JPH10215024A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPH10215024A JPH10215024A JP2978197A JP2978197A JPH10215024A JP H10215024 A JPH10215024 A JP H10215024A JP 2978197 A JP2978197 A JP 2978197A JP 2978197 A JP2978197 A JP 2978197A JP H10215024 A JPH10215024 A JP H10215024A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用環境温度に応じて発振できるよう複数の
共振器を持つ半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザは、半導体基板２
上に第１のクラッド層４、活性層５、第２のクラッド層
６、コンタクト層７、電流通路を形成するストライプ溝
８、９を有する電流ストップ層１０及び電極層１１、１
２を順に積層し、電極層１１、１２から第２のクラッド
層６にわたって断面四角形状の複数の凹部１４をそれぞ
れ一定間隔あけてストライプ溝８、９方向に並設し、し
かもストライプ溝８、９を複数それぞれ非平行に並設
し、それぞれのストライプ溝８、９に対応した共振器を
形成している。
共振器を持つ半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザは、半導体基板２
上に第１のクラッド層４、活性層５、第２のクラッド層
６、コンタクト層７、電流通路を形成するストライプ溝
８、９を有する電流ストップ層１０及び電極層１１、１
２を順に積層し、電極層１１、１２から第２のクラッド
層６にわたって断面四角形状の複数の凹部１４をそれぞ
れ一定間隔あけてストライプ溝８、９方向に並設し、し
かもストライプ溝８、９を複数それぞれ非平行に並設
し、それぞれのストライプ溝８、９に対応した共振器を
形成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、使用環境温度に応
じて発振できるよう複数の共振器列を持つ半導体レーザ
に関する。
じて発振できるよう複数の共振器列を持つ半導体レーザ
に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体レーザの応用分野として、光メモ
リ、光通信、光応用計測、ホログラムスキャナなどが知
られている。これら応用分野の中においても光通信の分
野では、光ファイバの導波特性との関係で赤外波長帯の
半導体レーザが好ましい。このような背景から従来の半
導体レーザには、ファブリペロー型が一般的に使用され
ている。ファブリペロー型半導体レーザは、モードホッ
ピングによる発振波長λ１の変動があり、さらに使用温
度によって発振波長が変動するという欠点を有し、高速
変調時に縦単一モードの発振が不可能なものとなってい
る。
リ、光通信、光応用計測、ホログラムスキャナなどが知
られている。これら応用分野の中においても光通信の分
野では、光ファイバの導波特性との関係で赤外波長帯の
半導体レーザが好ましい。このような背景から従来の半
導体レーザには、ファブリペロー型が一般的に使用され
ている。ファブリペロー型半導体レーザは、モードホッ
ピングによる発振波長λ１の変動があり、さらに使用温
度によって発振波長が変動するという欠点を有し、高速
変調時に縦単一モードの発振が不可能なものとなってい
る。
【０００３】そこで分布帰還型半導体レーザが注目され
ている。本出願人は、先に、図５に示した構造の分布帰
還型半導体レーザを提供し、安定な縦単一モード発振を
可能にした半導体レーザを製造可能にした。図５に示す
半導体レーザ１００は、半導体基板１１２の下面に電極
層１１１が形成され、基板１１２の上に半導体層からな
る第１のクラッド層１１３、活性層１１４、半導体層か
らなる第２のクラッド層１１５が積層され、この層１１
５の上面にコンタクト層１１６が形成されている。コン
タクト層１１６の上には、絶縁層である電流ストップ層
１１７が形成され、この電流ストップ層１１７の中央に
は所定幅寸法の一条のストライプ溝１１９が形成されて
いる。さらに電流ストップ層１１７の上面からストライ
プ溝１１９内の露出するコンタクト層１１６の上面に跨
って、電極層１１８が形成されている。また、コンタク
ト層１１６から上部クラッド層１１５にわたってストラ
イプ溝１１９方向に複数の断面四角形状の凹部１２０が
所定間隔あけて並設されている。これら凹部１２０によ
って分布帰還型半導体レーザ１００の表面部分に回折格
子１２１が形成される。
ている。本出願人は、先に、図５に示した構造の分布帰
還型半導体レーザを提供し、安定な縦単一モード発振を
可能にした半導体レーザを製造可能にした。図５に示す
半導体レーザ１００は、半導体基板１１２の下面に電極
層１１１が形成され、基板１１２の上に半導体層からな
る第１のクラッド層１１３、活性層１１４、半導体層か
らなる第２のクラッド層１１５が積層され、この層１１
５の上面にコンタクト層１１６が形成されている。コン
タクト層１１６の上には、絶縁層である電流ストップ層
１１７が形成され、この電流ストップ層１１７の中央に
は所定幅寸法の一条のストライプ溝１１９が形成されて
いる。さらに電流ストップ層１１７の上面からストライ
プ溝１１９内の露出するコンタクト層１１６の上面に跨
って、電極層１１８が形成されている。また、コンタク
ト層１１６から上部クラッド層１１５にわたってストラ
イプ溝１１９方向に複数の断面四角形状の凹部１２０が
所定間隔あけて並設されている。これら凹部１２０によ
って分布帰還型半導体レーザ１００の表面部分に回折格
子１２１が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】かかる分布帰還型半導
体レーザ１００では、発振波長を決定する導波光の等価
屈折率の温度係数と、活性層１１４、第２のクラッド層
１１５、第１のクラッド層１１３により決定される半導
体の光利得曲線の中心波長の温度係数が異なるため、周
囲温度環境が−３０〜＋８０℃に変化した場合、グレー
ティング周期（ある凹部１２０を含めてこの凹部１２０
から隣の凹部１２０までの間隔）及び導波光の等価屈折
率から決定される発振波長と、上記半導体の光利得曲線
の中心波長とがずれ、しきい電流値が増大し、さらに光
出力−注入電流特性のスロープ効率が低下して半導体レ
ーザの特性が低下する恐れがあった。本発明は、使用環
境温度に応じて発振できるよう複数の共振器を持つ半導
体レーザを提供することを目的とする。
体レーザ１００では、発振波長を決定する導波光の等価
屈折率の温度係数と、活性層１１４、第２のクラッド層
１１５、第１のクラッド層１１３により決定される半導
体の光利得曲線の中心波長の温度係数が異なるため、周
囲温度環境が−３０〜＋８０℃に変化した場合、グレー
ティング周期（ある凹部１２０を含めてこの凹部１２０
から隣の凹部１２０までの間隔）及び導波光の等価屈折
率から決定される発振波長と、上記半導体の光利得曲線
の中心波長とがずれ、しきい電流値が増大し、さらに光
出力−注入電流特性のスロープ効率が低下して半導体レ
ーザの特性が低下する恐れがあった。本発明は、使用環
境温度に応じて発振できるよう複数の共振器を持つ半導
体レーザを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、半導体基板上に第１のクラッド層、活性層、第２の
クラッド層、コンタクト層、電流通路を形成するストラ
イプ溝を有する電流ストップ層及び電極層を順に積層
し、該電極層から前記第２のクラッド層にわたって断面
四角形状の複数の凹部をそれぞれ一定間隔あけて前記ス
トライプ溝方向に並設してなる半導体レーザにおいて、
前記ストライプ溝を複数それぞれ非平行に並設し、それ
ぞれのストライプ溝に対応した共振器を形成してなる。
各共振器は、隣接するストライプ溝の間に電極層から第
２のクラッド層に至る溝などの隔離体を設けて画成す
る。
は、半導体基板上に第１のクラッド層、活性層、第２の
クラッド層、コンタクト層、電流通路を形成するストラ
イプ溝を有する電流ストップ層及び電極層を順に積層
し、該電極層から前記第２のクラッド層にわたって断面
四角形状の複数の凹部をそれぞれ一定間隔あけて前記ス
トライプ溝方向に並設してなる半導体レーザにおいて、
前記ストライプ溝を複数それぞれ非平行に並設し、それ
ぞれのストライプ溝に対応した共振器を形成してなる。
各共振器は、隣接するストライプ溝の間に電極層から第
２のクラッド層に至る溝などの隔離体を設けて画成す
る。
【０００６】かかる半導体レーザは、複数の共振器を非
平行に並設しているので、それぞれの共振器におけるグ
レーティング周期を変化させている。各グレーティング
周期は、所定温度における光利得曲線のピーク波長近辺
で発振させるよう設定する。例えば発振波長が１,５５
０nmであるＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系半導体材料を用い
た半導体レーザにおいては、あるストライプ溝方向を他
のストライプ溝方向に対して５度傾けて設けた場合、発
振波長は＋６nm変化する。
平行に並設しているので、それぞれの共振器におけるグ
レーティング周期を変化させている。各グレーティング
周期は、所定温度における光利得曲線のピーク波長近辺
で発振させるよう設定する。例えば発振波長が１,５５
０nmであるＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系半導体材料を用い
た半導体レーザにおいては、あるストライプ溝方向を他
のストライプ溝方向に対して５度傾けて設けた場合、発
振波長は＋６nm変化する。
【０００７】このように周囲環境変化に応じて、低温側
では一つのストライプ溝方向に沿った共振器を使用し、
周囲温度が上昇した場合には傾けた他のストライプ溝方
向の共振器を使用してレーザ光を発振する。このことに
より、発振波長と光利得曲線のピーク波長とのずれを低
減させ、いきい電流値の増大及び光出力−注入電流特性
のスロープ効率の低下を抑制することができる。これら
共振器の使い分けは、出力光をモニタし、各共振器列に
注入する電極を切り替えることにより行う。
では一つのストライプ溝方向に沿った共振器を使用し、
周囲温度が上昇した場合には傾けた他のストライプ溝方
向の共振器を使用してレーザ光を発振する。このことに
より、発振波長と光利得曲線のピーク波長とのずれを低
減させ、いきい電流値の増大及び光出力−注入電流特性
のスロープ効率の低下を抑制することができる。これら
共振器の使い分けは、出力光をモニタし、各共振器列に
注入する電極を切り替えることにより行う。
【０００８】第１及び第２のクラッド層は、例えばＩｎ
Ｐ等の半導体からなる。第１及び第２のクラッド層は、
一方がｐ型半導体層なら、他方がｎ型半導体層である。
活性層は、レーザ動作を起こす媒質であり、例えばＩｎ
ＧａＡｓＰの半導体からなる。
Ｐ等の半導体からなる。第１及び第２のクラッド層は、
一方がｐ型半導体層なら、他方がｎ型半導体層である。
活性層は、レーザ動作を起こす媒質であり、例えばＩｎ
ＧａＡｓＰの半導体からなる。
【０００９】コンタクト層は、電極層と半導体層である
第２のクラッド層との接触抵抗を減少させるためのもの
であり、例えばＩｎＧａＡｓ等の半導体からなる。この
コンタクト層は、その下方にある第２のクラッド層の半
導体のｎ型、ｐ型に対応してｎ型又はｐ型となる。
第２のクラッド層との接触抵抗を減少させるためのもの
であり、例えばＩｎＧａＡｓ等の半導体からなる。この
コンタクト層は、その下方にある第２のクラッド層の半
導体のｎ型、ｐ型に対応してｎ型又はｐ型となる。
【００１０】電流ストップ層は、Ａｕ等からなる電極層
に加えられた電流をストライプ溝を通してコンタクト層
に流す役割を持ち、例えばＳｉＯ２からなる。複数の凹
部のそれぞれの深さは最大１μmとする。これら凹部の
数は、共振器長が大略２５０〜４００μmであり、グレ
ーティング周期を０．２〜０．３μmとした場合、８３
０〜２,０００の範囲となる。これら並設した凹部は、
ストライプ溝の両側にあってもよいし、またストライプ
溝の片側にあってもよい。
に加えられた電流をストライプ溝を通してコンタクト層
に流す役割を持ち、例えばＳｉＯ２からなる。複数の凹
部のそれぞれの深さは最大１μmとする。これら凹部の
数は、共振器長が大略２５０〜４００μmであり、グレ
ーティング周期を０．２〜０．３μmとした場合、８３
０〜２,０００の範囲となる。これら並設した凹部は、
ストライプ溝の両側にあってもよいし、またストライプ
溝の片側にあってもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を、
図面を用いて説明する。一実施の形態を示す半導体レー
ザ１は、図１及び図２に示すように、長方板状のｎ型Ｉ
ｎＰの半導体基板２の下面にＡｕなどからなる共通電極
３を形成し、基板２の上面にｎ型ＩｎＰからなる第１の
クラッド層４、ＩｎＧａＡｓＰからなる活性層５、ｐ型
ＩｎＰの第２のクラッド層６、ｐ型ＩｎＧａＡｓからな
るコンタクト層７を順に積層して形成している。コンタ
クト層７には、基板２の長手方向に延びるストライプ溝
８、９を形成するよう、ＳｉＯ２からなる電流ストップ
層１０を形成している。電流ストップ層１０およびスト
ライプ溝８、９の上には、Ａｕなどからなる導電性の高
い電極層１１、１２を形成している。また、ストライプ
溝８、９の間には、半導体レーザ１を短手方向に二分割
するよう、長手方向に延びる溝１３が形成されている。
図面を用いて説明する。一実施の形態を示す半導体レー
ザ１は、図１及び図２に示すように、長方板状のｎ型Ｉ
ｎＰの半導体基板２の下面にＡｕなどからなる共通電極
３を形成し、基板２の上面にｎ型ＩｎＰからなる第１の
クラッド層４、ＩｎＧａＡｓＰからなる活性層５、ｐ型
ＩｎＰの第２のクラッド層６、ｐ型ＩｎＧａＡｓからな
るコンタクト層７を順に積層して形成している。コンタ
クト層７には、基板２の長手方向に延びるストライプ溝
８、９を形成するよう、ＳｉＯ２からなる電流ストップ
層１０を形成している。電流ストップ層１０およびスト
ライプ溝８、９の上には、Ａｕなどからなる導電性の高
い電極層１１、１２を形成している。また、ストライプ
溝８、９の間には、半導体レーザ１を短手方向に二分割
するよう、長手方向に延びる溝１３が形成されている。
【００１２】溝１３は、２つのストライプ溝に対応する
電極層１１、１２をそれぞれ単独に駆動可能とするため
に設けたものであり、溝１３の底面が、第２のクラッド
層６にて第２のクラッド層６と活性層５との界面近傍に
位置する程度の深さを有しているか、又は溝１３の底面
が第１のクラッド層内に位置する程度の深さを有してい
ればよい。ストライプ溝８、９のそれぞれの両側には、
電極層１１、１２表面から、活性層５に向かって延びる
断面四角形状の複数の凹部１４が、一定間隔をあけてス
トライプ溝８、９方向に形成されており、これら凹部１
４によって図１及び図２に示すような回折格子１５が形
成される。これら凹部１４は、図２に示すように各凹部
の底面が活性層５に達しない程度の深さに形成する。こ
れら凹部１４の数は、図１においては１２個しか記載さ
れていないが、共振器の長さが大略２５０〜４００μm
であり、グレーティング周期を０．２〜０．３μmとし
た場合、８３０〜２,０００の範囲とする。
電極層１１、１２をそれぞれ単独に駆動可能とするため
に設けたものであり、溝１３の底面が、第２のクラッド
層６にて第２のクラッド層６と活性層５との界面近傍に
位置する程度の深さを有しているか、又は溝１３の底面
が第１のクラッド層内に位置する程度の深さを有してい
ればよい。ストライプ溝８、９のそれぞれの両側には、
電極層１１、１２表面から、活性層５に向かって延びる
断面四角形状の複数の凹部１４が、一定間隔をあけてス
トライプ溝８、９方向に形成されており、これら凹部１
４によって図１及び図２に示すような回折格子１５が形
成される。これら凹部１４は、図２に示すように各凹部
の底面が活性層５に達しない程度の深さに形成する。こ
れら凹部１４の数は、図１においては１２個しか記載さ
れていないが、共振器の長さが大略２５０〜４００μm
であり、グレーティング周期を０．２〜０．３μmとし
た場合、８３０〜２,０００の範囲とする。
【００１３】かかる半導体レーザ１では、光導波路とな
る活性層５の近傍にて、図１に示すように活性層５に沿
って回折格子１５が形成されることになるので、電極層
１１、１２からストライプ溝８、９を通して駆動電流を
注入すると、活性層５中で光が生じて振動・結合し、回
折格子１５のブラック周波数付近で光帰還に波長選択性
が生じて、しきい値を超えた光がレーザ光となって発振
する。すなわち、図１に示すように、活性層５において
ストライプ溝８の下方に位置する領域には、電極層１１
からストライプ溝８を通して注入する駆動電流により光
を発する第１の共振器Ａが形成され、また活性層５にお
けるストライプ溝９の下方に位置する領域には、電極層
１２から注入する駆動電流により光を発する第２の共振
器Ｂが形成される。第２の共振器Ｂに対応するストライ
プ溝９は、半導体レーザ１の共振方向端面に対する垂直
方向に対してある角度θ例えば５度傾けて形成されてお
り、第１の共振器Ａに対応するストライプ溝８は、半導
体レーザ１の共振方向端面に対して垂直方向に延びてい
る。
る活性層５の近傍にて、図１に示すように活性層５に沿
って回折格子１５が形成されることになるので、電極層
１１、１２からストライプ溝８、９を通して駆動電流を
注入すると、活性層５中で光が生じて振動・結合し、回
折格子１５のブラック周波数付近で光帰還に波長選択性
が生じて、しきい値を超えた光がレーザ光となって発振
する。すなわち、図１に示すように、活性層５において
ストライプ溝８の下方に位置する領域には、電極層１１
からストライプ溝８を通して注入する駆動電流により光
を発する第１の共振器Ａが形成され、また活性層５にお
けるストライプ溝９の下方に位置する領域には、電極層
１２から注入する駆動電流により光を発する第２の共振
器Ｂが形成される。第２の共振器Ｂに対応するストライ
プ溝９は、半導体レーザ１の共振方向端面に対する垂直
方向に対してある角度θ例えば５度傾けて形成されてお
り、第１の共振器Ａに対応するストライプ溝８は、半導
体レーザ１の共振方向端面に対して垂直方向に延びてい
る。
【００１４】このように、ストライプ溝８、９を非平行
すなわち第１共振器Ａおよび第２共振器Ｂの共振方向を
非平行に形成すれば、第１共振器Ａと第２共振器Ｂとで
はそれぞれ、ストライプ溝８、９方向と交差する複数の
凹部１４間のグレーティング周期が異なる。したがっ
て、第１の共振器Ａから発せられる光の波長と、第２の
共振器Ｂから発せられる光の波長とは、異なることにな
る。なお、これら共振器Ａ，Ｂの使い分けは、各共振器
に注入する電極を切り替えることにより行う。
すなわち第１共振器Ａおよび第２共振器Ｂの共振方向を
非平行に形成すれば、第１共振器Ａと第２共振器Ｂとで
はそれぞれ、ストライプ溝８、９方向と交差する複数の
凹部１４間のグレーティング周期が異なる。したがっ
て、第１の共振器Ａから発せられる光の波長と、第２の
共振器Ｂから発せられる光の波長とは、異なることにな
る。なお、これら共振器Ａ，Ｂの使い分けは、各共振器
に注入する電極を切り替えることにより行う。
【００１５】
【実施例】次に、本発明半導体レーザについて具体的に
説明する
説明する
【００１６】図１及び図２に示した半導体レーザの実施
例について述べる。発振波長が１５４５nmである半導体
レーザを示す図１及び図２において、半導体基板２とし
て縦×横×厚さが３５０nm×６００μm×１５０μmのＩ
ｎＰ材料からなる半導体基板、電極層３として厚さ０．
２μmのＡｕを主体とした層、第１のクラッド層４とし
て厚さ１．０μmのｎ型ＩｎＰ層、活性層５として厚さ
０．３３μmのＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層、第２のクラ
ッド層６として厚さ０．５μmのｐ型ＩｎＰ層、コンタ
クト層７として０．１５μm厚のｐ型ＩｎＧａＡｓ層、
電流ストップ層１０として０．１５μm厚のＳｉＯ２
層、電極層１１、１２として０．１５μm厚のＡｕを主
体とした導電層を使用する。ストライプ溝８、９は幅
２．５μm、長さ３５０μm、深さ０．１５μmであり、
これら溝中に電極層１１、１２がストライプ溝８、９及
び電流ストップ層１０に跨って形成される。凹部１４は
幅０．１２μm、長さ３０μm、深さ０．８５μmとし、
これら凹部の数は１４５８個とし、よって共振器長を３
５０μmとする。またこれら凹部１４間に挟まれた凸部
は、幅０．１２μm、長さ３０μm、高さ０．８５μmと
する。
例について述べる。発振波長が１５４５nmである半導体
レーザを示す図１及び図２において、半導体基板２とし
て縦×横×厚さが３５０nm×６００μm×１５０μmのＩ
ｎＰ材料からなる半導体基板、電極層３として厚さ０．
２μmのＡｕを主体とした層、第１のクラッド層４とし
て厚さ１．０μmのｎ型ＩｎＰ層、活性層５として厚さ
０．３３μmのＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層、第２のクラ
ッド層６として厚さ０．５μmのｐ型ＩｎＰ層、コンタ
クト層７として０．１５μm厚のｐ型ＩｎＧａＡｓ層、
電流ストップ層１０として０．１５μm厚のＳｉＯ２
層、電極層１１、１２として０．１５μm厚のＡｕを主
体とした導電層を使用する。ストライプ溝８、９は幅
２．５μm、長さ３５０μm、深さ０．１５μmであり、
これら溝中に電極層１１、１２がストライプ溝８、９及
び電流ストップ層１０に跨って形成される。凹部１４は
幅０．１２μm、長さ３０μm、深さ０．８５μmとし、
これら凹部の数は１４５８個とし、よって共振器長を３
５０μmとする。またこれら凹部１４間に挟まれた凸部
は、幅０．１２μm、長さ３０μm、高さ０．８５μmと
する。
【００１７】第１の共振器Ａを構成する側のストライプ
溝８は半導体基板２の共振方向端面に対して垂直方向に
延びているが、第２の共振器Ｂを構成するストライプ溝
９はストライプ溝８に対して５度傾いている。このレー
ザのストライプ溝８に対するストライプ溝９の傾斜角度
を横軸、発振波長を縦軸にしてストライプ溝の傾き角度
と対応する共振器の発振波長の関係をプロットしてなる
曲線を示した図３において、上述したようにストライプ
溝８、９の間の角度を５度とすると、一方の共振器Ａ
は、発振波長１５４６nm、他方の共振器Ｂでは発振波長
１５５２nmとなり、これら共振器では発振波長は６nm変
化する。なお図３中、四角にて示した点は測定点を示
す。
溝８は半導体基板２の共振方向端面に対して垂直方向に
延びているが、第２の共振器Ｂを構成するストライプ溝
９はストライプ溝８に対して５度傾いている。このレー
ザのストライプ溝８に対するストライプ溝９の傾斜角度
を横軸、発振波長を縦軸にしてストライプ溝の傾き角度
と対応する共振器の発振波長の関係をプロットしてなる
曲線を示した図３において、上述したようにストライプ
溝８、９の間の角度を５度とすると、一方の共振器Ａ
は、発振波長１５４６nm、他方の共振器Ｂでは発振波長
１５５２nmとなり、これら共振器では発振波長は６nm変
化する。なお図３中、四角にて示した点は測定点を示
す。
【００１８】また横軸に温度（℃）、縦軸に発振波長
（ｎｍ）として温度と本実施例共振器の発振波長との関
係をプロットしてなる直線を示した図４からわかるよう
に、低温側では、一つの共振器Ａを用い、周囲環境温度
が上昇した場合、角度を設けた側の共振器Ｂからレーザ
光を発振させる。このことにより、発振波長と光利得曲
線のピーク波長とのズレを低減させ、しきい電流値の増
大及び光出力−注入電流特性のスロープ効率（電気−光
変換効率）のスロープの低下を抑制できる。なお図４
中、四角にて示した点は測定点を示す。
（ｎｍ）として温度と本実施例共振器の発振波長との関
係をプロットしてなる直線を示した図４からわかるよう
に、低温側では、一つの共振器Ａを用い、周囲環境温度
が上昇した場合、角度を設けた側の共振器Ｂからレーザ
光を発振させる。このことにより、発振波長と光利得曲
線のピーク波長とのズレを低減させ、しきい電流値の増
大及び光出力−注入電流特性のスロープ効率（電気−光
変換効率）のスロープの低下を抑制できる。なお図４
中、四角にて示した点は測定点を示す。
【００１９】
【発明の効果】本発明に係る半導体レーザは、電流通路
を形成するストライプ溝を複数それぞれ非平行に並設
し、共振器を構成する断面四角形状の複数の凹部をそれ
ぞれ一定間隔あけてこれらストライプ溝のそれぞれに並
設することによって、それぞれのストライプ溝に対応し
た共振器を形成し、かつストライプ溝を複数非平行に並
設したためそれぞれの共振器におけるグレーティング周
期を変化させたので、使用環境温度に合わせてこれら共
振器を使い分けして発振することができる。
を形成するストライプ溝を複数それぞれ非平行に並設
し、共振器を構成する断面四角形状の複数の凹部をそれ
ぞれ一定間隔あけてこれらストライプ溝のそれぞれに並
設することによって、それぞれのストライプ溝に対応し
た共振器を形成し、かつストライプ溝を複数非平行に並
設したためそれぞれの共振器におけるグレーティング周
期を変化させたので、使用環境温度に合わせてこれら共
振器を使い分けして発振することができる。
【図１】本発明の半導体レーザの一実施の形態を示す斜
視図である。
視図である。
【図２】図１に示した半導体レーザのＩ−Ｉ線に沿っ
た、一部省略した断面図である。
た、一部省略した断面図である。
【図３】本発明の半導体レーザの一実施例におけるスト
ライプ溝の傾斜角度と発振波長との関係曲線を示す図で
ある。
ライプ溝の傾斜角度と発振波長との関係曲線を示す図で
ある。
【図４】本発明の半導体レーザの一実施例における複数
の共振器のそれぞれの発振波長と温度との関係を示す図
である。
の共振器のそれぞれの発振波長と温度との関係を示す図
である。
【図５】従来の分布帰還型半導体レーザを示す斜視図で
ある。
ある。
１ 半導体レーザ ２ 半導体基板 ４ 第１のクラッド層 ５ 活性層 ６ 第２のクラッド層 ７ コンタクト層 ８、９ ストライプ溝 １０ 電流ストップ層 １１、１２ 電極層 １３ 溝 １４ 凹部 １５ 回折格子
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に第１のクラッド層、活性
層、第２のクラッド層、コンタクト層、電流通路を形成
するストライプ溝を有する電流ストップ層及び電極層を
順に積層し、該電極層から前記第２のクラッド層にわた
って断面四角形状の複数の凹部をそれぞれ一定間隔あけ
て前記ストライプ溝方向に並設してなる半導体レーザに
おいて、前記ストライプ溝を複数それぞれ非平行に並設
し、それぞれのストライプ溝に対応した共振器を形成し
てなることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記各共振器を、隣接するストライプ溝
の間に設けた隔離体によって画成していることを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記ストライプ溝を２条並設し、一方の
ストライプ溝を他方のストライプ溝に対して５度傾けて
並設したことを特徴とする請求項１記載の半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2978197A JPH10215024A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2978197A JPH10215024A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10215024A true JPH10215024A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=12285566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2978197A Withdrawn JPH10215024A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10215024A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278278A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
| JP2012509580A (ja) * | 2008-11-21 | 2012-04-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | エッジ発光型半導体レーザチップ |
-
1997
- 1997-01-29 JP JP2978197A patent/JPH10215024A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012509580A (ja) * | 2008-11-21 | 2012-04-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | エッジ発光型半導体レーザチップ |
| US8831061B2 (en) | 2008-11-21 | 2014-09-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Edge emitting semiconductor laser chip |
| JP2010278278A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040406 |