JP6785592B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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<半導体装置の構成例1>
本実施の形態では、半導体装置の構成及び作製方法の一例について、図1乃至図16を用いて説明する。
以下に、半導体装置の作製方法の一例を図1乃至図11を参照して説明する。なお、図1(A)は、上面図の一例を示す。また、図1(B)および図1(C)は、図1(A)に示す一点鎖線X1−X2、及びY1−Y2に対応する断面図である。また、図2乃至図11においても同様とする。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図12を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法1に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法1を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図13を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法1に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法1を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図14を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法1に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法1を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図15を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法1に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法1を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図16を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法1に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法1を参酌することができる。
本実施の形態では、トランジスタ100の作製方法について、図17乃至図22を用いて説明する。
以下に、半導体装置の作製方法の一例を図17乃至18を参照して説明する。なお、実施の形態1に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、実施の形態1に示すトランジスタを参酌することができる。
以下に、酸化物半導体が、積層構造を有する場合における半導体装置の作製方法の一例を図19乃至22を参照して説明する。なお、実施の形態1に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、実施の形態1に示すトランジスタを参酌することができる。
<半導体装置の変形例6>
本実施の形態では、トランジスタ100の変形例について、図23乃至図37を用いて説明する。
以下に、半導体装置の作製方法の一例を図23乃至図32を参照して説明する。なお、図23(A)は、上面図の一例を示す。また、図23(B)および図23(C)は、図23(A)に示す一点鎖線X1−X2、及びY1−Y2に対応する断面図である。また、図24乃至図32においても同様とする。なお、実施の形態1に示すトランジスタ100と、同様の機能を有する構成は実施の形態1に示すトランジスタ100と同符号を付記し、実施の形態1に示すトランジスタを参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図33を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法4に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法4を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図34を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法4に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法4を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図35を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法4に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法4を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図36を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法4に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法4を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図37を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法4に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法4を参酌することができる。
<半導体装置の変形例12>
本実施の形態では、トランジスタ100の変形例について、図38乃至図54を用いて説明する。
以下に、半導体装置の作製方法の一例を図38乃至図48を参照して説明する。なお、図38(A)は、上面図の一例を示す。また、図38(B)および図38(C)は、図38(A)に示す一点鎖線X1−X2、及びY1−Y2に対応する断面図である。また、図39乃至図48においても同様とする。なお、実施の形態1に示すトランジスタ100と、同様の機能を有する構成は実施の形態1に示すトランジスタ100と同符号を付記し、実施の形態1に示すトランジスタを参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図49を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法5に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法5を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図50および図51を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法5に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法5を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図52を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法5に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法5を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図53を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法5に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法5を参酌することができる。
以下では、トランジスタ100の変形例について、図54を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法5に示すトランジスタ100と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法5を参酌することができる。
<半導体装置の応用例1>
本実施の形態では、トランジスタ100の応用例について、図55乃至図57を用いて説明する。なお、実施の形態3および実施の形態4に示すトランジスタ100と、同様の機能を有する構成は実施の形態3および実施の形態4に示すトランジスタ100と同符号を付記し、実施の形態3および実施の形態4に示すトランジスタを参酌することができる。
<半導体装置の構成例2>
本実施の形態では、トランジスタ101およびトランジスタ102の構成について、図58乃至図80を用いて説明する。
以下に、半導体装置の作製方法の一例を図58乃至図70を参照して説明する。なお、図58(A)は、上面図の一例を示す。また、図58(B)および図58(C)は、図58(A)に示す一点鎖線X1−X2、及びY1−Y2に対応する断面図である。また、図59乃至図70においても同様とする。なお、実施の形態1に示すトランジスタ100と、同様の機能を有する構成は実施の形態1に示すトランジスタ100と同符号を付記し、実施の形態1に示すトランジスタを参酌することができる。
以下では、トランジスタ101およびトランジスタ102の変形例について、図71乃至図77を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法6に示すトランジスタ101乃至トランジスタ102と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法6を参酌することができる。
以下では、トランジスタ101およびトランジスタ102の変形例について、図78を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法6に示すトランジスタ101乃至トランジスタ102と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法6を参酌することができる。
以下では、トランジスタ101およびトランジスタ102の変形例について、図79を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法6に示すトランジスタ101乃至トランジスタ102と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法6を参酌することができる。
以下では、トランジスタ101およびトランジスタ102の変形例について、図80を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法6に示すトランジスタ101乃至トランジスタ102と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法6を参酌することができる。
以下では、トランジスタ101およびトランジスタ102の変形例について、図81を用いて説明する。なお、半導体装置の作製方法6に示すトランジスタ101乃至トランジスタ102と同符号を付記した構成要素は、半導体装置の作製方法6を参酌することができる。
<半導体装置の構成例3>
本実施の形態では、トランジスタ100の構成について、図82を用いて説明する。なお、図82(A)は、上面図の一例を示す。また、図82(B)および図82(C)は、図82(A)に示す一点鎖線X1−X2、及びY1−Y2に対応する断面図である。なお、実施の形態1に示すトランジスタ100と、同様の機能を有する構成は実施の形態1に示すトランジスタ100と同符号を付記し、実施の形態1に示すトランジスタを参酌することができる。
<半導体装置の構成例4>
本実施の形態では、トランジスタ100の構成について、図83を用いて説明する。なお、図83(A)は、上面図の一例を示す。また、図83(B)および図83(C)は、図83(A)に示す一点鎖線X1−X2、及びY1−Y2に対応する断面図である。なお、実施の形態1に示すトランジスタ100と、同様の機能を有する構成は実施の形態1に示すトランジスタ100と同符号を付記し、実施の形態1に示すトランジスタを参酌することができる。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した半導体装置の回路の一例について説明する。
図85(A)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、かつそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOSインバータの構成を示している。
図86は、図85(A)に対応する半導体装置の断面図である。図86に示す半導体装置は、トランジスタ2200と、トランジスタ2100と、を有する。また、トランジスタ2100は、トランジスタ2200の上方に配置する。なお、トランジスタ2100として、上述の実施の形態において記載したトランジスタを用いることができる。よって、トランジスタ2100については、適宜上述したトランジスタについての記載を参酌することができる。
また図85(B)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるCMOSアナログスイッチとして機能させることができる。
本発明の一態様に係るトランジスタを用いた、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図89に示す。
図90は、図89(A)に対応する半導体装置の断面図である。図90に示す半導体装置は、トランジスタ3200と、トランジスタ3300と、容量素子3400と、を有する。また、トランジスタ3300および容量素子3400は、トランジスタ3200の上方に配置する。なお、トランジスタ3300としては、上述したトランジスタ2100についての記載を参照する。また、トランジスタ3200としては、図86に示したトランジスタ2200についての記載を参照する。なお、図86では、トランジスタ2200がpチャネル型トランジスタである場合について説明したが、トランジスタ3200がnチャネル型トランジスタであっても構わない。
図89(B)に示す半導体装置は、トランジスタ3200を有さない点で図89(A)に示した半導体装置と異なる。この場合も図89(A)に示した半導体装置と同様の動作により情報の書き込みおよび保持動作が可能である。
図89(A)に示す半導体装置(記憶装置)の変形例について、図93に示す回路図を用いて説明する。
また本発明の一態様は、FPGA(Field Programmable Gate Array)などのLSIにも適用可能である。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した撮像装置の一例について説明する。
図96(A)は、本発明の一態様に係る撮像装置200の例を示す平面図である。撮像装置200は、画素部210と、画素部210を駆動するための周辺回路260と、周辺回路270、周辺回路280と、周辺回路290と、を有する。画素部210は、p行q列(pおよびqは2以上の整数)のマトリクス状に配置された複数の画素211を有する。周辺回路260、周辺回路270、周辺回路280および周辺回路290は、それぞれ複数の画素211に接続し、複数の画素211を駆動するための信号を供給する機能を有する。なお、本明細書等において、周辺回路260、周辺回路270、周辺回路280および周辺回路290などの全てを指して「周辺回路」または「駆動回路」と呼ぶ場合がある。例えば、周辺回路260は周辺回路の一部といえる。
撮像装置200が有する1つの画素211を複数の副画素212で構成し、それぞれの副画素212に特定の波長帯域の光を透過するフィルタ(カラーフィルタ)を組み合わせることで、カラー画像表示を実現するための情報を取得することができる。
以下では、シリコンを用いたトランジスタと、酸化物半導体を用いたトランジスタと、を用いて画素を構成する一例について説明する。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタや上述した記憶装置などの半導体装置を含むCPUの一例について説明する。
図101は、上述したトランジスタを一部に用いたCPUの一例の構成を示すブロック図である。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した表示装置について、図103および図104を用いて説明する。
表示装置に用いられる表示素子としては液晶素子(液晶表示素子ともいう。)、発光素子(発光表示素子ともいう。)などを用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electroluminescence)、有機ELなどを含む。以下では、表示装置の一例としてEL素子を用いた表示装置(EL表示装置)および液晶素子を用いた表示装置(液晶表示装置)について説明する。
本実施の形態においては、本発明の一態様に係るトランジスタなどを利用した電子機器について説明する。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図105に示す。
101 トランジスタ
102 トランジスタ
110 絶縁体
111 絶縁体
115 膜
120 絶縁体
120A 絶縁体
120B 絶縁体
120C 絶縁体
120D 絶縁体
120E 絶縁体
121 絶縁体
121A 絶縁体
121B 絶縁体
125 絶縁体
125A 絶縁体
125B 絶縁体
125C 絶縁体
125D 絶縁体
130 酸化物半導体
130a 酸化物半導体
130A 酸化物半導体
130b 酸化物半導体
130B 酸化物半導体
130c 酸化物半導体
130C 酸化物半導体
131 酸化物半導体
131A 酸化物半導体
131b 酸化物半導体
131c 酸化物半導体
132 酸化物半導体
132b 酸化物半導体
132c 酸化物半導体
140a 導電体
140A 導電体
140b 導電体
140B 導電体
141 導電体
141a 導電体
141b 導電体
142 導電体
142a 導電体
142b 導電体
145a 導電体
145b 導電体
150 絶縁体
150A 絶縁体
151 絶縁体
152 絶縁体
160 導電体
160A 導電体
161 導電体
162 導電体
165 導電体
170 絶縁体
170A 絶縁体
171 絶縁体
190 基板
191 レジストマスク
192 レジストマスク
193 レジストマスク
194 レジストマスク
195 レジストマスク
196 レジストマスク
200 撮像装置
201 スイッチ
202 スイッチ
203 スイッチ
210 画素部
211 画素
212 副画素
212B 副画素
212G 副画素
212R 副画素
220 光電変換素子
230 画素回路
231 配線
247 配線
248 配線
249 配線
250 配線
253 配線
254 フィルタ
254B フィルタ
254G フィルタ
254R フィルタ
255 レンズ
256 光
257 配線
260 周辺回路
270 周辺回路
280 周辺回路
290 周辺回路
291 光源
300 シリコン基板
310 層
320 層
330 層
340 層
351 トランジスタ
352 トランジスタ
353 トランジスタ
360 フォトダイオード
361 アノード
363 低抵抗領域
370 プラグ
371 配線
372 配線
373 配線
380 絶縁体
450 半導体基板
452 絶縁体
454 導電体
456 領域
460 領域
462 絶縁体
464 絶縁体
466 絶縁体
468 絶縁体
472a 領域
472b 領域
474a 導電体
474b 導電体
474c 導電体
476a 導電体
476b 導電体
478a 導電体
478b 導電体
478c 導電体
480a 導電体
480b 導電体
480c 導電体
489 絶縁体
490 絶縁体
492 絶縁体
493 絶縁体
494 絶縁体
495 絶縁体
496a 導電体
496b 導電体
496c 導電体
496d 導電体
496e 導電体
498a 導電体
498b 導電体
498c 導電体
504 導電体
507a 導電体
507b 導電体
511 絶縁体
514 導電体
515 導電体
521 ルーティングスイッチエレメント
522 ロジックエレメント
523 コンフィギュレーションメモリ
524 ルックアップテーブル
525 レジスタ
526 セレクタ
527 コンフィギュレーションメモリ
700 基板
701 絶縁体
702 絶縁体
703 半導体
704 導電体
705 導電体
706 絶縁体
707a 導電体
707b 導電体
710 絶縁体
714a 導電体
714b 絶縁体
714c 導電体
719 発光素子
720 絶縁体
721 絶縁体
731 端子
732 FPC
733a 配線
734 シール材
735 駆動回路
736 駆動回路
737 画素
741 トランジスタ
742 容量素子
743 スイッチ素子
744 信号線
750 基板
751 トランジスタ
752 容量素子
753 液晶素子
754 走査線
755 信号線
781 導電体
782 発光層
783 導電体
784 隔壁
791 導電体
792 絶縁体
793 液晶層
794 絶縁体
795 スペーサ
796 導電体
797 基板
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイクロフォン
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 接続部
916 操作キー
921 筐体
922 表示部
923 キーボード
924 ポインティングデバイス
931 筐体
932 冷蔵室用扉
933 冷凍室用扉
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 車体
952 車輪
953 ダッシュボード
954 ライト
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
4001 配線
4003 配線
4005 配線
4006 配線
4007 配線
4008 配線
4009 配線
4021 層
4022 層
4023 層
4100 トランジスタ
4200 トランジスタ
4300 トランジスタ
4400 トランジスタ
4500 容量素子
4600 容量素子
Claims (3)
- 基板上に第1の絶縁体を形成し、
前記第1の絶縁体に開口部を形成し、
前記開口部内に酸化物半導体を形成し、
前記第1の絶縁体の一部を除去することで、前記酸化物半導体の側面を露出し、且つ、前記酸化物半導体の一部を前記第1の絶縁体に埋め込まれ、
前記酸化物半導体上に、第1の導電体及び第2の導電体を形成し、
前記第1の導電体、前記第2の導電体、および前記酸化物半導体上に第2の絶縁体を形成し、
前記第2の絶縁体上に第3の導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に第1の絶縁体を形成し、
前記第1の絶縁体に開口部を形成し、
前記開口部の内壁に沿って、酸化物半導体を形成し、
前記第1の絶縁体の一部を除去することで、前記酸化物半導体の側面を露出し、且つ、前記酸化物半導体の一部を前記第1の絶縁体に埋め込まれ、
前記酸化物半導体上に、第1の導電体及び第2の導電体を形成し、
前記第1の導電体、前記第2の導電体、および前記酸化物半導体上に第2の絶縁体を形成し、
前記第2の絶縁体上に第3の導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に第1の絶縁体を形成し、
前記第1の絶縁体に開口部を形成し、
前記開口部の内壁に沿って、第1の酸化物半導体を形成し、
前記第1の酸化物半導体の一部を除去し、環状の第2の酸化物半導体を形成し、
前記第2の酸化物半導体上に第2の絶縁体を形成し、
前記第2の酸化物半導体の一部を除去し、島状の第3の酸化物半導体および島状の第4の酸化物半導体を形成し、
前記第1の絶縁体および前記第2の絶縁体の一部を除去し、前記第3の酸化物半導体および第4の酸化物半導体の側面を露出し、
前記第3の酸化物半導体および前記第4の酸化物半導体上に、第1の導電体及び第2の導電体を形成し、
前記第1の導電体、前記第2の導電体、前記第3の酸化物半導体および前記第4の酸化物半導体上に第3の絶縁体を形成し、
前記第3の絶縁体上に第3の導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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WO2020003047A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
US11289475B2 (en) * | 2019-01-25 | 2022-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
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TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
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WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
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JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
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JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
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WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
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US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
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TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
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US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
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US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
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US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
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US9391209B2 (en) * | 2010-02-05 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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KR101891065B1 (ko) | 2010-03-19 | 2018-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법 |
WO2012017843A1 (en) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
JP5626978B2 (ja) | 2010-09-08 | 2014-11-19 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
WO2012102183A1 (en) | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI570920B (zh) * | 2011-01-26 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9691772B2 (en) * | 2011-03-03 | 2017-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor |
TWI538215B (zh) | 2011-03-25 | 2016-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路 |
US8809854B2 (en) * | 2011-04-22 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5731904B2 (ja) | 2011-05-25 | 2015-06-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US8981367B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9029863B2 (en) * | 2012-04-20 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6377317B2 (ja) | 2012-05-30 | 2018-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
JP5960000B2 (ja) * | 2012-09-05 | 2016-08-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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