JP2010278278A - 光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体混晶からなる基板1と、基板1の上に積層される下部クラッド層4と、下部クラッド層4の上に積層される活性層2と、活性層2の上に積層される上部クラッド層3とを備える光半導体装置において、上部クラッド層3には光を導波する光導波層3aを形成し、上部クラッド層3の光導波層3aの両脇には列状に孔5を形成した。
【選択図】図1
Description
半導体混晶からなる基板と、
前記基板の上に積層される下部クラッド層と、
前記下部クラッド層の上に積層される活性層と、
前記活性層の上に積層される上部クラッド層と
を備える光半導体装置において、
前記上部クラッド層には光を導波する光導波層が形成され、
前記上部クラッド層の前記光導波層の脇には列状に孔が形成されている
ことを特徴とする。
前記孔は光の波長程度の周期で形成されている
ことを特徴とする。
前記孔は絶縁体で埋められている
ことを特徴とする。
図1に示すように、本実施例に係る光半導体装置は、半導体混晶からなる基板1と、下部クラッド層4と、量子井戸層、バリア層及び回折格子形成層を含む活性層2と、上部クラッド層3と、上部クラッド層3に形成された光を導波する光導波層3aと、上部クラッド層3の光導波層3aの両脇に列状に形成した孔5とを備えている。なお、本実施例においては、孔5は、ある孔5の中心からその隣の孔5の中心までの距離が光の波長程度となる周期で形成するものとした。
はじめに、基板1上に、下部クラッド層4、活性層2、上部クラッド層3の順に結晶成長させる。
次に、上部クラッド層3をウェットエッチング又はドライエッチングすることにより光導波層(メサ)3aを形成し、同じくウェットエッチング又はドライエッチングにより回折格子のための孔5を形成する。
次に、スパッタリングにより絶縁膜を表面につけて孔5を埋めた後、電極形成プロセス後、へき開により長さ100〜1000μmの半導体レーザを作製して完成となる。
図3に示すように、本実施例に係る光半導体装置は、孔5が複数列形成されている。なお、本実施例に係る光半導体装置は、孔5が複数列形成されている以外は、第1の実施例と同様の構造である。本実施例に係る光半導体装置によれば、第1の実施例の効果に加え、結合係数をより大きくすることができるという効果が得られる。
図4に示すように、本実施例に係る光半導体装置は、櫛形の孔5aが形成されている。なお、本実施例に係る光半導体装置は、櫛形の孔5aが形成されている以外は、第1の実施例と同様の構造である。本実施例に係る光半導体装置によれば、第1の実施例の効果に加え、製造が容易になるという効果が得られる。
図5に示すように、本実施例に係る光半導体装置は、光導波層3aの両脇に列状に形成した孔5のうち、1つだけ大きさの異なる孔5bが形成されている。なお、本実施例に係る光半導体装置は、光導波層3aの両脇の孔5のうち、1つだけ大きさの異なる孔5bが形成されている以外は、第1の実施例と同様の構造である。
本実施例においては、第1の実施例に係る光半導体装置における回折格子結合定数を安定化し、ウェハ内で統一させることができる方法について説明する。
はじめに、第1の上部クラッド層8は、第1の実施例と同様にドライエッチングとウェットエッチングとの組み合わせによりメサストライプ形状に加工する。このときのメサ加工の最終工程においては、第1の上部クラッド層8はエッチングすることができ、第1のエッチングストップ層6はエッチングしないような選択エッチャントを用いる。
次に、ドライエッチングにより加工された第1のエッチングストップ層6をエッチングマスクとして、第2の上部クラッド層9をウェットエッチングする。
2 活性層
3 上部クラッド層
3a 光導波層
4 下部クラッド層
5 孔
5a 大きさの異なる孔
5b 櫛形の孔
6 第1のエッチングストップ層
7 第2のエッチングストップ層
8 第1の上部クラッド層
9 第2の上部クラッド層
Claims (3)
- 半導体混晶からなる基板と、
前記基板の上に積層される下部クラッド層と、
前記下部クラッド層の上に積層される活性層と、
前記活性層の上に積層される上部クラッド層と
を備える光半導体装置において、
前記上部クラッド層には光を導波する光導波層が形成され、
前記上部クラッド層の前記光導波層の脇には列状に孔が形成されている
ことを特徴とする光半導体装置。 - 前記孔は光の波長程度の周期で形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。 - 前記孔は絶縁体で埋められている
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光半導体装置。
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