JP2002232076A - 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リッジ導波路構造を有する窒化ガリウム系化
合物半導体レーザにおいて、横モードを安定化すること
のできる新たなリッジ導波路構造を提供すること。 【解決手段】 ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層４及
び６、窒化ガリウム系化合物半導体層からなる活性層
８、及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１０及び１
２を順に積層し、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１
２の膜厚をストライプ状に部分的に厚くしてリッジ部２
０とすることにより、リッジ部２０の下方への光閉じ込
めを行う窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおいて、
リッジ部２０の下方を両側より挟む部分においてｐ型窒
化ガリウム系化合物半導体層１０及び１２に、リッジ部
２０の長手方向に沿って一定間隔毎に複数の凹部２２を
形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ガリウム系化
合物半導体（Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X
＋Y≦１）を用いたリッジ導波路型半導体レーザの構造
に関し、詳細には、窒化ガリウム系化合物半導体を用い
たリッジ導波路型物半導体レーザにおける横モードの安
定性向上を目的とした導波路構造の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】窒化ガリウム系化合物半導体（Ｉｎ_XＡ
ｌ_YＧａ_1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）を用いた半
導体レーザにおいて、水平横モードを制御するためにリ
ッジ導波路型構造を採用する場合が多い。図４は、一般
的なリッジ導波路型構造の一例を示す斜視図である。
尚、図４において、基板、保護絶縁膜などは省略してい
る。窒化ガリウム系化合物半導体を用いて、ｎ型コンタ
クト層２、ｎ型クラッド層４、ｎ型光ガイド層６、活性
層８、ｐ型光ガイド層１０、ｐ型クラッド層１２、及び
ｐ型コンタクト層１４が順に積層されている。ｐ型コン
タクト層１４及びｐ型クラッド層１２は、ストライプ状
の領域を残してｐ型クラッド層１２が所定の膜厚となる
までエッチング除去され、ストライプ状の凸部（＝リッ
ジ部）２０が形成されている。ｐ型コンタクト層１４の
上にｐ電極１６が形成され、エッチングにより露出した
ｎ型コンタクト層２の上にｎ電極１８が形成されてい
る。リッジ部２０の下方にある光導波路の等価屈折率は
その両側の領域の等価屈折率よりも高くなるため、横方
向に光が閉じ込められる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、一般的なリッ
ジ導波路構造を用いた窒化ガリウム系化合物半導体レー
ザでは、横モードの安定性が十分ではないためキンク現
象が顕著に生じる問題がある。キンク現象の一例を図５
に示す。レーザの電流値Ｉを大きくしていくと、まず発
振閾値Ｉ_０を超える電流領域で０次モードが発振する
が、さらに電流値を高めていくと、ある電流値Ｉ_１で１
次モードが発振可能となって横モードに変化が起き、電
流Ｉ−光出力Ｐ特性に折れ曲り（＝キンク、kink）が生
じる。キンク現象が生じると、レーザ出力特性のリニア
リティが崩れてレーザ出力の正確な制御が困難となって
しまう。

【０００４】また、横モードが不安定である結果、パル
セーションが発生し易くなる問題もある。一般に、レー
ザ発振閾値を超えて電流を注入すると、レーザ発振によ
るキャリア密度の減少と電流の注入によるキャリア密度
の上昇とが繰り返されてレーザ光の出力が周期的に強弱
を繰り返す「緩和振動」が起きるが、横モードが不安定な
場合には「緩和振動」が永続する「パルセーション」が起き
易くなる。パルセーションが発生すると、レーザ光の出
力が不安定となり、レーザ光がオン状態であるのかオフ
状態であるのかの特定ができなくなる。電流注入時にキ
ャリア密度分布の変化が生じ、これによって屈折率の変
化が引き起こされて光の分布に変化をきたし、横モード
の変化（高次モードが発振を開始）によってさらにキャ
リア分布密度の変化が生じてパルセーションを引き起こ
すと考えられる。

【０００５】そこで、本発明は、リッジ導波路構造を有
する窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおいて、横モ
ードを安定化することのできる新たなリッジ導波路構造
を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒化ガリウム
系化合物半導体層からなる活性層、及びｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層を順に積層し、前記ｐ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層の膜厚をストライプ状に部分的に厚
くしてリッジ部とすることにより、前記リッジ部下方へ
の光閉じ込めを行う窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
において、前記リッジ部下方を両側より挟む部分のｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体層の膜厚を、レーザの共振
方向に周期的に変化させたことを特徴とする。

【０００７】これにより、リッジ導波路型の窒化ガリウ
ム系化合物半導体レーザにおける横モードを安定化し、
キンク現象及びパルセーションを抑制することができ
る。リッジ脇のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の膜
厚を周期的に変化させることにより横モードが安定化す
るメカニズムは明らかではないが、リッジ下方の光閉じ
込め領域を両側から挟む周辺領域における等価屈折率が
レーザの共振方向に周期的に変化するためと推定され
る。

【０００８】リッジ脇のｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体層の膜厚をレーザの共振方向に周期的に変化させるに
は、例えば、リッジ部下方を両側より挟む部分のｐ型窒
化ガリウム系化合物半導体層に、リッジ部の長手方向に
沿って一定間隔毎に複数の凹部を形成すれば良い。

【０００９】また、活性層の上に、ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層としてｐ型光ガイド層及びｐ型クラッド
層が順に積層されている場合には、凹部をｐ型光ガイド
層の一部を除く深さに形成することが好ましい。これに
より、レーザ発光の中心である活性層に近い位置で周辺
領域の等価屈折率を変化させることができるため、横モ
ードを一層安定化することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１及び図２は、本発明に係るリ
ッジ導波路型の窒化ガリウム系化合物半導体レーザの一
例を示す斜視図及び平面図である。尚、図１及び図２に
おいて、基板や保護絶縁膜は省略している。サファイ
ア、ＳｉＣ等の異種基板又はＧａＮ基板の上に、Ａｌ_ｘ
Ｇａ_1-ｘＮ（０≦ｘ＜１）から成るｎ型コンタクト層
２、Ａｌ_ｘＧａ_1-ｘＮ（０＜ｘ＜１）を含む窒化物半導
体層から成るｎ型クラッド層４、Ｉｎ_ｘＧａ_１-ｘＮ
（０≦ｘ＜１）から成るｎ型光ガイド層６、Ｉｎ_ｘＧａ
_１-ｘＮ（０＜ｘ＜１）を含む活性層８、Ｉｎ_ｘＧａ
_１-ｘＮ（０≦ｘ＜１）から成るｐ型光ガイド層１０、
Ａｌ_ｘＧａ_1-ｘＮ（０＜ｘ＜１）を含む窒化物半導体層
から成るｐ型クラッド層１２、ＧａＮから成るｐ型コン
タクト層１４が順に積層されている。ｐ型コンタクト層
１４の上にｐ電極１６が形成され、エッチングにより露
出されたｎ型コンタクト層２の上にｎ電極１８が形成さ
れており、ｐ電極１６及びｎ電極１８を除く素子のほぼ
全面にＺｒＯ_２やＳｉＯ_２等の保護絶縁膜（図示せず）
が形成されている。

【００１１】本実施の形態におけるリッジ導波路の構造
は次の通りである。まず、従来と同様のリッジ部２０が
ｐ型クラッド層１２に形成されている。即ち、ｐ型クラ
ッド層１２及びｐ型コンタクト層１４を、ストライプ状
の領域を残してｐ型クラッド層１２が所定の膜厚となる
までエッチング除去し、ストライプ状の凸部であるリッ
ジ部２０を形成している。そして、そのリッジ部２０の
両脇にリッジ長手方向に沿って一定の間隔ごとに複数の
凹部２２が形成されている。凹部２２は、ｐ型クラッド
層１２の上面からｐ型光ガイド層１０が所定の膜厚だけ
残る深さまでエッチングして形成する。凹部２２内は、
ＺｒＯ_２やＳｉＯ_２等の保護絶縁膜（図示せず）によっ
て埋められている。

【００１２】図３（ａ）及び（ｂ）は、図１及び２に示
す半導体レーザ素子について、凹部２２が形成されてい
ない位置（図２のａ−ａ’線の位置）及び凹部２２が形
成されている位置（図２のｂ−ｂ’線の位置）の断面を
示す模式図である。尚、図３（ａ）及び（ｂ）では、保
護膜１９を省略せずに記載している。凹部２２が形成さ
れていない領域では、図３（ａ）に示すように、光導波
路を形成している領域Ａの両側を挟む周辺領域Ｂにおい
てｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層はｐ型クラッド層
１２が一定の膜厚だけ残るようにエッチングされ、その
上を保護絶縁膜１９が覆っている。一方、凹部２２が形
成されている領域では、図３（ｂ）に示すように、周辺
領域Ｂにおいてｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層はｐ
型クラッド層１２が全て除去されてｐ型光ガイド層１０
が一定の膜厚（約４００〜１５００Åが好ましい）だけ
残るようにエッチングされており、形成された凹部２２
は保護絶縁膜１９によって埋められている。尚、相対的
に凹凸が形成されれば、凹部２２が形成されていない領
域（図３（ａ）の領域）においてｐ型クラッド層１２を
越えてｐ型光ガイド層までエッチングすることもでき
る。

【００１３】本件発明のリッジ導波路構造によれば、リ
ッジ部２０の脇にあるｐ型窒化物半導体層（ｐ型光ガイ
ド層１０及びｐ型クラッド層１２）に凹凸を形成したこ
とにより、窒化ガリウム系化合物半導体のレーザの横モ
ードを安定化して、キンク現象やパルセーションの発生
を抑制することができる。リッジ脇のｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体層への凹凸形成によって横モードが安定
化するメカニズムは明らかではないが、凹凸形成の結
果、光閉じ込め領域Ａを両側から挟む周辺領域Ｂにおけ
る等価屈折率がレーザの共振方向（ここではリッジ長手
方向）の位置によって周期的に変化するためと推定され
る。

【００１４】即ち、図３に示すように、凹部の形成され
ていない位置（図３（ａ））と凹部２２が形成された位
置（図３（ｂ））とでは、周辺領域Ｂにおけるｐ型窒化
物半導体層（ｐ型光ガイド層１０及びｐ型クラッド層１
２）と保護絶縁膜２２の膜厚比率が異なるが、保護絶縁
膜であるＺｒＯ_２やＳｉＯ_２は窒化ガリウム系化合物半
導体に比べて屈折率が約２０〜４０％小さいため、周辺
領域Ｂに光導波路に沿って周期的な等価屈折率の変化が
できる。このため、いわゆる分布帰還を活性領域の左右
で行うような構造ができ、レーザの横モードが安定化す
ると考えられる。

【００１５】凹部２２の深さは、活性層８が露出しない
範囲で深い方が好ましい。レーザの横モードを安定化す
るためには、周辺領域Ｂの中でレーザ発光の中心である
活性層８に近い位置で等価屈折率の周期的変化を起こす
必要があるからである。特に、本実施の形態のように、
活性層８とｐ型クラッド層１２との間にｐ型光ガイド層
１０を設けている場合には、ｐ型光ガイド層１０が４０
０〜１５００Å残る程度の深さとすることが好ましい。

【００１６】凹部２２のリッジ直交方向の幅ｗ_ａは、リ
ッジ部２０の下方への横方向の光閉じ込めに寄与してい
る範囲よりも大きくなるように形成する。また、凹部２
２のリッジ長手方向の幅ｗ_ｂ及び凹部２２同士の間隔ｗ
_ｃは特に限定されないが、リッジ長手方向に少なくとも
数周期が繰り返される大きさとすることが好ましい。

【００１７】凹部２２の平面形状は特に限定されず、円
形、矩形又はリッジに直交するストライプ状等でも良
い。但し、凹部２２がリッジ部２０の側面と接する境界
部分は特に段差が大きいため、図２に示すように凹部２
２の外周がリッジ部２０の側面と鈍角で接する形状とす
ると、保護絶縁膜による埋め込みが良好となって好まし
い。

【００１８】尚、本実施の形態においてはｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層に複数の凹部を形成することによ
り膜厚を周期的に変化させたが、他の適当な方法によっ
て膜厚を変化させても良い。

【００１９】

【実施例】（実施例１）以下の方法により、図１から図
３に示される構造の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
を作製した。サファイア基板の上に、温度５１０℃で、
キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ
（トリメチルガリウム）を用い、ＧａＮよりバッファ層
（図示せず）を約２００Åの膜厚で成長させる。そし
て、１０５０℃で原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミ
ニウム）、ＴＭＧ、アンモニアガスを用い、アンドープ
のＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを１μｍの膜厚で成長さ
せ、さらに、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ
及びアンモニアガスを用い、不純物ガスにシランガス
（ＳｉＨ_４）を用い、Ｓｉを３×１０^１８／ｃｍ^３ドー
プしたＡｌ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎを３μｍの膜厚で成
長させて、ｎ型コンタクト層２を形成した。

【００２０】次に、温度を８００℃にして、原料ガスに
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）及びアンモニ
アを用い、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを５×
１０ ^１８／ｃｍ^３ドープしたＩｎ_０．０８Ｇａ_０．９２
Ｎよりなるクラック防止層（図示せず）を１５００Åの
膜厚で成長させた。

【００２１】次に、温度を１０５０℃にして、原料ガス
にＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープの
Ａｌ_０．１４Ｇａ_０．８６ＮよりなるＡ層を２５Åの膜
厚で成長させ、続いて、ＴＭＡを止め、不純物ガスとし
てシランガスを用い、Ｓｉを５×１０^１８／ｃｍ^３ドー
プしたＧａＮよりなるＢ層を２５Åの膜厚で成長させ
る。そして、この操作をそれぞれ１６０回繰り返してＡ
層とＢ層の積層し、総膜厚８０００Åの多層膜（超格子
構造）よりなるｎ型クラッド層４を成長させる。そし
て、同様の温度で、原料ガスにＴＭＧ及びアンモニアを
用い、アンドープのＧａＮよりなるｎ型光ガイド層６を
７５０Åの膜厚で成長させた。

【００２２】次に、温度を８００℃にして、原料ガスに
ＴＭＩ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとし
てシランガスを用い、Ｓｉを５×１０^１８／ｃｍ^３ドー
プしたＩｎ_０．０１Ｇａ_０．９９Ｎよりなる障壁層を１
００Åの膜厚で成長させる。続いて、シランガスを止
め、アンドープのＩｎ_０．１１Ｇａ_０．８９Ｎよりなる
井戸層を５０Åの膜厚で成長させる。この操作を３回繰
り返し、最後に障壁層を積層した総膜厚５５０Åの多重
量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層８を成長させた。

【００２３】次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、
ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてＣｐ_２
Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍ
ｇを１×１０^１９／ｃｍ^３ドープしたＡｌ_０．４Ｇａ
_０．６Ｎよりなるｐ型電子閉じ込め層（図示せず）を１
００Åの膜厚で成長させた。

【００２４】次に、温度を１０５０℃にして、原料ガス
にＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＧａＮよ
りなるｐ型光ガイド層１０を１５００Åの膜厚で成長さ
せた。このｐ型光ガイド層１０は、アンドープとして成
長させるが、ｐ型電子閉じ込め層からのＭｇの拡散によ
り、Ｍｇ濃度が５×１０^１６／ｃｍ^３となりｐ型を示
す。

【００２５】次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、
ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＡｌ_０．１
Ｇａ_０．９ＮよりなるＡ層を２５Åの膜厚で成長させ、
続いて、ＴＭＡを止め、不純物ガスとしてＣｐ_２Ｍｇを
用い、Ｍｇを５×１０^１８／ｃｍ^３ドープしたＧａＮよ
りなるＢ層を２５Åの膜厚で成長させる。そして、この
操作をそれぞれ９０回繰り返してＡ層とＢ層の積層し、
総膜厚４５００Åの多層膜（超格子構造）よりなるｐ型
クラッド層１２を成長させた。そして、同様の温度で、
原料ガスにＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスと
してＣｐ_２Ｍｇを用い、Ｍｇを１×１０^２０／ｃｍ^３ド
ープしたＧａＮよりなるｐ型コンタクト層１４を１５０
Åの膜厚で成長させた。

【００２６】反応終了後、反応容器内において、ウエハ
を窒素雰囲気中、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型
層を更に低抵抗化する。アニーリング後、ウエハを反応
容器から取り出し、最上層のｐ側コンタクト層の表面に
ＳｉＯ_２よりなる保護膜を形成して、ＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）を用いてＳｉＣｌ_４ガスによりエッチ
ングし、ｎ電極１８を形成すべきｎ側コンタクト層２の
表面を露出させた。

【００２７】次に、リッジ部２０を以下のようにして形
成した。最上層のｐ側コンタクト層１４のほぼ全面に、
ＣＶＤ装置により、Ｓｉ酸化物（主として、ＳｉＯ_２）
よりなる第１の保護膜を０．５μｍの膜厚で形成し、ス
トライプ幅１．８μｍにパターニングする。そして、Ｒ
ＩＥによりＣｌ_２とＳｉＣｌ_４ガスを用いて、ｐ側コン
タクト層１４、およびｐ型クラッド層１２をエッチング
して、ストライプ幅１．８μｍのリッジ部２０を形成す
る。エッチングは、ｐ型ガイド層１０の残し厚が１００
０Åとなるまで行った。

【００２８】次に、リッジ部２０の両脇の凹部２２を以
下のようにして形成した。リッジ部２０を形成後、リッ
ジ部２０下方を両側に挟む部分に共振方向に沿って一定
間隔に複数の凹部を形成するようにレジストによる凹部
パターンのパターニングを行う。そして、ＲＩＥにより
Ｃｌ_２とＳｉＣｌ_４ガスを用いて、凹部パターンの開口
した部分の半導体層をエッチングして、凹部２２を形成
する。その後、レジストを除去する。凹部２２の深さ
は、５００Åとし、凹部２２の大きさは、リッジ直交方
向の幅ｗａを４μｍ、リッジ長手方向の幅ｗｂを４μ
ｍ、間隔ｗｃを１６μｍとした。

【００２９】リッジストライプ形成後、ウェーハをＰＶ
Ｄ装置に移送し、エッチングにより露出させたｎ側コン
タクト層２の表面をレジストで覆い、Ｚｒ酸化物（主と
してＺｒＯ_２）よりなる第２の保護膜を、第１の保護膜
及びレジストの上と、エッチングにより露出されたｐ側
クラッド層１２の上とに０．２μｍの膜厚で連続して形
成した。このようにＺｒ酸化物を形成すると、横モード
の安定を図る上で好ましい。そして、第１の保護膜及び
レジストをリフトオフ法により除去した。

【００３０】次に、第１の保護膜が除去されて露出した
ｐ側コンタクト層１４の表面にＮｉ／Ａｕよりなるｐ電
極１６を１００μｍのストライプ幅で形成し、ｎ側コン
タクト層２の表面にはＴｉ／Ａｌよりなるｎ電極１８を
ストライプと平行な方向で形成した。

【００３１】サファイア基板側からバー状に劈開し、劈
開面に共振器を作製した。共振器面にＳｉＯ_２とＴｉＯ
_２よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行
な方向で、バーを切断して図１から３に示すようなレー
ザ素子とした。なお共振器長は６００μｍとした。

【００３２】（実施例２）凹部の間隔ｗｃを１０μｍと
する他は、実施例１と同様にして半導体レーザを作製し
た。 （実施例３）凹部の間隔Ｗｃを６μｍとする他は、実施
例１と同様にして半導体レーザを作製した。

【００３３】（実施例４）リッジ部２０を形成するエッ
チングをｐ型クラッド層１２が１５０Å残るように行
い、凹部２２の深さを１０００Åとする他は、実施例１
と同様にして半導体レーザを作製した。

【００３４】（実施例５）凹部の間隔ｗｃを１０μｍと
する他は、実施例４と同様にして半導体レーザを作製し
た。 （実施例６）凹部の間隔Ｗｃを６μｍとする他は、実施
例４と同様にして半導体レーザを作製した。

【００３５】（比較例１）リッジ部２０の両脇に凹部２
２を形成しない他は、実施例１と同様にして半導体レー
ザを作製した。 （比較例２）リッジ部２０の両脇に凹部２２を形成しな
い他は、実施例４と同様にして半導体レーザを作製し
た。

【００３６】実施例１から６及び比較例１から２の半導
体レーザについて、立ちあがりキンク及びレーザ発振領
域キンクを測定したところ、実施例１から６の半導体レ
ーザは、立ちあがりキンク及びレーザ発振領域キンクの
両方が比較例１及び２の半導体レーザよりも抑制されて
いた。

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、リッジ導波路型の窒化
ガリウム系化合物半導体レーザ素子における横モードを
安定化して、キンク現象及びパルセーションの発生を抑
制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明に係るリッジ導波路型の窒化
ガリウム系化合物半導体レーザの一例を示す斜視図であ
る。

【図２】 図２は、図１に示す窒化ガリウム系化合物半
導体レーザの上面図である。

【図３】 図３（ａ）及び（ｂ）は、図２に示す窒化ガ
リウム系化合物半導体レーザのａ−ａ’線及びｂ−ｂ’
線における断面を示す断面図である。

【図４】 図４は、従来のリッジ導波路型の窒化ガリウ
ム系化合物半導体レーザの一例を示す斜視図である。

【図５】 図５は、窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
の電流−光出力特性の一例を示すグラフである。

【符号の説明】

２ ｎ型コンタクト層、４ ｎ型クラッド層、６ ｎ型
光ガイド層、８ 活性層、１０ ｐ型光ガイド層、１２
ｐ型クラッド層、１４ ｐ型コンタクト層、１６ ｐ
電極、１８ ｎ電極、２０ リッジ部、２２ 凹部。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒
   化ガリウム系化合物半導体層からなる活性層、及びｐ型
   窒化ガリウム系化合物半導体層を順に積層し、前記ｐ型
   窒化ガリウム系化合物半導体層の膜厚をストライプ状に
   部分的に厚くしてリッジ部とすることにより、前記リッ
   ジ部下方への光閉じ込めを行う窒化ガリウム系化合物半
   導体レーザにおいて、 前記リッジ部下方を両側より挟む部分のｐ型窒化ガリウ
   ム系化合物半導体層の膜厚を、レーザの共振方向に周期
   的に変化させたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物
   半導体レーザ。
2. 【請求項２】 前記リッジ部下方を両側より挟む部分の
   ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に、レーザの共振方
   向に沿って一定間隔毎に複数の凹部を形成したことを特
   徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系化合物半導体レ
   ーザ。
3. 【請求項３】 前記活性層の上に、前記ｐ型窒化ガリウ
   ム系化合物半導体層としてｐ型光ガイド層及びｐ型クラ
   ッド層が順に積層されており、前記凹部が前記ｐ型光ガ
   イド層の一部を除く深さに形成されたことを特徴とする
   請求項２記載の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ。