JP6657537B2 - 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
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Description
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一形態にかかる半導体レーザ素子は、基板上に形成される第1回折格子と、第1回折格子の光導波方向における少なくとも片端に接続され、第1回折格子の周期の1.05倍以上又は0.95倍以下の周期を有する第2回折格子と、第1回折格子の上に形成される活性層と、を備える。
以下、添付図面を参照しながら本発明による半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。したがって、以下の実施形態の説明において他の実施形態と重複する記載は省略する。
図1は、本実施形態に係る半導体レーザ素子1の光導波方向に垂直な断面を示す図である。図2は、図1のII−II線に沿った断面図である。半導体レーザ素子1は、n型InP基板2、n型InPクラッド層3、活性層4、p型InPクラッド層5、p型InPブロック層6、n型InPブロック層7、p型InP層8、コンタクト層9、保護膜10、p型電極11、及び、n型電極12を備えている。
図16は、第2実施形態にかかる半導体レーザ素子20の断面図である。半導体レーザ素子20は、第1実施形態の半導体レーザ素子1の構成に加えて、変調領域21を更に備える。変調領域21は、第2回折格子15上に形成されており、光導波路22と、p型InPクラッド層5上に設けられたコンタクト層23と、コンタクト層23上に設けられたp型電極24とを有する。光導波路22は、量子井戸構造を有する半導体積層体である。なお、変調領域21内のn型InP基板2、p型InPクラッド層5及びn型電極12のそれぞれは、活性層4の上方又は下方に設けられたn型InP基板2、p型InPクラッド層5及びn型電極12の一部である。この半導体レーザ素子20では、p型電極24とn型電極12との間に変調電圧が印加されることにより、活性層4において発生したレーザ光が光導波路22を通過する際に変調される。なお、光導波路22は例えば以下の手法によって形成される。具体的には、最初に図8等に示される活性層4において、第2回折格子15上の該活性層4を選択的にエッチングする。そして、活性層4がエッチングされた領域に選択的に光導波路22となる積層体を形成する。光導波路22を形成した後の工程は、第1実施形態と同じである。本実施形態では変調領域21を形成するための導波路の製造方法を説明したが、変調領域21以外の用途の導波路の形成方法も、本実施形態と同様の方法で形成することができる。
図17は、第3実施形態にかかる半導体レーザ素子の製造工程のうち、ウェハ16の上に回折格子を形成する工程において、ウェハ16の主面に垂直な方向からウェハ16を見た図である。図18は、図17に示すウェハ16のうち、半導体素子になるべき部分の1つを拡大した図である。
図20は、第4実施形態にかかる半導体レーザ素子の製造工程のうち、ウェハ16の上に回折格子を形成する工程において、ウェハ16の主面に垂直な方向からウェハ16を見た図である。図21は、図20に示すウェハ16のうち、後に半導体素子になる部分の1つを拡大した図である。
図23は、第5実施形態にかかる半導体レーザ素子の製造工程のうち、ウェハ16の上に回折格子を形成する工程において、ウェハ16の主面に垂直な方向からウェハ16を見た図である。図24は、図23に示すウェハ16のうち、後に半導体素子になる部分の1つを拡大した図である。
Claims (7)
- ウェハ上に回折格子層を形成する第1工程と、
前記回折格子層上に互いに周期の異なる第1レジストパターン及び第2レジストパターンを、電子ビーム露光法を用いて連続して形成する第2工程と、
前記第1レジストパターン及び前記第2レジストパターンをマスクとし、前記回折格子層をエッチングすることによって、互いに周期の異なる第1回折格子及び第2回折格子を形成する第3工程と、
前記第1回折格子上に利得を有する活性層、及び、前記第2回折格子上に利得を有さない導波路層を形成する第4工程と、
を含み、
前記第2工程では、前記第1レジストパターンの両側に前記第2レジストパターンを形成し、
前記第2回折格子の周期は、前記第1回折格子の周期の1.05倍以上もしくは0.95倍以下であり、
前記第2回折格子側に端面を形成する第5工程をさらに含む、半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記ウェハを、前記第2回折格子が存する部分において劈開することにより、劈開面を形成する第5工程をさらに含む、請求項1に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記第2工程では、
連続して設けられる前記第1回折格子及び前記第2回折格子を少なくとも一ずつ含む複数の被露光領域を、光導波方向に沿ってそれぞれ離間するように設定し、
前記複数の被露光領域のそれぞれに対して、前記電子ビームによって露光する、請求項1又は2に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記第1回折格子、前記第2回折格子及び前記活性層を同一幅のストライプマスクを用いてエッチングすることにより、前記第1回折格子のストライプ幅以下のストライプ幅を有し、前記第1回折格子、前記第2回折格子、及び前記活性層を含むストライプ状のメサ部を形成する第6工程をさらに含み、
前記第6工程後、前記第1回折格子のストライプ幅は、前記第2回折格子のストライプ幅と同一である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 第1の幅を有するストライプ状の前記第1回折格子と、前記第2回折格子と、前記活性層とをエッチングすることにより、前記第1の幅以下のストライプ幅を有するメサストライプ構造を形成する第6工程をさらに含み、
前記第1工程では、
連続して設けられる前記第1回折格子及び前記第2回折格子を少なくとも一ずつ含む複数の被露光領域を、光導波方向に沿ってそれぞれ連結するように設定し、
前記複数の被露光領域の連結部を前記第2回折格子に重ねるように設定し、
前記第2回折格子において前記連結部と重なる部分の幅は、前記第1の幅よりも大きい、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 基板上に形成される第1回折格子と、
前記第1回折格子の光導波方向における少なくとも片端に接続され、前記第1回折格子の周期の1.05倍以上又は0.95倍以下の周期を有する第2回折格子と、
前記第1回折格子の上に形成され、利得を有する活性層と、
前記第2回折格子の上に形成され、利得を有さない導波路層と、
を備え、
前記第2回折格子は、前記第1回折格子よりも端面側に配置される、半導体レーザ素子。 - 前記第2回折格子は、前記光導波方向において前記第1回折格子の両側に配置される、請求項6に記載の半導体レーザ素子。
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