JP2009111228A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1のクラッド層12と、第1のガイド層13と、活性層14と、第2のガイド層15と、第2のクラッド層16とが順に積層され、前記第1のクラッド層12と前記第2のクラッド層16との間に光導波路となる層13,14,15が構成されるとともに、当該光導波路となる層13,14,15が基本モードの光の他に高次モードの光をも導波する厚さに形成されている半導体レーザ装置1において、前記光導波路となる層13,14,15の構成層として、前記高次モードの光のみの発振を抑制する位置に、当該高次モードの光を吸収する吸収層20を形成する。
【選択図】図1
Description
図2は、本発明に係る半導体レーザ装置における積層構造の屈折率分布および光強度分布の具体例を示す説明図である。
また、図中における左側に縦軸には、屈折率の値を示している。さらに詳しくは、波長が940nmの光に対する屈折率の値を示している。
したがって、これら各軸の間の対応関係(図中における実線参照)は、積層構造を構成する各層の積層方向における屈折率分布を特定することになる。具体的には、例えば、p+GaAs膜からなるコンタクト層17の屈折率が3.549973(図中a参照)、p−(Al0.2Ga0.8)0.51In0.49P膜からなるp−クラッド層16の屈折率は3.25451(図中b参照)、p−Ga0.51In0.49P膜からなるp−ガイド層15の屈折率は3.446432(図中c参照)、i−In0.08Ga0.92As膜からなる活性層14の屈折率は3.63421(図中d参照)、n−Ga0.51In0.49P膜からなるn−ガイド層13の屈折率は3.446432(図中e参照)、n−(Al0.2Ga0.8)0.51In0.49P膜からなるn−クラッド層12の屈折率は3.25451(図中f参照)である、といった具合である。
ただし、LOC構造の半導体レーザ装置1では、光導波路となる層部分が極めて厚く構成されており、当該層部分が基本モードの光の他に高次モードの光をも導波し得ることから、各層の積層方向における相対光強度分布も、基本モードの光についてのもの(図中における破線参照)と、高次モードの光についてのもの(図中における一点鎖線参照)とが存在し得る。
一方、高次モードの光は、LOC構造に特有のもの、すなわち光導波路となる層部分の合計厚が極めて厚く構成されていることから生じ得るもので、各層の積層方向における光強度分布が複数のピークを有した曲線を描くとともに、そのピーク位置の一つが活性層14の位置と一致するようになっている。さらに具体的には、図例のように、三つのピークを有した曲線を描き、そのうちの中央に位置するピーク位置が活性層14の位置と一致する。なお、ここでは、複数のピークを有していても、そのうちの一つが活性層14の位置と一致しないもの、例えば二つのピークを有した一次モードの光や四つのピークを有した三次モードの光等については、高次モードの光には該当しないものとする。また、図例では、高次モードの光の一具体例として、三つのピークを有した二次モードの光を挙げているが、光導波路となる層部分の合計厚によっては、五つ以上の奇数のピーク位置を有するもの(四次モードの光等)もあり得る。
図3は光の発振波長と等価屈折率との関係の一具体例を示す説明図であり、図4は光の発振波長と回折格子周期との関係の一具体例を示す説明図である。
また、回折格子周期が光の波長に近い場合、その波長の光を強く反射することになるが、その波長はブラッグ波長と呼ばれる。そして、ブラッグ波長をλ、回折格子周期を∧、等価屈折率をneffとすると、ブラッグ波長λは、λ=2×∧×neffという数式によって特定される。
これらのことは、図3に示すように、基本モードの光と高次モードの光とで、ブラッグ波が互いに異なることを意味する。
したがって、吸収層20における回折格子周期を、基本モードのブラッグ波長が利得のピークに合うようにしておくと、高次モードでは十分な発振利得が得られないが、基本モードについては発振を促進することになる。
一方、高次モードの光については、当該高次モードが仮に端面の反射の効果のみで発振利得ピーク付近にてファブリペローモードで発振しようとしたとしても、定在波の腹節とは関係のない位置に吸収層がくるため、相対的に大きな吸収が生じるようになり、その結果として高次モード発振が抑えられることになる。
図5は、半導体レーザ装置の製造手順の一例を示す説明図である。
回折格子状の吸収層20を備える半導体レーザ装置1の製造にあたっては、先ず、図5(a)に示すように、基板11上に、n−クラッド層12、n−ガイド層13、活性層14、p−ガイド層15および吸収層20を、例えば結晶成長を利用して、順に成膜する。このとき、吸収層20は、ベタ膜状に形成すればよい。
ベタ膜状の吸収層20を形成したら、その後は、図5(b)に示すように、当該吸収層20に対して、上述したスリット周期の回折格子を、例えばエッチングにより作製する。このときに用いる回折格子エッチング用レジストパターンの作製は、例えば、He−Cdレーザ光等をレンズで広げて平面光とした光を二手に分け、ウエハ面上で合波し干渉縞を形成することにより周期構造を形成する二光束干渉露光法を利用して行うことが考えられる。
そして、回折格子状の吸収層20の形成後は、その吸収層20埋め込むように、p−ガイド層15、p−クラッド層16およびコンタクト層17を、例えば結晶成長を利用して、順に成膜する。以上のような製造手順を経ることで、図1に示した積層構造を有してなる半導体レーザ装置1が得られることになる。
Claims (2)
- 第1のクラッド層と、第1のガイド層と、活性層と、第2のガイド層と、第2のクラッド層とが順に積層され、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に光導波路となる層が構成されるとともに、当該光導波路となる層が基本モードの光の他に高次モードの光をも導波する厚さに形成されている半導体レーザ装置において、
前記光導波路となる層の構成層として、前記高次モードの光のみの発振を抑制する位置に、当該高次モードの光を吸収する吸収層が形成されている
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記吸収層は、前記基本モードの光の発振波長に対応する周期の回折格子状に形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。
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