JP2016154203A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 互いに周期の異なる第１回折格子と第２回折格子とを交互に、電子ビームを用いた連続した露光法を用いて連続して、ウェハ上に形成する第１工程と、
   前記第１回折格子及び前記第２回折格子の上に活性層を形成する第２工程と、
   を含み、
   前記第２回折格子の周期は、前記第１回折格子の周期の１．０５倍以上もしくは０．９５倍以下である、
   半導体レーザ素子の製造方法。
2. 前記ウェハを、前記第２回折格子が存する部分において劈開することにより、劈開面を形成する第３工程をさらに含む、請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
3. 前記第１工程では、
   連続して設けられる前記第１回折格子及び前記第２回折格子を少なくとも一ずつ含む複数の被露光領域を、光導波方向に沿ってそれぞれ離間するように設定し、
   前記複数の被露光領域のそれぞれに対して、前記電子ビームによって露光する、請求項１又は２に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
4. 前記第１回折格子、前記第２回折格子及び前記活性層をエッチングすることにより、前記第１回折格子のストライプ幅以下のストライプ幅を有し、前記第１回折格子、前記第２回折格子、及び前記活性層を含むストライプ状のメサ部を形成する第４工程をさらに含み、
   前記第４工程後、前記第１回折格子、前記第２回折格子、及び前記活性層のそれぞれのストライプ幅は一定である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
5. 第１の幅を有するストライプ状の前記第１回折格子と、前記第２回折格子と、前記活性層とをエッチングすることにより、前記第１の幅以下のストライプ幅を有するメサストライプ構造を形成する第４工程をさらに含み、
   前記第１工程では、
   連続して設けられる前記第１回折格子及び前記第２回折格子を少なくとも一ずつ含む複数の被露光領域を、光導波方向に沿ってそれぞれ連結するように設定し、
   前記複数の被露光領域の連結部を前記第２回折格子に重ねるように設定し、
   前記第２回折格子において前記連結部と重なる部分の幅は、前記第１の幅よりも大きい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
6. ストライプ状に形成される第３回折格子と、前記第３回折格子のストライプ幅より広い幅を有する第４回折格子と、を電子ビーム露光法を用いて連続して、ウェハ上に形成する工程と、
   前記第３回折格子及び前記第４回折格子の上に活性層を形成する工程と、
   前記第３回折格子、前記第４回折格子及び前記活性層をエッチングすることにより、前記第３回折格子のストライプ幅以下のストライプ幅を有するストライプ状のメサ部を形成する工程と、
   を含む、半導体レーザ素子の製造方法。
7. 基板上に形成される第１回折格子と、
   前記第１回折格子の光導波方向における少なくとも片端に接続され、前記第１回折格子の周期の１．０５倍以上又は０．９５倍以下の周期を有する第２回折格子と、
   前記第１回折格子及び前記第２回折格子の上に形成される活性層と、
   を備える、半導体レーザ素子。
8. 前記第１回折格子および前記第２回折格子のストライプ幅が一定のストライプ状のメサを有する、請求項７に記載の半導体レーザ素子。