JP6595059B1 - 高反射バックライト用配線板構造及びその製造方法 - Google Patents

高反射バックライト用配線板構造及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 本発明は、高反射バックライト用配線板構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 高反射バックライト用配線板構造は基板、少なくとも一つの発光部材、少なくとも一つの金属ベース層、ソルダーレジスト層及び反射用めっき層を含む。発光部材は基板表面の接続端子に電気的に接続し、金属ベース層は基板表面に形成し、ソルダーレジスト層は基板表面に形成し、且つ接続端子の位置に対応する第1開口及び金属ベース層の位置に対応する第2開口を備える。反射用めっき層は金属ベース層の表面に形成し、発光部材から生じる光線を反射するのに用いる。【選択図】 図2C

Description

本発明は、プリント配線板の構造及びその製造方法に関し、特に高反射バックライト用配線板構造及びその製造方法に関するものである。
発光ダイオード(Light−Emitting Diode,LED)が最初に登場したのは1965年であるが、LEDのパッケージング技術や発光効率の向上に伴い、小体積、低消費電力、長寿命及び操作反応の速いLEDも登場するようになった。また、省エネ・CO2削減のニーズや環境保護意識の台頭に対応し、現在では信号灯、広告灯、自動車用光源、室外又は屋内用照明装置、ディスプレイ又はコンピュータ周辺装置などの電子製品のバックライト光源においてLEDが広く使用されている。
従来技術において、多くの電子製品ではLEDがバックライト用配線板上に設置され、バックライト用配線板全体の輝度を向上させるために、通常はアルミ箔などの反射材をLED周囲のソルダーレジスト層上に貼り付け、アルミ箔の反射光線を利用してバックライト用配線板全体の輝度を向上させている。しかしながら、アルミ箔を貼り付ける方法は製造過程が複雑なだけでなく、バックライト用配線板全体の厚みを増加させてしまう。また、アルミ箔の貼り付け過程において、配線板上に配置済みの他の電子部材の損傷が生じ易く、バックライト用配線板製造の歩留まり低下を招いてしまう。
従って、バックライト用配線板の製造工程を如何に簡略化し、同時にバックライト用配線板全体の厚みを低減させるかが、本発明の解決しようとする技術課題である。
本発明は、これに鑑み、製造が簡易な高反射バックライト用配線板構造及びその製造方法を提供する事を主な目的としている。
上記目的を達成するために、本発明は、基板、少なくとも一つの発光部材、少なくとも一つの金属ベース層、ソルダーレジスト層及び反射用めっき層が含まれた、高反射バックライト用配線板構造を提供する。そのうち、基板は複数の接続端子を備え、且つ発光部材が接続端子に電気的に接続され、金属ベース層は基板表面に形成される。ソルダーレジスト層は基板表面に形成され、且つ接続端子の位置に対応する第1開口及び金属ベース層の位置に対応する第2開口を備える。そのうち、反射用めっき層は金属ベース層の表面に形成されて、発光部材から生じる光線を反射するのに用いられ、且つ発光部材から生じる光線に対する反射用めっき層の反射率は80%より大きい。
ソルダーレジスト層の一部は金属ベース層を被覆している。
反射用めっき層の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金であり、金属ベース層の材質は銅である。
接続端子の表面は導電性めっき層を備え、且つ導電性めっき層の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金である。
本発明はまた、高反射バックライト用配線板構造の製造方法を提供するが、それには次のステップが含まれる。
(a)基板を提供する。
(b)複数の接続端子及び少なくとも一つの金属ベース層を基板表面に形成する。
(c)接続端子及び金属ベース層を被覆するソルダーレジスト層を形成する。
(d)ソルダーレジスト層に、接続端子の位置に対応する第1開口及び金属ベース層の位置に対応する第2開口を形成する。
(e)接続端子の表面に導電性めっき層を形成し、また金属ベース層の表面に反射用めっき層を形成する。
(f)少なくとも一つの発光部材を接続端子に電気的に接続する。
そのうち、発光部材から生じる光線に対する反射用めっき層の反射率は80%より大きい。
金属ベース層の表面に形成された反射用めっき層により光が反射され、且つ発光部材から生じる光線に対する反射用めっき層の反射率は80%より大きく、より良好な場合は90%よりさらに大きく、高反射バックライト用配線板構造全体の輝度を効果的に向上させて、アルミ箔を貼り付ける従来の製造工程が簡略化され、且つ高反射バックライト用配線板構造全体の厚み低減に資することができる。
本発明の実施例が提供するソルダーレジスト層を備えた基板の製造工程断面図である。 本発明の実施例が提供するソルダーレジスト層を備えた基板の製造工程断面図である。 本発明の実施例が提供するソルダーレジスト層を備えた基板の製造工程断面図である。 本発明の第1実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。 本発明の第1実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。 本発明の第1実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。 本発明の第2実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。 本発明の第2実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。 本発明の第2実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。 本発明の実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。 本発明の実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。 本発明の実施例の高反射バックライト用配線板構造の製造工程断面図である。 本発明の第4実施例の高反射バックライト用配線板構造の断面図である。 本発明の第5実施例の高反射バックライト用配線板構造の平面図である。 本発明の第6実施例の高反射バックライト用配線板構造の平面図である。
まず、図1A〜図1Cを参照すると、図1A〜図1Cは本発明の実施例が提供するソルダーレジスト層を備えた基板の製造工程断面図である。まず、基板10を提供するが、基板10は第1表面101及び第2表面102を備え、基板10は単層構造又は多層の積層基板構造でよく、且つ基板10はフレキシブルプリント配線板(Flexible Printed Circuit,FPC)の基板又はプリント配線板(Printed Circuit Board,PCB)の基板でよい。本実施例において、第1表面101には薄い銅箔(図示なし)が積層されており、銅めっきを行うことで基板10の第1表面101に銅面11を形成することができる(図1Aの通り)。次に、パターン転写技術を用いて銅面11をパターン化することにより、基板10の表面に接続端子111と金属ベース層112を形成し(図1Bの通り)、且つパターン化を経た後、複数の接続端子111同士及び接続端子111と金属ベース層112との間は間隔を有している。そのうち、接続端子111は、配線板構造中の表面実装用部品(surface−mounted device)と接続する部分であり、金属ベース層112は表面実装用部品と原則的に接触することはなく、接続端子111及び金属ベース層112の製造には銅がよく用いられているが、これに限らない。
図1Cを参照して、次に、ソルダーレジスト材料を基板10の第1表面101に塗布して、基板10、接続端子111及び金属ベース層112を被覆するソルダーレジスト層12を形成する。ソルダーレジスト層12は絶縁層であり、且つソルダーレジスト材料は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、二酸化ケイ素又は酸化アルミニウムでよい。
図2A〜図2Cが図示する高反射バックライト用配線板構造の第1実施例の製造工程断面図を参照されたい。図1Cに続き、図2Aにおいて、ソルダーレジスト層12上に接続端子111の位置に対応する第1開口121を開けて形成し、且つソルダーレジスト層12は接続端子111を被覆しておらず、さらにソルダーレジスト層12上に金属ベース層112の位置に対応する第2開口122を開けて形成し、且つソルダーレジスト層12の一部は接続端子111を被覆している。その後、化学めっき(chemical plating)又は電気めっき法を用いて、接続端子111の表面及び金属ベース層112の表面に金属めっき層13を形成することができるが、そのうち、金属めっき層13は、接続端子111の表面に形成された導電性めっき層131及び金属ベース層112の表面に形成された反射用めっき層132を含み(図2Bの通り)、且つ金属めっき層13の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金でよい。
続けて図2Cを参照して、その後、発光部材14を接続端子111の位置に設置して、接続端子111と電気的に接続することにより、高反射バックライト用配線板構造1を形成する。図2Cにおいて、発光部材14は、LEDウェハ141、P極接続パッド142及びN極接続パッド143を含む。そのうち、P極接続パッド142及びN極接続パッド143は、LEDウェハ141の底面に位置し、それぞれは表面に導電性めっき層131を備えた接続端子111と電気的に接続される。このようにして、高反射バックライト用配線板構造1の発光部材14が作動する際に、基板10又はソルダーレジスト層12に投射された一部の光線を反射用めっき層132が反射し、これにより高反射バックライト用配線板構造1全体の輝度を向上させることができる。本実施例では、基板10の第1表面101に接続端子111、金属ベース層112、ソルダーレジスト層12、金属めっき層13及び発光部材14を形成する実施方法だけを提出しているが、実際の応用においては、上述の部材を第1表面101及び第2表面102上に同時に形成してもよく、本実施例が提出する実施方法に限らない。
図3A〜図3Cが図示する高反射バックライト用配線板構造の第2実施例の製造工程断面図を参照して、それは第1実施例と似通っており、異なるのは、ソルダーレジスト層12がどれも接続端子111及び金属ベース層112を被覆していないという点である。
図4A〜図4Cが図示する高反射バックライト用配線板構造の第3実施例の製造工程断面図を参照して、それは第1実施例と似通っており、異なるのは、ソルダーレジスト層12の一部が接続端子111を被覆しているが、金属ベース層112は被覆していないという点である。
図5が図示する高反射バックライト用配線板構造の第4実施例の断面図を参照して、それは第3実施例と似通っており、異なるのは、ソルダーレジスト層12上にそれぞれが単一の接続端子111に対応する2つの第1開口121が形成されるという点である。本実施例において、隣り合う接続端子111の間にも一部のソルダーレジスト層12が残されており、隣り合う導電性めっき層131が近すぎることで電気回路のショートが生じる問題を効果的に防止することができる。
図6Aが図示する高反射バックライト用配線板構造の第5実施例の平面図を参照して、LEDウェハ141の周囲には孤形状の反射用めっき層132が形成され、これによりLEDウェハ141が基板10又はソルダーレジスト層12に投射した一部の光線を反射させて、高反射バックライト用配線板構造1全体の輝度を向上させている。
図6Bが図示する高反射バックライト用配線板構造の第6実施例の平面図を参照して、LEDウェハ141の周囲には環状の外観をした反射用めっき層132が形成され、これによりLEDウェハ141が基板10又はソルダーレジスト層12に投射した一部の光線を反射させて、高反射バックライト用配線板構造1全体の輝度を向上させている。その他の可能な実施方法では、発光部材の配置及び全体輝度のニーズに基づき、パターン転写技術を利用して各種の様々な形状又は高さの金属ベース層を製造した上で、金属ベース層の表面に反射用めっき層を施すことができる。
本発明は、金属ベース層112の表面に形成された反射用めっき層132により光が反射され、且つ発光部材14から生じる光線に対する反射用めっき層132の反射率は80%より大きく、より良好な場合は90%よりさらに大きく、高反射バックライト用配線板構造1全体の輝度を効果的に向上させて、アルミ箔を貼り付ける従来の製造工程が簡略化され、且つ高反射バックライト用配線板構造1全体の厚み低減に資することができる。
1 高反射バックライト用配線板構造
10 基板
101 第1表面
102 第2表面
11 銅面
111 接続端子
112 金属ベース層
12 ソルダーレジスト層
121 第1開口
122 第2開口
13 金属めっき層
131 導電性めっき層
132 反射用めっき層
14 発光部材
141 LEDウェハ
142 P極接続パッド
143 N極接続パッド

Claims (7)

  1. 複数の接続端子を備えた基板と、
    前記接続端子に電気的に接続される少なくとも一つの発光部材と、
    前記基板表面の前記接続端子と異なる位置に形成される少なくとも一つの金属ベース層と、
    前記基板表面に形成され、且つ前記接続端子の位置に対応する第1開口及び前記金属ベース層の位置に対応する第2開口を備えるソルダーレジスト層と、
    前記第2開口の内部にて露出している前記金属ベース層の表面に形成されて、前記発光部材から生じる光線を反射するのに用いられる反射用めっき層と、を含み、且つ前記発光部材から生じる光線に対する前記反射用めっき層の反射率は80%より大きく、前記反射用めっき層の前記基板表面からの高さは前記ソルダーレジスト層の前記基板表面からの高さより高くないことを特徴とする、高反射バックライト用配線板構造。
  2. 前記ソルダーレジスト層の一部は前記金属ベース層を被覆していることを特徴とする、請求項1に記載の高反射バックライト用配線板構造。
  3. 前記反射用めっき層の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金であることを特徴とする、請求項1に記載の高反射バックライト用配線板構造。
  4. 前記金属ベース層の材質は銅であることを特徴とする、請求項1に記載の高反射バックライト用配線板構造。
  5. 前記接続端子の表面は導電性めっき層を備えていることを特徴とする、請求項1に記載の高反射バックライト用配線板構造。
  6. 前記導電性めっき層の材質はニッケル、銀、カドミウム又はその合金であることを特徴とする、請求項5に記載の高反射バックライト用配線板構造。
  7. (a)基板を提供するステップと、
    (b)複数の接続端子及び少なくとも一つの金属ベース層を前記基板表面の互いに異なる位置に形成するステップと、
    (c)前記接続端子及び前記金属ベース層を被覆するソルダーレジスト層を形成するステップと、
    (d)前記ソルダーレジスト層に、前記接続端子の位置に対応する第1開口及び前記金属ベース層の位置に対応する第2開口を形成するステップと、
    (e)前記第1開口の内部にて露出している前記接続端子の表面に導電性めっき層を形成し、また前記第2開口の内部にて露出している前記金属ベース層の表面に反射用めっき層を形成するステップと、
    (f)少なくとも一つの発光部材を前記接続端子に電気的に接続するステップと、を含み、そのうち、前記発光部材から生じる光線に対する前記反射用めっき層の反射率は80%より大きく、前記反射用めっき層の前記基板表面からの高さは前記ソルダーレジスト層の前記基板表面からの高さより高くないことを特徴とする、高反射バックライト用配線板構造の製造方法。
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