JP6688245B2 - 水素排出方法 - Google Patents

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Description

本発明は、電池、コンデンサ、キャパシタ、及びセンサなどの電気化学素子等に設けられる水素排出膜に関する。詳しくは、使用中に水素ガスが発生し内部圧力が上昇する電気化学素子等において、１５０℃程度以下の使用環境下において、発生した水素を外部に排出する機能を有する水素排出膜に関する。
近年、風力発電及び太陽光発電などのインバータ、蓄電池などの大型電源などの用途にアルミ電解コンデンサが使用されている。アルミ電解コンデンサは、逆電圧、過電圧、及び過電流によって内部に水素ガスが発生する場合があり、水素ガスが大量に発生すると内部圧力の上昇によって外装ケースが破裂する恐れがある。
そのため、一般のアルミ電解コンデンサには、特殊膜を備えた安全弁が設けられている。安全弁は、コンデンサ内部の水素ガスを外部に排出する機能に加え、コンデンサの内部圧力が急激に上昇した場合には自壊して内部圧力を低下させ、コンデンサ自体の破裂を防止する機能を有するものである。このような安全弁の構成部材である特殊膜としては、例えば、以下のものが提案されている。
特許文献１では、パラジュームに２０ｗｔ％（１９．８ｍｏｌ％）Ａｇを含有させたパラジューム銀（Ｐｄ−Ａｇ）の合金で構成された箔帯を備えた圧力調整膜が提案されている。
しかし、特許文献１の箔帯は、５０〜６０℃程度以下の環境下で脆化しやすく、圧力調整膜としての機能を長期間維持することができないという問題があった。また、本発明者らが検討した結果、電気化学素子の外装ケースの部品及び付属品として用いられる有機材料の一部から放出されるガスによって圧力調整膜が劣化し、水素排出機能が低下するという問題も新たに確認された。
一方、携帯電話、ノートパソコン、及び自動車等のバッテリーとして、リチウムイオン電池が幅広く使用されている。また近年、リチウムイオン電池は高容量化やサイクル特性向上に加えて、安全性への関心が高まっている。特に、リチウムイオン電池はセル内でガスが発生することが知られており、内圧上昇に伴う電池パックの膨張や破裂が懸念されている。
特許文献２には、電池内で発生した水素ガスを選択的に透過する水素選択透過性合金膜として、ジルコニウム（Ｚｒ）とニッケル（Ｎｉ）の合金からなるアモルファス合金（例えば、３６Ｚｒ−６４Ｎｉ合金）膜を用いることが開示されている。
しかし、前記アモルファス合金は、低温域（例えば、５０℃）で水素に触れると水素化物（ＺｒＨ２）を形成して脆化するため、圧力調整膜としての機能を長時間維持することができないという問題があった。
特許第４２８００１４号明細書 特開２００３−２９７３２５号公報
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、電気化学素子の使用環境温度で脆化しにくい水素排出膜、複合水素排出膜及び水素排出積層膜を提供することを目的とする。また、前記特性に加えて、有機材料から放出されるガスによって劣化しにくい水素排出膜、複合水素排出膜及び水素排出積層膜を提供することを目的とする。また、当該水素排出膜、複合水素排出膜又は水素排出積層膜を備えた電気化学素子用安全弁、当該安全弁を備えた電気化学素子を提供することを目的とする。さらに、水素排出膜、複合水素排出膜、水素排出積層膜、又は電気化学素子用安全弁を用いた水素排出方法を提供することを目的とする。
本発明は、合金を含む水素排出膜において、前記合金がＰｄ−Ａｕ合金であり、Ｐｄ−Ａｕ合金中のＡｕの含有量が１５ｍｏｌ％以上であることを特徴とする水素排出膜、に関する。
Ｐｄ−Ａｇ合金を含む水素透過膜は、膜表面で水素分子を水素原子に解離して水素原子を膜内に固溶し、固溶した水素原子を高圧側から低圧側に拡散させ、低圧側の膜表面で再び水素原子を水素分子に変換して排出する機能を有する。また、Ｐｄ−Ａｇ合金は４００〜６００℃の温度域で水素分離機能を有することが知られている。
特許文献１のＰｄ−２０ｗｔ％Ａｇ合金が、５０〜６０℃程度以下の環境下で脆化しやすくなる理由としては以下のように考えられる。Ｐｄ−２０ｗｔ％Ａｇ合金は、高温域においては水素原子を固溶してもα格子相は変化し難いが、５０〜６０℃程度以下の低温域においては、水素原子を固溶するとα格子相の一部がβ格子相に相変化し、脱水素するとβ格子相は再びα格子相に相変化する特性を有すると考えられる。そして、β格子相の格子定数はα格子相の格子定数に比べて大きいため、α格子相とβ格子相とが混在する領域（α＋β格子相）で歪みが生じる。そのため、水素固溶化−脱水素化が繰り返されると、α＋β格子相で歪み起因による破壊が起こり、Ｐｄ−２０ｗｔ％Ａｇ合金が脆化すると考えられる。
本発明者らは、Ｐｄ−Ａｇ合金の代わりに、Ａｕ含有量が１５ｍｏｌ％以上であるＰｄ−Ａｕ合金を用いて水素排出膜を形成することにより、５０〜６０℃程度以下の低温域であっても水素排出膜が脆化し難くなることを見出した。Ａｕ含有量が１５ｍｏｌ％以上であるＰｄ−Ａｕ合金は、５０〜６０℃程度以下の低温域で水素原子を固溶してもα格子相がβ格子相に相変化し難い、つまりα＋β格子相が形成され難いと考えられる。そのため、本発明のＰｄ−Ａｕ合金は、水素固溶化−脱水素化が繰り返されても脆化が起こり難いと考えられる。また、本発明者らは、Ａｕ含有量が１５ｍｏｌ％以上であるＰｄ−Ａｕ合金を含む水素排出膜は、電気化学素子の外装ケースの部品及び付属品として用いられる有機材料から放出されるガスによって劣化しにくいことを見出した。
前記水素排出膜は、Ｐｄ−Ａｕ合金中のＡｕの含有量が１５〜５５ｍｏｌ％であり、膜厚ｔ（ｍ）と膜面積ｓ（ｍ２）が下記式１を満たすことが好ましい。
〈式１〉ｔ／ｓ＜４１．１ｍ−１
電気化学素子に設けられる水素排出膜は、圧力の平方根が７６．８１Pa1/2（０．０５９bar）における水素透過量が１０ml／day以上（４．０３×１０−４mol／day以上：ＳＡＴＰに従い計算（温度２５℃、気圧１ｂａｒにおける１ｍｏｌの理想気体の体積は２４．８Ｌ））であることが求められる。本発明のＰｄ−Ａｕ合金中のＡｕの含有量が１５〜５５ｍｏｌ％である水素排出膜は、５０℃における水素透過係数が３．６×１０−１２〜２．５×１０−９（mol・m-1・sec-1・Pa-1/2）である。ここで、水素透過係数は下記式２により求められる。
〈式２〉水素透過係数＝（水素モル数×膜厚ｔ）／（膜面積ｓ×時間×圧力の平方根）
水素透過量が１０ml／day（４．０３×１０−４mol／day）かつ水素透過係数が２．５×１０−９（mol・m-1・sec-1・Pa-1/2）の場合、式２に各数値を代入すると以下のとおりである。
２．５×１０−９＝（４．０３×１０−４×膜厚ｔ）／（膜面積ｓ×８６４００×７６．８１）
２．５×１０−９＝６．０８×１０−１１×膜厚ｔ／膜面積ｓ
膜厚ｔ／膜面積ｓ＝４１．１ｍ−１
したがって、５０℃における水素透過係数が３．６×１０−１２〜２．５×１０−９（mol・m-1・sec-1・Pa-1/2）の水素透過膜を用いる場合において、水素透過量が１０ml／day以上（４．０３×１０−４mol／day以上）となる条件は、膜厚ｔ／膜面積ｓ＜４１．１ｍ−１である。
Ｐｄ−Ａｕ合金は、さらにＩＢ族及び／又はIIIＡ族の金属を含んでいてもよい。その場合、Ｐｄ−Ａｕ合金中のＡｕと前記金属との合計含有量は５５ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
本発明の複合水素排出膜は、金属層の片面又は両面に前記水素排出膜を有するものである。金属層の片面又は両面に前記水素排出膜を設けることにより、金属層が有機材料から放出されるガスによって劣化することを抑制することができる。
本発明の水素排出積層膜は、前記水素排出膜又は前記複合水素排出膜の片面又は両面に支持体を有するものである。支持体は、水素排出膜等が安全弁から脱落した場合に、電気化学素子内に落下することを防止するために設けられる。また、水素排出膜等は、電気化学素子の内部圧力が所定値以上になった時に自壊する安全弁としての機能を有する必要がある。水素排出膜等が薄膜である場合には、水素排出膜等の機械的強度が低いため、電気化学素子の内部圧力が所定値になる前に自壊するおそれがあり、安全弁としての機能を果たせない。そのため、水素排出膜等が薄膜である場合には、機械的強度を向上させるために水素排出膜等の片面又は両面に支持体を積層することが好ましい。
支持体は、平均孔径１００μｍ以下の多孔質体であることが好ましい。平均孔径が１００μｍを超えると、多孔質体の表面平滑性が低下するため、スパッタリング法等で水素排出膜等を製造する場合に、多孔質体上に膜厚の均一な水素排出膜等を形成し難くなったり、水素排出膜等にピンホール又はクラックが生じやすくなる。
支持体は、化学的及び熱的に安定である観点からポリテトラフルオロエチレン、ポリスルホン、ポリイミド、ポリアミドイミド、及びアラミドからなる群より選択される少なくとも１種のポリマーにより形成されていることが好ましい。
また、本発明は、前記水素排出膜、前記複合水素排出膜、又は前記水素排出積層膜を備えた電気化学素子用安全弁、及び当該安全弁を有する電気化学素子、に関する。電気化学素子としては、例えば、アルミ電解コンデンサ及びリチウムイオン電池などが挙げられる。
また、本発明は、前記水素排出膜、前記複合水素排出膜、前記水素排出積層膜、又は前記電気化学素子用安全弁を用いた水素排出方法、に関する。
本発明の水素排出方法においては、前記水素排出膜等を用いて１５０℃以下の環境下で水素を排出させることが好ましい。
本発明の水素排出膜、複合水素排出膜、及び水素排出積層膜は、電気化学素子の使用環境温度で脆化しにくく、しかも有機材料から放出されるガスによって劣化しにくいという特徴がある。また、本発明の水素排出膜、複合水素排出膜、及び水素排出積層膜は、電気化学素子内部で発生した水素ガスのみを速やかに外部に排出することができるだけでなく、外部から電気化学素子内部への不純物の侵入を防止することができる。また、本発明の水素排出膜、複合水素排出膜、又は水素排出積層膜を備えた安全弁は、電気化学素子の内部圧力が急激に上昇した場合には自壊して内部圧力を低下させ、電気化学素子自体の破裂を防止することができる。これら効果により、電気化学素子の性能を長期間維持することができ、電気化学素子の長寿命化を図ることができる。
本発明の水素排出積層膜の構造を示す概略断面図である。 本発明の水素排出積層膜の構造を示す概略断面図である。 実施例１で作製した水素排出膜の評価試験後の写真である。 実施例３で作製した水素排出膜の評価試験後の写真である。 実施例５で作製した水素排出膜の評価試験後の写真である。 実施例６で作製した水素排出膜の評価試験後の写真である。 比較例１で作製した水素排出膜の評価試験後の写真である。 実施例７で作製した水素排出積層膜の評価試験後の写真である。 実施例９で作製した水素排出積層膜の評価試験後の写真である。 実施例１１で作製した水素排出積層膜の評価試験後の写真である。 実施例１２で作製した水素排出積層膜の評価試験後の写真である。 比較例３で作製した水素排出積層膜の評価試験後の写真である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の水素排出膜の原料としては、Ａｕの含有量が１５ｍｏｌ％以上のＰｄ−Ａｕ合金を用いる。Ａｕの含有量が多いほど低温域で水素脆化し難くなるため、Ａｕの含有量は２５ｍｏｌ％以上であることが好ましく、より好ましくは３０ｍｏｌ％以上である。また、Ａｕの含有量が１５ｍｏｌ％以上であれば、有機材料から放出されるガスによる水素排出膜の劣化を抑制することができる。一方、Ａｕの含有量が多くなりすぎると水素透過速度が低下する傾向にあるため、Ａｕの含有量は、５５ｍｏｌ％以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｍｏｌ％以下であり、さらに好ましくは４５ｍｏｌ％以下であり、特に好ましくは４０ｍｏｌ％以下である。
また、Ｐｄ−Ａｕ合金は、本発明の効果を損なわない範囲でＩＢ族及び／又はIIIＡ族の金属を含んでいてもよく、例えば、Ａｇ及び／又はＣｕを含んでいてもよい。すなわち、Ｐｄ−Ａｕ−Ａｇの３成分を含む合金であってもよく、Ｐｄ−Ａｕ−Ｃｕの３成分を含む合金であってもよい。さらに、Ｐｄ−Ａｕ−Ａｇ−Ｃｕの４成分を含む合金であってもよい。このように、ＰｄとＡｕと他の金属を含む多成分系合金の場合、Ｐｄ−Ａｕ合金中のＡｕと他の金属との合計含有量は、５５ｍｏｌ％以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｍｏｌ％以下であり、さらに好ましくは４５ｍｏｌ％以下であり、特に好ましくは４０ｍｏｌ％以下である。
本発明の水素排出膜は、例えば、圧延法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、及びメッキ法などにより製造することができるが、膜厚の厚い水素排出膜を製造する場合には、圧延法を用いることが好ましく、膜厚の薄い水素排出膜を製造する場合には、スパッタリング法を用いることが好ましい。
圧延法は、熱間圧延であってもよく、冷間圧延のいずれの方法でもよい。圧延法は、一対又は複数対のロール（ローラー）を回転させ、ロール間に原料であるＰｄ−Ａｕ合金を、圧力をかけながら通過させることにより膜状に加工する方法である。
圧延法により得られる水素排出膜の膜厚は、５〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜３０μｍである。膜厚が５μｍ未満の場合には、製造時にピンホール又はクラックが生じやすくなったり、水素を吸蔵すると変形しやすくなる。一方、膜厚が５０μｍを超えると、水素を透過させるのに時間を要するため水素排出性能が低下したり、コスト面で劣るため好ましくない。
スパッタリング法は特に限定されず、平行平板型、枚葉型、通過型、ＤＣスパッタ、及びＲＦスパッタなどのスパッタリング装置を用いて行うことができる。例えば、Ｐｄ−Ａｕ合金ターゲットを設置したスパッタリング装置に基板を取り付けた後、スパッタリング装置内を真空排気し、Ａｒガス圧を所定値に調整し、Ｐｄ−Ａｕ合金ターゲットに所定のスパッタ電流を投入して、基板上にＰｄ−Ａｕ合金膜を形成する。その後、基板からＰｄ−Ａｕ合金膜を剥離して水素排出膜を得る。なお、ターゲットとしては、製造する水素排出膜に応じて、単一又は複数のターゲットを用いることができる。
基板としては、例えば、ガラス板、セラミックス板、シリコンウエハー、アルミニウム及びステンレスなどの金属板が挙げられる。
スパッタリング法により得られる水素排出膜の膜厚は、０．０１〜５μｍであることが好ましく、より好ましくは０．０５〜２μｍである。膜厚が０．０１μｍ未満の場合には、ピンホールが形成される可能性があるだけでなく、要求される機械的強度を得難い。また、基板から剥離する際に破損しやすく、剥離後の取り扱いも困難になる。一方、膜厚が５μｍを超えると、水素排出膜を製造するのに時間を要し、コスト面で劣るため好ましくない。
水素排出膜の膜面積は、水素透過量と膜厚を考慮して適宜調整することができるが、安全弁の構成部材として用いる場合には、０．０１〜１００ｍｍ２程度である。なお本発明において膜面積は、水素排出膜において実際に水素を排出する部分の面積であって、後述するリング状の接着剤を塗布した部分は含まない。
金属層の片面又は両面に前記水素排出膜を設けて複合水素排出膜としてもよい。
金属層を形成する金属は、単体、又は合金化することで水素透過機能を有する金属であれば特に制限されず、例えば、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｍｏ及びこれらの金属を２種以上含む合金などが挙げられる。
前記金属層は、Ｐｄ合金を含む合金層であることが好ましい。Ｐｄ合金を形成する他の金属は特に制限されないが、第１１族元素を用いることが好ましく、より好ましくはＡｇ及びＣｕからなる群より選択される少なくとも１種である。Ｐｄ合金は、第１１族元素を２０〜６５ｍｏｌ％含むことが好ましく、より好ましくは３０〜６５ｍｏｌ％であり、さらに好ましくは３０〜６０ｍｏｌ％である。また、Ａｇ含有量が２０ｍｏｌ％以上であるＰｄ−Ａｇ合金、又はＣｕ含有量が３０ｍｏｌ％以上であるＰｄ−Ｃｕ合金を含む合金層は、５０〜６０℃程度以下の低温域であっても水素によって脆化しにくいので好ましい。また、Ｐｄ合金は、本発明の効果を損なわない範囲でＩＢ族及び／又はIIIＡ族の金属を含んでいてもよい。
前記金属層は、前記水素排出膜と同様の方法で作製することができる。また、前記金属層の膜厚は、前記水素排出膜の膜厚と同程度であることが好ましい。
前記金属層の片面又は両面に前記水素排出膜を設ける方法は特に制限されないが、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、及びメッキ法などが挙げられる。また、リング状の接着剤を用いてもよい。
水素排出膜又は複合水素排出膜の片面又は両面に支持体を設けて水素排出積層膜としてもよい。特に、スパッタリング法により得られる水素排出膜等は、膜厚が薄いため、機械的強度を向上させるために水素排出膜等の片面又は両面に支持体を積層することが好ましい。
図１及び２は、本発明の水素排出積層膜１の構造を示す概略断面図である。図１（ａ）又は（ｂ）に示すように、水素排出膜２の片面又は両面にリング状の接着剤３を用いて支持体４を積層してもよく、図２（ａ）又は（ｂ）に示すように、治具５を用いて水素排出膜２の片面又は両面に支持体４を積層してもよい。
支持体４は、水素透過性であり、水素排出膜２を支持しうるものであれば特に限定されず、無孔質体であってもよく、多孔質体であってもよい。支持体４として多孔質体を用いる場合、スポンジ構造又はフィンガーボイド構造が好適である。また、支持体４は、織布、不織布であってもよい。支持体４の形成材料としては、例えば、ポリエチレン及びポリプロピレンなどのポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリスルホン及びポリエーテルスルホンなどのポリアリールエーテルスルホン、ポリテトラフルオロエチレン及びポリフッ化ビニリデンなどのフッ素樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、アラミドなどが挙げられる。これらのうち、化学的及び熱的に安定であるポリテトラフルオロエチレン、ポリスルホン、ポリイミド、ポリアミドイミド、及びアラミドからなる群より選択される少なくとも１種が好ましく用いられる。
支持体４の厚さは特に限定されないが、通常５〜１０００μｍ程度、好ましくは１０〜３００μｍである。
水素排出膜２をスパッタリング法で製造する場合、基板として支持体４を用いると、支持体４上に水素排出膜２を直接形成することができ、接着剤３又は治具５を用いることなく水素排出積層膜１を製造できるため、水素排出積層膜１の物性及び製造効率の観点から好ましい。その場合、支持体４としては、平均孔径１００μｍ以下の多孔質体を用いることが好ましく、より好ましくは平均孔径５μｍ以下の多孔質体であり、特に限外ろ過膜（ＵＦ膜）を用いることが好ましい。
本発明の水素排出膜、複合水素排出膜及び水素排出積層膜の形状は、略円形状であってもよく、三角形、四角形、五角形等の多角形であってもよい。後述する用途に応じた任意の形状にすることができる。
本発明の水素排出膜、複合水素排出膜及び水素排出積層膜は、特にアルミ電解コンデンサ又はリチウムイオン電池の安全弁の構成部材として有用である。また、本発明の水素排出膜、複合水素排出膜及び水素排出積層膜は、安全弁とは別に水素排出弁として電気化学素子に設けることも可能である。
本発明の水素排出膜、複合水素排出膜又は水素排出積層膜を用いて電気化学素子内部で発生した水素を排出する方法は特に限定されないが、例えばアルミ電解コンデンサ又はリチウムイオン電池の外装部分の一部に本発明の水素排出膜、複合水素排出膜又は水素排出積層膜を設け、これを外装内部と外部の隔膜として用いることができる。この場合、外装内部と外部は水素排出膜等によって隔離され、水素排出膜等は水素以外の気体を透過しない。外装内部で発生した水素は圧力の上昇により水素排出膜等を介して外部に排出され、外装内部は所定圧力以上に上昇することはない。
本発明の水素排出膜等は低温で脆化しないため、例えば１５０℃以下の温度、さらには１１０℃以下の温度で使用できるという利点がある。すなわち、その用途により、高温（例えば４００〜５００℃）で使用されないアルミ電解コンデンサ又はリチウムイオン電池における水素排出方法において、本発明の水素排出膜等は特に好適に用いられる。
以下に実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例によりなんら限定されるものではない。
実施例１
〔圧延法による水素排出膜（Ａｕ含有量１５ｍｏｌ％）の作製〕
インゴット中のＡｕ含有量が１５ｍｏｌ％となるようにＰｄ及びＡｕ原料をそれぞれ秤量し、水冷銅坩堝を備えたアーク溶解炉に投入し、大気圧のＡｒガス雰囲気中でアーク溶解した。得られたボタンインゴットをロール径１００ｍｍの２段圧延機を用いて厚さ５ｍｍになるまで冷間圧延して板材を得た。その後、ガラス管の中に圧延した板材を入れ、ガラス管の両端を封止した。ガラス管内部を室温で５×１０−４Ｐａまで減圧し、その後７００℃まで昇温して２４時間放置し、その後室温まで冷却した。この熱処理により、合金中のＰｄ及びＡｕの偏析を解消した。次に、ロール径１００ｍｍの２段圧延機を用いて板材を厚さ１００μｍになるまで冷間圧延し、さらにロール径２０ｍｍの２段圧延機を用いて板材を厚さ２５μｍになるまで冷間圧延した。その後、ガラス管の中に圧延した板材を入れ、ガラス管の両端を封止した。ガラス管内部を室温で５×１０−４Ｐａまで減圧し、その後５００℃まで昇温して１時間放置し、その後室温まで冷却した。この熱処理により、圧延によって生じたＰｄ−Ａｕ合金内部のひずみを除去し、厚さ２５μｍ、Ａｕ含有量１５ｍｏｌ％のＰｄ−Ａｕ水素排出膜を作製した。下記方法で水素排出膜の水素脆性を評価したところ、実用上問題ない程度の外観上の僅かな歪みが見られただけであった（図３参照）。
実施例２
〔圧延法による水素排出膜（Ａｕ含有量２０ｍｏｌ％）の作製〕
インゴット中のＡｕ含有量が２０ｍｏｌ％となるようにＰｄ及びＡｕ原料をそれぞれ使用した以外は実施例１と同様の方法で厚さ２５μｍ、Ａｕ含有量２０ｍｏｌ％のＰｄ−Ａｕ水素排出膜を作製した。下記方法で水素排出膜の水素脆性を評価したところ、歪などの外観変化は見られなかった。
実施例３
〔圧延法による水素排出膜（Ａｕ含有量３０ｍｏｌ％）の作製〕
インゴット中のＡｕ含有量が３０ｍｏｌ％となるようにＰｄ及びＡｕ原料をそれぞれ使用した以外は実施例１と同様の方法で厚さ２５μｍ、Ａｕ含有量３０ｍｏｌ％のＰｄ−Ａｕ水素排出膜を作製した。下記方法で水素排出膜の水素脆性を評価したところ、歪などの外観変化は見られなかった（図４参照）。
実施例４
〔圧延法による水素排出膜（Ａｕ含有量４０ｍｏｌ％）の作製〕
インゴット中のＡｕ含有量が４０ｍｏｌ％となるようにＰｄ及びＡｕ原料をそれぞれ使用した以外は実施例１と同様の方法で厚さ２５μｍ、Ａｕ含有量４０ｍｏｌ％のＰｄ−Ａｕ水素排出膜を作製した。下記方法で水素排出膜の水素脆性を評価したところ、歪などの外観変化は見られなかった。
実施例５
〔圧延法による水素排出膜（Ａｕ含有量５０ｍｏｌ％）の作製〕
インゴット中のＡｕ含有量が５０ｍｏｌ％となるようにＰｄ及びＡｕ原料をそれぞれ使用した以外は実施例１と同様の方法で厚さ２５μｍ、Ａｕ含有量５０ｍｏｌ％のＰｄ−Ａｕ水素排出膜を作製した。下記方法で水素排出膜の水素脆性を評価したところ、歪などの外観変化は見られなかった（図５参照）。
実施例６
〔圧延法による水素排出膜（Ａｕ含有量１５ｍｏｌ％、Ａｇ含有量１５ｍｏｌ％）の作製〕
インゴット中のＡｕ及びＡｇ含有量が各１５ｍｏｌ％となるようにＰｄ、Ａｕ及びＡｇ原料をそれぞれ使用した以外は実施例１と同様の方法で厚さ２５μｍ、Ａｕ含有量１５ｍｏｌ％及びＡｇ含有量１５ｍｏｌ％のＰｄ−Ａｕ−Ａｇ水素排出膜を作製した。下記方法で水素排出膜の水素脆性を評価したところ、歪などの外観変化は見られなかった（図６参照）。
比較例１
〔圧延法による水素排出膜（Ａｕ含有量１０ｍｏｌ％）の作製〕
インゴット中のＡｕ含有量が１０ｍｏｌ％となるようにＰｄ及びＡｕ原料をそれぞれ使用した以外は実施例１と同様の方法で厚さ２５μｍ、Ａｕ含有量１０ｍｏｌ％のＰｄ−Ａｕ水素排出膜を作製した。下記方法で水素排出膜の水素脆性を評価したところ、水素排出膜に歪が発生し実用上使用できない状態になった（図７参照）。
比較例２
〔圧延法による水素排出膜（Ａｇ含有量１９．８ｍｏｌ％）の作製〕
インゴット中のＡｇ含有量が１９．８ｍｏｌ％となるようにＰｄ及びＡｇ原料をそれぞれ秤量し、水冷銅坩堝を備えたアーク溶解炉に投入し、大気圧のＡｒガス雰囲気中でアーク溶解した。得られたボタンインゴットをロール径１００ｍｍの２段圧延機を用いて厚さ５ｍｍになるまで冷間圧延して板材を得た。その後、ガラス管の中に圧延した板材を入れ、ガラス管の両端を封止した。ガラス管内部を室温で５×１０−４Ｐａまで減圧し、その後７００℃まで昇温して２４時間放置し、その後室温まで冷却した。この熱処理により、合金中のＰｄ及びＡｇの偏析を解消した。次に、ロール径１００ｍｍの２段圧延機を用いて板材を厚さ１００μｍになるまで冷間圧延し、さらにロール径２０ｍｍの２段圧延機を用いて板材を厚さ２５μｍになるまで冷間圧延した。その後、ガラス管の中に圧延した板材を入れ、ガラス管の両端を封止した。ガラス管内部を室温で５×１０−４Ｐａまで減圧し、その後７００℃まで昇温して１時間放置し、その後室温まで冷却した。この熱処理により、圧延によって生じたＰｄ−Ａｇ合金内部のひずみを除去し、厚さ２５μｍ、Ａｇ含有量１９．８ｍｏｌ％のＰｄ−Ａｇ水素排出膜を作製した。下記方法で水素排出膜の水素脆性を評価したところ、水素排出膜に歪が発生し実用上使用できない状態になった。
実施例７
〔スパッタリング法による水素排出積層膜（Ａｕ含有量１５ｍｏｌ％）の作製〕
Ａｕ含有量が１５ｍｏｌ％であるＰｄ−Ａｕ合金ターゲットを装着したＲＦマグネトロンスパッタリング装置（サンユー電子社製）に、支持体であるポリスルホン多孔質シート（日東電工社製、孔径０．００１〜０．０２μｍ）を取り付けた。その後、スパッタリング装置内を１×１０−５Ｐａ以下に真空排気し、Ａｒガス圧１．０Ｐａにおいて、Ｐｄ−Ａｕ合金ターゲットに４．８Ａのスパッタ電流を投入して、ポリスルホン多孔質シート上に厚さ４００ｎｍのＰｄ−Ａｕ合金膜（Ａｕ含有量１５ｍｏｌ％）を形成して水素排出積層膜を作製した。下記方法で水素排出積層膜の水素脆性を評価したところ、表面にクラックは生じていなかった（図８参照）。
実施例８
〔スパッタリング法による水素排出積層膜（Ａｕ含有量２０ｍｏｌ％）の作製〕
Ａｕ含有量が２０ｍｏｌ％であるＰｄ−Ａｕ合金ターゲットを用いた以外は実施例７と同様の方法で厚さ４００ｎｍのＰｄ−Ａｕ合金膜（Ａｕ含有量２０ｍｏｌ％）を形成して水素排出積層膜を作製した。下記方法で水素排出積層膜の水素脆性を評価したところ、表面にクラックは生じていなかった。
実施例９
〔スパッタリング法による水素排出積層膜（Ａｕ含有量３０ｍｏｌ％）の作製〕
Ａｕ含有量が３０ｍｏｌ％であるＰｄ−Ａｕ合金ターゲットを用いた以外は実施例７と同様の方法で厚さ４００ｎｍのＰｄ−Ａｕ合金膜（Ａｕ含有量３０ｍｏｌ％）を形成して水素排出積層膜を作製した。下記方法で水素排出積層膜の水素脆性を評価したところ、表面にクラックは生じていなかった（図９参照）。
実施例１０
〔スパッタリング法による水素排出積層膜（Ａｕ含有量４０ｍｏｌ％）の作製〕
Ａｕ含有量が４０ｍｏｌ％であるＰｄ−Ａｕ合金ターゲットを用いた以外は実施例７と同様の方法で厚さ４００ｎｍのＰｄ−Ａｕ合金膜（Ａｕ含有量４０ｍｏｌ％）を形成して水素排出積層膜を作製した。下記方法で水素排出積層膜の水素脆性を評価したところ、表面にクラックは生じていなかった。
実施例１１
〔スパッタリング法による水素排出積層膜（Ａｕ含有量５０ｍｏｌ％）の作製〕
Ａｕ含有量が５０ｍｏｌ％であるＰｄ−Ａｕ合金ターゲットを用いた以外は実施例７と同様の方法で厚さ４００ｎｍのＰｄ−Ａｕ合金膜（Ａｕ含有量５０ｍｏｌ％）を形成して水素排出積層膜を作製した。下記方法で水素排出積層膜の水素脆性を評価したところ、表面にクラックは生じていなかった（図１０参照）。
実施例１２
〔スパッタリング法による水素排出積層膜（Ａｕ含有量１５ｍｏｌ％、Ａｇ含有量１５ｍｏｌ％）の作製〕
Ａｕ及びＡｇ含有量が各１５ｍｏｌ％であるＰｄ−Ａｕ−Ａｇ合金ターゲットを用いた以外は実施例７と同様の方法で厚さ４００ｎｍのＰｄ−Ａｕ−Ａｇ合金膜（Ａｕ及びＡｇ含有量：各１５ｍｏｌ％）を形成して水素排出積層膜を作製した。下記方法で水素排出積層膜の水素脆性を評価したところ、表面にクラックは生じていなかった（図１１参照）。
比較例３
〔スパッタリング法による水素排出積層膜（Ａｕ含有量１０ｍｏｌ％）の作製〕
Ａｕ含有量が１０ｍｏｌ％であるＰｄ−Ａｕ合金ターゲットを用いた以外は実施例７と同様の方法で厚さ４００ｎｍのＰｄ−Ａｕ合金膜（Ａｕ含有量１０ｍｏｌ％）を形成して水素排出積層膜を作製した。下記方法で水素排出積層膜の水素脆性を評価したところ、表面にクラックが生じていた。水素脆化が起こったと考えられる（図１２参照）。
比較例４
〔スパッタリング法による水素排出積層膜（Ａｇ含有量１９．８ｍｏｌ％）の作製〕
Ａｇ含有量が１９．８ｍｏｌ％であるＰｄ−Ａｇ合金ターゲットを用いた以外は実施例７と同様の方法で厚さ４００ｎｍのＰｄ−Ａｇ合金膜（Ａｇ含有量１９．８ｍｏｌ％）を形成して水素排出積層膜を作製した。下記方法で水素排出積層膜の水素脆性を評価したところ、表面にクラックが生じていた。水素脆化が起こったと考えられる。
〔評価方法〕
（水素透過係数の測定）
作製した水素排出膜又は水素排出積層膜をスウェージロック社製のＶＣＲコネクターに取り付け、片側にＳＵＳチューブを取り付け、密封された空間（６３．５ｍｌ）を作製した。チューブ内を真空ポンプで減圧後、水素ガスの圧力が０．１５ＭＰａになるように調整し、５０℃の環境下での圧力変化をモニターした。圧力変化により水素排出膜又は水素排出積層膜を透過した水素モル数がわかるため、これを下記式２に代入して水素透過係数を算出した。なお、測定に用いた水素排出膜の有効膜面積ｓは３．８５×１０−５ｍ２であり、水素排出積層膜の有効膜面積ｓは７．０７×１０−６ｍ２である。
〈式２〉水素透過係数＝（水素モル数×膜厚ｔ）／（膜面積ｓ×時間×圧力の平方根）
（水素透過性の評価）
作製した水素排出膜又は水素排出積層膜をスウェージロック社製のＶＣＲコネクターに取り付け、片側にＳＵＳチューブを取り付け、密封された空間（６３．５ｍｌ）を作製した。チューブ内を真空ポンプで減圧後、水素ガスの圧力が０．１５ＭＰａになるように調整し、１０５℃の環境下での圧力変化をモニターした。圧力変化により水素排出膜又は水素排出積層膜を透過した水素モル数（体積）がわかるため、これを１日当たりの透過量に換算したものを水素透過量とした。なお、測定に用いた水素排出膜の有効膜面積ｓは３．８５×１０−５ｍ２であり、水素排出積層膜の有効膜面積ｓは７．０７×１０−６ｍ２である。
（例）２時間で圧力が０．１５ＭＰａから０．０５ＭＰａに変化した場合（変化量０．１０ＭＰａ）、水素排出膜を透過した水素体積は６３．５ｍＬになる。よって１日当たりの水素透過量は６３．５×２４÷２＝７６２ｍＬ／ｄａｙとなる。
また、下記基準で水素透過性を評価した。
〇：１００ｍＬ／ｄａｙ以上
△：１０ｍＬ／ｄａｙ以上１００ｍＬ／ｄａｙ未満
×：１０ｍＬ／ｄａｙ未満
（圧延法で作製した水素排出膜の水素脆性の評価）
ガラス管の中に作製した水素排出膜を入れ、ガラス管の両端を封止した。ガラス管内部を５０℃で５×１０−３Ｐａまで減圧し、その後、４００℃まで昇温した。その後、ガラス管内に水素ガスを導入し、１０５ｋＰａの雰囲気下で１時間放置した。その後、ガラス管内を室温まで冷却し、ガラス管内を５×１０−３Ｐａまで真空排気（３０分）した。その後、再びガラス管内に水素ガスを導入し、１０５ｋＰａの雰囲気下で１時間放置した。上記操作を３回繰り返した後、水素排出膜をガラス管内から取り出し、水素排出膜の外観を目視にて観察した。
（スパッタリング法で作製した水素排出積層膜の水素脆性の評価）
ガラス管の中に作製した水素排出積層膜を入れ、ガラス管の両端を封止した。ガラス管内部を５０℃で５×１０−３Ｐａまで減圧した後、ガラス管内に水素ガスを導入し、１０５ｋＰａの雰囲気下で１時間放置した。その後、水素排出積層膜をガラス管内から取り出し、膜表面をＳＥＭにて観察した。
（耐腐食性Ａの評価）
密閉されたＳＵＳ缶の中にＰＶＣ切片（積水成型工業株式会社製、エスビロンシートＡ−３７０）１ｇと作製した水素排出膜又は水素排出積層膜（１５ｍｍ×１５ｍｍ）を入れて、１２５℃で１２時間熱処理を行い、ＰＶＣから発生したガスを水素排出膜又は水素排出積層膜の表面に曝露させた。その後、水素排出膜又は水素排出積層膜の水素透過量を上記と同様の方法で測定し、下記基準で耐腐食性Ａを評価した。
〇：腐食試験前後の水素透過量の保持率が５０％以上
×：腐食試験前後の水素透過量の保持率が５０％未満
（耐腐食性Ｂの評価）
３００ｍＬのセパラブルフラスコに和光純薬工業株式会社製のアジピン酸二アンモニウム２ｇとエチレングリコール１８ｇを入れ、作製した水素排出膜又は水素排出積層膜（１５ｍｍ×１５ｍｍ）をセパラブルフラスコの蓋から吊り下げた。１０５℃で１２時間熱処理を行い、２種の化合物から発生したガスを水素排出膜又は水素排出積層膜の表面に曝露させた。その後、水素排出膜又は水素排出積層膜の水素透過量を上記と同様の方法で測定し、下記基準で耐腐食性Ｂを評価した。
〇：腐食試験前後の水素透過量の保持率が５０％以上
×：腐食試験前後の水素透過量の保持率が５０％未満
本発明の水素排出膜、複合水素排出膜及び水素排出積層膜は、電池、コンデンサ、キャパシタ、及びセンサなどの電気化学素子に設けられる安全弁の構成部材として好適に用いられる。
１：水素排出積層膜
２：水素排出膜
３：接着剤
４：支持体
５：治具

Claims (6)

  1. Ａｕの含有量が１５ｍｏｌ％以上である、ＰｄとＡｕを含む合金（ただし、銀を含む合金を除く）を含む水素排出膜、金属層の片面又は両面に前記水素排出膜を有する複合水素排出膜、前記水素排出膜又は前記複合水素排出膜の片面又は両面に支持体を有する水素排出積層膜、あるいは前記水素排出膜、前記複合水素排出膜、又は前記水素排出積層膜を備えた電気化学素子用安全弁を用いて、１５０℃以下の環境下で電気化学素子内部で発生した水素を排出させる水素排出方法。
  2. 前記ＰｄとＡｕを含む合金（ただし、銀を含む合金を除く）中のＡｕの含有量が１５〜５５ｍｏｌ％であり、前記水素排出膜の膜厚ｔと膜面積ｓが下記式１を満たす請求項１記載の水素排出方法。
    〈式１〉
    ｔ／ｓ＜４１．１ｍ−１
  3. 前記ＰｄとＡｕを含む合金（ただし、銀を含む合金を除く）は、さらにＩＢ族及び／又はIIIＡ族の金属を含む請求項１又は２に記載の水素排出方法。
  4. 前記支持体は、平均孔径１００μｍ以下の多孔質体である請求項１〜３のいずれかに記載の水素排出方法。
  5. 前記支持体の原料が、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスルホン、ポリイミド、ポリアミドイミド、及びアラミドからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１〜４のいずれかに記載の水素排出方法。
  6. 前記電気化学素子が、アルミ電解コンデンサ又はリチウムイオン電池である請求項１〜５のいずれかに記載の水素排出方法。
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