JP4552894B2 - 分布帰還型半導体レーザを作製する方法 - Google Patents
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Description
図1は、分布帰還型半導体レーザを作製するために用いる半導体ウエハを示す図面である。半導体ウエハ11は、例えばIII−V化合物半導体からなる主面11aを有している。このIII−V化合物半導体としては、例えばGaAs、InP等やGaN等の窒素を含む化合物半導体等が用いられる。好ましくは、半導体ウエハ11は、GaAs基板、InP基板といったIII−V化合物半導体ウエハである。主面11a上には、引き続いて説明される分布帰還型半導体レーザを作製する方法の説明に用いられる行R1、R2、R3〜Rm、および列C1、C2、C3〜Cnが示されている。分布帰還型半導体レーザの半導体製造では、半導体チップを行および列に配列するように所定の処理を半導体基板に施していき、多数の分布帰還型半導体レーザを作製する。必要な場合には、半導体ウエハ11上にバッファ層等を成長して基板を作製することができる。引き続く説明では、基板21を用いて分布帰還型半導体レーザを作製する。
図2(A)および図2(B)に従って、分布帰還型半導体レーザを作製する方法の工程を行う。電子ビーム(EB)描画装置を用いてEBレジスト膜33に電子ビームを照射して、回折格子のためのパターンを描画する。
Claims (6)
- 分布帰還型半導体レーザを作製する方法であって、
分布帰還型半導体レーザのための回折格子のパターンの描画を第1のIII−V化合物半導体領域上において電子ビーム描画法を用いて行う工程と、
前記第1のIII−V化合物半導体領域上において描画位置を移動することおよび該描画位置において前記描画を行うことを繰り返して、回折格子のための複数のパターンを含む描画パターンを形成する工程と、
前記描画パターンを形成した後に、第2のIII−V化合物半導体領域を前記第1のIII−V化合物半導体領域に形成する工程と、
前記第2のIII−V化合物半導体領域を形成した後に、前記分布帰還型半導体レーザのためのオーミック電極およびパッド電極を形成して複数の分布帰還型半導体レーザを含む基板を形成する工程と、
前記基板の切断を行って個々の分布帰還型半導体レーザのための半導体チップを作製する工程と、
を含み、
前記回折格子のためのパターンの各々は所定の軸の方向に伸びる周期構造を含み、
前記パターンは互いに重なることなく離れており、
前記複数のパターンは、複数の行および複数の列に配列されており、
前記複数の行の各々は当該行の方向に伸びる第1の基準線を含んでおり、
前記複数の列の各々は当該列の方向に伸びる第2の基準線を含んでおり、
前記回折格子のためのパターンは前記第1の基準線と前記第2の基準線との交差点にそれぞれ配置されており、
各パターンの前記周期構造は一端および他端を含み、
前記行内の一の回折格子のためのパターンの一端および他端は、当該行内の別の回折格子のためのパターンの一端および他端から離れており、
前記第1および第2のIII−V化合物半導体領域は、前記複数の行及び前記複数の列に配列された複数の回折格子構造を含み、
前記第1の基準線に交差する方向に伸びる第1の切断面と該第1の切断面の反対側の第2の切断面には、各回折格子構造の第1および第2の切断端がそれぞれ現れている、ことを特徴とする方法。 - 分布帰還型半導体レーザを作製する方法であって、
分布帰還型半導体レーザのための回折格子のパターンの描画を第1のIII−V化合物半導体領域上において電子ビーム描画法を用いて行う工程と、
前記第1のIII−V化合物半導体領域上において描画位置を移動することおよび該描画位置において前記描画を行うことを繰り返して、回折格子のための複数のパターンを含む描画パターンを形成する工程と、
を含み、
前記回折格子のためのパターンの各々は所定の軸の方向に伸びる周期構造を含み、
前記パターンは互いに重なることなく離れており、
前記複数のパターンは、複数の行および複数の列に配列されており、
前記複数の行の各々は当該行の方向に伸びる第1および第2の基準線を含んでおり、
前記複数の列の内の偶数番目の列は当該列の方向に伸びる第3の基準線を含んでおり、
前記複数の列の内の奇数番目の列は当該列の方向に伸びる第4の基準線を含んでおり、
前記複数の回折格子のためのパターンは、前記第1の基準線と前記第3の基準線との交差点および前記第2の基準線と前記第4の基準線との交差点にそれぞれ配置されており、
各パターンの前記周期構造は一端および他端を含み、
各行の前記第1の基準線上の一の回折格子のためのパターンの一端および他端は、当該第1の基準線上の別の回折格子のためのパターンの一端および他端から離れており、
各列の前記第3の基準線上の一の回折格子のためのパターンは、各列の前記第4の基準線上の一の回折格子のためのパターンの一端と、当該第4の基準線上に位置しており該一の回折格子のためのパターンの隣の回折格子のためのパターンの一端との間に位置しており、
各列の前記第3の基準線上の一の回折格子のためのパターンは、各列の前記第4の基準線上の一の回折格子のためのパターンの他端と、該一の回折格子のためのパターンの隣の回折格子のためのパターンの他端との間に位置しており、
各行の前記第2の基準線上の一の回折格子のためのパターンの一端および他端は、当該第2の基準線上の別の回折格子のためのパターンの一端および他端から離れている、ことを特徴とする方法。 - 前記描画パターンを形成した後に、第2のIII−V化合物半導体領域を前記第1のIII−V化合物半導体領域に形成する工程と、
前記第2のIII−V化合物半導体領域を形成した後に、前記分布帰還型半導体レーザのためのオーミック電極およびパッド電極を形成して複数の分布帰還型半導体レーザを含む基板を形成する工程と
をさらに備え、
前記第1および第2のIII−V化合物半導体領域は、前記複数の行及び前記複数の列に配列された複数の回折格子構造を含み、
前記パッド電極は、前記第1の基準線と前記第4の基準線との交差点および前記第2の基準線と前記第3の基準線との交差点にそれぞれ配置されている、ことを特徴とする請求項2に記載された方法。 - 前記基板の切断を行って個々の分布帰還型半導体レーザのための半導体チップを作製する工程を含み、
前記複数の回折格子構造の内の第1の回折格子構造は、各行において前記第1の基準線に沿って伸びており、
前記複数の回折格子構造の内の第2の回折格子構造は、各行において前記第2の基準線に沿って伸びており、
前記第1および第2の基準線に交差する方向に伸びる切断面には、前記第1の回折格子構造の内の一の回折格子構造の切断端と前記第2の回折格子構造の内の一の回折格子構造の切断端とが現れている、ことを特徴とする請求項3に記載された方法。 - 前記第1のIII−V化合物半導体領域は活性層を含む、ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載された方法。
- 前記第2のIII−V化合物半導体領域は活性層を含む、ことを特徴とする請求項1、3及び4のいずれか一項に記載された方法。
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