JP2014022672A - 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板上に、n型の下部DBR(半導体多層膜反射鏡)102、共振器延長領域104、キャリアブロック層105、活性領域106、電流狭窄層110、上部DBR108を含んで構成される。共振器延長領域104は、n型の半導体材料から構成され、かつ、選択された縦モードTmの定在波の少なくとも1つの節の位置に光学的損失を与える層120を含む。
【選択図】図4
Description
請求項2は、前記光学的損失を与える層は、前記共振器延長領域において相対的に不純物濃度が高い半導体層である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項3は、前記光学的損失を与える層は、前記共振器延長領域の非選択とされる縦モードの定在波の腹の位置に形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項4は、面発光型半導体レーザはさらに、前記共振器延長領域と前記活性領域との間に、相対的にバンドギャップの大きいキャリアブロック層を含む、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項5は、前記光学的損失を与える層は、前記共振器延長領域において一定間隔で複数形成される、請求項1ないし4いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項6は、発振波長をλ、光学的損失を与える層の屈折率をnとしたき、前記光学的損失を与える層の膜厚は、λ/4nである、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項7は、第1の半導体多層膜反射鏡、前記共振器延長領域、前記活性領域および第2の半導体多層膜反射鏡によって規定される共振器の長さが発振波長よりも大きく、かつ前記共振器の反射帯域内に複数の共振波長を含み、前記複数の共振波長の中から1つの共振波長が縦モードとして選択される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項8は、前記基板上には、柱状構造が形成され、前記柱状構造内には前記活性領域と近接して電流狭窄層が形成され、前記電流狭窄層は、前記柱状構造の側面から選択的に酸化された酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた導電領域とを含む、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項9は、前記光学的損失を与える層の膜厚は、前記電流狭窄層の膜厚に等しい、請求項8に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項10は、前記共振器延長領域を構成する半導体材料の組成は、前記光学的損失を与える層を構成する半導体材料の組成と前記光学的損失を与える層以外の層を構成する半導体材料の組成とが等しい、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項11は、前記共振器延長領域を構成する半導体材料の組成は、前記光学的損失を与える層を構成する半導体材料の組成と前記光学的損失を与える層以外の層を構成する半導体材料の組成とが異なり、前記光学的損失を与える層は、発振波長を吸収する半導体材料の組成である、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項12は、請求項1ないし11いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材と、を備えた面発光型半導体レーザ装置。
請求項13は、請求項11に記載された面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、を備えた光伝送装置。
請求項14は、請求項1ないし11いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、を有する情報処理装置。
請求項2、11によれば、非選択とされる縦モードの定在波に損失を与えることができる。
請求項3によれば、非選択とされる縦モードの定在波の強度がある部分に損失を与えることができる。
請求項4によれば、選択された縦モードの高出力化を図ることができる。
請求項5によれば、光学的損失を与える層が単一であるときよりも損失を大きくすることができる。
請求項6によれば、選択された縦モードの定在波において、光強度分布が半分以下の領域で損失を与えることができる。
請求項8、9によれば、縦モード間のスイッチングが抑制された高光出力の面発光型半導体レーザを提供することができる。
請求項10によれば、共振器延長領域の製造を容易に行うことができる。
請求項12ないし14によれば、縦モード間のスイッチングが抑制された面発光型半導体レーザを利用した面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置を提供することができる。
100:基板
102:下部DBR
104:共振器延長領域
105:キャリアブロック層
106:活性領域
106A:下部スペーサ層
106B:活性層
106C:上部スペーサ層
108:上部DBR
110:電流狭窄層
110A:酸化領域
110B:導電領域
112:p側電極
112A:光出射口
114:n側電極
120:光学的損失を与える層
Claims (14)
- 基板上に、相対的に屈折率が高い高屈折率層と屈折率が低い低屈折率層の対を積層した第1の半導体多層膜反射鏡、活性領域、および相対的に屈折率が高い高屈折率層と屈折率が低い低屈折率層の対を積層した第2の半導体多層膜反射鏡を有する面発光型半導体レーザであって、
第1の半導体多層膜反射鏡と前記活性領域との間、または第2の半導体多層膜反射鏡と前記活性領域との間に形成され、発振波長よりも光学的膜厚が大きくかつ共振器長を延長する導電性の半導体材料を含む共振器延長領域を有し、
前記共振器延長領域は、選択された縦モードの定在波の少なくとも1つの節の位置に光学的損失を与える層を含む、面発光型半導体レーザ。 - 前記光学的損失を与える層は、前記共振器延長領域において相対的に不純物濃度が高い半導体層である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記光学的損失を与える層は、前記共振器延長領域の非選択とされる縦モードの定在波の腹の位置に形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 面発光型半導体レーザはさらに、前記共振器延長領域と前記活性領域との間に、相対的にバンドギャップの大きいキャリアブロック層を含む、請求項1ないし3いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記光学的損失を与える層は、前記共振器延長領域において一定間隔で複数形成される、請求項1ないし4いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 発振波長をλ、光学的損失を与える層の屈折率をnとしたき、前記光学的損失を与える層の膜厚は、λ/4n以下である、請求項1ないし5いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 第1の半導体多層膜反射鏡、前記共振器延長領域、前記活性領域および第2の半導体多層膜反射鏡によって規定される共振器の長さが発振波長よりも大きく、かつ前記共振器の反射帯域内に複数の共振波長を含み、前記複数の共振波長の中から1つの共振波長が縦モードとして選択される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記基板上には、柱状構造が形成され、前記柱状構造内には前記活性領域と近接して電流狭窄層が形成され、前記電流狭窄層は、前記柱状構造の側面から選択的に酸化された酸化領域と当該酸化領域によって囲まれた導電領域とを含む、請求項1ないし7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記光学的損失を与える層の膜厚は、前記電流狭窄層の膜厚に等しい、請求項8に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記共振器延長領域を構成する半導体材料の組成は、前記光学的損失を与える層を構成する半導体材料の組成と前記光学的損失を与える層以外の層を構成する半導体材料の組成とが等しい、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記共振器延長領域を構成する半導体材料の組成は、前記光学的損失を与える層を構成する半導体材料の組成と前記光学的損失を与える層以外の層を構成する半導体材料の組成とが異なり、前記光学的損失を与える層は、発振波長を吸収する半導体材料の組成である、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 請求項1ないし11いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材と、
を備えた面発光型半導体レーザ装置。 - 請求項11に記載された面発光型半導体レーザ装置と、
前記面発光型半導体レーザ装置から発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段と、
を備えた光伝送装置。 - 請求項1ないし11いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、
前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、
を有する情報処理装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5954469B1 (ja) * | 2015-02-25 | 2016-07-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
US9502863B2 (en) | 2014-08-26 | 2016-11-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device |
WO2018037679A1 (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | ソニー株式会社 | 発光素子 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104795730B (zh) * | 2015-04-10 | 2018-04-10 | 西安理工大学 | 一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法 |
DE102017114369A1 (de) * | 2017-06-28 | 2019-01-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US20200403378A1 (en) * | 2018-03-06 | 2020-12-24 | Sony Corporation | Light emitting element |
CN110346859B (zh) * | 2018-04-08 | 2023-05-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光学谐振腔、显示面板 |
CN111240096B (zh) * | 2020-03-13 | 2021-07-06 | Tcl华星光电技术有限公司 | 背光模组及具有该背光模组的显示装置 |
EP3890127A1 (en) | 2020-03-31 | 2021-10-06 | TRUMPF Photonic Components GmbH | Vcsel with increased wavelength dependence on driving current |
CN115882335B (zh) * | 2021-09-29 | 2023-12-12 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 具有小发散角的vcsel激光器、芯片及用于lidar系统的光源 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002217491A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Canon Inc | 面発光レーザ装置、その製造方法、およびその駆動方法 |
JP2009111228A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2009152553A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-07-09 | Canon Inc | 面発光レーザ、該面発光レーザによって構成される光学機器 |
JP2011142252A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4573156A (en) * | 1983-09-16 | 1986-02-25 | At&T Bell Laboratories | Single mode laser emission |
US6416929B2 (en) * | 1997-10-17 | 2002-07-09 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Memory member |
JP2002353561A (ja) | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Canon Inc | 面発光レーザ装置およびその製造方法 |
US7218660B2 (en) | 2003-10-27 | 2007-05-15 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single-mode vertical cavity surface emitting lasers and methods of making the same |
CN100463310C (zh) * | 2005-03-30 | 2009-02-18 | 三菱电机株式会社 | 模式控制波导型激光装置 |
JP4572963B2 (ja) * | 2008-07-09 | 2010-11-04 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物系半導体発光素子、及びエピタキシャルウエハ |
-
2012
- 2012-07-23 JP JP2012162279A patent/JP5998701B2/ja active Active
-
2013
- 2013-05-06 US US13/887,909 patent/US9219349B2/en active Active
-
2015
- 2015-09-15 US US14/854,576 patent/US20160006214A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002217491A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Canon Inc | 面発光レーザ装置、その製造方法、およびその駆動方法 |
JP2009111228A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2009152553A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-07-09 | Canon Inc | 面発光レーザ、該面発光レーザによって構成される光学機器 |
JP2011142252A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9502863B2 (en) | 2014-08-26 | 2016-11-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device |
JP5954469B1 (ja) * | 2015-02-25 | 2016-07-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP2016157910A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
WO2018037679A1 (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | ソニー株式会社 | 発光素子 |
JPWO2018037679A1 (ja) * | 2016-08-24 | 2019-06-20 | ソニー株式会社 | 発光素子 |
US10826275B2 (en) | 2016-08-24 | 2020-11-03 | Sony Corporation | Surface emitting laser element |
US11404849B2 (en) | 2016-08-24 | 2022-08-02 | Sony Corporation | Light emitting element to control an oscillation wavelength |
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