TWI684293B - 高反射背光電路板結構及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

一種高反射背光電路板結構及其製法，高反射背光電路板結構包括：一基板、至少一發光元件、至少一金屬基層、一防焊層及一反光鍍層。發光元件電性連接於基板表面的連接端子，金屬基層形成於基板表面，而防焊層形成於基板表面且具有對應於連接端子位置的一第一開口及對應於金屬基層位置的一第二開口。反光鍍層則形成於金屬基層表面並用以反射發光元件所產生的光線。

Description

高反射背光電路板結構及其製作方法
本發明是關於一種印刷電路板的結構及其製作方法，尤指一種高反射背光電路板結構及其製作方法。
發光二極體（Light-Emitting Diode, LED）最早於1965年問世，而隨著LED封裝技術及發光效率的提升，體積小、耗電量低、壽命長及操作反應迅速的LED也跟著問世。此外，因應節能減碳的需求及環保意識的抬頭，目前LED已被廣泛地應用於號誌燈、廣告燈、汽機車光源、室外或家用照明裝置、顯示器或電腦周邊裝置等電子產品的背光光源之中。
於現有技術中，多將電子產品中的LED設置於背光電路板之上，而為了提升背光電路板的整體亮度，通常會將鋁箔等反射材質貼附於LED周圍的防焊層之上，以利用鋁箔反射光線而提升背光電路板整體的亮度。然而，以鋁箔貼附的方式不僅製作過程較為複雜，亦使得背光電路板整體的厚度增加。另一方面，亦容易於鋁箔貼附的過程中損壞電路板上其它已佈置好的電子元件，導致背光電路板製作的良率下降。
是以，如何簡化背光電路板的製作流程，並同時降低背光電路板的整體厚度，為本發明欲解決的技術課題。
有鑑於此，本發明之主要目的在於提供一種製作簡易的高反射背光電路板結構及其製法。
為了達成上述的目的，本發明提供一種高反射背光電路板結構，包括：一基板、至少一發光元件、至少一金屬基層、一防焊層及一反光鍍層。其中，基板具有多個連接端子，且發光元件電性連接於連接端子，而金屬基層形成於基板表面。所述防焊層形成於基板表面且具有對應於連接端子位置的一第一開口及對應於金屬基層位置的一第二開口。其中，反光鍍層形成於金屬基層表面並用以反射發光元件所產生的光線，且該反光鍍層對該發光元件所產生的光線的反射率大於80％。
所述防焊層局部覆蓋該金屬基層。
所述反光鍍層的材質為：鎳、銀、鎘或其合金，而金屬基層的材質為銅。
所述連接端子表面具有一導電鍍層，且導電鍍層的材質為：鎳、銀、鎘或其合金。
本發明另提供一種高反射背光電路板結構的製作方法，該方法包括下列步驟： （a）. 提供一基板； （b）. 形成多個連接端子及至少一金屬基層於基板表面； （c）. 形成一覆蓋於連接端子及金屬基層的防焊層； （d）. 於防焊層形成對應於連接端子位置的一第一開口及對應於金屬基層位置的一第二開口； （e）. 形成一導電鍍層於連接端子表面及形成一反光鍍層於金屬基層表面；以及 （f）. 令至少一發光元件電性連接於該連接端子； 其中，該反光鍍層對該發光元件所產生的光線的反射率大於80％。
藉由形成於金屬基層表面的反光鍍層進行光反射，且反光鍍層對發光元件所產生光線的反射率大於80％，較佳者更大於90％，而可有效提升高反射背光電路板結構整體的亮度，簡化習用鋁箔貼覆的製程，並有助於降低高反射背光電路板結構整體的厚度。
首先，請參閱第1A圖至第1C圖，第1A圖至第1C圖為本發明其中一實施例所提供具防焊層之基板的製作流程剖面圖。首先，提供一基板10，基板10具有一第一表面101及一第二表面102，而基板10可為單層板結構或多層複合板結構，且基板10可為軟性電路板（Flexible Printed Circuit, FPC）之基板或硬式電路板（Printed Circuit Board, PCB）之基板。於本實施例中，第一表面101層合有薄銅箔（未示於圖中）而可進行鍍銅，以於基板10的第一表面101形成面銅11（如第1A圖所示）。接著，以線路影像轉移技術將面銅11圖像化，以於基板10表面形成連接端子111與金屬基層112（如第1B圖所示），且經圖形化後，多個連接端子111之間及連接端子111與金屬基層112之間具有間隙。其中，連接端子111為電路板結構中與表面貼裝元件（surface-mounted device）連接的部分，而金屬基層112原則上不與表面貼裝元件接觸，常見用以製作連接端子111及金屬基層112的材料為銅，但不以此為限。
請參閱第1C圖，接著，塗佈防焊材料於基板10的第一表面101，以形成覆蓋基板10、連接端子111及金屬基層112的防焊層12。防焊層12為一絕緣層，且防焊材料可為：環氧樹脂、矽樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚類樹脂、氟樹脂、二氧化矽或氧化鋁。
請參閱第2A圖至第2C圖所繪示之高反射背光電路板結構第一實施例的製作流程剖面圖。接續第1C圖，於第2A圖中，可於防焊層12上開窗而形成對應於連接端子111位置的第一開口121，且防焊層12並未覆蓋連接端子111；並於防焊層12上開窗而形成對應於金屬基層112位置的第二開口122，且防焊層12局部覆蓋連接端子111。隨後，可以化學鍍（chemical plating）或電鍍的方式於連接端子111表面及金屬基層112表面形成金屬鍍層13，其中，金屬鍍層13包括形成於連接端子111表面的導電鍍層131及形成於金屬基層112表面的反光鍍層132（如第2B圖所示），且金屬鍍層13的材質可為：鎳、銀、鎘或其合金。
請繼續參閱第2C圖，爾後，將一發光元件14設置於連接端子111位置，並與連接端子111電性連接，以形成一高反射背光電路板結構1。於第2C圖中，發光元件14包括：發光二極體晶片141、P極連接墊142與N極連接墊143。其中，P極連接墊142與N極連接墊143位於發光二極體晶片141的底面，並分別與表面具有導電鍍層131的連接端子111電性連接。如此一來，於高反射背光電路板結構1的發光元件14進行運作時，部分投射至基板10或防焊層12的光線可被反光鍍層132反射，藉此提高高反射背光電路板結構1的整體亮度。本實施例雖僅提出於基板10的第一表面101形成連接端子111、金屬基層112、防焊層12、金屬鍍層13及發光元件14的實施方式，於實際應用時，前述元件亦可同時形成於第一表面101及第二表面102之上，而不以本實施例所提出的實施方式為限。
請參閱第3A圖至第3C圖所繪示之高反射背光電路板結構第二實施例的製作流程剖面圖，其與第一實施例雷同，差異之處在於，防焊層12均未覆蓋連接端子111及金屬基層112。
請參閱第4A圖至第4C圖所繪示之高反射背光電路板結構第三實施例的製作流程剖面圖，其與第一實施例雷同，差異之處在於，防焊層12局部覆蓋於連接端子111但未覆蓋於金屬基層112。
請參閱第5圖所繪示之高反射背光電路板結構第四實施例的剖面圖，其與第三實施例雷同，差異之處在於，防焊層12上形成分別對應單一連接端子111的兩個第一開口121。於本實施例中，由於相鄰的連接端子111之間仍保留部分的防焊層12，而可有效避免相鄰之導電鍍層131因過於靠近所產生電路短路的問題。
請參閱第6A圖所繪示之高反射背光電路板結構第五實施例的俯視圖，發光二極體晶片141的周圍形成四個弧狀輪廓的反光鍍層132，藉以反射發光二極體晶片141部分投射至基板10或防焊層12表面的光線，提高高反射背光電路板結構1的整體亮度。請參閱第6B圖為所繪示之高反射背光電路板結構第六實施例的俯視圖，發光二極體晶片141的周圍形成環狀外觀的反光鍍層132，藉以反射發光二極體晶片141部分投射至基板10或防焊層12表面的光線，提高高反射背光電路板結構1的整體亮度。在其它可能的實施方式中，可依據發光元件的配置及整體亮度需求，利用線路影像轉移技術製作各種不同形狀或高度的金屬基層，再於金屬基層表面鍍上反光鍍層。
本發明藉由形成於金屬基層112表面的反光鍍層132進行光反射，且該反光鍍層132對該發光元件14所產生光線的反射率大於80％，較佳者更大於90％，而可有效提升高反射背光電路板結構1整體的亮度，簡化習用鋁箔貼覆的製程，並有助於降低高反射背光電路板結構1整體的厚度。
高反射背光電路板結構1                                 基板10 第一表面101                                                     第二表面102 面銅11                                                               連接端子111 金屬基層112                                                     防焊層12 第一開口121                                                     第二開口122 金屬鍍層13                                                       導電鍍層131 反光鍍層132                                                     發光元件14 發光二極體晶片141                                         P極連接墊142 N極連接墊143
第1A圖至第1C圖為本發明其中一實施例所提供具防焊層之基板的製作流程剖面圖。
第2A圖至第2C圖為本發明第一實施例之高反射背光電路板結構的製作流程剖面圖。
第3A圖至第3C圖為本發明第二實施例之高反射背光電路板結構的製作流程剖面圖。
第4A圖至第4C圖為本發明第三實施例之高反射背光電路板結構的製作流程剖面圖。
第5圖為本發明第四實施例之高反射背光電路板結構的剖面圖。
第6A圖為本發明第五實施例之高反射背光電路板結構的俯視圖。
第6B圖為本發明第六實施例之高反射背光電路板結構的俯視圖。
高反射背光電路板結構1                                 基板10 第一表面101                                                     第二表面102                                                                           連接端子111                                                     金屬基層112                                                                           防焊層12                                                           第一開口121                                                                           第二開口122                                                     金屬鍍層13                                                                            導電鍍層131                                                     反光鍍層132                                                                           發光元件14                                                       發光二極體晶片141                  P極連接墊142                                                   N極連接墊143

Claims (7)

  1. 一種高反射背光電路板結構，包括：一基板，具有多個連接端子；至少一發光元件，電性連接該連接端子；至少一金屬基層，形成於該基板表面；一防焊層，形成於該基板表面，且具有對應於該連接端子位置的一第一開口及對應於該金屬基層位置的一第二開口；以及一反光鍍層，形成於該金屬基層表面並用以反射該發光元件所產生的光線，且該反光鍍層對該發光元件所產生的光線的反射率大於80%；其中，該至少一發光元件是對應於該些連接端子所在的第一開口而非該金屬基層所在的第二開口。
  2. 如請求項1所述的高反射背光電路板結構，其中該防焊層局部覆蓋該金屬基層。
  3. 如請求項1所述的高反射背光電路板結構，其中該反光鍍層的材質為：鎳、銀、鎘或其合金。
  4. 如請求項1所述的高反射背光電路板結構，其中該金屬基層的材質為銅。
  5. 如請求項1所述的高反射背光電路板結構，其中該連接端子表面具有一導電鍍層。
  6. 如請求項5所述的高反射背光電路板結構，其中該導電鍍層的材質為：鎳、銀、鎘或其合金。
  7. 一種高反射背光電路板結構的製作方法，包括下列步驟： (a).提供一基板；(b).形成多個連接端子及至少一金屬基層於該基板表面；(c).形成一覆蓋於該連接端子及該金屬基層的防焊層；(d).於該防焊層形成對應於該連接端子位置的一第一開口及對應於該金屬基層位置的一第二開口；(e).形成一導電鍍層於該連接端子表面及形成一反光鍍層於該金屬基層表面；以及(f).令至少一發光元件電性連接於該連接端子，且該至少一發光元件是對應於該些連接端子所在的第一開口而非該金屬基層所在的第二開口；其中，該反光鍍層對該發光元件所產生的光線的反射率大於80%。
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