JP2009111229A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009111229A JP2009111229A JP2007283157A JP2007283157A JP2009111229A JP 2009111229 A JP2009111229 A JP 2009111229A JP 2007283157 A JP2007283157 A JP 2007283157A JP 2007283157 A JP2007283157 A JP 2007283157A JP 2009111229 A JP2009111229 A JP 2009111229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- semiconductor laser
- mode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】第1のクラッド層12と、第1のガイド層13と、活性層14と、第2のガイド層15と、第2のクラッド層16とが順に積層され、前記第1のクラッド層12と前記第2のクラッド層16との間に光導波路となる層13,14,15が構成されるとともに、当該光導波路となる層13,14,15が基本モードの光の他に高次モードの光をも導波する厚さに形成されている半導体レーザ装置1において、各層による積層構造が劈開されてなる劈開面のうち、少なくとも光の出射側における劈開面に、当該劈開面を覆う端面コート膜20aを形成する。そして、前記端面コート膜20aは、前記基本モードの光に対する反射率が前記高次モードの光に対する反射率よりも大きくなる膜厚で形成する。
【選択図】図1
Description
図2は、本発明に係る半導体レーザ装置における積層構造の屈折率分布および光強度分布の具体例を示す説明図である。
また、図中における左側に縦軸には、屈折率の値を示している。さらに詳しくは、波長が940nmの光に対する屈折率の値を示している。
したがって、これら各軸の間の対応関係(図中における実線参照)は、積層構造を構成する各層の積層方向における屈折率分布を特定することになる。具体的には、例えば、p+GaAs膜からなるコンタクト層17の屈折率が3.549973(図中a参照)、p−(Al0.2Ga0.8)0.51In0.49P膜からなるp−クラッド層16の屈折率は3.25451(図中b参照)、p−Ga0.51In0.49P膜からなるp−ガイド層15の屈折率は3.446432(図中c参照)、i−In0.08Ga0.92As膜からなる活性層14の屈折率は3.63421(図中d参照)、n−Ga0.51In0.49P膜からなるn−ガイド層13の屈折率は3.446432(図中e参照)、n−(Al0.2Ga0.8)0.51In0.49P膜からなるn−クラッド層12の屈折率は3.25451(図中f参照)である、といった具合である。
ただし、LOC構造の半導体レーザ装置1では、光導波路となる層部分が極めて厚く構成されており、当該層部分が基本モードの光の他に高次モードの光をも導波し得ることから、各層の積層方向における相対光強度分布も、基本モードの光についてのもの(図中における破線参照)と、高次モードの光についてのもの(図中における一点鎖線参照)とが存在し得る。
一方、高次モードの光は、LOC構造に特有のもの、すなわち光導波路となる層部分の合計厚が極めて厚く構成されていることから生じ得るもので、各層の積層方向における光強度分布が複数のピークを有した曲線を描くとともに、そのピーク位置の一つが活性層14の位置と一致するようになっている。さらに具体的には、図例のように、三つのピークを有した曲線を描き、そのうちの中央に位置するピーク位置が活性層14の位置と一致する。なお、ここでは、複数のピークを有していても、そのうちの一つが活性層14の位置と一致しないもの、例えば二つのピークを有した一次モードの光や四つのピークを有した三次モードの光等については、高次モードの光には該当しないものとする。また、図例では、高次モードの光の一具体例として、三つのピークを有した二次モードの光を挙げているが、光導波路となる層部分の合計厚によっては、五つ以上の奇数のピーク位置を有するもの(四次モードの光等)もあり得る。
図3は、端面コート膜の膜厚と当該端面コート膜における光反射率との関係の一具体例を示す説明図である。図例は、屈折率3.55のGaAs膜に屈折率1.63のAl2O3単層膜からなる端面コート膜を成膜した場合の反射率の膜厚依存性を、発振波長940nmの光が垂直入射する場合とs偏光で斜入射(入射角45度)する場合とについて計算した結果を示している。
ただし、Fコート膜20aの膜厚は、膜厚均一性確保という観点からは薄過ぎても良くないし、また成膜容易性や高効率等の確保という観点からは厚過ぎても良くない。さらには、反射率変化を示し曲線が急峻な箇所は、成膜時の膜厚バラツキに対する反射率変化が大きくなるため、避けるべきである。これらのことを考慮すると、図3中の矢印Aで示す膜厚は、Fコート膜20aの膜厚として好ましい具体例の一つであるといえる。
Claims (1)
- 第1のクラッド層と、第1のガイド層と、活性層と、第2のガイド層と、第2のクラッド層とが順に積層され、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層との間に光導波路となる層が構成されるとともに、当該光導波路となる層が基本モードの光の他に高次モードの光をも導波する厚さに形成されている半導体レーザ装置において、
各層による積層構造が劈開されてなる劈開面のうち、少なくとも光の出射側における劈開面に、当該劈開面を覆う端面コート膜が形成されているとともに、
前記端面コート膜は、前記基本モードの光に対する反射率が前記高次モードの光に対する反射率よりも大きくなる膜厚で形成されている
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007283157A JP2009111229A (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007283157A JP2009111229A (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009111229A true JP2009111229A (ja) | 2009-05-21 |
Family
ID=40779389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007283157A Pending JP2009111229A (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009111229A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61134094A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-21 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
JPH05264919A (ja) | 1992-01-10 | 1993-10-15 | Eastman Kodak Co | 均一拡散反射率光学ミラー及びライトビーム走査装置 |
JPH10104163A (ja) | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Hoechst Ind Kk | 水中の有機物質を検出するための光学的センサ |
JP2001077457A (ja) | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2001337441A (ja) | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | ホトマスク、ホトマスクブランク及び前記ホトマスクを用いた半導体ウェハの露光方法 |
-
2007
- 2007-10-31 JP JP2007283157A patent/JP2009111229A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61134094A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-21 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
JPH05264919A (ja) | 1992-01-10 | 1993-10-15 | Eastman Kodak Co | 均一拡散反射率光学ミラー及びライトビーム走査装置 |
JPH10104163A (ja) | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Hoechst Ind Kk | 水中の有機物質を検出するための光学的センサ |
JP2001077457A (ja) | 1999-09-08 | 2001-03-23 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2001337441A (ja) | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | ホトマスク、ホトマスクブランク及び前記ホトマスクを用いた半導体ウェハの露光方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6012001381; Goetz Erbert, Gert Beister, Ralf Hulsewede, Arne Knauer et al.: 'High-Power Highly Reliable Al-Free 940-nm Diode Lasers' IEEE JOURNAL ON SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS VOL.7, NO.2, 2001, p.143-p.148, IEEE * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4574009B2 (ja) | 横方向の光閉じ込めを低減した側部反導波型高出力半導体 | |
JP4746664B2 (ja) | 近接場光発生素子および光アシスト磁気記録素子 | |
JP7137556B2 (ja) | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール、溶接用レーザ光源システム、及び、半導体レーザ装置の製造方法 | |
JP2012526375A (ja) | 大出力パワー用の横結合を持つdfbレーザダイオード | |
JP2008021705A (ja) | 自励発振型半導体レーザとその製造方法 | |
JP2009295680A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2010123630A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
WO2008010374A1 (fr) | Dispositif laser semi-conducteur | |
JP2018085468A (ja) | 半導体レーザ、光源ユニット及びレーザ光照射装置 | |
JP2008047692A (ja) | 自励発振型半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP7406487B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2007227560A (ja) | 利得結合型分布帰還型半導体レーザ | |
JP2011523209A (ja) | ダイオードレーザ、複合ダイオードレーザ、および複合半導体光増幅器 | |
JP2013074002A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP7361728B2 (ja) | 量子井戸オフセットおよび効率的な単一モードレーザ発光を速軸に沿って有する大光共振器(loc)レーザダイオード | |
JP2009111228A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2012099738A (ja) | 窒化物半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
US5555544A (en) | Tapered semiconductor laser oscillator | |
US7095769B2 (en) | Semiconductor laser diode with higher-order mode absorption layers | |
JP2009111229A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2021073725A (ja) | 半導体レーザ、光源ユニット及びレーザ光照射装置 | |
JP2011151238A (ja) | 多重横モードレーザ | |
JP7402222B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2013243291A (ja) | Soaを備えた波長可変レーザ | |
JP4274393B2 (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100811 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101025 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120308 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130227 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130306 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130524 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131209 |