eに配線層を形成した擬似SOCを図26に示す。
1A 半導体装置
1B 半導体装置
1C 半導体装置
1D 半導体装置
10 半導体チップ(CMOSチップ)
12 半導体デバイス
14 パッド
20 MEMSチップ
22 MEMSデバイス
24 パッド
30 接着層
32a 接着膜
32b 接着膜
32c 接着膜
32d 接着膜
32e 接着膜
32f 接着膜
34 エポキシ樹脂
36a フィラー
36b フィラー
36c フィラー
36d フィラー
36e フィラー
36f フィラー
50 平坦化膜
52 ビア
54 配線
80 受動部品チップ
82 受動部品
84 端子
Claims (3)
- 内部にMEMSデバイスを含み、前記MEMSデバイスと電気的に接続される第1パッドが前記MEMSデバイスの上面に形成された第1チップと、
内部に半導体デバイスを含み、前記半導体デバイスと電気的に接続される第2パッドが前記半導体デバイスの上面に形成された第2チップと、
第1樹脂に前記第1樹脂の材料定数を調整する第1材料定数調整剤が添加された第1接着膜と、第2樹脂に前記第2樹脂の材料定数を調整する第2材料定数調整剤が添加された第2接着膜とが積層された積層構造を有し、前記第1および第2接着膜の一方が少なくとも前記第1チップの側面と前記第2チップの側面とを接着する接着部と、
を備え、
前記第1樹脂と前記第2樹脂は同じ材料であり、前記第1材料定数調整剤と、前記第2材料定数調整剤は平均粒径が実質的に同一であり、前記第1接着膜に添加された前記第1材料定数調整剤の添加量と、前記第2接着膜に添加された前記第2材料定数調整剤の添加量が異なることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1および第2接着膜の他方は前記第1チップおよび前記第2チップの上面と反対側の面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1チップおよび前記第2チップの上面ならびに前記接着部の上面を覆い、前記第1パッドおよび第2パッドに接続するコンタクト孔が開口された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記第1および第2パッドに接続する配線と、
を更に備えたことを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
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